TWI815152B - 支撐裝置及包括支撐裝置之用以處理一基板的設備 - Google Patents

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Abstract

一種用以處理一基板的設備，可包括：一處理腔室，提供一處理空間，其中一預處理可在處理空間中執行於基板上；以及一支撐裝置，其係接觸處理腔室及支撐處理腔室。支撐裝置可包括一支撐腔室及一供應構件。支撐腔室提供一支撐空間，用以支撐處理腔室的數個元件。供應構件供應一流體至支撐空間中。

Description

支撐裝置及包括支撐裝置之用以處理一基板的設備
本發明之範例實施例是有關於一種支撐裝置及一種包括一支撐裝置之用以處理一基板的設備。本發明之範例實施例更特別是有關於一種可使一處理腔室具有一改善穩定性及一增加耐久性的支撐裝置，及一種包括此一支撐裝置的用以處理一基板之設備。
一般來說，包括半導體裝置的積體電路裝置或者包括平面顯示裝置的顯示裝置可利用用以處理基板的設備來製造。此設備可包括數種處理腔室，例如是沈積腔室、濺鍍腔室、蝕刻腔室、清洗腔室、乾燥腔室等。
當一超臨界狀態(supercritical state)的流體係導引至處理腔室中時，處理腔室的元件可能變形，或可能因超臨界狀態的流體所產生之高壓而損壞。如此一來，處理腔室的結構穩定性及耐久性可能因產生高壓之超臨界狀態的流體而減少。再者，執行於裝載在處理腔室中的基板上的處理的穩定性可能惡化。
本發明之一方面係提供一種支撐裝置，能夠改善一處理腔室的結構穩定性及增加處理腔室的耐久性。
本發明之另一方面係提供一種用以處理一基板的設備，此設備包括能夠改善一處理腔室的結構穩定性及增加處理腔室的耐久性的一支撐裝置。
根據本發明之一方面，提出一種用於在一基板上執行一預處理的一處理腔室的支撐裝置。支撐裝置可包括一支撐腔室，支撐腔室設置以相鄰於處理腔室；以及一供應構件，用以供應一流體至支撐腔室中。
於範例實施例中，支撐腔室可接觸處理腔室。
於範例實施例中，支撐腔室中的一壓力係實質上等同於或大於處理腔室中的一壓力。
於範例實施例中，一超臨界狀態的流體可經由包括數個支線的一第一供應線供應至處理腔室中，以及供應構件可包括一第二供應線，提供超臨界狀態的流體至支撐腔室中。
於範例實施例中，第一供應線可包括一第一支線及一第二支線，第一支線連接於處理腔室的一上部，第二支線連接於處理腔室的一下部。
於範例實施例中，第一支線可包括一第一控制閥，第一控制閥用以調整超臨界狀態的流體的一流速，第二支線可包括一第二控制閥，第二控制閥用以調整超臨界狀態的流體的一流速，以及第二 供應線可包括一第三控制閥，第三控制閥用以調整超臨界狀態的流體的一流速。
於範例實施例中，第二支線可通過支撐腔室，以連接於處理腔室。
於範例實施例中，支撐腔室可包括一第一連接埠及一第二連接埠，第一連接埠提供於支撐腔室之一側部上，第二連接埠提供於支撐腔室之一上部上。
於一些範例實施例中，一超臨界狀態之流體可經由一供應線提供至處理腔室中，以及供應構件可包括一支線，從供應線分出及提供超臨界狀態的流體至支撐腔室中。
於一些範例實施例中，超臨界狀態的流體可經由從供應線分出的一支線供應至處理腔室中。
於其他範例實施例中，一超臨界狀態的流體可經由一第一供應線供應至處理腔室中，及供應構件可包括一第二供應線，提供超臨界狀態的流體至支撐腔室中。
於其他範例實施例中，第一供應線可連接於一第一入口埠，提供於處理腔室之一側部上，及第二供應線可連接於一第二入口埠，提供於支撐腔室之一側部上。
於再其他範例實施例中，一超臨界狀態的流體可通過一供應線供應至處理腔室中，及供應構件可包括一支線，從供應線分出及提供超臨界狀態的流體至支撐腔室中。
根據本發明之一方面，提出一種用以處理一基板的設備，包括一處理腔室，提供一處理空間，一預處理可在處理空間中執行於基板上；以及一支撐裝置，接觸處理腔室及支撐處理腔室。支撐裝置可包括一支撐腔室及一供應構件。支撐腔室提供一支撐空間，用以支撐處理腔室的數個元件。供應構件供應一流體至支撐空間中。
