CN117099490A - 电路装置 - Google Patents

Abstract

第一散热构件与第一汇流条热连接。第二散热构件与第二汇流条热连接。第一汇流条和第二汇流条分别具有彼此相对的第一相对部分和第二相对部分。第一相对部分具有搭载有第一电子部件的第一面和与该第一面相反的一侧的第二面。第二相对部分具有与第二面相对的第三面和位于与该第三面相反的一侧并搭载有第二电子部件的第四面。电路基板具有配线基板，在从第一相对部分侧观察第二相对部分侧的情况下，该配线基板位于比第一相对部分靠里侧且比第二相对部分靠近前侧。

Description

电路装置

技术领域

本公开涉及电路装置。

背景技术

在专利文献1中公开了一种搭载有电子部件的散热基板。另外，在专利文献2中公开了一种电路装置，具备：散热器；半导体开关元件，搭载于该散热器；及电路基板，与该半导体开关元件电连接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9－321395号公报

专利文献2：日本特开2008-166383号公报

发明内容

发明所要解决的课题

对于电路装置，期望其小型化。另外，在专利文献2的装置中，由于在半导体开关元件的上方配置有电路基板，所以电路基板容易受到半导体开关元件发出的热的影响，电路基板的可靠性有可能降低。

因此，目的在于提供一种能够实现电路装置的小型化，并且提高该电路装置所具备的电路基板的可靠性的技术。

用于解决课题的技术方案

本公开的电路装置具备：第一电子部件；第一汇流条，搭载有所述第一电子部件；所述第二电子部件；第二汇流条，搭载有所述第二电子部件；第一散热构件，与所述第一汇流条热连接；第二散热构件，与所述第二汇流条热连接；及电路基板，与所述第一电子部件和所述第二电子部件分别电连接，所述第一汇流条和所述第二汇流条分别具有彼此相对的第一相对部分和第二相对部分，所述第一相对部分具有搭载有所述第一电子部件的第一面、和与该第一面相反的一侧的第二面，所述第二相对部分具有与所述第一相对部分的所述第二面相对的第三面、和位于与该第三面相反的一侧并搭载有所述第二电子部件的第四面，所述电路基板具有配线基板，在从所述第一相对部分侧观察所述第二相对部分侧的情况下，所述配线基板位于比所述第一相对部分靠里侧且位于比所述第二相对部分靠近前侧。

发明效果

根据本公开，能够实现电路装置的小型化，并且提高该电路装置所具备的电路基板的可靠性。

附图说明

图1是表示电路装置的一例的概略图。

图2是表示电路装置的一例的概略图。

图3是表示电路装置的一例的概略图。

图4是表示电路结构体的一例的概略图。

图5是表示电路结构体的一例的概略图。

图6是表示电路结构体的一例的概略图。

图7是表示电路结构体的一例的概略图。

图8是表示电路结构体的一例的概略图。

图9是表示电路结构体的一例的概略图。

图10是表示电路结构体的一例的概略图。

图11是表示电路结构体的一例的概略图。

图12是表示电路结构体的一例的概略图。

图13是表示汇流条和导电端子的一例的概略图。

图14是将电路结构体的一例局部放大表示的概略图。

图15是用于说明电路结构体的制造方法的一例的概略图。

图16是用于说明电路结构体的制造方法的一例的概略图。

图17是用于说明电路结构体的制造方法的一例的概略图。

图18是用于说明电路结构体的制造方法的一例的概略图。

图19是用于说明电路结构体的制造方法的一例的概略图。

图20是用于说明电路结构体的制造方法的一例的概略图。

图21是用于说明电路结构体的制造方法的一例的概略图。

图22是表示绝缘部固定于导电端子的状况的一例的概略图。

图23是表示电路装置的一例的概略图。

图24是将电路装置的一例局部放大表示的概略图。

图25是表示电路装置的一例的概略图。

图26是表示壳体和电路结构体的一例的概略图。

图27是表示散热构件和绝缘构件的一例的概略图。

图28是表示散热构件和绝缘构件的一例的概略图。

图29是用于说明传热路径的一例的概略图。

具体实施方式

[本公开的实施方式的说明]

首先列出本公开的实施方式来进行说明。

本公开的电路装置如下所述。

(1)一种电路装置，具备：第一电子部件；第一汇流条，搭载有所述第一电子部件；所述第二电子部件；第二汇流条，搭载有所述第二电子部件；第一散热构件，与所述第一汇流条热连接；第二散热构件，与所述第二汇流条热连接；及电路基板，与所述第一电子部件和所述第二电子部件分别电连接，所述第一汇流条和所述第二汇流条分别具有彼此相对的第一相对部分和第二相对部分，所述第一相对部分具有搭载有所述第一电子部件的第一面、和与该第一面相反的一侧的第二面，所述第二相对部分具有与所述第一相对部分的所述第二面相对的第三面、和位于与该第三面相反的一侧并搭载有所述第二电子部件的第四面，所述电路基板具有配线基板，在从所述第一相对部分侧观察所述第二相对部分侧的情况下，所述配线基板位于比所述第一相对部分靠里侧且位于比所述第二相对部分靠近前侧。根据本公开，第一电子部件和第二电子部件分别搭载于彼此相对的第一相对部分和第二相对部分，因此能够减小从第一相对部分侧或从第二相对部分侧观察的情况下的电路装置的平面尺寸。即，能够实现电路装置的小型化。另外，根据本公开，第一电子部件产生的热通过第一汇流条的第一相对部分传递到第一散热构件，并从第一散热构件放出到外部。另外，第二电子部件产生的热通过第二汇流条的第二相对部分传递到第二散热构件，并从第二散热构件放出到外部。在此，在从第一相对部分侧观察第二相对部分侧的情况下，配线基板位于比第一相对部分靠里侧且位于比第二相对部分靠近前侧。并且，第一电子部件在第一相对部分中搭载于与第二相对部分侧的第二面相反的一侧的第一面，第二电子部件在第二相对部分中搭载于与第一相对部分侧的第三面相反的一侧的第四面。因此，配线基板相对于第一相对部分位于与第一电子部件相反的一侧，并且相对于第二相对部分位于与第二电子部件相反的一侧。因此，配线基板既不易受到第一电子部件产生的热的影响，也不易受到第二电子部件产生的热的影响。因此，电路基板的可靠性提高。

(2)也可以是，所述电路装置还具备壳体，该壳体收容所述第一电子部件、所述第二电子部件、所述第一相对部分、所述第二相对部分和所述电路基板，所述第一散热构件和所述第二散热构件分别具有位于所述壳体的外表面上的部分。在该情况下，由于第一散热构件和第二散热构件分别具有位于壳体的外表面上的部分，因此通过调整该部分的大小，能够不对壳体内的部件配置等造成影响地调整第一散热构件及第二散热构件的散热特性。

(3)也可以是，所述电路装置还具备第一热传导材料，该第一热传导材料位于所述第一相对部分的所述第一面上，所述第一散热构件与所述第一热传导材料接触。在该情况下，由于第一散热构件与位于第一相对部分的与电路基板侧的第二面相反的一侧的第一面上的第一热传导材料接触，因此能够避免第一散热构件与电路基板的干涉，并且缩短从第一电子部件到第一散热构件的传热路径。因此，电路装置的散热特性提高。

(4)也可以是，所述电路装置还具备：第三电子部件，搭载于所述第一相对部分的所述第一面；及第二热传导材料，位于所述第一相对部分的所述第一面上，所述第一热传导材料位于所述第一电子部件的周边，所述第二热传导材料位于所述第三电子部件的周边，所述第一散热构件与所述第一热传导材料和所述第二热传导材料分别接触。在该情况下，由于第一散热构件与第一电子部件的周边的第一热传导材料和第二电子部件的周边的第二热传导材料分别接触，因此能够分别缩短从第一电子部件到第一散热构件的传热路径和从第二电子部件到第一散热构件的传热路径。因此，电路装置的散热性提高。

