JP2022104862A - 支持装置、及び支持装置を含む基板処理装置 - Google Patents

支持装置、及び支持装置を含む基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2022104862A
JP2022104862A JP2021125727A JP2021125727A JP2022104862A JP 2022104862 A JP2022104862 A JP 2022104862A JP 2021125727 A JP2021125727 A JP 2021125727A JP 2021125727 A JP2021125727 A JP 2021125727A JP 2022104862 A JP2022104862 A JP 2022104862A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
support
chamber
fluid
process chamber
support device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2021125727A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7309789B2 (ja
Inventor
ヨンヒ イ
Yong Hee Lee
サンミン イ
Sang Min Lee
ウイサン イム
Euisang Lim
ドヒョン ユン
Dohyeon Yoon
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semes Co Ltd
Original Assignee
Semes Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semes Co Ltd filed Critical Semes Co Ltd
Publication of JP2022104862A publication Critical patent/JP2022104862A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7309789B2 publication Critical patent/JP7309789B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
    • F26B5/005—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by dipping them into or mixing them with a chemical liquid, e.g. organic; chemical, e.g. organic, dewatering aids
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Abstract

【課題】工程室が改善した安定性及び向上した耐久性を有する支持装置及びこのような支持装置を含む基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗに対して、所定の工程が行われる処理空間１２５を提供する工程室１０５と、工程室１０５に接触され、工程室１０５を支持する支持装置とを含む。支持装置は、工程室１０５の構成要素を支持する支持空間１３０を提供する支持室１２０と、支持空間１３０内に流体を供給する第２の供給ライン１６０と、を含む。【選択図】図２

