JP2022034907A - Board processing device and board transfer method - Google Patents

Board processing device and board transfer method Download PDF

Info

Publication number
JP2022034907A
JP2022034907A JP2020138838A JP2020138838A JP2022034907A JP 2022034907 A JP2022034907 A JP 2022034907A JP 2020138838 A JP2020138838 A JP 2020138838A JP 2020138838 A JP2020138838 A JP 2020138838A JP 2022034907 A JP2022034907 A JP 2022034907A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
opening
space
substrate
board
exhaust port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020138838A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP7458267B2 (en
Inventor
直也 三枝
Naoya Saegusa
広太 田辺
Kota Tanabe
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2020138838A priority Critical patent/JP7458267B2/en
Priority to CN202110907202.4A priority patent/CN114078729A/en
Priority to KR1020210105506A priority patent/KR102580036B1/en
Priority to TW110129435A priority patent/TW202226428A/en
Publication of JP2022034907A publication Critical patent/JP2022034907A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP7458267B2 publication Critical patent/JP7458267B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67213Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one ion or electron beam chamber

Abstract

To provide a board processing device and a board transfer method that suppress deterioration of a structure provided at an opening.SOLUTION: A board processing device includes a board loading/unloading module that has an internal space controlled by the atmospheric pressure environment when the board is carried out to an external space controlled by positive pressure rather than atmospheric pressure, an opening 42 provided in the board loading/unloading module and communicating the internal space and the external space, a gate valve 5 provided at the opening and having a transport space, an ejection portion 61 that ejects purge gas from the external space side toward the edge of the opening, and an exhaust port that exhausts the transport space by a route different from the opening.SELECTED DRAWING: Figure 6

Description

本開示は、基板処理装置及び基板搬送方法に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate transport method.

基板処理装置において、基板搬出時等に基板が通過する開口部には、ゲートバルブ等の構造物が設けられる(例えば特許文献1を参照)。 In the substrate processing apparatus, a structure such as a gate valve is provided in the opening through which the substrate passes when the substrate is carried out (see, for example, Patent Document 1).

特開2019-220588号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2019-220588

本開示は、開口部に設けられた構造物の劣化を抑制する技術を提供する。 The present disclosure provides a technique for suppressing deterioration of a structure provided in an opening.

本開示の一態様による基板処理装置は、基板を大気圧よりも陽圧に制御された外部空間に搬出する際に大気圧環境に制御され基板が通過する内部空間を有する基板搬出入モジュールと、該基板搬出入モジュールに設けられ、前記内部空間と外部空間とを連通する開口部と、開口部に設けられ、搬送空間を有するゲートバルブと、外部空間側から開口部の縁部に向かってパージガスを噴出する噴出部と、開口部とは異なる経路で搬送空間を排気する排気口と、を備える。 The substrate processing apparatus according to one aspect of the present disclosure includes a substrate loading / unloading module having an internal space controlled by the atmospheric pressure environment and passing through the substrate when the substrate is carried out to an external space controlled to a positive pressure rather than an atmospheric pressure. An opening provided in the substrate loading / unloading module that communicates between the internal space and the external space, a gate valve provided in the opening and having a transport space, and a purge gas from the external space side toward the edge of the opening. It is provided with an ejection portion for ejecting the space and an exhaust port for exhausting the transport space by a route different from the opening.

本開示によれば、開口部に設けられた構造物の劣化を抑制することができる。 According to the present disclosure, deterioration of the structure provided in the opening can be suppressed.

図1は、実施形態に係る基板処理装置1の概略構成の例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an example of a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment. 図2は、ロードロック室4の概略構成の例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an example of a schematic configuration of the load lock chamber 4. 図3は、ロードロック室4及びゲートバルブ5の概略構成の例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing an example of a schematic configuration of the load lock chamber 4 and the gate valve 5. 図4は、ロードロック室4及びゲートバルブ5の概略構成の例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of a schematic configuration of the load lock chamber 4 and the gate valve 5. 図5は、基板G、ゲートバルブ5及びロードロック室4の概略構成を模式的に示す図である。FIG. 5 is a diagram schematically showing a schematic configuration of a substrate G, a gate valve 5, and a load lock chamber 4. 図6は、ロードロックパネル6の概略構成の例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an example of a schematic configuration of the load lock panel 6. 図7は、ロードロックパネル6の概略構成の例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an example of a schematic configuration of the load lock panel 6. 図8は、噴出されたパージガスの流れを模式的に示す図である。FIG. 8 is a diagram schematically showing the flow of the ejected purge gas. 図9は、噴出されたパージガスの流れを模式的に示す図である。FIG. 9 is a diagram schematically showing the flow of the ejected purge gas. 図10は、ノズル61の概略構成の例を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing an example of a schematic configuration of the nozzle 61. 図11は、ロードロック室4側からロードロックパネル6をみた図である。FIG. 11 is a view of the load lock panel 6 viewed from the load lock chamber 4 side. 図12は、排気されるガスの流れを模式的に示す図である。FIG. 12 is a diagram schematically showing the flow of exhaust gas. 図13は、排気されるガスの流れを模式的に示す図である。FIG. 13 is a diagram schematically showing the flow of exhaust gas. 図14は、排気されるガスの流れを模式的に示す図である。FIG. 14 is a diagram schematically showing the flow of exhaust gas. 図15は、排気されるガスの流れを模式的に示す図である。FIG. 15 is a diagram schematically showing the flow of exhaust gas. 図16は、排気されるガスの流れを模式的に示す図である。FIG. 16 is a diagram schematically showing the flow of exhaust gas. 図17は、排気されるガスの流れを模式的に示す図である。FIG. 17 is a diagram schematically showing the flow of exhaust gas. 図18は、基板処理装置1において実行される処理(基板搬送方法)の例を示すフローチャートである。FIG. 18 is a flowchart showing an example of a process (board transfer method) executed in the board processing device 1. 図19は、ロードロック室4、ゲートバルブ5、ノズル61及び排気管64Aの概略構成の例を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing an example of a schematic configuration of a load lock chamber 4, a gate valve 5, a nozzle 61, and an exhaust pipe 64A.

以下、図面を参照して本願の開示する基板処理装置及び基板搬送方法の実施形態について詳細に説明する。なお、本実施形態により、開示する基板処理装置及び基板搬送方法が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the substrate processing apparatus and the substrate transport method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that the present embodiment does not limit the disclosed substrate processing apparatus and substrate transport method.

基板処理装置においては、処理済基板を外部に搬出する際、基板に付着していた処理ガスが基板を搬出する開口部に設けられた構造物に付着して腐蝕が発生する等、構造物が劣化する可能性がある。したがって、基板を搬出する開口部に設けられた構造物の劣化を抑制する技術が期待されている。 In the substrate processing apparatus, when the treated substrate is carried out to the outside, the processing gas adhering to the substrate adheres to the structure provided in the opening for carrying out the substrate, and corrosion occurs. It may deteriorate. Therefore, a technique for suppressing deterioration of the structure provided in the opening for carrying out the substrate is expected.

図1は、実施形態に係る基板処理装置1の概略構成の例を示す図である。図において、XYZ座標系が示される。X軸方向及びY軸方向は、基板を搬出する開口部のある側を正面とした場合の基板処理装置の左右方向及び前後方向にそれぞれ対応する。Z軸方向は、水平配置された基板処理装置の上下方向(高さ方向)、即ち鉛直方向に対応する。 FIG. 1 is a diagram showing an example of a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment. In the figure, the XYZ coordinate system is shown. The X-axis direction and the Y-axis direction correspond to the left-right direction and the front-back direction of the board processing apparatus when the side having the opening for carrying out the board is the front. The Z-axis direction corresponds to the vertical direction (height direction) of the horizontally arranged substrate processing apparatus, that is, the vertical direction.

基板処理装置1は、プロセスチャンバ2と、搬送室3と、ロードロック室4と、ゲートバルブ5と、ロードロックパネル6と、制御部7とを含む。なお、図1において、ロードロックパネル6は、ゲートバルブ5から取り外された状態で図示される。制御部7は、機能ブロックで図示される。基板処理装置1のロードロック室4は、搬送室3とは反対側において、ローダ8と連結可能に構成される。ローダ8は、基板処理装置1の構成要素でなくてもよいし、基板処理装置1の構成要素であってもよい。 The substrate processing apparatus 1 includes a process chamber 2, a transfer chamber 3, a load lock chamber 4, a gate valve 5, a load lock panel 6, and a control unit 7. In FIG. 1, the load lock panel 6 is shown in a state of being removed from the gate valve 5. The control unit 7 is illustrated by a functional block. The load lock chamber 4 of the substrate processing apparatus 1 is configured to be connectable to the loader 8 on the side opposite to the transport chamber 3. The loader 8 may not be a component of the board processing device 1 or may be a component of the board processing device 1.

基板処理装置1において、プロセスチャンバ2、搬送室3及びロードロック室4それぞれは、基板を収容等する内部空間を有する。隣り合う内部空間どうしは、開口部を介して連通する。開口部には、開閉用の構造物が設けられる。開閉用構造物の例は、ゲートバルブであり、このうちの一つがゲートバルブ5として図示される。開口部を閉じて内部空間を気密状態とすることで、内部空間どうしを互いに異なる気圧環境に制御可能である。制御可能な気圧環境の例は、大気圧環境及び減圧環境である。減圧環境は、大気圧環境よりも圧力が低い環境(例えば真空圧環境)である。 In the substrate processing apparatus 1, each of the process chamber 2, the transfer chamber 3, and the load lock chamber 4 has an internal space for accommodating the substrate. Adjacent internal spaces communicate with each other through an opening. A structure for opening and closing is provided at the opening. An example of an opening / closing structure is a gate valve, one of which is illustrated as a gate valve 5. By closing the opening to make the internal space airtight, it is possible to control the internal spaces to different atmospheric pressure environments. Examples of controllable barometric environments are atmospheric and depressurized environments. The depressurized environment is an environment in which the pressure is lower than the atmospheric pressure environment (for example, a vacuum pressure environment).

以下、基板処理装置1の構成要素について順に説明する。なお、基板処理装置1の処理対象となる基板は、後述の図5において基板Gとして図示されるので、以下では、基板Gと称する。 Hereinafter, the components of the substrate processing apparatus 1 will be described in order. The substrate to be processed by the substrate processing apparatus 1 is shown as the substrate G in FIG. 5 described later, and is therefore referred to as the substrate G below.

