JP2016018924A - 半導体遮断器の放熱構造 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title claims abstract description 71
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 238000005056 compaction Methods 0.000 abstract 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R25/00—Coupling parts adapted for simultaneous co-operation with two or more identical counterparts, e.g. for distributing energy to two or more circuits
- H01R25/16—Rails or bus-bars provided with a plurality of discrete connecting locations for counterparts
- H01R25/165—Connecting locations formed by surface mounted apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
【課題】放熱性と小型化との両立を図ることが可能な半導体遮断器の放熱構造を提供する。【解決手段】半導体遮断器10の放熱構造1は、オンオフにより所定の対象同士を遮断及び導通させる半導体遮断器10にて発生する熱を放出する構造であって、半導体遮断器10が搭載される金属製のバスバ20と、バスバ20に接触状態で設けられる金属製のヒートパイプ30と、を備え、ヒートパイプ30は、バスバ20と接触する側の端部30aと反対側の端部側が放熱部材に接続されている。【選択図】図2
Description
本発明は、半導体遮断器の放熱構造に関する。
従来、制御素子と、パワー素子と、これらを搭載する配線基板と、配線基板を搭載する鉄製の板からなるヒートシンクを備える半導体装置が提案されている(特許文献1参照)。この半導体装置は、ヒートシンクを鉄製とすることで熱容量を上げ、パワー素子で発生する熱を鉄製の板からなるヒートシンクに蓄熱させる。これにより、制御素子への伝熱を防ぐようにし、制御素子の破壊を防止することとしている。さらに、これら構成を樹脂にてモールドすると共に、樹脂のガラス転移点Tgをパワー素子の動作可能な最高温度Tjmaxよりも高いものにし、線膨張を抑えて剥離を防ぐようにしている。
また、パッケージングされた半導体素子をヒートシンク上に設置し、半導体素子からの熱をヒートシンク及びヒートシンクに接するハウジングから放出させることで、小型化、高出力化、及び高寿命化を可能とした電力制御装置が提案されている(特許文献2参照)。この電力制御装置では、ヒートシンクの表面にアルマイト処理を施して放射率を上げて放熱性を向上させている。また、板ばねで半導体素子をヒートシンクに押圧することで、半導体素子をヒートシンクに固定すると共に、半導体素子とヒートシンクとの間のグリスを薄く且つ均一にしている。
さらに、樹脂モールドされた半導体スイッチング素子を放熱板上に実装し、放熱板はその全面が外部に露出することで、放熱性を高めた電気接続箱が提案されている(特許文献3参照)。この電気接続箱は、半導体スイッチング素子の端子が接続される入力端子用バスバ及び出力端子用バスバの端部が放熱板側に折り曲げられて入力端子及び出力端子を構成しているため、大型化を抑えたコンパクトな構造となっている。
ここで、特許文献1〜3に記載の装置では、いずれも機械式リレーを用いておらず、半導体素子を用いていることから、機械式リレーを用いる場合と比較して、全体構成の小型化が図られている。一方で、半導体素子はその発熱量が多いことから、例えば特許文献1〜3に記載の放熱構造を採用する必要がある。
しかし、特許文献1〜3に記載の放熱構造では、いずれも板形状のヒートシンク(放熱板)を構成しているため、決してその放熱量が多いものではなく、素子の発熱量が更に大きくなった場合などには新たな放熱構造として、上記ヒートシンクにフィンを形成したり、上記ヒートシンクを大面積のものに変更したりする必要がある。
このように、従来では半導体素子を用いて小型化を図っているものの、放熱構造により大型化を招く結果となってしまい、放熱性と小型化との両立が困難となってしまう。
本発明はこのような従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、放熱性と小型化との両立を図ることが可能な半導体遮断器の放熱構造を提供することにある。
本発明の半導体遮断器の放熱構造は、オンオフすることにより所定の対象同士を遮断及び導通させる半導体遮断器にて発生する熱を放出する半導体遮断器の放熱構造であって、前記半導体遮断器が設けられる金属製のバスバと、前記バスバに接触状態で設けられる金属製のヒートパイプと、を備え、前記ヒートパイプは、前記バスバと接触する側の端部と反対側の端部側が放熱部材に接続されていることを特徴とする。
