JP2022146388A - 回路装置 - Google Patents

Abstract

【課題】回路装置の小型化を図りつつ、当該回路装置が備える回路基板の信頼性を向上させることが可能な技術を提供する。【解決手段】第１放熱部材は第１バスバーに熱的に接続されている。第２熱放熱部材は第２バスバーに熱的に接続されている。第１バスバー及び第２バスバーは、互いに対向する第１対向部分及び第２対向部分をそれぞれ有する。第１対向部分は、第１電子部品が搭載された第１の面と、当該第１の面とは反対側の第２の面とを有する。第２対向部分は、第２の面と対向する第３の面と、当該第３の面とは反対側に位置し、第２電子部品が搭載された第４の面とを有する。回路基板は、第１対向部分側から第２対向部分側を見た場合、第１対向部分よりも奥側に位置し、かつ第２対向部分よりも手前側に位置する配線基板を有する。【選択図】図１１

Description

本開示は、回路装置に関する。

特許文献１には、電子部品が搭載された放熱基板が開示されている。また、特許文献２には、ヒートシンクと、当該ヒートシンクに搭載された半導体スイッチング素子と、当該半導体スイッチング素子に電気的に接続された回路基板とを備える回路装置が開示されている。

特開平９－３２１３９５号公報 特開２００８－１６６３８３号公報

回路装置については、その小型化が望まれる。また、特許文献２の装置では、半導体スイッチング素子の上方に回路基板が配置されていることから、回路基板は、半導体スイッチング素子が発する熱の影響を受けやすく、回路基板の信頼性が低下する可能性がある。

そこで、回路装置の小型化を図りつつ、当該回路装置が備える回路基板の信頼性を向上させることが可能な技術を提供することを目的とする。

本開示の回路装置は、第１電子部品と、前記第１電子部品が搭載された第１バスバーと、前記第２電子部品と、前記第２電子部品が搭載された第２バスバーと、前記第１バスバーに熱的に接続された第１放熱部材と、前記第２バスバーに熱的に接続された第２放熱部材と、前記第１電子部品及び前記第２電子部品のそれぞれと電気的に接続された回路基板とを備え、前記第１バスバー及び前記第２バスバーは、互いに対向する第１対向部分及び第２対向部分をそれぞれ有し、前記第１対向部分は、前記第１電子部品が搭載された第１の面と、当該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、前記第２対向部分は、前記第１対向部分の前記第２の面と対向する第３の面と、当該第３の面とは反対側に位置し、前記第２電子部品が搭載された第４の面とを有し、前記回路基板は、前記第１対向部分側から前記第２対向部分側を見た場合、前記第１対向部分よりも奥側に位置し、かつ前記第２対向部分よりも手前側に位置する配線基板を有する。

本開示によれば、回路装置の小型化を図りつつ、当該回路装置が備える回路基板の信頼性を向上させることができる。

図１は回路装置の一例を示す概略図である。 図２は回路装置の一例を示す概略図である。 図３は回路装置の一例を示す概略図である。 図４は回路構成体の一例を示す概略図である。 図５は回路構成体の一例を示す概略図である。 図６は回路構成体の一例を示す概略図である。 図７は回路構成体の一例を示す概略図である。 図８は回路構成体の一例を示す概略図である。 図９は回路構成体の一例を示す概略図である。 図１０は回路構成体の一例を示す概略図である。 図１１は回路構成体の一例を示す概略図である。 図１２は回路構成体の一例を示す概略図である。 図１３はバスバー及び導電端子の一例を示す概略図である。 図１４は回路構成体の一例を部分的に拡大して示す概略図である。 図１５は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。 図１６は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。 図１７は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。 図１８は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。 図１９は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。 図２０は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。 図２１は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。 図２２は絶縁部が導電端子に固定される様子の一例を示す概略図である。 図２３は回路装置の一例を示す概略図である。 図２４は回路装置の一例を部分的に拡大して示す概略図である。 図２５は回路装置の一例を示す概略図である。 図２６はケースと回路構成体の一例を示す概略図である。 図２７は放熱部材及び絶縁部材の一例を示す概略図である。 図２８は放熱部材及び絶縁部材の一例を示す概略図である。 図２９は伝熱経路の一例を説明するための概略図である。

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。

本開示の回路装置は、次の通りである。

（１）第１電子部品と、前記第１電子部品が搭載された第１バスバーと、前記第２電子部品と、前記第２電子部品が搭載された第２バスバーと、前記第１バスバーに熱的に接続された第１放熱部材と、前記第２バスバーに熱的に接続された第２放熱部材と、前記第１電子部品及び前記第２電子部品のそれぞれと電気的に接続された回路基板とを備え、前記第１バスバー及び前記第２バスバーは、互いに対向する第１対向部分及び第２対向部分をそれぞれ有し、前記第１対向部分は、前記第１電子部品が搭載された第１の面と、当該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、前記第２対向部分は、前記第１対向部分の前記第２の面と対向する第３の面と、当該第３の面とは反対側に位置し、前記第２電子部品が搭載された第４の面とを有し、前記回路基板は、前記第１対向部分側から前記第２対向部分側を見た場合、前記第１対向部分よりも奥側に位置し、かつ前記第２対向部分よりも手前側に位置する配線基板を有する。本開示によると、第１電子部品及び第２電子部品は、互いに対向する第１対向部分及び第２対向部分にそれぞれ搭載されていることから、第１対向部分側からあるいは第２対向部分側から見た場合の回路装置の平面サイズを小さくすることができる。つまり、回路装置の小型化を図ることができる。また、本開示によると、第１電子部品が発生する熱は、第１バスバーの第１対向部分を通じて第１放熱部材に伝わり、第１放熱部材から外部に放出される。また、第２電子部品が発生する熱は、第２バスバーの第２対向部分を通じて第２放熱部材に伝わり、第２放熱部材から外部に放出される。ここで、第１対向部分側から第２対向部分側を見た場合、配線基板は、第１対向部分よりも奥側に位置し、かつ第２対向部分よりも手前側に位置する。そして、第１電子部品は、第１対向部分において、第２対向部分側の第２の面とは反対側の第１の面に搭載され、第２電子部品は、第２対向部分において、第１対向部分側の第３の面とは反対側の第４の面に搭載されている。したがって、配線基板は、第１対向部分に対して第１電子部品とは反対側に位置するとともに、第２対向部分に対して第２電子部品とは反対側に位置する。よって、配線基板は、第１電子部品が発する熱の影響も、第２電子部品が発する熱の影響も受けにくくなる。よって、回路基板の信頼性が向上する。

（２）前記第１電子部品、前記第２電子部品、前記第１対向部分、前記第２対向部分及び前記回路基板を収容するケースをさらに備え、前記第１放熱部材及び前記第２放熱部材のそれぞれは、前記ケースの外表面上に位置する部分を有してもよい。この場合、第１放熱部材及び第２放熱部材のそれぞれは、ケースの外表面上に位置する部分を有することから、当該部分の大きさを調整することによって、ケース内の部品配置等に影響を与えることなく、第１放熱部材及び第２放熱部材の放熱特性を調整することができる。

（３）前記第１対向部分の前記第１の面上に位置する第１熱伝導材をさらに備え、前記第１放熱部材は前記第１熱伝導材に接触してもよい。この場合、第１放熱部材は、第１対向部分における、回路基板側の第２の面とは反対側の第１の面上に位置する第１熱伝熱材に接触していることから、第１放熱部材と回路基板との干渉を避けつつ、第１電子部品から第１放熱部材までの伝熱経路を短くすることができる。よって、回路装置の放熱特性が向上する。

（４）前記第１対向部分の前記第１の面に搭載された第３電子部品と、前記第１対向部分の前記第１の面上に位置する第２熱伝導材とをさらに備え、前記第１熱伝導材は前記第１電子部品の周辺に位置し、前記第２熱伝導材は前記第３電子部品の周辺に位置し、前記第１放熱部材は、前記第１熱伝導材及び前記第２熱伝導材のそれぞれに接触してもよい。この場合、第１放熱部材は、第１電子部品の周辺の第１熱伝導材と、第２電子部品の周辺の第２熱伝導材のそれぞれに接触していることから、第１電子部品から第１放熱部材までの伝熱経路と、第２電子部品から第１放熱部材までの伝熱経路のそれぞれを短くすることができる。よって、回路装置の放熱性が向上する。

（５）前記第１放熱部材は、前記第１熱伝導材と接触する接触面を有し、前記接触面の周縁を取り囲みつつ、前記接触面よりも前記第１の面側に突出する環状突出部を有する第１絶縁部材をさらに備え、前記第１熱伝導材は、前記接触面と前記環状突出部とで構成される凹部内を充填する充填部分を有してもよい。この場合、第１熱伝導材は、第１放熱部材の接触面と第１絶縁部材の環状突出部とで構成される凹部内を充填する充填部分を有することから、第１放熱部材を第１熱伝導材に適切に接触させることができる。これにより、回路装置の放熱性が向上する。

（６）前記第１電子部品は、互いに隣り合う第１接続端子及び第２接続端子を有し、前記第１接続端子及び前記第２接続端子は、第１接合対象部及び第２接合対象部にそれぞれ導電性接合材で接合され、前記第１接続端子と前記第２接続端子の間に位置する絶縁部をさらに備えてもよい。この場合、第１接続端子と第２接続端子の間に絶縁部が位置することから、導電性接合材によって、第１接続端子と第２接続端子とが短絡しにくくなる。さらに、第１接続端子と第２接続端子の間に位置する絶縁部によって、第１接続端子及び第２接続端子の位置が規制されることから、第１接続端子及び第２接続端子を第１接合対象部及び第２接合対象部に接合する際に第１接続端子及び第２接続端子の位置がずれにくくなる。

