JP2022129240A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】装置サイズをより小型化する。【解決手段】固体撮像装置は、第１面に入射された光を光電変換した電気信号を生成する撮像素子を有する基板と、前記基板の前記第１面の反対側の第２面と、前記基板の前記第２面に連なる側面と、の少なくとも一方に配置され、前記撮像素子に電気的に接続される導電体と、を備える。【選択図】図５

Description

本開示による実施形態は、固体撮像装置及びその製造方法に関する。

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ等の固体撮像装置は、小型化が進んでいる（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１７－１７５０４７号公報

しかしながら、固体撮像装置のパッケージサイズに対してさらなる小型化の要求がある。

そこで、本開示では、装置サイズをより小型化することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供するものである。

上記の課題を解決するために、本開示によれば、
第１面に入射された光を光電変換した電気信号を生成する撮像素子を有する基板と、
前記基板の前記第１面の反対側の第２面と、前記基板の前記第２面に連なる側面と、の少なくとも一方に配置され、前記撮像素子に電気的に接続される導電体と、を備える、固体撮像装置が提供される。

前記導電体は、前記第２面及び前記側面の少なくとも一方に面接触されてもよい。

前記第２面及び前記側面の少なくとも一方において、前記導電体の配置場所とそれ以外の場所とは面一であってもよい。

前記基板の深さ方向に伸び、前記撮像素子と電気的に接続されるコンタクト部材を備え、
前記導電体は、前記コンタクト部材と電気的に接続されてもよい。

前記基板は、前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を備え、
前記信号出力部は、前記コンタクト部材の一端部に接続されてもよい。

前記基板は、
前記撮像素子内の光電変換部が配置される第１基板と、
前記第１基板に積層され、前記光電変換部で光電変換された電気信号の信号処理を行う第２基板と、を有し、
前記コンタクト部材は、前記第１基板及び前記第２基板の深さ方向に伸びてもよい。

前記基板は、
前記撮像素子内の光電変換部が配置される第１基板と、
前記第１基板に積層され、前記光電変換部で光電変換された電気信号の信号処理を行う第２基板と、を有し、
前記第１基板は、前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を備え、
前記第１基板は、前記信号出力部に電気的に接続されるとともに、前記第１基板の側面まで伸びる導電接続部を有し、
前記導電体は、前記導電接続部に接続されるとともに、前記第１基板の側面に配置されてもよい。

前記基板は、
前記撮像素子内の光電変換部が配置される第１基板と、
前記第１基板に積層され、前記光電変換部で光電変換された電気信号の信号処理を行う第２基板と、を有し、
前記第２基板は、前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を備え、
前記第２基板は、前記信号出力部に電気的に接続されるとともに、前記第２基板の側面まで伸びる導電接続部を有し、
前記導電体は、前記導電接続部に接続されるとともに、前記第２基板の側面に配置されてもよい。

前記導電体は、前記第１基板及び前記第２基板の側面と、前記第２基板の前記第２面とに配置されてもよい。

前記導電体は、前記第２面のみ、又は、前記側面のみに配置されてもよい。

前記導電体は、前記第２面から前記側面にかけて、途切れることなく配置されてもよい。

前記第２面に配置される前記導電体と、前記側面に配置される前記導電体とが、互いに分離して設けられてもよい。

前記第２面及び前記側面の少なくとも一方に配置され、複数の前記導電体を結合する結合部をさらに備え、
前記結合部によって結合された複数の前記導電体は、前記導電体と電気的に接続されるとともに前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を共有してもよい。

前記第２面及び前記側面の少なくとも一方に配置され、複数の前記導電体を結合する結合部をさらに備え、
前記結合部によって結合された複数の前記導電体は、第前記導電体と電気的に接続されるとともに前記撮像素子との間で信号の送受を行う複数の信号出力部で共有されてもよい。

前記導電体は、単層の導電層を有してもよい。

前記導電体は、積層された複数の導電層を有してもよい。

本開示によれば、基板の第１面に、前記第１面に入射された光を光電変換した電気信号を生成する撮像素子を形成し、
前記基板の前記第１面の反対側の第２面と、前記基板の前記第２面に連なる側面と、の少なくとも一方に配置され、前記撮像素子に電気的に接続される導電体を形成する、ことを具備する、固体撮像装置の製造方法が提供される。

前記基板の前記第１面に前記撮像素子を形成し、
前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を露出させるように、前記基板の前記第２面側から前記基板の深さ方向に伸びるホールを形成し、
前記ホールを埋めるように前記基板の前記第２面側から金属層を形成することにより、前記基板の深さ方向に伸びるコンタクト部材及び前記コンタクト部材と電気的に接続される前記導電体を形成する、ことをさらに具備してもよい。

個片化される前の前記基板の前記第１面に前記撮像素子を形成し、
前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部と電気的に接続されるとともに、前記基板を個片化するための分割領域の一部を含む第１領域まで伸びる導電接続部を形成し、
前記導電接続部が露出するように、前記基板の前記第２面側から前記第１領域に前記基板の深さ方向に伸びるホールを形成し、
前記ホールを埋めるように前記基板の前記第２面側から金属層を形成することにより、前記導電接続部と電気的に接続される前記導電体を形成し、
前記分割領域に沿って前記基板を個片化する、ことをさらに具備してもよい。

個片化される前の前記基板の前記第１面に前記撮像素子を形成し、
前記基板を個片化するための分割領域の一部を含む第１領域まで伸びる犠牲層を形成し、
前記犠牲層が露出するように、前記基板の前記第２面側から前記第１領域に前記基板の深さ方向に伸びるホールを形成し、
前記犠牲層を除去し、
前記犠牲層が除去された領域に、前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部と電気的に接続される導電接続部を形成するとともに、前記ホールを埋めるように前記基板の前記第２面側から金属層を形成することにより前記導電接続部と電気的に接続される前記導電体を形成し、
前記分割領域に沿って前記基板を個片化する、ことをさらに具備してもよい。

固体撮像装置の基板の回路構成例を示す図である。 画素の等価回路を示す図である。 第１実施形態に係る固体撮像装置の外観構成の一例を示す側面図である。 第１実施形態に係る固体撮像装置の外観構成の一例を示す平面図である。 第１実施形態に係る固体撮像装置の構成の一例を示す断面図である。 図４の破線枠における導電体及びその周辺を拡大した拡大平面図である。 図６のＡ－Ａ線に対応する断面における固体撮像装置の構成を示す拡大断面図である。 図６のＢ－Ｂ線に対応する断面における固体撮像装置の構成を示す拡大断面図である。 基板の構成例を示す図である。 基板の構成例を示す図である。 第１実施形態に係る固体撮像装置の構成の一例を示す断面図である。 第１実施形態に係る固体撮像装置の構成の一例を示す斜視図である。 第１実施形態に係る固体撮像装置と実装基板との接続の一例を示す外観図である。 比較例に係る固体撮像装置の構成の一例を示す図である。 第１実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１４Ａに続く、固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１４Ｂに続く、固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１４Ｃに続く、固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１４Ｄに続く、固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１４Ｅに続く、固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１４Ｆに続く、固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図１４Ｇに続く、固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 第１実施形態に係る固体撮像装置の構成の第１変形例を示す断面図である。 第２実施形態に係る固体撮像装置の構成の一例を示す拡大断面図である。 第２実施形態に係る固体撮像装置の構成の一例を示す断面図である。 第２実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 第２実施形態に係る固体撮像装置の構成の変形例を示す拡大断面図である。 第３実施形態に係る固体撮像装置の構成の一例を示す拡大断面図である。 第３実施形態に係る固体撮像装置１の構成の一例を示す断面図である。 第３実施形態に係る固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図２２Ａに続く、固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図２２Ｂに続く、固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 図２２Ｃに続く、固体撮像装置の製造方法の一例を示す断面図である。 第３実施形態に係る固体撮像装置の構成の変形例を示す拡大断面図である。 第４実施形態に係る固体撮像装置の構成の一例を示す拡大断面図である。 第４実施形態に係る固体撮像装置の構成の変形例を示す拡大断面図である。 第５実施形態に係る固体撮像装置の構成の第１例を示す斜視図である。 第５実施形態に係る固体撮像装置の構成の第２例を示す斜視図である。 第５実施形態に係る固体撮像装置の構成の第３例を示す斜視図である。 第６実施形態に係る固体撮像装置の構成の第１例を示す斜視図である。 第６実施形態に係る固体撮像装置の構成の第２例を示す斜視図である。 第７実施形態に係る固体撮像装置の構成の第１例を示す斜視図である。 第７実施形態に係る固体撮像装置の構成の第２例を示す斜視図である。 第８実施形態に係る導電体及び基板の構成の第１例を示す断面図である。 第８実施形態に係る固体撮像装置の構成の一例を示す拡大断面図である。 第８実施形態に係る導電体及び基板の構成の第２例を示す断面図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

