KR20220022866A - Substrate processing apparatus and substrate transferring method - Google Patents
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Abstract
Description
본 개시는 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a substrate transport method.
기판 처리 장치에 있어서, 기판 반출시 등에 기판이 통과하는 개구부에는, 게이트 밸브 등의 구조물이 마련된다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).In a substrate processing apparatus, structures, such as a gate valve, are provided in the opening part through which a board|substrate passes when carrying out a board|substrate etc. (for example, refer patent document 1).
본 개시는 개구부에 마련된 구조물의 열화를 억제하는 기술을 제공한다.The present disclosure provides a technique for suppressing deterioration of a structure provided in an opening.
본 개시의 일 태양에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 대기압보다 양압으로 제어된 외부 공간으로 반출할 때에 대기압 환경으로 제어되고 기판이 통과하는 내부 공간을 갖는 기판 반출입 모듈과, 해당 기판 반출입 모듈에 마련되고, 상기 내부 공간과 외부 공간을 연통하는 개구부와, 개구부에 마련되고, 반송 공간을 갖는 게이트 밸브와, 외부 공간측으로부터 개구부의 가장자리부를 향해서 퍼지 가스를 분출하는 분출부와, 개구부와는 상이한 경로로 반송 공간을 배기하는 배기구를 구비한다.A substrate processing apparatus according to an aspect of the present disclosure includes a substrate carrying-in/out module having an internal space controlled to an atmospheric pressure environment and through which a substrate passes when a substrate is unloaded to an external space controlled to be positive than atmospheric pressure, and the substrate carrying-in/out module provided a gate valve having a conveyance space provided in the opening and an opening communicating the internal space and the external space; and an exhaust port for exhausting the furnace conveyance space.
본 개시에 의하면, 개구부에 마련된 구조물의 열화를 억제할 수 있다.According to the present disclosure, deterioration of the structure provided in the opening can be suppressed.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다.
도 2는 로드록실(4)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다.
도 3은 로드록실(4) 및 게이트 밸브(5)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다.
도 4는 로드록실(4) 및 게이트 밸브(5)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다.
도 5는 기판(G), 게이트 밸브(5) 및 로드록실(4)의 개략 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 6은 로드록 패널(6)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다.
도 7은 로드록 패널(6)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다.
도 8은 분출된 퍼지 가스의 흐름을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 9는 분출된 퍼지 가스의 흐름을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 10은 노즐(61)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다.
도 11은 로드록실(4)측으로부터 로드록 패널(6)을 바라본 도면이다.
도 12는 배기되는 가스의 흐름을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 13은 배기되는 가스의 흐름을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 14는 배기되는 가스의 흐름을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 15는 배기되는 가스의 흐름을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 16은 배기되는 가스의 흐름을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 17은 배기되는 가스의 흐름을 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 18은 기판 처리 장치(1)에 있어서 실행되는 처리(기판 반송 방법)의 예를 나타내는 플로우 차트이다.
도 19는 로드록실(4), 게이트 밸브(5), 노즐(61) 및 배기관(64A)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다.1 is a diagram showing an example of a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment.
2 is a diagram showing an example of a schematic configuration of the load lock chamber 4 .
3 : is a figure which shows the example of the schematic structure of the load lock chamber 4 and the
4 : is a figure which shows the example of the schematic structure of the load lock chamber 4 and the
FIG. 5 is a diagram schematically showing the schematic configuration of the substrate G, the
6 is a diagram showing an example of a schematic configuration of the
7 is a diagram showing an example of a schematic configuration of the
8 is a diagram schematically illustrating the flow of the ejected purge gas.
9 is a diagram schematically illustrating the flow of the ejected purge gas.
10 : is a figure which shows the example of the schematic structure of the
11 is a view of the
12 is a diagram schematically illustrating a flow of exhausted gas.
13 is a diagram schematically showing the flow of exhausted gas.
14 is a diagram schematically showing the flow of exhausted gas.
15 is a diagram schematically illustrating the flow of exhausted gas.
16 is a diagram schematically illustrating the flow of exhausted gas.
17 is a diagram schematically showing the flow of exhausted gas.
18 is a flowchart showing an example of a process (substrate conveyance method) performed in the substrate processing apparatus 1 .
19 : is a figure which shows the example of the schematic structure of the load lock chamber 4, the
이하, 도면을 참조하여 본원의 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법의 실시형태에 대해서 상세하게 설명한다. 또한, 본 실시형태에 의해, 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법이 한정되는 것은 아니다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, with reference to drawings, embodiment of the substrate processing apparatus and board|substrate conveyance method disclosed by this application is described in detail. In addition, the substrate processing apparatus and the board|substrate conveyance method which are disclosed are not limited by this embodiment.
기판 처리 장치에 있어서는, 처리종료의 기판을 외부에 반출할 때, 기판에 부착하여 있던 처리 가스가 기판을 반출하는 개구부에 마련된 구조물에 부착하여 부식이 발생하는 등, 구조물이 열화할 가능성이 있다. 따라서, 기판을 반출하는 개구부에 마련된 구조물의 열화를 억제하는 기술이 기대되고 있다.In a substrate processing apparatus, when a processed substrate is taken out, there is a possibility that the processing gas adhering to the substrate adheres to the structure provided in the opening through which the substrate is unloaded, causing corrosion, and the like. Therefore, a technique for suppressing deterioration of the structure provided in the opening for carrying out the substrate is expected.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다. 도면에 있어서, XYZ 좌표계가 도시된다. X축 방향 및 Y축 방향은, 기판을 반출하는 개구부가 있는 측을 정면으로 했을 경우의 기판 처리 장치의 좌우 방향 및 전후 방향에 각각 대응한다. Z축 방향은 수평 배치된 기판 처리 장치의 상하 방향(높이 방향), 즉 연직 방향에 대응한다.1 is a diagram showing an example of a schematic configuration of a substrate processing apparatus 1 according to an embodiment. In the drawings, the XYZ coordinate system is shown. The X-axis direction and the Y-axis direction correspond to the left-right direction and the front-back direction of the substrate processing apparatus when the side with the opening for carrying out the substrate is the front, respectively. The Z-axis direction corresponds to the vertical direction (height direction) of the horizontally arranged substrate processing apparatus, that is, the vertical direction.