（７）前記第１接合対象部は、前記回路基板に電気的に接続される導電端子に含まれ、前記導電端子及び前記回路基板のそれぞれに接合され、前記導電端子及び前記回路基板を互いに電気的に接続する曲げ導電片をさらに備えてもよい。この場合、曲げ導電片が、導電端子及び回路基板のそれぞれに接合されて、導電端子及び回路基板を互いに電気的に接続することから、導電端子及び回路基板の熱変形により導電端子の接合部分及び回路基板の接合部分にかかる熱応力を導電片の曲げで緩和することができる。

［本開示の実施形態の詳細］
本開示の回路装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されず、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内におけるすべての変更が含まれることが意図される。

＜回路装置の概要説明＞
図１は回路装置１の一例を示す概略平面図である。図２は、図１に示される回路装置１を、図１の紙面裏側から斜め方向に見た様子の一例を示す概略斜視図である。図３は、図１に示される回路装置１を、図１の紙面右側か見た様子の一例を示す概略側面図である。回路装置１は、例えば、自動車において、バッテリと各種電装部品との間の電力供給路に設けられる。このような用途に使用される回路装置１は電気接続箱とも呼ばれる。なお、回路装置１の用途はこれに限られない。

図１～３に示されるように、回路装置１は、例えば、複数の電子部品及び回路基板等を備える回路構成体１０と、回路構成体１０を部分的に収容するケース７０と、回路構成体１０が発する熱を回路装置１の外部に放出する複数の放熱部材８０とを備える。本例では、回路装置１は、例えば２つの放熱部材８０ａ及び８０ｂを備える。放熱部材８０ａ及び８０ｂは例えばケース７０に固定されている。

以下では、図１～３等に示されるＸＹＺ直交座標系を用いて回路装置１について詳細に説明する。以下の説明では、＋Ｚ側を上側とし、－Ｚ側を下側とする。

＜回路構成体の概略説明＞
図４～１２は回路構成体１０の一例を示す概略図である。図４は回路構成体１０を上側から見た様子の一例を示す概略斜視図である。図５は回路構成体１０を下側から見た様子の一例を示す概略斜視図である。図６は回路構成体１０の一例を示す概略上面図である。図７は回路構成体１０の一例を示す概略下面図である。図８は図６に示される回路構成体１０を図６の下側（言い換えれば－Ｙ側）から見た様子の一例を示す概略図である。図９は図６に示される回路構成体１０を図６の右側（言い換えれば－Ｘ側）から見た様子の一例を示す概略図である。図１０は図６の矢視Ａ－Ａの断面構造の一例を示す概略図である。図１１は図６の矢視Ｂ－Ｂの断面構造の一例を示す概略図である。図１２は図６の矢視Ｃ－Ｃの断面構造の一例を示す概略図である。

図４～１２に示されるように、回路構成体１０は、例えば、入力側バスバー２と、出力側バスバー３と、中継バスバー４と、入力側バスバー２、出力側バスバー３及び中継バスバー４を互いに絶縁するための絶縁部材５とを備える。また、回路構成体１０は、例えば、回路基板６と、複数の電子部品１１と、複数の電子部品１２と、複数の導電端子１３と、複数の導電片１４とを備える。

入力側バスバー２（単にバスバー２という）、出力側バスバー３（単にバスバー３という）及び中継バスバー４（単にバスバー４という）のそれぞれは、例えば板状の金属部材である。バスバー２，３，４の厚みは例えば２ｍｍである。バスバー２は、例えば、本体部２０と入力端子部２３とを備える。入力端子部２３は、その厚み方向に貫通する貫通孔２３ａを有する。バスバー３は、例えば、本体部３０と出力端子部３３とを備える。出力端子部３３は、その厚み方向に貫通する貫通孔３３ａを有する。バスバー４は、バスバー２の本体部２０とバスバー３の本体部３０の近傍に位置する。

各電子部品１１は例えばスイッチング素子である。電子部品１１は例えばＭＯＥＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）である。ＭＯＳＦＥＴは、半導体スイッチング素子の一種である。電子部品１１は、例えば、ドレイン端子１１３と、複数のソース端子１１２と、ゲート端子１１１とを備える。ドレイン端子１１３、ソース端子１１２及びゲート端子１１１のそれぞれは接続端子ともいえる。 複数の電子部品１１は、例えば、上側（言い換えれば＋Ｚ側）に配置された複数の電子部品１１ａと、下側（言い換えれば－Ｚ側）に配置された複数の電子部品１１ｂとを含む。本例では、回路構成体１０は、例えば、４個の電子部品１１ａと４個の電子部品１１ｂとを備える。

以後、電子部品１１，１１ａ，１１ｂをそれぞれＭＯＳＦＥＴ１１，１１ａ，１１ｂと呼ぶことがある。電子部品１１はＭＯＳＦＥＴ以外のスイッチング素子であってもよい。また、電子部品１１は、スイッチング素子以外の電子部品であってもよい。また、回路構成体１０が備える電子部品１１の数は上記の例に限られない。

各電子部品１２は例えばダイオードである。電子部品１２は例えばツェナーダイオードである。電子部品１２は、例えば、カソード端子１２１と、２つのアノード端子１２２とを備える。カソード端子１２１及びアノード端子１２２のそれぞれは接続端子ともいえる。複数の電子部品１２は、例えば、上側に配置された１個の電子部品１２ａと、下側に配置された１個の電子部品１２ｂとを含む。

以後、電子部品１２，１２，１２ｂをそれぞれツェナーダイオード１２，１２ａ，１２ｂと呼ぶことがある。電子部品１２はツェナーダイオード以外のダイオードであってもよい。また、電子部品１２はダイオード以外の電子部品であってもよい。また、回路構成体１０が備える電子部品１２の数は上記の例に限られない。

上側の複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａのドレイン端子１１３は、例えば入力側バスバー２の本体部２０に電気的に接続されている。これにより、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａのドレイン端子１１３は互いに電気的に接続されている。複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａの各ソース端子１１２は、例えば中継バスバー４に電気的に接続されている。これにより、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａのソース端子１１２は互いに電気的に接続されている。

上側のツェナーダイオード１２ａは、ＭＯＳＦＥＴ１１ａのドレイン端子１１３とソース端子１１２との間に過電圧が印加されることを防止するための電子部品である。ツェナーダイオード１２ａのカソード端子１２１は、例えば入力側バスバー２の本体部２０に電気的に接続されている。これにより、ツェナーダイオード１２ａのカソード端子１２１は、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａのドレイン端子１１３に電気的に接続されている。ツェナーダイオード１２ａの各アノード端子１２２は、例えば中継バスバー４に電気的に接続されている。これにより、ツェナーダイオード１２ａのアノード端子１２２は、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａのソース端子１１２に電気的に接続されている。

下側の複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのドレイン端子１１３は、例えば出力側バスバー３の本体部３０に電気的に接続されている。これにより、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのドレイン端子１１３は互いに電気的に接続されている。複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂの各ソース端子１１２は、例えば中継バスバー４に電気的に接続されている。これにより、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのソース端子１１２は互いに電気的に接続されている。また、下側の複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのソース端子１１２は、上側の複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのソース端子１１２に電気的に接続されている。上側のＭＯＳＦＥＴ１１ａのソース端子１１２と、下側のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのソース端子１１２とは、中継バスバー４によって互いに電気的に接続されている。

下側のツェナーダイオード１２ｂは、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂのドレイン端子１１３とソース端子１１２との間に過電圧が印加されることを防止するための電子部品である。ツェナーダイオード１２ｂのカソード端子１２１は、例えば出力側バスバー３の本体部３０に電気的に接続されている。これにより、ツェナーダイオード１２ｂのカソード端子１２１は、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのドレイン端子１１３に電気的に接続されている。ツェナーダイオード１２ｂの各アノード端子１２２は、例えば中継バスバー４に電気的に接続されている。これにより、ツェナーダイオード１２ｂのアノード端子１２２は、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのソース端子１１２に電気的に接続されている。

入力側バスバー２の入力端子部２３には、例えば、バッテリから延びる配線部材が、貫通孔２３ａが利用されて接続される。入力端子部２３には、配線部材を通じてバッテリの出力電圧が与えられる。入力端子部２３に与えられたバッテリの出力電圧は、本体部２０を通じて各ＭＯＳＦＥＴ１１ａのドレイン端子１１３に与えられる。

出力側バスバー３の出力端子部３３には、例えば、電装部品から延びる配線部材が、貫通孔３３ａが利用されて接続される。出力端子部３３には、下側の各ＭＯＳＦＥＴ１１ｂのドレイン端子１１３から出力される電圧が与えられる。出力端子部３３に与えられた電圧は、配線部材を通じて電装部品に対して例えば電源として与えられる。

回路基板６は、例えば、複数のＭＯＳＦＥＴ１１のスイッチング動作を制御することが可能である。回路基板６は、例えば、各ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート端子１１１と電気的に接続されている。回路基板６は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート端子１１１に電圧を与えることが可能である。回路基板６は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート端子１１１に与える電圧を制御することによって、当該ＭＯＳＦＥＴ１１のスイッチング動作を制御することが可能である。回路基板６は制御基板ともいえる。

導電端子１３及び導電片１４は、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート端子１１１を回路基板６に電気的に接続するための部材である。導電端子１３及び導電片１４のそれぞれは、例えば金属部材である。回路構成体１０が備える複数の導電端子１３は、例えば、上側に配置された複数の導電端子１３ａと、下側に配置された複数の導電端子１３ｂとを含む。回路構成体１０が備える複数の導電片１４は、例えば、上側に配置された複数の導電片１４ａと、下側に配置された複数の導電片１４ｂとを含む。

上側の複数の導電端子１３ａは、上側の複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａのゲート端子１１１にそれぞれ電気的に接続されている。上側の複数の導電片１４ａは回路基板６に電気的に接続されている。また、複数の導電片１４ａは、複数の導電端子１３ａにそれぞれ電気的に接続されている。導電端子１３ａは、導電片１４ａによって回路基板６に電気的に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１１ａのゲート端子１１１に電気的に接続された導電端子１３ａが、導電片１４ａによって回路基板６に電気的に接続されることによって、ＭＯＳＦＥＴ１１ａのゲート端子１１１は回路基板６に電気的に接続される。