Description

本発明は、支持装置、及び支持装置を含む基板処理装置に関する。より詳しくは、本発明は、工程室が改善した安定性及び向上した耐久性を有する支持装置、及びこのような支持装置を含む基板処理装置に関する。
この出願は、２０２０年１２月３０日付で大韓民国特許庁に出願された大韓民国特許出願第１０－２０２０－０１８７３０１号を優先権として伴う出願である。
一般に、半導体装置を含む集積回路装置、又は平板ディスプレイ装置を含むディスプレイ装置は、蒸着室、スパッタ室、エッチング室、洗浄室、乾燥室などのような様々な工程室を含む基板処理装置を用いて製造される。
前記工程室内に超臨界状態にある流体が導入される場合、前記超臨界状態にある流体により発生する高い圧力により、前記工程室を構成する要素が変形又は損傷することがある。これにより、前記高い圧力を引き起こす超臨界状態の流体により、前記工程室の構造的な安定性及び耐久性が低下する。また、前記工程室内において基板に対して行われる工程の安定性が低下する。
本発明は、工程室の構造的な安定性を改善し、前記工程室の耐久性を向上させる支持装置を提供する。
また、本発明は、工程室の構造的な安定性を改善し、前記工程室の耐久性を向上させる支持装置を含む基板処理装置を提供する。
本発明の一側面によると、基板に対して、所定の工程を行う工程室のための支持装置が提供される。前記支持装置は、前記工程室に隣接して配置される支持室と、前記支持室内に流体を供給する供給部材とを含む。
前記支持室は、前記工程室に接触される。
前記支持室内の圧力は、実質的に前記工程室内の圧力より同等以上である。
前記工程室内に、分岐ラインを含む第１の供給ラインを介して、超臨界状態の前記流体が供給され、前記供給部材は、前記支持室内に前記超臨界状態の流体を供給する第２の供給ラインを含む。
前記第１の供給ラインは、前記工程室の上部に連結される第１の分岐ラインと、前記工程室の下部に連結される第２の分岐ラインとを含む。
前記第１の分岐ラインは、前記超臨界状態の流体の流量を調節するための第１の調節バルブを含み、前記第２の分岐ラインは、前記超臨界状態の流体の流量を調節するための第２の調節バルブを含み、前記第２の供給ラインは、前記超臨界状態の流体の流量を調節するための第３の調節バルブを含む。
前記第２の分岐ラインは、前記支持室を通して前記工程室に連結される。
前記支持室は、側部に提供される第１の連結ポートと、上部に提供される第２の連結ポートとを含む。
前記工程室内に、供給ラインを介して、超臨界状態の前記流体が供給され、前記供給部材は、前記供給ラインから分けられ、前記支持室内に前記超臨界状態の流体を供給する分岐ラインを含む。
前記供給ラインから分けられる分岐ラインを介して、前記工程室内に前記超臨界状態の流体が供給される。
前記工程室内に、第１の供給ラインを介して、超臨界状態の前記流体が供給され、前記供給部材は、前記支持室内に前記超臨界状態の流体を供給する第２の供給ラインを含む。
前記第１の供給ラインは、前記工程室の側部に提供される第１の流入ポートに連結され、前記第２の供給ラインは、前記支持室の側部に提供される第２の流入ポートに連結される。
前記工程室内に、供給ラインを介して、超臨界状態の前記流体が供給され、前記供給部材は、前記供給ラインから分けられ、前記支持室内に前記超臨界状態の流体を供給する分岐ラインを含むことを特徴とする請求項３に記載の支持装置。
本発明の他の側面によると、基板に対して、所定の工程が行われる工程空間を提供する工程室と、前記工程室に接触され、前記工程室を支持する支持装置とを含む基板処理装置が提供される。前記支持装置は、前記工程室の構成要素を支持する支持空間を提供する支持室及び前記支持空間内に、流体を供給する供給部材を含む。
前記支持空間内の圧力は、実質的に前記工程空間内の圧力より同等以上である。
前記基板処理装置は、更に、前記工程室内に超臨界状態の前記流体を供給する分岐ラインを含む第１の供給ラインを含み、前記供給部材は、前記支持室内に前記超臨界状態の流体を供給する第２の供給ラインを含む。こぼ場合、前記第１の供給ラインは、前記工程室の上部に連結される第１の分岐ライン、及び前記工程室の下部に連結される第２の分岐ラインを含む。例えば、前記第２の分岐ラインは、前記支持室を通して、前記工程室に連結され、前記支持室は、その側部に提供される第１の連結ポート、及びその上部に提供される第２の連結ポートを含む。
また、前記基板処置装置は、更に、前記工程室内に超臨界状態の前記流体を供給する供給ラインを含み、前記供給部材は、前記供給ラインから分けられ、前記支持室内に前記超臨界状態の流体を供給する分岐ラインを含む。
本発明によると、前記支持室及び前記供給部材を含む前記支持装置において、前記工程室に含まれる構成要素が、前記工程室内に導入される前記超臨界状態の流体により発生する高い圧力で、変形、損傷、又は割れが生じることを効率よく防止することができる。これにより、前記工程室の構造的な安定性及び耐久性を向上することができ、前記工程室内で行われる工程の信頼性を改善することができる。その結果、前記基板処理装置を用いて製造される半導体装置を含む集積回路装置、又は平板ディスプレイ装置を含むディスプレイ装置の製造のためのコストを節減し、且つ、前記集積回路装置又は前記ディスプレイ装置の信頼性を向上することができる。
本発明の効果は、前述したことに限定されるものではなく、本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲で様々に拡張されることができる。
図１は、本発明の実施例による基板処理装置を説明するための平面図である。 図２は、本発明の実施例による工程室及び支持装置を説明するための断面図である。 図３は、本発明の他の実施例による工程室及び支持装置を説明するための断面図である。 図４は、本発明の更に他の実施例による工程室及び支持装置を説明するための断面図である。 図５は、本発明の更に他の実施例による工程室及び支持装置を説明するための断面図である。