以下、図面を参照して、固体撮像装置及びその製造方法の実施形態について説明する。以下では、固体撮像装置の主要な構成部分を中心に説明するが、固体撮像装置には、図示又は説明されていない構成部分や機能が存在しうる。以下の説明は、図示又は説明されていない構成部分や機能を除外するものではない。

＜固体撮像装置の構成例＞
図１は、固体撮像装置１の基板１３の回路構成例を示している。

固体撮像装置１は、画素３２が２次元アレイ状に配列された画素アレイ部３３と、垂直駆動回路３４、カラム信号処理回路３５、水平駆動回路３６、出力回路３７、制御回路３８及び入出力端子３９などを含む。固体撮像装置１の各構成は、例えば、基板１３上に配置されている。なお、以下では、画素アレイ部３３、垂直駆動回路３４、カラム信号処理回路３５、水平駆動回路３６、出力回路３７、制御回路３８及び入出力端子３９などの各構成を、撮像素子と呼ぶ場合がある。

画素３２は、光電変換素子としてのフォトダイオードと、複数の画素トランジスタと、を有する。画素３２の回路構成例については、図２を参照して後述する。

また、画素３２は、共有画素構造とすることもできる。この画素共有構造は、複数のフォトダイオードと、複数の転送トランジスタと、共有される１つのフローティングディフージョン（浮遊拡散領域）と、共有される１つずつの他の画素トランジスタとから構成される。すなわち、共有画素では、複数の単位画素を構成するフォトダイオード及び転送トランジスタが、他の１つずつの画素トランジスタを共有して構成される。

制御回路３８は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像装置１の内部情報などのデータを出力する。すなわち、制御回路３８は、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路３４、カラム信号処理回路３５及び水平駆動回路３６などの動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、制御回路３８は、生成したクロック信号や制御信号を、垂直駆動回路３４、カラム信号処理回路３５及び水平駆動回路３６等に出力する。

垂直駆動回路３４は、例えばシフトレジスタによって構成され、所定の画素駆動配線４０を選択し、選択された画素駆動配線４０に画素３２を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素３２を駆動する。すなわち、垂直駆動回路３４は、画素アレイ部３３の各画素３２を行単位で順次垂直方向に選択走査し、各画素３２の光電変換部において受光量に応じて生成された信号電荷に基づく画素信号を、垂直信号線４１を通してカラム信号処理回路３５に供給する。

カラム信号処理回路３５は、画素３２の列ごとに配置されており、１行分の画素３２から出力される信号を画素列ごとにノイズ除去などの信号処理を行う。例えば、カラム信号処理回路５は、画素固有の固定パターンノイズを除去するためのCDS(Correlated Double Sampling：相関２重サンプリング)およびAD変換等の信号処理を行う。

水平駆動回路３６は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路３５の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路３５の各々から画素信号を水平信号線４２に出力させる。

出力回路３７は、カラム信号処理回路３５の各々から水平信号線４２を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。出力回路３７は、例えば、バファリングだけする場合もあるし、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理などが行われる場合もある。入出力端子３９は、外部と信号のやりとりをする。

以上のように構成される固体撮像装置１は、CDS処理とAD変換処理を行うカラム信号処理回路３５が画素列ごとに配置されたカラムAD方式と呼ばれるCMOSイメージセンサである。

＜画素の回路構成例＞
図２は、画素３２の等価回路を示している。

図２に示される画素３２は、電子式のグローバルシャッタ機能を実現する構成を示している。

画素３２は、光電変換素子としてのフォトダイオード５１、第１転送トランジスタ５２、メモリ部（MEM）５３、第２転送トランジスタ５４、FD(フローティング拡散領域)５５、リセットトランジスタ５６、増幅トランジスタ５７、選択トランジスタ５８、及び排出トランジスタ５９を有する。

フォトダイオード５１は、受光量に応じた電荷（信号電荷）を生成し、蓄積する光電変換部である。フォトダイオード５１のアノード端子が接地されているとともに、カソード端子が第１転送トランジスタ５２を介してメモリ部５３に接続されている。また、フォトダイオード５１のカソード端子は、不要な電荷を排出するための排出トランジスタ５９とも接続されている。

第１転送トランジスタ５２は、転送信号TRXによりオンされたとき、フォトダイオード５１で生成された電荷を読み出し、メモリ部５３に転送する。メモリ部５３は、FD５５に電荷を転送するまでの間、一時的に電荷を保持する電荷保持部である。

第２転送トランジスタ５４は、転送信号TRGによりオンされたとき、メモリ部５３に保持されている電荷を読み出し、FD５５に転送する。

FD５５は、メモリ部５３から読み出された電荷を信号として読み出すために保持する電荷保持部である。リセットトランジスタ５６は、リセット信号RSTによりオンされたとき、FD５５に蓄積されている電荷が定電圧源VDDに排出されることで、FD５５の電位をリセットする。

増幅トランジスタ５７は、FD５５の電位に応じた画素信号を出力する。すなわち、増幅トランジスタ５７は定電流源としての負荷MOS６０とソースフォロワ回路を構成し、FD５５に蓄積されている電荷に応じたレベルを示す画素信号が、増幅トランジスタ５７から選択トランジスタ５８を介してカラム信号処理回路３５（図１）に出力される。負荷MOS６０は、例えば、カラム信号処理回路３５内に配置されている。

選択トランジスタ５８は、選択信号SELにより画素３２が選択されたときオンされ、画素３２の画素信号を、垂直信号線４１を介してカラム信号処理回路３５に出力する。

排出トランジスタ５９は、排出信号OFGによりオンされたとき、フォトダイオード５１に蓄積されている不要電荷を定電圧源VDDに排出する。

転送信号TRX及びTRG、リセット信号RST、排出信号OFG、並びに選択信号SELは、画素駆動配線４０を介して垂直駆動回路３４から供給される。

画素３２の動作について簡単に説明する。

まず、露光開始前に、Highレベルの排出信号OFGが排出トランジスタ５９に供給されることにより排出トランジスタ５９がオンされ、フォトダイオード５１に蓄積されている電荷が定電圧源VDDに排出され、全画素のフォトダイオード５１がリセットされる。

フォトダイオード５１のリセット後、排出トランジスタ５９が、Lowレベルの排出信号OFGによりオフされると、画素アレイ部３３の全画素で露光が開始される。

予め定められた所定の露光時間が経過すると、画素アレイ部３３の全画素において、転送信号TRXにより第１転送トランジスタ５２がオンされ、フォトダイオード５１に蓄積されていた電荷が、メモリ部５３に転送される。

第１転送トランジスタ５２がオフされた後、各画素３２のメモリ部５３に保持されている電荷が、行単位に、順次、カラム信号処理回路３５に読み出される。読み出し動作は、読出し行の画素３２の第２転送トランジスタ５４が転送信号TRGによりオンされ、メモリ部５３に保持されている電荷が、FD５５に転送される。そして、選択トランジスタ５８が選択信号SELによりオンされることで、FD５５に蓄積されている電荷に応じたレベルを示す信号が、増幅トランジスタ５７から選択トランジスタ５８を介してカラム信号処理回路３５に出力される。

以上のように、図２の画素回路を有する画素３２は、露光時間を画素アレイ部３３の全画素で同一に設定し、露光終了後はメモリ部５３に電荷を一時的に保持しておいて、メモリ部５３から行単位に順次電荷を読み出すグローバルシャッタ方式の動作（撮像）が可能である。

なお、画素３２の回路構成としては、図２に示した構成に限定されるものではなく、例えば、メモリ部５３を持たず、いわゆるローリングシャッタ方式による動作を行う回路構成を採用することもできる。

