JP2022146388A - circuit device - Google Patents

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Abstract

To provide a technology which enables improvement of reliability of a circuit board included in a circuit device while achieving downsizing of the circuit device.SOLUTION: A first heat radiation member is thermally connected to a first bus bar. A second heat radiation member is thermally connected to a second bus bar. The first bus bar and the second bus bar respectively have a first facing portion and a second facing portion facing each other. The first facing portion has: a first surface mounted with a first electronic component; and a second surface at the opposite side of the first surface. The second facing portion has: a third surface facing the second surface; and a fourth surface located at the opposite side of the third surface and mounted with a second electronic component. A circuit board has a wiring board which is located at the back side relative to the first facing portion and at the front side relative to the second facing portion when the second facing portion side is viewed from the first facing portion side.SELECTED DRAWING: Figure 11

Description

本開示は、回路装置に関する。 The present disclosure relates to circuit devices.

特許文献1には、電子部品が搭載された放熱基板が開示されている。また、特許文献2には、ヒートシンクと、当該ヒートシンクに搭載された半導体スイッチング素子と、当該半導体スイッチング素子に電気的に接続された回路基板とを備える回路装置が開示されている。 Patent Literature 1 discloses a heat dissipation board on which electronic components are mounted. Further, Patent Document 2 discloses a circuit device including a heat sink, a semiconductor switching element mounted on the heat sink, and a circuit board electrically connected to the semiconductor switching element.

特開平9-321395号公報JP-A-9-321395 特開2008-166383号公報JP 2008-166383 A

回路装置については、その小型化が望まれる。また、特許文献2の装置では、半導体スイッチング素子の上方に回路基板が配置されていることから、回路基板は、半導体スイッチング素子が発する熱の影響を受けやすく、回路基板の信頼性が低下する可能性がある。 A circuit device is desired to be miniaturized. Further, in the device disclosed in Patent Document 2, since the circuit board is arranged above the semiconductor switching elements, the circuit board is easily affected by the heat generated by the semiconductor switching elements, which may reduce the reliability of the circuit board. have a nature.

そこで、回路装置の小型化を図りつつ、当該回路装置が備える回路基板の信頼性を向上させることが可能な技術を提供することを目的とする。 Therefore, it is an object of the present invention to provide a technique capable of improving the reliability of a circuit board included in the circuit device while reducing the size of the circuit device.

本開示の回路装置は、第1電子部品と、前記第1電子部品が搭載された第1バスバーと、前記第2電子部品と、前記第2電子部品が搭載された第2バスバーと、前記第1バスバーに熱的に接続された第1放熱部材と、前記第2バスバーに熱的に接続された第2放熱部材と、前記第1電子部品及び前記第2電子部品のそれぞれと電気的に接続された回路基板とを備え、前記第1バスバー及び前記第2バスバーは、互いに対向する第1対向部分及び第2対向部分をそれぞれ有し、前記第1対向部分は、前記第1電子部品が搭載された第1の面と、当該第1の面とは反対側の第2の面とを有し、前記第2対向部分は、前記第1対向部分の前記第2の面と対向する第3の面と、当該第3の面とは反対側に位置し、前記第2電子部品が搭載された第4の面とを有し、前記回路基板は、前記第1対向部分側から前記第2対向部分側を見た場合、前記第1対向部分よりも奥側に位置し、かつ前記第2対向部分よりも手前側に位置する配線基板を有する。 A circuit device according to the present disclosure includes: a first electronic component; a first bus bar on which the first electronic component is mounted; a second electronic component; a second bus bar on which the second electronic component is mounted; A first heat dissipation member thermally connected to one bus bar, a second heat dissipation member thermally connected to the second bus bar, and electrically connected to each of the first electronic component and the second electronic component. the first bus bar and the second bus bar each having a first facing portion and a second facing portion facing each other, the first facing portion having the first electronic component mounted thereon; and a second surface opposite to the first surface, and the second facing portion is a third surface facing the second surface of the first facing portion. and a fourth surface opposite to the third surface and on which the second electronic component is mounted, the circuit board extending from the first facing portion side to the second When viewed from the opposing portion side, it has a wiring substrate located further to the rear than the first opposing portion and closer to the front than the second opposing portion.

本開示によれば、回路装置の小型化を図りつつ、当該回路装置が備える回路基板の信頼性を向上させることができる。 According to the present disclosure, it is possible to improve the reliability of the circuit board included in the circuit device while reducing the size of the circuit device.

図1は回路装置の一例を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a circuit device. 図2は回路装置の一例を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing an example of a circuit device. 図3は回路装置の一例を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing an example of a circuit device. 図4は回路構成体の一例を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing an example of a circuit configuration. 図5は回路構成体の一例を示す概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of a circuit configuration. 図6は回路構成体の一例を示す概略図である。FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of a circuit configuration. 図7は回路構成体の一例を示す概略図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing an example of a circuit structure. 図8は回路構成体の一例を示す概略図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing an example of a circuit configuration. 図9は回路構成体の一例を示す概略図である。FIG. 9 is a schematic diagram showing an example of a circuit structure. 図10は回路構成体の一例を示す概略図である。FIG. 10 is a schematic diagram showing an example of a circuit configuration. 図11は回路構成体の一例を示す概略図である。FIG. 11 is a schematic diagram showing an example of a circuit structure. 図12は回路構成体の一例を示す概略図である。FIG. 12 is a schematic diagram showing an example of a circuit structure. 図13はバスバー及び導電端子の一例を示す概略図である。FIG. 13 is a schematic diagram showing an example of busbars and conductive terminals. 図14は回路構成体の一例を部分的に拡大して示す概略図である。FIG. 14 is a schematic diagram showing a partially enlarged example of a circuit structure. 図15は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。15A and 15B are schematic diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a circuit structure. 図16は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。FIG. 16 is a schematic diagram for explaining an example of the manufacturing method of the circuit structure. 図17は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。17A and 17B are schematic diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a circuit structure. 図18は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。18A and 18B are schematic diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a circuit structure. 図19は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。19A and 19B are schematic diagrams for explaining an example of a method for manufacturing a circuit structure. 図20は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。FIG. 20 is a schematic diagram for explaining an example of the manufacturing method of the circuit structure. 図21は回路構成体の製造方法の一例を説明するための概略図である。FIG. 21 is a schematic diagram for explaining an example of the manufacturing method of the circuit structure. 図22は絶縁部が導電端子に固定される様子の一例を示す概略図である。FIG. 22 is a schematic diagram showing an example of how the insulating portion is fixed to the conductive terminal. 図23は回路装置の一例を示す概略図である。FIG. 23 is a schematic diagram showing an example of a circuit device. 図24は回路装置の一例を部分的に拡大して示す概略図である。FIG. 24 is a schematic diagram showing a partially enlarged example of a circuit device. 図25は回路装置の一例を示す概略図である。FIG. 25 is a schematic diagram showing an example of a circuit device. 図26はケースと回路構成体の一例を示す概略図である。FIG. 26 is a schematic diagram showing an example of a case and a circuit structure. 図27は放熱部材及び絶縁部材の一例を示す概略図である。FIG. 27 is a schematic diagram showing an example of a heat radiating member and an insulating member. 図28は放熱部材及び絶縁部材の一例を示す概略図である。FIG. 28 is a schematic diagram showing an example of a heat radiating member and an insulating member. 図29は伝熱経路の一例を説明するための概略図である。FIG. 29 is a schematic diagram for explaining an example of heat transfer paths.

[本開示の実施形態の説明]
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。
[Description of Embodiments of the Present Disclosure]
First, the embodiments of the present disclosure are listed and described.

本開示の回路装置は、次の通りである。 The circuit device of the present disclosure is as follows.

(1)第1電子部品と、前記第1電子部品が搭載された第1バスバーと、前記第2電子部品と、前記第2電子部品が搭載された第2バスバーと、前記第1バスバーに熱的に接続された第1放熱部材と、前記第2バスバーに熱的に接続された第2放熱部材と、前記第1電子部品及び前記第2電子部品のそれぞれと電気的に接続された回路基板とを備え、前記第1バスバー及び前記第2バスバーは、互いに対向する第1対向部分及び第2対向部分をそれぞれ有し、前記第1対向部分は、前記第1電子部品が搭載された第1の面と、当該第1の面とは反対側の第2の面とを有し、前記第2対向部分は、前記第1対向部分の前記第2の面と対向する第3の面と、当該第3の面とは反対側に位置し、前記第2電子部品が搭載された第4の面とを有し、前記回路基板は、前記第1対向部分側から前記第2対向部分側を見た場合、前記第1対向部分よりも奥側に位置し、かつ前記第2対向部分よりも手前側に位置する配線基板を有する。本開示によると、第1電子部品及び第2電子部品は、互いに対向する第1対向部分及び第2対向部分にそれぞれ搭載されていることから、第1対向部分側からあるいは第2対向部分側から見た場合の回路装置の平面サイズを小さくすることができる。つまり、回路装置の小型化を図ることができる。また、本開示によると、第1電子部品が発生する熱は、第1バスバーの第1対向部分を通じて第1放熱部材に伝わり、第1放熱部材から外部に放出される。また、第2電子部品が発生する熱は、第2バスバーの第2対向部分を通じて第2放熱部材に伝わり、第2放熱部材から外部に放出される。ここで、第1対向部分側から第2対向部分側を見た場合、配線基板は、第1対向部分よりも奥側に位置し、かつ第2対向部分よりも手前側に位置する。そして、第1電子部品は、第1対向部分において、第2対向部分側の第2の面とは反対側の第1の面に搭載され、第2電子部品は、第2対向部分において、第1対向部分側の第3の面とは反対側の第4の面に搭載されている。したがって、配線基板は、第1対向部分に対して第1電子部品とは反対側に位置するとともに、第2対向部分に対して第2電子部品とは反対側に位置する。よって、配線基板は、第1電子部品が発する熱の影響も、第2電子部品が発する熱の影響も受けにくくなる。よって、回路基板の信頼性が向上する。 (1) A first electronic component, a first bus bar on which the first electronic component is mounted, a second electronic component, a second bus bar on which the second electronic component is mounted, and heat is applied to the first bus bar. a first heat dissipating member thermally connected, a second heat dissipating member thermally connected to the second bus bar, and a circuit board electrically connected to each of the first electronic component and the second electronic component. wherein the first bus bar and the second bus bar each have a first facing portion and a second facing portion facing each other, and the first facing portion is a first bus bar on which the first electronic component is mounted and a second surface opposite to the first surface, wherein the second facing portion has a third surface facing the second surface of the first facing portion; a fourth surface located opposite to the third surface and on which the second electronic component is mounted, the circuit board extending from the first facing portion side to the second facing portion side; When viewed, it has a wiring board located on the back side of the first facing portion and located on the front side of the second facing portion. According to the present disclosure, since the first electronic component and the second electronic component are respectively mounted on the first facing portion and the second facing portion facing each other, The planar size of the circuit device when viewed can be reduced. That is, it is possible to reduce the size of the circuit device. Further, according to the present disclosure, heat generated by the first electronic component is transferred to the first heat radiation member through the first facing portion of the first bus bar, and is released to the outside from the first heat radiation member. Further, the heat generated by the second electronic component is transferred to the second heat radiating member through the second facing portion of the second bus bar, and is radiated to the outside from the second heat radiating member. Here, when the second opposing portion side is viewed from the first opposing portion side, the wiring board is positioned on the back side of the first opposing portion and on the front side of the second opposing portion. The first electronic component is mounted on the first surface of the first facing portion opposite to the second surface on the side of the second facing portion, and the second electronic component is mounted on the second surface of the second facing portion. It is mounted on the fourth surface opposite to the third surface on the one facing portion side. Therefore, the wiring board is positioned on the opposite side of the first electronic component with respect to the first facing portion and on the opposite side of the second electronic component with respect to the second facing portion. Therefore, the wiring board is less susceptible to the heat generated by the first electronic component and the heat generated by the second electronic component. Therefore, the reliability of the circuit board is improved.

(2)前記第1電子部品、前記第2電子部品、前記第1対向部分、前記第2対向部分及び前記回路基板を収容するケースをさらに備え、前記第1放熱部材及び前記第2放熱部材のそれぞれは、前記ケースの外表面上に位置する部分を有してもよい。この場合、第1放熱部材及び第2放熱部材のそれぞれは、ケースの外表面上に位置する部分を有することから、当該部分の大きさを調整することによって、ケース内の部品配置等に影響を与えることなく、第1放熱部材及び第2放熱部材の放熱特性を調整することができる。 (2) further comprising a case that houses the first electronic component, the second electronic component, the first facing portion, the second facing portion, and the circuit board; Each may have a portion located on the outer surface of the case. In this case, since each of the first heat radiating member and the second heat radiating member has a portion positioned on the outer surface of the case, adjusting the size of the portion does not affect the arrangement of components in the case. It is possible to adjust the heat dissipation characteristics of the first heat dissipation member and the second heat dissipation member.

(3)前記第1対向部分の前記第1の面上に位置する第1熱伝導材をさらに備え、前記第1放熱部材は前記第1熱伝導材に接触してもよい。この場合、第1放熱部材は、第1対向部分における、回路基板側の第2の面とは反対側の第1の面上に位置する第1熱伝熱材に接触していることから、第1放熱部材と回路基板との干渉を避けつつ、第1電子部品から第1放熱部材までの伝熱経路を短くすることができる。よって、回路装置の放熱特性が向上する。 (3) It may further include a first thermally conductive material located on the first surface of the first facing portion, and the first heat radiating member may contact the first thermally conductive material. In this case, since the first heat radiating member is in contact with the first heat transfer material located on the first surface opposite to the second surface on the circuit board side in the first opposing portion, A heat transfer path from the first electronic component to the first heat radiation member can be shortened while avoiding interference between the first heat radiation member and the circuit board. Therefore, the heat dissipation characteristics of the circuit device are improved.

(4)前記第1対向部分の前記第1の面に搭載された第3電子部品と、前記第1対向部分の前記第1の面上に位置する第2熱伝導材とをさらに備え、前記第1熱伝導材は前記第1電子部品の周辺に位置し、前記第2熱伝導材は前記第3電子部品の周辺に位置し、前記第1放熱部材は、前記第1熱伝導材及び前記第2熱伝導材のそれぞれに接触してもよい。この場合、第1放熱部材は、第1電子部品の周辺の第1熱伝導材と、第2電子部品の周辺の第2熱伝導材のそれぞれに接触していることから、第1電子部品から第1放熱部材までの伝熱経路と、第2電子部品から第1放熱部材までの伝熱経路のそれぞれを短くすることができる。よって、回路装置の放熱性が向上する。 (4) further comprising: a third electronic component mounted on the first surface of the first facing portion; and a second thermally conductive material positioned on the first surface of the first facing portion; The first thermally conductive material is positioned around the first electronic component, the second thermally conductive material is positioned around the third electronic component, and the first heat dissipation member comprises the first thermally conductive material and the Each of the second thermally conductive materials may be contacted. In this case, since the first heat dissipation member is in contact with each of the first thermally conductive material around the first electronic component and the second thermally conductive material around the second electronic component, A heat transfer path to the first heat dissipation member and a heat transfer path from the second electronic component to the first heat dissipation member can be shortened. Therefore, the heat dissipation of the circuit device is improved.

(5)前記第1放熱部材は、前記第1熱伝導材と接触する接触面を有し、前記接触面の周縁を取り囲みつつ、前記接触面よりも前記第1の面側に突出する環状突出部を有する第1絶縁部材をさらに備え、前記第1熱伝導材は、前記接触面と前記環状突出部とで構成される凹部内を充填する充填部分を有してもよい。この場合、第1熱伝導材は、第1放熱部材の接触面と第1絶縁部材の環状突出部とで構成される凹部内を充填する充填部分を有することから、第1放熱部材を第1熱伝導材に適切に接触させることができる。これにより、回路装置の放熱性が向上する。 (5) The first heat dissipating member has a contact surface that contacts the first thermally conductive material, and an annular protrusion that surrounds the periphery of the contact surface and protrudes from the contact surface toward the first surface. The first insulating member may further include a first insulating member having a portion, and the first thermally conductive material may have a filling portion that fills a recess formed by the contact surface and the annular protrusion. In this case, the first thermally conductive material has a filling portion that fills the recess formed by the contact surface of the first heat dissipating member and the annular projecting portion of the first insulating member. It can be brought into proper contact with the thermally conductive material. This improves the heat dissipation of the circuit device.

(6)前記第1電子部品は、互いに隣り合う第1接続端子及び第2接続端子を有し、前記第1接続端子及び前記第2接続端子は、第1接合対象部及び第2接合対象部にそれぞれ導電性接合材で接合され、前記第1接続端子と前記第2接続端子の間に位置する絶縁部をさらに備えてもよい。この場合、第1接続端子と第2接続端子の間に絶縁部が位置することから、導電性接合材によって、第1接続端子と第2接続端子とが短絡しにくくなる。さらに、第1接続端子と第2接続端子の間に位置する絶縁部によって、第1接続端子及び第2接続端子の位置が規制されることから、第1接続端子及び第2接続端子を第1接合対象部及び第2接合対象部に接合する際に第1接続端子及び第2接続端子の位置がずれにくくなる。 (6) The first electronic component has a first connection terminal and a second connection terminal that are adjacent to each other, and the first connection terminal and the second connection terminal are a first part to be joined and a second part to be joined. may be further provided with an insulating portion that is joined with a conductive bonding material to each of the first and second connection terminals and positioned between the first connection terminal and the second connection terminal. In this case, since the insulating portion is positioned between the first connection terminal and the second connection terminal, the conductive bonding material makes it difficult for the first connection terminal and the second connection terminal to short-circuit. Furthermore, since the positions of the first connection terminal and the second connection terminal are regulated by the insulating portion positioned between the first connection terminal and the second connection terminal, the first connection terminal and the second connection terminal are placed in the first connection terminal. The positions of the first connection terminal and the second connection terminal are less likely to be displaced when they are joined to the part to be joined and the second part to be joined.

