JP2022184455A - 入力装置用カバー部材、及び入力装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】入力装置への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる入力装置用カバー部材、及び入力装置を提供する。【解決手段】入力装置１０におけるディスプレイ素子３０の前面側に配置される入力装置用カバー部材としてのガラス基板２０であって、ガラス基板２０の少なくとも一方の主面２０ａに凹凸形状を有し、前記凹凸形状を有する主面２０ａにおける、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖが、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐよりも大きい。【選択図】図２
Description
本発明は、入力装置用カバー部材、及び入力装置に関する。
従来より、入力ペンを用いて、ユーザーが文字及び図形等の入力操作を画面上にて手書きで行うことができるペン入力装置が知られている。
このようなペン入力装置においては、液晶ディスプレイ等によるディスプレイ装置の前面側に、ガラス基板等で構成された透明なカバー部材が配置されており、当該カバー部材の表面において入力ペンを接触及び移動させることで、様々な入力操作を行うことが可能となっている。
ここで、ペン入力装置のカバー部材としてガラス基板を用いた場合、ガラス基板の表面は、一般的に凹凸が小さく滑らかに形成されているため、カバー部材（ガラス基板）の表面に入力ペンを接触させて移動させた際に、当該入力ペンのペン先が滑ってしまい、書き心地が悪いという問題が生じていた。
従って、入力ペンの滑りやすさを防止するために、高い摩擦係数を有するエラストマー材のペン先を用いることが、特許文献１に開示されている。
また、特許文献２には、エッチング処理によってガラス表面に微小な凹凸をつけることにより摩擦力を増加させて、書き心地を向上させたカバーガラス（カバー部材）が開示されている。
また、特許文献２には、エッチング処理によってガラス表面に微小な凹凸をつけることにより摩擦力を増加させて、書き心地を向上させたカバーガラス（カバー部材）が開示されている。
しかしながら、特許文献１に記載されるようなエラストマー材のペン先を用いた場合、ペン先に柔軟性があることにより筆記感は向上するが、エラストマー材はカバー部材に対する凝着力が大きいためペン先が滑りにくくなり過ぎて、カバー部材の表面に入力ペンを接触させて移動させた際に、却って書き心地が悪くなることがあった。
また、特許文献２に記載されるカバーガラスに対して、凝着力が大きいエラストマー材のペン先を用いた場合においても、カバーガラスの表面に入力ペンを繰り返し接触させて移動させた際の、ペン先とカバーガラスとの間の摩擦力が高くなり過ぎて、良好な書き心地が得られないことがあった。
また、特許文献２に記載されるカバーガラスに対して、凝着力が大きいエラストマー材のペン先を用いた場合においても、カバーガラスの表面に入力ペンを繰り返し接触させて移動させた際の、ペン先とカバーガラスとの間の摩擦力が高くなり過ぎて、良好な書き心地が得られないことがあった。
本発明は、以上に示した現状の問題点に鑑みてなされたものであり、エラストマー材のような高い摩擦係数を有する部材をペン先に用いた場合でも、入力装置への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる入力装置用カバー部材、及び入力装置を提供するものである。
上記課題を解決する入力装置用カバー部材、及び入力装置は、以下の特徴を有する。
即ち、本発明に係る入力装置用カバー部材は、入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置される入力装置用カバー部材であって、前記入力装置用カバー部材の少なくとも一方の主面に凹凸形状を有し、前記凹凸形状を有する主面における、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖが、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐよりも大きいことを特徴とする。
このような構成を有することにより、本発明に係る入力装置用カバー部材によれば、主面の凹凸形状に深い谷部があることによってペン先との接触面積が低下し、主面とペン先との間の摩擦力の過度な増加を抑制でき、入力装置への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる。
このような構成を有することにより、本発明に係る入力装置用カバー部材によれば、主面の凹凸形状に深い谷部があることによってペン先との接触面積が低下し、主面とペン先との間の摩擦力の過度な増加を抑制でき、入力装置への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる。
本発明に係る入力装置用カバー部材において、前記凹凸形状を有する主面における、最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａが、６以上であることが好ましい。
このような構成を有することにより、本発明に係る入力装置用カバー部材によれば、主面とペン先との間の摩擦力の過度な増加が抑制され、入力装置への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる。
このような構成を有することにより、本発明に係る入力装置用カバー部材によれば、主面とペン先との間の摩擦力の過度な増加が抑制され、入力装置への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる。
また、本発明に係る入力装置用カバー部材において、前記凹凸形状を有する主面における、最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａが、１５以上であることが好ましい。
このような構成を有することにより、本発明に係る入力装置用カバー部材によれば、主面とペン先との間の摩擦力の過度な増加がより抑制され、入力装置への入力操作において、さらに優れた書き心地を実現することができる。
このような構成を有することにより、本発明に係る入力装置用カバー部材によれば、主面とペン先との間の摩擦力の過度な増加がより抑制され、入力装置への入力操作において、さらに優れた書き心地を実現することができる。
また、本発明に係る入力装置用カバー部材において、前記凹凸形状を有する主面における、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖと粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍとの比であるＲｖ／ＲＳｍが、０．００１以上且つ０．１以下であることが好ましい。
このような構成を有することにより、本発明に係る入力装置用カバー部材によれば、主面に対してペン先を適度に滑り易くすることができ、入力装置への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる。
このような構成を有することにより、本発明に係る入力装置用カバー部材によれば、主面に対してペン先を適度に滑り易くすることができ、入力装置への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる。
また、本発明に係る入力装置用カバー部材において、前記凹凸形状を有する主面における、算術平均高さＳａが、１ｎｍ以上且つ５０ｎｍ以下であることが好ましい。
このような構成を有することにより、本発明に係る入力装置用カバー部材によれば、ペン先が主面上で滑ることを適度に抑制するとともに、ペン先の主面上での滑り難さを適度に低下させて、入力装置への入力操作において、入力ペンによる書き心地を優れたものにすることができる。
このような構成を有することにより、本発明に係る入力装置用カバー部材によれば、ペン先が主面上で滑ることを適度に抑制するとともに、ペン先の主面上での滑り難さを適度に低下させて、入力装置への入力操作において、入力ペンによる書き心地を優れたものにすることができる。
そして、本発明に係る入力装置は、上述した何れかの入力装置用カバー部材と、ディスプレイ装置と、ペン入力を検出する検出回路とを備えることを特徴とする。