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施例を説明する。本発明は、様々な変更を加え、様々な形態を有することができるところ、実施例を本文で詳細に説明する。しかし、これは、本発明を特定の開示形態について限定しようとすることではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全ての変更、均等物乃至代替物を含むことと理解されるべきである。各図面を説明し、類似した図面符号を、類似した構成要素に対して使用した。第１、第２のなどの用語は、様々な構成要素を説明することに用いられるが、前記構成要素は、前記用語により限定されてはいけない。前記用語は、１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的としてのみ使われる。本出願で使用した用語は、単に、特定の実施例を説明するために使われており、本発明を限定しようとする意図ではない。単数の表現は、文脈上、明白に異なることを意味しない限り、複数の表現を含む。本出願において、「含む」又は「からなる」などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、パーツ、又はこれらを組み合わせるものが存在することを指定しようとすることであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、パーツ、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されるべきである。
異なって定義しない限り、技術的や科学的な用語を含めて、ここで使われる全ての用語は、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者にとって、一般に理解されることと同様な意味を有している。一般に使われる辞典に定義されているような用語は、関連技術の文脈上有する意味と一致する意味を有するものと解析されるべきであり、本出願で明白に定義しない限り、理想的又は過度に形式的な意味として解析されない。
以下、添付の図面を参照して、本発明の実施例をより詳しく説明する。全図面に亘って、同一の構成要素は、同一の図面符号を付しており、同一の構成要素に関する繰返し説明は、省略することにする。
図１は、本発明の実施例による基板処理装置を説明するための平面図である。
図１に示しているように、本発明による基板処理装置は、インデックスモジュール２０と、処理モジュール５５とを含む。
前記インデックスモジュール２０は、基板を、外部から処理モジュール５５内に移送し、前記処理モジュール５５は、前記基板に対して、所定の工程を行う。この場合、前記基板は、集積回路装置又はディスプレイ装置の製造のために用いられる。例えば、前記基板は、シリコンウエハ、ガラス基板、有機基板、セラミックス基板などを含むことができる。
実施例において、前記インデックスモジュール２０は、ロード室１０と、移送フレーム１５とを含む。前記ロード室１０内に、前記基板を収容するキャリア２５が積載される。例えば、前記キャリア２５として、ＦＯＵＰ(Front-Opening Unified Pod)が用いられる。前記キャリア２５は、ＯＨＴ(overhead transfer)により、外部から前記ロード室１０内へ移送され、前記ロード室１０から外部へ移送される。
前記移送フレーム１５は、処理モジュール５５と、前記ロード室１０内に積載される前記キャリア２５との間で前記基板を移送する。前記移送フレーム１５は、インデックスロボット３０と、インデックスレール３５とを含む。
前記インデックスロボット３０は、前記インデックスレール３５に沿って移動し、前記インデックスモジュール２０と前記処理モジュール５５の間で前記基板を移送する。例えば、前記インデックスロボット３０は、前記インデックスレール３５上を移動しながら、前記基板を、前記キャリア２５とバッファスロット６０の間で移送する。
図１に示しているように、前記処理モジュール５５は、これに限定されるものではなく、前記基板に対して、蒸着工程、エッチング工程、スパッタリング工程、塗布工程、現像工程、洗浄工程、及び乾燥工程を含む所定の工程を行う。前記処理モジュール５５は、バッファ室４０、移送室４５、前記工程室５０、制御ユニット(図示せず)などを含む。
前記インデックスモジュール２０及び前記処理モジュール５５の間で移送される前記基板は、前記所定の工程のために、前記バッファ室４０内で待機する。前記バッファ室４０内には、前記基板が上部に置かれる前記バッファスロット６０が配置される。実施例において、前記バッファ室４０内に複数のバッファスロット６０が提供され、これにより、複数の基板が前記バッファ室４０内に置かれる。
前記移送室４５は、前記バッファ室４０及び前記工程室５０の間に前記基板を移送する。前記移送室４５は、移送ロボット６５と、移送レール７０とを含む。前記移送ロボット６５は、前記移送レール７０に沿って移動し、前記基板を、前記バッファ室４０及び前記工程室５０の間で移送する。例えば、前記移送ロボット６５は、前記移送レール７０上を移動しながら、前記バッファスロット６０上に位置する前記基板を、前記工程室５０内に移送する。
実施例において、前記基板処理装置は、複数の工程室５０を含む。例えば、前記複数の工程室５０は、これに限定されるものではなく、半導体装置を含む集積回路装置、又は平板ディスプレイ装置を含むディスプレイ装置を製造するために、様々な工程を行うエッチング室、蒸着室、スパッタ室、塗布室、現象室、洗浄室、及び乾燥室を含む。
前記工程室５０内では、前記蒸着工程、前記エッチング工程、前記スパッタリング工程、前記現象工程、前記洗浄工程、及び前記乾燥工程を含む所望する工程が、前記基板に行われる。この場合、それぞれの工程室５０は、前記基板をローディング及びアンローディングのために開閉されるドアを含むことができる。
