JP6790565B2 - ペン入力装置、ペン入力装置用ガラス基板及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ペン入力装置、ペン入力装置用ガラス基板及びその製造方法に関する。

従来より、入力ペンを用いて文字及び図形等の入力を行うことができるペン入力装置が知られている。
このようなペン入力装置においては、液晶ディスプレイ等のディスプレイ装置の前面側にガラス基板等で構成される透明なカバー部材が配置されており、このカバー部材に対して入力ペンを接触及び移動させることで、様々な入力操作を行うことが可能となっている。ペン入力装置のカバー部材としてガラス基板を用いた場合、一般的にガラス基板の表面は凹凸が小さく滑らかに形成されているため、ガラス基板の表面に入力ペンを接触させて移動した場合にペン先が滑ってしまい、書き心地が悪いという問題が生じていた。

例えば特許文献１には、ペン入力装置における入力ペンの書き味を高めるために、カバー部材の表面に凹凸を有する樹脂層を形成することが開示されている。

特開２００９−１５１４７６号公報

しかし、前述のような凹凸を有する樹脂層は、透明性に関する指標で曇度を表すヘイズが高くなる傾向があり、凹凸を有する樹脂層が形成されたカバー部材をディスプレイ装置の前面側に配置すると、ディスプレイ装置の解像度が低下することとなる。解像度の低下は、特に高解像度のディスプレイ装置において顕著である。
また、特許文献１のようにカバー部材の表面に凹凸を有する樹脂層を形成した場合、樹脂層の凹凸による散乱光が干渉してスパークリングと呼ばれるギラつきが発生し、ディスプレイ装置の解像度が低下する。
さらに、樹脂層は柔らかく耐傷性が低いために傷が付きやすく、樹脂層に付いた傷はディスプレイ装置の解像度を低下させる原因となる。

そこで、本発明においては、耐傷性が高く、入力ペンによる書き味が優れるとともに、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができるペン入力装置、ペン入力装置用ガラス基板及びその製造方法を提供するものである。

上記課題を解決するペン入力装置、ペン入力装置用ガラス基板及びその製造方法は、以下の特徴を有する。
即ち、本発明に係るペン入力装置用ガラス基板は、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置されるペン入力装置用ガラス基板であって、少なくとも一方の主面に凹凸を有し、前記凹凸を有する主面における、粗さ曲線の最大谷深さＲｖが１０ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下であり、粗さ曲線の平均長さＲｓｍが５００ｎｍ以上かつ２０００ｎｍ以下である。
このような構成により、耐傷性が高く、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の高解像度を保持し、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。

また、前記凹凸を有する主面における、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上かつ３００ｎｍ以下である。
これにより、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができる。

また、前記凹凸を有する主面における、最大高さ粗さＲｚが３０ｎｍ以上かつ５００ｎｍ以下である。
これにより、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができ、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を向上させることができる。

また、前記凹凸を有する主面における、粗さ曲線の最大山高さＲｐが１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
これにより、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができ、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を向上させることができる。

また、ヘイズが、可視光の波長域において１０％未満である。
これにより、ガラス基板の透明度を保持することができ、ディスプレイ装置の高解像度を保持することができる。

また、ペン入力装置は、請求項１〜請求項５の何れか一項に記載されるペン入力装置用ガラス基板、ディスプレイ装置、及びペン入力を検出する検出回路を備える。
これにより、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の高解像度を保持することができ、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。

また、ペン入力装置は、前記ペン入力装置用ガラス基板の主面に接触しながら移動することにより、ペン入力装置に対するペン入力を行う入力ペンを備える。
このような構成により、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の高解像度を保持することができ、入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。

また、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置されるペン入力装置用ガラス基板の製造方法であって、前記ペン入力装置用ガラス基板の少なくとも一方の主面にウェットブラスト処理を施す。
これにより、ガラス基板の透明度を損なうことなく、ペン入力装置における入力ペンの書き味の良いペン入力装置用ガラス基板を得ることができる。

