JP2022097413A - 光処理部材、それを含む基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板に対して光処理を遂行することができる光処理部材を提供する。【解決手段】このために、前記光処理部材は複数の同一なＬＥＤモジュールが連結されている回路部を含み、前記回路部は、複数個の同一なＬＥＤモジュールが並列で連結されたＬＥＤモジュール部と、を複数個含み、前記回路部は前記複数個のＬＥＤモジュール部が直列で連結されることを特徴とする。【選択図】図５

Description

本発明は、光処理部材、それを含む基板処理装置及び基板処理方法に関する発明である。
半導体素子または液晶ディスプレイを製造するために、基板にフォトリソグラフィー、蝕刻、アッシング、イオン注入、薄膜蒸着、そして、洗浄などの多様な工程らが遂行される。このうち蝕刻工程は、基板上に形成された薄膜のうちで不必要な領域を除去する工程で、薄膜に対する高い選択比及び高蝕刻率が要求される。そして、上のような工程中には基板を光処理する工程が隋伴されることがある。
既存の場合、基板に光処理を遂行するためにＩＲあるいはＵＰランプを使用する傾向があった。しかし、ランプの寿命が短くて長く使用することができない問題点があって、寿命が長いＬＥＤを使用する。一般的にはＬＥＤ回路を直列で連結して使用することで、等しい電流を流すことができる長所があったが、直列で連結されたＬＥＤのうちで何れか一つの故障発生時、全体ＬＥＤ回路が故障するようになって、工程進行に問題が発生した。
本発明は光処理部材において、一部ＬＥＤモジュールに問題が発生しても全体工程に影響を与えない回路構造を提案しようとする。
本発明が解決しようとする課題は、以上で言及された課題に制限されない。言及されなかった他の技術的課題らは、以下の記載から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
本発明の一例示による、基板に対して光処理を遂行することができる光処理部材が開示される。
前記光処理部材は複数の同一なＬＥＤモジュールが連結されている回路部を含み、前記回路部は、複数個の同一なＬＥＤモジュールが並列で連結されたＬＥＤモジュール部と、を複数個含み、前記回路部は前記複数個のＬＥＤモジュール部が直列で連結されることができる。
一例示によれば、前記ＬＥＤモジュール部は、前記ＬＥＤモジュール部内に並列で連結された前記複数個の同一なＬＥＤモジュールのうちで何れか一つに連結される電流センサーと、をさらに含むことができる。
一例示によれば、前記複数個のＬＥＤモジュール部に流れる電流は一定な値の電流が流れるように定電流制御を通じて制御されることができる。
一例示によれば、前記電流センサーは前記ＬＥＤモジュール部内に並列で連結されたＬＥＤモジュールに流れる電流を測定し、前記光処理部材は前記電流センサーでセンシングした値を利用して前記回路部に含まれたＬＥＤモジュールの正常如何をモニタリングするモニタリング部と、をさらに含むことができる。
一例示によれば、前記モニタリング部は前記一定な値の電流を前記ＬＥＤモジュール部に含まれたＬＥＤモジュールの個数で分けた値と、前記電流センサーで測定した値が変わる場合アラームを発生することができる。
一例示によれば、前記モニタリング部は、前記一定な値の電流を前記ＬＥＤモジュール部に含まれたＬＥＤモジュールの個数で分けた値と、前記電流センサーで測定した値が変わる場合該当電流センサーが含まれたＬＥＤモジュール部に異常が生じたことを知らせることができる。
一例示によれば、前記光処理部材は、前記回路部を通じた光量を測定することができる照度センサーと、をさらに含むことができる。
一例示によれば、前記ＬＥＤモジュールは複数のダイオードを含むことができる。
一例示によれば、前記ＬＥＤモジュールはＵＶ ＬＥＤであることがある。
本発明の他の一例示による基板処理装置が開示される。
前記装置は、基板を支持する支持部材と、前記支持部材に支持された基板で処理液を供給する処理液ノズルと、前記支持部材に支持された基板に対して光処理する光処理部材と、を含み、前記光処理部材は複数の同一なＬＥＤモジュールが連結されている回路部を含み、前記回路部は、複数個の同一なＬＥＤモジュールが並列で連結されたＬＥＤモジュール部と、を複数個含み、前記回路部は前記複数個のＬＥＤモジュール部が直列で連結されることができる。
本発明のまた他の一例示による基板処理装置を利用して光処理を遂行する基板処理方法が開示される。
前記方法は、前記電流センサーを通じてそれぞれの前記ＬＥＤモジュール部に流れる電流をセンシングする段階と、前記電流センサーで測定する値が前記一定な値の電流を前記ＬＥＤモジュール部に含まれたＬＥＤモジュールの個数で分けた値と相異な場合、アラームを発生する段階と、を含むことができる。
一例示によれば、前記アラームを発生する段階は、相異に測定された電流センサーが含まれたＬＥＤモジュール部に異常が発生したことを共に知らせることができる。