また、本発明に係る入力装置は、前記入力装置用カバー部材の主面に接触しながら移動することにより、前記入力装置に対するペン入力を行う入力ペンを備えることを特徴とする。
このような構成を有することにより、本発明に係る入力装置によれば、入力ペンによる入力装置への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる。
また、本発明に係る入力装置は、前記入力装置用カバー部材の主面に接触しながら移動することにより、前記入力装置に対するペン入力を行う入力ペンを備えることを特徴とする。
このような構成を有することにより、本発明に係る入力装置によれば、入力ペンによる入力装置への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる。
本発明によれば、入力装置への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる。
次に、本発明に係る入力装置用カバー部材、及び入力装置を実施するための形態を、添付の図面を用いて説明する。
［ペン入力装置１０の全体構成］
先ず、入力装置１０の全体構成について、図１を用いて説明する。
入力装置１０は、本発明に係る入力装置用カバー部材を備えた入力装置の一実施形態である。
入力装置１０は、映像を表示するディスプレイ装置の一例であるディスプレイ素子３０、ディスプレイ素子３０の前面側に配置されるカバー部材としてのガラス基板２０、ディスプレイ素子３０の背面側に配置されるデジタイザ回路４０、及び入力ペン５０などを備える。
また、ガラス基板２０は、本発明に係る入力装置用カバー部材の一例であり、デジタイザ回路４０は、本発明に係る入力を検出する検出回路の一例である。
先ず、入力装置１０の全体構成について、図１を用いて説明する。
入力装置１０は、本発明に係る入力装置用カバー部材を備えた入力装置の一実施形態である。
入力装置１０は、映像を表示するディスプレイ装置の一例であるディスプレイ素子３０、ディスプレイ素子３０の前面側に配置されるカバー部材としてのガラス基板２０、ディスプレイ素子３０の背面側に配置されるデジタイザ回路４０、及び入力ペン５０などを備える。
また、ガラス基板２０は、本発明に係る入力装置用カバー部材の一例であり、デジタイザ回路４０は、本発明に係る入力を検出する検出回路の一例である。
なお、上記の記載において、ディスプレイ素子３０の「前面側」とは、映像が表示される側を意味し、ディスプレイ素子３０の「背面側」とは、映像が表示される側の反対側を意味する。
本実施形態においては、例えば、ディスプレイ素子３０の「前面側」は、図１中における紙面上方側となり、ディスプレイ素子３０の「後面側」は、図１中における紙面下方側となる。
本実施形態においては、例えば、ディスプレイ素子３０の「前面側」は、図１中における紙面上方側となり、ディスプレイ素子３０の「後面側」は、図１中における紙面下方側となる。
入力装置１０は、ガラス基板２０の主面２０ａ（ガラス基板２０に対してディスプレイ素子３０側とは反対側の面）に対して、入力ペン５０を接触させた状態で移動させることにより、文字及び図形などのペン入力（入力操作）を行うことが可能な構成となっている。入力装置１０の例示としては、例えばタブレット端末が挙げられる。
ここで、上記タブレット端末は、表示機能、及びペン入力機能の双方を備えたペン入力用表示装置を広く意味し、タブレットＰＣ、モバイルＰＣ、スマートフォン、及びゲーム機などの機器を含むものである。
ガラス基板２０は、少なくとも一方の主面（本実施形態においては、上記の主面２０ａ）に凹凸形状が形成された、透明なガラス板により形成されている。
また、ガラス基板２０は、凹凸形状が形成された主面２０ａが、入力ペン５０が接触する側の面となるように配置されている。
また、ガラス基板２０は、凹凸形状が形成された主面２０ａが、入力ペン５０が接触する側の面となるように配置されている。
ここで、ガラス基板２０としては、例えばアルミノシリケートガラス、またはホウケイ酸ガラスなどからなるガラス板を用いることができる。
また、アルカリ含有アルミノシリケートガラスからなるガラス板によって、ガラス基板２０が構成される場合、当該ガラス基板２０は、表面に化学強化層を有していても良い。
なお、ガラス基板２０の詳細については後述する。
また、アルカリ含有アルミノシリケートガラスからなるガラス板によって、ガラス基板２０が構成される場合、当該ガラス基板２０は、表面に化学強化層を有していても良い。
なお、ガラス基板２０の詳細については後述する。
デジタイザ回路４０は、入力ペン５０による入力操作を検出する、検出センサを備えている。
また、入力ペン５０は、鉛筆やボールペンなどの筆記具に似た形状の入力器具であり、ガラス基板２０と接触する摩擦子の一例であるペン先５１を有し、当該ペン先５１が、エラストマー、ポリアセタール樹脂などの合成樹脂材、またはフェルトなどで構成されている。
また、入力ペン５０は、鉛筆やボールペンなどの筆記具に似た形状の入力器具であり、ガラス基板２０と接触する摩擦子の一例であるペン先５１を有し、当該ペン先５１が、エラストマー、ポリアセタール樹脂などの合成樹脂材、またはフェルトなどで構成されている。
入力ペン５０において、上記の部材からなるペン先５１であれば、微細な凹凸形状に対しても引掛り易い。
従って、入力ペン５０のペン先５１を、凹凸形状が形成されたガラス基板２０の主面２０ａに接触させて移動させた場合、特に優れた書き心地を実現することができる。
従って、入力ペン５０のペン先５１を、凹凸形状が形成されたガラス基板２０の主面２０ａに接触させて移動させた場合、特に優れた書き心地を実現することができる。
なお、本実施形態においては、入力装置用カバー部材としてガラス基板２０を用いているが、これに限定されるものではなく、例えば、合成樹脂により形成され、少なくとも一方の主面に凹凸形状が形成された樹脂基板を、入力装置用カバー部材として用いることも可能である。
この場合、当該樹脂基板の凹凸形状は、例えば、樹脂基板の主面にウェットブラスト等のブラスト加工を施したり、樹脂基板の主面にエンボス加工を施したりすることにより形成することが可能である。
この場合、当該樹脂基板の凹凸形状は、例えば、樹脂基板の主面にウェットブラスト等のブラスト加工を施したり、樹脂基板の主面にエンボス加工を施したりすることにより形成することが可能である。
また、凹凸形状が表面に形成された樹脂層を、ガラス基板の少なくとも一方の主面に積層させたものを、入力装置用カバー部材として用いることも可能である。
この場合、当該カバー部材は、凹凸形状が表面に形成された樹脂シートを、ガラス基板の主面に貼り付けることにより構成することができる。
この場合、当該カバー部材は、凹凸形状が表面に形成された樹脂シートを、ガラス基板の主面に貼り付けることにより構成することができる。
なお、上記樹脂シートの凹凸形状は、例えば、樹脂シートの表面にエンボス加工を施したり、粉粒体を混入させた合成樹脂をシート状に形成したりすることにより形成することができる。
また、上記樹脂層は、合成樹脂をガラス基板の主面にスプレーにて吹き付けて形成することも可能である。
また、上記樹脂層は、合成樹脂をガラス基板の主面にスプレーにて吹き付けて形成することも可能である。
但し、入力装置用カバー部材としてガラス基板２０を用いた場合は、上述した樹脂基板や、ガラス基板の主面に樹脂層を形成したものなどを用いた場合に比べて、表面（特に、入力ペン５０のペン先５１と接触する主面）の硬度が高くなるため、表面に傷が付き難い点で有利である。
［ガラス基板２０の構成］
次に、ガラス基板２０の構成について、図１、図２を用いて詳細に説明する。
前述したように、ガラス基板２０は、本発明に係る入力装置用カバー部材の一実施形態である。図１において、ガラス基板２０の主面２０ａには、凹凸形状が形成されている。
次に、ガラス基板２０の構成について、図１、図２を用いて詳細に説明する。
前述したように、ガラス基板２０は、本発明に係る入力装置用カバー部材の一実施形態である。図１において、ガラス基板２０の主面２０ａには、凹凸形状が形成されている。
図２に示すように、ガラス基板２０の主面２０ａに形成される凹凸形状は、不規則的に深い谷部を有する微小凹凸より構成されている。
主面２０ａの微小凹凸においては、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖが、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐよりも大きい（Ｒｐ＜Ｒｖ）。また、主面２０ａの微小凹凸においては、算術平均高さＳａが１ｎｍ以上且つ５０ｎｍ以下である。