기판 처리 장치(1)는 프로세스 챔버(2)와, 반송실(3)과, 로드록실(4)과, 게이트 밸브(5)와, 로드록 패널(6)과, 제어부(7)를 포함한다. 또한, 도 1에 있어서, 로드록 패널(6)은 게이트 밸브(5)로부터 분리된 상태로 도시된다. 제어부(7)는 기능 블록으로 도시된다. 기판 처리 장치(1)의 로드록실(4)은 반송실(3)과는 반대측에 있어서, 로더(8)와 연결 가능하게 구성된다. 로더(8)는 기판 처리 장치(1)의 구성요소가 아니어도 좋고, 기판 처리 장치(1)의 구성요소여도 좋다.The substrate processing apparatus 1 includes a
기판 처리 장치(1)에 있어서, 프로세스 챔버(2), 반송실(3) 및 로드록실(4)각각은, 기판을 수용하는 등의 내부 공간을 갖는다. 이웃하는 내부 공간끼리는, 개구부를 거쳐서 연통한다. 개구부에는, 개폐용의 구조물이 마련된다. 개폐용 구조물의 예는, 게이트 밸브이며, 이 중의 하나가 게이트 밸브(5)로서 도시된다. 개구부를 폐쇄하여 내부 공간을 기밀 상태로 함으로써, 내부 공간끼리를 서로 상이한 기압 환경으로 제어 가능하다. 제어 가능한 기압 환경의 예는, 대기압 환경 및 감압 환경이다. 감압 환경은 대기압 환경보다 압력이 낮은 환경(예를 들면, 진공압 환경)이다.In the substrate processing apparatus 1 , each of the
이하, 기판 처리 장치(1)의 구성요소에 대해서 순서대로 설명한다. 또한, 기판 처리 장치(1)의 처리 대상이 되는 기판은, 후술의 도 5에 있어서 기판(G)으로서 도시되므로, 이하에서는, 기판(G)으로 칭한다.Hereinafter, the components of the substrate processing apparatus 1 are demonstrated in order. In addition, since the board|substrate used as the process target of the substrate processing apparatus 1 is shown as the board|substrate G in FIG. 5 mentioned later, below, it is called the board|substrate G. As shown in FIG.
프로세스 챔버(2)는 기판(G)의 처리를 실행하는 부분(모듈)이다. 프로세스 챔버(2)는 기판(G)에 대해서 처리를 실시할 수 있는 복수의 프로세스 챔버(21) 내지 프로세스 챔버(23)로서 예시된다. 프로세스 챔버(21) 내지 프로세스 챔버(23)에 있어서 기판(G)에 대해서 실시되는 처리는, 동일한 처리여도 좋고, 상이한 처리여도 좋다. 기판(G)의 예는, FPD(Flat Panel Display)용의 유리 기판이다. FPD의 예는, 액정 디스플레이, 유기 EL 디스플레이 등이다. 기판(G)의 다른 예는, 폴리이미드 등의 합성 수지로 이루어지는 절곡 가능한 소재로 구성된 시트 또는 필름이다. 기판 처리의 예는, 플라즈마 처리이다. 플라즈마 처리의 예는, 에칭 처리, 애싱 처리, 성막 처리 등의 플라즈마 처리이다. 기판 처리에 있어서, 다양한 처리 가스가 이용된다. 처리 가스의 예는, 염소 원자를 포함한 염소계 가스, 및 불소 원자를 포함한 불소계 가스이다. 이러한 처리 가스는 예를 들면, 기판 처리 장치(1)의 일부의 구성요소에 대해서, 부식성 가스가 될 수 있다. 특히, 수분을 포함한 대기와 혼합했을 때, 그 부식성은 보다 현저하게 된다.The
반송실(3)은 프로세스 챔버(2)와, 로드록실(4) 사이에서 기판(G)을 반송하는 부분(모듈)이다. 기판(G)은 예를 들면, 진공 로봇에 의해서 반송된다. 도시되지 않지만, 반송실(3)은 2단 구성의 반송 로봇을 갖고, 처리종료의 기판(G)을 프로세스 챔버(2)로부터 반출하여 보지하면서 미처리의 기판(G)을 프로세스 챔버(2)에 반입하는 기판 반송이 실행된다.The transfer chamber 3 is a part (module) that transfers the substrate G between the
로드록실(4)은 내부에 마련된 도시되지 않는 버퍼에 일시적으로 기판(G)을 보지하는 것에 의해, 반송실(3)과 외부 공간 사이의 기판(G)의 반송을 중개하는 기판 반출입 모듈이다. 본 예에서는, 로더(8)가 갖는 공간이 외부 공간에 상당하고, 로드록실(4)은 로더(8)와의 사이에서, 기판(G)의 반입 및 반출을 실행한다. 기판(G)의 반입은, 프로세스 챔버(2)에 있어서 처리되기 전의 기판(G)(미처리 기판)을, 로더(8)로부터 로드록실(4)의 내부 공간으로 취입하는(반입하는) 것을 포함한다. 기판(G)의 반출은, 프로세스 챔버(2)에 있어서 처리된 기판(G)(처리종료의 기판)을, 로드록실(4)로부터 로더(8)로 취출하는(반출하는) 것을 포함한다. 또한, 상술된 바와 같이 반송 로봇이 2단 구성을 가지므로, 로드록실(4)도 2단 구성을 갖는다. 로드록실(4)에 대해서, 도 2도 참조하여 설명한다.The load lock chamber 4 is a board|substrate loading/unloading module which mediates the conveyance of the board|substrate G between the conveyance chamber 3 and an external space by temporarily holding the board|substrate G in the buffer (not shown) provided inside. In this example, the space included in the loader 8 corresponds to the external space, and the load lock chamber 4 carries in and takes out the substrate G between the loader 8 and the loader 8 . The loading of the substrate G includes blowing (transporting) the substrate G (unprocessed substrate) before being processed in the
도 2는 로드록실(4)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다. 로드록실(4)은 본체(41)와, 개구부(42)를 포함한다. 본체(41)는 내부 공간(S)을 규정한다. 개구부(42)는 내부 공간(S)과, 외부 공간, 즉, 로더(8)를 연통한다. 기판(G)이 내부 공간(S)을 통과하여 로더(8)에 반출될 때, 내부 공간(S)은 대기압으로 제어되고, 로더(8)는 대기압보다 양압으로 제어된다. 제어는, 후술의 제어부(7)에 의해서 실행된다.2 is a diagram showing an example of a schematic configuration of the load lock chamber 4 . The load lock chamber 4 includes a