また、前記ウェットブラスト処理を施すことにより、前記ペン入力装置用ガラス基板の少なくとも一方の主面に、粗さ曲線の最大谷深さＲｖが１０ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下であり、粗さ曲線の平均長さＲｓｍが５００ｎｍ以上かつ２０００ｎｍ以下である凹凸を形成する。
これにより、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の高解像度を保持することができ、ペン入力装置における入力ペンの書き味が優れたペン入力装置用ガラス基板を得ることができる。

本発明によれば、耐傷性が高く、ペン入力装置におけるディスプレイ装置の高解像度を保持することができ、ペン入力装置に対する入力を行う入力ペンの書き味を優れたものとすることができる。

ペン入力装置を示す概略側面断面図である。

次に、本発明に係るペン入力装置、ペン入力装置用ガラス基板及びその製造方法を実施するための形態を、添付の図面を用いて説明する。

図１に示すペン入力装置１０は、本発明に係るペン入力装置用ガラス基板を備えたペン入力装置の一実施形態である。
ペン入力装置１０は、映像を表示するディスプレイ装置３０と、ディスプレイ装置３０の前面側に配置されるカバーガラスとしてのガラス基板２０と、ディスプレイ装置３０の背面側に配置されるデジタイザ回路４０と、入力ペン５０とを備える。ガラス基板２０は、本発明に係るペン入力装置用ガラス基板の一例であり、デジタイザ回路４０は、本発明に係るペン入力を検出する検出回路の一例である。
なお、ディスプレイ装置３０の「前面側」とは、映像が表示される側をいい、ディスプレイ装置３０の「背面側」とは、映像が表示される側の反対側をいう。

ペン入力装置１０は、ガラス基板２０に対して入力ペン５０を接触させた状態で移動させることにより、文字及び図形などの入力を行うことが可能となっている。
ペン入力装置１０は、例えばタブレット端末である。このタブレット端末は、表示機能とペン入力機能とを備えたペン入力用表示装置を広く意味する。タブレット端末は、タブレットＰＣ、モバイルＰＣ、スマートフォン、及びゲーム機などの機器を含む。

ガラス基板２０は、少なくとも一方の主面２０ａに凹凸が形成された透明なガラス板により形成されている。ガラス基板２０としては、例えばアルミノシリケートガラス、又はホウケイ酸ガラスからなるガラス板を用いることができる。ガラス基板２０がアルカリ含有アルミノシリケートガラスからなるガラス板である場合、ガラス基板２０は、表面に化学強化層を有していても良い。なお、ガラス基板２０の詳細については後述する。

ディスプレイ装置３０は、例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、及び有機ＥＬディスプレイなどの公知の表示パネルにて構成されている。ディスプレイ装置３０においては、ガラス基板２０は、凹凸が形成された主面２０ａが入力ペン５０が接触する側の面となるように配置されている。

デジタイザ回路４０は、入力ペン５０による入力を検出する検出センサを備えている。
入力ペン５０は、鉛筆やボールペンなどの筆記具に似た形状の入力具であり、ガラス基板２０と接触するペン先５１は、エラストマー、ポリアセタール樹脂などの合成樹脂材、又はフェルトなどで構成されている。これらの部材により構成されたペン先５１は、凹凸に対して引っかかりやすい。従って、入力ペン５０のペン先５１を、凹凸が形成されたガラス基板２０の主面２０ａに接触させて移動させた場合の書き味が特に優れる。

次に、ガラス基板２０について説明する。
ガラス基板２０の主面２０ａには、凹凸が形成されており、粗さ曲線の最大谷深さＲｖが１０ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下であり、粗さ曲線の平均長さＲｓｍが５００ｎｍ以上かつ２０００ｎｍ以下となっている。

