JP2022501807A - 色素増感光電池 - Google Patents
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- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 50
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 8
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 88
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 claims description 55
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 49
- -1 titanium alkoxide Chemical class 0.000 claims description 48
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 45
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 40
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 39
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical class [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical class [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 14
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical group O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 claims description 10
- 150000005676 cyclic carbonates Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims description 9
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 8
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- 125000002015 acyclic group Chemical group 0.000 claims description 7
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000013110 organic ligand Substances 0.000 claims description 6
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 claims description 6
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 claims description 5
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 150000004699 copper complex Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 3
- FGYADSCZTQOAFK-UHFFFAOYSA-N 1-methylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=C2N(C)C=NC2=C1 FGYADSCZTQOAFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 2
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 claims description 2
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 2
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 115
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 238000009472 formulation Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 abstract description 3
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 abstract description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 2
- 230000009972 noncorrosive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 84
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 76
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 43
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 26
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 24
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 22
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC=C1 YSHMQTRICHYLGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 17
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- ONNRLNXMQUBMEU-UHFFFAOYSA-N [Cu+].CC1=CC=CC(=N1)C1=NC(=CC=C1)C.CC1=CC=CC(=N1)C1=NC(=CC=C1)C Chemical compound [Cu+].CC1=CC=CC(=N1)C1=NC(=CC=C1)C.CC1=CC=CC(=N1)C1=NC(=CC=C1)C ONNRLNXMQUBMEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 14