図２は、本発明の実施例による基板処理装置の工程室を説明するための断面図である。
図２に示しているように、前記基板処理装置は、工程室１０５、流体供給ユニット、制御ユニット、支持装置などを含む。実施例において、前記基板処理装置の工程室１０５は、乾燥室に該当する。
前記支持装置は、前記工程室１０５に隣接して配置される。前記支持装置は、前記工程室１０５に接触する支持室１２０を含む。また、前記支持装置は、前記支持室１２０内へ所定の流体を供給する供給部材を含む。
実施例において、前記支持室１２０は、内部に支持空間１３０を供する。図２では、前記支持室１２０が前記工程室１０５の下方に配置されることと示されているが、前記支持室１２０の位置は、前記工程室１０５の構造と寸法、前記供給ラインの構成、前記工程室１０５内で行われる工程の条件などによって変わることができる。
前記工程室１０５は、第１の筐体１１０と、第２の筐体１１５と、支持ユニット１３５と、遮断ユニット１４０とを含む。
前記第１の筐体１１０は、前記第２の筐体１１５に結合され、前記第１及び第２の筐体１１０、１１５は、前記工程室１０５内に配置される基板(Ｗ)に対して乾燥工程が行われる処理空間１２５を提供する。実施例において、前記乾燥工程は、超臨界状態の流体を前記基板(Ｗ)の上面及び底面上に供給して行われる。例えば、前記超臨界状態の流体は、超臨界状態の二酸化炭素ガスを含む。
前記工程室１０５の支持ユニット１３５は、前記第１及び第２の筐体１１０、１１５により提供される前記処理空間１２５内において、前記基板(Ｗ)を支持する。前記支持ユニット１３５は、前記第１の筐体１１０内に設けられる。例えば、前記支持ユニット１３５は、前記第１の筐体１１０の内壁から実質的に下方へ延在する環状の構造を有する。実施例において、前記第１の筐体１１０の内壁には、複数の支持ユニット１３５が装着される。前記基板(Ｗ)の周辺部は、前記複数の支持ユニット１３５により、安定して支持される。
前記流体供給ユニットは、前記工程室１０５及び前記支持室１２０内に、前記超臨界状態の流体を供給する。実施例において、前記流体供給ユニットは、前記工程室１０５内に前記超臨界状態の流体を供給する分岐ラインを備える第１の供給ライン１５５を含む。この場合、前記支持装置の供給部材は、前記支持室１２０内に前記超臨界状態の流体を供給する第２の供給ライン１６０を含む。
前記第１の供給ライン１５５は、第１の分岐ライン１４５と、第２の分岐ライン１５０とを含む。前記第１の分岐ライン１４５は、第１の筐体１１０に連結され、前記第２の分岐ライン１５０は、前記支持室１２０を介して、第２の筐体１１５に連結される。実施例において、前記第１の分岐ライン１４５は、前記第１の筐体１１０の第１の流入ポートを介して、前記処理空間１２５内に前記超臨界状態の流体を供給する。また、前記第２の分岐ライン１５０は、前記支持室１２０の第１の連結ポット及び第２の連結ポット、並びに前記第２の筐体１１５の第２の流入ポートを介して、前記処理空間１２５内へ前記超臨界状態の流体を供給する。
前記超臨界状態の流体は、前記第１の分岐ライン１４５及び前記第１の筐体１１０の第１の流入ポートを介して、前記処理空間１２５の上部から前記基板(Ｗ)上へ供給される。また、前記超臨界状態の流体は、前記第２の分岐ライン１５０、前記支持室１２０の第１及び第２の連結ポート、また、前記第２の筐体１１５の第２の流入ポートを介して、前記処理空間１２５内へ導入される。実施例において、前記第１の連結ポートは、前記支持室１２０の側部に提供され、前記第２の連結ポートは、前記支持室１２０の上部に提供される。前記第２の分岐ライン１５０は、前記第１の連結ポート、前記支持空間１３０、及び前記第２の連結ポートを通して、前記第２の筐体１１５の第２の流入ポートに連結される。
前記第１の分岐ライン１４５は、第１の調節バルブ１６５を含み、前記第２の分岐ライン１５０は、第２の調節バルブ１７０を含む。前記第１の調節バルブ１６５及び前記第２の調節バルブ１７０はそれぞれ、前記処理空間１２５内に供給される前記超臨界状態の流体の流量を調節し、前記超臨界状態の流体により発生する前記処理空間１２５の第１の圧力を調節する。この場合、前記第１の調節バルブ１６５及び前記第２の調節バルブ１７０は、同時に又は順次に前記超臨界状態の流体の流量、及び前記処理空間１２５の第１の圧力を調節する。
前記遮断ユニット１４０は、前記第２の筐体１１５の第２の流入ポートの上に配置される。例えば、前記遮断ユニット１４０は、前記第２の筐体１１５の第２の流入ポートを実質的に覆うことができる。前記遮断ユニット１４０は、前記超臨界状態の流体が前記基板(Ｗ)と直接接触することを防止することができる。
図２に示しているように、前記支持装置の第２の供給ライン１６０は、前記支持空間１３０内に前記超臨界状態の流体を供給する。前記第２の供給ライン１６０は、前記支持室１２０の第３の流入ポートに連結される。ここで、前記第３の流入ポートは、前記支持室１２０の側部に提供される。
前記第２の供給ライン１６０は、第３の調節バルブ１７５を含む。前記第３の調節バルブ１７５は、前記支持空間１３０内に供給される前記超臨界状態の流体の流量を調節する。また、前記第３の調節バルブ１７５は、前記超臨界状態の流体により発生する前記支持空間１３０の第２の圧力を調節する。実施例において、前記支持空間１３０の第２の圧力は、前記処理空間１２５内の第１の圧力と実質的に同等以上である。これにより、前記高い第２の圧力を有する前記支持室１２０により、前記工程室１０５の安定性と耐久性が向上される。
