JP2022146494A - 半導体記憶装置およびメモリシステム - Google Patents
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Abstract
【課題】高い転送レートでデータの入出力が可能な半導体記憶装置およびメモリシステムを提供する。【解決手段】メモリシステムSYSが備える半導体記憶装置1は、複数のメモリチップと、ブリッジチップと、を備える。ブリッジは、複数のメモリチップとM個の第2チャネルを介して接続される。ブリッジチップは、1つの第2チャネルあたりの転送レートのN倍の転送レートでホスト側の第1チャネルを介して第1データを受信した場合、第1データを第1チャネルのバス幅の単位でN個に振り分けることによってN個の第2チャネルを介して並列にN個のメモリチップに送信する。ブリッジチップは、M個の第2チャネルのうちのL個の第2チャネルからL個の第3データを並列に受信した場合、L個の第3データを第1チャネルのバス幅の単位で順に結合して、1つの第2チャネルあたりの転送レートのL倍の転送レートで第1チャネルを介して送信する。【選択図】図1
Description
本実施形態は、半導体記憶装置およびメモリシステムに関する。
ホストに接続される外部端子群と複数のメモリチップとの間にブリッジチップを配した半導体記憶装置がある。半導体記憶装置では、ホストから複数のメモリチップへのアクセスがブリッジチップを介して行われる。半導体記憶装置は、ホストとメモリチップとの間で、できるだけ高い転送レートでデータの入出力が可能であることが要望される。
一つの実施形態は、高い転送レートでデータの入出力が可能な半導体記憶装置およびメモリシステムを提供することを目的とする。
一つの実施形態によれば、半導体記憶装置は、複数の第1チップと、第2チップと、を備える。第2チップは、ホストと第1チャネルを介して接続可能であり、複数の第1チップとM(Mは2以上の自然数)個の第2チャネルを介して接続される。第2チップは、1つの第2チャネルあたりの転送レートのN(Nは2以上かつM以下の自然数)倍の転送レートで第1チャネルを介して第1データを受信した場合、第1データを第1チャネルのバス幅の単位でN個に振り分けることによって第1データをN個の第2データに分割する。そして、第2チップは、N個の第2データをM個の第2チャネルのうちのN個の第2チャネルを介して並列に複数の第1チップのうちN個の第2チャネルに対応するN個の第1チップに送信する。第2チップは、M個の第2チャネルのうちのL(Lは2以上かつM以下の自然数)個の第2チャネルからL個の第3データを並列に受信した場合、L個の第3データを第1チャネルのバス幅の単位で結合することによって1個の第4データを生成し、1つの第2チャネルあたりの転送レートのL倍の転送レートで第1チャネルを介して送信する。
実施形態にかかるメモリシステムは、ホストおよび半導体記憶装置を備える。半導体記憶装置は、ブリッジチップおよび複数のメモリチップを備える。複数のメモリチップは、第1チップ群の一例である。ブリッジチップは、第2チップの一例である。
複数のメモリチップは、ブリッジチップを介してホストに接続される。メモリチップは、例えば、NAND型フラッシュメモリ等の不揮発性メモリを有するメモリチップである。
半導体記憶装置では、メモリシステムのメモリ容量を拡張するために、搭載されるメモリチップ数は多くなりつつある。このとき、各メモリチップとの接続にかかる電気的な負荷を減らすために、メモリベンダーはブリッジチップをホストと複数のメモリチップとの間に配置する。
実施形態では、ブリッジチップには、それぞれ1以上のメモリチップが接続されたM個(ただしMは2以上の自然数)のチャネルが接続される。これによって、ブリッジチップには、M個のチャネルを介して複数のメモリチップが接続される。ブリッジチップは、N個(ただしNは2以上かつM以下の自然数)のチャネルを並列に用いることによってN個のメモリチップに対して並列にデータ転送を行うとともに、ホストに対しては、1つのチャネルあたりの転送レートのN倍の転送レートのデータ転送を行う。これによって、半導体記憶装置は、高い転送レートでデータの入出力が可能とされている。
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体記憶装置およびメモリシステムを詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態にかかるメモリシステムSYSの構成の一例を示す模式的な図である。
図1は、第1の実施形態にかかるメモリシステムSYSの構成の一例を示す模式的な図である。
メモリシステムSYSは、外部端子群10を有する半導体記憶装置1、およびホストHAを含む。半導体記憶装置1は、ブリッジチップBCおよび複数のメモリチップCPを備える。図1に示される例では、半導体記憶装置1は、複数のメモリチップCPとして、16個のメモリチップCP(即ちメモリチップCP1-1~CP1-4,CP2-1~CP2-4,CP3-1~CP3-4,CP4-1~CP4-4)を備える。
各メモリチップCPは、例えば、NAND型フラッシュメモリ等の不揮発性メモリのメモリチップである。なお、半導体記憶装置1では、ブリッジチップBCおよび複数のメモリチップCP1-1~CP1-4,CP2-1~CP2-4,CP3-1~CP3-4,CP4-1~CP4-4の周囲が、モールド樹脂で封止されていてもよい。
ホストHAは、コントローラなどのデバイスであってもよいし、コンピュータまたは携帯端末などの電子機器に備えられ半導体記憶装置1を制御するプロセッサであってもよい。半導体記憶装置1は、有線通信路であるチャネルCH0を介してホストHAに接続される。半導体記憶装置1とホストHAとは、所定の規格に基づき構成されたチャネルCH0を介して接続される。各メモリチップCPがNAND型フラッシュメモリである場合、所定の規格は、例えば、トグルDDR(Double-Data-Rate)規格またはONFi規格である。
ブリッジチップBCは、外部端子群10とM個のチャネルとに電気的に接続されている。ただし、Mは2以上の自然数である。ここでは一例として、Mは4であることとし、4個のチャネルをチャネルCH1,CH2,CH3,CH4と表記する。
メモリチップCP1-1~CP1-4,CP2-1~CP2-4,CP3-1~CP3-4,CP4-1~CP4-4の群のそれぞれは、それぞれが所定の規格に基づき構成された4個のチャネルCH1,CH2,CH3,CH4を介してブリッジチップBCに接続されている。具体的には、メモリチップCP1-1~CP1-4は、チャネルCH1に接続されている。メモリチップCP2-1~CP2-4は、チャネルCH2に接続されている。メモリチップCP3-1~CP3-4は、チャネルCH3に接続されている。メモリチップCP4-1~CP4-4は、チャネルCH4に接続されている。メモリチップCP1-1~CP1-4,CP2-1~CP2-4,CP3-1~CP3-4,CP4-1~CP4-4のそれぞれがNAND型フラッシュメモリである場合、所定の規格は、例えば、トグルDDR規格である。
以降、メモリチップCP1-1~CP1-4,CP2-1~CP2-4,CP3-1~CP3-4,CP4-1~CP4-4のそれぞれを、メモリチップCPと表記する場合がある。メモリチップCP1-1~CP1-4のそれぞれを、メモリチップCP1と表記する場合がある。メモリチップCP2-1~CP2-4のそれぞれを、メモリチップCP2と表記する場合がある。メモリチップCP3-1~CP3-4のそれぞれを、メモリチップCP3と表記する場合がある。メモリチップCP4-1~CP4-4のそれぞれを、メモリチップCP4と表記する場合がある。
半導体記憶装置1が備えるメモリチップCPの数は16個に限定されない。また、ブリッジチップBCと複数のメモリチップCPとを接続するチャネルの数は4個に限定されない。
以降、各メモリチップCPはNAND型のフラッシュメモリであり、所定の規格はトグルDDR規格であることとする。
ブリッジチップBCは、外部端子群10およびチャネルCH0を介してホストHAに電気的に接続されている。
チャネルCH0は、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnを転送する信号線、チップイネーブル信号CEnを転送する信号線、コマンドラッチイネーブル信号CLEを転送する信号線、アドレスラッチイネーブル信号ALEを転送する信号線、ライトイネーブル信号WEnを転送する信号線、レディービジー信号R/Bnを転送する信号線、所定のバス幅(ここでは一例として8ビット幅)を有するデータ信号DQ[7:0]を転送する信号線、データストローブ信号DQS/DQSnを転送する信号線、およびリードイネーブル信号REn/REを転送する信号線、を含む。なお、信号を表す符号の末尾に記された「n」は、負論理で動作せしめられる信号であることを表す。各信号が負論理で動作せしめられるか正論理で動作せしめられるかは任意に設計され得る。
ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnは、ブリッジチップBCを制御するためのコマンドが送信される際にアクティブ化される信号である。ブリッジチップBCは、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnがアクティブ状態にある期間においては、当該期間に受信した信号(即ちコマンド、アドレス、およびデータ)を、自身に宛てた信号として解釈する。さらに、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnがアクティブ状態にある期間においては、ホストHAから受信した信号を何れのメモリチップCPにも転送しない。ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnが非アクティブ状態にある期間においては、ホストHAから受信した信号をアクセス対象のメモリチップCPに転送する。
チップイネーブル信号CEnは、アクセスの対象となるメモリチップCPをイネーブル状態とするための信号である。データストローブ信号DQS/DQSnは、データ信号DQ[7:0]で送信されるデータを相手装置に取り込むように指示する信号である。データストローブ信号DQS/DQSnは、データストローブ信号DQSとデータストローブ信号DQSnとによって構成される差動信号である。コマンドラッチイネーブル信号CLEは、データ信号DQ[7:0]がコマンドであることを示す信号である。アドレスラッチイネーブル信号ALEは、データ信号DQ[7:0]がアドレスであることを示す信号である。ライトイネーブル信号WEnは、データ信号DQ[7:0]で送信されるコマンドまたはアドレスを取り込むように相手装置に指示する信号である。リードイネーブル信号REn/REは、データ信号DQ[7:0]を出力するように相手装置に指示する信号である。リードイネーブル信号REn/REは、リードイネーブル信号REおよびリードイネーブル信号REnによって構成される差動信号である。レディービジー信号R/Bnは、コマンドの受信を待機している状態であるレディー状態(Ry)であるかコマンドを受信しても実行できない状態であるビジー状態(By)であるかを示す信号である。チャネルCH0で転送されるレディービジー信号R/Bnは、チャネルCH1にかかるレディービジー信号R/Bnと、チャネルCH2にかかるレディービジー信号R/Bnと、からワイヤー接続などによって生成される。なお、チャネルCH0で転送されるレディービジー信号R/Bnはこれに限定されない。例えば、チャネルCH0は、チャネルCH1にかかるレディービジー信号R/Bnであるレディービジー信号R/Bn_1を転送する信号線と、チャネルCH2にかかるレディービジー信号R/Bnであるレディービジー信号R/Bn_2を転送する信号線と、を含んでいてもよい。
以降、ブリッジチップBCが、ホストHAから受信した信号のメモリチップCPへの転送を遮断して、当該信号をブリッジチップBCに対する信号として解釈する、動作モードを、ブリッジ制御モードと表記する。また、ホストHAから受信した信号をメモリチップCPへ転送する動作モードを、非ブリッジ制御モードと表記する。
チャネルCH1,CH2,CH3,CH4のそれぞれは、ホストHAとブリッジチップBCとの間で送受信される信号群のうちの、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnを除く信号群と同種の信号群を送受信できる。即ち、チャネルCH1,CH2,CH3,CH4のそれぞれは、チップイネーブル信号CEnを転送する信号線、コマンドラッチイネーブル信号CLEを転送する信号線、アドレスラッチイネーブル信号ALEを転送する信号線、ライトイネーブル信号WEnを転送する信号線、レディービジー信号R/Bnを転送する信号線、データ信号DQ[7:0]を転送する信号線群、データストローブ信号DQS/DQSnを転送する信号線、およびリードイネーブル信号REn/REを転送する信号線、を備える。
なお、図1では、チャネルCH1,CH2,CH3,CH4のうちのチャネルCH1を構成する信号線群の詳細を図示し、チャネルCH2,CH3,CH4を構成する信号線群の詳細は省略されている。
以降では、説明を簡単にするために、データストローブ信号DQS/DQSnに関しては、データストローブ信号DQSnの説明を省略して、データストローブ信号DQSについてのみ説明する。また、リードイネーブル信号REn/REに関しては、リードイネーブル信号REnの説明を省略して、リードイネーブル信号REについてのみ説明する。
また、以降では、チャネルCH0を、ホスト側チャネルと表記し、チャネルCH1,CH2,CH3,CH4のそれぞれを、NAND側チャネル、と表記することがある。ホスト側チャネルは、第1チャネルの一例である。各NAND側チャネルは第2チャネルの一例である。
また、以降では、NAND側チャネルを転送される信号に#Xを付す。ただし、Xはチャネルの番号に対応する数値であり、1以上かつM以下の数値である。例えば、チャネルCH2を転送されるデータ信号DQ[7:0]を、データ信号DQ#2[7:0]と表記する。
ホストHAとブリッジチップBCとの間では、ホスト側チャネルを介したデータ転送が実行される。ブリッジチップBCと16個のメモリチップCPの群との間では、1以上のNAND側チャネルを介したデータ転送が実行される。データ転送は、ホストHAから1以上のメモリチップCPの向きのデータ転送と、1以上のメモリチップCPからホストHAの向きのデータ転送と、を含む。前者のデータ転送の動作を、ライト動作と表記する。後者のデータ転送の動作を、リード動作と表記する。
ブリッジチップBCは、NAND側チャネルあたりの転送レートのN倍の転送レートでホスト側チャネルを介してデータを受信した場合、当該データをN個に分割して、分割によって生成されたN個のデータのそれぞれをN個のNAND側チャネルのそれぞれを介して並列にメモリチップCPの群に送信する。Nは、2以上かつM(ここではMは4)以下の自然数である。また、ブリッジチップBCは、M個のNAND側チャネルのうちのN個のNAND側チャネルからN個のデータを並列に受信した場合、N個のデータを1個のデータに結合し、NAND側チャネルあたりの転送レートのN倍の転送レートでホスト側チャネルを介してホストHAに送信する。
ブリッジチップBCは、第1インタフェース101と、4個の第2インタフェース102と、コントローラ103と、を備える。
第1インタフェース101は、ホストHAに対してチャネルCH0を介した電気信号の送受信を行うPHY回路である。
4個の第2インタフェース102のうちの第2インタフェース102-1は、4個のメモリチップCP1に対してチャネルCH1を介した電気信号の送受信を行うPHY回路である。4個の第2インタフェース102のうちの第2インタフェース102-2は、4個のメモリチップCP2に対してチャネルCH2を介した電気信号の送受信を行うPHY回路である。4個の第2インタフェース102のうちの第2インタフェース102-3は、4個のメモリチップCP3に対してチャネルCH3を介した電気信号の送受信を行うPHY回路である。4個の第2インタフェース102のうちの第2インタフェース102-4は、4個のメモリチップCP4に対してチャネルCH4を介した電気信号の送受信を行うPHY回路である。
コントローラ103は、第1インタフェース101と、4個の第2インタフェース102と、の間に配されている。コントローラ103は、第1インタフェース101と、4個の第2インタフェース102と、の間の信号の授受を制御する。
コントローラ103は、コマンドデコーダ111、分割・結合回路112、マスク回路113、レジスタ114、およびマルチプレクサ(MUX)115を有する。
コマンドデコーダ111は、ホストHAからチャネルCH0を介して受けたコマンドを解析する。コマンドデコーダ111は、解析結果に応じて、メモリチップCPに対するコマンドを発行することができる。
