JP2019145186A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019145186A JP2019145186A JP2018028623A JP2018028623A JP2019145186A JP 2019145186 A JP2019145186 A JP 2019145186A JP 2018028623 A JP2018028623 A JP 2018028623A JP 2018028623 A JP2018028623 A JP 2018028623A JP 2019145186 A JP2019145186 A JP 2019145186A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clock signal
- signal line
- data
- input
- buffer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0483—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells having several storage transistors connected in series
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/08—Address circuits; Decoders; Word-line control circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/26—Sensing or reading circuits; Data output circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/32—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/06—Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1048—Data bus control circuits, e.g. precharging, presetting, equalising
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1057—Data output buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/1084—Data input buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B43/00—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators
- H10B43/20—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels
- H10B43/23—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels
- H10B43/27—EEPROM devices comprising charge-trapping gate insulators characterised by three-dimensional arrangements, e.g. with cells on different height levels with source and drain on different levels, e.g. with sloping channels the channels comprising vertical portions, e.g. U-shaped channels
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2211/00—Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C2211/56—Indexing scheme relating to G11C11/56 and sub-groups for features not covered by these groups
- G11C2211/564—Miscellaneous aspects
- G11C2211/5642—Multilevel memory with buffers, latches, registers at input or output
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/106—Data output latches
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/1087—Data input latches
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D10/00—Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
【課題】読み出し動作時において、クロック信号と読み出しデータの送信方向を同じにする。【解決手段】半導体記憶装置は、メモリセルアレイ30と、第1クロック信号線C1Lと、一端から他端に向かって第1バッファ回路及び第2バッファ回路35が順に接続された第2クロック信号線P0C1Lと、第2クロック信号線P0C1Lの一端に接続された第1スリーステートバッファ200と、第2クロック信号線P0C1Lの他端に接続された第2スリーステートバッファ201とを含む。書き込み動作の際、第1及び第2バッファ回路35には、第1スリーステートバッファ200を介してクロック信号CLK1が入力され、読み出し動作の際、第1及び第2バッファ回路35には、第2スリーステートバッファ201を介してクロック信号CLK1が入力される。【選択図】図6
Description
本発明の実施形態は、半導体記憶装置に関する。
半導体記憶装置として、NAND型フラッシュメモリが知られている。
信頼性を向上できる半導体記憶装置を提供する。
実施形態に係る半導体記憶装置は、複数のメモリセルをそれぞれ有する第1及び第2メモリブロックを含むメモリセルアレイと、第1及び第2メモリブロックにそれぞれ対応する第1及び第2バッファ回路と、第1及び第2バッファ回路に接続されたデータバスと、クロック信号を生成するクロック生成回路と、クロック生成回路に接続された第1クロック信号線と、一端から他端に向かって第1及び第2バッファ回路が順に接続された第2クロック信号線と、入力端子が第1クロック信号線に接続され、出力端子が第2クロック信号線の一端に接続され、第1信号に応じて動作する第1スリーステートバッファと、入力端子が第1クロック信号線に接続され、出力端子が第2クロック信号線の他端に接続され、第2信号に応じて動作する第2スリーステートバッファとを含む。書き込み動作の際、第1及び第2バッファ回路には、第1スリーステートバッファを介してクロック信号が入力され、読み出し動作の際、第1及び第2バッファ回路には、第2スリーステートバッファを介してクロック信号が入力される。
以下、実施形態につき図面を参照して説明する。この説明に際し、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付す。また、以下に示す各実施形態は、この実施形態の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、実施形態の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。実施形態の技術的思想は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
1.第1実施形態
第1実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。以下では半導体記憶装置として、メモリセルトランジスタが半導体基板上方に三次元に積層された三次元積層型NAND型フラッシュメモリを例に挙げて説明する。
第1実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。以下では半導体記憶装置として、メモリセルトランジスタが半導体基板上方に三次元に積層された三次元積層型NAND型フラッシュメモリを例に挙げて説明する。
1.1 半導体記憶装置の全体構成
まず、半導体記憶装置の全体構成について、図1を用いて説明する。なお、図1の例では、各ブロックの接続の一部を矢印線により示しているが、接続は、これに限定されない。
まず、半導体記憶装置の全体構成について、図1を用いて説明する。なお、図1の例では、各ブロックの接続の一部を矢印線により示しているが、接続は、これに限定されない。
図1に示すように、半導体記憶装置1は、大まかにコア部2と周辺回路部3とを含む。
コア部2は、例えば16個のプレーンPLN(PLN0〜PLN15)を含む。プレーンPLNは、メモリセルトランジスタへのデータの書き込み動作及びメモリセルトランジスタからのデータの読み出し動作を行うユニットである。プレーンPLN0〜PLN15は、互いに独立して動作可能であり、同時に動作することも可能である。本実施形態におけるプレーンPLN0〜PLN15は、同じ構成である。例えば、プレーンPLN0〜PLN15は、4行×4列のマトリクス状に配置される。図1の例では、プレーンPLN0、PLN4、PLN8、及びPLN12が同じ列に順に配置され、プレーンPLN1、PLN5、PLN9、及びPLN13が同じ列に順に配置され、これらのプレーンPLNが第1データパスDP1に共通に接続される。同様に、プレーンPLN2、PLN6、PLN10、及びPLN14が同じ列に順に配置され、プレーンPLN3、PLN7、PLN11、及びPLN15が同じ列に順に配置され、これらのプレーンPLNが第2データパスDP2に共通に接続される。第1データパスDP1及び第2データパスDP2は、例えば、80ビットのバスである。なお、第1データパスDP1及び第2データパスDP2のビット数、すなわちデータ線の本数は、80ビット(80本)に限定されない。
周辺回路部3は、第1フリップフロップ回路11a、第2フリップフロップ回路11b、シリアル/パラレル変換回路12、チップ制御回路13、入出力回路15、及びロジック制御回路18を含む。
第1フリップフロップ回路11aは、第1データパスDP1とメインデータバスMDBとを接続し、クロック生成回路14から送信されるクロック信号に基づいて、データをラッチする。メインデータバスMDBは、第1データパスDP1及び第2データパスDP2と同様に、例えば、80ビットのバスである。第1フリップフロップ回路11aは、80ビットのバス、すなわち、80本のデータ線に対する複数のフリップフロップ(不図示)を含む。
第2フリップフロップ回路11bは、第1フリップフロップ回路11aと同様に、第2データパスDP2とメインデータバスMDBとを接続し、クロック生成回路14から送信されるクロック信号に基づいて、データをラッチする。第2フリップフロップ回路11bは、80ビットのバス、すなわち、80本のデータ線に対する複数のフリップフロップ(不図示)を含む。
シリアル/パラレル変換回路12は、データのシリアル/パラレル変換を行う。より具体的には、シリアル/パラレル変換回路12は、メインデータバスMDBから受信した80ビット×1サイクルのデータを8ビット×10サイクルのデータに変換して、出力回路16に送信する。また、シリアル/パラレル変換回路12は、入力回路17から受信した8ビット×10サイクルのデータを、80ビット×1サイクルのデータに変換し、メインデータバスMDBに出力する。
チップ制御回路13は、半導体記憶装置1全体の動作を制御する。より具体的には、チップ制御回路13は、ロジック制御回路18から送信される各種制御信号、及び入出力回路から送信される各種コマンドに基づいて、各プレーンPLNにおける書き込み動作、読み出し動作、及び消去動作を制御する。また、チップ制御回路13は、コア部2、第1フリップフロップ回路11a、第2フリップフロップ回路11b、シリアル/パラレル変換回路12、及び入出力回路15等を制御する。チップ制御回路13は、クロック生成回路14を含む。
