JP2022125052A - 発光素子 - Google Patents

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Abstract

【課題】新規の有機化合物であるフロピラジン誘導体を提供する。【解決手段】フロピラジン骨格を有し、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。JPEG2022125052000152.jpg37167なお、一般式（Ｇ１）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ａｒ１は、置換もしくは無置換の縮合芳香環を示す。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素または総炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、正孔輸送性の骨格を有する。【選択図】なし

Description

本発明の一態様は、有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置に関す
る。但し、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。すなわち、本発明の一態
様は、物、方法、製造方法、または駆動方法に関する。または、本発明の一態様は、プロ
セス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に
関する。また、具体的には、半導体装置、表示装置、液晶表示装置などを一例として挙げ
ることができる。
一対の電極間にＥＬ層を挟んでなる発光素子（有機ＥＬ素子ともいう）は、薄型軽量、入
力信号に対する高速な応答性、低消費電力などの特性を有することから、これらを適用し
たディスプレイは、次世代のフラットパネルディスプレイとして注目されている。
発光素子は、一対の電極間に電圧を印加することにより、各電極から注入された電子およ
びホールがＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質（有機化合物）が励起状
態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。なお、励起状態の種類としては
、一重項励起状態（Ｓ＊）と三重項励起状態（Ｔ＊）とがあり、一重項励起状態からの発
光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼ばれている。また、発光素子におけるそ
れらの統計的な生成比率は、Ｓ＊：Ｔ＊＝１：３であると考えられている。発光物質から
得られる発光スペクトルはその発光物質特有のものであり、異なる種類の有機化合物を発
光物質として用いることによって、様々な発光色の発光素子を得ることができる。
有機化合物としては、これまで多くの種類の物質やその合成方法等が開発されており、そ
の用途や開発分野は様々である。バイオケミカルの分野において、ナフトフロピラジン骨
格を有する物質を容易に合成する方法が報告されている（例えば、非特許文献１参照。）
。
しかしながら、このナフトフロピラジン骨格を有する物質を原料として新たな物質を開発
するという報告はなされていない。
Ｋ．Ｓｈｉｖａ Ｋｕｍａｒ， Ｒａｊｕ Ａｄｅｐｕ， Ｒａｖｉｋｕｍａｒ Ｋａｐａｖａｒａｐｕ， Ｄ．Ｒａｍｂａｂｕ， Ｇ．Ｒａｍａ Ｋｒｉｓｈｎａ， Ｃ．Ｍａｌｌａ Ｒｅｄｄｙ， Ｋ．ＫｒｉｓｈｎａＰｒｉｙａ， ＫｉｓｈｏｒｅＶ．Ｌ．Ｐａｒｓａ， Ｍａｎｏｊｉｔ Ｐａｌ、「ＡｌＣｌ３ ｉｎｄｕｃｅｄ Ｃ－ａｒｙｌａｔｉｏｎ／ｃｙｃｌｉｚａｔｉｏｎ ｉｎ ａ ｓｉｎｇｌｅ ｐｏｔ： ａ ｎｅｗ ｒｏｕｔｅ ｔｏ ｂｅｎｚｏｆｕｒａｎ ｆｕｓｅｄ Ｎ－ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｌｅｓ ｏｆ ｐｈａｒｍａｃｏｌｏｇｉｃａｌ ｉｎｔｅｒｅｓｔ」、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ、２０１２、Ｖｏｌ．５３，ｐ．１１３４－１１３８
そこで、本発明の一態様では、フロピラジン骨格（ナフトフロピラジンを含む）を有する
物質を原料とする新規の有機化合物を提供する。また、本発明の別の一態様では、新規の
有機化合物であるフロピラジン誘導体を提供する。また、本発明の一態様では、発光素子
に用いることができる新規な有機化合物を提供する。また、本発明の一態様では、発光素
子のＥＬ層に用いることができる、新規な有機化合物を提供する。また、本発明の一態様
である新規な有機化合物を用いた信頼性の高い新規な発光素子を提供する。また、新規な
発光装置、新規な電子機器、または新規な照明装置を提供する。なお、これらの課題の記
載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これ
らの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求
項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載か
ら、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
Figure 2022125052000001
上記一般式（Ｇ１）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ａｒ１は、置換もしく
は無置換の縮合芳香環を示す。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素または総
炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、正孔輸送性の骨格を
有する。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
Figure 2022125052000002
上記一般式（Ｇ１）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ａｒ１は、置換もしく
は無置換のナフタレン、置換もしくは無置換のフェナントレン、および置換もしくは無置
換のクリセン、のいずれか一を示す。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素ま
たは総炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、正孔輸送性の
骨格を有する。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
Figure 2022125052000003
上記一般式（Ｇ１）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ａｒ１は、置換もしく
は無置換の縮合芳香環を示す。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素または総
炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、縮合環を含む基であ
る。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
Figure 2022125052000004
上記一般式（Ｇ１）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ａｒ１は、置換もしく
は無置換のナフタレン、置換もしくは無置換のフェナントレン、および置換もしくは無置
換のクリセン、のいずれか一を示す。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素ま
たは総炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、縮合環を含む
基である。
なお、上記一般式（Ｇ１）において、Ａｒ１は、下記一般式（ｔ１）乃至一般式（ｔ３）
のいずれか一で表されることを特徴とする。
Figure 2022125052000005
上記一般式（ｔ１）乃至一般式（ｔ３）において、Ｒ３～Ｒ２４は、それぞれ独立に、水
素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３
乃至７のシクロアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基
、のいずれか一を表す。また、＊は、一般式（Ｇ１）中における結合部を示す。
また、上記各構成において、上記一般式（Ｇ１）は、下記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式
（Ｇ１－４）のいずれか一であることを特徴とする。
Figure 2022125052000006
上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ１－４）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。
また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素または総炭素数１乃至１００の基を表し
、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、正孔輸送性の骨格を有する。また、Ｒ３～Ｒ８およ
びＲ１７～Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のア
ルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至７のシクロアルキル基、または置換もしく
は無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、のいずれか一を表す。
また、上記各構成において、正孔輸送性の骨格は、置換もしくは無置換のジアリールアミ
ノ基、置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素環、または置換もしくは無置換のπ過剰
型の縮合複素芳香環、のいずれか一であることを特徴とする。
また、上記一部の構成において、縮合環は、置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素環
、または、置換もしくは無置換のπ過剰型の縮合複素芳香環、のいずれか一であることを
特徴とする。また、縮合環は、ジベンゾチオフェン骨格、ジベンゾフラン骨格、またはカ
ルバゾール骨格のいずれか一を有する、置換もしくは無置換の縮合複素芳香環であること
を特徴とする。また、縮合環は、ナフタレン骨格、フルオレン骨格、トリフェニレン骨格
、またはフェナントレン骨格、のいずれか一を有する、置換もしくは無置換の縮合芳香族
炭化水素環であることを特徴とする。
また、上記各構成において、上記一般式（Ｇ１）中のＲ１およびＲ２は、それぞれ独立に
、水素または総炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、下記
一般式（ｕ１）で表される基であることを特徴とする。
Figure 2022125052000007
上記一般式（ｕ１）において、αは置換もしくは無置換の炭素数６乃至２５のアリーレン
基を表し、ｎは０乃至４の整数を表す。また、Ａ１は総炭素数が６～３０の置換もしくは
無置換のアリール基、または総炭素数が３～３０の置換もしくは無置換のヘテロアリール
基を表す。また、＊は、一般式（Ｇ１）中における結合部を示す。
また、上記一般式（ｕ１）中のＡ１は、下記一般式（Ａ１－１）乃至一般式（Ａ１－１７
）のいずれか一であることを特徴とする。
Figure 2022125052000008
上記一般式（Ａ１－１）乃至一般式（Ａ１－１７）において、ＲＡ１～ＲＡ１１は、それ
ぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無
置換の炭素数３乃至７のシクロアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至３
０のアリール基、のいずれか一を表す。
また、上記一般式（ｕ１）中のαは、下記一般式（Ａｒ－１）乃至一般式（Ａｒ－１４）
のいずれか一であることを特徴とする。
Figure 2022125052000009
上記一般式（Ａｒ－１）乃至一般式（Ａｒ－１４）において、ＲＢ１～ＲＢ１４は、それ
ぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無
置換の炭素数３乃至７のシクロアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至３
０のアリール基、のいずれか一を表す。
また、本発明の別の一態様は、構造式（１００）、（１２３）、（１２５）、（１２６）
、（１３３）、（１５６）、（２０８）、（２３８）、（２３９）、（２４４）、（２４
５）、および（２４６）のいずれか一で表される有機化合物である。
Figure 2022125052000010
なお、上述した本発明の一態様である有機化合物、を合成するための原料となる新規の有
機化合物（実施の形態１参照）も本発明に含める。さらに、本発明の別の一態様は、上述
した本発明の一態様である有機化合物を用いた発光素子である。また、上記有機化合物に
加えてゲスト材料を有する発光素子も本発明に含める。
本発明の別の一態様は、上述した本発明の一態様である有機化合物を用いた発光素子であ
る。なお、一対の電極間に有するＥＬ層や、ＥＬ層に含まれる発光層に本発明の一態様で
ある有機化合物を用いて形成された発光素子も本発明に含まれることとする。また、上記
発光素子に加え、電極と接して有機化合物を有する層（例えばキャップ層）を有する場合
も発光素子に含め、本発明に含まれることとする。また、発光素子に加えて、トランジス
タ、基板などを有する発光装置も発明の範疇に含める。さらに、これらの発光装置に加え
て、マイク、カメラ、操作用ボタン、外部接続部、筐体、カバー、支持台または、スピー
カ等を有する電子機器や照明装置も発明の範疇に含める。
また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置を含み、さらに発光装置を有する照
明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示
デバイス、または光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置に、例えばＦＰＣ（Ｆｌ
ｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒ
ｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクターが取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプ
リント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌ
ａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含む
ものとする。
本発明の一態様では、フロピラジン骨格（ナフトフロピラジンを含む）を有する物質を原
料とする新規の有機化合物を提供することができる。また、本発明の別の一態様では、新
規の有機化合物であるフロピラジン誘導体を提供することができる。また、本発明の一態
様では、発光素子に用いることができる新規な有機化合物を提供することができる。また
、本発明の一態様では、発光素子のＥＬ層に用いることができる、新規な有機化合物を提
供する。また、本発明の一態様である新規な有機化合物を用いた信頼性の高い新規な発光
素子を提供することができる。また、新規な発光装置、新規な電子機器、または新規な照
明装置を提供することができる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げる
ものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要は
ない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らか
となるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出する
ことが可能である。
発光素子の構造について説明する図。 発光装置について説明する図。 発光装置について説明する図。 電子機器について説明する図。 電子機器について説明する図。 自動車について説明する図。 照明装置について説明する図。 照明装置について説明する図。 構造式（１００）に示す有機化合物の１Ｈ－ＮＭＲチャート。 構造式（１００）に示す有機化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。 発光素子について説明する図。 発光素子１および比較発光素子２の電流密度－輝度特性を示す図。 発光素子１および比較発光素子２の電圧－輝度特性を示す図。 発光素子１および比較発光素子２の輝度－電流効率特性を示す図。 発光素子１および比較発光素子２の電圧－電流特性を示す図。 発光素子１および比較発光素子２の発光スペクトルを示す図。 発光素子１および比較発光素子２の信頼性を示す図。 発光素子３の電流密度－輝度特性を示す図。 発光素子３の電圧－輝度特性を示す図。 発光素子３の輝度－電流効率特性を示す図。 発光素子３の電圧－電流特性を示す図。 発光素子３の発光スペクトルを示す図。 発光素子３の信頼性を示す図。 発光素子４の電流密度－輝度特性を示す図。 発光素子４の電圧－輝度特性を示す図。 発光素子４の輝度－電流効率特性を示す図。 発光素子４の電圧－電流特性を示す図。 発光素子４の発光スペクトルを示す図。 発光素子４の信頼性を示す図。 発光素子５の電流密度－輝度特性を示す図。 発光素子５の電圧－輝度特性を示す図。 発光素子５の輝度－電流効率特性を示す図。 発光素子５の電圧－電流特性を示す図。 発光素子５の発光スペクトルを示す図。 発光素子５の信頼性を示す図。 構造式（１２３）に示す有機化合物の１Ｈ－ＮＭＲチャート。 構造式（１２５）に示す有機化合物の１Ｈ－ＮＭＲチャート。 構造式（１２６）に示す有機化合物の１Ｈ－ＮＭＲチャート。 構造式（１３３）に示す有機化合物の１Ｈ－ＮＭＲチャート。 構造式（１５６）に示す有機化合物の１Ｈ－ＮＭＲチャート。 構造式（２０８）に示す有機化合物の１Ｈ－ＮＭＲチャート。 構造式（２３８）に示す有機化合物の１Ｈ－ＮＭＲチャート。 構造式（２３９）に示す有機化合物の１Ｈ－ＮＭＲチャート。 構造式（２４４）に示す有機化合物の１Ｈ－ＮＭＲチャート。 構造式（２４５）に示す有機化合物の１Ｈ－ＮＭＲチャート。 構造式（２４６）に示す有機化合物の１Ｈ－ＮＭＲチャート。 発光素子８の電流密度－輝度特性を示す図。 発光素子８の電圧－輝度特性を示す図。 発光素子８の輝度－電流効率特性を示す図。 発光素子８の電圧－電流特性を示す図。 発光素子８の発光スペクトルを示す図。 発光素子８の信頼性を示す図。 発光素子９の電流密度－輝度特性を示す図。 発光素子９の電圧－輝度特性を示す図。 発光素子９の輝度－電流効率特性を示す図。 発光素子９の電圧－電流特性を示す図。 発光素子９の発光スペクトルを示す図。 発光素子９の信頼性を示す図。 発光素子１０～１５の電流密度－輝度特性を示す図。 発光素子１０～１５の電圧－輝度特性を示す図。 発光素子１０～１５の輝度－電流効率特性を示す図。 発光素子１０～１５の電圧－電流特性を示す図。 発光素子１０～１５の発光スペクトルを示す図。 発光素子１０～１５の信頼性を示す図。 発光素子１６および比較発光素子１７の電流密度－輝度特性を示す図。 発光素子１６および比較発光素子１７の電圧－輝度特性を示す図。 発光素子１６および比較発光素子１７の輝度－電流効率特性を示す図。 発光素子１６および比較発光素子１７の電圧－電流特性を示す図。 発光素子１６および比較発光素子１７の発光スペクトルを示す図。 発光素子１６および比較発光素子１７の信頼性を示す図。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の
説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を
様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容
に限定して解釈されるものではない。
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指
す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である有機化合物について説明する。なお、本発明の
一態様である有機化合物は、ナフトフロピラジン骨格を有し、下記一般式（Ｇ１）で表さ
れる。
Figure 2022125052000011
なお、一般式（Ｇ１）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ａｒ１は、置換もし
くは無置換の縮合芳香環を示す。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素または
総炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、正孔輸送性の骨格
を有する。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
Figure 2022125052000012
上記一般式（Ｇ１）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ａｒ１は、置換もしく
は無置換のナフタレン、置換もしくは無置換のフェナントレン、および置換もしくは無置
換のクリセン、のいずれか一を示す。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素ま
たは総炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、正孔輸送性の
骨格を有する。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
Figure 2022125052000013
上記一般式（Ｇ１）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ａｒ１は、置換もしく
は無置換の縮合芳香環を示す。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素または総
炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、縮合環を含む基であ
る。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
Figure 2022125052000014
上記一般式（Ｇ１）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ａｒ１は、置換もしく
は無置換のナフタレン、置換もしくは無置換のフェナントレン、および置換もしくは無置
換のクリセン、のいずれか一を示す。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素ま
たは総炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、縮合環を含む
基である。
なお、上記一般式（Ｇ１）において、Ａｒ１は、下記一般式（ｔ１）乃至一般式（ｔ３）
のいずれか一で表される。
Figure 2022125052000015
上記一般式（ｔ１）乃至一般式（ｔ３）において、Ｒ３～Ｒ２４は、それぞれ独立に、水
素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３
乃至７のシクロアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基
、のいずれか一を表す。また、＊は、一般式（Ｇ１）中における結合部を示す。
また、上記各構成において、上記一般式（Ｇ１）は、下記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式
（Ｇ１－４）のいずれか一である。
Figure 2022125052000016
上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ１－４）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。
また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素または総炭素数１乃至１００の基を表し
、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、正孔輸送性の骨格を有する。また、Ｒ３～Ｒ８およ
びＲ１７～Ｒ２４は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のア
ルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至７のシクロアルキル基、または置換もしく
は無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、のいずれか一を表す。
また、上記各構成において、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一が有する正孔輸送性の骨格は
、置換もしくは無置換のジアリールアミノ基、置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素
環、または置換もしくは無置換のπ過剰型の縮合複素芳香環、のいずれか一である。該縮
合芳香族炭化水素環は、ナフタレン骨格、フルオレン骨格、トリフェニレン骨格、または
フェナントレン骨格、のいずれか一を有することが好ましい。また、該π過剰型の縮合複
素芳香環は、ジベンゾチオフェン骨格、ジベンゾフラン骨格、またはカルバゾール骨格の
いずれか一を有する縮合複素芳香環であることが好ましい。該縮合複素芳香環は、カルバ
ゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフランのみならず、ベンゾカルバゾール、ジベン
ゾカルバゾール、インドロカルバゾール、ベンゾインドロカルバゾール、ジベンゾインド
ロカルバゾール、ベンズインドロベンゾカルバゾール、ベンゾナフトチオフェン、ベンゾ
ナフトフランのように、環構造中にカルバゾール骨格、ジベンゾチオフェン骨格、または
ジベンゾフラン骨格を有する縮合環（すなわち、カルバゾール骨格、ジベンゾチオフェン
骨格、ジベンゾフラン骨格にさらに環が縮合した縮合環）も含めるものとする。
また、上記各構成において、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一が有する縮合環は、置換もし
くは無置換の縮合芳香族炭化水素環、または、置換もしくは無置換のπ過剰型の縮合複素
芳香環、のいずれか一である。特に、該縮合環は、ナフタレン骨格、フルオレン骨格、ト
リフェニレン骨格、またはフェナントレン骨格、のいずれか一を有する、置換もしくは無
置換の縮合芳香族炭化水素環であることが好ましい。また特に、該縮合環は、ジベンゾチ
オフェン骨格、ジベンゾフラン骨格、またはカルバゾール骨格のいずれか一を有する、置
換もしくは無置換の縮合複素芳香環であることが好ましい。該縮合複素芳香環は、カルバ
ゾール、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフランのみならず、ベンゾカルバゾール、ジベン
ゾカルバゾール、インドロカルバゾール、ベンゾインドロカルバゾール、ジベンゾインド
ロカルバゾール、ベンズインドロベンゾカルバゾール、ベンゾナフトチオフェン、ベンゾ
ナフトフランのように、環構造中にカルバゾール骨格、ジベンゾチオフェン骨格、または
ジベンゾフラン骨格を有する縮合環（すなわち、カルバゾール骨格、ジベンゾチオフェン
骨格、ジベンゾフラン骨格にさらに環が縮合した縮合環）も含めるものとする。
また、上記各構成において、上記一般式（Ｇ１）中のＲ１およびＲ２は、それぞれ独立に
、水素または総炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、下記
一般式（ｕ１）で表される基である。
Figure 2022125052000017
上記一般式（ｕ１）において、αは置換もしくは無置換の炭素数６乃至２５のアリーレン
基を表し、ｎは０乃至４の整数を表す。また、Ａ１は総炭素数が６～３０の置換もしくは
無置換のアリール基、または総炭素数が３～３０の置換もしくは無置換のヘテロアリール
基を表す。
また、上記一般式（ｕ１）中のＡ１は、総炭素数が６～３０の置換もしくは無置換のアリ
ール基、または総炭素数が３～３０の置換もしくは無置換のヘテロアリール基を表し、具
体的には、下記一般式（Ａ１－１）乃至一般式（Ａ１－１７）のいずれか一であることを
特徴とする。
Figure 2022125052000018
上記一般式（Ａ１－１）乃至一般式（Ａ１－１７）において、ＲＡ１～ＲＡ１１は、それ
ぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無
置換の炭素数３乃至７のシクロアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至３
０のアリール基、のいずれか一を表す。
また、上記一般式（ｕ１）中のαは、下記一般式（Ａｒ－１）乃至一般式（Ａｒ－１４）
のいずれか一であることを特徴とする。
Figure 2022125052000019
上記一般式（Ａｒ－１）乃至一般式（Ａｒ－１４）において、ＲＢ１～ＲＢ１４は、それ
ぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無
置換の炭素数３乃至７のシクロアルキル基、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至３
０のアリール基、のいずれか一を表す。
なお、上記一般式（Ｇ１）、および上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ１－４）中の
Ｒ１およびＲ２が有する総炭素数１乃至１００の基としては、置換もしくは無置換の炭素
数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至７のシクロアルキル基、置
換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数
３乃至３０のヘテロアリール基などが挙げられる。ただし、Ｒ１およびＲ２の少なくとも
一は、上述した正孔輸送骨格または縮合環を有する。
なお、上記一般式（Ｇ１）における、置換もしくは無置換の縮合芳香環が置換基を有する
場合、または、上記一般式（Ｇ１）における、置換もしくは無置換のナフタレン、置換も
しくは無置換のフェナントレン、および置換もしくは無置換のクリセンが置換基を有する
場合、または、上記一般式（ｔ１）乃至一般式（ｔ３）における、置換もしくは無置換の
炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至７のシクロアルキル基
、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基が置換基を有する場合、ま
たは、上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ１－４）における、置換もしくは無置換の
炭素数１乃至６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至７のシクロアルキル基
、または置換もしくは無置換の炭素数６乃至３０のアリール基が置換基を有する場合、ま
たは、上記一般式（Ｇ１）における、置換もしくは無置換の縮合芳香族炭化水素環、また
は、置換もしくは無置換のπ過剰型の縮合複素芳香環が置換基を有する場合、または、上
記一般式（ｕ１）における、置換もしくは無置換の炭素数６乃至２５のアリーレン基、総
炭素数が６～３０の置換もしくは無置換のアリール基、または総炭素数が３～３０の置換
もしくは無置換のヘテロアリール基が置換基を有する場合、または、上記一般式（Ａｒ－
１）乃至一般式（Ａｒ－１４）における、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキ
ル基、置換もしくは無置換の炭素数３乃至７のシクロアルキル基、または置換もしくは無
置換の炭素数６乃至３０のアリール基が置換基を有する場合、または、上記一般式（Ｇ１
）、および上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ１－４）中のＲ１およびＲ２が有する
総炭素数１乃至１００の基における、置換もしくは無置換の炭素数１乃至６のアルキル基
、置換もしくは無置換の炭素数３乃至７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素
数６乃至３０のアリール基、または置換もしくは無置換の炭素数３乃至３０のヘテロアリ
ール基が置換基を有する場合、該置換基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソ
プロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチ
ル基、ヘキシル基のような炭素数１乃至７のアルキル基や、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘプチル基、８，９，１０－トリノルボルナニル基、のような炭素数５
～７のシクロアルキル基や、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基のような炭素数６乃
至１２のアリール基等が挙げられる。
また、上記一般式（ｔ１）乃至一般式（ｔ３）、上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ
１－４）、または一般式（Ａ１－１）乃至一般式（Ａ１－１７）における炭素数１乃至６
のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブ
チル基、ｓｅｃ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペン
チル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イ
ソヘキシル基、３－メチルペンチル基、２－メチルペンチル基、２－エチルブチル基、１