コマンドがデータ転送のコマンドである場合、コマンドデコーダ111は、当該コマンドとともに受けたアドレスに基づき、4個のNAND側チャネルのうちの1以上のNAND側チャネルをデータ転送の経路として選択する。
マルチプレクサ115は、コマンドデコーダ111によるデータ転送の経路の選択に基づき、4個の第2インタフェース102のうちから1以上の第2インタフェース102をデータ転送の経路の切り替えを実行する。
マスク回路113は、メモリチップCPへの信号の供給をブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnに応じて遮断することができる回路である。ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnがアクティブ状態にある期間には、マスク回路113は、メモリチップCPへの信号の供給を遮断する。ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnが非アクティブ状態にある期間には、マスク回路113は、メモリチップCPへの信号を透過する。つまり、マスク回路113は、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnに基づき、ブリッジ制御モードと非ブリッジ制御モードとの間の切り替えを実現する。
分割・結合回路112は、ライト動作の際、ホストHAからチャネルCH0を介して受信したデータを、N個に分割する。分割された後のN個のデータは、それぞれ異なるチャネルを介してN個のメモリチップCPに並列に送られる。このとき、分割・結合回路112は、分割された後のN個のデータのそれぞれの転送レートを、分割前の転送レートの1/Nにすることで、N個のデータのそれぞれの転送レートをNAND側チャネルあたりの転送レートと等しくする。
また、分割・結合回路112は、リード動作の際、N個のそれぞれ異なるチャネルを介してN個のメモリチップCPから並列に受信したデータを結合する。結合されたデータは、チャネルCH0を介してホストHAに送られる。このとき、分割・結合回路112は、結合されたデータの転送レートを、受信したN個のデータのそれぞれの転送レートのN倍にすることで、結合されたデータの転送レートをNAND側チャネルあたりの転送レートのN倍と等しくする。
これによって、分割・結合回路112は、ホストHAとブリッジチップBCとの間の転送レートを、ブリッジチップBCと複数のメモリチップCPとの間のチャネル単位の転送レートのN倍とすることができる。
転送レートは、バス幅と周波数との乗算によって決まる。図1に示される例では、ホスト側チャネルが含むデータ信号DQ[7:0]を転送する信号線のバス幅およびNAND側チャネルが含むデータ信号DQ[7:0]を転送する信号線のバス幅は、ともに8ビットである。よって、ホスト側チャネルの転送周波数がNAND側チャネルの転送周波数のN倍にされることで、ホスト側チャネルの転送レートは、NAND側チャネルあたりの転送レートのN倍にされる。
以降、ホスト側チャネルのバス幅は、ホスト側チャネルが含むデータ信号DQを転送する信号線のバス幅をいう。NAND側チャネルのバス幅は、1つのNAND側チャネルが含むデータ信号DQを転送する信号線のバス幅をいう。図1に示される例では、ホスト側チャネルのバス幅およびNAND側チャネルのバス幅はともに8ビットである。
なお、ホスト側チャネルにおける転送レートは、ホストHAによって制御される。つまり、ライト動作の際には、ホストHAは、NAND側チャネルのデータ転送の周波数のN倍の周波数でデータをブリッジチップBCへ転送する。また、リード動作の際には、ホストHAは、ブリッジチップBCに、NAND側チャネルのデータ転送の周波数のN倍の周波数でデータを自身へ転送させる。
レジスタ114は、ブリッジチップBCの動作を制御するための各種情報が書き込まれるメモリである。実施形態では、レジスタ114には、特に、速度倍率設定値116が書き込まれる。速度倍率設定値116は、NAND側チャネルの転送レートに対するホスト側チャネルの転送レートの倍率の設定値である。即ち、速度倍率設定値116は、上述した「N」の設定値である。つまり、ブリッジチップBCは、「N」が可変に構成されている。速度倍率設定値116としては、2以上かつM以下の値だけでなく、「1」が設定され得る。
図2は、速度倍率設定値116が「1」である場合の第1の実施形態にかかるブリッジチップBCによるデータ転送を説明する図である。なお、本図以降の説明では、NAND側チャネルの転送レートをR[Gbps]と表記する。
速度倍率設定値116が「1」である場合、ブリッジチップBCは、ホスト側チャネル(即ちチャネルCH0)と、1つのNAND側チャネルと、の間のデータ転送を行う。図2に示される例では、当該1つのNAND側チャネルはチャネルCH1であることとしている。
ライト動作では、分割・結合回路112は、NAND側チャネルの転送レートと同じR[Gbps]の転送レートでホスト側チャネルおよび第1インタフェース101を経由してデータを受信し、当該受信したデータを、転送レートを変更せずに出力する。分割・結合回路112から出力されたデータは、マルチプレクサ115、第2インタフェース102-1、およびチャネルCH1を経由してあて先のメモリチップCPに送られる。
リード動作では、分割・結合回路112は、チャネルCH1、第2インタフェース102-1、およびマルチプレクサ115を経由してR[Gbps]の転送レートでデータを受信し、当該受信したデータを、転送レートを変更せずに出力する。分割・結合回路112から出力されたデータは、第1インタフェース101およびチャネルCH0を経由してホストHAに送られる。
このように、速度倍率設定値116が「1」である場合、ホスト側チャネルでは、R[Gbps]でのデータ転送が実行される。つまり、NAND側チャネルにおける転送レートを基準とすると、ホスト側チャネルでは、1倍速の転送レートでデータが転送される。
図3は、速度倍率設定値116が「2」である場合の第1の実施形態にかかるブリッジチップBCによるデータ転送を説明する図である。
速度倍率設定値116が「2」である場合、ブリッジチップBCは、ホスト側チャネル(即ちチャネルCH0)と、2つのNAND側チャネルと、の間でデータを転送する。図3に示される例では、当該2つのNAND側チャネルは、チャネルCH1およびチャネルCH3であることとしている。
ライト動作では、分割・結合回路112は、NAND側チャネルの転送レートの2倍である2R[Gbps]の転送レートでホスト側チャネルおよび第1インタフェース101を経由してデータを受信し、当該受信したデータを、2つに分割する。そして、分割・結合回路112は、分割された2つのデータのそれぞれを、受信時の1/2の転送レートであるR[Gbps]の転送レートで出力する。分割・結合回路112から出力された2つのデータのうちの1つは、マルチプレクサ115、第2インタフェース102-1、およびチャネルCH1を経由してあて先のメモリチップCPに送られる。分割・結合回路112から出力された2つのデータのうちの他の1つは、マルチプレクサ115、第2インタフェース102-3、およびチャネルCH3を経由して別のあて先のメモリチップCPに送られる。
リード動作では、分割・結合回路112は、チャネルCH1、第2インタフェース102-1、およびマルチプレクサ115を介してR[Gbps]の転送レートでデータを受信するとともに、チャネルCH3、第2インタフェース102-3、およびマルチプレクサ115を介してR[Gbps]の転送レートでデータを受信する。分割・結合回路112は、受信した2つのデータを1つに結合し、結合されたデータをNAND側チャネルの転送レートの2倍である2R[Gbps]の転送レートで出力する。分割・結合回路112から出力されたデータは、第1インタフェース101およびチャネルCH0を経由してホストHAに送られる。
このように、速度倍率設定値116が「2」である場合、ブリッジチップBCは、ホストHAと1つのメモリチップCPとの間のデータ転送と、ホストHAと別の1つのメモリチップCPとの間のデータ転送と、の2系統のデータ転送を同時に実行することができる。そして、NAND側チャネルにおける転送レートを基準とすると、ホスト側チャネルでは、2倍速の転送レートでデータが転送される。
図4は、速度倍率設定値116が「4」である場合の第1の実施形態にかかるブリッジチップBCによるデータ転送を説明する図である。
速度倍率設定値116が「4」である場合、ブリッジチップBCは、ホスト側チャネル(即ちチャネルCH0)と、4つのNAND側チャネルと、の間でデータを転送する。図4に示される例では、当該4つのNAND側チャネルはチャネルCH1,CH2,CH3,およびCH4である。
ライト動作では、分割・結合回路112は、NAND側チャネルの転送レートの4倍である4R[Gbps]の転送レートでホスト側チャネルおよび第1インタフェース101を経由してデータを受信し、当該受信したデータを、4つに分割する。そして、分割・結合回路112は、分割された4つのデータのそれぞれを、受信時の1/4の転送レートであるR[Gbps]の転送レートで出力する。分割・結合回路112から出力された4つのデータのうちの1つは、マルチプレクサ115、第2インタフェース102-1、およびチャネルCH1を介してあて先のメモリチップCPにR[Gbps]の転送レートで送信される。分割・結合回路112から出力された4つのデータのうちの別の1つは、マルチプレクサ115、第2インタフェース102-2、およびチャネルCH2を介してあて先のメモリチップCPにR[Gbps]の転送レートで送信される。分割・結合回路112から出力された4つのデータのうちのさらに別の1つは、マルチプレクサ115、第2インタフェース102-3、およびチャネルCH3を介してあて先のメモリチップCPにR[Gbps]の転送レートで送信される。分割・結合回路112から出力された4つのデータのうちの残りの1つは、マルチプレクサ115、第2インタフェース102-4、およびチャネルCH4を介してあて先のメモリチップCPにR[Gbps]の転送レートで送信される。
リード動作では、分割・結合回路112は、チャネルCH1、第2インタフェース102-1、およびマルチプレクサ115を介したデータのR[Gbps]の転送レートでの受信と、チャネルCH2、第2インタフェース102-2、およびマルチプレクサ115を経由したデータのR[Gbps]の転送レートでの受信と、チャネルCH3、第2インタフェース102-3、およびマルチプレクサ115を経由したデータのR[Gbps]の転送レートでの受信と、チャネルCH4、第2インタフェース102-4、およびマルチプレクサ115を経由したデータのR[Gbps]の転送レートでの受信と、を並列に実行することができる。分割・結合回路112は、並列に受信した4つのデータを1つに結合し、結合されたデータをNAND側チャネルの転送レートの4倍の転送レートである4R[Gbps]の転送レートで出力する。分割・結合回路112から出力されたデータは、第1インタフェース101およびチャネルCH0を経由してホストHAに送られる。
このように、速度倍率設定値116が「4」である場合、ブリッジチップBCは、それぞれホストHAに対する相手のメモリチップCPが異なる4系統のデータ転送を同時に実行することができる。そして、NAND側チャネルにおける転送レートを基準とすると、ホスト側チャネルでは、4倍速の転送レートでデータが転送される。
なお、ここでは、速度倍率設定値116として、「1」、「2」、および「4」のそれぞれが設定されるケースについて説明した。速度倍率設定値116として、「3」が設定されてもよい。その場合には、分割・結合回路112は、ホストHAから受信したデータを3つに分割したり、3つのNAND側チャネルから並列に受信したデータを1つに結合したりする。
このように、分割・結合回路112は、ホストHAから受信したデータを速度倍率設定値116が示す数に分割したり、速度倍率設定値116が示す数のNAND側チャネルを経由して受信した速度倍率設定値116が示す数のデータを結合したりする。そして、分割・結合回路112は、速度倍率設定値116に応じた倍率の転送レートでホスト側チャネルを経由したデータ転送を実行する。
図5は、第1の実施形態の分割・結合回路112によるデータの分割方法を説明するための模式的な図である。本図では、速度倍率設定値116が「2」であり、チャネルCH1およびチャネルCH3がデータ転送の経路として選択された場合を例に挙げて説明する。
ブリッジチップBCは、ホストHAから8ビットのバス幅を有するチャネルCH0を介してデータを受信し、当該データは分割・結合回路112に入力される。よって、ホストHAからのデータは、8ビット(即ち1バイト)単位で分割・結合回路112に入力される。図5において、データDY(Yは0以上の整数)は、ホスト側チャネルの転送の単位のサイズ、即ちチャネルCH0のバス幅のサイズ(即ちここでは1バイト)、の転送データである。データD0、データD1、データD2、データD3、データD4、およびデータD5のデータ列をホスト側チャネルから受信したとき、分割・結合回路112は、データD0、データD1、データD2、データD3、データD4、およびデータD5を、ホスト側チャネルの転送の単位、即ちデータDYの単位で、2つの経路に交互に振り分ける。これによって、分割・結合回路112は、データD0、データD2、およびデータD4のデータ列を一方の経路に出力し、データD1、データD3、およびデータD5のデータ列を他方の経路に出力する。
なお、分割・結合回路112から出力されたデータD0、データD2、およびデータD4のデータ列は、マルチプレクサ115および第2インタフェース102を経由して1つのNAND側チャネル(この例ではチャネルCH1)にデータ信号DQ#1[7:0]として入力される。また、データD1、データD3、およびデータD5のデータ列は、マルチプレクサ115および第2インタフェース102を経由して別の1つのNAND側チャネル(この例ではチャネルCH3)にデータ信号DQ#3[7:0]として入力される。ホスト側チャネルから入力されるデータ信号DQ[7:0]の転送レートと、NAND側チャネルに出力されるデータ信号DQ#1[7:0]およびデータ信号DQ#3[7:0]の合計の転送レートと、を等しくするために、分割・結合回路112は、データ信号DQ#1[7:0]およびデータ信号DQ#3[7:0]のそれぞれの転送周波数を、ホスト側チャネルから入力された1つのデータ信号DQ[7:0]の転送周波数の1/2にする。
このように、分割・結合回路112は、ホスト側チャネルから受信したデータを、転送の単位(この例では1バイト単位)で2つの経路に順に振り分けることによって、ホスト側チャネルから受信したデータを2つに分割する。
なお、速度倍率設定値116が「3」以上であっても、分割・結合回路112は、上記と同様に、ホスト側チャネルから受信したデータを、転送の単位(この例では1バイト単位)で速度倍率設定値116が示す数の経路に順に振り分ける。これによって、分割・結合回路112は、ホスト側チャネルから受信したデータを速度倍率設定値116が示す数に分割することができる。
速度倍率設定値116として「2」、「3」、および「4」のいずれが設定されても対応できるように、分割・結合回路112は、例えば、ホスト側チャネルを経由して受信したデータを2つに分割するための部分回路と、ホスト側チャネルを経由して受信したデータを3つに分割するための部分回路と、ホスト側チャネルを経由して受信したデータを4つに分割するための部分回路と、を備え得る。
一例として、分割・結合回路112に具備されるホスト側チャネルを経由して受信したデータを2つに分割するための部分回路201の構成の一例を図6に示す。本図に示される例によれば、部分回路201は、1/2分周器DIV1と、4つのフリップフロップFF1,FF2,FF3,FF4と、2つのセレクタSEL1,SEL2と、を備える。
1/2分周器DIV1のクロック入力端子、フリップフロップFF1のクロック入力端子、およびフリップフロップFF2のクロック入力端子には、ある周波数を有するクロック信号が共通入力される。図6の説明において、このクロック信号を、入力クロックと表記する。入力クロックは、ホストHAから入力されるストローブ信号(データストローブ信号DQSまたはリードイネーブル信号REn)に基づいて生成されたものであってもよいし、コントローラ103の内部で生成されたクロック信号であってもよい。当該入力クロックの周波数は、R[GHz]とする。
1/2分周器DIV1は、入力クロック信号を1/2分周したクロック信号を出力する。図6の説明において、1/2分周器DIV1が出力するクロック信号を、分周クロックと表記する。分周クロックは、セレクタSEL1の選択信号入力端子、セレクタSEL2の選択信号入力端子、フリップフロップFF3のクロック入力端子、およびフリップフロップFF4のクロック入力端子に共通入力される。
