JP2022150086A - 樹脂フィルム、その製造方法、金属張積層板及び回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】透明性を有し、高周波伝送においても伝送損失の低減が可能で、かつ、寸法安定性に優れた樹脂フィルムを提供する。【解決手段】 ポリイミド絶縁層Ｐと、ポリイミド絶縁層Ｐの片面又は両面に積層されているフッ素系樹脂層Ｆ１，Ｆ２と、を備え、条件i)樹脂フィルムＡ全体の全光線透過率が８０％以上であること、条件ii)樹脂フィルムＡ全体の熱膨張係数が３０ｐｐｍ／Ｋ以下であること、を満たす。樹脂フィルムＡは、スプリットポスト誘電体共振器（ＳＰＤＲ共振器）によって測定される樹脂フィルムＡ全体の周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００８以下であることが好ましい。【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品材料として有用な樹脂フィルム、その製造方法、金属張積層板及び回路基板に関する。

近年、電子機器の小型化、軽量化、省スペース化の進展に伴い、薄く軽量で、可撓性を有し、屈曲を繰り返しても優れた耐久性を持つフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ；Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）の需要が増大している。ＦＰＣは、限られたスペースでも立体的かつ高密度の実装が可能であるため、例えば、ＨＤＤ、ＤＶＤ、携帯情報端末、スマートフォン等の電子機器の可動部分の配線や、ケーブル、コネクター等の部品にその用途が拡大しつつある。

ＦＰＣに代表される回路基板を構成する絶縁樹脂層の材料として、耐熱性、耐薬品性、柔軟性、機械的特性及び電気的特性に優れたポリイミドが汎用されている。ポリイミドは、一般に黄褐色を呈するため、透明性が要求される用途に適用するために、フッ素原子を含有する原料モノマーを使用して透明性を高めることが提案されている（例えば、特許文献１、２）。

ところで、近年では機器の高性能化が進んだことから、伝送信号の高周波化への対応も必要とされている。高周波信号を伝送する際に、伝送経路における伝送損失が大きい場合、電気信号のロスや信号の遅延時間が長くなるなどの不都合が生じる。そのため、今後はＦＰＣにおいても、伝送損失の低減が重要となる。

高周波伝送特性を改善するために、ポリイミド層にフッ素系樹脂層を積層した積層体を回路基板の絶縁樹脂層として用いることが提案されている（例えば、特許文献３、４）。特許文献３、４の絶縁樹脂層は、フッ素系樹脂を使用しているため、誘電特性の点では優れているが、寸法安定性に課題があり、特に、ＦＰＣに適用した場合、エッチングによる回路加工の前後の寸法変化と、加熱処理の前後の寸法変化が大きくなることが懸念される。

特開２０１０－１５５３６０号公報 国際公開ＷＯ２０２０／２６２４５０号 特開２０１９－１６６８４４号公報 国際公開ＷＯ２０２０／２１３５１５号

ポリイミド層単体の誘電正接を下げるためには、秩序構造を形成させることが効果的であるが、ポリイミドの全光線透過率を上げるには、ＣＴ相互作用が起こりにくく、秩序構造を取りにくくする必要がある。つまり、ポリイミド層において、全光線透過率の向上と低誘電正接化とはトレードオフに関係にあると考えられる。

本発明の目的は、高い透明性を有し、高周波伝送においても伝送損失の低減が可能で、かつ、寸法安定性に優れた樹脂フィルムを提供することである。

本発明者らは、鋭意研究の結果、ポリイミド絶縁層にフッ素系樹脂層を積層することによって、透明性の向上、伝送損失の低減及び寸法精度の維持が可能になることを見出した。
すなわち、本発明の樹脂フィルムは、複数層からなる積層構造を有する樹脂フィルムであって、ポリイミド絶縁層と、前記ポリイミド絶縁層の片面又は両面に積層されているフッ素系樹脂層と、を備えている。本発明の樹脂フィルムは、下記の条件i)及び条件ii)；
i) 前記樹脂フィルム全体の全光線透過率が８０％以上であること、
ii) 前記樹脂フィルム全体の熱膨張係数が３０ｐｐｍ／Ｋ以下であること、
を満たすことを特徴とする。

本発明の樹脂フィルムは、スプリットポスト誘電体共振器（ＳＰＤＲ共振器）によって測定される樹脂フィルム全体の周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００８以下であってもよい。

本発明の樹脂フィルムは、樹脂フィルム全体の厚みが１０～１５０μｍの範囲内であってもよく、樹脂フィルム全体の厚みに対する前記ポリイミド絶縁層の厚みの比率が０．５～０．９の範囲内であってもよい。

本発明の樹脂フィルムは、前記ポリイミド絶縁層が単層又は複数のポリイミド層からなるものであってよい。この場合、ポリイミド絶縁層全体の厚みに対して５０％以上の厚みを有するポリイミド層（ｉ）を構成するポリイミドが、フッ素原子を含む芳香族ジアミン化合物から誘導されるジアミン残基及び／又はフッ素原子を含む芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導される酸二無水物残基を含むものであってもよい。
また、前記ポリイミド層（ｉ）に含まれるフッ素原子の割合が、ポリイミド全体に対して１０～４０重量％の範囲内であってもよい。

本発明の金属張積層板は、上記いずれかの樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムにおけるフッ素系樹脂層の面に積層された金属層と、を備えている。

本発明の別の観点の金属張積層板は、
第１の金属層と、
前記第１の金属層の片側に隣接して設けられているフッ素系樹脂隣接層と、
第２の金属層と、
前記第２の金属層の片側に隣接して設けられているフッ素系樹脂隣接層と、
２つの前記フッ素系樹脂隣接層の間に介在する複数の樹脂層と、
を備えている。この場合、２つの前記フッ素系樹脂隣接層と前記複数の樹脂層とによって樹脂積層体が形成されており、前記樹脂積層体は、
少なくとも２層以上のポリイミド層と、
前記ポリイミド層の間に積層されているフッ素系樹脂中間層と、
を有している。

本発明の回路基板は、上記いずれかの金属張積層板の前記金属層を配線加工してなるものである。

本発明の樹脂フィルムの製造方法は、上記いずれかの樹脂フィルムを製造する方法であって、
基材上に、フッ素系樹脂粒子を含有する溶液を塗布して熱処理することによって前記フッ素系樹脂粒子を融解させて前記フッ素系樹脂層を形成する工程；
前記フッ素系樹脂層の上に、ポリイミドの前駆体溶液を塗布し、熱処理することによってイミド化し、前記ポリイミド層を形成する工程；
を含むものである。

本発明の樹脂フィルムの製造方法は、さらに、
前記ポリイミド層の上に、さらに、フッ素系樹脂粒子を含有する溶液を塗布して熱処理することによって前記フッ素系樹脂粒子を融解させて２層目の前記フッ素系樹脂層を形成する工程、
を含んでいてもよい。

本発明の樹脂フィルムは、ポリイミド絶縁層にフッ素系樹脂層を積層することによって、高い透明性と寸法安定性を実現することを可能とし、さらに透明性と低誘電正接化の両立も図られている。したがって、本発明の樹脂フィルムを絶縁樹脂層に適用した回路基板は、絶縁樹脂層の透明性と寸法安定性を確保しながら、高周波信号伝送における伝送損失を効果的に抑えることができる。従って、本発明の樹脂フィルム及び金属張積層板は、例えば周波数が１０ＧＨｚ以上の高周波信号を伝送する回路基板等へ適用した場合に、伝送損失を効果的に低減することが可能となる。

本発明の一実施の形態の樹脂フィルムの構成を示す模式図である。 樹脂フィルムの製造工程を示す説明図である。 本発明の一実施の形態の金属張積層板の構成を示す模式図である。 本発明の別の実施の形態の金属張積層板の構成を示す模式的断面図である。 本発明のさらに別の実施の形態の金属張積層板の構成を示す模式的断面図である。

本発明の実施の形態について、適宜図面を参照して説明する。

［樹脂フィルム］
本発明の一実施の形態の樹脂フィルムは、複数層からなる積層構造を有する樹脂フィルムである。本実施の形態の樹脂フィルムは、ポリイミド絶縁層と、このポリイミド絶縁層の片面又は両面に積層されているフッ素系樹脂層と、を備えている。

図１は、本発明の一実施の形態にかかる樹脂フィルムの構成例を示す模式図である。樹脂フィルムＡは、ポリイミド絶縁層Ｐと、ポリイミド絶縁層Ｐの片側の面に積層された第１のフッ素系樹脂層Ｆ１と、ポリイミド絶縁層Ｐの第１のフッ素系樹脂層Ｆ１とは反対側の面に積層された第２のフッ素系樹脂層Ｆ２と、を備えている。樹脂フィルムＡは、ポリイミド絶縁層Ｐを第１のフッ素系樹脂層Ｆ１及び第２のフッ素系樹脂層Ｆ２で挟み込んだサンドイッチ構造を有している。なお、樹脂フィルムＡは、第１のフッ素系樹脂層Ｆ１又は第２のフッ素系樹脂層Ｆ２のいずれか片方のみを有するものでもよい。また、第１のフッ素系樹脂層Ｆ１と第２のフッ素系樹脂層Ｆ２は、同一の構成でもよいし、異なる構成でもよい。