，２－ジメチルブチル基、２，３－ジメチルブチル基、ｎ－ヘプチル基等が挙げられる。
また、上記一般式（ｔ１）乃至一般式（ｔ３）、上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ
１－４）、または一般式（Ａ１－１）乃至一般式（Ａ１－１７）における炭素数３乃至７
のシクロアルキル基の具体例としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペン
チル基、シクロヘキシル基、１－メチルシクロヘキシル基、２，６－ジメチルシクロヘキ
シル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
また、上記一般式（ｔ１）乃至一般式（ｔ３）、上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ
１－４）、または一般式（Ａ１－１）乃至一般式（Ａ１－１７）における炭素数６乃至３
０のアリール基の具体例としては、フェニル基、ｏ－トリル基、ｍ－トリル基、ｐ－トリ
ル基、メシチル基、ｏ－ビフェニル基、ｍ－ビフェニル基、ｐ－ビフェニル基、１－ナフ
チル基、２－ナフチル基、フルオレニル基、９，９－ジメチルフルオレニル基、スピロフ
ルオレニル基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基等が挙げら
れる。
また、上記一般式（Ｇ１）、および上記一般式（Ｇ１－１）乃至一般式（Ｇ１－４）中の
Ｒ１およびＲ２が有する総炭素数１乃至１００の基における、炭素数６乃至３０のアリー
ル基の具体例としては、フェニル基、ｏ－トリル基、ｍ－トリル基、ｐ－トリル基、メシ
チル基、ｏ－ビフェニル基、ｍ－ビフェニル基、ｐ－ビフェニル基、１－ナフチル基、２
－ナフチル基、フルオレニル基、９，９－ジメチルフルオレニル基、スピロフルオレニル
基、フェナントレニル基、アントラセニル基、フルオランテニル基等が挙げられる。また
、Ｒ１およびＲ２が有する総炭素数１乃至１００の基における、炭素数３乃至３０のヘテ
ロアリール基の具体例としては、カルバゾール、ベンゾカルバゾール、ジベンゾカルバゾ
ール、インドロカルバゾール、ベンゾインドロカルバゾール、ジベンゾインドロカルバゾ
ール、ベンズインドロベンズカルバゾール、ジベンゾチオフェン、ベンゾナフトチオフェ
ン、ジベンゾフラン、ベンゾナフトフランなどの１価の基が挙げられる。
次に、上述した本発明の一態様である有機化合物の具体的な構造式を下記に示す。ただし
、本発明はこれらに限定されることはない。
Figure 2022125052000020
Figure 2022125052000021
Figure 2022125052000022
Figure 2022125052000023
Figure 2022125052000024
Figure 2022125052000025
Figure 2022125052000026
Figure 2022125052000027
Figure 2022125052000028
Figure 2022125052000029
Figure 2022125052000030
Figure 2022125052000031
Figure 2022125052000032
Figure 2022125052000033
なお、上記構造式（１００）～（２５１）で表される有機化合物は、上記一般式（Ｇ１）
で表される有機化合物の一例であるが、本発明の一態様である有機化合物は、これに限ら
れない。
次に、本発明の一態様であり、下記一般式（Ｇ１’）で表される有機化合物の合成方法の
一例について説明する。なお、下記一般式（Ｇ１’）で表される有機化合物は、縮合芳香
環が縮合したフロピラジン誘導体、または縮合芳香環が縮合したチエノピラジン誘導体で
あり、上記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物の一態様である。
Figure 2022125052000034
一般式（Ｇ１’）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。Ｒ１は、炭素数１乃至１００の
基を表し、Ｒ１は、正孔輸送性の骨格を表す。また、Ａｒ１は、置換もしくは無置換の縮
合芳香環を表す。
≪一般式（Ｇ１’）で表される有機化合物の合成方法≫
上記一般式（Ｇ１’）で表される有機化合物の合成には、種々の反応を適用することがで
き、例えば、以下の合成スキームに示す簡便な方法により、一般式（Ｇ１’）で表される
有機化合物を合成することができる。
まず、下記スキーム（Ａ－１）に示すように、メチルオキシ基またはメチルチオ基で置換
されたアリールボロン酸（ａ１）と、アミノ基とハロゲンで置換されたピラジン誘導体（
ａ２）と、をカップリングして、中間体（ａ３）を得た後、中間体（ａ３）と、亜硝酸ｔ
ｅｒｔ－ブチルとを反応させ、環化させることで、縮合芳香環が縮合したフロピラジン誘
導体、または縮合芳香環が縮合したチエノピラジン誘導体（ａ４）を得る。なお、ピラジ
ン誘導体（ａ４）においてＹ１がハロゲンの場合、さらにハロゲンを含む芳香環のボロン
酸（Ｙ３－Ｂ１）をカップリングして得られた中間体（ａ５）もピラジン誘導体（ａ４）
と同様に以降の反応に用いることができる。
Figure 2022125052000035
なお、合成スキーム（Ａ－１）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ａｒ１は、
置換もしくは無置換の縮合芳香環を表す。また、Ｙ１はハロゲンまたはハロゲンを含む芳
香環を表し、Ｙ１は１つまたは２つである。また、Ｙ２はハロゲンを表す。また、Ｙ３は
ハロゲンを含む芳香環を表し、Ｙ３は１つまたは２つである。また、Ｂ１はボロン酸また
はボロン酸エステルまたは環状トリオールボレート塩等を表す。なお、環状トリオールボ
レート塩はリチウム塩の他に、カリウム塩、ナトリウム塩を用いても良い。
また、上記合成スキーム（Ａ－１）において、一般式（ａ４）および（ａ５）で表される
有機化合物は、下記合成スキーム（Ａ－２）に示すように本発明の一態様である有機化合
物の原料である。なお、一般式（ａ４）および（ａ５）で表される有機化合物は、新規の
有機化合物であり、本発明の一態様に含める。以下に、一般式（ａ４）および（ａ５）で
表される有機化合物の具体的な構造式を示す。
Figure 2022125052000036
Figure 2022125052000037
Figure 2022125052000038
なお、上記構造式（３００）～（３４７）で表される有機化合物は、上記一般式（ａ４）
および（ａ５）で表される有機化合物の一例であるが、本発明の一態様である有機化合物
は、これに限られない。
次に、下記スキーム（Ａ－２）に示すように、上記スキーム（Ａ－１）で得られた、縮合
芳香環が縮合したフロピラジン誘導体、または縮合芳香環が縮合したチエノピラジン誘導
体（ａ４）と、ボロン酸化合物（ｂ１）と、をカップリングさせることにより、一般式（
Ｇ１’）で表される有機化合物を得る。
Figure 2022125052000039
なお、合成スキーム（Ａ－２）において、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ｒ１は、炭
素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１は、正孔輸送性の骨格を有する。また、Ａｒ１は、置
換もしくは無置換の縮合芳香環を表す。また、Ｙ１は１つまたは２つのハロゲンを表し、
Ｂ２は、ボロン酸、ボロン酸エステル、または環状トリオールボレート塩等を表す。なお
、環状トリオールボレート塩は、リチウム塩の他に、カリウム塩、ナトリウム塩を用いて
も良い。
なお、上記合成スキーム（Ａ－１）および（Ａ－２）において用いた、メチルオキシ基ま
たはメチルチオ基で置換されたアリールボロン酸（ａ１）、アミノ基とハロゲンで置換さ
れたピラジン誘導体（ａ２）、およびボロン酸化合物（ｂ１）は、様々な種類が市販され
ているか、あるいは合成可能であるため、上記一般式（Ｇ１’）で表される、縮合芳香環
が縮合したフロピラジン誘導体、または縮合芳香環が縮合したチエノピラジン誘導体は、
数多くの種類を合成することができる。したがって、本発明の一態様である有機化合物は
、バリエーションが豊富であるという特徴がある。
以上、本発明の一態様である、縮合芳香環が縮合したフロピラジン誘導体、または縮合芳
香環が縮合したチエノピラジン誘導体、及びその合成方法の一例について説明したが、本
発明はこれに限定されることはなく、他のどのような合成方法を用いて合成しても良い。
なお、本実施の形態において、本発明の一態様について述べた。また、他の実施の形態に
おいて、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定され
ない。つまり、本実施の形態および他の実施の形態では、様々な発明の態様が記載されて
いるため、本発明の一態様は、特定の態様に限定されない。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いること
ができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で示した有機化合物を用いた発光素子について図１を用
いて説明する。
≪発光素子の基本的な構造≫
まず、発光素子の基本的な構造について説明する。図１（Ａ）には、一対の電極間に発光
層を含むＥＬ層を有する発光素子を示す。具体的には、第１の電極１０１と第２の電極１
０２との間にＥＬ層１０３が挟まれた構造を有する。
また、図１（Ｂ）には、一対の電極間に複数（図１（Ｂ）では、２層）のＥＬ層（１０３
ａ、１０３ｂ）を有し、ＥＬ層の間に電荷発生層１０４を有する積層構造（タンデム構造
）の発光素子を示す。タンデム構造の発光素子は、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発
光装置を実現することができる。
電荷発生層１０４は、第１の電極１０１と第２の電極１０２に電圧を印加したときに、一
方のＥＬ層（１０３ａまたは１０３ｂ）に電子を注入し、他方のＥＬ層（１０３ｂまたは
１０３ａ）に正孔を注入する機能を有する。従って、図１（Ｂ）において、第１の電極１
０１に第２の電極１０２よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層１０
４からＥＬ層１０３ａに電子が注入され、ＥＬ層１０３ｂに正孔が注入されることとなる
。
なお、電荷発生層１０４は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する
（具体的には、電荷発生層１０４に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好まし
い。また、電荷発生層１０４は、第１の電極１０１や第２の電極１０２よりも低い導電率
であっても機能する。
また、図１（Ｃ）には、本発明の一態様である発光素子のＥＬ層１０３の積層構造を示す
。但し、この場合、第１の電極１０１は陽極として機能するものとする。ＥＬ層１０３は
、第１の電極１０１上に、正孔（ホール）注入層１１１、正孔（ホール）輸送層１１２、
発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５が順次積層された構造を有する。な
お、図１（Ｂ）に示すタンデム構造のように複数のＥＬ層を有する場合であっても、各Ｅ
Ｌ層が、陽極側から上記のように順次積層される構造とする。また、第１の電極１０１が
陰極で、第２の電極１０２が陽極の場合は、積層順は逆になる。
ＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に含まれる発光層１１３は、それぞれ発光物質や
複数の物質を適宜組み合わせて有しており、所望の発光色を呈する蛍光発光や燐光発光が
得られる構成とすることができる。また、発光層１１３を発光色の異なる積層構造として
もよい。なお、この場合、積層された各発光層に用いる発光物質やその他の物質は、それ
ぞれ異なる材料を用いればよい。また、図１（Ｂ）に示す複数のＥＬ層（１０３ａ、１０
３ｂ）から、それぞれ異なる発光色が得られる構成としても良い。この場合も各発光層に
用いる発光物質やその他の物質を異なる材料とすればよい。
また、本発明の一態様である発光素子において、例えば、図１（Ｃ）に示す第１の電極１
０１を反射電極とし、第２の電極１０２を半透過・半反射電極とし、微小光共振器（マイ
クロキャビティ）構造とすることにより、ＥＬ層１０３に含まれる発光層１１３から得ら
れる発光を両電極間で共振させ、第２の電極１０２から得られる発光を強めることができ
る。
なお、発光素子の第１の電極１０１が、反射性を有する導電性材料と透光性を有する導電
性材料（透明導電膜）との積層構造からなる反射電極である場合、透明導電膜の膜厚を制
御することにより光学調整を行うことができる。具体的には、発光層１１３から得られる
光の波長λに対して、第１の電極１０１と、第２の電極１０２との電極間距離がｍλ／２
（ただし、ｍは自然数）近傍となるように調整するのが好ましい。
また、発光層１１３から得られる所望の光（波長：λ）を増幅させるために、第１の電極
１０１から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と、第２
の電極１０２から発光層１１３の所望の光が得られる領域（発光領域）までの光学距離と
、をそれぞれ（２ｍ’＋１）λ／４（ただし、ｍ’は自然数）近傍となるように調節する
のが好ましい。なお、ここでいう発光領域とは、発光層１１３における正孔（ホール）と
電子との再結合領域を示す。
このような光学調整を行うことにより、発光層１１３から得られる特定の単色光のスペク
トルを狭線化させ、色純度の良い発光を得ることができる。
但し、上記の場合、第１の電極１０１と第２の電極１０２との光学距離は、厳密には第１
の電極１０１における反射領域から第２の電極１０２における反射領域までの総厚という
ことができる。しかし、第１の電極１０１や第２の電極１０２における反射領域を厳密に
決定することは困難であるため、第１の電極１０１と第２の電極１０２の任意の位置を反
射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。また、第１の
電極１０１と、所望の光が得られる発光層との光学距離は、厳密には第１の電極１０１に
おける反射領域と、所望の光が得られる発光層における発光領域との光学距離であるとい
うことができる。しかし、第１の電極１０１における反射領域や、所望の光が得られる発
光層における発光領域を厳密に決定することは困難であるため、第１の電極１０１の任意
の位置を反射領域、所望の光が得られる発光層の任意の位置を発光領域と仮定することで
充分に上述の効果を得ることができるものとする。
図１（Ｃ）に示す発光素子は、マイクロキャビティ構造を有するため、同じＥＬ層を有し
ていても異なる波長の光（単色光）を取り出すことができる。従って、異なる発光色を得
るための塗り分け（例えば、ＲＧＢ）が不要となる。従って、高精細化を実現することが
容易である。また、着色層（カラーフィルタ）との組み合わせも可能である。さらに、特
定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることが
できる。
図１（Ｅ）に示す発光素子は、図１（Ｂ）に示したタンデム構造の発光素子の一例であり
、図に示すように、３つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ）が電荷発生層（１０
４ａ、１０４ｂ）を挟んで積層される構造を有する。なお、３つのＥＬ層（１０３ａ、１
０３ｂ、１０３ｃ）は、それぞれに発光層（１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）を有してお
り、各発光層の発光色は、自由に組み合わせることができる。例えば、発光層１１３ａを
青色、発光層１１３ｂを赤色、緑色、または黄色のいずれか、発光層１１３ｃを青色とす
ることができるが、発光層１１３ａを赤色、発光層１１３ｂを青色、緑色、または黄色の
いずれか、発光層１１３ｃを赤色とすることもできる。
なお、上述した本発明の一態様である発光素子において、第１の電極１０１と第２の電極
１０２の少なくとも一方は、透光性を有する電極（透明電極、半透過・半反射電極など）
とする。透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、４０％以
上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射率は、
２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。また、これらの電極は
、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
また、上述した本発明の一態様である発光素子において、第１の電極１０１と第２の電極
１０２の一方が、反射性を有する電極（反射電極）である場合、反射性を有する電極の可
視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。
また、この電極は、抵抗率が１×１０－２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
≪発光素子の具体的な構造および作製方法≫
次に、本発明の一態様である発光素子の具体的な構造および作製方法について、図１を用
いて説明する。また、ここでは、図１（Ｂ）に示すタンデム構造を有し、マイクロキャビ
ティ構造を備えた発光素子についても図１（Ｄ）を用いて説明する。図１（Ｄ）に示す発
光素子がマイクロキャビティ構造を有する場合は、第１の電極１０１を反射電極として形
成し、第２の電極１０２を半透過・半反射電極として形成する。従って、所望の電極材料
を単数または複数用い、単層または積層して形成することができる。なお、第２の電極１
０２は、ＥＬ層１０３ｂを形成した後、上記と同様に材料を選択して形成する。また、こ
れらの電極の作製には、スパッタ法や真空蒸着法を用いることができる。
＜第１の電極および第２の電極＞
第１の電極１０１および第２の電極１０２を形成する材料としては、上述した両電極の機
能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例え
ば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができ
る。具体的には、Ｉｎ－Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ－Ｓｉ－Ｓｎ酸化物（ＩＴ
ＳＯともいう）、Ｉｎ－Ｚｎ酸化物、Ｉｎ－Ｗ－Ｚｎ酸化物が挙げられる。その他、アル
ミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、
コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、
インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングス
テン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウ
ム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合金を用
いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元
素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウ
ム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属および
これらを適宜組み合わせて含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。
図１（Ｄ）に示す発光素子において、第１の電極１０１が陽極である場合、第１の電極１
０１上にＥＬ層１０３ａの正孔注入層１１１ａおよび正孔輸送層１１２ａが真空蒸着法に
より順次積層形成される。ＥＬ層１０３ａおよび電荷発生層１０４が形成された後、電荷
発生層１０４上にＥＬ層１０３ｂの正孔注入層１１１ｂおよび正孔輸送層１１２ｂが同様
に順次積層形成される。
＜正孔注入層および正孔輸送層＞
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）は、陽極である第１の電極１０１や電荷発生
層（１０４）からＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）に正孔（ホール）を注入する層
であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。
正孔注入性の高い材料としては、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化
物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物が挙げられる。この他、フ
タロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰＣ）等のフタロシア
ニン系の化合物、４，４’－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニ
ルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフ
ェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，
４’－ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、またはポリ（３，４－エ
チレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ
）等の高分子等を用いることができる。
また、正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容
性材料）を含む複合材料を用いることもできる。この場合、アクセプター性材料により正
孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）で正孔
が発生し、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）を介して発光層（１１３、１１３
ａ、１１３ｂ）に正孔が注入される。なお、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）
は、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）を含む複合材料からなる単
層で形成しても良いが、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とをそ
れぞれ別の層で積層して形成しても良い。
正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）は、正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１
ｂ）によって、第１の電極１０１や電荷発生層（１０４）から注入された正孔を発光層（
１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に輸送する層である。なお、正孔輸送層（１１２、１１２
ａ、１１２ｂ）は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１
１２ｂ）に用いる正孔輸送性材料は、特に正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）の
ＨＯＭＯ準位と同じ、あるいは近いＨＯＭＯ準位を有するものを用いることが好ましい。
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）に用いるアクセプター性材料としては、元素
周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的に
は、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タ
ングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは
大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。その他、キノジメタン
誘導体やクロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの有機アクセプターを
用いることができる。具体的には、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テ
トラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル、２，３，６，７，１
０，１１－ヘキサシアノ－１，４，５，８，９，１２－ヘキサアザトリフェニレン（略称
：ＨＡＴ－ＣＮ）等を用いることができる。
正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）および正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１
２ｂ）に用いる正孔輸送性材料としては、１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有す
る物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のも
のを用いることができる。
正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体や
インドール誘導体）や芳香族アミン化合物が好ましく、具体例としては、４，４’－ビス
［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－Ｎ
ＰＤ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－
ビフェニル］－４，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－
９，９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰ
Ｂ）、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン
（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）
トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－
９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、３－［
４－（９－フェナントリル）－フェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：
ＰＣＰＰｎ）、Ｎ－（４－ビフェニル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－
２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ
－（１，１’－ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾー
ル－３－イル）フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：
ＰＣＢＢｉＦ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール
－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－
４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：Ｐ
ＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバ
ゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９－ジメチル－Ｎ
－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］フ
ルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル
－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２－ア
ミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イル）ト
リフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニル
アミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（
３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ
）などの芳香族アミン骨格を有する化合物、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾリル）ベンゼン
（略称：ｍＣＰ）、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３
，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴ
Ｐ）、３，３’－ビス（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、３－
［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニル
カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾー
ル－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣ
Ａ２）、３－［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）ア
ミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、１，３，５－トリス［４
－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９－［４－（１０－フ
ェニル－９－アントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）など
のカルバゾール骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリ
イル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－
４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェ
ン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９
－イル）フェニル］－６－フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）な
どのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリ
イル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、４－｛３－［３－（９－フ
ェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍ
ｍＤＢＦＦＬＢｉ－ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。
さらに、ポリ（Ｎ－ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４－ビニルトリフェ
ニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ－（４－｛Ｎ’－［４－（４－ジフェニル
アミノ）フェニル］フェニル－Ｎ’－フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（
略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’－ビス（４－ブチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス
（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いること
もできる。
但し、正孔輸送性材料は、上記に限られることなく公知の様々な材料を１種または複数種
組み合わせて正孔輸送性材料として正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）および正
孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）に用いることができる。なお、正孔輸送層（１
１２、１１２ａ、１１２ｂ）は、各々複数の層から形成されていても良い。すなわち、例
えば第１の正孔輸送層と第２の正孔輸送層とが積層されていても良い。
図１（Ｄ）に示す発光素子においては、ＥＬ層１０３ａの正孔輸送層１１２ａ上に発光層
１１３ａが真空蒸着法により形成される。また、ＥＬ層１０３ａおよび電荷発生層１０４
が形成された後、ＥＬ層１０３ｂの正孔輸送層１１２ｂ上に発光層１１３ｂが真空蒸着法
により形成される。
＜発光層＞
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）は、発光物質を含む層である。なお、
発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色
を呈する物質を適宜用いる。また、複数の発光層（１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に異
なる発光物質を用いることにより異なる発光色を呈する構成（例えば、補色の関係にある
発光色を組み合わせて得られる白色発光）とすることができる。さらに、一つの発光層が
異なる発光物質を有する積層構造であっても良い。
また、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）は、発光物質（ゲスト材料）に
加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料）を有していても良
い。また、１種または複数種の有機化合物としては、実施の形態１で示した本発明の一態