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 14
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 14
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 11
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 11
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 11
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- RUDATBOHQWOJDD-UHFFFAOYSA-N (3beta,5beta,7alpha)-3,7-Dihydroxycholan-24-oic acid Natural products OC1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)CC2 RUDATBOHQWOJDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- YTGYSYJZMRLMIN-CSOVRXNHSA-N (E)-2-cyano-3-[5-[4-[4-(2,4-dibutoxyphenyl)-N-[4-(2,4-dibutoxyphenyl)phenyl]anilino]phenyl]thiophen-2-yl]prop-2-enoic acid Chemical compound C(CCC)OC1=C(C=CC(=C1)OCCCC)C1=CC=C(C=C1)N(C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(S1)/C=C(/C(=O)O)\C#N)C1=CC=C(C=C1)C1=C(C=C(C=C1)OCCCC)OCCCC YTGYSYJZMRLMIN-CSOVRXNHSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- RUDATBOHQWOJDD-BSWAIDMHSA-N chenodeoxycholic acid Chemical compound C([C@H]1C[C@H]2O)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)CC1 RUDATBOHQWOJDD-BSWAIDMHSA-N 0.000 description 10
- 229960001091 chenodeoxycholic acid Drugs 0.000 description 10
- GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N triton Chemical compound [3H+] GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N 0.000 description 10
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 7
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 7
- IYNRNYXVZJNUCH-UHFFFAOYSA-N copper 2-methyl-6-(6-methylpyridin-2-yl)pyridine Chemical compound [Cu].Cc1cccc(n1)-c1cccc(C)n1.Cc1cccc(n1)-c1cccc(C)n1 IYNRNYXVZJNUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KXGVEGMKQFWNSR-LLQZFEROSA-N deoxycholic acid Chemical compound C([C@H]1CC2)[C@H](O)CC[C@]1(C)[C@@H]1[C@@H]2[C@@H]2CC[C@H]([C@@H](CCC(O)=O)C)[C@@]2(C)[C@@H](O)C1 KXGVEGMKQFWNSR-LLQZFEROSA-N 0.000 description 5
- 229960003964 deoxycholic acid Drugs 0.000 description 5
- KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N deoxycholic acid Natural products C1CC2CC(O)CCC2(C)C2C1C1CCC(C(CCC(O)=O)C)C1(C)C(O)C2 KXGVEGMKQFWNSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- 239000012855 volatile organic compound Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 4
- 229920000075 poly(4-vinylpyridine) Polymers 0.000 description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 4
- 239000011877 solvent mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 4
- OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropanenitrile Chemical compound COCCC#N OOWFYDWAMOKVSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- ZNPNBVMODOYEAB-UHFFFAOYSA-N copper(1+);2,9-dimethyl-1,10-phenanthroline Chemical compound [Cu+].C1=C(C)N=C2C3=NC(C)=CC=C3C=CC2=C1.C1=C(C)N=C2C3=NC(C)=CC=C3C=CC2=C1 ZNPNBVMODOYEAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 3
