JP2022128024A - 基板、高周波回路、アンテナ装置、無線通信装置、および基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の実施形態が解決しようとする課題は、高周波信号の透過特性の劣化を低減し、基板の長期的な信頼性を向上させる基板を提供する。【解決手段】上記課題を解決するために、本実施形態の基板は、第１貫通穴を有する第１誘電体基板と、第１導体ビアを有する第２誘電体基板と、前記第１誘電体基板および前記第２誘電体基板の間に設けられる第１信号線と、第２導体ビアを有する第３誘電体基板と、前記第２と第３誘電体基板の間に設けられ、前記第１および第２導体ビアからは離れている第１平面導体と、第４誘電体基板と、前記第３と第４誘電体基板の間に設けられる第２信号線を備え、前記第１貫通穴における第１内壁の少なくとも一部は導体に覆われておらず、前記第１貫通穴および前記第１導体ビアは第１方向で一部重なり、前記第１および第２導体ビアは前記第１方向で一部重なり、前記第２導体ビアおよび前記第２信号線は前記第１方向で一部重なる。【選択図】図１（Ａ）

Description

本発明の実施形態は、基板、高周波回路、アンテナ装置、無線通信装置、および基板の製造方法に関する。

複数の層を有する基板の内部に形成された信号線間において高周波信号を伝搬させる方法として、基板を貫通する導体ビア（スルーホール）を用いた方法が知られている。しかし、信号線より外部の層における導体ビアと信号線が電気的に接続される、あるいは高周波信号が信号線からこの外部の層における導体ビアにも一部伝搬されることがある。この場合、この外部の層における導体ビアがスタブとなって高周波信号の透過特性が劣化する可能性がある。また、この外部の層における導体ビアを形成せず、貫通穴も設けない場合には、信号線より内部の層における導体ビアに空気が残ることがある。この場合、気圧や温度の変化により残った空気の気圧が変動し、基板を形成する層の一部に剥離または密着する応力が発生し、基板の長期的な信頼性が低下する可能性がある。

特開２００８－２６２９８９号公報 国際公開第２０１９／２０７９３０号

本発明の実施形態が解決しようとする課題は、高周波信号の透過特性の劣化を低減し、基板の長期的な信頼性を向上させる基板、高周波回路、アンテナ装置、無線通信装置、および基板の製造方法を提供することである。

上記課題を解決するために、本実施形態の基板は、第１面と第２面を有し、この第１面からこの第２面を貫通する第１貫通穴を有する第１誘電体基板と、第３面と第４面を有し、この第３面からこの第４面を貫通して設けられる第１導体ビアを有する第２誘電体基板と、前記第１誘電体基板および前記第２誘電体基板の間に設けられる第１信号線と、第５面と第６面を有し、この第５面からこの第６面を貫通して設けられる第２導体ビアを有する第３誘電体基板と、前記第２誘電体基板と前記第３誘電体基板の間に設けられ、前記第１導体ビアおよび前記第２導体ビアからは離れている第１平面導体と、第４誘電体基板と、前記第３誘電体基板と前記第４誘電体基板の間に設けられる第２信号線を備え、前記第１貫通穴における前記第１誘電体基板の第１内壁の少なくとも一部は導体に覆われておらず、前記第１貫通穴および前記第１導体ビアは前記第１導体ビアおよび前記第２導体ビアの少なくとも一方が貫通する第１方向において少なくとも一部重なり、前記第１導体ビアおよび前記第２導体ビアは前記第１方向において少なくとも一部重なり、前記第２導体ビアおよび前記第２信号線は前記第１方向において少なくとも一部重なる。

第１の実施形態における基板１００の立体図。 第１の実施形態における基板１００のｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１００’の立体図。 第１の実施形態に適用可能な基板１００’のｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１００”の立体図。 第１の実施形態に適用可能な基板１１０のｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１２０の立体図。 第１の実施形態に適用可能な基板１２０のｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１２０’の立体図。 第１の実施形態に適用可能な基板１２０Ａのｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１２０Ｂの立体図。 第１の実施形態に適用可能な基板１２０Ｂのｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１２０Ｃのｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１２０Ｄのｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１２０Ｅのｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１２０Ｆのｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１３０の立体図。 第１の実施形態に適用可能な基板１３０のｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１４０のｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１５０のｘｚ断面図。 第１の実施形態に適用可能な基板１６０のｘｚ断面図。 第２の実施形態における基板２００の立体図。 第２の実施形態における基板２００のｘｚ断面図。 第２の実施形態に適用可能な基板２００’のｘｚ断面図。 第２の実施形態に適用可能な基板２００”のｘｚ断面図。 第２の実施形態に適用可能な基板２１０の立体図。 第２の実施形態に適用可能な基板２１０のｘｚ断面図。 基板１３０、２１０における高周波信号の透過係数の周波数特性図。 第３の実施形態における高周波回路３００の構成図。 第４の実施形態におけるアンテナ装置４００の構成図。 第５の実施形態における無線通信装置５００の構成図。

以下、発明を実施するための実施形態について図面を参照して説明する。開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して、詳細な説明を省略する場合もある。

（第１の実施形態）
図１（Ａ）は第１の実施形態における基板１００の立体図である。基板１００は、誘電体基板１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、１０１ｄ、信号線１０２ａ、１０２ｂ、導体ビア１０３ａ、１０３ｂ、平面導体１０４を備える。また、誘電体基板１０１ａには貫通穴１０５が形成されている。基板１００は複数の誘電体基板をそれぞれ形成し、積層することにより形成される。視認性のため、図１（Ａ）では積層前の基板１００について、誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの間の間隔を空けて図示している。図面では、誘電体基板１０１ａ～１０１ｄを積層する方向をｚ方向として表している。図１（Ｂ）は、積層後の基板１００のｘｚ断面図である。一例として、ｘｚ断面図は貫通穴１０５を通るｘｚ断面図を表す。なお、基板１００を多層基板と称することもある。

基板１００は高周波信号を伝搬する。信号線１０２ａまたは１０２ｂから入力された高周波信号は、導体ビア１０３ａおよび１０３ｂを経由して、信号線１０２ｂまたは１０２ａから出力される。高周波信号は、例えば無線通信やＲＦＩＤ、衛星通信Ｋｕバンドなどに用いる周波数帯の信号であり、例えば数百ＭＨｚ以上の信号を表す。

誘電体基板１０１ａ～１０１ｄは絶縁体の誘電体基板である。誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの素材の例として、ＰＴＦＥ（Ｐｏｌｙ Ｔｅｔｒａ Ｆｌｕｏｒｏ Ｅｔｈｙｌｅｎｅ）、ＰＰＥ（Ｐｏｌｙ Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ Ｅｔｈｅｒ）、樹脂発泡体、液晶ポリマー、ＣＯＰ（シクロオレフィンコポリマー）、ガラスエポキシ、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ－ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）、紙フェノール、ＭｇＯ（酸化マグネシウム）、ガラスなどが挙げられる。ＰＴＦＥにセラミックフィラーやガラスクロスを混ぜたコンポジット材でもよい。誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの基材や厚さはすべて同じでもよいし、それぞれ異なっていてもよい。誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの表面にソルダーレジストなどの保護層が塗布されていても良い。誘電体基板１０１ａ～１０１ｄは積層後にネジやクランプで固定されていてもよい。誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの基材がＰＴＦＥのように熱可塑性の場合、加熱・加圧して接合させてもよい。

なお、誘電体基板１０１ａを第１誘電体基板、誘電体基板１０１ｂを第２誘電体基板、誘電体基板１０１ｃを第３誘電体基板、誘電体基板１０１ｄを第４誘電体基板と称することもある。また、誘電体基板１０１ａの＋ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をａ１面、誘電体基板１０１ａの－ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をａ２面、誘電体基板１０１ｂの＋ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｂ１面、誘電体基板１０１ｂの－ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｂ２面、誘電体基板１０１ｃの＋ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｃ１面、誘電体基板１０１ｃの－ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｃ２面、誘電体基板１０１ｄの＋ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｄ１面、誘電体基板１０１ａの－ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｄ２面と称する。ａ１面を第１面、ａ２面を第２面、ｂ１面を第３面、ｂ２面を第４面、ｃ１面を第５面、ｃ２面を第６面、ｄ１面を第７面、ｄ２面を第８面と称することもある。

信号線１０２ａ、１０２ｂは高周波信号を伝搬する。すなわち、信号線１０２ａおよび１０２ｂは、一方の信号線からもう一方の信号線へ高周波信号を伝搬させるための信号線である。信号線１０２ａは誘電体基板１０１ａおよび１０１ｂの間に設けられる。信号線１０２ｂは誘電体基板１０１ｃおよび１０１ｄの間に設けられる。一例として、図１（Ａ）では信号線１０２ａは誘電体基板１０１ｂのｂ１面上に、信号線１０２ｂは誘電体基板１０１ｄのｄ１面上に設けられている。信号線１０２ａ、１０２ｂの素材は銅、ニッケル、金、銀などである。信号線１０２ａ、１０２ｂの表面には異なる種類の導体がメッキされていてもよいし、ソルダーレジストやフラックス、半田ラベラーなどが塗布されていてもよい。信号線１０２ａ、１０２ｂの材質、形状は同じでもよいし、異なっていてもよい。また、信号線１０２ａ、１０２ｂには、スタブやステップ構造などのインピーダンス整合用の素子が接続されていてもよい。なお、信号線１０２ａを第１信号線、信号線１０２ｂを第２信号線と称することもある。