(5)也可以是，所述第一散热构件具有与所述第一热传导材料接触的接触面，所述电路装置还具备第一绝缘构件，该第一绝缘构件具有包围所述接触面的周缘且比所述接触面向所述第一面侧突出的环状突出部，所述第一热传导材料具有对由所述接触面和所述环状突出部构成的凹部内进行填充的填充部分。在该情况下，由于第一热传导材料具有对由第一散热构件的接触面和第一绝缘构件的环状突出部构成的凹部内进行填充的填充部分，因此能够使第一散热构件与第一热传导材料适当地接触。由此，电路装置的散热性提高。

(6)也可以是，所述第一电子部件具有彼此相邻的第一连接端子和第二连接端子，所述第一连接端子和所述第二连接端子分别通过导电性接合材料与第一接合对象部和第二接合对象部接合，所述电路装置还具备绝缘部，该绝缘部位于所述第一连接端子与所述第二连接端子之间。在该情况下，由于绝缘部位于第一连接端子与第二连接端子之间，所以第一连接端子与第二连接端子不易因导电性接合材料而短路。而且，通过位于第一连接端子与第二连接端子之间的绝缘部，第一连接端子及第二连接端子的位置被限制，因此，在将第一连接端子和第二连接端子与第一接合对象部和第二接合对象部接合时第一连接端子及第二连接端子的位置不易偏移。

(7)也可以是，所述第一接合对象部包含于与所述电路基板电连接的导电端子，所述电路装置还具备弯曲导电片，该弯曲导电片与所述导电端子和所述电路基板分别接合，将所述导电端子与所述电路基板相互电连接。在该情况下，由于弯曲导电片与导电端子和电路基板分别接合，将导电端子与电路基板相互电连接，因此，能够通过导电片的弯曲来缓和因导电端子及电路基板的热变形而施加于导电端子的接合部分和电路基板的接合部分的热应力。

[本公开的实施方式的详细内容]

下面参照附图说明本公开的电路装置的具体例。另外，本公开并不限于这些例示，而是由要求保护的范围示出，并且意在包括与要求保护的范围等同的含义和范围内的所有变更。

<电路装置的概要说明>

图1是表示电路装置1的一例的概略俯视图。图2是表示从图1的纸面背面侧沿倾斜方向观察图1所示的电路装置1的状况的一例的概略立体图。图3是表示从图1的纸面右侧观察图1所示的电路装置1的状况的一例的概略侧视图。电路装置1例如在汽车中设置于电池与各种电气部件之间的电力供给路径。用于这种用途的电路装置1也被称为电气接线箱。另外，电路装置1的用途并不限于此。

如图1～3所示，电路装置1例如具备：电路结构体10，具备多个电子部件和电路基板等；壳体70，部分地收容电路结构体10；及多个散热构件80，将电路结构体10发出的热向电路装置1的外部放出。在本例中，电路装置1例如具备两个散热构件80a和80b。散热构件80a和80b例如固定于壳体70。

以下，使用图1～3等所示的XYZ直角坐标系对电路装置1进行详细说明。在以下的说明中，将+Z侧设为上侧，将-Z侧设为下侧。

<电路结构体的概略说明>

图4～12是表示电路结构体10的一例的概略图。图4是表示从上侧观察电路结构体10的状况的一例的概略立体图。图5是表示从下侧观察电路结构体10的状况的一例的概略立体图。图6是表示电路结构体10的一例的概略俯视图。图7是表示电路结构体10的一例的概略仰视图。图8是表示从图6的下侧(换言之-Y侧)观察图6所示的电路结构体10的状况的一例的概略图。图9是表示从图6的右侧(换言之-X侧)观察图6所示的电路结构体10的状况的一例的概略图。图10是表示图6的向视A-A的截面构造的一例的概略图。图11是表示图6的向视B-B的截面构造的一例的概略图。图12是表示图6的向视C-C的截面构造的一例的概略图。

如图4～12所示，电路结构体10例如具备输入侧汇流条2、输出侧汇流条3、中继汇流条4、及用于使输入侧汇流条2、输出侧汇流条3和中继汇流条4相互绝缘的绝缘构件5。另外，电路结构体10例如具备电路基板6、多个电子部件11、多个电子部件12、多个导电端子13和多个导电片14。

输入侧汇流条2(简称为汇流条2)、输出侧汇流条3(简称为汇流条3)和中继汇流条4(简称为汇流条4)分别是例如板状的金属构件。汇流条2、3、4的厚度例如为2mm。汇流条2例如具备主体部20和输入端子部23。输入端子部23具有在其厚度方向上贯通的贯通孔23a。汇流条3例如具有主体部30和输出端子部33。输出端子部33具有在其厚度方向上贯通的贯通孔33a。汇流条4位于汇流条2的主体部20和汇流条3的主体部30的附近。

各电子部件11例如是开关元件。电子部件11例如是MOESFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。MOSFET是半导体开关元件的一种。电子部件11例如具备漏极端子113、多个源极端子112和栅极端子111。漏极端子113、源极端子112和栅极端子11中的每一个也可以称为连接端子。多个电子部件11例如包括配置于上侧(换言之+Z侧)的多个电子部件11a和配置于下侧(换言之-Z侧)的多个电子部件11b。在本例中，电路结构体10例如具备四个电子部件11a和四个电子部件11b。

以下，有时将电子部件11、11a、11b分别称为MOSFET11、11a、11b。电子部件11也可以是MOSFET以外的开关元件。另外，电子部件11也可以是开关元件以外的电子部件。另外，电路结构体10所具备的电子部件11的数量并不限于上述的例子。

各电子部件12例如是二极管。电子部件12例如是齐纳二极管。电子部件12例如具备阴极端子121和两个阳极端子122。阴极端子121和阳极端子122中的每一个也可以称为连接端子。多个电子部件12例如包括配置于上侧的一个电子部件12a和配置于下侧的一个电子部件12b。

以下，有时将电子部件12、12a、12b分别称为齐纳二极管12、12a、12b。电子部件12也可以是齐纳二极管以外的二极管。另外，电子部件12也可以是二极管以外的电子部件。另外，电路结构体10所具备的电子部件12的数量并不限于上述的例子。

上侧的多个MOSFET11a的漏极端子113例如与输入侧汇流条2的主体部20电连接。由此，多个MOSFET11a的漏极端子113相互电连接。多个MOSFET11a的各源极端子112例如与中继汇流条4电连接。由此，多个MOSFET11a的源极端子112相互电连接。

上侧的齐纳二极管12a是用于防止在MOSFET11a的漏极端子113与源极端子112之间施加过电压的情况的电子部件。齐纳二极管12a的阴极端子121例如与输入侧汇流条2的主体部20电连接。由此，齐纳二极管12a的阴极端子121与多个MOSFET11a的漏极端子113电连接。齐纳二极管12a的各阳极端子122例如与中继汇流条4电连接。由此，齐纳二极管12a的阳极端子122与多个MOSFET11a的源极端子112电连接。

下侧的多个MOSFET11b的漏极端子113例如与输出侧汇流条3的主体部30电连接。由此，多个MOSFET11b的漏极端子113相互电连接。多个MOSFET11b的各源极端子112例如与中继汇流条4电连接。由此，多个MOSFET11b的源极端子112相互电连接。另外，下侧的多个MOSFET11b的源极端子112与上侧的多个MOSFET11b的源极端子112电连接。上侧的MOSFET11a的源极端子112与下侧的MOSFET11b的源极端子112通过中继汇流条4相互电连接。

下侧的齐纳二极管12b是用于防止在MOSFET11b的漏极端子113与源极端子112之间施加过电压的情况的电子部件。齐纳二极管12b的阴极端子121例如与输出侧汇流条3的主体部30电连接。由此，齐纳二极管12b的阴极端子121与多个MOSFET11b的漏极端子113电连接。齐纳二极管12b的各阳极端子122例如与中继汇流条4电连接。由此，齐纳二极管12b的阳极端子122与多个MOSFET11b的源极端子112电连接。

在输入侧汇流条2的输入端子部23，例如利用贯通孔23a连接从电池延伸的配线构件。通过配线构件向输入端子部23施加电池的输出电压。施加到输入端子部23的电池的输出电压通过主体部20施加于各MOSFET11a的漏极端子113。