主面２０ａの微小凹凸においては、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖが、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐよりも大きい（Ｒｐ＜Ｒｖ）。また、主面２０ａの微小凹凸においては、算術平均高さＳａが１ｎｍ以上且つ５０ｎｍ以下である。
さらに、主面２０ａの微小凹凸においては、最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａが、６以上である（Ｓｖ／Ｓａ≧６）。この場合、最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａは、１５以上である（Ｓｖ／Ｓａ≧１５）ことが好ましい。
また、主面２０ａの微小凹凸においては、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖと粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍとの比であるＲｖ／ＲＳｍが、０．００１以上且つ０．１以下である（０．００１≦Ｒｖ／ＲＳｍ≦０．１）。
また、主面２０ａの微小凹凸においては、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖと粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍとの比であるＲｖ／ＲＳｍが、０．００１以上且つ０．１以下である（０．００１≦Ｒｖ／ＲＳｍ≦０．１）。
ここで、本願における最大谷深さＲｖ、最大山高さＲｐ、及び粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍは、ＪＩＳＢ０６０１ ２０１３に準拠し、算術平均高さＳａ及び最大谷深さＳｖは、ＩＳＯ ２５１７８に準拠する。
主面２０ａの微小凹凸において、算術平均高さＳａは、所定の面における凹凸の山の高さＺａ、及び谷の深さＺｂの絶対値の平均である（Ｓａ＝（（｜Ｚａ１｜+｜Ｚａ２｜+・・・+｜Ｚａｎ｜）+（｜Ｚｂ１｜+｜Ｚｂ２｜+・・・+｜Ｚｂｎ｜））／２ｎ）。最大谷深さＳｖは、所定の面における当該微小凹凸の最も深い谷Ｓｖである。
また、微小凹凸の最大山高さＲｐは、所定の基準長さにおける当該微小凹凸の最も高い山の高さＲｐであり、微小凹凸の最大谷深さＲｖは、所定の基準長さにおける当該微小凹凸の最も深い谷の深さＲｖである。なお、所定の規定長さにおける最大山高さＲｐと最大谷深さＲｖとの和は、最大高さＲｚである（Ｒｚ＝Ｒｐ+Ｒｖ）。さらに、微小凹凸の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍは、所定の基準長さにおける当該微小凹凸の各周期長さＸの平均である（ＲＳｍ＝（Ｘ１+Ｘ２+・・・+Ｘｎ）／ｎ）。
上述した微小凹凸における算術平均高さＳａ、最大谷深さＳｖ、粗さ曲線要素の最大高さＲｚ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐ、及び粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖの値は、主面２０ａの測定断面曲線から長波長成分を遮断するための高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ１を１４μｍに設定し、且つ主面２０ａの測定断面曲線から短波長成分を遮断するための低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ１を、０．３５μｍとした場合に得られる粗さ曲線から評価される値である。
つまり、ガラス基板２０の主面２０ａに形成される凹凸形状は、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ１を１４μｍとし、且つ低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ１を０．３５μｍとした場合、最大谷深さＲｖと最大山高さＲｐとの間にＲｐ＜Ｒｖの関係がある微小凹凸として発現し、算術平均高さＳａが１ｎｍ以上且つ５０ｎｍ以下となる微小凹凸として発現し、最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａが６以上となる微小凹凸として発現し、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖと粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍとの比であるＲｖ／ＲＳｍが０．００１以上且つ０．１以下となる微小凹凸として発現する。
このように、ガラス基板２０の主面２０ａに形成される凹凸形状は、不規則的に深い谷部を持つ微小凹凸により構成される。
本実施形態における入力装置１０（図１を参照）においては、ガラス基板２０の主面２０ａにおける微小凹凸の形状が、それぞれ上述した条件の範囲内にて形成されていることにより、ディスプレイ素子３０（同じく、図１を参照）の視認性を保持しつつ、入力ペン５０の書き心地を向上させることが可能となっている。
また、このような微小凹凸を上述した条件の範囲内で構成された凹凸形状とすることにより、当該凹凸形状による散乱光の干渉によって、スパークリングと呼ばれるギラつきが発生することを抑制することができる。
さらに、本実施形態においては、ガラス基板２０の主面２０ａに樹脂層が形成されておらず、当該主面２０ａに対して直接的に凹凸形状が形成されているため、耐傷性が高く、傷が付き難いことから、ディスプレイ素子３０の視認性を低下させることがない。
また、このような微小凹凸を上述した条件の範囲内で構成された凹凸形状とすることにより、当該凹凸形状による散乱光の干渉によって、スパークリングと呼ばれるギラつきが発生することを抑制することができる。
さらに、本実施形態においては、ガラス基板２０の主面２０ａに樹脂層が形成されておらず、当該主面２０ａに対して直接的に凹凸形状が形成されているため、耐傷性が高く、傷が付き難いことから、ディスプレイ素子３０の視認性を低下させることがない。
微小凹凸は、ガラス基板２０の主面２０ａと、入力ペン５０のペン先５１との間の摩擦力に寄与する。また、上記摩擦力の寄与は、ペン先５１の材質によって変化する。
具体的には、低弾性率の材料であるエラストマー製のペン先５１の場合、ガラス基板２０の主面２０ａが平らであればあるほど、凝着力による大きな摩擦力が生じ、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１が滑り難くなる。
この場合、ガラス基板２０の主面２０ａに微小凹凸を付与することにより、当該主面２０ａと、入力ペン５０のペン先５１との接触面積の低減を図ることができ、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１を適度に滑り易くすることができる。
この場合、ガラス基板２０の主面２０ａに微小凹凸を付与することにより、当該主面２０ａと、入力ペン５０のペン先５１との接触面積の低減を図ることができ、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１を適度に滑り易くすることができる。
一方、ＰＯＭのような硬い材質からなるペン先５１の場合、ガラス基板２０の主面２０ａが平らであればあるほど、摩擦力が低下し、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１が滑り易くなる。
これに対しては、ガラス基板２０の主面２０ａに微小凹凸を付与することにより、当該主面２０ａに対して、入力ペン５０のペン先５１が引掛り易くすることができる。これにより、主面２０ａとペン先５１との間の摩擦力が増加し、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１を適度に滑り難くすることができる。
これに対しては、ガラス基板２０の主面２０ａに微小凹凸を付与することにより、当該主面２０ａに対して、入力ペン５０のペン先５１が引掛り易くすることができる。これにより、主面２０ａとペン先５１との間の摩擦力が増加し、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１を適度に滑り難くすることができる。