導体ビア１０３ａ、１０３ｂは信号線１０２ａおよび１０２ｂの一方からの高周波信号を、もう一方の信号線に伝搬する。すなわち、信号線１０２ａおよび１０２ｂの一方に入力された高周波信号は、導体ビア１０３ａ、１０３ｂを通じてもう一方の信号線へ伝搬される。導体ビア１０３ａは誘電体基板１０１ｂのｂ１面からｂ２面を貫通して設けられ、導体ビア１０３ｂは誘電体基板１０１ｃのｃ１面からｃ２面を貫通して設けられる。なお、導体ビア１０３ａを第１導体ビア、導体ビア１０３ｂを第２導体ビアと称することもある。図１（Ａ）では導体ビア１０３ａ、１０３ｂを円筒形状として表しているが、円筒形状以外にも楕円形状、角型形状、少なくとも一部曲線を含む形状など、形状は任意である。

信号線１０２ａおよび導体ビア１０３ａは、電気的に接続される、またはキャパシタンスにより高周波信号の伝搬が可能な程度の距離に設けられる。導体ビア１０３ａおよび貫通穴１０５は、導体ビア１０３ａおよび１０３ｂの少なくとも一方が貫通する方向（本実施形態ではｚ方向）において、少なくとも一部重なっている。以降、導体ビア１０３ａおよび１０３ｂの少なくとも一方が貫通する方向を、第１方向と称することもある。導体ビア１０３ａおよび１０３ｂは、第１方向において少なくとも一部重なっている。また、導体ビア１０３ｂと信号線１０２ｂは、第１方向において少なくとも一部重なっている。これにより、貫通穴１０５の空間と、導体ビア１０３ａの空間と、導体ビア１０３ｂの空間が接続される（空気の通り道となる）。これにより、基板１００の外部において温度や気圧の変化が生じても、これらの空間内の空気の気圧と基板１００の外部の気圧を同程度にすることができ、基板１００を形成する層（誘電体基板）の一部に剥離または密着する応力を低減させることができる。結果として、基板１００の長期的な信頼性が向上する。

平面導体１０４ａは、信号線１０２ａ、１０２ｂとマイクロストリップ線路を構成する。平面導体１０４ａは、誘電体基板１０１ｂと誘電体基板１０１ｃの間に設けられる。一例として、図１（Ａ）では、平面導体１０４ａは誘電体基板１０１ｃのｃ１面に設けられている。平面導体１０４ａの素材は、銅、ニッケル、金、銀などの導体である。平面導体１０４ａの表面に異なる種類の導体がメッキされていてもよい。平面導体１０４ａの表面にソルダーレジストやフラックス、半田ラベラーなどが塗布されていてもよい。平面導体１０４ａの面積は、信号線１０２ａの面積より大きい。また、平面導体１０４ａの面積は、信号線１０２ｂの面積より大きい。なお、平面導体１０４ａを第１平面導体１０４ａと称することもある。

導体ビア１０３ａ、１０３ｂと平面導体１０４ａは離れており、電気的に接続されていない。信号線１０２ａと平面導体１０４ａによってマイクロストリップ線路が構成される。同様に、信号線１０２ｂと平面導体１０４ａによって、マイクロストリップ線路が構成される。なお、信号線１０２ａ、１０２ｂの近傍に図示していない導体パターンを追加して、コプレーナ線路やフィンライン線路を構成してもよい。

貫通穴１０５は、誘電体基板１０１ａのａ１面からａ２面を貫通して設けられる。貫通穴１０５の形成方法は任意であり、例えばドリルやレーザなどで形成される。図１（Ａ）では貫通穴１０５を円筒形状として表しているが、円筒形状以外にも楕円形状、角型形状、少なくとも一部曲線を含む形状など、形状は任意である。また貫通穴１０５は、途中でベントが設けられていてもよい。

貫通穴１０５の内壁、すなわち貫通穴１０５が開けられている部分の誘電体基板１０１ａの少なくとも一部は、導体に覆われていない。より詳細には、貫通穴１０５の内壁は、信号線１０２ａから第１方向において所定の距離以内は導体に覆われていない。この所定の距離は、貫通穴１０５の直径、導体ビア１０３ａの直径、および信号線１０２ａの幅の少なくとも１つに基づいて定められる。これにより、高周波信号が誘電体基板１０１ａの一部に伝搬される可能性が低減され、貫通穴１０５がスタブとなる可能性が低減される。結果として、高周波信号の透過特性の劣化を低減させることができる。なお、貫通穴１０５を第１貫通穴と称することもあり、貫通穴１０５の内壁を第１内壁と称することもある。

以上、基板１００の構成要素を説明した。本実施形態は一例であって、変形例は様々に実装可能である。以下、本実施形態に適用可能な変形例を説明する。以降、本実施形態と同様の構成要素については、同じ符号を付して説明を省略する。

（変形例１）
基板１００は、誘電体基板１０１ａ～１０１ｄを積層することにより製造される。誘電体基板１０１ａ～１０１ｄはそれぞれ製造される。図１（Ａ）を例とすると、基板１００は、＋ｚ方向から順番に、貫通穴１０５を有する誘電体基板１０１ａと、信号線１０２ａと、導体ビア１０３ａが設けられた誘電体基板１０１ｂと、平面導体１０４ａと、導体ビア１０３ｂが設けられた誘電体基板１０１ｃと、信号線１０２ｂと、誘電体基板１０１ｄとを積層して製造される。誘電体基板１０１ｂの製造においてｂ１面に信号線１０２ａを形成してもよいし、誘電体基板１０１ｃの製造においてｃ１面に平面導体１０４ａを形成してもよいし、誘電体基板１０１ｄの製造においてｄ１面に信号線１０２ｂを形成してもよい。

（変形例２）
図２（Ａ）は、変形例２における基板１００’の立体図である。基板１００’は、誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの間を、接着層により接合して積層される。誘電体基板１０１ａと１０１ｂの間に接着層１０６ａが設けられ、誘電体基板１０１ａと１０１ｂが接合される。誘電体基板１０１ｂと１０１ｃの間に接着層１０６ｂが設けられ、誘電体基板１０１ｂと１０１ｃが接合される。誘電体基板１０１ｃと１０１ｄの間に接着層１０６ｃが設けられ、誘電体基板１０１ｃと１０１ｄが接合される。視認性のため、図２（Ａ）では積層前の基板１００’について、誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの間の間隔を空けて図示している。図２（Ｂ）は、積層後の基板１００’のｘｚ断面図である。

接着層１０６ａ～１０６ｃは誘電体基板を接合する絶縁体であり、例えばボンディングフィルム、プリプレグが挙げられる。また、接着層１０６ａ～１０６ｃの少なくとも１つは複数枚の接着層で構成されていてもよい。例えば、接着層１０６ａは２枚の接着層で構成されていてもよい。なお、接着層１０６ａを第１接着層、接着層１０６ｂを第２接着層、接着層１０６ｃを第３接着層と称することもある。

基板１００’では、接着層１０６ｂによって導体ビア１０３ａと１０３ｂとが電気的に接続されない場合があり、接着層１０６ｃによって導体ビア１０３ｂと信号線１０２ｂとが電気的に接続されない場合がある。この場合、直流信号は伝搬しない。しかし、導体ビア１０３ａと１０３ｂ間のキャパシタンスおよび導体ビア１０３ｂと信号線１０２ｂ間のキャパシタンスによって、高周波信号を伝搬させることができる。なお、キャパシタンスは、接着層を介して対向する導体の面積を大きくすること、および接着層の厚さを薄くすることなどによって増加させることができる。例えば、対向する導体ビア１０３のランドの面積を大きくする、信号線１０３の面積を大きくする、接着層１０６の第１方向における厚さを薄くするなどである。キャパシタンスを増加させることで、高周波信号の透過特性（通過特性とも称される）を向上させることができる。

図２（Ａ）において、積層前の基板１００’では、接着層１０６ａ、１０６ｂには貫通穴１０５、導体ビア１０３ａ、１０３ｂに対応する穴が開けられていない。しかし、誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの積層時における加熱・加圧工程によって接着層１０６ａ、１０６ｂには貫通穴１０５、導体ビア１０３ａ、１０３ｂに対応する部分の接着層が貫通穴１０５、導体ビア１０３ａ、１０３ｂに流れ込む。結果としてとして、接着層１０６ａ、１０６ｂには貫通穴１０５、導体ビア１０３ａ、１０３ｂに対応する穴が開けられる。

図２（Ｃ）は、積層前から接着層１０６ａおよび１０６ｂに穴を空けた場合の基板１００”の立体図である。積層前から接着層１０６ａおよび１０６ｂに貫通穴１０５、導体ビア１０３ａ、１０３ｂに対応する穴を開けてもよい。また、基板１００’においても、積層後で接着層１０６ａおよび１０６ｂに貫通穴１０５、導体ビア１０３ａ、１０３ｂに対応する穴を開けてもよい。