ガラス基板２０の主面２０ａにおける粗さ曲線の最大谷深さＲｖ及び平均長さＲｓｍが、このような範囲であることにより、ペン入力装置１０においては、ディスプレイ装置３０の高解像度を保持することができ、入力ペン５０の書き味を向上させることが可能となっている。また、形成された凹凸による散乱光の干渉による、スパークリングと呼ばれるギラつきの発生を抑えることができる。さらに、ガラス基板２０の主面には樹脂層が形成されておらず、ガラス面が露出しているため、耐傷性が高く傷が付きにくいため、ディスプレイ装置３０の解像度を低下させることがない。

また、ガラス基板２０の主面２０ａは、上述のエラストマー、ポリアセタール樹脂などの樹脂材、及びフェルトなどといった凹凸に対して引っかかりを生じやすい部材で構成されているペン先５１に対して書き味が特に優れたものとなっている。

本実施形態の場合、ガラス基板２０の主面２０ａにおける粗さ曲線の最大谷深さＲｖの下限値は１０ｎｍに設定されているが、２０ｎｍに設定することが好ましく、３０ｎｍに設定することがさらに好ましい。
また、粗さ曲線の最大谷深さＲｖの上限値は４００ｎｍに設定されているが、３００ｎｍに設定することが好ましく、２００ｎｍに設定することがさらに好ましい。

本実施形態の場合、ガラス基板２０の主面２０ａにおける粗さ曲線の平均長さＲｓｍの下限値は５００ｎｍに設定されているが、６００ｎｍに設定することが好ましく、７００ｎｍに設定することがさらに好ましい。
また、粗さ曲線の平均長さＲｓｍの上限値は２０００ｎｍに設定されているが、１８００ｎｍに設定することが好ましく、１６００ｎｍに設定することがより好ましく、１４００ｎｍに設定することがさらに好ましい。

また、凹凸が形成されたガラス基板２０の主面２０ａにおいては、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上かつ３００ｎｍ以下となっている。

このように、ペン入力装置１０においては、ガラス基板２０の主面２０ａにおける算術平均粗さＲａは、可視光の波長域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）よりも小さな値となっているため、ガラス基板２０のヘイズを小さくすることができる。従って、ディスプレイ装置３０の高解像度を保持することができる。

本実施形態の場合、ガラス基板２０の主面２０ａにおける算術平均粗さＲａの下限値は１ｎｍに設定されているが、２ｎｍに設定することが好ましく、３ｎｍに設定することがさらに好ましい。
また、算術平均粗さＲａの上限値は３００ｎｍに設定されているが、２００ｎｍに設定することが好ましく、１００ｎｍに設定することがより好ましく、５０ｎｍに設定することがさらに好ましい。

また、凹凸が形成されたガラス基板２０の主面２０ａにおいては、最大高さ粗さＲｚが３０ｎｍ以上かつ５００ｎｍ以下となっている。

ガラス基板２０の主面２０ａにおける最大高さ粗さＲｚが３０ｎｍ以上かつ５００ｎｍ以下であることにより、ディスプレイ装置３０の高解像度を保持することができ、入力ペン５０の書き味を向上させることが可能となっている。また、形成された凹凸による散乱光の干渉による、スパークリングと呼ばれるギラつきの発生を抑えることができる。

本実施形態の場合、ガラス基板２０の主面２０ａにおける最大高さ粗さＲｚの下限値は３０ｎｍに設定されているが、４０ｎｍに設定することが好ましく、５０ｎｍに設定することがさらに好ましい。
また、最大高さ粗さＲｚの上限値は５００ｎｍに設定されているが、４００ｎｍに設定することが好ましく、３００ｎｍに設定することがさらに好ましい。

また、凹凸が形成されたガラス基板２０の主面２０ａにおいては、粗さ曲線の最大山高さＲｐが１０ｎｍ以上かつ２００ｎｍ以下となっている。

ガラス基板２０の主面２０ａにおける粗さ曲線の最大山高さＲｐが１０ｎｍ以上かつ２００ｎｍ以下であることにより、ディスプレイ装置３０の高解像度を保持することができ、入力ペン５０の書き味を向上させることが可能となっている。また、形成された凹凸による散乱光の干渉による、スパークリングと呼ばれるギラつきの発生を抑えることができる。

