KR20190041126A - 웨이퍼 위치 보정 기능을 갖는 웨이퍼 처리 시스템 및 그것의 티칭 방법 - Google Patents

웨이퍼 위치 보정 기능을 갖는 웨이퍼 처리 시스템 및 그것의 티칭 방법 Download PDF

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Abstract

웨이퍼 위치 보정 기능을 갖는 웨이퍼 처리 시스템 및 그것의 티칭 방법에 관한 기술이다. 본 실시예의 웨이퍼 처리 시스템은 웨이퍼 안착 플레이트를 포함하는 반응 챔버; 상기 반응 챔버내의 상기 웨이퍼 안착 플레이트로 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼 이송 장치, 상기 웨이퍼 안착 플레이트에 안착된 상기 웨이퍼의 위치를 검출하기 위해, 상기 웨이퍼 안착 플레이트를 촬상하기 위한 적어도 3개의 비전 카메라, 상기 비전 카메라 및 상기 반응 챔버 상부와 결합되는 지그 조립체, 및 상기 지그 조립체에 구비되며 상기 비전 카메라와 대응되는 개수로 형성되는 뷰 포트를 포함하는 웨이퍼 위치 측정 장치; 및 상기 복수의 비전 카메라에 의해 촬상된 상기 웨이퍼의 위치 정보를 통해, 상기 웨이퍼의 위치 변동 정보를 산출하고, 상기 웨이퍼 위치 변동 정보를 통해 상기 웨이퍼 이송 장치를 티칭하도록 제어하는 제어 장치를 포함한다.

Description

웨이퍼 위치 보정 기능을 갖는 웨이퍼 처리 시스템 및 그것의 티칭 방법{Wafer Processing Apparatus Including Function For Correcting Position of Wafer And Method of teaching The Same}
본 발명은 반도체 제조 장치 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 웨이퍼의 위치 보정 기능을 갖는 웨이퍼 처리 시스템 및 그것의 티칭 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 디바이스는 웨이퍼 표면 상부에 여러 가지 기능을 수행하는 박막을 증착하고, 이를 패터닝하여 다양한 회로 구조를 형성함으로써 제조된다. 이러한 반도체 디바이스를 제조하기 위한 단위 공정은, 크게 반도체 내부로 불순물 이온을 주입하는 불순물 이온 주입 공정, 반도체 기판상에 물질막을 형성하는 박막 증착 공정, 물질막을 소정의 패턴으로 패터닝하는 식각 공정, 및 웨이퍼 상부에 층간 절연막 등을 증착한 후에 일괄적으로 웨이퍼 표면을 연마하여 단차를 제거하는 평탄화 공정 등을 포함할 수 있다.
상기와 같은 다양한 공정 진행을 위해, 다양한 공정 조건을 갖는 반도체 챔버가 요구된다.
반응 챔버는 반응 공간을 한정하는 챔버 월(wall)과, 반응 공간 내에 위치하며 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 지지대 및, 웨이퍼 지지대 내부에 구비되는 히터를 포함할 수 있다. 또한, 일반적으로 반응 챔버 상부는 상부 리드(lid)에 의해 커버링되어, 챔버 내부의 반응 공간의 기밀을 유지할 수 있다.
한편, 웨이퍼는 공정 에러를 줄일 수 있도록 웨이퍼 지지대의 예정된 위치상에 정확히 안착되어야 한다. 현재, 웨이퍼의 위치를 확인하기 위하여, 반응 챔버 상부를 덮는 리드 대신, 뷰 포트(view port)를 구비한 별도의 지그(jig) 조립체를 반응 챔버 상에 장착시켜, 사용자의 육안으로 반응 챔버내의 웨이퍼의 위치를 확인하고 있다.
사용자의 육안에 의존하여, 웨이퍼의 위치를 판단하기 때문에, 웨이퍼가 정확히 안착되었는지 정확하게 판단하기 어렵다.