以上説明したように、変形例２では誘電体基板１０１ａ～１０１ｄを接着層１０６ａ～１０６ｃによって接合することができる。

（変形例３）
図３は、変形例３における基板１１０のｘｚ断面図である。基板１１０は、基板１００’において平面導体１０４ｂおよび１０４ｃをさらに備える。信号線１０２ａは平面導体１０４ｂと１０４ａの間に設けられ、信号線１０２ｂは平面導体１０４ａと１０４ｃの間に設けられる。一例として、図３では誘電体基板１０１ａのａ１面に平面導体１０４ｂが設けられ、誘電体基板１０１ｄのｄ２面に平面導体１０４ｃが設けられる。なお、平面導体１０４ｂを第２平面導体、平面導体１０４ｃを第３平面導体と称することもある。

平面導体１０４ｂおよび１０４ｃは、平面導体１０４ａで説明した導体を適用可能である。平面導体１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃで少なくとも１つは異なる導体を適用してもよい。また、平面導体１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃの形状はそれぞれ同じでもよいし、少なくとも１つ異なっていてもよい。平面導体１０４ｂの面積は信号線１０２ａの面積より大きく、平面導体１０４ｃの面積は信号線１０２ｂの面積より大きい。これにより、平面導体１０４ｂ、信号線１０２ａ、および平面導体１０４ａによってストリップ線路が構成される。同様に、平面導体１０４ａ、信号線１０２ｂ、平面導体１０４ｃによってストリップ線路が構成される。これにより、信号線１０２ａおよび１０２ｂから基板１１０外部への高周波信号の放射を抑制することができる。結果として、高周波信号の透過特性の劣化を低減させることができる。

（変形例４）
基板１１０について、平面導体１０４ａと、接着層１０６ｂを介して対向する平面導体をさらに備えてもよい。図４（Ａ）は、変形例４における基板１２０の立体図である。基板１２０は、基板１１０において平面導体１０４ｄをさらに備える。平面導体１０４ｄは、信号線１０２ａと平面導体１０４ａの間、または平面導体１０４ａと信号線１０２ｂの間に設けられる。平面導体１０４ａと１０４ｄとは、接着層１０６ｂを介して対向する。一例として、図４（Ａ）では誘電体基板１０１ｃのｃ１面に平面導体１０４ａが設けられているので、誘電体基板１０１ｂのｂ２面に平面導体１０４ｄが設けられる。視認性のため、図４（Ａ）では積層前の基板１２０について、誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの間の間隔を空けて図示している。図４（Ｂ）は、積層後の基板１２０のｘｚ断面図である。なお、平面導体１０４ｄを第４平面導体と称することもある。

平面導体１０４ｄは、平面導体１０４ａで説明した導体を適用可能である。平面導体１０４ａ～１０４ｄで少なくとも１つは異なる導体を適用してもよい。また、平面導体１０４ａ～１０４ｄの形状はそれぞれ同じでもよいし、少なくとも１つ異なっていてもよい。平面導体１０４ｄの面積は信号線１０２ａの面積より大きい。平面導体１０４ｄは、平面導体１０４ａと同様に、導体ビア１０３ａ、１０３ｂとは離れており、電気的に接続されていない。これにより、平面導体１０４ｂ、信号線１０２ａ、および平面導体１０４ｄによってストリップ線路が構成される。同様に、平面導体１０４ａ、信号線１０２ｂ、平面導体１０４ｃによってストリップ線路が構成される。これにより、接着層１０６ｂの厚さが変化しても、平面導体１０４ｂ、信号線１０２ａ、および平面導体１０４ｄによって構成されるストリップ線路の特性インピーダンスが変化しなくなる。平面導体１０４ａが誘電体基板１０１ｂのｂ２面に設けられている場合は、平面導体１０４ｄは誘電体基板１０１ｃのｃ１面に設けられることになる。この場合は、平面導体１０４ｂ、信号線１０２ａ、および平面導体１０４ａによってストリップ線路が構成され、平面導体１０４ｄ、信号線１０２ｂ、および平面導体１０４ｃによってストリップ線路が構成される。同様に、接着層１０６ｂの厚さが変化しても、平面導体１０４ｄ、信号線１０２ｂ、および平面導体１０４ｃによって構成されるストリップ線路の特性インピーダンスが変化しなくなる。これにより、信号線１０２ａおよび１０２ｂから基板１２０外部への高周波信号の放射をさらに抑制することができる。結果として、高周波信号の透過特性の劣化を低減させることができる。

また、基板１１０および１２０において、貫通穴１０５は平面導体１０４ｂも貫通して設けられる。これにより、貫通穴１０５は導体ビア１０３ａと１０３ｂのインダクタンス成分を相殺するキャパシタンスのように振る舞う。結果として、高周波信号の透過特性の劣化を低減させることができる。

積層前の接着層１０６ａ、１０６ｂには、変形例２と同様に穴を貫通穴１０５、導体ビア１０３ａ、１０３ｂに対応する穴を開けてもよいし、開けなくてもよい。図４（Ａ）は接着層１０６ａ、１０６ｂに穴を開けない場合の基板１２０を表し、図４（Ｃ）は、積層前から接着層１０６ａおよび１０６ｂに穴をあけた場合の基板１２０’の立体図である。基板１２０においても、積層後で接着層１０６ａおよび１０６ｂに貫通穴１０５、導体ビア１０３ａ、１０３ｂに対応する穴を開けてもよい。

（変形例５）
基板１２０において、信号線１０２ａは誘電体基板１０１ｂのｂ１面に設けられていた。信号線１０２ａは、接着層１０６ａを介してｂ１面に対向して設けられてもよい。図５は基板１２０Ａのｘｚ断面図である。基板１２０Ａは、基板１２０と構成要素は同様であるが、信号線１０２ａが誘電体基板１０１ａのａ２面に設けられている。この場合、信号線１０２ａと導体ビア１０３ａとは接着層１０６ａによって電気的に接続されない場合があるが、信号線１０２ａと導体ビア１０３ａ間のキャパシタンスによって高周波信号を伝搬させることができる。なお、この場合における接着層１０６ａの厚さは、信号線１０２ａと導体ビア１０３ａ間のキャパシタンスによって高周波信号を伝搬させることができる程度の厚さである。

この場合、平面導体１０４ｂと信号線１０２ａの間隔は、接着層１０６ａの厚さによって変化しない。平面導体１０４ｂ上に、図示しない素子を設けた場合、この素子は平面導体１０４ｂと信号線１０２ａの電磁界結合によって動作させることとなる。平面導体１０４ｂと信号線１０２ａの間隔が変化しないため、この素子を安定して動作させることができる。この素子の例として、近接結合給電やスロット結合に用いられるアンテナ素子（パッチアンテナ）が挙げられる。

（変形例６）
信号線１０２ａは導体ビア１０３ａから＋ｘ方向に設けられているが、－ｘ方向にも設けられてもよい。図６（Ａ）は変形例６における基板１２０Ｂである。基板１２０Ｂは、基板１２０と同様の構成要素であるが、信号線１０２ａが－ｘ方向にも設けられている。視認性のため、図６（Ａ）では積層前の基板１２０Ｂについて、誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの間の間隔を空けて図示している。図６（Ｂ）は、積層後の基板１２０Ｂのｘｚ断面図である。

基板１２０Ｂにおいて信号線１０２ｂに高周波信号が入力された場合、信号線１０２ａから出力されることとなるが、信号線１０２ａの設けられる±ｘ方向に２分配して出力される。これにより、高周波信号を分配して出力することができる。

変形例６では信号線１０２ａを±ｘ方向に設けた例を説明したが、信号線を設ける方向および高周波信号を分配する数は任意である。例えば信号線１０２ａを±ｙ方向に設けて２分配させてもよいし、信号線１０２ａを±ｘ方向と＋ｙ方向に設けて３分配、±ｘ方向と±ｙ方向に設けて４分配させてもよい。また、信号線１０２ｂについても導体ビア１０３ｂから＋ｘ方向だけでなく、信号線１０２ａと同様に任意の方向に設けて任意の数だけ高周波信号を分配してもよい。これにより、１入力多出力、多入力１出力、多入力多出力の基板を構成することができる。

（変形例７）
本実施形態では、貫通穴１０５と導体ビア１０３ａ、導体ビア１０３ａと導体ビア１０３ｂ、導体ビア１０３ｂと信号線１０２ｂとがそれぞれ第１方向において少なくとも一部重なっていればよいことを説明した。

図７は、積層後の基板１２０Ｃのｘｚ断面図である。基板１２０Ｃは、基板１２０の構成要素と同様であるが、貫通穴１０５と導体ビア１０３ａとがｘｙ平面の位置においてずれている。この場合においても、貫通穴１０５と導体ビア１０３ａとは第１方向において少なくとも一部重なっているため、本実施形態と同様に動作し、同様の効果を得ることができる。さらに、貫通穴１０５を設ける位置について、設計上の自由度を向上させることができる。

図８は、積層後の基板１２０Ｄのｘｚ断面図である。基板１２０Ｄは、基板１２０の構成要素と同様であるが、貫通穴１０５にベントが設けられている。このベントは例えば誘電体基板１０１ａへのエンドミル加工、ドリル加工などで設けることができる。ベントが設けられていても、誘電体基板１０１ａのａ１面からａ２面を貫通する穴を貫通孔１０５とする。この場合においても、貫通穴１０５と導体ビア１０３ａとは第１方向において少なくとも一部重なっているため、本実施形態と同様に動作し、同様の効果を得ることができる。さらに、貫通穴１０５を設ける位置について、設計上の自由度を向上させることができる。例えば平面導体１０４ｂ上に図示しない回路素子を配置する場合に、配置の自由度を向上させることができる。回路素子とは例えば、抵抗やチップコンデンサ等の電子部品である。

