JP2022098503A - リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ - Google Patents
リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022098503A JP2022098503A JP2022018234A JP2022018234A JP2022098503A JP 2022098503 A JP2022098503 A JP 2022098503A JP 2022018234 A JP2022018234 A JP 2022018234A JP 2022018234 A JP2022018234 A JP 2022018234A JP 2022098503 A JP2022098503 A JP 2022098503A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- indium phosphide
- substrate
- wafer
- edge portion
- phosphide substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 116
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 85
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 39
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 51
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 17
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005011 time of flight secondary ion mass spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
- C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02019—Chemical etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
【課題】エッジ部の凹凸や加工ダメージを起因とするリン化インジウム基板の割れを抑制することが可能なリン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハを提供する。【解決手段】基板のエッジ部が、基板の一方の表面から傾斜した面、及び、基板の一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、基板の他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面を有し、基板のエッジ部は、一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが1.2μm以下であり、かつ、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下であり、曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが2.1μm以下であり、かつ、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、リン化インジウム基板。【選択図】図1
Description
本発明は、リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハに関する。
インジウムリン(InP)は、III族のインジウム(In)とV族のリン(P)とからなるIII-V族化合物半導体材料である。半導体材料としての特性は、バンドギャップ1.35eV、電子移動度~5400cm2/V・sであり、高電界下での電子移動度はシリコンやガリウム砒素といった他の一般的な半導体材料より高い値になるという特性を有している。また、常温常圧下での安定な結晶構造は立方晶の閃亜鉛鉱型構造であり、その格子定数は、ヒ化ガリウム(GaAs)やリン化ガリウム(GaP)等の化合物半導体と比較して大きな格子定数を有するという特徴を有している。
リン化インジウム基板の原料となるリン化インジウムのインゴットは、通常、所定の厚さにスライシングされ、所望の形状に研削され、適宜機械研磨された後、研磨屑や研磨により生じたダメージを除去するために、エッチングや精密研磨(ポリシング)等に供される(特許文献1)。
リン化インジウム基板のエッジ部の加工は、通常、面取り装置にて実施されており、番手♯800または♯1200の砥石による研磨にて実施されている。
リン化インジウム基板のエッジ部の表面粗さが大きいと、製造時や出荷後の基板が割れやすくなるという問題が生じる。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、エッジ部の凹凸や加工ダメージを起因とするリン化インジウム基板の割れを抑制することが可能なリン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハを提供することを目的とする。
上記課題は、以下のように特定される、本発明の実施形態によって解決される。
(1)基板のエッジ部の表面粗さについて、前記エッジ部表面全体において、レーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが2.1μm以下である、リン化インジウム基板。
(2)前記最大高さSzが1.8μm以下である、(1)に記載のリン化インジウム基板。