내부 공간(S)은 서로 상하로 분리된 내부 공간(SU)(상측 내부 공간)과, 내부 공간(SL)(하측 내부 공간)을 포함한다. 이에 대응하여, 개구부(42)는 개구부(42U)와, 개구부(42L)를 포함한다.The inner space S includes an inner space SU (upper inner space) and an inner space SL (lower inner space) that are vertically separated from each other. Correspondingly, the
개구부(42U)는 내부 공간(SU)과 로더(8)를 연통한다. 개구부(42U) 중, 상하 방향(Z축 방향)으로 연장되는 가장자리부를, 가장자리부(421U)라고 칭하고 도시한다. 가장자리부(421U)는, 개구부(42U)의 좌우에 위치하는 한 쌍의 가장자리부이다. 개구부(42U) 중, 좌우 방향(X축 방향)으로 연장되는 가장자리부를, 가장자리부(422U)라고 칭하고 도시한다. 가장자리부(422U)는 개구부(42U)의 상하에 위치하는 한 쌍의 가장자리부이다.The
개구부(42L)는, 내부 공간(SL)과 로더(8)를 연통한다. 개구부(42L) 중, 상하 방향(Z축 방향)으로 연장되는 가장자리부를, 가장자리부(421L)라고 칭하고 도시 한다. 가장자리부(421L)는 개구부(42L)의 좌우에 위치하는 한 쌍의 가장자리부이다. 개구부(42L) 중, 좌우 방향(X축 방향)으로 연장되는 가장자리부를, 가장자리부(422L)라고 칭하고 도시한다. 가장자리부(422L)는 개구부(42L)의 상하에 위치하는 한 쌍의 가장자리부이다.The
도 1로 돌아와서, 게이트 밸브(5)는 로드록실(4)의 개구부 중, 로드록실(4)을 사이에 두고 반송실(3)과는 반대측, 즉, 로더(8)측의 개구부에 대해서 마련된다. 이와 같이 로드록실(4)에 대해서 마련되는 게이트 밸브(5)에 대해서, 도 3 및 도 4도 참조하여 더욱 설명한다.Returning to FIG. 1 , the
도 3 및 도 4는 로드록실(4) 및 게이트 밸브(5)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다. 도 3은 절반 단면도이다. 도 4 중 흰색 화살표는 게이트의 개폐 방향을 모식적으로 나타낸다.3 and 4 are diagrams showing examples of the schematic configuration of the load lock chamber 4 and the
로드록실(4)의 본체(41)는, 내부 공간(S)의 상하면 및 측면을 규정하는 벽부로서 도시된다. 몇 개의 벽부에는 부호가 부여되어서, 상부벽(411), 중간벽(412) 및 하부벽(413)으로서 도시된다. 상부벽(411)은 내부 공간(S) 중, 내부 공간(SU)의 상면을 규정한다. 중간벽(412)은 내부 공간(S) 중, 내부 공간(SU)의 하면 및 내부 공간(SL)의 상면을 규정한다. 하부벽(413)은 내부 공간(S) 중, 내부 공간(SL)의 하면을 규정한다.The
게이트 밸브(5)는 개구부(42)에 마련된다. 보다 구체적으로, 게이트 밸브(5)는 게이트 밸브(5U)와, 게이트 밸브(5L)와, 칸막이 벽(56)을 포함한다. 게이트 밸브(5U)는 개구부(42U)에 대응하는 상측 게이트 밸브이다. 게이트 밸브(5U)는 개방시에 있어서, 그 개구부가 개구부(42U)와 연통한다. 게이트 밸브(5U)의 개구부는 로드록실(4)과 로드록 패널(6) 사이에 있어서, 내부 공간(SU)에 연속하고 로더(8)의 내부와 연통하는 상측 반송 공간을 규정할 수 있다. 게이트 밸브(5L)는 개구부(42L)에 대응하는 하측 게이트 밸브이다. 게이트 밸브(5L)는 개방시에 있어서, 그 개구부가 개구부(42L)와 연통한다. 게이트 밸브(5L)의 개구부는 로드록실(4)과 로드록 패널(6) 사이에 있어서, 내부 공간(SL)에 연속하고 로더(8)의 내부와 연통하는 하측 반송 공간을 규정할 수 있다. 칸막이 벽(56)은 게이트 밸브(5U)와 게이트 밸브(5L) 사이에 있어서, 로드록실(4)의 중간벽(412)에 연접하여 마련된다. 칸막이 벽(56)은 상측 반송 공간 및 하측 반송 공간의 일부를 규정할 수 있다. 이후, 상측 반송 공간과 하측 반송 공간을 합쳐서 반송 공간이라고 칭한다.The
게이트 밸브(5U)는 게이트 커버(51U)와, 밸브체(52U)와, 에어 실린더(53U)와, 가이드 블록(54U)과, 가이드 레일(55U)을 포함한다. 게이트 커버(51U)는 게이트 커버(51U)의 내측에 마련된 밸브체(52U)와 함께 상하 이동한다. 게이트 커버(51U)는 로드록실(4)의 개구부(42U)의 가장자리부(421U)를 따라서 밸브체(52U)의 상하 이동에 수반하여 이동한다. 밸브체(52U)는 에어 실린더(53U)와 연동하여 상하 이동한다. 에어 실린더(53U)는 예를 들면, 상하 방향의 이동이 제어 가능하게 구성된 액추에이터이다. 또한, 밸브체(52U)는 가이드 블록(54U)을 거쳐서, 가이드 레일(55U)에 슬라이드 가능하게 접속된다. 가이드 레일(55U)은 밸브체(52U)의 이동 방향을 가이드한다. 가이드 레일(55U)은 개구부(42U)의 가장자리부(421U)에 마련된 한 쌍의 가이드 레일이며, 상하 방향으로 연장된다. 밸브체(52U)가 가이드 레일(55U)을 따라서 이동함으로써, 밸브체(52U)의 상하 방향의 이동이 안정화한다. 가이드 레일(55U)은 밸브체(52U)의 이동을 지지하는 부분이기도 하므로, 다른 부분보다 높은 강도가 요구된다. 그러한 높은 강도를 주기 위한 가이드 레일(55U)의 재질의 예는, SUS440C이다.The
게이트 밸브(5L)는 게이트 커버(51L)와, 밸브체(52L)와, 에어 실린더(53L)와, 가이드 블록(54L)과, 가이드 레일(55L)을 포함한다. 이러한 요소에 대해서는, 게이트 밸브(5U)의 대응하는 부분과 마찬가지이므로, 설명은 생략한다. 또한, 가이드 레일(55U) 및 가이드 레일(55L)을 통합하여, 가이드 레일(55)(후술의 도 6 참조)이라고 칭한다.The
도 5는 기판(G), 게이트 밸브(5) 및 로드록실(4)의 개략 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다. 또한, 로드록 패널(6)의 도시는 생략되어 있다. 횡방향(Y축 방향)으로 연장되는 흰색 화살표는 기판(G)의 이동 방향을 모식적으로 나타낸다. 종방향(Z축 방향)으로 연장되는 흰색 화살표는 게이트 밸브(5)의 개폐 방향을 모식적으로 나타낸다. 예를 들어, 밸브체(52U)가 상방 이동하여 개구부(42U)가 개방되었을 때, 아암(A)에 의해서 지지되는 기판(G)이, 로더(8)로부터 상측 반송 공간을 거쳐서 내부 공간(SU)에 반입된다. 또한, 기판(G)이 내부 공간(SU)으로부터 상측 반송 공간을 거쳐서 로더(8)에 반출된다. 밸브체(52L)에 대해서도 마찬가지라고 말할 수 있다. 또한, 로드록실(4) 및 게이트 밸브(5)에 있어서, 기밀성을 향상시키기 위한 시일 부재가 흑색원으로 도시된다.FIG. 5 is a diagram schematically showing the schematic configuration of the substrate G, the