前記処理空間１２５内に前記超臨界状態の流体が導入される場合、前記工程室１０５に含まれる構成要素が、前記超臨界状態の流体から発生する第１の圧力により変形又は損傷することがある。例えば、前記工程室１０５の構成要素が相対的に高い前記工程室１０５内に発生する前記第１の圧力により、捩じり、曲がり、割れなどが発生することがある。これにより、前記工程室１０５の構造的な安定性と耐久性が低下する問題点が引き起こされる。また、このような工程室１０５内において、前記基板(Ｗ)に対して行われる工程の信頼性も、同時に低下することがある。これに対して、実施例によると、相対的に簡単な構造を有する前記支持室１２０及び供給部材を含む支持装置において、前記工程室１０５の構成要素の変形や損傷を効率よく防止することができる。換言すると、前記超臨界状態の流体により発生する前記支持空間１３０内の第２の圧力が、前記処理空間１２５内の第１の圧力と実質的に同等以上であるので、前記第２の圧力を有する前記支持装置において、前記第１の圧力を有する前記工程室１０５に含まれる構成要素が、前記第１の圧力により捩じり、曲がり、割れの発生などを効率よく防止することができる。これにより、前記工程室１０５の構造的な安定性と耐久性が向上される。また、このように向上した安定性と耐久性を有する前記工程室１０５内で行われる工程の信頼性が改善される。その結果、前記基板処理装置を用いて製造される半導体装置を含む集積回路装置、又は平板ディスプレイ装置を含むディスプレイ装置の製造のためのコストを節減し、且つ、前記集積回路装置又は前記ディスプレイ装置が向上した信頼性を有することができる。
図３は、本発明の他の実施例による基板処理装置の工程室及び支持装置を説明するための断面図である。
図３に示しているように、前記基板処理装置は、工程室２０５、流体供給ユニット、制御ユニット、支持装置などを含む。前記支持装置は、工程室２０５に隣接し、内部に支持空間２３０を提供する支持室２２０を含む。また、前記支持装置は、支持空間２３０内に流体を供する供給部材を含む。
前記工程室２０５は、第１の筐体２１０と、第２の筐体２１５と、支持ユニット２３５と、遮断ユニット２４０とを含む。前記第１の筐体２１０と前記第２の筐体２１５は、互いに結合され、処理空間２２５が、前記工程室２０５内に提供される。
前記工程室２０５の支持ユニット２３５は、前記第１及び第２の筐体２１０、２１５により提供される前記処理空間２２５内において、基板(Ｗ)を支持する。前記支持ユニット２３５は、前記第１の筐体２１０に装着される。例えば、前記第１の筐体２１０内には、前記基板(Ｗ)の周辺部を支持するために、複数の支持ユニット２３５が設けられる。
前記流体供給ユニットは、前記工程室２０５及び前記支持室２２０内に超臨界状態の流体を供給する。一部の実施例において、前記流体供給ユニットは、供給ライン２６０と、第１の分岐ライン２４５と、第２の分岐ライン２５０と、第３の分岐ライン２５５とを含む。前記第１の分岐ライン２４５、前記第２の分岐ライン２５０、及び前記第３の分岐ライン２５５はそれぞれ、供給ライン２６０から分けられ、前記工程室２０５及び前記支持室２２０内に、前記超臨界状態の流体を供給することができる。この場合、前記支持装置の供給部材は、前記支持室２２０内に前記超臨界状態の流体を供給する前記第３の分岐ライン２５５に該当する。
前記第１の分岐ライン２４５は、前記第１の筐体２１０に連結され、前記第２の分岐ライン２５０は、前記支持室２２０を介して、前記第２の筐体２１５に連結される。一部の実施例によると、前記超臨界状態の流体は、前記第１の分岐ライン２４５から、前記第１の筐体２１０の第１の流入ポートを介して、処理空間２２５内に供給される。また、前記超臨界状態の流体は、前記第２の分岐ライン２５０から、前記支持室２２０の第１の連結ポート及び第２の連結ポート、並びに前記第２の筐体２１５の第２の流入ポートを介して、前記処理空間２２５内に導入される。一方、前記超臨界状態の流体は、前記第３の分岐ライン２５５から、前記支持室２２０の側部に提供される第３の流入ポートを介して、前記支持空間２３０内に導入される。
他の実施例において、前記第１の連結ポートは、前記支持室２２０の側部に提供され、前記第２の連結ポートは、前記支持室２２０の上部に提供される。前記第２の分岐ライン２５０は、前記第１の連結ポート、支持空間２３０、及び前記第２の連結ポートを通して、前記第２の筐体２１５の第２の流入ポートに連結される。
前記遮断ユニット２４０は、前記第２の筐体２１５の第２の流入ポートの上部に配置される。前記遮断ユニット２４０は、前記超臨界状態の流体が前記基板(Ｗ)と直接接触されることを防止する。
図３に示しているように、前記第１の分岐ライン２４５は、第１の調節バルブ２６５を含み、前記第２の分岐ライン２５０は、第２の調節バルブ２７０を含み、前記第３の分岐ライン２５５は、第３の調節バルブ２７５を含む。前記第１の調節バルブ２６５及び前記第２の調節バルブ２７０は、前記処理空間２２５内に供給される前記超臨界状態の流体の流量を調節することができ、前記超臨界状態の流体により発生する前記処理空間２２５の第１の圧力を調節する。前記支持装置の第３の分岐ライン２５５は、前記支持空間２３０内に前記超臨界状態の流体を供給する。ここで、前記第３の分岐ライン２５５は、前記支持室２２０の第３の流入ポートに連結される。前記第３の調節バルブ２７５は、前記支持空間２３０内に供給される前記超臨界状態の流体の流量を調節し、前記超臨界状態の流体により発生する前記支持空間２３０内の第２の圧力を調節する。この場合、前記支持空間２３０内の第２の圧力は、前記処理空間２２５内の第１の圧力と実質的に同等以上であるので、上述したように、相対的に大きい第２の圧力を有する前記支持室２２０により、前記工程室２０５の安定性と耐久性を向上させる。その結果、前記基板処理装置を用いて製造される半導体装置を含む集積回路装置、又は平板ディスプレイ装置を含むディスプレイ装置の製造のためのコストを節減し、且つ、前記集積回路装置又は前記ディスプレイ装置の信頼性を向上することができる。一部の実施例によると、前記支持装置の第３の分岐ライン２５５が、前記供給ライン２６０から分けられるので、更なる流体供給ソースを要求することなく、前記基板処理装置がより単純な構成を有することができる。
図４は、本発明の更に他の実施例による基板処理装置の工程室及び支持装置を説明するための断面図である。