ホスト側チャネルから2R[Gbps]の転送レートで受信したデータ信号DQ[7:0]は、フリップフロップFF1のD入力端子に入力される。フリップフロップFF1のQ出力端子は、フリップフロップFF2のD入力端子に接続される。よって、フリップフロップFF2は、フリップフロップFF1が取り込んだデータDYを、フリップフロップFF1の取得タイミングよりも入力クロック信号の1クロック分だけ遅延したタイミングで取り込むことができる。
フリップフロップFF1のQ出力端子は、さらに、セレクタSEL1が備える2つの入力端子のうちの1つに接続される。フリップフロップFF2のQ出力端子は、セレクタSEL2が備える2つの入力端子のうちの1つに接続される。
セレクタSEL1の出力端子は、フリップフロップFF3のD入力端子に接続される。フリップフロップFF3のQ出力端子は、セレクタSEL1の2つの入力端子のうちの他の1つに接続される。
セレクタSEL1は、分周クロックが「0」を表す場合、フリップフロップFF1のQ出力端子から入力された信号を出力する。セレクタSEL1は、分周クロックが「1」を表す場合、フリップフロップFF3のQ出力端子から入力された信号を出力する。
セレクタSEL2の出力端子は、フリップフロップFF4のD入力端子に接続される。フリップフロップFF4のQ出力端子は、セレクタSEL2の2つの入力端子のうちの他の1つに接続される。
セレクタSEL2は、分周クロックが「0」を表す場合、フリップフロップFF4のQ出力端子から入力された信号を出力する。セレクタSEL2は、分周クロックが「1」を表す場合、フリップフロップFF2のQ出力端子から入力された信号を出力する。
部分回路201は、上記のように構成されたことにより、ホスト側チャネルから入力されたデータ信号DQ[7:0]を、ホスト側チャネルの転送の単位で2つに振り分けて分割する。部分回路201は、分割によって生成された2つのデータのうちの1つをフリップフロップFF3のQ出力端子からR[Gbps]の転送レートで出力し、当該2つのデータのうちの他の1つをフリップフロップFF4のQ出力端子からR[Gbps]の転送レートで出力することができる。フリップフロップFF3のQ出力端子から出力されたデータは、例えばチャネルCH1にデータ信号DQ#1[7:0]として送られる。フリップフロップFF4のQ出力端子から出力されたデータは、例えばチャネルCH3にデータ信号DQ#3[7:0]として送られる。
図7は、第1の実施形態の分割・結合回路112によるデータの結合方法を説明するための模式的な図である。本図でも、速度倍率設定値116が「2」であり、チャネルCH1およびチャネルCH3がデータ転送の経路として選択された場合を例に挙げて説明する。
図7は、ブリッジチップBCが、チャネルCH1からデータD10、データD11、およびデータ12のデータ列をデータ信号DQ#1[7:0]としてR[Gpbs]の転送レートで受信し、これと並行して、チャネルCH3からデータD20、データD21、およびデータD22のデータ列をデータ信号DQ#3[7:0]としてR[Gpbs]の転送レートで受信した場合の例示である。この例では、分割・結合回路112は、これらの2つのデータ列からホスト側チャネルの転送の単位、即ちこの例では1バイトのデータDYの単位で交互に1つずつ取得して、取得したデータDYを取得した順で順次結合する。これによって、分割・結合回路112は、データD10、データD20、データD11、データD21、データD12、およびデータD22がこの順で並んだデータ列を生成する。そして、分割・結合回路112は、生成したデータD10、データD20、データD11、データD21、データD12、およびデータD22のデータ列を出力する。
分割・結合回路112は、2つのデータ列が入力されたときの転送周波数の2倍の周波数で、結合された1つのデータ列を出力する。結合された1つのデータ列は、ホスト側チャネルを介してホストHAにデータ信号DQ[7:0]として転送される。
なお、速度倍率設定値116が「3」以上であっても、分割・結合回路112は、上記と同様に、速度倍率設定値116が示す数のデータ列から、ホスト側チャネルの転送の単位(この例では1バイト単位)で順に取得して取得順に結合することによって、1つのデータ列を生成し得る。
例えば、速度倍率設定値116として「2」、「3」、および「4」のいずれが設定されても対応できるように、分割・結合回路112は、それぞれ異なるNAND側チャネルから受信した2つのデータを結合するための部分回路と、それぞれ異なるNAND側チャネルから受信した3つのデータを結合するための部分回路と、それぞれ異なるNAND側チャネルから受信した4つのデータを結合するための部分回路と、を備え得る。
一例として、分割・結合回路112に具備される、それぞれ異なるNAND側チャネルから受信した2つのデータを結合するための部分回路202の構成の一例を図8に示す。本図に示される例によれば、部分回路202は、1/2分周器DIV2と、3つのフリップフロップFF5,FF6,FF7と、1つのセレクタSEL3と、を備える。
1/2分周器DIV2のクロック入力端子およびフリップフロップFF5のクロック入力端子には、ある周波数を有するクロック信号が共通入力される。図8の説明において、このクロック信号を、入力クロックと表記する。入力クロックは、ホストHAから入力されるストローブ信号(データストローブ信号DQSまたはリードイネーブル信号REn)に基づいて生成されたものであってもよいし、コントローラ103の内部で生成されたクロック信号であってもよい。当該入力クロックの周波数は、R[GHz]とする。
1/2分周器DIV2は、入力クロック信号を1/2分周したクロック信号を出力する。図8の説明において、1/2分周器DIV2が出力するクロック信号を、分周クロックと表記する。分周クロックは、セレクタSEL3の選択信号入力端子、フリップフロップFF6のクロック入力端子、およびフリップフロップFF7のクロック入力端子に共通入力される。
フリップフロップFF6のD入力端子には、チャネルCH1からR[Gpbs]の転送レートで受信した8ビット幅のデータ信号DQ#1[7:0]が入力される。フリップフロップFF7のD入力端子には、チャネルCH3からR[Gpbs]の転送レートで受信した8ビット幅のデータ信号DQ#3[7:0]が入力される。フリップフロップFF6のQ出力端子は、セレクタSEL3の2つの入力端子のうちの1つに接続される。フリップフロップFF7のQ出力端子は、セレクタSEL3の2つの入力端子のうちの他の1つに接続される。
セレクタSEL3は、分周クロックが「0」を表す場合、フリップフロップFF6のQ出力端子から入力された信号を出力する。セレクタSEL3は、分周クロックが「1」を表す場合、フリップフロップFF7のQ出力端子から入力された信号を出力する。セレクタSEL3から出力された信号は、フリップフロップFF5のD入力端子に入力される。
部分回路202は、上記のように構成されたことにより、チャネルCH1からR[Gpbs]の転送レートで受信した8ビット幅のデータ信号DQ#1[7:0]と、チャネルCH3からR[Gpbs]の転送レートで受信した8ビット幅のデータ信号DQ#3[7:0]と、をホスト側チャネルの転送の単位毎に交互に順に取得して結合し、結合によって生成されたデータをフリップフロックFF5のQ出力端子から2R[Gpbs]の転送レートで出力することができる。フリップフロックFF5のQ出力端子から出力されたデータは、ホスト側チャネルに送られる。
続いて、第1の実施形態にかかるメモリシステムSYSの動作を説明する。
図9は、第1の実施形態にかかる速度倍率設定値116を設定する動作の一例を示すフローチャートである。
まず、ホストHAは、チップイネーブル信号CEnをアクティブ化する(S101)。そして、ホストHAは、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnをアクティブ化する(S102)。
ブリッジチップBCは、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnがアクティブ化されたことによって、非ブリッジ制御モードからブリッジ制御モードに遷移する(S103)。
ホストHAは、ブリッジチップBC内のレジスタ114に、速度倍率設定値116を設定する(S104)。
例えば、ホストHAは、セットフィーチャコマンドを送信することによって、ブリッジチップBC内のレジスタ114に速度倍率設定値116を設定することができる。ブリッジチップBCは、ブリッジ制御モードの状態でセットフィーチャコマンドを受信すると、当該セットフィーチャコマンドを何れのメモリチップCPにも転送せずに実行する。ホストHAは、セットフィーチャコマンドとともに速度倍率設定値116を送信すれば、ブリッジチップBCでは、コマンドデコーダ111は、当該セットフィーチャコマンドに応じて、速度倍率設定値116をレジスタ114に格納する。
または、ホストHAは、独自のコマンドを用いて速度倍率設定値116を設定することができる。ブリッジ制御モードの状態のブリッジチップBCは、何れのコマンドもメモリチップCPに転送しない。よって、ホストHAのベンダーは、ブリッジ制御モードの状態のブリッジチップBCが実行可能な独自のコマンドを定義することができる。ベンダーは、ブリッジチップBCのレジスタ114に速度倍率設定値116を格納するための独自のコマンドを定義すれば、ホストHAは、当該独自のコマンドを用いて速度倍率設定値116を設定することが可能である。
速度倍率設定値116としては、ブリッジチップBCに接続されたNAND側チャネルの数以下の値が設定可能である。ここでは一例として、ホストHAは、速度倍率設定値116として、「1」、「2」、または「4」を設定することができる。
速度倍率設定値116の設定が完了すると、ホストHAは、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnを非アクティブ化する(S105)。これによって、ブリッジチップBCは、ブリッジ制御モードから非ブリッジ制御モードに遷移する(S106)。続いて、ホストHAは、チップイネーブル信号CEnを非アクティブ化する(S107)。そして、速度倍率設定値116を設定する動作が完了する。
なお、図9に示された一連の動作は、任意のタイミングで実行され得る。図9に示された一連の動作は、速度倍率設定値116をメモリシステムSYSの起動の後に最初に設定する場合のみならず、いったん速度倍率設定値116が設定された後に速度倍率設定値116を変更する際にも実行される。
図10は、第1の実施形態のメモリシステムSYSによるライト動作における各種信号の波形を示すタイミングチャートである。なお、本図では、速度倍率設定値116が「2」であり、チャネルCH1に接続された或るメモリチップCP1と、チャネルCH3に接続された或るメモリチップCP3と、がライトの対象であることとする。また、本図に示される一連の動作は、ブリッジチップBCが非ブリッジ制御モードに維持された状態で実行される。本図には、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnの図示が省略されている。
ライト動作の開始にあたっては、ホストHAは、チップイネーブル信号CEnがアクティブ化された状態で、データ入力コマンドを送信する(S201)。具体的には、ホストHAは、ページ種別を表すコマンド値C1、ライトデータの送信を予告するコマンド値C2、およびライト位置を表すアドレス値ADRをこの順で送信する。
なお、この例では、各メモリチップCPは、1つのワード線あたり複数ページのデータの格納が可能に構成されている。ページ種別は、1つのワード線に格納される複数ページの何れかを示す。例えば、1つのワードラインに3ページのデータが格納される方式では、当該3ページのそれぞれは、アッパーページ、ミドルページ、ロワーページ、と称される。コマンドC1は、例えば、アッパーページ、ミドルページ、およびロワーページのうちの何れかを示す。
また、1つのワードラインに複数のページのデータが格納される方式では、同一のワードラインにライトされる全てのページの分のデータがメモリチップCPに入力された後、当該メモリチップCPは、当該ワードラインへのデータのライトを実行する。そのような場合、ホストHAによるデータ入力コマンドおよびライトデータの送信は、1つのワードラインに格納される全ページのデータの分だけ繰り返し実行される。図10は、複数回繰り返されるホストHAによるデータ入力コマンドおよびライトデータの送信のうちの、最後に実行される処理を示している。
コマンド値C1およびコマンド値C2の送信の際には、ホストHAは、コマンドラッチイネーブル信号CLEをアクティブ状態(Hレベル)に維持するとともに、ライトイネーブル信号WEnのトグルを行う。アドレス値ADRの送信の際には、ホストHAは、アドレスラッチイネーブル信号ALEをアクティブ状態(Hレベル)に維持するとともに、ライトイネーブル信号WEnのトグルを行う。
ブリッジチップBCは、データ入力コマンドを受信すると、受信したデータ入力コマンドをチャネルCH1およびチャネルCH3を介して2つのメモリチップCPに並列に転送する(S202,S203)。
ホストHAは、データ入力コマンドの送信が終わると、ライトデータの送信を行う(S204)。ここで、ホストHAは、1つのNAND側チャネルの転送周波数の2倍の周波数でライトデータの送信を行う。なお、ライトデータの送信の際には、ホストHAは、データストローブ信号DQS/DQSnのトグルを行う。
ブリッジチップBCがホストHAからライトデータを受信すると、受信したライトデータを部分回路201が1バイトごとに2つに振り分けることによって、受信したライトデータを2つのライトデータに分割する。ブリッジチップBCは、当該2つのライトデータのうちの1つを、チャネルCH1を介してチャネルCH1に接続されたライトの対象のメモリチップCP1に送信する(S205)。また、ブリッジチップBCは、当該2つのライトデータのうちの他の1つを、チャネルCH3を介してチャネルCH3に接続されたライトの対象のメモリチップCP3に送信する(S206)。例えば本図において、S204によってホスト側チャネルから受信したライトデータのうちの斜線ハッチングが施されていないデータは、チャネルCH1に転送され、斜線ハッチングが施されたデータは、チャネルCH3に転送される。なお、S205およびS206では、ブリッジチップBCは、S204によって受信したライトデータの転送周波数の半分の転送周波数で分割後のライトデータを転送する。ブリッジチップBCは、S205とS206の動作を、並列に実行する。
続いて、ホストHAは、ライトの開始を指示するコマンド値C3を送信する(S207)。コマンド値C3の送信の際には、ホストHAは、コマンドラッチイネーブル信号CLEをアクティブ状態(Hレベル)に維持するとともに、ライトイネーブル信号WEnのトグルを行う。
ブリッジチップBCは、コマンド値C3を受信すると、受信したコマンド値C3を2つのライトの対象のメモリチップCP1,CP3に並列に転送する(S208,S209)。当該2つのメモリチップCP1,CP3のそれぞれは、コマンド値C3を受信すると、自身が有するワードラインを制御してライトデータの書き込みを行う。
図11は、第1の実施形態のメモリシステムSYSによるリード動作における各種信号の波形を示すタイミングチャートである。なお、本図では、速度倍率設定値116が「2」であり、チャネルCH1に接続された或るメモリチップCP1と、チャネルCH3に接続された或るメモリチップCP3と、がリードの対象であることとする。また、本図に示される一連の動作は、ブリッジチップBCが非ブリッジ制御モードに維持された状態で実行される。なお、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnの図示が省略されている。
リード動作では、ホストHAは、チップイネーブル信号CEnがアクティブ化された状態で、データ出力コマンドを送信する(S301)。S301では、ホストHAは、データ出力コマンドを表すコマンド値C4,C5の対のうちのコマンド値C4、出力対象のデータの先頭の位置を表すアドレス値ADR、およびコマンド値C5、をこの順で送信する。コマンド値C4,C5の送信際には、ホストHAは、コマンドラッチイネーブル信号CLEをアクティブ状態(Hレベル)に維持するとともにライトイネーブル信号WEnをトグルする。アドレス値ADRの送信の際には、ホストHAは、アドレスラッチイネーブル信号ALEをアクティブ状態(Hレベル)に維持するとともに、ライトイネーブル信号WEnのトグルを行う。