なお、フェルトのような材質からなるペン先５１の場合、上述したＰＯＭ製のペン先５１に似た挙動を示し、ガラス基板２０の主面２０ａに微小凹凸を付与することにより、当該主面２０ａに対して、入力ペン５０のペン先５１が引掛り易くなる。これにより、主面２０ａとペン先５１との間の摩擦力が増加し、ガラス基板２０の主面２０ａに対して、ペン先５１を適度に滑り難くすることができる。
このように、ガラス基板２０の主面２０ａに微小凹凸を付与することにより、様々な材質（エラストマー、ＰＯＭ、及びフェルト）からなる入力ペン５０のペン先５１に対して、当該ペン先５１が主面２０ａ上で滑ることを適度に抑制し、または主面２０ａ上での当該ペン先５１の滑り難さを適度に低下させることができる。これにより、入力装置１０への入力操作において、入力ペン５０による書き心地を優れたものにすることができる。
特に、ガラス基板２０の主面２０ａに算術平均高さＳａが１ｎｍ以上且つ５０ｎｍ以下となる微小凹凸を付与することにより、ペン先５１が主面２０ａ上で滑ることを適度に抑制するとともに、ペン先５１の主面２０ａ上での滑り難さを適度に低下させて、入力装置１０への入力操作において、入力ペン５０による書き心地を優れたものにすることができる。
ここで、上述したように、本実施形態においては、微小凹凸の算術平均高さＳａの上限値が５０ｎｍに設定されているが、当該上限値は、４０ｎｍに設定されるのが好ましく、３０ｎｍに設定されるのがさらに好ましく、２０ｎｍに設定されるのが特に好ましく、１５ｎｍに設定されるのが最も好ましい。
また、上述したように、本実施形態においては、主面２０ａにおける微小凹凸は深い谷部を有しており、最大谷深さＲｖと最大山高さＲｐとは、Ｒｐ＜Ｒｖの関係を有する。主面２０ａにおける微小凹凸の山部によってペン先５１に引掛かりが生じ、摩擦力増加に寄与する。一方、主面２０ａにおける微小凹凸の谷部はペン先５１と接触しない、つまり接触面積低下に寄与する。不規則的に深い谷部を有する微小凹凸は図２のような表面形状となり、深い谷部があることによってペン先５１との接触面積が低下し、結果として摩擦力の過度な増加を抑制することができる。特に、凝着力の強いエラストマー製のペン先５１は摩擦力低下に寄与し、当該ペン先５１の滑りが滑らかになる。これにより、入力装置１０への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる。
ここで、上述したように、本実施形態においては、最大谷深さＲｖと最大山高さＲｐとは、Ｒｐ＜Ｒｖの関係を有するが、Ｒｖ－Ｒａ≧０．５の関係を有することが好ましく、Ｒｖ－Ｒａ≧１の関係を有することがさらに好ましく、Ｒｖ－Ｒａ≧２の関係を有することが特に好ましく、Ｒｖ－Ｒａ≧３の関係を有することが最も好ましい。
さらに、上述したように、本実施形態においては、最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａが６以上となるように設定されているが、Ｓｖ／Ｓａは、８以上となるように設定されるのが好ましく、１０以上となるように設定されるのがさらに好ましく、１２以上となるように設定されるのがより好ましく、１５以上となるように設定されるのが特に好ましい。
最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａが６以上となる場合、当該微小凹凸表面に深い谷部を有することの指標となる。従って、最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａが６以上となる場合は、主面２０ａとペン先５１との間の摩擦力の過度な増加が抑制され、入力装置１０への入力操作において、優れた書き心地を実現することが可能となる。特に、最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａが１５以上となる場合には、主面２０ａとペン先５１との間の摩擦力の過度な増加がより抑制され、入力装置１０への入力操作において、さらに優れた書き心地を実現することが可能となる。
微小凹凸の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍと粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖとの比であるＲｖ／ＲＳｍは、ガラス基板２０の主面２０ａに形成される微小凹凸の谷部における仮想的なアスペクト比に相当する値である。
具体的には、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍと粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖとの比であるＲｖ／ＲＳｍの値が大きければ、谷部が深くなる。微小凹凸の谷部が深くなると、凝着力の大きな材料であるエラストマー製のペン先５１の場合には、ガラス基板２０の主面２０ａとの接触面積の低減を図ることができ、主面２０ａとペン先５１との間の摩擦力が低下し、当該主面２０ａに対してペン先５１を適度に滑り易くすることができる。これにより、入力装置１０への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる。
また、微小凹凸の谷部が深くなると、ＰＯＭのような硬い材質からなるペン先５１の場合には、主面２０ａの微小凹凸に対するペン先５１の過度な引掛りによる摩擦力の増加を抑制し、当該主面２０ａに対して、ペン先５１を適度に滑り易くすることができる。これにより、入力装置１０への入力操作において、優れた書き心地を実現することができる。
上述したように、本実施形態においては、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍと粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖとの比であるＲｖ／ＲＳｍの下限値が０．００１に設定されているが、当該下限値は、０．００２に設定されるのが好ましく、０．００３に設定されるのがさらに好ましい。
一方、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍと粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖとの比であるＲｖ／ＲＳｍの値が大き過ぎると、微小凹凸の谷部形状が局所的に鋭利になり過ぎて、摩擦子であるペン先５１に食い込み易くなり、主面２０ａとペン先５１との間に過大な摩擦力が生じることから、書き心地が低下する。
従って、本実施形態においては、微小凹凸の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍと粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖとの比であるＲｖ／ＲＳｍの上限値は０．１に設定されているが、当該上限値は、０．０９に設定されるのが好ましく、０．０８に設定されるのがさらに好ましく、０．０６に設定されるのがより好ましく、０．０４に設定されるのが特に好ましい。
従って、本実施形態においては、微小凹凸の粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍと粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖとの比であるＲｖ／ＲＳｍの上限値は０．１に設定されているが、当該上限値は、０．０９に設定されるのが好ましく、０．０８に設定されるのがさらに好ましく、０．０６に設定されるのがより好ましく、０．０４に設定されるのが特に好ましい。
また、ガラス基板２０の主面２０ａは、上述のエラストマー及びＰＯＭなどの合成樹脂材、フェルト、並びにフェルトと合成樹脂材の複合材料など、凹凸に対して摩擦力を調整可能な材質によって構成されているペン先５１に対して、書き心地が特に優れたものとなっている。
図１において、ガラス基板２０は、当該ガラス基板２０を介してディスプレイ素子３０の映像を見たときの、映像の視認性の観点から、透明性に関する指標で曇度を表すヘイズが、可視光の波長域（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）において１０％未満となることが好ましい。