在输出侧汇流条3的输出端子部33，例如利用贯通孔33a连接从电气部件延伸的配线构件。向输出端子部33施加从下侧的各MOSFET11b的漏极端子113输出的电压。施加到输出端子部33的电压通过配线构件作为例如电源而施加于电气部件。

电路基板6例如能够控制多个MOSFET11的开关动作。电路基板6例如与各MOSFET11的栅极端子111电连接。电路基板6例如能够向MOSFET11的栅极端子111施加电压。电路基板6例如通过控制施加于MOSFET11的栅极端子111的电压，能够控制该MOSFET11的开关动作。电路基板6也可以称为控制基板。

导电端子13和导电片14是用于将MOSFET11的栅极端子111与电路基板6电连接的构件。导电端子13和导电片14分别是例如金属构件。电路结构体10所具备的多个导电端子13例如包括配置于上侧的多个导电端子13a和配置于下侧的多个导电端子13b。电路结构体10所具备的多个导电片14例如包括配置于上侧的多个导电片14a和配置于下侧的多个导电片14b。

上侧的多个导电端子13a与上侧的多个MOSFET11a的栅极端子111分别电连接。上侧的多个导电片14a与电路基板6电连接。另外，多个导电片14a与多个导电端子13a分别电连接。导电端子13a通过导电片14a与电路基板6电连接。与MOSFET11a的栅极端子111电连接的导电端子13a通过导电片14a与电路基板6电连接，由此MOSFET11a的栅极端子111与电路基板6电连接。

下侧的多个导电端子13b与下侧的多个MOSFET11b的栅极端子111分别电连接。下侧的多个导电片14b与电路基板6电连接。另外，多个导电片14b与多个导电端子13b分别电连接。导电端子13b通过导电片14b与电路基板6电连接。与MOSFET11b的栅极端子111电连接的导电端子13b通过导电片14b与电路基板6电连接，由此MOSFET11b的栅极端子111与电路基板6电连接。

绝缘构件5例如使汇流条2、汇流条3、汇流条4和导电端子13相互电绝缘，并且保持汇流条2、3、4和多个导电端子13。绝缘构件5例如与汇流条2、3、4和多个导电端子13一体成型。绝缘构件5例如通过嵌件成型而与汇流条2、3、4和多个导电端子13一体成型。

<电路结构体的详细说明>

<电子部件的结构例>

上侧的多个MOSFET11a和齐纳二极管12a沿着X方向排列。在排成一列的多个MOSFET11a和齐纳二极管12a中，齐纳二极管12a位于最靠-X侧。下侧的多个MOSFET11b和齐纳二极管12b沿着X方向排列。在排成一列的多个MOSFET11b和齐纳二极管12b中，齐纳二极管12b位于最靠-X侧。

MOSFET11例如是表面安装部件。MOSFET11的栅极端子111、源极端子112和漏极端子113例如由金属构成。栅极端子111、源极端子112和漏极端子113例如可以由无氧铜构成。作为该无氧铜，例如可以采用由日本工业标准(JIS：Japanese Industrial Standards)规定的C1020的无氧铜。另外，栅极端子111、源极端子112和漏极端子113可以由铜合金构成，也可以由其他种类的金属材料构成。

MOSFET11例如具备收容有半导体元件等的封装体。漏极端子113例如为平板状，并设置于封装体的背面。漏极端子113从封装体的侧面稍微向外侧延伸出。栅极端子111和源极端子112例如是引线端子，具有细长的板状部在两处弯折的形状。栅极端子111和源极端子112具有将细长的板状部弯折成一级台阶状的形状。栅极端子111和源极端子112例如从封装体的侧面向外侧延伸。栅极端子111和多个源极端子112例如在与漏极端子113延伸出的一侧相反的一侧排成一列。在排成一列的栅极端子111和多个源极端子112中，栅极端子111位于最外侧。

齐纳二极管12例如是表面安装部件。齐纳二极管12的阴极端子121和阳极端子122例如由金属构成。阴极端子121和阳极端子122例如可以由无氧铜构成。作为该无氧铜，例如可以采用由JIS规定的C1020的无氧铜。另外，阴极端子121和阳极端子122可以由铜合金构成，也可以由其他种类的金属材料构成。

齐纳二极管12例如具备收容有半导体元件等的封装体。阴极端子121例如呈平板状。阴极端子121设置于封装体的背面。阴极端子121从封装体的侧面稍微向外侧延伸出。阳极端子122例如是引线端子，具有细长的板状部在两处弯折的形状。阳极端子122具有将细长的板状部弯折成一级台阶状的形状。阳极端子122从封装体的侧面向外侧延伸。两个阳极端子122例如在与阴极端子121延伸出的一侧相反的一侧彼此相邻地排列。

<汇流条的结构例>

汇流条2、3、4例如由铜或铜合金构成。汇流条2、3、4例如也可以由无氧铜构成。作为该无氧铜，例如可以采用由JIS规定的C1020的无氧铜。汇流条2、3、4也可以由铜和铜合金以外的金属构成。

图13是表示汇流条2、3、4和导电端子13的一例的概略图。如图4、6、13等所示，汇流条2例如由呈大致L字状的板状构件构成。汇流条2的主体部20例如是L字状的板状部分。主体部20例如由搭载多个MOSFET11a和齐纳二极管12a的第一部分21、和连接该第一部分21与输入端子部23的第二部分22构成。第一部分21例如是沿着X方向延伸的板状部分。第二部分22例如是从第一部分21的-X侧的端部沿着+Y方向延伸的板状部分。第一部分21和第二部分22相互位于同一平面上。输入端子部23从第二部分22的+Y侧的端部向下侧稍微延伸后沿着+Y方向延伸。第二部分22与输入端子部23的边界部分弯曲成一级台阶状。

如图5、7、13等所示，汇流条3例如由呈大致L字状的板状构件构成。汇流条3的主体部30例如是L字状的板状部分。主体部30例如由搭载多个MOSFET11b和齐纳二极管12b的第一部分31、和连接该第一部分31与输出端子部33的第二部分32构成。第一部分31例如是沿着X方向延伸的板状部分。第二部分32例如是从第一部分31的+X侧的端部沿着+Y方向延伸的板状部分。第一部分31和第二部分32相互位于同一平面上。输出端子部33从第二部分32的+Y侧的端部向上侧稍微延伸后沿着+Y方向延伸。第二部分32与输出端子部33的边界部分弯曲成一级台阶状。

汇流条2以与汇流条3在Z方向上部分地相对的方式位于比汇流条3靠上侧。汇流条2的第一部分21与汇流条3的第一部分31在Z方向上彼此相对。汇流条2的第二部分22位于比汇流条3的第二部分32靠-X侧。在从上侧或下侧俯视电路结构体10的情况下，沿着Y方向延伸的第二部分22与沿着Y方向延伸的第二部分32相互呈平行。以下，有时将彼此相对的第一部分21和第一部分31分别称为相对部分21和相对部分31。

上侧的板状的相对部分21具有朝向电路结构体10的外侧的主面211(也称为外侧面211)和朝向电路结构体10的内侧的主面212(也称为内侧面212)。外侧面211位于+Z侧，内侧面212位于-Z侧。外侧面211位于内侧面212的相反侧。

在外侧面211搭载有多个MOSFET11a和齐纳二极管12a。在外侧面211通过焊料等导电性接合材料接合有各MOSFET11a的漏极端子113和齐纳二极管12a的阴极端子121。由此，多个MOSFET11a的漏极端子113与齐纳二极管12a的阴极端子121通过汇流条2相互电连接。

下侧的板状的相对部分31具有朝向电路结构体10的外侧的主面311(也称为外侧面311)和朝向电路结构体10的内侧的主面312(也称为内侧面312)。外侧面311位于-Z侧，内侧面312位于+Z侧。外侧面311位于内侧面312的相反侧。