於範例實施例中，支撐空間中的一壓力可實質上等同於或大於處理腔室中的一壓力。
於範例實施例中，用以處理一基板之設備可額外地包括一第一供應線，供應一超臨界狀態的流體至處理腔室中，第一供應線包括數個支線，以及供應構件可包括一第二供應線，提供超臨界狀態的流體至支撐腔室中。在此情況中，第一供應線可包括一第一支線及一第二支線，第一支線連接於處理腔室的一上部，第二支線連接於處理腔室的一下部。舉例來說，第二支線可通過支撐腔室，以連接於處理腔室，以及支撐腔室可包括一第一連接埠及一第二連接埠，第一連接埠提供於支撐腔室的一側部上，第二連接埠連接於支撐腔室的一上部。
於一些範例實施例中，用以處理一基板的設備可額外地包括一供應線，供應一超臨界狀態的流體至處理腔室中，以及供應構件可包括一支線，從供應線分出及提供超臨界狀態的流體至支撐腔室中。
根據本發明之範例實施例，包括支撐腔室及供應構件的支撐裝置可有效地避免包括於處理腔室中的元件因導入處理腔室中的 超臨界狀態的流體所產生之高壓而變形、損害、或破裂。因此，可加強處理腔室的結構穩定性及耐久性，以及可改善在處理腔室中執行之處理的可靠度。如此一來，在使用用以處理基板之設備來減少包括半導體裝置之積體電路裝置或包括平面顯示裝置的顯示裝置之製造成本的情況下，積體電路裝置或顯示裝置可具有改善的可靠度。
為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
10:道路腔室
15:傳送架
20:定位模組
25:載體
30:定位機器手臂
35:定位軌道
40:緩衝腔室
45:傳送腔室
50,105,205,305,405:處理腔室
55:處理模組
60:緩衝槽
65:傳送機器手臂
70:傳送軌道
110,210,310,410:第一殼體
115,215,315,415:第二殼體
120,220,320,420:支撐腔室
125,225,325,425:處理空間
130,230,330,430:支撐空間
135,235,335,435:支撐單元
140,240:阻擋單元
145,245,455:第一支線
150,250,465:第二支線
155,350:第一供應線
160,360:第二供應線
165,265,355,460:第一控制閥
170,270,365,470:第二控制閥
175,275:第三控制閥
255:第三支線
260,450:供應線
W:基板
數個範例實施例將透過下方的詳細說明結合所附之圖式更加清楚瞭解，下方的圖式表示此處所述之非限制性的範例實施例；第1圖繪示根據本發明範例實施例之用以處理基板的設備的平面圖；第2圖繪示根據本發明範例實施例之處理腔室及支撐裝置的剖面圖；第3圖繪示根據本發明一些範例實施例之處理腔室及支撐裝置的剖面圖；第4圖繪示根據本發明其他範例實施例之處理腔室及支撐裝置的剖面圖；及第5圖繪示根據本發明再其他範例實施例之處理腔室及支撐裝置的剖面圖。
數種實施例將於下文中參照所附之繪示有一些範例實施例的圖式更充分的說明。然而，本發明可以許多不同的形式實現，及應不解釋成受限於此處所提供的實施例。此些實施例係提供，使得此說明將更為仔細及完整，及將完整傳達本發明的範圍給此技術領域中具有通常知識者。在圖式中，層及區域的尺寸及相對尺寸可能基於清楚表示之目的而誇大。
將理解的是，當一元件或層係表示成在另一元件或層「上(on)」、「連接於(connected to)」另一元件或層、或「耦接於(coupled to)」另一元件或層時，它可直接地位於此另一元件或層上、直接地連接於此另一元件或層或耦接於此另一元件或層，或者可存有中間元件或層。相較之下，當一元件係表示成「直接(directly)」在另一元件或層「上」、「直接地連接於」另一元件或層、或「直接地耦接於」另一元件或層時，中間元件或層係不存在。相似的編號係通篇使用以意指相似的元件。如此處所使用，用詞「及/或」包括一或多個相關所列項目的一或多者的任何及全部組合。
