JP2022190136A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2022190136A5
JP2022190136A5 JP2022177536A JP2022177536A JP2022190136A5 JP 2022190136 A5 JP2022190136 A5 JP 2022190136A5 JP 2022177536 A JP2022177536 A JP 2022177536A JP 2022177536 A JP2022177536 A JP 2022177536A JP 2022190136 A5 JP2022190136 A5 JP 2022190136A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
underlayer
layer
processing method
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2022177536A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2022190136A (ja
JP7614159B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2020122454A external-priority patent/JP7174016B2/ja
Application filed filed Critical
Priority to JP2022177536A priority Critical patent/JP7614159B2/ja
Publication of JP2022190136A publication Critical patent/JP2022190136A/ja
Publication of JP2022190136A5 publication Critical patent/JP2022190136A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7614159B2 publication Critical patent/JP7614159B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2022177536A 2020-07-16 2022-11-04 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム Active JP7614159B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022177536A JP7614159B2 (ja) 2020-07-16 2022-11-04 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020122454A JP7174016B2 (ja) 2020-07-16 2020-07-16 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2022177536A JP7614159B2 (ja) 2020-07-16 2022-11-04 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020122454A Division JP7174016B2 (ja) 2020-07-16 2020-07-16 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2022190136A JP2022190136A (ja) 2022-12-22
JP2022190136A5 true JP2022190136A5 (enExample) 2023-07-25
JP7614159B2 JP7614159B2 (ja) 2025-01-15

Family

ID=79292737

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020122454A Active JP7174016B2 (ja) 2020-07-16 2020-07-16 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2022177536A Active JP7614159B2 (ja) 2020-07-16 2022-11-04 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020122454A Active JP7174016B2 (ja) 2020-07-16 2020-07-16 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11699593B2 (enExample)
JP (2) JP7174016B2 (enExample)
KR (2) KR102750871B1 (enExample)
CN (2) CN113948416B (enExample)
TW (2) TWI787832B (enExample)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2022230862A1 (enExample) 2021-04-28 2022-11-03
JP7313402B2 (ja) * 2021-06-29 2023-07-24 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置、プログラム及びエッチング方法
JP7462065B2 (ja) * 2022-03-29 2024-04-04 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、プログラム、および基板処理装置
JP2023179001A (ja) * 2022-06-07 2023-12-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2025519263A (ja) * 2022-06-14 2025-06-24 レール・リキード-ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード 高アスペクト比プラズマエッチング中に側壁パッシベーション層及びそれを形成する方法
JP7561795B2 (ja) * 2022-06-17 2024-10-04 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP2024078128A (ja) * 2022-11-29 2024-06-10 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理システム
TWI895928B (zh) * 2023-03-22 2025-09-01 日商國際電氣股份有限公司 蝕刻方法、半導體裝置之製造方法、程式及處理裝置
JP2025040215A (ja) 2023-09-11 2025-03-24 株式会社Kokusai Electric 処理方法、半導体装置の製造方法、処理装置、およびプログラム

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4395896B2 (ja) * 1998-03-10 2010-01-13 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法
JP4921206B2 (ja) * 2006-03-02 2012-04-25 キヤノン株式会社 液晶パネルの製造方法
US7416989B1 (en) 2006-06-30 2008-08-26 Novellus Systems, Inc. Adsorption based material removal process
JP4968861B2 (ja) * 2009-03-19 2012-07-04 東京エレクトロン株式会社 基板のエッチング方法及びシステム
JP5036849B2 (ja) 2009-08-27 2012-09-26 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、クリーニング方法および基板処理装置
JP6022166B2 (ja) * 2011-02-28 2016-11-09 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP6035161B2 (ja) * 2012-03-21 2016-11-30 株式会社日立国際電気 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム
US9431268B2 (en) 2015-01-05 2016-08-30 Lam Research Corporation Isotropic atomic layer etch for silicon and germanium oxides
SG11201705569PA (en) * 2015-01-07 2017-08-30 Hitachi Int Electric Inc Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium
SG11201707998TA (en) * 2015-03-30 2017-10-30 Tokyo Electron Ltd Method for atomic layer etching
US9953843B2 (en) * 2016-02-05 2018-04-24 Lam Research Corporation Chamber for patterning non-volatile metals
US10256108B2 (en) * 2016-03-01 2019-04-09 Lam Research Corporation Atomic layer etching of AL2O3 using a combination of plasma and vapor treatments
US10283369B2 (en) 2016-08-10 2019-05-07 Tokyo Electron Limited Atomic layer etching using a boron-containing gas and hydrogen fluoride gas
US10273584B2 (en) 2016-12-09 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Thermal atomic layer etching processes
JP6929148B2 (ja) * 2017-06-30 2021-09-01 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
JP6843087B2 (ja) 2018-03-12 2021-03-17 株式会社Kokusai Electric 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
JP7133975B2 (ja) * 2018-05-11 2022-09-09 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法およびエッチング装置
WO2020014065A1 (en) * 2018-07-09 2020-01-16 Lam Research Corporation Electron excitation atomic layer etch
CN112424916B (zh) 2018-07-17 2024-06-21 株式会社国际电气 半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质
JP7114554B2 (ja) 2019-11-22 2022-08-08 株式会社Kokusai Electric 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2022190136A5 (enExample)
JP7414891B2 (ja) 半導体基板を処理するための装置および方法
KR20210114370A (ko) 접촉부들 및 비아들의 원자 층 세정을 위한 방법들 및 장치들
JP6373150B2 (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JPWO2022054216A5 (ja) 基板処理方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
TWI759616B (zh) 3d nand蝕刻
JP2008524851A5 (enExample)
JP2016139792A5 (enExample)
CN111279460B (zh) 干式蚀刻方法
JP2016139792A (ja) 異方性タングステンエッチングのための方法および装置
TW202205425A (zh) 矽氧化物之蝕刻方法及蝕刻裝置
JP2016066794A5 (enExample)
JP2007115797A5 (enExample)
JP2011176095A5 (enExample)
JP7668292B2 (ja) ハードマスクの選択性改善のための不活性ガス注入
TW200926284A (en) Method and system of post etch polymer residue removal
JP2021184505A (ja) 基板処理システム及び基板処理方法
JP2022039965A5 (enExample)
WO2013177003A1 (en) Conformal sacrificial film by low temperature chemical vapor deposition technique
JP2021103710A5 (enExample)
CN104813402B (zh) 用于hdd位元图案化介质图案转印的图案强化
JP4817991B2 (ja) 基板処理方法
WO2022220170A1 (ja) エッチング方法及び処理装置
TW538435B (en) Method of making semiconductor device
JPWO2019190783A5 (enExample)