本発明によれば、一部ＬＥＤモジュールに問題が発生しても全体工程に影響を与えないことがある。
本発明によれば、電流センサーを通じたモニタリングを通じて故障発生如何を速かに確認可能であり、工程に影響を与える前に措置が可能な効果がある。
本発明の効果は上述した効果らに制限されない。言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
本発明の実施例による基板処理設備を見せてくれる平面図である。 本発明の一実施例による基板処理装置を示す図面である。 他の実施例による基板処理装置を示す図面である。 また他の一実施例による基板処理装置を示す図面である。 本発明の一実施例による回路部を示す図面である。 本発明の一実施例によるＬＥＤモジュールを示す図面である。 本発明による回路部を利用して故障如何をモニタリングする方法を説明するための図面である。
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例で限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。
ある構成要素を‘包含'するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に，“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
第１、第２などの用語は多様な構成要素らを説明するのに使用されることができるが、前記構成要素らは前記用語によって限定されてはいけない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用されることができる。例えば、本発明の権利範囲から離脱されないまま第１構成要素は第２構成要素で命名されることができるし、類似第２構成要素も第１構成要素に命名されることができる。
本明細書全体で使用される‘～部'は少なくとも一つの機能や動作を処理する単位として、例えば、ソフトウェア、ＦＰＧＡまたはＡＳＩＣのようなハードウェア構成要素を意味することができる。ところが、‘～部'がソフトウェアまたはハードウェアに限定される意味ではない。‘～部'はアドレッシングすることができる記憶媒体にあるように構成されることもできて、一つまたはその以上のプロセッサらを再生させるように構成されることもできる。
一例として‘～部'はソフトウェア構成要素ら、客体指向ソフトウェア構成要素ら、クラス構成要素ら及びタスク構成要素らのような構成要素らと、プロセスら、関数ら、速成ら、プロシージャ、サブルーチンら、プログラムコードのセグメントら、ドライバーら、ファームウエア、マイクロコード、回路、データ、データベース、データ構造ら、テーブルら、アレイら及び変数らを含むことができる。構成要素と‘～部'で提供する機能は、複数の構成要素及び‘～部'らによって分離して遂行されることもできて、他の追加的な構成要素と統合されることもできる。
以下、本発明の実施例を添付された図面らを参照してより詳細に説明する。本発明の実施例はさまざまな形態で変形することができるし、本発明の範囲が下の実施例らに限定されるものとして解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張された。
図１は、本発明の実施例による基板処理設備を見せてくれる平面図である。
図１を参照すれば、基板処理設備１はインデックスモジュール１０と工程処理モジュール２０を有する。インデックスモジュール１０はロードポート１２０及び移送フレーム１４０を有する。ロードポート１２０、移送フレーム１４０、そして工程処理モジュール２０は順次に一列に配列される。以下、ロードポート１２０、移送フレーム１４０、そして工程処理モジュール２０が配列された方向を第１方向１２といって、上部から眺める時、第１方向１２と垂直した方向を第２方向１４といって、第１方向１２と第２方向１４を含んだ平面に垂直である方向を第３方向１６と称する。
ロードポート１２０には基板(Ｗ)が収納されたキャリア１８が位置される。ロードポート１２０は複数個が提供され、これらは第２方向１４に沿って一列に配置される。ロードポート１２０の個数は工程処理モジュール２０の工程効率及びフットプリント条件などによって増加するか、または減少することもできる。キャリア１８には基板(Ｗ)らを地面に対して水平に配置した状態で収納するための複数のスロット(図示せず)が形成される。キャリア１８では前面開放一体型ポッド(Front Opening Unifed Pod：ＦＯＵＰ)使用されることがある。
