JP2022042484A - 指向性光電伝送路を有するキャビティ基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
光電送受信一体モジュール構造を完成するためには、従来の製造工程は一段一段を組立て終る必要があり、全体的な工程が多く、生産効率が比較的に低く、しかも組立式光電送受信一体モジュール構造の外力に対する耐性が比較的に悪く、組立式光電送受信一体モジュール構造の密閉性も十分ではなく、水蒸気の侵食を受けやすい。
(a)絶縁層、厚さ方向に前記絶縁層を貫通するスルーホール柱および前記絶縁層に囲まれたキャビティを含む支持枠を用意するステップと、
(b)前記支持枠の第1の面に接着層を施すとともに、前記キャビティ内で露出した接着層に、底部のエッチングレジスト金属に被覆される電極を含む活性金属ブロックを貼り合わせるステップと、
(c)前記支持枠の第2の面に第2の媒体層をラミネートし、前記キャビティの空隙を充填するステップと、
(d)前記接着層を除去するステップと、
(e)前記電極を前記第1の線路層に接続するように、前記支持枠の第1の面に第1の線路層を形成するステップと、
(f)前記第1の線路層に第1の媒体層をラミネートするステップと、
(g)前記第1の媒体層と前記第2の媒体層の外面に第2の線路層を形成するステップと、
(h)前記活性金属ブロックを露出させるように、前記キャビティにおける媒体を除去するステップと、
(i)前記活性金属ブロックおよび前記電極を被覆するエッチングレジスト金属をエッチングするステップと、
(j)前記支持枠のダイシングストリートに沿って切断して、指向性光電伝送路を有するキャビティ基板を取得するステップと、を含む。
(e1)前記支持枠の第1の面に第1の金属シード層をスパッタリングするステップと、
(e2)前記第1の金属シード層の表面に第1のフォトレジスト層の貼付けを施すステップと、
(e3)線路パターンを形成するように前記第1のフォトレジスト層をパターニング化するステップと、
(e4)前記電極を前記第1の線路層に接続するように、前記線路パターン内に銅を堆積して第1の線路層を形成するステップと、
(e5)前記第1の線路層に第2のフォトレジスト層を施すステップと、
(e6)第1の導通孔を形成するように前記第2のフォトレジスト層をパターニング化するステップと、
(e7)前記導通孔内に銅を堆積して第1の導通柱を形成するステップと、
(e8)前記第1のフォトレジスト層と前記第2のフォトレジスト層を除去するとともに、前記第1の金属シード層をエッチングするステップと、を含む。
前記第2の媒体層内に第2の導通孔を形成するステップと、
前記第1の媒体層と前記第2の媒体層に第2の金属シード層をスパッタリングするステップと、
前記第2の金属シード層に銅を電気めっきして銅層を形成するステップと、
前記銅層に第3のフォトレジスト層を施すステップと、
線路パターンを形成するように前記第3のフォトレジスト層をパターニング化するステップと、
第2の線路層を形成するように前記銅層と前記第2の金属シード層をエッチングするステップと、
前記第3のフォトレジスト層を除去するステップと、を含む。
100:キャビティ基板ユニット
100:キャビティ基板?元
101:支持枠
1011:スルーホール柱
1012:絶縁層
1013:ダイシングストリート
102:第1の媒体層
1021:第1の線路層
1022:第2の線路層
1023:第1の導通柱
1023:導通柱
103:第2の媒体層
104:キャビティ
104:閉塞キャビティ
105:電極
106:第1のソルダーレジスト層
107:第2のソルダーレジスト層
110:接着層
111:活性金属ブロック
犠牲キャリアを取得するステップと、
犠牲キャリアに銅シード層を施すステップと、
銅シード層にレジスト層を施すステップと、
レジスト層に別の銅シード層を施すステップと、
フォトレジスト層を施すステップと、
銅スルーホールパターンを有するようにフォトレジスト層をパターニング化するステップと、
パターンに銅をめっきしてスルーホール柱1011を形成するステップと、
フォトレジスト層を剥離するステップと、
ポリマー誘電体で直立した銅柱(および任意に選択された銅スルーホール)をラミネートして絶縁層1012を形成するステップと、
銅柱(および銅スルーホール)の端部を露出させるように薄くし平坦化するステップと、
レジスト材料を施すステップと、
キャリアと銅柱を除去するステップと、
バリア層を除去するステップと、
キャビティ104を形成するようにエッチング保護層を除去するステップと、を含む。
(e1)支持枠101の下面に第1の金属シード層をスパッタリングするステップと、
(e2)第1の金属シード層に第1のフォトレジスト層を施すステップと、