プロセスチャンバ2は、基板Gの処理を行う部分(モジュール)である。プロセスチャンバ2は、基板Gに対して処理を実施しうる複数のプロセスチャンバ21~プロセスチャンバ23として例示される。プロセスチャンバ21~プロセスチャンバ23において基板Gに対して施される処理は、同じ処理であってもよいし、異なる処理であってもよい。基板Gの例は、FPD(Flat Panel Display)用のガラス基板である。FPDの例は、液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイ等である。基板Gの他の例は、ポリイミドなどの合成樹脂よりなる折り曲げ可能な素材で構成されたシート若しくはフィルムである。基板処理の例は、プラズマ処理である。プラズマ処理の例は、エッチング処理、アッシング処理、成膜処理等のプラズマ処理である。基板処理において、さまざまな処理ガスが用いられる。処理ガスの例は、塩素原子を含む塩素系ガス、及び、フッ素原子を含むフッ素系ガスである。このような処理ガスは、例えば基板処理装置1の一部の構成要素に対して、腐食性ガスとなりうる。特に、水分を含む大気と混交したとき、その腐食性はより顕著となる。 The process chamber 2 is a portion (module) for processing the substrate G. The process chamber 2 is exemplified as a plurality of process chambers 21 to 23 capable of performing processing on the substrate G. The processes applied to the substrate G in the process chambers 21 to 23 may be the same process or different processes. An example of the substrate G is a glass substrate for an FPD (Flat Panel Display). Examples of FPDs are liquid crystal displays, organic EL displays and the like. Another example of the substrate G is a sheet or film made of a bendable material made of a synthetic resin such as polyimide. An example of substrate processing is plasma processing. Examples of plasma treatment are plasma treatments such as etching treatment, ashing treatment, and film formation treatment. Various processing gases are used in substrate processing. Examples of the treatment gas are a chlorine-based gas containing a chlorine atom and a fluorine-based gas containing a fluorine atom. Such a processing gas can be, for example, a corrosive gas for some components of the substrate processing apparatus 1. In particular, its corrosiveness becomes more pronounced when mixed with a moist atmosphere.

搬送室3は、プロセスチャンバ2と、ロードロック室4との間で基板Gを搬送する部分(モジュール)である。基板Gは、例えば真空ロボットによって搬送される。図示しないが、搬送室3は2段構成の搬送ロボットを有し、処理済みの基板Gをプロセスチャンバ2から搬出し保持しつつ未処理の基板Gをプロセスチャンバ2へ搬入する基板搬送が行われる。 The transfer chamber 3 is a portion (module) for transporting the substrate G between the process chamber 2 and the load lock chamber 4. The substrate G is conveyed by, for example, a vacuum robot. Although not shown, the transfer chamber 3 has a transfer robot having a two-stage configuration, and transfers the processed substrate G to the process chamber 2 while carrying out and holding the processed substrate G from the process chamber 2. ..

ロードロック室4は、内部に設置された図示しないバッファに一時的に基板Gを保持することにより、搬送室3と外部空間との間の基板Gの搬送を仲介する基板搬出入モジュールである。この例では、ローダ8の有する空間が外部空間に相当し、ロードロック室4は、ローダ8との間で、基板Gの搬入及び搬出を行う。基板Gの搬入は、プロセスチャンバ2において処理される前の基板G(未処理基板)を、ローダ8からロードロック室4の内部空間に取り入れる(搬入する)ことを含む。基板Gの搬出は、プロセスチャンバ2において処理された基板G(処理済基板)を、ロードロック室4からローダ8に取り出す(搬出する)ことを含む。なお、上述のように搬送ロボットが2段構成を有するので、ロードロック室4も2段構成を有する。ロードロック室4について、図2も参照して説明する。 The load lock chamber 4 is a substrate loading / unloading module that mediates the transport of the substrate G between the transport chamber 3 and the external space by temporarily holding the substrate G in a buffer (not shown) installed inside. In this example, the space of the loader 8 corresponds to the external space, and the load lock chamber 4 carries in and out the substrate G with and from the loader 8. Carrying in the board G includes taking (carrying in) the board G (unprocessed board) before being processed in the process chamber 2 from the loader 8 into the internal space of the load lock chamber 4. Carrying out the substrate G includes taking out (unloading) the processed substrate G (processed substrate) in the process chamber 2 from the load lock chamber 4 to the loader 8. Since the transfer robot has a two-stage configuration as described above, the load lock chamber 4 also has a two-stage configuration. The load lock chamber 4 will be described with reference to FIG.

図2は、ロードロック室4の概略構成の例を示す図である。ロードロック室4は、本体41と、開口部42とを含む。本体41は、内部空間Sを規定する。開口部42は、内部空間Sと、外部空間すなわちローダ8とを連通する。基板Gが内部空間Sを通過してローダ8に搬出される際、内部空間Sは大気圧に制御され、ローダ8は大気圧よりも陽圧に制御される。制御は、後述の制御部7によって行われる。 FIG. 2 is a diagram showing an example of a schematic configuration of the load lock chamber 4. The load lock chamber 4 includes a main body 41 and an opening 42. The main body 41 defines the internal space S. The opening 42 communicates the internal space S with the external space, that is, the loader 8. When the substrate G passes through the internal space S and is carried out to the loader 8, the internal space S is controlled to atmospheric pressure, and the loader 8 is controlled to have a positive pressure rather than atmospheric pressure. The control is performed by the control unit 7 described later.

内部空間Sは、互いに上下に分離された内部空間SU(上側内部空間)と、内部空間SL(下側内部空間)とを含む。これに対応して、開口部42は、開口部42Uと、開口部42Lとを含む。 The internal space S includes an internal space SU (upper internal space) and an internal space SL (lower internal space) separated from each other. Correspondingly, the opening 42 includes the opening 42U and the opening 42L.

開口部42Uは、内部空間SUとローダ8とを連通する。開口部42Uのうち、上下方向(Z軸方向)に延在する縁部を、縁部421Uと称し図示する。縁部421Uは、開口部42Uの左右に位置する一対の縁部である。開口部42Uのうち、左右方向(X軸方向)に延在する縁部を、縁部422Uと称し図示する。縁部422Uは、開口部42Uの上下に位置する一対の縁部である。 The opening 42U communicates the internal space SU and the loader 8. Of the openings 42U, an edge extending in the vertical direction (Z-axis direction) is referred to as an edge portion 421U and is shown in the drawing. The edge portion 421U is a pair of edge portions located on the left and right sides of the opening portion 42U. Of the openings 42U, an edge extending in the left-right direction (X-axis direction) is referred to as an edge portion 422U and is shown in the drawing. The edge portion 422U is a pair of edge portions located above and below the opening portion 42U.

開口部42Lは、内部空間SLとローダ8とを連通する。開口部42Lのうち、上下方向(Z軸方向)に延在する縁部を、縁部421Lと称し図示する。縁部421Lは、開口部42Lの左右に位置する一対の縁部である。開口部42Lのうち、左右方向(X軸方向)に延在する縁部を、縁部422Lと称し図示する。縁部422Lは、開口部42Lの上下に位置する一対の縁部である。 The opening 42L communicates the internal space SL with the loader 8. Of the openings 42L, an edge extending in the vertical direction (Z-axis direction) is referred to as an edge portion 421L and is shown in the drawing. The edge portion 421L is a pair of edge portions located on the left and right sides of the opening portion 42L. Of the openings 42L, the edges extending in the left-right direction (X-axis direction) are referred to as edge portions 422L and are shown in the drawing. The edge portion 422L is a pair of edge portions located above and below the opening portion 42L.

図1に戻り、ゲートバルブ5は、ロードロック室4の開口部のうち、ロードロック室4を挟んで搬送室3とは反対側、すなわちローダ8側の開口部に対して設けられる。このようにロードロック室4に対して設けられるゲートバルブ5について、図3及び図4も参照してさらに説明する。 Returning to FIG. 1, the gate valve 5 is provided for the opening of the load lock chamber 4 on the side opposite to the transport chamber 3 with the load lock chamber 4 interposed therebetween, that is, on the loader 8 side. The gate valve 5 provided for the load lock chamber 4 in this way will be further described with reference to FIGS. 3 and 4.

図3及び図4は、ロードロック室4及びゲートバルブ5の概略構成の例を示す図である。図3は、半断面図である。図4中の白抜き矢印は、ゲートの開閉方向を模式的に示す。 3 and 4 are views showing an example of a schematic configuration of the load lock chamber 4 and the gate valve 5. FIG. 3 is a half cross-sectional view. The white arrows in FIG. 4 schematically indicate the opening / closing direction of the gate.

ロードロック室4の本体41は、内部空間Sの上下面及び側面を規定する壁部として図示される。いくつかの壁部には符号が付され、上部壁411、中間壁412及び下部壁413として図示される。上部壁411は、内部空間Sのうち、内部空間SUの上面を規定する。中間壁412は、内部空間Sのうち、内部空間SUの下面及び内部空間SLの上面を規定する。下部壁413は、内部空間Sのうち、内部空間SLの下面を規定する。 The main body 41 of the load lock chamber 4 is illustrated as a wall portion that defines the upper and lower surfaces and side surfaces of the internal space S. Some wall portions are labeled and are illustrated as an upper wall 411, an intermediate wall 412 and a lower wall 413. The upper wall 411 defines the upper surface of the internal space SU in the internal space S. The intermediate wall 412 defines the lower surface of the internal space SU and the upper surface of the internal space SL in the internal space S. The lower wall 413 defines the lower surface of the internal space SL in the internal space S.

ゲートバルブ5は、開口部42に設けられる。より具体的に、ゲートバルブ5は、ゲートバルブ5Uと、ゲートバルブ5Lと、仕切壁56とを含む。ゲートバルブ5Uは、開口部42Uに対応する上側ゲートバルブである。ゲートバルブ5Uは、開放時において、その開口部が開口部42Uと連通する。ゲートバルブ5Uの開口部は、ロードロック室4とロードロックパネル6との間において、内部空間SUに連続しローダ8の内部と連通する上側搬送空間を規定しうる。ゲートバルブ5Lは、開口部42Lに対応する下側ゲートバルブである。ゲートバルブ5Lは、開放時において、その開口部が開口部42Lと連通する。ゲートバルブ5Lの開口部は、ロードロック室4とロードロックパネル6との間において、内部空間SLに連続しローダ8の内部と連通する下側搬送空間を規定しうる。仕切壁56は、ゲートバルブ5Uと、ゲートバルブ5Lとの間において、ロードロック室4の中間壁412に連接して設けられる。仕切壁56は、上側搬送空間及び下側搬送空間の一部を規定しうる。以降、上側搬送空間と下側搬送空間とを合わせて搬送空間と称する。 The gate valve 5 is provided in the opening 42. More specifically, the gate valve 5 includes a gate valve 5U, a gate valve 5L, and a partition wall 56. The gate valve 5U is an upper gate valve corresponding to the opening 42U. The opening of the gate valve 5U communicates with the opening 42U when the gate valve 5U is opened. The opening of the gate valve 5U may define an upper transfer space between the load lock chamber 4 and the load lock panel 6 that is continuous with the internal space SU and communicates with the inside of the loader 8. The gate valve 5L is a lower gate valve corresponding to the opening 42L. When the gate valve 5L is opened, its opening communicates with the opening 42L. The opening of the gate valve 5L may define a lower transport space between the load lock chamber 4 and the load lock panel 6 that is continuous with the internal space SL and communicates with the inside of the loader 8. The partition wall 56 is provided between the gate valve 5U and the gate valve 5L in connection with the intermediate wall 412 of the load lock chamber 4. The partition wall 56 may define a part of the upper transport space and the lower transport space. Hereinafter, the upper transport space and the lower transport space are collectively referred to as a transport space.