＜第１実施形態＞
図３は、第１実施形態に係る固体撮像装置１の外観構成の一例を示す側面図である。図４は、第１実施形態に係る固体撮像装置１の外観構成の一例を示す平面図を示す。

図３及び図４は、固体撮像装置１の半導体パッケージをそれぞれパッケージ側面及びパッケージ裏面から見た外観図である。なお、図４のＣ－Ｃ線は、断面図である図５に対応する断面を示す。

図５は、第１実施形態に係る固体撮像装置１の構成の一例を示す断面図である。

固体撮像装置１は、基板１３と、導電体１４と、保護基板１８と、を備える。

図５に示される固体撮像装置１は、基板１３がパッケージ化された半導体パッケージである。基板１３には、図１に示す固体撮像装置１の各構成（撮像素子）が配置されている。より詳細には、固体撮像装置１は、ＣＳＰ（Chip Size Package）構造を有する。すなわち、基板１３の基板面の法線方向から見て、固体撮像装置１のパッケージ外縁は、基板１３の外縁と略一致する。従って、基板１３の裏面Ｆ２及び側面Ｆ３は、それぞれパッケージの裏面及び側面でもある。

基板１３は、表面（第１面）Ｆ１と、裏面（第２面）Ｆ２と、側面Ｆ３と、を有する。裏面Ｆ２は、表面Ｆ１の反対側の面である。側面Ｆ３は、裏面Ｆ２から連なる面である。また、基板１３は、表面Ｆ１に入射された光を光電変換した電気信号を生成する撮像素子を有する。

基板１３には、不図示の外部基板と電気的に接続するための外部端子である導電体１４が、複数、配置されている。より詳細には、導電体１４は、例えば、導電性パッドである。

また、導電体１４は、裏面Ｆ２と、側面Ｆ３との少なくとも一方に配置される。図５に示す例では、導電体１４は、基板１３の下面（裏面Ｆ２）及び側面Ｆ３の両方に配置されている。また、導電体１４は、撮像素子に電気的に接続される。

基板１３の上面（表面Ｆ１）には、R（赤）、G（緑）、またはB(青)のカラーフィルタ１５とオンチップレンズ１６が配置されている。保護基板１８は、例えば透明なガラス基板である。保護基板１８はその硬度がオンチップレンズ１６の硬度よりも高いと、オンチップレンズ１６を保護する作用が強まる。

また、固体撮像装置１は、樹脂層１７と、接着層１９と、有機膜２４と、絶縁層２５と、接続パッド２６と、樹脂層（絶縁層）９１と、をさらに備える。

樹脂層１７は、保護基板１８とオンチップレンズ１６との間に空隙が設けられるように、保護基板１８を支持する。これにより、固体撮像装置１は、キャビティ構造を有する。樹脂層１７は、例えば、柱状または壁状の構造を有する。

接着層１９は、基板１３と樹脂層１７とを接着する。

有機膜２４は、フォトダイオード５１を有する。この場合、フォトダイオード５１は、有機材料を用いた有機フォトダイオードである。有機膜２４は、配線層を有していてもよい。この配線層は、例えば、画素回路等を含む。

絶縁層２５は、例えば、シリコン酸化膜である。

接続パッド（信号出力部）２６は、撮像素子との間で信号の送受を行う。基板１３は、例えば、基板１３上又は基板１３内に接続パッド２６を有する。

樹脂層９１は、基板１３の下面（裏面Ｆ２）に配置される。樹脂層９１は、例えば、ソルダーレジスト等の保護樹脂膜である。導電体１４は、樹脂層９１から露出するように配置されている。

図４に示すように、裏面Ｆ２から見たパッケージの外縁に沿って、導電体１４が配置されている。また、図３に示すように、裏面Ｆ２から伸びるように側面Ｆ３にも導電体１４が配置されている。

図６は、図４の破線枠Ｄにおける導電体１４及びその周辺を拡大した拡大平面図である。

図７は、図６のＡ－Ａ線に対応する断面における固体撮像装置１の構成を示す拡大断面図である。

上記のように、固体撮像装置１はＣＳＰ構造を有するため、パッケージ側面は、基板の側面Ｆ３とほぼ同じである。基板１３の側面Ｆ３は、樹脂層９１により覆われている。

図８は、図６のＢ－Ｂ線に対応する断面における固体撮像装置１の構成を示す拡大断面図である。

固体撮像装置１は、コンタクト部材１４１をさらに備える。コンタクト部材１４１は、例えば、貫通電極である。コンタクト部材１４１は、基板１３の深さ方向に伸び、撮像素子と電気的に接続される。導電体１４は、コンタクト部材１４１と電気的に接続される。コンタクト部材１４１は、例えば、図１４Ａ～図１４Ｈを参照して後で説明するように、導電体１４と一体として形成される。図８に示す例では、コンタクト部材１４１は、基板１３及び絶縁層２５の両方を貫通するように配置される。接続パッド２６は、コンタクト部材１４１の一端部に接続される。図８に示す例では、コンタクト部材１４１の一端は、接続パッド２６の下面と電気的に接続される。コンタクト部材１４１の他端及び側面は、導電体１４と電気的に接続される。従って、コンタクト部材１４１は、接続パッド２６と導電体１４とを電気的に接続させる。

図６に示すように、裏面Ｆ２側から見た１４１は、接続パッド２６の外縁の内部に配置される。コンタクト部材１４１から側面Ｆ３（パッケージ側面）に露出するように、導電体１４が配置される。例えば、コンタクト部材１４１から側面Ｆ３（パッケージ側面）に向けて、基板１３が加工されて導電体１４が形成される。なお、図６及び図８に示す例では、パッケージ下面に沿って、導電体１４が樹脂層９１を覆うように伸びている。

次に、基板１３が積層型基板である場合について説明する。

図９Ａ及び図９Ｂは、基板１３の構成例を示す図である。

基板１３は、下側基板１１と上側基板１２とが積層されて構成されている積層基板である。

上側基板１２は、図９Ａに示されるように、光電変換を行う画素部が２次元配列された画素領域２１と、画素部の制御を行う制御回路２２を有する。

下側基板１１は、画素部から出力された画素信号を処理する信号処理回路などのロジック回路２３を有する。

あるいはまた、図９Ｂに示されるように、上側基板１２は、画素領域２１のみを有し、下側基板１１は、制御回路２２とロジック回路２３を有してもよい。

以上のように、ロジック回路２３または制御回路２２及びロジック回路２３の両方を、画素領域２１の上側基板１２とは別の下側基板１１に形成して積層させることで、１枚の半導体基板に、画素領域２１、制御回路２２、及びロジック回路２３を平面方向に配置した場合と比較して、固体撮像装置１としてのサイズを小型化することができる。

以下では、少なくとも画素領域２１が形成される上側基板１２を、画素センサ基板１２と称し、少なくともロジック回路２３が形成される下側基板１１を、ロジック基板１１と称して説明を行う。

すなわち、基板１３は、画素センサ基板（第１基板）１２と、ロジック基板（第２基板）１１と、を備える。画素センサ基板１２は、撮像素子内の光電変換部であるフォトダイオード５１が配置される。ロジック基板１１は、画素センサ基板１２と積層され、フォトダイオード５１で光電変換された電気信号の信号処理を行う。

図１０は、第１実施形態に係る固体撮像装置１の構成の一例を示す断面図である。なお、図１０に示す例では、後で説明する第１実施形態の変形例の図１５のように、固体撮像装置１はキャビティレス構造である。しかし、これに限られず、固体撮像装置１はキャビティ構造であってもよい。

ロジック基板１１には、例えばシリコン（Si）で構成された半導体基板８１（以下、シリコン基板８１という。）の上側（画素センサ基板１２側）に、多層配線層８２が形成されている。この多層配線層８２により、図９Ａ及び図９Ｂの制御回路２２やロジック回路２３が構成されている。

多層配線層８２は、画素センサ基板１２に最も近い最上層の配線層８３、中間の配線層８３、及び、シリコン基板８１に最も近い最下層の配線層８３などからなる複数の配線層８３と、各配線層８３の間に形成された層間絶縁膜８４とで構成される。

