JP2022113724A - 測定ウェハ装置 - Google Patents
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 40
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000712 assembly Effects 0.000 claims description 4
- 238000000429 assembly Methods 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 23
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 16
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 117
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000035418 detection of UV Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000025600 response to UV Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000004861 thermometry Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
- G01J1/429—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors applied to measurement of ultraviolet light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0204—Compact construction
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/0271—Housings; Attachments or accessories for photometers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/02—Details
- G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
- G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/58—Photometry, e.g. photographic exposure meter using luminescence generated by light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/08—Optical arrangements
- G01J5/0818—Waveguides
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K11/00—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
- G01K11/20—Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using thermoluminescent materials
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
Description
USPTO法定外要件のため、本出願は、発明者としてメイ サン(Mei Sun)、アール ジェンセン(Earl Jensen)、およびケヴィン オブライエン(Kevin O’Brien)が指名される、2014年10月14日に出願の出願第62/063,657号、WIRELESS UV AND TEMPERATURE SENSING DEVICE FOR HIGH TEMPERATURE PROCESSと題される米国仮特許出願の正規(非仮)特許出願を構成する。
Claims (21)
- 測定ウェハ装置であって、
ウェハ組立体と、
検出器組立体であって、1つまたは複数の光センサを含み、前記1つまたは複数の光センサが、前記ウェハ組立体の少なくとも1つの表面上に入射する、半導体処理環境からの紫外光の強度の間接測定を行うことで前記ウェハ組立体の温度を検出するように構成された、検出器組立体と、
を備え、
前記検出器組立体が、前記紫外光の強度の間接測定を、前記紫外光が変換された可視光の強度を測定することで行うように構成され、
前記1つまたは複数の光センサは、前記ウェハ組立体の基板から断熱されたセンサモジュール内に収容され、
前記検出器組立体は、前記ウェハ組立体の1つ以上の空洞に配置された1つ以上の導光要素を含み、前記導光要素は、前記紫外光が変換された可視光を前記センサモジュール内の前記1つまたは複数の光センサに伝送するように配置される装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記ウェハ組立体が、
基板と、
前記基板の一部分に動作可能に結合されるカバーと、
を備えることを特徴とする装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記検出器組立体が、
紫外光を可視光に変換するように構成された1つまたは複数の光ルミネセンス要素、
を含み、
前記1つまたは複数の光センサが、前記1つまたは複数の光ルミネセンス要素上に入射する紫外光の強度の間接測定を、前記1つまたは複数の光ルミネセンス要素によって放射される可視光の強度を測定することにより行うように構成されることを特徴とする装置。 - 請求項1に記載の装置であって、さらに、前記1つまたは複数の光センサが、前記1つまたは複数の光センサ上に入射する紫外光の前記強度の直接測定を行うように構成されることを特徴とする装置。
- 請求項1に記載の装置であって、さらに、前記1つまたは複数の光センサが、
前記1つまたは複数の光センサの電気的特性または強度特性の少なくとも一方により、
前記紫外光の強度の測定を行うことを特徴とする装置。 - 請求項5に記載の装置であって、前記電気的特性が、
既知電流で測定された前記1つまたは複数の光センサにわたる順電圧、
を含むことを特徴とする装置。 - 請求項5に記載の装置であって、前記強度特性が、