ゲートバルブ5Uは、ゲートカバー51Uと、弁体52Uと、エアシリンダ53Uと、ガイドブロック54Uと、ガイドレール55Uとを含む。ゲートカバー51Uは、ゲートカバー51Uの内側に設けられた弁体52Uとともに上下移動する。ゲートカバー51Uは、ロードロック室4の開口部42Uの縁部421Uに沿って弁体52Uの上下移動に伴って移動する。弁体52Uは、エアシリンダ53Uと連動して上下移動する。エアシリンダ53Uは、例えば、上下方向の移動が制御可能に構成されたアクチュエータである。また、弁体52Uは、ガイドブロック54Uを介して、ガイドレール55Uにスライド可能に接続される。ガイドレール55Uは、弁体52Uの移動方向をガイドする。ガイドレール55Uは、開口部42Uの縁部421Uに設けられた一対のガイドレールであり、上下方向に延在する。弁体52Uがガイドレール55Uに沿って移動することで、弁体52Uの上下方向の移動が安定化する。ガイドレール55Uは、弁体52Uの移動を支持する部分でもあるので、他の部分よりも高い強度が要求される。そのような高い強度を与えるためのガイドレール55Uの材質の例は、SUS440Cである。 The gate valve 5U includes a gate cover 51U, a valve body 52U, an air cylinder 53U, a guide block 54U, and a guide rail 55U. The gate cover 51U moves up and down together with the valve body 52U provided inside the gate cover 51U. The gate cover 51U moves along the edge portion 421U of the opening 42U of the load lock chamber 4 as the valve body 52U moves up and down. The valve body 52U moves up and down in conjunction with the air cylinder 53U. The air cylinder 53U is, for example, an actuator configured to be able to control the movement in the vertical direction. Further, the valve body 52U is slidably connected to the guide rail 55U via the guide block 54U. The guide rail 55U guides the moving direction of the valve body 52U. The guide rails 55U are a pair of guide rails provided at the edge portion 421U of the opening 42U, and extend in the vertical direction. By moving the valve body 52U along the guide rail 55U, the vertical movement of the valve body 52U is stabilized. Since the guide rail 55U is also a portion that supports the movement of the valve body 52U, higher strength than other portions is required. An example of the material of the guide rail 55U for imparting such high strength is SUS440C.

ゲートバルブ5Lは、ゲートカバー51Lと、弁体52Lと、エアシリンダ53Lと、ガイドブロック54Lと、ガイドレール55Lとを含む。これらの要素については、ゲートバルブ5Uの対応する部分と同様であるので、説明は省略する。なお、ガイドレール55U及びガイドレール55Lをまとめて、ガイドレール55(後述の図6を参照)と称する。 The gate valve 5L includes a gate cover 51L, a valve body 52L, an air cylinder 53L, a guide block 54L, and a guide rail 55L. Since these elements are the same as the corresponding parts of the gate valve 5U, the description thereof will be omitted. The guide rail 55U and the guide rail 55L are collectively referred to as a guide rail 55 (see FIG. 6 described later).

図5は、基板G、ゲートバルブ5及びロードロック室4の概略構成を模式的に示す図である。なお、ロードロックパネル6の図示は省略されている。横方向(Y軸方向)に延在する白抜き矢印は、基板Gの移動方向を模式的に示す。縦方向(Z軸方向)に延在する白抜き矢印は、ゲートバルブ5の開閉方向を模式的に示す。例えば弁体52Uが上方移動して開口部42Uが開いているときに、アームAによって支持された基板Gが、ローダ8から上側搬送空間を介して内部空間SUに搬入される。また、基板Gが、内部空間SUから上側搬送空間を介してローダ8に搬出される。弁体52Lについても同様のことがいえる。なお、ロードロック室4及びゲートバルブ5において、気密性を向上させるためのシール部材が、黒丸で図示される。 FIG. 5 is a diagram schematically showing a schematic configuration of a substrate G, a gate valve 5, and a load lock chamber 4. The load lock panel 6 is not shown. The white arrows extending in the horizontal direction (Y-axis direction) schematically indicate the moving direction of the substrate G. The white arrow extending in the vertical direction (Z-axis direction) schematically indicates the opening / closing direction of the gate valve 5. For example, when the valve body 52U moves upward and the opening 42U is open, the substrate G supported by the arm A is carried from the loader 8 into the internal space SU via the upper transport space. Further, the substrate G is carried out from the internal space SU to the loader 8 via the upper transport space. The same can be said for the valve body 52L. In the load lock chamber 4 and the gate valve 5, the seal member for improving the airtightness is shown by a black circle.

図1に戻り、ロードロックパネル6は、ゲートバルブ5に取り付けられる。ロードロックパネル6の詳細については、後に図6以降を参照して改めて説明する。 Returning to FIG. 1, the load lock panel 6 is attached to the gate valve 5. The details of the load lock panel 6 will be described later with reference to FIGS. 6 and later.

制御部7は、基板処理装置1の各部の動作を制御する。制御部7は、コントローラ71、ユーザインターフェース72及び記憶部73等を含んで構成される。コントローラ71は、CPUを備えており、例えばプロセスチャンバ2、搬送室3、ロードロック室4、ゲートバルブ5及びロードロックパネル6に取り付けられたノズル61(後述)等の動作を制御する。ユーザインターフェース72は、例えば工程管理者が基板処理装置1を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボード、基板処理装置1の稼働状況を可視化して表示するディスプレイを有する。記憶部73には、基板処理装置1で実行される各種処理をコントローラ71の制御にて実現するための制御プログラム(ソフトウエア)及び処理条件データ等が記録されたレシピが保存されている。ユーザインターフェース72及び記憶部73は、コントローラ71に接続されている。そして、必要に応じて、ユーザインターフェース72からの指示等にて任意のレシピを記憶部73から呼び出してコントローラ71に実行させることで、コントローラ71の制御の下で、基板処理装置1での所望の処理が行われる。制御プログラム及び処理条件データ等のレシピは、コンピュータが読み取り可能な記録媒体、例えばCD-ROM、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリに格納された状態のものを利用できる。また、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。 The control unit 7 controls the operation of each unit of the substrate processing device 1. The control unit 7 includes a controller 71, a user interface 72, a storage unit 73, and the like. The controller 71 includes a CPU, and controls the operation of, for example, the process chamber 2, the transfer chamber 3, the load lock chamber 4, the gate valve 5, and the nozzle 61 (described later) attached to the load lock panel 6. The user interface 72 has, for example, a keyboard on which a process manager performs a command input operation for managing the board processing device 1, and a display that visualizes and displays the operating status of the board processing device 1. The storage unit 73 stores a recipe in which a control program (software) for realizing various processes executed by the substrate processing device 1 under the control of the controller 71, processing condition data, and the like are recorded. The user interface 72 and the storage unit 73 are connected to the controller 71. Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit 73 by an instruction from the user interface 72 or the like and executed by the controller 71, so that the desired recipe in the board processing device 1 can be executed under the control of the controller 71. Processing is done. As the recipes such as the control program and the processing condition data, those stored in a computer-readable recording medium such as a CD-ROM, a hard disk, a flexible disk, or a flash memory can be used. It is also possible to transmit from another device at any time via a dedicated line, for example, and use it online.

ローダ8は、ロードロック室4との間で基板Gの搬入及び搬出を行う部分(モジュール)である。ローダ8は、例えば、インデクサ、及び、インデクサ上に配置され基板Gを収容する一対のカセット等を含んで構成される。カセット内には、基板Gが上下に間隔を空けて多段配置される。例えば、一方のカセットには未処理基板が収容され、他方のカセットに処理済基板が収容される。 The loader 8 is a portion (module) for loading and unloading the substrate G to and from the load lock chamber 4. The loader 8 includes, for example, an indexer and a pair of cassettes arranged on the indexer and accommodating the substrate G. In the cassette, the substrates G are arranged in multiple stages with an interval at the top and bottom. For example, one cassette contains an unprocessed substrate and the other cassette contains a processed substrate.

以上説明した基板処理装置1の動作のうち、とくに基板Gの搬送に関する動作の概要を説明する。ゲートバルブ5が開き、基板Gがローダ8からロードロック室4に搬入される。ゲートバルブ5が閉じ、ロードロック室4が大気圧から減圧環境に制御される。ロードロック室4に搬入された基板Gは、搬送室3を経て、プロセスチャンバ2に搬送される。搬送室3及びプロセスチャンバ2も、減圧環境に制御されている。ロードロック室4から搬送室3へ基板Gを移送する際、ロードロック室4と搬送室3は同程度の減圧環境に制御される。プロセスチャンバ2において、処理ガスを用いた基板Gの処理が行われる。処理が完了した後、基板Gは、搬送室3を経て、ロードロック室4に搬送される。ロードロック室4が大気圧へ昇圧制御されたのち、ゲートバルブ5が開き、基板Gがロードロック室4からローダ8に搬出される。 Among the operations of the substrate processing apparatus 1 described above, the outline of the operation relating to the transfer of the substrate G will be described. The gate valve 5 opens, and the substrate G is carried from the loader 8 into the load lock chamber 4. The gate valve 5 is closed, and the load lock chamber 4 is controlled from atmospheric pressure to a reduced pressure environment. The substrate G carried into the load lock chamber 4 is conveyed to the process chamber 2 via the transfer chamber 3. The transfer chamber 3 and the process chamber 2 are also controlled in a reduced pressure environment. When the substrate G is transferred from the load lock chamber 4 to the transport chamber 3, the load lock chamber 4 and the transport chamber 3 are controlled to a reduced pressure environment of the same degree. In the process chamber 2, the substrate G is processed using the processing gas. After the processing is completed, the substrate G is transported to the load lock chamber 4 via the transport chamber 3. After the load lock chamber 4 is boosted to atmospheric pressure, the gate valve 5 opens and the substrate G is carried out from the load lock chamber 4 to the loader 8.