［ポリイミド絶縁層］
ポリイミド絶縁層Ｐは、単層又は複数のポリイミド層からなる。ポリイミド絶縁層Ｐは、ポリイミド絶縁層Ｐ全体の厚みに対して５０％以上の厚みを有する主たるポリイミド層（ｉ）を有していることが好ましい。ここで、「主たる」とは、ポリイミド絶縁層Ｐを構成する複数のポリイミド層において最も大きな厚みを有することを意味し、好ましくは、ポリイミド絶縁層Ｐの全厚みに対して５０％以上、より好ましくは６０％以上の厚みを有することをいう。ポリイミド絶縁層Ｐは、主たるポリイミド層（ｉ）のみによって構成されていてもよい。

ポリイミド絶縁層Ｐが複数のポリイミド層からなる場合、図示は省略するが、ポリイミド絶縁層Ｐは、主たるポリイミド層（ｉ）の両側に樹脂成分として熱可塑性ポリイミドを含む熱可塑性ポリイミド層が積層された構造であることが好ましい。なお、「熱可塑性ポリイミド」とは、一般にガラス転移温度（Ｔｇ）が明確に確認できるポリイミドのことであるが、本発明では、ＤＭＡを用いて測定した、３０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０^９Ｐａ以上であり、３５０℃における貯蔵弾性率が１．０×１０^８Ｐａ未満であるポリイミドをいう。

主たるポリイミド層（ｉ）を構成するポリイミドは、テトラカルボン酸二無水物成分から誘導される酸二無水物残基及びジアミン成分から誘導されるジアミン残基を含有する。ここで、「テトラカルボン酸残基」とは、テトラカルボン酸二無水物から誘導された４価の基のことを表し、「ジアミン残基」とは、ジアミン化合物から誘導された２価の基のことを表す。原料であるテトラカルボン酸二無水物及びジアミン化合物をほぼ等モルで反応させた場合には、原料の種類とモル比に対して、ポリイミド中に含まれるテトラカルボン酸残基及びジアミン残基の種類とモル比をほぼ対応させることができる。
なお、本発明で「ポリイミド」という場合、ポリイミドの他、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエステルイミド、ポリシロキサンイミド、ポリベンズイミダゾールイミドなど、分子構造中にイミド基を有するポリマーからなる樹脂を意味する。

主たるポリイミド層（ｉ）を構成するポリイミドは、樹脂フィルムＡの全光線透過率を８０％以上とするために、フッ素原子を含む芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導される酸二無水物残基及び／又はフッ素原子を含む芳香族ジアミン化合物から誘導されるジアミン残基を含んでいることが好ましい。主たるポリイミド層（ｉ）を構成するポリイミドに含まれるフッ素原子の割合は、ポリイミド全体に対して１０～４０重量％の範囲内であることが好ましく、１５～３５重量％の範囲内であることがより好ましい。主たるポリイミド層（ｉ）のフッ素濃度が４０重量％を超えて高いと、樹脂フィルムＡ全体の全光線透過率は高くなるが、秩序構造が形成されにくくなり、誘電正接が悪化するとともに、第１のフッ素系樹脂層Ｆ１及び第２のフッ素系樹脂層Ｆ２との接着性（相溶性）も悪くなる。一方、主たるポリイミド層（ｉ）のフッ素濃度が１０重量％未満であると、樹脂フィルムＡ全体の全光線透過率が低くなる。

主たるポリイミド層（ｉ）を構成している主ポリイミドは、フッ素含有酸二無水物残基を含有することが好ましい。フッ素含有酸二無水物残基は、嵩高いフッ素原子を含有する基を有するため、高分子鎖間のπ-πスタッキング等の相互作用を減少させる。その結果、芳香族テトラカルボン酸残基と芳香族ジアミン残基との間の電荷移動（ＣＴ）を起こりにくくするため、ポリイミドを透明に近づけることができると考えられる。

フッ素含有酸二無水物残基としては、例えば２,２'－ビス（３,４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、（トリフルオロメチル）ピロメリット酸二無水物、ジ（トリフルオロメチル）ピロメリット酸二無水物、ジ（ヘプタフルオロプロピル）ピロメリット酸二無水物、ペンタフルオロエチルピロメリット酸二無水物、ビス｛３,５－ジ（トリフルオロメチル）フェノキシ｝ピロメリット酸二無水物、２,２－ビス（３,４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、５,５’－ビス（トリフルオロメチル）－３,３’,４,４’－テトラカルボキシビフェニル二無水物、２,２’,５,５’－テトラキス（トリフルオロメチル）－３,３’,４,４’－テトラカルボキシビフェニル二無水物、５,５’－ビス（トリフルオロメチル）－３,３’,４,４’－テトラカルボキシジフェニルエーテル二無水物、５,５’－ビス（トリフルオロメチル）－３,３’,４,４’－テトラカルボキシベンゾフェノン二無水物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ベンゼン二無水物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝、トリフルオロメチルベンゼン二無水物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）トリフルオロメチルベンゼン二無水物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ベンゼン二無水物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）テトラキス（トリフルオロメチル）ベンゼン二無水物、２,２－ビス｛（４－（３,４－ジカルボキシフェノキシ）フェニル｝ヘキサフルオロプロパン二無水物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビフェニル二無水物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル二無水物、ビス｛（トリフルオロメチル）ジカルボキシフェノキシ｝ジフェニルエーテル二無水物、ビス（ジカルボキシフェノキシ）ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル二無水物等の酸二無水物成分から誘導される酸二無水物残基を挙げることができる。

また、ポリイミド層（ｉ）を構成している主ポリイミドは、ポリイミド層（ｉ）の熱膨張係数（ＣＴＥ）を制御するため、下記の式（１）で表される、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）から誘導される４価の酸二無水物残基（以下、「ＰＭＤＡ残基」と記すことがある）を含有することが好ましい。ＰＭＤＡ残基は、全酸二無水物残基の合計１００モル部に対して、５０モル部以上含有することが好ましく、６０モル部以上１００モル部以下の範囲内で含有することがより好ましい。ＰＭＤＡ残基が５０モル部未満では、ポリイミド層（ｉ）のＣＴＥが高くなって樹脂フィルムＡ全体の寸法安定性が低下する。

また、ポリイミド層（ｉ）を構成している主ポリイミドは、上記以外の酸二無水物残基として、一般にポリイミドの合成に使用される酸二無水物成分から誘導される酸二無水物残基を含んでいてもよい。そのような酸二無水物残基としては、芳香族テトラカルボン酸残基が好ましい。

ポリイミド層（ｉ）を構成している主ポリイミドは、フッ素含有ジアミン残基を含有することが好ましい。フッ素含有ジアミン残基は、嵩高いフッ素原子を含有する基を有するため、高分子鎖間のπ-πスタッキング等の相互作用を減少させる。その結果、芳香族テトラカルボン酸残基と芳香族ジアミン残基との間の電荷移動（ＣＴ）を起こりにくくするため、ポリイミドを透明に近づけることができると考えられる。

フッ素含有ジアミン残基としては、例えば４,４’-ジアミノ-２,２’-ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル（ＴＦＭＢ）、１,４-ビス(４-アミノ-２-トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼン、３,４-ジアミノ-２,２’-ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル、４,４’-ビス(２-(トリフルオロメチル)-４-アミノフェノキシ)ビフェニル、２,２-ビス(４-(２-(トリフルオロメチル)-４-アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、４,４’-ビス（３-（トリフルオロメチル）-４-アミノフェノキシ）ビフェニル、４,４’-ビス（３-（トリフルオロメチル）-４-アミノフェノキシ）ビフェニル、ｐ-ビス（２-トリフルオロメチル）-４-アミノフェノキシ］ベンゼン、２,２-ビス-［４-（３-アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン等のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基などが挙げられる。

フッ素含有ジアミン残基の中でも、下記の一般式（２）で表されるジアミン化合物から誘導されるジアミン残基（以下、「ジアミン（２）残基」と記すことがある）を含有することがより好ましい。