將理解的是，雖然用詞第一、第二、第三等可於此處使用以說明數種元件、成份、區域、層及/或部，此些元件、成份、區域、層及/或部應不受限於此些用詞。此些用詞僅使用以區分一元件、成份、區域、層或部及另一區域、層或部。因此，在不脫離本發明之教示下，下方討論的第一元件、成份、區域、層或部可表示第二元件、成份、區域、層或部。
為了便於說明，例如是「下面(beneath)」、「下方(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」及類似者之空間相關用詞可於此處使用，以描述圖式中所繪示之一元件或特徵與另一元件或特徵的關係。將理解的是，空間相關用詞係意欲包含除了圖式中所繪示之方向外的所使用或操作的裝置的不同方向。舉例來說，如果在圖式中的裝置係翻轉，說明成在其他元件或特徵「下方(below)」或「下面(beneath)」之元件會接著定向在該其他元件或特徵的「上方(above)」。因此，範例用語「下方(below)」可包含上方及下方兩者的方向。裝置可能以其他方式定向(舉例來說，旋轉90度或位在其他方向)，及使用於此處的空間相關描述因此對應地詮釋。
此處所使用之術語係僅以說明特定實施例為目的，及不意欲限制本發明。如此處所使用，除非另有清楚指出其他情況，單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」也欲包括複數形式。將進一步理解的是，用詞「包括(includes)」、「包括(including)」、「包括(comprises)」及/或「包括(comprising)」在使用於此說明書中時係界定所述之特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或成份之存在，但並非排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、成份、及/或其之群組的存在或增加。
數個實施例係參照為理想化實施例(及中間結構)之示意圖的剖面圖而於此處說明。就此而言，因舉例為製造技術及/或公差所造成之與圖式形狀的差異係可預期的。因此，數個實施例應不解釋為受限於此處所繪示之區域的特定形狀，但包括因舉例為製造所產生 之形狀上的偏差。舉例來說，繪示成矩形的植入區域一般將具有圓角(rounded)或彎曲特徵，及/或具有於其邊緣之植入濃度梯度而不是從植入至非植入區域的二元變化(binary change)。同樣地，藉由植入所形成的埋區(buried region)可在埋區及植入發生所通過的面之間的區域中產生一些植入。因此，繪示於圖式中的區域係本質上為示意之用，及它們的形狀並非意欲表示裝置之區域的實際形狀且非意欲限制本發明之範圍。
除非另有定義，此處所使用之所有的用語(包括技術及科學用語)具有相同於本發明所屬技術領域中具有通常知識者所普遍理解的意義。將進一步理解的是，例如是該些定義於普遍使用之字典中的用語應解釋成具有與相關領域之內容中一致的意義，及除非於此明確地定義，將不詮釋成理想或過度正式的含意。
本發明之範例實施例將於下文參照所附的圖式更詳細地說明。相同元件或成份可藉由相同的參考編號通用於圖式中，及可能省略相同元件或成份之重複說明。
第1圖繪示根據本發明範例實施例之用以處理基板之設備的平面圖。
參照第1圖，根據範例實施例，用以處理基板的設備可包括定位模組(index module)20及處理模組55。
定位模組20可從外側傳送基板至處理模組55中，及處理模組55可於基板上執行預處理。於此，基板可使用來製造積體電路裝 置或顯示裝置。舉例來說，基板可包括矽晶圓、玻璃基板、有機基板、陶瓷基板等。
於範例實施例中，定位模組20可包括道路腔室10及傳送架15。能夠接收基板之載體25可裝載至道路腔室10中。舉例來說，前開式晶圓傳送盒(front opening unified pod，FOUP)可使用來做為載體25。載體25可從外側傳送至道路腔室10中，及可亦藉由懸吊式搬運(overhead hoist transfer，OHT)從道路腔室10傳送至外側。