下側の複数の導電端子１３ｂは、下側の複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのゲート端子１１１にそれぞれ電気的に接続されている。下側の複数の導電片１４ｂは回路基板６に電気的に接続されている。また、複数の導電片１４ｂは、複数の導電端子１３ｂにそれぞれ電気的に接続されている。導電端子１３ｂは、導電片１４ｂによって回路基板６に電気的に接続されている。ＭＯＳＦＥＴ１１ｂのゲート端子１１１に電気的に接続された導電端子１３ｂが、導電片１４ｂによって回路基板６に電気的に接続されることによって、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂのゲート端子１１１は回路基板６に電気的に接続される。

絶縁部材５は、例えば、バスバー２と、バスバー３と、バスバー４と、導電端子１３とを互いに電気絶縁しつつ、バスバー２，３，４及び複数の導電端子１３を保持する。絶縁部材５は、例えば、バスバー２，３，４及び複数の導電端子１３と一体成形されている。絶縁部材５は、例えばインサート成形によって、バスバー２，３，４及び複数の導電端子１３と一体成形されている。

＜回路構成体の詳細説明＞
＜電子部品の構成例＞
上側の複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａ及びツェナーダイオード１２ａは、Ｘ方向に沿って並んでいる。一列に並ぶ複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａ及びツェナーダイオード１２ａにおいて、ツェナーダイオード１２ａは最も－Ｘ側に位置する。下側の複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂ及びツェナーダイオード１２ｂは、Ｘ方向に沿って並んでいる。一列に並ぶ複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂ及びツェナーダイオード１２ｂにおいて、ツェナーダイオード１２ｂは最も－Ｘ側に位置する。

ＭＯＳＦＥＴ１１は、例えば表面実装部品である。ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート端子１１１、ソース端子１１２及びドレイン端子１１３は、例えば金属で構成されている。ゲート端子１１１、ソース端子１１２及びドレイン端子１１３、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅としては、例えば、日本工業規格（ＪＩＳ：Japanese Industrial Standards）で定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用されてもよい。また、ゲート端子１１１、ソース端子１１２及びドレイン端子１１３は、銅合金で構成されてもよいし、他の種類の金属材料で構成されてもよい。

ＭＯＳＦＥＴ１１は、例えば、半導体素子等が収容されたパッケージを備える。ドレイン端子１１３は、例えば、平板状であって、パッケージの裏面に設けられている。ドレイン端子１１３は、パッケージの側面から少し外側に延出している。ゲート端子１１１及びソース端子１１２は、例えば、リード端子であって、細長い板状部が２箇所で折れ曲げられた形状を有している。ゲート端子１１１及びソース端子１１２は、細長い板状部が一段階段状に折れ曲げられた形状を有している。ゲート端子１１１及びソース端子１１２は、例えば、パッケージの側面から外側に延びている。ゲート端子１１１及び複数のソース端子１１２は、例えば、ドレイン端子１１３が延出している側とは反対側において一列に並べられている。一列に並ぶゲート端子１１１及び複数のソース端子１１２において、ゲート端子１１１は最も外側に位置する。

ツェナーダイオード１２は、例えば表面実装部品である。ツェナーダイオード１２のカソード端子１２１及びアノード端子１２２は、例えば金属で構成されている。カソード端子１２１及びアノード端子１２２は、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅としては、例えば、ＪＩＳで定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用されてもよい。また、カソード端子１２１及びアノード端子１２２は、銅合金で構成されてもよいし、他の種類の金属材料で構成されてもよい。

ツェナーダイオード１２は、例えば、半導体素子等が収容されたパッケージを備える。カソード端子１２１は、例えば平板状をなしている。カソード端子１２１は、パッケージの裏面に設けられている。カソード端子１２１は、パッケージの側面から少し外側に延出している。アノード端子１２２は、例えば、リード端子であって、細長い板状部が２箇所で折れ曲げられた形状を有している。アノード端子１２２は、細長い板状部が一段階段状に折れ曲げられた形状を有している。アノード端子１２２は、パッケージの側面から外側に延びている。２つのアノード端子１２２は、例えば、カソード端子１２１が延出している側とは反対側において互いに隣り合って並べられている。

＜バスバーの構成例＞
バスバー２，３，４は、例えば、銅あるいは銅合金で構成される。バスバー２，３，４は、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅としては、例えば、ＪＩＳで定められているＣ１０２０の無酸素銅が採用されてもよい。バスバー２，３，４は、銅及び銅合金以外の金属で構成されてもよい。

図１３は、バスバー２，３，４及び導電端子１３の一例を示す概略図である。図４，６，１３等に示されるように、バスバー２は、例えば、概ねＬ字状を成す板状部材で構成されている。バスバー２の本体部２０は、例えばＬ字状の板状部分である。本体部２０は、例えば、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａ及びツェナーダイオード１２ａが搭載される第１部分２１と、当該第１部分２１と入力端子部２３とを接続する第２部分２２とで構成されている。第１部分２１は、例えば、Ｘ方向に沿って延在する板状部分である。第２部分２２は、例えば、第１部分２１の－Ｘ側の端から＋Ｙ方向に沿って延在する板状部分である。第１部分２１と第２部分２２は互いに同一平面上に位置している。入力端子部２３は、第２部分２２の＋Ｙ側の端から、下側に少し延びた後に＋Ｙ方向に沿って延びている。第２部分２２と入力端子部２３の境界部分は一段階段状に曲がっている。

図５，７，１３等に示されるように、バスバー３は、例えば、概ねＬ字状を成す板状部材で構成されている。バスバー３の本体部３０は、例えばＬ字状の板状部分である。本体部３０は、例えば、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂ及びツェナーダイオード１２ｂが搭載される第１部分３１と、当該第１部分３１と出力端子部３３とを接続する第２部分３２とで構成されている。第１部分３１は、例えば、Ｘ方向に沿って延在する板状部分である。第２部分３２は、例えば、第１部分３１の＋Ｘ側の端から＋Ｙ方向に沿って延在する板状部分である。第１部分３１と第２部分３２は互いに同一平面上に位置している。出力端子部３３は、第２部分３２の＋Ｙ側の端から、上側に少し延びた後に＋Ｙ方向に沿って延びている。第２部分３２と出力端子部３３の境界部分は一段階段状に曲がっている。

バスバー２は、バスバー３とＺ方向において部分的に対向するようにバスバー３よりも上側に位置する。バスバー２の第１部分２１と、バスバー３の第１部分３１とは、Ｚ方向において互いに対向している。バスバー２の第２部分２２は、バスバー３の第２部分３２よりも－Ｘ側に位置している。回路構成体１０を上側あるいは下側から平面視した場合、Ｙ方向に沿って延在する第２部分２２と、Ｙ方向に沿って延在する第２部分３２とは、互いに平行をなしている。以後、互いに対向する第１部分２１及び第１部分３１をそれぞれ対向部分２１及び対向部分３１と呼ぶことがある。

上側の板状の対向部分２１は、回路構成体１０の外側に向く主面２１１（外側面２１１ともいう）と、回路構成体１０の内側に向く主面２１２（内側面２１２ともいう）とを有する。外側面２１１は＋Ｚ側に位置し、内側面２１２は－Ｚ側に位置する。外側面２１１は、内側面２１２の反対側に位置する。

外側面２１１には、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａとツェナーダイオード１２ａが搭載されている。外側面２１１には、各ＭＯＳＦＥＴ１１ａのドレイン端子１１３及びツェナーダイオード１２ａのカソード端子１２１がはんだ等の導電性接合材で接合されている。これにより、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａのドレイン端子１１３及びツェナーダイオード１２ａのカソード端子１２１は、バスバー２を通じて互いに電気的に接続される。

下側の板状の対向部分３１は、回路構成体１０の外側に向く主面３１１（外側面３１１ともいう）と、回路構成体１０の内側に向く主面３１２（内側面３１２ともいう）とを有する。外側面３１１は－Ｚ側に位置し、内側面３１２は＋Ｚ側に位置する。外側面３１１は、内側面３１２の反対側に位置する。

外側面３１１には、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂとツェナーダイオード１２ｂが搭載されている。外側面３１１には、各ＭＯＳＦＥＴ１１ｂのドレイン端子１１３及びツェナーダイオード１２ｂのカソード端子１２１がはんだ等の導電性接合材で接合されている。これにより、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのドレイン端子１１３及びツェナーダイオード１２ｂのカソード端子１２１は、バスバー３を通じて互いに電気的に接続される。

バスバー４は、例えば、概ね、板状部材を略Ｕ字状に曲げた形状をなしている。バスバー４は、例えば、複数の平板状の第１部分４０ａと、複数の平板状の第２部分４０ｂと、複数の第１部分４０ａと複数の第２部分４０ｂとを接続する板状の接続部分４１とで構成されている。

複数の第１部分４０ａは、例えば、互いに離れてＸ方向に沿って並んでいる。複数の第２部分４０ｂは、例えば、互いに離れてＸ方向に沿って並んでいる。複数の第１部分４０ａは、Ｚ方向において複数の第２部分４０ｂとそれぞれ対向している。複数の第１部分４０ａは上側に位置し、複数の第２部分４０ｂは下側に位置する。

各第１部分４０ａは、例えば対向部分２１と同一平面上に位置する。各第１部分４０ａは、例えば、Ｙ方向において対向部分２１と間隔を空けて並んでいる。各第２部分４０ｂは、例えば対向部分３１と同一平面上に位置する。各第２部分４０ｂは、例えば、Ｙ方向において対向部分３１と間隔を空けて並んでいる。