ブリッジチップBCは、データ出力コマンドを受信すると、受信したデータ出力コマンドをチャネルCH1およびチャネルCH3を介して2つのメモリチップCPに並列に転送する(S302,S303)。
続いて、ホストHAは、リードイネーブル信号REn/REのトグルを開始する(S304)。ホストHAは、NAND側チャネルを転送されるリードイネーブル信号REn/REの2倍の周波数で、リードイネーブル信号REn/REをトグルする。
ブリッジチップBCは、チャネルCH0のリードイネーブル信号REn/REのトグルが開始されると、チャネルCH1およびチャネルCH3のリードイネーブル信号REn/REのトグルを開始する(S305,S306)。
チャネルCH1に接続されたリードの対象のメモリチップCP1およびチャネルCH3に接続されたリードの対象のメモリチップCP3のそれぞれは、リードイネーブル信号REn/REがトグルされると、リードデータの出力を開始する(S307,S308)。リードの対象のメモリチップCP1およびメモリチップCP3のそれぞれは、リードデータの出力の際には、データストローブ信号DQS/DQSnのトグルを行う。リードの対象のメモリチップCP1およびメモリチップCP3のそれぞれは、自身が受信したリードイネーブル信号REn/REの周波数と等しい周波数でデータストローブ信号DQS/DQSnをトグルする。
ブリッジチップBCは、リードの対象の2つのメモリチップCP1,CP3からリードデータを並列に受信する。すると、ブリッジチップBCでは、受信した2つのリードデータを部分回路202が結合する。そして、ブリッジチップBCは、結合されたリードデータを、1つのNAND側チャネルでのデータ転送の周波数の2倍の周波数でホストHAに送信する(S309)。ブリッジチップBCは、リードデータの送信の際には、データストローブ信号DQS/DQSnのトグルを行う。
以上に説明された例では、速度倍率設定値116は、ブリッジチップBCがブリッジ制御モードにあるときに設定されることとした。ブリッジチップBCは、非ブリッジ制御モードにおいて速度倍率設定値116の設定が可能に構成されてもよい。
また、ブリッジチップBCは、ブリッジ制御モードと非ブリッジ制御モードとの間の切り替えを、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnに基づいて実行する、として説明された。ブリッジ制御モードと非ブリッジ制御モードとの間の切り替えは、必ずしもブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnに基づかなくてもよい。例えば、ブリッジチップBCは、ホストHAからの特定のコマンドに基づいてブリッジ制御モードと非ブリッジ制御モードとの間の切り替えを実行してもよい。そのような場合には、チャネルCH0はブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnを転送する信号線を含んでいなくてもよい。
以上に説明された例では、ホスト側チャネルは8ビットのバス幅を有し、それぞれのNAND側チャネルは8ビットのバス幅を有する、として説明した。ホスト側チャネルのバス幅と、それぞれのNAND側チャネルのバス幅と、は互いに異なっていてもよい。
ホスト側チャネルのバス幅と、それぞれのNAND側チャネルのバス幅と、が互いに異なっている場合、分割・結合回路112は、ホスト側チャネルから受信したデータを、ホスト側チャネルのバス幅の単位でN個に順に振り分けることによって、ホスト側チャネルから受信したデータをN個に分割してN個のデータを並列に出力する。そして、分割・結合回路112は、分割されたそれぞれのデータの転送レートを、分割前のデータの転送レートの1/Nにする。また、分割・結合回路112は、N個のそれぞれ異なるNAND側チャネルからN個のデータを並列に受信した場合、当該N個のデータからホスト側チャネルのバス幅の単位でデータを取得して結合することによって当該N個のデータを1個に結合し、結合された1個のデータを出力する。そして、分割・結合回路112は、結合された1個のデータの転送レートを、結合前のN個のデータのそれぞれの転送レートのN倍にする。
以上述べたように、第1の実施形態によれば、ブリッジチップBCは、NAND側チャネルあたりの転送レートのN倍の転送レートでホスト側チャネルを介してデータを受信した場合、当該データをホスト側チャネルのバス幅の単位でN個に振り分けることによって当該データをN個のデータに分割し、分割によって生成されたN個のデータをそれぞれ異なるNAND側チャネルを介して並列にメモリチップCPの群に送信する。また、ブリッジチップBCは、N個のNAND側チャネルからN個のデータを並列に受信した場合、当該N個のデータをホスト側チャネルのバス幅の単位で順に結合することによって1個のデータを生成し、当該1個のデータをホスト側チャネルを介してNAND側チャネルあたりの転送レートのN倍の転送レートでホストHAに送信する。
これによって、半導体記憶装置1は、高い転送レートでデータの入出力が可能となる。
なお、第1の実施形態と比較される技術として、ブリッジチップにおいて、ホストから受信したデータをページ単位でN個に振り分けることによってホストから受信したデータをN個に分割したり、それぞれ異なるNAND側チャネルからN個のデータを受信して、受信したN個のデータからページ単位でデータを取得して結合したりする技術が考えられる。この技術を、比較例と表記する。比較例によれば、ページ単位でデータを振り分けたり、ページ単位でデータを結合したりするために、ブリッジチップは少なくとも1ページ以上のサイズの転送データを一時的に格納できるバッファを有する必要がある。
これに対し、第1の実施形態によれば、ブリッジチップBCは、データの振り分けおよび結合の単位は、ホスト側チャネルのバス幅の単位である。よって、ブリッジチップBCは、転送データを一時的に格納できるバッファの容量を比較例に比べて削減することができる。
また、比較例によれば、ライト動作においては、ブリッジチップは、ホストから受信してバッファに格納されたデータが1ページのサイズに到達するまで、最初の1ページの分のデータの出力を待つ必要がある。
これに対し、第1の実施形態によれば、ブリッジチップBCは、ホストから受信したデータの量が1ページのサイズに到達する前にデータの出力を開始することができる。
また、第1の実施形態によれば、Nは、速度倍率設定値116としてホストHAから設定可能にブリッジチップBCが構成されている。
よって、半導体記憶装置1は、データの入出力の際の転送レートが可変に構成される。
なお、ブリッジチップBCは、ライト動作とリード動作とでデータ転送の系統の数を異ならせることが可能に構成されてもよい。例えば、ブリッジチップBCは、NAND側チャネルあたりの転送レートのN倍の転送レートでホスト側チャネルを介してデータを受信した場合、当該データをホスト側チャネルのバス幅の単位でN個に振り分けることによって当該データをN個のデータに分割し、分割によって生成されたN個のデータをそれぞれ異なるNAND側チャネルを介して並列にメモリチップCPの群に送信する。また、ブリッジチップBCは、L(ただしLは2以上かつM以下で、Nと異なる自然数)個のNAND側チャネルからL個のデータを並列に受信した場合、当該L個のデータをホスト側チャネルのバス幅の単位で結合することによって1個のデータを生成し、当該1個のデータをホスト側チャネルを介してNAND側チャネルあたりの転送レートのL倍の転送レートでホストHAに送信する。
(第2の実施形態)
第1の実施形態によれば、分割・結合回路112は、ホスト側チャネルを経由して受信したデータを、転送の単位で複数の経路に順に振り分けることによって、ホスト側チャネルを経由して受信したデータを複数に分割した。
第1の実施形態によれば、分割・結合回路112は、ホスト側チャネルを経由して受信したデータを、転送の単位で複数の経路に順に振り分けることによって、ホスト側チャネルを経由して受信したデータを複数に分割した。
これに対し、第2の実施形態では、分割・結合回路(分割・結合回路112a)は、ホスト側チャネルから受信したデータを、ホスト側チャネルのバス幅の単位の各データをバス幅よりも小さいビット幅のN個のデータに分割することによって、ホスト側チャネルから受信したデータをN個に分割する。例えば、ホスト側チャネルのバス幅が8ビットである場合、ブリッジチップ(ブリッジチップBCa)は、データ信号DQを、バス幅方向に並ぶ8ビットのビット列ごとに受信する。分割・結合回路112aは、受信したバス幅方向に並ぶ8ビットのビット列を、N個に分割する。分割・結合回路112aは、受信したデータ信号DQ[7:0]を、逐次受信するバス幅方向に並ぶ8ビットのビット列のそれぞれをN個に分割することによって、ホスト側チャネルから受信したデータをN個のデータに分割する。このように、ホスト側チャネルから逐次受信するバス幅方向に並ぶビット列のそれぞれをN個に分割することによってホスト側チャネルからのデータをN個に分割する方式を、空間分割方式と表記する。
以下に、第2の実施形態のメモリシステムSYSaについて説明する。なお、第1の実施形態のメモリシステムSYSが備える構成要素と同じ構成要素には、第1の実施形態と同じ名称および符号を付す。そして、第1の実施形態のメモリシステムSYSが備える構成要素と同じ構成要素については、簡略的に説明するか、または説明を省略する。
図12は、第2の実施形態にかかるメモリシステムSYSaの構成の一例を示す模式的な図である。
メモリシステムSYSaは、ホストHA及び半導体記憶装置1aを含む。半導体記憶装置1aは、ブリッジチップBCaおよび複数のメモリチップCPを備える。図12に示される例では、半導体記憶装置1aは、16個のメモリチップCPを備える。
ブリッジチップBCaは、外部端子群10とM個のチャネル(ここでは一例として4個のチャネルCH1,CH2,CH3,CH4)との間に電気的に接続されている。外部端子群10は、チャネルCH0を介してホストHAに電気的に接続されている。
16個のメモリチップCPは、第1の実施形態と同様、チャネルCH1,CH2,CH3,CH4を介してブリッジチップBCaに接続されている。
チャネルCH0,CH1,CH2,CH3,CH4の構成は、第1の実施形態と同じである。
ブリッジチップBCaは、第1インタフェース101と、4個の第2インタフェース102と、コントローラ103aと、を備える。コントローラ103aは、コマンドデコーダ111、分割・結合回路112a、マスク回路113、レジスタ114、およびマルチプレクサ(MUX)115を備える。レジスタ114には、速度倍率設定値116が設定される。
分割・結合回路112aは、ホストHAから受信したデータを速度倍率設定値116が示す数に分割したり、速度倍率設定値116が示す数のNAND側チャネルを経由して受信した速度倍率設定値116が示す数のデータを結合したりする。そして、分割・結合回路112aは、速度倍率設定値116に応じた転送レートでホスト側チャネルを経由したデータ転送を実行する。これによって、第2の実施形態においても、ブリッジチップBCaは、図2~図4を用いて説明されたデータ転送が可能である。
なお、ホスト側チャネルを構成する信号線群のうちのデータ信号DQ[7:0]を転送する信号線は、データを転送する信号線の一例である。ホスト側チャネルを転送されるリードイネーブル信号REn/REおよびデータストローブ信号DQS/DQSnは、データ信号DQ[7:0]を転送する信号線でのデータ信号を制御する制御信号の一例である。ホスト側チャネルを構成する信号線群のうちのリードイネーブル信号REn/REを転送する信号線およびデータストローブ信号DQS/DQSnを転送する信号線の組は、データ信号DQ[7:0]を転送する信号線でのデータ転送を制御する制御信号を転送する信号線群の一例である。コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、およびライトイネーブル信号WEnは、データ信号DQ[7:0]を転送する信号線でのコマンドおよびアドレスの転送を制御する制御信号の一例である。ホスト側チャネルを構成する信号線群のうちのコマンドラッチイネーブル信号CLEを転送する信号線、アドレスラッチイネーブル信号ALEを転送する信号線、およびライトイネーブル信号WEnを転送する信号線の組は、データ信号DQ[7:0]を転送する信号線でのコマンドおよびアドレスの転送を制御する制御信号を転送する信号線群の一例である。
図13は、第2の実施形態の分割・結合回路112aによるデータの分割方法を説明するための模式的な図である。本図では、速度倍率設定値116が「2」であり、チャネルCH1およびチャネルCH3がデータ転送の経路として選択された場合を例に挙げて説明する。
分割・結合回路112aは、ホストHAからのデータを空間分割方式で2つに分割し、分割されたそれぞれのデータを、NAND側チャネルの転送のビット幅と同じビット幅で出力する。
図13に示される例では、分割・結合回路112aは、ホスト側チャネルから受信したデータ信号DQ[7:0]のうちのデータ信号DQ[3:0]として受信したデータD30,D31,D32のそれぞれに対し、4ビットからNAND側チャネルのバス幅と等しいビット幅である8ビットへのビット幅の変換を実行する。そして、分割・結合回路112aは、データD30,D31,D32のデータ列を、8ビットのビット幅で出力する。分割・結合回路112aから出力されたデータD30,D31,D32のデータ列は、例えば、データ信号DQ#1[7:0]としてチャネルCH1を転送される。
また、分割・結合回路112aは、ホスト側チャネルから受信したデータ信号DQ[7:0]のうちのデータ信号DQ[7:4]として受信したデータD40,D41,D42に対し、4ビットからNAND側チャネルのバス幅と等しいビット幅である8ビットへのビット幅の変換を実行する。そして、分割・結合回路112aは、データD40,D41,D42のデータ列を、8ビットのビット幅で出力する。分割・結合回路112aから出力されたデータD40,D41,D42のデータ列は、例えば、データ信号DQ#3[7:0]としてチャネルCH3を転送される。
なお、分割・結合回路112aは、1つのNAND側チャネルの転送レートの2倍の転送レートでホストHAからのデータを受信する。分割・結合回路112aは、2つのデータ列のそれぞれを、入力されたデータ信号DQ[7:0]の転送周波数の1/2の転送周波数で出力する。
このように、分割・結合回路112aは、ホスト側チャネルを経由して受信したデータを、空間分割方式で2つに分割する。
なお、速度倍率設定値116が「3」以上であっても、分割・結合回路112は、上記と同様に、ホスト側チャネルから受信したデータを、空間分割方式で速度倍率設定値116が示す数に分割することができる。
例えば、速度倍率設定値116が「4」である場合、分割・結合回路112aは、ホスト側チャネルを経由して受信したデータ信号DQ[7:0]のうちのデータ信号DQ[1:0]のビット列、データ信号DQ[3:2]のビット列、データ信号DQ[5:4]のビット列、およびデータ信号DQ[7:6]のビット列、のそれぞれを、8ビットのビット幅で出力する。
また、例えば、速度倍率設定値116が「3」である場合、分割・結合回路112aは、ホスト側チャネルを経由して受信したデータ信号DQ[7:0]のうちのデータ信号DQ[2:0]のビット列、データ信号DQ[5:3]のビット列、およびデータ信号DQ[7:6]のビット列のそれぞれを、8ビットのビット幅で出力する。なお、速度倍率設定値116が「3」である場合におけるホスト側チャネルを経由して受信したデータ信号DQ[7:0]のビット幅の分割比はこれに限定されない。
このように、分割・結合回路112aは、ホスト側チャネルを経由して受信したデータを、空間分割方式で複数に分割する。これによって、ホスト側チャネルを、ホスト側チャネルのバス幅よりも小さいバス幅のN系統の通信路として使用することが可能とされる。
分割・結合回路112aは、速度倍率設定値116として「2」、「3」、および「4」のいずれが設定されても対応できるように、ホスト側チャネルを経由して受信したデータを2つに分割するための部分回路と、ホスト側チャネルを経由して受信したデータを3つに分割するための部分回路と、ホスト側チャネルを経由して受信したデータを4つに分割するための部分回路と、を備え得る。
一例として、分割・結合回路112aに具備されるホスト側チャネルを経由して受信したデータを2つに分割するための部分回路201aの構成の一例を図14に示す。本図に示される例によれば、部分回路201aは、1/2分周器DIV3と、8つのフリップフロップFF11,FF12,FF13,FF14,FF15,FF16,FF17,FF18と、4つのセレクタSEL11,SEL12,SEL13,SEL14と、を備える。