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 3
- 241000530268 Lycaena heteronea Species 0.000 description 2
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- QGMZVDXJVMOGSN-UHFFFAOYSA-N copper;2,9-dimethyl-1,10-phenanthroline Chemical compound [Cu+2].C1=C(C)N=C2C3=NC(C)=CC=C3C=CC2=C1.C1=C(C)N=C2C3=NC(C)=CC=C3C=CC2=C1 QGMZVDXJVMOGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- WRTMQOHKMFDUKX-UHFFFAOYSA-N triiodide Chemical compound I[I-]I WRTMQOHKMFDUKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXPLCAKVOYHAJA-UHFFFAOYSA-N 2-(4-carboxypyridin-2-yl)pyridine-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(O)=O)=C1 FXPLCAKVOYHAJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000505 Al2TiO5 Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical group OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 230000007059 acute toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000403 acute toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000001506 calcium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000389 calcium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011010 calcium phosphates Nutrition 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000001684 chronic effect Effects 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- WTNXLMHVEJFZAQ-UHFFFAOYSA-N copper;2,9-dimethyl-1,10-phenanthroline Chemical compound [Cu].C1=C(C)N=C2C3=NC(C)=CC=C3C=CC2=C1.C1=C(C)N=C2C3=NC(C)=CC=C3C=CC2=C1 WTNXLMHVEJFZAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008821 health effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052588 hydroxylapatite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- AYLOITHBNYNILI-UHFFFAOYSA-N iodane Chemical compound I.I.I.I AYLOITHBNYNILI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCDAAXRCMMPNBO-UHFFFAOYSA-N iron(3+);oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Ti+4].[Fe+3].[Fe+3] JCDAAXRCMMPNBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- MHWZQNGIEIYAQJ-UHFFFAOYSA-N molybdenum diselenide Chemical compound [Se]=[Mo]=[Se] MHWZQNGIEIYAQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- XYJRXVWERLGGKC-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;hydroxide;triphosphate Chemical compound [OH-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O XYJRXVWERLGGKC-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 1
- 230000002165 photosensitisation Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- AABBHSMFGKYLKE-SNAWJCMRSA-N propan-2-yl (e)-but-2-enoate Chemical compound C\C=C\C(=O)OC(C)C AABBHSMFGKYLKE-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 150000003303 ruthenium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229950004288 tosilate Drugs 0.000 description 1
- QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H tricalcium bis(phosphate) Chemical compound [Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O QORWJWZARLRLPR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Abstract
