JP2023502898A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

本発明は、処理空間を提供するチャンバ、前記チャンバの上部を覆う蓋、少なくとも１つの基板を支持し、基板が撮影領域を通過するように回転軸を中心に回転する基板支持部、基板支持部に向けて処理ガスを噴射するガス噴射部、前記撮影領域を撮影して前記撮影領域の熱画像イメージを獲得する領域撮影部、および、前記熱画像イメージから基板の温度データを算出する算出部を含む基板処理装置に関するものである。

Description

本発明は、基板に対する蒸着工程、エッチング工程などの処理工程を行う基板処理装置に関するものである。
一般に、太陽電池（Ｓｏｌａｒ Ｃｅｌｌ）、半導体素子、フラットパネルディスプレイなどを製造するためには、基板上に所定の薄膜層、薄膜回路パターン、または光学パターンを形成しなければならない。このため、基板に特定物質の薄膜を蒸着する蒸着工程、感光性物質を用いて薄膜を選択的に露出させるフォト工程、選択的に露出した部分の薄膜を除去してパターンを形成するエッチング工程などの基板に対する処理工程が行われる。このような基板に対する処理工程は、基板処理装置により行われる。
従来技術による基板処理装置は、基板を支持する基板支持部と、基板支持部に向けて処理ガスを噴射するガス噴射部とを含む。基板支持部は、回転軸を中心に回転する。基板支持部が回転軸を中心に回転すると、基板支持部に支持された基板は、ガス噴射部の下側を通過する。この過程で、前記ガス噴射部が噴射した処理ガスを用いて、基板に対する処理工程が行われる。
このような処理工程は、基板の温度が重要な要素として作用する。基板の温度を処理工程に反映するために、従来は、処理工程を行う前に熱電対付ウェハ（ＴＣ Ｗａｆｅｒ，Ｔｅｒｍｏｃｏｕｐｌｅ Ｗａｆｅｒ）を用いて基板の温度分布を獲得した。
従来技術による基板処理装置は、処理工程の実行中に基板の温度分布を獲得することができなかったので、処理工程を行う前に獲得した基板の温度分布を用いて基板の温度分布を予測することによって処理工程を行った。しかしながら、処理工程の実行中に発生する多くの変数のために、予想された基板の温度分布と処理工程の実行中に、実際の基板の温度分布は、大きな違いが生じるしかなかった。このような違いにより、従来技術による基板処理装置は、処理工程が完了した基板の品質に対する均一性を確保し難いという問題があった。
本発明は、上述したような問題点を解決しようと案出されたものであり、処理工程が完了した基板の品質に対する均一性を向上させることができる基板処理装置を提供するためのものである。
上述したような課題を解決するために、本発明は、下記のような構成を含むことができる。
本発明による基板処理装置は、処理空間を提供するチャンバ、チャンバの上部を覆う蓋、少なくとも１つの基板を支持し、基板が撮影領域を通過するように回転軸を中心に回転する基板支持部、基板支持部に向けて処理ガスを噴射するガス噴射部、前記撮影領域を撮影して、撮影領域の熱画像イメージを獲得する領域撮影部、および、前記熱画像イメージから基板の温度データを算出する算出部を含むことができる。
本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
本発明は、基板に対する処理工程が行われる間に、基板の温度データを算出することができるように具現される。これにより、本発明は、処理工程が完了した基板の品質に対する均一性を向上させることができる。
本発明は、領域撮影部を介して、領域を撮影して基板の温度データを算出することができるように具現される。これにより、本発明は、領域撮影部を整列する整列作業の容易さを向上させることができ、領域撮影部の整列作業にかかる時間を短縮することができる。したがって、本発明は、稼働率増大により、処理工程が完了した基板に対する生産性を増大させることができる。
本発明による基板処理装置の概略的な側断面図である。 本発明に係る基板処理装置におけるガス噴射部の実施例を示す概略的な平面図である。 本発明に係る基板処理装置におけるガス噴射部の実施例を示す概略的な平面図である。 本発明に係る基板処理装置において、熱画像イメージを獲得する過程を示す概念的な平面図である。 本発明による基板処理装置の概略的なブロック図である。 本発明による基板処理装置において、第１測定線と第２測定線が表示された熱画像イメージを示す概念的な平面図である。 本発明による基板処理装置において、第１測定線に対応する基板の地点別温度に関する第１候補データと、第２測定線に対応する基板の地点別温度に関する第２候補データを示すグラフ。