(3)基板のエッジ部の表面粗さについて、前記エッジ部表面全体において、レーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、(1)または(2)に記載のリン化インジウム基板。
(4)前記二乗平均平方根高さSqが0.07μm以下である、(3)に記載のリン化インジウム基板。
(5)前記基板のエッジ部は、
一方の表面から傾斜した面、及び、
前記一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面
を有し、
前記一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが1.2μm以下であり、
前記曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが2.1μm以下である、(1)~(4)のいずれかに記載のリン化インジウム基板。
(6)前記基板のエッジ部は、
一方の表面から傾斜した面、及び、
前記一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面
を有し、
前記一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下であり、
前記曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、(1)~(5)のいずれかに記載のリン化インジウム基板。
(7)リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、
前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、
前記エッジ部の研磨後のウエハをエッチングする工程と、
を含む、リン化インジウム基板の製造方法。
(8)前記リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、の間に、ウエハの少なくとも一方の表面を研磨する工程を更に含む、(7)に記載のリン化インジウム基板の製造方法。
(9)(1)~(6)のいずれかに記載のリン化インジウム基板と、前記リン化インジウム基板の主面に設けられたエピタキシャル結晶層と、を有する、半導体エピタキシャルウエハ。
(1)基板のエッジ部の表面粗さについて、前記エッジ部表面全体において、レーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが2.1μm以下である、リン化インジウム基板。
(2)前記最大高さSzが1.8μm以下である、(1)に記載のリン化インジウム基板。
(3)基板のエッジ部の表面粗さについて、前記エッジ部表面全体において、レーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、(1)または(2)に記載のリン化インジウム基板。
(4)前記二乗平均平方根高さSqが0.07μm以下である、(3)に記載のリン化インジウム基板。
(5)前記基板のエッジ部は、
一方の表面から傾斜した面、及び、
前記一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面
を有し、
前記一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが1.2μm以下であり、
前記曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが2.1μm以下である、(1)~(4)のいずれかに記載のリン化インジウム基板。
(6)前記基板のエッジ部は、
一方の表面から傾斜した面、及び、
前記一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面
を有し、
前記一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下であり、
前記曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、(1)~(5)のいずれかに記載のリン化インジウム基板。
(7)リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、
前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、
前記エッジ部の研磨後のウエハをエッチングする工程と、
を含む、リン化インジウム基板の製造方法。
(8)前記リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、の間に、ウエハの少なくとも一方の表面を研磨する工程を更に含む、(7)に記載のリン化インジウム基板の製造方法。
(9)(1)~(6)のいずれかに記載のリン化インジウム基板と、前記リン化インジウム基板の主面に設けられたエピタキシャル結晶層と、を有する、半導体エピタキシャルウエハ。
本発明の実施形態によれば、エッジ部の凹凸や加工ダメージを起因とするリン化インジウム基板の割れを抑制することが可能なリン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハを提供することができる。
〔リン化インジウム基板〕
以下、本実施形態のリン化インジウム基板の構成について説明する。
本実施形態のリン化インジウム(InP)基板は、基板表面、基板裏面、及び、エッジ部を備える。エッジ部は、結晶の方位を示すオリエンテーションフラット(OF)、及び、基板の主面と裏面とを見分けるためのインデックスフラット(IF)を有していてもよい。
以下、本実施形態のリン化インジウム基板の構成について説明する。
本実施形態のリン化インジウム(InP)基板は、基板表面、基板裏面、及び、エッジ部を備える。エッジ部は、結晶の方位を示すオリエンテーションフラット(OF)、及び、基板の主面と裏面とを見分けるためのインデックスフラット(IF)を有していてもよい。