前記紫外光による1つまたは複数の光ルミネセンス要素の励起に応答して前記1つまたは複数の光センサ上に入射する可視光の強度特性、
を含むことを特徴とする装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記検出器組立体が、
1つまたは複数の光ルミネセンス要素の上に入射する紫外光の前記強度を示す前記1つまたは複数の光センサからの1つまたは複数の信号を受信するように構成された、制御装置、
を備えることを特徴とする装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記1つまたは複数の光センサが、
1つまたは複数のダイオード検出器、
を含むことを特徴とする装置。 - 請求項9に記載の装置であって、前記1つまたは複数のダイオード検出器が、
炭化ケイ素検出器、窒化ガリウムダイオード検出器、窒化アルミニウムガリウム検出器、またはケイ素検出器のうちの少なくとも1つ、
を含むことを特徴とする装置。 - 測定ウェハ装置であって、
ウェハ組立体と、
検出器組立体であって、その少なくとも一部分が前記ウェハ組立体の表面に配置され、1つまたは複数の光センサを含み、該1つまたは複数の光センサが、前記ウェハ組立体の少なくとも1つの表面上に入射する、半導体処理環境からの紫外光の前記強度の間接測定を行うことで前記ウェハ組立体の温度を検出するように構成された、検出器組立体と、
を備え、
前記検出器組立体が、前記紫外光の強度の間接測定を、前記紫外光が変換された可視光の強度を測定することで行うように構成され、
前記1つまたは複数の光センサは、前記ウェハ組立体の基板から断熱されたセンサモジュール内に収容され、
前記検出器組立体は、前記ウェハ組立体の1つ以上の空洞に配置された1つ以上の導光要素を含み、前記導光要素は、前記紫外光が変換された可視光を前記センサモジュール内の前記1つまたは複数の光センサに伝送するように配置される装置。 - 請求項11に記載の装置であって、前記ウェハ組立体が、
基板と、
前記基板の一部分に動作可能に結合されるカバーと、
を備えることを特徴とする装置。 - 請求項11に記載の装置であって、前記検出器組立体が、
紫外光を可視光に変換するように構成された1つまたは複数の光ルミネセンス要素、
を含み、
前記1つまたは複数の光センサが、前記1つまたは複数の光ルミネセンス要素上に入射する紫外光の強度の間接測定を、前記1つまたは複数の光ルミネセンス要素によって放射される可視光の強度を測定することにより行うように構成されることを特徴とする装置。 - 請求項11に記載の装置であって、さらに、前記1つまたは複数の光センサが、前記1つまたは複数の光センサ上に入射する紫外光の前記強度の直接測定を行うように構成されることを特徴とする装置。
- 請求項11に記載の装置であって、さらに、前記1つまたは複数の光センサが、
前記1つまたは複数の光センサの電気的特性または強度特性の少なくとも一方により、
前記紫外光の強度の測定を行うことを特徴とする装置。 - 請求項15に記載の装置であって、前記電気的特性が、
既知電流で測定された前記1つまたは複数の光センサにわたる順電圧、
を含むことを特徴とする装置。 - 請求項15に記載の装置であって、前記強度特性が、
前記紫外光による1つまたは複数の光ルミネセンス要素の励起に応答して前記1つまたは複数の光センサ上に入射する可視光の強度特性、
を含むことを特徴とする装置。 - 請求項11に記載の装置であって、前記検出器組立体が、
1つまたは複数の光ルミネセンス要素の上に入射する紫外光の強度を示す前記1つまたは複数の光センサからの1つまたは複数の信号を受信するように構成された、制御装置、
を備えることを特徴とする装置。 - 請求項11に記載の装置であって、前記1つまたは複数の光センサが、
1つまたは複数のダイオード検出器、
を含むことを特徴とする装置。 - 請求項19に記載の装置であって、前記1つまたは複数のダイオード検出器が、
炭化ケイ素検出器、窒化ガリウムダイオード検出器、窒化アルミニウムガリウム検出器、またはケイ素検出器のうちの少なくとも1つ、
を含むことを特徴とする装置。 - 測定ウェハ装置であって、
ウェハ組立体と、
検出器組立体であって、1つまたは複数の光センサと、紫外光を可視光に変換するように構成された1つまたは複数の光ルミネセンス要素と、を含む検出器組立体と、
を備え、
前記検出器組立体が、前記1つまたは複数の光ルミネセンス要素上に入射する半導体処理環境からの紫外光の前記強度の間接測定による前記ウェハ組立体の温度検出を、前記1つまたは複数の光ルミネセンス要素によって放射される可視光の強度を測定することにより行うように構成され、
前記1つまたは複数の光センサは、前記ウェハ組立体の基板から断熱されたセンサモジュール内に収容され、
前記検出器組立体は、前記ウェハ組立体の1つ以上の空洞に配置された1つ以上の導光要素を含み、前記導光要素は、前記光ルミネセンス要素によって放射される可視光を前記センサモジュール内の前記1つまたは複数の光センサに伝送するように配置されることを特徴とする装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201462063657P | 2014-10-14 | 2014-10-14 | |
US62/063,657 | 2014-10-14 | ||
US14/880,899 US9823121B2 (en) | 2014-10-14 | 2015-10-12 | Method and system for measuring radiation and temperature exposure of wafers along a fabrication process line |
US14/880,899 | 2015-10-12 | ||
JP2020122967A JP2020191458A (ja) | 2014-10-14 | 2020-07-17 | 測定ウェハ装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020122967A Division JP2020191458A (ja) | 2014-10-14 | 2020-07-17 | 測定ウェハ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022113724A true JP2022113724A (ja) | 2022-08-04 |
JP7378538B2 JP7378538B2 (ja) | 2023-11-13 |
Family
ID=55747214