クロック生成回路14は、各プレーンPLN、第1フリップフロップ回路11a、第2フリップフロップ回路11b、シリアル/パラレル変換回路12、及び入出力回路15に送信される各種クロック信号を生成する。より具体的には、例えば、クロック生成回路14は、プレーンPLNに送信される第1クロック信号、並びに第1フリップフロップ回路11a及び第2フリップフロップ回路11bに送信される第2クロック信号を生成する。各プレーンPLNは、受信した第1クロック信号に基づいて、対応する第1データパスDP1及び第2データパスDP2とのデータの入出力を行う。第1フリップフロップ回路11a及び第2フリップフロップ回路11bは、受信した第2クロック信号に基づいてデータをラッチする。例えば、クロック生成回路14は、読み出し動作の際、外部コントローラ(不図示)から受信したリードイネーブル信号REn等に基づいて、クロック信号を生成する。
入出力回路15は、外部コントローラとの信号DQの入出力を制御する。信号DQは、例えば、データ、アドレス、及びコマンドを含む。入出力回路15は、入力回路17と出力回路16とを含む。入力回路17は、外部コントローラから受信したデータ(書き込みデータ)をシリアル/パラレル変換回路12に送信し、アドレスを図示せぬアドレスレジスタを介して各プレーンPLNに送信し、コマンドを図示せぬコマンドレジスタを介してチップ制御回路13に送信する。出力回路16は、シリアル/パラレル変換回路12から受信したデータ(読み出しデータ)をクロック生成回路14から送信されるクロック信号に基づいて一旦ラッチした後、クロック信号DQS及び相補クロック信号DQSnと共に外部コントローラに送信する。
ロジック制御回路18は、外部コントローラから、例えば、チップイネーブル信号CEn、コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、ライトイネーブル信号WEn、リードイネーブル信号REn、並びにクロック信号DQS及び相補クロック信号DQSnを受信する。ロジック制御回路18は、受信した信号に応じて、入出力回路15及びチップ制御回路13を制御する。
チップイネーブル信号CEnは、半導体記憶装置1をイネーブルにするための信号である。コマンドラッチイネーブル信号CLEは、信号DQがコマンドであることを示す信号である。アドレスラッチイネーブル信号ALEは、信号DQがアドレスであることを示す信号である。ライトイネーブル信号WEnは、受信した信号を半導体記憶装置1内へ取り込むための信号であり、外部コントローラよりコマンド、アドレス、及びデータ等を受信する度に、アサートされる。よって、ライトイネーブル信号WEnがトグルされる度に、信号DQが半導体記憶装置1に取り込まれる。リードイネーブル信号REnは、外部コントローラが、半導体記憶装置1からデータを読み出すための信号である。よって、半導体記憶装置1は、トグルされるリードイネーブル信号REnに基づいて、外部コントローラに信号DQを出力する。クロック信号DQS及び相補クロック信号DQSnは、信号DQの入出力のタイミングを制御するための信号である。
1.2 プレーンの構成
次に、プレーンPLNの構成について、図2を用いて説明する。図2の例は、プレーンPLN0を示しているが、他のプレーンPLNも同じ構成である。
次に、プレーンPLNの構成について、図2を用いて説明する。図2の例は、プレーンPLN0を示しているが、他のプレーンPLNも同じ構成である。
図2に示すように、プレーンPLNは、メモリセルアレイ30、ロウデコーダ31a及び31b、カラムデコーダ32a及び32b、5個のセンスアンプ33、5個のページバッファ34、並びに5個の入出力バッファ35を含む。
メモリセルアレイ30は、ロウ及びカラムに対応付けられた不揮発性のメモリセルトランジスタ(以下、「メモリセル」とも表記する)を含む5個の分割ブロックDiv(Div0〜Div4)により構成されている。各々の分割ブロックDivは、複数のストリングユニットSU(SU0、SU1、SU2、及びSU3)を含む。そして各々のストリングユニットSUは、複数のNANDストリングNSを含む。なお、図2の例では、説明を簡略化するため、ストリングユニットSU1〜SU3におけるNANDストリングNSは省略されている。
メモリセルアレイ30内の分割ブロックDiv数、分割ブロックDiv内のストリングユニットSU数、及びNANDストリングNSの個数は、任意である。
ロウデコーダ31a及び31bは、ロウアドレスをデコードし、デコード結果に応じて対応するストリングユニットSUを選択する。そして、ロウデコーダ31a及び31bは、必要な電圧をストリングユニットSUに印加する。
カラムデコーダ32a及び32bは、カラムアドレスをデコードし、デコード結果に応じて、対応するセンスアンプ33及びページバッファ34内のラッチ回路を選択する。
5個のセンスアンプ33は、5個の分割ブロックDiv0〜Div4に対応して設けられる。センスアンプ33は、読み出し動作のときには、対応する分割ブロックDivから読み出されたデータをセンスする。そして、センスアンプ33は、読み出しデータをページバッファ34に送信する。また、センスアンプ33は、書き込み動作のときには、書き込みデータを対応する分割ブロックDivに送信する。
5個のページバッファ34は、5個の分割ブロックDiv0〜Div4に対応して設けられる。ページバッファ34は、図示せぬ複数のラッチ回路を含み、書き込みデータ及び読み出しデータを保持する。例えば、書き込み動作において、ページバッファ34は、入出力バッファ35から受信した書き込みデータを一時的に保持し、センスアンプ33に送信する。また、例えば、読み出し動作において、ページバッファ34は、センスアンプ33から受信した読み出しデータを一時的に保持し、入出力バッファ35に送信する。本実施形態では、ページバッファ34と入出力バッファ35との間のデータ転送は、16ビット単位でなされる。
5個の入出力バッファ35は、5個の分割ブロックDiv0〜Div4に対応して設けられ、各々、第1データパスDP1と16ビットのデータDATの入出力を行う。以下、分割ブロックDiv0に対応する入出力バッファ35における入出力データをデータDAT<15:0>と表記する。同様に、分割ブロックDiv1に対応する入出力バッファ35における入出力データをデータDAT<31:16>と表記する。分割ブロックDiv2に対応する入出力バッファ35における入出力データをデータDAT<47:32>と表記する。分割ブロックDiv3に対応する入出力バッファ35における入出力データをデータDAT<63:48>と表記する。分割ブロックDiv4に対応する入出力バッファ35における入出力データをデータDAT<79:64>と表記する。従って、1つのプレーンPLNにおいてデータパスと80ビットのデータDAT<79:0>の入出力が行われる。
入出力バッファ35は、16個のデータ入出力回路36を含む。データ入出力回路36は、クロック生成回路14から受信した第1クロック信号CLK1に基づいて、1ビットのデータDATの入出力を行う。以下、分割ブロックDiv0において、データDAT<0>〜データDAT<15>に対応する16個のデータ入出力回路を36_0〜36_15とそれぞれ表記とする。同様に、分割ブロックDiv1において、データDAT<16>〜データDAT<31>に対応する16個のデータ入出力回路を36_16〜36_31とそれぞれ表記とする。分割ブロックDiv2において、データDAT<32>〜データDAT<47>に対応する16個のデータ入出力回路を36_32〜36_47とそれぞれ表記とする。分割ブロックDiv3において、データDAT<48>〜データDAT<63>に対応する16個のデータ入出力回路を36_48〜36_63とそれぞれ表記とする。分割ブロックDiv4において、データDAT<64>〜データDAT<79>に対応する16個のデータ入出力回路を36_64〜36_79とそれぞれ表記とする。
データ入出力回路36は、図示せぬフリップフロップを含み、第1クロック信号CLK1に基づいてデータをラッチする。データ入出力回路36は、書き込み動作のときには、第1データパスDP1を介して入力されたデータDAT(書き込みデータ)をページバッファ34に送信する。また、データ入出力回路36は、読み出し動作のときには、ページバッファ34から受信したデータを第1データパスDP1に出力する。データ入出力回路36は、第1データパスDP1に、第1クロック信号CLK1に応じてDDR(double data rate)方式でデータを出力してもよく、SDR(single data rate)方式でデータを出力してもよい。以下では、データ入出力回路36がDDR方式でデータを出力する場合について説明する。
なお、ここでは、プレーンPLN0の例について説明したが、他のプレーンPLNも同様の構成を有する。プレーンPLN1、PLN4、PLN5、PLN8、PLN9、PLN12、PLN13の入出力バッファ35は、第1データパスDP1とのデータの入出力に用いられ、プレーンPLN2、PLN3、PLN6、PLN7、PLN10、PLN11、PLN14、PLN15の入出力バッファ25は、第2データパスDP2とのデータの入出力に用いられる。
1.3 メモリセルアレイの構成
次に、メモリセルアレイの構成について、図3及び図4を用いて説明する。図3は、プレーンPLN0におけるメモリセルアレイ30の回路図を示しており、図4は、メモリセルアレイ30の断面図を示している。なお、他のプレーンPLNも同じ構成である。
次に、メモリセルアレイの構成について、図3及び図4を用いて説明する。図3は、プレーンPLN0におけるメモリセルアレイ30の回路図を示しており、図4は、メモリセルアレイ30の断面図を示している。なお、他のプレーンPLNも同じ構成である。
図3に示すように、NANDストリングNSの各々は、例えば8個のメモリセルトランジスタMT0〜MT7、並びに選択トランジスタST1及びST2を含んでいる。以下、メモリセルトランジスタMT0〜MT7を限定しない場合は、メモリセルトランジスタMTと表記する。メモリセルトランジスタMTは、制御ゲートと電荷蓄積層とを備え、データを不揮発に保持する。メモリセルトランジスタMTは、電荷蓄積層に蓄えられた電子の数に応じて閾値電圧が変化し、この閾値電圧の違いに応じた情報を記憶する。なお、メモリセルトランジスタMTは、電荷蓄積層に絶縁膜を用いたMONOS型であっても良いし、電荷蓄積層に導電層を用いたFG型であっても良い。以下、本実施形態では、MONOS型を例として説明する。また、メモリセルトランジスタMTの個数は8個に限られず、16個や32個、64個、128個等であってもよく、その数は限定されるものではない。更に、選択トランジスタST1及びST2の個数は、任意であり、それぞれ1個以上あれば良い。
メモリセルトランジスタMTは、選択トランジスタST1のソースと選択トランジスタST2のドレインとの間に直列接続されている。より具体的には、メモリセルトランジスタMT0〜MT7は、その電流経路が直列に接続される。そしてメモリセルトランジスタMT7のドレインは、選択トランジスタST1のソースに接続され、メモリセルトランジスタMT0のソースは、選択トランジスタST2のドレインに接続されている。
分割ブロックDiv0〜Div4のストリングユニットSU0〜SU3の各々における選択トランジスタST1のゲートは、選択ゲート線SGD0〜SGD3にそれぞれ共通に接続される。換言すれば、各選択ゲート線SGD0〜SGD3は、複数の分割ブロックDiv間で各ストリングユニットSU内にあるNANDストリングNSを共通に接続する。選択ゲート線SGD0〜SGD3は、ロウデコーダ31a及び31bのいずれかに接続される。以下、選択ゲート線SGD0〜SGD3を限定しない場合は、選択ゲート線SGDと表記する。
分割ブロックDiv0〜Div4のストリングユニットSU0〜SU3の各々における選択トランジスタST2のゲートは、選択ゲート線SGSに共通に接続される。
メモリセルアレイ30内にあるメモリセルトランジスタMT0〜MT7の制御ゲートは、それぞれワード線WL0〜WL7に共通接続される。すなわち、各ワード線WL0〜WL7は、複数の分割ブロックDiv間でメモリセルトランジスタMT0〜MT7をそれぞれ共通に接続する。ワード線WL0〜WL7は、ロウデコーダ31a及び31bのいずれかに接続される。以下、ワード線WL0〜WL7を限定しない場合は、ワード線WLと表記する。
分割ブロックDiv0〜Div4のストリングユニットSU内にある各NANDストリングNSの選択トランジスタST1のドレインは、それぞれ異なるビット線BL0〜BL(N−1、但しNは任意の整数)に接続される。ビット線BL0〜BL(N−1)は、それぞれ対応する分割ブロックDivのセンスアンプ33に接続される。以下、ビット線BL0〜BL(N−1)を限定しない場合は、ビット線BLと表記する。更に、複数の選択トランジスタST2のソースは、ソース線SLに共通に接続されている。