リン化インジウム基板の主面は、エピタキシャル結晶層を形成するための面とすることができる。エピタキシャル結晶層を形成するための面とは、本実施形態のリン化インジウム基板を、半導体素子構造の形成のためにエピタキシャル成長用の基板として使用する際に、実際にエピタキシャル成長を実施する面である。
リン化インジウム基板の主面の最大径は特に限定されないが、49~151mmであってもよく、49~101mmであってもよい。リン化インジウム基板の平面形状は、円形であってもよく、四角形等の矩形であってもよい。
リン化インジウム基板の厚さは特に限定されないが、例えば、300~900μmであるのが好ましく、300~700μmであるのがより好ましい。特に口径が大きい場合、リン化インジウム基板が300μm未満であると割れる恐れがあり、900μmを超えると母材結晶が無駄になるという問題が生じることがある。
本実施形態のリン化インジウム基板は、ドーパント(不純物)として、Znをキャリア濃度が1×1016cm-3以上1×1019cm-3以下となるように含んでもよく、Sをキャリア濃度が1×1016cm-3以上1×1019cm-3以下となるように含んでもよく、Snをキャリア濃度が1×1016cm-3以上1×1019cm-3以下となるように含んでもよく、Feをキャリア濃度が1×106cm-3以上1×109cm-3以下となるように含んでもよい。
図1に、本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板のエッジ部付近の断面模式図を示す。リン化インジウム基板のエッジ部の断面は、図1に示すように長方形の角が削られて(面取りがなされて)、曲線状となっている。本発明において、「エッジ部」とは、リン化インジウム基板の側面、すなわち、主面と裏面を除いた外表面を示し、具体的には、図1に示す主面の端部(平坦な主面が傾斜し始める位置)に位置する点Pから、基板の側面を亘り、裏面の端部(平坦な裏面が傾斜し始める位置)に位置する点Qまでの領域を示す。また、本発明の「エッジ部」はオリエンテーションフラット(OF)、及び、インデックスフラット(IF)も含んでいる。
なお、図1は、本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板における主面、裏面、エッジ部を理解するための図面であり、これらがそのまま本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板を示すものではない。
本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板は、エッジ部の表面粗さについて、エッジ部表面全体において、レーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが2.1μm以下である。このような構成によれば、エッジ部の凹凸や加工ダメージに起因する、製造時や出荷後の基板割れの発生を抑制することができる。
本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板のエッジ部の最大高さSzは、ISO25178に準拠して測定される、表面の最も高い点から最も低い点までの距離を表すパラメータである。本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板のエッジ部の最大高さSzは、例えば、OLYMPUS社製3D測定レーザー顕微鏡OLS5000を用いて測定することができる。
本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板は、エッジ部の表面粗さについて、エッジ部表面全体において、レーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが1.8μm以下であるのが好ましい。また、本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板のエッジ部の当該最大高さSzの下限値は特に限定されないが、0.2μm以上、0.4μm以上であってもよい。
本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板は、エッジ部の表面粗さについて、エッジ部表面全体において、レーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下であるのが好ましい。リン化インジウム基板のエッジ部の二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下に制御されていることで、面取り以降の加工に用いられる研削砥粒や、研磨液がエッジ部に残留することが抑制される。このため、基板表面に残留物(パーティクル等)が移動することを防ぐことができ、リン化インジウム基板の表面の汚染、及び、基板製造時の歩留まり低下を抑制することができる。基板表面の汚染を防ぐことができると、エピタキシャル成長を実施した後の表面品質が向上する。
本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板のエッジ部の二乗平均平方根高さSqは、ISO25178に準拠して測定される、平均面からの標準偏差を表すパラメータである。本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板のエッジ部の二乗平均平方根高さSqは、例えば、OLYMPUS社製3D測定レーザー顕微鏡OLS5000を用いて測定することができる。
本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板は、エッジ部の表面粗さについて、エッジ部表面全体において、レーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.07μm以下であるのがより好ましい。また、本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板のエッジ部の当該二乗平均平方根高さSqの下限値は特に限定されないが、0.01μm以上、0.015μm以上であってもよい。