図９は、積層後の基板１２０Ｅのｘｚ断面図である。基板１２０Ｅは、基板１２０の構成要素と同様であるが、貫通穴１０５と導体ビア１０３ａのｘｙ平面における位置、導体ビア１０３ａと導体ビア１０３ｂのｘｙ平面における位置がずれており、信号線１０２ｂの長さが変わっている。この場合においても、貫通穴１０５と導体ビア１０３ａとが第１方向において少なくとも一部重なり、導体ビア１０３ａと導体ビア１０３ｂとが第１方向において少なくとも一部重なり、導体ビア１０３ｂと信号線１０２ｂと第１方向において少なくとも一部重なっているため、本実施形態と同様に動作し、同様の効果を得ることができる。さらに、貫通穴１０５、導体ビア１０３ａ、１０３ｂを設ける位置について、設計上の自由度を向上させることができる。

（変形例８）
本実施形態では、貫通穴１０５の内壁の少なくとも一部は、導体に覆われていないことを説明した。図１０は、変形例８における積層後の基板１２０Ｆのｘｚ断面図である。基板１２０Ｆは、基板１２０の構成要素と同様であるが、貫通穴１０５の内壁の一部が導体に覆われている。しかし、貫通穴１０５の内壁のうち、信号線１０２ａから第１方向において距離Ｄ以内は導体に覆われていない。基板１２０Ｆでは、誘電体基板１０１ａと誘電体基板１０１ｂが接着層１０６ａにて接合されている。この場合、距離Ｄは、貫通穴１０５の直径、導体ビア１０３ａの直径、および信号線１０２ａの幅、接着層１０６ａの材質、および接着層１０６ａの第１方向における厚さの少なくとも１つに基づいて定められる。これにより、高周波信号が誘電体基板１０１ａの一部に伝搬される可能性が低減され、貫通穴１０５がスタブとなる可能性が低減される。結果として、高周波信号の透過特性の劣化を低減させることができる。

（変形例９）
図１１（Ａ）は、変形例９における基板１３０の立体図である。基板１３０は、基板１２０にさらに加えて、誘電体基板１０１ａに複数の導体ビア１３１ａを、誘電体基板１０１ｂに複数の導体ビア１３１ｂを、誘電体基板１０１ｃに複数の導体ビア１３１ｃを、誘電体基板１０１ｄに複数の導体ビア１３１ｄを備える。視認性のため、図１１（Ａ）では積層前の基板１３０について、誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの間の間隔を空けて図示している。図１１（Ｂ）は、積層後の基板１３０のｘｚ断面図である。なお、導体ビア１３１ａを第３導体ビア、導体ビア１３１ｂを第４導体ビア、導体ビア１３１ｃを第５導体ビア、導体ビア１３１ｄを第６導体ビアと称することもある。

導体ビア１３１ａは、誘電体基板１０１ａのａ１面からａ２面を貫通して設けられ、平面導体１０４ｂと電気的に接続される。導体ビア１３１ａは貫通穴１０５の周囲に設けられており、導体ビア１３１ａ同士のｘｙ平面における間隔は高周波信号における管内波長の１／２以下である。なお、図１１（Ａ）では、導体ビア１３１ａは貫通穴１０５を囲むように設けられているが、この配置に限定されず、貫通穴１０５の周囲の少なくとも１辺がカバーされていればよい。

導体ビア１３１ｂは、誘電体基板１０１ｂのｂ１面からｂ２面を貫通して設けられ、平面導体１０４ｄと電気的に接続される。導体ビア１３１ｂは導体ビア１０３ａおよび信号線１０２ａの周囲に設けられており、導体ビア１３１ｂ同士のｘｙ平面における間隔は高周波信号における管内波長の１／２以下である。なお、図１１（Ａ）では、導体ビア１３１ｂは導体ビア１０３ａおよび信号線１０２ａを囲むように設けられているが、この配置に限定されず、導体ビア１０３ａおよび信号線１０２ａの周囲の少なくとも１辺がカバーされていればよい。また、導体ビア１３１ａおよび１３１ｂは、それぞれ少なくとも一部が第１方向において重なっている。導体ビア１３１ａと導体ビア１３１ｂは接着層１０６ａがある場合には電気的に接続されないが、導体ビア１３１ａと１３１ｂ間のキャパシタンスによって高周波信号を伝搬させることができる。導体ビア１３１ａおよび１３１ｂによって、導体ビア１０３ａおよび信号線１０２ａにおける平行平板モードによる高周波信号の漏洩を低減させることができる。結果、高周波信号の透過特性の劣化を低減させることができる。

導体ビア１３１ｃは、誘電体基板１０１ｃのｃ１面からｃ２面を貫通して設けられ、平面導体１０４ａと電気的に接続される。導体ビア１３１ｃは導体ビア１０３ｂの周囲に設けられており、導体ビア１３１ｃ同士のｘｙ平面における間隔は高周波信号における管内波長の１／２以下である。なお、図１１（Ａ）では、導体ビア１３１ｃは導体ビア１０３ｂを囲むように設けられているが、この配置に限定されず、導体ビア１０３ｂの周囲の少なくとも１辺がカバーされていればよい。

導体ビア１３１ｄは、誘電体基板１０１ｄのｄ１面からｄ２面を貫通して設けられ、平面導体１０４ｃと電気的に接続される。導体ビア１３１ｄは導体ビア１０３ｂおよび信号線１０２ｂの周囲に設けられており、導体ビア１３１ｄ同士のｘｙ平面における間隔は高周波信号における管内波長の１／２以下である。なお、図１１（Ａ）では、導体ビア１３１ｄは導体ビア１０３ｂおよび信号線１０２ｂを囲むように設けられているが、この配置に限定されず、導体ビア１０３ｂおよび信号線１０２ｂの周囲の少なくとも１辺がカバーされていればよい。また、導体ビア１３１ｃおよび１３１ｄは、それぞれ少なくとも一部が第１方向において重なっている。導体ビア１３１ｃと導体ビア１３１ｄは接着層１０６ｃがある場合には電気的に接続されないが、導体ビア１３１ｃと１３１ｄ間のキャパシタンスによって高周波信号を伝搬させることができる。導体ビア１３１ｃおよび１３１ｄによって、導体ビア１０３ｂおよび信号線１０２ｂにおける平行平板モードによる高周波信号の漏洩を低減させることができる。結果、高周波信号の透過特性の劣化を低減させることができる。

導体ビア１３１ｂと１３１ｃは、図１１（Ａ）（Ｂ）に表されるようにそれぞれ少なくとの一部が第１方向において重なっていてもよい。また、図１１（Ａ）（Ｂ）は、導体ビア１３１ａ～１３１ｄが設けられている場合を表しているが、導体ビア１３１ａおよび１３１ｂのみを設けてもよいし、導体ビア１３１ｃおよび１３１ｄのみを設けてもよい。

（変形例１０）
以上では４枚の誘電体基板１０１ａ～１０１ｄにより構成される基板について説明したが、５枚以上の誘電体基板を積層した基板であってもよい。図１２は、積層後の基板１４０のｘｚ断面図である。基板１４０は、基板１２０の構成要素に加えて、さらに誘電体基板１０１ｅ、導体ビア１０３ｃ、平面導体１０４ｅ、１０４ｆ、接着層１０６ｄを備える。基板１４０は、基板１２０の誘電体基板１０１ｃと１０１ｄの間に誘電体基板１０１ｅを備える構造である。また、誘電体基板１０１ｅの＋ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｅ１面、誘電体基板１０１ｅの－ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｅ２面と称する。

誘電体基板１０１ｅは、誘電体基板１０１ｃと１０１ｄの間に設けられる。誘電体基板１０１ａ～１０１ｄで説明した素材と同様の素材を適用可能である。導体ビア１０３ｃは、誘電体基板１０１ｅのｅ１面とｅ２面を貫通して設けられ、導体ビア１０３ａ、１０３ｂで説明した素材と同様の素材を適用可能である。基板１４０では、導体ビア１０３ｂと１０３ｃは第１方向において少なくとも一部重なっており、導体ビア１０３ｃと信号線１０２ｂは第１方向において少なくとも一部重なっている。これにより、基板１４０外部と貫通穴１０５、導体ビア１０３ａ～１０３ｃの空間を接続することができる。

平面導体１０４ｅ、１０４ｆは誘電体基板１０１ｃと１０１ｅの間に設けられる。図１２では、平面導体１０４ｅは誘電体基板１０１ｃのｃ２面に設けられ、平面導体１０４ｆは誘電体基板１０１ｅのｅ１面に設けられる。平面導体１０４ｅ、１０４ｆは、平面導体１０４ａ～１０４ｄで説明した素材と同様の素材を適用可能である。平面導体１０４ｅ、１０４ｆの面積は信号線１０２ａ、１０２ｂの面積よりも多きい。平面導体１０４ｅ、１０４ｆの役割は平面導体１０４ｄ、１０４ａと同様に、基板１４０外部への高周波信号の放射の抑制である。