一般式（２）中、置換基Ｘは独立にフッ素原子で置換されている炭素数１～３のアルキル素基を示し、ｍ及びｎは独立に１～４の整数を示す。

ジアミン（２）残基は、芳香族ジアミン残基であり、２個のベンゼン環が単結合で接続されたビフェニル骨格を有しているので、秩序構造を形成しやすく、分子鎖の面内方向の配向が促進されるため、主たるポリイミド層（ｉ）のＣＴＥの増加を抑制し、樹脂フィルムＡ全体の寸法安定性を高めることができる。このような観点から、主たるポリイミド層（ｉ）を構成する主ポリイミドは、全ジアミン残基の合計１００モル部に対して、ジアミン（２）残基を５０モル部以上含有することが好ましく、５０モル部以上１００モル部以下の範囲内で含有することがより好ましい。

ジアミン（２）残基の好ましい具体例としては、４,４’-ジアミノ-２,２’-ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル（ＴＦＭＢ）、３,４-ジアミノ-２,２’-ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル等のジアミン化合物から誘導されるジアミン残基が挙げられる。

主たるポリイミド層（ｉ）を構成している主ポリイミドは、上記以外のジアミン残基として、一般にポリイミドの合成に使用されるジアミン成分から誘導されるジアミン残基を含んでいてもよい。

本実施の形態のポリイミドは、上記酸二無水物成分及びジアミン成分を溶媒中で反応させ、ポリアミド酸を生成したのち加熱閉環させることにより製造できる。例えば、酸二無水物成分とジアミン成分をほぼ等モルで有機溶媒中に溶解させて、０℃以上１００℃以下の範囲内の温度で３０分から２４時間撹拌し重合反応させることでポリイミドの前駆体であるポリアミド酸が得られる。反応にあたっては、生成する前駆体が有機溶媒中に５重量％以上３０重量％以下の範囲内、好ましくは１０重量％以上２０重量％以下の範囲内となるように反応成分を溶解する。重合反応に用いる有機溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、２－ブタノン、ジメチルスルホキシド、硫酸ジメチル、シクロヘキサノン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジグライム、トリグライム、γ‐プチロラクト等が挙げられる。これらの溶媒を２種以上併用して使用することもでき、更にはキシレン、トルエンのような芳香族炭化水素の併用も可能である。また、このような有機溶剤の使用量としては特に制限されるものではないが、重合反応によって得られるポリアミド酸溶液（ポリイミド前駆体溶液）の濃度が５重量％から３０重量％程度になるような使用量に調整して用いることが好ましい。

ポリイミドの合成において、上記酸二無水物及びジアミンはそれぞれ、その１種のみを使用してもよく２種以上を併用することもできる。酸二無水物及びジアミンの種類や、２種以上の酸二無水物又はジアミンを使用する場合のそれぞれのモル比を選定することにより、透明性、誘電特性、熱膨張性、接着性、ガラス転移温度等を制御することができる。

合成されたポリアミド酸は、通常、反応溶媒溶液として使用することが有利であるが、必要により濃縮、希釈又は他の有機溶媒に置換することができる。また、ポリアミド酸は一般に溶媒可溶性に優れるので、有利に使用される。ポリアミド酸をイミド化させる方法は、特に制限されず、例えば前記溶媒中で、８０℃以上４００℃以下の範囲内の温度条件で１時間乃至２４時間かけて加熱するといった熱処理が好適に採用される。

ポリアミド酸の重量平均分子量は、例えば１０,０００以上４００,０００以下の範囲内が好ましく、５０,０００以上３５０,０００以下の範囲内がより好ましい。重量平均分子量が１０,０００未満であると、フィルムの強度が低下して脆化しやすい傾向となる。一方、重量平均分子量が４００,０００を超えると、過度に粘度が増加して塗工作業の際にフィルム厚みムラ、スジ等の不良が発生しやすい傾向になる。

［第１のフッ素系樹脂層、第２のフッ素系樹脂層］
第１のフッ素系樹脂層Ｆ１及び第２のフッ素系樹脂層Ｆ２は、樹脂成分の主成分として、好ましくは樹脂成分の７０重量％以上、より好ましくは樹脂成分の９０重量％以上、最も好ましくは樹脂成分の全部として、フッ素系樹脂を含有する層であればよい。なお、樹脂成分の主成分とは、全樹脂成分に対して５０重量％を超えて含まれる成分を意味する。フッ素系樹脂は、高い透明性と、非常に優れた誘電特性を有する。

第１のフッ素系樹脂層Ｆ１及び第２のフッ素系樹脂層Ｆ２を構成するフッ素系樹脂としては、特に限定する意味ではないが、例えば、テトラフルオロエチレン―パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン－テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、エチレン－テトラフルオロエチレン－ヘキサフルオロプロピレン共重合体（ＥＦＥＰ）、ポリフッ化ビニル（ＰＶＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等が挙げられる。これらのフッ素系樹脂の中でも、テトラフルオロエチレン系のフッ素系樹脂であるＰＦＡ、ＦＥＰ、ＥＴＦＥ、ＥＦＥＰが好ましく、ＰＦＡがより好ましい。
また、ＰＦＡの中でも、機械的強度と融点とのバランスを適度にコントロールする観点から、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）単位とパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＡＶＥ）単位のモル比（ＴＦＥ単位：ＰＡＶＥ単位）が１０：９０～９０：１０である共重合体がもっとも好ましい。

第１のフッ素系樹脂層Ｆ１と第２のフッ素系樹脂層Ｆ２は、樹脂フィルムＡ全体の誘電特性を良好に維持するため、それぞれ単体として、１０ＧＨｚにおける比誘電率が、好ましくは１．９～３．１の範囲内、より好ましくは２．０～２．５の範囲内であり、誘電正接が、好ましくは０．００１以下であり、より好ましくは０．０００８以下であるものを用いることがよい。

第１のフッ素系樹脂層Ｆ１及び第２のフッ素系樹脂層Ｆ２の融点は、例えば２６０℃以上であることが好ましい。より好ましくは２９０℃以上である。融点が２６０℃を下回ると電子機器等の製造過程で融解し、特性の変化をきたすおそれがある。

第１のフッ素系樹脂層Ｆ１及び第２のフッ素系樹脂層Ｆ２は、それぞれガラス転移温度（Ｔｇ）が２００℃以下であることが好ましく、１８０℃以下であることがより好ましい。第１のフッ素系樹脂層Ｆ１及び第２のフッ素系樹脂層Ｆ２のＴｇを２００℃以下とすることによって、低温での熱圧着が可能になるため、金属張積層板などとの積層時に発生する内部応力を緩和し、回路加工後の寸法変化を抑制できる。第１のフッ素系樹脂層Ｆ１及び第２のフッ素系樹脂層Ｆ２のＴｇが２００℃を超えると、樹脂フィルムＡを金属張積層板などの間に介在させて接着する際の熱圧着温度が高くなり、回路加工後の寸法安定性を損なう恐れがある。

なお、第１のフッ素系樹脂層Ｆ１と第２のフッ素系樹脂層Ｆ２は、厚み、物性、材質等の構成が同じでもよいし、異なっていてもよいが、同じ構成であることが好ましい。

本実施の形態の樹脂フィルムＡは、下記の条件i)及び条件ii)を満たすものである。

条件i) 樹脂フィルムＡ全体の全光線透過率が８０％以上であること。
条件i)を満たすことによって、高い透明性を確保できる。樹脂フィルムＡ全体の全光線透過率が８０％未満では、透明性が要求される用途への適用が困難となる。樹脂フィルム全体の全光線透過率は８５％以上であることがより好ましい。

条件ii) 樹脂フィルムＡ全体の熱膨張係数が３０ｐｐｍ／Ｋ以下であること。
条件iiを満たすことによって、高い寸法安定性が得られる。樹脂フィルム全体の熱膨張係数が３０ｐｐｍ／Ｋを超えると、回路加工後の寸法精度が得られにくくなる。樹脂フィルム全体の熱膨張係数は、２０～３０ｐｐｍ／Ｋの範囲内であることが好ましい。

さらに、本実施の形態の樹脂フィルムは、下記の条件iii)を満たすものであることが好ましい。
条件iii) スプリットポスト誘電体共振器（ＳＰＤＲ共振器）によって測定される、樹脂フィルムＡ全体の周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が、０．００８以下であること。
条件iiiを満たすことによって、ＧＨｚ帯域（例えば周波数が１０ＧＨｚ以上）の高周波信号を伝送する回路基板等へ適用した場合に、伝送損失を効果的に低減することが可能となる。樹脂フィルム全体の周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接は０．００５以下であることがより好ましい。
なお、樹脂フィルムＡ全体の１０ＧＨｚにおける比誘電率は、好ましくは２．０～４．０の範囲内であり、より好ましくは２．５～３．５の範囲内である。