(7)前記第1接合対象部は、前記回路基板に電気的に接続される導電端子に含まれ、前記導電端子及び前記回路基板のそれぞれに接合され、前記導電端子及び前記回路基板を互いに電気的に接続する曲げ導電片をさらに備えてもよい。この場合、曲げ導電片が、導電端子及び回路基板のそれぞれに接合されて、導電端子及び回路基板を互いに電気的に接続することから、導電端子及び回路基板の熱変形により導電端子の接合部分及び回路基板の接合部分にかかる熱応力を導電片の曲げで緩和することができる。 (7) The first part to be joined is included in a conductive terminal electrically connected to the circuit board, is joined to each of the conductive terminal and the circuit board, and electrically connects the conductive terminal and the circuit board to each other. A curved conductive piece may be further provided for connecting the wires. In this case, the bent conductive piece is joined to each of the conductive terminal and the circuit board to electrically connect the conductive terminal and the circuit board to each other. The bending of the conductive piece can relax the thermal stress applied to the joint portion of the circuit board.

[本開示の実施形態の詳細]
本開示の回路装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されず、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内におけるすべての変更が含まれることが意図される。
[Details of the embodiment of the present disclosure]
A specific example of the circuit device of the present disclosure will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the present invention is not limited to these exemplifications, but is indicated by the scope of the claims, and is intended to include all modifications within the meaning and scope of equivalents to the scope of the claims.

<回路装置の概要説明>
図1は回路装置1の一例を示す概略平面図である。図2は、図1に示される回路装置1を、図1の紙面裏側から斜め方向に見た様子の一例を示す概略斜視図である。図3は、図1に示される回路装置1を、図1の紙面右側か見た様子の一例を示す概略側面図である。回路装置1は、例えば、自動車において、バッテリと各種電装部品との間の電力供給路に設けられる。このような用途に使用される回路装置1は電気接続箱とも呼ばれる。なお、回路装置1の用途はこれに限られない。
<Overview of circuit device>
FIG. 1 is a schematic plan view showing an example of a circuit device 1. FIG. FIG. 2 is a schematic perspective view showing an example of a state in which the circuit device 1 shown in FIG. 1 is obliquely viewed from the back side of the page of FIG. FIG. 3 is a schematic side view showing an example of the circuit device 1 shown in FIG. 1 as viewed from the right side of the paper surface of FIG. The circuit device 1 is provided, for example, in a power supply path between a battery and various electrical components in an automobile. The circuit device 1 used for such applications is also called an electrical connection box. Note that the application of the circuit device 1 is not limited to this.

図1~3に示されるように、回路装置1は、例えば、複数の電子部品及び回路基板等を備える回路構成体10と、回路構成体10を部分的に収容するケース70と、回路構成体10が発する熱を回路装置1の外部に放出する複数の放熱部材80とを備える。本例では、回路装置1は、例えば2つの放熱部材80a及び80bを備える。放熱部材80a及び80bは例えばケース70に固定されている。 As shown in FIGS. 1 to 3, the circuit device 1 includes, for example, a circuit construction body 10 including a plurality of electronic components, a circuit board, etc., a case 70 that partially accommodates the circuit construction body 10, a circuit construction body and a plurality of heat radiating members 80 for radiating heat generated by the circuit device 1 to the outside of the circuit device 1 . In this example, the circuit device 1 includes, for example, two heat dissipation members 80a and 80b. The heat radiation members 80a and 80b are fixed to the case 70, for example.

以下では、図1~3等に示されるXYZ直交座標系を用いて回路装置1について詳細に説明する。以下の説明では、+Z側を上側とし、-Z側を下側とする。 In the following, the circuit device 1 will be described in detail using the XYZ orthogonal coordinate system shown in FIGS. In the following description, the +Z side is the upper side and the −Z side is the lower side.

<回路構成体の概略説明>
図4~12は回路構成体10の一例を示す概略図である。図4は回路構成体10を上側から見た様子の一例を示す概略斜視図である。図5は回路構成体10を下側から見た様子の一例を示す概略斜視図である。図6は回路構成体10の一例を示す概略上面図である。図7は回路構成体10の一例を示す概略下面図である。図8は図6に示される回路構成体10を図6の下側(言い換えれば-Y側)から見た様子の一例を示す概略図である。図9は図6に示される回路構成体10を図6の右側(言い換えれば-X側)から見た様子の一例を示す概略図である。図10は図6の矢視A-Aの断面構造の一例を示す概略図である。図11は図6の矢視B-Bの断面構造の一例を示す概略図である。図12は図6の矢視C-Cの断面構造の一例を示す概略図である。
<Outline description of the circuit structure>
4 to 12 are schematic diagrams showing an example of the circuit structure 10. FIG. FIG. 4 is a schematic perspective view showing an example of a state in which the circuit construction body 10 is viewed from above. FIG. 5 is a schematic perspective view showing an example of a state in which the circuit structure 10 is viewed from below. FIG. 6 is a schematic top view showing an example of the circuit structure 10. As shown in FIG. FIG. 7 is a schematic bottom view showing an example of the circuit structure 10. As shown in FIG. FIG. 8 is a schematic diagram showing an example of the appearance of the circuit structure 10 shown in FIG. 6 as viewed from the lower side of FIG. 6 (in other words, the -Y side). FIG. 9 is a schematic diagram showing an example of the appearance of the circuit structure 10 shown in FIG. 6 as viewed from the right side of FIG. 6 (in other words, from the -X side). FIG. 10 is a schematic diagram showing an example of a cross-sectional structure taken along line AA in FIG. FIG. 11 is a schematic diagram showing an example of a cross-sectional structure taken along line BB in FIG. FIG. 12 is a schematic diagram showing an example of a cross-sectional structure taken along line CC in FIG.

図4~12に示されるように、回路構成体10は、例えば、入力側バスバー2と、出力側バスバー3と、中継バスバー4と、入力側バスバー2、出力側バスバー3及び中継バスバー4を互いに絶縁するための絶縁部材5とを備える。また、回路構成体10は、例えば、回路基板6と、複数の電子部品11と、複数の電子部品12と、複数の導電端子13と、複数の導電片14とを備える。 As shown in FIGS. 4 to 12, the circuit structure 10 includes, for example, the input side busbar 2, the output side busbar 3, the relay busbar 4, the input side busbar 2, the output side busbar 3 and the relay busbar 4. and an insulating member 5 for insulation. Further, the circuit structure 10 includes, for example, a circuit board 6, a plurality of electronic components 11, a plurality of electronic components 12, a plurality of conductive terminals 13, and a plurality of conductive pieces 14.

入力側バスバー2(単にバスバー2という)、出力側バスバー3(単にバスバー3という)及び中継バスバー4(単にバスバー4という)のそれぞれは、例えば板状の金属部材である。バスバー2,3,4の厚みは例えば2mmである。バスバー2は、例えば、本体部20と入力端子部23とを備える。入力端子部23は、その厚み方向に貫通する貫通孔23aを有する。バスバー3は、例えば、本体部30と出力端子部33とを備える。出力端子部33は、その厚み方向に貫通する貫通孔33aを有する。バスバー4は、バスバー2の本体部20とバスバー3の本体部30の近傍に位置する。 Each of the input side bus bar 2 (simply referred to as bus bar 2), the output side bus bar 3 (simply referred to as bus bar 3), and the relay bus bar 4 (simply referred to as bus bar 4) is, for example, a plate-like metal member. The thickness of the busbars 2, 3, 4 is, for example, 2 mm. The busbar 2 includes, for example, a body portion 20 and an input terminal portion 23 . The input terminal portion 23 has a through hole 23a penetrating in its thickness direction. The busbar 3 includes, for example, a body portion 30 and an output terminal portion 33 . The output terminal portion 33 has a through hole 33a penetrating in its thickness direction. The busbar 4 is positioned near the body portion 20 of the busbar 2 and the body portion 30 of the busbar 3 .

各電子部品11は例えばスイッチング素子である。電子部品11は例えばMOESFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)である。MOSFETは、半導体スイッチング素子の一種である。電子部品11は、例えば、ドレイン端子113と、複数のソース端子112と、ゲート端子111とを備える。ドレイン端子113、ソース端子112及びゲート端子111のそれぞれは接続端子ともいえる。 複数の電子部品11は、例えば、上側(言い換えれば+Z側)に配置された複数の電子部品11aと、下側(言い換えれば-Z側)に配置された複数の電子部品11bとを含む。本例では、回路構成体10は、例えば、4個の電子部品11aと4個の電子部品11bとを備える。 Each electronic component 11 is, for example, a switching element. The electronic component 11 is, for example, a MOESFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor). A MOSFET is a type of semiconductor switching element. The electronic component 11 includes, for example, a drain terminal 113 , a plurality of source terminals 112 and a gate terminal 111 . Each of the drain terminal 113, the source terminal 112, and the gate terminal 111 can also be said to be a connection terminal. The plurality of electronic components 11 includes, for example, a plurality of electronic components 11a arranged on the upper side (in other words, the +Z side) and a plurality of electronic components 11b arranged in the lower side (in other words, the -Z side). In this example, the circuit structure 10 includes, for example, four electronic components 11a and four electronic components 11b.

以後、電子部品11,11a,11bをそれぞれMOSFET11,11a,11bと呼ぶことがある。電子部品11はMOSFET以外のスイッチング素子であってもよい。また、電子部品11は、スイッチング素子以外の電子部品であってもよい。また、回路構成体10が備える電子部品11の数は上記の例に限られない。 Hereinafter, the electronic components 11, 11a and 11b may be called MOSFETs 11, 11a and 11b, respectively. The electronic component 11 may be a switching element other than a MOSFET. Also, the electronic component 11 may be an electronic component other than the switching element. Also, the number of electronic components 11 included in the circuit structure 10 is not limited to the above example.

各電子部品12は例えばダイオードである。電子部品12は例えばツェナーダイオードである。電子部品12は、例えば、カソード端子121と、2つのアノード端子122とを備える。カソード端子121及びアノード端子122のそれぞれは接続端子ともいえる。複数の電子部品12は、例えば、上側に配置された1個の電子部品12aと、下側に配置された1個の電子部品12bとを含む。 Each electronic component 12 is, for example, a diode. The electronic component 12 is, for example, a Zener diode. The electronic component 12 has, for example, a cathode terminal 121 and two anode terminals 122 . Each of the cathode terminal 121 and the anode terminal 122 can also be said to be a connection terminal. The plurality of electronic components 12 includes, for example, one electronic component 12a arranged on the upper side and one electronic component 12b arranged on the lower side.

以後、電子部品12,12,12bをそれぞれツェナーダイオード12,12a,12bと呼ぶことがある。電子部品12はツェナーダイオード以外のダイオードであってもよい。また、電子部品12はダイオード以外の電子部品であってもよい。また、回路構成体10が備える電子部品12の数は上記の例に限られない。 Hereinafter, the electronic components 12, 12, 12b may be called Zener diodes 12, 12a, 12b, respectively. Electronic component 12 may be a diode other than a Zener diode. Also, the electronic component 12 may be an electronic component other than a diode. Also, the number of electronic components 12 included in the circuit structure 10 is not limited to the above example.

上側の複数のMOSFET11aのドレイン端子113は、例えば入力側バスバー2の本体部20に電気的に接続されている。これにより、複数のMOSFET11aのドレイン端子113は互いに電気的に接続されている。複数のMOSFET11aの各ソース端子112は、例えば中継バスバー4に電気的に接続されている。これにより、複数のMOSFET11aのソース端子112は互いに電気的に接続されている。 Drain terminals 113 of the plurality of upper MOSFETs 11a are electrically connected to the body portion 20 of the input side bus bar 2, for example. Thereby, the drain terminals 113 of the plurality of MOSFETs 11a are electrically connected to each other. Each source terminal 112 of the plurality of MOSFETs 11a is electrically connected to the relay bus bar 4, for example. Thereby, the source terminals 112 of the plurality of MOSFETs 11a are electrically connected to each other.

上側のツェナーダイオード12aは、MOSFET11aのドレイン端子113とソース端子112との間に過電圧が印加されることを防止するための電子部品である。ツェナーダイオード12aのカソード端子121は、例えば入力側バスバー2の本体部20に電気的に接続されている。これにより、ツェナーダイオード12aのカソード端子121は、複数のMOSFET11aのドレイン端子113に電気的に接続されている。ツェナーダイオード12aの各アノード端子122は、例えば中継バスバー4に電気的に接続されている。これにより、ツェナーダイオード12aのアノード端子122は、複数のMOSFET11aのソース端子112に電気的に接続されている。 The upper Zener diode 12a is an electronic component for preventing overvoltage from being applied between the drain terminal 113 and the source terminal 112 of the MOSFET 11a. The cathode terminal 121 of the Zener diode 12a is electrically connected to the body portion 20 of the input side bus bar 2, for example. Thereby, the cathode terminal 121 of the Zener diode 12a is electrically connected to the drain terminals 113 of the plurality of MOSFETs 11a. Each anode terminal 122 of the Zener diode 12a is electrically connected to the relay bus bar 4, for example. Thereby, the anode terminal 122 of the Zener diode 12a is electrically connected to the source terminals 112 of the plurality of MOSFETs 11a.

下側の複数のMOSFET11bのドレイン端子113は、例えば出力側バスバー3の本体部30に電気的に接続されている。これにより、複数のMOSFET11bのドレイン端子113は互いに電気的に接続されている。複数のMOSFET11bの各ソース端子112は、例えば中継バスバー4に電気的に接続されている。これにより、複数のMOSFET11bのソース端子112は互いに電気的に接続されている。また、下側の複数のMOSFET11bのソース端子112は、上側の複数のMOSFET11bのソース端子112に電気的に接続されている。上側のMOSFET11aのソース端子112と、下側のMOSFET11bのソース端子112とは、中継バスバー4によって互いに電気的に接続されている。 The drain terminals 113 of the plurality of lower MOSFETs 11b are electrically connected to the body portion 30 of the output side bus bar 3, for example. Thereby, the drain terminals 113 of the plurality of MOSFETs 11b are electrically connected to each other. Each source terminal 112 of the plurality of MOSFETs 11b is electrically connected to the relay bus bar 4, for example. Thereby, the source terminals 112 of the plurality of MOSFETs 11b are electrically connected to each other. Also, the source terminals 112 of the plurality of lower MOSFETs 11b are electrically connected to the source terminals 112 of the plurality of upper MOSFETs 11b. A source terminal 112 of the upper MOSFET 11 a and a source terminal 112 of the lower MOSFET 11 b are electrically connected to each other by the relay bus bar 4 .

下側のツェナーダイオード12bは、MOSFET11bのドレイン端子113とソース端子112との間に過電圧が印加されることを防止するための電子部品である。ツェナーダイオード12bのカソード端子121は、例えば出力側バスバー3の本体部30に電気的に接続されている。これにより、ツェナーダイオード12bのカソード端子121は、複数のMOSFET11bのドレイン端子113に電気的に接続されている。ツェナーダイオード12bの各アノード端子122は、例えば中継バスバー4に電気的に接続されている。これにより、ツェナーダイオード12bのアノード端子122は、複数のMOSFET11bのソース端子112に電気的に接続されている。 The lower Zener diode 12b is an electronic component for preventing overvoltage from being applied between the drain terminal 113 and the source terminal 112 of the MOSFET 11b. The cathode terminal 121 of the Zener diode 12b is electrically connected to the body portion 30 of the output side bus bar 3, for example. Thereby, the cathode terminal 121 of the Zener diode 12b is electrically connected to the drain terminals 113 of the plurality of MOSFETs 11b. Each anode terminal 122 of the Zener diode 12b is electrically connected to the relay bus bar 4, for example. Thereby, the anode terminal 122 of the Zener diode 12b is electrically connected to the source terminals 112 of the plurality of MOSFETs 11b.

入力側バスバー2の入力端子部23には、例えば、バッテリから延びる配線部材が、貫通孔23aが利用されて接続される。入力端子部23には、配線部材を通じてバッテリの出力電圧が与えられる。入力端子部23に与えられたバッテリの出力電圧は、本体部20を通じて各MOSFET11aのドレイン端子113に与えられる。 A wiring member extending from a battery, for example, is connected to the input terminal portion 23 of the input-side bus bar 2 using a through hole 23a. The input terminal portion 23 is supplied with the output voltage of the battery through the wiring member. The output voltage of the battery applied to the input terminal section 23 is applied to the drain terminal 113 of each MOSFET 11a through the body section 20. FIG.

出力側バスバー3の出力端子部33には、例えば、電装部品から延びる配線部材が、貫通孔33aが利用されて接続される。出力端子部33には、下側の各MOSFET11bのドレイン端子113から出力される電圧が与えられる。出力端子部33に与えられた電圧は、配線部材を通じて電装部品に対して例えば電源として与えられる。 For example, a wiring member extending from an electrical component is connected to the output terminal portion 33 of the output-side bus bar 3 using the through hole 33a. The voltage output from the drain terminal 113 of each lower MOSFET 11b is applied to the output terminal section 33 . The voltage applied to the output terminal portion 33 is applied as a power supply, for example, to an electrical component through a wiring member.

回路基板6は、例えば、複数のMOSFET11のスイッチング動作を制御することが可能である。回路基板6は、例えば、各MOSFET11のゲート端子111と電気的に接続されている。回路基板6は、例えば、MOSFET11のゲート端子111に電圧を与えることが可能である。回路基板6は、例えば、MOSFET11のゲート端子111に与える電圧を制御することによって、当該MOSFET11のスイッチング動作を制御することが可能である。回路基板6は制御基板ともいえる。 The circuit board 6 can control the switching operations of the MOSFETs 11, for example. The circuit board 6 is electrically connected to the gate terminal 111 of each MOSFET 11, for example. The circuit board 6 can apply voltage to the gate terminal 111 of the MOSFET 11, for example. The circuit board 6 can control the switching operation of the MOSFET 11 by controlling the voltage applied to the gate terminal 111 of the MOSFET 11, for example. The circuit board 6 can also be called a control board.

導電端子13及び導電片14は、MOSFET11のゲート端子111を回路基板6に電気的に接続するための部材である。導電端子13及び導電片14のそれぞれは、例えば金属部材である。回路構成体10が備える複数の導電端子13は、例えば、上側に配置された複数の導電端子13aと、下側に配置された複数の導電端子13bとを含む。回路構成体10が備える複数の導電片14は、例えば、上側に配置された複数の導電片14aと、下側に配置された複数の導電片14bとを含む。 The conductive terminal 13 and conductive piece 14 are members for electrically connecting the gate terminal 111 of the MOSFET 11 to the circuit board 6 . Each of the conductive terminal 13 and the conductive piece 14 is, for example, a metal member. The plurality of conductive terminals 13 included in the circuit structure 10 includes, for example, a plurality of conductive terminals 13a arranged on the upper side and a plurality of conductive terminals 13b arranged on the lower side. The plurality of conductive pieces 14 included in the circuit structure 10 includes, for example, a plurality of conductive pieces 14a arranged on the upper side and a plurality of conductive pieces 14b arranged on the lower side.

