JP2001330513A

JP2001330513A - 温度測定方法および温度測定装置および半導体製造装置

Info

Publication number: JP2001330513A
Application number: JP2000147184A
Authority: JP
Inventors: Choei Osanai; 長栄長内; Kenichi Yamaga; 健一山賀; Toshio Goto; 俊夫後藤; Norihiko Nishizawa; 典彦西澤
Original assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Tohoku Ltd; Japan Science and Technology Corp
Current assignee: Tokyo Electron Ltd; Tokyo Electron Tohoku Ltd; Japan Science and Technology Agency
Priority date: 2000-05-19
Filing date: 2000-05-19
Publication date: 2001-11-30

Abstract

(57)【要約】【課題】被測定物の温度を正確に測定する。【解決手段】レーザ光源４からレーザ光を断続的に発
振させ、そのレーザ光を複数の波長にシフトさせて被測
定物ｗに照射し、その入射光ならびに被測定物ｗからの
反射光および放射光の強度を前記シフトされた波長毎に
測定し、この測定結果から被測定物ｗの温度を算出す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、温度測定方法およ
び温度測定装置および半導体製造装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】被処理体例えば半導体ウエハを加熱処理
して半導体デバイスを製造する装置においては、処理温
度によって被処理体の処理状態が大きく変化するため、
所定の特性の半導体デバイスを得る上で温度の制御が重
要な要素となる。特に、被処理体の表面は半導体デバイ
スの要部となるため、温度制御のための情報となる被処
理体表面の正確な温度測定は製造工程に欠かせない。

【０００３】このような半導体製造装置における被処理
体の温度測定方法の従来技術の一形式として、放射温度
計を用いた被接触型の温度測定方法が知られている。し
かしながら、この温度測定方法においては、測定に先立
ち、被測定物である被処理体の放射率を設定する必要が
あるが、放射率が未知の被処理体や、例えば薄膜形成等
による表面状態の変化に伴って放射率が変化する場合等
は、正確な温度を測定することができなかった。

【０００４】そこで、このような問題を解消するため
に、例えば特開平２−２５６２５４号公報に記載されて
いるような温度測定方法が提案されている。この温度測
定方法は、処理中の半導体ウエハに断続的に赤外線を照
射し、照射された赤外線の反射光および半導体ウエハか
ら放射される赤外線のうち波長が１μｍ以下であって波
長の異なる複数種の赤外線の強度を選択的に測定し、こ
の測定結果から前記半導体ウエハの温度を算出するもの
であり、従来に比べて半導体ウエハの正確な温度を測定
することが可能となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記温
度測定方法においては、光源として白色光源を用いてい
るため、迷光等の外乱を受け易く、正確な温度を測定す
る上で限界があった。

【０００６】本発明は、前記事情を考慮してなされたも
ので、被測定物の温度を正確に測定することができる温
度測定方法および温度測定装置を提供することを目的と
する。また、本発明は、処理中の被処理体の温度を正確
に測定して所望の処理を確実に行うことができる半導体
製造装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項１
の温度測定方法は、レーザ光源からレーザ光を断続的に
発振させ、そのレーザ光を複数の波長にシフトさせて被
測定物に照射し、その入射光ならびに被測定物からの反
射光および放射光の強度を前記シフトされた波長毎に測
定し、この測定結果から被測定物の温度を算出すること
を特徴とする。

【０００８】請求項２の温度測定装置は、レーザ光を断
続的に発振するレーザ光源と、このレーザ光源からのレ
ーザ光を複数の波長にシフトさせる波長シフト手段と、
この波長シフト手段を介して複数の波長にシフトされた
レーザ光を被測定物に照射し、その入射光ならびに被測
定物からの反射光および放射光の強度を前記シフトされ
た波長毎に測定する測定手段と、この測定手段の測定結
果から被測定物の温度を算出する演算処理部とを備えた
ことを特徴とする。

【０００９】請求項３の温度測定装置は、請求項２の温
度測定装置において、前記波長シフト手段が、レーザ光
源からのレーザ光を分光する偏光ビームスプリッタと、
分光されたレーザ光を複数の波長にシフトさせる定偏波
ファイバとからなることを特徴とする。

【００１０】請求項４の温度測定装置は、請求項２の温
度測定装置において、前記波長シフト手段が、レーザ光
の強度を変える光学素子と、レーザ光の強度に応じて波
長をシフトさせる定偏波ファイバとからなることを特徴
とする。