本発明の半導体遮断器の放熱構造によれば、半導体遮断器が設けられる金属製のバスバと、バスバに接触状態で設けられる金属製のヒートパイプと、を備え、ヒートパイプは、バスバと接触する側の端部と反対側の端部側が放熱部材に接続されている。このため、放熱部材を例えば電池パックカバーや車両ボディなどの他の部材とすることにより、放熱部材自体を備える必要が無い。しかも、ヒートパイプを大型の金属材(放熱部材)に接続することにより、半導体遮断器の発熱量が多くなったとしても、ヒートパイプを通じて放熱部材により放熱させることができ、放熱性と小型化との両立を図ることができる。
また、本発明の半導体遮断器の放熱構造において、前記半導体遮断器を挟んで前記バスバの反対面に設けられる金属製の第2バスバをさらに備えることが好ましい。
この半導体遮断器の放熱構造によれば、半導体遮断器を挟んでバスバの反対面に設けられる金属製の第2バスバをさらに備えるため、バスバからヒートパイプを通じた放熱の他、第2バスバからの放熱を行うことも可能となり、一層放熱性を高めることができる。
また、本発明の半導体遮断器の放熱構造において、前記半導体遮断器をオンオフ制御するための制御信号を前記半導体遮断器に送信する制御端子と、前記半導体遮断器の全体、並びに前記制御端子、前記バスバ、及び前記第2バスバのそれぞれの一部をモールドする樹脂部材と、をさらに備え、前記樹脂部材は、前記制御端子、及び前記第2バスバの残部を同一側で開放状態とし、且つ、前記バスバについては残部を前記同一側及び前記ヒートパイプとの接触部位で開放状態としていることが好ましい。
この半導体遮断器の放熱構造によれば、樹脂部材は、制御端子、及び第2バスバの残部を同一側で開放状態とし、且つ、バスバについては残部を同一側及びヒートパイプとの接触部位で開放状態としているため、制御端子、バスバ及び第2バスバは同一側で開放状態となっており、この同一側にこれらが集中したコネクタとして使用することができる。さらに、バスバは、ヒートパイプとの接触部位において開放された構造となっているため、ヒートパイプによる熱の移送に支障をきたすことを防止することができる。
本発明によれば、放熱性と小型化との両立を図ることが可能な半導体遮断器の放熱構造を提供することができる。
以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明するが、本発明は以下の実施形態に限られるものではない。
図1は、本発明の実施形態に係る半導体遮断器の放熱構造を示す斜視図である。図2は、図1に示した放熱構造のA−A断面図であり、図3は、図1に示した放熱構造のB−B断面図である。
図1〜図3に示すように本実施形態に係る半導体遮断器の放熱構造1は、複数の半導体遮断器10にて発生する熱を効率良く放出するための構造である。半導体遮断器10のそれぞれは、オンオフすることにより所定の対象同士を遮断及び導通させる半導体チップにより構成されており、主にパワーデバイスとなり、SiやSiCでチップ作製されたものである。
このような放熱構造1は、バスバ20と、ヒートパイプ30とを備えている。バスバ20は、複数の半導体遮断器10が搭載される金属製の板材であって、一方の板面にダイボンド材aを介して複数の半導体遮断器10が載置されている。このバスバ20は、例えば銅などの金属によって構成され、本実施形態では図1に示すように平面視してL字状となる平板により構成されている。
ヒートパイプ30は、バスバ20に接触状態で設けられる金属製の長尺部材であって、バスバ20の複数の半導体遮断器10が載置されている面とは反対側の面に接触して設けられている。また、図示を省略しているが、ヒートパイプ30は、バスバ20と接触する側の端部30aと反対側の端部側が放熱部材に接続されている。
ここで、放熱部材とは放熱性がある程度高い様々な部材であり、例えば本実施形態に係る放熱構造1が電池関係の技術に用いられている場合、放熱部材には電池パックのカバーなどが採用され、本実施形態に係る放熱構造1が車両関係の技術に用いられている場合、放熱部材には車両ボディなどが採用される。
さらに、図1〜図3に示すように、放熱構造1は、第2バスバ40と、複数のゲートバスバ(制御端子)50とを備えている。第2バスバ40は、半導体遮断器10を挟んでバスバ20の反対面に設けられる金属製の板材であって、ダイボンド材aを介して複数の半導体遮断器10上に載置されている。第2バスバ40は、バスバ20と同様に、例えば銅などの金属によって構成され、本実施形態では図1に示すように平面視してL字状となる平板により構成されている。
また、図1から明らかなように、バスバ20及び第2バスバ40は、互いに左右逆向きのL字となるように配置されており、それぞれのL字の底辺となる部位で半導体遮断器10を挟むように配置されている。
複数のゲートバスバ50は、複数の半導体遮断器10をオンオフ制御するための制御信号を複数の半導体遮断器10それぞれに送信するための制御端子となるものである。これら複数のゲートバスバ50それぞれは、第2バスバ40に形成された開口41を介して、ボンディングワイヤ51により各半導体遮断器10に接続されている。
ここで、上記各部構成は、コネクタ化されることが望ましい。図4は、コネクタ化された半導体遮断器10の放熱構造1を示す斜視図であり、図5は、図4に示す放熱構造1を反対側から見たときの平面図である。なお、図4については、説明の便宜上、内部構成が透視される状態で図示するものとする。また、図5については、図面の見やすさの観点から、ヒートパイプ30を省略して図示するものとする。
図4及び図5に示すように、複数の半導体遮断器10の全体、並びに複数のゲートバスバ50、バスバ20、及び第2バスバ40のそれぞれの一部は、樹脂部材60によってモールドされている。