以下では、本発明による基板処理装置の実施例を添付の図を参照して詳細に説明する。
図１を参照すると、本発明による基板処理装置１は、基板１００に対して処理工程を行うものである。前記基板１００は、ガラス基板、シリコン基板、メタル基板などであり得る。本発明に係る基板処理装置１は、前記基板１００に薄膜を蒸着する蒸着工程、前記基板１００に蒸着した薄膜の一部を除去するエッチング工程等のような処理工程を行うことができる。以下では、本発明に係る基板処理装置１が上記蒸着工程を行う実施例を基準に説明するが、これから本発明に係る基板処理装置１が、上記エッチング工程等と同様に異なる処理工程を行う実施例を導出することは、本発明が属する技術分野に属する当業者には自明であろう。
本発明に係る基板処理装置１は、基板支持部２、蓋３、ガス噴射部４、領域撮影部５、及び算出部６を含むことができる。
図１を参照すると、前記基板支持部２は、前記基板１００を支持するものである。前記基板支持部２は、前記処理工程が行われる処理空間を提供するチャンバ１ａの内部に結合することができる。前記処理空間は、前記基板支持部２と前記蓋３の間に配置され得る。前記チャンバ１ａには、基板出入口（未図示）を結合することができる。基板１００は、ロード装置（未図示）によって前記基板出入口を通過して、前記チャンバ１ａの内部に搬入され得る。前記処理工程が完了すると、前記基板１００は、アンロード装置（未図示）によって、前記基板出入口を通過してチャンバ１ａの外部に搬出され得る。前記チャンバ１ａには、前記処理空間に存在するガス等を外部に排気させるための排気部１ｂを結合することができる。
前記基板支持部２は、回転軸２ａを中心に回転することができる。前記基板支持部２が、前記回転軸２ａを中心に回転することで、前記基板支持部２に支持された基板１００は、前記回転軸２ａを中心に回転しながら前記ガス噴射部４の下側を通過するようになる。この過程で、前記ガス噴射部４が噴射した処理ガスにより、前記基板１００に対する処理工程を行うことができる。前記基板支持部２は、少なくとも１つの基板１００を支持することができる。前記基板支持部２が、複数の基板１００を支持する場合、前記基板１００は、前記回転軸２ａを中心として、互いに離隔するように配置され得る。前記基板支持部２には、回転力を提供する回転装置（未図示）を結合することができる。
図１～図３を参照すると、前記蓋３は、前記チャンバ１ａの上部を覆うものである。前記蓋３は、前記基板支持部２から上側に離隔して配置され得る。図２及び図３には、前記蓋３が六角形構造で形成されたことが示されているが、これに限定されず、前記蓋３は、八角形等の多角形構造、円筒形構造、又は楕円形構造等で形成され得る。前記チャンバ１ａは、前記蓋３に対応する形態で形成することができる。
図１～図３を参照すると、前記ガス噴射部４は、前記基板支持部２に向けて処理ガスを噴射するものである。前記ガス噴射部４は、前記蓋３に結合することができる。図に示していないが、前記ガス噴射部４は、前記蓋３と前記基板支持部２の間に配置されるように、前記チャンバ１ａに結合することもできる。
前記ガス噴射部４は、第１ガスを噴射する第１ガス噴射モジュール４１、および第２ガスを噴射する第２ガス噴射モジュール４２を含むことができる。前記第１ガスは、ソースガス（Ｓｏｕｒｃｅ Ｇａｓ）であり、前記第２ガスは反応ガス（Ｒｅａｃｔａｎｔ Ｇａｓ）であり得る。前記第１ガス噴射モジュール４１と前記第２ガス噴射モジュール４２は、前記回転軸２ａを中心として互いに離隔して配置され得る。したがって、前記基板支持部２が前記回転軸２ａを中心に回転すると、前記基板１００が前記回転軸２ａを中心に回転しながら、前記第１ガス噴射モジュール４１の下側と、前記第２ガス噴射モジュール４２の下側を順次通過するようになる。これにより、前記第１ガスと前記第２ガスを用いて、前記基板１００に対する処理工程を行うことができる。前記ガス噴射部４は、前記第１ガス噴射モジュール４１を複数含むこともできる。前記ガス噴射部４は、前記第２ガス噴射モジュール４２を複数含むこともできる。