傳送架15可於處理模組55及裝載於道路腔室10中之載體25之間傳送基板。傳送架15可包括定位機器手臂(index robot)30及定位軌道35。
定位機器手臂30可沿著定位軌道35移動，及可於定位模組20及處理模組55之間傳送基板。舉例來說，定位機器手臂30可於定位軌道35上移動時在載體25及緩衝槽60之間傳送基板。
如第1圖中所示，處理模組55可於基板上執行預處理，包括沈積製程、蝕刻製程、濺鍍製程、塗佈製程、顯影製程、清洗製程、以及乾燥製程，但不以此些為限。處理模組55可包括緩衝腔室40、傳送腔室45、處理腔室50、控制單元(未繪示)等。
傳送於定位模組20及處理模組55之間的基板可備於緩衝腔室40中來用於預處理。基板擺置於其上的緩衝槽60可設置於緩衝腔室40中。在範例實施例中，數個緩衝槽60可提供於緩衝腔室40中，及數個基板可因而擺置於緩衝腔室40中。
傳送腔室45可於緩衝腔室40及處理腔室50之間傳送基板。傳送腔室45可包括傳送機器手臂65及傳送軌道70。傳送機器手臂65可在傳送軌道70上移動，及可於緩衝腔室40及處理腔室50之間傳送基板。舉例來說，傳送機器手臂65在傳送軌道70上移動時可傳送擺置於緩衝槽60上之基板至處理腔室50中。
在範例實施例中，用以處理基板之設備可包括數個處理腔室50。舉例來說，此些處理腔室50可包括蝕刻腔室、沈積腔室、濺鍍腔室、塗佈腔室、顯影腔室、清洗腔室及乾燥腔室，但不以此些為限。數種處理可在此些腔室中執行，以製造出包括半導體裝置之積體電路裝置或包括平面顯示裝置的顯示裝置。
在處理腔室50中，可於基板上執行包括沈積製程、蝕刻製程、濺鍍製程、塗佈製程、顯影製程、清洗製程及乾燥製程之所需的處理。在此情況中，各處理腔室50可具有門，可開啟及關閉來用以裝載及卸載基板。
第2圖繪示根據本發明範例實施例之處理腔室及支撐裝置的剖面圖。
參照第2圖，用以處理基板之設備可包括處理腔室105、流體供應單元、控制單元、支撐裝置等。在範例實施例中，用以處理基板之設備的處理腔室105可為乾燥腔室。
支撐裝置可設置以相鄰於處理腔室105。支撐裝置可包括支撐腔室120，可接觸處理腔室105。此外，支撐裝置可包括供應構件，可提供預定流體至支撐腔室120中。
在範例實施例中，支撐腔室120可提供支撐空間於其中。雖然第2圖繪示出支撐腔室120設置於處理腔室105下，支撐腔室120的位置可根據處理腔室105的結構及尺寸、供應線的裝配、於處理腔室105中所執行之處理的製程條件等來改變。
處理腔室105可包括第一殼體110、第二殼體115、支撐單元135及阻擋單元140。
第一殼體110可結合第二殼體115，及第一殼體110及第二殼體115可提供處理空間125。在處理空間125中可對設置於處理腔室105中的基板W執行乾燥製程。在範例實施例中，乾燥製程可藉由提供超臨界狀態(supercritical state)之流體於基板W的上面及下面上來執行。舉例來說，超臨界狀態之流體可包括超臨界狀態的二氧化碳氣體。
處理腔室105之支撐單元135可支撐基板W於第一殼體110及第二殼體115所提供的處理空間125中。支撐單元135可裝設於第一殼體110中。舉例來說，支撐單元135可具有從第一殼體110之內壁向下延伸的鉤狀結構。在範例實施例中，數個支撐單元135可固定於第一殼體110的內壁上。基板W之周圍部分可藉由此些支撐單元135穩定地支撐。
流體供應單元可提供超臨界狀態的流體至處理腔室105及支撐腔室120中。在範例實施例中，流體供應單元可包括第一供應線155，第一供應線155提供超臨界狀態之流體至處理腔室105中。第一供應線155可包括支線。在此情況中，支撐裝置的供應構件可包括 第二供應線160，第二供應線160可供應超臨界狀態之流體至支撐腔室120中。