複数の配線層８３は、例えば、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）などを用いて形成され、層間絶縁膜８４は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜などで形成される。複数の配線層８３及び層間絶縁膜８４のそれぞれは、全ての階層が同一の材料で形成されていてもよく、階層によって２つ以上の材料を使い分けてもよい。

一方、画素センサ基板１２には、シリコン（Si）で構成された半導体基板１０１（以下、シリコン基板１０１という。）の下側（ロジック基板１１側）に、多層配線層１０２が形成されている。この多層配線層１０２により、図９Ａ及び９Ｂの画素領域２１の画素回路が構成されている。

多層配線層１０２は、シリコン基板１０１に最も近い最上層の配線層１０３ａ、中間の配線層１０３ｂ、及び、ロジック基板１１に最も近い最下層の配線層１０３ｃなどからなる複数の配線層１０３と、各配線層１０３の間に形成された層間絶縁膜１０４とで構成される。

複数の配線層１０３及び層間絶縁膜１０４として使用される材料は、上述した配線層８３及び層間絶縁膜８４の材料と同種のものを採用することができる。また、複数の配線層１０３や層間絶縁膜１０４が、１または２つ以上の材料を使い分けて形成されてもよい点も、上述した配線層８３及び層間絶縁膜８４と同様である。

なお、図１０の例では、画素センサ基板１２の多層配線層１０２は３層の配線層１０３で構成され、ロジック基板１１の多層配線層８２は４層の配線層８３で構成されているが、配線層の総数はこれに限られず、任意の層数で形成することができる。

シリコン基板１０１内には、PN接合により形成されたフォトダイオード５１が、画素３２ごとに形成されている。

また、図示は省略されているが、多層配線層１０２とシリコン基板１０１には、図２を参照して説明した、第１転送トランジスタ５２、第２転送トランジスタ５４などの複数の画素トランジスタや、メモリ部（MEM）５３なども形成されている。

カラーフィルタ１５とオンチップレンズ１６が形成されていないシリコン基板１０１の所定の位置には、画素センサ基板１２の配線層１０３ａと接続されているシリコン貫通電極１０９が形成されている。

シリコン貫通電極１０９は、シリコン基板１０１上面に形成された接続用配線１０６（接続パッド２６）で接続されている。また、シリコン貫通電極１０９とシリコン基板１０１との間には、絶縁膜１０７が形成されている。さらに、シリコン基板１０１の上面には、絶縁膜（平坦化膜）１０８を介して、カラーフィルタ１５やオンチップレンズ１６が形成されている。

以上のように、積層基板である基板１３は、ロジック基板１１の多層配線層８２側と、画素センサ基板１２の多層配線層１０２側とを貼り合わせた積層構造となっている。図１０では、ロジック基板１１の多層配線層８２と、画素センサ基板１２の多層配線層１０２との貼り合わせ面が、破線で示されている。

図１０に示す例では、コンタクト部材１４１は、画素センサ基板１２及びロジック基板１１の深さ方向に伸びる。また、導電体１４は、ロジック基板１１及び画素センサ基板１２の両方の側面Ｆ３に配置されている。

なお、図１０に示す例では、ロジック基板１１の配線層８３と、画素センサ基板１２の配線層１０３及び導電体１４の少なくとも一方と、の間の接続は省略されている。

図１１は、第１実施形態に係る固体撮像装置１の構成の一例を示す斜視図である。

導電体１４は、裏面Ｆ２及び側面Ｆ３の少なくとも一方に面接触される。図１１に示す例では、導電体１４は、基板１３の裏面Ｆ２及び側面Ｆ３の両方に面接触となるように設けられている。より詳細には、裏面Ｆ２及び側面Ｆ３の少なくとも一方において、導電体１４の配置場所とそれ以外の場所とは面一である。図１１に示す例では、導電体１４は、裏面Ｆ２（パッケージ裏面）及び側面Ｆ３（パッケージ側面）の両方において、略面一に配置される樹脂層９１から露出する。

また、導電体１４は、裏面Ｆ２から側面Ｆ３にかけて、途切れることなく配置される。すなわち、裏面Ｆ２に配置される導電体１４と、側面Ｆ３に配置される導電体１４は、側面Ｆ３と裏面Ｆ２とが交差する角部において電気的に接続されている。

図１２は、第１実施形態に係る固体撮像装置１と実装基板１００との接続の一例を示す外観図である。

固体撮像装置１は、例えば、半田１１０により実装基板１００と接続される。図１２に示す例では、半田１１０は、裏面Ｆ２及び側面Ｆ３の両方に配置された導電体１４に設けられている。これにより、実装基板１００から保護基板１８の上面までの高さをより低くすることができる。

＜比較例＞
図１３は、比較例に係る固体撮像装置１ａの構成の一例を示す図である。比較例は、導電体１４に代えて金属バンプ１４ａが設けられる点で、第１実施形態とは異なっている。

図１３に示すように、パッケージ構造の１つとして、ＢＧＡ（Ball Grid Array）構造が知られている。ＢＧＡ構造では、基板１３の裏面に複数の金属バンプ１４ａが設けられる。なお、金属バンプ１４ａは、例えば、半田ボールである。しかし、金属バンプ１４ａの高さによって、実装基板１００から保護基板１８の上面までの高さが大きくなってしまう。これは、パッケージサイズの小型化の要求に反する。また、ＢＧＡはパッケージの据わりに影響を与える場合がある。実装基板１００に対するパッケージの据わりは、ダイシング精度、基板の平行度及びＢＧＡの平坦度等が影響する。ＢＧＡの平坦度は、例えば、金属バンプ１４ａごとのばらつきである。例えば、金属バンプ１４ａのばらつきによりＢＧＡの平坦度が悪化した場合、半田付け不良が発生する可能性がある。また、パッケージ下面の再配線層において、金属バンプ１４ａまでの配線距離が長く、配線抵抗が大きくなってしまう場合がある。

これに対して、第１実施形態では、ＢＧＡ（金属バンプ１４ａ）が設けられない。これにより、金属バンプ１４ａの高さ分、パッケージをより低背化することができる。例えば、第１実施形態に係る固体撮像装置１は、比較例に係る固体撮像装置１ａから約２０％薄くすることができる。また、ＢＧＡの平坦度の影響を抑制することができ、パッケージの据わりを向上させることができる。また、センサパッドである接続パッド２６から、外周に向けて導電体１４が配置される。これにより、金属バンプ１４ａと接続するための再配線層による配線抵抗を抑制することができる。

＜固体撮像装置の製造方法＞
図１４Ａ～図１４Ｈは、第１実施形態に係る固体撮像装置１の製造方法の一例を示す断面図である。

なお、図１４Ａ～図１４Ｈでは、１チップ分しか示されていないが、基板１３は個片化される前のウェハの状態である。図１４Ｈにおいて、分割領域（スクライブライン）に沿ってダイシングすることによって、基板１３は個片化される。分割領域は、図１４Ａ～図１４Ｈにおける基板１３の左右の端部である。また、図１４Ａ～図１４Ｇにおいて、中心線よりも左側は導電体１４が設けられる領域を示し、中心線よりも右側は導電体１４が設けられない領域を示す。図１４Ｈにおいて、中心線より左側は導電体１４の断面図を示し、中心線より右側は固体撮像装置１の外観側面図を示す。

まず、図１４Ａに示すように、個片化される前の基板１３の表面Ｆ１上に撮像素子を形成する。その後、基板１３の表面Ｆ１の上方に保護基板１８を貼り付ける。また、裏面Ｆ２側からバックグラインディング又はエッチングを行い、基板１３を薄くする。

次に、図１４Ｂに示すように、エッチングにより基板１３にホール１３ｈを形成する。ホール１３ｈは、基板１３の裏面Ｆ２から見て、接続パッド２６及び分割領域を一部に含む領域に形成される。ホール１３ｈにより、絶縁層が露出される。

次に、図１４Ｃに示すように、裏面Ｆ２側から、ホール１３ｈ、裏面Ｆ２及び絶縁層２５上に絶縁層２７を形成する。絶縁層２７は、例えば、シリコン酸化膜である。絶縁層２７は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）により形成される。

次に、図１４Ｄに示すように、接続パッド２６を露出させるように、絶縁層２５、２７をエッチングする。このようにして、接続パッド２６を露出させるように、基板１３の裏面Ｆ２側から基板１３の深さ方向に伸びるホール１３ｈを形成する。