Description
画像化デバイス、メモリ、センサおよび光電池における金属酸化物等の半導体固体の増感は、エネルギー変換の効果的な手段として役立ち得る。これらのデバイスは、光に対して透明であるが、増感剤の使用により所望のスペクトルに対して増感され得る二酸化チタン等の金属酸化物を使用し、増感剤は、光エネルギーを吸収し、それを電力または電気信号に変換する。この増感は、励起状態の色素増感剤から金属酸化物への電荷注入を介して生じる。遷移金属錯体、無機コロイドおよび有機色素分子等の増感剤が使用される。
Hattoriら(Hattori, S., et al. (2005) "Blue copper model complexes with distorted tetragonal geometry acting as effective electron-transfer mediators in dye-sensitized photovoltaic cells. J. Am.Chem. Soc., 127: 9648-9654)は、ルテニウムベース色素を使用したDSPCに銅(I/II)レドックス対を使用したが、得られる効率は非常に低かった。Peng Wangらは、有機色素を使用して銅レドックスベース色素DSPCの性能を改善した(Bai, Y., et al. (2011) Chem. Commun., 47: 4376-4378)。そのような電池から生成された電圧は、いかなるヨウ化物/三ヨウ化物ベースレドックス対により生成された電圧をもはるかに超えていた。
一般に、色素増感光電池には、白金、グラフェンまたはポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン(ethyelenedioxythiophene))(「PEDOT」)が使用される。白金は、400℃を超える温度でのヘキサクロロ白金酸の熱分解、またはスパッタリングにより堆積される。PEDOTは、一般に、3,4−エチレンジオキシチオフェン(「EDOT」)の電気化学重合により堆積されるが、これは、カソード材料として使用される高抵抗基板に起因して均一性の問題をもたらす。グラフェン材料は、一般に、グラフェン材料含有溶液または懸濁液からのスピンコーティングにより堆積される。グラフェン材料はPEDOTおよび白金より良好に機能するが、グラフェンを基板に結合することが困難であって、剥離問題を引き起こすことが多い。さらに、スピンコーティングからの堆積は、グラフェン分子間の凝集力の欠如に起因して不均一な膜をもたらすことが多い。PEDOTの電気化学堆積は、より小型のデバイスには適正となり得るが、より大型のデバイスには不適切である。基板サイズが増加すると、抵抗損による長さにわたる電流低下に起因して均一性問題が生じる(重合反応速度論は、所与の時間における電流に依存する)。これは、R2R製造に理想的な方法ではない。商業的供給源から入手可能な化学重合PEDOT/PSS溶液は、多くの場合、電子デバイス用途に使用される。この材料は極めて水溶性であって、その結果、この溶液を使用して製造されたデバイスは、カソードからの解離に起因して、またデバイスの透明導電性電極を劣化させる酸性度に起因して、有効寿命の減少が問題となる。
本明細書において、1sunおよび室内光照射条件下での色素増感光電池の性能を改善する、印刷可能で非腐食性の非多孔質正孔阻止層配合物が提供される。非多孔質正孔阻止層は、電極(アノード)とナノ多孔質TiO2膜との間に導入される。非多孔質正孔阻止層は、電解質中のレドックス種と電極との間の逆電子移動を低減/阻害する。また、無害な材料(チタンアルコキシド、ポリマーチタンアルコキシド、他の有機チタン化合物)を用いて、高速ロールでコーティングされ得る非多孔質正孔阻止層を導入するための方法が提供される。
本明細書において別段に指定されない限り、使用される用語の定義は、有機化学の分野において使用される標準的な定義である。例示的な実施形態、態様および変形が図および図面において示されており、本明細書において開示される実施形態、態様および変形、ならびに図および図面は例示的であって、限定的ではないと解釈されるべきであることが意図される。
ACN − アセトニトリル。
DSPC − 色素増感光電池。
DI − 脱イオン。
EDOT − 3,4−エチレンジオキシチオフェン。
FF − 曲線因子。
FTO − フッ化物ドープ酸化スズ。
GBL − ガンマ−ブチロラクトン。
JSC − 短絡電流密度。
MPN − 3−メトキシプロピオニトリル
PEDOT − ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)
PEN − ポリエチレンナフタレート
PET − ポリエチレンテレフタレート
PSS − ポリ(4−スチレンスルホン酸)
SDS − ドデシル硫酸ナトリウム。
TBHFP − テトラ−n−ブチルアンモニウムヘキサフルオロホスフェート。
VOC − 開路電圧。
VOC − 揮発性有機化合物。
− カソードと;
− 電解質と;
− 多孔質色素増感二酸化チタン膜と;
− アノードと
を備える。
阻止層
n−ブタノール中0.1〜1%のTyzor(商標)ポリ(n−ブチルチタネート)溶液を使用して、スピンまたはブレードコーティング技術によりフッ素ドープ酸化スズ(FTO)コーティングガラス上に阻止層を付与した。20重量%のTiO2(21±5nmの粒径を有するDegussa P25)および5重量%のポリ(4−ビニルピリジン)を含有する水性分散液を調製し、ブレードコーティング技術を使用して、阻止層を有する、および有さない調製された電極上に付与した。TiO2層の厚さは、約6ミクロンであった。TiO2コーティングを500℃で30分間焼結し、80℃に冷却し、0.3mMのD35色素(Dyenamo、Stockholm、スウェーデン)(実施例の最後にある構造を参照されたい)および0.3mMのデオキシコール酸を含有する1:1のアセトニトリル/t−ブタノール色素溶液に含浸した。アノードを色素溶液中に一晩維持し、アセトニトリルで洗浄し、暗所で空気乾燥した。厚さ60μmのホットメルトシール膜(スイス、Solaronix製Meltonix 1170−60PF)ウィンドウを使用して、125℃で45秒間ホットプレスすることにより、色素増感アノードをFTOコーティングスライドガラス上の熱分解堆積白金触媒で挟み込んだ。アセトニトリル中200mMのビス(6,6’−ジメチル−2,2’−ビピリジン)銅(I)ビス(トリフルオロスルホン)イミド、50mMのビス(6,6’−ジメチル−2,2’−ビピリジン)銅(II)ビス(トリフルオロスルホン)イミド、100mMのリチウムビス(トリフルオロスルホン)イミドおよび0.5Mの4−(tert−ブチル)ピリジンからなる銅レドックス電解質溶液を、カソード上のピンホールを使用してアノードとカソードとの間に注入した。Meltonix/カバーガラスを使用し、ヒートシールプロセスを使用してピンホールをシールした。アノードおよびカソードの接触領域に導電性銀塗料を付与し、乾燥させて電気接点を形成した。