本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板は、エッジ部の表面粗さについて、一方の表面から傾斜した面、及び、一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面を有しており、一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが1.2μm以下であり、曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが2.1μm以下であることが好ましい。このような構成によれば、エッジ部の凹凸や加工ダメージを起因とするリン化インジウム基板の割れをより良好に抑制することが可能となる。ここで、当該「一方の表面から傾斜した面」は、後述の図3に示す、主面から傾斜した面である測定領域1で示される面であり、当該「一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面」は、後述の図3に示す、測定領域1の主面から傾斜した面が終了する位置から、裏面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面となるエッジ部の円弧領域となる測定領域2で示される面である。
本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板は、エッジ部の表面粗さについて、上述の一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下であり、上述の曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下であることが好ましい。このような構成によれば、基板表面に残留物(パーティクル等)が移動することをより良好に防ぐことができ、リン化インジウム基板の表面の汚染、及び、基板製造時の歩留まり低下をより良好に抑制することができる。
〔リン化インジウム基板の製造方法〕
次に、本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板の製造方法について説明する。
リン化インジウム基板の製造方法としては、まず、公知の方法にてリン化インジウムのインゴットを作製する。
次に、リン化インジウムのインゴットを研削して円筒にする。このとき、ウエハの外周部分の所定位置に、オリエンテーションフラット(OF)、及び、インデックスフラット(IF)を形成してもよい。
次に、研削したリン化インジウムのインゴットから主面及び裏面を有するウエハを切り出す。このとき、リン化インジウムのインゴットの結晶両端を所定の結晶面に沿って、ワイヤーソー等を用いて切断し、複数のウエハを所定の厚さに切り出す。
次に、本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板の製造方法について説明する。
リン化インジウム基板の製造方法としては、まず、公知の方法にてリン化インジウムのインゴットを作製する。
次に、リン化インジウムのインゴットを研削して円筒にする。このとき、ウエハの外周部分の所定位置に、オリエンテーションフラット(OF)、及び、インデックスフラット(IF)を形成してもよい。
次に、研削したリン化インジウムのインゴットから主面及び裏面を有するウエハを切り出す。このとき、リン化インジウムのインゴットの結晶両端を所定の結晶面に沿って、ワイヤーソー等を用いて切断し、複数のウエハを所定の厚さに切り出す。
次に、ワイヤーソーによる切断工程において生じた加工変質層を除去するために、切断後のウエハに対し、所定のエッチング液により、両面エッチングする(一次エッチング)。ウエハは、エッチング液中にウエハ全体を浸漬することで、エッチングすることができる。
次に、ウエハの外周部分の面取りを行う。面取りの後、ウエハの少なくとも一方の表面、好ましくは両面を研磨(ポリッシング)してもよい。当該研磨工程はラッピング工程とも言われ、所定の研磨剤で研磨することで、ウエハの平坦性を保ったままウエハ表面の凹凸を取り除く。
面取り後、または、面取り後にラッピングを行った場合は当該ラッピング工程の後、面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する。このとき、ウエハのエッジ部全面を、同じ番手#4000の研磨フィルムにて研磨するため、ウエハのエッジ部全面の粗さが、同様の粗さに制御される。すなわち、当該研磨によって、ウエハのエッジ部の表面粗さについて、エッジ部表面全体において、レーザー顕微鏡によって測定したとき、最大高さSzが2.1μm以下であるように制御する。また、このとき、同時にウエハのエッジ部の表面粗さについて、エッジ部表面全体において、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下となるように制御することが好ましい。
次に、エッジ部の研磨後のウエハに対し、所定のエッチング液により、両面エッチングする(二次エッチング)。ウエハは、前記エッチング液中にウエハ全体を浸漬することで、エッチングすることができる。
次に、ウエハの主面を鏡面研磨用の研磨材で研磨して鏡面に仕上げる。
次に、洗浄を行うことで、本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板が製造される。
次に、ウエハの主面を鏡面研磨用の研磨材で研磨して鏡面に仕上げる。
次に、洗浄を行うことで、本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板が製造される。