書き込み動作及び読み出し動作は、いずれかのストリングユニットSUにおけるいずれかのワード線WLに接続されたメモリセルトランジスタMTに対して一括して行われる。
次に、メモリセルアレイ30の断面構成について説明する。図4の例は、ストリングユニットSU0及びSU1の断面を示しており、ストリングユニットSU2及びSU3の構成も同様である。なお、図4において、層間絶縁膜は省略されている。
図4に示すように、半導体基板100に平行な第1方向D1に沿って、半導体基板100に平行で第1方向D1に垂直な第2方向D2に延びるソース線コンタクトLIと複数のストリングユニットSUが設けられている。ソース線コンタクトLIは、半導体基板100とNANDストリングNSよりも上方に設けられる図示せぬソース線SLとを接続する。なお、ソース線コンタクトLI及びNANDストリングNSの配置は任意に設定可能である。例えばストリングユニットSU1及びSU2の間にソース線コンタクトLIが設けられても良い。更に図4の例では、説明を簡略化するために1つのストリングユニットSUにおいて、複数のNANDストリングNSが、第2方向D2に沿って1列に配列されている場合を示しているが、1つのストリングユニットSUにおけるNANDストリングNSの配列は任意に設定可能である。例えば、第2方向D2に沿って、2列並行に配置されても良く、4列の千鳥配置に配列されても良い。
各ストリングユニットSUにおいて、NANDストリングNSは、半導体基板100に垂直な第3方向D3に沿って形成されている。より具体的には、半導体基板100の表面領域には、n型ウェル101が設けられている。そして、n型ウェル101の表面領域には、p型ウェル102が設けられている。また、p型ウェル102の表面領域の一部には、n+型拡散層103が設けられている。そしてp型ウェル102の上方には、選択ゲート線SGS、メモリセルトランジスタMT0〜MT7に接続されるワード線WL0〜WL7、及び選択ゲート線SGDとして機能する10層の配線層104が、それぞれ図示せぬ層間絶縁膜を介して順次積層されている。選択ゲート線SGDとして機能する配線層104は、ストリングユニットSU毎に分離されており、図4の例では、同じレイヤに設けられた選択ゲート線SGD0として機能する配線層104と選択ゲート線SGD1として機能する配線層104が、それぞれ第2方向D2に延びるように分離されている。他の配線層104は、ブロックBLK内で共通である。
そして、10層の配線層104を貫通してp型ウェル102に達するピラー状の半導体層105が形成されている。半導体層105の側面には、トンネル絶縁膜106、電荷蓄積層107、及びブロック絶縁膜108が順次形成される。半導体層105には、例えば多結晶シリコンが用いられる。トンネル絶縁膜106及びブロック絶縁膜108には、例えばシリコン酸化膜が用いられる。電荷蓄積層107には、例えばシリコン窒化膜が用いられる。半導体層105は、NANDストリングNSの電流経路として機能し、各トランジスタのチャネルが形成される領域となる。そして半導体層105の上端は、コンタクトプラグ109を介して、第1方向D1に延びる配線層110に接続される。配線層110は、ビット線BLとして機能する。なお、図4の例では、選択ゲート線SGD及びSGSとして機能する配線層104は、それぞれ1層設けられているが、複数層設けられても良い。
ソース線コンタクトLIは、第2方向D2に沿ってライン形状を有する。ソース線コンタクトLIには、例えば多結晶シリコンが用いられる。そしてソース線コンタクトLIの底面はn+型拡散層103に接続され、上面はソース線SLとして機能する配線層(不図示)に接続される。
1.4 クロック信号線及びデータパスの構成
次に、クロック信号線とデータパスの構成について、図5を用いて説明する。図5の例は、プレーンPLN0と、第1データパスDP1及び第1クロック信号CLK1の信号線との接続及びレイアウトを示している。他のプレーンPLNとデータパス及びクロック信号線との接続も同様である。なお、図5の例では、説明を簡略化するために、プレーンPLN0のロウデコーダ31a及び31b、カラムデコーダ32a及び32b、センスアンプ33、及びページバッファ34は、省略されている。
次に、クロック信号線とデータパスの構成について、図5を用いて説明する。図5の例は、プレーンPLN0と、第1データパスDP1及び第1クロック信号CLK1の信号線との接続及びレイアウトを示している。他のプレーンPLNとデータパス及びクロック信号線との接続も同様である。なお、図5の例では、説明を簡略化するために、プレーンPLN0のロウデコーダ31a及び31b、カラムデコーダ32a及び32b、センスアンプ33、及びページバッファ34は、省略されている。
図5に示すように、第1クロック信号CLK1は、第1クロック信号線C1Lを介して各プレーンPLNに送信される。図5の例では、第1クロック信号CLK1は、第1クロック信号線C1Lを通して、紙面下側から上側に向かって送信される。第1クロック信号線C1Lの一端は、クロック生成回路14に接続される。第1クロック信号線C1Lは、第1クロック信号線C1Lにおける第1クロック信号CLK1のRC遅延を低減するために比較的低抵抗な配線により形成され、例えば、信号線の経路に中継用の高駆動ドライバとして機能するバッファ202及び203が設けられている。なお、第1クロック信号線C1Lに接続されるバッファの個数は、任意に設定可能である。
プレーンPLN0は、第1クロック信号線C1Lより分岐されたプレーンPLN0用のクロック信号線P0C1Lに接続される。より具体的には、第1クロック信号線C1L及びクロック信号線P0C1Lは、分割ブロックDiv0〜Div4の各入出力バッファ35に含まれるデータ入出力回路36_0〜36_79に沿って配置されている。そして、第1クロック信号線C1Lは、プレーンPLN0に対応する2箇所の分岐点B1及びB2で分岐され、2つのスリーステートバッファ200及び201を介してクロック信号線P0C1Lに接続される。分岐点B1は、第1クロック信号線C1Lにおいて、分岐点B2よりもクロック生成回路14に近い側に設けられる。従って、クロック信号線P0C1Lでは、分岐点B1及びスリーステートバッファ200を介して、紙面下側から上側に向かって第1クロック信号CLK1が送信されることもあるし、分岐点B2及びスリーステートバッファ201を介して、紙面上側から下側に向かって第1クロック信号CLK1が送信されることもある。すなわち、第1クロック信号CLK1は、クロック信号線P0C1Lにおいて、双方向に送信可能である。詳細は後述するが、チップ制御回路13は、書き込み動作及び読み出し動作に応じて、クロック信号線P0C1Lにおける第1クロック信号CLK1の送信方向を変える。
スリーステートバッファ200の入力端子には、分岐点B1で分岐された第1クロック信号CLK1が入力され、出力端子はクロック信号線P0C1Lの一端に接続される。スリーステートバッファ200の制御端子には、チップ制御回路13から受信した制御信号WS1が入力される。制御信号WS1は、プレーンPLN0への書き込み動作時にHigh(“H”)レベルとされる。スリーステートバッファ200は、制御信号WS1が“H”レベルの際、第1クロック信号CLK1をクロック信号線P0C1Lに送信し、制御信号WS1がLow(“L”)レベルの際、ハイ・インピーダンス状態となる。
スリーステートバッファ201の入力端子には、分岐点B2で分岐された第1クロック信号CLK1が入力され、出力端子はクロック信号線P0C1Lの他端に接続される。スリーステートバッファ201の制御端子には、チップ制御回路13から受信した制御信号RS1が入力される。制御信号RS1は、プレーンPLN0からの読み出し動作時に“H”レベルとされる。スリーステートバッファ201は、制御信号RS1が“H”レベルの際、第1クロック信号CLK1をクロック信号線P0C1Lに送信し、制御信号RS1が “L”レベルの際、ハイ・インピーダンス状態となる。
従って、スリーステートバッファ200及び201は、制御信号WS1及びRS1に基づいてクロック信号線P0C1Lにおける第1クロック信号CLK1の送信方向を切り替える双方向バッファ回路として機能する。なお、制御信号RS1及びWS1が“H”レベルの場合、スリーステートバッファ200及び201は、共にハイ・インピーダンス状態とされ、クロック信号線P0C1Lはフローティング状態とされる。例えば、フローティング状態を回避するために、クロック信号線P0C1L上にラッチ回路を設けて、最後の電位状態を保持するようにしてもよい。
クロック信号線P0C1Lの経路には、4つの双方向バッファ回路210、220、230、及び240が設けられている。双方向バッファ回路210、220、230、及び240は、プレーンPLN0において書き込み動作及び読み出し動作を行う際に、制御信号WS1及びRS1に基づいて、クロック信号線P0C1Lにおける第1クロック信号CLK1の送信方向を切り替える。スリーステートバッファ200に接続されたクロック信号線P0C1Lの一端から、スリーステートバッファ201に接続されたクロック信号線P0C1Lの他端に向かって、クロック信号線P0C1Lには、データ入出力回路36_0〜36_15、双方向バッファ回路210、データ入出力回路36_16〜36_31、双方向バッファ回路220、データ入出力回路36_32〜36_47、双方向バッファ回路230、データ入出力回路36_48〜36_63、双方向バッファ回路240、並びにデータ入出力回路36_64〜36_79が順に接続される。
双方向バッファ回路210は、2つのスリーステートバッファ211及び212を含む。スリーステートバッファ211の入力端子は、スリーステートバッファ201に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、出力端子は、スリーステートバッファ200に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、制御端子には、制御信号RS1が入力される。また、スリーステートバッファ212の入力端子は、スリーステートバッファ200に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、出力端子は、スリーステートバッファ201に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、制御端子には、制御信号WS1が入力される。
同様に、双方向バッファ回路220は、2つのスリーステートバッファ221及び222を含む。スリーステートバッファ221の入力端子は、スリーステートバッファ201に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、出力端子は、スリーステートバッファ200に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、制御端子には、制御信号RS1が入力される。また、スリーステートバッファ222の入力端子は、スリーステートバッファ200に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、出力端子は、スリーステートバッファ201に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、制御端子には、制御信号WS1が入力される。
双方向バッファ回路230は、2つのスリーステートバッファ231及び232を含む。スリーステートバッファ231の入力端子は、スリーステートバッファ201に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、出力端子は、スリーステートバッファ200に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、制御端子には、制御信号RS1が入力される。また、スリーステートバッファ232の入力端子は、スリーステートバッファ200に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、出力端子は、スリーステートバッファ201に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、制御端子には、制御信号WS1が入力される。