前記ガス噴射部４は、パージガスを噴射するパージガス噴射モジュール４３を含むことができる。前記パージガス噴射モジュール４３は、前記パージガスを噴射することによって、前記第１ガスが噴射された第１領域と前記第２ガスが噴射された第２領域とを区画することができる。これにより、前記パージガス噴射モジュール４３は、前記第１領域と前記第２領域の間で、前記第１ガスと前記第２ガスが互いに混合することを防止することができる。前記基板支持部２が、前記回転軸２ａを中心に回転すると、前記基板１００が前記回転軸２ａを中心に回転しながら、前記パージガス噴射モジュール４３の下側を通過するようになる。この過程で、前記基板１００上に残っている残留ガスを、前記パージガスでパージすることもできる。図２に示すように、前記パージガス噴射モジュール４３は、前記第１ガス噴射モジュール４１と前記第２ガス噴射モジュール４２の間を横切るダンベル形態で形成することができる。図３に示すように、前記パージガス噴射モジュール４３は、ワイ（Ｙ）字形態に形成することもできる。図に示していないが、前記パージガス噴射モジュール４３は、前記第１ガス噴射モジュール４１の数、前記第２ガス噴射モジュール４２の数などによって、様々な形態に形成することができる。前記ガス噴射部４は、前記パージガス噴射モジュール４３を複数含むこともできる。
図１～図４を参照すると、前記領域撮影部５は、撮影領域２００を撮影して前記撮影領域２００の熱画像イメージを獲得する。熱画像イメージは、前記撮影領域に対する領域イメージであり、温度を含むものである。前記領域撮影部５は、赤外線（ＩＲ、Ｉｎｆｒａｒｅｄ ｒａｙ）を用いて、前記撮影領域２００の熱画像イメージを獲得するカメラ（Ｃａｍｅｒａ）であり得る。前記基板支持部２は、前記基板１００が前記撮影領域２００を通過するように前記回転軸２ａを中心に回転することができる。これにより、本発明による基板処理装置１は、前記処理工程が行われている間に、前記基板１００の温度分布を獲得することができるので、前記基板１００の温度分布によって工程条件を変更することが可能である。したがって、本発明による基板処理装置１は、上記処理工程が完了した基板の品質に対する均一性を向上させることができる。また、本発明に係る基板処理装置１は、前記領域撮影部５を介して領域を撮影して、前記基板１００の温度分布を獲得するので、ラインスキャナ（Ｌｉｎｅ Ｓｃａｎｎｅｒ）を介して、前記基板１００の温度分布を獲得する比較例と対比すると、次のような利点がある。
第１に、ラインスキャナを介して、前記基板１００の温度分布を獲得する比較例の場合、前記基板１００の位置に基づいて、ラインスキャナの位置を正確に整列しなければならない。これにより、比較例は、初期セッティング（Ｓｅｔｔｉｎｇ）時にラインスキャナの整列作業に困難があるだけでなく、ラインスキャナの整列作業にかなりの時間がかかるため、初期セッティングにかかる時間を遅延させる欠点がある。このような欠点は、ラインスキャナのメンテナンス後に再装着するときにも作用する。
これに関し、前記領域撮影部５を介して領域を撮影して、前記基板１００の温度分布を獲得する実施例の場合、比較例と対比する際に、前記基板１００の位置を基準とする前記領域撮影部５の整列作業に対して許容される誤差範囲がより大きく具現される。前記領域撮影部５が、領域を撮影して前記熱画像イメージを獲得するので、熱画像イメージ内での補正を介して誤差範囲を補正することができるからである。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、比較例と対比すると、前記領域撮影部５の整列作業にかかる時間を短縮することができるので、初期セッティングにかかる時間と再装着にかかる時間を短縮できる利点がある。これにより、本発明に係る基板処理装置１は、稼働率を増大させることにより、上記処理工程が完了した基板に対する生産性を増大させることができる。
第２に、ラインスキャナを介して、前記基板１００の温度分布を獲得する比較例の場合、点測定を連続して１本の線を測定することにより、前記基板１００の温度分布を獲得する。しかしながら、基板が回転している状態で点測定が行われるため、比較例では、最初の測定点と最後の測定点との間に測定時間の差が生じる。したがって、比較例では、前記基板１００の温度分布に対する精度が低下する。
これに関して、前記領域撮影部５を介して、領域を撮影して前記基板１００の温度分布を獲得する実施例の場合、基板が回転している状態で一瞬の撮影で前記熱画像イメージを獲得することにより、前記基板１００の温度分布を獲得する。したがって、前記領域撮影部５が一瞬の撮影で獲得した前記熱画像イメージ内では、測定点間に測定時間の差は発生しない。したがって、実施例は、比較例と比較したとき、前記基板１００の温度分布に対する精度を向上させることができる。