接着層１０６ｄは、誘電体基板１０１ｃと１０１ｅの間に設けられ、誘電体基板１０１ｃと１０１ｅを接合する。この場合、接着層１０６ｃは誘電体基板１０１ｅと１０１ｄを接合する。平面導体１０４ｅ、１０４ｆは、接着層１０６ｄを介して対向する。接着層１０６ｄは、接着層１０６ａ～１０６ｃで説明した素材と同様の素材を適用可能である。

基板１４０は、基板１２０と同様に、信号線１０２ａと１０２ｂの一方から入力された高周波信号をもう一方の信号線へ伝搬させる。高周波信号は一方の信号線から、導体ビア１０３ａ、１０３ｂに加えて１０３ｃを介してもう一方の信号線へ伝搬される。導体ビア１０３ｂと１０３ｃ、導体ビア１０３ｃと信号線１０２ｂは、接着層１０６ｄおよび１０６ｃによって電気的に接続されないことがある。しかし、導体ビア１０３ｂと１０３ｃ間のキャパシタンス、導体ビア１０３ｃと信号線１０２ｂ間のキャパシタンスによって高周波信号を伝搬させることができる。以上、導体ビア１０３を有する誘電体基板１０１が１層増加しても、本実施形態と同様に動作させることができる。導体ビア１０３を有する誘電体基板１０１が２層以上増加しても、本変形例と同様である。誘電体基板１０１の層を増加させることにより、基板の剛性を高めることができる。ここで、平面導体１０１ｄ～１０１ｆの少なくとも１つは設けられなくてもよい。基板１４０の製造工程を減らすことができ、製造コストを抑えることができる。

基板１４０では導体ビア１０３を有する誘電体基板１０１を増加させた場合について説明したが、貫通穴１０５を有する誘電体基板１０１を増加させてもよい。図１３は、積層後の基板１５０のｘｚ断面図である。基板１５０は、基板１２０の構成要素に加えて、さらに誘電体基板１０１ｆ、接着層１０６ｅを備える。誘電体基板１０１ｆには、貫通穴１０５ｂが設けられている。ここでは、誘電体基板１０１ａが有する貫通穴１０５は、１０５ａと称する。基板１５０は、基板１２０の誘電体基板１０１ａにさらに誘電体基板１０１ｆを備える構造である。また、誘電体基板１０１ｆの＋ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｆ１面、誘電体基板１０１ｆの－ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｆ２面と称する。

誘電体基板１０１ｆは、誘電体基板１０１ａの上に設けられ、誘電体基板１０１ａ～１０１ｅで説明した素材と同様の素材を適用可能である。貫通穴１０５ｂは、誘電体基板１０１ｆのｆ１面からｆ２面を貫通して設けられる。貫通穴１０５ｂの形成方法および形状は、貫通穴１０５で説明した方法および形状と同様のものが適用可能である。

貫通穴１０５ｂの内壁、すなわち貫通穴１０５ｂが開けられている部分の誘電体基板１０１ｆについては、導体に覆われているか否かは任意である。貫通穴１０５ａを有する誘電体基板１０１ａによって、高周波信号の透過特性を劣化させないための距離は開いているためである。基板１５０では、貫通穴１０５ｂと１０５ａは第１方向において少なくとも一部重なっている。これにより、基板１５０外部と貫通穴１０５ｂ、１０５ａ、導体ビア１０３ａ、１０３ｂの空間を接続することができる。

接着層１０６ｅは、誘電体基板１０１ｆと１０１ａの間に設けられ、誘電体基板１０１ｆと１０１ａを接合する。接着層１０６ｅは、接着層１０６ａ～１０６ｃで説明した素材と同様の素材を適用可能である。

信号線１０２ａおよび１０２ｂのうち、一方の信号線からもう一方の信号線への高周波信号の伝搬は、基板１２０の場合と同様である。以上、貫通穴１０５を有する誘電体基板１０１が１層増加しても、本実施形態と同様に動作させることができる。貫通穴１０５を有する誘電体基板１０１が２層以上増加しても、本変形例と同様である。誘電体基板１０１の層を増加させることにより、基板の剛性を高めることができる。なお、導体ビア１０３を有する誘電体基板１０１の増加と、貫通穴１０５を有する誘電体基板１０１の増加は組み合わせて行われてもよい。

（変形例１１）
以上では、貫通穴１０５、導体ビア１０３ａ、１０３ｂは－ｚ方向に設けられていたが、さらに＋ｚ方向にも設けられてもよい。図１４は、積層後の基板１６０のｘｚ断面図である。基板１６０は、基板１２０の構成要素に加えて、さらに誘電体基板１０１ｇ、１０１ｈ、信号線１０２ｃ、導体ビア１０３ｄ、１０３ｅ、平面導体１０４ｇ、１０４ｈ、１０４ｉ、１０４ｊ、接着層１０６ｆ、１０６ｇを備える。誘電体基板１０１ｈには、貫通穴１０５ｃが設けられている。基板１６０は、信号線１０２ａまたは１０２ｃの一方に入力された高周波信号を、導体ビア１０３ａ、１０３ｂ、信号線１０２ｂ、導体ビア１０３ｄ、１０３ｅを介して信号線１０２ａまたは１０２ｃのもう一方から出力する。なお本変形例では、誘電体基板１０１ａが有する貫通穴１０５は、１０５ａと称する。

誘電体基板１０１ｇ、１０１ｈは誘電体基板１０１ａ～１０１ｆで説明した素材と同様の素材を適用可能である。誘電体基板１０１ｇの＋ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｇ１面、誘電体基板１０１ｇの－ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｇ２面と称し、誘電体基板１０１ｈの＋ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｈ１面、誘電体基板１０１ｈの－ｚ方向のｘｙ平面に平行な面をｈ２面と称する。なお、誘電体基板１０１ｇを第５誘電体基板、誘電体基板１０１ｈを第６誘電体基板、ｇ１面を第９面、ｇ２面を第１０面、ｈ１面を第１１面、ｈ２面を第１２面と称することもある。

信号線１０２ｃは、高周波信号を伝搬する。信号線１０２ｃは、信号線１０２ａと１０２ｃの一方の信号線からもう一方の信号線へ高周波信号を伝搬させるための信号線である。信号線１０２ｃは誘電体基板１０１ｇと１０１ｈの間に設けられる。一例として、図１４では信号線１０２ｃは誘電体基板１０１ｈのｈ１面上に設けられている。信号線１０２ｃの素材、表面処理、接続される素子等は信号線１０２ａ、１０２ｂの説明と同様のものが適用可能である。なお、信号線１０２ｃを第３信号線と称することもある。

導体ビア１０３ｄ、１０３ｅは信号線１０２ｂおよび１０２ｃの一方からの高周波信号を、もう一方の信号線に伝搬する。すなわち、信号線１０２ｂに伝搬された高周波信号は、導体ビア１０３ｄ、１０３ｅを通じて信号線１０２ｃへ伝搬され、信号線１０２ｃに入力された高周波信号は、導体ビア１０３ｅ、１０３ｄを通じて信号線１０２ｂへ伝搬される。導体ビア１０３ｄは誘電体基板１０１ｄのｄ１面からｄ２面を貫通して設けられ、導体ビア１０３ｅは誘電体基板１０１ｇのｇ１面からｇ２面を貫通して設けられる。なお、導体ビア１０３ｄを第７導体ビア、導体ビア１０３ｅを第８導体ビアと称することもある。図１４では導体ビア１０３ｄ、１０３ｅを円筒形状として表しているが、円筒形状以外にも楕円形状、角型形状、少なくとも一部曲線を含む形状など、形状は任意である。

信号線１０２ｂと導体ビア１０３ｄ、および導体ビア１０３ｅと信号線１０２ｃは、電気的に接続される、またはキャパシタンスにより高周波信号の伝搬が可能な程度の距離に設けられる。導体ビア１０３ｅおよび貫通穴１０５ｃは、導体ビア１０３ｄおよび１０３ｅの少なくとも一方が貫通する方向（本変形例ではｚ方向）において、少なくとも一部重なっている。以降、導体ビア１０３ｄおよび１０３ｅの少なくとも一方が貫通する方向を、第２方向と称することもある。本変形例では、第１方向と第２方向は同じ方向として説明する。導体ビア１０３ｄおよび１０３ｅは、第２方向において少なくとも一部重なっている。これにより、貫通穴１０５ｃの空間と、導体ビア１０３ｄの空間と、導体ビア１０３ｅの空間が接続される（空気の通り道となる）。これにより、基板１６０の外部において温度や気圧の変化が生じても、これらの空間内の空気の気圧と基板１６０の外部の気圧を同程度にすることができ、基板１６０を形成する層（誘電体基板）の一部に剥離または密着する応力を低減させることができる。結果として、基板１６０の長期的な信頼性が向上する。なお、導体ビア１０３ｂと導体ビア１０３ｄとは、第１方向および第２方向の少なくとも一方において重ならない。貫通穴１０５ａ、導体ビア１０３ａ、１０３ｂの空気の通り道と、貫通穴１０５ｃ、導体ビア１０３ｄ、１０３ｅの空気の通り道を別々に設けることにより、図示しない他の導体パターン（平面導体）を避けて高周波信号の伝送経路を構築できる。