本実施形態の場合、ガラス基板２０の主面２０ａにおける粗さ曲線の最大山高さＲｐの下限値は１０ｎｍに設定されているが、２０ｎｍに設定することが好ましく、３０ｎｍに設定することがさらに好ましい。
また、粗さ曲線の最大山高さＲｐの上限値は２００ｎｍに設定されているが、１８０ｎｍに設定することが好ましく、１６０ｎｍに設定することがより好ましく、１４０ｎｍに設定することがさらに好ましい。

ガラス基板２０は、ディスプレイ装置３０の映像をガラス基板２０を介して見たときの映像の解像度の観点から、透明性に関する指標で曇度を表すヘイズが、可視光の波長域（３８０ｎｍ〜７８０ｎｍ）において１０％未満となるように形成されている。
ガラス基板２０のヘイズを１０％未満とすることで、ガラス基板２０の透明度を保持することができ、ディスプレイ装置３０の高解像度を保持することができる。

本実施形態の場合、ガラス基板２０のヘイズは１０％未満に設定されているが、７％未満であることが好ましく、５％未満であることがより好ましく、４％未満であることがさらに好ましい。

また、ガラス基板２０の主面２０ａには、入力ペンが接触する側の反射率を低下させるための反射防止膜、又は指紋の付着を防止し、撥水性、撥油性を付与するための防汚膜を形成することができる。

反射防止膜は、ガラス基板２０をペン入力装置１０のカバーガラスとして使用する場合には、少なくともガラス基板２０の表側（入力ペン５０が接触する側）の主面２０ａに有する。また、ガラス基板２０とディスプレイ装置３０との間に隙間がある場合には、ガラス基板２０の裏側（ディスプレイ装置３０側）の主面２０ａにも反射防止膜を有することが好ましい。
反射防止膜としては、例えばガラス基板２０よりも屈折率が低い低屈折率膜、又は相対的に屈折率が低い低屈折率膜と相対的に屈折率が高い高屈折率膜とが交互に積層された誘電体多層膜が用いられる。反射防止膜は、スパッタリング法、又はＣＶＤ法などにより形成することができる。

ガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜を有する場合、反射防止膜の表面の凹凸が上述の表面粗さ（算術表面粗さＲａ、最大高さ粗さＲｚ、粗さ曲線の最大山高さＲｐ、粗さ曲線の最大谷深さＲｖ、及び粗さ曲線の平均長さＲｓｍ）の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸が形成される。
また、ガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜を有する場合、反射防止膜を有するガラス基板２０のヘイズが上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面の凹凸が形成される。

防汚膜は、ガラス基板２０をペン入力装置１０のカバーガラスとして使用する場合には、ガラス基板２０の表側（入力ペン５０が接触する側）の主面２０ａに有する。
防汚膜は、主鎖中にケイ素を含む含フッ素重合体を含むことが好ましい。含フッ素重合体としては、例えば、主鎖中に、−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−ユニットを有し、かつ、フッ素を含む撥水性の官能基を側鎖に有する重合体を用いることができる。含フッ素重合体は、例えばシラノールを脱水縮合することにより合成することができる。
ガラス基板２０の表側の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを有する場合には、ガラス基板２０の主面２０ａ上に反射防止膜を形成し、反射防止膜上に防汚膜が形成される。

ガラス基板２０の主面２０ａに防汚膜を有する場合、又はガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを有する場合、防汚膜の表面の凹凸が上述の表面粗さ（算術表面粗さＲａ、最大高さ粗さＲｚ、粗さ曲線の最大山高さＲｐ、粗さ曲線の最大谷深さＲｖ、及び粗さ曲線の平均長さＲｓｍ）の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸が形成される。
また、ガラス基板２０の主面２０ａに防汚膜を有する場合、又はガラス基板２０の主面２０ａに反射防止膜と防汚膜とを有する場合、防汚膜を形成した後のガラス基板２０のヘイズ、又は反射防止膜と防汚膜とを形成した後のガラス基板２０のヘイズが上述の範囲となるように、ガラス基板２０の主面２０ａの凹凸が形成される。