第３に、ラインスキャナを介して前記基板１００の温度分布を獲得する比較例の場合、点測定を連続的に行ってもピークツーピーク（Ｐｅａｋ ｔｏ Ｐｅａｋ）周期により、点測定をする度に測定点毎に異なる誤差値が発生する。したがって、比較例では、前記基板１００の温度分布に対する精度が低下する。
これに関して、前記領域撮影部５を介して領域を撮影して前記基板１００の温度分布を獲得する実施例の場合、一瞬の撮影で前記熱画像イメージを獲得するため、前記熱画像イメージ内では誤差値が発生しても、測定点すべてに対して同じ誤差値が発生する。したがって、実施例は、比較例と比較して、前記基板１００の温度分布に対する精度を向上させることができる。
前記撮影領域２００は、前記基板１００が前記回転軸２ａを中心に回転する方向を基準に、前記基板１００の直径よりも短い第１長さ２１０Ｌで形成することができる。前記第１長さ２１０Ｌに対して、垂直な前記撮影領域２００の第２長さ２２０Ｌは、前記基板１００の直径と比較して長く形成することができる。これにより、前記領域撮影部５は、前記基板１００の一部を含む熱画像イメージを獲得することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記熱画像イメージを複数獲得することによって、前記基板１００全体に対する温度分布を獲得することができる。図４には、前記撮影領域２００が長方形の形態で形成されたことが示されているが、これに限定されず、前記撮影領域２００は、楕円形態など他の形態で形成することもできる。
前記領域撮影部５は、前記処理空間の外部に配置することができる。この場合、前記領域撮影部５は、前記撮影領域２００内に位置する測定孔３００を介して、前記処理空間を含む熱画像イメージを獲得することができる。これにより、前記領域撮影部５は、前記測定孔３００の下側を通過する前記基板１００を含む熱画像イメージを獲得することができる。
前記測定孔３００は、前記ガス噴射部４に形成することができる。この場合、前記領域撮影部５は、前記ガス噴射部４の上側の前記測定孔３００に対応する位置に配置され得る。前記測定孔３００は、前記ガス噴射部４のうち、前記パージガス噴射モジュール４３に形成され得る。前記測定孔３００は、前記パージガス噴射モジュール４３を貫通するように形成され得る。この場合、前記測定孔３００は、前記パージガス噴射モジュール４３にパージガスを噴射するためのパージ孔（未図示）から離隔した位置に形成することができる。
前記測定孔３００は、前記蓋３に形成することもできる。この場合、前記領域撮影部５は、前記蓋３の上側の前記測定孔３００に対応する位置に配置され得る。前記測定孔３００は、前記蓋３を貫通するように形成することができる。この場合、前記測定孔３００は、前記蓋３に前記ガス噴射部４が配置されていない部分に形成され得る。
前記測定孔３００は、前記撮影領域２００と比較してより小さい大きさに形成することができる。図４を基準にして、前記測定孔３００は、縦方向に前記基板１００の直径と比べて、より短い長さに形成されるとともに、横方向に前記基板１００の直径と比べてより長い長さに形成され得る。ここで、前記基板１００の中心が、前記回転軸２ａを中心に回転する円形の回転経路を基準とするとき、前記縦方向は、前記円形の回転経路に対する接線方向に対応することができる。前記横方向は、前記縦方向に対して垂直な方向である。図４には、前記測定孔３００が、長方形の形態で形成されたことが示されているが、これに限定されず、前記測定孔３００は、楕円形態などの他の形態で形成することもできる。
図１～図７を参照すると、前記算出部６は、前記熱画像イメージから前記基板１００の温度データを算出するものである。前記熱画像イメージには、基板の地点ごとに温度がそれに対応する色彩で表示され得る。色彩による温度は、ルックアップテーブルの形態で前記算出部６に予め貯蔵されている。このような貯蔵データと前記熱画像イメージをマッチングすることにより、前記算出部６は、前記基板の地点別温度に関する温度データを算出することができる。
前記算出部６は、抽出モジュール６１、および算出モジュール６２を含むことができる。