上記条件i）～iii）に関し、ポリイミド単体から構成される樹脂フィルムでは、高い全光線透過率と低誘電正接化の両立が困難であった。その理由として、全光線透過率を上げるには、ポリイミドのＣＴ相互作用が起こりにくく、秩序構造を取りにくくする必要がある一方で、ポリイミドの誘電正接を下げるためには、秩序構造を取ることが効果的なため、全光線透過率の向上と低誘電正接化とはトレードオフに関係にあることが挙げられる。
一方、フッ素系樹脂単体から構成される樹脂フィルムは、高い全光線透過率と低誘電正接化が可能であるが、フッ素系樹脂はガラス転移温度（Ｔｇ）が９４℃、融点が３００℃程度（ＰＦＡの場合）であることから、耐熱性と寸法安定性に欠ける側面がある。
本実施の形態の樹脂フィルムは、異なる性質を有するポリイミド絶縁層とフッ素系樹脂層とを積層することによって、高い透明性と寸法安定性を実現することを可能とし、さらに透明性と低誘電正接化の両立についても可能となっている。また、ポリイミド絶縁層にフッ素系樹脂層を積層することによって、厚みが５０μｍ以上の比較的厚い樹脂フィルムについても、高透明性の確保が可能になる。

樹脂フィルムＡは、黄色度（ＹＩ）が１０以下であることが好ましく、８以下であることがより好ましい。ＹＩを１０以下に制御することによって、樹脂フィルムＡをほぼ無色に近づけることができる。一方、ＹＩが１０を超えると、黄色～黄褐色の着色が強くなって、樹脂フィルムの視認性が低下する。

［厚み］
樹脂フィルムＡ全体の厚みは、例えば１０～１５０μｍの範囲内であることが好ましく、１０～１２５μｍの範囲内であることがより好ましい。また、ポリイミド絶縁層Ｐの厚みＴ_Ｐは、例えば５～７５μｍの範囲内であることが好まし、く、８～５０μｍの範囲内であることがより好ましい。ここで、樹脂フィルムＡ全体の厚みＴ_Ａに対するポリイミド絶縁層Ｐの厚みＴ_Ｐの比率（Ｔ_Ｐ／Ｔ_Ａ）は、０．５～０．９の範囲内であることが好ましく、０．５～０．８の範囲内であることがより好ましい。ポリイミド絶縁層Ｐが薄すぎて比率（Ｔ_Ｐ／Ｔ_Ａ）が０．５を下回ると、樹脂フィルムＡ全体のＴｇ及び耐熱性が低下し、寸法安定性が悪くなり、ＦＰＣなどの回路基板の絶縁樹脂層としての要求性能を維持できない。一方、ポリイミド絶縁層Ｐが厚すぎて比率（Ｔ_Ｐ／Ｔ_Ａ）が０．９を超えると、、樹脂フィルムＡ全体の高透明化及び低誘電正接化が困難になる。また、フッ素系樹脂層の厚み（つまり、第１のフッ素系樹脂層Ｆ１と第２のフッ素系樹脂層Ｆ２の合計厚み）が大きすぎると、樹脂フィルムＡ全体の寸法安定性が悪くなり、逆に小さすぎると、接着性が低下するとともに、樹脂フィルムＡ全体の全光線透過率及び誘電特性が悪くなる。

本実施の形態の樹脂フィルムＡは、発明の効果を阻害しない限りにおいて、必要に応じ、任意成分として、無機フィラー及び／又は有機フィラーを含有してもよい。無機フィラーとしては、例えば二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム等が挙げられる。有機フィラーとしては例えば液晶ポリマーなどを挙げることができる。これらのフィラーは１種又は２種以上を混合して用いることができる。また、樹脂フィルムＡには、発明の効果を阻害しない限りにおいて、必要に応じ、任意成分として、例えば可塑剤、エポキシ樹脂などの他の硬化樹脂成分、硬化剤、硬化促進剤、カップリング剤、難燃剤などを適宜配合することができる。

本実施の形態の樹脂フィルムＡは、例えば銅箔、ガラス板、ポリイミド系フィルム、ポリアミド系フィルム、ポリエステル系フィルムなどの樹脂シート等の基材に積層された状態であってもよい。

［樹脂フィルムの製造方法］
本実施の形態の樹脂フィルムＡを製造する方法については特に限定されない。樹脂フィルムＡが図１に示すような第１のフッ素系樹脂層Ｆ１／ポリイミド絶縁層Ｐ／第２のフッ素系樹脂層Ｆ２が積層された構造である場合、以下の方法を例示できる。

第１の方法は、キャスト法を利用し、任意の基材上に、第１のフッ素系樹脂層Ｆ１、ポリイミド絶縁層Ｐ、第２のフッ素系樹脂層Ｆ２をこの順番でキャスト法によって形成して積層し、必要に応じて基材から剥離することによって樹脂フィルムＡを製造する方法である。第１の方法は、第１のフッ素系樹脂層Ｆ１及び第２のフッ素系樹脂層Ｆ２の厚みを小さく形成したい場合に好ましい方法である。

第２の方法は、フィルム積層法を利用し、２枚のフッ素系樹脂フィルムと１枚のポリイミドフィルムを準備し、フッ素系樹脂フィルムの間にポリイミドフィルムを挟み込むように配置してプレスすることによって積層し、樹脂フィルムＡを製造する方法である。第２の方法は、第１のフッ素系樹脂層Ｆ１及び第２のフッ素系樹脂層Ｆ２の厚みを大きく形成したい場合に好ましい方法である。フィルム積層法では、第１の方法では厚化が難しい大きな厚みも形成可能であり、厚化した場合に透明性を維持できる。

ここでは、第１の方法について、図２を参照しながら詳細に説明する。
まず、任意の基材Ｂの上に、フッ素系樹脂粒子Ｆ０を任意の溶媒に分散させた粒子分散液を塗布し、乾燥させることによって、図２（ａ）に示すように、複数のフッ素系樹脂粒子Ｆ０を基材Ｂ上に付着させる（工程１）。使用する基材Ｂとしては、特に限定されないが、耐熱性を有する素材として、例えば厚さが５～３５μｍの範囲内の銅箔などの金属箔を用いることが好ましい。なお、第１の方法では、基材Ｂとして銅箔を用いることによって、樹脂フィルムＡを製造すると同時に、樹脂フィルムＡと銅箔層とを備えた銅張積層板を製造できる。任意の溶媒としては、例えば揮発性の高い有機溶媒が好ましい。フッ素系樹脂粒子Ｆ０としては、レーザ回折・散乱式測定方式によって測定される平均粒子径が１～５μｍの範囲内のものが好ましく、例えばＦｌｕｏｎ＋^ＴＭ ＥＡ‐２０００パウダー（ＡＧＣ社製）などの市販品を用いることができる。

次に、フッ素系樹脂粒子Ｆ０を基材Ｂとともに熱処理し、溶融後、冷却して固化させることによってフィルム化し、図２（ｂ）に示すように、基材Ｂ上に第１のフッ素系樹脂層Ｆ１を形成して第１の積層体を作製する（工程２）。フッ素系樹脂粒子Ｆ０を溶融させるための熱処理温度としては、フッ素系樹脂の融点以上であればよく、例えばＰＦＡの場合は３２０℃程度に設定することが好ましい。

次に、形成した第１の積層体の第１のフッ素系樹脂層Ｆ１の上に、ポリイミド前駆体の溶液を塗布、乾燥し、熱処理してイミド化することによって、図２（ｃ）に示すように、ポリイミド絶縁層Ｐを形成して第２の積層体を作製する（工程３）。ポリイミド前駆体の溶液を基材上に塗布する方法としては特に制限されず、例えばコンマ、ダイ、ナイフ、リップ等のコーターにて塗布することが可能である。イミド化のための熱処理の温度は、例えば３６０℃とすることができる。ポリイミド絶縁層Ｐが複数層からなる場合は、ポリイミド前駆体の溶液を塗布、乾燥する度に熱処理してもよいし、ポリイミド前駆体の溶液を塗布、乾燥する工程を複数回繰り返した後、一括して熱処理してもよい。また、多層押出により、同時にポリアミド酸の積層構造体を塗布・乾燥した後、イミド化を行ってもよい。第２の積層体は、必要に応じて基材Ｂを剥離することによって、ポリイミド絶縁層Ｐの片面に第１のフッ素系樹脂層Ｆ１を有する構造の樹脂フィルムＡとなる。また、基材Ｂとして金属箔を用いる場合、第２の積層体は、そのまま金属層の片面に樹脂フィルムＡからなる絶縁樹脂層を有する片面金属張積層板となる。

次に、形成した第２の積層体のポリイミド絶縁層Ｐの上にフッ素系樹脂粒子Ｆ０を任意の溶媒に分散させた粒子分散液を塗布し、乾燥させることによって、図２（ｄ）に示すように、複数のフッ素系樹脂粒子Ｆ０をポリイミド絶縁層Ｐ上に付着させる（工程４）。この工程４は、工程１と同様に実施できる。