在外侧面311搭载有多个MOSFET11b和齐纳二极管12b。在外侧面311通过焊料等导电性接合材料接合有各MOSFET11b的漏极端子113和齐纳二极管12a的阴极端子121。由此，多个MOSFET11b的漏极端子113与齐纳二极管12b的阴极端子121通过汇流条3相互电连接。

汇流条4例如大致呈将板状构件弯曲成大致U字状的形状。汇流条4例如由多个平板状的第一部分40a、多个平板状的第二部分40b、连接多个第一部分40a与多个第二部分40b的板状的连接部分41构成。

多个第一部分40a例如相互分离地沿着X方向排列。多个第二部分40b例如相互分离地沿着X方向排列。多个第一部分40a在Z方向上分别与多个第二部分40b相对。多个第一部分40a位于上侧，多个第二部分40b位于下侧。

各第一部分40a例如与相对部分21位于同一平面上。各第一部分40a例如在Y方向上与相对部分21空出间隔地排列。各第二部分40b例如与相对部分31位于同一平面上。各第二部分40b例如在Y方向上与相对部分31空出间隔地排列。

多个第一部分40a例如包括与四个MOSFET11a分别对应的四个第一部分40a和与齐纳二极管12a对应的一个第一部分40a。各MOSFET11a的多个源极端子112相对于与该MOSFET11a对应的第一部分40a接合。MOSFET11a的源极端子112通过焊料等导电性接合材料相对于第一部分40a的+Z侧的主面(也称为外侧面)接合。齐纳二极管12a的各阳极端子122与对应于该齐纳二极管12a的第一部分40a接合。齐纳二极管12a的阳极端子122通过焊料等导电性接合材料相对于第一部分40a的外侧面接合。多个MOSFET11a的源极端子112与齐纳二极管12a的阳极端子122通过汇流条4相互电连接。以下，有时将第一部分40a称为接合对象部40a或上侧接合对象部40a。

多个第二部分40b例如包括与四个MOSFET11b分别对应的四个第二部分40b和与齐纳二极管12b对应的一个第二部分40b。各MOSFET11b的多个源极端子112相对于与该MOSFET11b对应的第二部分40b接合。MOSFET11b的源极端子112通过焊料等导电性接合材料相对于第二部分40b的-Z侧的主面(也称为外侧面)接合。齐纳二极管12b的各阳极端子122与对应于该齐纳二极管12b的第二部分40b接合。齐纳二极管12b的阳极端子122通过焊料等导电性接合材料相对于第二部分40b的外侧面接合。多个MOSFET11b的源极端子112与齐纳二极管12b的阳极端子122通过汇流条4相互电连接。以下，有时将第二部分40b称为接合对象部40b或下侧接合对象部40b。

汇流条4的连接部分41例如沿着X方向延伸。连接部分41例如连接多个接合对象部40a的-Y侧端与多个接合对象部40b的-Y侧端。

另外，为了容易相对于汇流条2、3、4焊料接合端子等，为了降低配线构件与输入端子部23的接触电阻，及为了降低配线构件与输出端子部33的接触电阻，汇流条2、3、4也可以在其表面具有镀镍等金属镀层。

<电路基板的结构例>

电路基板6与多个MOSFET11电连接。电路基板6例如具备配线基板60和搭载于配线基板60的多个部件。配线基板60例如沿着XY平面延展，并具有上侧的主面60a(也称为上侧面60a)和下侧的主面60b(也称为下侧面60b)。上侧面60a位于下侧面60b的相反侧，在Z方向上与下侧面60b相对。

配线基板60例如具有绝缘基板和设置于该绝缘基板的至少一个导电层。绝缘基板例如可以是陶瓷基板，也可以是含有树脂的基板。在后者的情况下，绝缘基板可以是玻璃环氧树脂基板，也可以是含有树脂的其他基板。导电层例如可以由铜构成，也可以由其他金属构成。

在从相对部分21侧观察相对部分31侧的情况下，配线基板60位于比相对部分21靠里侧且位于比相对部分31靠近前侧。在从上侧(换言之+Z侧)观察的情况下，配线基板60位于比相对部分21靠里侧且位于比相对部分31靠近前侧。另外，在从下侧(换言之-Z侧)观察的情况下，配线基板60位于比相对部分31靠里侧且位于比相对部分21靠近前侧。

配线基板60例如具有在上下方向上位于汇流条2的主体部20与汇流条3的主体部30之间的部分。具体而言，配线基板60包括在上下方向上位于相对部分21与相对部分31之间的部分、和在上下方向上位于第二部分22与第二部分32之间的部分。配线基板60的上侧面60a具有在从上侧观察的情况下从汇流条2露出的露出区域60aa。配线基板60的下侧面60b具有在从下侧观察的情况下从汇流条3露出的露出区域60bb。

在搭载于配线基板60的多个部件例如包括多个电子部件。在该多个电子部件例如包括微型计算机62。另外，在搭载于配线基板60的多个部件例如包括连接器65。微型计算机62和连接器65例如搭载于配线基板60的下侧面60b的露出区域60bb。微型计算机62例如具有CPU(Central Processing Unit：中央处理单元)和存储器等。微型计算机62例如能够控制多个MOSFET11的开关动作。

连接器65例如是用于将电路装置1的外部的装置(也称为外部装置)与电路基板6电连接的连接器。在连接器65连接从外部装置延伸的配线构件。连接器65具有用于将该连接器65固定于配线基板60的两个金属部分651、和多个连接端子652。两个金属部分651和多个连接端子652与配线基板60接合。微型计算机62通过连接器65与外部装置电连接。微型计算机62根据来自外部装置的指示，控制各MOSFET11的开关动作。

配线基板60例如具有位于上侧面60a的导电层(也称为上侧的导电层)和位于下侧面60b的导电层(也称为下侧的导电层)。在上侧的导电层，例如包括与多个MOSFET11a的栅极端子111分别电连接的多个连接盘61a。在下侧的导电层包括与多个MOSFET11b的栅极端子111分别电连接的多个连接盘61b。多个连接盘61a例如位于配线基板60的上侧面60a的露出区域60aa。多个连接盘61b例如位于配线基板60的下侧面60b的露出区域60bb。多个连接盘61a和多个连接盘61b与向各MOSFET11的栅极端子111施加电压的驱动电路电连接。驱动电路设置于配线基板60，微型计算机62通过该驱动电路控制各MOSFET11的开关动作。

此外，在下侧的导电层，包括与连接器65的两个金属部651分别接合的两个连接盘66b、和与连接器65的多个连接端子652分别接合的多个连接盘67b。两个连接盘66b和多个连接盘67b例如位于配线基板60的下侧面60b的露出区域60bb。连接器65的金属部分651通过焊料等导电性接合材料与连接盘66b接合。连接器65的连接端子652通过焊料等导电性接合材料与连接盘67b接合。

另外，微型计算机62和连接器65中的至少一方也可以设置于配线基板60的上侧面60a。另外，配线基板60可以是单层基板，也可以是多层基板。配线基板60也可以在其内层具有导电层。

<导电端子的结构例>

多个导电端子13包括与多个MOSFET11a的栅极端子111分别接合的多个导电端子13a和与多个MOSFET11b的栅极端子111分别接合的多个导电端子13b。各导电端子13例如可以由铜合金构成，也可以由其他金属材料构成。

导电端子13例如具有将细长的板状构件的一个端部弯曲成大致U字状的形状。导电端子13的厚度例如为0.6mm。导电端子13在其一个端部具有与MOSFET11的栅极端子111接合的接合对象部130。另外，导电端子13在其另一个端部具有与导电片14接合的接合对象部131。并且，导电端子13具备将接合对象部130与接合对象部131连接的连接部分132。

接合对象部130例如是沿着Y方向延伸的平板状部分。上侧的导电端子13a的接合对象部130位于MOSFET11a的栅极端子111的-Z侧。下侧的导电端子13b的接合对象部130位于MOSFET11b的栅极端子111的+Z侧。平板状的接合对象部130具有彼此相对的一对主面。导电端子13a的接合对象部130的一个主面例如与汇流条4的上侧接合对象部40a的+Z侧的主面位于同一平面上。在导电端子13a的接合对象部130的一个主面，通过焊料等导电性接合材料接合MOSFET11a的栅极端子111。导电端子13b的接合对象部130的一个主面例如与汇流条4的下侧接合对象部40b的-Z侧的主面位于同一平面上。在导电端子13b的接合对象部130的一个主面，通过焊料等导电性接合材料接合MOSFET11b的栅极端子111。