様である有機化合物、本実施の形態で説明する正孔輸送性材料や電子輸送性材料の一方ま
たは両方、を用いることができる。
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いることができる発光物質として
は、一重項励起エネルギーを可視光領域の発光に変える発光物質、または三重項励起エネ
ルギーを可視光領域の発光に変える発光物質を用いることができる。
なお、他の発光物質としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。
一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）
が挙げられ、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フル
オレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体
、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導
体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発
光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－
メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス［３－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル
）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，
Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル
）フェニル］ピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビ
ス（ジベンゾフラン－２－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略
称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（ジベンゾチオフェン－２－イル）－Ｎ，Ｎ
’－ジフェニルピレン－１，６－ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－（
ピレン－１，６－ジイル）ビス［（Ｎ－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラ
ン）－６－アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジ
イル）ビス［（Ｎ－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］
（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０２）、Ｎ，Ｎ’－（ピレン－１，６－ジイル）ビス［
（６，Ｎ－ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン）－８－アミン］（略称
：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ－０３）などが挙げられる。
その他にも、５，６－ビス［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－２，
２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６－ビス［４’－（１０－フェニル－
９－アントリル）ビフェニル－４－イル］－２，２’－ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２Ｂ
Ｐｙ）、Ｎ，Ｎ’－ビス［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’
－ジフェニルスチルベン－４，４’－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４－（９Ｈ－カル
バゾール－９－イル）－４’－（１０－フェニル－９－アントリル）トリフェニルアミン
（略称：ＹＧＡＰＡ）、４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）－４’－（９，１０－ジ
フェニル－２－アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９－ジ
フェニル－Ｎ－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾ
ール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）－４
’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣ
ＢＡＰＡ）、４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－４’－（９－
フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ
）、ペリレン、２，５，８，１１－テトラ（ｔｅｒｔ－ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ
）、Ｎ，Ｎ’’－（２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラセン－９，１０－ジイルジ－４，１－
フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリフェニル－１，４－フェニレンジアミン］（略
称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９－ジフェニル－Ｎ－［４－（９，１０－ジフェニル－２－ア
ントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール－３－アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ
－［４－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－トリ
フェニル－１，４－フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）等を用いることができ
る。
また、三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物
質（燐光材料）や熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃ
ｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げら
れる。
燐光材料としては、有機金属錯体、金属錯体（白金錯体）、希土類金属錯体等が挙げられ
る。これらは、物質ごとに異なる発光色（発光ピーク）を示すため、必要に応じて適宜選
択して用いる。
青色または緑色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下で
ある燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
例えば、トリス｛２－［５－（２－メチルフェニル）－４－（２，６－ジメチルフェニル
）－４Ｈ－１，２，４－トリアゾール－３－イル－κＮ２］フェニル－κＣ｝イリジウム
（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ－ｄｍｐ）３］）、トリス（５－メチル－３，４
－ジフェニル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ
（Ｍｐｔｚ）３］）、トリス［４－（３－ビフェニル）－５－イソプロピル－３－フェニ
ル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐ
ｔｚ－３ｂ）３］）、トリス［３－（５－ビフェニル）－５－イソプロピル－４－フェニ
ル－４Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂ
ｔｚ）３］）、のような４Ｈ－トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、トリス［３－メ
チル－１－（２－メチルフェニル）－５－フェニル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト］
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１－ｍｐ）３］）、トリス（１－メチル
－５－フェニル－３－プロピル－１Ｈ－１，２，４－トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１－Ｍｅ）３］）のような１Ｈ－トリアゾール骨格を有す
る有機金属錯体、ｆａｃ－トリス［１－（２，６－ジイソプロピルフェニル）－２－フェ
ニル－１Ｈ－イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３］
）、トリス［３－（２，６－ジメチルフェニル）－７－メチルイミダゾ［１，２－ｆ］フ
ェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ－Ｍｅ）３］
）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属錯体、ビス［２－（４’，６’－ジフルオ
ロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１－ピラゾリ
ル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリ
ジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス
｛２－［３’，５’－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝
イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ）］）、
ビス［２－（４’，６’－ジフルオロフェニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（
ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のように電子吸引基を有す
るフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。
緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下で
ある燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
例えば、トリス（４－メチル－６－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３］）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェニルピリミジナト）イ
リジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３］）、（アセチルアセトナト）ビ
ス（６－メチル－４－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍ
ｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６－ｔｅｒｔ－ブチル－４
－フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａ
ｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６－（２－ノルボルニル）－４－フェニル
ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）
、（アセチルアセトナト）ビス［５－メチル－６－（２－メチルフェニル）－４－フェニ
ルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）
］）、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６－ジメチル－２－［６－（２，６－ジメチル
フェニル）－４－ピリミジニル－κＮ３］フェニル－κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称
：［Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ－ｄｍｐ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４
，６－ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（
ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルア
セトナト）ビス（３，５－ジメチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（
略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－Ｍｅ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５
－イソプロピル－３－メチル－２－フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：
［Ｉｒ（ｍｐｐｒ－ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属
イリジウム錯体、トリス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２－フェニルピリジナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジ
ウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）］）、ビ
ス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉ
ｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩ
Ｉ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）３］）、トリス（２－フェニルキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）
イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）３］）、ビス（２－フェニルキノリナト－
Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）２（ａ
ｃａｃ）］）、［２－（４－フェニル－２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］ビス［
２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（
ｐｐｙ）２（４ｄｐｐｙ）］）、ビス［２－（２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］
［２－（４－メチル－５－フェニル－２－ピリジニル－κＮ）フェニル－κＣ］のような
ピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４－ジフェニル－１，３－オ
キサゾラト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（
ｄｐｏ）２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２－［４’－（パーフルオロフェニル）フェニル］
ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（
ｐ－ＰＦ－ｐｈ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２－フェニルベンゾチアゾラト－Ｎ，Ｃ２
’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ）
］）などの有機金属錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）
テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金
属錯体が挙げられる。
黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下で
ある燐光材料としては、以下のような物質が挙げられる。
例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミ
ジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビ
ス［４，６－ビス（３－メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリ
ジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６－ジ
（ナフタレン－１－イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、トリス（４－ｔ－ブチル－６－フェ
ニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３］）のよう
なピリミジン骨格を有する有機金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５－ト
リフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ
）］）、ビス（２，３，５－トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジ
ウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）、ビス｛４，６－ジメチル
－２－［３－（３，５－ジメチルフェニル）－５－フェニル－２－ピラジニル－κＮ］フ
ェニル－κＣ｝（２，６－ジメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジ
ウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビス｛４，６
－ジメチル－２－［５－（４－シアノ－２，６－ジメチルフェニル）－３－（３，５－ジ
メチルフェニル）－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，２，６，６－テトラ
メチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２－メ
チル－３－フェニルキノキサリナト－Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ
（ｍｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３－ジフェニルキノ
キサリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）２（ａｃａｃ
）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３－ビス（４－フルオロフェニル）キノキサ
リナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、ビス｛
４，６－ジメチル－２－［５－（５－シアノ－２－メチルフェニル）－３－（３，５－ジ
メチルフェニル）－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，２，６，６－テトラ
メチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉ
ｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｍ５ＣＰ）２（ｄｐｍ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属
錯体や、トリス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）３］）、ビス（１－フェニルイソキノリナト－Ｎ，Ｃ２’）イリジ
ウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）、ビ
ス［４，６－ジメチル－２－（２－キノリニル－κＮ）フェニル－κＣ］（２，４－ペン
タンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）のようなピリジン骨格を有する有機
金属錯体、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８－オクタエチル－２１Ｈ，２３Ｈ－
ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：［ＰｔＯＥＰ］）のような白金錯体、トリス（１，３
－ジフェニル－１，３－プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（Ｉ
ＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１－（２－テノイル）－
３，３，３－トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ
）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。
発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に用いる有機化合物（ホスト材料、ア
シスト材料）としては、発光物質（ゲスト材料）のエネルギーギャップより大きなエネル
ギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。発光層（１１
３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に複数の有機化合物を用いる場合、励起錯体を形成
する化合物を燐光発光物質と混合して用いることが好ましい。なお、このような構成とす
ることにより、励起錯体から発光物質へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐ
ｌｅｘ－Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を得ることが
できる。この場合、様々な有機化合物を適宜組み合わせて用いることができるが、効率よ
く励起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物（正孔輸送性材料）と、電
子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせることが特に好ましい。な
お、実施の形態１で示した本発明の一態様である有機化合物は、ＬＵＭＯ準位が低く、電
子を受け取りやすい化合物として好適である。
発光物質が蛍光材料である場合、ホスト材料としては一重項励起状態のエネルギー準位が
大きく、三重項励起状態のエネルギー準位が小さい有機化合物を用いるのが好ましい。例
えば、アントラセン誘導体やテトラセン誘導体を用いるのが好ましい。具体的には、９－
フェニル－３－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾ
ール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェニル－
９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９－［４－（１０－フェニル－９－アントラセ
ニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７－［４－（１０－フェニ
ル－９－アントリル）フェニル］－７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇ
ＤＢＣｚＰＡ）、６－［３－（９，１０－ジフェニル－２－アントリル）フェニル］－ベ
ンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９－フェニル－１
０－｛４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）ビフェニル－４’－イル｝ア
ントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、５，１２－ジフェニルテトラセン、５，１２－ビス（
ビフェニル－２－イル）テトラセンなどが挙げられる。
発光物質が燐光材料である場合、ホスト材料としては、発光物質の三重項励起エネルギー
（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい有
機化合物を選択すれば良い。特に、実施の形態１で示した本発明の一態様である有機化合
物は、三重項励起状態が安定であるため、発光物質が燐光材料である場合のホスト材料と
して好適である。特に、その三重項励起エネルギー準位に起因して、該燐光材料が赤色の
場合に好適である。なお、その他の例として、亜鉛やアルミニウム系金属錯体の他、オキ
サジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘
導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体
、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナン
トロリン誘導体等の他、芳香族アミンやカルバゾール誘導体等をホスト材料として用いる
こともできる。
ホスト材料として、より具体的には、例えば以下の正孔輸送性材料および電子輸送性材料
を用いることができる。
これら正孔輸送性の高いホスト材料としては、例えば、Ｎ，Ｎ’－ジ（ｐ－トリル）－Ｎ
，Ｎ’－ジフェニル－ｐ－フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’－ビス
［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：Ｄ
ＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’－ビス｛４－［ビス（３－メチルフェニル）アミノ］フェニル｝－Ｎ
，Ｎ’－ジフェニル－（１，１’－ビフェニル）－４，４’－ジアミン（略称：ＤＮＴＰ
Ｄ）、１，３，５－トリス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミ
ノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等の芳香族アミン化合物を挙げることができる。
また、３－［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェ
ニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミ
ノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ
２）、３，６－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－（１－ナフチル）ア
ミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３－［Ｎ－（９－フェニ
ルカルバゾール－３－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称
：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６－ビス［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）－Ｎ
－フェニルアミノ］－９－フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３－［Ｎ－
（１－ナフチル）－Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）アミノ］－９－フェニ
ルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等のカルバゾール誘導体を挙げることができる
。また、カルバゾール誘導体としては、他に、４，４’－ジ（Ｎ－カルバゾリル）ビフェ
ニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５－トリス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］ベン
ゼン（略称：ＴＣＰＢ）、１，４－ビス［４－（Ｎ－カルバゾリル）フェニル］－２，３
，５，６－テトラフェニルベンゼン等を用いることもできる。
また、正孔輸送性の高いホスト材料としては、例えば、４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフ
チル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα－ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’
－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－［１，１’－ビフェニル］－４
，４’－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’－トリス（カルバゾール－９－イ
ル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（１－ナ
フチル）－Ｎ－フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１－ＴＮＡＴＡ）、４，４
’，４’’－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴ
Ａ）、４，４’，４’’－トリス［Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］
トリフェニルアミン（略称：ｍ－ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’－ビス［Ｎ－（スピロ－９，
９’－ビフルオレン－２－イル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）
、４－フェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略
称：ＢＰＡＦＬＰ）、４－フェニル－３’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリ
フェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン
－２－イル）－Ｎ－｛９，９－ジメチル－２－［Ｎ’－フェニル－Ｎ’－（９，９－ジメ
チル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）アミノ］－９Ｈ－フルオレン－７－イル｝フェニル
アミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ－（９，９－ジメチル－２－ジフェニルアミノ－９
Ｈ－フルオレン－７－イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２－［Ｎ－（４－ジ
フェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略
称：ＤＰＡＳＦ）、４－フェニル－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イ
ル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’－ジフェニル－４’’－（
９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ
１ＢＰ）、４－（１－ナフチル）－４’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イ
ル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’－ジ（１－ナフチル）－４’
’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣ
ＢＮＢＢ）、４－フェニルジフェニル－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル
）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’－ビス（９－フェニルカルバゾール－３－イ
ル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニルベンゼン－１，３－ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ
’，Ｎ’’－トリフェニル－Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’－トリス（９－フェニルカルバゾール－３
－イル）ベンゼン－１，３，５－トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、Ｎ－（４－ビフェニ
ル）－Ｎ－（９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－イル）－９－フェニル－９Ｈ－
カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ－（１，１’－ビフェニル－４－イ
ル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］－９，９