詳細に説明すると、複数のゲートバスバ50は、半導体遮断器10が設けられる側である一端側が樹脂部材60によってモールドされており、残部となる他端側がモールドされず開放状態となっている。また、第2バスバ40についても、一端側(すなわちL字の底辺となる部位の側)が樹脂部材60によってモールドされており、残部となる他端側がモールドされず開放状態となっている。
さらに、バスバ20は、第2バスバ40と同様に、一端側(すなわちL字の底辺となる部位の側)が樹脂部材60によってモールドされているが、他端側がモールドされず開放状態となっている。加えて、図5に示すように、バスバ20は、ヒートパイプ30との接触部位(すなわち樹脂部材60の裏面側の一部)においても開放状態となっている。
以上のように、複数のゲートバスバ50、バスバ20、及び第2バスバ40は、他端側という同一側が開放状態となっているため、これらは端子として機能すると共に、同一側にこれらが集中したコネクタとして使用することができる。特に、図4及び図5に示すように、ゲートバスバ50、バスバ20、及び第2バスバ40の他端側には、これらの周囲を覆うフード部70が樹脂部材60と一体に形成されており、ゲートバスバ50、バスバ20、及び第2バスバ40の他端側を保護する役割を果たしている。
加えて、上記の如くコネクタ化しつつも放熱性が低下しないように、バスバ20はヒートパイプ30との接触部位において開放されており、ヒートパイプ30による熱の移送に支障をきたすことがない構造となっている。
図6は、図4及び図5に示したコネクタを二次電池の状態を監視する監視ユニットに接続した状態を示す斜視図である。図6に示すように、監視ユニット100には二次電池が異常状態であるか等を監視するための制御部が設けられており、この制御部からの信号を例えば複数のゲートバスバ50に入力するように、コネクタ接続されている。このようにすることで、放熱構造1自体を監視ユニット100に一体化することもできる。
次に、本実施形態に係る放熱構造1の作用を説明する。まず、半導体遮断器10が発熱する。このとき、半導体遮断器10からの熱は、ダイボンド材aを通じてバスバ20及び第2バスバ40に至る。特に、バスバ20に至った熱は、ヒートパイプ30に至り、ヒートパイプ30を通じて放熱部材まで伝達される。これにより、半導体遮断器10にて発生する熱は、好適に放出されることとなる。
このようにして、本実施形態に係る半導体遮断器10の放熱構造1によれば、半導体遮断器10が設けられる金属製のバスバ20と、バスバ20に接触状態で設けられる金属製のヒートパイプ30と、を備え、ヒートパイプ30は、バスバ20と接触する側の端部30aと反対側の端部側が放熱部材に接続されている。このため、放熱部材を例えば電池パックカバーや車両ボディなどの他の部材とすることにより、放熱部材自体を備える必要が無い。しかも、ヒートパイプ30を大型の金属材(放熱部材)に接続することにより、半導体遮断器10の発熱量が多くなったとしても、ヒートパイプ30を通じて放熱部材により放熱させることができ、放熱性と小型化との両立を図ることができる。
また、半導体遮断器10を挟んでバスバ20の反対面に設けられる金属製の第2バスバ40をさらに備えるため、バスバ20からヒートパイプ30を通じた放熱の他、第2バスバ40からの放熱を行うことも可能となり、一層放熱性を高めることができる。
また、樹脂部材60は、ゲートバスバ50、及び第2バスバ40の残部を同一側で開放状態とし、且つ、バスバ20については残部を同一側及びヒートパイプ30との接触部位で開放状態としているため、ゲートバスバ50、バスバ20及び第2バスバ40は同一側で開放状態となっており、この同一側にこれらが集中したコネクタとして使用することができる。さらに、バスバ20は、ヒートパイプ30との接触部位において開放された構造となっているため、ヒートパイプ30による熱の移送に支障をきたすことを防止することができる。
さらに、本実施形態に係る半導体遮断器10の放熱構造1は、特許文献1の放熱構造と比較した場合、以下の利点がある。まず、特許文献1の放熱構造は、ヒートシンク材を鉄にて構成してヒートシンク材の熱容量を大きくしているため、瞬時の放熱を行うという観点からすると問題があるが、本実施形態に係る放熱構造1ではこのような問題が発生しない。さらに、特許文献1の放熱構造は、アルミナ基板を使用しているため、セラミック特有の熱伝導率の低さから熱抵抗が大きくなるが、本実施形態に係る放熱構造1ではセラミックを使用する必要がないことから、熱抵抗を大幅に小さくすることができる。
また、本実施形態に係る半導体遮断器10の放熱構造1は、特許文献2の放熱構造と比較した場合、以下の利点がある。まず、特許文献2の放熱構造では、半導体素子からの熱をヒートシンク及びヒートシンクに接するハウジングから放出させており、ハウジングからの放熱は放熱面積が小さいため効率が悪いが、本実施形態に係る放熱構造1ではヒートパイプ30を通じて放熱するため放熱効率の点で特許文献2の放熱構造よりも優れている。また、モールドされている半導体素子をヒートシンクに実装し、さらにその外側をハウジングで覆うため、半導体素子からは2重のカバー構造となり熱抵抗が大きいが、本実施形態に係る放熱構造1ではヒートパイプ30を通じて放熱するため2重のカバー構造を採用する必要がない。加えて、特許文献2の放熱構造では板ばねで半導体素子をヒートシンクに固定するため部品が多くなるが、本実施形態のようにダイボンド材aを介して接続することにより部品点数の増加を抑えることができる。