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017519616A Active JP6738327B2 (ja) | 2014-10-14 | 2015-10-13 | 製造プロセスラインに沿ったウェハの放射線および温度暴露を測定するための方法およびシステム |
JP2020122967A Pending JP2020191458A (ja) | 2014-10-14 | 2020-07-17 | 測定ウェハ装置 |
JP2022088274A Active JP7378538B2 (ja) | 2014-10-14 | 2022-05-31 | 測定ウェハ装置 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017519616A Active JP6738327B2 (ja) | 2014-10-14 | 2015-10-13 | 製造プロセスラインに沿ったウェハの放射線および温度暴露を測定するための方法およびシステム |
JP2020122967A Pending JP2020191458A (ja) | 2014-10-14 | 2020-07-17 | 測定ウェハ装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9823121B2 (ja) |
EP (1) | EP3201942B1 (ja) |
JP (3) | JP6738327B2 (ja) |
KR (1) | KR102290939B1 (ja) |
CN (2) | CN106796903B (ja) |
TW (1) | TWI685907B (ja) |
WO (1) | WO2016061089A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10209515B2 (en) * | 2015-04-15 | 2019-02-19 | Razer (Asia-Pacific) Pte. Ltd. | Filtering devices and filtering methods |
WO2018054471A1 (en) * | 2016-09-22 | 2018-03-29 | Applied Materials, Inc. | Carrier for supporting a substrate, apparatus for processing a substrate and method therefore |
US10512704B2 (en) * | 2017-06-27 | 2019-12-24 | The Boeing Company | Cleanliness indication systems and methods |
US11655992B2 (en) * | 2018-02-13 | 2023-05-23 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Measuring system |
US10916411B2 (en) | 2018-08-13 | 2021-02-09 | Tokyo Electron Limited | Sensor-to-sensor matching methods for chamber matching |
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- 2015-10-13 EP EP15851269.9A patent/EP3201942B1/en active Active
- 2015-10-13 KR KR1020177012876A patent/KR102290939B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-13 WO PCT/US2015/055307 patent/WO2016061089A1/en active Application Filing
- 2015-10-13 JP JP2017519616A patent/JP6738327B2/ja active Active
- 2015-10-13 CN CN201580055146.9A patent/CN106796903B/zh active Active
- 2015-10-13 CN CN202011524836.3A patent/CN112635365B/zh active Active
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EP3201942A4 (en) | 2018-06-20 |
US20180052045A1 (en) | 2018-02-22 |
JP6738327B2 (ja) | 2020-08-12 |
CN112635365A (zh) | 2021-04-09 |
JP7378538B2 (ja) | 2023-11-13 |
JP2020191458A (ja) | 2020-11-26 |
EP3201942A1 (en) | 2017-08-09 |
US10215626B2 (en) | 2019-02-26 |
KR20170065660A (ko) | 2017-06-13 |
EP3201942B1 (en) | 2021-09-22 |
CN106796903B (zh) | 2021-01-08 |
KR102290939B1 (ko) | 2021-08-17 |
CN112635365B (zh) | 2022-04-01 |
WO2016061089A1 (en) | 2016-04-21 |
US9823121B2 (en) | 2017-11-21 |
TWI685907B (zh) | 2020-02-21 |
US20160138969A1 (en) | 2016-05-19 |
CN106796903A (zh) | 2017-05-31 |
TW201614752A (en) | 2016-04-16 |
JP2017539078A (ja) | 2017-12-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220531 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230626 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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