表1.阻止層あり、およびなしで作製されたP25ベース光電池の、1sun照射条件下での光発電特性
阻止層
表2.阻止層あり、およびなしで作製された18nm TiO2ベース光電池の、1sun照射条件下での光発電特性
阻止層
表3.阻止層あり、およびなしで作製された30nm TiO2ベース光電池の、1sun照射条件下での光発電特性
阻止層
表4.阻止層あり、およびなしでD35を使用して作製された光電池の、室内光条件下の様々な光強度での光発電特性
阻止層
表5.阻止層あり、およびなしでBOD4を使用して作製された光電池の、室内光条件下での光発電特性
D35色素を用いた銅レドックスベースDSPCの室内光性能に対する溶媒の効果
表6.720ルクス室内光曝露下での銅光電池の光発電特性
銅レドックスベースDSPCの室内光性能に対するレドックス対の効果
表7.720ルクス室内光曝露下での銅光電池の光発電特性
BOD4色素を用いた銅レドックスベースDSPCの室内光性能に対する溶媒の効果
表8.720ルクス室内光曝露下での銅光電池の光発電特性
80%のD13および20%のXY1b色素混合物を用いた銅レドックスベースDSPCの室内光性能に対する溶媒/溶媒混合物の効果
表9A.様々な溶媒ベース電解質を有する室内用光電池の、374ルクス室内光曝露での光発電特性
80%のD13および20%のXY1b色素混合物を用いたDSPCの室内光性能に対する、GBL/スルホランベース銅レドックス電解質における溶媒比の効果
表10.様々な電解質を有する9/1 E3,7z/XY1b光電池の、2つの室内光条件下でのI-V特性
様々な色素および色素カクテルを用いた銅レドックスベースDSPCの室内光性能に対する溶媒混合物の効果
表11A.様々な電解質およびカソード触媒を有する室内用光電池の、365ルクス光曝露での光発電特性
銅レドックスベースDSPCの室内光性能に対する混合レドックス対の効果
1. 250mMのビス(6,6’−ジメチル−2,2’−ビピリジン)銅(I)ビス(トリフルオロスルホン)イミド、50mMのビス(6,6’−ジメチル−2,2’−ビピリジン)銅(II)ビス(トリフルオロスルホン)イミド、100mMのリチウムビス(トリフルオロスルホン)イミドおよび0.5Mの4−(tert−ブチル)ピリジン;
2. 250mMのビス(6,6’−ジメチル−2,2’−ビピリジン)銅(I)ビス(トリフルオロスルホン)イミド、50mMのビス(2,9−ジメチル−1,10−フェナントロリン)銅(II)ビス(トリフルオロスルホン)イミド、100mMのリチウムビス(トリフルオロスルホン)イミドおよび0.5Mの4−(tert−ブチル)ピリジン;
3. 250mMのビス(2,9−ジメチル−1,10−フェナントロリン)銅(I)ビス(トリフルオロスルホン)イミド、50mMのビス(6,6’−ジメチル−2,2’−ビピリジン)銅(II)ビス(トリフルオロスルホン)イミド、100mMのリチウムビス(トリフルオロスルホン)イミドおよび0.5Mの4−(tert−ブチル)ピリジン;または
4. 250mMのビス(2,9−ジメチル−1,10−フェナントロリン)銅(I)ビス(トリフルオロスルホン)イミド、50mMのビス(2,9−ジメチル−1,10−フェナントロリン)銅(II)ビス(トリフルオロスルホン)イミド、100mMのリチウムビス(トリフルオロスルホン)イミドおよび0.5Mの4−(tert−ブチル)ピリジン
からなる銅レドックス電解質溶液を、カソード上のピンホールを使用してアノードとカソードとの間に注入する。Meltonix/カバーガラスを使用し、ヒートシールプロセスを使用してピンホールをシールする。アノードおよびカソードの接触領域に導電性銀塗料を付与し、乾燥させて電気接点を形成する。製造した電池の性能を、室内光曝露条件下(740ルクス)で測定し、光発電特性を表12Aおよび12Bに要約する。
表12A.様々なレドックス銅錯体の組合せを有するPtベース光電池の、740ルクス室内光での光発電特性
カソード調製
電池製造
表13.様々なグラフェン含量に基づく化学重合PEDOTカソードを有する銅レドックスベース色素増感光電池の、1sun照射条件下での光発電特性
グラフェンを含む電解重合PEDOT
カソード調製:
電池製造
表14A.混合EDOT/グラフェンエマルジョンを使用した様々なグラフェン含量に基づく電解重合PEDOTカソードを有する銅レドックスベース色素増感光電池の光発電特性
Claims (49)
- − カソードと;
− 電解質と;
− 多孔質色素増感二酸化チタン膜層と;
− アノードと;
− 前記アノードと前記色素増感二酸化チタン膜層との間に挿入された非多孔質正孔阻止層と
を備える、色素増感光電池。 - 前記非多孔質正孔阻止層が、有機チタン化合物を含む、請求項1に記載の色素増感光電池。
- 前記有機チタン化合物が、チタンアルコキシドである、請求項2に記載の色素増感光電池。
- 前記チタンアルコキシドが、ポリマーチタンアルコキシドである、請求項3に記載の色素増感光電池。
- 前記ポリマーチタンアルコキシドが、ポリ(n−ブチルチタネート)である、請求項4に記載の色素増感光電池。
- 前記非多孔質正孔阻止層が、アナターゼを含む、請求項1に記載の色素増感光電池。
- 前記非多孔質正孔阻止層の厚さが、20〜100nmである、請求項1に記載の色素増感光電池。
- 前記アノードが、透明導電性酸化物(TCO)コーティングガラス、TCOコーティング透明プラスチック基板、または薄い金属箔を含む、請求項1に記載の色素増感光電池。
- 前記透明導電性酸化物が、フッ素ドープ酸化スズ、インジウムドープ酸化スズ、またはアルミニウムドープ酸化スズである、請求項8に記載の色素増感光電池。
- 前記透明プラスチック基板が、PETまたはPENを含む、請求項8に記載の色素増感光電池。
- 請求項1に記載の色素増感光電池を調製する方法であって、非多孔質阻止層をアノードに付与するステップを含む、方法。
- 前記非多孔質阻止層が、ポリマーチタンアルコキシドを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記ポリマーチタンアルコキシドが、ポリ(n−ブチルチタネート)である、請求項12に記載の方法。
- 前記非多孔質阻止層が、グラビア、シルクスクリーン、スロット、スピン、スプレーまたはブレードコーティングを使用して前記アノードに付与される、請求項11に記載の方法。