次に、フッ素系樹脂粒子Ｆ０を第２の積層体とともに熱処理し、溶融後、冷却して固化させることによってフィルム化し、図２（ｅ）に示すように、ポリイミド絶縁層Ｐ上に第２のフッ素系樹脂層Ｆ２を形成することによって第３の積層体を作製する（工程５）。この工程５は、工程２と同様に実施できる。
第３の積層体は、必要に応じて基材Ｂを剥離することによって、ポリイミド絶縁層Ｐの片側の面に第１のフッ素系樹脂層Ｆ１、他の面に第２のフッ素系樹脂層Ｆ２を有する樹脂フィルムＡとなる。また、基材Ｂとして金属箔を用いる場合、第３の積層体は、そのまま金属層の片面に樹脂フィルムＡからなる絶縁樹脂層を有する片面金属張積層板となる。さらに、第３の積層体は、基材Ｂとして金属箔を用いるとともに、樹脂フィルムＡの基材Ｂとは反対側の面に金属層を形成することによって、両面金属張積層板とすることも可能である。

以上のようにして得られる樹脂フィルムＡは、ポリイミド絶縁層Ｐの片面又は両面にフッ素系樹脂層（第１のフッ素系樹脂層Ｆ１及び／又は第２のフッ素系樹脂層Ｆ２）が積層されていることによって、全光線透過率の向上と低誘電正接化の両立が図られ、高い透明性と優れた誘電特性に加え、高い寸法安定性を有するものである。

［金属張積層板］
本発明の一実施の形態の金属張積層板は、上記樹脂フィルムＡと、樹脂フィルムＡにおけるフッ素系樹脂層の面に積層された金属層と、を備えている。この場合、樹脂フィルムＡは、ポリイミド絶縁層Ｐの両側にフッ素系樹脂層（第１のフッ素系樹脂層Ｆ１又は第２のフッ素系樹脂層Ｆ２）を有する図１に示すような構成でもよいし、ポリイミド絶縁層Ｐの片側にのみフッ素系樹脂層（第１のフッ素系樹脂層Ｆ１又は第２のフッ素系樹脂層Ｆ２）を有する構成でもよい（図示省略）。つまり、本実施の形態の金属張積層板は、片面金属張積層板でもよいし、両面金属張積層板でもよい。

本実施の形態の金属張積層板は、樹脂フィルムＡに金属箔をラミネートする方法や、上記のとおり、樹脂フィルムＡを調製するための基材Ｂとして金属箔を用いることによって製造できる。

次に、図３～図５を参照し、本実施の形態の金属張積層板の応用例について説明する。
図３は、本発明の一実施の形態の金属張積層板の構成を示す模式図である。本実施の形態の金属張積層板１０Ａは、
第１の金属層Ｍ１と、
第１の金属層Ｍ１の片側に隣接して設けられているフッ素系樹脂隣接層Ｆ１０と、
第２の金属層Ｍ２と、
第２の金属層Ｍ２の片側に隣接して設けられているフッ素系樹脂隣接層Ｆ２０と、
フッ素系樹脂隣接層Ｆ１０とフッ素系樹脂隣接層Ｆ２０との間に介在する複数の樹脂層と、
を備えている。第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２は、それぞれ最も外側に位置し、それらの内側に接してフッ素系樹脂隣接層Ｆ１０及びフッ素系樹脂隣接層Ｆ２０が配置され、さらにフッ素系樹脂隣接層Ｆ１０とフッ素系樹脂隣接層Ｆ２０との間に、複数のポリイミド絶縁層Ｐとフッ素系樹脂中間層Ｆ３０を含む複数の樹脂層が介在配置されている。ここで、フッ素系樹脂隣接層Ｆ１０は、一つのポリイミド絶縁層Ｐに隣接しており、フッ素系樹脂隣接層Ｆ２０は別のポリイミド絶縁層Ｐに接している。金属張積層板１０Ａは、一対の金属層（配線となる第１の金属層Ｍ１及び第２の金属層Ｍ２）に隣接する位置に、それぞれ、低誘電正接であるフッ素系樹脂隣接層Ｆ１０又はフッ素系樹脂隣接層Ｆ２０を設けているため、高周波信号伝送における伝送損失を効果的に抑えることができる。

図３に示すように、フッ素系樹脂隣接層Ｆ１０とフッ素系樹脂隣接層Ｆ２０と複数の樹脂層とによって樹脂積層体４０が形成されている。この樹脂積層体４０は、フッ素系樹脂隣接層Ｆ１０及びフッ素系樹脂隣接層Ｆ２０に加え、少なくとも２層以上のポリイミド絶縁層Ｐと、ポリイミド絶縁層Ｐの間に積層されているフッ素系樹脂中間層Ｆ３０を有している。このように、フッ素系樹脂隣接層Ｆ１０とフッ素系樹脂隣接層Ｆ２０との間に、ポリイミド絶縁層Ｐとフッ素系樹脂中間層Ｆ３０との積層構造を設けることによって、高い寸法安定性を確保しながら、低誘電正接化が実現されている。
なお、樹脂積層体４０は、上記以外の任意の樹脂層を有していてもよいが、上記各機能を有する樹脂層のみによって形成されていることが好ましい。

図３に示す金属張積層板１０Ａは、２層のポリイミド絶縁層Ｐと１層のフッ素系樹脂中間層Ｆ３０とを有しているが、ポリイミド絶縁層Ｐが２層以上であればよく、フッ素系樹脂中間層Ｆ３０の層数に特に制限はない。例えば、図４に示すに示す金属張積層板１０Ｂのように、３層のポリイミド絶縁層Ｐと２層のフッ素系樹脂中間層Ｆ３０を有する構成でもよいし、図５に示す金属張積層板１０Ｃのように、５層のポリイミド絶縁層Ｐと４層のフッ素系樹脂中間層Ｆ３０を有する構成でもよい。

金属張積層板１０において、第１の金属層Ｍ１及び第２の金属層Ｍ２の構成は、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、同じ材質、同じ物性、同じ厚み、であることが好ましい。

また、フッ素系樹脂隣接層Ｆ１０とフッ素系樹脂隣接層Ｆ２０の構成は、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、同じ材質、同じ物性、同じ厚みであることが好ましい。例えば、フッ素系樹脂隣接層Ｆ１０とフッ素系樹脂隣接層Ｆ２０の誘電正接や厚みを同じにすることによって、高周波伝送用回路基板を作製したときの伝送損失低減設計が容易になる。

さらに、２つのフッ素系樹脂隣接層Ｆ１０，Ｆ２０と、フッ素系樹脂中間層Ｆ３０の構成は、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、樹脂積層体４０全体の誘電特性を改善し、高周波信号の伝送損失を効果的に抑制するため、同じ材質、同じ物性、であることが好ましい。

複数のポリイミド絶縁層Ｐの構成は、同じであってもよいし、異なっていてもよいが、回路基板を作製したときの機械的強度や寸法精度の設計が容易になることから、同じ材質、同じ物性、同じ厚み、同じ層構造であることが好ましい。

高周波信号の伝送損失の抑制を図る観点から、フッ素系樹脂隣接層Ｆ１０，Ｆ２０とフッ素系樹脂中間層Ｆ３０における１０ＧＨｚにおける誘電正接Ｄｆ_１は、それぞれ０．００１以下であることが好ましく、０．０００８以下がより好ましい。

また、ポリイミド絶縁層Ｐの１０ＧＨｚにおける誘電正接Ｄｆ_２は、出来るだけ低いことが望ましいが、寸法精度と機械的強度の維持を担保する層であることから、好ましくは０．０１以下であればよく、より好ましくは０．００９以下がよい。ポリイミド絶縁層Ｐの誘電正接Ｄｆ_２が多少高くなっても、より低誘電正接であるフッ素系樹脂隣接層Ｆ１０，Ｆ２０及びフッ素系樹脂中間層Ｆ３０と積層し、これらとの厚み比率を考慮することによって、樹脂積層体４０全体の低誘電正接化を担保できるためである。

複数のポリイミド絶縁層Ｐの合計厚みＴ_ＰＡは、樹脂積層体４０（つまり、フッ素系樹脂隣接層Ｆ１０，Ｆ２０と、一ないし複数のフッ素系樹脂中間層Ｆ３０と、複数のポリイミド絶縁層Ｐ）の総厚みＴ_４０に対して、比率（Ｔ_ＰＡ／Ｔ_４０）が０．５～０．９の範囲内であることが好ましく、０．５～０．８の範囲内であることがより好ましい。
比率（Ｔ_ＰＡ／Ｔ_４０）を上記範囲内とすることによって、金属張積層板１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを回路加工したときの寸法精度と機械的強度を維持しながら、高い透明性と高周波信号の伝送損失の低減を図ることができる。かかる観点から、比率（Ｔ_ＰＡ／Ｔ_４０）は、５０～９０％の範囲内が好ましい。