도 1로 돌아와서, 로드록 패널(6)은 게이트 밸브(5)에 장착된다. 로드록 패널(6)의 상세에 대해서는, 이후에 도 6 이후를 참조하여 재차 설명한다.Returning to FIG. 1 , the
제어부(7)는 기판 처리 장치(1)의 각 부의 동작을 제어한다. 제어부(7)는 컨트롤러(71), 유저 인터페이스(72) 및 기억부(73) 등을 포함하여 구성된다. 컨트롤러(71)는 CPU를 구비하고 있고, 예를 들면, 프로세스 챔버(2), 반송실(3), 로드록실(4), 게이트 밸브(5) 및 로드록 패널(6)에 장착된 노즐(61)(후술) 등의 동작을 제어한다. 유저 인터페이스(72)는 예를 들면, 공정 관리자가 기판 처리 장치(1)를 관리하기 위해서 커맨드의 입력 조작 등을 실행하는 키보드, 기판 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이를 갖는다. 기억부(73)에는, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 각종 처리를 컨트롤러(71)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어) 및 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피가 보존되어 있다. 유저 인터페이스(72) 및 기억부(73)는 컨트롤러(71)에 접속되어 있다. 그리고, 필요에 따라서, 유저 인터페이스(72)로부터의 지시 등으로 임의의 레시피를 기억부(73)로부터 불러내서 컨트롤러(71)에 실행시킴으로써, 컨트롤러(71)의 제어 하에서, 기판 처리 장치(1)에서의 소망한 처리가 실행된다. 제어 프로그램 및 처리 조건 데이터 등의 레시피는 컴퓨터가 판독 가능한 기록 매체, 예를 들면 CD-ROM, 하드디스크, 플렉시블 디스크, 플래시 메모리에 저장된 상태의 것을 이용할 수 있다. 또한, 다른 장치로부터, 예를 들면, 전용 회선을 거쳐서 수시 전송시켜서 온라인으로 이용하거나 하는 것도 가능하다.The control unit 7 controls the operation of each unit of the substrate processing apparatus 1 . The control unit 7 includes a controller 71 , a
로더(8)는 로드록실(4)과의 사이에 기판(G)의 반입 및 반출을 실행하는 부분(모듈)이다. 로더(8)는 예를 들면, 인덱서, 및 인덱서 상에 배치되고 기판(G)을 수용하는 한 쌍의 카세트 등을 포함하여 구성된다. 카세트 내에는, 기판(G)이 상하로 간격을 두고서 다단 배치된다. 예를 들어, 일방의 카세트에는 미처리 기판이 수용되고, 타방의 카세트에 처리종료의 기판이 수용된다.The loader 8 is a part (module) for carrying in and taking out the substrate G between the load lock chamber 4 and the load lock chamber 4 . The loader 8 is configured to include, for example, an indexer, and a pair of cassettes disposed on the indexer and accommodating the substrate G, and the like. In the cassette, the substrates G are arranged in multiple stages at intervals up and down. For example, an unprocessed substrate is accommodated in one cassette, and a processed substrate is accommodated in the other cassette.
이상 설명한 기판 처리 장치(1)의 동작 중, 특히 기판(G)의 반송에 관한 동작의 개요를 설명한다. 게이트 밸브(5)가 개방되고, 기판(G)이 로더(8)로부터 로드록실(4)로 반입된다. 게이트 밸브(5)가 폐쇄되고, 로드록실(4)이 대기압으로부터 감압 환경으로 제어된다. 로드록실(4)에 반입된 기판(G)은 반송실(3)을 거쳐서, 프로세스 챔버(2)에 반송된다. 반송실(3) 및 프로세스 챔버(2)도, 감압 환경으로 제어되어 있다. 로드록실(4)로부터 반송실(3)로 기판(G)을 이송할 때, 로드록실(4)과 반송실(3)은 동일한 정도의 감압 환경으로 제어된다. 프로세스 챔버(2)에 있어서, 처리 가스를 이용한 기판(G)의 처리가 실행된다. 처리가 완료한 후, 기판(G)은 반송실(3)을 거쳐서, 로드록실(4)에 반송된다. 로드록실(4)이 대기압으로 승압 제어된 후, 게이트 밸브(5)가 개방되고, 기판(G)이 로드록실(4)로부터 로더(8)로 반출된다.Among the operations of the substrate processing apparatus 1 described above, the outline of the operation related to the transfer of the substrate G will be described. The
본 명세서에서, 프로세스 챔버(2)에서 처리된 기판(G)(처리종료의 기판)이 반송실(3) 및 로드록실(4)을 통해서 로더(8)에 반출될 때, 로드록실(4)은 대기압으로 승압 제어되지만, 로더(8)는 대기압보다 양압으로 제어되어 있다. 그 때문에, 로더(8)로부터 로드록실(4)을 향하는 기류가 발생한다. 게다가, 기판(G)(처리종료의 기판)에는, 처리 가스가 부착하여 있다. 이 때문에, 반출된 기판(G)에 부착하여 있던 처리 가스는, 로더(8)로부터 로드록실(4)을 향해서 확산하고, 기류를 타고서 로드록실(4)의 개구부(42)의 가장자리부에 마련된 구조물(예를 들면, 게이트 밸브(5)의 가이드 레일(55))에 닿아서 부착한다. 개구부(42)의 가장자리부에 마련된 구조물은 대기에도 노출되기 때문에, 처리 가스의 성분과 대기중의 수분의 반응에 의해서 부식(열화)할 가능성이 있다.In the present specification, when the substrate G (substrate that has been processed) processed in the
개구부(42)의 가장자리부에 마련된 구조물에의 처리 가스의 부착(즉, 구조물의 열화)을 억제하기 위해서, 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)에서는, 로더(8)측으로부터 개구부(42)의 가장자리부를 향해서 기체가 분출된다. 분출 수단(분출부)의 예는, 기체로서 퍼지 가스의 공급 라인으로부터 공급된 퍼지 가스를 내뿜는 노즐, 로더(8)측으로부터 주위의 기체를 송풍하는 팬 등이다. 이하에서는, 분출부가 노즐인 예에 대해서 설명한다. 노즐에 의한 퍼지 가스 분출의 실현 수단의 일례가, 로드록 패널(6)이다. 로드록 패널(6)은 예를 들면, 로드록실(4)과 외부 공간 사이의 파티션에 노즐 등을 조립되는 것에 의해서 구성된다.In order to suppress adhesion of the processing gas to the structure provided at the edge of the opening 42 (that is, deterioration of the structure), in the substrate processing apparatus 1 according to the embodiment, the