図４に示しているように、前記基板処理装置は、工程室３０５、流体供給ユニット、制御ユニット、支持装置などを含む。前記支持装置は、内部に支持空間３３０を提供する支持室３２０、及び前記支持室３２０内に流体を供給する供給部材を含む。
前記工程室３０５は、別の遮断ユニットなしに、第１の筐体３１０と、第２の筐体３１５と、支持ユニット３３５とを含む。前記第１の筐体３１０は、前記工程室３０５内に処理空間３２５を供するように、前記第２の筐体３１５に結合される。前記支持ユニット３３５は、前記第１の筐体３１０内に配置され、前記処理空間３２５内において、基板(Ｗ)を支持する。
前記流体供給ユニットは、前記工程室３０５及び前記支持室３２０内に、超臨界状態の流体を供給する。他の実施例において、前記流体供給ユニットは、第１の供給ライン３５０と、第２の供給ライン３６０とを含む。前記第１の供給ライン３５０は、前記処理空間３２５内に前記超臨界状態の流体を供給し、前記第２の供給ライン３６０は、前記支持空間３３０内に、前記超臨界状態の流体を供給する。ここで、前記支持装置の供給部材は、前記支持室３２０内に前記超臨界状態の流体を供給する前記第２の供給ライン３６０となり得る。
前記第１の供給ライン３５０は、前記第２の筐体３１５の第１の流入ポートに連結され、前記第２の供給ライン３６０は、前記支持室３２０の第２の流入ポートに連結される。この場合、前記第１の流入ポートは、前記第２の筐体３１５の側部に提供され、前記第２の流入ポートは、前記支持室３２０の側部に提供される。図４では、前記第１の流入ポートが前記第２の筐体３１５の側部に設けられることと示しているが、前記第１の流入ポートは、前記第１の筐体３１０の側部に提供されることもできる。
前記第１の供給ライン３５０は、第１の調節バルブ３５５を含み、前記第２の供給ライン３６０は、第２の調節バルブ３６５を含む。前記第１の調節バルブ３５５は、前記処理空間３２５内に供給される前記超臨界状態の流体の流量を調節し、前記超臨界状態の流体により発生する前記処理空間３２５の第１の圧力を調節する。前記第２の調節バルブ３６５は、前記支持空間３３０内に供給される前記超臨界状態の流体の流量を調節し、前記超臨界状態の流体により発生する前記支持空間３３０内の第２の圧力を調節する。この場合、前記支持空間３３０内の第２の圧力は、前記処理空間３２５内の第１の圧力と実質的に同等以上である。
図５は、本発明の更に他の実施例による基板処理装置の工程室及び支持装置を説明するための断面図である。
図５に示しているように、前記基板処理装置は、工程室４０５、流体供給ユニット、制御ユニット、支持装置などを含む。前記支持装置は、内部に、支持空間４３０を提供する支持室４２０と、前記支持室４２０内に流体を供給する供給部材とを含む。
前記工程室４０５は、更なる遮断ユニットなしに、第１の筐体４１０と、第２の筐体４１５と、支持ユニット４３５とを含む。前記第１の筐体４１０と前記第２の筐体４１５は、前記工程室４０５内に処理空間４２５を提供するように、互いに結合される。前記支持ユニット４３５は、前記第１の筐体４１０内に設けられ、前記処理空間４２５内において、基板(Ｗ)を支持する。
前記流体供給ユニットは、前記工程室４０５及び前記支持室４２０内に、超臨界状態の流体を供給する。他の実施例において、前記流体供給ユニットは、供給ライン４５０と、第１の分岐ライン４５５と、第２の分岐ライン４６５とを含む。前記第１の分岐ライン４５５及び前記第２の分岐ライン４６５はそれぞれ、供給ライン４５０から分けられる。前記第１の分岐ライン４５５は、前記処理空間４２５内に前記超臨界状態の流体を供給し、前記第２の分岐ライン４６５は、前記支持空間４３０内に前記超臨界状態の流体を供給する。この場合、前記支持装置の供給部材は、前記第２の分岐ライン４６５となり得る。
前記第１の分岐ライン４５５は、前記第２の筐体４１５の第１の流入ポートに連結され、前記第２の分岐ライン４６５は、前記支持室４２０の第２の流入ポートに連結される。例えば、前記第１の流入ポートは、前記第２の筐体４１５の側部に提供され、前記第２の流入ポートは、前記支持室４２０の側部に提供される。選択的には、前記第１の流入ポートは、前記第１の筐体４１０の側部に設けられる。
前記第１の分岐ライン４５５は、第１の調節バルブ４６０を含み、前記第２の分岐ライン４６５は、第２の調節バルブ４７０を含む。前記第１の調節バルブ４６０は、前記処理空間４２５内に供給される前記超臨界状態の流体の流量を調節し、前記超臨界状態の流体により発生する前記処理空間４２５の第１の圧力を調節する。前記第２の調節バルブ４７０は、前記支持空間４３０内に供給される前記超臨界状態の流体の流量を調節し、前記超臨界状態の流体により発生する前記支持空間４３０内の第２の圧力を調節する。ここで、前記支持空間４３０内の第２の圧力は、前記処理空間４２５内の第１の圧力と実質的に同等以上であり、これにより、上述したように、前記第２の圧力を有する前記支持室４２０により、前記工程室４０５の安定性と耐久性を向上することができる。
本発明の実施例によると、基板処理装置は、工程室を支持する支持装置を含むので、前記支持装置が、前記工程室内に導入される超臨界状態の流体から発生する高い圧力により、前記工程室に含まれる構成要素が変形、損傷、割れなどが生じることを防止することができる。これにより、前記工程室の構造的な安定性及び耐久性を向上することができ、前記工程室内において行われる工程の信頼性を改善することができる。その結果、前記支持装置及び前記工程室を含む基板処理装置により製造される半導体装置を含む集積回路装置、又は平板ディスプレイ装置を含むディスプレイ装置の製造のためのコストを節減し、且つ、前記集積回路装置又は前記ディスプレイ装置の信頼性を向上することができる。
以上、本発明の実施例を添付の図面を参照して説明したが、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の思想と範疇から逸脱することなく、本発明を様々に変更及び変形できることを理解するだろう。