次に、ガラス基板２０の製造方法について説明する。
ガラス基板２０の少なくとも一方の主面に形成される凹凸は、当該主面にウェットブラスト処理を施すことにより形成される。
ウェットブラスト処理は、アルミナなどの個体粒子にて構成される砥粒と、水などの液体とを均一に攪拌してスラリーとしたものを、圧縮エアを用いて噴射ノズルからガラスからなるワークに対して高速で噴射することにより、前記ワークに凹凸を形成する処理である。

ウェットブラスト処理においては、高速に噴射されたスラリーがワークに衝突した際に、スラリー内の砥粒がワークの表面を削ったり、叩いたり、こすったりすることにより、ワークの表面に凹凸が形成されることとなる。この場合、ワークに噴射された砥粒や砥粒により削られたワークの破片は、ワークに噴射された液体により洗い流されるため、ワークに残留する粒子が少なくなる。ガラス基板２０は、表面に凹凸が形成されたワークを、切断すること等により所望の大きさや形状に調製することにより得られる。

ウェットブラスト処理によりワークの主面に形成される凹凸の表面粗さは、主にスラリーに含まれる砥粒の粒度分布と、スラリーをワークに噴射する際の噴射圧力とにより調整可能である。

ウェットブラスト処理においては、スラリーをワークに噴射した場合、液体が砥粒をワークまで運ぶため、乾式ブラスト処理に比べて微細な砥粒を使用することができるとともに、砥粒がワークに衝突する際の衝撃が小さくなり、精密な加工を行うことが可能である。このように、ワークに対してウェットブラスト処理を施すことで、ガラス基板２０の主面２０ａに適度な大きさの凹凸を形成しやすく、ガラス基板２０の透明度を損なうことなく、入力ペン５０の書き味を優れたものとすることが可能となる。

なお、乾式ブラスト処理においては、噴射された砥粒がワークに衝突した際の摩擦によりワークに加工熱が発生するが、ウェットブラスト処理においては、処理中は液体がワークの表面を常に冷却しているため、ワークがブラスト処理により加熱されることがない。また、乾式ブラスト処理を施すことにより、ガラス基板２０の主面２０ａに凹凸を形成することも可能であるが、乾式ブラスト処理では砥粒がガラス基板２０の主面に衝突する際の衝撃が大きすぎて、凹凸が形成された主面２０ａの表面粗さが大きくなりやすく、ガラス基板２０の透明度が損なわれやすい。

また、ガラス基板２０の主面２０ａに凹凸を形成する方法としては、ガラス基板２０の主面２０ａをフッ化水素（ＨＦ）ガス又はフッ化水素酸によりエッチングする方法があるが、これらのエッチングにより得られる凹凸は小さくなりやすく、入力ペン５０で入力操作を行った際にペン先５１が滑ってしまい、良好な書き味を得ることが困難となりやすい。

次に、ウェットブラスト処理により主面２０ａに凹凸を形成したガラス基板２０の実施例について説明する。但し、ガラス基板２０はこれに限定されるものではない。

[試料の作製]
本実施例においては、ガラス基板２０の実施例として試料１〜４を作製し、比較例として試料５〜６を作製した。
試料１〜６に用いたガラス基板２０としては、厚さが１．１ｍｍのアルカリ含有アルミノシリケートガラスを使用した。

実施例となる試料１〜４のガラス基板２０に対しては、ウェットブラスト処理を施すことにより、一方の主面に凹凸を形成した。
具体的には、試料１〜４のガラス基板２０に対し、粒度が♯４０００のアルミナにて構成される砥粒と水とを均一に攪拌することにより調製したスラリーを、ガラス基板２０を載置した処理台を１０ｍｍ／ｓの速度で移動させながら、所定の処理圧力のエアを用いてガラス基板２０の一方の主面２０ａの全体に対して噴射するウェットブラストを２回繰り返した。前記砥粒としては、多角形状を有する砥粒を用いた。