上側の複数の導電端子13aは、上側の複数のMOSFET11aのゲート端子111にそれぞれ電気的に接続されている。上側の複数の導電片14aは回路基板6に電気的に接続されている。また、複数の導電片14aは、複数の導電端子13aにそれぞれ電気的に接続されている。導電端子13aは、導電片14aによって回路基板6に電気的に接続されている。MOSFET11aのゲート端子111に電気的に接続された導電端子13aが、導電片14aによって回路基板6に電気的に接続されることによって、MOSFET11aのゲート端子111は回路基板6に電気的に接続される。 The plurality of conductive terminals 13a on the upper side are electrically connected to the gate terminals 111 of the plurality of MOSFETs 11a on the upper side. A plurality of upper conductive pieces 14 a are electrically connected to the circuit board 6 . Also, the plurality of conductive pieces 14a are electrically connected to the plurality of conductive terminals 13a, respectively. The conductive terminal 13a is electrically connected to the circuit board 6 by a conductive piece 14a. The gate terminal 111 of the MOSFET 11a is electrically connected to the circuit board 6 by electrically connecting the conductive terminal 13a electrically connected to the gate terminal 111 of the MOSFET 11a to the circuit board 6 by the conductive piece 14a. .

下側の複数の導電端子13bは、下側の複数のMOSFET11bのゲート端子111にそれぞれ電気的に接続されている。下側の複数の導電片14bは回路基板6に電気的に接続されている。また、複数の導電片14bは、複数の導電端子13bにそれぞれ電気的に接続されている。導電端子13bは、導電片14bによって回路基板6に電気的に接続されている。MOSFET11bのゲート端子111に電気的に接続された導電端子13bが、導電片14bによって回路基板6に電気的に接続されることによって、MOSFET11bのゲート端子111は回路基板6に電気的に接続される。 The plurality of conductive terminals 13b on the lower side are electrically connected to the gate terminals 111 of the plurality of MOSFETs 11b on the lower side. A plurality of conductive pieces 14 b on the lower side are electrically connected to the circuit board 6 . Also, the plurality of conductive pieces 14b are electrically connected to the plurality of conductive terminals 13b, respectively. The conductive terminal 13b is electrically connected to the circuit board 6 by a conductive piece 14b. The gate terminal 111 of the MOSFET 11b is electrically connected to the circuit board 6 by electrically connecting the conductive terminal 13b electrically connected to the gate terminal 111 of the MOSFET 11b to the circuit board 6 by the conductive piece 14b. .

絶縁部材5は、例えば、バスバー2と、バスバー3と、バスバー4と、導電端子13とを互いに電気絶縁しつつ、バスバー2,3,4及び複数の導電端子13を保持する。絶縁部材5は、例えば、バスバー2,3,4及び複数の導電端子13と一体成形されている。絶縁部材5は、例えばインサート成形によって、バスバー2,3,4及び複数の導電端子13と一体成形されている。 The insulating member 5 holds the busbars 2 , 3 , 4 and the plurality of conductive terminals 13 while electrically insulating the busbar 2 , the busbar 3 , the busbar 4 , and the conductive terminals 13 from each other, for example. The insulating member 5 is formed integrally with the busbars 2, 3, 4 and the plurality of conductive terminals 13, for example. The insulating member 5 is integrally formed with the busbars 2, 3, 4 and the plurality of conductive terminals 13 by insert molding, for example.

<回路構成体の詳細説明>
<電子部品の構成例>
上側の複数のMOSFET11a及びツェナーダイオード12aは、X方向に沿って並んでいる。一列に並ぶ複数のMOSFET11a及びツェナーダイオード12aにおいて、ツェナーダイオード12aは最も-X側に位置する。下側の複数のMOSFET11b及びツェナーダイオード12bは、X方向に沿って並んでいる。一列に並ぶ複数のMOSFET11b及びツェナーダイオード12bにおいて、ツェナーダイオード12bは最も-X側に位置する。
<Detailed description of the circuit structure>
<Configuration example of electronic components>
A plurality of upper MOSFETs 11a and Zener diodes 12a are arranged along the X direction. Among the plurality of MOSFETs 11a and Zener diodes 12a arranged in a line, the Zener diode 12a is located on the most -X side. A plurality of lower MOSFETs 11b and Zener diodes 12b are arranged along the X direction. Among the plurality of MOSFETs 11b and Zener diodes 12b arranged in a line, the Zener diode 12b is located on the most -X side.

MOSFET11は、例えば表面実装部品である。MOSFET11のゲート端子111、ソース端子112及びドレイン端子113は、例えば金属で構成されている。ゲート端子111、ソース端子112及びドレイン端子113、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅としては、例えば、日本工業規格(JIS:Japanese Industrial Standards)で定められているC1020の無酸素銅が採用されてもよい。また、ゲート端子111、ソース端子112及びドレイン端子113は、銅合金で構成されてもよいし、他の種類の金属材料で構成されてもよい。 MOSFET 11 is, for example, a surface mount component. A gate terminal 111, a source terminal 112 and a drain terminal 113 of the MOSFET 11 are made of metal, for example. The gate terminal 111, the source terminal 112 and the drain terminal 113 may be constructed of oxygen-free copper, for example. As this oxygen-free copper, for example, C1020 oxygen-free copper defined by Japanese Industrial Standards (JIS) may be employed. Also, the gate terminal 111, the source terminal 112, and the drain terminal 113 may be made of a copper alloy, or may be made of another kind of metal material.

MOSFET11は、例えば、半導体素子等が収容されたパッケージを備える。ドレイン端子113は、例えば、平板状であって、パッケージの裏面に設けられている。ドレイン端子113は、パッケージの側面から少し外側に延出している。ゲート端子111及びソース端子112は、例えば、リード端子であって、細長い板状部が2箇所で折れ曲げられた形状を有している。ゲート端子111及びソース端子112は、細長い板状部が一段階段状に折れ曲げられた形状を有している。ゲート端子111及びソース端子112は、例えば、パッケージの側面から外側に延びている。ゲート端子111及び複数のソース端子112は、例えば、ドレイン端子113が延出している側とは反対側において一列に並べられている。一列に並ぶゲート端子111及び複数のソース端子112において、ゲート端子111は最も外側に位置する。 The MOSFET 11 has, for example, a package in which a semiconductor element or the like is accommodated. The drain terminal 113 has, for example, a flat plate shape and is provided on the back surface of the package. The drain terminal 113 extends slightly outward from the side of the package. The gate terminal 111 and the source terminal 112 are lead terminals, for example, and have a shape in which an elongated plate-like portion is bent at two points. Each of the gate terminal 111 and the source terminal 112 has a shape in which an elongated plate-like portion is bent stepwise. Gate terminal 111 and source terminal 112 extend outward from the sides of the package, for example. The gate terminal 111 and the plurality of source terminals 112 are arranged in a row on the side opposite to the side where the drain terminal 113 extends, for example. Among the gate terminals 111 and the plurality of source terminals 112 arranged in a line, the gate terminal 111 is positioned on the outermost side.

ツェナーダイオード12は、例えば表面実装部品である。ツェナーダイオード12のカソード端子121及びアノード端子122は、例えば金属で構成されている。カソード端子121及びアノード端子122は、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅としては、例えば、JISで定められているC1020の無酸素銅が採用されてもよい。また、カソード端子121及びアノード端子122は、銅合金で構成されてもよいし、他の種類の金属材料で構成されてもよい。 Zener diode 12 is, for example, a surface mount component. The cathode terminal 121 and the anode terminal 122 of the Zener diode 12 are made of metal, for example. The cathode terminal 121 and the anode terminal 122 may be made of oxygen-free copper, for example. As this oxygen-free copper, for example, C1020 oxygen-free copper defined by JIS may be adopted. Also, the cathode terminal 121 and the anode terminal 122 may be made of a copper alloy, or may be made of another kind of metal material.

ツェナーダイオード12は、例えば、半導体素子等が収容されたパッケージを備える。カソード端子121は、例えば平板状をなしている。カソード端子121は、パッケージの裏面に設けられている。カソード端子121は、パッケージの側面から少し外側に延出している。アノード端子122は、例えば、リード端子であって、細長い板状部が2箇所で折れ曲げられた形状を有している。アノード端子122は、細長い板状部が一段階段状に折れ曲げられた形状を有している。アノード端子122は、パッケージの側面から外側に延びている。2つのアノード端子122は、例えば、カソード端子121が延出している側とは反対側において互いに隣り合って並べられている。 The Zener diode 12 has, for example, a package containing a semiconductor element or the like. The cathode terminal 121 has a flat plate shape, for example. A cathode terminal 121 is provided on the back surface of the package. Cathode terminal 121 extends slightly outward from the side of the package. The anode terminal 122 is, for example, a lead terminal, and has a shape in which an elongated plate-like portion is bent at two points. Anode terminal 122 has a shape in which an elongated plate-like portion is bent in a stepped shape. Anode terminal 122 extends outwardly from the side of the package. The two anode terminals 122 are arranged next to each other on the side opposite to the side where the cathode terminal 121 extends, for example.

<バスバーの構成例>
バスバー2,3,4は、例えば、銅あるいは銅合金で構成される。バスバー2,3,4は、例えば無酸素銅で構成されてもよい。この無酸素銅としては、例えば、JISで定められているC1020の無酸素銅が採用されてもよい。バスバー2,3,4は、銅及び銅合金以外の金属で構成されてもよい。
<Configuration example of bus bar>
The busbars 2, 3, 4 are made of copper or a copper alloy, for example. The busbars 2, 3, 4 may be made of oxygen-free copper, for example. As this oxygen-free copper, for example, C1020 oxygen-free copper defined by JIS may be adopted. The busbars 2, 3, 4 may be made of metals other than copper and copper alloys.

図13は、バスバー2,3,4及び導電端子13の一例を示す概略図である。図4,6,13等に示されるように、バスバー2は、例えば、概ねL字状を成す板状部材で構成されている。バスバー2の本体部20は、例えばL字状の板状部分である。本体部20は、例えば、複数のMOSFET11a及びツェナーダイオード12aが搭載される第1部分21と、当該第1部分21と入力端子部23とを接続する第2部分22とで構成されている。第1部分21は、例えば、X方向に沿って延在する板状部分である。第2部分22は、例えば、第1部分21の-X側の端から+Y方向に沿って延在する板状部分である。第1部分21と第2部分22は互いに同一平面上に位置している。入力端子部23は、第2部分22の+Y側の端から、下側に少し延びた後に+Y方向に沿って延びている。第2部分22と入力端子部23の境界部分は一段階段状に曲がっている。 FIG. 13 is a schematic diagram showing an example of the busbars 2, 3, 4 and the conductive terminals 13. As shown in FIG. As shown in FIGS. 4, 6, 13, etc., the busbar 2 is formed of, for example, a plate-like member having an approximately L shape. The body portion 20 of the busbar 2 is, for example, an L-shaped plate-like portion. The body portion 20 is composed of, for example, a first portion 21 on which a plurality of MOSFETs 11 a and Zener diodes 12 a are mounted, and a second portion 22 connecting the first portion 21 and the input terminal portion 23 . The first portion 21 is, for example, a plate-like portion extending along the X direction. The second portion 22 is, for example, a plate-like portion extending from the −X side end of the first portion 21 along the +Y direction. The first portion 21 and the second portion 22 are positioned on the same plane. The input terminal portion 23 extends along the +Y direction after slightly extending downward from the +Y side end of the second portion 22 . A boundary portion between the second portion 22 and the input terminal portion 23 is curved stepwise.

図5,7,13等に示されるように、バスバー3は、例えば、概ねL字状を成す板状部材で構成されている。バスバー3の本体部30は、例えばL字状の板状部分である。本体部30は、例えば、複数のMOSFET11b及びツェナーダイオード12bが搭載される第1部分31と、当該第1部分31と出力端子部33とを接続する第2部分32とで構成されている。第1部分31は、例えば、X方向に沿って延在する板状部分である。第2部分32は、例えば、第1部分31の+X側の端から+Y方向に沿って延在する板状部分である。第1部分31と第2部分32は互いに同一平面上に位置している。出力端子部33は、第2部分32の+Y側の端から、上側に少し延びた後に+Y方向に沿って延びている。第2部分32と出力端子部33の境界部分は一段階段状に曲がっている。 As shown in FIGS. 5, 7, 13, etc., the bus bar 3 is composed of, for example, a plate-like member having an approximately L shape. The body portion 30 of the busbar 3 is, for example, an L-shaped plate-like portion. The body portion 30 is composed of, for example, a first portion 31 on which a plurality of MOSFETs 11b and Zener diodes 12b are mounted, and a second portion 32 connecting the first portion 31 and the output terminal portion 33 together. The first portion 31 is, for example, a plate-like portion extending along the X direction. The second portion 32 is, for example, a plate-like portion extending from the +X side end of the first portion 31 along the +Y direction. The first portion 31 and the second portion 32 are located on the same plane with each other. The output terminal portion 33 extends along the +Y direction after slightly extending upward from the +Y side end of the second portion 32 . A boundary portion between the second portion 32 and the output terminal portion 33 is curved in a stepped shape.

バスバー2は、バスバー3とZ方向において部分的に対向するようにバスバー3よりも上側に位置する。バスバー2の第1部分21と、バスバー3の第1部分31とは、Z方向において互いに対向している。バスバー2の第2部分22は、バスバー3の第2部分32よりも-X側に位置している。回路構成体10を上側あるいは下側から平面視した場合、Y方向に沿って延在する第2部分22と、Y方向に沿って延在する第2部分32とは、互いに平行をなしている。以後、互いに対向する第1部分21及び第1部分31をそれぞれ対向部分21及び対向部分31と呼ぶことがある。 Busbar 2 is positioned above busbar 3 so as to partially face busbar 3 in the Z direction. The first portion 21 of the busbar 2 and the first portion 31 of the busbar 3 face each other in the Z direction. The second portion 22 of the busbar 2 is located on the -X side of the second portion 32 of the busbar 3 . When the circuit structure 10 is viewed from above or below, the second portion 22 extending along the Y direction and the second portion 32 extending along the Y direction are parallel to each other. . Henceforth, the 1st part 21 and the 1st part 31 which mutually oppose may be called the facing part 21 and the facing part 31, respectively.

上側の板状の対向部分21は、回路構成体10の外側に向く主面211(外側面211ともいう)と、回路構成体10の内側に向く主面212(内側面212ともいう)とを有する。外側面211は+Z側に位置し、内側面212は-Z側に位置する。外側面211は、内側面212の反対側に位置する。 The upper plate-shaped opposing portion 21 has a main surface 211 (also referred to as an outer surface 211) facing the outside of the circuit construct 10 and a main surface 212 (also referred to as an inner surface 212) facing the inside of the circuit construct 10. have. The outer surface 211 is positioned on the +Z side, and the inner surface 212 is positioned on the -Z side. Outer surface 211 is located opposite inner surface 212 .

外側面211には、複数のMOSFET11aとツェナーダイオード12aが搭載されている。外側面211には、各MOSFET11aのドレイン端子113及びツェナーダイオード12aのカソード端子121がはんだ等の導電性接合材で接合されている。これにより、複数のMOSFET11aのドレイン端子113及びツェナーダイオード12aのカソード端子121は、バスバー2を通じて互いに電気的に接続される。 A plurality of MOSFETs 11a and Zener diodes 12a are mounted on the outer surface 211 . The drain terminal 113 of each MOSFET 11a and the cathode terminal 121 of the Zener diode 12a are joined to the outer surface 211 with a conductive joint material such as solder. Thereby, the drain terminals 113 of the plurality of MOSFETs 11a and the cathode terminals 121 of the Zener diodes 12a are electrically connected to each other through the bus bar 2 .

下側の板状の対向部分31は、回路構成体10の外側に向く主面311(外側面311ともいう)と、回路構成体10の内側に向く主面312(内側面312ともいう)とを有する。外側面311は-Z側に位置し、内側面312は+Z側に位置する。外側面311は、内側面312の反対側に位置する。 The lower plate-shaped facing portion 31 has a main surface 311 (also referred to as an outer surface 311) facing the outside of the circuit construct 10 and a main surface 312 (also referred to as an inner surface 312) facing the inside of the circuit construct 10. have The outer surface 311 is located on the -Z side, and the inner surface 312 is located on the +Z side. Outer surface 311 is located opposite inner surface 312 .

外側面311には、複数のMOSFET11bとツェナーダイオード12bが搭載されている。外側面311には、各MOSFET11bのドレイン端子113及びツェナーダイオード12bのカソード端子121がはんだ等の導電性接合材で接合されている。これにより、複数のMOSFET11bのドレイン端子113及びツェナーダイオード12bのカソード端子121は、バスバー3を通じて互いに電気的に接続される。 A plurality of MOSFETs 11b and Zener diodes 12b are mounted on the outer surface 311 . The drain terminal 113 of each MOSFET 11b and the cathode terminal 121 of the Zener diode 12b are joined to the outer surface 311 with a conductive joint material such as solder. Thereby, the drain terminals 113 of the plurality of MOSFETs 11b and the cathode terminals 121 of the Zener diodes 12b are electrically connected to each other through the bus bar 3 .

バスバー4は、例えば、概ね、板状部材を略U字状に曲げた形状をなしている。バスバー4は、例えば、複数の平板状の第1部分40aと、複数の平板状の第2部分40bと、複数の第1部分40aと複数の第2部分40bとを接続する板状の接続部分41とで構成されている。 The busbar 4 has, for example, a generally U-shaped plate-shaped member. The bus bar 4 includes, for example, a plurality of flat plate-like first portions 40a, a plurality of flat plate-like second portions 40b, and a plate-like connecting portion that connects the plurality of first portions 40a and the plurality of second portions 40b. 41.

複数の第1部分40aは、例えば、互いに離れてX方向に沿って並んでいる。複数の第2部分40bは、例えば、互いに離れてX方向に沿って並んでいる。複数の第1部分40aは、Z方向において複数の第2部分40bとそれぞれ対向している。複数の第1部分40aは上側に位置し、複数の第2部分40bは下側に位置する。 The plurality of first portions 40a are arranged along the X direction, for example, apart from each other. The plurality of second portions 40b are arranged along the X direction, for example, apart from each other. The plurality of first portions 40a face the plurality of second portions 40b in the Z direction. The plurality of first portions 40a are positioned on the upper side, and the plurality of second portions 40b are positioned on the lower side.