ガラス基板２０のヘイズを１０％未満とすることで、ガラス基板２０の透明度を保持することができ、ディスプレイ素子３０の視認性を保持することができる。
ガラス基板２０のヘイズを１０％未満とすることで、ガラス基板２０の透明度を保持することができ、ディスプレイ素子３０の視認性を保持することができる。
また、ガラス基板２０の主面２０ａには、入力ペン５０が接触する側の反射率を低下させるための反射防止膜、または指紋の付着を防止し、撥水性、撥油性を付与するための防汚膜を形成することができる。
上記の反射防止膜は、ガラス基板２０を入力装置１０のカバー部材として使用する場合には、少なくともガラス基板２０の表側（入力ペン５０が接触する側）の主面２０ａに形成する。また、ガラス基板２０とディスプレイ素子３０との間に隙間がある場合には、ガラス基板２０の裏側（ディスプレイ素子３０側）の主面２０ｂにも反射防止膜を有することが好ましい。
反射防止膜としては、例えばガラス基板２０よりも屈折率が低い低屈折率膜、または相対的に屈折率が低い低屈折率膜と相対的に屈折率が高い高屈折率膜とが交互に積層された誘電体多層膜が用いられる。反射防止膜は、スパッタリング法、またはＣＶＤ法などにより形成することができる。
ガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜を有する場合、当該反射防止膜の表面の凹凸が、上述の表面粗さ（微小凹凸の算術平均高さＳａ、最大谷深さＳｖ、粗さ曲線要素の最大高さＲｚ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐ、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖの値）の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸形状が形成される。
また、ガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜を有する場合、反射防止膜を有するガラス基板２０のヘイズが、上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸形状が形成される。
また、ガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜を有する場合、反射防止膜を有するガラス基板２０のヘイズが、上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸形状が形成される。
なお、反射防止膜を形成した後において、微小凹凸の算術平均高さＳａ、最大谷深さＳｖ、粗さ曲線要素の最大高さＲｚ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐ、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖを測定する場合は、１０ｎｍのＡｕ膜を形成し、その後これらの値を測定する。
上記の防汚膜は、ガラス基板２０を入力装置１０のカバー部材として使用する場合には、ガラス基板２０の表側（入力ペン５０が接触する側）の主面２０ａに形成する。また、防汚膜は、主鎖中にケイ素を含む含フッ素重合体を含むことが好ましい。
含フッ素重合体としては、例えば、主鎖中に、－Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ－ユニットを有し、且つフッ素を含む撥水性の官能基を側鎖に有する重合体を用いることができる。含フッ素重合体は、例えばシラノールを脱水縮合することにより合成することができる。
なお、ガラス基板２０の表側の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを形成する場合には、ガラス基板２０の主面２０ａ上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上に防汚膜を形成する。
ガラス基板２０の主面２０ａに防汚膜を有する場合、またはガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを有する場合、防汚膜の表面の凹凸が、上述の表面粗さ（微小凹凸の算術平均高さＳａ、最大谷深さＳｖ、粗さ曲線要素の最大高さＲｚ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐ、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖ）の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸形状が形成される。
また、ガラス基板２０の主面２０ａに防汚膜を有する場合、またはガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを有する場合、防汚膜を形成した後のガラス基板２０のヘイズ、または反射防止膜と防汚膜とを形成した後のガラス基板２０のヘイズが、上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸形状が形成される。
また、ガラス基板２０の主面２０ａに防汚膜を有する場合、またはガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを有する場合、防汚膜を形成した後のガラス基板２０のヘイズ、または反射防止膜と防汚膜とを形成した後のガラス基板２０のヘイズが、上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸形状が形成される。
ガラス基板２０の表面に化学強化層を形成する場合は、ガラス基板２０に化学強化処理を施す。
化学強化処理は、アルカリ金属を含む溶融塩中にガラス基板を浸漬させ、ガラス基板の最表面に存在する原子径の小さなアルカリ金属（イオン）を、溶融塩中に存在する原子径の大きなアルカリ金属（イオン）と置換する技術の総称を言う。化学強化処理されたガラス基板の表面には、処理前の元の原子よりも原子径の大きなアルカリ金属（イオン）の原子が配置される。例えば、ガラス基板がナトリウム（Ｎａ）を含む場合、このナトリウムは化学強化処理の際に、溶融塩（例えば硝酸塩）中で、例えばカリウム（Ｋ）と置換される。このため、ガラス基板の表面に圧縮応力層を形成することができ、これによりガラス基板の強度を向上することが可能となる。
化学強化処理は、アルカリ金属を含む溶融塩中にガラス基板を浸漬させ、ガラス基板の最表面に存在する原子径の小さなアルカリ金属（イオン）を、溶融塩中に存在する原子径の大きなアルカリ金属（イオン）と置換する技術の総称を言う。化学強化処理されたガラス基板の表面には、処理前の元の原子よりも原子径の大きなアルカリ金属（イオン）の原子が配置される。例えば、ガラス基板がナトリウム（Ｎａ）を含む場合、このナトリウムは化学強化処理の際に、溶融塩（例えば硝酸塩）中で、例えばカリウム（Ｋ）と置換される。このため、ガラス基板の表面に圧縮応力層を形成することができ、これによりガラス基板の強度を向上することが可能となる。
従って、ガラス基板２０に化学強化処理を行うことで、ペン入力装置１０自体の耐久性が向上するとともに、カバー部材としてのガラス基板２０の耐傷性を向上することができる。
［ガラス基板２０の製造方法］
次に、ガラス基板２０の製造方法について、図１を用いて説明する。
ガラス基板２０の少なくとも一方の主面２０ａに形成される凹凸は、当該主面２０ａにサンドブラスト処理、及びウェットブラスト処理などの処理方法を、少なくとも１種類以上組み合わせて行うことにより形成される。
次に、ガラス基板２０の製造方法について、図１を用いて説明する。
ガラス基板２０の少なくとも一方の主面２０ａに形成される凹凸は、当該主面２０ａにサンドブラスト処理、及びウェットブラスト処理などの処理方法を、少なくとも１種類以上組み合わせて行うことにより形成される。
サンドブラスト処理は、アルミナなどの個体粒子を、圧縮エアを用いて噴射ノズルからガラスからなるワークに高速で噴射することにより、当該ワークに微細な凹凸を形成する処理である。対して、ウェットブラスト処理は、アルミナなどの個体粒子にて構成される砥粒と、水などの液体とを均一に攪拌してスラリーとしたものを、圧縮エアを用いて噴射ノズルからガラスからなるワークに対して高速で噴射することにより、当該ワークに微細な凹凸を形成する処理である。