双方向バッファ回路240は、2つのスリーステートバッファ241及び242を含む。スリーステートバッファ241の入力端子は、スリーステートバッファ201に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、出力端子は、スリーステートバッファ200に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、制御端子には、制御信号RS1が入力される。また、スリーステートバッファ242の入力端子は、スリーステートバッファ200に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、出力端子は、スリーステートバッファ201に向かって延びるクロック信号線P0C1Lに接続され、制御端子には、制御信号WS1が入力される。
次に、第1データパスDP1の接続について説明する。第1データパスDP1の一端は、第1フリップフロップ回路11aに接続される。第1データパスDP1の経路には、5つの双方向バッファ回路250、260、270、280、及び290が設けられている。より具体的には、第1データパスDP1は、例えば、第1クロック信号線C1L及びクロック信号線P0C1Lに沿って配置されている。第1フリップフロップ回路11aに接続された第1データパスDP1の一端から他端に向かって、第1データパスDP1には、双方向バッファ回路250、データ入出力回路36_0〜36_15、双方向バッファ回路260、データ入出力回路36_16〜36_31、双方向バッファ回路270、データ入出力回路36_32〜36_47、双方向バッファ回路280、データ入出力回路36_48〜36_63、双方向バッファ回路290、並びにデータ入出力回路36_64〜36_79が順に接続される。双方向バッファ回路250、260、270、280、及び290は、第1データパスDP1に接続されたいずれかのプレーンPLNにおいて書き込み動作または読み出し動作等を行う際に、第1データパスDP1におけるデータDAT<79:0>の送信方向を切り替える。
双方向バッファ回路250は、2つのスリーステートバッファ251及び252を含む。スリーステートバッファ251の入力端子は、各プレーンPLNに向かって延びる第1データパスDP1に接続され、出力端子は、第1フリップフロップ回路11aに向かって延びる第1データパスDP1に接続され、制御端子には、チップ制御回路13から受信した制御信号RSaが入力される。制御信号RSaは、第1データパスDP1に接続されたいずれかのプレーンPLNの読み出し動作時に“H”レベルとされる。また、スリーステートバッファ252の入力端子は、第1フリップフロップ回路11aに向かって延びる第1データパスDP1に接続され、出力端子は、制御端子には、制御信号WSaが入力される。制御信号WSaは、第1データパスDP1に接続されたいずれかのプレーンPLNの書き込み動作時に“H”レベルとされる。
双方向バッファ回路260、270、280、及び290の構成は、双方向バッファ回路250と同じである。双方向バッファ回路260は、2つのスリーステートバッファ261及び262を含む。双方向バッファ回路270は、2つのスリーステートバッファ271及び272を含む。双方向バッファ回路280は、2つのスリーステートバッファ281及び282を含む。双方向バッファ回路290は、2つのスリーステートバッファ291及び292を含む。スリーステートバッファ261、271、281、及び291は、双方向バッファ回路250のスリーステートバッファ251に相当し、それぞれの制御端子には制御信号RSaが入力される。スリーステートバッファ262、272、282、及び292は、双方向バッファ回路250のスリーステートバッファ252に相当し、それぞれの制御端子には制御信号WSaが入力される。
1.5 データ及び第1クロック信号送信の具体例
次に、データ及び第1クロック信号送信の具体例について説明する。
次に、データ及び第1クロック信号送信の具体例について説明する。
1.5.1 書き込み動作の例
まず、書き込み動作時におけるデータ及び第1クロック信号CLK1の送信について、図6を用いて説明する。図6の例は、プレーンPLN0における書き込み動作時の書き込みデータDAT<79:0>及び第1クロック信号CLK1の送信経路を示す。
まず、書き込み動作時におけるデータ及び第1クロック信号CLK1の送信について、図6を用いて説明する。図6の例は、プレーンPLN0における書き込み動作時の書き込みデータDAT<79:0>及び第1クロック信号CLK1の送信経路を示す。
図6に示すように、チップ制御回路13は、制御信号WS1及びWSaを“H”レベルとし、制御信号RS1及びRSaを“L”レベルにする。これにより、第1クロック信号線C1L及びクロック信号線P0C1Lの経路において、スリーステートバッファ200、212、222、232、及び242が動作状態となる。また、第1データパスDP1の経路において、スリーステートバッファ252、262、272、282、及び292が動作状態とされる。この結果、第1クロック信号CLK1は、クロック信号線P0C1Lにおいて、スリーステートバッファ200から、スリーステートバッファ212、222、232、及び242の方向に向かって送信される。また、書き込みデータDAT<79:0>は、スリーステートバッファ252から、スリーステートバッファ262、272、282、及び292の方向に向かって送信される。従って、クロック信号線P0C1Lにおける第1クロック信号CLK1の送信方向と、第1データパスDP1におけるデータDATの送信方向とは、同じである。
クロック信号線P0C1L及び第1データパスDP1において、各バッファ間における配線遅延量をtRCとし、各バッファによるバッファ遅延量をtBDとする。例えば、分割ブロックDiv0のデータ入出力回路36_0に入力されるデータDAT<0>には、スリーステートバッファ252によるバッファ遅延(tBD)が生じ、第1クロック信号CLK1には、スリーステートバッファ200によるバッファ遅延(tBD)が生じる。従って、データ入出力回路36_0におけるデータDAT<0>の遅延量及び第1クロック信号CLK1の遅延量は、以下に示す関係にある。
データDAT<0>の遅延量;0×tRC+1×tBD
第1クロック信号CLK1の遅延量;0×tRC+1×tBD
データDAT<0>の遅延量;0×tRC+1×tBD
第1クロック信号CLK1の遅延量;0×tRC+1×tBD
すなわち、データ入出力回路36_0におけるデータDAT<0>の遅延量及び第1クロック信号CLK1の遅延量は、ほぼ同じ、あるいは同期していると言える。
また、分割ブロックDiv4のデータ入出力回路36_79に入力されるデータDAT<79>には、スリーステートバッファ252、262、272、282、及び292によるバッファ遅延(5×tBD)が生じ、スリーステートバッファ252からデータ入出力回路36_79までの配線遅延(5×tRC)が生じる。同様に、データ入出力回路36_79に入力される第1クロック信号CLK1には、スリーステートバッファ200、212、222、232、及び242によるバッファ遅延(5×tBD)が生じ、スリーステートバッファ200からデータ入出力回路36_79までの配線遅延(5×tRC)が生じる。従って、データ入出力回路36_79におけるデータDAT<79>の遅延量及び第1クロック信号CLK1の遅延量は、以下に示す関係にある。
データDAT<79>の遅延量;5×tRC+5×tBD
第1クロック信号CLK1の遅延量;5×tRC+5×tBD
データDAT<79>の遅延量;5×tRC+5×tBD
第1クロック信号CLK1の遅延量;5×tRC+5×tBD
すなわち、データ入出力回路36_79におけるデータDAT<79>の遅延量及び第1クロック信号CLK1の遅延量は、ほぼ同じ、あるいは同期していると言える。他のデータ入出力回路36_1〜36_78も同じである。従って、書き込み動作の際、データ入出力回路36_0〜36_79の各々において、データDATの入力タイミングと第1クロック信号CLK1の入力タイミングとは、ほぼ同期している。
1.5.2 読み出し動作の例
次に、読み出し動作時におけるデータ及び第1クロック信号CLK1の送信について、図7を用いて説明する。図7の例は、プレーンPLN0における読み出し動作時の読み出しデータDAT<79:0>及び第1クロック信号CLK1の送信経路を示す。
次に、読み出し動作時におけるデータ及び第1クロック信号CLK1の送信について、図7を用いて説明する。図7の例は、プレーンPLN0における読み出し動作時の読み出しデータDAT<79:0>及び第1クロック信号CLK1の送信経路を示す。
図7に示すように、チップ制御回路13は、制御信号RS1及びRSaを“H”レベルとし、制御信号WS1及びWSaを“L”レベルにする。これにより、第1クロック信号線C1L及びクロック信号線P0C1Lの経路において、スリーステートバッファ201、241、231、221、及び211が動作状態となる。また、第1データパスDP1の経路において、スリーステートバッファ251、261、271、281、及び291が動作状態とされる。この結果、第1クロック信号CLK1は、クロック信号線P0C1Lにおいて、スリーステートバッファ201から、スリーステートバッファ241、231、221、及び211の方向に向かって送信される。また、読み出しデータDAT<79:0>は、スリーステートバッファ292、282、272、262からスリーステートバッファ251の方向に向かって送信される。従って、クロック信号線P0C1Lにおける第1クロック信号CLK1の送信方向と、第1データパスDP1におけるデータDATの送信方向とが同じである。
第1クロック信号線C1Lにおいて、分岐点B1からスリーステートバッファ201までの遅延量(バッファ遅延及び配線遅延を含む)をtMCDとする。例えば、分割ブロックDiv0のデータ入出力回路36_0に着目すると、データ入出力回路36_0に入力される第1クロック信号CLK1には、遅延量tMCD、スリーステートバッファ201、241、231、221、及び211によるバッファ遅延(5×tBD)、及びスリーステートバッファ201からデータ入出力回路36_0までの配線遅延(5×tRC)が生じる。また、データ入出力回路36_0から出力されるデータDAT<0>には、スリーステートバッファ251によるバッファ遅延(tBD)が生じる。従って、データ入出力回路36_0に対する読み出しアクセスの遅延量は、以下の関係にある。
データDAT<0>の遅延量;tMCD+6×tBD+5×tRC
データDAT<0>の遅延量;tMCD+6×tBD+5×tRC
また、分割ブロックDiv4のデータ入出力回路36_79に着目すると、データ入出力回路36_79に入力される第1クロック信号CLK1には、遅延量tMCD及びスリーステートバッファ201によるバッファ遅延(tBD)が生じる。また、データ入出力回路36_79から出力されるデータDAT<79>には、スリーステートバッファ291、281、271、261、及び251によるバッファ遅延(5×tBD)及びデータ入出力回路36_79からスリーステートバッファ251までの配線遅延(5×tRC)が生じる。従って、データ入出力回路36_79に対する読み出しアクセスの遅延量は、以下の関係にある。
データDAT<79>の遅延量;tMCD+6×tBD+5×tRC
データDAT<79>の遅延量;tMCD+6×tBD+5×tRC
すなわち、読み出し動作におけるデータDAT<0>〜DAT<79>の遅延量は、ほぼ同じ、あるいは同期していると言える。
1.6 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、半導体記憶装置の信頼性を向上できる。以下、本効果につき詳述する。
本実施形態に係る構成であれば、半導体記憶装置の信頼性を向上できる。以下、本効果につき詳述する。
まず、読み出しデータのタイミングチャートの具体例について、図8及び図9を用いて説明する。図8は、比較例として、プレーンPLN0における第1クロック信号CLK1の送信方向と、読み出しデータの送信方向とが異なる場合の読み出しデータのタイミングチャートを示している。より具体的には、例えば、読み出し動作時に、第1クロック信号CLK1を、スリーステートバッファ200からクロック信号線P0C1Lに送信した場合の、読み出しデータのタイミングチャートを示している。図9は、本実施形態におけるプレーンPLN0における読み出しデータのタイミングチャートを示している。なお、図8及び図9の例では、読み出しデータの一部として、分割ブロックDiv0のデータ入出力回路36_0及び36_15から出力されるデータ(参照符号”Div0_DAT<0>”及び”DiV0_DAT<15>”)、並びに分割ブロックDiv4のデータ入出力回路36_64及び36_79から出力されるデータ(参照符号”Div4_DAT<64>”及び”DiV4_DAT<79>”)を示している。