接合对象部131例如是平板状部分。平板状的接合对象部131具有彼此相对的一对主面。上侧的导电端子13a的接合对象部131以从配线基板60的上侧面60a稍微离开的状态位于该上侧面60a上。导电端子13a的接合对象部131的一个主面与配线基板60的上侧面60a相对。导电端子13a的接合对象部131位于配线基板60的连接盘61a的附近且位于连接盘61a的-Y侧。

下侧的导电端子13b的接合对象部131以从配线基板60的下侧面60b稍微离开的状态位于该下侧面60b上。导电端子13b的接合对象部131的一个主面与配线基板60的下侧面60b相对。导电端子13b的接合对象部131位于配线基板60的连接盘61b的附近且位于连接盘61b的-Y侧。

连接部分132例如具有将细长的板状部分的一个端部弯曲成L字状的形状。导电端子13a的连接部分132从该导电端子13a的接合对象部130的-Y侧端稍向-Z侧延伸后沿着+Y方向延伸，并与该导电端子13a的接合对象部131的-Y侧端相连。导电端子13b的连接部分132从该导电端子13b的接合对象部130的-Y侧端稍向+Z侧延伸后沿着+Y方向延伸，并与该导电端子13b的接合对象部131的-Y侧端相连。

另外，为了容易相对于导电端子13焊料接合构件，导电端子13也可以在其表面具有镀镍等金属镀层。

<导电片的结构例>

多个导电片14包括与多个导电端子13a分别接合的多个导电片14a、和与多个导电端子13b分别接合的多个导电片14b。各导电片14例如可以由铜合金构成，也可以由其他金属材料构成。

如图10～12等所示，导电片14例如具有板状构件在两处弯折的形状。导电片14例如大致具有将板状构件弯折成一级台阶状的形状。导电片14也可以称为弯曲导电片14。导电片14的厚度例如比导电端子13的厚度小。导电片14a是用于将导电端子13a与连接盘61a电连接的构件。导电片14b是用于将导电端子13b与连接盘61b电连接的构件。导电片14也被称为跳线片。

导电片14a从导电端子13a的接合对象部131配置到配线基板60的连接盘61a。导电片14a具有位于导电端子13a的接合对象部131上的端子上部分。导电片14a的端子上部分相对于导电端子13a的接合对象部131通过焊料等导电性接合材料接合。导电片14a具有位于配线基板60的连接盘61a上的连接盘上部分。导电片14a的连接盘上部分相对于连接盘61a通过焊料等导电性接合材料接合。导电片14a具有将端子上部分与连接盘上部分相连的倾斜部。在导电片14a中，在端子上部分与倾斜部的边界弯折，并在倾斜部与连接盘上部分的边界弯折。

导电片14b从导电端子13b的接合对象部131配置到配线基板60的连接盘61b。导电片14b具有位于导电端子13b的接合对象部131上的端子上部分。导电片14b的端子上部分相对于导电端子13b的接合对象部131通过焊料等导电性接合材料接合。导电片14b具有位于配线基板60的连接盘61b上的连接盘上部分。导电片14b的连接盘上部分相对于连接盘61b通过焊料等导电性接合材料接合。导电片14b具有将端子上部分与连接盘上部分相连的倾斜部。在导电片14b中，在端子上部分与倾斜部的边界弯折，并在倾斜部与连接盘上部分的边界弯折。

这样，在本例中，弯曲导电片14与导电端子13和电路基板6分别接合，将导电端子13与电路基板6相互电连接。由此，能够通过导电片14的弯曲来缓和因导电端子13及电路基板6的热变形而施加于导电端子13的接合部分和电路基板6的接合部分的热应力。

<绝缘构件的结构例>

绝缘构件5例如由绝缘性树脂构成。绝缘构件5例如也可以由PPS(Poly PhenyleneSulfide：聚苯硫醚)树脂构成。绝缘构件5例如与汇流条2、3、4和多个导电端子13一体成型。

绝缘构件5具备：大致框状的绝缘部51；绝缘部52a，具有位于汇流条2与汇流条4之间的部分；及绝缘部52b，具有位于汇流条4与汇流条4之间的部分。

大致框状的绝缘部51包围汇流条2的主体部20、汇流条3的主体部30和电路基板6的周围。绝缘部51由沿着Y方向延伸且在X方向上彼此相对的第一部分51a和第二部分51b、及沿着X方向延伸且在Y方向上彼此相对的第三部分51c和第四部分51d构成。

第一部分51a为平板状，沿着主体部20的第二部分22的-X侧端面延伸，并安装于该端面。第二部分51b为平板状，沿着主体部30的第二部分32的+X侧端面延伸，并安装于该端面。第三部分51c为大致平板状，沿着汇流条4的连接部分41的内侧的面延伸，并安装于该内侧的面。第四部分51d为平板状，沿着配线基板60的+Y侧的端面延伸。

如图5所示，在第二部分51b设有沿着Y方向延伸的狭缝55。如后所述，在制造电路结构体10的情况下，配线基板60从狭缝55进入大致框状的绝缘部51的内侧。

绝缘部52a和52b例如为大致平板状。绝缘部52a和52b以绝缘部52a和52b在Z方向上彼此相对的方式，从绝缘部51的第一部分51a延伸至第二部分51b。绝缘部52a及52b的-Y侧端与绝缘部51的第三部分51c相连。绝缘部52a及52b的+Y侧的端面例如与汇流条2的相对部分21的+Y侧的端面和汇流条3的相对部分31的+Y侧的端面位于同一平面上。绝缘部52a位于比配线基板60靠+Z侧，绝缘部52b位于比配线基板60靠-Z侧。

上侧的绝缘部52a具有第一部分，该第一部分沿着汇流条2的相对部分21的-Z侧的主面和汇流条4的多个上侧接合对象部40a的-Z侧的主面延展，并安装于这些主面。另外，绝缘部52a具有第二部分，该第二部分位于汇流条2的相对部分21的-Y侧的端面与汇流条4的各上侧接合对象部40a的+Y侧的端面之间。在本例中，如图10等所示，MOSFET11a的封装体不仅位于相对部分21上，还位于绝缘部52a的第二部分上。

下侧的绝缘部52b具有第一部分，该第一部分沿着汇流条3的相对部分31的+Z侧的主面和汇流条4的多个下侧接合对象部40b的+Z侧的主面延展，并安装于这些主面。另外，绝缘部52b具有第二部分，该第二部分位于汇流条3的相对部分31的-Y侧的端面与汇流条4的各下侧接合对象部40b的+Y侧的端面之间。在本例中，如图10等所示，MOSFET11b的封装体不仅位于相对部分31上，还位于绝缘部52b的第二部分上。

如图4、6、8等所示，在本例中，四个导电端子13a中的位于最靠+X侧的导电端子13a以外的三个导电端子13a分别具有位于彼此相邻的两个上侧接合对象部40a之间的部分。为了实现具有位于彼此相邻的两个上侧接合对象部40a之间的部分的导电端子13a与该两个上侧接合对象部40a之间的电绝缘，绝缘构件5具备位于该两个上侧接合对象部40a之间的绝缘部。该绝缘部包含于绝缘部51的第三部分51c和绝缘部52a。另外，四个导电端子13a中的位于最靠+X侧的导电端子13a具有与上侧接合对象部40a的+X侧端面相对的部分。为了实现位于最靠+X侧的导电端子13a与上侧接合对象部40a之间的电绝缘，绝缘构件5具有位于最靠+X侧的导电端子13a与上侧接合对象部40a的+X侧端面之间的绝缘部。该绝缘部包含于绝缘部51的第三部分51c和绝缘部52a。