본 발명은 웨이퍼의 위치 변동을 정확히 측정함과 동시에, 위치 변동 데이터에 근거하여 웨이퍼의 위치를 정확히 보정할 수 있도록 웨이퍼 이송 장치를 티칭하는 웨이퍼 처리 시스템 및 그것의 티칭 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 시스템은, 웨이퍼 안착 플레이트를 포함하는 반응 챔버, 상기 반응 챔버내의 상기 웨이퍼 안착 플레이트로 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼 이송 장치, 상기 웨이퍼 안착 플레이트에 안착된 상기 웨이퍼의 위치를 검출하기 위해, 상기 웨이퍼 안착 플레이트를 촬상하기 위한 적어도 3개의 비전 카메라, 상기 비전 카메라 및 상기 반응 챔버 상부와 결합되는 지그 조립체, 및 상기 지그 조립체에 구비되며 상기 비전 카메라와 대응되는 개수로 형성되는 뷰 포트를 포함하는 웨이퍼 위치 측정 장치, 및 상기 복수의 비전 카메라에 의해 촬상된 상기 웨이퍼의 위치 정보를 통해 상기 웨이퍼의 위치 변동 정보를 산출하고, 상기 웨이퍼 위치 변동 정보를 통해 상기 웨이퍼 이송 장치를 티칭하도록 제어하는 제어 장치를 포함한다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 티칭 방법은, 반응 챔버 상에 적어도 3개의 비전 카메라를 구비한 웨이퍼 위치 측정 장치를 장착하여 상기 반응 챔버 내부의 상기 웨이퍼 위치를 측정 및 변경시키도록 구성된 웨이퍼 처리 시스템의 티칭 방법으로서, 상기 반응 챔버내의 웨이퍼 안착 플레이트 상에 상기 웨이퍼를 로딩하는 단계; 상기 3개의 비전 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 위치를 검출하는 단계; 상기 웨이퍼의 위치 정보를 통해, 상기 웨이퍼의 위치 변동 정보를 산출하는 단계; 및 상기 웨이퍼의 위치 변동 정보에 의거하여 상기 웨이퍼가 정 위치에 위치되도록 웨이퍼 이송 장치를 티칭하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 반응 챔버 상에 설치된 복수의 비전 카메라를 구비한 웨이퍼 위치 측정 장치로부터 웨이퍼의 위치를 검출하고, 제어 장치를 통해 웨이퍼의 위치 변동량을 결정하여 이송 장치의 티칭 위치를 변경함으로써, 잘못 놓여진 웨이퍼의 위치를 정확히 보정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 시스템을 나타내는 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 비전 카메라와 웨이퍼 안착 플레이트의 위치 관계를 설명하기 위한 웨이퍼 안착 플레이트의 평면도이다.
도 3b은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 비전 카메라에 의한 웨이퍼 위치를 측정하는 방법을 설명하기 위한 웨이퍼 안착 플레이트의 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 이송 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 구동 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 시스템을 나타내는 블록도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 장치의 개략적인 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 웨이퍼 처리 시스템(1000)은 웨이퍼 처리 장치(200), 제어 장치(300) 및 이송 장치(400)를 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼 처리 장치(200)는 반응 챔버(100) 및 복수의 비전 카메라를 포함하는 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)를 포함할 수 있다.
반응 챔버(100)는 상부가 개방되며, 반응 공간(110)을 한정하기 위한 하부벽(112) 및 내측벽(113)을 구비할 수 있다. 또한, 반응 챔버(100)는 지지 어셈블리(supporting assembly:120)를 더 포함할 수 있다. 지지 어셈블리(120)는 웨이퍼 안착 플레이트(121), 지지축(123) 및 구동부(125)를 포함할 수 있다.