－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、９，９－ジメチル
－Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル
］フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ－フェニル－Ｎ－［４－（９－フェ
ニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）フェニル］スピロ－９，９’－ビフルオレン－２
－アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、２－［Ｎ－（９－フェニルカルバゾール－３－イル）
－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９’－ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２，７
－ビス［Ｎ－（４－ジフェニルアミノフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ］スピロ－９，９
’－ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ－［４－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル
）フェニル］－Ｎ－（４－フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ
’－ビス［４－（カルバゾール－９－イル）フェニル］－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－９，９
－ジメチルフルオレン－２，７－ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）などの芳香族アミン化合
物等を用いることができる。また、３－［４－（１－ナフチル）－フェニル］－９－フェ
ニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、３－［４－（９－フェナントリル）－フ
ェニル］－９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、３，３’－ビス（
９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、１，３－ビス（Ｎ－カルバゾ
リル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、３，６－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）－９－
フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、４－｛３－［３－（９－フェニル－９Ｈ－フ
ルオレン－９－イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ
－ＩＩ）、４，４’，４’’－（ベンゼン－１，３，５－トリイル）トリ（ジベンゾフラ
ン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ－ＩＩ）、１，３，５－トリ（ジベンゾチオフェン－４－イル）
ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）、２，８－ジフェニル－４－［４－（９－フェニル
－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－
ＩＩＩ）、４－［４－（９－フェニル－９Ｈ－フルオレン－９－イル）フェニル］－６－
フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ－ＩＶ）、４－［３－（トリフェニレ
ン－２－イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ｍＤＢＴＰＴｐ－ＩＩ）等のカル
バゾール化合物、チオフェン化合物、フラン化合物、フルオレン化合物、トリフェニレン
化合物、フェナントレン化合物等を用いることができる。
電子輸送性の高いホスト材料としては、例えば、実施の形態１で示した本発明の一態様で
ある有機化合物の他、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌ
ｑ）、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍ
ｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：
ＢｅＢｑ２）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アル
ミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８－キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称
：Ｚｎｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等である。ま
た、この他ビス［２－（２－ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚ
ｎＰＢＯ）、ビス［２－（２－ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚ
ｎＢＴＺ）などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いるこ
とができる。さらに、金属錯体以外にも、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒ
ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３－ビ
ス［５－（ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール－２－イル
］ベンゼン（略称：ＯＸＤ－７）、９－［４－（５－フェニル－１，３，４－オキサジア
ゾール－２－イル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣＯ１１）のようなオキサ
ジアゾール誘導体や、３－（４－ビフェニリル）－４－フェニル－５－（４－ｔｅｒｔ－
ブチルフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ＴＡＺ）のようなトリアゾール誘
導体や、２，２’，２’’－（１，３，５－ベンゼントリイル）トリス（１－フェニル－
１Ｈ－ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４
－イル）フェニル］－１－フェニル－１Ｈ－ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ
－ＩＩ）のようなイミダゾール骨格を有する化合物（特にベンゾイミダゾール誘導体）や
、４，４’－ビス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：Ｂｚ
Ｏｓ）などのオキサゾール骨格を有する化合物（特にベンゾオキサゾール誘導体）や、バ
ソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９
－ビス（ナフタレン－２－イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（
略称：ＮＢｐｈｅｎ）などのフェナントロリン誘導体や、２－［３－（ジベンゾチオフェ
ン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ
－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベ
ンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（９
Ｈ－カルバゾール－９－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン
（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール
－９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩ
Ｉ）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノ
キサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、及び６－［３－（ジベンゾチオフェン－
４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－Ｉ
Ｉ）、４，６－ビス［３－（フェナントレン－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：
４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６－ビス［３－（４－ジベンゾチエニル）フェニル］ピリ
ミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ－ＩＩ）、４，６－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾ
ール－９－イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）などのジアジン
骨格を有する複素環化合物や、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－
３－イル）－９Ｈ－カルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３
，５－トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９－［３－（４，６－ジフェニル－１，
３，５－トリアジン－２－イル）フェニル］－９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カ
ルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ－０２）などのトリアジン骨格を有する複素環化
合物や、３，５－ビス［３－（９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フェニル］ピリジン（略
称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５－トリ［３－（３－ピリジル）フェニル］ベンゼン
（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物も用いることができる
。また、ポリ（２，５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシ
ルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ
－Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２
’－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を
用いることもできる。
また、ホスト材料として、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、
クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げら
れ、具体的には、９，１０－ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ－
ジフェニル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバ
ゾール－３－アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４－（１０－フェニル－９－アントリル）
トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、ＹＧＡＰＡ、ＰＣＡＰＡ、Ｎ，９－ジフェニ
ル－Ｎ－｛４－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］フェニル｝－９Ｈ
－カルバゾール－３－アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、２ＰＣＡＰＡ、６，１２－ジメト
キシ－５，１１－ジフェニルクリセン、ＤＢＣ１、９－［４－（１０－フェニル－９－ア
ントラセニル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６－ジフェニ
ル－９－［４－（１０－フェニル－９－アントリル）フェニル］－９Ｈ－カルバゾール（
略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０－ビス（３，５－ジフェニルフェニル）アントラセン（
略称：ＤＰＰＡ）、９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２－
ｔｅｒｔ－ブチル－９，１０－ジ（２－ナフチル）アントラセン（略称：ｔ－ＢｕＤＮＡ
）、９，９’－ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’－（スチルベン－３，３’－
ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’－（スチルベン－４，４’－ジ
イル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５－トリ（１－ピレニル）ベン
ゼン（略称：ＴＰＢ３）などを用いることができる。
また、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）に有機化合物を複数用いる場合
、励起錯体を形成する２種類の化合物（第１の化合物および第２の化合物）と、有機金属
錯体とを混合して用いてもよい。この場合、様々な有機化合物を適宜組み合わせて用いる
ことができるが、効率よく励起錯体を形成するためには、正孔を受け取りやすい化合物（
正孔輸送性材料）と、電子を受け取りやすい化合物（電子輸送性材料）とを組み合わせる
ことが特に好ましい。なお、正孔輸送性材料および電子輸送性材料の具体例については、
本実施の形態で示す材料を用いることができる。この構成により、高効率、低電圧、長寿
命を同時に実現できる。
ＴＡＤＦ材料とは、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にア
ップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく
呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三
重項励起準位と一重項励起準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは
０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。また、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍
光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。そ
の寿命は、１０－６秒以上、好ましくは１０－３秒以上である。
ＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン
誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミ
ウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム
（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、
例えば、プロトポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））
、メソポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポ
ルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフ
ィリンテトラメチルエステル－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ－
４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（ＯＥＰ））
、エチオポルフィリン－フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエ
チルポルフィリン－塩化白金錯体（略称：ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等が挙げられる。
その他にも、２－（ビフェニル－４－イル）－４，６－ビス（１２－フェニルインドロ［
２，３－ａ］カルバゾール－１１－イル）－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＩＣ－Ｔ
ＲＺ）、２－｛４－［３－（Ｎ－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）－９Ｈ－カ
ルバゾール－９－イル］フェニル｝－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略
称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２－［４－（１０Ｈ－フェノキサジン－１０－イル）フェニル
］－４，６－ジフェニル－１，３，５－トリアジン（略称：ＰＸＺ－ＴＲＺ）、３－［４
－（５－フェニル－５，１０－ジヒドロフェナジン－１０－イル）フェニル］－４，５－
ジフェニル－１，２，４－トリアゾール（略称：ＰＰＺ－３ＴＰＴ）、３－（９，９－ジ
メチル－９Ｈ－アクリジン－１０－イル）－９Ｈ－キサンテン－９－オン（略称：ＡＣＲ
ＸＴＮ）、ビス［４－（９，９－ジメチル－９，１０－ジヒドロアクリジン）フェニル］
スルホン（略称：ＤＭＡＣ－ＤＰＳ）、１０－フェニル－１０Ｈ，１０’Ｈ－スピロ［ア
クリジン－９，９’－アントラセン］－１０’－オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、等のπ電子
過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いることができ
る。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、
π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強
くなり、一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差が小さくなるため、特に好まし
い。
なお、ＴＡＤＦ材料を用いる場合、他の有機化合物と組み合わせて用いることもできる。
特に、上述したホスト材料、正孔輸送材料、電子輸送材料と組み合わせることができ、実
施の形態１で示した本発明の一態様である有機化合物をＴＡＤＦ材料に対するホスト材料
として用いることが好ましい。
図１（Ｄ）に示す発光素子においては、ＥＬ層１０３ａの発光層１１３ａ上に電子輸送層
１１４ａが真空蒸着法により形成される。また、ＥＬ層１０３ａおよび電荷発生層１０４
が形成された後、ＥＬ層１０３ｂの発光層１１３ｂ上に電子輸送層１１４ｂが真空蒸着法
により形成される。
＜電子輸送層＞
電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５
ｂ）によって、第２の電極１０２や電荷発生層（１０４）から注入された電子を発光層（
１１３、１１３ａ、１１３ｂ）に輸送する層である。なお、電子輸送層（１１４、１１４
ａ、１１４ｂ）は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送層（１１４、１１４ａ、１
１４ｂ）に用いる電子輸送性材料は、１×１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有す
る物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のも
のを用いることができる。また、実施の形態１で示した本発明の一態様である有機化合物
は電子輸送性に優れているため、電子輸送層としても利用可能である。
電子輸送性材料としては、キノリン配位子、ベンゾキノリン配位子、オキサゾール配位子
、あるいはチアゾール配位子を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール
誘導体、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体などが挙げられる
。その他、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物を用いること
もできる。
具体的には、Ａｌｑ３、トリス（４－メチル－８－キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ
）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０－ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム
（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベン
ゾオキサゾラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２－（２－ヒドロキ
シフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯
体、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－
オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、ＯＸＤ－７、３－（４’－ｔｅｒｔ－ブチルフェニ
ル）－４－フェニル－５－（４’’－ビフェニル）－１，２，４－トリアゾール（略称：
ＴＡＺ）、３－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－４－（４－エチルフェニル）－５－
（４－ビフェニリル）－１，２，４－トリアゾール（略称：ｐ－ＥｔＴＡＺ）、バソフェ
ナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’－ビ
ス（５－メチルベンゾオキサゾール－２－イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複
素芳香族化合物、２－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ
，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［３’－（ジベンゾチオ
フェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２
ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）、２－［４－（３，６－ジフェニル－９Ｈ－カルバゾール－
９－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ－ＩＩＩ
）、７－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキ
サリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）、６－［３－（ジベンゾチオフェン－４－イ
ル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ－ＩＩ）等
のキノキサリンないしはジベンゾキノキサリン誘導体を用いることができる。
また、ポリ（２，５－ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９－ジヘキシル
フルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（ピリジン－３，５－ジイル）］（略称：ＰＦ－
Ｐｙ）、ポリ［（９，９－ジオクチルフルオレン－２，７－ジイル）－ｃｏ－（２，２’
－ビピリジン－６，６’－ジイル）］（略称：ＰＦ－ＢＰｙ）のような高分子化合物を用
いることもできる。
また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、単層のものだけでなく、上記物質
からなる層が２層以上積層した構造であってもよい。
図１（Ｄ）に示す発光素子においては、ＥＬ層１０３ａの電子輸送層１１４ａ上に電子注
入層１１５ａが真空蒸着法により形成される。その後、ＥＬ層１０３ａおよび電荷発生層
１０４が形成され、ＥＬ層１０３ｂの電子輸送層１１４ｂまで形成された後、上に電子注
入層１１５ｂが真空蒸着法により形成される。
＜電子注入層＞
電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）は、電子注入性の高い物質を含む層である。
電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セ
シウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のよ
うなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。ま
た、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。ま
た、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）にエレクトライドを用いてもよい。エレ
クトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添
加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）
を構成する物質を用いることもできる。
また、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）に、有機化合物と電子供与体（ドナー
）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によっ
て有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場
合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体
的には、例えば上述した電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）に用いる電子輸送性
材料（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有
機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカ
リ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、
エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類
金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げら
れる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラ
チアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
なお、例えば、発光層１１３ｂから得られる光を増幅させる場合には、第２の電極１０２
と、発光層１１３ｂとの光学距離が、発光層１１３ｂが呈する光の波長に対してλ／４未
満となるように形成するのが好ましい。この場合、電子輸送層１１４ｂまたは電子注入層
１１５ｂの膜厚を変えることにより、調整することができる。
＜電荷発生層＞
電荷発生層１０４は、第１の電極（陽極）１０１と第２の電極（陰極）１０２との間に電
圧を印加したときに、ＥＬ層１０３ａに電子を注入し、ＥＬ層１０３ｂに正孔を注入する
機能を有する。なお、電荷発生層１０４は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター
）が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構
成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。なお、上述した
材料を用いて電荷発生層１０４を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における
駆動電圧の上昇を抑制することができる。
電荷発生層１０４において、正孔輸送性材料に電子受容体が添加された構成とする場合、
正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子
受容体としては、７，７，８，８－テトラシアノ－２，３，５，６－テトラフルオロキノ
ジメタン（略称：Ｆ４－ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期
表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、
酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タング
ステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。
電荷発生層１０４において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成とする場合、
電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子
供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期
表における第２、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる
。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウ
ム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウ
ムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子
供与体として用いてもよい。
なお、図１（Ｅ）のＥＬ層１０３ｃは、上述したＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）
と同様の構成とすればよい。また、電荷発生層１０４ａ、１０４ｂについても、上述した
電荷発生層１０４と同様の構成とすればよい。
＜基板＞
本実施の形態で示した発光素子は、様々な基板上に形成することができる。なお、基板の
種類は、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板（例えば
単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板
、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タン
グステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、
繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。
なお、ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラ
ス、又はソーダライムガラスなどが挙げられる。また、可撓性基板、貼り合わせフィルム
、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチ
レンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチ
ック、アクリル等の合成樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又は
ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又
は紙類などが挙げられる。
なお、本実施の形態で示す発光素子の作製には、蒸着法などの真空プロセスや、スピンコ
ート法やインクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法を用いる場
合には、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真
空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）や、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等を用いることがで
きる。特に発光素子のＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１
ｂ）、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）、発光層（１１３、１１３ａ、１１３
ｂ、１１３ｃ）、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）、電子注入層（１１５、１
１５ａ、１１５ｂ）、および電荷発生層（１０４、１０４ａ、１０４ｂ））については、
蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ス
ピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印
刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、マイクロコ
ンタクト法等）などの方法により形成することができる。