以上、実施形態に基づき本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、変更を加えてもよい。
例えば、本実施形態に係る半導体遮断器10の放熱構造1は車載用に用いられることを想定しているが、これに限らず、定置式のものに用いられてもよい。さらに、低電圧源においても使用可能である。
さらに、本実施形態において半導体遮断器10は、ガリウムナイトライドやシリコンカーバイトを利用した次世代パワー半導体素子を想定しているが、特にこれに限るものではない。
加えて、本実施形態に係る放熱構造1は、コネクタ化されることが望ましいが、特にコネクタ化される場合に限定されるものではない。さらに、用途によっては第2バスバ40を備えなくともよい。
さらに、本実施形態に係る放熱構造1は、3つの半導体遮断器10に対する放熱を行っているが、3つに限らず、1つ、2つ、又は4つ以上の半導体遮断器10に対する放熱を行うものであってもよい。
1 :放熱構造
10 :半導体遮断器
20 :バスバ
30 :ヒートパイプ
30a :端部
40 :第2バスバ
41 :開口
50 :ゲートバスバ(制御端子)
51 :ボンディングワイヤ
60 :樹脂部材
70 :フード部
100 :監視ユニット
a :ダイボンド材
10 :半導体遮断器
20 :バスバ
30 :ヒートパイプ
30a :端部
40 :第2バスバ
41 :開口
50 :ゲートバスバ(制御端子)
51 :ボンディングワイヤ
60 :樹脂部材
70 :フード部
100 :監視ユニット
a :ダイボンド材
Claims (3)
- オンオフにより所定の対象同士を遮断及び導通させる半導体遮断器にて発生する熱を放出する半導体遮断器の放熱構造であって、
前記半導体遮断器が設けられる金属製のバスバと、
前記バスバに接触状態で設けられる金属製のヒートパイプと、を備え、
前記ヒートパイプは、前記バスバと接触する側の端部と反対側の端部側が放熱部材に接続されている
ことを特徴とする半導体遮断器の放熱構造。 - 前記半導体遮断器を挟んで前記バスバの反対面に設けられる金属製の第2バスバをさらに備える
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体遮断器の放熱構造。 - 前記半導体遮断器をオンオフ制御するための制御信号を前記半導体遮断器に送信する制御端子と、
前記半導体遮断器の全体、並びに前記制御端子、前記バスバ、及び前記第2バスバのそれぞれの一部をモールドする樹脂部材と、をさらに備え、
前記樹脂部材は、前記制御端子、及び前記第2バスバの残部を同一側で開放状態とし、且つ、前記バスバについては残部を前記同一側及び前記ヒートパイプとの接触部位で開放状態としている
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体遮断器の放熱構造。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014141498A JP2016018924A (ja) | 2014-07-09 | 2014-07-09 | 半導体遮断器の放熱構造 |
PCT/JP2015/064022 WO2016006317A1 (ja) | 2014-07-09 | 2015-05-15 | 半導体遮断器の放熱構造 |
DE112015003155.3T DE112015003155T5 (de) | 2014-07-09 | 2015-05-15 | Wärmeableitungsstruktur für einen Halbleiter-Leistungsschalter |
US15/374,643 US20170092562A1 (en) | 2014-07-09 | 2016-12-09 | Heat dissipation structure for semiconductor circuit breaker |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014141498A JP2016018924A (ja) | 2014-07-09 | 2014-07-09 | 半導体遮断器の放熱構造 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016018924A true JP2016018924A (ja) | 2016-02-01 |
Family
ID=55063961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014141498A Abandoned JP2016018924A (ja) | 2014-07-09 | 2014-07-09 | 半導体遮断器の放熱構造 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170092562A1 (ja) |
JP (1) | JP2016018924A (ja) |
DE (1) | DE112015003155T5 (ja) |
WO (1) | WO2016006317A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022202638A1 (ja) * | 2021-03-22 | 2022-09-29 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路装置 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018105462A1 (de) * | 2018-03-09 | 2019-09-12 | Infineon Technologies Ag | Halbleitervorrichtung, die ein bondpad und einen bonddraht oder -clip enthält |
