JP2022161980A - 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、電子機器 - Google Patents
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Abstract
Description
1.第1の実施の形態
2.第2の実施の形態
3.変形例
4.応用例
まず、図1乃至図12を参照して、本技術の第1の実施の形態について説明する。
図1は、本技術が適用される撮像素子としてのCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)イメージセンサの構成例を示すブロック図である。
次に、図1の画素アレイ部11に行列状に配置されている単位画素50の具体的な構造について説明する。
次に、図3乃至図6を参照して、CMOSイメージセンサ10の遮光構造の第1の実施の形態について説明する。なお、以下、図3乃至図6に示される遮光構造を有するCMOSイメージセンサ10をCMOSイメージセンサ10aと称する。
次に、図7乃至図16を参照して、CMOSイメージセンサ10aの製造方法について説明する。
次に、図17を参照して、本技術の第2の実施の形態について説明する。
以下、上述した本開示に係る技術の実施の形態の変形例について説明する。
本開示に係る技術は、様々な製品へ応用することができる。
例えば、本開示に係る技術は、図18に示されるように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに適用することができる。
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供され装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
図19は、本技術の撮像素子を適用した電子機器の一例である撮像装置300の構成例を示すブロック図である。撮像装置300は、レンズ群301等を含む光学系、固体撮像素子302、カメラ信号処理部であって、固体撮像素子302からの信号を処理するDSP回路303、フレームメモリ304、表示装置305、記録装置306、操作系307、及び、電源系308等を有している。
また、例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
また、例えば、本開示に係る技術は、以下のような構成も取ることができる。
光電変換部と、
前記光電変換部により生成された電荷を保持する電荷保持部と、
前記光電変換部及び前記電荷保持部が形成されている半導体基板と、
配線層と、
絶縁膜層と、
第1の遮光膜と、
第2の遮光膜と
を備え、
前記半導体基板の光が入射する側の第1の面と反対の第2の面に、前記第2の面に近い方から前記絶縁膜層、前記第1の遮光膜、及び、前記配線層が積層され、
前記第2の遮光膜は、
前記光電変換部と前記電荷保持部との間に配置され、前記半導体基板の前記第1の面から前記半導体基板内の途中まで延びている第1の遮光部と、
前記光電変換部と前記電荷保持部との間に配置され、前記半導体基板を貫通している第2の遮光部と、
前記半導体基板の前記第1の面の一部を覆う第3の遮光部と
を備える撮像素子。
(2)
前記第1の遮光部と前記第2の遮光部とが、前記第1の面に平行な方向において繋がっている
前記(1)に記載の撮像素子。
(3)
前記光電変換部の側面が、前記第1の遮光部と前記第2の遮光部により囲まれている
前記(2)に記載の撮像素子。
(4)
前記第1の遮光部は、前記光電変換部と、前記光電変換部から前記電荷保持部に電荷を転送するための転送ゲート部との間に少なくとも配置され、
前記第2の遮光部は、互いに異なる画素に配置されている前記光電変換部と前記電荷保持部との間に少なくとも配置されている
前記(3)に記載の撮像素子。
(5)
前記絶縁膜層は、組成が異なる第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の2層を含み、
前記第1の絶縁膜は、前記半導体基板の前記第2の面と前記第2の絶縁膜の間に配置されている
前記(1)乃至(4)のいずれかに記載の撮像素子。
(6)
前記第1の絶縁膜は、酸化膜であり、
前記第2の絶縁膜は、窒化膜又は酸窒化膜である
前記(5)に記載の撮像素子。
(7)
前記絶縁膜層は、前記第2の絶縁膜と前記第1の遮光膜との間に配置され、酸化膜からなる第3の絶縁膜をさらに含む
前記(6)に記載の撮像素子。
(8)
前記第1の絶縁膜の厚さは、10nm以上であり、
前記第2の絶縁膜の厚さは、50nm以上であり、
前記第3の絶縁膜の厚さは、25nm以上である
前記(7)に記載の撮像素子。
(9)
前記第1の絶縁膜の厚さは、10nmから20nmの範囲内であり、
前記第2の絶縁膜の厚さは、50nmから100nmの範囲内であり、
前記第3の絶縁膜の厚さは、30nmから100nmの範囲内である
前記(8)に記載の撮像素子。
(10)
前記第2の遮光部は、前記第1の絶縁膜を貫通し、前記第2の絶縁膜まで延びている
前記(5)乃至(9)のいずれかに記載の撮像素子。
(11)
前記第2の遮光部は、前記絶縁膜層を貫通し、前記第1の遮光膜と接続されている
前記(1)乃至(9)のいずれかに記載の撮像素子。
(12)
前記第3の遮光部は、前記半導体基板の第1の面のうち、前記光電変換部への光が入射する領域を除く領域を覆っている
前記(1)乃至(11)のいずれかに記載の撮像素子。
(13)
前記第1の遮光膜は、前記光電変換部の受光面と反対側の面を全て覆っている
前記(1)乃至(12)のいずれかに記載の撮像素子。
(14)
前記第2の遮光部に正又は負のバイアスが印加される
前記(1)乃至(13)のいずれかに記載の撮像素子。
(15)
前記第2の遮光部の方が前記第1の遮光部より前記第1の面に平行な方向の幅が広い
前記(1)乃至(14)のいずれかに記載の撮像素子。
(16)