各第1部分40aは、例えば対向部分21と同一平面上に位置する。各第1部分40aは、例えば、Y方向において対向部分21と間隔を空けて並んでいる。各第2部分40bは、例えば対向部分31と同一平面上に位置する。各第2部分40bは、例えば、Y方向において対向部分31と間隔を空けて並んでいる。 Each first portion 40a is located on the same plane as the opposing portion 21, for example. Each first portion 40a is, for example, arranged side by side with the opposing portion 21 at intervals in the Y direction. Each second portion 40b is located on the same plane as the facing portion 31, for example. Each second portion 40b is, for example, arranged side by side with the opposing portion 31 at intervals in the Y direction.

複数の第1部分40aは、例えば、4個のMOSFET11aにそれぞれ対応する4個の第1部分40aと、ツェナーダイオード12aに対応する1個の第1部分40aとを含む。各MOSFET11aの複数のソース端子112は、当該MOSFET11aに対応する第1部分40aに対して接合される。MOSFET11aのソース端子112は、第1部分40aの+Z側の主面(外側面ともいう)に対して、はんだ等の導電性接合材で接合される。ツェナーダイオード12aの各アノード端子122は、当該ツェナーダイオード12aに対応する第1部分40aに接合される。ツェナーダイオード12aのアノード端子122は、第1部分40aの外側面に対して、はんだ等の導電性接合材で接合される。複数のMOSFET11aのソース端子112及びツェナーダイオード12aのアノード端子122は、バスバー4を通じて互いに電気的に接続されている。以後、第1部分40aを接合対象部40aあるいは上側接合対象部40aと呼ぶことがある。 The multiple first portions 40a include, for example, four first portions 40a respectively corresponding to the four MOSFETs 11a and one first portion 40a corresponding to the Zener diode 12a. A plurality of source terminals 112 of each MOSFET 11a are joined to the first portion 40a corresponding to the MOSFET 11a. The source terminal 112 of the MOSFET 11a is joined to the main surface (also referred to as the outer surface) on the +Z side of the first portion 40a with a conductive joint material such as solder. Each anode terminal 122 of the Zener diode 12a is joined to the first portion 40a corresponding to the Zener diode 12a. The anode terminal 122 of the Zener diode 12a is bonded to the outer surface of the first portion 40a with a conductive bonding material such as solder. The source terminals 112 of the MOSFETs 11a and the anode terminals 122 of the Zener diodes 12a are electrically connected to each other through the bus bar 4. As shown in FIG. Henceforth, the 1st part 40a may be called the part to be welded 40a or the upper part to be welded 40a.

複数の第2部分40bは、例えば、4個のMOSFET11bにそれぞれ対応する4個の第2部分40bと、ツェナーダイオード12bに対応する1個の第2部分40bとを含む。各MOSFET11bの複数のソース端子112は、当該MOSFET11bに対応する第2部分40bに対して接合される。MOSFET11bのソース端子112は、第2部分40bの-Z側の主面(外側面ともいう)に対して、はんだ等の導電性接合材で接合される。ツェナーダイオード12bの各アノード端子122は、当該ツェナーダイオード12bに対応する第2部分40bに接合される。ツェナーダイオード12bのアノード端子122は、第2部分40bの外側面に対して、はんだ等の導電性接合材で接合される。複数のMOSFET11bのソース端子112及びツェナーダイオード12bのアノード端子122は、バスバー4を通じて互いに電気的に接続されている。以後、第2部分40bを接合対象部40bあるいは下側接合対象部40bと呼ぶことがある。 The multiple second portions 40b include, for example, four second portions 40b respectively corresponding to the four MOSFETs 11b and one second portion 40b corresponding to the Zener diode 12b. A plurality of source terminals 112 of each MOSFET 11b are joined to the second portion 40b corresponding to the MOSFET 11b. The source terminal 112 of the MOSFET 11b is joined to the main surface (also referred to as the outer surface) on the −Z side of the second portion 40b with a conductive joint material such as solder. Each anode terminal 122 of the Zener diode 12b is joined to the second portion 40b corresponding to the Zener diode 12b. The anode terminal 122 of the Zener diode 12b is bonded to the outer surface of the second portion 40b with a conductive bonding material such as solder. The source terminals 112 of the multiple MOSFETs 11b and the anode terminals 122 of the Zener diodes 12b are electrically connected to each other through the bus bar 4 . Hereinafter, the second portion 40b may be referred to as the part to be welded 40b or the lower part to be welded 40b.

バスバー4の接続部分41は、例えばX方向に沿って延在している。接続部分41は、例えば、複数の接合対象部40aの-Y側端と、複数の接合対象部40bの-Y側端とを接続している。 The connection portion 41 of the busbar 4 extends, for example, along the X direction. The connection portion 41 connects, for example, the -Y side ends of the plurality of parts to be welded 40a and the -Y side ends of the plurality of parts to be welded 40b.

なお、バスバー2,3,4に対して端子等をはんだ接合しやすくするため、配線部材と入力端子部23との接触抵抗を低減するため、及び配線部材と出力端子部33との接触抵抗を低減するために、バスバー2,3,4は、その表面に、ニッケルめっきなどの金属めっきを有してもよい。 In addition, in order to facilitate soldering of the terminals and the like to the bus bars 2, 3, and 4, to reduce the contact resistance between the wiring member and the input terminal portion 23, and to reduce the contact resistance between the wiring member and the output terminal portion 33, For reduction, the busbars 2, 3, 4 may have metal plating, such as nickel plating, on their surfaces.

<回路基板の構成例>
回路基板6は、複数のMOSFET11と電気的に接続されている。回路基板6は、例えば、配線基板60と、配線基板60に搭載された複数の部品とを備える。配線基板60は、例えば、XY平面に沿って広がっており、上側の主面60a(上側面60aともいう)と、下側の主面60b(下側面60bともいう)とを有する。上側面60aは、下側面60bの反対側に位置し、下側面60bとZ方向で対向している。
<Configuration example of circuit board>
The circuit board 6 is electrically connected to the multiple MOSFETs 11 . The circuit board 6 includes, for example, a wiring board 60 and a plurality of components mounted on the wiring board 60 . The wiring board 60 extends, for example, along the XY plane, and has an upper major surface 60a (also called an upper side surface 60a) and a lower major surface 60b (also called a lower side surface 60b). The upper side surface 60a is located on the opposite side of the lower side surface 60b and faces the lower side surface 60b in the Z direction.

配線基板60は、例えば、絶縁基板と、当該絶縁基板に設けられた少なくとも一つの導電層とを有する。絶縁基板は、例えば、セラミック基板であってもよいし、樹脂を含む基板であってもよい。後者の場合、絶縁基板は、ガラスエポキシ基板であってもよいし、樹脂を含む他の基板であってもよい。導電層は、例えば、銅で構成されてもよいし、他の金属で構成されてもよい。 The wiring board 60 has, for example, an insulating substrate and at least one conductive layer provided on the insulating substrate. The insulating substrate may be, for example, a ceramic substrate or a substrate containing resin. In the latter case, the insulating substrate may be a glass epoxy substrate or another substrate containing resin. The conductive layer may be composed of copper, for example, or may be composed of other metals.

配線基板60は、対向部分21側から対向部分31側を見た場合に、対向部分21よりも奥側に位置し、かつ対向部分31よりも手前側に位置する。配線基板60は、上側(言い換えれば+Z側)から見た場合に、対向部分21よりも奥側に位置し、かつ対向部分31よりも手前側に位置するといえる。また、配線基板60は、下側(言い換えれば-Z側)から見た場合に、対向部分31よりも奥側に位置し、かつ対向部分21よりも手前側に位置するといえる。 The wiring board 60 is located on the back side of the facing portion 21 and on the front side of the facing portion 31 when the facing portion 31 side is viewed from the facing portion 21 side. It can be said that the wiring board 60 is located on the back side of the facing portion 21 and located on the front side of the facing portion 31 when viewed from above (in other words, +Z side). Further, it can be said that the wiring board 60 is located on the back side of the facing portion 31 and located on the front side of the facing portion 21 when viewed from below (in other words, the −Z side).

配線基板60は、例えば、上下方向において、バスバー2の本体部20とバスバー3の本体部30との間に位置する部分を有する。具体的には、配線基板60は、上下方向において対向部分21と対向部分31との間に位置する部分と、上下方向において第2部分22と第2部分32との間に位置する部分とを含む。配線基板60の上側面60aは、上側から見た場合にバスバー2から露出する露出領域60aaを有する。配線基板60の下側面60bは、下側から見た場合にバスバー3から露出する露出領域60bbを有する。 The wiring board 60 has, for example, a portion positioned between the body portion 20 of the busbar 2 and the body portion 30 of the busbar 3 in the vertical direction. Specifically, the wiring board 60 has a portion positioned between the facing portions 21 and 31 in the vertical direction and a portion positioned between the second portions 22 and 32 in the vertical direction. include. The upper side surface 60a of the wiring board 60 has an exposed area 60aa exposed from the busbar 2 when viewed from above. A lower side surface 60b of the wiring board 60 has an exposed area 60bb exposed from the busbar 3 when viewed from below.

配線基板60に搭載された複数の部品には、例えば複数の電子部品が含まれる。当該複数の電子部品には、例えばマイクロコンピュータ62が含まれる。また、配線基板60に搭載された複数の部品には例えばコネクタ65が含まれる。マイクロコンピュータ62及びコネクタ65は、例えば、配線基板60の下側面60bの露出領域60bbに搭載されている。マイクロコンピュータ62は、例えばCPU(Central Processing Unit)及びメモリ等を有する。マイクロコンピュータ62は、例えば、複数のMOSFET11のスイッチング動作を制御することが可能である。 The multiple components mounted on the wiring board 60 include, for example, multiple electronic components. The plurality of electronic components includes, for example, the microcomputer 62 . Moreover, the plurality of components mounted on the wiring board 60 includes, for example, a connector 65 . The microcomputer 62 and the connector 65 are mounted, for example, on the exposed area 60bb of the lower surface 60b of the wiring board 60. As shown in FIG. The microcomputer 62 has, for example, a CPU (Central Processing Unit) and memory. The microcomputer 62 can control the switching operations of the MOSFETs 11, for example.

コネクタ65は、例えば、回路装置1の外部の装置(外部装置ともいう)と回路基板6とを電気的に接続するためのコネクタである。コネクタ65には、外部装置から延びる配線部材が接続される。コネクタ65は、当該コネクタ65を配線基板60に固定するための2つの金属部分651と、複数の接続端子652とを有する。2つの金属部分651と複数の接続端子652とは、配線基板60に接合される。マイクロコンピュータ62は、コネクタ65を通じて外部装置と電気的に接続される。マイクロコンピュータ62は、外部装置からの指示に応じて、各MOSFET11のスイッチング動作を制御する。 The connector 65 is, for example, a connector for electrically connecting a device outside the circuit device 1 (also referred to as an external device) and the circuit board 6 . A wiring member extending from an external device is connected to the connector 65 . The connector 65 has two metal parts 651 for fixing the connector 65 to the wiring board 60 and a plurality of connection terminals 652 . The two metal parts 651 and the plurality of connection terminals 652 are bonded to the wiring board 60 . Microcomputer 62 is electrically connected to an external device through connector 65 . The microcomputer 62 controls the switching operation of each MOSFET 11 according to instructions from an external device.

配線基板60は、例えば、上側面60aに位置する導電層(上側の導電層ともいう)と、下側面60bに位置する導電層(下側の導電層ともいう)とを有する。上側の導電層には、例えば、複数のMOSFET11aのゲート端子111と電気的にそれぞれ接続される複数のランド61aが含まれる。下側の導電層には、複数のMOSFET11bのゲート端子111と電気的にそれぞれ接続される複数のランド61bが含まれる。複数のランド61aは、例えば、配線基板60の上側面60aの露出領域60aaに位置する。複数のランド61bは、例えば、配線基板60の下側面60bの露出領域60bbに位置する。複数のランド61a及び複数のランド61bは、各MOSFET11のゲート端子111に電圧を与える駆動回路に電気的に接続されている。駆動回路は配線基板60に設けられており、マイクロコンピュータ62は、当該駆動回路を通じて、各MOSFET11のスイッチング動作を制御する。 The wiring board 60 has, for example, a conductive layer positioned on the upper side surface 60a (also referred to as an upper conductive layer) and a conductive layer positioned on the lower side surface 60b (also referred to as a lower conductive layer). The upper conductive layer includes, for example, a plurality of lands 61a electrically connected to the gate terminals 111 of the MOSFETs 11a. The lower conductive layer includes a plurality of lands 61b electrically connected to the gate terminals 111 of the MOSFETs 11b, respectively. The plurality of lands 61a are located in exposed regions 60aa of the upper side surface 60a of the wiring board 60, for example. The plurality of lands 61b are located, for example, in the exposed area 60bb of the lower side surface 60b of the wiring board 60. As shown in FIG. The plurality of lands 61a and the plurality of lands 61b are electrically connected to a drive circuit that applies voltage to the gate terminal 111 of each MOSFET 11. FIG. A drive circuit is provided on the wiring board 60, and the microcomputer 62 controls the switching operation of each MOSFET 11 through the drive circuit.

また、下側の導電層には、コネクタ65の2つの金属部分651がそれぞれ接合される2つのランド66bと、コネクタ65の複数の接続端子652がそれぞれ接合される複数のランド67bとが含まれている。2つのランド66bと複数のランド67bは、例えば、配線基板60の下側面60bの露出領域60bbに位置する。コネクタ65の金属部分651は、はんだ等の導電性接合材でランド66bに接合される。コネクタ65の接続端子652は、はんだ等の導電性接合材でランド67bに接合される。 In addition, the lower conductive layer includes two lands 66b to which the two metal portions 651 of the connector 65 are respectively joined, and a plurality of lands 67b to which the plurality of connection terminals 652 of the connector 65 are respectively joined. ing. The two lands 66b and the plurality of lands 67b are located, for example, in the exposed area 60bb of the lower surface 60b of the wiring board 60. As shown in FIG. A metal portion 651 of the connector 65 is joined to the land 66b with a conductive joining material such as solder. The connection terminal 652 of the connector 65 is joined to the land 67b with a conductive joining material such as solder.

なお、マイクロコンピュータ62及びコネクタ65の少なくとも一方は、配線基板60の上側面60aに設けられてもよい。また、配線基板60は、単層基板であってもよいし、多層基板であってもよい。配線基板60は、その内層に導電層を有してもよい。 At least one of the microcomputer 62 and the connector 65 may be provided on the upper surface 60 a of the wiring board 60 . Also, the wiring board 60 may be a single-layer board or a multi-layer board. The wiring board 60 may have a conductive layer in its inner layer.

<導電端子の構成例>
複数の導電端子13は、複数のMOSFET11aのゲート端子111がそれぞれ接合される複数の導電端子13aと、複数のMOSFET11bのゲート端子111がそれぞれ接合される複数の導電端子13bとを含む。各導電端子13は、例えば、銅合金で構成されてもよいし、他の金属材料で構成されてもよい。
<Configuration example of conductive terminal>
The plurality of conductive terminals 13 includes a plurality of conductive terminals 13a to which the gate terminals 111 of the MOSFETs 11a are respectively connected, and a plurality of conductive terminals 13b to which the gate terminals 111 of the MOSFETs 11b are respectively connected. Each conductive terminal 13 may be made of, for example, a copper alloy, or may be made of another metal material.

導電端子13は、例えば、細長い板状部材の一方の端部を略U字状に曲げた形状を有する。導電端子13の厚みは例えば0.6mmである。導電端子13は、その一方の端部に、MOSFET11のゲート端子111と接合される接合対象部130を有する。また、導電端子13は、その他方の端部に、導電片14が接合される接合対象部131を有する。そして、導電端子13は、接合対象部130と接合対象部131とを接続する接続部分132を備える。 The conductive terminal 13 has, for example, a shape obtained by bending one end of an elongated plate-like member into a substantially U shape. The thickness of the conductive terminal 13 is, for example, 0.6 mm. The conductive terminal 13 has, at one end thereof, a junction target portion 130 to be joined with the gate terminal 111 of the MOSFET 11 . In addition, the conductive terminal 13 has, at the other end thereof, a joining target portion 131 to which the conductive piece 14 is joined. The conductive terminal 13 includes a connecting portion 132 that connects the joining target portion 130 and the joining target portion 131 .

接合対象部130は、例えば、Y方向に沿って延在する平板状部分である。上側の導電端子13aの接合対象部130は、MOSFET11aのゲート端子111の-Z側に位置する。下側の導電端子13bの接合対象部130は、MOSFET11bのゲート端子111の+Z側に位置する。平板状の接合対象部130は、互いに対向する一対の主面を有する。導電端子13aの接合対象部130の一方の主面は、例えば、バスバー4の上側接合対象部40aの+Z側の主面と同一平面上に位置する。導電端子13aの接合対象部130の一方の主面には、MOSFET11aのゲート端子111がはんだ等の導電性接合材で接合される。導電端子13bの接合対象部130の一方の主面は、例えば、バスバー4の下側接合対象部40bの-Z側の主面と同一平面上に位置する。導電端子13bの接合対象部130の一方の主面には、MOSFET11bのゲート端子111がはんだ等の導電性接合材で接合される。 The part to be welded 130 is, for example, a plate-like part extending along the Y direction. The bonding target portion 130 of the upper conductive terminal 13a is located on the -Z side of the gate terminal 111 of the MOSFET 11a. The bonding target portion 130 of the lower conductive terminal 13b is located on the +Z side of the gate terminal 111 of the MOSFET 11b. The flat plate-like joining target part 130 has a pair of main surfaces facing each other. One main surface of the part to be welded 130 of the conductive terminal 13 a is located on the same plane as the main surface on the +Z side of the upper part to be welded 40 a of the busbar 4 , for example. The gate terminal 111 of the MOSFET 11a is bonded to one main surface of the bonding target portion 130 of the conductive terminal 13a with a conductive bonding material such as solder. One main surface of the joining target portion 130 of the conductive terminal 13b is located on the same plane as the −Z side main surface of the lower joining target portion 40b of the bus bar 4, for example. The gate terminal 111 of the MOSFET 11b is bonded to one main surface of the bonding target portion 130 of the conductive terminal 13b with a conductive bonding material such as solder.