【００１１】請求項５の半導体製造装置は、被処理体を
収容して所定の処理を行う加熱手段を有する処理室と、
レーザ光を断続的に発振するレーザ光源、このレーザ光
源からのレーザ光を複数の波長にシフトさせる波長シフ
ト手段、この波長シフト手段を介して複数の波長にシフ
トされたレーザ光を前記処理室内の被処理体に照射し、
その入射光ならびに被処理体からの反射光および放射光
の強度を前記シフトされた波長毎に測定する測定手段、
この測定手段の測定結果から被処理体の温度を算出する
演算処理部を有する温度測定装置と、この温度測定装置
により測定した温度を基に前記加熱手段を制御する制御
部とを備えたことを特徴とする。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を添
付図面に基いて詳述する。

【００１３】本発明の第１の実施の形態を示す図１にお
いて、１は半導体製造装置である枚葉式熱処理装置の処
理室で、この処理室１は加熱手段である抵抗発熱体から
なるヒータ２を備えている。処理室１内には、被処理体
例えば半導体ウエハｗが収容されている。処理室１に
は、所定の処理ガスや不活性ガスを導入するガス導入系
および処理室内を減圧排気可能な排気系が接続されてい
る（図示省略）。

【００１４】被測定物である処理中の前記半導体ウエハ
ｗの温度を測定するために、熱処理装置には温度測定装
置３が設けられている。この温度測定装置３は、レーザ
光を断続的に発振するレーザ光源４と、このレーザ光源
４からのレーザ光を波長の異なる複数（複数種）の波長
（波長領域）（λ１，λ２，λ３）にシフトさせる波長
シフト手段５と、この波長シフト手段５を介して複数の
波長（λ１，λ２，λ３）にシフトされたレーザ光を被
測定物である半導体ウエハｗに照射し、その入射光なら
びに半導体ウエハｗからの反射光および放射光の強度を
前記シフトされた波長（λ１，λ２，λ３）毎に測定す
る測定手段６と、この測定手段６の測定結果から半導体
ウエハｗの温度を算出する算出手段である演算処理部７
とを備えている。

【００１５】レーザ光源４は、パルスレーザ発振器例え
ばファイバレーザからなっている。前記波長シフト手段
５は、レーザ光源４からのレーザ光を２つに分光する偏
光ビームスプリッタ８と、分光されたレーザ光を複数例
えば３つの波長（λ１，λ２，λ３）にシフトさせる２
つの定偏波ファイバ９ａ，９ｂとからなる。

【００１６】一方の定偏波ファイバ９ａは、レーザ光を
２つの波長λ１，λ２例えばλ１＝１．５５μｍとλ２
＝１．６０μｍにシフトし、他方の定偏波ファイバ９ｂ
は、レーザ光を２つの波長λ１，λ３例えばλ１＝１．
５５μｍとλ３＝１．６５μｍにシフトする。なお、λ
１はレーザ光源４から発振されるレーザ光本来の波長で
ある。被測定物ｗからの放射光の測定時にレーザ光を遮
断するために、偏光ビームスプリッタ８とレーザ光源４
との間にはチョッパ１０が設けられている。

【００１７】前記定偏波ファイバ９ａ，９ｂの出力側
は、合流分岐カプラ１１を介して２本の入力用の光ファ
イバすなわち第１入力光ファイバ１２ａと第２入力光フ
ァイバ１２ｂに分岐され、その一方の第１入力光ファイ
バ１２ａが光学ヘッド１３にカプラ１４を介して接続さ
れ、他方の第２入力光ファイバ１２ｂが光源出力検出部
（入力光検出部）１５に接続されている。前記処理室１
には、被測定物である半導体ウエハｗにレーザ光を照射
し、且つ、半導体ウエハｗで反射される反射光および同
半導体ウエハｗから放射される放射光を取込む光学ヘッ
ド１３が設けられている。検出精度を向上させるため
に、光学ヘッド１３と処理室１の間には、反射光と放射
光を一定周波数例えば１００Ｈｚで遮断するチョッパ１
００が設けられていることが好ましい。後述の検出部１
９，２０に例えば１００Ｈｚの信号のみを増幅する機能
を入れておくことにより、検出精度ないし感度の向上が
図れる。なお、前記チョッパ１００は、設けられていな
くてもよい。