平面導体１０４ｇ、１０４ｈ、１０４ｉ、１０４ｊは、他の平面導体１０４および信号線１０２ｂ、１０２ｃとでマイクロストリップ線路を構成する。平面導体１０４ｇ、１０４ｈは誘電体基板１０１ｃと１０１ｄの間に設けられ、接着層１０６ｃを介して対向して設けられる。平面導体１０４ｉは誘電体基板１０１ｄと１０１ｇの間に設けられ、平面導体１０４ｃと接着層１０６ｆを介して対向して設けられる。平面導体１０４ｊは、平面導体１０４ｉと１０４ｊの間に信号線１０２ｃが位置するように設けられる。一例として図１４では、平面導体１０４ｇは誘電体基板１０１ｃのｃ２面に設けられ、平面導体１０４ｈは誘電体基板１０１ｄのｄ１面に設けられ、平面導体１０４ｉは誘電体基板１０１ｇのｇ１面に設けられ、平面導体１０４ｊは誘電体基板１０１ｈのｈ２面に設けられる。平面導体１０４ｇ～１０４ｊの素材、形状、および表面処理は、平面導体１０４ａで説明したものと同様のものが適用可能である。なお、平面導体１０４ｊは第５平面導体と称することもある。

平面導体１０４ｇ～１０４ｈの面積は、信号線１０２ｂ、１０２ｃの面積よりも大きい。導体ビア１０３ｄ、１０３ｅと平面導体１０４ｃは離れており、電気的に接続されていない。信号線１０２ｂと平面導体１０４ｃによってマイクロストリップが構成される。同様に、信号線１０２ｃと平面導体１０４ｉによってマイクロストリップが構成される。なお、信号線１０２ｂ、１０２ｃの近傍に図示していない導体パターンを追加して、コプレーナ線路やフィンライン線路を構成してもよい。また、平面導体１０４ｇ、１０４ｈは信号線１０２ｂ、導体ビア１０３ｂ、導体ビア１０３ｄからは離れており、電気的に接続されていない。平面導体１０４ｃ、１０４ｉは導体ビア１０３ｄ、１０３ｅからは離れており、電気的に接続されていない。これにより、平面導体１０４ｉ、信号線１０２ｃ、および平面導体１０４ｊによってストリップ線路が構成される。同様に、平面導体１０４ｇ、１０４ｈも他の平面導体や信号線によってストリップ線路が構成される。これにより、信号線１０２ｂおよび１０２ｃから基板１６０外部への高周波信号の放射を抑制することができる。結果として、高周波信号の透過特性の劣化を低減させることができる。

貫通穴１０５ｃは、誘電体基板１０１ｈのｈ１面からｈ２面を貫通して設けられる。貫通穴１０５ｃの形成方法および形状は、貫通穴１０５、１０５ｂで説明した方法および形状と同様のものが適用可能である。

貫通穴１０５ｃの内壁、すなわち貫通穴１０５ｃが開けられている部分の誘電体基板１０１ｈの少なくとも一部は、導体に覆われていない。より詳細には、貫通穴１０５ｃの内壁は、信号線１０２ｃから第２方向において所定の距離以内は導体に覆われていない。この所定の距離は、貫通穴１０５ｃの直径、導体ビア１０３ｅの直径、および信号線１０２ｃの幅、接着層１０６ｇの材質、および接着層１０６ｇの第２方向における厚さの少なくとも１つに基づいて定められる。これにより、高周波信号が誘電体基板１０１ｈの一部に伝搬される可能性が低減され、貫通穴１０５ｃがスタブとなる可能性が低減される。結果として、高周波信号の透過特性の劣化を低減させることができる。なお、貫通穴１０５ｃを第２貫通穴と称することもあり、貫通穴１０５の内壁を第２内壁と称することもある。

また、基板１６０において、貫通穴１０５ｃは平面導体１０４ｊも貫通して設けられる。これにより、貫通穴１０５ｃは導体ビア１０３ｄと１０３ｅのインダクタンス成分を相殺するキャパシタンスのように振る舞う。結果として、高周波信号の透過特性の劣化を低減させることができる。

接着層１０６ｆは誘電体基板１０１ｄと１０１ｅの間に設けられ、誘電体基板１０１ｄと１０１ｅを接合する。接着層１０６ｇは誘電体基板１０１ｅと１０１ｆの間に設けられ、誘電体基板１０１ｅと１０１ｆを接合する。平面導体１０４ｃ、１０４ｉは、接着層１０６ｆを介して対向する。平面導体１０４ｃ、１０４ｉは、接着層１０６ｆを介して対向する。接着層１０６ｆ、１０６ｇは、接着層１０６ａ～１０６ｃで説明した素材と同様の素材を適用可能である。

以上、本変形例の構成要素を説明した。基板１６０では、導体ビア１０３ｄと１０３ｅは接着層１０６ｆにより電気的に接続されない場合があり、接着層１０６ｇによって導体ビア１０３ｅと信号線１０２ｃとが電気的に接続されない場合がある。この場合、直流信号は伝搬しない。しかし、導体ビア１０３ｄと１０３ｅ間のキャパシタンスおよび導体ビア１０３ｅと信号線１０２ｃ間のキャパシタンスによって、高周波信号を伝搬させることができる。

本変形例の基板１６０は、信号線１０２ａまたは１０２ｃの一方に入力された高周波信号を、導体ビア１０３ａ、１０３ｂ、信号線１０２ｂ、導体ビア１０３ｄ、１０３ｅを介して信号線１０２ａまたは１０２ｃのもう一方から出力する。貫通穴１０５ａ、導体ビア１０３ａ、１０３ｂの空気の通り道と、貫通穴１０５ｃ、導体ビア１０３ｄ、１０５ｅの空気の通り道を別々に設けることで、図示しない他の導体パターン（平面導体）を避けて高周波信号の伝送経路を構築できる。また、誘電体基板の層を増加させることで、基板の剛性を高めることができる。ここで、平面導体１０１ｄ、１０１ｇ～１０１ｉの少なくとも１つは設けられなくてもよい。基板１６０の製造工程を減らすことができ、製造コストを抑えることができる。

以上、本実施形態の変形例を説明した。本実施形態の変形例は、矛盾の起きない限りで先に説明した基板、後述する基板に適用してもよいし、変形例同士を組み合わせて適用してもよい。本実施形態の基板は、内部の信号線１０２ａから１０２ｂ間において高周波信号を伝搬する。貫通穴１０５の内壁の少なくとも一部が導体に覆われていないことにより、貫通穴１０５がスタブとなる可能性が低減され、高周波信号の透過特性の劣化を低減させることができる。また、貫通穴１０５の空間と、導体ビア１０３ａの空間と、導体ビア１０３ｂの空間を接続することにより、基板外部の気圧とこれらの空間の気圧を同程度にすることができ、基板を形成する層（誘電体基板）の一部に剥離または密着する応力を低減させることができる。結果として、基板の長期的な信頼性が向上する。

（第２の実施形態）
第１の実施形態では、信号線１０２ａと１０３ｂ間の高周波信号の伝搬は、導体ビア１０３ａおよび１０３ｂが行っていた。この高周波信号の伝搬を、スロットを使うことによっても行ってよい。図１５（Ａ）は第２の実施形態における基板２００の立体図である。基板２００は、基板１２０の構成要素と同様であり、平面導体１０４ａにスロット２０１ａが、平面導体１０４ｄにスロット２０１ｂが設けられている。基板２００は、信号線１０２ａと１０３ｂ間の高周波信号の伝搬を、導体ビア１０３ａと１０３ｂによる伝搬とスロット２０１ａと２０１ｂを用いた伝搬によって行うことにより、高周波信号の透過係数を向上させることができる。ここで、導体ビア１０３ａと１０３ｂによる伝搬とスロット２０１ａと２０１ｂを用いた伝搬とでは、スロット２０１ａと２０１ｂを用いた伝搬が支配的となる。視認性のため、図１５（Ａ）では積層前の基板２００について、誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの間の間隔を空けて図示している。図１５（Ｂ）は、積層後の基板２００のｘｚ断面図である。

スロット２０１ａ、２０１ｂは、信号線１０２ａと１０２ｂ間の高周波信号の伝搬を行うためのスロットである。スロット２０１ａ、２０１ｂを用いた高周波信号の伝搬は、電磁界結合によって行う。スロット２０１ａ、２０１ｂの長さは、高周波信号の管内波長の１／２程度である。スロットの形状は任意であり、図１５（Ａ）のように直線状のスロットでもよいし、少なくとも１つのベントを有していてもよいし、少なくとも一部が曲線状であってもよいし、複数のスロットを設けてもよい。また、スロット２０１ａ、２０１ｂは同様の形状でもよいし、異なる形状でもよい。なお、平面導体１０４ｄが設けられていない場合は、スロット２０１ａのみで高周波信号を伝搬してもよい。

導体ビア１０３ａ、１０３ｂによる伝搬では、接着層１０６ｂ、１０６ｃの第１方向における厚さによっては、導体ビア１０３ａと１０３ｂ間のキャパシタンス、導体ビア１０３ｂと信号線１０２ｂ間のキャパシタンスが小さくなる可能性がある。信号線１０２ａが誘電体基板１０１ａのａ２面に設けられている場合には、信号線１０２ａと導体ビア１０３ａ間のキャパシタンスが小さくなる可能性がある。一方、スロット２０１ａ、２０１ｂを用いた伝搬では、電磁界結合によって行うため、キャパシタンスの減少による高周波信号の透過特性の劣化の影響を減少させることができる。結果、高周波信号の透過特性の劣化を低減させ、高周波信号の信号線１０２ａと１０２ｂ間の伝搬を安定化させることができる。