接合対象部131は、例えば平板状部分である。平板状の接合対象部131は、互いに対向する一対の主面を有する。上側の導電端子13aの接合対象部131は、配線基板60の上側面60aから少し離れた状態で当該上側面60a上に位置する。導電端子13aの接合対象部131の一方の主面は、配線基板60の上側面60aと対向している。導電端子13aの接合対象部131は、配線基板60のランド61aの近傍であって、ランド61aの-Y側に位置する。 The part to be joined 131 is, for example, a plate-like part. The flat plate-like joining target portion 131 has a pair of main surfaces facing each other. The joining target portion 131 of the upper conductive terminal 13a is located on the upper side surface 60a of the wiring board 60 while being slightly separated from the upper side surface 60a. One main surface of the joining target portion 131 of the conductive terminal 13 a faces the upper side surface 60 a of the wiring board 60 . The joining target portion 131 of the conductive terminal 13a is located near the land 61a of the wiring board 60 and on the -Y side of the land 61a.

下側の導電端子13bの接合対象部131は、配線基板60の下側面60bから少し離れた状態で当該下側面60b上に位置する。導電端子13bの接合対象部131の一方の主面は、配線基板60の下側面60bと対向している。導電端子13bの接合対象部131は、配線基板60のランド61bの近傍であって、ランド61bの-Y側に位置する。 The joining target portion 131 of the lower conductive terminal 13b is located on the lower side surface 60b of the wiring board 60 while being slightly separated from the lower side surface 60b. One main surface of the joining target portion 131 of the conductive terminal 13 b faces the lower side surface 60 b of the wiring board 60 . The joining target portion 131 of the conductive terminal 13b is positioned near the land 61b of the wiring board 60 and on the -Y side of the land 61b.

接続部分132は、例えば、細長い板状部分の一方の端部をL字状に曲げた形状を有している。導電端子13aの接続部分132は、当該導電端子13aの接合対象部130の-Y側端から-Z側に少し延びた後に+Y方向に沿って延在し、当該導電端子13aの接合対象部131の-Y側端と繋がっている。導電端子13bの接続部分132は、当該導電端子13bの接合対象部130の-Y側端から+Z側に少し延びた後に+Y方向に沿って延在し、当該導電端子13bの接合対象部131の-Y側端と繋がっている。 The connecting portion 132 has, for example, a shape obtained by bending one end of an elongated plate-like portion into an L shape. The connection portion 132 of the conductive terminal 13a extends along the +Y direction after slightly extending from the −Y side end of the joint target portion 130 of the conductive terminal 13a to the −Z side, and then extends along the +Y direction. is connected to the -Y side end of The connection portion 132 of the conductive terminal 13b extends along the +Y direction after slightly extending from the −Y side end of the joint target portion 130 of the conductive terminal 13b to the +Z side, and extends along the +Y direction. It is connected to the -Y side end.

なお、導電端子13に対して部材をはんだ接合しやすくするために、導電端子13は、その表面に、ニッケルめっきなどの金属めっきを有してもよい。 It should be noted that the conductive terminal 13 may have a metal plating such as nickel plating on its surface in order to facilitate soldering of members to the conductive terminal 13 .

<導電片の構成例>
複数の導電片14は、複数の導電端子13aがそれぞれ接合される複数の導電片14aと、複数の導電端子13bがそれぞれ接合される複数の導電片14bとを含む。各導電片14は、例えば、銅合金で構成されてもよいし、他の金属材料で構成されてもよい。
<Configuration example of conductive piece>
The plurality of conductive pieces 14 include a plurality of conductive pieces 14a to which the plurality of conductive terminals 13a are respectively joined, and a plurality of conductive pieces 14b to which the plurality of conductive terminals 13b are respectively joined. Each conductive piece 14 may be made of, for example, a copper alloy or other metal material.

図10~12等に示されるように、導電片14は、例えば、板状部材が2箇所で折れ曲げられた形状を有している。導電片14は、例えば、概ね、板状部材が一段階段状に折り曲げられた形状を有している。導電片14は曲げ導電片14ともいえる。導電片14の厚みは、例えば、導電端子13の厚みよりも小さい。導電片14aは、導電端子13aとランド61aとを電気的に接続するための部材である。導電片14bは、導電端子13bとランド61bとを電気的に接続するための部材である。導電片14は、ジャンパーチップとも呼ばれる。 As shown in FIGS. 10 to 12 and the like, the conductive piece 14 has, for example, a shape in which a plate-like member is bent at two points. The conductive piece 14, for example, generally has a shape in which a plate-like member is bent stepwise. The conductive piece 14 can also be called a bent conductive piece 14 . The thickness of the conductive piece 14 is smaller than the thickness of the conductive terminal 13, for example. The conductive piece 14a is a member for electrically connecting the conductive terminal 13a and the land 61a. The conductive piece 14b is a member for electrically connecting the conductive terminal 13b and the land 61b. Conductive piece 14 is also called a jumper chip.

導電片14aは、導電端子13aの接合対象部131から配線基板60のランド61aにかけて配置されている。導電片14aは、導電端子13aの接合対象部131上に位置する端子上部分を有する。導電片14aの端子上部分は、導電端子13aの接合対象部131に対してはんだ等の導電性接合材で接合される。導電片14aは、配線基板60のランド61a上に位置するランド上部分を有する。導電片14aのランド上部分は、ランド61aに対してはんだ等の導電性接合材で接合される。導電片14aは、端子上部分とランド上部分とを繋ぐ傾斜部を有する。導電片14aでは、端子上部分と傾斜部との境界で折れ曲がり、傾斜部とランド上部分との境界で折れ曲がっている。 The conductive piece 14 a is arranged from the bonding target portion 131 of the conductive terminal 13 a to the land 61 a of the wiring board 60 . The conductive piece 14a has a terminal upper portion located on the joining target portion 131 of the conductive terminal 13a. The terminal upper portion of the conductive piece 14a is joined to the joining target portion 131 of the conductive terminal 13a with a conductive joining material such as solder. Conductive piece 14 a has a land portion located on land 61 a of wiring board 60 . The land upper portion of the conductive piece 14a is joined to the land 61a with a conductive jointing material such as solder. The conductive piece 14a has an inclined portion connecting the terminal upper portion and the land upper portion. The conductive piece 14a is bent at the boundary between the terminal upper portion and the inclined portion, and is bent at the boundary between the inclined portion and the land upper portion.

導電片14bは、導電端子13bの接合対象部131から配線基板60のランド61bにかけて配置されている。導電片14bは、導電端子13bの接合対象部131上に位置する端子上部分を有する。導電片14bの端子上部分は、導電端子13bの接合対象部131に対してはんだ等の導電性接合材で接合される。導電片14bは、配線基板60のランド61b上に位置するランド上部分を有する。導電片14bのランド上部分は、ランド61bに対してはんだ等の導電性接合材で接合される。導電片14bは、端子上部分とランド上部分とを繋ぐ傾斜部を有する。導電片14bでは、端子上部分と傾斜部との境界で折れ曲がり、傾斜部とランド上部分との境界で折れ曲がっている。 The conductive piece 14 b is arranged from the joining target portion 131 of the conductive terminal 13 b to the land 61 b of the wiring board 60 . The conductive piece 14b has a terminal upper portion located on the joining target portion 131 of the conductive terminal 13b. The terminal upper portion of the conductive piece 14b is joined to the joining target portion 131 of the conductive terminal 13b with a conductive joining material such as solder. Conductive piece 14 b has a land portion located on land 61 b of wiring board 60 . The land upper portion of the conductive piece 14b is joined to the land 61b with a conductive jointing material such as solder. The conductive piece 14b has an inclined portion connecting the terminal upper portion and the land upper portion. The conductive piece 14b is bent at the boundary between the terminal upper portion and the inclined portion, and is bent at the boundary between the inclined portion and the land upper portion.

このように、本例では、曲げ導電片14が、導電端子13及び回路基板6のそれぞれに接合されて、導電端子13及び回路基板6を互いに電気的に接続する。これにより、導電端子13及び回路基板6の熱変形により導電端子13の接合部分及び回路基板6の接合部分にかかる熱応力を導電片14の曲げで緩和することができる。 Thus, in this example, the bent conductive piece 14 is joined to each of the conductive terminal 13 and the circuit board 6 to electrically connect the conductive terminal 13 and the circuit board 6 to each other. Thus, the bending of the conductive piece 14 can relax the thermal stress applied to the joint portion of the conductive terminal 13 and the joint portion of the circuit board 6 due to the thermal deformation of the conductive terminal 13 and the circuit board 6 .

<絶縁部材の構成例>
絶縁部材5は、例えば絶縁性樹脂で構成されている。絶縁部材5は、例えばPPS(Poly Phenylene Sulfide)樹脂で構成されてもよい。絶縁部材5は、例えば、バスバー2,3,4及び複数の導電端子13と一体成形されている。
<Configuration example of insulating member>
The insulating member 5 is made of, for example, an insulating resin. The insulating member 5 may be made of PPS (Poly Phenylene Sulfide) resin, for example. The insulating member 5 is formed integrally with the busbars 2, 3, 4 and the plurality of conductive terminals 13, for example.

絶縁部材5は、略枠状の絶縁部51と、バスバー2とバスバー4との間に位置する部分を有する絶縁部52aと、バスバー4とバスバー4との間に位置する部分を有する絶縁部52bとを備える。 The insulating member 5 includes a substantially frame-shaped insulating portion 51, an insulating portion 52a having a portion positioned between the busbars 2 and 4, and an insulating portion 52b having a portion positioned between the busbars 4 and 4. and

略枠状の絶縁部51は、バスバー2の本体部20、バスバー3の本体部30及び回路基板6の周囲を取り囲んでいる。絶縁部51は、Y方向に沿って延在し、かつ互いにX方向で対向する第1部分51a及び第2部分51bと、X方向に沿って延在し、かつY方向で互いに対向する第3部分51c及び第4部分51dとで構成されている。 A substantially frame-shaped insulating portion 51 surrounds the body portion 20 of the busbar 2 , the body portion 30 of the busbar 3 , and the circuit board 6 . The insulating portion 51 includes a first portion 51a and a second portion 51b extending along the Y direction and facing each other in the X direction, and a third portion 51a and a second portion 51b extending along the X direction and facing each other in the Y direction. It is composed of a portion 51c and a fourth portion 51d.

第1部分51aは、平板状であって、本体部20の第2部分22の-X側端面に沿って延在しており、当該端面に取り付けられている。第2部分51bは、平板状であって、本体部30の第2部分32の+X側端面に沿って延在しており、当該端面に取り付けられている。第3部分51cは、概ね平板状であって、バスバー4の接続部分41の内側の面に沿って延在しており、当該内側の面に取り付けられている。第4部分51dは、平板状であって、配線基板60の+Y側の端面に沿って延在している。 The first portion 51a has a flat plate shape, extends along the −X side end surface of the second portion 22 of the main body 20, and is attached to the end surface. The second portion 51b has a flat plate shape, extends along the +X side end face of the second portion 32 of the body portion 30, and is attached to the end face. The third portion 51c is generally flat, extends along the inner surface of the connecting portion 41 of the busbar 4, and is attached to the inner surface. The fourth portion 51d has a flat plate shape and extends along the +Y side end surface of the wiring board 60 .

図5に示されるように、第2部分51bには、Y方向に沿って延在するスリット55が設けられている。後述するように、回路構成体10が製造される場合、配線基板60がスリット55から略枠状の絶縁部51の内側に入れられる。 As shown in FIG. 5, the second portion 51b is provided with a slit 55 extending along the Y direction. As will be described later, when the circuit structure 10 is manufactured, the wiring substrate 60 is put inside the substantially frame-shaped insulating portion 51 through the slit 55 .

絶縁部52a及び52bは例えば概ね平板状である。絶縁部52a及び52bは、絶縁部52a及び52bは、Z方向において互いに対向するように、絶縁部51の第1部分51aから第2部分51bまで延びている。絶縁部52a及び52bの-Y側端は、絶縁部51の第3部分51cに繋がっている。絶縁部52a及び52bの+Y側の端面は、例えば、バスバー2の対向部分21の+Y側の端面及びバスバー3の対向部分31の+Y側の端面と同一平面上に位置する。絶縁部52aは配線基板60よりも+Z側に位置し、絶縁部52bは配線基板60よりも-Z側に位置する。 The insulating portions 52a and 52b are generally flat, for example. The insulating portions 52a and 52b extend from the first portion 51a to the second portion 51b of the insulating portion 51 so that the insulating portions 52a and 52b face each other in the Z direction. The −Y side ends of the insulating portions 52 a and 52 b are connected to the third portion 51 c of the insulating portion 51 . The +Y side end faces of the insulating portions 52 a and 52 b are located on the same plane as the +Y side end face of the facing portion 21 of the busbar 2 and the +Y side end face of the facing portion 31 of the busbar 3 , for example. The insulating portion 52a is located on the +Z side of the wiring substrate 60, and the insulating portion 52b is located on the −Z side of the wiring substrate 60. FIG.

上側の絶縁部52aは、バスバー2の対向部分21の-Z側の主面及びバスバー4の複数の上側接合対象部40aの-Z側の主面に沿って広がり、それらの主面に取り付けられた第1部分を有する。また、絶縁部52aは、バスバー2の対向部分21の-Y側の端面と、バスバー4の各上側接合対象部40aの+Y側の端面との間に位置する第2部分を有する。本例では、図10等に示されるように、MOSFET11aのパッケージは、対向部分21上だけではなく、絶縁部52aの第2部分上にも位置する。 The upper insulating portion 52a extends along the -Z side main surface of the facing portion 21 of the busbar 2 and the -Z side main surfaces of the plurality of upper parts to be joined 40a of the busbar 4, and is attached to these main surfaces. has a first portion. The insulating portion 52a has a second portion positioned between the -Y side end surface of the facing portion 21 of the busbar 2 and the +Y side end surface of each upper joint target portion 40a of the busbar 4 . In this example, as shown in FIG. 10 and the like, the package of the MOSFET 11a is positioned not only on the facing portion 21 but also on the second portion of the insulating portion 52a.

下側の絶縁部52bは、バスバー3の対向部分31の+Z側の主面及びバスバー4の複数の下側接合対象部40bの+Z側の主面に沿って広がり、それらの主面に取り付けられた第1部分を有する。また、絶縁部52bは、バスバー3の対向部分31の-Y側の端面と、バスバー4の各下側接合対象部40bの+Y側の端面との間に位置する第2部分を有する。本例では、図10等に示されるように、MOSFET11bのパッケージは、対向部分31上だけではなく、絶縁部52bの第2部分上にも位置する。 The lower insulating portion 52b spreads along the +Z side main surface of the facing portion 31 of the busbar 3 and the +Z side main surface of the plurality of lower joint target portions 40b of the busbar 4, and is attached to these main surfaces. has a first portion. The insulating portion 52b has a second portion positioned between the -Y side end surface of the facing portion 31 of the busbar 3 and the +Y side end surface of each lower joint target portion 40b of the busbar 4 . In this example, as shown in FIG. 10 and the like, the package of the MOSFET 11b is positioned not only on the facing portion 31 but also on the second portion of the insulating portion 52b.

図4,6,8等に示されるように、本例では、4個の導電端子13aのうち、最も+X側に位置する導電端子13a以外の3個の導電端子13aのそれぞれは、互いに隣り合う2つの上側接合対象部40aの間に位置する部分を有する。絶縁部材5は、互いに隣り合う2つの上側接合対象部40aの間に位置する部分を有する導電端子13aと当該2つの上側接合対象部40aとの間の電気絶縁を図るために、当該2つの上側接合対象部40aの間に位置する絶縁部を備える。この絶縁部は絶縁部51の第3部分51c及び絶縁部52aに含まれる。また、4個の導電端子13aのうち、最も+X側に位置する導電端子13aは、上側接合対象部40aの+X側端面と対向する部分を有する。絶縁部材5は、最も+X側に位置する導電端子13aと上側接合対象部40aとの間の電気絶縁を図るために、最も+X側に位置する導電端子13aと上側接合対象部40aの+X側端面との間に位置する絶縁部を有している。この絶縁部は絶縁部51の第3部分51c及び絶縁部52aに含まれる。 As shown in FIGS. 4, 6, 8, etc., in this example, among the four conductive terminals 13a, the three conductive terminals 13a other than the conductive terminal 13a located on the most +X side are adjacent to each other. It has a portion located between the two upper parts to be welded 40a. The insulating member 5 is provided to electrically insulate between the two upper parts to be joined 40a and the conductive terminal 13a having a portion positioned between the two upper parts to be joined 40a adjacent to each other. An insulating portion is provided between the joining target portions 40a. This insulating portion is included in the third portion 51c of the insulating portion 51 and the insulating portion 52a. Among the four conductive terminals 13a, the conductive terminal 13a located on the most +X side has a portion facing the +X side end surface of the upper joining target portion 40a. In order to achieve electrical insulation between the conductive terminal 13a located on the most +X side and the upper part to be joined 40a, the insulating member 5 is provided on the +X side end face of the conductive terminal 13a located on the most +X side and the upper part to be joined 40a. It has an insulating portion located between This insulating portion is included in the third portion 51c of the insulating portion 51 and the insulating portion 52a.

図5,7,8等に示されるように、本例では、4個の導電端子13bのそれぞれは、互いに隣り合う2つの下側接合対象部40bの間に位置する部分を有する。絶縁部材5は、互いに隣り合う2つの下側接合対象部40bの間に位置する部分を有する導電端子13bと当該2つの下側接合対象部40bとの間の電気絶縁を図るために、当該2つの下側接合対象部40bの間に位置する絶縁部を備えている。この絶縁部は絶縁部51の第3部分51c及び絶縁部52bに含まれる。 As shown in FIGS. 5, 7, 8, etc., in this example, each of the four conductive terminals 13b has a portion positioned between two adjacent lower bonding target portions 40b. In order to achieve electrical insulation between the conductive terminal 13b having a portion positioned between the two adjacent lower parts to be joined 40b and the two lower parts to be joined 40b, the insulating member 5 is provided between the two lower parts to be joined 40b. An insulating portion is provided between the two lower joining target portions 40b. This insulating portion is included in the third portion 51c of the insulating portion 51 and the insulating portion 52b.