如图5、7、8等所示，在本例中，四个导电端子13b分别具有位于彼此相邻的两个下侧接合对象部40b之间的部分。为了实现具有位于彼此相邻的两个下侧接合对象部40b之间的部分的导电端子13b与该两个下侧接合对象部40b之间的电绝缘，绝缘构件5具备位于该两个下侧接合对象部40b之间的绝缘部。该绝缘部包含于绝缘部51的第三部分51c和绝缘部52b。

绝缘构件5除了绝缘部51、52a、52b以外，还具备多个绝缘部50。多个绝缘部50由与多个MOSFET11a分别对应的多个绝缘部50a和与多个MOSFET11b分别对应的多个绝缘部50b构成。

图14是将MOSFET11a的周边的一例放大表示的概略图。绝缘部50a位于与其对应的MOSFET11a的栅极端子111与该栅极端子111的旁边的源极端子112之间。绝缘部50a具有位于栅极端子111与该栅极端子111的旁边的源极端子112之间的间隙的部分。绝缘部50a例如是薄的板状部分。绝缘部50a从绝缘构件5中的位于导电端子13a与上侧接合对象部40a的+X侧端面之间的部分向+Z侧延伸。绝缘部50a中的从导电端子13a的接合对象部130和上侧接合对象部40a的+Z侧的面的突出距离比MOSFET11a的栅极端子111及源极端子112的厚度大。该突出距离例如为1mm左右。绝缘部50a例如具有位于栅极端子111的与导电端子13a接合的前端部分111a和源极端子112的与上侧接合对象部40a接合的前端部分112a之间的部分。

绝缘部50b位于与其对应的MOSFET11b的栅极端子111与该栅极端子111的旁边的源极端子112之间。绝缘部50b具有位于栅极端子111与该栅极端子111的旁边的源极端子112之间的间隙的部分。绝缘部50b例如是薄的板状部分。绝缘部50b从绝缘构件5中的位于导电端子13b与下侧接合对象部40b的-X侧端面之间的部分向-Z侧延伸。绝缘部50b中的从导电端子13b的接合对象部130和下侧接合对象部40b的-Z侧的面的突出距离比MOSFET11b的栅极端子111及源极端子112的厚度大。该突出距离例如为1mm左右。绝缘部50b例如具有位于栅极端子111的与导电端子13b接合的前端部分111a和源极端子112的与下侧接合对象部40b接合的前端部分112a之间的部分。

在此，与本例不同，考虑电路结构体10不具备绝缘部50的情况。在该情况下，存在如下可能：在栅极端子111与其旁边的源极端子112之间，将它们接合于接合对象部的焊料等导电性接合材料流动，栅极端子111与其旁边的源极端子112因导电性接合材料而短路。另外，在MOSFET11的栅极端子111、源极端子112和漏极端子113例如通过回流焊方式被钎焊的情况下，存在焊料在栅极端子111与源极端子112之间流动而MOSFET11的位置发生变化，栅极端子111及源极端子112的位置发生偏移的可能。

在本例中，由于绝缘部50位于栅极端子111与其旁边的源极端子112之间，所以栅极端子111和源极端子112因焊料等导电性接合材料而短路的可能性降低。而且，通过位于栅极端子111与源极端子112之间的绝缘部50，栅极端子111及源极端子112的位置被限制，所以在将栅极端子111和源极端子112接合于接合对象部时栅极端子111及源极端子112的位置不易偏移。

<电路结构体的制造方法的一例>

在制造具备以上那样的结构的电路结构体10的情况下，首先，对汇流条材料进行例如冷镦或切削加工等，制作汇流条2、3、4。另外，对金属板进行例如冲压加工，制作多个导电端子13。在制作出的汇流条2、3、4及导电端子13的表面，例如也可以通过电镀法或化学析出法，形成镀镍等金属镀层。

接着，如图15所示，在嵌件成型用模具内配置汇流条2、3、4和多个导电端子13。在图15中，省略了嵌件成型用模具的图示。然后，将PPS树脂等耐热性优异的热塑性树脂从注塑成型机注射到嵌件成型用模具，使汇流条2、3、4和多个导电端子13与树脂一体成型。由此，如图16所示，得到汇流条2、3、4和多个导电端子13与绝缘构件5一体成型而成的一体成型品。图17是将绝缘构件5所具备的绝缘部50a的周边的一例放大表示的概略图。

接着，如图18所示，配线基板60从设置于绝缘构件5的大致框状的绝缘部51的第二部分51b的狭缝55(参照图5)进入绝缘部51的内侧而安装于绝缘构件5。由此，如图19所示，配线基板60安装于汇流条2、3、4和多个导电端子13与绝缘构件5一体成型而成的一体成型品。在绝缘部51的内侧的面形成有引导槽，以将配线基板60配置于规定的位置。配线基板60的外周缘被引导槽保持。

接着，如图20所示，对汇流条2的相对部分21的规定区域、汇流条4的各上侧接合对象部40a的规定区域、各导电端子13a的规定区域和配线基板60的上侧面60a的规定区域(各连接盘61a等)涂布焊膏1000。焊膏1000的涂布例如使用定量喷出装置(也称为分配器)。在图20中，用斜线表示焊膏1000。然后，相对于涂布有焊膏1000的区域，例如使用表面安装机(也称为芯片安装机)，搭载多个MOSFET11a、齐纳二极管12a和多个导电片14a，之后，以回流焊方式进行钎焊。此时，通过绝缘部50a的作用，MOSFET11a的栅极端子111与其旁边的源极端子112不易短路。另外，MOSFET11a的位置不易偏移。

接着，如图21所示，对汇流条3的相对部分31的规定区域、汇流条4的各下侧接合对象部40b的规定区域、各导电端子13b的规定区域和配线基板60的下侧面60b的规定区域(多个连接盘61b、多个连接盘66b和多个连接盘67b等)涂布焊膏1000。在图21中，用斜线表示焊膏1000。然后，相对于涂布有焊膏1000的区域，通过回流焊方式钎焊多个MOSFET11b、齐纳二极管12b、多个导电片14b、连接器65和微型计算机62。此时，通过绝缘部50b的作用，MOSFET11b的栅极端子111与其旁边的源极端子112不易短路。另外，MOSFET11b的位置不易偏移。另外，在图20中省略了微型计算机62的图示。

如以上那样，制造图4～12所示的电路结构体10。另外，如图22所示，也可以在绝缘构件5的制作前所准备的绝缘部50固定于各导电端子13之后，绝缘构件5通过嵌件成型而与汇流条2、3、4、多个导电端子13和多个绝缘部50一体成型。在图22的例子中，绝缘部50具有将板状构件弯折的形状。绝缘部50例如具备配置在栅极端子111与源极端子112之间的板状的第一部分510、和固定于导电端子13的板状的第二部分520。第二部分520固定于导电端子13的接合对象部130的内侧的面。绝缘部50例如可以由树脂构成，也可以由陶瓷构成。绝缘部50可以由与绝缘构件5相同的材料构成，也可以由不同的材料构成。

<壳体及散热构件的结构例>

图23是表示上述图1所示的向视D-D的截面构造的一例的图。图24是将在图23中由虚线包围的部分放大表示的概略图。图25是表示从壳体70拆下散热构件80a和80b后的状况的一例的概略立体图。

图26是表示从壳体70取出电路结构体10后的状况的一例的概略立体图。

如图1～3、23～26等所示，壳体70例如呈长方体。壳体70例如由上壁部710、下壁部720、将上壁部710与下壁部720相连的框状的侧壁部730构成。电路结构体10的输入端子部23和输出端子部33从侧壁部730的+Y侧部分向壳体70的外侧延伸出。另外，连接器65的一部分也从侧壁部730的+Y侧部分向壳体70的外侧延伸出。散热构件80a固定于上壁部710，散热构件80b固定于下壁部720。壳体70例如由树脂构成，壳体70例如可以由PPS树脂构成，也可以由PBT(Poly Butylene Terephthalate：聚对苯二甲酸丁二醇酯)树脂构成。