Claims (20)

  1. 基板に対して、所定の工程を行う工程室のための支持装置であって、
    前記工程室に隣接して配置される支持室と、
    前記支持室内に流体を供給するための供給部材とを含むことを特徴とする工程室のための支持装置。
  2. 前記支持室は、前記工程室に接触されることを特徴とする請求項１に記載の支持装置。
  3. 前記支持室内の圧力は、前記工程室内の圧力より同等以上であることを特徴とする請求項２に記載の支持装置。
  4. 前記工程室内に、分岐ラインを含む第１の供給ラインを介して、超臨界状態の前記流体が供給され、前記供給部材は、前記支持室内に前記超臨界状態の流体を供給する第２の供給ラインを含むことを特徴とする請求項３に記載の支持装置。
  5. 前記第１の供給ラインは、前記工程室の上部に連結される第１の分岐ラインと、前記工程室の下部に連結される第２の分岐ラインとを含むことを特徴とする請求項４に記載の支持装置。
  6. 前記第１の分岐ラインは、前記超臨界状態の流体の流量を調節するための第１の調節バルブを含み、前記第２の分岐ラインは、前記超臨界状態の流体の流量を調節するための第２の調節バルブを含み、前記第２の供給ラインは、前記超臨界状態の流体の流量を調節するための第３の調節バルブを含むことを特徴とする請求項５に記載の支持装置。
  7. 前記第２の分岐ラインは、前記支持室を通して前記工程室に連結されることを特徴とする請求項５に記載の支持装置。
  8. 前記支持室は、側部に提供される第１の連結ポートと、上部に提供される第２の連結ポートとを含むことを特徴とする請求項５に記載の支持装置。
  9. 前記工程室内に、供給ラインを介して、超臨界状態の前記流体が供給され、前記供給部材は、前記供給ラインから分けられ、前記供給部材は、前記支持室内に前記超臨界状態の流体を供給する分岐ラインを含むことを特徴とする請求項３に記載の支持装置。
  10. 前記供給ラインから分けられる分岐ラインを介して、前記工程室内に前記超臨界状態の流体が供給されることを特徴とする請求項９に記載の支持装置。
  11. 前記工程室内に、第１の供給ラインを介して、超臨界状態の前記流体が供給され、前記供給部材は、前記支持室内に前記超臨界状態の流体を供給する第２の供給ラインを含むことを特徴とする請求項３に記載の支持装置。
  12. 前記第１の供給ラインは、前記工程室の側部に提供される第１の流入ポートに連結され、前記第２の供給ラインは、前記支持室の側部に提供される第２の流入ポートに連結されることを特徴とする請求項１１に記載の支持装置。
  13. 前記工程室内に、供給ラインを介して、超臨界状態の前記流体が供給され、前記供給部材は、前記供給ラインから分けられ、前記支持室内に前記超臨界状態の流体を供給する分岐ラインを含むことを特徴とする請求項３に記載の支持装置。
  14. 基板に対して、所定の工程が行われる工程空間を提供する工程室と、
    前記工程室に接触され、前記工程室を支持する支持装置とを含み、
    前記支持装置は、前記工程室の構成要素を支持する支持空間を提供する支持室及び前記支持空間内に、流体を供給する供給部材を含むことを特徴とする基板処理装置。
  15. 前記支持空間内の圧力は、前記工程空間内の圧力より同等以上であることを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 更に、前記工程室内に超臨界状態の前記流体を供給する分岐ラインを含む第１の供給ラインを含み、前記供給部材は、前記支持室内に前記超臨界状態の流体を供給する第２の供給ラインを含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記第１の供給ラインは、前記工程室の上部に連結される第１の分岐ライン、及び前記工程室の下部に連結される第２の分岐ラインを含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 前記第２の分岐ラインは、前記支持室を通して、前記工程室に連結されることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
  19. 前記支持室は、側部に提供される第１の連結ポート、及び上部に提供される第２の連結ポートを含むことを特徴とする請求項１８に記載の基板処理装置。
  20. 更に、前記工程室内に超臨界状態の前記流体を供給する供給ラインを含み、前記供給部材は、前記供給ラインから分けられ、前記支持室内に前記超臨界状態の流体を供給する分岐ラインを含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
JP2021125727A 2020-12-30 2021-07-30 支持装置、及び支持装置を含む基板処理装置 Active JP7309789B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2020-0187301 2020-12-30
KR1020200187301A KR20220095613A (ko) 2020-12-30 2020-12-30 지지 장치 및 지지 장치를 포함하는 기판 처리 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022104862A true JP2022104862A (ja) 2022-07-12
JP7309789B2 JP7309789B2 (ja) 2023-07-18