【００１８】この光学ヘッド１３には、カプラ１４を介
して前記第１入力光ファイバ１２ａと出力用の光ファイ
バ１６が接続されている。この出力用の光ファイバ１６
は分岐カプラ１７を介して２つの出力用の光ファイバす
なわち第１出力光ファイバ１８ａと第２出力光ファイバ
１８ｂに分岐され、その一方の第１出力光ファイバ１８
ａが反射光検出部１９に、他方の第２出力光ファイバ１
８ｂが放射光検出部２０にそれぞれ接続されている。

【００１９】前記光源出力検出部１５は半導体ウエハｗ
に対する入射光であるレーザ光源４の光源出力光の強度
を、反射光検出部１９は半導体ウエハｗからの反射光の
強度を、放射光検出部２０は半導体ウエハｗからの放射
光の強度を前記シフトされた複数の波長（λ１，λ２，
λ３）毎にそれぞれ検出するようになっている。各検出
部１５，１９，２０は、光（レーザ光ないし赤外線）を
前記シフトされた波長（λ１，λ２，λ３）に分ける回
折格子２１と、この回折格子２１により波長毎に分けら
れた光の強度を検出する受光素子（赤外線センサ）２２
と、この受光素子２２の検出信号を増幅する増幅器２３
とから主に構成されている。

【００２０】光源出力検出部１５、反射光検出部１９お
よび放射光検出部２０の出力信号はデータ計測部２４例
えば多入力デジタルマルチメータに入力され、このデー
タ計測部２４の出力信号は演算処理部７例えばパーソナ
ルコンピュータに入力されるようになっている。光源出
力検出部１５、反射光検出部１９および放射光検出部２
０とデータ計測部２４は前記測定手段６を構成してい
る。演算処理部７はこの測定手段６の測定結果から半導
体ウエハｗの温度を次のように算出するように構成され
ている。

【００２１】すなわち、測定入射光強度をＰ（λｉ）、
測定反射光強度をＲ（λｉ）、測定放射光強度をＤ（λ
ｉ）とし（但し、λｉ＝λ１、λ２、λ３）、放射率を
ε、反射率をρとすると、被測定物が透明でない場合
（光の透過がない場合）、ε＋ρ＝１となる。また、反
射率ρを求めるためには、全空間への反射光をすべて測
定しなければらならないが、実際には全反射光の一部を
測定するので、部分反射率をβとする。反射率はρ＝１
−εであり、入射光強度に反射率を掛けたものが全反射
光強度であるから、全反射光強度をＲ（λｉ）／βとす
ると、（１−ε）Ｐ（ｉ）＝Ｒ（ｉ）／β … となる。

【００２２】ここで、１／βを波長の多項式の形で近似
すると、１／β＝ａ₀＋ａ₁λｉ¹＋…ａ_nλｉⁿ … となるが、βの波長による変化は、ρの変化に比べて小
さく、更に波長が近接している場合は、ほとんど波長に
依存しないと考えられるので、１／β≒ａ₀ … と近似できる。

【００２３】また、温度Ｔの黒体を測定した時の放射強
度をＤ_B（λｉ，Ｔ）とすると、Ｄ（λｉ）＝ε・Ｄ_B（λｉ，Ｔ） … となる。式、式および式からβとεを消去する
と、Ｄ（λｉ）＝(１−ａ₀・Ｒ（λｉ）／Ｐ（λｉ）)・Ｄ_B（λｉ，Ｔ）… となる。

【００２４】この式により被測定物の温度Ｔを算出す
ることができる。この場合、２つの波長で測定すること
により、被測定物の温度を算出することが可能である
が、その算出温度は数式の近似や測定器の誤差等の誤差
要因を含むため、正確とはいえない。そこで、３つの波
長（λ１,λ２,λ３）で測定し、最小二乗法で近似する
ことにより、より正確な温度を算出するようにする。

【００２５】以上の構成からなる温度測定装置３により
測定算出した半導体ウエハｗの温度を基に前記ヒータ２
を制御するために、演算処理部７の出力信号をヒータ２
の制御部（ヒータ制御部）２６に入力して、ヒータ２を
制御するように構成されている。