ここで、プロセスチャンバ2で処理された基板G(処理済基板)が搬送室3及びロードロック室4を通ってローダ8に搬出されるとき、ロードロック室4は大気圧に昇圧制御されるが、ローダ8は大気圧よりも陽圧に制御されている。そのため、ローダ8からロードロック室4に向かう気流が発生する。さらに、基板G(処理済基板)には、処理ガスが付着している。このため、搬出された基板Gに付着していた処理ガスは、ローダ8からロードロック室4に向かって拡散し、気流に乗ってロードロック室4の開口部42の縁部に設けられた構造物(例えばゲートバルブ5のガイドレール55)に当たり付着する。開口部42の縁部に設けられた構造物は大気にも晒されるため、処理ガスの成分と大気中の水分との反応によって腐蝕(劣化)する可能性がある。 Here, when the substrate G (processed substrate) processed in the process chamber 2 is carried out to the loader 8 through the transfer chamber 3 and the load lock chamber 4, the load lock chamber 4 is pressure-boosted controlled to atmospheric pressure. , The loader 8 is controlled to have a positive pressure rather than an atmospheric pressure. Therefore, an air flow from the loader 8 to the load lock chamber 4 is generated. Further, the processing gas is attached to the substrate G (processed substrate). Therefore, the processing gas adhering to the carried-out substrate G diffuses from the loader 8 toward the load lock chamber 4, and rides on the airflow to be provided at the edge of the opening 42 of the load lock chamber 4. It hits and adheres to an object (for example, the guide rail 55 of the gate valve 5). Since the structure provided at the edge of the opening 42 is also exposed to the atmosphere, there is a possibility of corrosion (deterioration) due to the reaction between the components of the processing gas and the moisture in the atmosphere.

開口部42の縁部に設けられた構造物への処理ガスの付着(すなわち構造物の劣化)を抑制するために、実施形態に係る基板処理装置1では、ローダ8側から開口部42の縁部に向かって気体が噴出される。噴出手段(噴出部)の例は、気体としてパージガスの供給ラインから供給されたパージガスを吹き付けるノズル、ローダ8側から周囲の気体を送風するファン等である。以下では、噴出部がノズルである例について説明する。ノズルによるパージガス噴出の実現手段の一例が、ロードロックパネル6である。ロードロックパネル6は、例えば、ロードロック室4と外部空間との間のパーティションにノズル等を組み入れることによって構成される。 In order to suppress the adhesion of the processing gas to the structure provided at the edge of the opening 42 (that is, deterioration of the structure), in the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment, the edge of the opening 42 is from the loader 8 side. Gas is ejected toward the part. Examples of the ejection means (spouting portion) are a nozzle that blows the purge gas supplied from the purge gas supply line as a gas, a fan that blows the surrounding gas from the loader 8 side, and the like. In the following, an example in which the ejection portion is a nozzle will be described. An example of a means for realizing purge gas ejection by a nozzle is a load lock panel 6. The load lock panel 6 is configured, for example, by incorporating a nozzle or the like into a partition between the load lock chamber 4 and the external space.

図6及び図7は、ロードロックパネル6の概略構成の例を示す図である。図6は、ロードロック室4、ゲートバルブ5及びロードロックパネル6の分解斜視図である。図7は、ローダ8側からロードロックパネル6をみた図である。ロードロックパネル6は、ゲートバルブ5を挟んでロードロック室4とは反対側に、ロードロック室4及びゲートバルブ5に対向して設けられる。図6及び図7には、ロードロックパネル6の構成要素のうち、ノズル61と、開口部62と、給気管63と、隔壁66とが示される。 6 and 7 are views showing an example of a schematic configuration of the load lock panel 6. FIG. 6 is an exploded perspective view of the load lock chamber 4, the gate valve 5, and the load lock panel 6. FIG. 7 is a view of the load lock panel 6 from the loader 8 side. The load lock panel 6 is provided on the side opposite to the load lock chamber 4 with the gate valve 5 interposed therebetween, facing the load lock chamber 4 and the gate valve 5. 6 and 7 show a nozzle 61, an opening 62, an air supply pipe 63, and a partition wall 66 among the components of the load lock panel 6.

ノズル61は、ローダ8側からロードロック室4の開口部42の縁部に向かってパージガスを噴出するように、開口部42の縁部に対向して設けられる。開口部42の縁部にはガイドレール55が構造物として設けられるので、ノズル61は、ガイドレール55に向かってパージガスを噴出するように、ガイドレール55に対向して設けられる。具体的に、ノズル61は、ノズル61Uと、ノズル61Lとを含む。ノズル61Uは、開口部42Uの縁部421U、すなわち一対のガイドレール55Uに対向するように設けられる一対のノズルである。ノズル61Lは、開口部42Lの縁部421L、すなわち一対のガイドレール55Lに対向するように設けられる一対のノズルである。 The nozzle 61 is provided facing the edge of the opening 42 so as to eject the purge gas from the loader 8 side toward the edge of the opening 42 of the load lock chamber 4. Since the guide rail 55 is provided as a structure at the edge of the opening 42, the nozzle 61 is provided so as to face the guide rail 55 so as to eject the purge gas toward the guide rail 55. Specifically, the nozzle 61 includes a nozzle 61U and a nozzle 61L. The nozzle 61U is a pair of nozzles provided so as to face the edge portion 421U of the opening 42U, that is, the pair of guide rails 55U. The nozzle 61L is a pair of nozzles provided so as to face the edge portion 421L of the opening 42L, that is, the pair of guide rails 55L.

開口部62は、ロードロック室4の開口部42及びゲートバルブ5の開口部と連通するように設けられる。開口部62は、開口部62U及び開口部62Lを含む。開口部62Uは、開口部42U及びゲートバルブ5Uの開口部と連通するように設けられる。開口部62Uは、上側搬送空間の端部を規定しうる。開口部62Lは、開口部42L及びゲートバルブ5Lの開口部と連通するように設けられる。開口部62Lは、下側搬送空間の端部を規定しうる。 The opening 62 is provided so as to communicate with the opening 42 of the load lock chamber 4 and the opening of the gate valve 5. The opening 62 includes the opening 62U and the opening 62L. The opening 62U is provided so as to communicate with the opening of the opening 42U and the gate valve 5U. The opening 62U may define the end of the upper transport space. The opening 62L is provided so as to communicate with the opening 42L and the opening of the gate valve 5L. The opening 62L may define the end of the lower transport space.

給気管63は、パージガスをノズル61に給気する給気流路(供給流路)である。パージガスの例は、ドライエアである。給気管63は、給気管63U及び給気管63Lを含む。給気管63Uは、ノズル61Uにパージガスを給気する。給気管63Lは、ノズル61Lにパージガスを給気する。 The air supply pipe 63 is an air supply flow path (supply flow path) for supplying the purge gas to the nozzle 61. An example of a purge gas is dry air. The air supply pipe 63 includes the air supply pipe 63U and the air supply pipe 63L. The air supply pipe 63U supplies purge gas to the nozzle 61U. The air supply pipe 63L supplies purge gas to the nozzle 61L.

隔壁66は、開口部62Uと開口部62Lとを仕切り、ゲートバルブ5の仕切壁56に連接して設けられる。隔壁66は、上側搬送空間の端部及び下側搬送空間の端部の一部を規定しうる。 The partition wall 66 is provided so as to partition the opening 62U and the opening 62L and to be connected to the partition wall 56 of the gate valve 5. The partition wall 66 may define an end of the upper transport space and a portion of the end of the lower transport space.

ノズル61がガイドレール55に対向するように設けられるので、ノズル61は、パージガスをガイドレール55の正面に向かって噴出する。これにより、パージガスをガイドレール55に効率よく当てることができる。これについて、図8及び図9を参照して説明する。 Since the nozzle 61 is provided so as to face the guide rail 55, the nozzle 61 ejects the purge gas toward the front surface of the guide rail 55. As a result, the purge gas can be efficiently applied to the guide rail 55. This will be described with reference to FIGS. 8 and 9.

図8及び図9は、噴出されたパージガスの流れを模式的に示す図である。図8に示されるようにガイドレール55の側面に向かってパージガスを噴出した場合、ガイドレール55を挟んで当該側面とは反対側の部分にはパージガスの流れが発生しにくい。そのため、パージガスの流れが発生しにくい箇所においては、ローダ8から拡散する処理ガスがガイドレール55に付着しうる。図9に示されるようにガイドレール55の正面に向かってパージガスを噴出した場合、ガイドレール55の正面部分及び両側部分のいずれにもパージガスの流れが発生する。そのため、ローダ8から拡散する処理ガスはガイドレール55に到達する前にパージガスの流れによって除去され、ガイドレール55に付着しにくい。したがって、パージガスは、ガイドレール55の側面ではなく、ガイドレール55の正面に向かって噴出することが望ましい。 8 and 9 are diagrams schematically showing the flow of the ejected purge gas. When the purge gas is ejected toward the side surface of the guide rail 55 as shown in FIG. 8, the flow of the purge gas is unlikely to occur in the portion of the guide rail 55 opposite to the side surface. Therefore, the processing gas diffused from the loader 8 may adhere to the guide rail 55 in a place where the flow of the purge gas is unlikely to occur. When the purge gas is ejected toward the front surface of the guide rail 55 as shown in FIG. 9, a flow of the purge gas is generated in both the front surface portion and both side portions of the guide rail 55. Therefore, the processing gas diffused from the loader 8 is removed by the flow of the purge gas before reaching the guide rail 55, and is unlikely to adhere to the guide rail 55. Therefore, it is desirable that the purge gas is ejected toward the front surface of the guide rail 55 instead of the side surface of the guide rail 55.

図10は、ノズルの概略構成の例を示す図である。この例では、ノズル61は、複数の孔からパージガスを噴出するシャワープレートであり、プレート611と、プレート612と、シール部材613とを含む。プレート611は、異なる位置に設けられたポート611a、ポート611b及びポート611cを含む。これらのポートのいずれかに選択的に給気管63が接続されることで、給気管63の接続箇所が調整される。この例では、ポート611bに給気管63が接続され、他のポート611a及びポート611cは目留めされる。なお、給気管63が接続されるポートは、必ずしも3つである必要は無く、プレート12からガイドレール55へのガス噴出について最適な位置が決まれば一つだけ設けてもよく、また、状況により適宜最適な位置を選択するために複数設けることとしてもよい。 FIG. 10 is a diagram showing an example of a schematic configuration of a nozzle. In this example, the nozzle 61 is a shower plate that ejects purge gas from a plurality of holes, and includes a plate 611, a plate 612, and a sealing member 613. The plate 611 includes ports 611a, 611b and 611c provided at different locations. By selectively connecting the air supply pipe 63 to any of these ports, the connection point of the air supply pipe 63 is adjusted. In this example, the air supply pipe 63 is connected to the port 611b, and the other ports 611a and 611c are closed. The number of ports to which the air supply pipe 63 is connected does not necessarily have to be three, and only one port may be provided if the optimum position for gas ejection from the plate 12 to the guide rail 55 is determined, and depending on the situation. A plurality of them may be provided in order to appropriately select the optimum position.