試料１のガラス基板２０に対してスラリーを噴射した際の処理圧力は０．１ＭＰａであり、試料２のガラス基板２０に対してスラリーを噴射した際の処理圧力は０．１２ＭＰａであり、試料３のガラス基板２０に対してスラリーを噴射した際の処理圧力は０．１５ＭＰａであり、試料４のガラス基板２０に対してスラリーを噴射した際の処理圧力は０．２５ＭＰａであった。

比較例となる試料５のガラス基板２０の主面２０ａには処理を施していない。つまり試料５のガラス基板２０は未処理である。
比較例となる試料６のガラス基板２０に対しては、一方の主面２０ａにＳｉＯ２成分を含む液体を噴射することにより塗布し、塗布したＳｉＯ２成分を含む液体を乾燥させることにより当該主面にＳｉＯ２コーティング膜を形成した。

[表面粗さの測定]
試料１〜６のガラス基板２０における主面２０ａの表面粗さを測定した。表面粗さの測定は、試料１〜４についてはウェットブラスト処理を施した主面に対して行い、試料５については一方の主面に対して行い、試料６についてはＳｉＯ２コーティング膜を形成した側の主面に対して行った。

測定した表面粗さのパラメータは、算術表面粗さＲａ、最大高さ粗さＲｚ、粗さ曲線の最大山高さＲｐ、粗さ曲線の最大谷深さＲｖ、粗さ曲線のクルトシスＲｋｕ、及び粗さ曲線の平均長さＲｓｍである。
ただし、算術表面粗さＲａ、最大高さ粗さＲｚ、粗さ曲線の最大山高さＲｐ、及び粗さ曲線の最大谷深さＲｖは試料１〜６について測定し、粗さ曲線のクルトシスＲｋｕは試料１〜４について測定し、粗さ曲線の平均長さＲｓｍは試料１〜４、６について測定した。

試料１〜５に対する算術表面粗さＲａ、最大高さ粗さＲｚ、粗さ曲線の最大山高さＲｐ、及び粗さ曲線の最大谷深さＲｖの測定、並びに試料１〜４に対する粗さ曲線のクルトシスＲｋｕの測定は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて行った。

用いた原子間力顕微鏡は、Ｂｒｕｋｅｒ社製の原子間力顕微鏡（ＳＰＭ ｕｎｉｔ：Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｉｃｏｎ，Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ ｕｎｉｔ： Ｎａｎｏ Ｓｃｏｐｅ Ｖ）であり、ＪＩＳ Ｂ０６０１‐２０１３に基づいて測定を実施した。また、測定条件は、タッピングモードを使用し、測定エリア１０×１０μｍの領域に対して、スキャンレートが１Ｈｚ、取得データ数が５１２×５１２となるように実施した。

試料６に対する算術表面粗さＲａ、最大高さ粗さＲｚ、粗さ曲線の最大山高さＲｐ、及び粗さ曲線の最大谷深さＲｖの測定は、試料６の測定値が試料１〜５の測定値よりも大きくなることから、原子間力顕微鏡よりも大きな値を測定するのに適したレーザー顕微鏡を用いて行った。
また、試料１〜６に対する粗さ曲線の平均長さＲｓｍの測定は、本実施例において測定した他のパラメータよりも広い範囲を測定する必要があるため、原子間力顕微鏡よりも広範囲を測定するのに適したレーザー顕微鏡を用いて測定した。

用いたレーザー顕微鏡は、キーエンス製レーザー顕微鏡（ＶＫ−Ｘ２５０）であり、ＪＩＳ Ｂ０６０１‐２０１３に基づいて測定を実施した。
また、測定は、測定エリア約３２×２４μｍの領域に対して、取得データ数が１０２４×７６８ピクセルであり、基準長さが測定エリアの１/５程度となるように実施した。