- 前記カソード上に複合触媒層を形成するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
- 前記触媒層が、グラフェンと、ポリチオフェン、ポリピロール、およびポリアニリンからなる群から選択される1種または複数種のポリマーとの混合物を含む、請求項15に記載の方法。
- 前記ポリチオフェンが、PEDOTである、請求項16に記載の方法。
- グラフェンのPEDOTに対する比が、0.5:10〜2:10である、請求項17に記載の方法。
- 前記PEDOTが、前記カソード上への堆積の前に形成される、請求項18に記載の方法。
- 前記グラフェン/PEDOTが、
電極上にグラフェンを堆積させてグラフェン層を形成するステップと;
前記グラフェン層上に前記ポリマーを電着するステップと
により形成される、請求項18に記載の方法。 - − カソードと;
− 電解質と;
− 多孔質色素増感二酸化チタン膜層と;
− アノードと
を備える色素増感光電池であって、
前記電解質が、有機銅(I)塩および有機銅(II)塩を含むレドックス対を含み、有機銅(I)塩の有機銅(II)塩に対する比が、約4:1〜約12:1である、色素増感光電池。 - 前記有機銅(I)塩および有機銅(II)塩が、対イオンを有する二座および多座有機配位子を含む銅錯体である、請求項21に記載の色素増感光電池。
- 前記二座有機配位子が、6,6’−ジアルキル−2,2’−ビピリジン;4,4’,6,6’−テトラアルキル−2,2’−ビピリジン;2,9−ジアルキル−1,10−フェナトロリン;1,10−フェナトロイン;および2,2’−ビピリジンからなる群から選択される、請求項22に記載の色素増感光電池。
- 前記対イオンが、ビス(トリフルオロスルホン)イミド、ヘキサフルオロホスフェート、またはテトラフルオロボレートである、請求項22に記載の色素増感光電池。
- 有機銅(I)塩の有機銅(II)塩に対する比が、約6:1〜約10:1である、請求項21に記載の色素増感光電池。
- 前記レドックス対が、1つより多い配位子を有する銅錯体を含む、請求項21に記載の色素増感光電池。
- 前記レドックス対が、6,6’−ジアルキル−2,2’−ビピリジンを有する銅(I)錯体、ならびに6,6’−ジアルキル−2,2’−ビピリジン;4,4’,6,6’−テトラアルキル−2,2’−ビピリジン;2,9−ジアルキル−1,10−フェナトロリン;1,10−フェナトロイン;および2,2’−ビピリジンからなる群から選択される二座有機配位子を有する銅(II)錯体を含む、請求項26に記載の色素増感光電池。
- 前記レドックス対が、2,9−ジアルキル−1,10−フェナトロリンを有する銅(I)錯体、ならびに6,6’−ジアルキル−2,2’−ビピリジン;4,4’,6,6’−テトラアルキル−2,2’−ビピリジン;2,9−ジアルキル−1,10−フェナトロリン;1,10−フェナトロイン;および2,2’−ビピリジンからなる群から選択される二座有機配位子を有する銅(II)錯体を含む、請求項26に記載の色素増感光電池。
- − カソードと;
− 電解質と;
− 多孔質色素増感二酸化チタン膜層と;
− アノードと
を備える色素増感光電池であって、
前記電解質が、スルホラン、ジアルキルスルホン、アルコキシプロピオニトリル、環式カーボネート、非環式カーボネート、環式ラクトン、非環式ラクトン、低粘度イオン性液体、およびこれらの溶媒の二元/三元/四元混合物からなる群から選択される2種またはそれより多くの溶媒を含む、色素増感光電池。 - 前記電解質が、少なくとも50%のスルホランまたはジアルキルスルホンを含む、請求項29に記載の色素増感光電池。
- 前記電解質が、50%までの3−アルコキシプロピオニトリル、環式および非環式ラクトン、環式および非環式カーボネート、低粘度イオン性液体、またはそれらの二元/三元/四元混合物を含む、請求項29に記載の色素増感光電池。
- 前記電解質が、添加物として0.6MまでのN−メチルベンズイミダゾールおよび0.1Mまでのリチウムビス(トリフルオロスルホン)イミドを含む、請求項29に記載の色素増感光電池。
- − カソードと;
− 電解質と;
− 多孔質色素増感二酸化チタン膜層と;
− アノードと;
− 前記カソード上に配置されたカソード触媒であって、2D導体および電子伝導性ポリマーを含むカソード触媒と
を備える色素増感光電池。 - 前記2D導体が、グラフェンまたは硫化モリブデンを含む、請求項33に記載の色素増感光電池。
- 前記グラフェンが、分子層またはナノ/マイクロ結晶を含む、請求項34に記載の色素増感光電池。
- 前記グラフェンが、還元された酸化グラフェンから得られる、請求項34に記載の色素増感光電池。
- 前記伝導性ポリマーが、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、およびそれらの誘導体を含む、請求項33に記載の色素増感光電池。
- 前記ポリチオフェンが、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)(「PEDOT」)である、請求項37に記載の色素増感光電池。
- 請求項38に記載の色素増感光電池を製造する方法であって、モノマーの3,4−エチレンジオキシチオフェン(「EDOT」)からカソード上でPEDOTを重合させるステップを含む、方法。
- 前記PEDOTが、化学重合または電気化学重合により前記カソード上で重合される、請求項39に記載の方法。
- 前記PEDOTが、触媒としてトシル酸第二鉄または塩化第二鉄を使用して前記カソード上で重合される、請求項40に記載の方法。
- EDOTの塩化第二鉄に対する比が、約1:3〜約1:4である、請求項41に記載の方法。
- 前記EDOTが、化学重合の前にグラフェンと混合される、請求項39に記載の方法。
- 前記EDOT/グラフェン/第二鉄触媒が、スピン、グラビア、ブレードまたはスロットコーティング技術を使用してn−ブタノールから前記カソード上に堆積され、基板上で重合される、請求項43に記載の方法。
- 色素増感光電池のカソード上に複合触媒層を形成するための方法であって、ポリチオフェン、ポリピロール、およびポリアニリンからなる群から選択される1種または複数種の伝導性ポリマーとの複合グラフェン材料を形成するステップを含む、方法。
- グラフェンの伝導性ポリマーに対する比が、0.5:10〜2:10である、請求項45に記載の方法。
- 前記ポリチオフェンが、PEDOTである、請求項45に記載の方法。
- 前記ポリマーおよびグラフェンが、前記カソード上への堆積の前に重合される、請求項45に記載の方法。
- 複合材料が、
前記カソード上にグラフェンを堆積させてグラフェン層を形成するステップと;