웨이퍼 안착 플레이트(121)는 그 표면에 웨이퍼가 안착되는 웨이퍼 지지대일 수 있다. 웨이퍼 안착 플레이트(121) 내부에 웨이퍼(w)를 가열하는 히터(도시되지 않음)가 포함될 수 있다. 이와 같이 내부에 히터를 구비한 지지 어셈블리(120)를 서셉터(susceptor)라 칭할 수 있다. 또한, 웨이퍼 안착 플레이트(121) 상면에 웨이퍼(w)를 수용하는 포켓부(121a)가 더 구비될 수 있다.
지지축(123)은 웨이퍼 안착 플레이트(121) 하부에 위치되어, 웨이퍼 안착 플레이트(121)를 지지한다.
구동부(125)는 지지축(123)과 연결되어, 상기 지지축(123)을 상하 이동시키는 동력을 제공할 수 있다.
상부가 개방된 반응 챔버(100) 상에 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)가 장착된다. 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)는 반응 챔버(100) 상에 장착되는 지그 조립체(115)를 포함한다. 지그 조립체(115)는 상기 반응 공간(110) 내부를 모니터링할 수 있도록 구비된 복수의 뷰 포트(115a)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 뷰 포트(115a)는 투명 창(window)로 구성될 수 있다.
또한, 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 지그 조립체(115)에 설치된 복수의 비전 카메라(150a,150b)를 포함할 수 있으며, 상기 복수의 비전 카메라(150a,150b)는 상기 복수의 뷰 포트(115a) 각각에 대응되어 기계적으로 체결될 수 있다. 도 2는 단면도이기 때문에 2개의 비전 카메라(150a, 150b)만이 보여졌으나, 더 많은 수의 비전 카메라가 설치될 수 있는 것은 자명하다. 본 실시예에서 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)는 예를 들어, 3개의 비전 카메라(150a,150b,150c)를 포함하도록 구성될 수 있다. 이와 같이 3개의 비전 카메라(150a,150b,150c)가 구비되는 경우, 웨이퍼 가장자리의 3 영역을 촬상할 수 있도록 예를 들어, 120°를 이루도록 등각 배치될 수 있다.
또한, 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)는 상기 웨이퍼의 위치 측정 시, 상기 반응 챔버(100) 내부의 공정 조건을 실제 박막이 증착되는 공정 조건과 동일한 조건으로 만들기 위해, 상기 반응 공간(110) 내부로 가스를 공급하는 가스 공급관(115b)을 더 포함할 수 있다. 상기 가스 공급관(115b)는 상기 지그 조립체(115)내에 구비될 수 있다.
상술한 바와 같이, 복수의 비전 카메라(150a,150b,150c)를 구비한 지그 조립체(115)는 본 발명의 웨이퍼 처리 시스템(100)내에서 웨이퍼 위치 측정 장치(1150) 자체로 해석될 수도 있고, 혹은 반응 챔버(100)의 리드 플레이트로서 해석될 수 있다.
웨이퍼 위치 측정 장치(1150)는 상기 비전 카메라(150a,150b,150c)를 웨이퍼(w) 표면에 대해 수평 방향(H1, H2), 수직 방향(H3), 및 시계 방향 또는 반시계 방향(H4)으로, 직선 이동 및 소정 각도(θ)만큼 회전 이동시킬 수 있는 위치 조정부(155)를 더 포함할 수 있다. 상기 위치 조정부(155)에 의해, 상기 비전 카메라(150a,150b,150c)와 반응 챔버(100)의 상면까지의 거리는 물론, 상기 비전 카메라(150a,150b,150c)와 웨이퍼(w)간의 간격을 조절할 수 있다. 나아가, 본 실시예의 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)는 상기한 위치 조정에 의해 자체적인 광학적 보정 기능도 수행할 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 비전 카메라와 웨이퍼 안착 플레이트의 위치 관계를 설명하기 위한 웨이퍼 안착 플레이트의 평면도이고, 도 3b은 본 발명의 일 실시예에 따른 복수의 비전 카메라에 의한 웨이퍼 위치를 측정하는 방법을 설명하기 위한 웨이퍼 안착 플레이트의 평면도이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 상기 비전 카메라(150a,150b,150c) 각각은 웨이퍼 안착 플레이트(121)의 가장자리 및 안착된 웨이퍼의 가장자리를 촬상하도록 배치될 수 있다.