サンドブラスト処理及びウェットブラスト処理のいずれも、高速に噴射された砥粒がワークに衝突した際に、スラリー内の砥粒がワークの表面を削ったり、叩いたり、こすったりすることにより、ワークの表面に微細な凹凸が形成されることとなる。
この場合、ワークに噴射された砥粒の大きさが重要であり、例えば、＃４０００、＃６０００、＃８０００などの微小砥粒を使うことによって、微小な凹凸を形成することができる。
この場合、ワークに噴射された砥粒の大きさが重要であり、例えば、＃４０００、＃６０００、＃８０００などの微小砥粒を使うことによって、微小な凹凸を形成することができる。
サンドブラスト処理及びウェットブラスト処理によってワークの主面に形成される、微小凹凸の表面粗さ（算術平均高さＳａ、最大谷深さＳｖ、粗さ曲線要素の最大高さＲｚ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐ、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖ）は、主に噴射される砥粒の粒度分布と、スラリーをワークに噴射する際の噴射圧力とにより調整可能である。
サンドブラスト処理及びウェットブラスト処理は、砥粒を高速でワークに噴射するため、砥粒の角部がワークに刺さり、結果としてワークに深い谷部が形成される。
次に、サンドブラスト処理またはウェットブラスト処理により、一方の主面２０ａに凹凸形状が形成されたガラス基板２０の実施例について説明する。
なお、ガラス基板２０の構成については、以下に示すものに限定されるものではない。
なお、ガラス基板２０の構成については、以下に示すものに限定されるものではない。
［試料の作製］
本実施例においては、表１に示すように、ガラス基板２０の実施例として試料１～１３を各々作製し、これらの実施例に対する比較例として、試料１４～１８を各々作製した。なお、これらの試料１～１８に用いたガラス基板２０としては、厚さが０．５５ｍｍのアルカリ含有アルミノシリケートガラスを使用した。
本実施例においては、表１に示すように、ガラス基板２０の実施例として試料１～１３を各々作製し、これらの実施例に対する比較例として、試料１４～１８を各々作製した。なお、これらの試料１～１８に用いたガラス基板２０としては、厚さが０．５５ｍｍのアルカリ含有アルミノシリケートガラスを使用した。
実施例となる試料１～９のガラス基板２０に対しては、サンドブラスト処理を施すことにより、一方の主面２０ａに凹凸形状を形成した。
具体的には、試料1～９のガラス基板２０に対して、粒度が＃３０００、＃４０００、＃６０００、＃８０００のアルミナ砥粒を、圧力エア０．２～０．４Ｍｐａ及び処理時間約３分～約６分の条件でサンドブラスト処理を施すことにより、一方の主面２０ａに微小凹凸からなる凹凸形状を形成した。
具体的には、試料1～９のガラス基板２０に対して、粒度が＃３０００、＃４０００、＃６０００、＃８０００のアルミナ砥粒を、圧力エア０．２～０．４Ｍｐａ及び処理時間約３分～約６分の条件でサンドブラスト処理を施すことにより、一方の主面２０ａに微小凹凸からなる凹凸形状を形成した。
実施例となる試料１０～１３のガラス基板２０に対しては、ウェットブラスト処理を施すことにより、一方の主面２０ａに凹凸形状を形成した。
具体的には、試料１０～１３のガラス基板２０に対して、粒度が＃８０００のアルミナ砥粒を、圧力エア０．２Ｍｐａ及びノズル走査速度０．５～１０ｍｍ／ｓの条件でウェットブラスト処理を施すことにより、一方の主面２０ａに、微小凹凸からなる凹凸形状を形成した。
具体的には、試料１０～１３のガラス基板２０に対して、粒度が＃８０００のアルミナ砥粒を、圧力エア０．２Ｍｐａ及びノズル走査速度０．５～１０ｍｍ／ｓの条件でウェットブラスト処理を施すことにより、一方の主面２０ａに、微小凹凸からなる凹凸形状を形成した。
ウェットブラスト処理については、試料１０～１３の各々のガラス基板２０を略垂直姿勢の状態で配置し、粒度が♯８０００のアルミナからなる砥粒３ｗｔ％と、水と、分散剤とを均一に攪拌してスラリーを調製し、調製したスラリーを、処理圧力０．２ＭＰａのエアを用いて丸ノズルから噴射させた状態で、当該丸ノズルを０．５～１０ｍｍ／ｓの速度にて移動させながら、各ガラス基板２０の一方の主面２０ａの全体に対して走査させることによりウェットブラストを施した。
なお、各々のガラス基板２０を略垂直姿勢の状態で配置したのは、主面２０ａの全体に噴き付けられたスラリーが、局所的に留まるのを防ぐためである。
なお、各々のガラス基板２０を略垂直姿勢の状態で配置したのは、主面２０ａの全体に噴き付けられたスラリーが、局所的に留まるのを防ぐためである。
比較例となる試料１４のガラス基板２０に対しては、一方の主面２０ａに処理を施していない。つまり、試料１４のガラス基板２０は、未処理である。
比較例となる試料１５のガラス基板２０に対しては、一方の主面２０ａにＳｉＯ２成分を含む液体を噴射することにより塗布し、塗布したＳｉＯ２成分を含む液体を乾燥させることにより、当該主面２０ａにＳｉＯ２コーティング膜を形成した。つまり、試料１５のガラス基板２０には、ＳｉＯ２コーティングを施した。
比較例となる試料１６～１８のガラス基板２０に対しては、５ｗｔ％濃度に調整したフッ酸溶液（２５℃）中に、各ガラス基板２０をそれぞれ所定時間（試料１６：約１７分、試料１７：約３３分、試料１８：５０分）だけ浸漬することにより作製した。つまり、試料１６～１８のガラス基板２０には、フッ酸エッチングを施した。
［表面粗さの測定］
先ず始めに、試料１～１８のガラス基板２０における主面２０ａの表面粗さを測定した。
表面粗さの測定は、試料１～９についてはサンドブラスト処理を施した主面２０ａに対して行い、試料１０～１３についてはウェットブラスト処理を施した主面２０ａに対して行い、試料１５についてはＳｉＯ２コーティングを施した主面２０ａに対して行い、試料１４、１６～１８については一方の主面２０ａに対して行った。
先ず始めに、試料１～１８のガラス基板２０における主面２０ａの表面粗さを測定した。
表面粗さの測定は、試料１～９についてはサンドブラスト処理を施した主面２０ａに対して行い、試料１０～１３についてはウェットブラスト処理を施した主面２０ａに対して行い、試料１５についてはＳｉＯ２コーティングを施した主面２０ａに対して行い、試料１４、１６～１８については一方の主面２０ａに対して行った。
測定した表面粗さのパラメータは、算術平均高さＳａ、最大谷深さＳｖ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐ、及び粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖであり、表面粗さの測定は、白色干渉顕微鏡を用いて行った。用いた白色干渉顕微鏡は、Ｚｙｇｏ社製の白色干渉顕微鏡（製品名：Ｎｅｗ Ｖｉｅｗ ７３００）である。
測定条件は、対物レンズ５０倍、ズームレンズ２倍を使用し、測定エリア７４×５５μｍの領域に対して、カメラ画素数が６４０×４８０、積算回数１０回となるように設定した。
また、算術平均高さＳａ、最大谷深さＳｖ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐ、及び粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖを測定する際の、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ１は１４μｍに設定し、低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ１は０．３５μｍに設定した。
また、算術平均高さＳａ、最大谷深さＳｖ、粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍ、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐ、及び粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖを測定する際の、高域フィルタλｃのカットオフ値λｃ１は１４μｍに設定し、低域フィルタλｓのカットオフ値λｓ１は０．３５μｍに設定した。
［表面粗さの測定結果］
試料１～１８について行った、表面粗さの測定結果について説明する。
表２に測定結果を示す。
試料１～１８について行った、表面粗さの測定結果について説明する。
表２に測定結果を示す。
表２に示すように、微小凹凸における算術平均高さＳａは、実施例である試料１～１３については、１．４～１０．０ｎｍの範囲内の数値であった。