前記グラフェン層上に前記ポリマーを電着するステップと
により形成される、請求項45に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201862734511P | 2018-09-21 | 2018-09-21 | |
US62/734,511 | 2018-09-21 | ||
PCT/US2019/051849 WO2020061266A1 (en) | 2018-09-21 | 2019-09-19 | Dye sensitized photovoltaic cells |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022501807A true JP2022501807A (ja) | 2022-01-06 |
JPWO2020061266A5 JPWO2020061266A5 (ja) | 2022-09-08 |
JP7511256B2 JP7511256B2 (ja) | 2024-07-05 |
Family
ID=69887837
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021513321A Active JP7511256B2 (ja) | 2018-09-21 | 2019-09-19 | 色素増感光電池 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20200395492A1 (ja) |
EP (1) | EP3853909A4 (ja) |
JP (1) | JP7511256B2 (ja) |
KR (1) | KR20210058861A (ja) |
CN (2) | CN112955992B (ja) |
AU (1) | AU2019343155A1 (ja) |
CA (1) | CA3106260A1 (ja) |
IL (2) | IL280849B2 (ja) |
TW (1) | TWI833810B (ja) |
WO (1) | WO2020061266A1 (ja) |
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-
2019
- 2019-09-19 JP JP2021513321A patent/JP7511256B2/ja active Active
- 2019-09-19 CN CN201980061652.7A patent/CN112955992B/zh active Active
- 2019-09-19 WO PCT/US2019/051849 patent/WO2020061266A1/en unknown
- 2019-09-19 KR KR1020217009577A patent/KR20210058861A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-09-19 IL IL280849A patent/IL280849B2/en unknown
- 2019-09-19 EP EP19863787.8A patent/EP3853909A4/en active Pending
- 2019-09-19 CA CA3106260A patent/CA3106260A1/en active Pending
- 2019-09-19 AU AU2019343155A patent/AU2019343155A1/en active Pending
- 2019-09-19 IL IL311150A patent/IL311150A/en unknown
- 2019-09-19 CN CN202310452781.7A patent/CN116504535A/zh active Pending
- 2019-09-20 TW TW108134099A patent/TWI833810B/zh active
-
2020
- 2020-08-26 US US17/003,298 patent/US20200395492A1/en not_active Abandoned
-
2022
- 2022-11-03 US US18/052,417 patent/US20230104362A1/en active Pending
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JP7290954B2 (ja) | 2019-02-06 | 2023-06-14 | 株式会社豊田中央研究所 | 電解質、太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116504535A (zh) | 2023-07-28 |
CA3106260A1 (en) | 2020-03-26 |
AU2019343155A1 (en) | 2021-01-28 |
JP7511256B2 (ja) | 2024-07-05 |
TW202036923A (zh) | 2020-10-01 |
IL280849A (en) | 2021-04-29 |
IL311150A (en) | 2024-04-01 |
KR20210058861A (ko) | 2021-05-24 |
US20230104362A1 (en) | 2023-04-06 |
WO2020061266A1 (en) | 2020-03-26 |
TWI833810B (zh) | 2024-03-01 |
EP3853909A4 (en) | 2022-09-21 |
CN112955992B (zh) | 2024-04-02 |
IL280849B2 (en) | 2024-08-01 |
US20200395492A1 (en) | 2020-12-17 |
CN112955992A (zh) | 2021-06-11 |
EP3853909A1 (en) | 2021-07-28 |
IL280849B1 (en) | 2024-04-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220831 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230925 |
|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
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|
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