工程処理モジュール２０はバッファーユニット２２０、移送チャンバ２４０、そして工程チャンバ２６０を有する。移送チャンバ２４０はその長さ方向が第１方向１２と平行に配置される。移送チャンバ２４０の両側にはそれぞれ工程チャンバら２６０が配置される。移送チャンバ２４０の一側及び他側で工程チャンバら２６０は移送チャンバ２４０を基準に対称されるように提供される。移送チャンバ２４０の一側には複数個の工程チャンバら２６０が提供される。工程チャンバら２６０のうちで一部は移送チャンバ２４０の長さ方向に沿って配置される。また、工程チャンバら２６０のうちで一部はお互いに積層されるように配置される。すなわち、移送チャンバ２４０の一側には工程チャンバら２６０がＡＸＢの配列で配置されることができる。ここで、Ａは第１方向１２に沿って一列に提供された工程チャンバ２６０の数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された工程チャンバ２６０の数である。移送チャンバ２４０の一側に工程チャンバ２６０が４個または６個提供される場合、工程チャンバら２６０は２Ｘ２または３Ｘ２の配列で配置されることができる。工程チャンバ２６０の個数は増加するか、または減少することもある。前述したところと異なり、工程チャンバ２６０は移送チャンバ２４０の一側だけに提供されることがある。また、工程チャンバ２６０は移送チャンバ２４０の一側及び両側に単層で提供されることができる。
バッファーユニット２２０は移送フレーム１４０と移送チャンバ２４０との間に配置される。バッファーユニット２２０は移送チャンバ２４０と移送フレーム１４０の間に基板(Ｗ)が返送される前に基板(Ｗ)がとどまる空間を提供する。バッファーユニット２２０の内部には基板(Ｗ)が置かれるスロット(図示せず)が提供される。スロット(図示せず)らはお互いの間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数個が提供される。バッファーユニット２２０は移送フレーム１４０と見合わせる面及び移送チャンバ２４０と見合わせる面が開放される。
移送フレーム１４０はロードポート１２０に位置されたキャリア１８とバッファーユニット２２０との間に基板(Ｗ)を返送する。移送フレーム１４０にはインデックスレール１４２とインデックスロボット１４４が提供される。インデックスレール１４２はその長さ方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４はインデックスレール１４２上に設置され、インデックスレール１４２に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４はベース１４４ａ、胴体１４４ｂ、そしてインデックスアーム１４４ｃを有する。ベース１４４ａはインデックスレール１４２に沿って移動可能になるように設置される。胴体１４４ｂはベース１４４ａに結合される。胴体１４４ｂはベース１４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能になるように提供される。また、胴体１４４ｂはベース１４４ａ上で回転可能になるように提供される。インデックスアーム１４４ｃは胴体１４４ｂに結合され、胴体１４４ｂに対して前進及び後進移動可能になるように提供される。インデックスアーム１４４ｃは複数個提供されてそれぞれ個別駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４ｃは第３方向１６に沿ってお互いに離隔された状態で積層されるように配置される。インデックスアーム１４４ｃのうちで一部は工程処理モジュール２０からキャリア１８で基板(Ｗ)を返送する時に使用され、これの他の一部はキャリア１８で工程処理モジュール２０に基板(Ｗ)を返送する時使用されることができる。これはインデックスロボット１４４が基板(Ｗ)を搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板(Ｗ)から発生されたパーティクルが工程処理後の基板(Ｗ)に付着されることを防止することができる。
移送チャンバ２４０はバッファーユニット２２０と工程チャンバ２６０との間に、そして工程チャンバら２６０の間に基板(Ｗ)を返送する。移送チャンバ２４０にはガイドレール２４２とメインロボット２４４が提供される。ガイドレール２４２はその長さ方向が第１方向１２と並んでいるように配置される。メインロボット２４４はガイドレール２４２上に設置され、ガイドレール２４２上で第１方向１２に沿って直線移動される。メインロボット２４４はベース２４４ａ、胴体２４４ｂ、そしてメインアーム２４４ｃを有する。ベース２４４ａはガイドレール２４２に沿って移動可能になるように設置される。胴体２４４ｂはベース２４４ａに結合される。胴体２４４ｂはベース２４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能になるように提供される。また、胴体２４４ｂはベース２４４ａ上で回転可能になるように提供される。メインアーム２４４ｃは胴体２４４ｂに結合され、これは胴体２４４ｂに対して前進及び後進移動可能になるように提供される。メインアーム２４４ｃは複数個提供され、それぞれ個別駆動されるように提供される。メインアーム２４４ｃは第３方向１６に沿ってお互いに離隔された状態で積層されるように配置される。