前記抽出モジュール６１は、前記温度データを獲得するための候補データを抽出するものである。前記抽出モジュール６１は、前記熱画像イメージから第１測定線（ＭＬ１、図６に示す）に対応する基板の地点別温度に関する第１候補データ（図７ａに示す）を抽出し、前記熱画像イメージから第２測定線（ＭＬ２、図６に示す）に対応する基板の地点別温度に関する第２候補データ（図７ｂに示す）を抽出することができる。前記第１測定線（ＭＬ１）と前記第２測定線（ＭＬ２）は、互いに平行に配置され得る。前記測定孔３００が具備された場合、前記第１測定線（ＭＬ１）と前記第２測定線（ＭＬ２）は、前記測定孔３００の横方向に対して平行に配置され得る。この場合、前記第１測定線（ＭＬ１）と前記第２測定線（ＭＬ２）は、前記測定孔３００の縦方向に互いに離隔して配置され得る。図７ａの第１候補データに関するグラフと、図７ｂの第２候補データに関するグラフのそれぞれにおいて、横軸は、前記撮影領域２００を通過する基板１００の長さに対応することができる。このように、前記第１候補データおよび前記第２候補データは、それぞれ前記基板１００の地点別温度からなり得る。
前記抽出モジュール６１は、前記基板１００と前記領域撮影部５の離隔距離によって、前記第１測定線（ＭＬ１）と前記第２測定線（ＭＬ２）の間隔を決定することができる。前記基板１００と前記領域撮影部５の離隔距離は、前記基板１００を基準とする前記領域撮影部５の高さに対応することができる。例えば、前記抽出モジュール６１は、前記基板１００と前記領域撮影部５の離隔距離に対応する前記領域撮影部５のピクセル（Ｐｉｘｅｌ）間の間隔で、前記第１測定線（ＭＬ１）と前記第２測定線（ＭＬ２）間の間隔を決定することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第１測定線（ＭＬ１）に基づく前記第１候補データおよび前記第２測定線（ＭＬ２）に基づく前記第２候補データを、前記基板１００において、最大限に近接させた位置に対応するように設定することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記第１候補データと前記第２候補データのうちのいずれか１つの候補データに非正常的に温度が測定された地点がある場合、該当地点の温度を残りの１つの候補データを参照して補正しても、前記基板１００の温度分布を確認するのに十分な温度データを確保することができる。例えば、前記抽出モジュール６１は、互いに０．３ｍｍの間隔で離隔した前記第１測定線（ＭＬ１）と前記第２測定線（ＭＬ２）を用いて、前記第１候補データと前記第２候補データを抽出することができる。この場合、前記基板１００と前記領域撮影部５の離隔距離は３００ｍｍであり、前記領域撮影部５は６４０×４８０の解像度を有する前記熱画像イメージを獲得し、前記領域撮影部５のピクセル間の間隔は０．３ｍｍであり得る。
前記抽出モジュール６１は、前記熱画像イメージから既設定された設定温度以下に該当する部分を除いた残りの部分を基板部分（ＳＡ、図６に示す）として抽出し、抽出された基板部分（ＳＡ）に対して前記第１測定線（ＭＬ１）と前記第２測定線（ＭＬ２）を用いて、前記第１候補データと前記第２候補データを抽出することができる。既設定された設定温度は、作業者によって予め設定され得る。前記測定孔３００が具備された場合、前記設定温度以下に該当する部分は、前記ガス噴射部４または前記蓋３であり得る。該当部分は、前記測定孔３００の下側を通過する基板１００の温度に比べてかなり低い温度であるので、前記抽出モジュール６１は、前記設定温度を用いて前記基板部分（ＳＡ）を抽出することができる。それによって、本発明による基板処理装置１は、前記熱画像イメージ内で前記基板１００の位置を抽出した後、前記第１候補データと前記第２候補データを抽出するので、前記基板１００の温度分布を獲得する作業の精度を向上させることができる。また、本発明に係る基板処理装置１は、前記基板１００の位置を基準とする前記領域撮影部５の整列作業に許容される誤差範囲をさらに増大させることができるので、前記領域撮影部５の整列作業にかかる時間をさらに短縮することができる。
前記算出モジュール６２は、前記第１候補データと前記第２候補データを用いて、前記熱画像イメージに含まれる基板の地点別温度に関する温度データを算出することができる。前記第１候補データおよび前記第２候補データは、前記抽出モジュール６１から有線通信、無線通信などを介して、提供されたものである。