본 실시예의 비전 카메라(150a,150b,150c)는 1개의 뷰 포트(115a)당 1개의 비전 카메라(150a,150b,150c)가 설치될 수 있다. 본 발명의 실시예와 같이 3개의 비전 카메라(150a,150b,150c)가 구비된 경우, 3개의 비전 카메라(150a,150b,150c)는 웨이퍼 상에서 120°등간격으로 배치되어, 웨이퍼 안착 플레이트(121)의 가장자리 3영역 및 이에 대응되는 웨이퍼 가장자리의 3 영역을 모니터링할 수 있다.
웨이퍼 위치 측정 장치(1150)는 웨이퍼 안착 플레이트(121)의 가장자리에서 웨이퍼 가장자리까지의 거리(L1,L2,L3)를 측정하고, 상기 거리(L1,L2,L3)를 이용하여, 웨이퍼 가장자리 노드(a1,a2,a3)를 설정할 수 있다. 여기서, 상기 웨이퍼 가장자리 노드(a1,a2,a3)는 상기 거리 측정 지점에 해당할 수 있다. 이와 같은 거리(L1,L2,L3) 및 웨이퍼 가장자리 노드(a1,a2,a3)의 설정은 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)내에 구비된 판단 블록(도시되지 않음)에서 결정될 수 있다.
제어 장치(300)는 상기 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)로부터 제공된 안착된 웨이퍼의 위치 정보를 통해, 웨이퍼의 위치 변동 정보를 산출할 수 있다.
제어 장치(300)는 상기 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)에서 제공되는 상기 거리(L1,L2,L3) 및 그것으로부터 얻어진 웨이퍼 가장자리 노드(a1,a2,a3)의 정보를 수집한 다음, 웨이퍼 가장자리 노드들(a1,a2,a3)을 연결하는 가상의 원(w1)을 그린다.
그 후, 가상의 원(w1)의 중심점(C1)을 산출한 다음, 상기 가상의 원(w1)의 중심점(C1)과 웨이퍼 안착 플레이트(121)의 기 설정된 중심점(C)간의 거리 편차를 구한다. 상기 거리 편차 값을 이용하여, 도면의 x 방향 및 y 방향으로의 웨이퍼 위치 변동 정보를 좌표 형태(△Lx,△Ly)로 산출한다.
이와 같은 제어 장치(300)는 좌표화된 상기 웨이퍼의 위치 변동 정보를 이용하여, 상기 웨이퍼 이송 장치(400)를 티칭하도록 제어할 수 있다.
본 실시예에서 제어 장치(300)는 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)와 별도의 블록으로 구비되었지만, 상기 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)내에 내장될 수 있다.
여기서, 도 3a 및 도 3b에서 w0은 이상적인 웨이퍼의 안착 위치, 즉, 웨이퍼 안착 플레이트의 포켓부(125a)의 위치에 해당할 수 있고, w1은 실제 안착된 웨이퍼의 예측 위치에 해당할 수 있다.
이송 장치(400)는 도 4에 도시된 바와 같이, 제어 장치(300)로부터 웨이퍼 위치 변경 정보(△Lx,△Ly)를 전달받아, 웨이퍼(w)의 위치를 보정할 수 있도록, 웨이퍼의 이동 경로를 변경할 수 있다.
여기서, 미설명 도면 부호 G는 반응 챔버(100)내에 웨이퍼가 로딩/언로딩되는 게이트를 지시할 수 있다. 또한, 도면 부호 401은 지지대, 410은 로봇 아암(robot arm) 및 420은 핸드(hand)를 지시할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 처리 시스템의 구동 방법을 설명하기 위한 플로우 챠트이다.