工程チャンバ２６０は基板(Ｗ)に対して工程処理を遂行する。工程チャンバ２６０で処理される工程はすべて等しいが、２個以上の相異な工程であることができる。
図２は、本発明の一実施例による基板処理装置を示す図面である。
図２を参照すれば、工程チャンバ２６０は支持部材１０００、処理液ノズル１３００、光処理部材１４００及び制御機１５００を含む。
支持部材１０００は工程進行中に基板(Ｓ)を支持する。支持部材１０００は上面が設定面積を有するように提供される。一例で、支持部材１０００は基板(Ｓ)より大きい面積を有して、上面に提供されるピン１１００で基板(Ｓ)を支持し、基板(Ｓ)の底面が支持部材１０００の上面で離隔された状態で基板(Ｓ)が支持されるようにすることができる。また、支持部材１０００は上面が基板(Ｓ)より大きいか、または小さな面積を有して基板(Ｓ)を真空吸着する方式で基板(Ｓ)を固定させるように提供されることができる。支持部材１０００は駆動機１１１０が提供する動力によって回転可能に提供され、工程進行中に基板(Ｓ)を回転させることができる。
処理液ノズル１３００は支持部材１０００に位置された基板(Ｓ)で基板(Ｓ)処理のための処理液を吐出する。処理液はリン酸であることがある。また、処理液は硫酸(H２SO４)、硝酸(HNO３)、そしてアンモニア(NH３)などのようなケミカルであることがある。
光処理部材１４００は工程処理中に基板(Ｓ)を光処理することができる。一例で、光処理部材１４００は支持部材１０００に位置される形態で提供されることができる。
図３は、他の実施例による基板処理装置を示す図面である。
図３を参照すれば、工程チャンバ２６０aは支持部材１０００a、処理液ノズル１３００a及び光処理部材１４００aを含む。
光処理部材１４００aは支持部材１０００aと設定距離が離隔され、支持部材１０００aに位置された基板(Ｓ)にレーザーを照射するレーザー源で提供されることができる。
一例示によれば、光処理部材１４００aは設定長さを有するラインビーム形態でレーザー光を照射することができる。レーザー光は基板(Ｓ)の回転中心と基板(Ｓ)の外側端部との間にかけて照射されることができる。よって、基板(Ｓ)が回転されれば、レーザー光は基板(Ｓ)の上面全体にかけて照射されることができる。
また、光処理部材１４００aは設定面積を有するレーザーが基板(Ｓ)の回転中心と外側端部との間を移動する形態で、レーザーを照射するように提供されることもできる。
図４は、また他の実施例による基板処理装置を示す図面である。
図４を参照すれば、工程チャンバ２６０ｂは支持部材１０００ｂ、処理液ノズル１３００ｂ及び光処理部材１４００ｂを含む。
光処理部材１４００ｂは支持部材１０００ｂと上方に設定距離が離隔され、支持部材１０００ｂに位置された基板(Ｓ)を複写加熱する形態で提供されることができる。例えば、光処理部材１４００ｂはランプ、抵抗熱などによって発生された熱を通じて基板(Ｓ)を加熱する形態で提供されることができる。
以下では、本発明による光処理部材１４００の特徴部に対して詳細に記述する。
本発明による光処理部材１４００は、複数の同一なＬＥＤモジュール１４１０が連結されている回路部を含むことができる。
図５は、本発明の一実施例による回路部を示す図面である。
本発明によれば、回路部は複数個の同一なＬＥＤモジュール１４１０が並列で連結されたＬＥＤモジュール部１４３０を複数個含むことができる。一例示によれば、回路部は複数個のＬＥＤモジュール部１４３０が直列で連結されて提供されることができる。
すなわち図５を参照すれば、回路部は複数のＬＥＤモジュール部１４３０が直列で連結された構成で提供され、複数のＬＥＤモジュール部１４３０それぞれは、並列で連結されたＬＥＤモジュールら１４１０を含むことができる。この時、複数のＬＥＤモジュール部１４３０それぞれに含まれたＬＥＤモジュール１４１０の個数は回路部内で等しく提供されることができる。また、ＬＥＤモジュール１４１０が有する電気的特性はすべて等しいことがある。図５の一例示によれば、ＬＥＤモジュール部１４３０が上部に４個、下部に４個が提供され、それぞれのＬＥＤモジュール部１４３０が含むＬＥＤモジュール１４１０の個数は４個ずつに提供されることがある。
一例示によれば、ＬＥＤモジュール部１４３０はＬＥＤモジュール部１４３０内に並列で連結された複数個の同一なＬＥＤモジュール１４１０のうちで何れか一つに連結される電流センサー１４２０をさらに含むことができる。