도 6 및 도 7은 로드록 패널(6)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다. 도 6은 로드록실(4), 게이트 밸브(5) 및 로드록 패널(6)의 분해 사시도이다. 도 7은 로더(8)측으로부터 로드록 패널(6)을 바라본 도면이다. 로드록 패널(6)은 게이트 밸브(5)를 사이에 두고 로드록실(4)과는 반대측에, 로드록실(4) 및 게이트 밸브(5)에 대향하여 마련된다. 도 6 및 도 7에는, 로드록 패널(6)의 구성요소 중, 노즐(61)과, 개구부(62)와, 급기관(63)과, 격벽(66)이 도시된다.6 and 7 are diagrams showing an example of a schematic configuration of the
노즐(61)은 로더(8)측으로부터 로드록실(4)의 개구부(42)의 가장자리부를 향해서 퍼지 가스를 분출하도록, 개구부(42)의 가장자리부에 대향하여 마련된다. 개구부(42)의 가장자리부에는 가이드 레일(55)이 구조물로서 마련되므로, 노즐(61)은 가이드 레일(55)을 향해서 퍼지 가스를 분출하도록, 가이드 레일(55)에 대향하여 마련된다. 구체적으로, 노즐(61)은 노즐(61U)과, 노즐(61L)을 포함한다. 노즐(61U)은 개구부(42U)의 가장자리부(421U), 즉, 한 쌍의 가이드 레일(55U)에 대향하도록 마련되는 한 쌍의 노즐이다. 노즐(61L)은 개구부(42L)의 가장자리부(421L), 즉, 한 쌍의 가이드 레일(55L)에 대향하도록 마련되는 한 쌍의 노즐이다.The
개구부(62)는 로드록실(4)의 개구부(42) 및 게이트 밸브(5)의 개구부와 연통하도록 마련된다. 개구부(62)는 개구부(62U) 및 개구부(62L)를 포함한다. 개구부(62U)는 개구부(42U) 및 게이트 밸브(5U)의 개구부와 연통하도록 마련된다. 개구부(62U)는 상측 반송 공간의 단부를 규정할 수 있다. 개구부(62L)는 개구부(42L) 및 게이트 밸브(5L)의 개구부와 연통하도록 마련된다. 개구부(62L)는 하측 반송 공간의 단부를 규정할 수 있다.The
급기관(63)은 퍼지 가스를 노즐(61)에 급기하는 급기 유로(공급 유로)이다. 퍼지 가스의 예는 드라이 에어이다. 급기관(63)은 급기관(63U) 및 급기관(63L)을 포함한다. 급기관(63U)은 노즐(61U)에 퍼지 가스를 급기한다. 급기관(63L)은 노즐(61L)에 퍼지 가스를 급기한다.The
격벽(66)은 개구부(62U)와 개구부(62L)를 나누고, 게이트 밸브(5)의 칸막이 벽(56)에 연접하여 마련된다. 격벽(66)은 상측 반송 공간의 단부 및 하측 반송 공간의 단부의 일부를 규정할 수 있다.The
노즐(61)이 가이드 레일(55)에 대향하도록 마련되므로, 노즐(61)은 퍼지 가스를 가이드 레일(55)의 정면을 향해서 분출한다. 이에 의해, 퍼지 가스를 가이드 레일(55)에 효율적으로 닿게 할 수 있다. 이에 대해서, 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다.Since the
도 8 및 도 9는 분출된 퍼지 가스의 흐름을 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 8에 도시되는 바와 같이, 가이드 레일(55)의 측면을 향해 퍼지 가스를 분출했을 경우, 가이드 레일(55)을 사이에 두고 해당 측면과는 반대측의 부분에는 퍼지 가스의 흐름이 발생하기 어렵다. 그 때문에, 퍼지 가스의 흐름이 발생하기 어려운 개소에 있어서는, 로더(8)로부터 확산하는 처리 가스가 가이드 레일(55)에 부착할 수 있다. 도 9에 도시되는 바와 같이, 가이드 레일(55)의 정면을 향해서 퍼지 가스를 분출했을 경우, 가이드 레일(55)의 정면 부분 및 양측 부분 중 어느 하나에도 퍼지 가스의 흐름이 발생한다. 그 때문에, 로더(8)로부터 확산하는 처리 가스는 가이드 레일(55)에 도달하기 전에 퍼지 가스의 흐름에 의해서 제거되어서 가이드 레일(55)에 부착하기 어렵다. 따라서, 퍼지 가스는 가이드 레일(55)의 측면이 아닌, 가이드 레일(55)의 정면을 향해서 분출하는 것이 바람직하다.8 and 9 are diagrams schematically showing the flow of the ejected purge gas. As shown in FIG. 8 , when the purge gas is ejected toward the side surface of the
도 10은 노즐의 개략 구성의 예를 도시하는 도면이다. 본 예에서는, 노즐(61)은 복수의 구멍으로부터 퍼지 가스를 분출하는 샤워 플레이트이며, 플레이트(611)와, 플레이트(612)와, 시일 부재(613)를 포함한다. 플레이트(611)는 상이한 위치에 마련된 포트(611a), 포트(611b) 및 포트(611c)를 포함한다. 이러한 포트 중 어느 하나에 선택적으로 급기관(63)이 접속됨으로써, 급기관(63)의 접속 개소가 조정된다. 본 예에서는, 포트(611b)에 급기관(63)이 접속되고, 다른 포트(611a) 및 포트(611c)는 막혀진다. 또한, 급기관(63)이 접속되는 포트는, 반드시 3개일 필요는 없고, 플레이트(12)로부터 가이드 레일(55)에의 가스 분출에 대해 최적인 위치가 정해지면 하나만 마련되어도 좋고, 또한, 상황에 의해 적절하게 최적인 위치를 선택하기 위해서 복수 마련하는 것으로 해도 좋다.It is a figure which shows the example of the schematic structure of a nozzle. In this example, the
플레이트(612)는 복수의 분출 구멍(612a)을 갖는다. 복수의 분출 구멍(612a)은 소망한 유량, 예를 들면, 수십 L/min 내지 수백 L/min 정도의 유량이 얻어지도록 마련된다. 복수의 분출 구멍(612a)은 예를 들면, 상하 방향(Z축 방향) 및 좌우 방향(X축 방향)으로 격자 형상으로 마련된다. 각 분출 구멍(612a)은 예를 들면, 직경이 수 ㎜ 정도의 원형 형상을 갖는다. 또한, 상기에 한정되지 않고, 복수의 분출 구멍(612a)은 평행사변형상이나 동심원 형상 등으로 배열되어도 좋고, 또한, 각 분출 구멍은 직사각형이나 타원 형상 등이어도 좋다.The
플레이트(611) 및 플레이트(612)는, 플레이트(611)의 포트(본 예에서는 포트(611b)에 급기된 퍼지 가스를 플레이트(612)의 각 분출 구멍(612a)으로 인도되는 내부 공간을 기밀 형성하도록, 시일 부재(613)를 거쳐서 결합된다.The
노즐(61)을 샤워 플레이트로 함으로써, 예를 들면, 퍼지 가스의 분출 범위가 조정하기 쉬워진다. 예를 들어, 이상 설명한 바와 같은 노즐(61)에 의해서 분출된 퍼지 가스를 배기하는 구성도, 로드록 패널(6)에 조립된다. 이에 대해서, 도 11을 참조하여 설명한다.By using the