Family

ID=82119636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021125727A Active JP7309789B2 (ja) 2020-12-30 2021-07-30 支持装置、及び支持装置を含む基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220208561A1 (ja)
JP (1) JP7309789B2 (ja)
KR (1) KR20220095613A (ja)
CN (1) CN114695170A (ja)
TW (1) TWI815152B (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070076739A (ko) * 2006-01-19 2007-07-25 주성엔지니어링(주) 완충챔버를 가지는 로드락챔버
JP2008072118A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Semes Co Ltd 超臨界流体を用いる基板乾燥装置及びこれを備える基板処理設備並びに基板処理方法
KR100858933B1 (ko) * 2007-05-02 2008-09-17 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 기판 처리 시스템의 로드락 챔버
JP2013033962A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 Semes Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR20130056758A (ko) * 2011-11-22 2013-05-30 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20170039320A (ko) * 2015-10-01 2017-04-11 주성엔지니어링(주) 완충공간을 구비한 로드락챔버
KR101853377B1 (ko) * 2016-12-30 2018-06-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US20180366349A1 (en) * 2017-06-19 2018-12-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Process Chamber and Substrate Processing Apparatus Including the Same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200300650A (en) * 2001-11-27 2003-06-01 Alps Electric Co Ltd Plasma processing apparatus
US20060130966A1 (en) * 2004-12-20 2006-06-22 Darko Babic Method and system for flowing a supercritical fluid in a high pressure processing system
US20060255012A1 (en) * 2005-05-10 2006-11-16 Gunilla Jacobson Removal of particles from substrate surfaces using supercritical processing
US20130081658A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Semes Co., Ltd. Apparatus and method for treating substrate
KR102037844B1 (ko) * 2013-03-12 2019-11-27 삼성전자주식회사 초임계 유체를 이용하는 기판 처리 장치, 이를 포함하는 기판 처리 시스템, 및 기판 처리 방법
KR102411946B1 (ko) * 2015-07-08 2022-06-22 삼성전자주식회사 초임계 유체를 이용한 기판 처리장치와 이를 포함하는 기판 처리 시스템 및 이를 이용한 기판처리 방법

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070076739A (ko) * 2006-01-19 2007-07-25 주성엔지니어링(주) 완충챔버를 가지는 로드락챔버
JP2008072118A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Semes Co Ltd 超臨界流体を用いる基板乾燥装置及びこれを備える基板処理設備並びに基板処理方法
KR100858933B1 (ko) * 2007-05-02 2008-09-17 주식회사 에스에프에이 평면디스플레이용 기판 처리 시스템의 로드락 챔버
JP2013033962A (ja) * 2011-07-29 2013-02-14 Semes Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
KR20130056758A (ko) * 2011-11-22 2013-05-30 세메스 주식회사 기판처리장치 및 기판처리방법
KR20170039320A (ko) * 2015-10-01 2017-04-11 주성엔지니어링(주) 완충공간을 구비한 로드락챔버
KR101853377B1 (ko) * 2016-12-30 2018-06-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
US20180366349A1 (en) * 2017-06-19 2018-12-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Process Chamber and Substrate Processing Apparatus Including the Same

Also Published As

Publication number Publication date
US20220208561A1 (en) 2022-06-30
KR20220095613A (ko) 2022-07-07
TW202234569A (zh) 2022-09-01
CN114695170A (zh) 2022-07-01
JP7309789B2 (ja) 2023-07-18
TWI815152B (zh) 2023-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5472765B2 (ja) 基板処理装置
CN110896043A (zh) 用于处理基板的装置
KR102379016B1 (ko) 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법
JP2022104862A (ja) 支持装置、及び支持装置を含む基板処理装置
KR20170078185A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102319197B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP7442349B2 (ja) 基板搬送システムおよびロードロックモジュール
KR20220014475A (ko) 기판 처리 장치
KR102277545B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102315663B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR102296280B1 (ko) 기판 처리 장치
US11789364B2 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102255278B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102277549B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102277544B1 (ko) 반송 유닛
JP7236411B2 (ja) 搬送ユニット及びこれを有する基板処理装置
KR102385266B1 (ko) 기판 처리 장치
JP7209503B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2019046941A (ja) 半導体製造装置、ウェハ搬送装置、およびウェハ搬送方法
KR20070000280A (ko) 반도체소자 제조설비의 기판 이송장치
KR20100045072A (ko) 복수기판 처리장치
KR20110016642A (ko) 기판처리장치
KR20220094882A (ko) 기판 처리 장치
KR20210023427A (ko) 기판 지지 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20060136250A (ko) 반도체소자 제조설비의 기판 이송장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210730

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220913

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20221213

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230306

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230627

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230705

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7309789

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150