なお、本実施の形態で示す発光素子のＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）を構成する
各機能層（正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）、正孔輸送層（１１２、１１２ａ
、１１２ｂ）、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ）、電子輸送層（１１４
、１１４ａ、１１４ｂ）、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ）や電荷発生層（１
０４、１０４ａ、１０４ｂ））は、上述した材料に限られることはなく、それ以外の材料
であっても各層の機能を満たせるものであれば組み合わせて用いることができる。一例と
しては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分
子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００～４０００）、無機化合物（量子ドット材
料等）等を用いることができる。なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット
材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料な
どを用いることができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることが
できるものとする。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について説明する。なお、図２（Ａ）
に示す発光装置は、第１の基板２０１上のトランジスタ（ＦＥＴ）２０２と発光素子（２
０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂ、２０３Ｗ）が電気的に接続されてなるアクティブマトリク
ス型の発光装置であり、複数の発光素子（２０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂ、２０３Ｗ）は
、共通のＥＬ層２０４を有し、また、各発光素子の発光色に応じて、各発光素子の電極間
の光学距離が調整されたマイクロキャビティ構造を有する。また、ＥＬ層２０４から得ら
れた発光が第２の基板２０５に形成されたカラーフィルタ（２０６Ｒ、２０６Ｇ、２０６
Ｂ）を介して射出されるトップエミッション型の発光装置である。
図２（Ａ）に示す発光装置は、第１の電極２０７を反射電極として機能するように形成す
る。また、第２の電極２０８を半透過・半反射電極として機能するように形成する。なお
、第１の電極２０７および第２の電極２０８を形成する電極材料としては、他の実施形態
の記載を参照し、適宜用いればよい。
また、図２（Ａ）において、例えば、発光素子２０３Ｒを赤色発光素子、発光素子２０３
Ｇを緑色発光素子、発光素子２０３Ｂを青色発光素子、発光素子２０３Ｗを白色発光素子
とする場合、図２（Ｂ）に示すように発光素子２０３Ｒは、第１の電極２０７と第２の電
極２０８との間が光学距離２００Ｒとなるように調整し、発光素子２０３Ｇは、第１の電
極２０７と第２の電極２０８との間が光学距離２００Ｇとなるように調整し、発光素子２
０３Ｂは、第１の電極２０７と第２の電極２０８との間が光学距離２００Ｂとなるように
調整する。なお、図２（Ｂ）に示すように、発光素子２０３Ｒにおいて導電層２１０Ｒを
第１の電極２０７に積層し、発光素子２０３Ｇにおいて導電層２１０Ｇを積層することに
より、光学調整を行うことができる。
第２の基板２０５には、カラーフィルタ（２０６Ｒ、２０６Ｇ、２０６Ｂ）が形成されて
いる。なお、カラーフィルタは、可視光のうち特定の波長域を通過させ、特定の波長域を
阻止するフィルタである。従って、図２（Ａ）に示すように、発光素子２０３Ｒと重なる
位置に赤の波長域のみを通過させるカラーフィルタ２０６Ｒを設けることにより、発光素
子２０３Ｒから赤色発光を得ることができる。また、発光素子２０３Ｇと重なる位置に緑
の波長域のみを通過させるカラーフィルタ２０６Ｇを設けることにより、発光素子２０３
Ｇから緑色発光を得ることができる。また、発光素子２０３Ｂと重なる位置に青の波長域
のみを通過させるカラーフィルタ２０６Ｂを設けることにより、発光素子２０３Ｂから青
色発光を得ることができる。但し、発光素子２０３Ｗは、カラーフィルタを設けることな
く白色発光を得ることができる。なお、１種のカラーフィルタの端部には、黒色層（ブラ
ックマトリックス）２０９が設けられていてもよい。さらに、カラーフィルタ（２０６Ｒ
、２０６Ｇ、２０６Ｂ）や黒色層２０９は、透明な材料を用いたオーバーコート層で覆わ
れていても良い。
図２（Ａ）では、第２の基板２０５側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の
発光装置を示したが、図２（Ｃ）に示すようにＦＥＴ２０２が形成されている第１の基板
２０１側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としても良い。なお、
ボトムエミッション型の発光装置の場合には、第１の電極２０７を半透過・半反射電極と
して機能するように形成し、第２の電極２０８を反射電極として機能するように形成する
。また、第１の基板２０１は、少なくとも透光性の基板を用いる。また、カラーフィルタ
（２０６Ｒ’、２０６Ｇ’、２０６Ｂ’）は、図２（Ｃ）に示すように発光素子（２０３
Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂ）よりも第１の基板２０１側に設ければよい。
また、図２（Ａ）において、発光素子が、赤色発光素子、緑色発光素子、青色発光素子、
白色発光素子の場合について示したが、本発明の一態様である発光素子はその構成に限ら
れることはなく、黄色の発光素子や橙色の発光素子を有する構成であっても良い。なお、
これらの発光素子を作製するためにＥＬ層（発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送
層、電子注入層、電荷発生層など）に用いる材料としては、他の実施形態の記載を参照し
、適宜用いればよい。なお、その場合には、また、発光素子の発光色に応じてカラーフィ
ルタを適宜選択する必要がある。
以上のような構成とすることにより、複数の発光色を呈する発光素子を備えた発光装置を
得ることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いる
ことができるものとする。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について説明する。
本発明の一態様である発光素子の素子構成を適用することで、アクティブマトリクス型の
発光装置やパッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。なお、アクティブ
マトリクス型の発光装置は、発光素子とトランジスタ（ＦＥＴ）とを組み合わせた構成を
有する。従って、パッシブマトリクス型の発光装置、アクティブマトリクス型の発光装置
は、いずれも本発明の一態様に含まれる。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の
実施形態で説明した発光素子を適用することが可能である。
本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について図３を用いて説明する。
なお、図３（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）を鎖線Ａ－Ａ
’で切断した断面図である。アクティブマトリクス型の発光装置は、第１の基板３０１上
に設けられた画素部３０２、駆動回路部（ソース線駆動回路）３０３と、駆動回路部（ゲ
ート線駆動回路）（３０４ａ、３０４ｂ）を有する。画素部３０２および駆動回路部（３
０３、３０４ａ、３０４ｂ）は、シール材３０５によって、第１の基板３０１と第２の基
板３０６との間に封止される。
また、第１の基板３０１上には、引き回し配線３０７が設けられる。引き回し配線３０７
は、外部入力端子であるＦＰＣ３０８と接続される。なお、ＦＰＣ３０８は、駆動回路部
（３０３、３０４ａ、３０４ｂ）に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号
、スタート信号、リセット信号等）や電位を伝達する。また、ＦＰＣ３０８にはプリント
配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。なお、これらＦＰＣやのＰＷＢが取り
付けられた状態は、発光装置に含まれる。
次に、図３（Ｂ）に断面構造を示す。
画素部３０２は、ＦＥＴ（スイッチング用ＦＥＴ）３１１、ＦＥＴ（電流制御用ＦＥＴ）
３１２、およびＦＥＴ３１２と電気的に接続された第１の電極３１３を有する複数の画素
により形成される。なお、各画素が有するＦＥＴの数は、特に限定されることはなく、必
要に応じて適宜設けることができる。
ＦＥＴ３０９、３１０、３１１、３１２は、特に限定されることはなく、例えば、スタガ
型や逆スタガ型などのトランジスタを適用することができる。また、トップゲート型やボ
トムゲート型などのトランジスタ構造であってもよい。
なお、これらのＦＥＴ３０９、３１０、３１１、３１２に用いることのできる半導体の結
晶性については特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、
多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いても
よい。なお、結晶性を有する半導体を用いることで、トランジスタ特性の劣化を抑制でき
るため好ましい。
また、これらの半導体としては、例えば、第１４族の元素、化合物半導体、酸化物半導体
、有機半導体などを用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウム
ヒ素を含む半導体、インジウムを含む酸化物半導体などを適用することができる。
駆動回路部３０３は、ＦＥＴ３０９とＦＥＴ３１０とを有する。なお、ＦＥＴ３０９とＦ
ＥＴ３１０は、単極性（Ｎ型またはＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路
で形成されても良いし、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で
形成されても良い。また、外部に駆動回路を有する構成としても良い。
第１の電極３１３の端部は、絶縁物３１４により覆われている。なお、絶縁物３１４には
、ネガ型の感光性樹脂や、ポジ型の感光性樹脂（アクリル樹脂）などの有機化合物や、酸
化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。絶
縁物３１４の上端部または下端部には、曲率を有する曲面を有するのが好ましい。これに
より、絶縁物３１４の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。
第１の電極３１３上には、ＥＬ層３１５及び第２の電極３１６が積層形成される。ＥＬ層
３１５は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を
有する。
なお、本実施の形態で示す発光素子３１７の構成は、他の実施の形態で説明した構成や材
料を適用することができる。なお、ここでは図示しないが、第２の電極３１６は外部入力
端子であるＦＰＣ３０８に電気的に接続されている。
また、図３（Ｂ）に示す断面図では発光素子３１７を１つのみ図示しているが、画素部３
０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部３０
２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フ
ルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発
光が得られる発光素子の他に、例えば、ホワイト（Ｗ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ
）、シアン（Ｃ）等の発光が得られる発光素子を形成してもよい。例えば、３種類（Ｒ、
Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子に上述の数種類の発光が得られる発光素子を追加する
ことにより、色純度の向上、消費電力の低減等の効果が得ることができる。また、カラー
フィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。なお
、カラーフィルタの種類としては、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、シアン（Ｃ）、マゼ
ンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）等を用いることができる。
第１の基板３０１上のＦＥＴ（３０９、３１０、３１１、３１２）や、発光素子３１７は
、第２の基板３０６と第１の基板３０１とをシール材３０５により貼り合わせることによ
り、第１の基板３０１、第２の基板３０６、およびシール材３０５で囲まれた空間３１８
に備えられた構造を有する。なお、空間３１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）や
有機物（シール材３０５を含む）で充填されていてもよい。
シール材３０５には、エポキシ系樹脂やガラスフリットを用いることができる。なお、シ
ール材３０５には、できるだけ水分や酸素を透過しない材料を用いることが好ましい。ま
た、第２の基板３０６は、第１の基板３０１に用いることができるものを同様に用いるこ
とができる。従って、他の実施形態で説明した様々な基板を適宜用いることができるもの
とする。基板としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ－Ｒｅｉｎｆｏｒｃ
ｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアク
リル等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材としてガラスフリット
を用いる場合には、接着性の観点から第１の基板３０１及び第２の基板３０６はガラス基
板であることが好ましい。
以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
また、アクティブマトリクス型の発光装置を可撓性基板に形成する場合、可撓性基板上に
ＦＥＴと発光素子とを直接形成しても良いが、剥離層を有する別の基板にＦＥＴと発光素
子を形成した後、熱、力、レーザ照射などを与えることによりＦＥＴと発光素子を剥離層
で剥離し、さらに可撓性基板に転載して作製しても良い。なお、剥離層としては、例えば
、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層や、ポリイミド等の有機樹脂膜等を
用いることができる。また可撓性基板としては、トランジスタを形成することが可能な基
板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、
布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）
若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）
、皮革基板、又はゴム基板などが挙げられる。これらの基板を用いることにより、耐久性
や耐熱性に優れ、軽量化および薄型化を図ることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用い
ることができる。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置、本発明の一態様である発光素子を有
する表示装置を適用して完成させた様々な電子機器や自動車の一例について、説明する。
図４（Ａ）～図４（Ｅ）に示す電子機器は、筐体７０００、表示部７００１、スピーカ７
００３、ＬＥＤランプ７００４、操作キー７００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを
含む）、接続端子７００６、センサ７００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、
回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、
電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの
）、マイクロフォン７００８、等を有することができる。
図４（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ７００９、赤
外線ポート７０１０、等を有することができる。
図４（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であ
り、上述したものの他に、第２表示部７００２、記録媒体読込部７０１１、等を有するこ
とができる。
図４（Ｃ）はゴーグル型ディスプレイであり、上述したものの他に、第２表示部７００２
、支持部７０１２、イヤホン７０１３、等を有することができる。
図４（Ｄ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ
７０１４、シャッターボタン７０１５、受像部７０１６、等を有することができる。
図４（Ｅ）は携帯電話機（スマートフォンを含む）であり、筐体７０００に、表示部７０
０１、マイクロフォン７０１９、スピーカ７００３、カメラ７０２０、外部接続部７０２
１、操作用ボタン７０２２、等を有することができる。
図４（Ｆ）は、大型のテレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）で
あり、筐体７０００、表示部７００１、等を有することができる。また、ここでは、スタ
ンド７０１８により筐体７０００を支持した構成を示している。また、テレビジョン装置
の操作は、別体のリモコン操作機７１１１、等により行うことができる。なお、表示部７
００１にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで操作し
てもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を
表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタ
ッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７００１に表示
される画像を操作することができる。
図４（Ａ）～図４（Ｆ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、
様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル
機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム
）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュー
タネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行
う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する
機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一
つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示す
る機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表
示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静
止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機
能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を
表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図４（Ａ）乃至図４（Ｆ）に示
す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することが
できる。
図４（Ｇ）は、スマートウオッチであり、筐体７０００、表示部７００１、操作用ボタン
７０２２、７０２３、接続端子７０２４、バンド７０２５、留め金７０２６、等を有する
。
ベゼル部分を兼ねる筐体７０００に搭載された表示部７００１は、非矩形状の表示領域を
有している。表示部７００１は、時刻を表すアイコン７０２７、その他のアイコン７０２
８等を表示することができる。また、表示部７００１は、タッチセンサ（入力装置）を搭
載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。
なお、図４（Ｇ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば
、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネ
ル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラ
ム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュ
ータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を
行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示す
る機能、等を有することができる。
また、筐体７０００の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速
度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電
圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むも
の）、マイクロフォン等を有することができる。
なお、本発明の一態様である発光装置および本発明の一態様である発光素子を有する表示
装置は、本実施の形態に示す電子機器の各表示部に用いることができ、長寿命な電子機器
を実現できる。
また、発光装置を適用した電子機器として、図５（Ａ）～（Ｃ）に示すような折りたたみ
可能な携帯情報端末が挙げられる。図５（Ａ）には、展開した状態の携帯情報端末９３１
０を示す。また、図５（Ｂ）には、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に
変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。さらに、図５（Ｃ）には、折りたた
んだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたんだ状態で
は可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優
れる。
表示部９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持されてい
る。なお、表示部９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出
力装置）であってもよい。また、表示部９３１１は、ヒンジ９３１３を介して２つの筐体
９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態から折りたた
んだ状態に可逆的に変形させることができる。なお、本発明の一態様の発光装置は、表示
部９３１１に用いることができる。また、長寿命な電子機器を実現できる。表示部９３１
１における表示領域９３１２は折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０の側面に位置す
る表示領域である。表示領域９３１２には、情報アイコンや使用頻度の高いアプリやプロ
グラムのショートカットなどを表示させることができ、情報の確認やアプリなどの起動を
スムーズに行うことができる。
また、発光装置を適用した自動車について、図６（Ａ）（Ｂ）に示す。すなわち、発光装
置を、自動車と一体にして設けることができる。具体的には、図６（Ａ）に示す自動車の
外側のライト５１０１（車体後部も含む）、タイヤのホイール５１０２、ドア５１０３の
一部または全体などに適用することができる。また、図６（Ｂ）に示す自動車の内側の表
示部５１０４、ハンドル５１０５、シフトレバー５１０６、座席シート５１０７、インナ
ーリアビューミラー５１０８等に適用することができる。その他、ガラス窓の一部に適用
してもよい。
以上のようにして、本発明の一態様である発光装置や表示装置を適用した電子機器や自動
車を得ることができる。なお、その場合には、長寿命な電子機器を実現できる。なお、適
用できる電子機器や自動車は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野におい
て適用することが可能である。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光素子を適
用して作製される照明装置の構成について図７を用いて説明する。
図７（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）には、照明装置の断面図の一例を示す。なお、図７
（Ａ）、（Ｂ）は基板側に光を取り出すボトムエミッション型の照明装置であり、図７（
Ｃ）、（Ｄ）は、封止基板側に光を取り出すトップエミッション型の照明装置である。
図７（Ａ）に示す照明装置４０００は、基板４００１上に発光素子４００２を有する。ま
た、基板４００１の外側に凹凸を有する基板４００３を有する。発光素子４００２は、第
１の電極４００４と、ＥＬ層４００５と、第２の電極４００６を有する。
第１の電極４００４は、電極４００７と電気的に接続され、第２の電極４００６は電極４
００８と電気的に接続される。また、第１の電極４００４と電気的に接続される補助配線
４００９を設けてもよい。なお、補助配線４００９上には、絶縁層４０１０が形成されて
いる。
また、基板４００１と封止基板４０１１は、シール材４０１２で接着されている。また、
封止基板４０１１と発光素子４００２の間には、乾燥剤４０１３が設けられていることが
好ましい。なお、基板４００３は、図７（Ａ）のような凹凸を有するため、発光素子４０
０２で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。
また、基板４００３に代えて、図７（Ｂ）の照明装置４１００のように、基板４００１の
外側に拡散板４０１５を設けてもよい。
図７（Ｃ）の照明装置４２００は、基板４２０１上に発光素子４２０２を有する。発光素
子４２０２は第１の電極４２０４と、ＥＬ層４２０５と、第２の電極４２０６とを有する
。
第１の電極４２０４は、電極４２０７と電気的に接続され、第２の電極４２０６は電極４
２０８と電気的に接続される。また第２の電極４２０６と電気的に接続される補助配線４
２０９を設けてもよい。また、補助配線４２０９の下部に、絶縁層４２１０を設けてもよ
い。
基板４２０１と凹凸のある封止基板４２１１は、シール材４２１２で接着されている。ま
た、封止基板４２１１と発光素子４２０２の間にバリア膜４２１３および平坦化膜４２１
４を設けてもよい。なお、封止基板４２１１は、図７（Ｃ）のような凹凸を有するため、
発光素子４２０２で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。
また、封止基板４２１１に代えて、図７（Ｄ）の照明装置４３００のように、発光素子４
２０２の上に拡散板４２１５を設けてもよい。
なお、本実施の形態で示すように、本発明の一態様である発光装置、またはその一部であ
る発光素子を適用することで、所望の色度を有する照明装置を提供することができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光素子を適
用して作製される照明装置の応用例について、図８を用いて説明する。
室内の照明装置としては、シーリングライト８００１として応用できる。シーリングライ
ト８００１には、天井直付型や天井埋め込み型がある。なお、このような照明装置は、発
光装置を筐体やカバーと組み合わせることにより構成される。その他にもコードペンダン
ト型（天井からのコード吊り下げ式）への応用も可能である。
また、足元灯８００２は、床面に灯りを照射し、足元の安全性を高めることができる。例
えば、寝室や階段や通路などに使用するのが有効である。その場合、部屋の広さや構造に
応じて適宜サイズや形状を変えることができる。また、発光装置と支持台とを組み合わせ
て構成される据え置き型の照明装置とすることも可能である。
また、シート状照明８００３は、薄型のシート状の照明装置である。壁面に張り付けて使
用するため、場所を取らず幅広い用途に用いることができる。なお、大面積化も容易であ
る。なお、曲面を有する壁面や筐体に用いることもできる。
また、光源からの光が所望の方向のみに制御された照明装置８００４を用いることもでき
る。
なお、上記以外にも室内に備えられた家具の一部に本発明の一態様である発光装置、また
はその一部である発光素子を適用することにより、家具としての機能を備えた照明装置と
することができる。
以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置
は本発明の一態様に含まれるものとする。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用い
ることができる。
≪合成例１≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１００）で表される本発明の一態様である有機化
合物、９－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［
１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）の
合成方法について説明する。なお、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒの構造を以下に示す。
Figure 2022125052000040
＜ステップ１；６－クロロ－３－（２－メトキシナフタレン－１－イル）ピラジン－２－
アミンの合成＞
まず、３－ブロモ－６－クロロピラジン－２－アミン４．３７ｇと２－メトキシナフタレ
ン－１－ボロン酸４．２３ｇ、フッ化カリウム４．１４ｇ、脱水テトラヒドロフラン７５
ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下
で撹拌することで脱気した後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（
略称：Ｐｄ２（ｄｂａ）３）０．５７ｇ、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン（略称：Ｐ
（ｔＢｕ）３）４．５ｍＬを加え、８０℃で５４時間撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、得られた混合物を吸引ろ過し、ろ液を濃縮した。その後、トルエン：酢
酸エチル＝９：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、
目的のピラジン誘導体を得た（黄白色粉末、収量２．１９ｇ、収率３６％）。ステップ１
の合成スキームを下記式（ａ－１）に示す。
Figure 2022125052000041
＜ステップ２；９－クロロナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジンの
合成＞
次に、上記ステップ１で得た６－クロロ－３－（２－メトキシナフタレン－１－イル）ピ
ラジン－２－アミン２．１８ｇと脱水テトラヒドロフラン６３ｍＬ、氷酢酸８４ｍＬを三
口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコを－１０℃に冷却した後、亜硝酸ｔｅ
ｒｔ－ブチル２．８ｍＬを滴下し、－１０℃で３０分、０℃で３時間攪拌した。所定時間
経過後、得られた懸濁液に水２５０ｍＬを加え、吸引ろ過することにより、目的のピラジ
ン誘導体を得た（黄白色粉末、収量１．４８ｇ、収率７７％）。ステップ２の合成スキー
ムを下記（ａ－２）に示す。
Figure 2022125052000042
＜ステップ３；９－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］
ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆ
ｐｒ）の合成＞
さらに、上記ステップ２で得た９－クロロナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－
ｂ］ピラジン１．４８ｇ、３’－（４－ジベンゾチオフェン）－１，１’－ビフェニル－
３－ボロン酸３．４１ｇ、２Ｍ炭酸カリウム水溶液８．８ｍＬ、トルエン１００ｍＬ、エ
タノール１０ｍＬを三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹
拌することで脱気した後、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリ
ド（略称：Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２）０．８４ｇを加え、８０℃で１８時間撹拌し、反
応させた。
所定時間経過後、得られた懸濁液を吸引ろ過し、水、エタノールで洗浄した。得られた固
体をトルエンに溶かし、セライト、アルミナ、セライトの順で積層した濾過補助剤を通し
て濾過した後、トルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶することにより、目的物を得た（
淡黄色固体、収量２．６６ｇ、収率８２％）。
得られた淡黄色固体２．６４ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇
華精製条件は、圧力２．６Ｐａ、アルゴンガスを流量１５ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３