도 11은 로드록실(4)측으로부터 로드록 패널(6)을 바라본 도면이다. 로드록 패널(6)은 지금까지 설명한 노즐(61), 개구부(62), 급기관(63) 및 격벽(66) 외에, 배기관(64)과, 배기구(641U) 내지 배기구(646U) 및 배기구(641L) 내지 배기구(646L)와, 퍼지 가스 컨트롤러(65)를 포함한다. 또한, 본 예에서는, 급기관(63)의 급기관(63U)은 로드록 패널(6)의 상부 중앙에 있어서 분기점(63Ua)에서 분기하여 좌우 방향(X축 방향)으로 연장되고, 노즐(61U)에 접속된다. 급기관(63)의 급기관(63L)은 로드록 패널(6)의 하부 중앙에 있어서 분기점(63La)에서 분기하여 좌우 방향으로 연장되고, 노즐(61L)에 접속된다.11 is a view of the
배기관(64)은 반송 공간을 배기하기 위한 배기 유로이다. 배기관(64)은 배기관(64U) 및 배기관(64L)을 포함한다.The
배기관(64U)은 배기구(641U) 내지 배기구(646U)에 접속된다. 배기구(641U 내지 646U)는 개구부(42U), 게이트 밸브(5U)의 개구부 및 로드록 패널(6)의 개구부(62U)와는 상이한 경로로, 상측 반송 공간을 배기한다. 배기구(641U) 내지 배기구(646U)는 로드록실(4)의 개구부(42U)의 가장자리부(422U)의 근방(예를 들면, 수 ㎜ 내지 수 ㎝ 정도의 범위 내)에 마련되는 동시에, 가장자리부(422U)를 따라서(X축 방향으로) 마련된다.The
배기관(64L)은 배기구(641L) 내지 배기구(646L)에 접속된다. 배기구(641L 내지 646L)는 개구부(42L), 게이트 밸브(5L)의 개구부 및 로드록 패널(6)의 개구부(62L)와는 상이한 경로로, 하측 반송 공간을 배기한다. 배기구(641L) 내지 배기구(646L)는 로드록실(4)의 개구부(42L)의 가장자리부(422L)의 근방에 마련되는 동시에, 가장자리부(422L)를 따라서(X축 방향으로) 마련된다.The
배기관(64U) 및 배기관(64L)에 대해서 더 설명한다. 배기관(64U)은 로드록 패널(6)의 상부 중앙에 있어서 분기점(64Ua)에서 분기하여 좌우 방향으로 연장되고, 배기구(641U) 내지 배기구(646U) 각각에 접속된다. 배기구(641U 내지 646U)는 상측 반송 공간 내의 상방에 마련된다. 배기구(641U) 내지 배기구(646U)는 개구부(42U)의 개구 중심축 방향(Y축 방향)과 교차하는 중심축 방향(본 예에서는 Z축 방향의 중심축 방향)을 갖는다. 배기구(641U) 내지 배기구(646U)는 개구부(42U)의 좌우의 가장자리부(421U)에 마련된 한 쌍의 가이드 레일(55U)끼리의 사이에 위치한다. 배기구(641U) 및 배기구(646U)는 가이드 레일(55U) 부근에 마련된다. 배기구(643U) 및 배기구(644U)는 상측 반송 공간의 중앙 부근에 마련된다. 배기구(642U)는 배기구(641U)와 배기구(643U) 사이에 마련된다. 배기구(645U)는 배기구(644U)와 배기구(646U) 사이에 마련된다.The
배기관(64L)은 로드록 패널(6)의 하부 중앙에 있어서 분기점(64La)에서 분기하여 좌우 방향으로 연장되고, 배기구(641L) 내지 배기구(646L) 각각에 접속된다. 배기구(641L 내지 646L)는 하측 반송 공간 내의 하방에 마련된다. 배기구(641L) 내지 배기구(646L)는 개구부(42L)의 개구 중심축 방향(Y축 방향)과 교차하는 중심축 방향(본 예에서는 Z축 방향의 중심축 방향)을 갖는다. 배기구(641L) 내지 배기구(646L)는 개구부(42L)의 좌우의 가장자리부(421L)에 마련된 한 쌍의 가이드 레일(55L)끼리의 사이에 위치한다. 배기구(641L) 및 배기구(646L)는 가이드 레일(55L) 부근에 마련된다. 배기구(643L) 및 배기구(644L)는 하측 반송 공간의 중앙 부근에 마련된다. 배기구(642L)는 배기구(641L)와 배기구(643L) 사이에 마련된다. 배기구(645L)는 배기구(644L)와 배기구(646L) 사이에 마련된다.The
상술된 바와 같이, 가이드 레일(55) 부근뿐만이 아니라, 상측 반송 공간 및 하측 반송 공간의 중앙 부근에도 배기구를 마련함으로써, 반송 공간 전체가 배기되기 쉬워진다. 이에 대해서, 도 12 내지 도 17을 참조하여 설명한다.As described above, by providing an exhaust port not only in the vicinity of the
도 12 내지 도 17은 배기되는 가스의 흐름을 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 12 및 도 13에 도시되는 바와 같이, 가이드 레일(55) 부근에만 배기구가 마련되어 있는 경우, 가이드 레일(55) 부근에만 퍼지 가스의 배기의 흐름이 형성된다. 도 14 및 도 15에 도시되는 바와 같이, 가이드 레일(55) 부근과 반송 공간 중앙 부근 사이(중간 위치)에도 배기구가 마련되는 경우, 퍼지 가스의 배기의 흐름이 중간 위치에도 형성된다. 도 16 및 도 17에 도시되는 바와 같이, 반송 공간 중앙에도 배기구가 마련되는 경우, 퍼지 가스의 배기의 흐름이 중앙 부근에도 형성된다. 따라서, 배기구는 가이드 레일(55) 부근뿐만이 아니라, 반송 공간 중앙 부근에까지 마련되는 것이 바람직하다.12 to 17 are diagrams schematically showing the flow of exhausted gas. 12 and 13 , when the exhaust port is provided only in the vicinity of the
도 11로 돌아와서, 퍼지 가스 컨트롤러(65)는 급기관(63)에 의한 퍼지 가스의 급기를 제어한다. 퍼지 가스의 급기 제어의 예는, 급기의 ON·OFF, 유량의 조정 등이다. 또한, 퍼지 가스 컨트롤러(65)는 배기관(64)에 의한 배기를 제어한다. 퍼지 가스의 배기 제어의 예는, 배기의 ON·OFF, 유량의 조정 등이다. 이러한 급기 제어 및 배기 제어를 위해서, 퍼지 가스 컨트롤러(65)는 급기관(63) 및 배기관(64)에 대해서 마련된 가변 밸브, 플로우 미터 등을 포함하여 구성되어도 좋다.Returning to FIG. 11 , the
퍼지 가스 컨트롤러(65)에 의한 급기 및 배기의 ON·OFF 제어의 예에 대해서 설명한다. 미처리 기판을 로더(8)로부터 로드록실(4)로 반입할 경우에는, 급기 및 배기는 OFF로 제어된다. 처리종료의 기판을 로드록실(4)로부터 로더(8)로 반출할 경우에는, 급기 및 배기가 ON으로 제어된다. 또한, 통상의 처리에서는 실시하지 않지만, 어떠한 이유로 미처리 기판을 로드록실(4)로부터 로더(8)로 반출할 경우에는, 급기 및 배기는 OFF로 제어된다. 기판 처리 장치(1)가 기동하고 있을(아이들 상태일) 때에는, 급기 및 배기는 ON으로 제어된다. 기판 처리 장치(1)가 기동하고 있지 않을(다운 상태일) 때에는, 급기 및 배기는 OFF로 제어된다. 퍼지 가스의 급기 및/또는 배기가 정상적으로 동작하지 않는 경우에는, 급기 및 배기가 OFF로 제어된다. 또한, 퍼지 가스 컨트롤러(65)에 의한 급기 제어 및 배기 제어는, 제어부(7)(도 1)의 제어 하에서 실행되도 좋다. 퍼지 가스 컨트롤러(65)에 의한 퍼지 가스의 급기 및/또는 배기가 정상적으로 동작하지 않는 경우(예를 들면, 유량이 저하했을 경우), 제어부(7)는 알람이 발생하는 제어를 실행해도 좋다.An example of ON/OFF control of air supply and exhaust by the