[表面粗さの測定結果]
試料１〜６について行った表面粗さの測定結果について説明する。
表１に測定結果を示す。

表１に示すように、算術表面粗さＲａは、実施例となる試料１〜４については７．５ｎｍ〜２４．５ｎｍの範囲にあり、ウェットブラスト処理の処理圧力が大きくなるに従って算術表面粗さＲａの値も大きくなる傾向にある。未処理の比較例である試料５については、試料１〜４よりも小さな０．２ｎｍであった。ＳｉＯ２コーティング膜を形成した比較例である試料６については、試料１〜４よりも大きな１４９ｎｍであった。

最大高さ粗さＲｚは、実施例となる試料１〜４については１８０ｎｍ〜３６０ｎｍの範囲にあり、ウェットブラスト処理の処理圧力が大きくなるに従って最大高さ粗さＲｚの値も大きくなる傾向にある。未処理の比較例である試料５については、試料１〜４よりも小さな５ｎｍであった。ＳｉＯ２コーティング膜を形成した比較例である試料６については、試料１〜４よりも大きな８３１ｎｍであった。

粗さ曲線の最大山高さＲｐは、実施例となる試料１〜４については６５ｎｍ〜１４０ｎｍの範囲にあり、ウェットブラスト処理の処理圧力が大きくなるに従って粗さ曲線の最大山高さＲｐの値も大きくなる傾向にある。未処理の比較例である試料５については、試料１〜４よりも小さな３ｎｍであった。ＳｉＯ２コーティング膜を形成した比較例である試料６については、試料１〜４よりも大きな５１４ｎｍであった。

粗さ曲線の最大谷深さＲｖは、実施例となる試料１〜４については１１５ｎｍ〜２２０ｎｍの範囲にあり、概ねウェットブラスト処理の処理圧力が大きくなるに従って粗さ曲線の最大谷深さＲｖの値も大きくなる傾向にある。未処理の比較例である試料５については、試料１〜４よりも小さな２ｎｍであった。ＳｉＯ２コーティング膜を形成した比較例である試料６については、試料１〜４よりも大きな３１７ｎｍであった。

粗さ曲線のクルトシスＲｋｕは、実施例となる試料１〜４については５．５〜１２の範囲にあり、ウェットブラスト処理の処理圧力が大きくなるに従って粗さ曲線のクルトシスＲｋｕの値が小さくなる傾向にある。

粗さ曲線の平均長さＲｓｍは、実施例となる試料１〜４については８８８ｎｍ〜１２２０ｎｍの範囲にあり、ウェットブラスト処理の処理圧力が大きくなるに従って粗さ曲線の平均長さＲｓｍも大きくなる傾向にある。ＳｉＯ２コーティング膜を形成した比較例である試料６については、試料１〜４よりも大きな１４４０４ｎｍであった。

[ヘイズの測定]
試料１〜４、６についてヘイズの測定を行った。ヘイズの測定は、島津製作所社製紫外可視近赤外分析光度計（ＵＶ−３１００ＰＣ）を用い、ＪＩＳ Ｋ７３６１−１-１９９７に基づいて測定した。

[ヘイズの測定結果]
表１に示すように、ヘイズは、実施例となる試料１〜４については０．３８％〜３．５％の範囲にあり、ウェットブラスト処理の処理圧力が大きくなるに従ってヘイズの値も大きくなる傾向にある。ＳｉＯ２コーティング膜を形成した比較例である試料６については、試料１〜４よりも大きな３４％であった。

[解像度の評価]
ペン入力装置１０におけるディスプレイ装置３０の前面側に試料１〜６のガラス基板２０を載置した場合の、ディスプレイ装置３０に表示される映像の解像度について評価を行った。評価方法としては、ディスプレイ装置３０に表示される映像に滲みが見られるか否かを以下に示す３段階で評価を行った。◎：鮮明な映像が見え、像に滲みが見られない、○：映像が十分に視認できるが、僅かに像の滲みが見られる、×：映像が不鮮明であり、かつ像の滲みが目立つ。