プレート612は、複数の噴出孔612aを有する。複数の噴出孔612aは、所望の流量、例えば数十L/min~数百L/min程度の流量が得られるように設けられる。複数の噴出孔612aは、例えば、上下方向(Z軸方向)及び左右方向(X軸方向)に格子状に設けられる。各噴出孔612aは、例えば、直径が数mm程度の円形形状を有する。なお、上記に限らず、複数の噴出孔612aは斜方状や同心円状などに配列されてもよく、また、各噴出孔は、矩形や長丸形状などであってもよい。 The plate 612 has a plurality of ejection holes 612a. The plurality of ejection holes 612a are provided so as to obtain a desired flow rate, for example, a flow rate of about several tens L / min to several hundreds L / min. The plurality of ejection holes 612a are provided, for example, in a grid pattern in the vertical direction (Z-axis direction) and the left-right direction (X-axis direction). Each ejection hole 612a has, for example, a circular shape having a diameter of about several mm. Not limited to the above, the plurality of ejection holes 612a may be arranged in an oblique shape or a concentric circle shape, and each ejection hole may have a rectangular shape or an oval shape.

プレート611及びプレート612は、プレート611のポート(この例ではポート611b)に給気されたパージガスをプレート612の各噴出孔612aに導く内部空間を気密形成するように、シール部材613を介して結合される。 The plate 611 and the plate 612 are coupled via a sealing member 613 so as to airtightly form an internal space that guides the purge gas supplied to the port of the plate 611 (port 611b in this example) to each ejection hole 612a of the plate 612. Will be done.

ノズル61をシャワープレートとすることで、例えばパージガスの噴出範囲が調整しやすくなる。例えば以上説明したようなノズル61によって噴出されたパージガスを排気する構成も、ロードロックパネル6に組み入れられる。これについて、図11を参照して説明する。 By using the nozzle 61 as a shower plate, for example, the ejection range of the purge gas can be easily adjusted. For example, a configuration for exhausting the purge gas ejected by the nozzle 61 as described above is also incorporated in the load lock panel 6. This will be described with reference to FIG.

図11は、ロードロック室4側からロードロックパネル6をみた図である。ロードロックパネル6は、これまで説明したノズル61、開口部62、給気管63及び隔壁66の他に、排気管64と、排気口641U~排気口646U及び排気口641L~排気口646Lと、パージガスコントローラ65とを含む。なお、この例では、給気管63の給気管63Uは、ロードロックパネル6の上部中央において分岐点63Uaで分岐して左右方向(X軸方向)に延在し、ノズル61Uに接続される。給気管63の給気管63Lは、ロードロックパネル6の下部中央において分岐点63Laで分岐して左右方向に延在し、ノズル61Lに接続される。 FIG. 11 is a view of the load lock panel 6 viewed from the load lock chamber 4 side. In addition to the nozzle 61, the opening 62, the air supply pipe 63, and the partition wall 66 described above, the load lock panel 6 includes an exhaust pipe 64, an exhaust port 641U to an exhaust port 646U, an exhaust port 641L to an exhaust port 646L, and a purge gas. Includes controller 65. In this example, the air supply pipe 63U of the air supply pipe 63 branches at the branch point 63Ua at the upper center of the load lock panel 6 and extends in the left-right direction (X-axis direction) and is connected to the nozzle 61U. The air supply pipe 63L of the air supply pipe 63 branches at the branch point 63La at the lower center of the load lock panel 6 and extends in the left-right direction, and is connected to the nozzle 61L.

排気管64は、搬送空間を排気するための排気流路である。排気管64は、排気管64U及び排気管64Lを含む。 The exhaust pipe 64 is an exhaust flow path for exhausting the transport space. The exhaust pipe 64 includes an exhaust pipe 64U and an exhaust pipe 64L.

排気管64Uは、排気口641U~排気口646Uに接続される。排気口641U~646Uは、開口部42U、ゲートバルブ5Uの開口部及びロードロックパネル6の開口部62Uとは異なる経路で、上側搬送空間を排気する。排気口641U~排気口646Uは、ロードロック室4の開口部42Uの縁部422Uの近傍(例えば数mmから数cm程度の範囲内)に設けられるとともに、縁部422Uに沿って(X軸方向に)設けられる。 The exhaust pipe 64U is connected to the exhaust port 641U to the exhaust port 646U. The exhaust ports 641U to 646U exhaust the upper transport space by a route different from the opening 42U, the opening of the gate valve 5U, and the opening 62U of the load lock panel 6. The exhaust port 641U to the exhaust port 646U are provided in the vicinity of the edge portion 422U of the opening 42U of the load lock chamber 4 (for example, within a range of several mm to several cm), and are provided along the edge portion 422U (in the X-axis direction). To be provided.

排気管64Lは、排気口641L~排気口646Lに接続される。排気口641L~646Lは、開口部42L、ゲートバルブ5Lの開口部及びロードロックパネル6の開口部62Lとは異なる経路で、下側搬送空間を排気する。排気口641L~排気口646Lは、ロードロック室4の開口部42Lの縁部422Lの近傍に設けられるとともに、縁部422Lに沿って(X軸方向に)設けられる。 The exhaust pipe 64L is connected to the exhaust port 641L to the exhaust port 646L. The exhaust ports 641L to 646L exhaust the lower transport space by a route different from the opening 42L, the opening of the gate valve 5L, and the opening 62L of the load lock panel 6. The exhaust port 641L to the exhaust port 646L are provided in the vicinity of the edge portion 422L of the opening 42L of the load lock chamber 4 and are provided along the edge portion 422L (in the X-axis direction).

排気管64U及び排気管64Lについてさらに述べる。排気管64Uは、ロードロックパネル6の上部中央において分岐点64Uaで分岐して左右方向に延在し、排気口641U~排気口646Uそれぞれに接続される。排気口641U~646Uは、上側搬送空間内の上方に設けられる。排気口641U~排気口646Uは、開口部42Uの開口中心軸方向(Y軸方向)と交差する中心軸方向(この例ではZ軸方向の中心軸方向)を有する。排気口641U~排気口646Uは、開口部42Uの左右の縁部421Uに設けられた一対のガイドレール55Uどうしの間に位置する。排気口641U及び排気口646Uは、ガイドレール55U付近に設けられる。排気口643U及び排気口644Uは、上側搬送空間の中央付近に設けられる。排気口642Uは、排気口641Uと643Uとの間に設けられる。排気口645Uは、排気口644Uと排気口646Uとの間に設けられる。 The exhaust pipe 64U and the exhaust pipe 64L will be further described. The exhaust pipe 64U branches at a branch point 64Ua at the upper center of the load lock panel 6 and extends in the left-right direction, and is connected to each of the exhaust port 641U to the exhaust port 646U. The exhaust ports 641U to 646U are provided above in the upper transport space. The exhaust port 641U to the exhaust port 646U have a central axis direction (in this example, the central axis direction in the Z-axis direction) that intersects the opening center axis direction (Y-axis direction) of the opening 42U. The exhaust port 641U to the exhaust port 646U are located between a pair of guide rails 55U provided at the left and right edge portions 421U of the opening 42U. The exhaust port 641U and the exhaust port 646U are provided in the vicinity of the guide rail 55U. The exhaust port 643U and the exhaust port 644U are provided near the center of the upper transport space. The exhaust port 642U is provided between the exhaust ports 641U and 643U. The exhaust port 645U is provided between the exhaust port 644U and the exhaust port 646U.

排気管64Lは、ロードロックパネル6の下部中央において分岐点64Laで分岐して左右方向に延在し、排気口641L~排気口646Lそれぞれに接続される。排気口641L~646Lは、下側搬送空間内の下方に設けられる。排気口641L~排気口646Lは、開口部42Lの開口中心軸方向(Y軸方向)と交差する中心軸方向(この例ではZ軸方向の中心軸方向)を有する。排気口641L~排気口646Lは、開口部42Lの左右の縁部421Lに設けられた一対のガイドレール55Lどうしの間に位置する。排気口641L及び排気口646Lは、ガイドレール55L付近に設けられる。排気口643L及び排気口644Lは、下側搬送空間の中央付近に設けられる。排気口642Lは、排気口641Lと643Lとの間に設けられる。排気口645Lは、排気口644Lと排気口646Lとの間に設けられる。 The exhaust pipe 64L branches at a branch point 64La at the lower center of the load lock panel 6 and extends in the left-right direction, and is connected to each of the exhaust port 641L to the exhaust port 646L. The exhaust ports 641L to 646L are provided below in the lower transport space. The exhaust port 641L to the exhaust port 646L have a central axis direction (in this example, the central axis direction in the Z-axis direction) that intersects the opening center axis direction (Y-axis direction) of the opening 42L. The exhaust port 641L to the exhaust port 646L are located between a pair of guide rails 55L provided on the left and right edge portions 421L of the opening 42L. The exhaust port 641L and the exhaust port 646L are provided in the vicinity of the guide rail 55L. The exhaust port 643L and the exhaust port 644L are provided near the center of the lower transport space. The exhaust port 642L is provided between the exhaust ports 641L and 643L. The exhaust port 645L is provided between the exhaust port 644L and the exhaust port 646L.

上述のように、ガイドレール55付近だけでなく、上側搬送空間及び下側搬送空間の中央付近にも排気口を設けることで、搬送空間全体が排気しやすくなる。これについて、図12~図17を参照して説明する。 As described above, by providing the exhaust port not only in the vicinity of the guide rail 55 but also in the vicinity of the center of the upper transport space and the lower transport space, the entire transport space can be easily exhausted. This will be described with reference to FIGS. 12 to 17.