第一供應線155可包括第一支線145及第二支線150。第一支線145可連接於第一殼體110，及第二支線150可通過支撐腔室120連接於第二殼體115。在範例實施例中，第一支線145可經由第一入口埠供應超臨界狀態之流體至處理空間125中。再者，第二支線150可經由支撐腔室120的第一連接埠及第二連接埠及第二殼體115之第二入口埠提供超臨界狀態的流體至處理空間125中。
超臨界狀態的流體可從處理空間125之上部通過第一支線145及第一殼體110的第一入口埠提供於基板W上。此外，超臨界狀態之流體可通過第二支線150、支撐腔室120的第一及第二連接埠以及第二殼體115的第二入口埠導引至處理空間125中。在範例實施例中，第一連接埠可提供於支撐腔室120的一側部上，以及第二連接埠可提供於支撐腔室120之上部上。第二支線150可通過第一連接埠、支撐空間130及第二連接埠，且接著可連接於第二殼體115的第二入口埠。
第一支線145可包括第一控制閥165，及第二支線150可包括第二控制閥170。各第一控制閥165及第二控制閥170可調整供應至處理空間125中的超臨界狀態之流體的流速，及亦可調整處理空間125中之超臨界狀態的流體所產生的第一壓力。在此情況中，第一控制閥165及第二控制閥170可同時地或接續地調整超臨界狀態之流體的流速及處理空間125中的第一壓力。
阻擋單元140可設置於第二殼體115之第二入口埠的上方。舉例來說，阻擋單元140可實質上覆蓋第二殼體115的第二入口埠。阻擋單元140可避免超臨界狀態的流體直接地接觸基板W。
如第2圖中所示，支撐裝置之第二供應線160可供應超臨界狀態的流體至支撐腔室120中。第二供應線160可連接於支撐腔室120之第三入口埠。第三入口埠於此可提供於支撐腔室120的側部上。
第二供應線160可包括第三控制閥175。第三控制閥175可調整提供至支撐空間130中之超臨界狀態之流體的流速。再者，第三控制閥175可調整支撐空間130中之超臨界狀態的流體所產生的第二壓力。於範例實施例中，支撐空間130中的第二壓力可實質上等同於或實質上大於處理空間125中之第一壓力。因此，處理腔室105的穩定性及耐久性可藉由具有更高之第二壓力的支撐腔室120來提高。
當超臨界狀態之流體係導入處理腔室105中時，包括於處理腔室105中之元件可能因超臨界狀態之流體所產生的第一壓力而變形或損壞。舉例來說，處理腔室105之元件可能因處理腔室105中所產生的較高的第一壓力而扭轉、彎曲、或破裂。因此，處理腔室105的結構穩定性及耐久性可能減少。此外，在此種處理腔室105中執行於基板W上之處理的可靠度可能同時惡化。相較之下，根據範例實施例，包括支撐腔室120及具有較簡單結構之供應構件的支撐裝置可有效地避免處理腔室105的元件變形或損害。也就是說，既然支撐空間130中之超臨界狀態的流體所產生的第二壓力可實質上等同於或大於處理空間125中之第一壓力，具有第二壓力的支撐裝置可有效地避免 包括於具有第一壓力之處理腔室105中的元件變形、損壞、或破裂。因此，可加強處理腔室105的結構穩定性及耐久性。再者，在具有加強穩定性及耐久性的處理腔室105中執行之處理的可靠度可改善。如此一來，在使用用以處理基板之此設備來減少積體電路裝置或顯示裝置之製造成本的情況下，包括半導體裝置之積體電路裝置或包括平面顯示裝置的顯示裝置可具有改善的可靠度。
第3圖繪示根據本發明一些範例實施例之處理腔室及支撐裝置的剖面圖。
參照第3圖，用以處理基板之設備可包括處理腔室205、流體供應單元、控制單元、支撐裝置等。支撐裝置可相鄰於處理腔室205，及可包括支撐腔室220。支撐腔室220可提供支撐空間230於其中。此外，支撐裝置可包括供應構件，供應構件可提供流體至支撐空間230中。
處理腔室205可包括第一殼體210、第二殼體215、支撐單元235及阻擋單元240。第一殼體210及第二殼體215可彼此結合，及處理空間225可提供於處理腔室205中。