1/2分周器DIV3のクロック入力端子、フリップフロップFF11のクロック入力端子、フリップフロップFF12のクロック入力端子、フリップフロップFF13のクロック入力端子、およびフリップフロップFF14のクロック入力端子には、ある周波数を有するクロック信号が共通入力される。図14の説明において、このクロック信号を、入力クロックと表記する。入力クロックは、ホストHAから入力されるストローブ信号(データストローブ信号DQSまたはリードイネーブル信号REn)に基づいて生成されたものであってもよいし、コントローラ103の内部で生成されたクロック信号であってもよい。当該入力クロックの周波数は、R[GHz]とする。
1/2分周器DIV3は、入力クロック信号を1/2分周したクロック信号を出力する。図14の説明において、1/2分周器DIV3が出力するクロック信号を、分周クロックと表記する。分周クロックは、セレクタSEL11の選択信号入力端子、セレクタSEL12の選択信号入力端子、セレクタSEL13の選択信号入力端子、セレクタSEL14の選択信号入力端子、フリップフロップFF15のクロック入力端子、フリップフロップFF16のクロック入力端子、フリップフロップFF17のクロック入力端子、および
フリップフロップFF18のクロック入力端子に共通入力される。
フリップフロップFF18のクロック入力端子に共通入力される。
ホスト側チャネルから2R[Gbps]の転送レートで受信したデータ信号DQ[7:0]のうちのデータ信号DQ[3:0]は、フリップフロップFF11のD入力端子に入力される。フリップフロップFF11のQ出力端子は、フリップフロップFF12のD入力端子に接続される。よって、フリップフロップFF12は、フリップフロップFF11が取り込んだデータを、フリップフロップFF11よりも入力クロック信号の1クロック分だけ遅延して取り込むことができる。
ホスト側チャネルから2R[Gbps]の転送レートで受信したデータ信号DQ[7:0]のうちのデータ信号DQ[7:4]は、フリップフロップFF13のD入力端子に入力される。フリップフロップFF13のQ出力端子は、フリップフロップFF14のD入力端子に接続される。よって、フリップフロップFF14は、フリップフロップFF13が取り込んだデータを、フリップフロップFF13よりも入力クロック信号の1クロック分だけ遅延して取り込むことができる。
フリップフロップFF11のQ出力端子は、さらに、セレクタSEL11が備える2つの入力端子のうちの1つに接続される。フリップフロップFF12のQ出力端子は、セレクタSEL12が備える2つの入力端子のうちの1つに接続される。フリップフロップFF13のQ出力端子は、さらに、セレクタSEL13が備える2つの入力端子のうちの1つに接続される。フリップフロップFF14のQ出力端子は、セレクタSEL14が備える2つの入力端子のうちの1つに接続される。
セレクタSEL11の出力端子は、フリップフロップFF15のD入力端子に接続される。フリップフロップFF15のQ出力端子は、セレクタSEL11の2つの入力端子のうちの他の1つに接続される。
セレクタSEL11は、分周クロックが「0」を表す場合、フリップフロップFF11のQ出力端子から入力された信号を出力する。セレクタSEL11は、分周クロックが「1」を表す場合、フリップフロップFF15のQ出力端子から入力された信号を出力する。
セレクタSEL12の出力端子は、フリップフロップFF16のD入力端子に接続される。フリップフロップFF16のQ出力端子は、セレクタSEL12の2つの入力端子のうちの他の1つに接続される。
セレクタSEL12は、分周クロックが「0」を表す場合、フリップフロップFF16のQ出力端子から入力された信号を出力する。セレクタSEL12は、分周クロックが「1」を表す場合、フリップフロップFF12のQ出力端子から入力された信号を出力する。
セレクタSEL13の出力端子は、フリップフロップFF17のD入力端子に接続される。フリップフロップFF17のQ出力端子は、セレクタSEL13の2つの入力端子のうちの他の1つに接続される。
セレクタSEL13は、分周クロックが「0」を表す場合、フリップフロップFF13のQ出力端子から入力された信号を出力する。セレクタSEL13は、分周クロックが「1」を表す場合、フリップフロップFF17のQ出力端子から入力された信号を出力する。
セレクタSEL14の出力端子は、フリップフロップFF18のD入力端子に接続される。フリップフロップFF18のQ出力端子は、セレクタSEL14の2つの入力端子のうちの他の1つに接続される。
セレクタSEL14は、分周クロックが「0」を表す場合、フリップフロップFF18のQ出力端子から入力された信号を出力する。セレクタSEL14は、分周クロックが「1」を表す場合、フリップフロップFF14のQ出力端子から入力された信号を出力する。
部分回路201aは、上記のように構成されたことにより、ホストHAから入力されたデータ信号DQ[7:0]のうちのデータ信号DQ[3:0]として受信したデータを、フリップフロップFF15のQ出力端子およびフリップフロップFF16のQ出力端子から合計8ビットのビット幅のデータとしてR[Gbps]の転送レートで出力することができる。フリップフロップFF15のQ出力端子およびフリップフロップFF16のQ出力端子から出力されたデータは、例えばチャネルCH1にデータ信号DQ#1[7:0]として送られる。また、部分回路201aは、ホストHAから入力されたデータ信号DQ[7:0]のうちのデータ信号DQ[7:4]として受信したデータを、フリップフロップFF17のQ出力端子およびフリップフロップFF18のQ出力端子から合計8ビットのビット幅のデータとしてR[Gbps]の転送レートで出力することができる。フリップフロップFF17のQ出力端子およびフリップフロップFF18のQ出力端子から出力されたデータは、例えばチャネルCH3にデータ信号DQ#3[7:0]として送られる。
図15は、第2の実施形態の分割・結合回路112aによるデータの結合方法を説明するための模式的な図である。本図でも、速度倍率設定値116が「2」であり、チャネルCH1およびチャネルCH3がデータ転送の経路として選択された場合を例に挙げて説明する。
分割・結合回路112aは、チャネルCH1を経由して受信したデータおよびチャネルCH1を経由して受信したデータをビット幅方向に結合し、結合されたデータを出力する。分割・結合回路112aは、結合後のデータのビット幅がホスト側チャネルの転送のビット幅と等しくなるように、結合前の2つのデータのビット幅の変換を行う。
図15に示される例では、分割・結合回路112aは、チャネルCH1からデータ信号DQ#1[7:0]として受信したデータD50,D51,D52のデータ列と、チャネルCH3からデータ信号DQ#3[7:0]として受信したデータD60,D61,D62のデータ列と、が入力される。そのような場合、分割・結合回路112aは、データD50,D51,D52のデータ列およびデータD60,D61,D62のデータ列のそれぞれのビット幅を、8ビットから4ビットに変換する。そして、分割・結合回路112aは、データD50,D51,D52のデータ列と、データD60,D61,D62のデータ列と、をビット幅方向に結合して、ホスト側チャネルに供給されるデータ信号DQ[7:0]として出力する。即ち、データD50,D51,D52のデータ列は、データ信号DQ[7:0]のうちのデータ信号[3:0]としてホストHAに転送され、データD60,D61,D62のデータ列は、データ信号DQ[7:0]のうちのデータ信号[7:4]としてホストHAに転送される。
なお、分割・結合回路112aは、結合後のデータ列を、1つのNAND側チャネルの転送レートの2倍の転送レートで出力する。この例では、結合後のデータ列の転送レートを1つのNAND側チャネルの転送レートの2倍とするために、分割・結合回路112aは、結合後のデータ列の転送周波数を、入力されたデータ信号DQ#1[7:0]およびデータ信号DQ#3[7:0]の転送周波数の2倍の転送周波数で出力する。
このように、分割・結合回路112aは、複数のNAND側チャネルから並列に受信した複数のデータを、ビット幅方向に結合して出力する。
なお、速度倍率設定値116が「3」以上であっても、分割・結合回路112aは、上記と同様に、速度倍率設定値116が示す数のデータをビット方向に結合することによって、1つのデータ列を生成し得る。
分割・結合回路112aは、複数のデータを1つに結合するための部分回路を、結合数として設定可能な値毎に個別に有し得る。例えば、速度倍率設定値116として「2」、「3」、および「4」のいずれが設定されても対応できるように、分割・結合回路112aは、それぞれ異なるNAND側チャネルを経由して受信した2つのデータを結合するための部分回路と、それぞれ異なるNAND側チャネルを経由して受信した3つのデータを結合するための部分回路と、それぞれ異なるNAND側チャネルを経由して受信した4つのデータを結合するための部分回路と、を備え得る。
一例として、分割・結合回路112aに具備される、それぞれ異なるNAND側チャネルを経由して受信した2つのデータを結合するための部分回路202aの構成の一例を図16に示す。本図に示される例によれば、部分回路202aは、1/2分周器DIV4と、フリップフロップFF21,FF22,FF23,FF24,FF25,FF26と、セレクタSEL21,22と、を備える。
1/2分周器DIV4のクロック入力端子、フリップフロップFF21のクロック入力端子、およびフリップフロップFF22のクロック入力端子には、ある周波数を有するクロック信号が共通入力される。図16の説明において、このクロック信号を、入力クロックと表記する。入力クロックは、ホストHAから入力されるストローブ信号(データストローブ信号DQSまたはリードイネーブル信号REn)に基づいて生成されたものであってもよいし、コントローラ103の内部で生成されたクロック信号であってもよい。当該入力クロックの周波数は、R[GHz]とする。
1/2分周器DIV4は、入力クロック信号を1/2分周したクロック信号を出力する。図16の説明において、1/2分周器DIV4が出力するクロック信号を、分周クロックと表記する。分周クロックは、セレクタSEL21の選択信号入力端子、フリップフロップFF23のクロック入力端子、フリップフロップFF24のクロック入力端子、フリップフロップFF25のクロック入力端子、およびフリップフロップFF26のクロック入力端子に共通入力される。
チャネルCH1からR[Gpbs]の転送レートで受信した8ビット幅のデータ信号DQ#1[7:0]のうちのデータ信号DQ#1[3:0]は、フリップフロップFF23のD入力端子に入力される。フリップフロップFF23のQ出力端子は、セレクタSEL21の2つの入力端子のうちの1つに接続される。
チャネルCH1からR[Gpbs]の転送レートで受信した8ビット幅のデータ信号DQ#1[7:0]のうちのデータ信号DQ#1[7:4]は、フリップフロップFF24のD入力端子に入力される。フリップフロップFF24のQ出力端子は、セレクタSEL21の2つの入力端子のうちの他の1つに接続される。
セレクタSEL21は、分周クロックが「0」を表す場合、フリップフロップFF23のQ出力端子から入力された信号を出力する。セレクタSEL21は、分周クロックが「1」を表す場合、フリップフロップFF24のQ出力端子から入力された信号を出力する。
セレクタSEL21の出力端子は、フリップフロップFF21のD入力端子に接続される。よって、フリップフロップFF21のQ出力端子は、データ信号DQ#1[7:0]として入力されたデータを、4ビットのビット幅でかつデータ信号DQ#1[7:0]の転送周波数の2倍の転送周波数で出力することができる。
チャネルCH3からR[Gpbs]の転送レートで受信した8ビット幅のデータ信号DQ#3[7:0]のうちのデータ信号DQ#3[3:0]は、フリップフロップFF25のD入力端子に入力される。フリップフロップFF25のQ出力端子は、セレクタSEL22の2つの入力端子のうちの1つに接続される。
チャネルCH3からR[Gpbs]の転送レートで受信した8ビット幅のデータ信号DQ#3[7:0]のうちのデータ信号DQ#3[7:4]は、フリップフロップFF26のD入力端子に入力される。フリップフロップFF26のQ出力端子は、セレクタSEL22の2つの入力端子のうちの他の1つに接続される。
セレクタSEL22は、分周クロックが「0」を表す場合、フリップフロップFF25のQ出力端子から入力された信号を出力する。セレクタSEL22は、分周クロックが「1」を表す場合、フリップフロップFF26のQ出力端子から入力された信号を出力する。
セレクタSEL26の出力端子は、フリップフロップFF22のD入力端子に接続される。よって、フリップフロップFF22のQ出力端子は、データ信号DQ#3[7:0]として入力されたデータを、4ビットのビット幅でかつデータ信号DQ#3[7:0]の転送周波数の2倍の転送周波数で出力することができる。
フリップフロップFF21のQ出力端子から出力されたデータは、ホストHAにデータ信号DQ[3:0]として転送される。フリップフロップFF22のQ出力端子から出力されたデータは、ホストHAにデータ信号DQ[7:4]として転送される。よって、部分回路202aは、それぞれ異なるNAND側チャネルからR[Gpbs]の転送レートで受信した2つのデータを1つに結合して、結合された1つのデータを2R[Gpbs]の転送レートでホスト側チャネルのバス幅で出力することが可能である。
図17は、第2の実施形態のメモリシステムSYSaによるライト動作における各種信号の波形を示すタイミングチャートである。なお、本図では、速度倍率設定値116が「2」であり、チャネルCH1に接続された或るメモリチップCP1と、チャネルCH3に接続された或るメモリチップCP3と、がライトの対象であることとする。また、本図に示される一連の動作は、ブリッジチップBCaが非ブリッジ制御モードに維持された状態で実行される。なお、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnの図示が省略されている。
まず、ホストHAは、チップイネーブル信号CEnがアクティブ化された状態で、データ入力コマンドを送信する(S401)。データ入力コマンドの構成は第1の実施形態と同様である。
ブリッジチップBCaは、データ入力コマンドを受信すると、受信したデータ入力コマンドをライトの対象のメモリチップCP1およびメモリチップCP3に宛てて並列に送信する(S402,S403)。
ホストHAは、データ入力コマンドの送信が終わると、ライトデータの送信を行う(S404)。ここで、ホストHAは、メモリチップCP1に宛てたライトデータ#1をデータ信号DQ[3:0]として送信し、メモリチップCP3に宛てたライトデータ#3をデータ信号DQ[7:4]として送信する。ホストHAは、ライトデータ#1およびライトデータ#3を並列にかつ同期して送信する。ホストHAは、データ信号DQ[7:0]を、NAND側チャネルのデータ信号DQ[7:0]の転送周波数の2倍の転送周波数で送信する。
ブリッジチップBCaがホストHAからライトデータ#1およびライトデータ#3を受信すると、部分回路201aがライトデータ#1およびライトデータ#3のそれぞれを4ビット幅のデータから8ビット幅のデータに変更する。ブリッジチップBCaは、ライトデータ#1を、リードの対象のメモリチップCP1にデータ信号DQ#1[7:0]として送信する(S405)。また、ブリッジチップBCaは、ライトデータ#3を、リードの対象の別のメモリチップCP3にデータ信号DQ#3[7:0]として送信する(S406)。ブリッジチップBCaは、S405およびS406の動作を、並列に実行する。データ信号DQ#1[7:0]およびデータ信号DQ#3[7:0]のそれぞれの転送周波数は、データ信号DQ[7:0]の転送周波数の1/2とされる。
続いて、ホストHAは、ライトの開始を指示するコマンド値C3を送信する(S407)。ブリッジチップBCaは、コマンド値C3を受信すると、受信したコマンド値C3をライトの対象のメモリチップCP1およびメモリチップCP3に宛てて並列に送信する(S408,S409)。リードの対象のメモリチップCP1およびメモリチップCP3のそれぞれは、コマンド値C3を受信すると、先んじて受信したライトデータを自身が有するワードラインを制御して書き込む。
図18は、第2の実施形態のメモリシステムSYSaによるリード動作における各種信号の波形を示すタイミングチャートである。なお、本図では、速度倍率設定値116が「2」であり、チャネルCH1に接続された或るメモリチップCP1と、チャネルCH3に接続された或るメモリチップCP3と、がリードの対象であることとする。また、本図に示される一連の動作は、ブリッジチップBCaが非ブリッジ制御モードに維持された状態で実行される。なお、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnの図示が省略されている。