図５を参照すれば、ＬＥＤモジュール部１４３０一つ当たり一つの電流センサー１４２０を含む構成が開示される。電流センサー１４２０はＬＥＤモジュール部１４３０内に並列で連結されたＬＥＤモジュール１４１０に流れる電流を測定することができる。仮に、回路部に含まれたＬＥＤモジュールら１４１０がすべて正常に作動する状況である場合、それぞれのＬＥＤモジュール部１４３０に流れる電流は等しくて、直列で連結される複数のＬＥＤモジュール部１４３０の構成はすべて等しく提供されるが、複数のＬＥＤモジュール部１４３０それぞれに含まれた複数のＬＥＤモジュール１４１０の個数も等しいので、回路部に含まれたすべての複数のＬＥＤモジュール１４１０に流れる電流は等しいことがある。
光処理部材１４００は電流センサー１４２０でセンシングした値を利用して回路部に含まれたＬＥＤモジュール１４１０の正常如何をモニタリングするモニタリング部(図示せず)をさらに含むことができる。
モニタリング部は電流センサー１４２０で測定される値を利用して回路部に含まれたＬＥＤモジュール１４１０の正常如何をモニタリングすることができる。故障が発生しない場合、複数のＬＥＤモジュール部１４３０にはすべて等しい定電流が流れるように制御されることができる。一例示によれば、複数のＬＥＤモジュール部１４３０に流れる電流がＩであると言えば、これは複数のＬＥＤモジュール部１４３０それぞれが含むＬＥＤモジュールら１４１０に等しい割合で分けられて流れることができる。この時、ＬＥＤモジュールら１４１０が有する抵抗はすべて等しいことがある。仮に、ＬＥＤモジュール部１４３０が４個の並列で連結されたＬＥＤモジュール１４１０を含む場合、ＬＥＤモジュール１４１０それぞれに流れる電流はＩ/４であることがある。また、電流センサー１４２０で測定される値もＩ/４であることがある。しかし、ＬＥＤモジュール部１４３０に含まれたＬＥＤモジュールのうちで何れか一つのＬＥＤモジュール１４１０が故障する場合、同じ電流Ｉが３個のＬＥＤモジュール１４１０で分けて流れるようになるため、電流センサー１４２０で測定される値はＩ/３であり、測定値が変わることがある。
すなわち、本発明によれば、モニタリング部は一定な値の電流、すなわち、定電流値をＬＥＤモジュール部１４３０に含まれたＬＥＤモジュール１４１０の個数で分けた値と、電流センサー１４２０で測定した値が変わる場合アラームを発生することがある。モニタリング部は、一定な値の電流、すなわち、定電流値をＬＥＤモジュール部１４３０に含まれたＬＥＤモジュール１４１０の個数で分けた値と、電流センサー１４２０で測定した値が変わる場合該当電流センサー１４２０が含まれたＬＥＤモジュール部１４３０に異常が生じたことを知らせることができる。
本発明では定電流制御方式を使用することですべてのＬＥＤモジュール部１４３０に一定な電流が流れるように制御し、これを基準点にして、電流センサー１４２０で測定される値を比べてモニタリングを遂行することができる。
本発明では電流センサー１４２０をＬＥＤモジュール部１４３０当たり一つだけ含むようにすることで、集積度問題を解決することができる。また、一つの電流センサー１４２０だけでも問題が発生したＬＥＤモジュール部１４３０を容易に確認することができるところ、効率的である。
一例示によれば、光処理部材１４００は、回路部を通じた光量を測定することができる照度センサー(図示せず)をさらに含むことができる。これを通じて回路部及びモニタリング部を通じた回路モニタリング外にも、実際光量を測定して異常が発生したかの如何を二重でモニタリング及び対応することができる。
一例示によれば、図５のようにＬＥＤモジュール部１４３０を４個の並列回路で構成時４チップ（４chip)一体型のＬＥＤで構成が可能で部品数を減少させることができる。しかし、これは一例示に過ぎなくて並列で構成することができるＬＥＤモジュール１４１０の個数はこれに限定されない。
図６は、本発明の一実施例によるＬＥＤモジュール１４１０を示す図面である。
図６を参照すれば、本発明によるＬＥＤモジュール１４１０は複数個のダイオード１４１１を含むことができる。一例示によれば、本発明によるＬＥＤモジュール１４１０は複数個のダイオード１４１１a、１４１１b、１４１１c、１４１１dが並列で連結されて提供されることができる。これを通じて複数のダイオードのうちで一つが故障されても該当ＬＥＤモジュール１４１０に流れる電流は等しいことがある。一例示によれば、ＬＥＤモジュール１４１０はＵＶ ＬＥＤを使用することができる。これを通じてＵＶランプのような役割を遂行することができる。
図７は、本発明による回路部を利用して故障如何をモニタリングする方法を説明するための図面である。