次に、図１４Ｅに示すように、裏面Ｆ２側から、接続パッド２６及び絶縁層２７上にシード層２８を形成する。シード層２８の材料は、例えば、Ｔｉ又はＣｕ等である。

次に、図１４Ｆに示すように、裏面Ｆ２側から、シード層２８上に金属層２９を形成する。金属層２９は、ホール１３ｈを埋めるように形成される。すなわち、ホール１３ｈを埋めるように基板１３の裏面Ｆ２側から金属層２９を形成することにより、基板１３の深さ方向に伸びるコンタクト部材１４１及びコンタクト部材１４１と電気的に接続される導電体１４を形成する。金属層２９は、例えば、メッキ層である。金属層２９の材料は、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ又はＡｕである。電解メッキによりＣｕを形成してもよく、無電解メッキによりＮｉ又はＡｕを形成してもよい。

次に、図１４Ｇに示すように、パターニングを行い、不要なシード層２８及び金属層２９を除去する。その後、裏面Ｆ２側から、絶縁層２７上に樹脂層９１を形成する。樹脂層９１は、導電体１４を避けて形成される。樹脂層９１は、保護樹脂であり、例えば、ソルダーレジストである。また、裏面Ｆ２に再配線層を形成してもよい。再配線層は、例えば、レジストパターニング及びメッキ法を用いるフォトリソグラフィ技術により形成される。

次に、図１４Ｈに示すように、分割領域に沿って基板１３をダイシングすることにより、固体撮像装置１が個片化される。従って、裏面Ｆ２と、側面Ｆ３と、の少なくとも一方に配置され、撮像素子に電気的に接続される導電体１４が形成される。この結果、図３～図８に示す固体撮像装置１が完成する。従って、固体撮像装置１は、ＷＬＣＳＰ（Wafer Level Chip Size Package）である。

以上のように、第１実施形態によれば、裏面Ｆ２及び側面Ｆ３の少なくとも一方に導電体１４が形成される。これにより、パッケージをより低背化することができる。

＜第１実施形態の変形例＞

図１５は、第１実施形態に係る固体撮像装置１の構成の第１変形例を示す断面図である。第１変形例は、パッケージがキャビティレス構造である点で、第１実施形態とは異なっている。

固体撮像装置１は、樹脂層１７ａをさらに備える。また、図１５に示す例では、第１実施形態の図５における樹脂層１７及び接着層１９は設けられていない。樹脂層１７ａは、例えば、ガラスシール樹脂である。キャビティレス構造では、樹脂層１７が設けられないため、パッケージをさらに低背化することができる。

＜第２実施形態＞
図１６は、第２実施形態に係る固体撮像装置１の構成の一例を示す拡大断面図である。第２実施形態は、側面Ｆ３の導電体１４が裏面Ｆ２の導電体１４を介して接続パッド２６と接続される点で、第１実施形態とは異なっている。

図１６に示す例では、コンタクト部材１４１の一端は、接続パッド２６の下面と電気的に接続される。コンタクト部材１４１の他端は、裏面Ｆ２に配置された導電体１４と電気的に接続される。裏面Ｆ２に配置された導電体１４は、裏面Ｆ２と側面Ｆ３とが交差する角部で電気的に接続される。側面Ｆ３に配置された導電体１４は、樹脂層１７に達するまで配置されている。

なお、図示しないが、第４実施形態の他の例として、樹脂層９１を用いた再配線層のパターニングにより、導電体１４がパッケージ側面にのみ配置されていてもよい。

次に、基板１３が積層基板である場合について説明する。

図１７は、第２実施形態に係る固体撮像装置１の構成の一例を示す断面図である。

シリコン基板８１の所定の位置には、シリコン基板８１を貫通するシリコン貫通孔８５が形成されており、シリコン貫通孔８５の内壁に、絶縁膜８６を介して接続導体（例えば、金属層２９）が埋め込まれることにより、シリコン貫通電極（TSV：Through Silicon Via）８８（コンタクト部材１４１）が形成されている。絶縁膜８６は、例えば、SiO2膜やSiN膜などで形成することができる。

図１７に示す例では、導電体１４は、ロジック基板１１及び画素センサ基板１２の側面Ｆ３、並びに、ロジック基板１１の裏面Ｆ２に配置されている。なお、導電体１４は、側面Ｆ３のうち、ロジック基板１１及び画素センサ基板１２のいずれか一方の側面に配置されていてもよい。

なお、図１７に示す例では、接続パッド２６、ロジック基板１１の配線層８３及び画素センサ基板１２の配線層１０３の間の接続は省略されている。

図１７に示す例では、図１０と同様に、導電体１４は、ロジック基板１１及び画素センサ基板１２の側面Ｆ３、並びに、ロジック基板１１の裏面Ｆ２に配置されている。

次に、固体撮像装置１の製造方法について説明する。

図１８は、第２実施形態の固体撮像装置１の製造方法の一例を示す断面図である。

図１８に示すように、図１４Ａに示す工程の後、裏面Ｆ２から見て、分割領域の一部含む第１領域Ｒ１と、接続パッド２６の一部を含む第２領域Ｒ２と、のそれぞれにホール１３ｈを形成する。図１４Ｆの工程において、第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２の両方のホール１３ｈを埋めるように金属層２９が形成される。これにより、側面Ｆ３に配置される導電体１４及びコンタクト部材１４１が形成される。その他の工程は、第１実施形態と同様である。

＜第２実施形態の変形例＞
図１９は、第２実施形態に係る固体撮像装置１の構成の変形例を示す拡大断面図である。第２実施形態の変形例は、側面Ｆ３に導電体１４が設けられない点で、第２実施形態とは異なっている。

＜第３実施形態＞
図２０は、第３実施形態に係る固体撮像装置１の構成の一例を示す拡大断面図である。第３実施形態は、接続パッド２６が上面（表面）を介して導電体１４と接続されている点で、第１実施形態とは異なっている。

固体撮像装置１は、導電接続部１４２をさらに備える。導電接続部１４２は、例えば、配線である。導電接続部１４２は、表面Ｆ１に配置される。図２０に示す例では、導電接続部１４２の一端は接続パッド２６の上面と電気的に接続される。導電接続部１４２の他端は、側面Ｆ３に配置された導電体１４と電気的に接続される。従って、導電接続部１４２は、接続パッド２６と導電体１４とを電気的に接続させる。

第１実施形態及び第２実施形態では、接続パッド２６の下面から接続パッド２６と導電体１４とが接続される。ここで、例えば、固体撮像装置１が積層型センサである場合、接続パッド２６の下方に画素信号を処理するためのロジック回路があるため、コンタクト用の接続パッド２６を専用設計する必要がある（例えば、第１実施形態の図１０及び第２実施形態の図１７を参照）。

これに対して、第３実施形態では、接続パッド２６は、基板１３とは反対側で導電接続部１４２と電気的に接続される。これにより、接続パッド２６は、導電体１４の下方の基板１３内部を介することなく導電体１４と電気的に接続することができる。これにより、固体撮像装置１が積層型センサである場合等でも、接続パッド２６の専用設計が不要となる。

次に、基板１３が積層基板である場合について説明する。

図２１は、第３実施形態に係る固体撮像装置１の構成の一例を示す断面図である。

図２１に示す例では、画素センサ基板１２は、接続パッド２６と、導電接続部１４２と、を備える。導電接続部１４２は、接続パッド２６に電気的に接続されるとともに、画素センサ基板１２の側面まで伸びる。導電体１４は、導電接続部１４２に接続されるとともに、画素センサ基板１２の側面に配置される。また、導電体１４は、ロジック基板１１の側面及び下面に配置されてもよい。

なお、図２１に示す例では、接続パッド２６及び導電接続部１４２は画素センサ基板１２に配置されている。しかし、これに限られず、接続パッド２６及び導電接続部１４２は、ロジック基板１１に配置されてもよい。この場合、導電接続部１４２は、ロジック基板１１の側面まで伸びる。導電体１４は、ロジック基板１１の側面に配置される。また、導電体１４は、画素センサ基板１２の側面及びロジック基板１１の下面に配置されてもよい。