まず、ホストHAは、チップイネーブル信号CEnがアクティブ化された状態で、データ出力コマンドを送信する(S501)。データ出力コマンドの構成は第1の実施形態と同様である。
ブリッジチップBCaは、データ出力コマンドを受信すると、受信したデータ出力コマンドをリードの対象のメモリチップCP1およびメモリチップCP3に宛てて並列に送信する(S502,S503)。
続いて、ホストHAは、リードイネーブル信号REn/REのトグルを開始する(S504)。ホストHAは、NAND側チャネルを転送されるリードイネーブル信号REn/REの2倍の周波数で、リードイネーブル信号REn/REをトグルする。
ブリッジチップBCaは、チャネルCH0のリードイネーブル信号REn/REのトグルが開始されると、チャネルCH1およびチャネルCH3のリードイネーブル信号REn/REのトグルを開始する(S505,S506)。
リードの対象のメモリチップCP1およびメモリチップCP3のそれぞれは、リードイネーブル信号REn/REがトグルされると、リードデータの出力を開始する(S507,S508)。リードの対象の2つのメモリチップCPは、リードデータの出力の際には、データストローブ信号DQS/DQSnのトグルを行う。リードの対象のメモリチップCP1およびメモリチップCP3のそれぞれは、自身が受信したリードイネーブル信号REn/REの周波数と等しい周波数でデータストローブ信号DQS/DQSnをトグルする。
なお、リードの対象のメモリチップCP1が出力するリードデータを、リードデータ#1と表記する。リードの対象のメモリチップCP3が出力するリードデータを、リードデータ#3と表記する。
ブリッジチップBCaは、リードデータ#1およびリードデータ#3を並列に受信する。すると、ブリッジチップBCaは、リードデータ#1およびリードデータ#3のそれぞれを8ビット幅のデータから4ビット幅のデータに変更する。そして、ブリッジチップBCaは、リードデータ#1およびリードデータ#3をビット幅方向に結合してホストHAに送信する(S509)。即ち、ブリッジチップBCaは、リードデータ#1をデータ信号DQ[3:0]とし、リードデータ#3をデータ信号DQ[7:4]として、並列にホストHAに送信する。なお、ブリッジチップBCaは、データ信号DQ[7:0]を、1つのNAND側チャネルでのデータ転送の周波数の2倍の周波数でホストHAに送信する。
このように、第2の実施形態によれば、ブリッジチップBCaは、NAND側チャネルあたりの転送レートのN倍の転送レートでホスト側チャネルを介してデータを受信した場合、当該データをNAND側チャネルのバス幅の単位ごとにNAND側チャネルのバス幅よりも小さいビット幅のデータに分割する。これにより、ブリッジチップBCaは、ホスト側チャネルを介して受信したデータをN個のデータに分割し、N個の第2データのそれぞれのビット幅を第2チャネルあたりのバス幅と等しいビット幅に変換し、その後、N個の第2データをN個のNAND側チャネルを介して並列にメモリチップCPの群に送信する。また、ブリッジチップBCaは、N個のNAND側チャネルからN個のデータを並列に受信した場合、N個のデータをそれぞれのビット幅をホスト側チャネルのビット幅よりも小さいビット幅に変換し、その後、当該N個のデータをビット幅方向に結合する。そして、ブリッジチップBCaは、結合されたデータをNAND側チャネルあたりの転送レートのN倍の転送レートでホスト側チャネルを介してホストHAに送信する。
これによって、半導体記憶装置1aは、高い転送レートでデータの入出力が可能となる。
また、ブリッジチップBCaは、転送データを一時的に格納するバッファの容量を前述した比較例に比べて削減することができる。
また、ブリッジチップBCaは、比較例と異なり、ライト動作において、ホストHAから受信したデータが1ページのサイズに到達する前にデータの出力を開始することができる。
また、第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同じく、Nは、速度倍率設定値としてホストHAから設定可能にブリッジチップBCaが構成されている。
なお、ブリッジチップBCaは、ライト動作とリード動作とでデータ転送の系統の数を異ならせることが可能に構成されてもよい。ブリッジチップBCaは、NAND側チャネルあたりの転送レートのN倍の転送レートでホスト側チャネルを介してデータを受信した場合、当該データをNAND側チャネルのバス幅の単位ごとにNAND側チャネルのバス幅よりも小さいビット幅のデータに分割する。これにより、ブリッジチップBCaは、ホスト側チャネルを介して受信したデータをN個のデータに分割し、N個の第2データのそれぞれのビット幅を第2チャネルあたりのバス幅と等しいビット幅に変換し、その後、N個の第2データをN個のNAND側チャネルを介して並列にメモリチップCPの群に送信する。また、ブリッジチップBCaは、L(ただしLは2以上かつM以下で、Nと異なる自然数)個のNAND側チャネルからL個のデータを並列に受信した場合、L個のデータをそれぞれのビット幅をホスト側チャネルのビット幅よりも小さいビット幅に変換し、その後、当該L個のデータをビット幅方向に結合する。そして、ブリッジチップBCaは、結合されたデータをNAND側チャネルあたりの転送レートのL倍の転送レートでホスト側チャネルを介してホストHAに送信する。
第2の実施形態にかかるメモリシステムSYSaの構成は、種々に変形することが可能である。以下に、第2の実施形態にかかるメモリシステムSYSaの構成の変形例をいくつか説明する。なお、以下の変形例では、上述された第2の実施形態にかかるメモリシステムSYSaの構成と異なる点について説明し、上述された第2の実施形態にかかるメモリシステムSYSaの構成と同じ点については説明を省略する。
(変形例1)
図19は、第2の実施形態の変形例1にかかるホスト側チャネル(即ちチャネルCH0)の構成を示す模式的な図である。変形例1によれば、ホスト側チャネルは、チップイネーブル信号CEnを転送する信号線、データストローブ信号DQS/DQSnを転送する信号線、およびリードイネーブル信号REn/REを転送する信号線からなる組を、NAND側チャネル毎に含んでいる。第Zの組を転送されるチップイネーブル信号CEn、データストローブ信号DQS/DQSn、およびリードイネーブル信号REn/REを、チップイネーブル信号CEn#HZ、データストローブ信号DQS/DQSn#HZ、およびリードイネーブル信号REn/RE#HZと表記する。なお、Zは、ここでは1から4までの自然数である。
図19は、第2の実施形態の変形例1にかかるホスト側チャネル(即ちチャネルCH0)の構成を示す模式的な図である。変形例1によれば、ホスト側チャネルは、チップイネーブル信号CEnを転送する信号線、データストローブ信号DQS/DQSnを転送する信号線、およびリードイネーブル信号REn/REを転送する信号線からなる組を、NAND側チャネル毎に含んでいる。第Zの組を転送されるチップイネーブル信号CEn、データストローブ信号DQS/DQSn、およびリードイネーブル信号REn/REを、チップイネーブル信号CEn#HZ、データストローブ信号DQS/DQSn#HZ、およびリードイネーブル信号REn/RE#HZと表記する。なお、Zは、ここでは1から4までの自然数である。
データストローブ信号DQS/DQSnおよびリードイネーブル信号REn/REは、データ信号DQを転送する信号線でのデータ転送を制御する制御信号である。データストローブ信号DQS/DQSnを転送する信号線およびリードイネーブル信号REn/REを転送する信号線を含む組が多重化されることで、ホスト側チャネルがそれぞれはホスト側チャネルのバス幅よりも小さいビット幅の複数系統の通信路として使用される場合、当該複数系統の通信路のそれぞれを介したデータ転送を非同期に実行することが可能である。つまり、各系統でのデータ転送は、互いに同期していなくてもよいし、一の系統で一の方向のデータ転送を実行しながら、他の系統で他の方向のデータ転送を実行することが可能である。
ホスト側チャネルが備えるチップイネーブル信号CEnを転送する信号線、データストローブ信号DQS/DQSnを転送する信号線、およびリードイネーブル信号REn/REを転送する信号線からなる組の数は、必ずしもM個、即ち半導体記憶装置1aが備えるNAND側チャネルの数、と等しくなくてもよい。例えば、ホスト側チャネルが備えるチップイネーブル信号CEnを転送する信号線、データストローブ信号DQS/DQSnを転送する信号線、およびリードイネーブル信号REn/REを転送する信号線を含む組の数を、K個と表記した場合、Kは、2以上かつM以下の数であればよい。KがMに満たない場合、Nとして設定可能な値は最大でKとされる。つまり、ホスト側チャネルは最大でK系統の通信路として使用され得る。
KがMと等しい場合、ホスト側チャネルを転送されるM個のチップイネーブル信号CEnのそれぞれは、NAND側チャネルの選択に使用され得る。つまり、ブリッジチップBCaのコマンドデコーダ111は、ホスト側チャネルから受信するチップイネーブル信号CEnに基づき、コマンド、アドレス、データなどの転送の相手のメモリチップCPが接続されたNAND側チャネルを特定することができる。
KがM未満の場合、コマンドデコーダ111は、チップイネーブル信号CEnを用いた方法以外の何らかの方法でNAND側チャネルを選択する。コマンドデコーダ111は、ホストHAから受信するアドレスに基づいてNAND側チャネルを選択してもよい。コマンドデコーダ111が、チップイネーブル信号CEnを用いた方法以外の方法でNAND側チャネルを選択できるように構成された場合、ホスト側チャネルが備えるチップイネーブル信号CEnを転送する信号線は、必ずしも多重化されていなくてもよい。
ここでは、KはMと等しいこととし、ホスト側チャネルは、チップイネーブル信号CEnを転送する信号線をNAND側チャネル毎に備え、コマンドデコーダ111は、チップイネーブル信号CEnに基づいてNAND側チャネルを選択することとして説明する。即ち、チップイネーブル信号CEn#HZ、データストローブ信号DQS/DQSn#HZ、およびリードイネーブル信号REn/RE#HZは、4つのNAND側チャネルのうちのチャネルCHZに対応付けられていることとする。
第2の実施形態の変形例1においても、ブリッジチップBCaは、図2~図4を用いて説明されたデータ転送が可能である。さらに、ブリッジチップBCaは、Nが「2」以上である場合、分割・結合回路112aにより、N系統のデータ転送を非同期に実行することが可能である。
図20は、第2の実施形態の変形例1にかかる分割・結合回路112aの動作を説明するための模式的な図である。本図では、速度倍率設定値116、即ちNの設定値、が「2」であり、チャネルCH1およびチャネルCH3がデータ転送の経路として選択された場合を例に挙げて説明する。
速度倍率設定値116が「2」である場合、データ信号DQ[7:0]を転送する信号線は、2系統の通信路として使用される。データ信号DQ[3:0]は、2系統の通信路のうちの1つを転送されるデータ信号DQであり、データ信号DQ[7:4]は、2系統の通信路のうちの他の1つを転送されるデータ信号DQである。
図20に示された例では、分割・結合回路112aは、ホスト側チャネルからデータD70,D71,D72のデータ列をデータ信号DQ[3:0]として受信する。また、分割・結合回路112aは、チャネルCH3からデータD80,D81,D82のデータ列をデータ信号DQ#3[7:0]として受信する。
分割・結合回路112aは、データD70,D71,D72のデータ列を、4ビットから8ビットにビット幅を変換して、受信時の転送周波数の1/2倍の転送周波数で出力する。分割・結合回路112aによって出力されたデータD70,D71,D72のデータ列は、データ信号DQ#1[7:0]としてチャネルCH1に送られる。
分割・結合回路112aは、データD80,D81,D82のデータ列を、8ビット幅のデータから4ビット幅のデータに変換して、受信時の転送周波数の2倍の転送周波数で出力する。分割・結合回路112aによって出力されたデータD80,D81,D82のデータ列は、データ信号DQ[7:4]としてホスト側チャネルに送られる。
なお、ホスト側チャネルから分割・結合回路112aへのデータD70,D71,D72のデータ列の受信期間と、チャネルCH3から分割・結合回路112aへのデータD80,D81,D82のデータ列の受信期間とは、重複していてもよいし、重複していなくてもよい。分割・結合回路112aへのデータD70,D71,D72のデータ列の受信期間と、分割・結合回路112aへのデータD80,D81,D82のデータ列の受信期間とが重複している場合、分割・結合回路112aは、データD70,D71,D72のデータ列の転送と、データD80,D81,D82のデータ列の転送と、を同時に実行することができる。
また、ホスト側チャネルにおけるデータD70,D71,D72のデータ列の転送期間と、ホスト側チャネルにおけるデータD80,D81,D82のデータ列の転送期間とは、重複していてもよいし、重複していなくてもよい。
図21は、第2の実施形態の変形例1にかかるメモリシステムSYSaの動作時における各種信号の波形を示すタイミングチャートである。本図では、速度倍率設定値116が「2」であり、チャネルCH1に接続された或るメモリチップCP1に対してリード動作が実行され、チャネルCH3に接続された或るメモリチップCP3に対してライト動作が実行される例を説明する。なお、本図に示される一連の動作は、ブリッジチップBCaが非ブリッジ制御モードに維持された状態で実行される。なお、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnの図示が省略されている。
まず、ホストHAは、チップイネーブル信号CEn#H1をアクティブ化した状態で、データ出力コマンドを送信する(S601)。データ出力コマンドの構成は第1の実施形態と同様である。
ブリッジチップBCaは、データ出力コマンドの受信時にチップイネーブル信号CEn#H1がアクティブ化されていることに応じて、当該データ出力コマンドはチャネルCH1に接続されたメモリチップCP1に宛てたコマンドであることを認識する。ブリッジチップBCaは、受信したデータ出力コマンドをリードの対象のメモリチップCP1に送信する(S602)。
ホストHAは、データ出力コマンドの送信後、チップイネーブル信号CEn#H3をアクティブ化した状態で、データ入力コマンドを送信する(S603)。データ入力コマンドの構成は第1の実施形態と同様である。
ブリッジチップBCaは、データ入力コマンドの受信時にチップイネーブル信号CEn#H3がアクティブ化されていることに応じて、当該データ入力コマンドはチャネル#3に接続されたメモリチップCP3に宛てたコマンドであることを認識する。ブリッジチップBCaは、受信したデータ入力コマンドをメモリチップCP3に送信する(S604)。
ホストHAは、データ入力コマンドの送信が終わると、チップイネーブル信号CEn#H3をアクティブ化した状態で、ライトデータの送信を行う(S605)。ここで、ホストHAは、メモリチップCP3に宛てたライトデータをデータ信号DQ[7:4]として送信する。ホストHAは、データ信号DQ[7:4]を、NAND側チャネルのデータ信号DQ[7:0]の転送周波数の2倍の転送周波数で送信する。ライトデータの送信の際には、ホストHAは、データストローブ信号DQS/DQSn#H3をトグルする。
ブリッジチップBCaは、ライトデータの受信時にチップイネーブル信号CEn#H3がアクティブ化されていることに応じて、当該ライトデータはチャネル#3に接続されたメモリチップCP3に宛てたデータであることを認識する。ブリッジチップBCaは、ライトデータを4ビット幅のデータから8ビット幅のデータに変更し、宛て先のメモリチップCP3にデータ信号DQ#3[7:0]として送信する(S606)。データ信号DQ#3[7:0]の転送周波数は、データ信号DQ[7:4]の転送周波数の1/2とされる。
ホストHAは、ライトデータの送信後、チップイネーブル信号CEn#H3をアクティブ化した状態で、ライトの開始を指示するコマンド値C3を送信する(S607)。
ブリッジチップBCaは、コマンド値C3の受信時にチップイネーブル信号CEn#H3がアクティブ化されていることに応じて、当該コマンド値C3はチャネル#3に接続されたメモリチップCP3に宛てたコマンドであることを認識する。ブリッジチップBCaは、受信したコマンド値C3をメモリチップCP3に送信する(S608)。
コマンド値C3を受信したメモリチップCP3は、先んじて受信したライトデータを自身が有するワードラインを制御して書き込む。
S607の後、ホストHAは、チップイネーブル信号CEn#H1をアクティブ化した状態で、リードイネーブル信号REn/RE#H1のトグルを開始する(S609)。ホストHAは、NAND側チャネルを転送されるリードイネーブル信号REn/REの2倍の周波数で、リードイネーブル信号REn/RE#H1をトグルする。