図12~図17は、排気されるガスの流れを模式的に示す図である。図12及び図13に示されるように、ガイドレール55付近にのみ排気口が設けられている場合、ガイドレール55付近にのみパージガスの排気の流れが形成される。図14及び図15に示されるように、ガイドレール55付近と搬送空間中央付近との間(中間位置)にも排気口が設けられる場合、パージガスの排気の流れが、中間位置にも形成される。図16及び図17に示されるように、搬送空間中央にも排気口が設けられる場合、パージガスの排気の流れが、中央付近にも形成される。したがって、排気口は、ガイドレール55付近だけでなく、搬送空間中央付近にまで設けることが望ましい。 12 to 17 are diagrams schematically showing the flow of exhaust gas. As shown in FIGS. 12 and 13, when the exhaust port is provided only in the vicinity of the guide rail 55, the exhaust flow of the purge gas is formed only in the vicinity of the guide rail 55. As shown in FIGS. 14 and 15, when an exhaust port is also provided between the vicinity of the guide rail 55 and the vicinity of the center of the transport space (intermediate position), the flow of exhaust gas of the purge gas is also formed at the intermediate position. .. As shown in FIGS. 16 and 17, when an exhaust port is also provided in the center of the transport space, an exhaust flow of the purge gas is also formed in the vicinity of the center. Therefore, it is desirable that the exhaust port is provided not only near the guide rail 55 but also near the center of the transport space.

図11に戻り、パージガスコントローラ65は、給気管63によるパージガスの給気を制御する。パージガスの給気制御の例は、給気のON・OFF、流量の調整等である。また、パージガスコントローラ65は、排気管64による排気を制御する。パージガスの排気制御の例は、排気のON・OFF、流量の調整等である。これらの給気制御及び排気制御のために、パージガスコントローラ65は、給気管63及び排気管64に対して設けられた可変バルブ、フローメータ等を含んで構成されてよい。 Returning to FIG. 11, the purge gas controller 65 controls the supply of purge gas by the air supply pipe 63. Examples of air supply control for purge gas are ON / OFF of supply air, adjustment of flow rate, and the like. Further, the purge gas controller 65 controls the exhaust gas by the exhaust pipe 64. Examples of exhaust gas control of the purge gas are ON / OFF of the exhaust gas, adjustment of the flow rate, and the like. For these air supply control and exhaust control, the purge gas controller 65 may be configured to include a variable valve, a flow meter, etc. provided for the air supply pipe 63 and the exhaust pipe 64.

パージガスコントローラ65による給気及び排気のON・OFF制御の例について述べる。未処理基板をローダ8からロードロック室4に搬入するときには、給気及び排気はOFFに制御される。処理済基板をロードロック室4からローダ8へ搬出するときには、給気及び排気がONに制御される。なお、通常の処理では実施しないが、何らかの理由で未処理基板をロードロック室4からローダ8へ搬出するときには、給気及び排気はOFFに制御される。基板処理装置1が起動している(アイドル状態の)ときには、給気及び排気はONに制御される。基板処理装置1が起動していない(ダウン状態の)ときには、給気及び排気はOFFに制御される。パージガスの給気及び/又は排気が正常に動作しない場合には、給気及び排気がOFFに制御される。なお、パージガスコントローラ65による給気制御及び排気制御は、制御部7(図1)の制御下で行われてよい。パージガスコントローラ65によるパージガスの給気及び/又は排気が正常に動作しない場合(例えば流量が低下した場合)、制御部7はアラームが発生するような制御を行ってよい。 An example of ON / OFF control of air supply and exhaust gas by the purge gas controller 65 will be described. When the unprocessed board is carried from the loader 8 into the load lock chamber 4, air supply and exhaust are controlled to OFF. When the processed board is carried out from the load lock chamber 4 to the loader 8, supply air and exhaust are controlled to be ON. Although not performed by normal processing, when the unprocessed board is carried out from the load lock chamber 4 to the loader 8 for some reason, the supply air and the exhaust are controlled to OFF. When the substrate processing device 1 is activated (idle state), air supply and exhaust are controlled to be ON. When the board processing device 1 is not started (down state), the supply air and the exhaust are controlled to OFF. When the supply and / or exhaust of the purge gas does not operate normally, the supply and / or exhaust are controlled to OFF. The air supply control and the exhaust gas control by the purge gas controller 65 may be performed under the control of the control unit 7 (FIG. 1). When the supply and / or exhaust of the purge gas by the purge gas controller 65 does not operate normally (for example, when the flow rate drops), the control unit 7 may perform control so as to generate an alarm.

以上説明した基板処理装置1の動作のうち、とくにロードロック室4からローダ8に基板Gを搬出するときの動作について、図18を参照して説明する。 Among the operations of the substrate processing apparatus 1 described above, the operation when the substrate G is carried out from the load lock chamber 4 to the loader 8 will be described with reference to FIG.

図18は、基板処理装置において実行される処理(基板搬送方法)の例を示すフローチャートである。とくに説明がある場合を除き、各処理は、制御部7の制御によって行われる。当初、基板Gは処理前の状態でプロセスチャンバ2内にあるものとする。 FIG. 18 is a flowchart showing an example of a process (board transfer method) executed in the substrate processing apparatus. Unless otherwise specified, each process is performed under the control of the control unit 7. Initially, it is assumed that the substrate G is in the process chamber 2 in the state before processing.

ステップS1において、基板処理を行う。すなわち、プロセスチャンバ2において、処理ガス(例えば塩素系ガス)を用いた基板Gの処理が実行される。基板Gに処理で消費されずに残留した処理ガスが付着する。 In step S1, the substrate is processed. That is, in the process chamber 2, the processing of the substrate G using the processing gas (for example, chlorine-based gas) is executed. The remaining processing gas that is not consumed in the processing adheres to the substrate G.

ステップS2において、ロードロック室を減圧環境に制御する。すなわち、ロードロック室4が大気圧よりも減圧環境に制御される。なお、未処理の基板Gをロードロック室4からプロセスチャンバ2に搬入した時点から減圧環境を維持し続けておいてもよい。 In step S2, the load lock chamber is controlled to a reduced pressure environment. That is, the load lock chamber 4 is controlled to a reduced pressure environment rather than an atmospheric pressure. The reduced pressure environment may be maintained from the time when the untreated substrate G is carried from the load lock chamber 4 into the process chamber 2.

ステップS3において、パージガスを噴出・排気する。すなわち、パージガスが、給気管63を介してノズル61に供給され、ガイドレール55U及びガイドレール55Lに向かって噴出される。それとともに、排気口641U~排気口646U及び641L~排気口646L並びに排気管64を介して、搬送空間が排気される。 In step S3, the purge gas is ejected and exhausted. That is, the purge gas is supplied to the nozzle 61 via the air supply pipe 63 and is ejected toward the guide rail 55U and the guide rail 55L. At the same time, the transport space is exhausted through the exhaust ports 641U to the exhaust port 646U and 641L to the exhaust port 646L and the exhaust pipe 64.

ステップS4において、基板Gを搬出する。すなわち、上記ステップS3のようにパージガスが噴出・排気されている状態で、基板Gが、プロセスチャンバ2から搬送室3及びロードロック室4を通過して、ローダ8に搬出される。この時、搬送室3からロードロック室4に移送された基板Gは、一旦ロードロック室4に留め置かれ、ロードロック室4を大気圧に昇圧した後、ゲートバルブ5を開放してローダ8へ搬出される。なお、パージガスの噴出・排気は、基板Gのプロセスチャンバ2から搬送室3への搬送と並行して開始されてもよいし、基板Gの搬送室3への搬送後、ゲートバルブ5を開放するまでの間に開始されてもよい。 In step S4, the substrate G is carried out. That is, in a state where the purge gas is ejected and exhausted as in step S3, the substrate G is carried out from the process chamber 2 through the transfer chamber 3 and the load lock chamber 4 to the loader 8. At this time, the substrate G transferred from the transport chamber 3 to the load lock chamber 4 is temporarily held in the load lock chamber 4, the load lock chamber 4 is boosted to atmospheric pressure, and then the gate valve 5 is opened and the loader 8 is opened. Will be carried out to. The ejection / exhaust of the purge gas may be started in parallel with the transfer of the substrate G from the process chamber 2 to the transfer chamber 3, or the gate valve 5 is opened after the transfer of the substrate G to the transfer chamber 3. It may be started in the meantime.

以上の処理においては、基板Gをロードロック室4からローダ8に搬出する際に、パージガスの噴出とともに搬送空間の排気が行われる(ステップS3及びS4)。したがって、これまで説明したように、開口部42に設けられた構造物(例えばガイドレール55)への処理ガスの付着による構造物の劣化が抑制される。 In the above processing, when the substrate G is carried out from the load lock chamber 4 to the loader 8, the transport space is exhausted together with the ejection of the purge gas (steps S3 and S4). Therefore, as described above, deterioration of the structure due to adhesion of the processing gas to the structure provided in the opening 42 (for example, the guide rail 55) is suppressed.

以上説明した実施形態は、全ての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。上記実施形態は、様々な形態で具現化され得る。上記実施形態は、請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてよい。 The embodiments described above should be considered to be exemplary in all respects and not restrictive. The above embodiment can be embodied in various forms. The above-described embodiment may be omitted, replaced or modified in various forms without departing from the scope and purpose of the claims.

上記実施形態では、上側の上側搬送空間を上方から排気する例について説明した。ただし、上側搬送空間を下方から排気してもよい。この場合、排気口は、上側搬送空間の下方に設けられる。また、上側搬送空間を上方及び下方の両方から排気してもよい。この場合、排気口は、上側搬送空間内の上方及び下方に設けられる。 In the above embodiment, an example of exhausting the upper transport space on the upper side from above has been described. However, the upper transport space may be exhausted from below. In this case, the exhaust port is provided below the upper transport space. Further, the upper transport space may be exhausted from both the upper side and the lower side. In this case, the exhaust port is provided above and below in the upper transport space.

上記実施形態では、下側の下側搬送空間を下方から排気する例について説明した。ただし、下側搬送空間を上方から排気してもよい。この場合、排気口は、下側搬送空間内の上方に設けられる。また、下側搬送空間を上方及び下方の両方から排気してもよい。この場合、例えば、排気口は、下側搬送空間内の上方及び下方に設けられる。 In the above embodiment, an example of exhausting the lower lower transport space from below from below has been described. However, the lower transport space may be exhausted from above. In this case, the exhaust port is provided above in the lower transport space. Further, the lower transport space may be exhausted from both above and below. In this case, for example, the exhaust port is provided above and below in the lower transport space.

例えば、パージガスと一緒に排気される処理ガスが空気よりも軽い場合には、ガスが上側搬送空間及び下側搬送空間の上方に移動しやすくなるので、上方排気とする方が、下方排気とするよりも、効率よくガスを排気できる可能性が高まる。パージガスと一緒に排気される処理ガスが空気よりも重い場合(例えば塩素系ガスの場合)には、ガスが上側搬送空間及び下側搬送空間の下方に移動しやすくなるので、下方排気とする方が、上方排気とするよりも、効率よくガスを排気できる可能性が高まる。上側搬送空間も下方排気する例について、図19を参照して説明する。 For example, when the processing gas exhausted together with the purge gas is lighter than air, the gas easily moves above the upper transport space and the lower transport space, so the upper exhaust is the lower exhaust. It is more likely that the gas can be exhausted more efficiently. If the processing gas exhausted together with the purge gas is heavier than air (for example, in the case of chlorine-based gas), the gas tends to move below the upper transport space and the lower transport space. However, there is a higher possibility that the gas can be exhausted more efficiently than the upper exhaust. An example in which the upper transport space is also exhausted downward will be described with reference to FIG.