絶縁部材5は、絶縁部51,52a,52b以外にも、複数の絶縁部50を備える。複数の絶縁部50は、複数のMOSFET11aにそれぞれ対応する複数の絶縁部50aと、複数のMOSFET11bにそれぞれ対応する複数の絶縁部50bとで構成されている。 The insulating member 5 includes a plurality of insulating portions 50 in addition to the insulating portions 51, 52a, and 52b. The plurality of insulating portions 50 are composed of a plurality of insulating portions 50a respectively corresponding to the plurality of MOSFETs 11a and a plurality of insulating portions 50b respectively corresponding to the plurality of MOSFETs 11b.

図14はMOSFET11aの周辺の一例を拡大して示す概略図である。絶縁部50aは、それに対応するMOSFET11aのゲート端子111と、当該ゲート端子111の隣のソース端子112との間に位置する。絶縁部50aは、ゲート端子111と当該ゲート端子111の隣のソース端子112との間の隙間に位置する部分を有する。絶縁部50aは、例えば薄い板状部分である。絶縁部50aは、絶縁部材5における、導電端子13aと上側接合対象部40aの+X側端面と間に位置する部分から+Z側に延びている。絶縁部50aにおける、導電端子13aの接合対象部130及び上側接合対象部40aの+Z側の面からの突出距離は、MOSFET11aのゲート端子111及びソース端子112の厚みよりも大きくなっている。当該突出距離は例えば1mm程度である。絶縁部50aは、例えば、ゲート端子111における導電端子13aに接合される先端部分111aと、ソース端子112における上側接合対象部40aに接合される先端部分112aとの間に位置する部分を有する。 FIG. 14 is a schematic diagram showing an enlarged example of the periphery of the MOSFET 11a. The insulating portion 50a is located between the corresponding gate terminal 111 of the MOSFET 11a and the source terminal 112 next to the gate terminal 111. As shown in FIG. The insulating portion 50 a has a portion located in a gap between the gate terminal 111 and the source terminal 112 adjacent to the gate terminal 111 . The insulating portion 50a is, for example, a thin plate-like portion. The insulating portion 50a extends to the +Z side from a portion of the insulating member 5 located between the conductive terminal 13a and the +X side end surface of the upper joining target portion 40a. In the insulating portion 50a, the projection distance of the conductive terminal 13a from the +Z side surface of the bonding target portion 130 and the upper bonding target portion 40a is larger than the thickness of the gate terminal 111 and the source terminal 112 of the MOSFET 11a. The protrusion distance is, for example, about 1 mm. The insulating portion 50a has, for example, a portion located between a tip portion 111a of the gate terminal 111 joined to the conductive terminal 13a and a tip portion 112a of the source terminal 112 joined to the upper joining target portion 40a.

絶縁部50bは、それに対応するMOSFET11bのゲート端子111と、当該ゲート端子111の隣のソース端子112との間に位置する。絶縁部50bは、ゲート端子111と当該ゲート端子111の隣のソース端子112との間の隙間に位置する部分を有する。絶縁部50bは例えば薄い板状部分である。絶縁部50bは、絶縁部材5における、導電端子13bと下側接合対象部40bの-X側端面と間に位置する部分から-Z側に延びている。絶縁部50bにおける、導電端子13bの接合対象部130及び下側接合対象部40bの-Z側の面からの突出距離は、MOSFET11bのゲート端子111及びソース端子112の厚みよりも大きくなっている。当該突出距離は例えば1mm程度である。絶縁部50bは、例えば、ゲート端子111における導電端子13bに接合される先端部分111aと、ソース端子112における下側接合対象部40bに接合される先端部分112aとの間に位置する部分を有する。 The insulating portion 50b is located between the corresponding gate terminal 111 of the MOSFET 11b and the source terminal 112 next to the gate terminal 111. As shown in FIG. The insulating portion 50b has a portion located in the gap between the gate terminal 111 and the source terminal 112 adjacent to the gate terminal 111 . The insulating portion 50b is, for example, a thin plate-like portion. The insulating portion 50b extends to the -Z side from a portion of the insulating member 5 located between the conductive terminal 13b and the -X side end surface of the lower joining target portion 40b. The projection distance of the insulating portion 50b from the -Z side surfaces of the bonding target portion 130 of the conductive terminal 13b and the lower bonding target portion 40b is larger than the thickness of the gate terminal 111 and the source terminal 112 of the MOSFET 11b. The protrusion distance is, for example, about 1 mm. The insulating portion 50b has, for example, a portion positioned between a tip portion 111a of the gate terminal 111 joined to the conductive terminal 13b and a tip portion 112a of the source terminal 112 joined to the lower joining target portion 40b.

ここで、本例とは異なり、回路構成体10が絶縁部50を備えていない場合を考える。この場合、ゲート端子111と、その隣のソース端子112との間に、それらを接合対象部に接合するためのはんだ等の導電性接合材が流れて、ゲート端子111と、その隣のソース端子112とが導電性接合材で短絡する可能性がある。また、MOSFET11のゲート端子111、ソース端子112及びドレイン端子113が、例えばリフロー方式ではんだ付けされる場合、ゲート端子111とソース端子112との間にはんだが流れてMOSFET11の位置が変化し、ゲート端子111及びソース端子112の位置がずれる可能性がある。 Here, unlike this example, consider a case where the circuit structure 10 does not include the insulating portion 50 . In this case, a conductive bonding material, such as solder, flows between the gate terminal 111 and the adjacent source terminal 112 to bond them to the bonding target portion. 112 may be short-circuited by the conductive bonding material. Further, when the gate terminal 111, the source terminal 112 and the drain terminal 113 of the MOSFET 11 are soldered by, for example, a reflow method, the solder flows between the gate terminal 111 and the source terminal 112 to change the position of the MOSFET 11 and the gate. The positions of the terminal 111 and the source terminal 112 may shift.

本例では、ゲート端子111とその隣のソース端子112との間に絶縁部50が位置することから、はんだ等の導電性接合材によって、ゲート端子111とソース端子112とが短絡する可能性が低減する。さらに、ゲート端子111及びソース端子112の間に位置する絶縁部50によって、ゲート端子111及びソース端子112の位置が規制されることから、ゲート端子111及びソース端子112を接合対象部に接合する際にゲート端子111及びソース端子112の位置がずれにくくなる。 In this example, since the insulating portion 50 is positioned between the gate terminal 111 and the adjacent source terminal 112, there is a possibility that the gate terminal 111 and the source terminal 112 will be short-circuited by a conductive bonding material such as solder. Reduce. Furthermore, since the positions of the gate terminal 111 and the source terminal 112 are regulated by the insulating portion 50 positioned between the gate terminal 111 and the source terminal 112, when the gate terminal 111 and the source terminal 112 are bonded to the bonding target portion, As a result, the positions of the gate terminal 111 and the source terminal 112 are less likely to shift.

<回路構成体の製造方法の一例>
以上のような構成を備える回路構成体10が製造される場合には、まず、バスバー材に対して例えば冷間圧造あるいは切削加工等が行われて、バスバー2,3,4が作製される。また、金属板に対して例えばプレス加工が行われて、複数の導電端子13が作製される。作製されたバスバー2,3,4及び導電端子13の表面には、例えば電気めっき法あるいは化学的析出法により、ニッケルめっきなどの金属めっきが形成されてもよい。
<An example of a method for manufacturing a circuit structure>
When the circuit assembly 10 having the above configuration is manufactured, first, the busbar material is subjected to, for example, cold forging, cutting, or the like, so that the busbars 2, 3, and 4 are manufactured. Further, for example, the metal plate is press-worked to produce a plurality of conductive terminals 13 . Metal plating such as nickel plating may be formed on the surfaces of the fabricated busbars 2, 3, 4 and conductive terminals 13 by, for example, an electroplating method or a chemical deposition method.

次に、図15に示されるように、インサート成形用金型内にバスバー2,3,4及び複数の導電端子13が配置される。図15では、インサート成形用金型の図示が省略されている。そして、PPS樹脂等の耐熱性に優れた熱可塑性樹脂が射出成形機からインサート成形用金型に射出されて、バスバー2,3,4及び複数の導電端子13と樹脂とが一体成形される。これにより、図16に示されるように、バスバー2,3,4及び複数の導電端子13と絶縁部材5とが一体成形された一体成形品が得られる。図17は絶縁部材5が備える絶縁部50aの周辺の一例を拡大して示す概略図である。 Next, as shown in FIG. 15, the busbars 2, 3, 4 and the plurality of conductive terminals 13 are placed in the insert molding die. In FIG. 15, the illustration of the insert molding die is omitted. Then, a thermoplastic resin having excellent heat resistance such as PPS resin is injected from an injection molding machine into an insert molding die to integrally mold the busbars 2, 3, 4 and the plurality of conductive terminals 13 with the resin. As a result, as shown in FIG. 16, an integrally molded product is obtained in which the busbars 2, 3, 4, the plurality of conductive terminals 13, and the insulating member 5 are integrally molded. FIG. 17 is a schematic diagram showing an enlarged example of the periphery of the insulating portion 50a provided in the insulating member 5. As shown in FIG.

次に、図18に示されるように、絶縁部材5の略枠状の絶縁部51の第2部分51bに設けられたスリット55(図5参照)から、配線基板60が絶縁部51の内側に入れられて絶縁部材5に装着される。これにより、図19に示されるように、バスバー2,3,4及び複数の導電端子13と絶縁部材5とが一体成形された一体成形品に配線基板60が取り付けられる。絶縁部51の内側の面には、配線基板60が所定の位置に配置されるようにガイド溝が形成されている。配線基板60の外周縁はガイド溝によって保持される。 Next, as shown in FIG. 18, the wiring substrate 60 is inserted into the insulating portion 51 through the slit 55 (see FIG. 5) provided in the second portion 51b of the substantially frame-shaped insulating portion 51 of the insulating member 5. It is put in and attached to the insulating member 5 . As a result, as shown in FIG. 19, the wiring board 60 is attached to the integrally molded product in which the busbars 2, 3, 4, the plurality of conductive terminals 13, and the insulating member 5 are integrally molded. A guide groove is formed on the inner surface of the insulating portion 51 so that the wiring board 60 is arranged at a predetermined position. The outer peripheral edge of the wiring board 60 is held by the guide groove.

次に、図20に示されるように、バスバー2の対向部分21の所定領域、バスバー4の各上側接合対象部40aの所定領域、各導電端子13aの所定領域及び配線基板60の上側面60aの所定領域(各ランド61a等)に対してはんだペースト1000が塗布される。はんだペースト1000の塗布には、例えば、定量吐出装置(ディスペンサともいう)が使用される。図20では、はんだペースト1000が斜線で示されている。そして、はんだペースト1000が塗布された領域に対して、例えば表面実装機(チップマウンタともいう)が使用されて、複数のMOSFET11a、ツェナーダイオード12a及び複数の導電片14aが搭載されて、その後、リフロー方式ではんだ付けされる。このとき、絶縁部50aの働きにより、MOSFET11aのゲート端子111とその隣のソース端子112とが短絡しにくくなる。また、MOSFET11aの位置がずれにくくなる。 Next, as shown in FIG. 20, a predetermined region of the facing portion 21 of the busbar 2, a predetermined region of each upper bonding target portion 40a of the busbar 4, a predetermined region of each conductive terminal 13a, and an upper surface 60a of the wiring board 60 are connected. A solder paste 1000 is applied to a predetermined area (each land 61a, etc.). For application of the solder paste 1000, for example, a metered discharge device (also referred to as a dispenser) is used. In FIG. 20, the solder paste 1000 is hatched. A plurality of MOSFETs 11a, Zener diodes 12a, and a plurality of conductive pieces 14a are mounted on the area to which the solder paste 1000 is applied, for example, using a surface mounter (also called a chip mounter). Soldered by method. At this time, due to the function of the insulating portion 50a, short-circuiting between the gate terminal 111 of the MOSFET 11a and the adjacent source terminal 112 is prevented. Further, the position of the MOSFET 11a is less likely to shift.

次に、図21に示されるように、バスバー3の対向部分31の所定領域、バスバー4の各下側接合対象部40bの所定領域、各導電端子13bの所定領域及び配線基板60の下側面60bの所定領域(複数のランド61b、複数のランド66b及び複数のランド67b等)に対してはんだペースト1000が塗布される。図21では、はんだペースト1000が斜線で示されている。そして、はんだペースト1000が塗布された領域に対して、複数のMOSFET11b、ツェナーダイオード12b、複数の導電片14b、コネクタ65及びマイクロコンピュータ62がリフロー方式ではんだ付けされる。このとき、絶縁部50bの働きにより、MOSFET11bのゲート端子111とその隣のソース端子112とが短絡しにくくなる。また、MOSFET11bの位置がずれにくくなる。なお、図20では、マイクロコンピュータ62の図示を省略している。 Next, as shown in FIG. 21, a predetermined area of the facing portion 31 of the busbar 3, a predetermined area of each lower bonding target portion 40b of the busbar 4, a predetermined area of each conductive terminal 13b, and a lower surface 60b of the wiring board 60 are connected to each other. solder paste 1000 is applied to predetermined areas of (a plurality of lands 61b, a plurality of lands 66b, a plurality of lands 67b, etc.). In FIG. 21, the solder paste 1000 is hatched. Then, a plurality of MOSFETs 11b, a Zener diode 12b, a plurality of conductive pieces 14b, a connector 65, and a microcomputer 62 are soldered to the area to which the solder paste 1000 is applied by reflow. At this time, due to the function of the insulating portion 50b, short-circuiting between the gate terminal 111 of the MOSFET 11b and the adjacent source terminal 112 is prevented. Also, the position of the MOSFET 11b is less likely to shift. 20, illustration of the microcomputer 62 is omitted.

以上のようにして、図4~12に示される回路構成体10が製造される。なお、図22に示されるように、絶縁部材5の作製前に準備された絶縁部50が各導電端子13に固定された後、絶縁部材5が、インサート成形によって、バスバー2,3,4、複数の導電端子13及び複数の絶縁部50と一体成形されてもよい。図22の例では、絶縁部50は、板状部材を折り曲げた形状を有している。絶縁部50は、例えば、ゲート端子111とソース端子112の間に配置される板状の第1部分510と、導電端子13に固定される板状の第2部分520とを備える。第2部分520は、導電端子13の接合対象部130の内側の面に固定される。絶縁部50は、例えば、樹脂で構成されてもよいし、セラミックで構成されてもよい。絶縁部50は、絶縁部材5と同じ材料で構成されてもよいし、異なる材料で構成されてもよい。 As described above, the circuit structure 10 shown in FIGS. 4 to 12 is manufactured. Note that, as shown in FIG. 22, after the insulating portions 50 prepared before manufacturing the insulating member 5 are fixed to the respective conductive terminals 13, the insulating member 5 is formed by insert molding into the bus bars 2, 3, 4, . It may be integrally molded with the plurality of conductive terminals 13 and the plurality of insulating portions 50 . In the example of FIG. 22, the insulating portion 50 has a shape obtained by bending a plate-like member. The insulating section 50 includes, for example, a plate-shaped first portion 510 arranged between the gate terminal 111 and the source terminal 112 and a plate-shaped second portion 520 fixed to the conductive terminal 13 . The second portion 520 is fixed to the inner surface of the joining target portion 130 of the conductive terminal 13 . The insulating portion 50 may be made of resin, or may be made of ceramic, for example. The insulating portion 50 may be made of the same material as the insulating member 5, or may be made of a different material.

<ケース及び放熱部材の構成例>
図23は、上述の図1に示される矢視D-Dの断面構造の一例を示す図である。図24は、図23において破線で囲まれた部分を拡大して示す概略図である。図25は、ケース70から放熱部材80a及び80bを取り外した様子の一例を示す概略斜視図である。図26は、ケース70から回路構成体10を取り出した様子の一例を示す概略斜視図である。
<Configuration example of case and heat dissipation member>
FIG. 23 is a diagram showing an example of a cross-sectional structure taken along line DD shown in FIG. 1 described above. FIG. 24 is a schematic diagram showing an enlarged portion surrounded by a dashed line in FIG. FIG. 25 is a schematic perspective view showing an example of how the heat radiating members 80a and 80b are removed from the case 70. As shown in FIG. FIG. 26 is a schematic perspective view showing an example of how the circuit structure 10 is removed from the case 70. FIG.

図1~3,23~26等に示されるように、ケース70は、例えば直方体をなしている。ケース70は、例えば、上壁部710と、下壁部720と、上壁部710及び下壁部720を繋ぐ枠状の側壁部730とで構成されている。回路構成体10の入力端子部23及び出力端子部33は、側壁部730の+Y側部分からケース70の外側に延出している。また、コネクタ65の一部も、側壁部730の+Y側部分からケース70の外側に延出している。放熱部材80aは上壁部710に固定され、放熱部材80bは下壁部720に固定される。ケース70は、例えば樹脂で構成されている、ケース70は、例えば、PPS樹脂で構成されてもよいし、PBT(Poly Butylene Terephthalate)樹脂で構成されてもよい。 As shown in FIGS. 1 to 3, 23 to 26, etc., the case 70 is, for example, a rectangular parallelepiped. The case 70 includes, for example, an upper wall portion 710 , a lower wall portion 720 , and a frame-shaped side wall portion 730 connecting the upper wall portion 710 and the lower wall portion 720 . The input terminal portion 23 and the output terminal portion 33 of the circuit structure 10 extend outside the case 70 from the +Y side portion of the side wall portion 730 . A portion of the connector 65 also extends outside the case 70 from the +Y side portion of the side wall portion 730 . The heat radiating member 80 a is fixed to the upper wall portion 710 and the heat radiating member 80 b is fixed to the lower wall portion 720 . The case 70 is made of resin, for example. The case 70 may be made of PPS resin or PBT (Poly Butylene Terephthalate) resin.

上壁部710には、その厚み方向に貫通する複数の貫通孔711が設けられている。複数の貫通孔711は、例えばX方向に沿って一列に並んでいる。下壁部720には、その厚み方向に貫通する複数の貫通孔721が設けられている。複数の貫通孔721は、例えばX方向に沿って一列に並んでいる。 The upper wall portion 710 is provided with a plurality of through holes 711 penetrating in its thickness direction. The plurality of through holes 711 are arranged in a row along the X direction, for example. The lower wall portion 720 is provided with a plurality of through holes 721 penetrating in its thickness direction. The plurality of through holes 721 are arranged in a row along the X direction, for example.