図8に示すように、読み出し動作において、第1クロック信号CLK1の送信方向とデータDATの送信方向が異なる場合、データ入出力回路36_0に対して、他のデータ入出力回路36_15、36_64、及び36_79は、第1クロック信号CLK1の入力のタイミングに遅延が生じ、更に、出力データが、例えば第1フリップフロップ回路11aに達するタイミングにも遅延が生じる。従って、データDAT<0>、DAT<15>、DAT<64>、及びDAT<79>の順に遅延量が大きくなる。例えば、第1フリップフロップ回路11aにおいて、データDAT<79:0>を一括してラッチする場合、そのデータキャプチャウィンドウは、データDAT<79:0>間のタイミングのずれにより狭くなり、フリップフロップへのデータの取り込みミスによる誤読み出しの可能性が高くなる。出力周波数が高くなるほどデータキャプチャウィンドウは狭くなるため、高速動作時における安定したデータの受け渡しが困難となる。
これに対し、本実施形態に係る構成であれば、クロック信号線P0C1Lを相補駆動することができ、書き込み動作時と読み出し動作時のクロック信号の方向を制御できる。従って、読み出し動作時においても、クロック信号と読み出しデータの送信方向を同じにできる。
図9に示すように、読み出し動作において、第1クロック信号CLK1の送信方向とデータDATの送信方向を同じにすることにより、データ入出力回路36_0、36_15、36_64、及び36_79の遅延量のばらつきを抑制できる。従って、データDAT<79:0>が、例えば第1フリップフロップ回路11aに達するタイミングのずれを抑制できる。従って、第1フリップフロップ回路11a(または第2フリップフロップ回路11b)におけるデータキャプチャウィンドウを十分に確保することができ、誤読み出しを抑制できる。従って、半導体記憶装置の信頼性を向上できる。
更に、データキャプチャウィンドウが狭くなるのを抑制できるため、より高い周波数の出力信号(クロック信号)に対応でき、半導体記憶装置の処理能力を向上できる。
2.第2実施形態
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態では、読み出し動作時における第1フリップフロップ回路11aへの第2クロック信号の送信経路について説明する。以下、第1実施形態と異なる点についてのみ説明する。
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態では、読み出し動作時における第1フリップフロップ回路11aへの第2クロック信号の送信経路について説明する。以下、第1実施形態と異なる点についてのみ説明する。
2.1 クロック信号線及びデータパスの構成
まず、クロック信号線とデータパスの構成について、図10を用いて説明する。図10の例は、プレーンPLN0、PLN4、PLN8、及びPLN12と、第1クロック信号線C1L及び第1データパスDP1との接続及びレイアウト、並びに、第1フリップフロップ回路11aと第2クロック信号CLK2の信号線との接続及びレイアウトを示している。他のプレーンPLNとデータパス及びクロック信号線との接続も同様である。なお、図10の例では、説明を簡略化するために、プレーンPLN0、PLN4、PLN8、及びPLN12のロウデコーダ31a及び31b、カラムデコーダ32a及び32b、センスアンプ33、及びページバッファ34は、省略されている。更に、第1実施形態の図5で説明したバッファ203、並びに双方向バッファ回路210、220、230、240、260、270、280、及び290は、省略されている。更に、第1クロック信号線C1L及び第1データパスDP1に接続される他のプレーン(PLN1、PLN5、PLN9、及びPLN13)は、省略されている。
まず、クロック信号線とデータパスの構成について、図10を用いて説明する。図10の例は、プレーンPLN0、PLN4、PLN8、及びPLN12と、第1クロック信号線C1L及び第1データパスDP1との接続及びレイアウト、並びに、第1フリップフロップ回路11aと第2クロック信号CLK2の信号線との接続及びレイアウトを示している。他のプレーンPLNとデータパス及びクロック信号線との接続も同様である。なお、図10の例では、説明を簡略化するために、プレーンPLN0、PLN4、PLN8、及びPLN12のロウデコーダ31a及び31b、カラムデコーダ32a及び32b、センスアンプ33、及びページバッファ34は、省略されている。更に、第1実施形態の図5で説明したバッファ203、並びに双方向バッファ回路210、220、230、240、260、270、280、及び290は、省略されている。更に、第1クロック信号線C1L及び第1データパスDP1に接続される他のプレーン(PLN1、PLN5、PLN9、及びPLN13)は、省略されている。
図10に示すように、第1クロック信号CLK1は、第1クロック信号線C1Lを介して各プレーンPLNに送信される。より具体的には、第1クロック信号線C1Lは、プレーンPLN0、PLN4、PLN8、及びPLN12の各々に含まれるデータ入出力回路36_0〜36_79に沿って配置されている。そして、図10の例では、紙面下側から上側に向かって第1クロック信号CLK1が送信される。また、図10の例では、第1クロック信号線C1Lには、中継用の高駆動ドライバと機能するバッファ202a〜202dが設けられている。バッファ202a〜202dは、第1実施形態の図5で説明したバッファ202に相当する。なお、第1クロック信号線C1Lに接続されるバッファの個数は、任意に設定可能である。
プレーンPLN0、PLN4、PLN8、及びPLN12は、第1実施形態の図5と同様に、対応するクロック信号線P0C1L、P4C1L、P8C1L、及びP12C1Lにそれぞれ接続される。クロック信号線P0C1Lの一端及び他端は、2つのスリーステートバッファ200a及び201aを介して第1クロック信号線C1Lに接続される。同様に、クロック信号線P4C1Lの一端及び他端は、2つのスリーステートバッファ200b及び201bを介して第1クロック信号線C1Lに接続される。クロック信号線P8C1Lの一端及び他端は、2つのスリーステートバッファ200c及び201cを介して第1クロック信号線C1Lに接続される。クロック信号線P12C1Lの一端及び他端は、2つのスリーステートバッファ200d及び201dを介して第1クロック信号線C1Lに接続される。
スリーステートバッファ200a〜200dは、第1実施形態の図5で説明したスリーステートバッファ200に相当し、チップ制御回路13から送信される制御信号WS1〜WS4に基づいてそれぞれ制御される。制御信号WS1、WS2、WS3、及びWS4は、プレーンPLN0、PLN4、PLN8、及びPLN12の書き込み動作時に、それぞれ“H”レベルとされる。スリーステートバッファ201a〜201dは、第1実施形態の図5で説明したスリーステートバッファ201に相当し、チップ制御回路13から送信される制御信号RS1〜RS4に基づいてそれぞれ制御される。制御信号RS1、RS2、RS3、及びRS4は、プレーンPLN0、PLN4、PLN8、及びPLN12の読み出し動作時に、それぞれ“H”レベルとされる。
第1データパスDP1は、例えば、第1クロック信号線C1Lに沿って配置されている。第1データパスDP1の経路には、4つの双方向バッファ回路250a〜250dが設けられている。双方向バッファ回路250a〜250dは、第1実施形態の図5で説明した双方向バッファ回路250に相当する。より具体的には、第1フリップフロップ回路11aに接続された第1データパスDP1の一端から他端に向かって、第1データパスDP1には、双方向バッファ回路250a、プレーンPLN0、双方向バッファ回路250b、プレーンPLN4、双方向バッファ回路250c、プレーンPLN8、双方向バッファ回路250d、プレーンPLN12が順に接続される。
双方向バッファ回路250aは、2つのスリーステートバッファ251a及び252aを含む。同様に、双方向バッファ回路250bは、2つのスリーステートバッファ251b及び252bを含む。双方向バッファ回路250cは、2つのスリーステートバッファ251c及び252cを含む。双方向バッファ回路250dは、2つのスリーステートバッファ251d及び252dを含む。
スリーステートバッファ251a〜251dは、第1実施形態の図5で説明したスリーステートバッファ251に相当し、チップ制御回路13から送信される制御信号RSa〜RSdに基づいてそれぞれ制御される。制御信号RSaは、プレーンPLN0、PLN4、PLN8、及びPLN12の読み出し動作時に、“H”レベルとされる。制御信号RSbは、プレーンPLN4、PLN8、及びPLN12の読み出し動作時に、“H”レベルとされる。制御信号RScは、PLN8及びPLN12の読み出し動作時に、“H”レベルとされる。制御信号RSdは、プレーンPLN12の読み出し動作時に、“H”レベルとされる。
スリーステートバッファ252a〜252dは、第1実施形態の図5で説明したスリーステートバッファ252に相当し、チップ制御回路13から送信される制御信号WSa〜WSdに基づいてそれぞれ制御される。制御信号WSaは、プレーンPLN0、PLN4、PLN8、及びPLN12の書き込み動作時に、“H”レベルとされる。制御信号WSbは、プレーンPLN4、PLN8、及びPLN12の書き込み動作時に、“H”レベルとされる。制御信号WScは、PLN8及びPLN12の書き込み動作時に、“H”レベルとされる。制御信号WSdは、プレーンPLN12の書き込み動作時に、“H”レベルとされる。
次に、第1フリップフロップ回路11aに入力される第2クロック信号CLK2について、説明する。第2クロック信号CLK2は、読み出し対象となるプレーンPLNに応じた異なる送信経路を介して、第1フリップフロップ回路11aに入力される。
より具体的には、読み出し対象としてプレーンPLN0が選択された場合、クロック信号線C2L1、C2L2及びC2L9を用いた第1経路が選択され、読み出し対象としてプレーンPLN4が選択された場合、クロック信号線C2L1〜C2L3、C2L8、及びC2L9を用いた第2経路が選択される。また、読み出し対象としてプレーンPLN8が選択された場合、クロック信号線C2L1〜C2L4、及びC2L7〜C2L9を用いた第3経路が選択され、読み出し対象としてプレーンPLN12が選択された場合、クロック信号線C2L1〜C2L9を用いた第4経路が選択される。
クロック信号線C2L1〜C2L9は、第1クロック信号線C1L及び第1データパスDP1に沿って配置される。より具体的には、クロック信号線C2L2〜C2L5は、図示せぬ電源電圧配線及び接地電圧配線から第1クロック信号線C1Lが受けるノイズの影響とクロック信号線C2L2〜C2L5が受けるノイズの影響とが同程度となるように、第1クロック信号線C1Lの近傍に配置されるのが好ましい。同様に、クロック信号線C2L6は、図示せぬ電源電圧配線及び接地電圧配線からクロック信号線P12C1Lが受けるノイズの影響とクロック信号線C2L6が受けるノイズの影響とが同程度となるように、クロック信号線P12C1Lの近傍に配置されるのが好ましい。クロック信号線C2L7は、図示せぬ電源電圧配線及び接地電圧配線からクロック信号線P8C1Lが受けるノイズの影響とクロック信号線C2L7が受けるノイズの影響とが同程度となるように、クロック信号線P8C1Lの近傍に配置されるのが好ましい。クロック信号線C2L8は、図示せぬ電源電圧配線及び接地電圧配線からクロック信号線P4C1Lが受けるノイズの影響とクロック信号線C2L8が受けるノイズの影響とが同程度となるように、クロック信号線P4C1Lの近傍に配置されるのが好ましい。クロック信号線C2L9は、図示せぬ電源電圧配線及び接地電圧配線からクロック信号線P0C1Lが受けるノイズの影響とクロック信号線C2L9が受けるノイズの影響とが同程度となるように、クロック信号線P0C1Lの近傍に配置されるのが好ましい。
クロック信号線C2L1〜C2L9の経路には、バッファ300、送信経路を切り替えるための切り替え回路310、320、及び330、並びにスリーステートバッファ301が設けられている。
バッファ300の入力端子は、クロック信号線C2L1を介してクロック生成回路14に接続され、出力端子は、クロック信号線C2L2に接続される。
切り替え回路310は、2つのスリーステートバッファ311及び312、並びにマルチプレクサ313を含む。スリーステートバッファ311の入力端子は、クロック信号線C2L2に接続され、出力端子は、クロック信号線C2L3に接続され、制御端子には、制御信号RSbが入力される。スリーステートバッファ312の入力端子は、クロック信号線C2L2に接続され、出力端子は、マルチプレクサ313の一方の入力端子に接続され、制御端子には、制御信号RS1が入力される。マルチプレクサ313の他方の入力端子は、クロック信号線C2L8に接続され、出力端子はクロック信号線C2L9に接続される。マルチプレクサ313は、制御信号RS1が“H”レベルのときに、スリーステートバッファ312の出力端子と、クロック信号線C2L9とを接続し、制御信号RS1が“L”レベルのときに、クロック信号線C2L8とクロック信号線C2L9とを接続する。