図19は、ロードロック室4、ゲートバルブ5、ノズル61及び排気管64Aの概略構成の例を示す図(半断面図)である。ロードロックパネル6は、ノズル61と排気管64A以外は省略している。排気流路である排気管64Aは、排気管64UA及び排気管64LAを含む。排気管64UAは、ゲートバルブ5の仕切壁56上の縁部を通り、複数の排気口に接続される。複数の排気口のうち、排気口646UA及び排気口645UAが例示される。仕切壁56上に設けられたこれらの排気口は、上側搬送空間内の下方に設けられ、上側搬送空間を下方から排気する。排気管64LAは、排気管64Lと同様に、下側搬送空間内の下方の排気口に接続され、したがって、下側搬送空間も下方から排気される。 FIG. 19 is a diagram (semi-cross-sectional view) showing an example of a schematic configuration of a load lock chamber 4, a gate valve 5, a nozzle 61, and an exhaust pipe 64A. The load lock panel 6 is omitted except for the nozzle 61 and the exhaust pipe 64A. The exhaust pipe 64A, which is an exhaust flow path, includes an exhaust pipe 64UA and an exhaust pipe 64LA. The exhaust pipe 64UA passes through the edge of the gate valve 5 on the partition wall 56 and is connected to a plurality of exhaust ports. Among the plurality of exhaust ports, the exhaust port 646UA and the exhaust port 645UA are exemplified. These exhaust ports provided on the partition wall 56 are provided below in the upper transport space, and exhaust the upper transport space from below. Like the exhaust pipe 64L, the exhaust pipe 64LA is connected to the lower exhaust port in the lower transport space, and therefore the lower transport space is also exhausted from below.

上記実施形態では、パージガスの噴出及び排気に関する要素、例えばノズル61及び排気口641U等がロードロックパネル6に組み入れられる例について説明した。ただし、このような態様に限らず、パージガスの噴出及び排気に関する要素は、あらゆる態様で基板処理装置1に設けられてよい。 In the above embodiment, an example in which elements related to the ejection and exhaust of the purge gas, for example, the nozzle 61, the exhaust port 641U, and the like are incorporated into the load lock panel 6 has been described. However, not limited to such an aspect, the elements relating to the ejection and exhaust of the purge gas may be provided in the substrate processing apparatus 1 in any aspect.

上記実施形態では、プロセスチャンバ2がプロセスチャンバ21~プロセスチャンバ23の3つのプロセスチャンバである例について説明した。ただし、プロセスチャンバ2は、単一のプロセスチャンバであってもよいし、2つ又は4つ以上のプロセスチャンバであってもよい。 In the above embodiment, an example in which the process chamber 2 is three process chambers of the process chamber 21 to the process chamber 23 has been described. However, the process chamber 2 may be a single process chamber, or may be two or four or more process chambers.

上記実施形態では、基板搬出入モジュールがロードロック室4である例について説明した。ただし、ロードロック室4以外にも、基板処理装置1において基板Gの搬出入が可能なあらゆるモジュールが、基板搬出入モジュールとして用いられてよい。 In the above embodiment, an example in which the board loading / unloading module is the load lock chamber 4 has been described. However, in addition to the load lock chamber 4, any module capable of loading and unloading the substrate G in the substrate processing device 1 may be used as the substrate loading / unloading module.

以上説明した基板処理装置1は、例えば次のように特定される。図1~図17等を参照して説明したように、基板処理装置1は、基板搬出入モジュール(例えばロードロック室4)と、開口部42と、ゲートバルブ5と、噴出部(例えばノズル61)と、排気口(排気口641U等)とを備える。基板搬出入モジュールは、基板Gを大気圧よりも陽圧に制御された外部空間(例えばローダ8)に搬出する際に大気圧環境に制御され基板Gが通過する内部空間Sを有する。開口部42は、基板搬出入モジュールに設けられ、内部空間Sと外部空間とを連通する。ゲートバルブ5は、開口部42に対して設けられ、搬送空間を有する。噴出部は、外部空間側から開口部42の縁部に向かってパージガスを噴出する。排気口(641U等)は、開口部42とは異なる経路で搬送空間を排気する。 The substrate processing apparatus 1 described above is specified as follows, for example. As described with reference to FIGS. 1 to 17, the substrate processing apparatus 1 includes a substrate loading / unloading module (for example, a load lock chamber 4), an opening 42, a gate valve 5, and an ejection portion (for example, a nozzle 61). ) And an exhaust port (exhaust port 641U, etc.). The substrate loading / unloading module has an internal space S controlled by the atmospheric pressure environment and through which the substrate G passes when the substrate G is carried out to an external space controlled to a positive pressure rather than an atmospheric pressure (for example, a loader 8). The opening 42 is provided in the board loading / unloading module, and communicates the internal space S with the external space. The gate valve 5 is provided for the opening 42 and has a transport space. The ejection portion ejects purge gas from the external space side toward the edge portion of the opening 42. The exhaust port (641U or the like) exhausts the transport space by a route different from that of the opening 42.

上記の基板処理装置1によれば、開口部42よりも外部空間側から開口部42の縁部に向かってパージガスが噴出される。また、開口部42とは異なる経路で搬送空間が排気される。これにより、基板Gの搬出時に基板Gに付着した処理ガスの開口部42の縁部に設けられた構造物への付着を抑制することができる。したがって、開口部42に設けられた構造物の劣化を抑制することができる。 According to the substrate processing apparatus 1, the purge gas is ejected from the external space side of the opening 42 toward the edge of the opening 42. Further, the transport space is exhausted by a route different from that of the opening 42. As a result, it is possible to suppress the adhesion of the processing gas adhering to the substrate G to the structure provided at the edge of the opening 42 when the substrate G is carried out. Therefore, deterioration of the structure provided in the opening 42 can be suppressed.

図11等を参照して説明したように、排気口は、開口部42の縁部422U及び縁部422Lに沿って複数設けられてよい(排気口641U~排気口646U及び排気口641L~排気口646L等)。これにより、搬送空間全体が排気しやすくなる。 As described with reference to FIG. 11 and the like, a plurality of exhaust ports may be provided along the edge portion 422U and the edge portion 422L of the opening 42 (exhaust port 641U to exhaust port 646U and exhaust port 641L to exhaust port). 646L etc.). This makes it easier to exhaust the entire transport space.

図11等を参照して説明したように、排気口は、開口部42の開口中心軸方向(Y軸方向)と交差する中心軸方向(例えばZ軸方向の中心軸方向)を有してよい。例えばこのようにして、開口部42とは異なる方向に搬送空間を排気することができる。 As described with reference to FIG. 11 and the like, the exhaust port may have a central axis direction (for example, a central axis direction in the Z axis direction) that intersects the opening central axis direction (Y axis direction) of the opening 42. .. For example, in this way, the transport space can be exhausted in a direction different from that of the opening 42.

図11及び図19等を参照して説明したように、排気口は、搬送空間の下方に設けられた排気口を含んでよい(排気口641L等、排気口646UA等)。搬送空間を下方排気することで、空気よりも重いガスを効率よく排気することができる。 As described with reference to FIGS. 11 and 19, the exhaust port may include an exhaust port provided below the transport space (exhaust port 641L or the like, exhaust port 646UA or the like). By exhausting the transport space downward, gas heavier than air can be efficiently exhausted.

図2、図3、図6及び図11等を参照して説明したように、内部空間Sは、上側内部空間(内部空間SU)及び下側内部空間(内部空間SL)を含み、搬送空間は、上側内部空間に連通する上側搬送空間及び下側内部空間に連通する下側搬送空間を含み、排気口は、上側搬送空間及び下側搬送空間のいずれにも設けられてよい(排気口641U等及び排気口641L等)。これにより、上側搬送空間及び下側搬送空間のいずれをも排気することができる。 As described with reference to FIGS. 2, 3, 6, 11 and the like, the internal space S includes an upper internal space (internal space SU) and a lower internal space (internal space SL), and the transport space is a transport space. The upper transport space communicating with the upper internal space and the lower transport space communicating with the lower internal space are included, and the exhaust port may be provided in either the upper transport space or the lower transport space (exhaust port 641U or the like). And exhaust port 641L etc.). As a result, both the upper transport space and the lower transport space can be exhausted.

図10等を参照して説明したように、噴出部は、シャワープレートであってよい。これにより、例えばパージガスの噴出範囲が調節しやすくなる。 As described with reference to FIG. 10 and the like, the ejection portion may be a shower plate. This makes it easier to adjust, for example, the ejection range of the purge gas.

図3、図4、図6及び図7等を参照して説明したように、ゲートバルブ5は、開口部42の縁部421U等に沿って移動する弁体52U等、及び、弁体52U等の移動方向をガイドするガイドレール55を含み、噴出部は、ガイドレール55に向かってパージガスを噴出してよい。基板処理装置1は、ガイドレール55を腐蝕させる可能性のある処理ガス(例えば塩素原子を含む処理ガス)を用いて基板Gを処理するプロセスチャンバ2を備えてよい。これにより、ガイドレール55の腐蝕を抑制することができる。 As described with reference to FIGS. 3, 4, 6, 7, and the like, the gate valve 5 includes a valve body 52U and the like that move along the edge portion 421U and the like of the opening 42, and a valve body 52U and the like. The ejection portion may eject the purge gas toward the guide rail 55, including the guide rail 55 that guides the moving direction of the guide rail 55. The substrate processing apparatus 1 may include a process chamber 2 for processing the substrate G using a processing gas (for example, a processing gas containing chlorine atoms) that may corrode the guide rail 55. As a result, corrosion of the guide rail 55 can be suppressed.

図18を参照して説明した基板搬送方法も、本開示の一態様である。すなわち、基板搬送方法は、基板処理装置1において、開口部42よりも外部空間側(ローダ8側)から開口部42の縁部に向かってパージガスを噴出するとともに開口部42とは異なる経路で搬送空間を排気するステップS3を含む。この基板搬送方法によっても、これまで説明したように、開口部42に設けられた構造物の劣化を抑制することができる。 The substrate transport method described with reference to FIG. 18 is also an aspect of the present disclosure. That is, in the substrate transfer method, in the substrate processing device 1, the purge gas is ejected from the external space side (loader 8 side) of the opening 42 toward the edge of the opening 42, and the purge gas is conveyed by a route different from that of the opening 42. The step S3 for exhausting the space is included. As described above, this substrate transfer method can also suppress the deterioration of the structure provided in the opening 42.