各放熱部材80は、例えば、ケース70の外表面に固定される板状の固定部800と、当該固定部800から突出する複数の挿入部810とを有する。固定部800は、ケース70の外表面上に位置する。複数の挿入部810は、固定部800のケース70側の主面(言い換えれば内側の主面)に設けられている。各挿入部810は、例えば円柱状をなしている。 Each heat radiating member 80 has, for example, a plate-like fixing portion 800 fixed to the outer surface of the case 70 and a plurality of insertion portions 810 protruding from the fixing portion 800 . The fixing part 800 is located on the outer surface of the case 70 . The plurality of insertion portions 810 are provided on the main surface of the fixed portion 800 on the case 70 side (in other words, the inner main surface). Each insertion portion 810 has a cylindrical shape, for example.

放熱部材80aの固定部800は、ケース70の上壁部710の外表面に固定され、放熱部材80bの固定部800は、ケース70の下壁部720の外表面に固定される。放熱部材80aの複数の挿入部810は、上壁部710の複数の貫通孔711にそれぞれ挿入される。放熱部材80bの複数の挿入部810は、下壁部720の複数の貫通孔721にそれぞれ挿入される。放熱部材80は、例えば、アルミニウム系合金で構成されてもよいし、他の金属材料で構成されてもよいし、金属材料以外の材料で構成されてもよい。 The fixed portion 800 of the heat radiating member 80 a is fixed to the outer surface of the upper wall portion 710 of the case 70 , and the fixed portion 800 of the heat radiating member 80 b is fixed to the outer surface of the lower wall portion 720 of the case 70 . The plurality of insertion portions 810 of the heat radiating member 80a are inserted into the plurality of through holes 711 of the upper wall portion 710, respectively. The plurality of insertion portions 810 of the heat radiating member 80b are inserted into the plurality of through holes 721 of the lower wall portion 720, respectively. The heat dissipation member 80 may be made of, for example, an aluminum-based alloy, may be made of another metal material, or may be made of a material other than a metal material.

放熱部材80には複数の絶縁部材90が取り付けられる。放熱部材80の各挿入部810の先端面には、絶縁部材90が取り付けられる取付部820が設けられている。 A plurality of insulating members 90 are attached to the heat radiating member 80 . A mounting portion 820 to which the insulating member 90 is mounted is provided on the distal end surface of each insertion portion 810 of the heat radiating member 80 .

図27は、取付部820に絶縁部材90が取り付けられる様子の一例を示す概略斜視図である。図28は、放熱部材80と、当該放熱部材80の取付部820に取り付けられた絶縁部材90との断面構造の一例を示す概略図である。 27 is a schematic perspective view showing an example of how the insulating member 90 is attached to the attachment portion 820. FIG. FIG. 28 is a schematic diagram showing an example of a cross-sectional structure of the heat radiating member 80 and the insulating member 90 attached to the mounting portion 820 of the heat radiating member 80. As shown in FIG.

取付部820は、例えば円板状をなしている。取付部820は、高さの低い円柱状をなしているともいえる。取付部820は、挿入部810の先端面(言い換えれば先端の円形面)から突出しており、突起部であるともいえる。円板状の取付部820の径は、円柱状の挿入部810の径よりも小さくなっている。取付部820の中心軸と挿入部810の中心軸とは一致している。放熱部材80では、取付部820の周囲は一段低くなっている。取付部820の表面は、円形の主面821と、当該主面821の周縁に繋がる円環状の周端面822とを有する。 The mounting portion 820 has, for example, a disc shape. It can also be said that the mounting portion 820 has a low columnar shape. The mounting portion 820 protrudes from the distal end surface of the insertion portion 810 (in other words, the circular surface at the distal end), and can be said to be a protrusion. The diameter of the disk-shaped mounting portion 820 is smaller than the diameter of the cylindrical insertion portion 810 . The central axis of the attachment portion 820 and the central axis of the insertion portion 810 are aligned. In the heat radiating member 80, the periphery of the mounting portion 820 is one step lower. The surface of the mounting portion 820 has a circular principal surface 821 and an annular peripheral end surface 822 connected to the periphery of the principal surface 821 .

絶縁部材90は、例えば円環状をなしている。絶縁部材90は、例えば、PPS樹脂で構成されてもよいし、他の種類の樹脂で構成されてもよいし、樹脂以外の絶縁材料で構成されてもよい。円環状の絶縁部材90は、取付部820の周端面822を取り囲みつつ当該周端面822と接触するように取付部820に嵌められる。円環状の絶縁部材90の内径は、円板状の取付部820の径よりも若干小さくなっていることから、取付部820に嵌められた絶縁部材90は当該取付部820から外れにくくなっている。絶縁部材90の外径は、例えば、円柱状の挿入部810の径と同じとなっている。これにより、絶縁部材90が取付部820に嵌められた場合、絶縁部材90は挿入部810よりも外側に突出しないようになっている。円環状の絶縁部材90の高さは、円板状の取付部820の高さよりも少し大きくなっている。絶縁部材90は、取付部820の主面821の周縁を取り囲みつつ、当該主面821よりも突出する環状突出部900を有する。取付部820の主面821と、取付部820に取り付けられた絶縁部材90の環状突出部900とで凹部93が構成される。凹部93の周壁部は環状突出部900で構成され、凹部93の底面は主面821で構成される。 The insulating member 90 has, for example, an annular shape. The insulating member 90 may be made of, for example, PPS resin, may be made of another type of resin, or may be made of an insulating material other than resin. The annular insulating member 90 is fitted to the mounting portion 820 so as to surround the peripheral end surface 822 of the mounting portion 820 and come into contact with the peripheral end surface 822 . Since the inner diameter of the annular insulating member 90 is slightly smaller than the diameter of the disk-shaped mounting portion 820, the insulating member 90 fitted in the mounting portion 820 is less likely to come off from the mounting portion 820. . The outer diameter of the insulating member 90 is, for example, the same as the diameter of the cylindrical insertion portion 810 . Accordingly, when the insulating member 90 is fitted into the mounting portion 820 , the insulating member 90 does not protrude beyond the insertion portion 810 . The height of the annular insulating member 90 is slightly larger than the height of the disk-shaped mounting portion 820 . The insulating member 90 has an annular protruding portion 900 that surrounds the periphery of the main surface 821 of the mounting portion 820 and protrudes beyond the main surface 821 . A concave portion 93 is formed by the main surface 821 of the mounting portion 820 and the annular projecting portion 900 of the insulating member 90 mounted on the mounting portion 820 . The peripheral wall portion of the recessed portion 93 is composed of the annular projecting portion 900 , and the bottom surface of the recessed portion 93 is composed of the main surface 821 .

本例では、回路装置1は、複数のMOSFET11にそれぞれ対応する複数の熱伝導材95を備える。複数の熱伝導材95は、上側の複数のMOSFET11aにそれぞれ対応する複数の熱伝導材95aと、下側の複数のMOSFET11bにそれぞれ対応する複数の熱伝導材95bとを含む。熱伝導材95は、例えば放熱グリスで構成される。この放熱グリスとしては、例えば、熱伝導率が2W/m・K以上であって、粘度が50~500Pa・sである熱伝導性シリコーングリスが採用される。熱伝導材95は、熱伝導性シートで構成されてもよいし、他の種類のサーマル・インタフェース・マテリアル(TIM)で構成されてもよい。 In this example, the circuit device 1 includes a plurality of heat conductive materials 95 corresponding to the plurality of MOSFETs 11 respectively. The multiple thermal conductive materials 95 include multiple thermal conductive materials 95a respectively corresponding to the multiple upper MOSFETs 11a and multiple thermal conductive materials 95b respectively corresponding to the multiple lower MOSFETs 11b. The thermally conductive material 95 is composed of heat dissipation grease, for example. As the heat dissipation grease, for example, thermally conductive silicone grease having a thermal conductivity of 2 W/m·K or more and a viscosity of 50 to 500 Pa·s is used. The thermally conductive material 95 may be composed of a thermally conductive sheet, or may be composed of other types of thermal interface materials (TIMs).

複数の熱伝導材95aは、例えば、バスバー2の対向部分21の外側面211上に、X方向に沿って一列に配置される。複数の熱伝導材95bは、例えば、バスバー3の対向部分31の外側面311上に、X方向に沿って一列に配置される(図26参照)。熱伝導材95は、例えば、それに対応するMOSFET11の周囲に配置される。熱伝導材95aは、例えば、それに対応するMOSFET11aのドレイン端子113の近傍であって、当該ドレイン端子113の+Y側に配置される。熱伝導材95bは、例えば、それに対応するMOSFET11bのドレイン端子113の近傍であって、当該ドレイン端子113の+Y側に配置される。 The plurality of thermally conductive members 95a are arranged in a row along the X direction, for example, on the outer surface 211 of the facing portion 21 of the busbar 2 . The plurality of thermally conductive members 95b are arranged in a row along the X direction, for example, on the outer surface 311 of the facing portion 31 of the busbar 3 (see FIG. 26). The thermally conductive material 95 is arranged, for example, around the corresponding MOSFET 11 . The thermally conductive material 95a is arranged, for example, near the drain terminal 113 of the corresponding MOSFET 11a and on the +Y side of the drain terminal 113 . The thermally conductive material 95b is arranged, for example, near the drain terminal 113 of the corresponding MOSFET 11b and on the +Y side of the drain terminal 113. As shown in FIG.

ケース70の上壁部710の複数の貫通孔711は、複数の熱伝導材95aの真上にそれぞれ位置する。複数の貫通孔711に、放熱部材80aの複数の挿入部810がそれぞれ挿入された場合、放熱部材80aの複数の取付部820の主面821が複数の熱伝導材95aにそれぞれ接触する。また、放熱部材80aの取付部820に取り付けられた絶縁部材90は、例えば、バスバー2の対向部分21の外側面211と接触する。取付部820の主面821(言い換えれば、熱伝導材95aと接触する接触面821)と、当該取付部82に取り付けられた絶縁部材90の環状突出部900とで構成された凹部93内は、熱伝導材95aで充填される。熱伝導材95aは凹部93内を充填する充填部分を有する。なお、熱伝導材95aは、凹部93内に位置せずに環状突出部900の外側に位置する部分を有してよい。 A plurality of through-holes 711 of an upper wall portion 710 of the case 70 are located directly above the plurality of heat conductive members 95a. When the plurality of insertion portions 810 of the heat dissipation member 80a are respectively inserted into the plurality of through holes 711, the main surfaces 821 of the plurality of mounting portions 820 of the heat dissipation member 80a come into contact with the plurality of heat conducting members 95a. Also, the insulating member 90 attached to the attachment portion 820 of the heat radiating member 80a contacts the outer surface 211 of the facing portion 21 of the busbar 2, for example. The interior of the recess 93, which is configured by the main surface 821 of the mounting portion 820 (in other words, the contact surface 821 that contacts the heat conductive material 95a) and the annular projecting portion 900 of the insulating member 90 attached to the mounting portion 82, It is filled with a thermally conductive material 95a. The thermally conductive material 95 a has a filling portion that fills the recess 93 . Note that the heat conducting material 95 a may have a portion that is not positioned inside the recess 93 but is positioned outside the annular projecting portion 900 .

ケース70の下壁部720の複数の貫通孔721は、複数の熱伝導材95bの真上にそれぞれ位置する。複数の貫通孔721に、放熱部材80bの複数の挿入部810がそれぞれ挿入された場合、放熱部材80bの複数の取付部820の主面821が複数の熱伝導材95bにそれぞれ接触する。また、放熱部材80bの取付部820に取り付けられた絶縁部材90は、例えば、バスバー3の対向部分31の外側面311と接触する。取付部820の主面821(言い換えれば、熱伝導材95aと接触する接触面821)と、当該取付部82に取り付けられた絶縁部材90の環状突出部900とで構成された凹部93内は、熱伝導材95bで充填される。熱伝導材95bは凹部93内を充填する充填部分を有する。なお、熱伝導材95bは、凹部93内に位置せずに環状突出部900の外側に位置する部分を有してよい。 A plurality of through-holes 721 of a lower wall portion 720 of the case 70 are located directly above the plurality of heat conductive members 95b. When the insertion portions 810 of the heat dissipation member 80b are inserted into the through holes 721, the main surfaces 821 of the attachment portions 820 of the heat dissipation member 80b come into contact with the thermal conductors 95b. Also, the insulating member 90 attached to the attachment portion 820 of the heat radiating member 80b contacts the outer surface 311 of the facing portion 31 of the bus bar 3, for example. The interior of the recess 93, which is configured by the main surface 821 of the mounting portion 820 (in other words, the contact surface 821 that contacts the heat conductive material 95a) and the annular projecting portion 900 of the insulating member 90 attached to the mounting portion 82, It is filled with a heat conductive material 95b. The thermally conductive material 95 b has a filling portion that fills the recess 93 . Note that the heat conducting material 95 b may have a portion that is not positioned inside the recess 93 but is positioned outside the annular projecting portion 900 .

図29は、MOSFET11が発する熱の伝熱経路の一例を示す概略図である。図29の矢印990aはMOSFET11aが発する熱の伝熱経路を示している。図29の矢印990bは、MOSFET11bが発する熱の伝熱経路を示している。 FIG. 29 is a schematic diagram showing an example of a heat transfer path of heat generated by the MOSFET 11. As shown in FIG. An arrow 990a in FIG. 29 indicates a heat transfer path of heat generated by the MOSFET 11a. An arrow 990b in FIG. 29 indicates a heat transfer path of heat generated by the MOSFET 11b.

矢印990aに示されるように、MOSFET11aが発する熱は、バスバー2の対向部分21、熱伝導材95a、放熱部材80aの取付部820、放熱部材80aの挿入部810及び放熱部材80aの固定部800を順に伝わって、回路装置1の外部に放出される。 As indicated by an arrow 990a, the heat generated by the MOSFET 11a passes through the facing portion 21 of the busbar 2, the heat conductive material 95a, the mounting portion 820 of the heat radiating member 80a, the insertion portion 810 of the heat radiating member 80a, and the fixed portion 800 of the heat radiating member 80a. It is transmitted in order and released to the outside of the circuit device 1 .

一方で、MOSFET11bが発する熱は、矢印990bに示されるように、バスバー3の対向部分31、熱伝導材95b、放熱部材80bの取付部820、放熱部材80bの挿入部810及び放熱部材80bの固定部800を順に伝わって、回路装置1の外部に放出される。 On the other hand, the heat generated by the MOSFET 11b is, as indicated by an arrow 990b, transferred to the facing portion 31 of the busbar 3, the heat conductive material 95b, the mounting portion 820 of the heat radiating member 80b, the insertion portion 810 of the heat radiating member 80b, and the fixing of the heat radiating member 80b. It is transmitted through the portion 800 in order and emitted to the outside of the circuit device 1 .

上記のようにして回路構成体10が製造された後、バスバー2の対向部分21の外側面211に複数の熱伝導材95aが塗布され、バスバー3の対向部分31の外側面311に複数の熱伝導材95bが塗布される。その後、回路構成体10がケース70内に収容された後、複数の絶縁部材90が取り付けられた放熱部材80aと、複数の絶縁部材90が取り付けられた放熱部材80bとがケース70に取り付けられる。このとき、放熱部材80と、それに取り付けられた複数の絶縁部材90とで構成される複数の凹部93内は熱伝導材95で充填される。これにより、図1~3に示される回路装置1が完成する。なお、防水のために、ケース70に放熱部材80a及び80bを取り付けた後、ケース70内に樹脂等からなるポッティング剤を充填し、その後、当該ポッティング剤を硬化させてもよい。 After the circuit structure 10 is manufactured as described above, a plurality of heat conductive materials 95 a are applied to the outer surface 211 of the facing portion 21 of the busbar 2 , and a plurality of heat conductive materials 95 a are applied to the outer surface 311 of the facing portion 31 of the busbar 3 . A conductive material 95b is applied. After that, after the circuit structure 10 is housed in the case 70 , the heat dissipation member 80 a to which the plurality of insulating members 90 are attached and the heat dissipation member 80 b to which the plurality of insulating members 90 are attached are attached to the case 70 . At this time, the insides of the plurality of recesses 93 formed by the heat radiating member 80 and the plurality of insulating members 90 attached thereto are filled with the heat conducting material 95 . Thus, the circuit device 1 shown in FIGS. 1 to 3 is completed. For waterproofing, after attaching the heat radiating members 80a and 80b to the case 70, the case 70 may be filled with a potting agent made of resin or the like, and then the potting agent may be cured.

このように、本例では、MOSFET11aはバスバー2の対向部分21に搭載され、MOSFET11bはバスバー3の対向部分31に搭載されている。つまり、MOSFET11a及びMOSFET11bは、互いに対向する対向部分21及び対向部分31にそれぞれ搭載されている。これにより、対向部分21側(言い換えれば+Z側)からあるいは対向部分31側(言い換えれば-Z側)から見た場合の回路装置1の平面サイズを小さくすることができる。つまり、回路装置1の小型化を図ることができる。 Thus, in this example, the MOSFET 11a is mounted on the facing portion 21 of the busbar 2, and the MOSFET 11b is mounted on the facing portion 31 of the busbar 3. FIG. That is, the MOSFET 11a and the MOSFET 11b are mounted on the opposing portion 21 and the opposing portion 31, respectively. This makes it possible to reduce the planar size of the circuit device 1 when viewed from the facing portion 21 side (in other words, the +Z side) or from the facing portion 31 side (in other words, the -Z side). That is, the size of the circuit device 1 can be reduced.