１５℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の淡黄色固体を収量２．３４ｇ、収率８９
％で得た。ステップ３の合成スキームを下記（ａ－３）に示す。
Figure 2022125052000043
なお、上記ステップ３で得られた淡黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による
分析結果を下記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図９に示す。この結果から、本実
施例において、上述の構造式（１００）で表される有機化合物、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ
が得られたことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤ２Ｃｌ２）：７．４７－７．５１（ｍ，２Ｈ），７．６０－７．
６９（ｍ，５Ｈ），７．７９－７．８９（ｍ，６Ｈ），８．０５（ｄ，１Ｈ），８．１０
－８．１１（ｍ，２Ｈ），８．１８－８．２３（ｍ，３Ｈ），８．５３（ｓ，１Ｈ），９
．１６（ｄ，１Ｈ），９．３２（ｓ，１Ｈ）．
次に、トルエン溶液中の９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒの紫外可視吸収スペクトル（以下、単に
「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを図１０（Ａ）に示す。横軸は波長、縦
軸は吸収強度および発光強度を表す。
吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用
いた。トルエン溶液中の９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒの吸収スペクトルは、９ｍＤＢｔＢＰＮ
ｆｐｒのトルエン溶液を石英セルに入れて測定して得られた吸収スペクトルから、トルエ
ンを石英セルに入れて測定して得られた吸収スペクトルを差し引いて算出した。また、発
光スペクトルの測定には蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製 ＦＳ９２０）を用いた。
トルエン溶液中の９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒの発光スペクトルは、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ
のトルエン溶液を石英セルに入れて測定した。
図１０（Ａ）より、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒのトルエン溶液では、３７０ｎｍ及び３８０
ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、４００ｎｍおよび４２１ｎｍ（励起波長：２９１ｎｍ）
付近に発光波長のピークが見られた。
次に、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒの固体薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを測定
した。固体薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。また、薄膜の吸収スペクトルは
、基板を含めた透過率と反射率から求めた吸光度（－ｌｏｇ１０ ［％Ｔ／（１００－％
Ｒ）］）より算出した。なお％Ｔは透過率、％Ｒは反射率を表す。吸収スペクトルの測定
には、紫外可視分光光度計（日立ハイテクノロジーズ製、Ｕ－４１００）を用いた。また
、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製 ＦＳ９２０）を用
いた。得られた固体薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図１０（Ｂ
）に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。
図１０（Ｂ）の結果より、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒの固体薄膜では、３７７ｎｍおよび３
９５ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、４８９ｎｍ（励起波長：３７０ｎｍ）付近に発光波
長のピークが見られた。
従って、本発明の一態様である有機化合物、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒは、赤色およびそれ
よりも長波長側のエネルギーで発光する燐光材料に適したホスト材料であることがわかる
。なお、本発明の一態様である有機化合物、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒは、可視域の燐光発
光物質のホスト材料や発光物質としても利用可能である。
次に、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒのＬＵＭＯ準位の値を示す。ＬＵＭＯ準位の値は、ジメチ
ルホルムアミド溶媒中におけるサイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定で得られる還元
電位と、参照電極（Ａｇ／Ａｇ＋）のポテンシャルエネルギー（真空準位に対して－４．
９４ｅＶ程度である）の数値から、ＬＵＭＯ準位の値を見積った。具体的には、『－４．
９４［ｅＶ］－（還元電位の値）＝ＬＵＭＯ準位』とした。この手法で算出したＬＵＭＯ
準位の実測値は－３．０５ｅＶであった。ゆえに、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒは電子を受け
取りやすく、電子に対する安定性が高いことがわかる。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子として、実施例１で説明した９－［（３’
－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５
］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）（構造式（１００））
を発光層に用いた発光素子１、および比較として２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４
－イル）ビフェニル－３－イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢ
ＰＤＢｑ－ＩＩ）を発光層に用いた比較発光素子２について、素子構造、作製方法および
その特性について説明する。なお、本実施例で用いる発光素子の素子構造を図１１に示し
、具体的な構成について表１に示す。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す
。
Figure 2022125052000044
Figure 2022125052000045
≪発光素子の作製≫
本実施例で示す発光素子は、図１１に示すように基板９００上に形成された第１の電極９
０１上に正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、電子
注入層９１５が順次積層され、電子注入層９１５上に第２の電極９０３が積層された構造
を有する。
まず、基板９００上に第１の電極９０１を形成した。電極面積は、４ｍｍ２（２ｍｍ×２
ｍｍ）とした。また、基板９００には、ガラス基板を用いた。また、第１の電極９０１は
、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により、７０ｎｍ
の膜厚で成膜して形成した。
ここで、前処理として、基板の表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオ
ゾン処理を３７０秒行った。その後、１０－４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装
置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を
行った後、基板を３０分程度放冷した。
次に、第１の電極９０１上に正孔注入層９１１を形成した。正孔注入層９１１は、真空蒸
着装置内を１０－４Ｐａに減圧した後、１，３，５－トリ（ジベンゾチオフェン－４－イ
ル）ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ）と酸化モリブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ－ＩＩ：酸
化モリブデン＝２：１（質量比）とし、膜厚が７５ｎｍとなるように共蒸着して形成した
。
次に、正孔注入層９１１上に正孔輸送層９１２を形成した。正孔輸送層９１２は、４－フ
ェニル－４’－（９－フェニルフルオレン－９－イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰ
ＡＦＬＰ）を用い、膜厚が２０ｎｍになるように蒸着して形成した。
次に、正孔輸送層９１２上に発光層９１３を形成した。
発光層９１３は、発光素子１の場合は、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒおよびＮ－（１，１’－
ビフェニル－４－イル）－Ｎ－［４－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）
フェニル］－９，９－ジメチル－９Ｈ－フルオレン－２－アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）
に加えて、ゲスト材料（燐光発光材料）として、ビス｛４，６－ジメチル－２－［３－（
３，５－ジメチルフェニル）－５－フェニル－２－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝
（２，６－ジメチル－３，５－ヘプタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］）を用い、重量比が９ｍＤＢｔＢ
ＰＮｆｐｒ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］＝０．７５：
０．２５：０．１となるように共蒸着した。なお、膜厚は、４０ｎｍとした。また、比較
発光素子２の場合は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩおよびＰＣＢＢｉＦに加えて、ゲスト
材料（燐光発光材料）として、［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］を用い、重
量比が２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄ
ｉｂｍ）］＝０．７５：０．２５：０．１となるように共蒸着した。なお、膜厚は、４０
ｎｍとした。
次に、発光層９１３上に電子輸送層９１４を形成した。電子輸送層９１４は、発光素子１
の場合は、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒの膜厚が３０ｎｍ、２，９－ビス（ナフタレン－２－
イル）－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）の膜
厚が１５ｎｍとなるように順次蒸着して形成した。また、比較発光素子２の場合は、２ｍ
ＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩの膜厚が３０ｎｍ、ＮＢｐｈｅｎの膜厚が１５ｎｍとなるように
順次蒸着して形成した。
次に、電子輸送層９１４上に電子注入層９１５を形成した。電子注入層９１５は、フッ化
リチウム（ＬｉＦ）を用い、膜厚が１ｎｍになるように蒸着して形成した。
次に、電子注入層９１５上に第２の電極９０３を形成した。第２の電極９０３は、アルミ
ニウムを蒸着法により、膜厚が２００ｎｍとなるように形成した。なお、本実施例におい
て、第２の電極９０３は、陰極として機能する。
以上の工程により、基板９００上に一対の電極間にＥＬ層を挟んでなる発光素子を形成し
た。なお、上記工程で説明した正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電
子輸送層９１４、電子注入層９１５は、本発明の一態様におけるＥＬ層を構成する機能層
である。また、上述した作製方法における蒸着工程では、全て抵抗加熱法による蒸着法を
用いた。
また、上記に示すように作製した発光素子は、別の基板（図示せず）により封止される。
なお、別の基板（図示せず）を用いた封止の際は、窒素雰囲気のグローブボックス内にお
いて、紫外光により固化するシール剤を塗布した別の基板（図示せず）を基板９００上に
固定し、基板９００上に形成された発光素子の周囲にシール剤が付着するよう基板同士を
接着させた。封止時には３６５ｎｍの紫外光を６Ｊ／ｃｍ２照射しシール剤を固化し、８
０℃にて１時間熱処理することによりシール剤を安定化させた。
≪発光素子の動作特性≫
作製した各発光素子の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた
雰囲気）で行った。また、各発光素子の動作特性の結果として電流密度－輝度特性を図１
２、電圧－輝度特性を図１３、輝度－電流効率特性を図１４、電圧－電流特性を図１５に
それぞれ示す。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における各発光素子の主な初期特性値を以下の表２に示す
。
Figure 2022125052000046
上記結果から、本実施例で作製した発光素子１は、良好な効率を示すことが分かる。
また、発光素子１および比較発光素子２に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した
際の発光スペクトルを、図１６に示す。図１６に示す通り、発光素子１および比較発光素
子２の発光スペクトルは、６４０ｎｍ付近にピークを有しており、いずれも発光層９１３
に含まれる、［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］の発光に由来していることが
示唆される。
次に、発光素子１および比較発光素子２に対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果
を図１７に示す。図１７において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％
）を示し、横軸は素子の駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、５０ｍＡ／ｃｍ２
の電流密度で一定の電流を流した定電流駆動試験を行った。
信頼性試験の結果より、発光素子１は、比較発光素子２に比べて、高い信頼性を示すこと
が分かった。これは、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒと２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩの分子構造
上の違い、すなわち、ナフトフロピラジン骨格とジベンゾキノキサリン骨格の違いに起因
すると考えられるため、本発明の一態様であるフロピラジン誘導体の堅牢性を示すものと
言える。以上のことから、本発明の一態様である有機化合物、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ（
構造式（１００））を用いることは発光素子の素子特性を向上させる上で有用であると言
える。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子として、実施例１で説明した９ｍＤＢｔＢ
ＰＮｆｐｒ（構造式（１００））を発光層に用いた発光素子３を作製し、その特性につい
て測定した結果を示す。
なお、発光素子３の作製において、第１の電極９０１および正孔注入層９１１は、実施例
２に示す発光素子１と同様に形成した。
また、正孔注入層９１１上に形成される正孔輸送層９１２は、４，４’－ジフェニル－４
’’－（９－フェニル－９Ｈ－カルバゾール－３－イル）トリフェニルアミン（略称：Ｐ
ＣＢＢｉ１ＢＰ）を用い、膜厚が２０ｎｍになるように蒸着して形成した。
また、正孔輸送層９１２上に形成される発光層９１３は、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒおよび
ＰＣＢＢｉＦを用い、ゲスト材料（燐光発光材料）として、ビス［４，６－ジメチル－２
－（２－キノリニル－κＮ）フェニル－κＣ］（２，４－ペンタンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ
’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｑｎ）２（ａｃａｃ）］を用い、重量
比が９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｄｍｐｑｎ）２（ａｃａｃ）］＝
０．８：０．２：０．１となるように共蒸着することにより形成した。なお、膜厚は、４
０ｎｍとした。
また、発光層９１３上に形成される電子輸送層９１４は、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒの膜厚
が３０ｎｍ、ＮＢｐｈｅｎの膜厚が１５ｎｍとなるように順次蒸着して形成した。
電子注入層９１５以降、第２の電極９０３までは実施例２に示す発光素子１と同様である
ので説明を省略する。発光素子３の具体的な素子構成を表３に示す。また、本実施例で用
いる材料の化学式を以下に示す。
Figure 2022125052000047
Figure 2022125052000048
≪発光素子３の動作特性≫
作製した発光素子３の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた
雰囲気）で行った。
発光素子３の電流密度－輝度特性を図１８、電圧－輝度特性を図１９、輝度－電流効率特
性を図２０、電圧－電流特性を図２１にそれぞれ示す。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子３の主な初期特性値を以下の表４に示す
。
Figure 2022125052000049
上記結果から、本実施例で作製した発光素子３は、良好な効率を示すことが分かる。
また、発光素子３に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを
、図２２に示す。図２２に示す通り、発光素子の発光スペクトルは、６２６ｎｍ付近にピ
ークを有しており、発光層９１３に含まれる、［Ｉｒ（ｄｍｐｑｎ）２（ａｃａｃ）］の
発光に由来していることが示唆される。
次に、発光素子３に対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図２３に示す。図２
３において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は素子
の駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、７５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で一定の電
流を流した定電流駆動試験を行った。
信頼性試験の結果より、発光素子３は、高い信頼性を示すことが分かった。このことから
、本発明の一態様である有機化合物、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ（構造式（１００））を用
いることは発光素子の素子特性を向上させる上で有用であると言える。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子として、実施例１で説明した９ｍＤＢｔＢ
ＰＮｆｐｒ（構造式（１００））を発光層に用いた発光素子４を作製し、その特性につい
て測定した結果を示す。
なお、発光素子４の作製において、第１の電極９０１および正孔注入層９１１は、実施例
２に示す発光素子１と同様に形成した。
また、正孔注入層９１１上に形成される正孔輸送層９１２は、ＰＣＢＢｉＦを用い、膜厚
が２０ｎｍになるように蒸着して形成した。
また、正孔輸送層９１２上に形成される発光層９１３は、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒおよび
ＰＣＢＢｉＦを用い、ゲスト材料（燐光発光材料）として、ビス｛４，６－ジメチル－２
－［５－（５－シアノ－２－メチルフェニル）－３－（３，５－ジメチルフェニル）－２
－ピラジニル－κＮ］フェニル－κＣ｝（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプ
タンジオナト－κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｍ
５ＣＰ）２（ｄｐｍ）］を用い、重量比が９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉ
ｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｍ５ＣＰ）２（ｄｐｍ）］＝０．８：０．２：０．１となるように共
蒸着することにより形成した。なお、膜厚は、４０ｎｍとした。
また、発光層９１３上に形成される電子輸送層９１４は、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒの膜厚
が３０ｎｍ、ＮＢｐｈｅｎの膜厚が１５ｎｍとなるように順次蒸着して形成した。
電子注入層９１５以降、第２の電極９０３までは実施例２に示す発光素子１と同様である
ので説明を省略する。発光素子４の具体的な素子構成を表５に示す。また、本実施例で用
いる材料の化学式を以下に示す。
Figure 2022125052000050
Figure 2022125052000051
≪発光素子４の動作特性≫
作製した発光素子４の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた
雰囲気）で行った。
発光素子４の電流密度－輝度特性を図２４、電圧－輝度特性を図２５、輝度－電流効率特
性を図２６、電圧－電流特性を図２７にそれぞれ示す。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子４の主な初期特性値を以下の表６に示す
。
Figure 2022125052000052
上記結果から、本実施例で作製した発光素子４は、良好な効率を示すことが分かる。
また、発光素子４に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを
、図２８に示す。図２８に示す通り、発光素子の発光スペクトルは、６４８ｎｍ付近にピ
ークを有しており、発光層９１３に含まれる、［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｍ５ＣＰ）２（ｄ
ｐｍ）］の発光に由来していることが示唆される。
次に、発光素子４に対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図２９に示す。図２
９において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は素子
の駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、７５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で一定の電
流を流した定電流駆動試験を行った。
信頼性試験の結果より、発光素子４は、高い信頼性を示すことが分かった。このことから
、本発明の一態様である有機化合物、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ（構造式（１００））を用
いることは発光素子の素子特性を向上させる上で有用であると言える。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子として、実施例１で説明した９ｍＤＢｔＢ
ＰＮｆｐｒ（構造式（１００））を発光層に用いた発光素子５を作製し、その特性につい
て測定した結果を示す。
発光素子５の具体的な素子構成を表７に示す。表中のＡＰＣは、銀とパラジウムと銅の合
金（Ａｇ－Ｐｄ－Ｃｕ）を示す。なお、発光素子の積層については、図１１を参照するこ
ととする。但し、発光素子５については、第２の電極９０３と接して形成されるキャップ
層を含めて発光素子とする。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
Figure 2022125052000053
Figure 2022125052000054
≪発光素子５の動作特性≫
作製した発光素子５の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた
雰囲気）で行った。
発光素子５の電流密度－輝度特性を図３０、電圧－輝度特性を図３１、輝度－電流効率特
性を図３２、電圧－電流特性を図３３にそれぞれ示す。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子５の主な初期特性値を以下の表８に示す
。
Figure 2022125052000055
上記結果から、本実施例で作製した発光素子５は、良好な効率を示すことが分かる。
また、発光素子５に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを
、図３４に示す。図３４に示す通り、発光素子の発光スペクトルは、６３５ｎｍ付近にピ
ークを有しており、発光層９１３に含まれる、［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ－ｍ５ＣＰ）２（ｄ
ｐｍ）］の発光に由来していることが示唆される。従って、本発明の一態様である有機化
合物、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒは、赤色およびそれよりも長波長側のエネルギーで発光す
る燐光材料に適したホスト材料であることがわかる。
次に、発光素子５に対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図３５に示す。図３
５において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は素子
の駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、１２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で一定
の電流を流した定電流駆動試験を行った。
信頼性試験の結果より、発光素子５は、高い信頼性を示すことが分かった。このことから
、本発明の一態様である有機化合物、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ（構造式（１００））を用
いることは発光素子の素子特性を向上させる上で有用であると言える。
ここで、表９に示す素子構造を有し、表１０に示す動作特性を有する他の発光素子（発光
素子６および発光素子７）と、発光素子５とを組み合わせてなる、トップエミッション構
造のパネルを想定し、開口率１５％（Ｒ、Ｇ、Ｂ各画素は、それぞれ５％）、円偏光板等
による発光の減衰を６０％とし、Ｄ６５、３００ｃｄ／ｍ２で全白表示させた際のシミュ
レーションを行った。
Figure 2022125052000056
なお、表９中の各発光素子で用いる一部の材料の化学式を以下に示す。
Figure 2022125052000057
Figure 2022125052000058
表１１には、上記発光素子の測定結果のうち、シミュレーションに用いたデータを示す。
Figure 2022125052000059
表１１のデータを用いたシミュレーションによると、各発光素子の色度（ｘ，ｙ）をＣＩ
Ｅ１９７６色度座標（ｕ’，ｖ’色度座標）で計算した場合、発光素子５（Ｒ）、発光素
子６（Ｇ）、および発光素子７（Ｂ）を組み合わせてなるパネルにおいて、ＢＴ．２０２
０規格の色域に対する面積比が９７％であるという結果が得られた。
≪合成例２≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１２３）で表される本発明の一態様である有機化
合物、９－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ナフト［
１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ＰＣＣｚＮｆｐｒ）の合成
方法について説明する。なお、９ＰＣＣｚＮｆｐｒの構造を以下に示す。
Figure 2022125052000060
実施例１のステップ２において合成法を示した、９－クロロナフト［１’，２’：４，５
］フロ［２，３－ｂ］ピラジン０．９４ｇ、９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カル
バゾール１．６９ｇ、メシチレン３７ｍＬを三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。
フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、ナトリウム ｔｅｒｔ－ブトキシド１
．２３ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（略称：Ｐｄ２（ｄｂ
ａ）３）０．０２１ｇ、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフ
ェニル（略称：Ｓ－Ｐｈｏｓ）０．０３０ｇを加え、１２０℃で８時間撹拌し、反応させ
た。
所定時間経過後、得られた懸濁液を吸引ろ過し、水、エタノールで洗浄した。得られた固
体をトルエンに溶かし、セライト、アルミナ、セライトの順で積層した濾過補助剤を通し
て濾過した後、トルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶することにより、目的物を得た（
黄色固体、収量０．８５ｇ、収率３６％）。
得られた黄色固体０．８４ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華
精製条件は、圧力２．５Ｐａ、アルゴンガスを流量１０ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３５
０℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色固体を収量０．６４ｇ、収率７６％で
得た。上記合成方法の合成スキームを下記（ｂ－１）に示す。
Figure 2022125052000061
なお、上記合成法で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結
果を下記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図３６に示す。このことから、本実施例
において、上述の構造式（１２３）で表される有機化合物、９ＰＣＣｚＮｆｐｒが得られ
たことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：７．３２－７．３５（ｍ，１Ｈ），７．４２－７．５
７（ｍ，６Ｈ），７．６３－７．７０（ｍ，５Ｈ），７．８０－７．９０（ｍ，４Ｈ），
８．０９（ｄ，２Ｈ），８．１４（ｄ，２Ｈ），８．２７（ｄ，２Ｈ），８．４９（ｄ，
２Ｈ），９．２０（ｄ，１Ｈ），９．２７（ｓ，１Ｈ）．
≪合成例３≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１２５）で表される本発明の一態様である有機化
合物、９－［３－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フ
ェニル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＰＣＣ
ｚＰＮｆｐｒ）の合成方法について説明する。なお、９ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒの構造を以
下に示す。
Figure 2022125052000062
＜ステップ１；９－（３－クロロフェニル）ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３
－ｂ］ピラジンの合成＞
実施例１のステップ２において合成法を示した、９－クロロナフト［１’，２’：４，５
］フロ［２，３－ｂ］ピラジン２．１２ｇ、３－クロロフェニルボロン酸１．４１ｇ、２
Ｍ炭酸カリウム水溶液１４ｍＬ、トルエン８３ｍＬ、エタノール８．３ｍＬを三口フラス
コに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、酢酸
パラジウム（ＩＩ）（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）０．１９ｇ、トリス（２，６－ジメトキ
シフェニル）ホスフィン（略称：Ｐ（２，６－ＭｅＯＰｈ）３）１．１２ｇを加え、９０
℃で７時間半撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、得られた混合物を吸引ろ過し、エタノールで洗浄した。その後、トルエ
ンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的のピラジン
誘導体を得た（黄白色粉末、収量１．９７ｇ、収率７３％）。ステップ１の合成スキーム
を下記式（ｃ－１）に示す。
Figure 2022125052000063
＜ステップ２；９ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒの合成＞
次に、上記ステップ１で得た、９－（３－クロロフェニル）ナフト［１’，２’：４，５
］フロ［２，３－ｂ］ピラジン１．４５ｇ、９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カル
バゾール１．８２ｇ、メシチレン２２ｍＬを三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。
フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、ナトリウム ｔｅｒｔ－ブトキシド０
．８５ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（略称：Ｐｄ２（ｄｂ