次に、第３実施形態に係る固体撮像装置１の製造方法について説明する。

図２２Ａ～図２２Ｄは、第３実施形態に係る固体撮像装置１の製造方法の一例を示す断面図である。

まず、図２２Ａに示すように、表面Ｆ１に撮像素子を形成するとともに、導電接続部１４２を形成する。すなわち、接続パッド２６と電気的に接続されるとともに、基板１３を個片化するための分割領域の一部を含む第１領域Ｒ１まで伸びる導電接続部１４２を形成する。第１領域Ｒ１は、後の工程で基板１３にホール１３ｈを形成する領域である。なお、第１領域Ｒ１の広さは、個片化された際に側面Ｆ３に配置される導電体１４の厚みに影響する。その後、基板１３の表面Ｆ１の上方に保護基板１８が貼り付けられる。

次に、図２２Ｂに示すように、エッチングにより基板１３にホール１３ｈを形成する。ホール１３ｈは、基板１３の裏面Ｆ２から見て、第１領域Ｒ１に形成される。

次に、図２２Ｃに示すように、裏面Ｆ２側から、ホール１３ｈ、裏面Ｆ２及び絶縁層２５上に絶縁層２７を形成する。

次に、図２２Ｄに示すように、導電接続部１４２を露出させるように、有機膜２４及び絶縁層２５、２７をエッチングする。すなわち、導電接続部１４２が露出するように、基板１３の裏面Ｆ２側から第１領域に基板１３の深さ方向に伸びるホール１３ｈを形成する。

その後、第１実施形態の図１４Ｅ～図１４Ｈと同様の工程により、図２０に示す固体撮像装置１が完成する。すなわち、ホール１３ｈを埋めるように基板１３の裏面Ｆ２側から金属層２９を形成することにより、導電接続部１４２と電気的に接続される導電体１４を形成する。その後、分割領域に沿って基板１３を個片化する。個片化の際に金属層２９の一部が切断されて、側面Ｆ３に配置される導電体１４が形成される。

また、犠牲層が用いられてもよい。例えば、図２２Ａにおいて、導電接続部１４２に代えて犠牲層が形成される。その後、図２２Ｄの工程の後に犠牲層が除去され、犠牲層が除去された領域に導電接続部１４２が形成される。導電接続部１４２の形成と同時、又は、導電接続部１４２の形成後、ホール１３ｈを埋めるように基板１３の裏面Ｆ２側から金属層２９を形成することにより導電接続部１４２と電気的に接続される導電体１４を形成する。その後、分割領域に沿って基板１３を個片化する。

なお、図示しないが、第４実施形態の他の例として、樹脂層９１を用いた再配線層のパターニングにより、導電体１４がパッケージ裏面にのみ配置されていてもよい。

＜第３実施形態の変形例＞
図２３は、第３実施形態に係る固体撮像装置１の構成の変形例を示す拡大断面図である。第３実施形態の変形例は、裏面Ｆ２に導電体１４が設けられない点で、第３実施形態とは異なっている。

＜第４実施形態＞
図２４は、第４実施形態に係る固体撮像装置１の構成の一例を示す拡大断面図である。第４実施形態は、導電体１４が接続パッド２６の側面と接続されている点で、第３実施形態とは異なっている。

導電接続部１４２は、接続パッド２６の側面部と接続されている。すなわち、導電接続部１４２は、接続パッド２６とほぼ同じ高さに配置されている。

第４実施形態における固体撮像装置１の製造方法は、第３実施形態とほぼ同様である。

第４実施形態では、第３実施形態と同様に、接続パッド２６は、導電体１４の下方の基板１３の内部を介することなく導電体１４と電気的に接続することができる。これにより、固体撮像装置１が積層型センサである場合等でも、接続パッド２６の専用設計が不要となる。

また、ウェハ形成時に接続パッド２６の側面からスクライブエリア（分割領域）まで導電接続部１４２を引き出すことにより、側面Ｆ３に配置された導電体１４と接続するための接続パッド２６の上面又は下面の加工が不要となる。

また、第４実施形態は、第３実施形態と同様に、基板１３が積層基板であってもよい。さらに、接続パッド２６は、ロジック基板１１及び画素センサ基板１２のいずれに配置されていてもよい。

なお、図示しないが、第４実施形態の他の例として、樹脂層９１を用いた再配線層のパターニングにより、導電体１４がパッケージ裏面にのみ配置されていてもよい。

＜第４実施形態の変形例＞
図２５は、第４実施形態に係る固体撮像装置１の構成の変形例を示す拡大断面図である。第４実施形態の変形例は、裏面Ｆ２に導電体１４が設けられない点で、第４実施形態とは異なっている。

＜第５実施形態＞
図２６は、第５実施形態に係る固体撮像装置１の構成の第１例を示す斜視図である。

図２６に示す例では、導電体１４は、側面Ｆ３のみに設けられる。すなわち、導電体１４は裏面Ｆ２には配置されていない。図２６における導電体１４の断面は、例えば、図２３及び図２５に対応する。

図２７は、第５実施形態に係る固体撮像装置１の構成の第２例を示す斜視図である。

図２７に示す例では、導電体１４は、裏面Ｆ２のみに設けられる。すなわち、導電体１４は側面Ｆ３には配置されていない。図２７における導電体１４の断面は、例えば、図１９に対応する。

図２８は、第５実施形態に係る固体撮像装置１の構成の第３例を示す斜視図である。

裏面Ｆ２に配置される導電体１４と、側面Ｆ３に配置される導電体１４とが、互いに分離して設けられる。図２８に示す例では、導電体１４は、裏面Ｆ２及び側面Ｆ３の位置に応じて、裏面Ｆ２のみ、又は、側面Ｆ３のみに配置される。より詳細には、導電体１４は、千鳥配列に配置されてもよい。すなわち、基板１３の基板面の法線方向から基板１３の外縁に沿って、導電体１４は、裏面Ｆ２と側面Ｆ３とに交互に配置されている。

以上のように、第５実施形態では、導電体１４は、パッケージ側面のみ、パッケージ裏面のみ、又は、混成して配置される。これにより、実装基板１００の接続端子設計の自由度を向上させることができる。

＜第６実施形態＞
図２９は、第６実施形態に係る固体撮像装置１の構成の第１例を示す斜視図である。第６実施形態の第１例は、２つの導電体１４がパッケージ側面で電気的に接続される点で、第１実施形態とは異なっている。

固体撮像装置１は、結合部１４ｍをさらに備える。結合部１４ｍは、裏面Ｆ２及び側面Ｆ３の少なくとも一方に配置され、複数の導電体１４を結合する。結合部１４ｍは、例えば、再配線層のパターニングにより形成される。

図２９に示す例では、結合部１４ｍは、側面Ｆ３において、２つの導電体１４間に配置され、２つの導電体１４をパッケージ側面で電気的に接続させる。

図２９に示す例では、或る接続パッド２６（Ｐａｄ１）と対応して電気的に接続される導電体１４は、実装基板１００の外部端子１と接続される。実装基板１００の外部端子２と接続される導電体１４は、対応する接続パッド２６とは接続されない。結合部１４ｍにより、実装基板１００の外部端子１、２は、Ｐａｄ１と電気的に接続されることになる。すなわち、結合部１４ｍによって結合された複数の導電体１４は、導電体１４と電気的に接続されるとともに撮像素子との間で信号の送受を行う接続パッド２６を共有する。

以上のように、第６実施形態では、複数の導電体１４がイメージセンサの１つの接続パッド２６を共有して接続される。これにより、実装基板１００側で配線経路の分離が必要であった場合に、パッケージ側で対応することができるようになる。

また、或る接続パッド２６（Ｐａｄ２）と対応して電気的に接続される導電体１４は、実装基板１００の外部端子３と接続される。

図３０は、第６実施形態に係る固体撮像装置１の構成の第２例を示す斜視図である。

図３０に示す例では、結合部１４ｍは、裏面Ｆ２において、２つの導電体１４間に配置され、２つの導電体１４をパッケージ裏面で電気的に接続させる。

＜第７実施形態＞
図３１は、第７実施形態に係る固体撮像装置１の構成の第１例を示す斜視図である。第７実施形態の第１例は、結合された導電体１４に対して実装基板１００の１つの外部端子が接続される点で、第６実施形態とは異なっている。