また、本例では、MOSFET11aが発する熱は、バスバー2の対向部分21を通じて放熱部材80aに伝わり、放熱部材80aから外部に放出される。また、MOSFET11bが発する熱は、バスバー3の対向部分31を通じて放熱部材80bに伝わり、放熱部材80bから外部に放出される。ここで、対向部分21側(言い換えれば+Z側)から対向部分31側(言い換えれば-Z側)を見た場合、配線基板60は、対向部分21よりも奥側に位置し、かつ対向部分31よりも手前側に位置する。そして、MOSFET11aは、対向部分21において、対向部分31側の内側面212とは反対側の外側面211に搭載され、MOSFET11bは、対向部分31において、対向部分21側の内側面312とは反対側の外側面311に搭載されている。したがって、配線基板60は、対向部分21に対してMOSFET11aとは反対側に位置するとともに、対向部分31に対してMOSFET11bとは反対側に位置する。よって、配線基板60は、MOSFET11aが発する熱の影響も、MOSFET11bが発する熱の影響も受けにくくなる(図29の矢印990a及び990b参照)。よって、回路基板6の信頼性が向上する。 Further, in this example, the heat generated by the MOSFET 11a is transferred to the heat dissipation member 80a through the facing portion 21 of the busbar 2, and is released to the outside from the heat dissipation member 80a. Further, the heat generated by the MOSFET 11b is transferred to the heat dissipation member 80b through the facing portion 31 of the bus bar 3, and released to the outside from the heat dissipation member 80b. Here, when viewed from the facing portion 21 side (in other words, +Z side) to the facing portion 31 side (in other words, −Z side), the wiring substrate 60 is located on the back side of the facing portion 21 and located in front of the The MOSFET 11a is mounted on the outer side surface 211 of the opposing portion 21 opposite to the inner side surface 212 on the side of the opposing portion 31, and the MOSFET 11b is mounted on the side of the opposing portion 31 opposite to the inner side surface 312 on the side of the opposing portion 21. is mounted on the outer surface 311 of the Therefore, wiring substrate 60 is located on the opposite side of opposing portion 21 from MOSFET 11a and on the opposite side of opposing portion 31 from MOSFET 11b. Therefore, the wiring substrate 60 is less susceptible to the heat generated by the MOSFET 11a and the heat generated by the MOSFET 11b (see arrows 990a and 990b in FIG. 29). Therefore, the reliability of the circuit board 6 is improved.

また、本例では、放熱部材80a及び放熱部材80bのそれぞれは、ケース70の外表面上に位置する部分(上記の例では固定部800)を有することから、当該部分の大きさを調整することによって、ケース70内の部品配置等に影響を与えることなく、放熱部材80a及び放熱部材80bの放熱特性を調整することができる。 Further, in this example, each of the heat radiating member 80a and the heat radiating member 80b has a portion (fixing portion 800 in the above example) located on the outer surface of the case 70, so that the size of the portion can be adjusted. Therefore, the heat dissipation characteristics of the heat dissipation member 80a and the heat dissipation member 80b can be adjusted without affecting the arrangement of components in the case 70, or the like.

また、本例では、放熱部材80aは、バスバー2の対向部分21における、配線基板60側の内側面212とは反対側の外側面211上に位置する熱伝導材95aに接触している。これにより、放熱部材80aと配線基板60との干渉を避けつつ、MOSFET11aから放熱部材80aまでの伝熱経路を短くすることができる。よって、回路装置1の放熱特性が向上する。 In this example, the heat radiating member 80a is in contact with the heat conducting member 95a located on the outer surface 211 of the facing portion 21 of the busbar 2 opposite to the inner surface 212 on the wiring board 60 side. As a result, the heat transfer path from the MOSFET 11a to the heat dissipation member 80a can be shortened while avoiding interference between the heat dissipation member 80a and the wiring board 60. FIG. Therefore, the heat dissipation characteristics of the circuit device 1 are improved.

同様に、本例では、放熱部材80bは、バスバー3の対向部分31における、配線基板60側の内側面312とは反対側の外側面311上に位置する熱伝導材95bに接触している。これにより、放熱部材80bと配線基板60との干渉を避けつつ、MOSFET11bから放熱部材80bまでの伝熱経路を短くすることができる。よって、回路装置1の放熱特性が向上する。 Similarly, in this example, the heat-dissipating member 80b is in contact with the heat-conducting member 95b positioned on the outer surface 311 of the facing portion 31 of the busbar 3 opposite to the inner surface 312 on the wiring substrate 60 side. As a result, the heat transfer path from the MOSFET 11b to the heat dissipation member 80b can be shortened while avoiding interference between the heat dissipation member 80b and the wiring board 60. FIG. Therefore, the heat dissipation characteristics of the circuit device 1 are improved.

また、本例では、放熱部材80aは、複数のMOSFET11aの周辺にそれぞれ位置する複数の熱伝導材95aのそれぞれに接触していることから、各MOSFET11aについて、当該MOSFET11aから放熱部材80aまでの伝熱経路を短くすることができる。よって、回路装置1の放熱性が向上する。 In addition, in this example, the heat dissipation member 80a is in contact with each of the plurality of thermally conductive members 95a positioned around the plurality of MOSFETs 11a. The route can be shortened. Therefore, the heat dissipation of the circuit device 1 is improved.

同様に、本例では、放熱部材80bは、複数のMOSFET11bの周辺にそれぞれ位置する複数の熱伝導材95bのそれぞれに接触していることから、各MOSFET11bについて、当該MOSFET11bから放熱部材80bまでの伝熱経路を短くすることができる。よって、回路装置1の放熱性が向上する。 Similarly, in this example, since the heat dissipation member 80b is in contact with each of the plurality of thermally conductive members 95b positioned around the plurality of MOSFETs 11b, the conduction from the MOSFET 11b to the heat dissipation member 80b for each MOSFET 11b The heat path can be shortened. Therefore, the heat dissipation of the circuit device 1 is improved.

また、本例では、熱伝導材95aは、放熱部材80aにおける、熱伝導材95aと接触する接触面821と、絶縁部材90の環状突出部900とで構成される凹部93内を充填する充填部分を有する。これにより、放熱部材80aを熱伝導材95aに適切に接触させることができる。よって、回路装置1の放熱性が向上する。 In this example, the thermally conductive material 95a is a filling portion that fills the concave portion 93 formed by the contact surface 821 of the heat radiating member 80a that contacts the thermally conductive material 95a and the annular projecting portion 900 of the insulating member 90. have Thereby, the heat radiating member 80a can be appropriately brought into contact with the heat conductive material 95a. Therefore, the heat dissipation of the circuit device 1 is improved.

同様に、本例では、熱伝導材95bは、放熱部材80bの接触面821と、絶縁部材90の環状突出部900とで構成される凹部93内を充填する充填部分を有する。これにより、放熱部材80bを熱伝導材95bに適切に接触させることができる。よって、回路装置1の放熱性が向上する。 Similarly, in this example, the heat conducting material 95b has a filling portion that fills the recess 93 formed by the contact surface 821 of the heat radiating member 80b and the annular protrusion 900 of the insulating member 90 . Thereby, the heat radiating member 80b can be appropriately brought into contact with the heat conductive material 95b. Therefore, the heat dissipation of the circuit device 1 is improved.

<回路装置の他の例>
回路装置1の構造は上記の例に限られない。例えば、バスバー2,3,4の形状は上記の例に限れない。また、配線基板60の形状は上記の例に限れない。上記の例では、配線基板60は、Z方向においてバスバー2の対向部分21とバスバー3の対向部分31とで挟まれる部分を有しているが、当該部分を有していなくてもよい。また、配線基板60は、対向部分21側から対向部分31側を見た場合に、対向部分21よりも奥側に位置しなくてもよいし、対向部分31よりも手前側に位置しなくてもよい。また、MOSFET11aはバスバー2の第2部分22に搭載されてもよいし、MOSFET11bはバスバー3の第2部分32に搭載されてもよい。また、放熱部材80の形状は上記の例に限れない。例えば、MOSFET11aの発熱量が大きい場合には、放熱部材80aの固定部800は、ケース70の上壁部710の外表面の全領域に設けられてもよい。また、MOSFET11bの発熱量が大きい場合には、放熱部材80bの固定部800は、ケース70の下壁部720の外表面の全領域に設けられてもよい。また、複数の熱伝導材95の数は上記の例に限れない。例えば、バスバー2には一つの熱伝導材95aが設けられてもよいし、バスバー3には一つの熱伝導材95bが設けられてもよい。また、回路装置1は絶縁部材90を備えてなくてもよい。また、回路装置1は絶縁部50を備えなくてもよい。
<Another example of the circuit device>
The structure of the circuit device 1 is not limited to the above example. For example, the shape of the busbars 2, 3, 4 is not limited to the above examples. Moreover, the shape of the wiring board 60 is not limited to the above example. In the above example, the wiring board 60 has a portion sandwiched between the facing portion 21 of the busbar 2 and the facing portion 31 of the busbar 3 in the Z direction, but it may not have this portion. In addition, the wiring board 60 does not have to be located on the far side of the facing portion 21 or on the near side of the facing portion 31 when the facing portion 31 side is viewed from the facing portion 21 side. good too. The MOSFET 11 a may be mounted on the second portion 22 of the busbar 2 and the MOSFET 11b may be mounted on the second portion 32 of the busbar 3 . Moreover, the shape of the heat radiating member 80 is not limited to the above example. For example, when the MOSFET 11 a generates a large amount of heat, the fixing portion 800 of the heat dissipation member 80 a may be provided over the entire outer surface of the upper wall portion 710 of the case 70 . Further, when the amount of heat generated by the MOSFET 11b is large, the fixing portion 800 of the heat radiating member 80b may be provided over the entire outer surface of the lower wall portion 720 of the case 70 . Also, the number of the plurality of thermally conductive members 95 is not limited to the above example. For example, the busbar 2 may be provided with one thermally conductive material 95a, and the busbar 3 may be provided with one thermally conductive material 95b. Also, the circuit device 1 may not include the insulating member 90 . Also, the circuit device 1 may not include the insulating section 50 .

以上のように、回路装置1は詳細に説明されたが、上記した説明は、全ての局面において例示であって、この開示がそれに限定されるものではない。また、上述した各種変形例は、相互に矛盾しない限り組み合わせて適用可能である。そして、例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。 Although the circuit device 1 has been described in detail as above, the above description is illustrative in all aspects, and this disclosure is not limited thereto. Moreover, the various modifications described above can be applied in combination as long as they do not contradict each other. And it is understood that numerous variations not illustrated can be envisioned without departing from the scope of this disclosure.

1 回路装置
2 入力側バスバー
3 出力側バスバー
4 中継バスバー
5 絶縁部材
6 回路基板
10 回路構成体
11,11a,11b,12,12a,12b 電子部品
13,13a,13b 導電端子
14,14a,14b 導電片
20,30 本体部
21,31 第1部分(対向部分)
22,32 第2部分
23 入力端子部
23a,33a,711,721 貫通孔
33 出力端子部
40a 第1部分(接合対象部)
40b 第2部分(接合対象部)
41 接続部分
50,50a,50b,51,52a,52b 絶縁部
51a 第1部分
51b 第2部分
51c 第3部分
51d 第4部分
55 スリット
60 配線基板
60a,60b,211,212,311,312 主面
60aa,60bb 露出領域
61a,61b,66b,67b ランド
62 マイクロコンピュータ
65 コネクタ
70 ケース
80,80a,80b 放熱部材
90 絶縁部材
93 凹部
95,95a,95b 熱伝導材
111 ゲート端子
111a 先端部分
112 ソース端子
112a 先端部分
113 ドレイン端子
121 カソード端子
122 アノード端子
130 接合対象部
131 接合対象部
132 接続部分
510 第1部分
520 第2部分
651 金属部分
652 接続端子
710 上壁部
720 下壁部
730 側壁部
800 固定部
810 挿入部
820 取付部
821 主面(接触面)
822 周端面
900 環状突出部
990a,990b 矢印
1000 はんだペースト
REFERENCE SIGNS LIST 1 circuit device 2 input-side busbar 3 output-side busbar 4 relay busbar 5 insulating member 6 circuit board 10 circuit structure 11, 11a, 11b, 12, 12a, 12b electronic component 13, 13a, 13b conductive terminal 14, 14a, 14b conductive Pieces 20, 30 Main body 21, 31 First portion (facing portion)
22, 32 second portion 23 input terminal portion 23a, 33a, 711, 721 through hole 33 output terminal portion 40a first portion (part to be joined)
40b second portion (part to be joined)
41 connecting portion 50, 50a, 50b, 51, 52a, 52b insulating portion 51a first portion 51b second portion 51c third portion 51d fourth portion 55 slit 60 wiring board 60a, 60b, 211, 212, 311, 312 main surface 60aa, 60bb exposed area 61a, 61b, 66b, 67b land 62 microcomputer 65 connector 70 case 80, 80a, 80b heat dissipation member 90 insulating member 93 recess 95, 95a, 95b thermal conductive material 111 gate terminal 111a tip portion 112 source terminal 112a Tip portion 113 Drain terminal 121 Cathode terminal 122 Anode terminal 130 Part to be joined 131 Part to be joined 132 Connection part 510 First part 520 Second part 651 Metal part 652 Connection terminal 710 Upper wall part 720 Lower wall part 730 Side wall part 800 Fixing part 810 insertion portion 820 mounting portion 821 main surface (contact surface)
822 Peripheral end face 900 Annular protrusion 990a, 990b Arrow 1000 Solder paste

Claims (7)

第1電子部品と、
前記第1電子部品が搭載された第1バスバーと、
前記第2電子部品と、
前記第2電子部品が搭載された第2バスバーと、
前記第1バスバーに熱的に接続された第1放熱部材と、
前記第2バスバーに熱的に接続された第2放熱部材と、
前記第1電子部品及び前記第2電子部品のそれぞれと電気的に接続された回路基板と
を備え、
前記第1バスバー及び前記第2バスバーは、互いに対向する第1対向部分及び第2対向部分をそれぞれ有し、
前記第1対向部分は、前記第1電子部品が搭載された第1の面と、当該第1の面とは反対側の第2の面とを有し、
前記第2対向部分は、前記第1対向部分の前記第2の面と対向する第3の面と、当該第3の面とは反対側に位置し、前記第2電子部品が搭載された第4の面とを有し、
前記回路基板は、前記第1対向部分側から前記第2対向部分側を見た場合、前記第1対向部分よりも奥側に位置し、かつ前記第2対向部分よりも手前側に位置する配線基板を有する、回路装置。
a first electronic component;
a first bus bar on which the first electronic component is mounted;
the second electronic component;
a second bus bar on which the second electronic component is mounted;
a first heat dissipation member thermally connected to the first bus bar;
a second heat dissipation member thermally connected to the second bus bar;
A circuit board electrically connected to each of the first electronic component and the second electronic component,
The first bus bar and the second bus bar each have a first facing portion and a second facing portion facing each other,
The first facing portion has a first surface on which the first electronic component is mounted and a second surface opposite to the first surface,
The second facing portion is located on the opposite side of a third surface of the first facing portion that faces the second surface, and is located on the side opposite to the third surface. 4 faces,
When viewed from the first facing portion side to the second facing portion side, the circuit board has a wiring that is positioned deeper than the first facing portion and positioned closer to the front side than the second facing portion. A circuit device having a substrate.
請求項1に記載の回路装置であって、
前記第1電子部品、前記第2電子部品、前記第1対向部分、前記第2対向部分及び前記回路基板を収容するケースをさらに備え、
前記第1放熱部材及び前記第2放熱部材のそれぞれは、前記ケースの外表面上に位置する部分を有する、回路装置。
The circuit device according to claim 1,
further comprising a case that houses the first electronic component, the second electronic component, the first facing portion, the second facing portion, and the circuit board;
The circuit device, wherein each of the first heat radiation member and the second heat radiation member has a portion located on the outer surface of the case.
請求項1又は請求項2に記載の回路装置であって、
前記第1対向部分の前記第1の面上に位置する第1熱伝導材をさらに備え、
前記第1放熱部材は前記第1熱伝導材に接触している、回路装置。
The circuit device according to claim 1 or claim 2,
further comprising a first thermally conductive material positioned on the first surface of the first facing portion;
The circuit device, wherein the first heat dissipation member is in contact with the first thermally conductive material.
請求項3に記載の回路装置であって、
前記第1対向部分の前記第1の面に搭載された第3電子部品と、
前記第1対向部分の前記第1の面上に位置する第2熱伝導材と
をさらに備え、
前記第1熱伝導材は前記第1電子部品の周辺に位置し、
前記第2熱伝導材は前記第3電子部品の周辺に位置し、
前記第1放熱部材は、前記第1熱伝導材及び前記第2熱伝導材のそれぞれに接触している、回路装置。
4. The circuit device according to claim 3,
a third electronic component mounted on the first surface of the first facing portion;
a second thermally conductive material located on the first surface of the first facing portion;
The first thermally conductive material is positioned around the first electronic component,
The second thermally conductive material is positioned around the third electronic component,
The circuit device, wherein the first heat radiation member is in contact with each of the first thermally conductive material and the second thermally conductive material.
請求項3又は請求項4に記載の回路装置であって、
前記第1放熱部材は、前記第1熱伝導材と接触する接触面を有し、
前記接触面の周縁を取り囲みつつ、前記接触面よりも前記第1の面側に突出する環状突出部を有する第1絶縁部材をさらに備え、
前記第1熱伝導材は、前記接触面と前記環状突出部とで構成される凹部内を充填する充填部分を有する、回路装置。
5. The circuit device according to claim 3 or 4,
The first heat dissipation member has a contact surface that contacts the first thermally conductive material,
further comprising a first insulating member having an annular projecting portion that surrounds the periphery of the contact surface and projects from the contact surface toward the first surface;
The circuit device, wherein the first thermally conductive material has a filling portion that fills a recess formed by the contact surface and the annular protrusion.
請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の回路装置であって、
前記第1電子部品は、互いに隣り合う第1接続端子及び第2接続端子を有し、
前記第1接続端子及び前記第2接続端子は、第1接合対象部及び第2接合対象部にそれぞれ導電性接合材で接合され、
前記第1接続端子と前記第2接続端子の間に位置する絶縁部をさらに備える、回路装置。
The circuit device according to any one of claims 1 to 5,
the first electronic component has a first connection terminal and a second connection terminal adjacent to each other;
The first connection terminal and the second connection terminal are respectively joined to the first joint target part and the second joint target part with a conductive joint material,
A circuit device, further comprising an insulating portion positioned between the first connection terminal and the second connection terminal.
請求項6に記載の回路装置であって、
前記第1接合対象部は、前記回路基板に電気的に接続される導電端子に含まれ、
前記導電端子及び前記回路基板のそれぞれに接合され、前記導電端子及び前記回路基板を互いに電気的に接続する曲げ導電片をさらに備える、回路装置。
The circuit device according to claim 6,
the first part to be joined is included in a conductive terminal electrically connected to the circuit board;
The circuit device further comprising bent conductive strips bonded to each of the conductive terminals and the circuit board to electrically connect the conductive terminals and the circuit board to each other.
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