光電変換部及び前記光電変換部により生成された電荷を保持する電荷保持部が形成されている半導体基板の光が入射する側の第1の面を覆う第1のパターンの前記光電変換部と前記電荷保持部との間の所定の位置に、第1の溝及び第2の溝をそれぞれ形成する第1の工程と、
前記第1の溝を第2のパターンで塞ぐ第2の工程と、
前記第2の溝を前記半導体基板の途中まで掘り下げる第3の工程と、
前記第2のパターンを除去した後、前記第1の溝及び前記第2の溝を掘り下げ、前記第2の溝を、前記半導体基板を貫通させ、前記半導体基板の前記第1の面と反対の第2の面に形成されている絶縁膜層に到達させる第4の工程と、
前記半導体基板の第1の面、前記第1の溝の内壁及び底、並びに、前記第2の溝の内壁及び底を覆うように、固定電荷膜、反射防止膜、及び、絶縁膜を含む多層膜を形成する第5の工程と、
前記第1の溝を第3のパターンで塞ぐ第6の工程と、
前記第3のパターンの除去と並行して、前記第2の溝を、前記多層膜及び前記絶縁膜層を貫通させ、前記絶縁膜層に積層されている第1の遮光膜まで掘り下げる第7の工程と、 前記第1の溝内及び前記第2の溝内に第2の遮光膜を形成する第8の工程と
を含む撮像素子の製造方法。
(17)
前記絶縁膜層は、組成が異なる第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の2層を含む
前記(16)に記載の撮像素子の製造方法。
(18)
前記第4の工程において、前記第2の溝を、前記半導体基板及び前記第1の絶縁膜を貫通させ、前記第2の絶縁膜まで到達させる
前記(17)に記載の撮像素子の製造方法。
(19)
前記絶縁膜層は、前記第2の絶縁膜と前記第1の遮光膜との間に配置されている第3の絶縁膜を含み、
前記第1の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜は、酸化膜からなり、
前記第2の絶縁膜は、窒化膜又は酸窒化膜からなる
前記(17)に記載の撮像素子の製造方法。
(20)
前記第1の工程より前において、
前記第1の絶縁膜の前記半導体基板の前記第2の面側と反対側の面に前記第2の絶縁膜を形成する第9の工程と、
前記第2の絶縁膜の前記第2の溝を形成する位置に、前記第1の絶縁膜まで貫通する第3の溝を形成する第10の工程と、
前記第2の絶縁膜の表面に前記第3の絶縁膜を成膜するとともに、前記第3の絶縁膜により前記第3の溝を埋める第11の工程と
をさらに含み、
前記第7の工程において、前記第3の溝内の前記第3の絶縁膜を除去し、前記第2の溝を前記第1の遮光膜まで掘り下げる
前記(19)に記載の撮像素子の製造方法。
(21)
光電変換部及び前記光電変換部により生成された電荷を保持する電荷保持部が形成されている半導体基板の光が入射する側の第1の面を覆う第1のパターンの前記光電変換部と前記電荷保持部との間の所定の位置に、第1の溝及び第2の溝をそれぞれ形成する第1の工程と、
前記第1の溝を第2のパターンで塞ぐ第2の工程と、
前記第2の溝を前記半導体基板の途中まで掘り下げる第3の工程と、
前記第2のパターンを除去した後、前記第1の溝及び前記第2の溝を掘り下げ、前記第2の溝を、前記半導体基板を貫通させ、前記半導体基板の前記第1の面と反対の第2の面に形成されている絶縁膜層に到達させる第4の工程と、
前記第1の溝内及び前記第2の溝内に遮光膜を形成する第5の工程と
を含む撮像素子の製造方法。
(22)
撮像素子と、
前記撮像素子から出力される信号を処理する信号処理部と
を備え、
前記撮像素子は、
光電変換部と、
前記光電変換部により生成された電荷を保持する電荷保持部と、
前記光電変換部及び前記電荷保持部が形成されている半導体基板と、
配線層と、
絶縁膜層と、
第1の遮光膜と、
第2の遮光膜と
を備え、
前記半導体基板の光が入射する側の第1の面と反対の第2の面に、前記第2の面に近い方から前記絶縁膜層、前記第1の遮光膜、及び、前記配線層が積層され、
前記第2の遮光膜は、
前記光電変換部と前記電荷保持部との間に配置され、前記半導体基板の前記第1の面から前記半導体基板内の途中まで延びている第1の遮光部と、
前記光電変換部と前記電荷保持部との間に配置され、前記半導体基板を貫通している第2の遮光部と、
前記半導体基板の前記第1の面の一部を覆う第3の遮光部と
を備える電子機器。
Claims (22)
- 光電変換部と、
前記光電変換部により生成された電荷を保持する電荷保持部と、
前記光電変換部及び前記電荷保持部が形成されている半導体基板と、
配線層と、
絶縁膜層と、
第1の遮光膜と、
第2の遮光膜と
を備え、
前記半導体基板の光が入射する側の第1の面と反対の第2の面に、前記第2の面に近い方から前記絶縁膜層、前記第1の遮光膜、及び、前記配線層が積層され、
前記第2の遮光膜は、
前記光電変換部と前記電荷保持部との間に配置され、前記半導体基板の前記第1の面から前記半導体基板内の途中まで延びている第1の遮光部と、
前記光電変換部と前記電荷保持部との間に配置され、前記半導体基板を貫通している第2の遮光部と、
前記半導体基板の前記第1の面の一部を覆う第3の遮光部と
を備える撮像素子。 - 前記第1の遮光部と前記第2の遮光部とが、前記第1の面に平行な方向において繋がっている
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記光電変換部の側面が、前記第1の遮光部と前記第2の遮光部により囲まれている
請求項2に記載の撮像素子。 - 前記第1の遮光部は、前記光電変換部と、前記光電変換部から前記電荷保持部に電荷を転送するための転送ゲート部との間に少なくとも配置され、
前記第2の遮光部は、互いに異なる画素に配置されている前記光電変換部と前記電荷保持部との間に少なくとも配置されている
請求項3に記載の撮像素子。 - 前記絶縁膜層は、組成が異なる第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の2層を含み、
前記第1の絶縁膜は、前記半導体基板の前記第2の面と前記第2の絶縁膜の間に配置されている
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1の絶縁膜は、酸化膜であり、