前記算出モジュール６２は、前記第１候補データと前記第２候補データのうちのいずれか１つの候補データで既設定された基準温度（ＳＴ）を超えた地点は、残りの１つの候補データの温度に決定することにより、前記温度データを算出することができる。前記基準温度（ＳＴ）は、ノイズ（Ｎｏｉｓｅ）により、非正常的に高いとみなすことができるものであり、作業者によって予め設定され得る。例えば、前記算出モジュール６２は、図７ａに示す前記第１候補データから前記基準温度（ＳＴ）を超えた第１区間（Ｔ１）の地点別温度を排除して、図７ｂに示す前記第２候補データから、前記第１区間に対応する第２区間（Ｔ２）の地点別温度を、該当区間の地点別温度として決定することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、ノイズによる前記温度データの精度が低下することを防止することができる。
前記算出モジュール６２は、前記第１候補データと前記第２候補データの両方が、前記基準温度（ＳＴ）以下である地点は、前記第１候補データの温度と前記第２候補データの温度を平均した温度に決定することで、上記温度データを算出することができる。例えば、前記算出モジュール６２は、図７ａに示す前記第１候補データから前記第１区間（Ｔ１）を除いた残りの区間の地点別温度、および図７ｂに示す前記第２候補データから前記第２区間（Ｔ２）を除いた残りの区間の地点別温度を平均した温度に決定することができる。
このように、前記算出モジュール６２は、前記第１候補データと前記第２候補データのうちのいずれか１つの候補データで、前記基準温度（ＳＴ）を超えた地点は、残りの１つの候補データの温度で決定し、前記第１候補データと前記第２候補データの両方において前記基準温度（ＳＴ）以下である地点は、前記第１候補データの温度と前記第２候補データの温度を平均した温度に決定することにより、前記温度データを算出することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、前記温度データの精度をさらに向上させることができる。一方、前記第１候補データと前記第２候補データの両方で前記基準温度（ＳＴ）を超えた地点が発生した場合、算出モジュール６２は、作業者にアラーム（Ａｌａｒｍ）を送出することができる。
図１～図７を参照すると、前記算出部６は、生成モジュール６３および変換モジュール６４を含むことができる。
前記生成モジュール６３は、前記温度データを複数用いて、前記基板１００の温度分布を表す楕円形の検出イメージを生成するものである。図４に示すように、前記基板１００が回転を介して、前記撮影領域２００を通過しながら、前記領域撮影部５が前記基板１００の一部を含む熱画像イメージを獲得するので、前記算出部６は、前記抽出モジュール６１と前記算出モジュール６２を用いて、前記熱画像イメージのそれぞれに対して、温度データを算出することができる。このように算出された温度データを収集して、前記生成モジュール６３は、楕円形の検出イメージを生成することができる。前記基板１００が円形である場合にも、前記楕円形の検出イメージが生成される理由は、前記基板１００が、前記回転軸２ａを中心に回転する過程で、前記熱画像イメージが獲得されるため、前記回転軸２ａ側に配置された前記基板１００の内側部分と比較して、前記回転軸２ａの反対側に配置された前記基板１００の外側部分が、より大きな距離を移動するためである。一方、前記温度データは、前記算出モジュール６２から有線通信、無線通信などを介して、前記生成モジュール６３に提供され得る。
前記生成モジュール６３は、前記温度データの算出に用いた前記熱画像イメージの撮影時間と前記基板支持部２の回転速度を用いて、基板の１回転に該当する温度分布を示す前記楕円形の検出イメージを作成できる。これにより、前記基板支持部２に複数の基板１００を支持するとともに、前記基板１００が前記回転軸２ａを中心に複数回にわたって３６０度回転する過程で、前記温度データが算出された場合にも、前記生成モジュール６３は、前記温度データの中で同じ前記基板１００が同じ回数の回転時に、属する温度データから前記楕円形の検出イメージを生成することができる。