切り替え回路320は、2つのスリーステートバッファ321及び322、並びにマルチプレクサ323を含む。スリーステートバッファ321の入力端子は、クロック信号線C2L3に接続され、出力端子は、クロック信号線C2L4に接続され、制御端子には、制御信号RScが入力される。スリーステートバッファ322の入力端子は、クロック信号線C2L3に接続され、出力端子は、マルチプレクサ323の一方の入力端子に接続され、制御端子には、制御信号RS2が入力される。マルチプレクサ323の他方の入力端子は、クロック信号線C2L7に接続され、出力端子はクロック信号線C2L8に接続される。マルチプレクサ323は、制御信号RS2が“H”レベルのときに、スリーステートバッファ322の出力端子と、クロック信号線C2L8とを接続し、制御信号RS2が“L”レベルのときに、クロック信号線C2L7とクロック信号線C2L8とを接続する。
切り替え回路330は、2つのスリーステートバッファ331及び332、並びにマルチプレクサ333を含む。スリーステートバッファ331の入力端子は、クロック信号線C2L4に接続され、出力端子は、クロック信号線C2L5に接続され、制御端子には、制御信号RSdが入力される。スリーステートバッファ332の入力端子は、クロック信号線C2L4に接続され、出力端子は、マルチプレクサ333の一方の入力端子に接続され、制御端子には、制御信号RS3が入力される。マルチプレクサ333の他方の入力端子は、クロック信号線C2L6に接続され、出力端子はクロック信号線C2L7に接続される。マルチプレクサ333は、制御信号RS3が“H”レベルのときに、スリーステートバッファ332の出力端子と、クロック信号線C2L7とを接続し、制御信号RS3が“L”レベルのときに、クロック信号線C2L6とクロック信号線C2L7とを接続する。
スリーステートバッファ301の入力端子は、クロック信号線C2L5に接続され、出力端子は、クロック信号線C2L6に接続され、制御端子には、制御信号RS4が入力される。
2.2 読み出し動作時のデータ並びに第1及び第2クロック信号送信の具体例
次に、読み出し動作時のデータDAT<79:0>、第1クロック信号CLK1、及び第2クロック信号CLK2の送信の具体例について、図11及び図12を用いて説明する。図11の例は、読み出し対象としてプレーンPLN0が選択された場合を示しており、図12の例は、読み出し対象としてプレーンPLN12が選択された場合を示している。
次に、読み出し動作時のデータDAT<79:0>、第1クロック信号CLK1、及び第2クロック信号CLK2の送信の具体例について、図11及び図12を用いて説明する。図11の例は、読み出し対象としてプレーンPLN0が選択された場合を示しており、図12の例は、読み出し対象としてプレーンPLN12が選択された場合を示している。
図11に示すように、プレーンPLN0が選択された場合、チップ制御回路13は、制御信号RS1及びRSaを“H”レベルとし、制御信号RS2〜RS4、RSb〜RSd、WS1〜WS4、WSa〜WSdを“L”レベルにする。これにより、第1クロック信号CLK1は、スリーステートバッファ201aを介してプレーンPLN0に送信される。データDAT<79:0>は、スリーステートバッファ251aを介して第1フリップフロップ回路11aに送信される。また、第2クロック信号CLK2は、第1経路、すなわち、クロック信号線C2L1及びC2L2、スリーステートバッファ311、並びにクロック信号線C2L9を介して、第1フリップフロップ回路11aに送信される。
図12に示すように、プレーンPLN12が選択された場合、チップ制御回路13は、制御信号RS4及びRSa〜RSdを“H”レベルとし、制御信号RS1〜RS3、WS1〜WS4、WSa〜WSdを“L”レベルにする。これにより、第1クロック信号CLK1は、スリーステートバッファ201dを介してプレーンPLN12に送信される。データDAT<79:0>は、スリーステートバッファ251d〜251aを介して第1フリップフロップ回路11aに送信される。第2クロック信号CLK2は、第4経路、すなわち、クロック信号線C2L1〜C2L9を介して、第1フリップフロップ回路11aに送信される。
2.3 本実施形態に係る効果
本実施形態に係る構成であれば、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
本実施形態に係る構成であれば、第1実施形態と同様の効果を得ることができる。
更に、本実施形態に係る構成であれば、電源電圧配線または接地電圧配線の電圧変動により生じるノイズによる読み出しデータのDuty比、遅延量、及び周期変動の影響を低減して誤読み出しを抑制し、半導体記憶装置の信頼性を向上できる。
例えば、あるプレーンPLNの読み出し動作を実行中に、他のプレーンPLNで、メモリセルアレイ30からページバッファ34までのセル読み出し動作等が行われると、電源電圧の変動、または、接地電圧の浮き(接地電圧の上昇)などが発生する。このため、電源電圧配線及び接地電圧配線における電圧変動がノイズとなり、第1クロック信号CLK1及び読み出しデータのDuty比、遅延量、及び周期が変動する(以下、Duty比、遅延量、及び周期の変動を単に「パルス変動」と呼ぶ)。このような第1クロック信号CLK1及び読み出しデータ(データDAT<79:0>)のパルス変動は、プレーンPLN、電圧発生回路(電源電圧配線)、及び接地電圧端子(接地電圧配線)の配置にも依存している。例えば、コア部2において、プレーンPLN0がプレーンPLN12よりも、電圧発生回路及び接地電圧端子に近い位置に配置されているとする。すると、プレーンPLN0は、例えば、プレーンPLN12でセル読み出し動作が行われても電源電圧の変動及び接地電圧の浮きの影響を受けにくく、第1クロック信号CLK1及び読み出しデータのパルス変動が比較的小さい。これに対し、プレーンPLN12は、例えば、プレーンPLN0でセル読み出し動作が行われると電源電圧の変動及び接地電圧の浮きの影響を受けやすいため、第1クロック信号CLK1及び読み出しデータのパルス変動が比較的大きくなる。このように、プレーンPLNにより、クロック信号及び読み出しデータのパルス変動量が異なると、例えば、第1フリップフロップ回路11aにおいてデータをラッチする際の最適なタイミングがプレーンPLN毎に異なる。
他のプレーンPLNでセル読み出し動作が行われている場合の読み出しデータのタイミングチャートの具体例について、図13及び図14を用いて説明する。図13は、比較例として、プレーンPLN0及びPLN12の読み出しデータを、第1フリップフロップ回路11aにおいて、同じタイミングでラッチする場合を示している。より具体的には、例えば、読み出し動作時に、第2クロック信号CLK2が、プレーンPLNに関わらず、例えば、第1経路、すなわち、スリーステートバッファ312を介して第1フリップフロップ回路11aに入力される場合を示している。図14は、本実施形態において、プレーンPLN0及びPLN12の読み出しデータを、第1フリップフロップ回路11aにおいて、異なるタイミングでラッチする場合を示している。なお、図13及び図14の例では、読み出しデータの一部として、プレーンPLN0のデータ入出力回路36_0及び36_79から出力されるデータ(参照符号”DPLN_DAT<0>”及び”PLN0_DAT<79>”)、並びにプレーンPLN12のデータ入出力回路36_0及び36_79から出力されるデータ(参照符号”PLN12_DAT<0>”及び”PLN12_DAT<79>”)を示している。また、図13及び図14の例では、第1実施形態と同様に、選択プレーンPLNに対応するクロック信号線(P0C1L及びP12C1L)における第1クロック信号CLK1の送信方向と第1データパスDP1におけるデータDAT<79:0>の送信方向とが同じである。
図13に示すように、プレーンPLN0の読み出し動作の場合、プレーンPLN0に入力される第1クロック信号CLK1は、他のプレーンPLNのセル読み出しによる電源電圧の変動と接地電圧の浮きの影響をあまり受けない。また、プレーンPLN0は、コア部2において、クロック生成回路14に対し比較的近いに配置されているため、クロック生成回路14からプレーンPLN0までの配線遅延(及びバッファ遅延)の影響が比較的小さい。このため、プレーンPLN0に入力される第1クロック信号CLK1は、パルス変動が比較的小さい。プレーンPLN0では、この入力クロック信号CLK1に基づいて、データDAT<79:0>が出力される。
これに対し、プレーンPLN12の読み出し動作の場合、プレーンPLN12は、他のプレーンPLNのセル読み出しによる電源電圧の変動と接地電圧の浮きの影響をプレーンPLN0よりも大きく受ける。また、プレーンPLN12は、コア部2において、クロック生成回路14に対し比較的遠いに配置されているため、クロック生成回路14からプレーンPLN0までの配線遅延(及びバッファ遅延)の影響がプレーンPLN0よりも大きい。このため、プレーンPLN12に入力される第1クロック信号CLK1は、パルス変動が、プレーンPLN0の場合よりも大きい。プレーンPLN12では、この入力クロック信号CLK1に基づいて、データDAT<79:0>が出力される。従って、プレーンPLN0とプレーンPN12とは、出力データDAT<79:0>のパルス変動量が異なる。
第1フリップフロップ回路11aに入力される第2クロック信号CLK2が、読み出し対象の選択プレーンPLNに関わらずに同じタイミングである場合、第1フリップフロップ回路11aにおいてプレーンPLN0またはプレーンPLN12から出力されたデータDAT<79:0>を取り込むためのデータキャプチャウィンドウは、パルス変動量の違いにより、データDAT<79:0>のパルス幅に対し、狭くなる。例えば、第2クロック信号CLK2が、プレーンPLN0に入力される第1クロック信号CLK1と同様に、電源電圧の変動と接地電圧の浮きの影響をあまり受けない場合、第2クロック信号CLK2とプレーンPLN12の読み出しデータとの周期のずれが大きくなる。すると、第1フリップフロップ回路11aにおけるデータキャプチャウィンドウと第2クロック信号CLK2との位相ずれにより、データの取り込みミスが生じる場合がある。
これに対し、本実施形態に係る構成であれば、第1フリップフロップ回路11aに入力される第2クロック信号CLK2の送信経路を選択プレーンPLNに応じて、変更することができる。これにより、選択プレーンに入力される第1クロック信号CLK1及び読み出しデータが電源電圧及び接地電圧の変動の影響を受けた場合に、第2クロック信号CLK2も同じように電源電圧及び接地電圧の変動の影響を受けることができ、選択プレーンPLNに応じて第1フリップフロップ回路11aにおける読み出しデータのラッチのタイミングを調整することができる。
より具体的には、図14に示すように、プレーンPLN0の読み出し動作の場合、第2クロック信号CLK2は、図11で説明した第1経路を介して第1フリップフロップ回路11aに入力される。従って、第1クロック信号CLK1及び第2クロック信号CLK2は、電源電圧及び接地電圧の変動の影響を同じように受ける。このため、第1フリップフロップ回路11aにおけるデータキャプチャウィンドウが狭くなるのを抑制できる。プレーンPLN12の読み出し動作の場合、第2クロック信号CLK2は、図12で説明した第4経路を介して第1フリップフロップ回路11aに入力される。従って、プレーンPLN0の場合と同様に、第1クロック信号CLK1及び第2クロック信号CLK2は、電源電圧及び接地電圧の変動の影響を同じように受ける。このため、第1フリップフロップ回路11aにおけるデータキャプチャウィンドウが狭くなるのを抑制できる。
従って、フリップフロップにおけるデータの取り込みミスが低減できるため、誤読み出しを抑制できる。よって、半導体記憶装置の信頼性を向上できる。
更に、データキャプチャウィンドウが狭くなるのを抑制できるため、より高い周波数の出力信号(クロック信号)に対応でき、半導体記憶装置の処理能力を向上できる。
3.変形例等