図７によれば、複数のＬＥＤモジュール部１４３０に１６Ａの電流が流れる場合を例示する。この場合、複数のＬＥＤモジュール部１４３０は直列で連結されているが、すべて１６Ａの電流が流れることができる。複数のＬＥＤモジュール部１４３０の構成はすべて等しくて、４個のＬＥＤモジュールら１４１０を並列で連結した構成を有するが、それぞれのＬＥＤモジュール１４１０は４Ａずつ電流が流れることがある。この時、正常な場合電流センサー１４２０では４Ａが測定される。仮に、複数のＬＥＤモジュール１４１０のうちで何れか一つが故障する場合、１６Ａが３個のＬＥＤモジュール１４１０に分けられて流れるようになるが、各５．３３Ａずつ流れるようになって、電流センサー１４２０で測定する値は相異になる。すなわち、これを通じて該当ＬＥＤモジュール部１４３０で故障が発生したことを認知して使用者は措置を取ることができる。このような場合にも全体回路部に流れる電流は等しいが、工程に影響を及ぼさないことがある。一例示によれば、モニタリング部は全体ＬＥＤモジュール部１４３０に流れる定電流値と、ＬＥＤモジュール部１４３０が含んでいる並列ＬＥＤモジュール１４１０の個数らを利用して電流センサー１４２０で測定する値の誤差範囲を設定することができる。モニタリング部は微細に差が発生する場合には単純誤差で見てアラームを発生しないことがある。モニタリング部は定電流値と並列ＬＥＤモジュールの個数を利用して故障が発生する場合センシングされる電流値をあらかじめ計算することができるし、これを反映して誤差範囲を設定することができる。
すなわち本発明によれば、ＬＥＤモジュール部１４３０を複数のＬＥＤモジュール１４１０が並列で連結されるように回路を構成し、ＬＥＤモジュール部１４３０に電流センサー１４２０を装着してモニタリングを遂行することができる。これを通じて、複数のＬＥＤモジュール１４１０のうちで何れか一つが故障が発生しても、残りＬＥＤはすべてともっている状態であり、工程に影響を与えないのに電流センサー１４２０で測定した値を認知することを通じて故障発生の如何が分かることができる。
このような並列回路を使用する効果は、故障したＬＥＤモジュール外残りのＬＥＤに電流が分散されて流れるので、全体的な光量は等しくて工程不良を起こさないこともある。本発明では回路の電流値をモニタリングして素子の故障如何を感知したが、他の一実施例によれば回路の抵抗値をモニタリングして素子の故障如何を感知することもできる。
本発明によれば、基板に光処理を遂行する基板処理方法が開示される。
前記方法は、電流センサー１４２０を通じてそれぞれの前記ＬＥＤモジュール部１４３０に流れる電流をセンシングする段階と、前記電流センサー１４２０で測定する値が前記一定な値の電流を前記ＬＥＤモジュール部１４３０に含まれたＬＥＤモジュールの個数で分けた値と相異な場合、アラームを発生する段階と、を含むことができる。
この時、アラームを発生する段階は、相異に測定された電流センサー１４２０が含まれたＬＥＤモジュール部１４３０に異常が発生したことを一緒に知らせることができる。
以上の実施例らは本発明の理解を助けるために提示されたものであり、本発明の範囲を制限しないし、これから多様な変形可能な実施例らも本発明の範囲に属するものであることを理解しなければならない。本発明で提供される図面は本発明の最適の実施例を図示したものに過ぎない。本発明の技術的保護範囲は特許請求範囲の技術的思想によって決まらなければならないはずであるし、本発明の技術的保護範囲は特許請求範囲の文言的記載その自体で限定されるものではなく、実質的には技術的価値が均等な範疇の発明まで及ぶものであることを理解しなければならない。
１４００ 光処理部材
１４１０ ＬＥＤモジュール
１４２０ 電流センサー
１４３０ ＬＥＤモジュール部

Claims (20)

  1. 基板に対して光処理を遂行することができる光処理部材において、
    前記光処理部材は複数の同一なＬＥＤモジュールが連結されている回路部を含み、
    前記回路部は、
    複数個の同一なＬＥＤモジュールが並列で連結されたＬＥＤモジュール部と、を複数個含み、
    前記回路部は前記複数個のＬＥＤモジュール部が直列で連結されることを特徴とする光処理部材。
  2. 前記ＬＥＤモジュール部は、
    前記ＬＥＤモジュール部内に並列で連結された前記複数個の同一なＬＥＤモジュールのうちで何れか一つに連結される電流センサーと、をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の光処理部材。
  3. 前記複数個のＬＥＤモジュール部に流れる電流は一定な値の電流が流れるように定電流制御を通じて制御されることを特徴とする請求項２に記載の光処理部材。
  4. 前記電流センサーは前記ＬＥＤモジュール部内に並列で連結されたＬＥＤモジュールに流れる電流を測定し、
    前記光処理部材は前記電流センサーでセンシングした値を利用して前記回路部に含まれたＬＥＤモジュールの正常如何をモニタリングするモニタリング部と、をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の光処理部材。
  5. 前記モニタリング部は前記一定な値の電流を前記ＬＥＤモジュール部に含まれたＬＥＤモジュールの個数で分けた値と、前記電流センサーで測定した値が変わる場合にアラームを発生することを特徴とする請求項４に記載の光処理部材。