도 5를 참조하면, 처리될 웨이퍼는 반응 챔버(100)내의 웨이퍼 안착 플레이트(121)상에 로딩된다(S1). 상기 웨이퍼의 로딩은 이송 장치(400)에 의해 수행될 수 있다.
반응 챔버(100) 상부에 장착된 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)의 비전 카메라(150a,150b,150c)를 통해, 반응 챔버(100)내의 웨이퍼의 위치를 검출한다(S2). 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)는 비전 카메라(150a,150b,150c)와 대응되는 웨이퍼 안착 플레이트(121)의 가장자리 및 상기 웨이퍼 안착 플레이트(121)상에 안착된 웨이퍼의 가장자리 영역을 촬상한다.
제어 장치(300)는 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)에서 측정된 웨이퍼 위치 정보를 통해, 웨이퍼 위치 변동 정보를 산출하고, 상기 웨이퍼 위치 변동 정보를 좌표 값으로 산출한다(S3).
구체적으로 설명하면, 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)의 비전 카메라(150a,150b,150c)는 대응되는 위치의 웨이퍼 안착 플레이트(121)의 가장자리 부분과 웨이퍼(w) 가장자리 부분을 촬상한다. 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)는 비전 카메라(150a,150b,150c)에 의해 촬상된 정보로부터 웨이퍼 플레이트(121)의 가장자리로부터 웨이퍼 가장자리까지의 거리(L1,L2,L3)를 측정하고, 상기 거리(L1, L2, L3) 측정 지점을 웨이퍼의 가장자리 노드(a1,a2,a3)를 설정한다. 그후, 제어 장치(300)는 웨이퍼 가장자리의 노드(a1,a2,a3)간을 연결하는 가상의 원(w1)을 그린다. 다음, 가상의 원(w1)의 중심점(C1)을 산출한 다음, 기 설정된 웨이퍼 안착 플레이트(121)의 중심점(C)과 가상의 원(w1)의 중심점(C1)과의 거리 편차를 구한다.
제어 장치(300)는 상기 거리 편차 값을 좌표화하고, 상기 좌표 값만큼 웨이퍼 이동 경로를 조절하도록 상기 웨이퍼 이송 장치(400)을 티칭한다(S4). 즉, 제어 장치(300)는 상기 가상원(w1)의 중심점(C1)과 웨이퍼 안착 플레이트(121)의 중심점(C)간의 거리 편차를 통해, 웨이퍼 위치 변동 정보를 산출하고, 상기 웨이퍼 위치 변동 정보를 좌표 값(△Lx,△Ly)으로 환산하여, 웨이퍼의 위치 보정량을 결정할 수 있다.
이송 장치(400)는 상기 제어 장치(300)로부터 상기 웨이퍼 위치 보정량을 전달받아, 로봇 아암(410)을 이동시킨다. 이송 장치(400)는 상기 좌표 형태로 된 상기 웨이퍼 위치 보정량을 전달받게 되고, 상기 웨이퍼 위치 보정량에 근거하여, 웨이퍼 이송을 위한 로봇 아암(410)의 이동 경로를 조절한다. 본 실시예에서 티칭은 이송 장치(400)의 로봇 아암(410)의 이동 경로를 보정하는 일련의 동작을 일컬을 수 있다. 이송 장치(400)의 티칭 동작에 의해 웨이퍼의 위치가 보정된다.
그후, 웨이퍼 위치 측정 장치(1150) 및 제어 장치(300)의 구동에 의해, 위치 보정된 웨이퍼의 위치를 재차 확인한다(S5). 웨이퍼(w)의 위치가 정상적으로 보정되지 않은 경우, 상기 S3 단계로 피드백하여 재보정을 위한 재티칭 동작을 수행할 수 있다.