【００２６】以上の構成からなる温度測定装置３ないし
温度測定方法によれば、レーザ光源４からレーザ光を断
続的に発振させ、そのレーザ光を波長シフト手段５によ
り複数の波長にシフト（λ１，λ２，λ３）させて被測
定物ｗに照射し、その入射光ならびに被測定物ｗからの
反射光および放射光の強度を前記シフトされた波長（λ
１，λ２，λ３）毎に測定手段６により測定し、この測
定結果から被測定物ｗの温度を算出手段である演算処理
部５により算出するように構成されているため、白色光
源を用いている従来の温度測定装置ないし温度測定方法
と異なり、迷光等の外乱の影響を受け難く、被測定物ｗ
の放射率が未知であっても被測定物ｗの温度を正確に測
定することができる。

【００２７】また、前記熱処理装置によれば、被処理体
例えば半導体ウエハｗを収容して所定の処理を行う加熱
手段例えばヒータ２を有する処理室１と、レーザ光を断
続的に発振するレーザ光源４、このレーザ光源４からの
レーザ光を複数の波長（λ１，λ２，λ３）にシフトさ
せる波長シフト手段５、この波長シフト手段５を介して
複数の波長（λ１，λ２，λ３）にシフトされたレーザ
光を前記処理室１内の半導体ウエハｗに照射し、その入
射光ならびに半導体ウエハｗからの反射光および放射光
の強度を前記シフトされた波長（λ１，λ２，λ３）毎
に測定する測定手段６、この測定手段６の測定結果から
半導体ウエハｗの温度を算出する演算処理部５を有する
温度測定装置３と、この温度測定装置３により測定した
温度を基に前記ヒータ２を制御する制御部（ヒータ制御
部）２６とを備えているため、処理中の半導体ウエハｗ
の温度を正確に測定して所望の処理を確実に行うことが
できる。

【００２８】図２は本発明の第２の実施の形態を示して
いる。本実施の形態において、図１の実施の形態と同一
部分は同一符号を付して説明を省略し、異なる部分につ
いて説明する。本実施の形態では、波長シフト手段５
が、レーザ光の強度を時分割で変えることができる強度
調整用の光学素子２７と、この光学素子２７により変え
られたレーザ光の強度に応じて波長をシフトさせる定偏
波ファイバ２８とからなる。

【００２９】光学素子２７は、電圧を変えてかけること
で透過する光量を変えることができ、例えば０．１秒お
きに定偏波ファイバ２８を介して１．５５μｍ、１．６
０μｍ、１．６５μｍの波長ピークが順に生成できるよ
うに制御部２９により制御されるように構成されてい
る。このように時分割でレーザ光を発振させて波長をシ
フトさせ、その入射光強度および反射光強度を光源側と
同期させて検出するために、波長シフト手段５と検出手
段であるデータ計測部２４もしくは演算処理部７とは制
御部２９により同期がとられている。前記定偏波ファイ
バ２８の出力側は分岐カプラ２５を介して第１入力光フ
ァイバ１２ａと第２入力光ファイバ１２ｂに分岐されて
いる。

【００３０】このように時分割で波長シフトが行えるた
め、光源出力検出部１５および反射光検出部１９は、図
１の実施の形態と異なり、入射光および反射光を波長
（λ１，λ２，λ３）毎に分光する回折格子が不用にな
ると共に、受光素子２２および増幅器２３が一組で足り
る。なお、被測定物例えば半導体ウエハｗから放射され
る放射光は、波長毎に分光する必要があるため、第２出
力光ファイバ１８ｂが分岐カプラ３０を介して３つに分
光され、λ１，λ２，λ３の波長を選択的に通す波長フ
ィルタ３１ａ，３１ｂ，３１ｃを介して各光学素子２２
に入光されるようになっている。

【００３１】図２の実施の形態によれば、図１の実施の
形態と同様に被測定物ないし半導体ウエハｗの温度を正
確に測定することができることは勿論のこと、簡単な構
成でレーザ光を複数の波長に時分割でシフトすることが
できるため、入射光および反射光を測定する際の分光が
不用になり、図１の実施の形態よりもシステムの単純化
が図れる。入射光および反射光を測定する際の分光が不
要であることから、各波長領域での強度が減衰されるこ
とがない。