이상 설명한 기판 처리 장치(1)의 동작 중, 특히 로드록실(4)로부터 로더(8)로 기판(G)을 반출할 때의 동작에 대해서, 도 18을 참조하여 설명한다.Among the operations of the substrate processing apparatus 1 described above, an operation for unloading the substrate G from the load lock chamber 4 to the loader 8 will be described with reference to FIG. 18 .
도 18은 기판 처리 장치에 있어서 실행되는 처리(기판 반송 방법)의 예를 나타내는 플로우 차트이다. 특별히 설명이 있는 경우를 제외하고, 각 처리는 제어부(7)의 제어에 의해서 실행된다. 당초, 기판(G)은 처리전의 상태로 프로세스 챔버(2) 내에 있는 것으로 한다.18 is a flowchart showing an example of a process (substrate conveyance method) performed in the substrate processing apparatus. Except where otherwise specified, each process is executed under the control of the control unit 7 . Initially, it is assumed that the substrate G is in the
단계(S1)에 있어서, 기판 처리를 실행한다. 즉, 프로세스 챔버(2)에 있어서, 처리 가스(예를 들면, 염소계 가스)를 이용하는 기판(G)의 처리가 실행된다. 기판(G)에 처리로 소비되지 않고 잔류한 처리 가스가 부착한다.In step S1, substrate processing is performed. That is, in the
단계(S2)에 있어서, 로드록실을 감압 환경으로 제어한다. 즉, 로드록실(4)이 대기압보다 감압 환경으로 제어된다. 또한, 미처리의 기판(G)을 로드록실(4)로부터 프로세스 챔버(2)로 반입한 시점으로부터 감압 환경을 계속 유지해둬도 좋다.In step S2, the load lock chamber is controlled to a reduced pressure environment. That is, the load lock chamber 4 is controlled to a reduced pressure environment rather than atmospheric pressure. In addition, the reduced pressure environment may be continuously maintained from the point in time when the unprocessed substrate G is loaded into the
단계(S3)에 있어서, 퍼지 가스를 분출·배기한다. 즉, 퍼지 가스가 급기관(63)을 거쳐서 노즐(61)에 공급되고, 가이드 레일(55U) 및 가이드 레일(55L)을 향해서 분출된다. 이와 함께, 배기구(641U) 내지 배기구(646U) 및 배기구(641L) 내지 배기구(646L), 및 배기관(64)을 거쳐서, 반송 공간이 배기된다.In step S3, the purge gas is blown out and exhausted. That is, the purge gas is supplied to the
단계(S4)에 있어서, 기판(G)을 반출한다. 즉, 상기 단계(S3)와 같이 퍼지 가스가 분출·배기되고 있는 상태로, 기판(G)이 프로세스 챔버(2)로부터 반송실(3) 및 로드록실(4)을 통과하여, 로더(8)로 반출된다. 이 때, 반송실(3)로부터 로드록실(4)로 이송된 기판(G)은, 일단 로드록실(4)에 유치되고, 로드록실(4)을 대기압으로 승압한 후, 게이트 밸브(5)를 개방하여 로더(8)로 반출된다. 또한, 퍼지 가스의 분출·배기는 기판(G)의 프로세스 챔버(2)로부터 반송실(3)로의 반송과 병행하여 개시되어도 좋고, 기판(G)의 반송실(3)로의 반송 후, 게이트 밸브(5)를 개방할 때까지 개시되어도 좋다.In step S4, the board|substrate G is carried out. That is, the substrate G passes from the
이상의 처리에 있어서는, 기판(G)을 로드록실(4)로부터 로더(8)로 반출할 때에, 퍼지 가스의 분출과 함께 반송 공간의 배기가 실행된다(단계(S3 및 S4)). 따라서, 지금까지 설명한 바와 같이, 개구부(42)에 마련된 구조물(예를 들면, 가이드 레일(55))로의 처리 가스의 부착에 의한 구조물의 열화가 억제된다.In the above processing, when the substrate G is unloaded from the load lock chamber 4 to the loader 8, the transport space is evacuated together with the purge gas (steps S3 and S4). Accordingly, as described above, deterioration of the structure due to adhesion of the processing gas to the structure (eg, the guide rail 55 ) provided in the
이상 설명한 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 하는 것이다. 상기 실시형태는 여러가지 형태로 구현화될 수 있다. 상기 실시형태는 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일 없이, 여러가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.It should be thought that embodiment demonstrated above is an illustration in every point, and is not restrictive. The above embodiment may be embodied in various forms. The above-described embodiment may be omitted, replaced, or changed in various forms without departing from the scope of the claims and the spirit thereof.