本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板は、上述のように、面取り後の番手#4000の研磨フィルムにて研磨されたエッジ部を有する基板であってもよく、または、研磨フィルムにて研磨された後、エッチング、鏡面研磨、洗浄等を行うことで作製した基板であってもよい。
〔半導体エピタキシャルウエハ〕
本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板の主面に対し、公知の方法で半導体薄膜をエピタキシャル成長させることで、エピタキシャル結晶層を形成し、半導体エピタキシャルウエハを作製することができる。当該エピタキシャル成長の例としては、リン化インジウム基板の主面に、InAlAsバッファ層、InGaAsチャネル層、InAlAsスペーサ層、InP電子供給層をエピタキシャル成長させたHEMT構造を形成してもよい。このようなHEMT構造を有する半導体エピタキシャルウエハを作製する場合、一般には、鏡面仕上げしたリン化インジウム基板に、硫酸/過酸化水素水などのエッチング溶液によるエッチング処理を施して、基板表面に付着したケイ素(Si)等の不純物を除去する。このエッチング処理後のリン化インジウム基板の裏面をサセプターに接触させて支持した状態で、リン化インジウム基板の主面に、分子線エピタキシャル成長法(MBE:Molecular Beam Epitaxy)又は有機金属気相成長(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)によりエピタキシャル膜を形成する。
本発明の実施形態に係るリン化インジウム基板の主面に対し、公知の方法で半導体薄膜をエピタキシャル成長させることで、エピタキシャル結晶層を形成し、半導体エピタキシャルウエハを作製することができる。当該エピタキシャル成長の例としては、リン化インジウム基板の主面に、InAlAsバッファ層、InGaAsチャネル層、InAlAsスペーサ層、InP電子供給層をエピタキシャル成長させたHEMT構造を形成してもよい。このようなHEMT構造を有する半導体エピタキシャルウエハを作製する場合、一般には、鏡面仕上げしたリン化インジウム基板に、硫酸/過酸化水素水などのエッチング溶液によるエッチング処理を施して、基板表面に付着したケイ素(Si)等の不純物を除去する。このエッチング処理後のリン化インジウム基板の裏面をサセプターに接触させて支持した状態で、リン化インジウム基板の主面に、分子線エピタキシャル成長法(MBE:Molecular Beam Epitaxy)又は有機金属気相成長(MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition)によりエピタキシャル膜を形成する。
以下、本発明及びその利点をより良く理解するための実施例を提供するが、本発明はこれらの実施例に限られるものではない。
(実施例1)
まず、所定の直径で育成したリン化インジウムの単結晶のインゴットを準備した。
次に、リン化インジウムの単結晶のインゴットの外周を研削し、円筒にした。このとき、ウエハの外周部分の所定位置に、オリエンテーションフラット(OF)、及び、インデックスフラット(IF)を形成した。
まず、所定の直径で育成したリン化インジウムの単結晶のインゴットを準備した。
次に、リン化インジウムの単結晶のインゴットの外周を研削し、円筒にした。このとき、ウエハの外周部分の所定位置に、オリエンテーションフラット(OF)、及び、インデックスフラット(IF)を形成した。
次に、研削したリン化インジウムのインゴットから主面及び裏面を有するウエハを切り出した。このとき、リン化インジウムのインゴットの結晶両端を所定の結晶面に沿って、ワイヤーソーを用いて切断し、複数のウエハを所定の厚さに切り出した。ウエハを切り出す工程では、ワイヤーを往復させながら常に新線を送り続けるとともに、リン化インジウムをワイヤーソーへ移動させた。ここで作製したウエハのウエハ径は、76.2mmであり、ウエハ厚さは750μmであった。
次に、ワイヤーソーによる切断工程において生じた加工変質層を除去するために、切断後のウエハを85質量%のリン酸水溶液及び30質量%の過酸化水素水の混合溶液により、両面からエッチングした(一次エッチング)。ウエハは、エッチング液中にウエハ全体を浸漬することで、エッチングした。
次に、ウエハの外周部分の面取りを行った。次に、面取り後のウエハの両面を研磨した(ラッピング)。このとき、研磨剤で研磨することで、ウエハの平坦性を保ったままウエハ表面の凹凸を取り除いた。
次に、面取りによって生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムに押し当てて研磨した。
次に、フィルムによる研磨後のウエハを85質量%のリン酸水溶液、30質量%の過酸化水素水及び超純水の混合溶液により、両面から合計8~15μm厚のエッチング量でエッチングした(二次エッチング)。ウエハは、前記エッチング液中にウエハ全体を浸漬することで、エッチングした。
次に、ウエハの主面を鏡面研磨用の研磨材で研磨(ポリッシング)して鏡面に仕上げた後、洗浄することでリン化インジウム基板を作製した。
図2に、実施例1で作製されたリン化インジウム基板の平面模式図を示す。また、図3に、実施例1で作製されたリン化インジウム基板のエッジ部付近の断面模式図を示す。図3において、T=650μm、X1=494μm、X2=432μm、Y1=126μm、Y2=108μm、Y3=416μm、R1=167μm、R2=184μm(R1、R2は、エッジ部のラウンド部の曲率半径)、θ1=14.5度、θ2=13.9度(θ1、θ2は、エッジ部の傾斜角度)であった。
(比較例1)
比較例1として、上述の実施例1において、ラッピング工程の後、研磨フィルムによるエッジ部の研磨を実施せず、二次エッチングを実施した以外は、実施例1と同様にしてリン化インジウム基板を作製した。