以上、基板２００の構成要素を説明した。本実施形態は一例であって、変形例は様々に実装可能である。例えば、第１の実施形態および第１の実施形態で説明した変形例を適用可能である。以下、本実施形態に適用可能な変形例を説明する。

（変形例１２）
スロット２０１ａ、２０１ｂの形状は様々に考えられる。図１６は、積層後の基板２００’のｘｚ断面図である。基板２００’のスロット２０１ａ’の形状はＨ字状である。スロット２０１ｂ’の形状もＨ字状にすることができる。図１７は、積層後の基板２００”のｘｚ断面図である。基板２００”のスロット２０１ａ”の形状はＣ字状である。スロット２０１ｂ”の形状もＣ字状にすることができる。基板２００’、２００”のいずれも基板２００と同様に高周波信号を伝搬させることができる。スロット２０１ａの形状をＨ字状、Ｃ字状とすることにより、基板をｙ方向に小さくすることができる。結果、基板を小型化させることができ、コストを低減させることができる。

（変形例１３）
変形例９で説明した基板１３０に、本実施形態で説明したスロットを設けてもよい。図１８（Ａ）は、変形例１３における基板２１０の立体図である。基板２１０は、基板１３０の平面導体１０４ａに変形例１２で説明したスロット２０１ａ”を設け、平面導体１０４ｄにスロット２０１ｂ”を設けている。視認性のため、図１８（Ａ）では積層前の基板２１０について、誘電体基板１０１ａ～１０１ｄの間の間隔を空けて図示している。図１８（Ｂ）は、積層後の基板２１０のｘｚ断面図である。基板２１０も基板２００と同様に高周波信号を伝搬させることができる。また、変形例９で説明した導体ビア１３１ａ、１３１ｂ、１３１ｃ、１３１ｄにより、信号線１０２ａ、１０２ｂ、導体ビア１０３ａ、１０３ｂにおける平行平板モードによる高周波信号の漏洩を低減させることができる。結果、高周波信号の透過特性（通過特性）の劣化を低減させることができる。

図１９は、基板１３０、２１０における高周波信号の透過係数の周波数特性を表す。すなわち、高周波信号の規格化周波数に対しての透過係数を表している。透過係数の数値が大きく（絶対値が小さく）なるほど高周波信号の透過特性の劣化が低減することを表す。基板１３０（０μｍ）は一点鎖線で表され、基板１３０において平面導体１０４ａと１０４ｄが電気的に接続されている場合、すなわち接着層１０６ｂが存在しない場合を表す。基板１３０（３０μｍ）は長鎖線で表され、基板１３０において平面導体１０４ａと１０４ｄが接着層１０６ｂによって３０μｍ離れている場合を表す。基板２１０（０μｍ）は実線で表され、基板２１０において平面導体１０４ａと１０４ｄが電気的に接続されている場合、すなわち接着層１０６ｂが存在しない場合を表す。基板２１０（３０μｍ）は破線で表され、基板２１０において平面導体１０４ａと１０４ｄが接着層１０６ｂによって３０μｍ離れている場合を表す。

平面導体１０４ａと１０４ｄが電気的に接続される場合（０μｍ）では、基板１３０と基板２１０とでは基板２１０の方が広い周波数範囲にわたってより透過係数が高いものの、大きな変化はない。

平面導体１０４ａと１０４ｄの間隔が３０μｍの場合、導体ビア１０３ａ、１０３ｂを介して高周波信号を伝搬させる基板１３０では、規格化周波数が０．９５～１．０５の範囲において、透過係数が－２．７ｄＢ～－４．２ｄＢ程度劣化する。一方、導体ビア１０３ａ、１０３ｂに加えてスロット２０１ａ”、２０１ｂ”を介して高周波信号を伝搬させる基板２１０では、規格化周波数が０．９５～１．０５の範囲において、透過係数が－０．６ｄＢ～－０．９ｄＢ程度の劣化に抑えられている。

導体ビア１０３ａ、１０３ｂを介して高周波信号を伝搬させる基板１３０では、平面導体１０４ａと１０４ｄの間隔が大きくなるほど、すなわち接着層１０６ｂの厚さが大きくなるほど導体ビア１０３ａ、１０３ｂ間のキャパシタンスが減少するため、高周波信号の透過特性が悪化する。一方、導体ビア１０３ａ、１０３ｂに加えてスロット２０１ａ”、２０１ｂ”を介して高周波信号を伝搬させる基板２１０では、平面導体１０４ａと１０４ｄの間隔、すなわち接着層１０６ｂの厚さの影響を基板２１０よりも小さく抑えることができる。よって、導体ビア１０３だけでなくスロット２０１を用いて高周波信号を伝搬させることで、広い周波数範囲にわたって高周波信号の透過特性の劣化を低減させることができる。

以上、本実施形態の変形例を説明した。本実施形態の変形例は、矛盾の起きない限りで先に説明した基板に適用してもよいし、変形例同士を組み合わせて適用してもよい。本実施形態の基板は、内部の信号線１０２ａから１０２ｂ間において高周波信号を伝搬する。この伝搬を導体ビア１０３ａ、１０３ｂだけでなくスロット２０１ａ、２０１ｂを介して行うことにより、高周波信号の透過特性を向上させることができる。

（第３の実施形態）
図２０は、第３の実施形態における高周波回路３００の構成図である。高周波回路３００は、基板１００（ｏｒ２００）と、この基板を伝搬する高周波信号を供給する信号回路３０１を備える。図２０では基板１００（ｏｒ２００）と表しているが、以降、基板１００（ｏｒ２００）とは第１の実施形態、第２の実施形態、および変形例で説明したすべての基板のいずれかであるとする。

信号回路３０１は高周波信号を生成し、基板１００（ｏｒ２００）に供給する。基板１００（ｏｒ２００は、信号線１０２ａおよび１０２ｂの一方（例えば、信号線１０２ａ）でこの高周波信号を受け取り、もう一方の信号線（例えば、信号線１０２ｂ）に伝搬する。基板１６０の場合では、信号線１０２ａおよび１０２ｃの一方でこの高周波信号を受け取り、もう一方の信号線に伝搬する。基板１００（ｏｒ２００）を用いて高周波回路３００を構成することで、高周波信号の透過特性の劣化を低減し、高周波回路３００の長期的な信頼性を向上させることができる。

（第４の実施形態）
図２１は、第４の実施形態におけるアンテナ装置４００の構成図である。アンテナ装置４００は、基板１００（ｏｒ２００）と、この基板から伝搬される高周波信号を放射するアンテナ素子４０１を備える。

アンテナ素子４０１は、基板１００（ｏｒ２００）から伝搬される高周波信号を電波として放射する。アンテナ素子４０１は、電波を受信し、高周波信号として基板１００（ｏｒ２００）に入力する。基板１００（ｏｒ２００）は、信号線１０２ａおよび１０２ｂの一方（例えば、信号線１０２ａ）からアンテナ素子４０１に出力する。基板１００（ｏｒ２００）は、信号線１０２ａおよび１０２ｂのこの一方で電波を受信したアンテナ素子４０１から高周波信号を受け取り、もう一方の信号線（例えば、信号線１０２ｂ）に伝搬する。基板１６０では、信号線１０２ａおよび１０２ｂではなく信号線１０２ａおよび１０２ｃとなる。

アンテナ素子４０１は、基板１００（ｏｒ２００）と同一の基板上に構成してもよいし、基板１００（ｏｒ２００）とは異なる基板を組み合わせて構成し，同軸ケーブルなどを介して高周波信号を伝搬してもよい。

基板１００（ｏｒ２００）を用いてアンテナ装置４００を構成することで、高周波信号の透過特性の劣化を低減し、アンテナ装置４００の長期的な信頼性を向上させることができる。

（第５の実施形態）
図２２は、第５の実施形態における無線通信装置５００の構成図である。無線通信装置５００は、第４の実施形態のアンテナ装置４００に加えて、無線信号回路５０１と、変換回路５０２を備える。

無線信号回路５０１は、無線通信に用いる信号（以降、無線信号とも称する）を生成し、変換回路５０２に送る。また、無線信号回路５０１は変換回路５０２によって復調された信号（以降、復調信号とも称する）を受け取り、復調した信号の処理を行う。

変換回路５０２は、無線通信回路５０１から送られた無線信号を変調し、高周波信号に変換してアンテナ装置４００に送る。また、変換回路５０２は、アンテナ装置４００から送られた高周波信号を復調し、復調信号を無線信号回路５０１に送る。

基板１００（ｏｒ２００）は、信号線１０２ａおよび１０２ｂの一方（例えば、信号線１０２ａ）で変換回路５０２から変換された高周波信号を受けとり、もう一方の信号線（例えば、信号線１０２ｂ）に伝搬する。高周波信号はこのもう一方の信号線からアンテナ素子４０１に送られ、電波として放射される。アンテナ素子４０１が電波を受信した場合、高周波信号としてこのもう一方の信号線（１０２ｂ）に送る。基板１００（ｏｒ２００）は、このもう一方の信号線（１０２ｂ）でアンテナ素子４０１から高周波信号を受け取り、この一方の信号線（１０２ａ）に伝搬し、変換回路５０２に送る。基板１６０では、信号線１０２ａおよび１０２ｂではなく信号線１０２ａおよび１０２ｃとなる。

