JP2022190382A - 成膜装置、成膜方法、及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される円筒状のターゲットと、
前記チャンバ内に配置され、前記ターゲットと鉛直方向の上向きに対向する対向面を有し、内部が大気圧に保持される大気ボックスと、
前記ターゲットが成膜対象物に対して鉛直方向の上向きに対向する対向領域と、前記ターゲットが前記成膜対象物に対して鉛直方向の上向きに対向しない非対向領域と、の間で前記ターゲットと前記大気ボックスとを移動させる移動手段と、
前記ターゲットの内部に設けられ、前記ターゲットの表面側にスパッタリングのための磁場を形成する磁場形成手段と、
前記磁場形成手段の位置を制御する制御手段と、
を備え前記成膜対象物に前記ターゲットから飛翔させた材料を成膜する成膜装置において、
前記制御手段は、
前記ターゲットが前記対向領域にあるときに、前記ターゲットと前記成膜対象物との間に前記磁場を形成するように前記磁場形成手段の位置を制御し、
前記制御手段は、
前記ターゲットが前記非対向領域にあるときに、前記ターゲットと前記大気ボックスの前記対向面との間に前記磁場を形成するように前記磁場形成手段の位置を制御することを特徴とする。
<成膜装置>
図1~図4を参照して、本発明の実施例1に係る成膜装置について説明する。本実施例に係る成膜装置は、円筒形状のターゲット内側に磁石ユニットを配置した、マグネトロン方式のスパッタリング装置である。本実施例に係る成膜装置は、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品などの製造において基板(基板上に積層体が形成されているものも含む)上に薄膜を堆積形成するために用いられる。より具体的には、本実施例に係る成膜装置は、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどの電子デバイスの製造において好ましく用いられる。中でも、本実施例に係る成膜装置は、有機EL(Erectro Luminescence)素子などの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造において特に好ましく適用可能である。なお、本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置(例えば有機EL表示装置)や照明装置(例えば有機EL照明装置)、光電変換素子を備えたセンサ(例えば有機CMOSイメージセンサ)も含むものである。本実施例に係る成膜装置は、蒸着装置等を含む成膜システムの一部として用いることができる。
式図である。図2(a)は、成膜装置全体を断面的に見た場合(ターゲットの移動方向に垂直な方向に沿った断面)の概略構成を示しており、図2(b)のCC矢視、図2(c)のDD矢視に対応している。図2(b)は、磁石ユニットの概略構成を示す、ターゲットの移動方向(Y軸方向)に沿った模式的断面図である。図2(c)は、磁石ユニットの平面視構成を概略的に示す模式図である。
アーム機構60は、内部が大気圧に保持された中空の複数のアームを有し、これらのアームは関節部(軸部)にて互いに回転自在に連結されている。大気アーム機構60の他端はチャンバ2の底壁の取付部に回転自在に連結されている。大気アーム機構60の内部には、駆動機構12やターゲット駆動装置13のモータに接続する電力ケーブルや制御信号用の信号ケーブル、冷却水を流すためのチューブ等が収納されている。
これらの材料からなる金属膜を成膜することができる。また、Si、Ti、Cr、Al、Taなどの金属ターゲットを用い、成膜時の雰囲気として反応性ガス(O2、N2,H2Oなど)を添加したものを用いることで、SiO2、Ta2O5、Al2O3などの絶縁材料を成膜することができる。また、ターゲット30は円筒形のターゲットであるが、ここで言う「円筒形」は数学的に厳密な円筒形のみを意味するのではなく、母線が直線ではなく曲線であるものや、中心軸に垂直な断面が数学的に厳密な「円」ではないものも含む。すなわち、本発明におけるターゲット30は、中心軸を軸に回転可能な円筒状のものであればよい。
成されている。このエンドブロック側端部部材303を回転させるターゲット駆動機構(第1駆動機構)13は、第1モータ35の回転軸に設けられたプーリとエンドブロック側端部部材303に設けられたプーリとの間に巻き付けられた第1ベルト351を備える。この駆動機構によれば、第1モータ35の回転が第1ベルト351を介してエンドブロック側端部部材303に伝達され、エンドブロック側端部部材303が回転する。そして、このエンドブロック側端部部材303に固定されたターゲット30もサポートブロック側端部部材304と共に回転する。