한편, 웨이퍼(w)의 위치가 정 위치에 위치하는 경우, 웨이퍼 위치 보정 동작을 완료한다(S6).
이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 반응 챔버 상에 설치된 복수의 비전 카메라를 구비한 웨이퍼 위치 측정 장치로부터 웨이퍼의 위치를 검출하고, 제어 장치를 통해 웨이퍼의 위치 변동량을 결정하여 이송 장치의 티칭 위치를 변경함으로써, 잘못 놓여진 웨이퍼의 위치를 정확히 보정할 수 있다.
본 발명은 상기한 실시예에 한정되는 것만은 아니다.
본 실시예에서 웨이퍼 안착 플레이트의 가장자리와 웨이퍼 가장자리간의 거리 및 이것으로부터 얻어지는 웨이퍼 가장자리 노드는 웨이퍼 위치 측정 장치(1150)내에서 결정되는 것으로 설명되었지만, 여기에 한정되지 않고, 상기 제어 장치(300)에서 상기 비전 카메라의 촬상 정보로부터 상기 거리 및 상기 노드 정보를 설정할 수도 있다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능하다.
100: 반응 챔버 115 : 지그 조립체
150a, 150b, 150c : 비전 카메라
200: 웨이퍼 처리 장치 300 : 제어 장치
400 : 이송 장치 1150 : 웨이퍼 위치 측정 장치

Claims (8)

  1. 웨이퍼 안착 플레이트를 포함하는 반응 챔버;
    상기 반응 챔버내의 상기 웨이퍼 안착 플레이트로 웨이퍼를 이송하기 위한 웨이퍼 이송 장치;
    상기 웨이퍼 안착 플레이트에 안착된 상기 웨이퍼의 위치를 검출하기 위해, 상기 웨이퍼 안착 플레이트를 촬상하기 위한 적어도 3개의 비전 카메라, 상기 비전 카메라 및 상기 반응 챔버 상부와 결합되는 지그 조립체, 및 상기 지그 조립체에 구비되며 상기 비전 카메라와 대응되는 개수로 형성되는 뷰 포트를 포함하는 웨이퍼 위치 측정 장치; 및
    상기 복수의 비전 카메라에 의해 촬상된 상기 웨이퍼의 위치 정보를 통해, 상기 웨이퍼의 위치 변동 정보를 산출하고, 상기 웨이퍼 위치 변동 정보를 통해 상기 웨이퍼 이송 장치를 티칭하도록 제어하는 제어 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 위치 측정 장치는 3개의 비전 카메라를 포함하고,
    상기 비전 카메라는 상기 웨이퍼 안착 플레이트와 상기 웨이퍼 가장자리 사이의 3 영역을 측정할 수 있도록, 120°간격으로 등각 배치되는 웨이퍼 처리 시스템.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어 장치는,
    상기 적어도 3개의 비전 카메라에 의해 촬상된 상기 웨이퍼 가장자리의 적어도 3개의 노드들간을 연결하는 가상의 원의 중심점과, 상기 웨이퍼 안착 플레이트의 기 설정된 중심점간의 거리 편차 값을 통해, 상기 웨이퍼 위치 변동 정보를 산출하는 웨이퍼 처리 시스템.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어 장치는,
    상기 웨이퍼 위치 변동 정보를 이용하여, 상기 거리 편차 값만큼 상기 웨이퍼 이송 장치의 이동 경로를 보정하여, 상기 웨이퍼가 정 위치로 안착되도록 제어하는 웨이퍼 처리 시스템.