ａ）３）０．０２５ｇ、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフ
ェニル（略称：Ｓ－Ｐｈｏｓ）０．０３６ｇを加え、１５０℃で７時間撹拌し、反応させ
た。
所定時間経過後、得られた懸濁液を吸引ろ過し、水、エタノールで洗浄した。得られた固
体をトルエンに溶かし、セライト、アルミナ、セライトの順で積層した濾過補助剤を通し
て濾過した後、トルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶することにより、目的物を得た（
黄色固体、収量２．２２ｇ、収率７１％）。
得られた黄色固体２．１６ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華
精製条件は、圧力２．６Ｐａ、アルゴンガスを流量１８ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３８
５℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色固体を収量１．６７ｇ、収率７７％で
得た。ステップ２の合成スキームを下記式（ｃ－２）に示す。
Figure 2022125052000064
なお、上記ステップ２で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分
析結果を下記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図３７に示す。このことから、本実
施例において、上述の構造式（１２５）で表される有機化合物、９ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒ
が得られたことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤ２Ｃｌ２）：７．３１－７．３９（ｍ，２Ｈ），７．４３－７．
５９（ｍ，６Ｈ），７．６４－７．６９（ｍ，６Ｈ），７．７８－７．８８（ｍ，６Ｈ）
，８．０９（ｄ，１Ｈ），８．１５（ｄ，１Ｈ），８．２６（ｄ，１Ｈ），８．３０（ｄ
，１Ｈ），８．３４（ｄ，１Ｈ），８．５１－８．５５（ｍ，３Ｈ），９．１５（ｄ，１
Ｈ），９．３５（ｓ，１Ｈ）．
≪合成例４≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１２６）で表される本発明の一態様である有機化
合物、９－［３－（９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フ
ェニル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＰＣＣ
ｚＰＮｆｐｒ－０２）の合成方法について説明する。なお、９ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒ－０
２の構造を以下に示す。
Figure 2022125052000065
実施例１のステップ２において合成法を示した、９－クロロナフト［１’，２’：４，５
］フロ［２，３－ｂ］ピラジン１．１９ｇ、３－（９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ
－カルバゾール－９－イル）フェニルボロン酸ピナコールエステル３．５１ｇ、２Ｍ炭酸
カリウム水溶液６．０ｍＬ、トルエン６０ｍＬ、エタノール６ｍＬを三口フラスコに入れ
、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、ビス（トリフ
ェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（略称：Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２）
０．３３ｇを加え、９０℃で１６時間撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、得られた懸濁液を吸引ろ過し、水、エタノールで洗浄した。得られた固
体をトルエンに溶かし、セライト、アルミナ、セライトの順で積層した濾過補助剤を通し
て濾過した後、トルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶することにより、目的物を得た（
黄色固体、収量３．０１ｇ、収率９０％）。
得られた黄色固体３．００ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華
精製条件は、圧力２．７Ｐａ、アルゴンガスを流量１６ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３８
０℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色固体を収量２．４７ｇ、収率８２％で
得た。合成スキームを下記式（ｄ－１）に示す。
Figure 2022125052000066
なお、上記で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を下
記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図３８に示す。このことから、本実施例におい
て、上述の構造式（１２６）で表される有機化合物、９ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒ－０２が得
られたことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤ２Ｃｌ２）：７．２２－７．２５（ｍ，１Ｈ），７．３４－７．
４２（ｍ，３Ｈ），７．４６－７．４９（ｍ，３Ｈ），７．５５－７．６６（ｍ，６Ｈ）
，７．７２－７．８８（ｍ，７Ｈ），８．０７（ｄ，１Ｈ），８．１３（ｄ，１Ｈ），８
．１９－８．２２（ｍ，２Ｈ），８．２８（ｄ，１Ｈ），８．３３（ｄ，１Ｈ），８．４
６（ｓ，１Ｈ），８．５４（ｓ，１Ｈ），９．１４（ｄ，１Ｈ），９．３４（ｓ，１Ｈ）
．
≪合成例５≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１３３）で表される本発明の一態様である有機化
合物、１０－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］ナフト
［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１０ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ
）の合成方法について説明する。なお、１０ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒの構造を以下に示す。
Figure 2022125052000067
＜ステップ１；５－クロロ－３－（２－メトキシナフタレン－１－イル）ピラジン－２－
アミンの合成＞
まず、３－ブロモ－５－クロロピラジン－２－アミン５．０１ｇと２－メトキシナフタレ
ン－１－ボロン酸６．０４ｇ、フッ化カリウム５．３２ｇ、脱水テトラヒドロフラン８６
ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下
で撹拌することで脱気した後、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（
略称：Ｐｄ２（ｄｂａ）３）０．４４ｇ、トリ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィン（略称：Ｐ
（ｔＢｕ）３）３．４ｍＬを加え、８０℃で２２時間撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、得られた混合物を吸引ろ過し、ろ液を濃縮した。その後、トルエン：酢
酸エチル＝１０：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し
、目的のピラジン誘導体を得た（黄白色粉末、収量５．６９ｇ、収率８３％）。ステップ
１の合成スキームを下記式（ｅ－１）に示す。
Figure 2022125052000068
＜ステップ２；１０－クロロナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン
の合成＞
次に、上記ステップ１で得た、５－クロロ－３－（２－メトキシナフタレン－１－イル）
ピラジン－２－アミン５．６９ｇと脱水テトラヒドロフラン１５０ｍＬ、氷酢酸１５０ｍ
Ｌを三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコを－１０℃に冷却した後、亜硝
酸ｔｅｒｔ－ブチル７．１ｍＬを滴下し、－１０℃で１時間、０℃で３時間半攪拌した。
所定時間経過後、得られた懸濁液に水１Ｌを加え、吸引ろ過することにより、目的のピラ
ジン誘導体を得た（黄白色粉末、収量４．０６ｇ、収率８１％）。ステップ２の合成スキ
ームを下記式（ｅ－２）に示す。
Figure 2022125052000069
＜ステップ３；１０ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒの合成＞
さらに、上記ステップ２で得た、１０－クロロナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，
３－ｂ］ピラジン１．１８ｇ、３’－（４－ジベンゾチオフェン）－１，１’－ビフェニ
ル－３－ボロン酸２．７５ｇ、２Ｍ炭酸カリウム水溶液７．５ｍＬ、トルエン６０ｍＬ、
エタノール６ｍＬを三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹
拌することで脱気した後、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリ
ド（略称：Ｐｄ（ＰＰｈ３）２Ｃｌ２）０．６６ｇを加え、９０℃で２２時間半撹拌し、
反応させた。
所定時間経過後、得られた懸濁液を吸引ろ過し、水、エタノールで洗浄した。得られた固
体をトルエンに溶かし、セライト、アルミナ、セライトの順で積層した濾過補助剤を通し
て濾過した後、トルエンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶することにより、目的物を得た
（白色固体、収量２．２７ｇ、収率８７％）。
得られた白色固体２．２４ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華
精製条件は、圧力２．３Ｐａ、アルゴンガスを流量１６ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３１
０℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の白色固体を収量１．６９ｇ、収率７５％で
得た。ステップ３の合成スキームを下記式（ｅ－３）に示す。
Figure 2022125052000070
なお、上記ステップ３で得られた白色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分
析結果を下記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図３９に示す。このことから、本実
施例において、上述の構造式（１３３）で表される有機化合物、１０ｍＤＢｔＢＰＮｆｐ
ｒが得られたことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：７．４３（ｔ，１Ｈ），７．４８（ｔ，１Ｈ），７．
５９－７．６２（ｍ，３Ｈ），７．６８－７．８６（ｍ，８Ｈ），８．０５（ｄ，１Ｈ）
，８．１２（ｄ，１Ｈ），８．１８（ｓ，１Ｈ），８．２０－８．２４（ｍ，３Ｈ），８
．５５（ｓ，１Ｈ），８．９２（ｓ，１Ｈ），９．３１（ｄ，１Ｈ）．
≪合成例６≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１５６）で表される本発明の一態様である有機化
合物、１０－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）ナフト
［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１０ＰＣＣｚＮｆｐｒ）の
合成方法について説明する。なお、１０ＰＣＣｚＮｆｐｒの構造を以下に示す。
Figure 2022125052000071
実施例９のステップ２において合成法を示した、１０－クロロナフト［１’，２’：４，
５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン１．８０ｇ、９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カ
ルバゾール３．１０ｇ、メシチレン７１ｍＬを三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した
。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、ナトリウム ｔｅｒｔ－ブトキシド
２．２１ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（略称：Ｐｄ２（ｄ
ｂａ）３）０．０４１ｇ、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビ
フェニル（略称：Ｓ－Ｐｈｏｓ）０．０６１ｇを加え、１２０℃で２時間撹拌し、反応さ
せた。
所定時間経過後、得られた懸濁液を吸引ろ過し、水、エタノールで洗浄した。得られた固
体をトルエンに溶かし、セライト、アルミナ、セライトの順で積層した濾過補助剤を通し
て濾過した後、トルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶することにより、目的物を得た（
橙色固体、収量３．４７ｇ、収率７８％）。
得られた橙色固体３．４２ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華
精製条件は、圧力２．４Ｐａ、アルゴンガスを流量１６ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３５
０℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の橙色固体を収量２．８６ｇ、収率８４％で
得た。ステップ３の合成スキームを下記（ｆ－１）に示す。
Figure 2022125052000072
なお、上記の合成方法で得られた橙色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分
析結果を下記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図４０に示す。このことから、本実
施例において、上述の構造式（１５６）で表される有機化合物、１０ＰＣＣｚＮｆｐｒが
得られたことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：７．３２－７．３５（ｍ，１Ｈ），７．４３－７．５
７（ｍ，６Ｈ），７．６３－７．６８（ｍ，５Ｈ），７．７９－７．８４（ｍ，２Ｈ），
７．８９－７．９１（ｍ，２Ｈ），８．０１（ｄ，１Ｈ），８．０７－８．０９（ｍ，２
Ｈ），８．１８（ｄ，１Ｈ），８．２７（ｄ，１Ｈ），８．３０（ｄ，１Ｈ），８．５１
（ｓ，２Ｈ），８．８５（ｓ，１Ｈ），９．１６（ｄ，１Ｈ）．
≪合成例７≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２０８）で表される本発明の一態様である有機化
合物、１２－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］フェナ
ントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１２ｍＤＢｔＢＰ
Ｐｎｆｐｒ）の合成方法について説明する。なお、１２ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒの構造を
以下に示す。
Figure 2022125052000073
＜ステップ１；９－メトキシフェナントレンの合成＞
まず、９－ブロモ－フェナントレン４．０２ｇ、炭酸セシウム７．８０ｇ、トルエン１６
ｍＬ、メタノール１６ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した
。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、酢酸パラジウム（ＩＩ）（略称：Ｐ
ｄ（ＯＡｃ）２）０．１１ｇ、２－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルホスフィノ－２’，４’，６’
－トリイソプロピルビフェニル（略称：ｔＢｕＸＰｈｏｓ）０．４１ｇを加え、８０℃で
１７時間撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、得られた混合物を吸引ろ過し、ろ液を濃縮した。その後、トルエン：ヘ
キサン＝１：３を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目
的物を得た（白色粉末、収量２．４１ｇ、収率７４％）。ステップ１の合成スキームを下
記式（ｇ－１）に示す。
Figure 2022125052000074
＜ステップ２；９－ブロモ－１０－メトキシフェナントレンの合成＞
次に、上記ステップ１で得た、９－メトキシフェナントレン２．７５ｇとジイソプロピル
アミン０．１８ｍＬ、脱水ジクロロメタン１５０ｍＬ、Ｎ－ブロモスクシンイミド（略所
：ＮＢＳ）２．５２ｇを三角フラスコに入れ、室温で１８時間攪拌した。所定時間経過後
、水とチオ硫酸ナトリウム水溶液にて洗浄し、濃縮した。その後、ヘキサン：酢酸エチル
＝５：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的物を
得た（黄白色粉末、収量２．４６ｇ、収率６５％）。ステップ２の合成スキームを下記式
（ｇ－２）に示す。
Figure 2022125052000075
＜ステップ３；１０－メトキシフェナントレン－９－ボロン酸の合成＞
次に、上記ステップ２で得た、９－ブロモ－１０－メトキシフェナントレン８．４９ｇと
脱水ＴＨＦ２５０ｍＬを三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコを－７８℃
に冷却した後、ｎ－ブチルリチウム（１．６Ｍヘキサン溶液）２２ｍＬを加え、－７８℃
で３時間撹拌した。その後、テトラメチルエチレンジアミン５．７ｍＬ、ホウ酸トリメチ
ル４．３ｍＬを加え、室温で１８時間撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、１Ｍ塩酸５０ｍＬを加え、室温で１時間撹拌した。その後、トルエンで
抽出を行うことにより、目的物を得た（薄橙色粉末、収量２．８７ｇ、収率３９％）。ス
テップ３の合成スキームを下記式（ｇ－３）に示す。
Figure 2022125052000076
＜ステップ４；５－クロロ－３－（１０－メトキシフェナントレン－９－イル）ピラジン
－２－アミンの合成＞
次に、上記ステップ３で得た、１０－メトキシフェナントレン－９－ボロン酸３．６９ｇ
、３－ブロモ－５－クロロピラジン－２－アミン３．０２ｇとトルエン７０ｍＬ、２Ｍ炭
酸ナトリウム水溶液３５ｍＬを、還流管を付けた三口フラスコに入れ、内部を窒素置換し
た。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、テトラキス（トリフェニルホスフ
ィン）パラジウム（０）（略称：Ｐｄ（ＰＰｈ３）４）０．１６ｇを加え、１１０℃で７
時間半撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、トルエンによる抽出を行った。その後、ジクロロメタン：酢酸エチル＝
５０：１を展開溶媒とするフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的のピ
ラジン誘導体を得た（黄白色粉末、収量３．００ｇ、収率６２％）。ステップ４の合成ス
キームを下記式（ｇ－４）に示す。
Figure 2022125052000077
＜ステップ５；１２－クロロフェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］
ピラジンの合成＞
次に、上記ステップ４で得た、５－クロロ－３－（１０－メトキシフェナントレン－９－
イル）ピラジン－２－アミン２．９２ｇと脱水テトラヒドロフラン６０ｍＬ、氷酢酸６０
ｍＬを三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコを－１０℃に冷却した後、亜
硝酸ｔｅｒｔ－ブチル３．１ｍＬを滴下し、－１０℃で１時間、０℃で２２時間攪拌した
。
所定時間経過後、得られた懸濁液に水２００ｍＬを加え、吸引ろ過することにより、目的
のピラジン誘導体を得た（黄白色粉末、収量２．０６ｇ、収率８０％）。ステップ５の合
成スキームを下記（ｇ－５）に示す。
Figure 2022125052000078
＜ステップ６；１２－（３－クロロフェニル）フェナントロ［９’，１０’：４，５］フ
ロ［２，３－ｂ］ピラジンの合成＞
次に、上記ステップ５で得た、１２－クロロフェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ
［２，３－ｂ］ピラジン１．０２ｇ、３－クロロフェニルボロン酸０．５６ｇ、２Ｍ炭酸
カリウム水溶液５ｍＬ、トルエン３３ｍＬ、エタノール３．３ｍＬを三口フラスコに入れ
、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、酢酸パラジウ
ム（ＩＩ）（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）０．０７４ｇ、トリス（２，６－ジメトキシフェ
ニル）ホスフィン（略称：Ｐ（２，６－ＭｅＯＰｈ）３）０．４４ｇを加え、９０℃で５
時間半撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、得られた混合物を吸引ろ過し、ろ液を濃縮した。その後、トルエンを展
開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的のピラジン誘導体
を得た（白色粉末、収量０．８７ｇ、収率７０％）。ステップ６の合成スキームを下記式
（ｇ－６）に示す。
Figure 2022125052000079
＜ステップ７；１２ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒの合成＞
次に、上記ステップ６で得た、１２－（３－クロロフェニル）フェナントロ［９’，１０
’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン０．８５ｇ、３－（４－ジベンゾチオフェン）
フェニルボロン酸０．７３ｇ、リン酸三カリウム１．４１ｇ、ｔｅｒｔ－ブチルアルコー
ル０．４９ｇ、ジエチレングリコールジメチルエーテル（略称：ｄｉｇｌｙｍｅ）１８ｍ
Ｌを三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱
気した後、酢酸パラジウム（ＩＩ）（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）９．８ｍｇ、ジ（１－ア
ダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン（略称：ＣａｔａＣＸｉｕｍ Ａ）３２ｍｇを加え
、１４０℃で１１時間半撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、得られた懸濁液を吸引ろ過し、水、エタノールで洗浄した。得られた固
体をトルエンに溶かし、セライト、アルミナ、セライトの順で積層した濾過補助剤を通し
て濾過した後、トルエンで再結晶することにより、目的物を得た（白色固体、収量０．７
４ｇ、収率５５％）。
得られた白色固体０．７３ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華
精製条件は、圧力２．６Ｐａ、アルゴンガスを流量１１ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３３
０℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の白色固体を収量０．４９ｇ、収率６７％で
得た。ステップ７の合成スキームを下記式（ｇ－７）に示す。
Figure 2022125052000080
なお、上記ステップ７で得られた白色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分
析結果を下記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図４１に示す。このことから、本実
施例において、上述の構造式（２０８）で表される有機化合物、１２ｍＤＢｔＢＰＰｎｆ
ｐｒが得られたことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤ２Ｃｌ２）：７．４５（ｔ，１Ｈ），７．５０（ｔ，１Ｈ），７
．６２－７．６６（ｍ，２Ｈ），７．７０－７．８９（ｍ，１０Ｈ），８．２１－８．２
８（ｍ，４Ｈ），８．５８－８．６１（ｍ，２Ｈ），８．８０（ｄ，１Ｈ），８．８４（
ｄ，１Ｈ），８．９４（ｓ，１Ｈ），９．３７（ｄ，１Ｈ）．
≪合成例８≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２３８）で表される本発明の一態様である有機化
合物、９－［４－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フ
ェニル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｐＰＣＣ
ｚＰＮｆｐｒ）の合成方法について説明する。なお、９ｐＰＣＣｚＰＮｆｐｒの構造を以
下に示す。
Figure 2022125052000081
＜ステップ１；９－（４－クロロフェニル）ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３
－ｂ］ピラジンの合成＞
実施例１のステップ２において合成法を示した、９－クロロナフト［１’，２’：４，５
］フロ［２，３－ｂ］ピラジン４．１０ｇ、４－クロロフェニルボロン酸２．８０ｇ、２
Ｍ炭酸カリウム水溶液２７ｍＬ、トルエン１６０ｍＬ、エタノール１６ｍＬを三口フラス
コに入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、酢酸
パラジウム（ＩＩ）（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）０．３６ｇ、トリス（２，６－ジメトキ
シフェニル）ホスフィン（略称：Ｐ（２，６－ＭｅＯＰｈ）３）２．０８ｇを加え、９０
℃で７時間撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、得られた混合物を吸引ろ過し、エタノールで洗浄した。その後、トルエ
ンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、目的のピラジン
誘導体を得た（黄白色粉末、収量２．８１ｇ、収率５２％）。ステップ１の合成スキーム
を下記式（ｈ－１）に示す。
Figure 2022125052000082
＜ステップ２；９ｐＰＣＣｚＰＮｆｐｒの合成＞
次に、上記ステップ１で得た、９－（４－クロロフェニル）ナフト［１’，２’：４，５
］フロ［２，３－ｂ］ピラジン１．３９ｇ、９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カル
バゾール１．７２ｇ、メシチレン２１ｍＬを三口フラスコに入れ、内部を窒素置換した。
フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、ナトリウム ｔｅｒｔ－ブトキシド０
．８１ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（略称：Ｐｄ２（ｄｂ
ａ）３）０．０２４ｇ、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６’－ジメトキシビフ
ェニル（略称：Ｓ－Ｐｈｏｓ）０．０３４ｇを加え、１５０℃で６時間撹拌し、反応させ
た。
所定時間経過後、反応溶液をトルエンで抽出した。抽出液を濃縮して得られた固体を、ト
ルエンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後、トルエ
ンにて３回再結晶することにより、目的物を得た（黄色固体、収量１．８４ｇ、収率６２
％）。
得られた黄色固体１．８１ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華
精製条件は、圧力２．７Ｐａ、アルゴンガスを流量１８ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３８
０℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色固体を収量１．３５ｇ、収率７５％で
得た。ステップ２の合成スキームを下記式（ｈ－２）に示す。
Figure 2022125052000083
なお、上記ステップ２で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分
析結果を下記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図４２に示す。このことから、本実
施例において、上述の構造式（２３８）で表される有機化合物、９ｐＰＣＣｚＰＮｆｐｒ
が得られたことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤ２Ｃｌ２）：７．３２－７．３９（ｍ，２Ｈ），７．４４－７．
５６（ｍ，５Ｈ），７．６１（ｄ，１Ｈ），７．６４－７．６９（ｍ，６Ｈ），７．８３
－７．９１（ｍ，６Ｈ），８．１１（ｄ，１Ｈ），８．１７（ｄ，１Ｈ），８．２８（ｄ
，２Ｈ），８．４９－８．５３（ｍ，４Ｈ），９．１８（ｄ，１Ｈ），９．４０（ｓ，１
Ｈ）．
≪合成例９≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２３９）で表される本発明の一態様である有機化
合物、９－［４－（９’－フェニル－２，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）フ
ェニル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｐＰＣＣ
ｚＰＮｆｐｒ－０２）の合成方法について説明する。なお、９ｐＰＣＣｚＰＮｆｐｒ－０
２の構造を以下に示す。
Figure 2022125052000084
実施例１２のステップ１において合成法を示した、９－（４－クロロフェニル）ナフト［
１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン１．７６ｇ、９’－フェニル－２，３
’－ビ－９Ｈ－カルバゾール２．２２ｇ、メシチレン２７ｍＬを三口フラスコに入れ、内
部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、ナトリウム ｔｅ
ｒｔ－ブトキシド１．０９ｇ、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）（
略称：Ｐｄ２（ｄｂａ）３）０．０３１ｇ、２－ジシクロヘキシルホスフィノ－２’，６
’－ジメトキシビフェニル（略称：Ｓ－Ｐｈｏｓ）０．０４５ｇを加え、１５０℃で６時
間撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、得られた懸濁液を吸引ろ過し、ろ物を水、エタノールで洗浄した。得ら
れた固体を、トルエンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製
した後、トルエンとヘキサンの混合溶媒で再結晶することにより、目的物を得た（黄色固
体、収量１．９５ｇ、収率５２％）。
得られた黄色固体１．９４ｇを、トレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華
精製条件は、圧力２．７Ｐａ、アルゴンガスを流量１８ｍＬ／ｍｉｎで流しながら、３８
０℃で固体を加熱した。昇華精製後、目的物の黄色固体を収量１．６２ｇ、収率８４％で
得た。合成スキームを下記式（ｉ－１）に示す。
Figure 2022125052000085
なお、上記で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を下
記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図４３に示す。このことから、本実施例におい
て、上述の構造式（２３９）で表される有機化合物、９ｐＰＣＣｚＰＮｆｐｒ－０２が得
られたことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤ２Ｃｌ２）：７．２８－７．３１（ｍ，１Ｈ），７．３６（ｔ，
１Ｈ），７．４０－７．４４（ｍ，２Ｈ），７．４６－７．５１（ｍ，３Ｈ），７．５７
－７．６９（ｍ，６Ｈ），７．７４（ｄ，１Ｈ），８．７８（ｄ，１Ｈ），７．８４（ｔ
，１Ｈ），７．８１－７．８８（ｍ，４Ｈ），８．１０（ｄ，１Ｈ），８．１６（ｄ，１
Ｈ），８．２２（ｄ，２Ｈ），８．２８（ｄ，１Ｈ），８．４６（ｓ，１Ｈ），８．５０
（ｄ，２Ｈ），９．１７（ｄ，１Ｈ），９．３８（ｓ，１Ｈ）．
≪合成例１０≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２４４）で表される本発明の一態様である有機化
合物、９－［３’－（６－フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル
）ビフェニル－３－イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（
略称：９ｍＢｎｆＢＰＮｆｐｒ）の合成方法について説明する。なお、９ｍＢｎｆＢＰＮ
ｆｐｒの構造を以下に示す。
Figure 2022125052000086
実施例７のステップ１において合成法を示した、９－（３－クロロフェニル）ナフト［１
’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン１．２８ｇ、３－（６－フェニルベンゾ