図4に示すように、スパッタ室2の各種構成は、CPUやメモリ等からなる制御部5によって制御される。制御部5は、基板搬送制御部51と、移動台制御部52と、ターゲット制御部53と、磁石ユニット制御部54と、電圧印加制御部55と、冷却制御部56と、スパッタリング雰囲気制御部57と、を含む。また、本実施例に係るスパッタ装置1は、作業者がスパッタ装置1の制御を行う際のインタフェースとなる不図示の操作パネルを備える。制御部5は、操作パネルに入力される作業者からの指示内容に従って、スパッタ室2の各種構成を制御する。
次に、本実施例に係るスパッタ装置1による成膜方法について説明する。まず、カソードユニット3を成膜待機領域B1(図1左側)にて待機させる。この成膜待機領域B1にて、成膜工程(本スパッタ構成)に先立って、ターゲット30を回転駆動させながら、カソード(バッキングチューブ302)にバイアス電位を付与する。これにより、各ターゲット30を回転させてスパッタ粒子を放出させてプリスパッタ(準備工程)を行う。プリスパッタは、各ターゲット30の周囲に形成されるプラズマの生成が安定するまで行われることが好ましい。
本実施例では、ターゲット30を非対向領域Bに移動させた際、磁石ユニット4の向きを変え、スパッタ材料の放出方向が大気ボックスである移動台32に向くように制御する。すなわち、カソードユニット3を非対向領域Bで待機させている間、スパッタ材料の放出方向が下方に向くようにして、スパッタ材料が主として移動台32の上面に付着するように制御する。これにより、待機中に放出されるスパッタ材料の多くが、移動台32においてターゲット30に対し鉛直方向の上向きに対向する対向面である移動台32の上面320に付着することになる。これにより、相対的に、待機中に放出されるスパッタ材料が、付着後に落下のしやすい下向きの面や横向きの面に付着することを抑制することができる。よって、放出されたスパッタ材料に起因するパーティクルの発生やチャンバ2内の真空度の悪化が生じるのを抑制することができる。
ット4は、図1等に示すように、ヨーク40の下端面が、磁石ユニット4の回転中心と一致するような構成となっているため、成膜動作時には、磁石ユニット4の全体がターゲット30内部の中空空間内において鉛直方向の略上方側に位置することになる。磁石ユニット4の全体の形態としては種々の形態が採用され得るが、少なくとも、中心磁石41において第1の極性としてのN極を有する先端部は、成膜動作時において、回転中心よりも上方に位置する。
ターゲット30と磁石ユニット4を同心回転する構成としているのは、ターゲット30に対する磁石ユニット4の相対位置が、ターゲット30の回転位相及び磁石ユニット4の回転位相にかかわらず一定となるようにするためである。
本実施例では、移動台32の外壁321の上面320の近傍に第3冷却液流路R3が設
けられている。すなわち、待機時に放出されるスパッタ材料を積極的に付着させる対象である移動台32の上面(対向面)320を冷却するための機構が備えられている。スパッタ材料が付着することで移動台32が高温化すると、移動台が熱膨張や熱歪みなど引き起こし、成膜結果に悪影響を及ぼすことが懸念される。本実施例によれば、第3冷却液流路R3が設けられることで、移動台32の高温化を抑制することができる。
図5を参照して、本発明の実施例2に係るスパッタ装置1bについて説明する。図5(a)、図5(b)は、本実施例に係る成膜装置の概略構成を示す模式図であり、成膜装置全体を断面的に見た場合(ターゲットの移動方向(Y軸方向)に沿った断面)の概略構成を示している。図5(a)は、ターゲットが基板と対向する対向領域に位置しているときを示し、図5(b)は、ターゲットが基板と対向しない非対向領域に位置しているときをと示している。
図1(b)に示すように、本実施例における一対のカソードユニット3A、3Bの待機姿勢は、スパッタ材料の放出方向が互いに向き合うようものとなっている。すなわち、一方のカソードユニットのターゲットから放出されたスパッタ材料が、他方のカソードユニットのターゲットに付着し、その逆も同様となる待機姿勢である。
いの距離が最も近くなる姿勢である。磁石ユニット4の全体の形態としては種々の形態が採用され得るが、少なくとも、磁石ユニット4Aの中心磁石41において第1の極性としてのN極を有する先端部と、磁石ユニット4Bの中心磁石41において第1の極性としてのN極を有する先端部と、の互いの距離は、成膜姿勢のときよりも待機姿勢において近くなる。
本実施例では、磁場を形成する位置がターゲットと成膜対象物たる基板との間から外れる待機姿勢(非成膜位置)として、一方のターゲットと他方のターゲットとの間に磁場を形成する待機姿勢を例示したが、これに限定されるものではない。
上述した実施例は、本発明の構成の一例を示したものにすぎない。本発明は、上記実施例の構成に限られず、その技術思想の範囲内においてさまざまな構成を採用し得る。