複数の第１部分４０ａは、例えば、４個のＭＯＳＦＥＴ１１ａにそれぞれ対応する４個の第１部分４０ａと、ツェナーダイオード１２ａに対応する１個の第１部分４０ａとを含む。各ＭＯＳＦＥＴ１１ａの複数のソース端子１１２は、当該ＭＯＳＦＥＴ１１ａに対応する第１部分４０ａに対して接合される。ＭＯＳＦＥＴ１１ａのソース端子１１２は、第１部分４０ａの＋Ｚ側の主面（外側面ともいう）に対して、はんだ等の導電性接合材で接合される。ツェナーダイオード１２ａの各アノード端子１２２は、当該ツェナーダイオード１２ａに対応する第１部分４０ａに接合される。ツェナーダイオード１２ａのアノード端子１２２は、第１部分４０ａの外側面に対して、はんだ等の導電性接合材で接合される。複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａのソース端子１１２及びツェナーダイオード１２ａのアノード端子１２２は、バスバー４を通じて互いに電気的に接続されている。以後、第１部分４０ａを接合対象部４０ａあるいは上側接合対象部４０ａと呼ぶことがある。

複数の第２部分４０ｂは、例えば、４個のＭＯＳＦＥＴ１１ｂにそれぞれ対応する４個の第２部分４０ｂと、ツェナーダイオード１２ｂに対応する１個の第２部分４０ｂとを含む。各ＭＯＳＦＥＴ１１ｂの複数のソース端子１１２は、当該ＭＯＳＦＥＴ１１ｂに対応する第２部分４０ｂに対して接合される。ＭＯＳＦＥＴ１１ｂのソース端子１１２は、第２部分４０ｂの－Ｚ側の主面（外側面ともいう）に対して、はんだ等の導電性接合材で接合される。ツェナーダイオード１２ｂの各アノード端子１２２は、当該ツェナーダイオード１２ｂに対応する第２部分４０ｂに接合される。ツェナーダイオード１２ｂのアノード端子１２２は、第２部分４０ｂの外側面に対して、はんだ等の導電性接合材で接合される。複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのソース端子１１２及びツェナーダイオード１２ｂのアノード端子１２２は、バスバー４を通じて互いに電気的に接続されている。以後、第２部分４０ｂを接合対象部４０ｂあるいは下側接合対象部４０ｂと呼ぶことがある。

バスバー４の接続部分４１は、例えばＸ方向に沿って延在している。接続部分４１は、例えば、複数の接合対象部４０ａの－Ｙ側端と、複数の接合対象部４０ｂの－Ｙ側端とを接続している。

なお、バスバー２，３，４に対して端子等をはんだ接合しやすくするため、配線部材と入力端子部２３との接触抵抗を低減するため、及び配線部材と出力端子部３３との接触抵抗を低減するために、バスバー２，３，４は、その表面に、ニッケルめっきなどの金属めっきを有してもよい。

＜回路基板の構成例＞
回路基板６は、複数のＭＯＳＦＥＴ１１と電気的に接続されている。回路基板６は、例えば、配線基板６０と、配線基板６０に搭載された複数の部品とを備える。配線基板６０は、例えば、ＸＹ平面に沿って広がっており、上側の主面６０ａ（上側面６０ａともいう）と、下側の主面６０ｂ（下側面６０ｂともいう）とを有する。上側面６０ａは、下側面６０ｂの反対側に位置し、下側面６０ｂとＺ方向で対向している。

配線基板６０は、例えば、絶縁基板と、当該絶縁基板に設けられた少なくとも一つの導電層とを有する。絶縁基板は、例えば、セラミック基板であってもよいし、樹脂を含む基板であってもよい。後者の場合、絶縁基板は、ガラスエポキシ基板であってもよいし、樹脂を含む他の基板であってもよい。導電層は、例えば、銅で構成されてもよいし、他の金属で構成されてもよい。

配線基板６０は、対向部分２１側から対向部分３１側を見た場合に、対向部分２１よりも奥側に位置し、かつ対向部分３１よりも手前側に位置する。配線基板６０は、上側（言い換えれば＋Ｚ側）から見た場合に、対向部分２１よりも奥側に位置し、かつ対向部分３１よりも手前側に位置するといえる。また、配線基板６０は、下側（言い換えれば－Ｚ側）から見た場合に、対向部分３１よりも奥側に位置し、かつ対向部分２１よりも手前側に位置するといえる。

配線基板６０は、例えば、上下方向において、バスバー２の本体部２０とバスバー３の本体部３０との間に位置する部分を有する。具体的には、配線基板６０は、上下方向において対向部分２１と対向部分３１との間に位置する部分と、上下方向において第２部分２２と第２部分３２との間に位置する部分とを含む。配線基板６０の上側面６０ａは、上側から見た場合にバスバー２から露出する露出領域６０ａａを有する。配線基板６０の下側面６０ｂは、下側から見た場合にバスバー３から露出する露出領域６０ｂｂを有する。

配線基板６０に搭載された複数の部品には、例えば複数の電子部品が含まれる。当該複数の電子部品には、例えばマイクロコンピュータ６２が含まれる。また、配線基板６０に搭載された複数の部品には例えばコネクタ６５が含まれる。マイクロコンピュータ６２及びコネクタ６５は、例えば、配線基板６０の下側面６０ｂの露出領域６０ｂｂに搭載されている。マイクロコンピュータ６２は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）及びメモリ等を有する。マイクロコンピュータ６２は、例えば、複数のＭＯＳＦＥＴ１１のスイッチング動作を制御することが可能である。

コネクタ６５は、例えば、回路装置１の外部の装置（外部装置ともいう）と回路基板６とを電気的に接続するためのコネクタである。コネクタ６５には、外部装置から延びる配線部材が接続される。コネクタ６５は、当該コネクタ６５を配線基板６０に固定するための２つの金属部分６５１と、複数の接続端子６５２とを有する。２つの金属部分６５１と複数の接続端子６５２とは、配線基板６０に接合される。マイクロコンピュータ６２は、コネクタ６５を通じて外部装置と電気的に接続される。マイクロコンピュータ６２は、外部装置からの指示に応じて、各ＭＯＳＦＥＴ１１のスイッチング動作を制御する。

配線基板６０は、例えば、上側面６０ａに位置する導電層（上側の導電層ともいう）と、下側面６０ｂに位置する導電層（下側の導電層ともいう）とを有する。上側の導電層には、例えば、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａのゲート端子１１１と電気的にそれぞれ接続される複数のランド６１ａが含まれる。下側の導電層には、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのゲート端子１１１と電気的にそれぞれ接続される複数のランド６１ｂが含まれる。複数のランド６１ａは、例えば、配線基板６０の上側面６０ａの露出領域６０ａａに位置する。複数のランド６１ｂは、例えば、配線基板６０の下側面６０ｂの露出領域６０ｂｂに位置する。複数のランド６１ａ及び複数のランド６１ｂは、各ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート端子１１１に電圧を与える駆動回路に電気的に接続されている。駆動回路は配線基板６０に設けられており、マイクロコンピュータ６２は、当該駆動回路を通じて、各ＭＯＳＦＥＴ１１のスイッチング動作を制御する。

また、下側の導電層には、コネクタ６５の２つの金属部分６５１がそれぞれ接合される２つのランド６６ｂと、コネクタ６５の複数の接続端子６５２がそれぞれ接合される複数のランド６７ｂとが含まれている。２つのランド６６ｂと複数のランド６７ｂは、例えば、配線基板６０の下側面６０ｂの露出領域６０ｂｂに位置する。コネクタ６５の金属部分６５１は、はんだ等の導電性接合材でランド６６ｂに接合される。コネクタ６５の接続端子６５２は、はんだ等の導電性接合材でランド６７ｂに接合される。

なお、マイクロコンピュータ６２及びコネクタ６５の少なくとも一方は、配線基板６０の上側面６０ａに設けられてもよい。また、配線基板６０は、単層基板であってもよいし、多層基板であってもよい。配線基板６０は、その内層に導電層を有してもよい。

＜導電端子の構成例＞
複数の導電端子１３は、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａのゲート端子１１１がそれぞれ接合される複数の導電端子１３ａと、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂのゲート端子１１１がそれぞれ接合される複数の導電端子１３ｂとを含む。各導電端子１３は、例えば、銅合金で構成されてもよいし、他の金属材料で構成されてもよい。

導電端子１３は、例えば、細長い板状部材の一方の端部を略Ｕ字状に曲げた形状を有する。導電端子１３の厚みは例えば０．６ｍｍである。導電端子１３は、その一方の端部に、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート端子１１１と接合される接合対象部１３０を有する。また、導電端子１３は、その他方の端部に、導電片１４が接合される接合対象部１３１を有する。そして、導電端子１３は、接合対象部１３０と接合対象部１３１とを接続する接続部分１３２を備える。

接合対象部１３０は、例えば、Ｙ方向に沿って延在する平板状部分である。上側の導電端子１３ａの接合対象部１３０は、ＭＯＳＦＥＴ１１ａのゲート端子１１１の－Ｚ側に位置する。下側の導電端子１３ｂの接合対象部１３０は、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂのゲート端子１１１の＋Ｚ側に位置する。平板状の接合対象部１３０は、互いに対向する一対の主面を有する。導電端子１３ａの接合対象部１３０の一方の主面は、例えば、バスバー４の上側接合対象部４０ａの＋Ｚ側の主面と同一平面上に位置する。導電端子１３ａの接合対象部１３０の一方の主面には、ＭＯＳＦＥＴ１１ａのゲート端子１１１がはんだ等の導電性接合材で接合される。導電端子１３ｂの接合対象部１３０の一方の主面は、例えば、バスバー４の下側接合対象部４０ｂの－Ｚ側の主面と同一平面上に位置する。導電端子１３ｂの接合対象部１３０の一方の主面には、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂのゲート端子１１１がはんだ等の導電性接合材で接合される。

接合対象部１３１は、例えば平板状部分である。平板状の接合対象部１３１は、互いに対向する一対の主面を有する。上側の導電端子１３ａの接合対象部１３１は、配線基板６０の上側面６０ａから少し離れた状態で当該上側面６０ａ上に位置する。導電端子１３ａの接合対象部１３１の一方の主面は、配線基板６０の上側面６０ａと対向している。導電端子１３ａの接合対象部１３１は、配線基板６０のランド６１ａの近傍であって、ランド６１ａの－Ｙ側に位置する。