比較例1として、上述の実施例1において、ラッピング工程の後、研磨フィルムによるエッジ部の研磨を実施せず、二次エッチングを実施した以外は、実施例1と同様にしてリン化インジウム基板を作製した。
(評価)
リン化インジウム基板の測定対象となるエッジ部は、図2に示すように、OFの反対側に位置する領域(A-領域)と、IFの反対側に位置する領域(B-領域)とに分け、さらに、図3に示すように、(1)主面から傾斜した面を測定領域1とし、さらに、(2)測定領域1の主面から傾斜した面が終了する位置から、裏面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面となるエッジ部の円弧領域を測定領域2とした。
そして、A-領域における測定領域1を「A-領域1」とし、A-領域における測定領域2を「A-領域2」とし、B-領域における測定領域1を「B-領域1」とし、B-領域における測定領域2を「B-領域2」とした。
リン化インジウム基板の測定対象となるエッジ部は、図2に示すように、OFの反対側に位置する領域(A-領域)と、IFの反対側に位置する領域(B-領域)とに分け、さらに、図3に示すように、(1)主面から傾斜した面を測定領域1とし、さらに、(2)測定領域1の主面から傾斜した面が終了する位置から、裏面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面となるエッジ部の円弧領域を測定領域2とした。
そして、A-領域における測定領域1を「A-領域1」とし、A-領域における測定領域2を「A-領域2」とし、B-領域における測定領域1を「B-領域1」とし、B-領域における測定領域2を「B-領域2」とした。
これらエッジ部の合計4箇所の領域(各測定領域サイズ:258μm×258μm)において、それぞれ、OLYMPUS社製3D測定レーザー顕微鏡OLS5000を用いて、最大高さSz、及び、二乗平均平方根高さSqを測定した。
なお、エッジ部の曲率を除去して評価するため、カットオフフィルター(Lフィルター:カットする波長20μm)を用いて測定を実施した。
評価結果を表1に示す。
なお、エッジ部の曲率を除去して評価するため、カットオフフィルター(Lフィルター:カットする波長20μm)を用いて測定を実施した。
評価結果を表1に示す。
(考察)
実施例1では、基板のエッジ部のA-領域1、2、及び、B-領域1、2の、各表面粗さについて、レーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが2.1μm以下である、リン化インジウム基板が得られた。基板のエッジ部表面全体において、番手#4000の研磨フィルムにて研磨したものであり、エッジ部表面全体において、測定領域1に対応する傾斜領域は、A-領域1及びB-領域1と同様の表面粗さが得られているものと考えられる。また、エッジ部表面全体において、上述の測定領域2のようなエッジ部の測定領域2に対応する比較的平坦な領域(円弧領域)は、A-領域2及びB-領域2と同様の表面粗さが得られているものと考えられる。
なお、エッジ部の領域1と領域2とで最大高さSz及び二乗平均平方根高さSqに違いが生じたのは、研磨フィルムにてエッジ部を研磨した後の、鏡面研磨などによる基板表面の研磨による影響が出ているものと考えられる。あくまで、基板のエッジ部表面全体において、番手#4000の研磨フィルムにて研磨した直後であれば、エッジ部表面全体において、どの領域を測定しても、最大高さSz及び二乗平均平方根高さSqは同様であるものと考えられる。
実施例1では、基板のエッジ部のA-領域1、2、及び、B-領域1、2の、各表面粗さについて、レーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが2.1μm以下である、リン化インジウム基板が得られた。基板のエッジ部表面全体において、番手#4000の研磨フィルムにて研磨したものであり、エッジ部表面全体において、測定領域1に対応する傾斜領域は、A-領域1及びB-領域1と同様の表面粗さが得られているものと考えられる。また、エッジ部表面全体において、上述の測定領域2のようなエッジ部の測定領域2に対応する比較的平坦な領域(円弧領域)は、A-領域2及びB-領域2と同様の表面粗さが得られているものと考えられる。
なお、エッジ部の領域1と領域2とで最大高さSz及び二乗平均平方根高さSqに違いが生じたのは、研磨フィルムにてエッジ部を研磨した後の、鏡面研磨などによる基板表面の研磨による影響が出ているものと考えられる。あくまで、基板のエッジ部表面全体において、番手#4000の研磨フィルムにて研磨した直後であれば、エッジ部表面全体において、どの領域を測定しても、最大高さSz及び二乗平均平方根高さSqは同様であるものと考えられる。
また、実施例1の基板表面のSi濃度をTOF-SIMS分析で2点測定した結果、80.3(×1010atoms/cm2)、115.8(×1010atoms/cm2)であった。このとき、濃度既知の標準試料をもとに分析装置の感度係数を求めて、Siのイオン強度をIn強度で規格化して定量化した。
TOF-SIMS分析の分析条件は以下の通りである。
装置名:Physical Electronics TRIFT III
イオン源:Au+
一次イオンエネルギー:22kV
分析エリア:25μm×25μm
TOF-SIMS分析の分析条件は以下の通りである。
装置名:Physical Electronics TRIFT III
イオン源:Au+
一次イオンエネルギー:22kV
分析エリア:25μm×25μm
比較例1のリン化インジウム基板は、面取り及びラッピング工程後に、基板のエッジ部表面全体において、番手#4000の研磨フィルムにて研磨しなかったため、基板のエッジ部のA-領域1、2、及び、B-領域1、2の、各表面粗さについて、レーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが2.1μm超であった。
Claims (5)
- 基板のエッジ部が、