[解像度の評価結果]
表１に示すように、映像の解像度は、実施例となる試料１〜３については◎となり、試料４については〇となった。未処理の比較例である試料５については◎となった。ＳｉＯ２コーティング膜を形成した比較例である試料６については×となった。

[書き味の評価]
ガラス基板２０に対して入力ペン５０により文字及び図形等の入力を行った際の書き味を官能試験により評価した。評価方法としては、入力ペン５０としてワコム社製プロペン（ＫＰ−５０３Ｅ）を使用し、ガラス基板２０上での書き味が、紙上でのＨＢのシャープペンシルの書き味と感覚的に近い場合を〇とし、当該書き味よりも滑りやすい、滑りにくいなど感覚的に異なる場合を×として、書き味の判定を行った。

[書き味の評価結果]
表１に示すように、書き味は、実施例となる試料１〜４については〇となり、未処理の比較例である試料５については×となり、ＳｉＯ２コーティング膜を形成した比較例である試料６については〇となった。

[各試料の総合評価]
表１に示すように、実施例となる試料１〜４については、入力ペン５０が接する主面の凹凸の大きさが適切であるため、書き味が良好であり、かつ解像度も◎及び○といったように良好な評価結果が得られた。
一方、未処理の比較例である試料５については、入力ペン５０が接する主面の凹凸が小さいため滑りやすく、書き味が悪かった。
また、ＳｉＯ２コーティング膜を形成した比較例である試料６については、凹凸が大きすぎるため、ヘイズが高くなって映像の解像度が低下し、像の滲みが大きくなった。

１０ ペン入力装置
２０ ガラス基板
２０ａ 主面
３０ ディスプレイ装置
４０ デジタイザ回路
５０ 入力ペン５０

Claims (8)

1. ペン入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置されるペン入力装置用ガラス基板であって、
   少なくとも一方の主面に凹凸を有し、
   前記凹凸を有する主面における、粗さ曲線の最大谷深さＲｖが１０ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下であり、粗さ曲線の平均長さＲｓｍが８８８ｎｍ以上かつ２０００ｎｍ以下であり、
   ヘイズが、可視光の波長域において１０％未満である、
   ことを特徴とするペン入力装置用ガラス基板。
2. 前記凹凸を有する主面における、算術平均粗さＲａが１ｎｍ以上かつ３００ｎｍ以下である、
   ことを特徴とする請求項１に記載のペン入力装置用ガラス基板。
3. 前記凹凸を有する主面における、最大高さ粗さＲｚが３０ｎｍ以上かつ５００ｎｍ以下である、
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のペン入力装置用ガラス基板。
4. 前記凹凸を有する主面における、粗さ曲線の最大山高さＲｐが１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、
   ことを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか一項に記載のペン入力装置用ガラス基板。
5. 請求項１〜請求項４の何れか一項に記載されるペン入力装置用ガラス基板、ディスプレイ装置、及びペン入力を検出する検出回路を備える、
   ことを特徴とするペン入力装置。
6. 前記ペン入力装置用ガラス基板の主面に接触しながら移動することにより、ペン入力装置に対するペン入力を行う入力ペンを備える、
   ことを特徴とする請求項５に記載のペン入力装置。
7. ペン入力装置におけるディスプレイ装置の前面側に配置されるペン入力装置用ガラス基板の製造方法であって、
   前記ペン入力装置用ガラス基板の少なくとも一方の主面にウェットブラスト処理を施し、
   前記ウェットブラスト処理を施すことにより、
   前記ペン入力装置用ガラス基板の少なくとも一方の主面に、粗さ曲線の最大谷深さＲｖが１０ｎｍ以上かつ４００ｎｍ以下であり、粗さ曲線の平均長さＲｓｍが５００ｎｍ以上かつ２０００ｎｍ以下である凹凸を形成する、
   ことを特徴とするペン入力装置用ガラス基板の製造方法。
8. 前記ペン入力装置用ガラス基板のヘイズが、可視光の波長域において１０％未満である、
   ことを特徴とする請求項７に記載のペン入力装置用ガラス基板の製造方法。
   
   

Images