ここで、樹脂積層体４０における各層の厚みは、使用目的に応じて適宜設定できるので特に限定されるものではないが、以下のとおり例示できる。
フッ素系樹脂隣接層Ｆ１０，Ｆ２０の一層の厚みは、１～１００μｍの範囲内が好ましく、２～７５μｍの範囲内がより好ましい。
ポリイミド絶縁層Ｐの一層の厚みは、５～１００μｍの範囲内が好ましく、１０～５０μｍの範囲内がより好ましい。
フッ素系樹脂中間層Ｆ３０の一層の厚みは、１～１５０μｍの範囲内が好ましく、２～１００μｍの範囲内がより好ましい。
樹脂積層体４０の総厚みＴは、５０～３００μｍの範囲内が好ましく、７５～２００μｍの範囲内がより好ましい。

以下、金属張積層板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃを構成する各層について説明する。

［金属層］
第１の金属層Ｍ１及び第２の金属層Ｍ２の材質としては、特に制限はないが、例えば、銅、ステンレス、鉄、ニッケル、ベリリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム、銀、金、スズ、ジルコニウム、タンタル、チタン、鉛、マグネシウム、マンガン及びこれらの合金等が挙げられる。この中でも、特に銅又は銅合金が好ましい。なお、後述する本実施の形態の回路基板における配線層の材質も第１の金属層Ｍ１及び第２の金属層Ｍ２と同様である。

第１の金属層Ｍ１及び第２の金属層Ｍ２の厚みは特に限定されるものではないが、例えば銅箔等の金属箔を用いる場合、好ましくは３５μｍ以下であり、より好ましくは５～２５μｍの範囲内がよい。生産安定性及びハンドリング性の観点から金属箔の厚みの下限値は５μｍとすることが好ましい。なお、銅箔を用いる場合は、圧延銅箔でも電解銅箔でもよい。また、銅箔としては、市販されている銅箔を用いることができる。

また、金属箔は、例えば、防錆処理や、接着力の向上を目的として、例えばサイディング、アルミニウムアルコラート、アルミニウムキレート、シランカップリング剤等による表面処理を施してもよい。

［金属張積層板の製造］
金属張積層板１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃは、例えば、以下の方法Ａ、方法Ｂ又はこれらを組み合わせた方法Ｃによって製造できる。

方法Ａは、キャスト法によって、第１の金属層Ｍ１上にフッ素系樹脂隣接層Ｆ１０を形成し、これとは別に、第２の金属層Ｍ２上にフッ素系樹脂隣接層Ｆ２０を形成する。次に、それぞれのフッ素系樹脂隣接層Ｆ１０、フッ素系樹脂隣接層Ｆ２０の上に、必要な層数となるように、キャスト法によってポリイミド絶縁層Ｐ及び／又はフッ素系樹脂中間層Ｆ３０を形成して２つの片面金属張積層板を別々に作製する。キャスト法による各層の形成は、樹脂フィルムＡについて説明した方法で実施できる。その後、２つの片面金属張積層板の樹脂面を貼り合わせることによって金属張積層板１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを製造することができる。

方法Ｂは、フィルム積層法によって、フッ素系樹脂隣接層Ｆ１０、フッ素系樹脂隣接層Ｆ２０、複数のポリイミド絶縁層Ｐ及び一ないし複数のフッ素系樹脂中間層Ｆ３０に相当する樹脂シートを準備し、これらの樹脂シートを第１の金属層Ｍ１と第２の金属層Ｍ２の間に配置して貼り合わせ、熱圧着させることによって、金属張積層板１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを製造することができる。

方法Ｃは、方法Ａと方法Ｂを組み合わせる方法であり、例えば、キャスト法によって必要な層数となるように２つの片面金属張積層板を別々に形成しておき、別途準備したポリイミド絶縁層Ｐ及びフッ素系樹脂中間層Ｆ３０に相当する樹脂シートの必要枚数を、これら２つの片面金属張積層板の樹脂面の間に配置して貼り合わせ、熱圧着させることによって、金属張積層板１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃを製造することができる。

以上のようにして得られる本実施の形態の金属張積層板１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃは、第１の金属層Ｍ１及び／又は第２の金属層Ｍ２をエッチングするなどして配線回路加工することによって、片面ＦＰＣ又は両面ＦＰＣなどの回路基板を製造することができる。

［回路基板］
絶縁樹脂層として樹脂フィルムＡを用いた金属張積層板や、金属張積層板１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃは、主にＦＰＣ、リジッド・フレックス回路基板などの回路基板材料として有用である。金属張積層板における金属層の片方又は両方を、常法によってパターン状に加工して配線層を形成することによって、本発明の一実施の形態であるＦＰＣなどの回路基板を製造できる。本実施の形態の回路基板は、図示は省略するが、絶縁樹脂層（樹脂フィルムＡもしくは樹脂積層体４０）と、この絶縁樹脂層の片側又は両側の面に設けられた配線層と、を備えており、絶縁樹脂層が高い透明性を有し、高周波伝送においても伝送損失の低減が可能で、かつ、寸法安定性に優れている。

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例において、特にことわりのない限り各種測定、評価は下記によるものである。

［黄色度（ＹＩ）の算出］
樹脂フィルム（５０ｍｍ×５０ｍｍ）を、島津製作所社製のＵＶ－３６００分光光度計にて黄色度（ＹＩ）を測定した。
１）ＹＩ（黄色度）
ＪＩＳ Ｚ ８７２２に準拠して、下記式（１）で表される計算式に基づいて算出した。
ＹＩ＝１００×（１．２８７９Ｘ－１．０５９２Ｚ）／Ｙ ・・・（１）
Ｘ、Ｙ及びＺ：試験片の三刺激値

［熱膨張係数（ＣＴＥ）の測定］
樹脂フィルム（３ｍｍ×１５ｍｍ）を、熱機械分析（ＴＭＡ）装置にて５．０ｇの荷重を加えながら１０℃／ｍｉｎの昇温速度で３０℃から２８０℃まで昇温し、次いで降温し、降温時における２５０℃から１００℃までの樹脂フィルムの伸び量（線膨張）から熱膨張係数を測定した。

［全光線透過率（Ｔ．Ｔ．）の算出］
樹脂フィルム（５０ｍｍ×５０ｍｍ）を、日本電色工業社製、商品名；ＨＡＺＥ ＭＥＴＥＲ ＮＤＨ５００にて、全光線透過率（Ｔ．Ｔ．）をＪＩＳ Ｋ ７１３６に準拠して測定した。金属張積層体の絶縁樹脂層については、片面金属箔又は両面金属箔のエッチングを行い樹脂フィルムとし、これを同様に測定した。

［比誘電率（Ｄｋ）及び誘電正接（Ｄｆ）の測定］
各実施例及び比較例で作成した銅張積層板の銅箔をエッチング除去して得た樹脂フィルムの比誘電率（Ｄｋ）および誘電正接（Ｄｆ）を、ベクトルネットワークアナライザ（Ａｇｉｌｅｎｔ社製、商品名；Ｅ８３６３Ｃ）ならびにスプリットポスト誘電体共振器（ＳＰＤＲ共振器）を用いて、周波数１０ＧＨｚで測定した。なお、測定に使用した樹脂フィルムは、温度；２４～２６℃、湿度；４５～５５％の条件下で、２４時間放置したものである。

［粘度の測定］
粘度は、恒温水槽付のコーンプレート式粘度計（トキメック社製）にて、合成例で得られたポリアミド酸溶液について２５℃で測定した。

［銅箔の表面粗度の測定］
サンプルを約１０ｍｍ角の大きさにカットし、試料台に両面テープで固定させ、軟Ｘ線を照射し、銅箔表面の静電気を除去した後、走査型プローブ顕微鏡(ＡＦＭ、ブルカー・エイエックスエス社製、商品名：Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ Ｉｃｏｎ型ＳＰＭ)を用い、以下の測定条件にて銅箔表面の十点平均荒さＲｚ（ＲｚＪｉｓ）を測定した。測定条件は、下記のとおり。
測定モード；タッピングモード
測定エリア；１μｍ×１μｍ
スキャンスピード；１Ｈｚ
プローブ；Ｂｕｒｕｋｅｒ製、ＲＴＥＳＰ－３００