處理腔室205的支撐單元235可支承基板W於第一殼體210及第二殼體215所提供的處理空間225中。支撐單元235可裝設於第一殼體210中。舉例來說，數個支撐單元235可裝設於第一殼體210中，以支撐基板W的周圍部分。
流體供應單元可提供超臨界狀態之流體至處理腔室205及支撐腔室220中。在一些範例實施例中，流體供應單元可包括供應 線260、第一支線245、第二支線250及第三支線255。各第一支線245、第二支線250及第三支線255可從供應線260分出，以藉此提供超臨界狀態的流體至處理腔室205及支撐腔室220中。在此情況中，支撐裝置的供應構件可為第三支線255，可供應超臨界狀態的流體至支撐腔室220中。
第一支線245可連接於第一殼體210，以及第二支線250可連接於第二殼體215。在一些範例實施例中，超臨界狀態的流體可從第一支線245經由第一殼體210之第一入口埠供應至處理空間225中。再者，超臨界狀態的流體可從第二支線250經由支撐腔室220之第一連接埠及第二連接埠及第二殼體215之第二入口埠提供至處理空間225中。再者，超臨界狀態的流體可從第三支線255經由第三入口埠導引至支撐空間230中。第三入口埠可提供於支撐腔室220之一側部上。
於其他範例實施例中，第一連接埠可提供於支撐腔室220的側部上，及第二連接埠可提供於支撐腔室220的上部上。第二支線250可通過第一連接埠、支撐空間230及第二連接埠，及接著連接於第二殼體215之第二入口埠。
阻擋單元240可設置於第二殼體215的第二入口埠的上方。阻擋單元240可避免超臨界狀態之流體直接地接觸基板W。
如第3圖中所示，第一支線245可包括第一控制閥265，第二支線250可包括第二控制閥270，以及第三支線255可包括第三控制閥275。第一控制閥265及第二控制閥270可調整提供至處理空間225中之超臨界狀態之流體的流速，及亦可調整處理空間225中之超臨界 狀態的流體所產生的第一壓力。支撐裝置的第三支線255可供應超臨界狀態的流體到支撐空間230中。第三支線255於此可連接於支撐腔室220的第三入口埠。第三控制閥275可調整提供至支撐空間230中之超臨界狀態之流體的流速，及可調整支撐空間230中之超臨界狀態之流體所產生的第二壓力。在此情況中，支撐空間230中的第二壓力可實質上等同於或實質上高於處理空間225中之第一壓力，使得處理腔室205的穩定性及耐久性可藉由具有如上所述之較大的第二壓力之支撐腔室220來加強。如此一來，在利用用以處理基板的設備來減少積體電路裝置以及顯示裝置的製造成本的情況下，包括半導體裝置之積體電路裝置或平面顯示裝置的顯示裝置可具有改善的可靠度。根據一些範例實施例，用以處理基板之設備可具有簡單的裝設，而無需額外之流體供應源，因為支撐裝置的第三支線255可從供應線260分出。
第4圖繪示根據本發明其他範例實施例之處理腔室及支撐裝置的剖面圖。
參照第4圖，用以處理基板之設備可包括處理腔室305、流體供應單元、控制單元、支撐裝置等。支撐裝置可包括支撐腔室320及供應構件，支撐腔室320能夠提供支撐空間330於其中，供應構件能夠提供流體至支撐腔室320中。
處理腔室305可包括第一殼體310、第二殼體315及支撐單元335，而沒有分開之阻擋單元。第一殼體310可結合第二殼體315，以提供處理空間325於處理腔室305中。支撐單元335可設置於第一殼體310中及可支撐基板W於處理空間325中。
流體供應單元可供應超臨界狀態之流體至處理腔室305及支撐腔室320中。在其他範例實施例中，流體供應單元可包括第一供應線350及第二供應線360。第一供應線350可提供超臨界狀態之流體至處理空間325中，及第二供應線360可提供超臨界狀態之流體至支撐空間330中。於此，支撐裝置的供應構件可為第二供應線360，可供應超臨界狀態的流體至支撐腔室320中。