(e3)線路パターンを形成するように第1のフォトレジスト層をパターニング化するステップと、
(e4)電極105を第1の線路層1021に接続するように、前記線路パターン内に銅を堆積して第1の線路層1021を形成するステップと、
(e5)第1の線路層1021に第2のフォトレジスト層を施すステップと、
(e6)第1の導通孔を形成するように第2のフォトレジスト層をパターニング化するステップと、
(e7)第1の導通孔内に銅を堆積して第1の導通柱1023を形成するステップと、
(e8)第1のフォトレジスト層と第2のフォトレジスト層を除去するとともに、第1の金属シード層をエッチングするステップと、を含む。
第2の媒体層103内に穴開けて第2の導通孔を形成するステップと、
第1の媒体層102と第2の媒体層103に第2の金属シード層をスパッタリングするステップと、
第2の金属シード層に銅を電気めっきして銅層を形成するステップと、
銅層に第3のフォトレジスト層を施すステップと、
線路パターンを形成するように第3のフォトレジスト層をパターニング化するステップと、
銅層と第2の金属シード層をエッチングして第2の線路層1022を形成するステップと、
第3のフォトレジスト層を除去するステップと、を含む。
Claims (20)
- 支持枠、前記支持枠の第1の面に位置する第1の媒体層および前記支持枠の第2の面に位置する第2の媒体層を含み、前記支持枠と前記第1の媒体層および前記第2の媒体層が前記基板の長手方向の一方側に開口を有する閉塞キャビティを構成しており、前記第1の媒体層の前記キャビティに向かう内面に第1の線路層が設けられており、前記第1の線路層に光通信デバイスを接続する少なくとも一つの電極が設けられており、前記電極が前記第1の線路層と電気的に導通され、前記第1の媒体層と前記第2の媒体層の外面に第2の線路層が設けられており、前記第1の線路層と前記第2の線路層とはスルーホール柱を介して連通する、
指向性光電伝送路を有するキャビティ基板。 - 前記光通信デバイスは、発光素子または受光素子を含むことによって、前記キャビティの開放側が光通信デバイスの指向性光電伝送路を形成する、
請求項1に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板。 - 前記キャビティ内に光通信デバイスが置かれるときに、前記電極が前記光通信デバイスの端子に接続され、前記光通信デバイスの光通信作用面が前記キャビティの開放側に向かっている、
請求項1に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板。 - 前記支持枠は、絶縁層を含む、
請求項1に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板。 - 前記絶縁層は、ポリイミド、エポキシ樹脂、ビスマレイミド/トリアジン樹脂、ポリフェニレンオキシド、ポリアクリル酸エステル、プリプレグ、膜状有機樹脂またはそれらの組合せを含む、
請求項4に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板。 - 前記第1の媒体層と前記第2の媒体層は、熱硬化性媒体材料を含む、
請求項1に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板。 - 前記第1の媒体層と前記第2の媒体層は、強化材としてガラス繊維を含む熱硬化性媒体材料を含む、
請求項6に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板。 - (a)絶縁層、厚さ方向に前記絶縁層を貫通するスルーホール柱および前記絶縁層に囲まれたキャビティを含む支持枠を用意するステップと、
(b)前記支持枠の第1の面に接着層を施すとともに、前記キャビティ内で露出した接着層に、底部のエッチングレジスト金属に被覆される電極を含む活性金属ブロックを貼り合わせるステップと、
(c)前記支持枠の第2の面に第2の媒体層をラミネートし、前記キャビティの空隙を充填するステップと、
(d)前記接着層を除去するステップと、
(e)前記電極を前記第1の線路層に接続するように、前記支持枠の第1の面に第1の線路層を形成するステップと、
(f)前記第1の線路層に第1の媒体層をラミネートするステップと、
(g)前記第1の媒体層と前記第2の媒体層の外面に第2の線路層を形成するステップと、
(h)前記活性金属ブロックを露出させるように、前記キャビティにおける媒体を除去するステップと、
(i)前記活性金属ブロックおよび前記電極を被覆するエッチングレジスト金属をエッチングするステップと、
(j)前記支持枠のダイシングストリートに沿って切断して、指向性光電伝送路を有するキャビティ基板を取得するステップとを、含む、