在上壁部710设置有在其厚度方向上贯通的多个贯通孔711。多个贯通孔711例如沿着X方向排成一列。在下壁部720设置有在其厚度方向上贯通的多个贯通孔721。多个贯通孔721例如沿着X方向排成一列。

各散热构件80例如具有固定于壳体70的外表面的板状的固定部800、和从该固定部800突出的多个插入部810。固定部800位于壳体70的外表面上。多个插入部810设置于固定部800的壳体70侧的主面(换言之，内侧的主面)。各插入部810例如呈圆柱状。

散热构件80a的固定部800固定于壳体70的上壁部710的外表面，散热构件80b的固定部800固定于壳体70的下壁部720的外表面。散热构件80a的多个插入部810分别插入于上壁部710的多个贯通孔711。散热构件80b的多个插入部810分别插入于下壁部720的多个贯通孔721。散热构件80例如可以由铝类合金构成，也可以由其他金属材料构成，还可以由金属材料以外的材料构成。

在散热构件80安装多个绝缘构件90。在散热构件80的各插入部810的前端面设置有供绝缘构件90安装的安装部820。

图27是表示在安装部820安装绝缘构件90的状况的一例的概略立体图。图28是表示散热构件80和安装于该散热构件80的安装部820的绝缘构件90的截面构造的一例的概略图。

安装部820例如呈圆板状。也可以说安装部820呈高度低的圆柱状。安装部820从插入部810的前端面(换言之，前端的圆形面)突出，也可以说是突起部。圆板状的安装部820的直径比圆柱状的插入部810的直径小。安装部820的中心轴线与插入部810的中心轴线一致。在散热构件80中，安装部820的周围低一级。安装部820的表面具有圆形的主面821和与该主面821的周缘相连的圆环状的周端面822。

绝缘构件90例如呈圆环状。绝缘构件90例如可以由PPS树脂构成，也可以由其他种类的树脂构成，还可以由树脂以外的绝缘材料构成。圆环状的绝缘构件90以包围安装部820的周端面822且与该周端面822接触的方式嵌于安装部820。圆环状的绝缘构件90的内径比圆板状的安装部820的直径稍小，因此，嵌于安装部820的绝缘构件90不易从该安装部820脱离。绝缘构件90的外径例如与圆柱状的插入部810的直径相同。由此，在绝缘构件90嵌于安装部820的情况下，绝缘构件90不会比插入部810向外侧突出。圆环状的绝缘构件90的高度比圆板状的安装部820的高度稍大。绝缘构件90具有包围安装部820的主面821的周缘且比该主面821突出的环状突出部900。由安装部820的主面821和安装于安装部820的绝缘构件90的环状突出部900构成凹部93。凹部93的周壁部由环状突出部900构成，凹部93的底面由主面821构成。

在本例中，电路装置1具备与多个MOSFET11分别对应的多个热传导材料95。多个热传导材料95包括与上侧的多个MOSFET11a分别对应的多个热传导材料95a、和与下侧的多个MOSFET11b分别对应的多个热传导材料95b。热传导材料95例如由散热油脂构成。作为该散热油脂，例如采用热传导率为2W/m·K以上、粘度为50～500Pa·s的热传导性硅脂。热传导材料95可以由热传导性片材构成，也可以由其他种类的热界面材料(TIM)构成。

多个热传导材料95a例如在汇流条2的相对部分21的外侧面211上沿着X方向配置成一列。多个热传导材料95b例如在汇流条3的相对部分31的外侧面311上沿着X方向配置成一列(参照图26)。热传导材料95例如配置于与其对应的MOSFET11的周围。热传导材料95a例如配置于与其对应的MOSFET11a的漏极端子113的附近，且配置于该漏极端子113的+Y侧。热传导材料95b例如配置于与其对应的MOSFET11b的漏极端子113的附近，且配置于该漏极端子113的+Y侧。

壳体70的上壁部710的多个贯通孔711分别位于多个热传导材料95a的正上方。在散热构件80a的多个插入部810分别插入到多个贯通孔711的情况下，散热构件80a的多个安装部820的主面821与多个热传导材料95a分别接触。另外，安装于散热构件80a的安装部820的绝缘构件90例如与汇流条2的相对部分21的外侧面211接触。由安装部820的主面821(换言之，与热传导材料95a接触的接触面821)和安装于该安装部82的绝缘构件90的环状突出部900构成的凹部93内被热传导材料95a填充。热传导材料95a具有对凹部93内进行填充的填充部分。另外，热传导材料95a也可以具有不位于凹部93内而位于环状突出部900的外侧的部分。

壳体70的下壁部720的多个贯通孔721分别位于多个热传导材料95b的正上方。在散热构件80b的多个插入部810分别插入到多个贯通孔721的情况下，散热构件80b的多个安装部820的主面821与多个热传导材料95b分别接触。另外，安装于散热构件80b的安装部820的绝缘构件90例如与汇流条3的相对部分31的外侧面311接触。由安装部820的主面821(换言之，与热传导材料95a接触的接触面821)和安装于该安装部82的绝缘构件90的环状突出部900构成的凹部93内被热传导材料95b填充。热传导材料95b具有对凹部93内进行填充的填充部分。另外，热传导材料95b也可以具有不位于凹部93内而位于环状突出部900的外侧的部分。

图29是表示MOSFET11发出的热的传热路径的一例的概略图。图29的箭头990a表示MOSFET11a发出的热的传热路径。图29的箭头990b表示MOSFET11b发出的热的传热路径。

如箭头990a所示，MOSFET11a产生的热依次在汇流条2的相对部分21、热传导材料95a、散热构件80a的安装部820、散热构件80a的插入部810和散热构件80a的固定部800中传递，放出到电路装置1的外部。

另一方面，如箭头990b所示，MOSFET11b发出的热依次在汇流条3的相对部分31、热传导材料95b、散热构件80b的安装部820、散热构件80b的插入部810和散热构件80b的固定部800中传递，放出到电路装置1的外部。

在如上述那样制造了电路结构体10之后，在汇流条2的相对部分21的外侧面211涂布多个热传导材料95a，在汇流条3的相对部分31的外侧面311涂布多个热传导材料95b。之后，在将电路结构体10收容到壳体70内之后，将安装有多个绝缘构件90的散热构件80a和安装有多个绝缘构件90的散热构件80b安装于壳体70。此时，由散热构件80和安装在其上的多个绝缘构件90构成的多个凹部93内被热传导材料95填充。由此，图1～3所示的电路装置1完成。另外，为了防水，也可以在将散热构件80a和80b安装于壳体70之后，向壳体70内填充由树脂等构成的灌封剂，之后，使该灌封剂固化。

这样，在本例中，MOSFET11a搭载于汇流条2的相对部分21，MOSFET11b搭载于汇流条3的相对部分31。即，MOSFET11a和MOSFET11b分别搭载于彼此相对的相对部分21和相对部分31。由此，能够减小从相对部分21侧(换言之+Z侧)或从相对部分31侧(换言之-Z侧)观察的情况下的电路装置1的平面尺寸。即，能够实现电路装置1的小型化。

另外，在本例中，MOSFET11a发出的热通过汇流条2的相对部分21传递到散热构件80a，并从散热构件80a放出到外部。另外，MOSFET11b发出的热通过汇流条3的相对部分31传递到散热构件80b，并从散热构件80b放出到外部。在此，在从相对部分21侧(换言之+Z侧)观察相对部分31侧(换言之-Z侧)的情况下，配线基板60位于比相对部分21靠里侧且位于比相对部分31靠近前侧。并且，MOSFET11a在相对部分21中搭载于与相对部分31侧的内侧面212相反的一侧的外侧面211，MOSFET11b在相对部分31中搭载于与相对部分21侧的内侧面312相反的一侧的外侧面311。因此，配线基板60相对于相对部分21位于与MOSFET11a相反的一侧，并且相对于相对部分31位于与MOSFET11b相反的一侧。因此，配线基板60既不易受到MOSFET11a发出的热的影响，也不易受到MOSFET11b发出的热的影响(参照图29的箭头990a和990b)。因此，电路基板6的可靠性提高。