図３１に示す例では、結合部１４ｍは、裏面Ｆ２及び側面Ｆ３の両方において、２つの導電体１４間に配置され、２つの導電体１４をパッケージ裏面及びパッケージ側面で電気的に接続させる。

図３１に示す例では、結合部１４ｍは、或る接続パッド２６（Ｐａｄ１）と対応して電気的に接続される導電体１４と、他の接続パッド２６（Ｐａｄ２）と電気的に接続される導電体１４と、を電気的に接続させる。すなわち、結合部１４ｍによって結合された複数の導電体１４は、導電体１４と電気的に接続されるとともに撮像素子との間で信号の送受を行う複数の接続パッド２６で共有される。結合された複数の導電体１４は、実装基板１００の１つの外部端子と接続される。

以上のように、第７実施形態では、結合された複数の導電体１４は、イメージセンサの複数の複数の接続パッド２６で共有される。これにより、実装基板１００側でパッケージ端子の結合（マージ）が必要であった場合、パッケージ側で対応することができる。

図３２は、第７実施形態に係る固体撮像装置１の構成の第２例を示す斜視図である。

図３２に示す例では、結合部１４ｍは、裏面Ｆ２において、２つの導電体１４間に配置され、２つの導電体１４をパッケージ裏面で電気的に接続させる。

＜第８実施形態＞
図３３は、第８実施形態に係る導電体１４及び基板１３の構成の第１例を示す断面図である。

基板１３と導電体１４との間には、絶縁層２７が設けられている。

導電体１４は、単層である。すなわち、導電体１４は、単層の導電層を有する。導電体１４は、例えば、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法により形成される。導電体１４は、例えば、金属層２９である。導電体１４の材料として、実装基板１００側の配線材料を限定せず、電気特性及び接合信頼性として相性の良い金属材料が選択できる。単層の導電体１４の材料は、例えば、Ｔｉ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、ＳｎＡｇ又はＡｌ等である。

図３４は、第８実施形態に係る固体撮像装置１の構成の一例を示す拡大断面図である。

図３４に示す例では、側面Ｆ３に、裏面Ｆ２よりも表面Ｆ１が広くなるようにテーパが形成されている。これは、ＰＶＤ法は比較的段差を被覆しづらいため、成膜しやすくするためである。

図３５は、第８実施形態に係る導電体１４及び基板１３の構成の第２例を示す断面図である。

導電体１４は、複層である。すなわち、導電体１４は、積層された複数の導電層を有する。導電体１４は、例えば、メッキにより形成される。導電体１４は、例えば、金属層２９（メッキ層）等を含む。導電体１４と絶縁層２７との間には、例えば、シード層２８が配置される。層構成は、例えば、実装基板１００の仕様に応じて選択される。導電体１４内の複数の層として、例えば、基板１３側からＴｉのシード層２８、Ｃｕのシード層２８、Ｎｉの金属層２９、及び、Ａｕの金属層２９が配置される。また、導電体１４内の複数の層として、例えば、基板１３側からＴｉのシード層２８、Ｃｕのシード層２８、ＳｎＡｇの金属層２９が配置されてもよい。

第６実施形態において導電体１４を単層又は複層のいずれかにするかは、例えば、設計又は使用用途等に応じて変更される。例えば、導電体１４の膜厚を厚くする場合、量産及び成膜速度等の観点で、ＰＶＤ法よりも、シード層２８を形成して電解メッキにより導電体１４を形成する方が好ましい。例えば、膜厚が数十ｎｍ～数百ｎｍである場合、ＰＶＤ法で導電体１４が形成されてもよい。しかし、膜厚が数μｍ以上になると、電解メッキの方が低コストである。

また、信頼性の観点において、導電体１４は複層である方が好ましい。導電体１４内の金属が半田１１０に食われることによって、例えば、導電体１４の剥がれにつながる可能性がある。導電体１４が複層である場合、外側に複数の層が存在するため、導電体１４が単層よりも信頼性が高い。

＜移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

図３６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図３６に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図３６の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

図３７は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

図３７では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

なお、図３７には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１，１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５や、運転者状態検出部１２０４１等に適用され得る。具体的には、これらの撮像部や検出部に対して、例えば、本開示の固体撮像装置１を適用することができる。そして、本開示に係る技術を適用することにより、パッケージサイズをより小型化することができるため、システムをより小型化することが可能になる。

なお、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）第１面に入射された光を光電変換した電気信号を生成する撮像素子を有する基板と、
前記基板の前記第１面の反対側の第２面と、前記基板の前記第２面に連なる側面と、の少なくとも一方に配置され、前記撮像素子に電気的に接続される導電体と、を備える、固体撮像装置。
（２）前記導電体は、前記第２面及び前記側面の少なくとも一方に面接触される、（１）に記載の固体撮像装置。
（３）前記第２面及び前記側面の少なくとも一方において、前記導電体の配置場所とそれ以外の場所とは面一である、（１）又は（２）に記載の固体撮像装置。
（４）前記基板の深さ方向に伸び、前記撮像素子と電気的に接続されるコンタクト部材を備え、
前記導電体は、前記コンタクト部材と電気的に接続される、（１）乃至（３）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（５）前記基板は、前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を備え、
前記信号出力部は、前記コンタクト部材の一端部に接続される、（４）に記載の固体撮像装置。
（６）前記基板は、
前記撮像素子内の光電変換部が配置される第１基板と、
前記第１基板に積層され、前記光電変換部で光電変換された電気信号の信号処理を行う第２基板と、を有し、
前記コンタクト部材は、前記第１基板及び前記第２基板の深さ方向に伸びる、（４）又は（５）に記載の固体撮像装置。
（７）前記基板は、
前記撮像素子内の光電変換部が配置される第１基板と、
前記第１基板に積層され、前記光電変換部で光電変換された電気信号の信号処理を行う第２基板と、を有し、
前記第１基板は、前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を備え、
前記第１基板は、前記信号出力部に電気的に接続されるとともに、前記第１基板の側面まで伸びる導電接続部を有し、
前記導電体は、前記導電接続部に接続されるとともに、前記第１基板の側面に配置される、（１）乃至（３）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（８）前記基板は、
前記撮像素子内の光電変換部が配置される第１基板と、
前記第１基板に積層され、前記光電変換部で光電変換された電気信号の信号処理を行う第２基板と、を有し、
前記第２基板は、前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を備え、
前記第２基板は、前記信号出力部に電気的に接続されるとともに、前記第２基板の側面まで伸びる導電接続部を有し、
前記導電体は、前記導電接続部に接続されるとともに、前記第２基板の側面に配置される、（１）乃至（３）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（９）前記導電体は、前記第１基板及び前記第２基板の側面と、前記第２基板の前記第２面とに配置される、（６）乃至（８）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１０）前記導電体は、前記第２面のみ、又は、前記側面のみに配置される、（１）乃至（９）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１１）前記導電体は、前記第２面から前記側面にかけて、途切れることなく配置される、（１）乃至（９）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１２）前記第２面に配置される前記導電体と、前記側面に配置される前記導電体とが、互いに分離して設けられる、（１）乃至（９）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１３）前記第２面及び前記側面の少なくとも一方に配置され、複数の前記導電体を結合する結合部をさらに備え、
前記結合部によって結合された複数の前記導電体は、前記導電体と電気的に接続されるとともに前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を共有する、（１）乃至（１２）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１４）前記第２面及び前記側面の少なくとも一方に配置され、複数の前記導電体を結合する結合部をさらに備え、
前記結合部によって結合された複数の前記導電体は、前記導電体と電気的に接続されるとともに前記撮像素子との間で信号の送受を行う複数の信号出力部で共有される、（１）乃至（１２）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１５）前記導電体は、単層の導電層を有する、（１）乃至（１４）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１６）前記導電体は、積層された複数の導電層を有する、（１）乃至（１４）のいずれか一項に記載の固体撮像装置。
（１７）基板の第１面に、前記第１面に入射された光を光電変換した電気信号を生成する撮像素子を形成し、
前記基板の前記第１面の反対側の第２面と、前記基板の前記第２面に連なる側面と、の少なくとも一方に配置され、前記撮像素子に電気的に接続される導電体を形成する、ことを具備する、固体撮像装置の製造方法。
（１８）前記基板の前記第１面に前記撮像素子を形成し、
前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を露出させるように、前記基板の前記第２面側から前記基板の深さ方向に伸びるホールを形成し、
前記ホールを埋めるように前記基板の前記第２面側から金属層を形成することにより、前記基板の深さ方向に伸びるコンタクト部材及び前記コンタクト部材と電気的に接続される前記導電体を形成する、ことをさらに具備する、（１７）に記載の固体撮像装置の製造方法。
（１９）個片化される前の前記基板の前記第１面に前記撮像素子を形成し、
前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部と電気的に接続されるとともに、前記基板を個片化するための分割領域の一部を含む第１領域まで伸びる導電接続部を形成し、
前記導電接続部が露出するように、前記基板の前記第２面側から前記第１領域に前記基板の深さ方向に伸びるホールを形成し、
前記ホールを埋めるように前記基板の前記第２面側から金属層を形成することにより、前記導電接続部と電気的に接続される前記導電体を形成し、
前記分割領域に沿って前記基板を個片化する、ことをさらに具備する、（１７）に記載の固体撮像装置の製造方法。
（２０）個片化される前の前記基板の前記第１面に前記撮像素子を形成し、
前記基板を個片化するための分割領域の一部を含む第１領域まで伸びる犠牲層を形成し、
前記犠牲層が露出するように、前記基板の前記第２面側から前記第１領域に前記基板の深さ方向に伸びるホールを形成し、
前記犠牲層を除去し、
前記犠牲層が除去された領域に、前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部と電気的に接続される導電接続部を形成するとともに、前記ホールを埋めるように前記基板の前記第２面側から金属層を形成することにより前記導電接続部と電気的に接続される前記導電体を形成し、
前記分割領域に沿って前記基板を個片化する、ことをさらに具備する、（１７）に記載の固体撮像装置の製造方法。