前記基板の一方の表面から傾斜した面、及び、
前記基板の一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、前記基板の他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面
を有し、
前記基板のエッジ部は、前記一方の表面から傾斜した面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが1.2μm以下であり、かつ、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下であり、
前記曲率をもった面におけるレーザー顕微鏡によって測定された、最大高さSzが2.1μm以下であり、かつ、二乗平均平方根高さSqが0.15μm以下である、リン化インジウム基板。 - 前記曲率をもった面における前記二乗平均平方根高さSqが0.07μm以下である、請求項1に記載のリン化インジウム基板。
- リン化インジウムのウエハのエッジ部が、
前記ウエハの一方の表面から傾斜した面、及び、
前記ウエハの一方の表面から傾斜した面が終了する位置から、前記ウエハの他方の表面から傾斜した面が終了する位置までの、曲率をもった面
を有するように、前記ウエハの外周部分の面取りを行う工程と、
前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、
前記エッジ部の研磨後のウエハをエッチングする工程と、
を含む、請求項1または2に記載のリン化インジウム基板の製造方法。 - 前記リン化インジウムのウエハの外周部分の面取りを行う工程と、前記面取り後に生じたウエハのエッジ部の表面全体を、番手#4000の研磨フィルムにて研磨する工程と、の間に、ウエハの少なくとも一方の表面を研磨する工程を更に含む、請求項3に記載のリン化インジウム基板の製造方法。
- 請求項1または2に記載のリン化インジウム基板と、前記リン化インジウム基板の主面に設けられたエピタキシャル結晶層と、を有する、半導体エピタキシャルウエハ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022018234A JP2022098503A (ja) | 2020-12-21 | 2022-02-08 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020211684A JP7166323B2 (ja) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
JP2022018234A JP2022098503A (ja) | 2020-12-21 | 2022-02-08 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020211684A Division JP7166323B2 (ja) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022098503A true JP2022098503A (ja) | 2022-07-01 |
Family
ID=82158947
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020211684A Active JP7166323B2 (ja) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
JP2022018234A Withdrawn JP2022098503A (ja) | 2020-12-21 | 2022-02-08 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020211684A Active JP7166323B2 (ja) | 2020-12-21 | 2020-12-21 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230378274A1 (ja) |
EP (1) | EP4207249A1 (ja) |
JP (2) | JP7166323B2 (ja) |
CN (1) | CN116261772A (ja) |
TW (1) | TWI781801B (ja) |
WO (1) | WO2022137727A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7166324B2 (ja) * | 2020-12-21 | 2022-11-07 | Jx金属株式会社 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6117257A (ja) | 1984-07-04 | 1986-01-25 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録再生装置 |
JP2594371B2 (ja) * | 1990-03-29 | 1997-03-26 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP3368799B2 (ja) * | 1997-05-22 | 2003-01-20 | 住友電気工業株式会社 | Iii−v族化合物半導体ウェハおよびその製造方法 |
JPH11204493A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-07-30 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | 半導体ウェハの製造方法 |
JP3516203B2 (ja) * | 1999-11-08 | 2004-04-05 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 化合物半導体ウェハ |