実施例等に用いた略号は、以下の化合物を示す。
ＰＦＡ：テトラフルオロエチレン―パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体
ＴＦＭＢ：２,２'－ビス(トリフルオロメチル)－４,４'－ジアミノビフェニル
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物
６ＦＤＡ：２,２－ビス(３,４－ジカルボキシフェニル)－ヘキサフルオロプロパン二無水物
ＯＤＰＡ：４,４’－オキシジフタル酸二無水物
ＢＡＰＳ：ビス［４－(アミノフェノキシ)フェニル］スルホン
ＡＰＢ：１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン
ｍ－ＴＢ：２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル
ＴＰＥ－Ｒ：１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン
ＢＰＤＡ：３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ＤＭＡｃ：Ｎ,Ｎ－ジメチルアセトアミド

合成例１～９
ポリアミド酸溶液Ａ～Ｉを合成するため、窒素気流下で、２００ｍｌのセパラブルフラスコの中に、表１で示した固形分濃度となるように溶剤のＤＭＡｃを加え、表１に示したジアミン成分及び酸無水物成分を攪拌しながら４５℃、２時間加熱し溶解させた。その後、溶液を室温で２日間攪拌を続けて重合反応を行い、ポリアミド酸の粘稠な溶液Ａ～Ｉを調製した。

［実施例１］
銅箔１（電解銅箔、福田金属箔粉工業社製、商品名；ＣＦ－Ｔ９ＤＡ－ＳＶ－１２、厚み；１２μｍ、Ｒｚｊｉｓ；０．８μｍ）の上に、ＰＦＡ微粒子１（ＡＧＣ社製、商品名；Ｆｌｕｏｎ＋^ＴＭ ＥＡ‐２０００パウダー、Ｄ_５０；３μｍ、最大粒子径；１０μｍ）が３０重量％分散したＤＭＡｃ溶液を最終的な厚みが１５μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で３分、１２０℃で３分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で３分加熱し、銅箔１上にＰＦＡフィルムを形成した。次に、ＰＦＡフィルム上にポリアミド酸溶液Ａの希釈溶液（粘度；１３７００ｃＰ）を硬化後の厚みが３０μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ａを形成した。更に、ポリイミド層Ａの上に、ＰＦＡ微粒子１が３０重量％分散したＤＭＡｃ溶液を最終的な厚みが１５μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で３分、１２０℃で３分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で３分加熱し、ＰＦＡ層／ポリイミド層Ａ／ＰＦＡ層からなる厚みが６０μｍの絶縁樹脂層１を形成し、金属張積層体１を調製した。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム１を調製した。樹脂フィルム１について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表２に示す。

［実施例２］
銅箔１の上に、ＰＦＡ分散液１（ＡＧＣ社製、商品名；Ｆｌｕｏｎ＋^ＴＭ ＥＡ‐２０００ディスパージョン、Ｄ_５０；３μｍ、最大粒子径；１０μｍ、５０重量％分散したＤＭＡｃ溶液；以下同様である）を最終的な厚みが５μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で３分、１２０℃で３分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で３分加熱し、銅箔１上にＰＦＡフィルムを形成した。次に、ＰＦＡフィルム上にポリアミド酸溶液Ｂの希釈溶液（粘度；１７３００ｃＰ）を硬化後の厚みが１５μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ｂを形成した。更に、ポリイミド層Ｂの上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが５μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で３分、１２０℃で３分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で３分加熱し、ＰＦＡ層／ポリイミド層Ｂ／ＰＦＡ層からなる厚みが２５μｍの絶縁樹脂層２を形成し、金属張積層体２を調製した。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム２を調製した。樹脂フィルム２について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表２に示す。

［実施例３］
銅箔１の上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが１μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で１分、１２０℃で１分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で１分３０秒加熱し、銅箔１上にＰＦＡフィルムを形成した。次に、ＰＦＡフィルム上にポリアミド酸溶液Ｃの希釈溶液（粘度；２３０００ｃＰ）を硬化後の厚みが１０μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ｃを形成した。更に、ポリイミド層Ｃの上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが１μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で１分、１２０℃で１分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で１分３０秒加熱し、ＰＦＡ層／ポリイミド層Ｃ／ＰＦＡ層からなる厚みが１２μｍの絶縁樹脂層３を形成し、金属張積層体３を調製した。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム３を調製した。樹脂フィルム３について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表２に示す。

［実施例４］
基材フィルム１（ポリイミドフィルム、宇部興産株式会社製、商品名；ユーピレックス７５Ｓ、厚み７５μｍ）上にポリアミド酸溶液Ａの希釈溶液（粘度；１３７００ｃＰ）を硬化後の厚みが５０μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ａを形成し、基材フィルム１からポリイミド層Ａを剥離し、ポリイミドフィルムＡを調製した。
銅箔１の上に、ＰＦＡフィルム１（ＡＧＣ社製、商品名；Ｆｌｕｏｎ＋^ＴＭ ＥＡ‐２０００フィルム、厚み：２５μｍ）、ポリイミドフィルムＡ、ＰＦＡフィルム１（厚み：２５μｍ）、銅箔１を順に積層し、真空雰囲気の下３２０℃、７．５ＭＰａで２０分間加熱加圧を行い、両面金属張積層板４を調製した。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム４を調製した。樹脂フィルム４について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表２に示す。

［実施例５］
銅箔１の上に、ポリアミド酸溶液Ｄの希釈溶液（粘度；３２００ｃＰ）を硬化後の厚みが１．０μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し、溶媒を除去した。次に、その上にポリアミド酸溶液Ｂの希釈溶液（粘度；１７３００ｃＰ）を硬化後の厚みが８μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した。更に、その上にポリアミド酸溶液Ｅの希釈溶液（粘度；１７００ｃＰ）を硬化後の厚みが１．０μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶剤を除去した。このようにして、３層のポリアミド酸層を形成した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を３０分かけて行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ｄ／ポリイミド層Ｂ／ポリイミド層Ｅからなる厚みが１０μｍのポリイミド層５を形成し、金属張積層体５を調製した。
得られた金属張積層体５の銅箔１を、塩化第二鉄水溶液を用いて、エッチング除去して、ポリイミドフィルム５を調製した。
次に、銅箔１の上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが２μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で３分、１２０℃で３分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で３分加熱し、銅箔１上にＰＦＡフィルムを形成した金属積層フィルム５を調製した。
得られた金属積層フィルム５のＰＦＡフィルムの上にポリイミドフィルム５を、その上にポリイミドにＰＦＡフィルムが接するように金属積層フィルム５を積層し、真空雰囲気の下３２０℃、７．５ＭＰａで２０分間加熱加圧を行い、両面金属張積層板５を調製した。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム５を調製した。樹脂フィルム５について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表２に示す。

［実施例６］
銅箔１の上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが５μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で３分、１２０℃で３分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で３分加熱し、銅箔１上にＰＦＡフィルムを形成した。次に、ＰＦＡフィルム上にポリアミド酸溶液Ｆの希釈溶液（粘度；１８４００ｃＰ）を硬化後の厚みが２０μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ｆを形成した。更に、ポリイミド層Ｆの上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが５μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で３分、１２０℃で３分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で３分加熱し、第２のＰＦＡフィルムを形成した。次に、第２のＰＦＡフィルム上にポリアミド酸溶液Ｆの希釈溶液（粘度；１８４００ｃＰ）を硬化後の厚みが２０μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ｆを形成した。更に、ポリイミド層Ｆの上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが５μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で３分、１２０℃で３分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で３分加熱し、ＰＦＡ層／ポリイミド層Ｆ／ＰＦＡ層／ポリイミド層Ｆ／ＰＦＡ層からなる厚みが５５μｍの絶縁樹脂層６を形成し、金属張積層体６を調製した。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム６を調製した。樹脂フィルム６について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表２に示す。

［実施例７］
銅箔１の上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが２μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で１分、１２０℃で１分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で１分３０秒加熱し、銅箔１上にＰＦＡフィルムを形成した。次に、ＰＦＡフィルム上にポリアミド酸溶液Ｃの希釈溶液（粘度；２３０００ｃＰ）を硬化後の厚みが２１μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ｃを形成した。更に、ポリイミド層Ｃの上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが２μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で１分、１２０℃で１分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で１分３０秒加熱し、ＰＦＡ層／ポリイミド層Ｃ／ＰＦＡ層からなる厚みが２５μｍの絶縁樹脂層７を形成し、金属張積層体７を調製した。
得られた金属張積層体７を銅箔１が最外層に位置するように２枚重ね合わせ、真空雰囲気の下３２０℃、７．５ＭＰａで２０分間加熱加圧を行い、両面金属張積層板７を調製した。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム７を調製した。樹脂フィルム７について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表２に示す。