本開示の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本開示の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本開示の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。

１ 固体撮像装置、１１ 下側基板、１２ 上側基板、１３ 基板、１３ｈ ホール、１４ 導電体、１４１ コンタクト部材、１４２ 導電接続部、１４ｍ 結合部、１８ 保護基板、２６ 接続パッド、２９ 金属層、Ｆ１ 表面、Ｆ２ 裏面、Ｆ３ 側面、Ｒ１ 第１領域、Ｒ２ 第２領域

Claims (20)

1. 第１面に入射された光を光電変換した電気信号を生成する撮像素子を有する基板と、
   前記基板の前記第１面の反対側の第２面と、前記基板の前記第２面に連なる側面と、の少なくとも一方に配置され、前記撮像素子に電気的に接続される導電体と、を備える、固体撮像装置。
2. 前記導電体は、前記第２面及び前記側面の少なくとも一方に面接触される、請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記第２面及び前記側面の少なくとも一方において、前記導電体の配置場所とそれ以外の場所とは面一である、請求項１に記載の固体撮像装置。
4. 前記基板の深さ方向に伸び、前記撮像素子と電気的に接続されるコンタクト部材を備え、
   前記導電体は、前記コンタクト部材と電気的に接続される、請求項１に記載の固体撮像装置。
5. 前記基板は、前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を備え、
   前記信号出力部は、前記コンタクト部材の一端部に接続される、請求項４に記載の固体撮像装置。
6. 前記基板は、
   前記撮像素子内の光電変換部が配置される第１基板と、
   前記第１基板に積層され、前記光電変換部で光電変換された電気信号の信号処理を行う第２基板と、を有し、
   前記コンタクト部材は、前記第１基板及び前記第２基板の深さ方向に伸びる、請求項４に記載の固体撮像装置。
7. 前記基板は、
   前記撮像素子内の光電変換部が配置される第１基板と、
   前記第１基板に積層され、前記光電変換部で光電変換された電気信号の信号処理を行う第２基板と、を有し、
   前記第１基板は、前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を備え、
   前記第１基板は、前記信号出力部に電気的に接続されるとともに、前記第１基板の側面まで伸びる導電接続部を有し、
   前記導電体は、前記導電接続部に接続されるとともに、前記第１基板の側面に配置される、請求項１に記載の固体撮像装置。
8. 前記基板は、
   前記撮像素子内の光電変換部が配置される第１基板と、
   前記第１基板に積層され、前記光電変換部で光電変換された電気信号の信号処理を行う第２基板と、を有し、
   前記第２基板は、前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を備え、
   前記第２基板は、前記信号出力部に電気的に接続されるとともに、前記第２基板の側面まで伸びる導電接続部を有し、
   前記導電体は、前記導電接続部に接続されるとともに、前記第２基板の側面に配置される、請求項１に記載の固体撮像装置。
9. 前記導電体は、前記第１基板及び前記第２基板の側面と、前記第２基板の前記第２面とに配置される、請求項６に記載の固体撮像装置。
10. 前記導電体は、前記第２面のみ、又は、前記側面のみに配置される、請求項１に記載の固体撮像装置。
11. 前記導電体は、前記第２面から前記側面にかけて、途切れることなく配置される、請求項１に記載の固体撮像装置。
12. 前記第２面に配置される前記導電体と、前記側面に配置される前記導電体とが、互いに分離して設けられる、請求項１に記載の固体撮像装置。
13. 前記第２面及び前記側面の少なくとも一方に配置され、複数の前記導電体を結合する結合部をさらに備え、
    前記結合部によって結合された複数の前記導電体は、前記導電体と電気的に接続されるとともに前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を共有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
14. 前記第２面及び前記側面の少なくとも一方に配置され、複数の前記導電体を結合する結合部をさらに備え、
    前記結合部によって結合された複数の前記導電体は、前記導電体と電気的に接続されるとともに前記撮像素子との間で信号の送受を行う複数の信号出力部で共有される、請求項１に記載の固体撮像装置。
15. 前記導電体は、単層の導電層を有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
16. 前記導電体は、積層された複数の導電層を有する、請求項１に記載の固体撮像装置。
17. 基板の第１面に、前記第１面に入射された光を光電変換した電気信号を生成する撮像素子を形成し、
    前記基板の前記第１面の反対側の第２面と、前記基板の前記第２面に連なる側面と、の少なくとも一方に配置され、前記撮像素子に電気的に接続される導電体を形成する、ことを具備する、固体撮像装置の製造方法。
18. 前記基板の前記第１面に前記撮像素子を形成し、
    前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部を露出させるように、前記基板の前記第２面側から前記基板の深さ方向に伸びるホールを形成し、
    前記ホールを埋めるように前記基板の前記第２面側から金属層を形成することにより、前記基板の深さ方向に伸びるコンタクト部材及び前記コンタクト部材と電気的に接続される前記導電体を形成する、ことをさらに具備する、請求項１７に記載の固体撮像装置の製造方法。
19. 個片化される前の前記基板の前記第１面に前記撮像素子を形成し、
    前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部と電気的に接続されるとともに、前記基板を個片化するための分割領域の一部を含む第１領域まで伸びる導電接続部を形成し、
    前記導電接続部が露出するように、前記基板の前記第２面側から前記第１領域に前記基板の深さ方向に伸びるホールを形成し、
    前記ホールを埋めるように前記基板の前記第２面側から金属層を形成することにより、前記導電接続部と電気的に接続される前記導電体を形成し、
    前記分割領域に沿って前記基板を個片化する、ことをさらに具備する、請求項１７に記載の固体撮像装置の製造方法。
20. 個片化される前の前記基板の前記第１面に前記撮像素子を形成し、
    前記基板を個片化するための分割領域の一部を含む第１領域まで伸びる犠牲層を形成し、
    前記犠牲層が露出するように、前記基板の前記第２面側から前記第１領域に前記基板の深さ方向に伸びるホールを形成し、
    前記犠牲層を除去し、
    前記犠牲層が除去された領域に、前記撮像素子との間で信号の送受を行う信号出力部と電気的に接続される導電接続部を形成するとともに、前記ホールを埋めるように前記基板の前記第２面側から金属層を形成することにより前記導電接続部と電気的に接続される前記導電体を形成し、
    前記分割領域に沿って前記基板を個片化する、ことをさらに具備する、請求項１７に記載の固体撮像装置の製造方法。

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