［ｂ］ナフト［１，２－ｄ］フラン－８－イル）フェニルボロン酸ピナコールエステル２
．２６ｇ、リン酸三カリウム２．５３ｇ、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール０．８９ｇ、ジエ
チレングリコールジメチルエーテル（略称：ｄｉｇｌｙｍｅ）３２ｍＬを三口フラスコに
入れ、内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、酢酸パラ
ジウム（ＩＩ）（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）８．８ｍｇ、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－
ブチルホスフィン（略称：ＣａｔａＣＸｉｕｍ Ａ）２８ｍｇを加え、１４０℃で８時間
半撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、得られた懸濁液を吸引ろ過し、水、エタノールで洗浄した。得られた固
体を、トルエンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後
、トルエンにて再結晶することにより、目的物を得た（黄色固体、収量０．６６ｇ、収率
２５％）。合成スキームを下記式（ｊ－１）に示す。
Figure 2022125052000087
なお、上記で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を下
記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図４４に示す。このことから、本実施例におい
て、上述の構造式（２４４）で表される有機化合物、９ｍＢｎｆＢＰＮｆｐｒが得られた
ことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤ２Ｃｌ２）：７．２４－７．２８（ｍ，３Ｈ），７．６１－７．
７２（ｍ，５Ｈ），７．７８－７．８７（ｍ，６Ｈ），７．９８－８．００（ｍ，３Ｈ）
，８．０８（ｄ，１Ｈ），８．１１－８．１５（ｍ，３Ｈ），８．２５（ｄ，１Ｈ），８
．４８（ｓ，１Ｈ），８．５１－８．５３（ｍ，２Ｈ），８．７５（ｄ，１Ｈ），９．１
５（ｄ，１Ｈ），９．３２（ｓ，１Ｈ）．
≪合成例１１≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２４５）で表される本発明の一態様である有機化
合物、９－［３’－（６－フェニルジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イ
ル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰ
Ｎｆｐｒ－０２）の合成方法について説明する。なお、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ－０２の
構造を以下に示す。
Figure 2022125052000088
実施例７のステップ１において合成法を示した、９－（３－クロロフェニル）ナフト［１
’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン１．１９ｇ、３－（６－フェニルジベン
ゾチオフェン－４－イル）フェニルボロン酸ピナコールエステル１．９７ｇ、リン酸三カ
リウム２．２９ｇ、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール０．８２ｇ、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（略称：ｄｉｇｌｙｍｅ）２９ｍＬを三口フラスコに入れ、内部を窒素置換
した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、酢酸パラジウム（ＩＩ）（略称
：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）１６ｍｇ、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホスフィン（略称
：ＣａｔａＣＸｉｕｍ Ａ）５２ｍｇを加え、１４０℃で１５時間撹拌し、反応させた。
所定時間経過後、得られた懸濁液を吸引ろ過し、水、エタノールで洗浄した。得られた固
体を、トルエンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後
、トルエンにて再結晶することにより、目的物を得た（黄白色固体、収量１．１７ｇ、収
率５２％）。合成スキームを下記式（ｋ－１）に示す。
Figure 2022125052000089
なお、上記で得られた黄白色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を
下記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図４５に示す。このことから、本実施例にお
いて、上述の構造式（２４５）で表される有機化合物、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ－０２が
得られたことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤ２Ｃｌ２）：７．３９（ｔ，１Ｈ），７．４７－７．５１（ｍ，
３Ｈ），７．５８－７．６７（ｍ，６Ｈ），７．７３（ｄ，２Ｈ），７．７８－７．８５
（ｍ，５Ｈ），８．０２（ｓ，１Ｈ），８．０６（ｄ，１Ｈ），８．１０（ｄ，１Ｈ），
８．１８（ｄ，１Ｈ），８．２３（ｔ，２Ｈ），８．４９（ｓ，１Ｈ），９．１７（ｄ，
１Ｈ），９．３０（ｓ，１Ｈ）．
≪合成例１２≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２４６）で表される本発明の一態様である有機化
合物、９－｛３－［６－（９，９－ジメチルフルオレン－２－イル）ジベンゾチオフェン
－４－イル］フェニル｝ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略
称：９ｍＦＤＢｔＰＮｆｐｒ）の合成方法について説明する。なお、９ｍＦＤＢｔＰＮｆ
ｐｒの構造を以下に示す。
Figure 2022125052000090
実施例７のステップ１において合成法を示した、９－（３－クロロフェニル）ナフト［１
’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン１．０１ｇ、３－［６－（９，９－ジメ
チルフルオレン－２－イル）ジベンゾチオフェン－４－イル］フェニルボロン酸１．４６
ｇ、リン酸三カリウム１．８９ｇ、ｔｅｒｔ－ブチルアルコール０．６７ｇ、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル（略称：ｄｉｇｌｙｍｅ）２４ｍＬを三口フラスコに入れ、
内部を窒素置換した。フラスコ内を減圧下で撹拌することで脱気した後、酢酸パラジウム
（ＩＩ）（略称：Ｐｄ（ＯＡｃ）２）２７ｍｇ、ジ（１－アダマンチル）－ｎ－ブチルホ
スフィン（略称：ＣａｔａＣＸｉｕｍ Ａ）８８ｍｇを加え、１４０℃で３０時間撹拌し
、反応させた。
所定時間経過後、得られた懸濁液を吸引ろ過し、水、エタノールで洗浄した。得られた固
体を、トルエンを展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した後
、トルエンとヘキサンの混合溶媒にて再結晶することにより、目的物を得た（黄白色固体
、収量０．７５ｇ、収率３７％）。合成スキームを下記（ｌ－１）に示す。
Figure 2022125052000091
なお、上記で得られた黄白色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ－ＮＭＲ）による分析結果を
下記に示す。また、１Ｈ－ＮＭＲチャートを図４６に示す。このことから、本実施例にお
いて、上述の構造式（２４６）で表される有機化合物、９ｍＦＤＢｔＰＮｆｐｒが得られ
たことがわかった。
１Ｈ－ＮＭＲ．δ（ＣＤ２Ｃｌ２）：１．４７（ｓ，６Ｈ），７．２７－７．３２（ｍ，
２Ｈ），７．３８（ｄ，１Ｈ），７．６１－７．７６（ｍ，８Ｈ），７．７９－７．８５
（ｍ，４Ｈ），７．８９（ｄ，１Ｈ），８．０８（ｄ，１Ｈ），８．１３（ｄ，１Ｈ），
８．２４－８．３１（ｍ，３Ｈ），８．５９（ｓ，１Ｈ），９．１４（ｄ，１Ｈ），９．
３１（ｓ，１Ｈ）．
≪合成例１３≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２４７）で表される本発明の一態様である有機化
合物、１１－（３－ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン－９－イ
ル－フェニル）－１２－フェニルインドロ［２，３－ａ］カルバゾール（略称：９ｍＩｃ
ｚ（ＩＩ）ＰＮｆｐｒ）の合成方法について説明する。なお、９ｍＩｃｚ（ＩＩ）ＰＮｆ
ｐｒの構造を以下に示す。
Figure 2022125052000092
また、９ｍＩｃｚ（ＩＩ）ＰＮｆｐｒの合成方法を下記式（ｍ－１）の合成スキームに示
す。
Figure 2022125052000093
≪合成例１４≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２４８）で表される本発明の一態様である有機化
合物、３－ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン－９－イル－Ｎ，
Ｎ－ジフェニルベンゼンアミン（略称：９ｍＴＰＡＮｆｐｒ）の合成方法について説明す
る。なお、９ｍＴＰＡＮｆｐｒの構造を以下に示す。
Figure 2022125052000094
また、９ｍＴＰＡＮｆｐｒの合成方法を下記式（ｎ－１）の合成スキームに示す。
Figure 2022125052000095
本実施例では、本発明の一態様である発光素子として、実施例９で説明した１０ｍＤＢｔ
ＢＰＮｆｐｒ（構造式（１３３））を発光層に用いた発光素子８を作製し、その特性につ
いて測定した結果を示す。
なお、本実施例で作製した発光素子８の素子構造は、実施例２で示した図１１と同様の構
造であるが、素子構造を構成する各層の具体的な構成については表１２に示す通りである
。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
Figure 2022125052000096
Figure 2022125052000097
≪発光素子８の動作特性≫
作製した発光素子８の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた
雰囲気）で行った。
発光素子８の電流密度－輝度特性を図４７、電圧－輝度特性を図４８、輝度－電流効率特
性を図４９、電圧－電流特性を図５０にそれぞれ示す。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子８の主な初期特性値を以下の表１３に示
す。
Figure 2022125052000098
また、発光素子８に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを
、図５１に示す。図５１に示す通り、発光素子の発光スペクトルは、６２６ｎｍ付近にピ
ークを有しており、発光層９１３に含まれる、［Ｉｒ（ｄｍｐｑｎ）２（ａｃａｃ）］の
発光に由来していることが示唆される。
次に、発光素子８に対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図５２に示す。図５
２において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は素子
の駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、７５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で一定の電
流を流した定電流駆動試験を行った。
信頼性試験の結果より、本発明の一態様である有機化合物、１０ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒを
用いた発光素子８は、高い信頼性を示すことが分かった。このことから、本発明の一態様
である有機化合物を用いることは発光素子の信頼性を向上させる上で有用であると言える
。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子として、実施例１１で説明した１２ｍＤＢ
ｔＢＰＰｎｆｐｒ（構造式（２０８））を発光層に用いた発光素子９を作製し、その特性
について測定した結果を示す。
なお、本実施例で作製した、発光素子９の素子構造は、実施例２で示した図１１と同様の
構造であるが、素子構造を構成する各層の具体的な構成については表１４に示す通りであ
る。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
Figure 2022125052000099
Figure 2022125052000100
≪発光素子９の動作特性≫
作製した発光素子９の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた
雰囲気）で行った。
発光素子９の電流密度－輝度特性を図５３、電圧－輝度特性を図５４、輝度－電流効率特
性を図５５、電圧－電流特性を図５６にそれぞれ示す。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子９の主な初期特性値を以下の表１５に示
す。
Figure 2022125052000101
また、発光素子９に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを
、図５７に示す。図５７に示す通り、発光素子の発光スペクトルは、６２６ｎｍ付近にピ
ークを有しており、発光層９１３に含まれる、［Ｉｒ（ｄｍｐｑｎ）２（ａｃａｃ）］の
発光に由来していることが示唆される。
次に、発光素子９に対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図５８に示す。図５
８において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は素子
の駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、７５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で一定の電
流を流した定電流駆動試験を行った。
信頼性試験の結果より、本発明の一態様である有機化合物、１２ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ
を用いた発光素子９は、高い信頼性を示すことが分かった。このことから、本発明の一態
様である有機化合物を用いることは発光素子の信頼性を向上させる上で有用であると言え
る。
本実施例では、本発明の一態様である発光素子として、実施例６で説明した９ＰＣＣｚＮ
ｆｐｒ（構造式（１２３））を発光層に用いた発光素子１０、実施例１０で説明した１０
ＰＣＣｚＮｆｐｒ（構造式（１５６））を発光層に用いた発光素子１１、実施例７で説明
した９ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒ（構造式（１２５））を発光層に用いた発光素子１２、実施
例８で説明した９ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒ－０２（構造式（１２６））を発光層に用いた発
光素子１３、実施例１２で説明した９ｐＰＣＣｚＰＮｆｐｒ（構造式（２３８））を発光
層に用いた発光素子１４、実施例１３で説明した９ｐＰＣＣｚＰＮｆｐｒ－０２（構造式
（２３９））を発光層に用いた発光素子１５をそれぞれ作製し、その特性について、測定
した結果を示す。
なお、本実施例で作製した、発光素子１０、発光素子１１、発光素子１２、発光素子１３
、発光素子１４、および発光素子１５の素子構造は、実施例３に示す発光素子３と同様の
構造であるが、素子構造を構成する各層の具体的な構成については表１６に示す通りであ
る。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
Figure 2022125052000102
Figure 2022125052000103
Figure 2022125052000104
≪発光素子の動作特性≫
作製した発光素子１０、発光素子１１、発光素子１２、発光素子１３、発光素子１４、お
よび発光素子１５の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰
囲気）で行った。
各発光素子の電流密度－輝度特性を図５９、電圧－輝度特性を図６０、輝度－電流効率特
性を図６１、電圧－電流特性を図６２にそれぞれ示す。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における各発光素子の主な初期特性値を以下の表１７に示
す。
Figure 2022125052000105
また、各発光素子に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを
、図６３に示す。図６３に示す通り、発光素子の発光スペクトルは、６２９ｎｍ付近にピ
ークを有しており、発光層９１３に含まれる、［Ｉｒ（ｄｍｐｑｎ）２（ａｃａｃ）］の
発光に由来していることが示唆される。
次に、上記の各発光素子に対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図６４に示す
。図６４において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸
は素子の駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、７５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で一
定の電流を流した定電流駆動試験を行った。
信頼性試験の結果より、本発明の一態様である有機化合物、９ＰＣＣｚＮｆｐｒ、１０Ｐ
ＣＣｚＮｆｐｒ、９ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒ、９ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒ－０２、９ｐＰＣＣ
ｚＰＮｆｐｒ、および９ｐＰＣＣｚＰＮｆｐｒ－０２をそれぞれの発光層に用いた各発光
素子は、高い信頼性を示すことが分かった。このことから、本発明の一態様である有機化
合物を用いることは発光素子の信頼性を向上させる上で有用であると言える。
≪合成例１５≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１５８）で表される本発明の一態様である有機化
合物、１０－［４－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）
フェニル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１０ｍＰ
ＣＣｚＰＮｆｐｒ）の合成方法について説明する。なお、１０ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒの構
造を以下に示す。
Figure 2022125052000106
また、１０ｍＰＣＣｚＰＮｆｐｒの合成方法を下記式（ｏ－１）～下記式（ｏ－４）の合
成スキームに示す。
Figure 2022125052000107
Figure 2022125052000108
Figure 2022125052000109
Figure 2022125052000110
≪合成例１６≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１７８）で表される本発明の一態様である有機化
合物、１１－［（３’－ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］フェナ
ントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１１ｍＤＢｔＢＰ
Ｐｎｆｐｒ）の合成方法について説明する。なお、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒの構造を
以下に示す。
Figure 2022125052000111
また、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒの合成方法を下記式（ｐ－１）～下記式（ｐ－７）の
合成スキームに示す。
Figure 2022125052000112
Figure 2022125052000113
Figure 2022125052000114
Figure 2022125052000115
Figure 2022125052000116
Figure 2022125052000117
Figure 2022125052000118
≪合成例１７≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２４０）で表される本発明の一態様である有機化
合物、１０－［３－（９’－フェニル－３，３’－ビ－９Ｈ－カルバゾール－９－イル）
フェニル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１０ｐＰ
ＣＣｚＰＮｆｐｒ）の合成方法について説明する。なお、１０ｐＰＣＣｚＰＮｆｐｒの構
造を以下に示す。
Figure 2022125052000119
また、１０ｐＰＣＣｚＰＮｆｐｒの合成方法を下記式（ｑ－１）～下記式（ｑ－４）の合
成スキームに示す。
Figure 2022125052000120
Figure 2022125052000121
Figure 2022125052000122
Figure 2022125052000123
≪合成例１８≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２４２）で表される本発明の一態様である有機化
合物、９－［３－（７Ｈ－ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール－７－イル）フェニル］ナフ
ト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：９ｍｃｇＤＢＣｚＰＮｆ
ｐｒ）の合成方法について説明する。なお、９ｍｃｇＤＢＣｚＰＮｆｐｒの構造を以下に
示す。
Figure 2022125052000124
また、９ｍｃｇＤＢＣｚＰＮｆｐｒの合成方法を下記式（ｒ－１）～下記式（ｒ－４）の
合成スキームに示す。
Figure 2022125052000125
Figure 2022125052000126
Figure 2022125052000127
Figure 2022125052000128
≪合成例１９≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２４９）で表される本発明の一態様である有機化
合物、９－｛３’－［６－（ビフェニル－３－イル）ジベンゾチオフェン－４－イル］ビ
フェニル－３－イル｝ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称
：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ－０３）の合成方法について説明する。なお、９ｍＤＢｔＢＰ
Ｎｆｐｒ－０３の構造を以下に示す。
Figure 2022125052000129
また、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ－０３の合成方法を下記式（ｓ－１）～下記式（ｓ－４）
の合成スキームに示す。
Figure 2022125052000130
Figure 2022125052000131
Figure 2022125052000132
Figure 2022125052000133
≪合成例２０≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２５０）で表される本発明の一態様である有機化
合物、９－｛３’－［６－（ビフェニル－４－イル）ジベンゾチオフェン－４－イル］ビ
フェニル－３－イル｝ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称
：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ－０４）の合成方法について説明する。なお、９ｍＤＢｔＢＰ
Ｎｆｐｒ－０４の構造を以下に示す。
Figure 2022125052000134
また、９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ－０４の合成方法を下記式（ｔ－１）～下記式（ｔ－４）
の合成スキームに示す。
Figure 2022125052000135
Figure 2022125052000136
Figure 2022125052000137
Figure 2022125052000138
≪合成例２１≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（２５１）で表される本発明の一態様である有機化
合物、１１－［３’－（６－フェニルジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－
イル］フェナントロ［９’，１０’：４，５］フロ［２，３－ｂ］ピラジン（略称：１１
ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ－０２）の合成方法について説明する。なお、１１ｍＤＢｔＢＰ
Ｐｎｆｐｒ－０２の構造を以下に示す。
Figure 2022125052000139
また、１１ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ－０２の合成方法を下記式（ｕ－１）～下記式（ｕ－
７）の合成スキームに示す。
Figure 2022125052000140
Figure 2022125052000141
Figure 2022125052000142
Figure 2022125052000143
Figure 2022125052000144
Figure 2022125052000145
Figure 2022125052000146
本実施例では、本発明の一態様である発光素子として、実施例１１で説明した１２ｍＤＢ
ｔＢＰＰｎｆｐｒ（構造式（２０８））を発光層に用いた発光素子１６を作製し、比較発
光素子として、２－［３’－（ジベンゾチオフェン－４－イル）ビフェニル－３－イル］
ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩ）を発光層に用い
た比較発光素子１７を作製し、これらの特性について測定した結果を示す。
なお、本実施例で作製した、発光素子１６および比較発光素子１７の素子構造は、実施例
２で示した図１１と同様の構造であるが、素子構造を構成する各層の具体的な構成につい
ては表１８に示す通りである。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
Figure 2022125052000147
Figure 2022125052000148
≪発光素子の動作特性≫
作製した発光素子１６および比較発光素子１７の動作特性について測定した。なお、測定
は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
発光素子１６および比較発光素子１７の電流密度－輝度特性を図６５、電圧－輝度特性を
図６６、輝度－電流効率特性を図６７、電圧－電流特性を図６８にそれぞれ示す。
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子１６および比較発光素子１７の主な初期
特性値を以下の表１９に示す。
Figure 2022125052000149
また、各発光素子に２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを
、図６９に示す。図６９に示す通り、各発光素子の発光スペクトルは、５８６ｎｍ付近に
ピークを有しており、発光層９１３に含まれる、［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］の
発光に由来していることが示唆される。
次に、各発光素子に対する信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図７０に示す。図７
０において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は素子
の駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、７５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で一定の電
流を流した定電流駆動試験を行った。
信頼性試験の結果より、本発明の一態様である有機化合物、１２ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒ
を用いた発光素子１６は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ－ＩＩを用いた比較発光素子１７に比べ
て高い信頼性を示すことが分かった。これは、１２ｍＤＢｔＢＰＰｎｆｐｒと２ｍＤＢＴ
ＢＰＤＢｑ－ＩＩの分子構造上の違い、すなわち、フェナントロフロピラジン骨格とジベ
ンゾキノキサリン骨格との違いに起因すると考えられるため、本発明の一態様であるフロ
ピラジン誘導体の堅牢性を示すものと言える。以上のことから、本発明の一態様である有
機化合物を用いることは発光素子の信頼性を向上させる上で有用であると言える。
１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３ ＥＬ層
１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ ＥＬ層
１０４ 電荷発生層
１１１、１１１ａ、１１１ｂ 正孔注入層
１１２、１１２ａ、１１２ｂ 正孔輸送層
１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃ 発光層
１１４、１１４ａ、１１４ｂ 電子輸送層
１１５、１１５ａ、１１５ｂ 電子注入層
２００Ｒ、２００Ｇ、２００Ｂ 光学距離
２０１ 第１の基板
２０２ トランジスタ（ＦＥＴ）
２０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂ、２０３Ｗ 発光素子
２０４ ＥＬ層
２０５ 第２の基板
２０６Ｒ、２０６Ｇ、２０６Ｂ カラーフィルタ
２０６Ｒ’、２０６Ｇ’、２０６Ｂ’ カラーフィルタ
２０７ 第１の電極
２０８ 第２の電極
２０９ 黒色層（ブラックマトリックス）
２１０Ｒ、２１０Ｇ 導電層
３０１ 第１の基板
３０２ 画素部
３０３ 駆動回路部（ソース線駆動回路）
３０４ａ、３０４ｂ 駆動回路部（ゲート線駆動回路）
３０５ シール材
３０６ 第２の基板
３０７ 引き回し配線
３０８ ＦＰＣ
３０９ ＦＥＴ
３１０ ＦＥＴ
３１１ ＦＥＴ
３１２ ＦＥＴ
３１３ 第１の電極
３１４ 絶縁物
３１５ ＥＬ層
３１６ 第２の電極
３１７ 発光素子
３１８ 空間
９００ 基板
９０１ 第１の電極
９０２ ＥＬ層
９０３ 第２の電極
９１１ 正孔注入層
９１２ 正孔輸送層
９１３ 発光層
９１４ 電子輸送層
９１５ 電子注入層
４０００ 照明装置
４００１ 基板
４００２ 発光素子
４００３ 基板
４００４ 第１の電極
４００５ ＥＬ層
４００６ 第２の電極
４００７ 電極
４００８ 電極
４００９ 補助配線
４０１０ 絶縁層
４０１１ 封止基板
４０１２ シール材
４０１３ 乾燥剤
４０１５ 拡散板
４１００ 照明装置
４２００ 照明装置
４２０１ 基板
４２０２ 発光素子
４２０４ 第１の電極
４２０５ ＥＬ層
４２０６ 第２の電極
４２０７ 電極
４２０８ 電極
４２０９ 補助配線
４２１０ 絶縁層
４２１１ 封止基板
４２１２ シール材
４２１３ バリア膜
４２１４ 平坦化膜
４２１５ 拡散板
４３００ 照明装置
５１０１ ライト
５１０２ ホイール
５１０３ ドア
５１０４ 表示部
５１０５ ハンドル
５１０６ シフトレバー
５１０７ 座席シート
５１０８ インナーリアビューミラー
７０００ 筐体
７００１ 表示部
７００２ 第２表示部
７００３ スピーカ
７００４ ＬＥＤランプ
７００５ 操作キー
７００６ 接続端子
７００７ センサ
７００８ マイクロフォン
７００９ スイッチ
７０１０ 赤外線ポート
７０１１ 記録媒体読込部
７０１２ 支持部
７０１３ イヤホン
７０１４ アンテナ
７０１５ シャッターボタン
７０１６ 受像部
７０１８ スタンド
７０１９ マイクロフォン
７０２０ カメラ
７０２１ 外部接続部
７０２２、７０２３ 操作用ボタン
７０２４ 接続端子
７０２５ バンド
７０２６ 留め金
７０２７ 時刻を表すアイコン
７０２８ その他のアイコン
８００１ 照明装置
８００２ 照明装置
８００３ 照明装置
８００４ 照明装置
９３１０ 携帯情報端末
９３１１ 表示部
９３１２ 表示領域
９３１３ ヒンジ
９３１５ 筐体

Claims (2)

  1. 一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を有する発光素子。
    Figure 2022125052000150
    （式中、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ａｒ１は、置換もしくは無置換の縮合芳香環を示す。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素または総炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、縮合環を含む基である。）
  2. 一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を有する発光素子。
    Figure 2022125052000151
    （式中、Ｑは酸素または硫黄を表す。また、Ａｒ１は、置換もしくは無置換の縮合芳香環を示す。また、Ｒ１およびＲ２は、それぞれ独立に、水素または総炭素数１乃至１００の基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一は、正孔輸送性の骨格を有する。）
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