第一供應線350可連接於第二殼體315的第一入口埠，及第二供應線360可連接於支撐腔室320的第二入口埠。在此情況中，第一入口埠可提供於第二殼體315的側部上，及第二入口埠可提供於支撐腔室320的側部上。雖然第4圖係繪示出第一入口埠裝設於第二殼體315之側部上，第一入口埠可提供於第一殼體310的側邊上。
第一供應線350可包括第一控制閥355，及第二供應線360可包括第二控制閥365。第一控制閥355可調整供應至處理空間325中的超臨界狀態之流體的流速，及可調整處理空間325中之超臨界狀態的流體所產生的第一壓力。第二控制閥365可調整提供至支撐空間330中之超臨界狀態的流體的流速，及可調整支撐空間330中的超臨界狀態之流體所產生的第二壓力。於此，支撐空間330中的第二壓力可實質上等同於或實質上大於處理空間325中的第一壓力。
第5圖繪示根據本發明再其他範例實施例之處理腔室及支撐裝置的剖面圖。
參照第5圖，用以處理基板的設備可包括處理腔室405、流體供應單元、控制單元、支撐裝置等。支撐裝置可包括支撐腔室420 及供應構件，支撐腔室420能夠提供支撐空間430於其中，及供應構件能夠提供流體至支撐腔室420中。
處理腔室405可包括第一殼體410、第二殼體415及支撐單元435，而沒有額外的阻擋單元。第一殼體410及第二殼體415可彼此結合，以於處理腔室405中提供處理空間425。支撐單元435可裝設於第一殼體410中，及可支撐基板W於處理空間425中。
流體供應單元可供應超臨界狀態的流體至處理腔室405及支撐腔室420中。在其他範例實施例中，流體供應單元可包括供應線450、第一支線455及第二支線465。各第一支線455可從供應線450分出。第一支線455可提供超臨界狀態的流體至處理空間425中，及第二支線465可提供超臨界狀態的流體至支撐空間430中。於此，支撐裝置之供應構件可為第二支線465。
第一支線455可連接於第二殼體415的第一入口埠，以及第二支線465可連接於支撐腔室420之第二入口埠。舉例來說，第一入口埠可提供於第二殼體415的側部上，以及第二入口埠可提供於支撐腔室420之側部上。或者，第一入口埠可裝設於第一殼體410之側邊上。
第一支線455可包括第一控制閥460，及第二支線465可包括第二控制閥470。第一控制閥460可調整提供至處理空間425中之超臨界狀態的流體的流速，及可調整處理空間425中的超臨界狀態之流體所產生的第一壓力。第二控制閥470可調整提供至支撐空間430中之超臨界狀態的流體的流速，及可調整支撐空間430中的超臨界狀態 之流體所產生的第二壓力。支撐空間430中的第二壓力於此可實質上等同於或實質上大於處理空間425中的第一壓力，及處理腔室405之穩定性及耐久性可藉由具有如上所述之較大的第二壓力的支撐腔室420來加強。
根據本發明之範例實施例，用以處理基板的設備可包括用以支撐處理腔室的支撐裝置，使得支撐裝置可有效地避免包括於處理腔室中的元件因引入處理腔室中之超臨界狀態的流體所產生的高壓而變形、損壞、或破裂。因此，處理腔室的結構穩定性及耐久性可加強，及在處理腔室中所執行的處理的可靠度可改善。如此一來，在利用用以處理基板之設備來減少包括半導體裝置之積體電路裝置或包括平面顯示器的顯示裝置的製造成本的情況下，積體電路裝置或顯示裝置可具有改善之可靠度。
前述係為實施例的說明及並不詮釋為其之限制。雖然已經說明了一些實施例，此技術領域中具有通常知識者將輕易地瞭解，許多在實施例中的調整係於實質上不脫離本發明之新穎教示及優點下為可行的。因此，全部的此些調整係意欲包括於如申請專利範圍中所界定之本發明的範圍中。在申請專利範圍中，手段功能子句(means-plus-function clauses)係意欲含括此處所述之執行所述功能的結構，以及不僅含括結構性等效者且亦含括等效結構。因此，將理解的是，前述係為數種實施例之說明及不解釋為限制成所揭露的特定實施例，以及對所揭露的實施例的該些調整以及其他實施例係意欲包括於所附之申請專利範圍的範疇中。綜上所述，雖然本發明已以實施 例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