1 基板処理装置
2 プロセスチャンバ
3 搬送室
4 ロードロック室
5 ゲートバルブ
6 ロードロックパネル
7 制御部
8 ローダ
42 開口部
51U ゲートカバー
51L ゲートカバー
55 ガイドレール
61 ノズル(噴出部)
421U 縁部
421L 縁部
422U 縁部
422L 縁部
641U 排気口
642U 排気口
643U 排気口
644U 排気口
645U 排気口
646U 排気口
641L 排気口
642L 排気口
643L 排気口
644L 排気口
645L 排気口
646L 排気口
1 Board processing equipment 2 Process chamber 3 Conveyance chamber 4 Load lock chamber 5 Gate valve 6 Load lock panel 7 Control unit 8 Loader 42 Opening 51U Gate cover 51L Gate cover 55 Guide rail 61 Nozzle (spouting part)
421U Edge 421L Edge 422U Edge 422L Edge 641U Exhaust port 642U Exhaust port 643U Exhaust port 644U Exhaust port 645U Exhaust port 646U Exhaust port 641L Exhaust port 642L Exhaust port 464L Exhaust port 644L

Claims (11)

基板を大気圧よりも陽圧に制御された外部空間に搬出する際に大気圧環境に制御され前記基板が通過する内部空間を有する基板搬出入モジュールと、
該基板搬出入モジュールに設けられ、前記内部空間と前記外部空間とを連通する開口部と、
前記開口部に対して設けられ、搬送空間を有するゲートバルブと、
前記外部空間側から前記開口部の縁部に向かってパージガスを噴出する噴出部と、
前記開口部とは異なる経路で前記搬送空間を排気する排気口と、
を備える、
基板処理装置。
A board loading / unloading module having an internal space controlled by the atmospheric pressure environment and through which the board passes when the board is carried out to an external space controlled to a positive pressure rather than an atmospheric pressure.
An opening provided in the substrate loading / unloading module and communicating the internal space and the external space,
A gate valve provided for the opening and having a transport space,
An ejection portion that ejects purge gas from the external space side toward the edge of the opening, and a ejection portion.
An exhaust port that exhausts the transport space by a route different from the opening,
To prepare
Board processing equipment.
前記排気口は、前記開口部の縁部に沿って複数設けられる、
請求項1に記載の基板処理装置。
A plurality of the exhaust ports are provided along the edge of the opening.
The substrate processing apparatus according to claim 1.
前記排気口は、開口部の開口中心軸方向と交差する中心軸方向を有する、
請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。
The exhaust port has a central axial direction that intersects the opening central axial direction of the opening.
The substrate processing apparatus according to claim 1 or 2.
前記排気口は、前記搬送空間の下方に設けられた排気口を含む、
請求項1~3のいずれか1項に記載の基板処理装置。
The exhaust port includes an exhaust port provided below the transport space.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.
前記内部空間は、上側内部空間及び下側内部空間を含み、
前記搬送空間は、前記上側内部空間に連通する上側搬送空間及び前記下側内部空間に連通する下側搬送空間を含み、
前記排気口は、前記上側搬送空間及び前記下側搬送空間のいずれにも設けられる請求項1~4のいずれか1項に記載の基板処理装置。
The internal space includes an upper internal space and a lower internal space.
The transport space includes an upper transport space communicating with the upper internal space and a lower transport space communicating with the lower internal space.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the exhaust port is provided in both the upper transport space and the lower transport space.
前記噴出部は、シャワープレートである、
請求項1~5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
The ejection part is a shower plate.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5.
前記基板搬出入モジュールは、前記外部空間を有するローダに連結可能に構成されるロードロック室である、
請求項1~6のいずれか1項に記載の基板処理装置。
The board loading / unloading module is a load lock chamber configured to be connectable to a loader having the external space.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6.
前記ゲートバルブは、前記開口部の縁部のうち第1の方向に延在する第1の縁部に沿って移動する弁体、及び、当該弁体の移動方向をガイドするガイドレールを含み、
前記噴出部は、前記ガイドレールに向かって前記パージガスを噴出する、
請求項1~7のいずれか1項に記載の基板処理装置。
The gate valve includes a valve body that moves along a first edge extending in the first direction of the edge portion of the opening, and a guide rail that guides the moving direction of the valve body.
The ejection portion ejects the purge gas toward the guide rail.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7.
前記ガイドレールを腐蝕させる可能性のある処理ガスを用いて前記基板を処理するプロセスチャンバを備える、
請求項8に記載の基板処理装置。
A process chamber for processing the substrate with a processing gas that can corrode the guide rails.
The substrate processing apparatus according to claim 8.
前記処理ガスは、塩素原子を含む、
請求項9に記載の基板処理装置。
The processing gas contains chlorine atoms.
The substrate processing apparatus according to claim 9.
基板を大気圧よりも陽圧に制御された外部空間に搬出する際に大気圧環境に制御され前記基板が通過する内部空間を有する基板搬出入モジュールと、該基板搬出入モジュールに設けられ、前記内部空間と、前記外部空間とを連通する開口部と、開口部に対して設けられ、搬送空間を有するゲートバルブと、を備える基板処理装置において、
前記開口部よりも前記外部空間側から前記開口部の縁部に向かってパージガスを噴出するとともに前記開口部とは異なる経路で前記搬送空間を排気するステップ、
を含む、
基板搬送方法。
A board loading / unloading module having an internal space controlled by the atmospheric pressure environment and having an internal space through which the board passes when the board is carried out to an external space controlled by a positive pressure rather than an atmospheric pressure, and a board loading / unloading module provided in the board loading / unloading module. In a substrate processing apparatus including an opening that communicates with the internal space and the external space, and a gate valve provided for the opening and having a transport space.
A step of ejecting purge gas from the external space side of the opening toward the edge of the opening and exhausting the transport space by a route different from that of the opening.
including,
Board transfer method.
JP2020138838A 2020-08-19 2020-08-19 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE TRANSFER METHOD Active JP7458267B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020138838A JP7458267B2 (en) 2020-08-19 2020-08-19 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE TRANSFER METHOD
CN202110907202.4A CN114078729A (en) 2020-08-19 2021-08-09 Substrate processing apparatus and substrate conveying method
KR1020210105506A KR102580036B1 (en) 2020-08-19 2021-08-10 Substrate processing apparatus and substrate transferring method
TW110129435A TW202226428A (en) 2020-08-19 2021-08-10 Substrate processing apparatus and substrate transport method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020138838A JP7458267B2 (en) 2020-08-19 2020-08-19 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE TRANSFER METHOD

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022034907A true JP2022034907A (en) 2022-03-04
JP7458267B2 JP7458267B2 (en) 2024-03-29

Family

ID=80283204

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020138838A Active JP7458267B2 (en) 2020-08-19 2020-08-19 SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE TRANSFER METHOD

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7458267B2 (en)
KR (1) KR102580036B1 (en)
CN (1) CN114078729A (en)
TW (1) TW202226428A (en)

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003100838A (en) 2001-09-25 2003-04-04 Sony Corp System and method for treating substrate
JP2003109994A (en) 2001-09-26 2003-04-11 Applied Materials Inc Substrate treatment device
KR20070049693A (en) * 2005-11-09 2007-05-14 삼성전자주식회사 Apparatus for manufacturing a substrate
US8113757B2 (en) 2006-08-01 2012-02-14 Tokyo Electron Limited Intermediate transfer chamber, substrate processing system, and exhaust method for the intermediate transfer chamber
JP5037058B2 (en) 2006-08-01 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 Intermediate transfer chamber, substrate processing system, and exhaust method for intermediate transfer chamber
JP4954728B2 (en) * 2007-01-26 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 Gate valve cleaning method and substrate processing system
JP4985031B2 (en) * 2007-03-29 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 Vacuum processing apparatus, operating method of vacuum processing apparatus, and storage medium
JP4959457B2 (en) 2007-07-26 2012-06-20 東京エレクトロン株式会社 Substrate transport module and substrate processing system
WO2009031419A1 (en) 2007-09-03 2009-03-12 Tokyo Electron Limited Vacuum processing system
JP5005512B2 (en) 2007-11-07 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 A gate valve device, a vacuum processing device, and a method for opening a valve body in the gate valve device.
US8011381B2 (en) 2008-10-02 2011-09-06 Applied Material, Inc. Balanced purge slit valve
JP2011054928A (en) 2009-08-04 2011-03-17 Tokyo Electron Ltd Gate valve, and substrate processing system using the same
JP2011061149A (en) 2009-09-14 2011-03-24 Tokyo Electron Ltd Common transport device, and processing system using the same
KR20150090943A (en) * 2014-01-29 2015-08-07 세메스 주식회사 Apparatus and method for treating substrate
JP7105629B2 (en) 2018-06-20 2022-07-25 東京エレクトロン株式会社 Automatic teaching method and control device
US11282728B2 (en) 2018-06-29 2022-03-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Contamination control in semiconductor manufacturing systems

Also Published As

Publication number Publication date
JP7458267B2 (en) 2024-03-29
TW202226428A (en) 2022-07-01
CN114078729A (en) 2022-02-22
KR102580036B1 (en) 2023-09-18
KR20220022866A (en) 2022-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI757936B (en) Apparatus, system, and method for processing substrates
JP4251580B1 (en) Containment transport system
JP7436448B2 (en) Systems, devices, and methods for improved load ports
JP5208948B2 (en) Vacuum processing system
WO1999054927A1 (en) Unprocessed material storing device and carry-in/out stage
KR20060135536A (en) Purge system for a product container and table for use in the purge system
KR20100014613A (en) Vaccum treat apparatus, method of operating the same, and recording medium
JP2007165644A (en) Vacuum processing apparatus and strip-like air flow forming device
US8794896B2 (en) Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
WO2007116851A1 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
KR102580036B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate transferring method
TWI681491B (en) Substrate treating apparatus
KR101962752B1 (en) Side Storage Of Two-Way Exhaust Structure
KR20130016359A (en) Substrate processing method and substrate processing system
JP2021009876A (en) Substrate processing apparatus
JP7386738B2 (en) Substrate transport method and substrate processing equipment
US20240006200A1 (en) Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP7089987B2 (en) Atomic layer deposition equipment
JP2023031991A (en) EFEM, inert gas supply control method
WO2014041656A1 (en) Vacuum processing device
KR20050045434A (en) Apparatus for manufacturing a semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230410

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20240111

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240220

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240318

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7458267

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150