上記の成膜装置を用いて、電子デバイスを製造する方法について説明する。ここでは、電子デバイスの一例として、有機EL表示装置のようなディスプレイ装置などに用いられる有機EL素子の場合を例にして説明する。なお、本発明に係る電子デバイスはこれに限定はされず、薄膜太陽電池や有機CMOSイメージセンサであってもよい。本実施例においては、基板5上に有機膜を形成する工程を有する。また、基板5上に有機膜を形成させた後に、上記の成膜方法を用いて、金属膜または金属酸化物膜を形成する工程を有する。このような工程により得られる有機EL表示装置600の構造について、以下に説明する。
2電極68は、複数の発光素子62R,62G,62Bと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第1電極64と第2電極68とが異物によってショートするのを防ぐために、第1電極64間に絶縁層69が設けられている。さらに、有機EL層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機EL素子を保護するための保護層Pが設けられている。
その後、第2電極68が形成された基板を封止装置に移動してプラズマCVDによって保護層Pを成膜して(封止工程)、有機EL表示装置600が完成する。なお、ここでは保護層PをCVD法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ALD法やインクジェット法によって形成してもよい。
、B…成膜待機領域
Claims (15)
- チャンバと、
前記チャンバ内に配置される円筒状のターゲットと、
前記チャンバ内に配置され、前記ターゲットと鉛直方向の上向きに対向する対向面を有し、内部が大気圧に保持される大気ボックスと、
前記ターゲットが成膜対象物に対して鉛直方向の上向きに対向する対向領域と、前記ターゲットが前記成膜対象物に対して鉛直方向の上向きに対向しない非対向領域と、の間で前記ターゲットと前記大気ボックスとを移動させる移動手段と、
前記ターゲットの内部に設けられ、前記ターゲットの表面側にスパッタリングのための磁場を形成する磁場形成手段と、
前記磁場形成手段の位置を制御する制御手段と、
を備え前記成膜対象物に前記ターゲットから飛翔させた材料を成膜する成膜装置において、
前記制御手段は、
前記ターゲットが前記対向領域にあるときに、前記ターゲットと前記成膜対象物との間に前記磁場を形成するように前記磁場形成手段の位置を制御し、
前記制御手段は、
前記ターゲットが前記非対向領域にあるときに、前記ターゲットと前記大気ボックスの前記対向面との間に前記磁場を形成するように前記磁場形成手段の位置を制御することを特徴とする成膜装置。 - 前記磁場形成手段は、前記ターゲットの内部の中空空間内を移動可能な磁石ユニットを含み、
前記ターゲットが前記対向領域にあるときに、前記磁石ユニットは、前記中空空間における鉛直方向の上方に位置し、
前記ターゲットが前記非対向領域にあるときに、前記磁石ユニットは、前記中空空間における鉛直方向の下方に位置することを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記磁石ユニットは、
前記ターゲットの中心軸線と平行に延び、前記ターゲットの内面と対向する面が第1の極性を有する第1の磁石と、
前記第1の磁石と所定の間隔をもって設けられ、前記ターゲットの内面と対向する面が前記第1の極性とは逆極性の第2の極を有する第2の磁石と、
を含み、
前記ターゲット及び前記磁石ユニットは、前記中心軸線を回転軸線として相互に独立して回転することを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。 - 前記ターゲットが前記対向領域にあるときに、前記第1の磁石の前記面が、鉛直方向において前記回転軸線よりも上方に位置し、
前記ターゲットが前記非対向領域にあるときに、前記第1の磁石の前記面が、鉛直方向において前記回転軸線よりも下方に位置することを特徴とする請求項3に記載の成膜装置。 - 円筒状の第1のターゲットと、
その中心軸線が、前記第1のターゲットの中心軸線、及び、成膜対象物の成膜面のそれぞれに平行になるよう配される円筒状の第2のターゲットと、
前記第1のターゲット及び前記第2のターゲットのそれぞれが前記成膜対象物に対して鉛直方向の上向きに対向する対向領域と、前記第1のターゲット及び前記第2のターゲットのそれぞれが前記成膜対象物に対して鉛直方向の上向きに対向しない非対向領域と、の
間で前記第1のターゲットと前記第2のターゲットを移動させる移動手段と、
前記第1のターゲットの内部に設けられ、前記第1のターゲットの表面側にスパッタリングのための磁場を形成する第1の磁場形成手段と、
前記第2のターゲットの内部に設けられ、前記第2のターゲットの表面側にスパッタリングのための磁場を形成する第2の磁場形成手段と、
前記第1の磁場形成手段の位置と、前記第2の磁場形成手段の位置を制御する制御手段と、
を備え前記成膜対象物に前記第1のターゲット及び前記第2のターゲットから飛翔させた材料を成膜する成膜装置において、