【００３２】なお、図２の実施の形態では、放射光を複
数の波長（λ１，λ２，λ３）に分光する手段として、
分岐カプラ３０と波長フィルタ３１ａ，３１ｂ，３１ｃ
を採用しているが、図１の実施の形態と同様に回折格子
を採用してもよい。また、図２の実施の形態において、
波長フィルタ３１ａ，３１ｂ，３１ｃの変わりに１個の
可変波長フィルタを用いれば、分岐カプラ３０が不用に
なると共に、受光素子２２および増幅器２３が一組で足
り、更にシステムの単純化が図れる。

【００３３】図３は本発明の第３の実施の形態を示して
いる。本実施の形態において、図２の実施の形態と同一
部分は同一符号を付して説明を省略し、異なる部分につ
いて説明する。本実施の形態では、第１出力光ファイバ
１８ａが第２入力光ファイバ１２ｂに合流カプラ３５を
介して合流接続されており、光源出力と反射光を共通の
検出部（光源出力・反射光検出部）１５０で検出するよ
うに構成されている。この場合、前記第１出力光ファイ
バ１８ａと第２入力光ファイバ１２ｂとには、光源出力
光と反射光を切換えるためのチョッパー３６ａ，３６ｂ
が設けられている。

【００３４】図３の実施の形態によれば、図２の実施の
形態と同様の効果を奏することができる他に、光源出力
と反射光を同じ検出部１５０で検出するため、検出部の
固体差により生じる誤差を防ぐことができると共に、シ
ステムの更なる単純化が図れる。

【００３５】なお、図３の実施の形態では、光源出力光
と反射光を切換えるために２つのチョッパー３６ａ，３
６ｂが用いられているが、図４の（ａ）に示すように、
第１出力光ファイバ１８ａと第２入力光ファイバ１２ｂ
を平行に配置し、両ファイバに跨るようにチョッパー３
６を設置すれば、１つのチョッパーで足り、システムの
更なる単純化が図れる。この場合、前記チョッパー３６
は、図４の（ｂ）に示すように、半円形の回転遮蔽板３
６ｄを有しており、光源出力を検出する時は反射光を遮
り、反射光を検出する時は光源出力光を遮るように構成
されている。

【００３６】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、前記実施の形態で
は、被測定物の一点の温度を測定するように構成されて
いるが、被測定物の複数点の温度を測定するように構成
してもよい。

【００３７】また、前記実施の形態では、半導体製造装
置の被処理体の温度を測定するようにした例が示されて
いるが、本発明の温度測定方法および温度測定装置は被
処理体に限らず、あらゆる物の温度を測定することが可
能である。また、半導体製造装置における加熱手段とし
ては、ランプであってもよい。更に、被処理体として
は、半導体ウエハ以外に、例えばガラス基板等であって
もよい。

【００３８】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な効果を奏することができる。

【００３９】（１）請求項１の温度測定方法によれば、
レーザ光源からレーザ光を断続的に発振させ、そのレー
ザ光を複数の波長にシフトさせて被測定物に照射し、そ
の入射光ならびに被測定物からの反射光および放射光の
強度を前記シフトされた波長毎に測定し、この測定結果
から被測定物の温度を算出するため、迷光等の外乱の影
響を受け難く、被測定物の温度を正確に測定することが
できる。

【００４０】（２）請求項２の温度測定装置によれば、
レーザ光を断続的に発振するレーザ光源と、このレーザ
光源からのレーザ光を複数の波長にシフトさせる波長シ
フト手段と、この波長シフト手段を介して複数の波長に
シフトされたレーザ光を被測定物に照射し、その入射光
ならびに被測定物からの反射光および放射光の強度を前
記シフトされた波長毎に測定する測定手段と、この測定
手段の測定結果から被測定物の温度を算出する演算処理
部とを備えているため、迷光等の外乱の影響を受け難
く、被測定物の温度を正確に測定することができる。

【００４１】（３）請求項３の温度測定装置によれば、
前記波長シフト手段が、レーザ光源からのレーザ光を分
光する偏光ビームスプリッタと、分光されたレーザ光を
複数の波長にシフトさせる定偏波ファイバとからなるた
め、簡単な構成でレーザ光を複数の波長に容易にシフト
させることができる。

【００４２】（４）請求項４の温度測定装置によれば、
前記波長シフト手段が、レーザ光の強度を時分割で変え
る光学素子と、レーザ光の強度に応じて波長をシフトさ
せる定偏波ファイバとからなるため、簡単な構成でレー
ザ光を複数の波長に時分割でシフトさせることができ、
入射光および反射光を測定する際の分光が不用になり、
システムの単純化が図れる。