前記第2の絶縁膜は、窒化膜又は酸窒化膜である
請求項5に記載の撮像素子。 - 前記絶縁膜層は、前記第2の絶縁膜と前記第1の遮光膜との間に配置され、酸化膜からなる第3の絶縁膜をさらに含む
請求項6に記載の撮像素子。 - 前記第1の絶縁膜の厚さは、10nm以上であり、
前記第2の絶縁膜の厚さは、50nm以上であり、
前記第3の絶縁膜の厚さは、25nm以上である
請求項7に記載の撮像素子。 - 前記第1の絶縁膜の厚さは、10nmから20nmの範囲内であり、
前記第2の絶縁膜の厚さは、50nmから100nmの範囲内であり、
前記第3の絶縁膜の厚さは、30nmから100nmの範囲内である
請求項8に記載の撮像素子。 - 前記第2の遮光部は、前記第1の絶縁膜を貫通し、前記第2の絶縁膜まで延びている
請求項5に記載の撮像素子。 - 前記第2の遮光部は、前記絶縁膜層を貫通し、前記第1の遮光膜と接続されている
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第3の遮光部は、前記半導体基板の第1の面のうち、前記光電変換部への光が入射する領域を除く領域を覆っている
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第1の遮光膜は、前記光電変換部の受光面と反対側の面を全て覆っている
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第2の遮光部に正又は負のバイアスが印加される
請求項1に記載の撮像素子。 - 前記第2の遮光部の方が前記第1の遮光部より前記第1の面に平行な方向の幅が広い
請求項1に記載の撮像素子。 - 光電変換部及び前記光電変換部により生成された電荷を保持する電荷保持部が形成されている半導体基板の光が入射する側の第1の面を覆う第1のパターンの前記光電変換部と前記電荷保持部との間の所定の位置に、第1の溝及び第2の溝をそれぞれ形成する第1の工程と、
前記第1の溝を第2のパターンで塞ぐ第2の工程と、
前記第2の溝を前記半導体基板の途中まで掘り下げる第3の工程と、
前記第2のパターンを除去した後、前記第1の溝及び前記第2の溝を掘り下げ、前記第2の溝を、前記半導体基板を貫通させ、前記半導体基板の前記第1の面と反対の第2の面に形成されている絶縁膜層に到達させる第4の工程と、
前記半導体基板の第1の面、前記第1の溝の内壁及び底、並びに、前記第2の溝の内壁及び底を覆うように、固定電荷膜、反射防止膜、及び、絶縁膜を含む多層膜を形成する第5の工程と、
前記第1の溝を第3のパターンで塞ぐ第6の工程と、
前記第3のパターンの除去と並行して、前記第2の溝を、前記多層膜及び前記絶縁膜層を貫通させ、前記絶縁膜層に積層されている第1の遮光膜まで掘り下げる第7の工程と、 前記第1の溝内及び前記第2の溝内に第2の遮光膜を形成する第8の工程と
を含む撮像素子の製造方法。 - 前記絶縁膜層は、組成が異なる第1の絶縁膜及び第2の絶縁膜の2層を含む
請求項16に記載の撮像素子の製造方法。 - 前記第4の工程において、前記第2の溝を、前記半導体基板及び前記第1の絶縁膜を貫通させ、前記第2の絶縁膜まで到達させる
請求項17に記載の撮像素子の製造方法。 - 前記絶縁膜層は、前記第2の絶縁膜と前記第1の遮光膜との間に配置されている第3の絶縁膜を含み、
前記第1の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜は、酸化膜からなり、
前記第2の絶縁膜は、窒化膜又は酸窒化膜からなる
請求項17に記載の撮像素子の製造方法。 - 前記第1の工程より前において、
前記第1の絶縁膜の前記半導体基板の前記第2の面側と反対側の面に前記第2の絶縁膜を形成する第9の工程と、
前記第2の絶縁膜の前記第2の溝を形成する位置に、前記第1の絶縁膜まで貫通する第3の溝を形成する第10の工程と、
前記第2の絶縁膜の表面に前記第3の絶縁膜を成膜するとともに、前記第3の絶縁膜により前記第3の溝を埋める第11の工程と
をさらに含み、
前記第7の工程において、前記第3の溝内の前記第3の絶縁膜を除去し、前記第2の溝を前記第1の遮光膜まで掘り下げる
請求項19に記載の撮像素子の製造方法。 - 光電変換部及び前記光電変換部により生成された電荷を保持する電荷保持部が形成されている半導体基板の光が入射する側の第1の面を覆う第1のパターンの前記光電変換部と前記電荷保持部との間の所定の位置に、第1の溝及び第2の溝をそれぞれ形成する第1の工程と、
前記第1の溝を第2のパターンで塞ぐ第2の工程と、
前記第2の溝を前記半導体基板の途中まで掘り下げる第3の工程と、
前記第2のパターンを除去した後、前記第1の溝及び前記第2の溝を掘り下げ、前記第2の溝を、前記半導体基板を貫通させ、前記半導体基板の前記第1の面と反対の第2の面に形成されている絶縁膜層に到達させる第4の工程と、
前記第1の溝内及び前記第2の溝内に遮光膜を形成する第5の工程と
を含む撮像素子の製造方法。 - 撮像素子と、
前記撮像素子から出力される信号を処理する信号処理部と
を備え、
前記撮像素子は、
光電変換部と、
前記光電変換部により生成された電荷を保持する電荷保持部と、
前記光電変換部及び前記電荷保持部が形成されている半導体基板と、
配線層と、
絶縁膜層と、
第1の遮光膜と、
第2の遮光膜と
を備え、
前記半導体基板の光が入射する側の第1の面と反対の第2の面に、前記第2の面に近い方から前記絶縁膜層、前記第1の遮光膜、及び、前記配線層が積層され、
前記第2の遮光膜は、
前記光電変換部と前記電荷保持部との間に配置され、前記半導体基板の前記第1の面から前記半導体基板内の途中まで延びている第1の遮光部と、
前記光電変換部と前記電荷保持部との間に配置され、前記半導体基板を貫通している第2の遮光部と、
前記半導体基板の前記第1の面の一部を覆う第3の遮光部と
を備える電子機器。
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WO2021153030A1 (ja) * | 2020-01-29 | 2021-08-05 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