指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。 - ステップ(b)における前記接着層は、テープを含む、
請求項8に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。 - ステップ(b)における前記活性金属ブロックは、銅ブロックまたはアルミブロックである、
請求項8に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。 - 前記電極を被覆する前記エッチングレジスト金属は、ニッケルまたはチタンから選ばれる少なくとも1種である
請求項8に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。 - 前記第1の媒体層と前記第2の媒体層は、熱硬化性媒体材料を含む、
請求項8に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。 - 前記第1の媒体層と前記第2の媒体層は、強化材としてガラス繊維を含む熱硬化性媒体材料を含む、
請求項12に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。 - ステップ(e)は、下記のサブステップを含み、
(e1)前記支持枠の第1の面に第1の金属シード層をスパッタリングするステップと、
(e2)前記第1の金属シード層の表面に第1のフォトレジスト層の貼付けを施すステップと、
(e3)線路パターンを形成するように前記第1のフォトレジスト層をパターニング化するステップと、
(e4)前記電極を前記第1の線路層に接続するように、前記線路パターン内に銅を堆積して第1の線路層を形成するステップと、
(e5)前記第1の線路層に第2のフォトレジスト層を施すステップと、
(e6)第1の導通孔を形成するように前記第2のフォトレジスト層をパターニング化するステップと、
(e7)前記導通孔内に銅を堆積して第1の導通柱を形成するステップと、
(e8)前記第1のフォトレジスト層と前記第2のフォトレジスト層を除去するとともに、前記第1の金属シード層をエッチングするステップと、を含む、
請求項8に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。 - 電気めっきにより銅を堆積する
請求項14に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。 - ステップ(f)は、前記第1の線路層と前記第1の導通柱に第1の媒体層をラミネートし、研磨板やプラズマエッチングで前記第1の導通柱の端部を露出させるように前記第1の媒体層を薄くし平坦化することを含む、
請求項8に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。 - ステップ(g)は、下記のサブステップを含み、
前記第2の媒体層内に第2の導通孔を形成するステップと、
前記第1の媒体層と前記第2の媒体層に第2の金属シード層をスパッタリングするステップと、
前記第2の金属シード層に銅を電気めっきして銅層を形成するステップと、
前記銅層に第3のフォトレジスト層を施すステップと、
線路パターンを形成するように前記第3のフォトレジスト層をパターニング化するステップと、
第2の線路層を形成するように前記銅層と前記第2の金属シード層をエッチングするステップと、
前記第3のフォトレジスト層を除去するステップと、を含む
請求項8に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。 - ステップ(h)は、前記活性金属ブロックを露出させるように、レーザ工程で前記キャビティを開くとともに前記キャビティにおける媒体を除去することを含む、
請求項8に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。 - ステップ(i)は、レーザで開かれた開口を介して前記キャビティにエッチング液を導入して、前記活性金属ブロックおよび前記電極を被覆するエッチングレジスト金属をエッチングすることを含む、
請求項18に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。 - 切断後に前記基板の側辺にキャビティ開口が形成されるように、前記ダイシングストリートは、前記キャビティの中心線を含む、
請求項8に記載の指向性光電伝送路を有するキャビティ基板の製造方法。
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