前記制御手段は、
前記第1のターゲットと前記第2のターゲットが前記対向領域にあるときに、
前記第1のターゲットと前記成膜対象物との間に磁場を形成するように前記第1の磁場形成手段の位置を制御し、かつ、
前記第2のターゲットと前記成膜対象物との間に磁場を形成するように前記第2の磁場形成手段の位置を制御し、
前記制御手段は、
前記第1のターゲットと前記第2のターゲットが前記非対向領域にあるときに、
前記第1の磁場形成手段を、前記第1のターゲットと前記成膜対象物との間に磁場が形成されない位置に制御し、かつ、
前記第2の磁場形成手段を、前記第2のターゲットと前記成膜対象物との間に磁場が形成されない位置に制御することを特徴とする成膜装置。 - 前記制御手段は、
前記第1のターゲットと前記第2のターゲットが前記非対向領域にあるときに、
前記第1のターゲットと前記第2のターゲットとの間に前記磁場を形成するように前記第1の磁場形成手段と前記第2の磁場形成手段の位置を制御する
ことを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。 - 前記第1の磁場形成手段は、前記第1のターゲットの内部の第1の中空空間内を移動可能な第1の磁石ユニットを含み、
前記第2の磁場形成手段は、前記第2のターゲットの内部の第2の中空空間内を移動可能な第2の磁石ユニットを含み、
前記第1の磁石ユニットは、前記第1のターゲットが前記対向領域にあるときに、前記第1の中空空間における鉛直方向の上方に位置し、
前記第2の磁石ユニットは、前記第2のターゲットが前記対向領域にあるときに、前記第2の中空空間における鉛直方向の上方に位置し、
前記第1の磁石ユニットと前記第2の磁石ユニットは、前記第1のターゲット及び前記第2のターゲットが前記非対向領域にあるときに、互いの距離が最も近くなることを特徴とする請求項5又は6に記載の成膜装置。 - 前記第1の磁石ユニットは、
前記第1のターゲットの中心軸線と平行に延び、前記第1のターゲットの内面と対向する面に第1の極性を有する第1の磁石と、
前記第1の磁石と間隔をもって設けられ、前記第1のターゲットの内面と対向する面に前記第1の極性とは逆極性の第2の極を有する第2の磁石と、
を含み、
前記第2の磁石ユニットは、
前記第2のターゲットの中心軸線と平行に延び、前記第2のターゲットの内面と対向する面に前記第1の極性を有する第3の磁石と、
前記第3の磁石と間隔をもって設けられ、前記第2のターゲットの内面と対向する面
に前記第2の極を有する第4の磁石と、
を含み、
前記第1のターゲットと前記第1の磁石ユニットは、前記第1のターゲットの中心軸線を回転軸線として相互に独立して回転し、
前記第2のターゲットと前記第2の磁石ユニットは、前記第2のターゲットの中心軸線を回転軸線として相互に独立して回転することを特徴とする請求項7に記載の成膜装置。 - 前記第1の磁石の前記面は、前記第1のターゲットが前記対向領域にあるときに、鉛直方向において前記第1のターゲットの中心軸線よりも上方に位置し、
前記第3の磁石の前記面は、前記第2のターゲットが前記対向領域にあるときに、鉛直方向において前記第2のターゲットの中心軸線よりも上方に位置するとともに、
前記第1の磁石の前記面と前記第3の磁石の前記面は、前記第1のターゲット及び前記第2のターゲットが前記非対向領域にあるときに、互いの距離が最も近くなることを特徴とする請求項8に記載の成膜装置。 - 前記第1のターゲットと前記第2のターゲットは、同じ材料で構成されることを特徴とする請求項6~9のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 前記第1のターゲットと前記第2のターゲットのそれぞれに対して鉛直方向の上向きに対向する対向面を有する遮蔽部材をさらに備え、
前記制御手段は、
前記第1のターゲットと前記第2のターゲットが前記非対向領域にあるときに、
前記第1のターゲットと前記対向面との間及び前記第2のターゲットと前記対向面との間のそれぞれに磁場を形成する
ことを特徴とする請求項5に記載の成膜装置。 - 前記遮蔽部材は、内部が大気圧に保持される大気ボックスであることを特徴とする請求項11に記載の成膜装置。
- 前記大気ボックスは、冷却媒体を流す流路を前記対向面の近傍に備えることを特徴とする請求項1~4、12のいずれか1項に記載の成膜装置。
- 請求項1~13のいずれか1項に記載の成膜装置を用いて、基板に対して成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
- 請求項14に記載の成膜方法を用いて、基板上に金属膜を形成する工程を有する
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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