KR20220148273A (ko) | 2020-03-02 | 2022-11-04 | 퀀텀-에스아이 인코포레이티드 | 다차원 신호 분석을 위한 통합 센서 |
JP7465120B2 (ja) | 2020-03-10 | 2024-04-10 | キヤノン株式会社 | 半導体装置、その製造方法及び機器 |
CN115769377A (zh) | 2020-04-08 | 2023-03-07 | 宽腾矽公司 | 偏斜减小的集成传感器 |
US11902685B1 (en) | 2020-04-28 | 2024-02-13 | Meta Platforms Technologies, Llc | Pixel sensor having hierarchical memory |
US11910114B2 (en) | 2020-07-17 | 2024-02-20 | Meta Platforms Technologies, Llc | Multi-mode image sensor |
US11956560B2 (en) | 2020-10-09 | 2024-04-09 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital pixel sensor having reduced quantization operation |
EP4270932A4 (en) * | 2020-12-25 | 2024-04-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | IMAGE CAPTURE ELEMENT AND IMAGE CAPTURE DEVICE |
US12022218B2 (en) | 2020-12-29 | 2024-06-25 | Meta Platforms Technologies, Llc | Digital image sensor using a single-input comparator based quantizer |
CN112768482B (zh) * | 2021-01-20 | 2023-03-24 | 联合微电子中心有限责任公司 | 一种背照式全局快门像素结构及其制造方法 |
WO2023119840A1 (ja) * | 2021-12-20 | 2023-06-29 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、撮像素子の製造方法、電子機器 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10199968A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Sony Corp | 半導体装置及び半導体装置の素子間分離溝の形成方法 |
JPH1145874A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004228407A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Sony Corp | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 |
JP2009188200A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
WO2012117931A1 (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
US20130070131A1 (en) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Sony Corporation | Solid-state image sensor, method for producing solid-state image sensor, and electronic apparatus |
US20150028405A1 (en) * | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
JP2015023259A (ja) * | 2013-07-23 | 2015-02-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2015029054A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10189936A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-07-21 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
KR100290852B1 (ko) | 1999-04-29 | 2001-05-15 | 구자홍 | 에칭 방법 |
JP4765285B2 (ja) | 2004-09-13 | 2011-09-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
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JP5839807B2 (ja) * | 2011-02-09 | 2016-01-06 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
JP5810551B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2015-11-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器 |