上記実施形態に係る半導体記憶装置は、複数のメモリセルをそれぞれ有する第1及び第2メモリブロック(Div0、Div1)を含むメモリセルアレイ(30)と、第1及び第2メモリブロックにそれぞれ対応する第1及び第2バッファ回路(35)と、第1及び第2バッファ回路に接続されたデータバスと、クロック信号(CLK1)を生成するクロック生成回路(14)と、クロック生成回路に接続された第1クロック信号線(C1L)と、一端から他端に向かって第1及び第2バッファ回路が順に接続された第2クロック信号線(P0C1L)と、入力端子が第1クロック信号線に接続され、出力端子が第2クロック信号線の一端に接続され、第1信号(WS1)に応じて動作する第1スリーステートバッファ(200)と、入力端子が第1クロック信号線に接続され、出力端子が第2クロック信号線の他端に接続され、第2信号(RS1)に応じて動作する第2スリーステートバッファ(201)とを含む。書き込み動作の際、第1及び第2バッファ回路には、第1スリーステートバッファを介してクロック信号が入力され、読み出し動作の際、第1及び第2バッファ回路には、第2スリーステートバッファを介してクロック信号が入力される。
上記実施形態に係る半導体記憶装置は、複数のメモリセルをそれぞれ有する第1及び第2メモリブロック(Div0、Div1)を含むメモリセルアレイ(30)と、第1及び第2メモリブロックにそれぞれ対応する第1及び第2バッファ回路(35)と、第1及び第2バッファ回路に接続されたデータバスと、クロック信号(CLK1)を生成するクロック生成回路(14)と、クロック生成回路に接続された第1クロック信号線(C1L)と、一端から他端に向かって第1及び第2バッファ回路が順に接続された第2クロック信号線(P0C1L)と、入力端子が第1クロック信号線に接続され、出力端子が第2クロック信号線の一端に接続され、第1信号(WS1)に応じて動作する第1スリーステートバッファ(200)と、入力端子が第1クロック信号線に接続され、出力端子が第2クロック信号線の他端に接続され、第2信号(RS1)に応じて動作する第2スリーステートバッファ(201)とを含む。書き込み動作の際、第1及び第2バッファ回路には、第1スリーステートバッファを介してクロック信号が入力され、読み出し動作の際、第1及び第2バッファ回路には、第2スリーステートバッファを介してクロック信号が入力される。
上記実施形態を適用することにより、信頼性を向上できる半導体記憶装置を提供できる。
なお、実施形態は上記説明した形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
更に、上記実施形態において、半導体記憶装置は、メモリセルトランジスタが半導体基板上に二次元に配置された平面NAND型フラッシュメモリであってもよく、他のメモリを有する半導体記憶装置であってもよい。
更に、上記実施形態における「接続」とは、間に例えばトランジスタあるいは抵抗等、他の何かを介在させて間接的に接続されている状態も含む。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1…半導体記憶装置、2…コア部、3…周辺回路部、11a、11b…フリップフロップ回路、12…シリアル/パラレル変換回路、13…チップ制御回路、14…クロック生成回路、15…入出力回路、16…出力回路、17…入力回路、18…ロジック制御回路、30…メモリセルアレイ、31a、31b…ロウデコーダ、32a、32b…カラムデコーダ、33…センスアンプ、34…ページバッファ、35…入出力バッファ、36、36_0〜36_79…データ入出力回路、100…半導体基板、101…n型ウェル、102…p型ウェル、103…n+型拡散層、104、110…配線層、105…半導体層、106…トンネル絶縁膜、107…電荷蓄積層、108…ブロック絶縁膜、109…コンタクトプラグ、200、200a〜200d、201、201a〜201d、202、202a〜204d、203、300…バッファ、210、220、230、240、250、250a〜250d、260、270、280、290…双方向バッファ回路、211、212、221、222、231、232、241、242、251、251a〜251d、252、252a〜252d、261、262、271、272、281、282、291、292、301、311、312、321、322、331、332…スリーステートバッファ、310、320、330…切り替え回路、313、323、333…マルチプレクサ。
Claims (6)
- 複数のメモリセルをそれぞれ有する第1及び第2メモリブロックを含むメモリセルアレイと、
前記第1及び第2メモリブロックにそれぞれ対応する第1及び第2バッファ回路と、
前記第1及び第2バッファ回路に接続されたデータパスと、
クロック信号を生成するクロック生成回路と、
前記クロック生成回路に接続された第1クロック信号線と、
一端から他端に向かって前記第1バッファ回路及び前記第2バッファ回路が順に接続された第2クロック信号線と、
入力端子が前記第1クロック信号線に接続され、出力端子が前記第2クロック信号線の一端に接続され、第1信号に応じて動作する第1スリーステートバッファと、
入力端子が前記第1クロック信号線に接続され、出力端子が前記第2クロック信号線の他端に接続され、第2信号に応じて動作する第2スリーステートバッファと
を備え、
書き込み動作の際、前記第1及び第2バッファ回路には、前記第1スリーステートバッファを介して前記クロック信号が入力され、
読み出し動作の際、前記第1及び第2バッファ回路には、前記第2スリーステートバッファを介して前記クロック信号が入力される
半導体記憶装置。 - 前記第1及び第2バッファ回路は、前記書き込み動作の際、前記クロック信号に応じて、前記データパスから書き込みデータを入力し、前記読み出し動作の際、前記クロック信号に応じて、前記データパスに読み出しデータを出力する
請求項1記載の半導体記憶装置。 - 前記データパスの一端に接続されたフリップフロップ回路を更に備え、
前記データパスの前記一端から、前記データパスの他端に向かって、前記第1バッファ回路及び前記第2バッファ回路が順に接続される
請求項1または2記載の半導体記憶装置。 - 前記データパス及び前記第2クロック信号線は、第1方向に沿って配置され、
前記書き込み動作及び前記読み出し動作において、前記データパスにおけるデータの送信方向と、前記第2クロック信号線における前記クロック信号の送信方向とは同じである
請求項1乃至3のいずれか一項記載の半導体記憶装置。 - 複数のメモリセルを有するメモリセルアレイをそれぞれ含む第1及び第2プレーンと、
一端から他端に向かって前記第1及び第2プレーンが順に接続されたデータパスと、
第1及び第2クロック信号を生成するクロック生成回路と、
一端が前記クロック生成回路に接続され、前記第1及び第2クロック信号をそれぞれ送信する第1及び第2クロック信号線と、
前記第1プレーンに接続された第3クロック信号線と、
前記第2プレーンに接続された第4クロック信号線と、
入力が前記第1クロック信号線に接続され、出力が前記第3クロック信号線の一端に接続され、第1信号に応じて動作する第1スリーステートバッファと、
入力が前記第1クロック信号線に接続され、出力が前記第3クロック信号線の他端に接続され、第2信号に応じて動作する第2スリーステートバッファと、
入力が前記第1クロック信号線に接続され、出力が前記第4クロック信号線の一端に接続され、第3信号に応じて動作する第3スリーステートバッファと、
入力が前記第1クロック信号線に接続され、出力が前記第4クロック信号線の他端に接続され、第4信号に応じて動作する第4スリーステートバッファと、
前記データパスの一端に接続され、前記第2クロック信号に応じて読み出しデータをラッチするフリップフロップ回路と、
前記第2クロック信号線の前記一端から前記第2クロック信号線の他端に向かって順に接続された第1及び第2切り替え回路と
を備え、
前記第1クロック信号線の前記一端から前記第1クロック信号線の他端に向かって、前記第1乃至第4スリーステートバッファが順に接続され、
前記第1プレーンの読み出し動作の際、前記第1プレーンには、前記第2スリーステートバッファを介して前記第1クロック信号が入力され、前記フリップフロップ回路には、前記第1切り替え回路を介して前記第2クロック信号が入力され、
前記第2プレーンの読み出し動作の際、前記第2プレーンには、前記第4スリーステートバッファを介して前記第1クロック信号が入力され、前記フリップフロップ回路には、前記第1及び第2切り替え回路を介して前記第2クロック信号が入力される
半導体記憶装置。 - 前記第1及び第2プレーンの各々は、前記第1クロック信号に応じてデータの入出力を行うバッファ回路をそれぞれ含む
請求項5記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018028623A JP2019145186A (ja) | 2018-02-21 | 2018-02-21 | 半導体記憶装置 |
CN201810886816.7A CN110176268B (zh) | 2018-02-21 | 2018-08-06 | 半导体存储装置 |
TW107127310A TWI666641B (zh) | 2018-02-21 | 2018-08-06 | Semiconductor memory device |
US16/121,069 US10522231B2 (en) | 2018-02-21 | 2018-09-04 | Semiconductor memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018028623A JP2019145186A (ja) | 2018-02-21 | 2018-02-21 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019145186A true JP2019145186A (ja) | 2019-08-29 |
Family
ID=67618129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018028623A Pending JP2019145186A (ja) | 2018-02-21 | 2018-02-21 | 半導体記憶装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10522231B2 (ja) |
JP (1) | JP2019145186A (ja) |
CN (1) | CN110176268B (ja) |
TW (1) | TWI666641B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11657858B2 (en) | 2018-11-28 | 2023-05-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory devices including memory planes and memory systems including the same |
KR102670866B1 (ko) * | 2018-11-28 | 2024-05-30 | 삼성전자주식회사 | 복수의 메모리 플레인들을 포함하는 비휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
CN112422116A (zh) * | 2019-08-23 | 2021-02-26 | 长鑫存储技术有限公司 | 多级驱动数据传输电路及数据传输方法 |
CN111009272B (zh) * | 2019-11-18 | 2020-08-25 | 广东高云半导体科技股份有限公司 | 输入输出逻辑电路、物理层接口模块及fpga芯片、存储系统 |
TWI727842B (zh) * | 2020-02-20 | 2021-05-11 | 大陸商長江存儲科技有限責任公司 | 存儲器件及其編程方法 |
JP2021149659A (ja) * | 2020-03-19 | 2021-09-27 | キオクシア株式会社 | 半導体集積回路、メモリコントローラ、およびメモリシステム |
KR20220018060A (ko) | 2020-04-23 | 2022-02-14 | 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디. | 메모리 디바이스 및 그것의 프로그래밍 방법 |
CN114078488A (zh) * | 2020-08-21 | 2022-02-22 | 长鑫存储技术(上海)有限公司 | 存储器 |
EP4080508A4 (en) | 2020-08-21 | 2023-08-02 | Changxin Memory Technologies, Inc. | MEMORY |