前記変換モジュール６４は、前記楕円形の検出イメージを前記基板１００に対応する円形の検出イメージに変換するものである。これにより、作業者は、前記円形の検出イメージに温度によって色彩で区別されるように表示された温度分布を用いて、前記基板１００の温度分布を確認することができる。したがって、本発明に係る基板処理装置１は、作業者に前記基板１００に対応する前記円形の検出イメージを提供することにより、前記基板１００の温度分布を確認する作業の容易性を向上させることができる。図に示していないが、前記変換モジュール６４は、前記円形の検出イメージを表示装置（未図示）に提供することができる。一方、前記楕円形の検出イメージは、前記生成モジュール６３から有線通信、無線通信などを介して、前記変換モジュール６４に提供され得る。
前記変換モジュール６４は、前記基板支持部２の回転速度と前記基板１００の地点別に前記基板支持部２の回転軸２ａから離隔した距離を用いて前記基板１００の地点別座標を算出した後、算出した座標によって前記楕円形の検出イメージを前記円形の検出イメージに変換することができる。前記基板支持部２の回転速度が速いほど、より大きい距離に移動するとともに、前記回転軸２ａから離隔した距離が大きい地点ほど、相対的に大きい距離移動するため、前記変換モジュール６４は、前記基板支持部２の回転速度と前記基板１００の地点別に前記回転軸２ａから離隔した距離を用いて、前記基板１００の地点別座標を算出することができる。この場合、前記基板１００の地点別座標は、実際の前記基板１００を基準とする絶対座標に該当し得る。前記基板１００の地点別座標が算出されると、前記変換モジュール６４は、絶対座標に合わせて前記基板１００の地点別温度を移動させることによって、円形の検出イメージに変換することができる。
図１～図７を参照すると、本発明による基板処理装置１は、前記算出部６が算出した温度データを、前記処理工程の工程条件に反映するように具現することができる。この場合、本発明による基板処理装置１は、温度調整部７を含むことができる。
前記温度調節部７は、前記基板支持部２に支持された基板１００の温度を調整するものである。前記温度調節部７は、前記基板支持部２の温度を調整することにより、前記基板支持部２を介して、前記基板１００の温度を調整することができる。この場合、前記温度調節部７は、前記基板支持部２の内部に設置され得る。図に示していないが、前記温度調節部７は、電気を用いて前記基板１００の温度を調整するように具現することができる。この場合、前記温度調節部７は、伝熱ヒータで具現することができる。図に示していないが、温度調整部７は、温度調整用流体を用いて、前記基板１００の温度を調整するように具現することもできる。この場合、前記温度調節部７は、前記基板支持部２の内部に設けられた管路、前記管路に温度調節用流体を供給するポンプ、及び前記ポンプが前記管路に供給する温度調節用流体の温度を調節する調整ユニットを含むことができる。
前記温度調節部７は、前記算出部６が算出した温度データを用いて、前記基板支持部２に支持された基板１００の温度が既設定された処理温度に調整することができる。既設定された処理温度は、処理工程の種類、前記基板１００の種類、薄膜の種類などによって変動し得、作業者によって予め設定することもできる。
一方、前記ガス噴射部４は、前記算出部６が算出した温度データを用いて、前記基板支持部２に支持された基板１００の温度が、前記処理温度に調整されるまで、前記基板支持部２に対するガスの噴射を中止することができる。前記算出部６が算出した温度データを用いて、前記基板支持部２に支持された基板１００の温度が、前記処理温度に調節されたことを確認すると、前記ガス噴射部４は、前記基板支持部２に対するガスの噴射を開始することができる。したがって、本発明による基板処理装置１は、処理工程が完了した基板の品質に対する均一性を向上させることができる。
以上説明した本発明は、上述した実施例及び添付図面に限定されるものではなく、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲内で種々の置換、変形及び変更が可能であることが、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者にとって、明らかであろう。

Claims (12)

  1. 処理空間を提供するチャンバ、
    前記チャンバの上部を覆う蓋、
    少なくとも１つの基板を支持し、基板が撮影領域を通過するように回転軸を中心に回転する基板支持部、
    前記基板支持部に向けて処理ガスを噴射するガス噴射部、
    前記撮影領域を撮影して前記撮影領域の熱画像イメージを獲得する領域撮影部、および