  5. 반응 챔버 상에 적어도 3개의 비전 카메라를 구비한 웨이퍼 위치 측정 장치를 장착하여 상기 반응 챔버 내부의 상기 웨이퍼 위치를 측정 및 변경시키도록 구성된 웨이퍼 처리 시스템의 티칭 방법으로서,
    상기 반응 챔버내의 웨이퍼 안착 플레이트 상에 상기 웨이퍼를 로딩하는 단계;
    상기 3개의 비전 카메라를 통해, 상기 웨이퍼의 위치를 검출하는 단계;
    상기 웨이퍼의 위치 정보를 통해, 상기 웨이퍼의 위치 변동 정보를 산출하는 단계; 및
    상기 웨이퍼의 위치 변동 정보에 의거하여 상기 웨이퍼가 정 위치에 위치되도록 웨이퍼 이송 장치를 티칭하는 단계 포함하는 웨이퍼 처리 시스템의 티칭 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 위치 변동 정보를 산출하는 단계는,
    상기 적어도 3개의 비전 카메라에 대응되는 영역의 상기 웨이퍼 안착 플레이트의 가장자리로부터 상기 웨이퍼 가장자리까지의 거리 및 상기 거리를 이용하여 상기 웨이퍼의 가장자리 노드를 설정하는 단계;
    상기 웨이퍼의 가장자리 노드를 연결하는 가상의 원을 그리는 단계;
    상기 가상의 원의 중심점을 산출하는 단계; 및
    산출된 상기 가상원의 중심점과 기 설정된 상기 웨이퍼 안착 플레이트의 중심점의 거리 편차 값을 좌표화하는 단계 포함하는 웨이퍼 처리 시스템의 티칭 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 웨이퍼 이송 장치를 티칭하는 단계는,
    상기 웨이퍼 위치 변동 정보를 이용하여 산출된 상기 거리 편차 값만큼 상기 웨이퍼 이송 장치의 이동 경로를 보정하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 처리 시스템의 티칭 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 보정 단계 이후에,
    상기 웨이퍼의 보정된 위치를 재차 확인하는 단계; 및
    상기 웨이퍼의 위치 보정이 정상적으로 수행된 경우, 보정 동작을 완료하고, 그렇지 않은 경우, 상기 웨이퍼의 위치를 재보정하도록 상기 웨이퍼 이송 장치를 재티칭하는 단계를 더 포함하는 웨이퍼 처리 시스템의 티칭 방법.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210001464A (ko) 2019-06-28 2021-01-06 주식회사 기온 이동형 웨이퍼 정렬상태 비전 검사 시스템
CN114466728A (zh) * 2019-07-26 2022-05-10 朗姆研究公司 用于自动化晶片搬运机械手教导与健康检查的整合适应性定位系统及例程
KR20230029247A (ko) * 2021-08-24 2023-03-03 (주) 에스에스피 반도체패키징용 자재의 자동 캘리브레이션 방법
KR20230030210A (ko) * 2021-08-25 2023-03-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140350A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびティーチング方法
KR20080003543A (ko) * 2006-07-03 2008-01-08 주식회사 아이. 피. 에스시스템 간격조정장치
KR20140123842A (ko) * 2013-04-15 2014-10-23 주식회사 원익아이피에스 박막 증착 시스템의 카메라 어셈블리

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006140350A (ja) * 2004-11-12 2006-06-01 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置およびティーチング方法
KR20080003543A (ko) * 2006-07-03 2008-01-08 주식회사 아이. 피. 에스시스템 간격조정장치
KR20140123842A (ko) * 2013-04-15 2014-10-23 주식회사 원익아이피에스 박막 증착 시스템의 카메라 어셈블리

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210001464A (ko) 2019-06-28 2021-01-06 주식회사 기온 이동형 웨이퍼 정렬상태 비전 검사 시스템
CN114466728A (zh) * 2019-07-26 2022-05-10 朗姆研究公司 用于自动化晶片搬运机械手教导与健康检查的整合适应性定位系统及例程
KR20230029247A (ko) * 2021-08-24 2023-03-03 (주) 에스에스피 반도체패키징용 자재의 자동 캘리브레이션 방법
KR20230030210A (ko) * 2021-08-25 2023-03-06 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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