ブリッジチップBCaは、リードイネーブル信号REn/RE#H1がトグルされている時にチップイネーブル信号CEn#H1がアクティブ化されていることに応じて、当該リードイネーブル信号REn/RE#H1のトグルはチャネル#1に接続されたメモリチップCP1をターゲットとしたものであることを認識する。ブリッジチップBCaは、チャネルCH1のリードイネーブル信号REn/RE#1のトグルを開始する(S610)。
リードの対象のメモリチップCP1は、リードイネーブル信号REn/RE#1がトグルされると、リードデータの出力を開始する(S611)。リードの対象のメモリチップCP1は、リードデータの出力の際には、自身が受信したリードイネーブル信号REn/RE#1の周波数と等しい周波数で、データストローブ信号DQS/DQSn#1のトグルを行う。
ブリッジチップBCaは、リードデータを受信すると、当該リードデータを8ビット幅のデータから4ビット幅のデータに変更してホストHAに送信する(S612)。ここで、ブリッジチップBCaは、リードデータをデータ信号DQ[3:0]として送信する。ブリッジチップBCaは、データ信号DQ[3:0]を、NAND側チャネルのデータ信号DQ[7:0]の転送周波数の2倍の転送周波数で送信する。リードデータの送信の際には、ブリッジチップBCaは、データストローブ信号DQS/DQSn#H1をトグルする。
このように、図21から、ホスト側チャネルのデータ信号DQ[7:0]を転送する信号線が、2系統に分割され、各系統ではデータ転送が非同期に実行されていることが読み取れる。
なお、以上では、主に速度倍率設定値116が「2」である場合の動作について説明した。速度倍率設定値116が「3」以上の自然数である場合でも、ホスト側チャネルでは、系統毎に個別にデータストローブ信号DQS/DQSnおよびリードイネーブル信号REn/REが制御されることによって、各系統のデータ転送が非同期に実行され得る。
このように、第2の実施形態の変形例1によれば、ホスト側チャネルは、それぞれはデータ転送を制御する制御信号を転送する信号線であるデータストローブ信号DQS/DQSnを転送する信号線およびリードイネーブル信号REn/REを転送する信号線の組をK個備える。Nは、Kよりも小さい。ブリッジチップBCaは、ホスト側チャネルを介したホスト側チャネルのバス幅よりも小さいビット幅のN系統のデータ転送をK個の組のうちのN個の組のそれぞれを転送される制御信号によって非同期に実行可能に構成されている。
(変形例2)
第2の実施形態の変形例2によれば、コマンドラッチイネーブル信号CLEを転送する信号線、アドレスイネーブル信号ALEを転送する信号線、およびライトイネーブル信号WEnを転送する信号線がK個に多重化されている点で、変形例1と異なる。
第2の実施形態の変形例2によれば、コマンドラッチイネーブル信号CLEを転送する信号線、アドレスイネーブル信号ALEを転送する信号線、およびライトイネーブル信号WEnを転送する信号線がK個に多重化されている点で、変形例1と異なる。
コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、およびライトイネーブル信号WEnは、データ信号DQを転送する信号線でのコマンドおよびアドレスの転送を制御する制御信号である。コマンドラッチイネーブル信号CLEを転送する信号線、アドレスラッチイネーブル信号ALEを転送する信号線、およびライトイネーブル信号WEnを転送する信号線の組が多重化されることによって、ホスト側チャネルがホスト側チャネルのバス幅よりも小さいビット幅の複数系統の通信路として使用される場合において、複数系統の通信路のそれぞれを介したコマンドおよびアドレスの転送を非同期に実行することが可能である。つまり、各系統でのコマンドおよびアドレスの転送は、互いに同期していなくてもよいし、一の系統と他の系統とで異なるコマンドまたは異なるアドレスが転送されてもよい。よって、各系統で、コマンド、アドレス、およびデータを非同期に転送することが可能である。
以下に、第2の実施形態の変形例2にかかるメモリシステムSYSaについて説明する。第2の実施形態の変形例2にかかるメモリシステムSYSaの説明においては、第2の実施形態の変形例1と同様の構成については簡略的に説明されるかまたは説明が省略される。
図22は、第2の実施形態の変形例2にかかるホスト側チャネル(即ちチャネルCH0)の構成を示す模式的な図である。変形例2によれば、チャネルCH0は、チップイネーブル信号CEnを転送する信号線、コマンドラッチイネーブル信号CLEを転送する信号線、アドレスイネーブル信号ALEを転送する信号線、ライトイネーブル信号WEnを転送する信号線、データストローブ信号DQS/DQSnを転送する信号線、およびリードイネーブル信号REn/REを転送する信号線からなる組を、NAND側チャネル毎に含んでいる。第Zの組を転送されるチップイネーブル信号CEn、コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスイネーブル信号ALE、ライトイネーブル信号WEn、データストローブ信号DQS/DQSn、およびリードイネーブル信号REn/REを、チップイネーブル信号CEn#HZ、コマンドラッチイネーブル信号CLE#HZ、アドレスイネーブル信号ALE#HZ、ライトイネーブル信号WEn#HZ、データストローブ信号DQS/DQSn#HZ、およびリードイネーブル信号REn/RE#HZと表記する。なお、Zは、ここでは1から4までの自然数である。
なお、図22に示された例では、MおよびKはともに「4」で互いに等しい。変形例2においても、変形例1と同様、Kは2以上かつM以下の自然数であればよい。また、Nとして設定可能な値の最大値はKである。また、ホスト側チャネルが備えるチップイネーブル信号CEnを転送する信号線は、必ずしも多重化されていなくてもよい。
図23は、第2の実施形態の変形例2にかかるメモリシステムSYSaの動作時における各種信号の波形を示すタイミングチャートである。本図では、速度倍率設定値116が「2」であり、チャネルCH1に接続された或るメモリチップCP1に対してリード動作が実行され、チャネルCH3に接続された或るメモリチップCP3に対してライト動作が実行される例を説明する。なお、本図に示される一連の動作は、ブリッジチップBCaが非ブリッジ制御モードに維持された状態で実行される。なお、ブリッジチップイネーブル信号BRG_CEnの図示が省略されている。
まず、ホストHAは、チップイネーブル信号CEn#H1をアクティブ化した状態で、データ出力コマンドを送信する(S701)。S701では、ホストHAは、コマンド値C4、アドレスADR、およびコマンド値C5を、この順でデータ信号DQ[3:0]として送信する。コマンド値C4,C5の送信の際には、ホストHAは、コマンドラッチイネーブル信号CLE#H1をアクティブ状態(Hレベル)に維持するとともにライトイネーブル信号WEn#H1をトグルする。アドレス値ADRの送信の際には、ホストHAは、アドレスラッチイネーブル信号ALE#H1をアクティブ状態(Hレベル)に維持するとともに、ライトイネーブル信号WEn#H1をトグルする。
なお、第1の実施形態、第2の実施形態、および第2の実施形態の変形例1では、コマンド値C4,C5およびアドレスADRは、8ビット幅でチャネルCH0を転送された。これに対し、第2の実施形態の変形例2では、コマンド値C4,C5およびアドレスADRの転送のビット幅は、速度倍率設定値116に応じて小さくされる。図23に示された例によれば、速度倍率設定値116が「2」とされているため、コマンド値C4,C5およびアドレスADRは、第1の実施形態、第2の実施形態、および第2の実施形態の変形例1の場合の半分のビット幅でチャネルCH0を転送される。よって、コマンド値C4,C5およびアドレスADRがチャネルCH0を転送される際には、第1の実施形態、第2の実施形態、および第2の実施形態の変形例1の場合に比べて、コマンドラッチイネーブル信号CLEおよびアドレスラッチイネーブル信号ALEがアクティブ状態(Hレベル)の期間は長くなり、リードイネーブル信号REn/REは倍の回数トグルされる。
ブリッジチップBCaは、データ出力コマンドをデータ信号DQ[3:0]として受信すると、データ出力コマンドを4ビット幅から8ビット幅に変換する。そして、ブリッジチップBCaは、変換後のデータ出力コマンドを、データ信号DQ#1[7:0]としてリードの対象のメモリチップCP1に送信する(S702)。
ホストHAは、データ出力コマンドの送信後、リードイネーブル信号REn/RE#H1のトグルを開始する(S703)。ホストHAは、NAND側チャネルを転送されるリードイネーブル信号REn/REの2倍の周波数で、リードイネーブル信号REn/RE#H1をトグルする。
ブリッジチップBCaは、リードイネーブル信号REn/RE#H1がトグルされることに応じて、チャネルCH1のリードイネーブル信号REn/RE#1のトグルを開始する(S704)。
リードの対象のメモリチップCP1は、リードイネーブル信号REn/RE#1がトグルされると、リードデータの出力を開始する(S705)。リードの対象のメモリチップCP1は、リードデータの出力の際には、自身が受信したリードイネーブル信号REn/RE#1の周波数と等しい周波数で、データストローブ信号DQS/DQSn#1のトグルを行う。
ブリッジチップBCaは、リードデータを受信すると、当該リードデータを8ビット幅のデータから4ビット幅のデータに変更してホストHAに送信する(S706)。ここで、ブリッジチップBCaは、リードデータをデータ信号DQ[3:0]として送信する。ブリッジチップBCaは、データ信号DQ[3:0]を、NAND側チャネルのデータ信号DQ[7:0]の転送周波数の2倍の転送周波数で送信する。リードデータの送信の際には、ブリッジチップBCaは、データストローブ信号DQS/DQSn#H1をトグルする。
ホストHAは、S701と並列に、チップイネーブル信号CEn#H3をアクティブ化した状態で、データ入力コマンドを送信する(S707)。S707では、ホストHAは、コマンド値C1,C2およびアドレスADRを、この順でデータ信号DQ[7:4]として送信する。コマンド値C1,C2の送信の際には、ホストHAは、コマンドラッチイネーブル信号CLE#H3をアクティブ状態(Hレベル)に維持するとともにライトイネーブル信号WEn#H3をトグルする。アドレス値ADRの送信の際には、ホストHAは、アドレスラッチイネーブル信号ALE#H3をアクティブ状態(Hレベル)に維持するとともに、ライトイネーブル信号WEn#H3をトグルする。データ入力コマンドの送信についてもデータ出力コマンドと同様に、第1の実施形態、第2の実施形態、および第2の実施形態の変形例1の場合に比べて、コマンドラッチイネーブル信号CLEおよびアドレスラッチイネーブル信号ALEがアクティブ状態(Hレベル)の期間は長くなり、リードイネーブル信号REn/REは倍の回数トグルされる。
ブリッジチップBCaは、データ入力コマンドをデータ信号DQ[7:4]として受信すると、データ入力コマンドを4ビット幅から8ビット幅に変換する。そして、ブリッジチップBCaは、変換後のデータ入力コマンドを、ライトの対象のメモリチップCP3にデータ信号DQ#3[7:0]として送信する(S708)。
ホストHAは、データ入力コマンドの送信が終わると、チップイネーブル信号CEn#H3をアクティブ化した状態で、ライトデータの送信を行う(S709)。ここで、ホストHAは、メモリチップCP3に宛てたライトデータをデータ信号DQ[7:4]として送信する。ホストHAは、データ信号DQ[7:4]を、NAND側チャネルのデータ信号DQ[7:0]の転送周波数の2倍の転送周波数で送信する。ライトデータの送信の際には、ホストHAは、データストローブ信号DQS/DQSn#H3をトグルする。
ブリッジチップBCaは、ライトデータをデータ信号DQ[7:4]として受信すると、ライトデータのビット幅を4ビット幅から8ビット幅に変換し、変換後のライトデータをライトの対象のメモリチップCP3にデータ信号DQ#3[7:0]として送信する(S710)。データ信号DQ#3[7:0]の転送周波数は、入力されたデータ信号DQ[7:4]の転送周波数の1/2とされる。
ホストHAは、ライトデータの送信後、チップイネーブル信号CEn#H3をアクティブ化した状態で、ライトの開始を指示するコマンド値C3を送信する(S711)。S711では、ホストHAは、コマンド値C3をデータ信号DQ[7:4]として送信する。コマンド値C3の送信の際には、ホストHAは、コマンドラッチイネーブル信号CLE#H3をアクティブ状態(Hレベル)に維持するとともにライトイネーブル信号WEn#H3をトグルする。
ブリッジチップBCaは、コマンド値C3をデータ信号DQ[7:4]として受信すると、コマンド値C3を4ビット幅から8ビット幅に変換する。そして、ブリッジチップBCaは、変換後のコマンド値C3を、ライトの対象のメモリチップCP3にデータ信号DQ#3[7:0]として送信する(S712)。
コマンド値C3を受信したメモリチップCP3は、先んじて受信したライトデータを自身が有するワードラインを制御して書き込む。
図23から明らかなように、ホスト側チャネルのデータ信号DQ[7:0]を転送する信号線が、2系統に分割されており、当該2つの系統では互いに独立かつ非同期にコマンド、アドレス、データが転送されている。
なお、以上では、主に速度倍率設定値116が「2」である場合の動作について説明した。速度倍率設定値116が「3」以上の自然数である場合でも、ホスト側チャネルでは、系統毎に個別にコマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、ライトイネーブル信号WEn、データストローブ信号DQS/DQSnおよびリードイネーブル信号REn/REが制御されることによって、各系統のコマンド、アドレス、およびデータの転送が非同期に実行され得る。
このように、第2の実施形態の変形例2によれば、ホスト側チャネルは、コマンドおよびアドレスの転送を制御する制御信号であるコマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、およびライトイネーブル信号WEnを転送する3つの信号線と、データ転送を制御する制御信号であるデータストローブ信号DQS/DQSnおよびリードイネーブル信号REn/REを転送する2つの信号線と、を含む組をK個備える。Nは、Kよりも小さい。ブリッジチップBCaは、ホスト側チャネルを介したホスト側チャネルのバス幅よりも小さいビット幅のN系統のデータ転送をK個の組のうちのN個の組のそれぞれを転送される、コマンドおよびアドレスの転送を制御する制御信号およびデータ転送を制御する制御信号によって、非同期に実行可能に構成されている。
(変形例3)
第2の実施形態の変形例1では、ホスト側チャネルにおいて、コマンドおよびアドレスは、ホスト側チャネルのバス幅と等しいビット幅で転送された。第2の実施形態の変形例1においても、第2の実施形態の変形例2と同様に、コマンドおよびアドレスは、ホスト側チャネルがそれぞれはホスト側チャネルのバス幅よりも小さいビット幅のN系統の通信路のそれぞれを介して転送されてもよい。
第2の実施形態の変形例1では、ホスト側チャネルにおいて、コマンドおよびアドレスは、ホスト側チャネルのバス幅と等しいビット幅で転送された。第2の実施形態の変形例1においても、第2の実施形態の変形例2と同様に、コマンドおよびアドレスは、ホスト側チャネルがそれぞれはホスト側チャネルのバス幅よりも小さいビット幅のN系統の通信路のそれぞれを介して転送されてもよい。
ただし、第2の実施形態の変形例1では、コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、およびライトイネーブル信号WEnを転送する3つの信号線は、N系統で共通に使用される。よって、ホスト側チャネルにおいて2以上の系統でコマンドおよびアドレスの送信期間を重複させようとした場合、2以上の系統でコマンドおよびアドレスを非同期に送信することができないことを考慮する必要がある。
(変形例4)
第2の実施形態および第2の実施形態の各変形例では、コマンドおよびアドレスは、データ信号DQとして転送された。コマンドおよびアドレスは、データ信号DQが転送される信号線とは異なる信号線を転送されるように構成されてもよい。
第2の実施形態および第2の実施形態の各変形例では、コマンドおよびアドレスは、データ信号DQとして転送された。コマンドおよびアドレスは、データ信号DQが転送される信号線とは異なる信号線を転送されるように構成されてもよい。
(第3の実施形態)
ブリッジチップは、ホスト側チャネルと、M個のNAND側チャネルと、に接続されている。そして、各チャネルは、複数の信号線によって構成されている。従って、NAND側チャネルの数に応じてブリッジチップに設けられる端子の数が増加する。