JP2022146494A (ja) * | 2021-03-22 | 2022-10-05 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置およびメモリシステム |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR960003526B1 (ko) * | 1992-10-02 | 1996-03-14 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리장치 |
JPS5358913A (en) | 1976-11-10 | 1978-05-27 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | Controlling method of cooling water system in continuous annealing equipment |
US4727519A (en) * | 1985-11-25 | 1988-02-23 | Motorola, Inc. | Memory device including a clock generator with process tracking |
US5590316A (en) * | 1995-05-19 | 1996-12-31 | Hausauer; Brian S. | Clock doubler and smooth transfer circuit |
JP4063392B2 (ja) | 1998-03-26 | 2008-03-19 | 富士通株式会社 | 信号伝送システム |
US6247138B1 (en) | 1997-06-12 | 2001-06-12 | Fujitsu Limited | Timing signal generating circuit, semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit system to which the timing signal generating circuit is applied, and signal transmission system |
JP3922765B2 (ja) | 1997-07-22 | 2007-05-30 | 富士通株式会社 | 半導体装置システム及び半導体装置 |
JPH11316617A (ja) * | 1998-05-01 | 1999-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体回路装置 |
JP3727778B2 (ja) | 1998-05-07 | 2005-12-14 | 株式会社東芝 | データ高速転送同期システム及びデータ高速転送同期方法 |
US6094727A (en) * | 1998-06-23 | 2000-07-25 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling the data rate of a clocking circuit |
JP2000163961A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | 同期型半導体集積回路装置 |
US7370168B2 (en) * | 2003-04-25 | 2008-05-06 | Renesas Technology Corp. | Memory card conforming to a multiple operation standards |
JP2006092643A (ja) | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Sony Corp | 同期型半導体記憶装置 |
US20070260778A1 (en) * | 2006-04-04 | 2007-11-08 | Ming-Shiang Lai | Memory controller with bi-directional buffer for achieving high speed capability and related method thereof |
KR100723889B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2007-05-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 직렬 입/출력 인터페이스를 가진 멀티 포트 메모리 소자 |
JP5358913B2 (ja) | 2007-09-07 | 2013-12-04 | 日本電気株式会社 | 半導体集積回路およびその設計方法 |
KR101751045B1 (ko) * | 2010-05-25 | 2017-06-27 | 삼성전자 주식회사 | 3d 반도체 장치 |
JP2013143160A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-07-22 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
US8629548B1 (en) | 2012-10-11 | 2014-01-14 | Easic Corporation | Clock network fishbone architecture for a structured ASIC manufactured on a 28 NM CMOS process lithographic node |
TWM485381U (zh) * | 2014-04-18 | 2014-09-01 | New Widetech Ind Co Ltd | 除濕機無聲蓄水裝置 |
JP2017212021A (ja) * | 2016-05-24 | 2017-11-30 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2018113084A (ja) * | 2017-01-06 | 2018-07-19 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
US10134482B2 (en) * | 2017-01-17 | 2018-11-20 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for high speed writing test mode for memories |
US9818462B1 (en) * | 2017-01-19 | 2017-11-14 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for providing internal clock signals of different clock frequencies in a memory device |
-
2018
- 2018-02-21 JP JP2018028623A patent/JP2019145186A/ja active Pending
- 2018-08-06 TW TW107127310A patent/TWI666641B/zh active
- 2018-08-06 CN CN201810886816.7A patent/CN110176268B/zh active Active
- 2018-09-04 US US16/121,069 patent/US10522231B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110176268B (zh) | 2023-06-30 |
US20190259460A1 (en) | 2019-08-22 |
CN110176268A (zh) | 2019-08-27 |
TW201937501A (zh) | 2019-09-16 |
US10522231B2 (en) | 2019-12-31 |
TWI666641B (zh) | 2019-07-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110176268B (zh) | 半导体存储装置 | |
US10354730B2 (en) | Multi-deck memory device with access line and data line segregation between decks and method of operation thereof | |
US11500770B2 (en) | Memory device controlling including reading from a first memory and writing to a second memory based on timing and control signals | |
US10354734B2 (en) | Memory device including multiple gate-induced drain leakage current generator circuits | |
US10706930B2 (en) | 3D memory device including shared select gate connections between memory blocks | |
EP2882104B1 (en) | Level shift circuit, semiconductor device | |
JP2007207380A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US10042755B2 (en) | 3D vertical NAND memory device including multiple select lines and control lines having different vertical spacing | |
US10580461B2 (en) | Semiconductor memory device and layout scheme of global lines over pass transistors | |
TW201916054A (zh) | 半導體記憶裝置 | |
JP2008204545A (ja) | 不揮発性半導体メモリ | |
JP4256222B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
US20210090655A1 (en) | Semiconductor memory device | |
US20150016205A1 (en) | Semiconductor circuit | |
TWI701666B (zh) | 半導體記憶裝置 | |
JP2004185660A (ja) | 半導体記憶装置 | |
CN111798899B (zh) | 半导体装置 | |
US20230395501A1 (en) | Memory device including source structure having conductive islands of different widths | |
US20230410917A1 (en) | Nonvolatile memory device including power gating circuit and input/output circuit of a nonvolatile memory device | |
JP2013020668A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20240005997A1 (en) | Semiconductor storage device | |
US20230010266A1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2006127611A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2022125651A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US9230653B2 (en) | Semiconductor memory device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20180831 |