下側の導電端子１３ｂの接合対象部１３１は、配線基板６０の下側面６０ｂから少し離れた状態で当該下側面６０ｂ上に位置する。導電端子１３ｂの接合対象部１３１の一方の主面は、配線基板６０の下側面６０ｂと対向している。導電端子１３ｂの接合対象部１３１は、配線基板６０のランド６１ｂの近傍であって、ランド６１ｂの－Ｙ側に位置する。

接続部分１３２は、例えば、細長い板状部分の一方の端部をＬ字状に曲げた形状を有している。導電端子１３ａの接続部分１３２は、当該導電端子１３ａの接合対象部１３０の－Ｙ側端から－Ｚ側に少し延びた後に＋Ｙ方向に沿って延在し、当該導電端子１３ａの接合対象部１３１の－Ｙ側端と繋がっている。導電端子１３ｂの接続部分１３２は、当該導電端子１３ｂの接合対象部１３０の－Ｙ側端から＋Ｚ側に少し延びた後に＋Ｙ方向に沿って延在し、当該導電端子１３ｂの接合対象部１３１の－Ｙ側端と繋がっている。

なお、導電端子１３に対して部材をはんだ接合しやすくするために、導電端子１３は、その表面に、ニッケルめっきなどの金属めっきを有してもよい。

＜導電片の構成例＞
複数の導電片１４は、複数の導電端子１３ａがそれぞれ接合される複数の導電片１４ａと、複数の導電端子１３ｂがそれぞれ接合される複数の導電片１４ｂとを含む。各導電片１４は、例えば、銅合金で構成されてもよいし、他の金属材料で構成されてもよい。

図１０～１２等に示されるように、導電片１４は、例えば、板状部材が２箇所で折れ曲げられた形状を有している。導電片１４は、例えば、概ね、板状部材が一段階段状に折り曲げられた形状を有している。導電片１４は曲げ導電片１４ともいえる。導電片１４の厚みは、例えば、導電端子１３の厚みよりも小さい。導電片１４ａは、導電端子１３ａとランド６１ａとを電気的に接続するための部材である。導電片１４ｂは、導電端子１３ｂとランド６１ｂとを電気的に接続するための部材である。導電片１４は、ジャンパーチップとも呼ばれる。

導電片１４ａは、導電端子１３ａの接合対象部１３１から配線基板６０のランド６１ａにかけて配置されている。導電片１４ａは、導電端子１３ａの接合対象部１３１上に位置する端子上部分を有する。導電片１４ａの端子上部分は、導電端子１３ａの接合対象部１３１に対してはんだ等の導電性接合材で接合される。導電片１４ａは、配線基板６０のランド６１ａ上に位置するランド上部分を有する。導電片１４ａのランド上部分は、ランド６１ａに対してはんだ等の導電性接合材で接合される。導電片１４ａは、端子上部分とランド上部分とを繋ぐ傾斜部を有する。導電片１４ａでは、端子上部分と傾斜部との境界で折れ曲がり、傾斜部とランド上部分との境界で折れ曲がっている。

導電片１４ｂは、導電端子１３ｂの接合対象部１３１から配線基板６０のランド６１ｂにかけて配置されている。導電片１４ｂは、導電端子１３ｂの接合対象部１３１上に位置する端子上部分を有する。導電片１４ｂの端子上部分は、導電端子１３ｂの接合対象部１３１に対してはんだ等の導電性接合材で接合される。導電片１４ｂは、配線基板６０のランド６１ｂ上に位置するランド上部分を有する。導電片１４ｂのランド上部分は、ランド６１ｂに対してはんだ等の導電性接合材で接合される。導電片１４ｂは、端子上部分とランド上部分とを繋ぐ傾斜部を有する。導電片１４ｂでは、端子上部分と傾斜部との境界で折れ曲がり、傾斜部とランド上部分との境界で折れ曲がっている。

このように、本例では、曲げ導電片１４が、導電端子１３及び回路基板６のそれぞれに接合されて、導電端子１３及び回路基板６を互いに電気的に接続する。これにより、導電端子１３及び回路基板６の熱変形により導電端子１３の接合部分及び回路基板６の接合部分にかかる熱応力を導電片１４の曲げで緩和することができる。

＜絶縁部材の構成例＞
絶縁部材５は、例えば絶縁性樹脂で構成されている。絶縁部材５は、例えばＰＰＳ（Poly Phenylene Sulfide）樹脂で構成されてもよい。絶縁部材５は、例えば、バスバー２，３，４及び複数の導電端子１３と一体成形されている。

絶縁部材５は、略枠状の絶縁部５１と、バスバー２とバスバー４との間に位置する部分を有する絶縁部５２ａと、バスバー４とバスバー４との間に位置する部分を有する絶縁部５２ｂとを備える。

略枠状の絶縁部５１は、バスバー２の本体部２０、バスバー３の本体部３０及び回路基板６の周囲を取り囲んでいる。絶縁部５１は、Ｙ方向に沿って延在し、かつ互いにＸ方向で対向する第１部分５１ａ及び第２部分５１ｂと、Ｘ方向に沿って延在し、かつＹ方向で互いに対向する第３部分５１ｃ及び第４部分５１ｄとで構成されている。

第１部分５１ａは、平板状であって、本体部２０の第２部分２２の－Ｘ側端面に沿って延在しており、当該端面に取り付けられている。第２部分５１ｂは、平板状であって、本体部３０の第２部分３２の＋Ｘ側端面に沿って延在しており、当該端面に取り付けられている。第３部分５１ｃは、概ね平板状であって、バスバー４の接続部分４１の内側の面に沿って延在しており、当該内側の面に取り付けられている。第４部分５１ｄは、平板状であって、配線基板６０の＋Ｙ側の端面に沿って延在している。

図５に示されるように、第２部分５１ｂには、Ｙ方向に沿って延在するスリット５５が設けられている。後述するように、回路構成体１０が製造される場合、配線基板６０がスリット５５から略枠状の絶縁部５１の内側に入れられる。

絶縁部５２ａ及び５２ｂは例えば概ね平板状である。絶縁部５２ａ及び５２ｂは、絶縁部５２ａ及び５２ｂは、Ｚ方向において互いに対向するように、絶縁部５１の第１部分５１ａから第２部分５１ｂまで延びている。絶縁部５２ａ及び５２ｂの－Ｙ側端は、絶縁部５１の第３部分５１ｃに繋がっている。絶縁部５２ａ及び５２ｂの＋Ｙ側の端面は、例えば、バスバー２の対向部分２１の＋Ｙ側の端面及びバスバー３の対向部分３１の＋Ｙ側の端面と同一平面上に位置する。絶縁部５２ａは配線基板６０よりも＋Ｚ側に位置し、絶縁部５２ｂは配線基板６０よりも－Ｚ側に位置する。

上側の絶縁部５２ａは、バスバー２の対向部分２１の－Ｚ側の主面及びバスバー４の複数の上側接合対象部４０ａの－Ｚ側の主面に沿って広がり、それらの主面に取り付けられた第１部分を有する。また、絶縁部５２ａは、バスバー２の対向部分２１の－Ｙ側の端面と、バスバー４の各上側接合対象部４０ａの＋Ｙ側の端面との間に位置する第２部分を有する。本例では、図１０等に示されるように、ＭＯＳＦＥＴ１１ａのパッケージは、対向部分２１上だけではなく、絶縁部５２ａの第２部分上にも位置する。

下側の絶縁部５２ｂは、バスバー３の対向部分３１の＋Ｚ側の主面及びバスバー４の複数の下側接合対象部４０ｂの＋Ｚ側の主面に沿って広がり、それらの主面に取り付けられた第１部分を有する。また、絶縁部５２ｂは、バスバー３の対向部分３１の－Ｙ側の端面と、バスバー４の各下側接合対象部４０ｂの＋Ｙ側の端面との間に位置する第２部分を有する。本例では、図１０等に示されるように、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂのパッケージは、対向部分３１上だけではなく、絶縁部５２ｂの第２部分上にも位置する。

図４，６，８等に示されるように、本例では、４個の導電端子１３ａのうち、最も＋Ｘ側に位置する導電端子１３ａ以外の３個の導電端子１３ａのそれぞれは、互いに隣り合う２つの上側接合対象部４０ａの間に位置する部分を有する。絶縁部材５は、互いに隣り合う２つの上側接合対象部４０ａの間に位置する部分を有する導電端子１３ａと当該２つの上側接合対象部４０ａとの間の電気絶縁を図るために、当該２つの上側接合対象部４０ａの間に位置する絶縁部を備える。この絶縁部は絶縁部５１の第３部分５１ｃ及び絶縁部５２ａに含まれる。また、４個の導電端子１３ａのうち、最も＋Ｘ側に位置する導電端子１３ａは、上側接合対象部４０ａの＋Ｘ側端面と対向する部分を有する。絶縁部材５は、最も＋Ｘ側に位置する導電端子１３ａと上側接合対象部４０ａとの間の電気絶縁を図るために、最も＋Ｘ側に位置する導電端子１３ａと上側接合対象部４０ａの＋Ｘ側端面との間に位置する絶縁部を有している。この絶縁部は絶縁部５１の第３部分５１ｃ及び絶縁部５２ａに含まれる。

図５，７，８等に示されるように、本例では、４個の導電端子１３ｂのそれぞれは、互いに隣り合う２つの下側接合対象部４０ｂの間に位置する部分を有する。絶縁部材５は、互いに隣り合う２つの下側接合対象部４０ｂの間に位置する部分を有する導電端子１３ｂと当該２つの下側接合対象部４０ｂとの間の電気絶縁を図るために、当該２つの下側接合対象部４０ｂの間に位置する絶縁部を備えている。この絶縁部は絶縁部５１の第３部分５１ｃ及び絶縁部５２ｂに含まれる。

絶縁部材５は、絶縁部５１，５２ａ，５２ｂ以外にも、複数の絶縁部５０を備える。複数の絶縁部５０は、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａにそれぞれ対応する複数の絶縁部５０ａと、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂにそれぞれ対応する複数の絶縁部５０ｂとで構成されている。