  6. 前記モニタリング部は、前記一定な値の電流を前記ＬＥＤモジュール部に含まれたＬＥＤモジュールの個数で分けた値と、前記電流センサーで測定した値が変わる場合該当電流センサーが含まれたＬＥＤモジュール部に異常が生じたことを知らせることを特徴とする請求項４に記載の光処理部材。
  7. 前記光処理部材は、前記回路部を通じた光量を測定することができる照度センサーと、をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６のうちで何れか一つに記載の光処理部材。
  8. 前記ＬＥＤモジュールは複数のダイオードを含むことを特徴とする請求項７に記載の光処理部材。
  9. 前記ＬＥＤモジュールはＵＶ ＬＥＤであることを特徴とする請求項８に記載の光処理部材。
  10. 基板を処理する装置において、
    基板を支持する支持部材と、
    前記支持部材に支持された基板に処理液を供給する処理液ノズルと、
    前記支持部材に支持された基板に対して光処理する光処理部材と、を含み、
    前記光処理部材は複数の同一なＬＥＤモジュールが連結されている回路部を含み、
    前記回路部は、
    複数個の同一なＬＥＤモジュールが並列で連結されたＬＥＤモジュール部と、を複数個含み、
    前記回路部は前記複数個のＬＥＤモジュール部が直列で連結されることを特徴とする基板処理装置。
  11. 前記ＬＥＤモジュール部は、
    前記ＬＥＤモジュール部内に並列で連結された前記複数個の同一なＬＥＤモジュールのうちで何れか一つに連結される電流センサーと、をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記複数個のＬＥＤモジュール部に流れる電流は、一定な値の電流が流れるように定電流制御を通じて制御されることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 前記電流センサーは前記ＬＥＤモジュール部内に並列で連結されたＬＥＤモジュールに流れる電流を測定し、
    前記光処理部材は前記電流センサーでセンシングした値を利用して前記回路部に含まれたＬＥＤモジュールの正常如何をモニタリングするモニタリング部と、をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 前記モニタリング部は前記一定な値の電流を前記ＬＥＤモジュール部に含まれたＬＥＤモジュールの個数で分けた値と、前記電流センサーで測定した値が変わる場合アラームを発生することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 前記モニタリング部は、前記一定な値の電流を前記ＬＥＤモジュール部に含まれたＬＥＤモジュールの個数で分けた値と、前記電流センサーで測定した値が変わる場合該当電流センサーが含まれたＬＥＤモジュール部に異常が生じたことを知らせることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
  16. 前記光処理部材は、前記回路部を通じた光量を測定することができる照度センサーと、をさらに含むことを特徴とする請求項１０乃至請求項１５のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
  17. 前記ＬＥＤモジュールは複数のダイオードを含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 前記ＬＥＤモジュールはＵＶ ＬＥＤであることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
  19. 請求項１３による基板処理装置を利用して光処理を遂行する基板処理方法において、
    前記電流センサーを通じてそれぞれの前記ＬＥＤモジュール部に流れる電流をセンシングする段階と、
    前記電流センサーで測定する値が前記一定な値の電流を前記ＬＥＤモジュール部に含まれたＬＥＤモジュールの個数で分けた値と相異な場合、アラームを発生する段階と、を含む基板処理方法。
  20. 前記アラームを発生する段階は、
    相異に測定された電流センサーが含まれたＬＥＤモジュール部に異常が発生したことを一緒に知らせることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理方法。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006040944A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Lintec Corp 紫外線照射装置
JP2017183358A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 株式会社トクヤマ 洗浄方法および洗浄液