【００４３】（５）請求項５の半導体製造装置によれ
ば、被処理体を収容して所定の処理を行う加熱手段を有
する処理室と、レーザ光を断続的に発振するレーザ光
源、このレーザ光源からのレーザ光を複数の波長にシフ
トさせる波長シフト手段、この波長シフト手段を介して
複数の波長にシフトされたレーザ光を前記処理室内の被
処理体に照射し、その入射光ならびに被処理体からの反
射光および放射光の強度を前記シフトされた波長毎に測
定する測定手段、この測定手段の測定結果から被処理体
の温度を算出する演算処理部を有する温度測定装置と、
この温度測定装置により測定した温度を基に前記加熱手
段を制御する制御部とを備えているため、処理中の被処
理体の温度を正確に測定して所望の処理を確実に行うこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態を示す図である。

【図２】本発明の第２の実施の形態を示す図である。

【図３】本発明の第３の実施の形態を示す図である。

【図４】図３における光源出力光側と反射光側のチョッ
パーを一つにした変形例を示す図で、（ａ）は構成図、
（ｂ）はチョッパーの正面図である。

【符号の説明】

ｗ半導体ウエハ（被処理体、被測定物）１処理室２ヒータ（加熱手段）３温度測定装置４レーザ光源５波長シフト手段６測定手段７演算処理部８偏光ビームスプリッタ９ａ，９ｂ定偏波ファイバ１５光源出力検出部１９反射光検出部２０放射光検出部２１回折格子２４データ計測部２６制御部２７光学素子２８定偏波ファイバ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者長内長栄神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号東京エレクトロン東北株式会社相模事業所内 (72)発明者山賀健一神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号東京エレクトロン東北株式会社相模事業所内 (72)発明者後藤俊夫愛知県日進市五色園３−2110 (72)発明者西澤典彦愛知県名古屋市熱田区大宝２−４−43 白鳥住宅５−34 Ｆターム(参考） 2G066 AA02 AA04 AC20 BA11 BA34 BB01 BB20 BC07 BC15 BC30 4M106 AA01 BA05 CA70 DH02 DH12 DH32 DH40 DH46 5F045 GB05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】レーザ光源からレーザ光を断続的に発振
させ、そのレーザ光を複数の波長にシフトさせて被測定
物に照射し、その入射光ならびに被測定物からの反射光
および放射光の強度を前記シフトされた波長毎に測定
し、この測定結果から被測定物の温度を算出することを
特徴とする温度測定方法。
【請求項２】レーザ光を断続的に発振するレーザ光源
と、このレーザ光源からのレーザ光を複数の波長にシフ
トさせる波長シフト手段と、この波長シフト手段を介し
て複数の波長にシフトされたレーザ光を被測定物に照射
し、その入射光ならびに被測定物からの反射光および放
射光の強度を前記シフトされた波長毎に測定する測定手
段と、この測定手段の測定結果から被測定物の温度を算
出する演算処理部とを備えたことを特徴とする温度測定
装置。
【請求項３】前記波長シフト手段が、レーザ光源から
のレーザ光を分光する偏光ビームスプリッタと、分光さ
れたレーザ光を複数の波長にシフトさせる定偏波ファイ
バとからなることを特徴とする請求項２記載の温度測定
装置。
【請求項４】前記波長シフト手段が、レーザ光の強度
を変える光学素子と、レーザ光の強度に応じて波長をシ
フトさせる定偏波ファイバとからなることを特徴とする
請求項２記載の温度測定装置。
【請求項５】被処理体を収容して所定の処理を行う加
熱手段を有する処理室と、レーザ光を断続的に発振する
レーザ光源、このレーザ光源からのレーザ光を複数の波
長にシフトさせる波長シフト手段、この波長シフト手段
を介して複数の波長にシフトされたレーザ光を前記処理
室内の被処理体に照射し、その入射光ならびに被処理体
からの反射光および放射光の強度を前記シフトされた波
長毎に測定する測定手段、この測定手段の測定結果から
被処理体の温度を算出する演算処理部を有する温度測定
装置と、この温度測定装置により測定した温度を基に前
記加熱手段を制御する制御部とを備えたことを特徴とす
る半導体製造装置。