図１４はＭＯＳＦＥＴ１１ａの周辺の一例を拡大して示す概略図である。絶縁部５０ａは、それに対応するＭＯＳＦＥＴ１１ａのゲート端子１１１と、当該ゲート端子１１１の隣のソース端子１１２との間に位置する。絶縁部５０ａは、ゲート端子１１１と当該ゲート端子１１１の隣のソース端子１１２との間の隙間に位置する部分を有する。絶縁部５０ａは、例えば薄い板状部分である。絶縁部５０ａは、絶縁部材５における、導電端子１３ａと上側接合対象部４０ａの＋Ｘ側端面と間に位置する部分から＋Ｚ側に延びている。絶縁部５０ａにおける、導電端子１３ａの接合対象部１３０及び上側接合対象部４０ａの＋Ｚ側の面からの突出距離は、ＭＯＳＦＥＴ１１ａのゲート端子１１１及びソース端子１１２の厚みよりも大きくなっている。当該突出距離は例えば１ｍｍ程度である。絶縁部５０ａは、例えば、ゲート端子１１１における導電端子１３ａに接合される先端部分１１１ａと、ソース端子１１２における上側接合対象部４０ａに接合される先端部分１１２ａとの間に位置する部分を有する。

絶縁部５０ｂは、それに対応するＭＯＳＦＥＴ１１ｂのゲート端子１１１と、当該ゲート端子１１１の隣のソース端子１１２との間に位置する。絶縁部５０ｂは、ゲート端子１１１と当該ゲート端子１１１の隣のソース端子１１２との間の隙間に位置する部分を有する。絶縁部５０ｂは例えば薄い板状部分である。絶縁部５０ｂは、絶縁部材５における、導電端子１３ｂと下側接合対象部４０ｂの－Ｘ側端面と間に位置する部分から－Ｚ側に延びている。絶縁部５０ｂにおける、導電端子１３ｂの接合対象部１３０及び下側接合対象部４０ｂの－Ｚ側の面からの突出距離は、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂのゲート端子１１１及びソース端子１１２の厚みよりも大きくなっている。当該突出距離は例えば１ｍｍ程度である。絶縁部５０ｂは、例えば、ゲート端子１１１における導電端子１３ｂに接合される先端部分１１１ａと、ソース端子１１２における下側接合対象部４０ｂに接合される先端部分１１２ａとの間に位置する部分を有する。

ここで、本例とは異なり、回路構成体１０が絶縁部５０を備えていない場合を考える。この場合、ゲート端子１１１と、その隣のソース端子１１２との間に、それらを接合対象部に接合するためのはんだ等の導電性接合材が流れて、ゲート端子１１１と、その隣のソース端子１１２とが導電性接合材で短絡する可能性がある。また、ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート端子１１１、ソース端子１１２及びドレイン端子１１３が、例えばリフロー方式ではんだ付けされる場合、ゲート端子１１１とソース端子１１２との間にはんだが流れてＭＯＳＦＥＴ１１の位置が変化し、ゲート端子１１１及びソース端子１１２の位置がずれる可能性がある。

本例では、ゲート端子１１１とその隣のソース端子１１２との間に絶縁部５０が位置することから、はんだ等の導電性接合材によって、ゲート端子１１１とソース端子１１２とが短絡する可能性が低減する。さらに、ゲート端子１１１及びソース端子１１２の間に位置する絶縁部５０によって、ゲート端子１１１及びソース端子１１２の位置が規制されることから、ゲート端子１１１及びソース端子１１２を接合対象部に接合する際にゲート端子１１１及びソース端子１１２の位置がずれにくくなる。

＜回路構成体の製造方法の一例＞
以上のような構成を備える回路構成体１０が製造される場合には、まず、バスバー材に対して例えば冷間圧造あるいは切削加工等が行われて、バスバー２，３，４が作製される。また、金属板に対して例えばプレス加工が行われて、複数の導電端子１３が作製される。作製されたバスバー２，３，４及び導電端子１３の表面には、例えば電気めっき法あるいは化学的析出法により、ニッケルめっきなどの金属めっきが形成されてもよい。

次に、図１５に示されるように、インサート成形用金型内にバスバー２，３，４及び複数の導電端子１３が配置される。図１５では、インサート成形用金型の図示が省略されている。そして、ＰＰＳ樹脂等の耐熱性に優れた熱可塑性樹脂が射出成形機からインサート成形用金型に射出されて、バスバー２，３，４及び複数の導電端子１３と樹脂とが一体成形される。これにより、図１６に示されるように、バスバー２，３，４及び複数の導電端子１３と絶縁部材５とが一体成形された一体成形品が得られる。図１７は絶縁部材５が備える絶縁部５０ａの周辺の一例を拡大して示す概略図である。

次に、図１８に示されるように、絶縁部材５の略枠状の絶縁部５１の第２部分５１ｂに設けられたスリット５５（図５参照）から、配線基板６０が絶縁部５１の内側に入れられて絶縁部材５に装着される。これにより、図１９に示されるように、バスバー２，３，４及び複数の導電端子１３と絶縁部材５とが一体成形された一体成形品に配線基板６０が取り付けられる。絶縁部５１の内側の面には、配線基板６０が所定の位置に配置されるようにガイド溝が形成されている。配線基板６０の外周縁はガイド溝によって保持される。

次に、図２０に示されるように、バスバー２の対向部分２１の所定領域、バスバー４の各上側接合対象部４０ａの所定領域、各導電端子１３ａの所定領域及び配線基板６０の上側面６０ａの所定領域（各ランド６１ａ等）に対してはんだペースト１０００が塗布される。はんだペースト１０００の塗布には、例えば、定量吐出装置（ディスペンサともいう）が使用される。図２０では、はんだペースト１０００が斜線で示されている。そして、はんだペースト１０００が塗布された領域に対して、例えば表面実装機（チップマウンタともいう）が使用されて、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａ、ツェナーダイオード１２ａ及び複数の導電片１４ａが搭載されて、その後、リフロー方式ではんだ付けされる。このとき、絶縁部５０ａの働きにより、ＭＯＳＦＥＴ１１ａのゲート端子１１１とその隣のソース端子１１２とが短絡しにくくなる。また、ＭＯＳＦＥＴ１１ａの位置がずれにくくなる。

次に、図２１に示されるように、バスバー３の対向部分３１の所定領域、バスバー４の各下側接合対象部４０ｂの所定領域、各導電端子１３ｂの所定領域及び配線基板６０の下側面６０ｂの所定領域（複数のランド６１ｂ、複数のランド６６ｂ及び複数のランド６７ｂ等）に対してはんだペースト１０００が塗布される。図２１では、はんだペースト１０００が斜線で示されている。そして、はんだペースト１０００が塗布された領域に対して、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂ、ツェナーダイオード１２ｂ、複数の導電片１４ｂ、コネクタ６５及びマイクロコンピュータ６２がリフロー方式ではんだ付けされる。このとき、絶縁部５０ｂの働きにより、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂのゲート端子１１１とその隣のソース端子１１２とが短絡しにくくなる。また、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂの位置がずれにくくなる。なお、図２０では、マイクロコンピュータ６２の図示を省略している。

以上のようにして、図４～１２に示される回路構成体１０が製造される。なお、図２２に示されるように、絶縁部材５の作製前に準備された絶縁部５０が各導電端子１３に固定された後、絶縁部材５が、インサート成形によって、バスバー２，３，４、複数の導電端子１３及び複数の絶縁部５０と一体成形されてもよい。図２２の例では、絶縁部５０は、板状部材を折り曲げた形状を有している。絶縁部５０は、例えば、ゲート端子１１１とソース端子１１２の間に配置される板状の第１部分５１０と、導電端子１３に固定される板状の第２部分５２０とを備える。第２部分５２０は、導電端子１３の接合対象部１３０の内側の面に固定される。絶縁部５０は、例えば、樹脂で構成されてもよいし、セラミックで構成されてもよい。絶縁部５０は、絶縁部材５と同じ材料で構成されてもよいし、異なる材料で構成されてもよい。

＜ケース及び放熱部材の構成例＞
図２３は、上述の図１に示される矢視Ｄ－Ｄの断面構造の一例を示す図である。図２４は、図２３において破線で囲まれた部分を拡大して示す概略図である。図２５は、ケース７０から放熱部材８０ａ及び８０ｂを取り外した様子の一例を示す概略斜視図である。図２６は、ケース７０から回路構成体１０を取り出した様子の一例を示す概略斜視図である。

図１～３，２３～２６等に示されるように、ケース７０は、例えば直方体をなしている。ケース７０は、例えば、上壁部７１０と、下壁部７２０と、上壁部７１０及び下壁部７２０を繋ぐ枠状の側壁部７３０とで構成されている。回路構成体１０の入力端子部２３及び出力端子部３３は、側壁部７３０の＋Ｙ側部分からケース７０の外側に延出している。また、コネクタ６５の一部も、側壁部７３０の＋Ｙ側部分からケース７０の外側に延出している。放熱部材８０ａは上壁部７１０に固定され、放熱部材８０ｂは下壁部７２０に固定される。ケース７０は、例えば樹脂で構成されている、ケース７０は、例えば、ＰＰＳ樹脂で構成されてもよいし、ＰＢＴ（Poly Butylene Terephthalate）樹脂で構成されてもよい。

上壁部７１０には、その厚み方向に貫通する複数の貫通孔７１１が設けられている。複数の貫通孔７１１は、例えばＸ方向に沿って一列に並んでいる。下壁部７２０には、その厚み方向に貫通する複数の貫通孔７２１が設けられている。複数の貫通孔７２１は、例えばＸ方向に沿って一列に並んでいる。

各放熱部材８０は、例えば、ケース７０の外表面に固定される板状の固定部８００と、当該固定部８００から突出する複数の挿入部８１０とを有する。固定部８００は、ケース７０の外表面上に位置する。複数の挿入部８１０は、固定部８００のケース７０側の主面（言い換えれば内側の主面）に設けられている。各挿入部８１０は、例えば円柱状をなしている。

