JP2022173925A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. 第１接続端子を備えた第１配線基板と、
   前記第１接続端子に対向する第２接続端子を備えた第２配線基板と、
   前記第１接続端子と前記第２接続端子とを接合する接合材と、
   を有し、
   平面視で、前記第１接続端子の第１輪郭は前記第２接続端子の第２輪郭の内側にあり、
   前記接合材は、
   前記第１接続端子及び前記第２接続端子の両方に接触し、Ｃｕ及びＳｎの金属間化合物からなる第１部分と、
   平面視で、前記第１輪郭と前記第２輪郭との間の部分を含み、Ｂｉ及びＳｎの合金からなる第２部分と、
   を有し、
   前記第２部分は、ＢｉをＢｉＳｎ合金の共晶組成よりも高濃度で含有し、
   前記第２部分は、前記第２接続端子から離間していることを特徴とする複合配線基板。
2. 前記第１配線基板はビルドアップ基板であり、
   前記第２配線基板はインターポーザであることを特徴とする請求項１に記載の複合配線基板。
3. 前記第２接続端子の前記第１接続端子に対向する面の全体が、前記第１部分により覆われていることを特徴とする請求項１又は２に記載の複合配線基板。
4. 前記第２部分におけるＢｉの割合は、３０質量％以上７５質量％以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の複合配線基板。
5. 前記第１接続端子と前記第２接続端子との間の距離は６μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の複合配線基板。
6. 前記第１接続端子と前記第２接続端子との間の距離は３μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の複合配線基板。
7. 前記接合材の平面視で前記第１輪郭の内側にある部分の体積は、
   前記接合材の平面視で前記第１輪郭の外側にある部分の体積の５０％以下であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の複合配線基板。
8. 前記第２部分は、前記第１接続端子の周囲に環状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の複合配線基板。
9. 前記第２配線基板は、前記第２接続端子の側面を覆う絶縁層を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の複合配線基板。
10. 前記第２部分の融点は、２４０℃以下であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の複合配線基板。
11. 前記接合材の平面視で前記第１輪郭の内側にある部分では、Ｂｉの割合が５質量％以下であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の複合配線基板。
12. 請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の複合配線基板と、
    前記第２配線基板の上に実装された半導体チップと、
    を有することを特徴とする半導体装置。
13. Ｃｕを含有する第１接続端子を備えた第１配線基板を準備する工程と、
    Ｃｕを含有する第２接続端子を備えた第２配線基板を準備する工程と、
    前記第２接続端子の上に、Ｂｉ及びＳｎを含有する第１接合材を設ける工程と、
    前記第２接続端子を前記第１接続端子に対向させ、前記第１接合材が前記第１接続端子に接触するように、前記第１配線基板及び前記第２配線基板を配置し、前記第１接合材を前記第１接合材の融点未満の温度に加熱しながら前記第１配線基板と前記第２配線基板との間に圧力を印加し、前記第１接合材を圧縮変形させる工程と、
    前記第１接合材を前記第１接合材の融点よりも高い温度に加熱しながら前記第１配線基板と前記第２配線基板との間に前記第１接合材を圧縮変形させる工程よりも弱い圧力を印加することにより、前記第１接合材と前記第１接続端子及び前記第２接続端子とを反応させ、前記第１接続端子と前記第２接続端子とを接合する接合材を形成する工程と、
    を有し、
    平面視で、前記第１接続端子の第１輪郭は前記第２接続端子の第２輪郭の内側にあり、
    前記接合材は、
    前記第１接続端子及び前記第２接続端子の両方に接触し、Ｃｕ及びＳｎの金属間化合物からなる第１部分と、
    平面視で、前記第１輪郭と前記第２輪郭との間の部分を含み、Ｂｉ及びＳｎの合金からなる第２部分と、
    を有し、
    前記第２部分は、ＢｉをＢｉＳｎ合金の共晶組成よりも高濃度で含有し、
    前記第２部分は、前記第２接続端子から離間していることを特徴とする複合配線基板の製造方法。