105:處理腔室
110:第一殼體
115:第二殼體
120:支撐腔室
125:處理空間
130:支撐空間
135:支撐單元
140:阻擋單元
145:第一支線
150:第二支線
155:第一供應線
160:第二供應線
165:第一控制閥
170:第二控制閥
175:第三控制閥
W:基板

Claims (16)

  1. 一種用於在一基板上執行一預處理的一處理腔室的支撐裝置，包括：一支撐腔室，設置以相鄰於該處理腔室；以及一供應構件，用以供應一流體至該支撐腔室中，其中該支撐腔室係接觸該處理腔室；及其中該支撐腔室中的一壓力係大於該處理腔室中的一壓力。
  2. 如請求項1所述之支撐裝置，其中一超臨界狀態(supercritical state)的該流體係經由包括複數個支線的一第一供應線供應至該處理腔室中，以及該供應構件包括一第二供應線，提供該超臨界狀態的該流體至該支撐腔室中。
  3. 如請求項2所述之支撐裝置，其中該第一供應線包括一第一支線及一第二支線，該第一支線連接於該處理腔室的一上部，該第二支線連接於該處理腔室的一下部。
  4. 如請求項3所述之支撐裝置，其中該第一支線包括一第一控制閥，用以調整該超臨界狀態的該流體的一流速，該第二支線包括一第二控制閥，用以調整該超臨界狀態的該流體的一流速，以及該第二供應線包括一第三控制閥，用以調整該超臨界狀態的該流體的一流速。
  5. 如請求項3所述之支撐裝置，其中該第二支線通過該支撐腔室，以連接於該處理腔室。
  6. 如請求項3所述之支撐裝置，其中該支撐腔室包括一第一連接埠及一第二連接埠，該第一連接埠提供於該支撐腔室之一側部上，該第二連接埠提供於該支撐腔室之一上部上。
  7. 如請求項1所述之支撐裝置，其中一超臨界狀態之該流體係經由一供應線提供至該處理腔室中，該供應構件包括一支線，從該供應線分出及提供該超臨界狀態的該流體至該支撐腔室中。
  8. 如請求項7所述之支撐裝置，其中該超臨界狀態的該流體係經由從該供應線分出的一支線供應至該處理腔室中。
  9. 如請求項1所述之支撐裝置，其中一超臨界狀態的該流體係經由一第一供應線供應至該處理腔室中，及該供應構件包括一第二供應線，提供該超臨界狀態的該流體至該支撐腔室中。
  10. 如請求項9所述之支撐裝置，其中該第一供應線係連接於一第一入口埠，該第一入口埠提供於該處理腔室之一側部上，及該第二供應線係連接於一第二入口埠，該第二入口埠提供於該支撐腔室之一側部上。
  11. 一種用以處理一基板的設備，包括：一處理腔室，提供一處理空間，一預處理係在該處理空間中執行於該基板上；以及一支撐裝置，接觸該處理腔室及支撐該處理腔室， 其中該支撐裝置包括一支撐腔室及一供應構件，該支撐腔室提供一支撐空間，用以支撐該處理腔室的複數個元件，該供應構件供應一流體至該支撐空間中，及其中該支撐空間中的一壓力係大於該處理腔室中的一壓力。
  12. 如請求項11所述之設備，更包括一第一供應線，供應一超臨界狀態(supercritical state)的該流體至該處理腔室中，以及該供應構件包括一第二供應線，提供該超臨界狀態的該流體至該支撐腔室中。
  13. 如請求項12所述之設備，其中該第一供應線包括一第一支線及一第二支線，該第一支線連接於該處理腔室的一上部，該第二支線連接於該處理腔室的一下部。
  14. 如請求項13所述之設備，其中該第二支線通過該支撐腔室，以連接於該處理腔室。
  15. 如請求項14所述之設備，其中該支撐腔室包括一第一連接埠及一第二連接埠，該第一連接埠提供於該支撐腔室的一側部上，該第二連接埠連接於該支撐腔室的一上部。
  16. 如請求項11所述之設備，更包括一供應線，供應一超臨界狀態的該流體至該處理腔室中，以及該供應構件包括一支線，從該供應線分出及提供該超臨界狀態的該流體至該支撐腔室中。
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