放熱部材８０ａの固定部８００は、ケース７０の上壁部７１０の外表面に固定され、放熱部材８０ｂの固定部８００は、ケース７０の下壁部７２０の外表面に固定される。放熱部材８０ａの複数の挿入部８１０は、上壁部７１０の複数の貫通孔７１１にそれぞれ挿入される。放熱部材８０ｂの複数の挿入部８１０は、下壁部７２０の複数の貫通孔７２１にそれぞれ挿入される。放熱部材８０は、例えば、アルミニウム系合金で構成されてもよいし、他の金属材料で構成されてもよいし、金属材料以外の材料で構成されてもよい。

放熱部材８０には複数の絶縁部材９０が取り付けられる。放熱部材８０の各挿入部８１０の先端面には、絶縁部材９０が取り付けられる取付部８２０が設けられている。

図２７は、取付部８２０に絶縁部材９０が取り付けられる様子の一例を示す概略斜視図である。図２８は、放熱部材８０と、当該放熱部材８０の取付部８２０に取り付けられた絶縁部材９０との断面構造の一例を示す概略図である。

取付部８２０は、例えば円板状をなしている。取付部８２０は、高さの低い円柱状をなしているともいえる。取付部８２０は、挿入部８１０の先端面（言い換えれば先端の円形面）から突出しており、突起部であるともいえる。円板状の取付部８２０の径は、円柱状の挿入部８１０の径よりも小さくなっている。取付部８２０の中心軸と挿入部８１０の中心軸とは一致している。放熱部材８０では、取付部８２０の周囲は一段低くなっている。取付部８２０の表面は、円形の主面８２１と、当該主面８２１の周縁に繋がる円環状の周端面８２２とを有する。

絶縁部材９０は、例えば円環状をなしている。絶縁部材９０は、例えば、ＰＰＳ樹脂で構成されてもよいし、他の種類の樹脂で構成されてもよいし、樹脂以外の絶縁材料で構成されてもよい。円環状の絶縁部材９０は、取付部８２０の周端面８２２を取り囲みつつ当該周端面８２２と接触するように取付部８２０に嵌められる。円環状の絶縁部材９０の内径は、円板状の取付部８２０の径よりも若干小さくなっていることから、取付部８２０に嵌められた絶縁部材９０は当該取付部８２０から外れにくくなっている。絶縁部材９０の外径は、例えば、円柱状の挿入部８１０の径と同じとなっている。これにより、絶縁部材９０が取付部８２０に嵌められた場合、絶縁部材９０は挿入部８１０よりも外側に突出しないようになっている。円環状の絶縁部材９０の高さは、円板状の取付部８２０の高さよりも少し大きくなっている。絶縁部材９０は、取付部８２０の主面８２１の周縁を取り囲みつつ、当該主面８２１よりも突出する環状突出部９００を有する。取付部８２０の主面８２１と、取付部８２０に取り付けられた絶縁部材９０の環状突出部９００とで凹部９３が構成される。凹部９３の周壁部は環状突出部９００で構成され、凹部９３の底面は主面８２１で構成される。

本例では、回路装置１は、複数のＭＯＳＦＥＴ１１にそれぞれ対応する複数の熱伝導材９５を備える。複数の熱伝導材９５は、上側の複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａにそれぞれ対応する複数の熱伝導材９５ａと、下側の複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂにそれぞれ対応する複数の熱伝導材９５ｂとを含む。熱伝導材９５は、例えば放熱グリスで構成される。この放熱グリスとしては、例えば、熱伝導率が２Ｗ／ｍ・Ｋ以上であって、粘度が５０～５００Ｐａ・ｓである熱伝導性シリコーングリスが採用される。熱伝導材９５は、熱伝導性シートで構成されてもよいし、他の種類のサーマル・インタフェース・マテリアル（ＴＩＭ）で構成されてもよい。

複数の熱伝導材９５ａは、例えば、バスバー２の対向部分２１の外側面２１１上に、Ｘ方向に沿って一列に配置される。複数の熱伝導材９５ｂは、例えば、バスバー３の対向部分３１の外側面３１１上に、Ｘ方向に沿って一列に配置される（図２６参照）。熱伝導材９５は、例えば、それに対応するＭＯＳＦＥＴ１１の周囲に配置される。熱伝導材９５ａは、例えば、それに対応するＭＯＳＦＥＴ１１ａのドレイン端子１１３の近傍であって、当該ドレイン端子１１３の＋Ｙ側に配置される。熱伝導材９５ｂは、例えば、それに対応するＭＯＳＦＥＴ１１ｂのドレイン端子１１３の近傍であって、当該ドレイン端子１１３の＋Ｙ側に配置される。

ケース７０の上壁部７１０の複数の貫通孔７１１は、複数の熱伝導材９５ａの真上にそれぞれ位置する。複数の貫通孔７１１に、放熱部材８０ａの複数の挿入部８１０がそれぞれ挿入された場合、放熱部材８０ａの複数の取付部８２０の主面８２１が複数の熱伝導材９５ａにそれぞれ接触する。また、放熱部材８０ａの取付部８２０に取り付けられた絶縁部材９０は、例えば、バスバー２の対向部分２１の外側面２１１と接触する。取付部８２０の主面８２１（言い換えれば、熱伝導材９５ａと接触する接触面８２１）と、当該取付部８２に取り付けられた絶縁部材９０の環状突出部９００とで構成された凹部９３内は、熱伝導材９５ａで充填される。熱伝導材９５ａは凹部９３内を充填する充填部分を有する。なお、熱伝導材９５ａは、凹部９３内に位置せずに環状突出部９００の外側に位置する部分を有してよい。

ケース７０の下壁部７２０の複数の貫通孔７２１は、複数の熱伝導材９５ｂの真上にそれぞれ位置する。複数の貫通孔７２１に、放熱部材８０ｂの複数の挿入部８１０がそれぞれ挿入された場合、放熱部材８０ｂの複数の取付部８２０の主面８２１が複数の熱伝導材９５ｂにそれぞれ接触する。また、放熱部材８０ｂの取付部８２０に取り付けられた絶縁部材９０は、例えば、バスバー３の対向部分３１の外側面３１１と接触する。取付部８２０の主面８２１（言い換えれば、熱伝導材９５ａと接触する接触面８２１）と、当該取付部８２に取り付けられた絶縁部材９０の環状突出部９００とで構成された凹部９３内は、熱伝導材９５ｂで充填される。熱伝導材９５ｂは凹部９３内を充填する充填部分を有する。なお、熱伝導材９５ｂは、凹部９３内に位置せずに環状突出部９００の外側に位置する部分を有してよい。

図２９は、ＭＯＳＦＥＴ１１が発する熱の伝熱経路の一例を示す概略図である。図２９の矢印９９０ａはＭＯＳＦＥＴ１１ａが発する熱の伝熱経路を示している。図２９の矢印９９０ｂは、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂが発する熱の伝熱経路を示している。

矢印９９０ａに示されるように、ＭＯＳＦＥＴ１１ａが発する熱は、バスバー２の対向部分２１、熱伝導材９５ａ、放熱部材８０ａの取付部８２０、放熱部材８０ａの挿入部８１０及び放熱部材８０ａの固定部８００を順に伝わって、回路装置１の外部に放出される。

一方で、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂが発する熱は、矢印９９０ｂに示されるように、バスバー３の対向部分３１、熱伝導材９５ｂ、放熱部材８０ｂの取付部８２０、放熱部材８０ｂの挿入部８１０及び放熱部材８０ｂの固定部８００を順に伝わって、回路装置１の外部に放出される。

上記のようにして回路構成体１０が製造された後、バスバー２の対向部分２１の外側面２１１に複数の熱伝導材９５ａが塗布され、バスバー３の対向部分３１の外側面３１１に複数の熱伝導材９５ｂが塗布される。その後、回路構成体１０がケース７０内に収容された後、複数の絶縁部材９０が取り付けられた放熱部材８０ａと、複数の絶縁部材９０が取り付けられた放熱部材８０ｂとがケース７０に取り付けられる。このとき、放熱部材８０と、それに取り付けられた複数の絶縁部材９０とで構成される複数の凹部９３内は熱伝導材９５で充填される。これにより、図１～３に示される回路装置１が完成する。なお、防水のために、ケース７０に放熱部材８０ａ及び８０ｂを取り付けた後、ケース７０内に樹脂等からなるポッティング剤を充填し、その後、当該ポッティング剤を硬化させてもよい。

このように、本例では、ＭＯＳＦＥＴ１１ａはバスバー２の対向部分２１に搭載され、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂはバスバー３の対向部分３１に搭載されている。つまり、ＭＯＳＦＥＴ１１ａ及びＭＯＳＦＥＴ１１ｂは、互いに対向する対向部分２１及び対向部分３１にそれぞれ搭載されている。これにより、対向部分２１側（言い換えれば＋Ｚ側）からあるいは対向部分３１側（言い換えれば－Ｚ側）から見た場合の回路装置１の平面サイズを小さくすることができる。つまり、回路装置１の小型化を図ることができる。

また、本例では、ＭＯＳＦＥＴ１１ａが発する熱は、バスバー２の対向部分２１を通じて放熱部材８０ａに伝わり、放熱部材８０ａから外部に放出される。また、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂが発する熱は、バスバー３の対向部分３１を通じて放熱部材８０ｂに伝わり、放熱部材８０ｂから外部に放出される。ここで、対向部分２１側（言い換えれば＋Ｚ側）から対向部分３１側（言い換えれば－Ｚ側）を見た場合、配線基板６０は、対向部分２１よりも奥側に位置し、かつ対向部分３１よりも手前側に位置する。そして、ＭＯＳＦＥＴ１１ａは、対向部分２１において、対向部分３１側の内側面２１２とは反対側の外側面２１１に搭載され、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂは、対向部分３１において、対向部分２１側の内側面３１２とは反対側の外側面３１１に搭載されている。したがって、配線基板６０は、対向部分２１に対してＭＯＳＦＥＴ１１ａとは反対側に位置するとともに、対向部分３１に対してＭＯＳＦＥＴ１１ｂとは反対側に位置する。よって、配線基板６０は、ＭＯＳＦＥＴ１１ａが発する熱の影響も、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂが発する熱の影響も受けにくくなる（図２９の矢印９９０ａ及び９９０ｂ参照）。よって、回路基板６の信頼性が向上する。