    前記熱画像イメージから基板の温度データを算出する算出部を含む基板処理装置。
  2. 前記蓋には、前記撮影領域内に位置する測定孔が形成され、
    前記領域撮影部は、前記蓋の上側に配置され、前記測定孔を介して前記測定孔の下側を通過する基板を含む前記熱画像イメージを獲得することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記ガス噴射部には、前記撮影領域内に位置する測定孔が形成され、
    前記領域撮影部は、前記ガス噴射部の上側に配置され、前記測定孔を介して前記測定孔の下側を通過する基板を含む前記熱画像イメージを獲得することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記算出部が、
    前記熱画像イメージから第１測定線に対応する基板の地点別温度に関する第１候補データを抽出し、前記熱画像イメージから前記第１測定線に対して平行な第２測定線に対応する基板の地点別温度に関する第２候補データを抽出する抽出モジュール、および
    前記第１候補データと前記第２候補データを用いて、前記熱画像イメージに含まれる基板の地点別温度に関する温度データを算出する算出モジュールを含むことを特徴とする、請求項１～３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記算出モジュールが、
    前記第１候補データと前記第２候補データのうちのいずれか１つの候補データで、既設定された基準温度を超えた地点は、残りの１つの候補データの温度で決定し、前記第１候補データと前記第２候補データの両方で前記基準温度以下の地点は、前記第１候補データの温度と前記第２候補データの温度を平均した温度に決定することを特徴とする、請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記抽出モジュールが、基板と前記領域撮影部の間の離隔距離によって、前記第１測定線と前記第２測定線の間の間隔を決定することを特徴とする、請求項４に記載の基板処理装置。
  7. 前記抽出モジュールが、互いに０．３ｍｍの間隔で離隔した前記第１測定線と前記第２測定線を用いて、前記第１候補データと前記第２候補データを抽出することを特徴とする、請求項４に記載の基板処理装置。
  8. 前記抽出モジュールが、前記熱画像イメージから既設定された設定温度以下に該当する部分を除いた残りの部分を基板部分として抽出し、抽出された基板部分に対して前記第１候補データと前記第２候補データを抽出することを特徴とする、請求項４に記載の基板処理装置。
  9. 前記算出部が、
    前記温度データを複数用いて基板の温度分布を表す楕円形の検出イメージを生成する生成モジュール、および
    前記楕円形の検出イメージを基板に対応する円形の検出イメージに変換する変換モジュールを含むことを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
  10. 前記生成モジュールが、前記温度データの算出に用いられた前記熱画像イメージの撮影時間と前記基板支持部の回転速度を用いて、基板の１回転に該当する温度分布を示す楕円形の算出画像を生成し、
    前記変換モジュールは、前記基板支持部の回転速度と基板の地点別で前記基板支持部の回転軸から離隔した距離を用いて、基板の地点別座標を算出した後に、算出された座標によって前記楕円形の検出イメージを前記円形の検出イメージに変換することを特徴とする、請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記基板支持部に支持された基板の温度を調節するための温度調節部を含み、
    前記温度調整部が、前記算出部が算出した温度データを用いて基板の温度を調整することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
  12. 前記ガス噴射部が、前記算出部が算出した温度データを用いて、前記基板支持部に支持された基板の温度が既設定された処理温度に調整されるまで、前記基板支持部に対するガスの噴射を中止することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理装置。
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