另外，在本例中，散热构件80a和散热构件80b分别具有位于壳体70的外表面上的部分(在上述的例子中为固定部800)，因此通过调整该部分的大小，能够不对壳体70内的部件配置等造成影响地调整散热构件80a及散热构件80b的散热特性。

另外，在本例中，散热构件80a与位于汇流条2的相对部分21中的与配线基板60侧的内侧面212相反的一侧的外侧面211上的热传导材料95a接触。由此，能够避免散热构件80a与配线基板60的干涉，并且缩短从MOSFET11a到散热构件80a的传热路径。因此，电路装置1的散热特性提高。

同样地，在本例中，散热构件80b与位于汇流条3的相对部分31中的与配线基板60侧的内侧面312相反的一侧的外侧面311上的热传导材料95b接触。由此，能够避免散热构件80b与配线基板60的干涉，并且缩短从MOSFET11b到散热构件80b的传热路径。因此，电路装置1的散热特性提高。

另外，在本例中，由于散热构件80a与分别位于多个MOSFET11a的周边的多个热传导材料95a中的每一个接触，所以对于各MOSFET11a，能够缩短从该MOSFET11a到散热构件80a的传热路径。因此，电路装置1的散热性提高。

同样地，在本例中，散热构件80b与分别位于多个MOSFET11b的周边的多个热传导材料95b中的每一个接触，所以对于各MOSFET11b，能够缩短从该MOSFET11b到散热构件80b的传热路径。因此，电路装置1的散热性提高。

另外，在本例中，热传导构件95a具有填充部分，该填充部分对由散热构件80a中的与热传导构件95a接触的接触面821和绝缘构件90的环状突出部900构成的凹部93内进行填充。由此，能够使散热构件80a与热传导材料95a适当地接触。因此，电路装置1的散热性提高。

同样，在本例中，热传导构件95b具有填充部分，该填充部分对由散热构件80b的接触面821和绝缘构件90的环状突出部900构成的凹部93内进行填充。由此，能够使散热构件80b与热传导构件95b适当地接触。因此，电路装置1的散热性提高。

<电路装置的其他例>

电路装置1的构造并不限于上述的例子。例如，汇流条2、3、4的形状并不限于上述的例子。另外，配线基板60的形状并不限于上述的例子。在上述的例子中，配线基板60具有在Z方向上被汇流条2的相对部分21和汇流条3的相对部分31夹着的部分，但也可以不具有该部分。另外，在从相对部分21侧观察相对部分31侧的情况下，配线基板60可以不位于比相对部分21靠里侧，也可以不位于比相对部分31靠近前侧。另外，MOSFET11a也可以搭载于汇流条2的第二部分22，MOSFET11b也可以搭载于汇流条3的第二部分32。另外，散热构件80的形状并不限于上述的例子。例如，在MOSFET11a的发热量大的情况下，散热构件80a的固定部800也可以设置于壳体70的上壁部710的外表面的整个区域。另外，在MOSFET11b的发热量大的情况下，散热构件80b的固定部800也可以设置于壳体70的下壁部720的外表面的整个区域。另外，多个热传导材料95的数量不限于上述的例子。例如，也可以在汇流条2设置一个热传导材料95a，也可以在汇流条3设置一个热传导材料95b。另外，电路装置1也可以不具备绝缘构件90。另外，电路装置1也可以不具备绝缘部50。

如上所述，对电路装置1进行了详细说明，但上述说明在所有方面均为例示，本公开并不限定于此。另外，上述各种变形例只要不相互矛盾就能够组合应用。并且，应当理解，在不脱离本公开的范围的情况下可以设想未例示的无数变形例。

标号说明

1 电路装置；

2 输入侧汇流条；

3 输出侧汇流条；

4 中继汇流条；

5 绝缘构件；

6 电路基板；

10 电路结构体；

11、11a、11b、12、12a、12b电子部件；

13、13a、13b导电端子；

14、14a、14b导电片；

20、30主体部；

21、31第一部分(相对部分)；

22、32第二部分；

23输入端子部；

23a、33a、711、721贯通孔；

33输出端子部；

40a第一部分(接合对象部)；

40b第二部分(接合对象部)；

41连接部分；

50、50a、50b、51、52a、52b绝缘部；

51a 第一部分；

51b 第二部分；

51c 第三部分；

51d 第四部分；

55 狭缝；

60 配线基板；

60a、60b、211、212、311、312主面；

60aa、60bb露出区域；

61a、61b、66b、67b连接盘；

62 微型计算机；

65 连接器；

70 壳体；

80、80a、80b散热构件；

90 绝缘构件；

93 凹部；

95、95a、95b热传导材料；

111 栅极端子；

111a 前端部分；

112 源极端子；

112a 前端部分；

113 漏极端子；

121 阴极端子；

122 阳极端子；

130 接合对象部；

131 接合对象部；

132 连接部分；

510 第一部分；

520 第二部分；

651 金属部分；

652 连接端子；

710 上壁部；

720 下壁部；

730 侧壁部；

800 固定部；

810 插入部；

820 安装部；

821主面(接触面)；

822 周端面；

900 环状突出部；

990a、990b箭头；

1000焊膏。

Claims (7)

1.一种电路装置，具备：

第一电子部件；

第一汇流条，搭载有所述第一电子部件；

所述第二电子部件；

第二汇流条，搭载有所述第二电子部件；

第一散热构件，与所述第一汇流条热连接；

第二散热构件，与所述第二汇流条热连接；及

电路基板，与所述第一电子部件和所述第二电子部件分别电连接，

所述第一汇流条和所述第二汇流条分别具有彼此相对的第一相对部分和第二相对部分，

所述第一相对部分具有搭载有所述第一电子部件的第一面、和与该第一面相反的一侧的第二面，

所述第二相对部分具有与所述第一相对部分的所述第二面相对的第三面、和位于与该第三面相反的一侧并搭载有所述第二电子部件的第四面，

所述电路基板具有配线基板，在从所述第一相对部分侧观察所述第二相对部分侧的情况下，所述配线基板位于比所述第一相对部分靠里侧且位于比所述第二相对部分靠近前侧。

2.根据权利要求1所述的电路装置，其中，

所述电路装置还具备壳体，该壳体收容所述第一电子部件、所述第二电子部件、所述第一相对部分、所述第二相对部分和所述电路基板，

所述第一散热构件和所述第二散热构件分别具有位于所述壳体的外表面上的部分。

3.根据权利要求1或2所述的电路装置，其中，

所述电路装置还具备第一热传导材料，该第一热传导材料位于所述第一相对部分的所述第一面上，

所述第一散热构件与所述第一热传导材料接触。

4.根据权利要求3所述的电路装置，其中，

所述电路装置还具备：

第三电子部件，搭载于所述第一相对部分的所述第一面；及

第二热传导材料，位于所述第一相对部分的所述第一面上，

所述第一热传导材料位于所述第一电子部件的周边，

所述第二热传导材料位于所述第三电子部件的周边，

所述第一散热构件与所述第一热传导材料和所述第二热传导材料分别接触。

5.根据权利要求3或4所述的电路装置，其中，

所述第一散热构件具有与所述第一热传导材料接触的接触面，

所述电路装置还具备第一绝缘构件，该第一绝缘构件具有包围所述接触面的周缘且比所述接触面向所述第一面侧突出的环状突出部，

所述第一热传导材料具有对由所述接触面和所述环状突出部构成的凹部内进行填充的填充部分。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电路装置，其中，

所述第一电子部件具有彼此相邻的第一连接端子和第二连接端子，

所述第一连接端子和所述第二连接端子分别通过导电性接合材料与第一接合对象部和第二接合对象部接合，

所述电路装置还具备绝缘部，该绝缘部位于所述第一连接端子与所述第二连接端子之间。

7.根据权利要求6所述的电路装置，其中，

所述第一接合对象部包含于与所述电路基板电连接的导电端子，

所述电路装置还具备弯曲导电片，该弯曲导电片与所述导电端子和所述电路基板分别接合，将所述导电端子与所述电路基板相互电连接。