これに対して、比較例である試料１４～１８においては、未処理の試料１４の算術平均高さＳａは０．１ｎｍと小さく、ＳｉＯ２コーティングを施した試料１５の算術平均高さＳａは５０．１ｎｍと大きく、フッ酸エッチングを施した試料１６～１８の算術平均高さＳａは０．２～０．３ｎｍの範囲内の数値となり、小さかった。
これに対して、比較例である試料１４～１８においては、未処理の試料１４の算術平均高さＳａは０．１ｎｍと小さく、ＳｉＯ２コーティングを施した試料１５の算術平均高さＳａは５０．１ｎｍと大きく、フッ酸エッチングを施した試料１６～１８の算術平均高さＳａは０．２～０．３ｎｍの範囲内の数値となり、小さかった。
また、実施例である試料１～１３については、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖは、９．４～５７．５ｎｍの範囲内の数値であり、曲線要素の最大山高さＲｐは、５．６～３４．２ｎｍの範囲内の数値であって、いずれの試料についてもＲｖ＞Ｒｐの関係になっていた。
これに対して、比較例である試料１４～１８において、未処理の試料１４については、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖは０．４ｎｍであり、曲線要素の最大山高さＲｐは０．４ｎｍであってＲｖ＝Ｒｐの関係にあり、ＳｉＯ２コーティングを施した試料１５については、曲線要素の最大谷深さＲｖは１４１．９ｎｍであり、曲線要素の最大山高さＲｐは１８５．４ｎｍであってＲｖ＜Ｒｐの関係にあった。また、フッ酸エッチングを施した試料１６～１８については、曲線要素の最大谷深さＲｖは０．８～１．０ｎｍの範囲内の数値となり、曲線要素の最大谷深さＲｐは０．８～０．９の範囲内の数値となって、ＲｖとＲｐとは同程度の値であった。
これに対して、比較例である試料１４～１８において、未処理の試料１４については、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖは０．４ｎｍであり、曲線要素の最大山高さＲｐは０．４ｎｍであってＲｖ＝Ｒｐの関係にあり、ＳｉＯ２コーティングを施した試料１５については、曲線要素の最大谷深さＲｖは１４１．９ｎｍであり、曲線要素の最大山高さＲｐは１８５．４ｎｍであってＲｖ＜Ｒｐの関係にあった。また、フッ酸エッチングを施した試料１６～１８については、曲線要素の最大谷深さＲｖは０．８～１．０ｎｍの範囲内の数値となり、曲線要素の最大谷深さＲｐは０．８～０．９の範囲内の数値となって、ＲｖとＲｐとは同程度の値であった。
また、微小凹凸における最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａは、実施例である試料１～１３については８．０～３９．０の範囲内の数値であり、Ｓｖ／Ｓａは６以上の値を示している。特に、サンドブラスト処理を施した試料１～試料９については、微小凹凸における最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａは、１５以上の値を示している。
これに対して、比較例である試料１４～１８おいては、未処理の試料１４の最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａは１２．６であった。また、ＳｉＯ２コーティングを施した試料１５の最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａは５．５となり、フッ酸エッチングを施した試料１６～１８の最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａは５．６～５．８ｎｍの範囲内の数値となり、小さかった。
これに対して、比較例である試料１４～１８おいては、未処理の試料１４の最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａは１２．６であった。また、ＳｉＯ２コーティングを施した試料１５の最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａは５．５となり、フッ酸エッチングを施した試料１６～１８の最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａは５．６～５．８ｎｍの範囲内の数値となり、小さかった。
さらに、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖと粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍとの比であるＲｖ／ＲＳｍは、実施例である試料１～１３については、０．００４０～０．０２２９の範囲内の数値であった。
これに対して、比較例である試料１４～１８において、未処理の試料１４の粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖと粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍとの比であるＲｖ／ＲＳｍは０．０００４と小さかった。ＳｉＯ２コーティングを施した試料１５の粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖと粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍとの比であるＲｖ／ＲＳｍは０．０１７２であった。また、フッ酸エッチングを施した試料１６～１８の粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖと粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍとの比であるＲｖ／ＲＳｍは０．０００５となり、小さかった。
これに対して、比較例である試料１４～１８において、未処理の試料１４の粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖと粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍとの比であるＲｖ／ＲＳｍは０．０００４と小さかった。ＳｉＯ２コーティングを施した試料１５の粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖと粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍとの比であるＲｖ／ＲＳｍは０．０１７２であった。また、フッ酸エッチングを施した試料１６～１８の粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖと粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍとの比であるＲｖ／ＲＳｍは０．０００５となり、小さかった。
［書き心地の評価］
ガラス基板２０に対して入力ペン５０により文字及び図形等の入力を行った際の書き心地を官能試験により評価した。評価方法としては、ワコム社製の替え芯（製品名：エラストマー芯（ＡＣＫ－２０００４）、ペン先の直径：１．４ｍｍ）を、三菱鉛筆製のボールペン（製品名：ＪＥＴＳＴＲＥＡＭ）の筐体に取付けたものを入力ペン５０として使用し、ガラス基板２０上で「あ」という文字を書いた際に、感覚的にペン先を滑らかに操作可能で書き心地が非常に良いと感じた場合を◎とし、良いと感じた場合を〇とし、滑りにくいなどにより感覚的に書き心地が悪いと感じた場合を×として、書き心地の判定を行った。
ガラス基板２０に対して入力ペン５０により文字及び図形等の入力を行った際の書き心地を官能試験により評価した。評価方法としては、ワコム社製の替え芯（製品名：エラストマー芯（ＡＣＫ－２０００４）、ペン先の直径：１．４ｍｍ）を、三菱鉛筆製のボールペン（製品名：ＪＥＴＳＴＲＥＡＭ）の筐体に取付けたものを入力ペン５０として使用し、ガラス基板２０上で「あ」という文字を書いた際に、感覚的にペン先を滑らかに操作可能で書き心地が非常に良いと感じた場合を◎とし、良いと感じた場合を〇とし、滑りにくいなどにより感覚的に書き心地が悪いと感じた場合を×として、書き心地の判定を行った。
［書き心地の評価結果］