DE102019110716B3 (de) * | 2019-04-25 | 2020-01-16 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Leistungshalbleitermodul mit Leistungshalbleiterschaltern |
CN111223411B (zh) | 2019-12-11 | 2022-04-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种用于微型led显示面板的基板及其制造方法 |
CN117387796B (zh) * | 2023-11-06 | 2024-03-26 | 山东平安电气集团有限公司 | 一种密集母线温度采集装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2932140B2 (ja) * | 1992-10-02 | 1999-08-09 | 株式会社日立製作所 | 電気車用インバータ装置 |
US6972957B2 (en) * | 2002-01-16 | 2005-12-06 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Modular power converter having fluid cooled support |
JP2007048741A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-22 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | 導電体及び導電体の放熱構造 |
US20080266802A1 (en) * | 2007-04-30 | 2008-10-30 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Phase change cooled electrical connections for power electronic devices |
JP5404261B2 (ja) * | 2009-04-16 | 2014-01-29 | モレックス インコーポレイテド | 冷却装置、電子基板、電子機器 |
IT1395697B1 (it) * | 2009-05-28 | 2012-10-19 | Abb Spa | Trasformatore di corrente, dispositivo di protezione comprendente tale trasformatore, e relativo interruttore |
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JP5598386B2 (ja) * | 2011-03-10 | 2014-10-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
US9153946B2 (en) * | 2012-09-25 | 2015-10-06 | Hamilton Sundstrand Corporation | Electrical contactor arrangement with thermal management |
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-
2014
- 2014-07-09 JP JP2014141498A patent/JP2016018924A/ja not_active Abandoned
-
2015
- 2015-05-15 WO PCT/JP2015/064022 patent/WO2016006317A1/ja active Application Filing
- 2015-05-15 DE DE112015003155.3T patent/DE112015003155T5/de not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-12-09 US US15/374,643 patent/US20170092562A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2022202638A1 (ja) * | 2021-03-22 | 2022-09-29 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE112015003155T5 (de) | 2017-03-30 |
US20170092562A1 (en) | 2017-03-30 |
WO2016006317A1 (ja) | 2016-01-14 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
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