JP2022124822A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
第1実施形態について説明する。図1に示す本実施形態の製造装置1は、半導体装置の製造装置であって、図示しないエッチング用の製造装置でトレンチが形成されたウェハ状の半導体基板に、該トレンチを埋め込む埋め込み膜を形成するためのものである。製造装置1は、ロードロック室2と、搬送室3と、サセプタ室4と、反応炉5と、制御部6とを備えている。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して第1、第2検知部の構成を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してウェハ100の傾きを検知する構成を追加したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第4実施形態について説明する。本実施形態は、第3実施形態に対してサセプタ41の傾きを検知する構成を追加したものであり、その他については第3実施形態と同様であるため、第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
55 温度検知部
56 温度検知部
57 撮像部
100 ウェハ
101 トレンチ
102 第1領域
103 第2領域
104 埋め込み層
Claims (9)
- 基板(100)に形成されたトレンチ(101)を埋め込む埋め込み層(104)を形成するための半導体装置の製造装置であって、
前記トレンチを埋め込んで前記埋め込み層を成膜する成膜装置(53)と、
前記基板のうち前記トレンチが形成された第1領域(102)の状態を検知する第1検知部(55、57)と、
前記基板のうち前記第1領域の外側に形成された第2領域(103)の状態を検知する第2検知部(56、57)と、を備え、
前記成膜装置は、前記第1検知部による検知結果と前記第2検知部による検知結果との差が閾値以下となったとき、前記埋め込み層の成膜を終了する半導体装置の製造装置。 - 前記第1検知部は、前記第1領域の温度を検知し、
前記第2検知部は、前記第2領域の温度を検知し、
前記成膜装置は、前記第1検知部によって検知された前記第1領域の温度と、前記第2検知部によって検知された前記第2領域の温度との差が閾値以下となったとき、前記埋め込み層の成膜を終了する請求項1に記載の半導体装置の製造装置。 - 前記第2領域は、前記基板の中心部を含む請求項2に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記第1検知部は、前記第1領域を撮像する撮像素子で構成されており、
前記第2検知部は、前記第2領域を撮像する撮像素子で構成されている請求項1に記載の半導体装置の製造装置。 - 前記成膜装置は、前記第1検知部によって撮像された前記第1領域の画像の階調と、前記第2検知部によって撮像された前記第2領域の画像の階調との差が閾値以下となったとき、前記埋め込み層の成膜を終了する請求項4に記載の半導体装置の製造装置。
- 前記基板を保持するサセプタ(41)に対する前記基板の傾きを検知する第3検知部(42)を備え、
前記成膜装置は、前記第3検知部によって検知された前記基板の傾きが所定範囲内である場合に、前記埋め込み層を成膜する請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体装置の製造装置。 - 前記基板を保持するサセプタ(41)がテーブル(51)に載置されたときの、前記テーブルに対する該サセプタの傾きを検知する第4検知部(59)を備え、
前記成膜装置は、前記第4検知部によって検知された該サセプタの傾きが所定範囲内である場合に、前記埋め込み層を成膜する請求項1ないし6のいずれか1つに記載の半導体装置の製造装置。 - 前記第4検知部は、前記テーブルに載置されて前記テーブルと共に回転する該サセプタを撮像し、
前記成膜装置は、該撮像された画像から測定された該サセプタの上面の幅が閾値以下である場合に、前記埋め込み層を成膜する請求項7に記載の半導体装置の製造装置。 - 該サセプタの温度を調節する温度調節部(52)を備え、
前記第4検知部は、該サセプタの温度が前記温度調節部によって800℃以上とされた状態で、該サセプタの回転周期の1/4以下の周期で該サセプタを撮像し、
前記成膜装置は、該撮像された画像を所定の階調で2値化した画像において、該サセプタの上面の幅が閾値以下である場合に、前記埋め込み層を成膜する請求項8に記載の半導体装置の製造装置。
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