［実施例８］
銅箔１の上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが１μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で１分、１２０℃で１分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で１分３０秒加熱し、銅箔１上にＰＦＡフィルムを形成した。次に、ＰＦＡフィルム上にポリアミド酸溶液Ｂの希釈溶液（粘度；１７３００ｃＰ）を硬化後の厚みが１５μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ｂを形成し、金属張積層体８を調製した。
得られた金属張積層体８のポリイミドの上にＰＦＡフィルム１（厚み：２５μｍ）を置き、更にその上に銅箔１が最外層に位置するように金属張積層体８を積層し、真空雰囲気の下３２０℃、７．５ＭＰａで２０分間加熱加圧を行い、両面金属張積層板８を調製した。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム８を調製した。樹脂フィルム８について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表２に示す。

［実施例９］
銅箔１の上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが１μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で１分、１２０℃で１分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で１分３０秒加熱し、銅箔１上にＰＦＡフィルムを形成した。次に、ＰＦＡフィルム上にポリアミド酸溶液Ｂの希釈溶液（粘度；１７３００ｃＰ）を硬化後の厚みが１０μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ｂを形成した。更に、ポリイミド層Ｂの上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが１μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で１分、１２０℃で１分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で１分３０秒加熱し、ＰＦＡ層／ポリイミド層Ｂ／ＰＦＡ層からなる厚みが１２μｍの絶縁樹脂層９を形成し、金属張積層体９を調製した。
予め基材フィルム１の上にポリアミド酸溶液Ｇの希釈溶液（粘度；２２４００ｃＰ）を硬化後の厚みが１０μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ｇを形成し、基材フィルム１から剥離し調製したポリイミドフィルムＧを準備し、金属張積層体９のＰＦＡ層の上にポリイミドフィルムＧを、更にその上に銅箔１が最外層にくるように金属張積層体９を積層し、真空雰囲気の下３２０℃、７．５ＭＰａで２０分間加熱加圧を行い、両面金属張積層板９を得た。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム９を調製した。樹脂フィルム９について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表２に示す。

（比較例１）
銅箔１の上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが６μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で３分、１２０℃で３分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で３分加熱し、銅箔１上にＰＦＡフィルムを形成した。次に、ＰＦＡフィルム上にポリアミド酸溶液Ｇの希釈溶液（粘度；２２４００ｃＰ）を硬化後の厚みが１２．５μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ｇを形成した。更に、ポリイミド層Ｇの上に、ＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが６μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で３分、１２０℃で３分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で３分加熱し、ＰＦＡ層／ポリイミド層Ｇ／ＰＦＡ層からなる厚みが２４．５μｍの絶縁樹脂層１０を形成し、金属張積層体１０を調製した。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム１０を調製した。樹脂フィルム１０について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表３に示す。

（比較例２）
ポリイミドフィルム（宇部興産株式会社製、商品名；ユーピレックス２５Ｓ、厚み２５μｍ、全光線透過率；５５％）の片面にＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが６μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で３分、１２０℃で３分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で３分加熱し、ポリイミドフィルム上にＰＦＡフィルムを形成した。
更に、ポリイミドフィルム面にＰＦＡ分散液１を最終的な厚みが６μｍとなるように均一に塗布した後、９０℃で３分、１２０℃で３分加熱乾燥し、溶媒を除去した後、３２０℃で３分加熱し、ＰＦＡ層／ポリイミドフィルム／ＰＦＡ層からなる厚みが３７μｍの樹脂フィルム１１を調製した。

樹脂フィルム１１について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表３に示す。

（比較例３）
基材フィルム１の上にポリアミド酸溶液Ｈの希釈溶液（粘度；１９０００ｃＰ）を硬化後の厚みが５０μｍとなるように均一に塗布した後、１２５℃で加熱乾燥し溶媒を除去した後、１２５℃から３６０℃まで段階的な熱処理を行い、イミド化を完結し、ポリイミド層Ｈを形成し、基材フィルム１からポリイミド層Ｈを剥離し、ポリイミドフィルムＨを調製した。
銅箔１の上に、ＰＦＡフィルム１（厚み：２５μｍ）、ポリイミドフィルムＨ、ＰＦＡフィルム１（厚み：２５μｍ）、銅箔１を順に積層し、真空雰囲気の下３２０℃、７．５ＭＰａで２０分間加熱加圧を行い、両面金属張積層板１２を調製した。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム１２を調製した。樹脂フィルム１２について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表３に示す。

（比較例４）
比較例３のポリアミド酸溶液Ｈをポリアミド酸溶液Ｉに変えた以外は比較例３と同様に両面金属張積層板１３を調製した。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム１３を調製した。樹脂フィルム１３について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表３に示す。

（比較例５）
比較例３のポリアミド酸溶液Ｈをポリアミド酸溶液Ｇに変えた以外は比較例３と同様に両面金属張積層板１４を調製した。

塩化第二鉄水溶液を用いて、銅箔１をエッチング除去して、樹脂フィルム１４を調製した。樹脂フィルム１４について、Ｔ．Ｔ．、ＹＩ、ＣＴＥ、比誘電率及び誘電正接の測定結果を表３に示す。

以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。

１０Ａ,１０Ｂ，１０Ｃ…金属張積層板、４０…樹脂積層体、Ａ…樹脂フィルム、
Ｍ１…第１の金属層、Ｍ２…第２の金属層、Ｆ１…第１のフッ素系樹脂層、Ｆ２…第２のフッ素系樹脂層、Ｆ１０，Ｆ２０…フッ素系樹脂隣接層、Ｆ３０…フッ素系樹脂中間層、Ｐ…ポリイミド絶縁層

Claims (10)

1. 複数層からなる積層構造を有する樹脂フィルムであって、
   ポリイミド絶縁層と、
   前記ポリイミド絶縁層の片面又は両面に積層されているフッ素系樹脂層と、
   を備え、
   下記の条件i)及び条件ii)；
   i) 前記樹脂フィルム全体の全光線透過率が８０％以上であること、
   ii) 前記樹脂フィルム全体の熱膨張係数が３０ｐｐｍ／Ｋ以下であること、
   を満たすことを特徴とする樹脂フィルム。
2. スプリットポスト誘電体共振器（ＳＰＤＲ共振器）によって測定される樹脂フィルム全体の周波数１０ＧＨｚにおける誘電正接が０．００８以下である請求項１に記載の樹脂フィルム。
3. 樹脂フィルム全体の厚みが１０～１５０μｍの範囲内であり、樹脂フィルム全体の厚みに対する前記ポリイミド絶縁層の厚みの比率が０．５～０．９の範囲内である請求項１又は２に記載の樹脂フィルム。
4. 前記ポリイミド絶縁層が単層又は複数のポリイミド層からなり、ポリイミド絶縁層全体の厚みに対して５０％以上の厚みを有するポリイミド層（ｉ）を構成するポリイミドが、フッ素原子を含む芳香族ジアミン化合物から誘導されるジアミン残基及び／又はフッ素原子を含む芳香族テトラカルボン酸二無水物から誘導される酸二無水物残基を含む請求項１～３のいずれか１項に記載の樹脂フィルム。
5. 前記ポリイミド層（ｉ）に含まれるフッ素原子の割合が、ポリイミド全体に対して１０～４０重量％の範囲内であることを特徴とする請求項４に記載の樹脂フィルム。
6. 請求項１～５のいずれか１項に記載の樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムにおけるフッ素系樹脂層の面に積層された金属層と、を備える金属張積層板。
7. 第１の金属層と、
   前記第１の金属層の片側に隣接して設けられているフッ素系樹脂隣接層と、
   第２の金属層と、
   前記第２の金属層の片側に隣接して設けられているフッ素系樹脂隣接層と、
   ２つの前記フッ素系樹脂隣接層の間に介在する複数の樹脂層と、
   を備え、
   ２つの前記フッ素系樹脂隣接層と前記複数の樹脂層とによって樹脂積層体が形成されており、
   前記樹脂積層体は、
   少なくとも２層以上のポリイミド層と、
   前記ポリイミド層の間に積層されているフッ素系樹脂中間層と、
   を有している金属張積層板。
8. 請求項６又は７に記載の金属張積層板の前記金属層を配線加工してなる回路基板。
9. 請求項１から５のいずれか１項に記載の樹脂フィルムを製造する方法であって、
   基材上に、フッ素系樹脂粒子を含有する溶液を塗布して熱処理することによって前記フッ素系樹脂粒子を融解させて前記フッ素系樹脂層を形成する工程；
   前記フッ素系樹脂層の上に、ポリイミドの前駆体溶液を塗布し、熱処理することによってイミド化し、前記ポリイミド層を形成する工程；
   を含む樹脂フィルムの製造方法。
10. さらに、
    前記ポリイミド層の上に、さらに、フッ素系樹脂粒子を含有する溶液を塗布して熱処理することによって前記フッ素系樹脂粒子を融解させて２層目の前記フッ素系樹脂層を形成する工程、
    を含む請求項９に記載の樹脂フィルムの製造方法。

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