CN104067393B (zh) * | 2012-01-23 | 2018-06-12 | 索尼公司 | 固态图像拾取装置及其制造方法、以及电子设备 |
JP2014096490A (ja) | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Sony Corp | 撮像素子、製造方法 |
KR102011102B1 (ko) | 2013-03-13 | 2019-08-14 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 |
US9543346B2 (en) * | 2013-03-29 | 2017-01-10 | Sony Corporation | Imaging element and imaging device |
KR20140130969A (ko) | 2013-05-02 | 2014-11-12 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 제조하는 방법 |
JP2015032640A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
JP6138661B2 (ja) * | 2013-10-23 | 2017-05-31 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2015106621A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
KR102290502B1 (ko) * | 2014-07-31 | 2021-08-19 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
JP2016066766A (ja) | 2014-09-26 | 2016-04-28 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、および電子装置 |
JP7125345B2 (ja) | 2016-07-06 | 2022-08-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像素子、撮像素子の製造方法、及び、電子機器 |
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2022
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Patent Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10199968A (ja) * | 1997-01-10 | 1998-07-31 | Sony Corp | 半導体装置及び半導体装置の素子間分離溝の形成方法 |
JPH1145874A (ja) * | 1997-07-25 | 1999-02-16 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2004228407A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Sony Corp | 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法 |
JP2009188200A (ja) * | 2008-02-06 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JP2013175494A (ja) * | 2011-03-02 | 2013-09-05 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
WO2012117931A1 (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-07 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器 |
US20140054662A1 (en) * | 2011-03-02 | 2014-02-27 | Sony Corporation | Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device |
JP2013065688A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Sony Corp | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
US20130070131A1 (en) * | 2011-09-16 | 2013-03-21 | Sony Corporation | Solid-state image sensor, method for producing solid-state image sensor, and electronic apparatus |
JP2015029054A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
JP2015023259A (ja) * | 2013-07-23 | 2015-02-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
US20150028405A1 (en) * | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
JP2015026708A (ja) * | 2013-07-26 | 2015-02-05 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法 |
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