基板１００（ｏｒ２００）を用いて無線通信装置５００を構成することで、高周波信号の透過特性の劣化を低減し、無線通信装置５００の長期的な信頼性を向上させることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規の実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１００、１００’、１００”：基板
１０１ａ～１０１ｈ：誘電体基板
１０２ａ～１０２ｃ：信号線
１０３ａ～１０３ｅ：導体ビア
１０４ａ～１０４ｊ：平面導体
１０５、１０５ａ～１０５ｃ：貫通穴
１０６ａ～１０６ｇ：接着層
１２０、１２０’、１２０Ａ～１２０Ｆ：基板
１３０：基板
１３１ａ～１３１ｄ：導体ビア
１４０：基板
１５０：基板
１６０：基板
２００、２００’、２００”：基板
２０１ａ、２０１ａ’、２０１ａ”、２０１ｂ、２０１ｂ’、２０１ｂ”：スロット
２１０：基板
３００：高周波回路
３０１：信号回路
４００：アンテナ装置
４０１：アンテナ素子
５００：無線通信装置
５０１：無線信号回路
５０２：変換回路

Claims (20)

1. 第１面と第２面を有し、前記第１面から前記第２面を貫通する第１貫通穴を有する第１誘電体基板と、
   第３面と第４面を有し、前記第３面から前記第４面を貫通して設けられる第１導体ビアを有する第２誘電体基板と、
   前記第１誘電体基板および前記第２誘電体基板の間に設けられる第１信号線と、
   第５面と第６面を有し、前記第５面から前記第６面を貫通して設けられる第２導体ビアを有する第３誘電体基板と、
   前記第２誘電体基板と前記第３誘電体基板の間に設けられ、前記第１導体ビアおよび前記第２導体ビアからは離れている第１平面導体と、
   第４誘電体基板と、
   前記第３誘電体基板と前記第４誘電体基板の間に設けられる第２信号線と、
   を備え、
   前記第１貫通穴における前記第１誘電体基板の第１内壁の少なくとも一部は導体に覆われておらず、
   前記第１貫通穴および前記第１導体ビアは前記第１導体ビアおよび前記第２導体ビアの少なくとも一方が貫通する第１方向において少なくとも一部重なり、
   前記第１導体ビアおよび前記第２導体ビアは前記第１方向において少なくとも一部重なり、
   前記第２導体ビアおよび前記第２信号線は前記第１方向において少なくとも一部重なる、
   基板。
2. 前記第１内壁は、前記第１導体ビアまたは第１信号線から前記第１方向において第１距離以内は導体に覆われていない、
   請求項１に記載の基板。
3. 前記第１距離は、前記第１貫通穴の直径、前記第１導体ビアの直径、および前記第１信号線の幅の少なくとも１つに基づいて定められる、
   請求項２に記載の基板。
4. 前記第１信号線および前記第２信号線は、一方の信号線からもう一方の信号線へ高周波信号を伝搬させるための信号線である、
   請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板。
5. 前記第１誘電体基板および前記第２誘電体基板の間に設けられる第１接着層と、
   前記第２誘電体基板および前記第３誘電体基板の間に設けられる第２接着層と、
   前記第３誘電体基板および前記第４誘電体基板の間に設けられる第３接着層と、
   をさらに備える、
   請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板。
6. 前記第１内壁は、前記第１導体ビアまたは第１信号線から前記第１方向において第１距離以内は導体に覆われておらず、
   前記第１距離は、前記第１貫通穴の直径、前記第１導体ビアの直径、前記第１信号線の幅、前記第１接着層の材質、および前記第１接着層の第１方向における厚さの少なくとも１つに基づいて定められる、
   請求項５に記載の基板。
7. 前記第１誘電体基板に設けられる第２平面導体をさらに備え、
   前記第１信号線は前記第１平面導体および前記第２平面導体の間に設けられる、
   請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板。
8. 前記第１誘電体基板は、前記第１面から前記第２面を貫通して設けられ、前記第２平面導体と電気的に接続される複数の第３導体ビアを有し、
   前記第２誘電体基板は、前記第３面から前記第４面を貫通して設けられ、前記第１平面導体と電気的に接続される複数の第４導体ビアを有し、
   前記複数の第３導体ビアおよび前記複数の第４導体ビアは前記第１方向において少なくとも一部重なり、
   前記複数の第３導体ビアまたは前記複数の第４導体ビアの間隔は高周波信号における管内波長の１／２以下である、
   請求項７に記載の基板。
9. 前記第４誘電体基板に第３平面導体をさらに備え、
   前記第２信号線は前記第１平面導体および前記第３平面導体の間に設けられる、
   請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板。
10. 前記第３誘電体基板は、前記第５面から前記第６面を貫通して設けられ、前記第１平面導体と電気的に接続される複数の第５導体ビアを有し、
    前記第４誘電体基板は、第７面から第８面を貫通して設けられ、前記第３平面導体と電気的に接続される複数の第６導体ビアを有し、
    前記複数の第５導体ビアおよび前記複数の第６導体ビアは前記第１方向において少なくとも一部重なり、
    前記複数の第５導体ビアまたは前記複数の第６導体ビアの間隔は高周波信号における管内波長の１／２以下である、
    請求項９に記載の基板。
11. 前記第１信号線および前記第１平面導体、または前記第１平面導体および前記第２信号線の間に第４平面導体をさらに備え、
    前記第４平面導体は前記第１導体ビアおよび前記第２導体ビアからは離れている、
    請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の基板。
12. 前記第４誘電体基板は、第７面から第８面を貫通して設けられる第７導体ビアを有し、
    第９面と第１０面を有し、前記第９面から前記第１０面を貫通して設けられる第８導体ビアを有する第５誘電体基板と、
    前記第４誘電体基板と前記第５誘電体基板の間に設けられ、前記第７導体ビアおよび前記第８導体ビアからは離れている第３平面導体と、
    第１１面と第１２面を有し、前記第１１面から前記第１２面を貫通する第２貫通穴を有する第６誘電体基板と、
    前記第５誘電体基板と前記第６誘電体基板の間に設けられる第３信号線と、
    を備え、
    前記第２貫通穴における前記第６誘電体基板の第２内壁の少なくとも一部は導体に覆われておらず、
    前記第２貫通穴および前記第８導体ビアは、前記第７導体ビアおよび前記第８導体ビアの少なくとも一方が貫通する第２方向において少なくとも一部重なり、
    前記第７導体ビアおよび前記第８導体ビアは、前記第２方向において少なくとも一部重なり、
    前記第２導体ビアおよび前記第７導体ビアは前記第１方向および前記第２方向の少なくとも一方において重ならない、
    請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板。
13. 前記第２内壁は、前記第８導体ビアまたは第３信号線から前記第２方向において第２距離以内は導体に覆われていない、
    請求項１２に記載の基板。
14. 前記第２距離は、前記第２貫通穴の直径、前記第８導体ビアの直径、および前記第３信号線の幅の少なくとも１つに基づいて定められる、
    請求項１３に記載の基板。
15. 前記第６誘電体基板に第５平面導体をさらに備え、
    前記第３信号線は前記第３平面導体および前記第５平面導体の間に設けられる、
    請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の基板。
16. 前記第１平面導体は、前記第１信号線および前記第２信号線間において高周波信号を伝搬するためのスロットを有する、
    請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の基板。
17. 請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の基板と、
    前記第１信号線および第２信号線に伝搬される高周波信号を供給する信号回路と、
    を備える、
    高周波回路。
18. 請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の基板と、
    前記第１信号線または第２信号線から伝搬される高周波信号を放射するアンテナ素子と、
    を備える、
    アンテナ装置。
19. 請求項１８に記載のアンテナ装置と、
    無線通信に用いる無線信号を生成する無線信号回路と、
    前記無線信号を高周波信号に変換し、前記第１信号線または第２信号線に供給する変換回路と、
    を備える、
    無線通信装置。
20. 第１面と第２面を有し、前記第１面から前記第２面を貫通する第１貫通穴を有する第１誘電体基板と、
    第３面と第４面を有し、前記第３面から前記第４面を貫通して設けられる第１導体ビアを有する第２誘電体基板と、
    前記第１誘電体基板および前記第２誘電体基板の間に設けられる第１信号線と、
    第５面と第６面を有し、前記第５面から前記第６面を貫通して設けられる第２導体ビアを有する第３誘電体基板と、
    前記第２誘電体基板と前記第３誘電体基板の間に設けられ、前記第１導体ビアおよび前記第２導体ビアからは離れている第１平面導体と、
    第４誘電体基板と、
    前記第３誘電体基板と前記第４誘電体基板の間に設けられる第２信号線と、
    を積層し、
    前記第１貫通穴における前記第１誘電体基板の第１内壁の少なくとも一部は導体に覆われておらず、
    前記第１貫通穴および前記第１導体ビアは前記第１導体ビアまたは前記第２導体ビアが貫通する第１方向において少なくとも一部重なり、
    前記第１導体ビアおよび前記第２導体ビアは前記第１方向において少なくとも一部重なり、
    前記第２導体ビアおよび前記第２信号線は前記第１方向において少なくとも一部重なる、
    基板の製造方法。

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