また、本例では、放熱部材８０ａ及び放熱部材８０ｂのそれぞれは、ケース７０の外表面上に位置する部分（上記の例では固定部８００）を有することから、当該部分の大きさを調整することによって、ケース７０内の部品配置等に影響を与えることなく、放熱部材８０ａ及び放熱部材８０ｂの放熱特性を調整することができる。

また、本例では、放熱部材８０ａは、バスバー２の対向部分２１における、配線基板６０側の内側面２１２とは反対側の外側面２１１上に位置する熱伝導材９５ａに接触している。これにより、放熱部材８０ａと配線基板６０との干渉を避けつつ、ＭＯＳＦＥＴ１１ａから放熱部材８０ａまでの伝熱経路を短くすることができる。よって、回路装置１の放熱特性が向上する。

同様に、本例では、放熱部材８０ｂは、バスバー３の対向部分３１における、配線基板６０側の内側面３１２とは反対側の外側面３１１上に位置する熱伝導材９５ｂに接触している。これにより、放熱部材８０ｂと配線基板６０との干渉を避けつつ、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂから放熱部材８０ｂまでの伝熱経路を短くすることができる。よって、回路装置１の放熱特性が向上する。

また、本例では、放熱部材８０ａは、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ａの周辺にそれぞれ位置する複数の熱伝導材９５ａのそれぞれに接触していることから、各ＭＯＳＦＥＴ１１ａについて、当該ＭＯＳＦＥＴ１１ａから放熱部材８０ａまでの伝熱経路を短くすることができる。よって、回路装置１の放熱性が向上する。

同様に、本例では、放熱部材８０ｂは、複数のＭＯＳＦＥＴ１１ｂの周辺にそれぞれ位置する複数の熱伝導材９５ｂのそれぞれに接触していることから、各ＭＯＳＦＥＴ１１ｂについて、当該ＭＯＳＦＥＴ１１ｂから放熱部材８０ｂまでの伝熱経路を短くすることができる。よって、回路装置１の放熱性が向上する。

また、本例では、熱伝導材９５ａは、放熱部材８０ａにおける、熱伝導材９５ａと接触する接触面８２１と、絶縁部材９０の環状突出部９００とで構成される凹部９３内を充填する充填部分を有する。これにより、放熱部材８０ａを熱伝導材９５ａに適切に接触させることができる。よって、回路装置１の放熱性が向上する。

同様に、本例では、熱伝導材９５ｂは、放熱部材８０ｂの接触面８２１と、絶縁部材９０の環状突出部９００とで構成される凹部９３内を充填する充填部分を有する。これにより、放熱部材８０ｂを熱伝導材９５ｂに適切に接触させることができる。よって、回路装置１の放熱性が向上する。

＜回路装置の他の例＞
回路装置１の構造は上記の例に限られない。例えば、バスバー２，３，４の形状は上記の例に限れない。また、配線基板６０の形状は上記の例に限れない。上記の例では、配線基板６０は、Ｚ方向においてバスバー２の対向部分２１とバスバー３の対向部分３１とで挟まれる部分を有しているが、当該部分を有していなくてもよい。また、配線基板６０は、対向部分２１側から対向部分３１側を見た場合に、対向部分２１よりも奥側に位置しなくてもよいし、対向部分３１よりも手前側に位置しなくてもよい。また、ＭＯＳＦＥＴ１１ａはバスバー２の第２部分２２に搭載されてもよいし、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂはバスバー３の第２部分３２に搭載されてもよい。また、放熱部材８０の形状は上記の例に限れない。例えば、ＭＯＳＦＥＴ１１ａの発熱量が大きい場合には、放熱部材８０ａの固定部８００は、ケース７０の上壁部７１０の外表面の全領域に設けられてもよい。また、ＭＯＳＦＥＴ１１ｂの発熱量が大きい場合には、放熱部材８０ｂの固定部８００は、ケース７０の下壁部７２０の外表面の全領域に設けられてもよい。また、複数の熱伝導材９５の数は上記の例に限れない。例えば、バスバー２には一つの熱伝導材９５ａが設けられてもよいし、バスバー３には一つの熱伝導材９５ｂが設けられてもよい。また、回路装置１は絶縁部材９０を備えてなくてもよい。また、回路装置１は絶縁部５０を備えなくてもよい。

以上のように、回路装置１は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。

１ 回路装置
２ 入力側バスバー
３ 出力側バスバー
４ 中継バスバー
５ 絶縁部材
６ 回路基板
１０ 回路構成体
１１，１１ａ，１１ｂ，１２，１２ａ，１２ｂ 電子部品
１３，１３ａ，１３ｂ 導電端子
１４，１４ａ，１４ｂ 導電片
２０，３０ 本体部
２１，３１ 第１部分（対向部分）
２２，３２ 第２部分
２３ 入力端子部
２３ａ，３３ａ，７１１，７２１ 貫通孔
３３ 出力端子部
４０ａ 第１部分（接合対象部）
４０ｂ 第２部分（接合対象部）
４１ 接続部分
５０，５０ａ，５０ｂ，５１，５２ａ，５２ｂ 絶縁部
５１ａ 第１部分
５１ｂ 第２部分
５１ｃ 第３部分
５１ｄ 第４部分
５５ スリット
６０ 配線基板
６０ａ，６０ｂ，２１１，２１２，３１１，３１２ 主面
６０ａａ，６０ｂｂ 露出領域
６１ａ，６１ｂ，６６ｂ，６７ｂ ランド
６２ マイクロコンピュータ
６５ コネクタ
７０ ケース
８０，８０ａ，８０ｂ 放熱部材
９０ 絶縁部材
９３ 凹部
９５，９５ａ，９５ｂ 熱伝導材
１１１ ゲート端子
１１１ａ 先端部分
１１２ ソース端子
１１２ａ 先端部分
１１３ ドレイン端子
１２１ カソード端子
１２２ アノード端子
１３０ 接合対象部
１３１ 接合対象部
１３２ 接続部分
５１０ 第１部分
５２０ 第２部分
６５１ 金属部分
６５２ 接続端子
７１０ 上壁部
７２０ 下壁部
７３０ 側壁部
８００ 固定部
８１０ 挿入部
８２０ 取付部
８２１ 主面（接触面）
８２２ 周端面
９００ 環状突出部
９９０ａ，９９０ｂ 矢印
１０００ はんだペースト

Claims (7)

1. 第１電子部品と、
   前記第１電子部品が搭載された第１バスバーと、
   前記第２電子部品と、
   前記第２電子部品が搭載された第２バスバーと、
   前記第１バスバーに熱的に接続された第１放熱部材と、
   前記第２バスバーに熱的に接続された第２放熱部材と、
   前記第１電子部品及び前記第２電子部品のそれぞれと電気的に接続された回路基板と
   を備え、
   前記第１バスバー及び前記第２バスバーは、互いに対向する第１対向部分及び第２対向部分をそれぞれ有し、
   前記第１対向部分は、前記第１電子部品が搭載された第１の面と、当該第１の面とは反対側の第２の面とを有し、
   前記第２対向部分は、前記第１対向部分の前記第２の面と対向する第３の面と、当該第３の面とは反対側に位置し、前記第２電子部品が搭載された第４の面とを有し、
   前記回路基板は、前記第１対向部分側から前記第２対向部分側を見た場合、前記第１対向部分よりも奥側に位置し、かつ前記第２対向部分よりも手前側に位置する配線基板を有する、回路装置。
2. 請求項１に記載の回路装置であって、
   前記第１電子部品、前記第２電子部品、前記第１対向部分、前記第２対向部分及び前記回路基板を収容するケースをさらに備え、
   前記第１放熱部材及び前記第２放熱部材のそれぞれは、前記ケースの外表面上に位置する部分を有する、回路装置。
3. 請求項１又は請求項２に記載の回路装置であって、
   前記第１対向部分の前記第１の面上に位置する第１熱伝導材をさらに備え、
   前記第１放熱部材は前記第１熱伝導材に接触している、回路装置。
4. 請求項３に記載の回路装置であって、
   前記第１対向部分の前記第１の面に搭載された第３電子部品と、
   前記第１対向部分の前記第１の面上に位置する第２熱伝導材と
   をさらに備え、
   前記第１熱伝導材は前記第１電子部品の周辺に位置し、
   前記第２熱伝導材は前記第３電子部品の周辺に位置し、
   前記第１放熱部材は、前記第１熱伝導材及び前記第２熱伝導材のそれぞれに接触している、回路装置。
5. 請求項３又は請求項４に記載の回路装置であって、
   前記第１放熱部材は、前記第１熱伝導材と接触する接触面を有し、
   前記接触面の周縁を取り囲みつつ、前記接触面よりも前記第１の面側に突出する環状突出部を有する第１絶縁部材をさらに備え、
   前記第１熱伝導材は、前記接触面と前記環状突出部とで構成される凹部内を充填する充填部分を有する、回路装置。
6. 請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の回路装置であって、
   前記第１電子部品は、互いに隣り合う第１接続端子及び第２接続端子を有し、
   前記第１接続端子及び前記第２接続端子は、第１接合対象部及び第２接合対象部にそれぞれ導電性接合材で接合され、
   前記第１接続端子と前記第２接続端子の間に位置する絶縁部をさらに備える、回路装置。
7. 請求項６に記載の回路装置であって、
   前記第１接合対象部は、前記回路基板に電気的に接続される導電端子に含まれ、
   前記導電端子及び前記回路基板のそれぞれに接合され、前記導電端子及び前記回路基板を互いに電気的に接続する曲げ導電片をさらに備える、回路装置。

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