JP2018060593A (ja) * 2015-02-18 2018-04-12 株式会社ステラージアＬｅｄ 駆動回路

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200819848A (en) 2006-10-16 2008-05-01 Innolux Display Corp Backlight system and liquid crystal display using the same
WO2011040512A1 (ja) 2009-10-02 2011-04-07 レシップホールディングス株式会社 蛍光灯駆動装置及び蛍光灯駆動装置の保護回路
JP2011181245A (ja) 2010-02-26 2011-09-15 Rb Controls Co Ｌｅｄ照明装置
JP2013004586A (ja) * 2011-06-13 2013-01-07 Brintz Technologie Co Ltd Ｌｅｄ駆動回路およびｌｅｄ駆動方法
KR101058711B1 (ko) * 2011-07-25 2011-08-22 최창렬 엘이디 조명 제어 시스템
US9420645B2 (en) * 2012-05-17 2016-08-16 Dialog Semiconductor Inc. Constant current control buck converter without current sense
US9721802B2 (en) 2013-10-03 2017-08-01 Applied Materials, Inc. LED based optical source coupled with plasma source
TWI551188B (zh) * 2015-03-19 2016-09-21 新唐科技股份有限公司 發光二極體模組控制電路與控制方法、以及發光二極體裝置
JP2016195177A (ja) * 2015-03-31 2016-11-17 Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 光照射モジュール
US9748113B2 (en) * 2015-07-30 2017-08-29 Veeco Intruments Inc. Method and apparatus for controlled dopant incorporation and activation in a chemical vapor deposition system
KR102523045B1 (ko) * 2016-01-12 2023-04-17 삼성전자주식회사 고장 셀 검출 장치 및 방법
JP6610285B2 (ja) * 2016-01-22 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理システム並びに基板処理方法
JP6360514B2 (ja) * 2016-03-31 2018-07-18 Ｈｏｙａ Ｃａｎｄｅｏ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ株式会社 Ｌｅｄ基板及びそれを有する光照射装置
KR102430500B1 (ko) * 2017-05-30 2022-08-08 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이를 이용한 led 모듈
KR102030068B1 (ko) * 2017-10-12 2019-10-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN115996500A (zh) * 2018-01-29 2023-04-21 罗姆股份有限公司 发光元件驱动控制装置、发光元件驱动电路装置
KR102191836B1 (ko) * 2019-04-30 2020-12-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102184871B1 (ko) 2019-12-11 2020-12-01 주식회사 씨티랩 웨이퍼 세정 장치용 조명 장치 및 이를 이용한 세정 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006040944A (ja) * 2004-07-22 2006-02-09 Lintec Corp 紫外線照射装置
JP2018060593A (ja) * 2015-02-18 2018-04-12 株式会社ステラージアＬｅｄ 駆動回路
JP2017183358A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 株式会社トクヤマ 洗浄方法および洗浄液

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