表２に示すように、実施例である試料１～１３については、それぞれ、エラストマー製のペン先が滑らかに操作できると感じ、書き心地評価が◎という結果になった。一方、比較例である未処理の試料１４、ＳｉＯ２コーティングを施した試料１５、及びフッ酸エッチングを施した試料１６～１８は、いずれもエラストマー製のペン先が滑りにくいと感じ、書き心地評価は×となった。
表２に示すように、実施例である試料１～１３については、それぞれ、エラストマー製のペン先が滑らかに操作できると感じ、書き心地評価が◎という結果になった。一方、比較例である未処理の試料１４、ＳｉＯ２コーティングを施した試料１５、及びフッ酸エッチングを施した試料１６～１８は、いずれもエラストマー製のペン先が滑りにくいと感じ、書き心地評価は×となった。
［各試料の総合評価］
以上の結果から、表２に示すように、実施例である試料１～１３については、入力ペン５０のペン先５１が接する主面２０ａに形成された適切な微小凹凸形状によって、ペン先５１がガラス基板２０の主面２０ａ上で滑ることの抑制と、ペン先５１と主面２０ａとの間の摩擦力の適度な低下とが組み合わさることによって、良好な書き心地が得られるという結果になった。
以上の結果から、表２に示すように、実施例である試料１～１３については、入力ペン５０のペン先５１が接する主面２０ａに形成された適切な微小凹凸形状によって、ペン先５１がガラス基板２０の主面２０ａ上で滑ることの抑制と、ペン先５１と主面２０ａとの間の摩擦力の適度な低下とが組み合わさることによって、良好な書き心地が得られるという結果になった。
一方、比較例である未処理の試料１４については、入力ペン５０が接する主面２０ａの凹凸が小さく、エラストマー製のペン先５１の場合は非常に滑り難くなるために書き味が悪かった。
また、比較例であるＳｉＯ２コーティングを施した試料１５、及びフッ酸エッチングを施した試料１６～１８については、ペン先５１が滑り難過ぎてひっかかりが生じ、書き心地が悪かった。
また、比較例であるＳｉＯ２コーティングを施した試料１５、及びフッ酸エッチングを施した試料１６～１８については、ペン先５１が滑り難過ぎてひっかかりが生じ、書き心地が悪かった。
１０ 入力装置
２０ ガラス基板（入力装置用カバー部材）
２０ａ 主面
３０ ディスプレイ素子（ディスプレイ装置）
４０ デジタイザ回路（検出回路）
５０ 入力ペン５０
５１ ペン先（摩擦子）
Ｒｐ 粗さ曲線要素の最大山高さ
Ｒｖ 粗さ曲線要素の最大谷深さ
ＲＳｍ 粗さ曲線要素の平均長さ
Ｓａ 算術平均高さ
Ｓｖ 最大谷深さ
λｃ 高域フィルタ
λｃ１ 高域フィルタのカットオフ値
λｓ 低域フィルタ
λｓ１ 低域フィルタのカットオフ値
２０ ガラス基板（入力装置用カバー部材）
２０ａ 主面
３０ ディスプレイ素子（ディスプレイ装置）
４０ デジタイザ回路（検出回路）
５０ 入力ペン５０
５１ ペン先（摩擦子）
Ｒｐ 粗さ曲線要素の最大山高さ
Ｒｖ 粗さ曲線要素の最大谷深さ
ＲＳｍ 粗さ曲線要素の平均長さ
Ｓａ 算術平均高さ
Ｓｖ 最大谷深さ
λｃ 高域フィルタ
λｃ１ 高域フィルタのカットオフ値
λｓ 低域フィルタ
λｓ１ 低域フィルタのカットオフ値
Claims (7)
- 入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置される入力装置用カバー部材であって、
前記入力装置用カバー部材の少なくとも一方の主面に凹凸形状を有し、
前記凹凸形状を有する主面における、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖが、粗さ曲線要素の最大山高さＲｐよりも大きいことを特徴とする入力装置用カバー部材。 - 前記凹凸形状を有する主面における、最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａが、６以上であることを特徴とする請求項１に記載の入力装置用カバー部材。
- 前記凹凸形状を有する主面における、最大谷深さＳｖと算術平均高さＳａとの比であるＳｖ／Ｓａが、１５以上であることを特徴とする請求項１に記載の入力装置用カバー部材。
- 前記凹凸形状を有する主面における、粗さ曲線要素の最大谷深さＲｖと粗さ曲線要素の平均長さＲＳｍとの比であるＲｖ／ＲＳｍが、０．００１以上且つ０．１以下であることを特徴とする請求項１～請求項３の何れか一項に記載の入力装置用カバー部材。
- 前記凹凸形状を有する主面における、算術平均高さＳａが、１ｎｍ以上且つ５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１～請求項４の何れか一項に記載の入力装置用カバー部材。
- 請求項１～請求項５の何れか一項に記載の入力装置用カバー部材と、ディスプレイ装置と、ペン入力を検出する検出回路とを備えることを特徴とする入力装置。
- 前記入力装置用カバー部材の主面に接触しながら移動することにより、前記入力装置に対するペン入力を行う入力ペンを備えることを特徴とする請求項６に記載の入力装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP2021092316A JP2022184455A (ja) | 2021-06-01 | 2021-06-01 | 入力装置用カバー部材、及び入力装置 |
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| CN202280036760.0A CN117377935A (zh) | 2021-06-01 | 2022-05-24 | 输入装置用盖板构件以及输入装置 |
| KR1020237039963A KR20240016955A (ko) | 2021-06-01 | 2022-05-24 | 입력 장치용 커버 부재, 및 입력 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021092316A JP2022184455A (ja) | 2021-06-01 | 2021-06-01 | 入力装置用カバー部材、及び入力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
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Family
ID=84323154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021092316A Pending JP2022184455A (ja) | 2021-06-01 | 2021-06-01 | 入力装置用カバー部材、及び入力装置 |
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|---|---|
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| KR (1) | KR20240016955A (ja) |
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| US11604514B2 (en) * | 2016-04-14 | 2023-03-14 | Apple Inc. | Substrate having a visually imperceptible texture for providing variable coefficients of friction between objects |
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| JP2018116367A (ja) * | 2017-01-16 | 2018-07-26 | 日本電気硝子株式会社 | ペン入力装置用ガラス基板、及びペン入力装置 |
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- 2021-06-01 JP JP2021092316A patent/JP2022184455A/ja active Pending
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2022
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| CN117377935A (zh) | 2024-01-09 |
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