ブリッジチップは、ホスト側チャネルと、M個のNAND側チャネルと、に接続されている。そして、各チャネルは、複数の信号線によって構成されている。従って、NAND側チャネルの数に応じてブリッジチップに設けられる端子の数が増加する。
第3の実施形態では、いくつかの信号線がM個のNAND側チャネルで共有される。これによって、ブリッジチップに備えられる端子の数を抑制する。
図24は、第3の実施形態にかかるメモリシステムSYSbの構成の一例を示す模式的な図である。
メモリシステムSYSbは、ホストHA及び半導体記憶装置1bを含む。半導体記憶装置1bは、ブリッジチップBCbおよび複数のメモリチップCPを備える。図24に示される例では、半導体記憶装置1bは、8個のメモリチップCPを備える。
ブリッジチップBCbは、外部端子群10とM個のチャネル(ここでは一例として2個のチャネルCH1,CH2)との間に電気的に接続されている。外部端子群10は、チャネルCH0を介してホストHAに電気的に接続されている。
8個のメモリチップCPのうちの4個のメモリチップCP1-1~CP1-4は、チャネルCH1に接続されている。8個のメモリチップCPのうちの4個のメモリチップCP2-1~CP2-4は、チャネルCH2に接続されている。
ブリッジチップBCbは、第1インタフェース101bと、2個の第2インタフェース102bと、コントローラ103bと、を備える。
第1インタフェース101bは、ホストHAに対してチャネルCH0を介した電気信号の送受信を行うPHY回路である。
2個の第2インタフェース102bのうちの第2インタフェース102b-1は、4個のメモリチップCP1に対してチャネルCH1を介した電気信号の送受信を行うPHY回路である。2個の第2インタフェース102bのうちの第2インタフェース102b-2は、4個のメモリチップCP2に対してチャネルCH2を介した電気信号の送受信を行うPHY回路である。
コントローラ103bは、第1インタフェース101bと、2個の第2インタフェース102bと、の間に配されている。コントローラ103bは、第1インタフェース101bと、2個の第2インタフェース102bと、の間の信号の授受を制御する。
NAND側チャネルである2つのチャネルCH1,CH2のそれぞれは、チップイネーブル信号CEnを転送する信号線、コマンドラッチイネーブル信号CLEを転送する信号線、アドレスラッチイネーブル信号ALEを転送する信号線、ライトイネーブル信号WEnを転送する信号線、レディービジー信号R/Bnを転送する信号線、所定のバス幅(ここでは一例として8ビット幅)を有するデータ信号DQ[7:0]を転送する信号線、データストローブ信号DQS/DQSnを転送する信号線、およびリードイネーブル信号REn/REを転送する信号線、を含む。
ここで、チップイネーブル信号CEnを転送する信号線、コマンドラッチイネーブル信号CLEを転送する信号線、アドレスラッチイネーブル信号ALEを転送する信号線、ライトイネーブル信号WEnを転送する信号線、およびレディービジー信号R/Bnを転送する信号線のそれぞれの一端が第2インタフェース102b-1に接続される。チップイネーブル信号CEnを転送する信号線、コマンドラッチイネーブル信号CLEを転送する信号線、アドレスラッチイネーブル信号ALEを転送する信号線、ライトイネーブル信号WEnを転送する信号線、およびレディービジー信号R/Bnを転送する信号線のそれぞれの他端は、8個の信号線に分岐して、8個の信号線に個別に8個のメモリチップCPのうちの1つが個別に接続される。これによって、チャネルCH1,CH2の間で、チップイネーブル信号CEnを転送する信号線、コマンドラッチイネーブル信号CLEを転送する信号線、アドレスラッチイネーブル信号ALEを転送する信号線、ライトイネーブル信号WEnを転送する信号線、およびレディービジー信号R/Bnを転送する信号線が共有される。
チャネルCH1,CH2が上記のように構成されたことで、ブリッジチップBCbには、チップイネーブル信号CEnを転送する信号線、コマンドラッチイネーブル信号CLEを転送する信号線、アドレスラッチイネーブル信号ALEを転送する信号線、ライトイネーブル信号WEnを転送する信号線、およびレディービジー信号R/Bnを転送する信号線のそれぞれが接続される端子の数を削減することが可能である。
なお、以上では、半導体記憶装置1bは2個のNAND側チャネルを備え、当該2つのNAND側チャネルでいくつかの信号線が共有される例について説明された。半導体記憶装置1bが3個以上のNAND側チャネルを備える場合であっても、いくつかの信号線は、少なくとも2個のNAND側チャネルで共有され得る。
また、以上では、特に、コマンドおよびアドレスの転送を制御する制御信号(コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、およびライトイネーブル信号WEn)を転送する信号線が複数のNAND側チャネルで共有された。コマンドおよびアドレスの転送を制御する制御信号を転送する信号線を複数のNAND側チャネルで共有する構成は、第1の実施形態および第2の実施形態のいずれに対しても適用され得る。
このように、第3の実施形態によれば、コマンドおよびアドレスの転送を制御する制御信号(コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、およびライトイネーブル信号WEn)を転送する信号線が、少なくとも2個のNAND側チャネルで共有される。
これによって、ブリッジチップBCbに設けられる端子の数を抑制することが可能である。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
SYS,SYSa,SYSb メモリシステム、1,1a,1b 半導体記憶装置、HA ホスト、BC,BCa,BCb ブリッジチップ、CP メモリチップ、CH0,CH1,CH2,CH3,CH4 チャネル、10 外部端子群、101,101b 第1インタフェース、102,102-1,102-2,102-3,102-4、102b,102b-1,102b-2 第2インタフェース、103,103a,103b コントローラ、111 コマンドデコーダ、112,112a 分割・結合回路、113 マスク回路、114 レジスタ、115 マルチプレクサ、116 速度倍率設定値、201,201a,202,202a 部分回路。
Claims (8)
- 複数の第1チップと、
ホストと第1チャネルを介して接続可能であり、前記複数の第1チップとM(Mは2以上の自然数)個の第2チャネルを介して接続され、
1つの第2チャネルあたりの転送レートのN(Nは2以上かつM以下の自然数)倍の転送レートで前記第1チャネルを介して第1データを受信した場合、前記第1データを前記第1チャネルのバス幅の単位でN個に振り分けることによって前記第1データをN個の第2データに分割し、前記N個の第2データを前記M個の第2チャネルのうちのN個の第2チャネルを介して並列に前記複数の第1チップのうちの前記N個の第2チャネルに対応するN個の第1チップに送信し、
前記M個の第2チャネルのうちのL(Lは2以上かつM以下の自然数)個の第2チャネルからL個の第3データを並列に受信した場合、前記L個の第3データを前記第1チャネルのバス幅の単位で結合することによって1個の第4データを生成し、1つの第2チャネルあたりの転送レートのL倍の転送レートで前記第1チャネルを介して送信する、
第2チップと、
を備える半導体記憶装置。 - 前記第2チップは、前記Nの設定値を前記ホストから受信する、
請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 複数の第1チップと、
ホストと第1チャネルを介して接続可能であり、前記複数の第1チップとM(Mは2以上の自然数)個の第2チャネルを介して接続され、
1つの第2チャネルあたりの転送レートのN(Nは2以上かつM以下の自然数)倍の転送レートで前記第1チャネルを介して第1データを受信した場合、前記第1データを前記第1チャネルのバス幅の単位ごとに前記第1チャネルのバス幅よりも小さいビット幅のデータに分割することによって前記第1データをN個の第2データに分割し、前記N個の第2データのそれぞれのビット幅を第2チャネルあたりのバス幅と等しいビット幅に変換し、その後、前記N個の第2データを前記M個の第2チャネルのうちのN個の第2チャネルを介して並列に前記複数の第1チップのうちの前記N個の第2チャネルに対応するN個の第1チップに送信し、
前記M個の第2チャネルのうちのL(Lは2以上かつM以下の自然数)個の第2チャネルからL個の第3データを並列に受信した場合、前記L個の第3データをそれぞれのビット幅を前記第1チャネルのビット幅よりも小さいビット幅に変換し、その後、前記L個の第3データをビット幅方向に結合した第4データを第2チャネルあたりの転送レートのL倍の転送レートで前記第1チャネルを介して送信する、
第2チップと、
を備える半導体記憶装置。 - 前記第2チップは、前記Nの設定値を前記ホストから受信する、
請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1チャネルは、データを転送する第1信号線と、それぞれは前記第1信号線でのデータ転送を制御する第1制御信号を個別に転送する前記K個の第2信号線群と、を含み、
前記Kは2以上かつM以下の自然数であり、
前記Nおよび前記LはK以下の値に設定可能であり、
前記第1チャネルのバス幅は前記第1信号線のバス幅であり、
前記第2チップは、前記第1信号線のバス幅よりも小さいビット幅のN系統またはL系統のデータ転送を前記K個の第2信号線群のうちのN個またはL個の第2信号線群のそれぞれを転送される前記第1制御信号によって非同期に実行可能に構成されている、
請求項3または4に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1チャネルは、データ、コマンド、およびアドレスを転送する第1信号線と、それぞれは前記第1信号線でのデータ転送を制御する第1制御信号を個別に転送する前記K個の第2信号線群と、それぞれは前記第1信号線でのコマンドおよびアドレスの転送を制御する第2制御信号を個別に転送する前記K個の第3信号線群と、を含み、
前記Kは2以上かつM以下の自然数であり、
前記Nおよび前記LはK以下の値に設定可能であり、
前記第1チャネルのバス幅は前記第1信号線のバス幅であり、
前記第2チップは、
前記第1信号線のバス幅よりも小さいビット幅のN系統またはL系統のデータ転送を前記K個の第2信号線群のうちのN個またはL個の第2信号線群のそれぞれを転送される前記第1制御信号によって非同期に実行可能であり、かつ、
前記第1信号線のバス幅よりも小さいビット幅のN系統またはL系統のコマンド、アドレス、およびデータの転送を前記K個の第2信号線群のうちのN個またはL個の第2信号線群のそれぞれを転送される前記第1制御信号と前記K個の第3信号線群のうちのN個またはL個の第3信号線群のそれぞれを転送される前記第2制御信号によって非同期に実行可能、
に構成されている、
請求項3または4に記載の半導体記憶装置。 - 前記M個の第2チャネルのそれぞれは、データを転送する第1信号線と、前記第1信号線でのデータ転送を制御する第1制御信号を転送する第2信号線群と、を備え、
前記M個の第2チャネルのうちの少なくとも2つの第2チャネルは、前記第2信号線群を共有する、
請求項1または3に記載の半導体記憶装置。 - 請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の半導体記憶装置と、
前記ホストと、
を備えるメモリシステム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021047485A JP2022146494A (ja) | 2021-03-22 | 2021-03-22 | 半導体記憶装置およびメモリシステム |
TW110121821A TWI797642B (zh) | 2021-03-22 | 2021-06-16 | 半導體記憶裝置及記憶體系統 |
CN202110966282.0A CN115116496A (zh) | 2021-03-22 | 2021-08-23 | 半导体存储装置以及存储系统 |
US17/470,427 US20220300438A1 (en) | 2021-03-22 | 2021-09-09 | Semiconductor memory device and memory system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021047485A JP2022146494A (ja) | 2021-03-22 | 2021-03-22 | 半導体記憶装置およびメモリシステム |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022146494A true JP2022146494A (ja) | 2022-10-05 |
Family
ID=83284816
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021047485A Pending JP2022146494A (ja) | 2021-03-22 | 2021-03-22 | 半導体記憶装置およびメモリシステム |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220300438A1 (ja) |
JP (1) | JP2022146494A (ja) |
CN (1) | CN115116496A (ja) |
TW (1) | TWI797642B (ja) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004164769A (ja) * | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
US7885546B2 (en) * | 2007-10-23 | 2011-02-08 | Oclaro (North America), Inc. | Method and apparatus for transparent Ethernet multiplexing and demultiplexing |
JP5404483B2 (ja) * | 2010-03-17 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | メモリシステム |
US20140293705A1 (en) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | Conversant Intellecual Property Management Inc. | Asynchronous bridge chip |
KR102272259B1 (ko) * | 2015-07-01 | 2021-07-06 | 삼성전자주식회사 | 커맨드 연동 클럭 생성 스키마를 갖는 반도체 메모리 장치 |
US10115480B1 (en) * | 2017-07-03 | 2018-10-30 | Qualcomm Incorporated | Double data rate synchronous dynamic random access memory (“DDR SDRAM”) data strobe signal calibration |
JP2019145186A (ja) * | 2018-02-21 | 2019-08-29 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
-
2021
- 2021-03-22 JP JP2021047485A patent/JP2022146494A/ja active Pending
- 2021-06-16 TW TW110121821A patent/TWI797642B/zh active
- 2021-08-23 CN CN202110966282.0A patent/CN115116496A/zh not_active Withdrawn
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN115116496A (zh) | 2022-09-27 |
TW202238394A (zh) | 2022-10-01 |
US20220300438A1 (en) | 2022-09-22 |
TWI797642B (zh) | 2023-04-01 |
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