JP2008109125A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-05-08 | Sumco Techxiv株式会社 | シリコン単結晶基板及びその製造方法 |
US8062732B2 (en) * | 2007-05-22 | 2011-11-22 | Corning Incorporated | Glass article having improved edge |
US8562849B2 (en) * | 2009-11-30 | 2013-10-22 | Corning Incorporated | Methods and apparatus for edge chamfering of semiconductor wafers using chemical mechanical polishing |
JP5472073B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2014-04-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウェーハ及びその製造方法 |
JP2012174935A (ja) * | 2011-02-22 | 2012-09-10 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | エピタキシャルウェーハの製造方法 |
JP7125252B2 (ja) * | 2017-08-30 | 2022-08-24 | 昭和電工株式会社 | SiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法 |
JP7017475B2 (ja) * | 2018-06-19 | 2022-02-08 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク関連基板の表面状態の評価方法 |
JP7381214B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2023-11-15 | 株式会社東京精密 | ブラストユニット付き面取り装置 |
JP7166324B2 (ja) * | 2020-12-21 | 2022-11-07 | Jx金属株式会社 | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ |
-
2020
- 2020-12-21 JP JP2020211684A patent/JP7166323B2/ja active Active
-
2021
- 2021-10-07 EP EP21909885.2A patent/EP4207249A1/en active Pending
- 2021-10-07 US US18/031,060 patent/US20230378274A1/en active Pending
- 2021-10-07 WO PCT/JP2021/037238 patent/WO2022137727A1/ja unknown
- 2021-10-07 CN CN202180067951.9A patent/CN116261772A/zh active Pending
- 2021-10-25 TW TW110139521A patent/TWI781801B/zh active
-
2022
- 2022-02-08 JP JP2022018234A patent/JP2022098503A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20230378274A1 (en) | 2023-11-23 |
CN116261772A (zh) | 2023-06-13 |
EP4207249A1 (en) | 2023-07-05 |
JP2022098256A (ja) | 2022-07-01 |
TWI781801B (zh) | 2022-10-21 |
WO2022137727A1 (ja) | 2022-06-30 |
JP7166323B2 (ja) | 2022-11-07 |
TW202226354A (zh) | 2022-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7158594B2 (ja) | リン化インジウム基板 | |
KR102537794B1 (ko) | 인화인듐 기판 및 인화인듐 기판의 제조 방법 | |
KR20210122816A (ko) | 인화인듐 기판 및 인화인듐 기판의 제조 방법 | |
JP6761915B1 (ja) | リン化インジウム基板、半導体エピタキシャルウエハ、及びリン化インジウム基板の製造方法 | |
JP6761916B1 (ja) | リン化インジウム基板、半導体エピタキシャルウエハ、及びリン化インジウム基板の製造方法 | |
JP6761917B1 (ja) | リン化インジウム基板、半導体エピタキシャルウエハ、及びリン化インジウム基板の製造方法 | |
WO2022137727A1 (ja) | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ | |
WO2022137728A1 (ja) | リン化インジウム基板、リン化インジウム基板の製造方法及び半導体エピタキシャルウエハ | |
JP7055233B1 (ja) | リン化インジウム基板 | |
US20230082020A1 (en) | Indium phosphide substrate | |
JP2021020844A (ja) | リン化インジウム基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20221026 |