상기 실시형태에서는, 상측의 상측 반송 공간을 상방으로부터 배기하는 예에 대해서 설명했다. 다만, 상측 반송 공간을 하방으로부터 배기해도 좋다. 본 경우, 배기구는 상측 반송 공간의 하방에 마련된다. 또한, 상측 반송 공간을 상방 및 하방의 양방으로부터 배기해도 좋다. 본 경우, 배기구는 상측 반송 공간 내의 상방 및 하방에 마련된다.In the said embodiment, the example which exhausted the upper upper conveyance space from upper side was demonstrated. However, you may exhaust the upper conveyance space from below. In this case, the exhaust port is provided below the upper conveyance space. In addition, you may exhaust the upper conveyance space from both upper and lower sides. In this case, the exhaust port is provided above and below in the upper conveyance space.
상기 실시형태에서는, 하측의 하측 반송 공간을 하방으로부터 배기하는 예에 대해서 설명했다. 다만, 하측 반송 공간을 상방으로부터 배기해도 좋다. 본 경우, 배기구는 하측 반송 공간 내의 상방에 마련된다. 또한, 하측 반송 공간을 상방 및 하방의 양방으로부터 배기해도 좋다. 본 경우, 예를 들면, 배기구는 하측 반송 공간 내의 상방 및 하방에 마련된다.In the said embodiment, the example which exhausts the lower side conveyance space from below has been demonstrated. However, the lower conveyance space may be exhausted from above. In this case, the exhaust port is provided above in the lower conveyance space. Moreover, you may exhaust the lower conveyance space from both upper and lower sides. In this case, for example, exhaust ports are provided above and below in the lower conveying space.
예를 들어, 퍼지 가스와 함께 배기되는 처리 가스가 공기보다 가벼운 경우에는, 가스가 상측 반송 공간 및 하측 반송 공간의 상방으로 이동하기 쉬워지므로, 상방 배기로 하는 쪽이, 하방 배기로 하는 것보다도 효율적으로 가스를 배기할 수 있을 가능성이 높아진다. 퍼지 가스와 함께 배기되는 처리 가스가 공기보다 무거운 경우(예를 들면, 염소계 가스의 경우)에는, 가스가 상측 반송 공간 및 하측 반송 공간의 하방으로 이동하기 쉬워지므로, 하방 배기로 하는 쪽이, 상방 배기로 하는 것보다도 효율적으로 가스를 배기할 수 있을 가능성이 높아진다. 상측 반송 공간도 하방 배기하는 예에 대해서, 도 19를 참조하여 설명한다.For example, when the process gas exhausted together with the purge gas is lighter than air, the gas tends to move upwards in the upper transport space and the lower transport space. Therefore, upward exhaust is more efficient than downward exhaust. It is more likely to be able to exhaust gas. When the process gas exhausted together with the purge gas is heavier than air (for example, in the case of a chlorine-based gas), the gas tends to move below the upper conveyance space and the lower conveyance space. The possibility that gas can be exhausted more efficiently than using exhaust gas increases. An example in which the upper conveyance space is also exhausted downward will be described with reference to FIG. 19 .
도 19는 로드록실(4), 게이트 밸브(5), 노즐(61) 및 배기관(64A)의 개략 구성의 예를 도시하는 도면(절반 단면도)이다. 로드록 패널(6)은 노즐(61)과 배기관(64A) 이외는 생략하고 있다. 배기 유로인 배기관(64A)은 배기관(64UA) 및 배기관(64LA)을 포함한다. 배기관(64UA)은 게이트 밸브(5)의 칸막이 벽(56) 상의 가장자리부를 통해서, 복수의 배기구에 접속된다. 복수의 배기구 중, 배기구(646UA) 및 배기구(645UA)가 예시된다. 칸막이 벽(56) 상에 마련된 이러한 배기구는, 상측 반송 공간 내의 하방에 마련되고, 상측 반송 공간을 하방으로부터 배기한다. 배기관(64LA)은 배기관(64L)과 마찬가지로, 하측 반송 공간 내의 하방의 배기구에 접속되고, 따라서, 하측 반송 공간도 하방으로부터 배기된다.19 is a diagram (half sectional view) showing an example of the schematic configuration of the load lock chamber 4, the
상기 실시형태에서는, 퍼지 가스의 분출 및 배기에 관한 요소, 예를 들면, 노즐(61) 및 배기구(641U) 등이 로드록 패널(6)에 조립되는 예에 대해서 설명했다. 다만, 이러한 태양에 한정되지 않고, 퍼지 가스의 분출 및 배기에 관한 요소는 모든 태양에서 기판 처리 장치(1)에 마련되어도 좋다.In the above embodiment, an example has been described in which elements related to ejection and exhaust of the purge gas, for example, the
상기 실시형태에서는, 프로세스 챔버(2)가 프로세스 챔버(21) 내지 프로세스 챔버(23)의 3개의 프로세스 챔버인 예에 대해서 설명했다. 다만, 프로세스 챔버(2)는 단일의 프로세스 챔버여도 좋고, 2개 또는 4개 이상의 프로세스 챔버여도 좋다.In the above embodiment, an example has been described in which the
상기 실시형태에서는, 기판 반출입 모듈이 로드록실(4)인 예에 대해서 설명했다. 다만, 로드록실(4) 이외에도, 기판 처리 장치(1)에 있어서 기판(G)의 반출입이 가능한 모든 모듈이 기판 반출입 모듈로서 이용되어도 좋다.In the above embodiment, the example in which the board|substrate carrying-in/out module is the load-lock chamber 4 was demonstrated. However, in addition to the load lock chamber 4 , all modules capable of loading and unloading the substrate G in the substrate processing apparatus 1 may be used as the substrate loading/unloading module.
이상 설명한 기판 처리 장치(1)는 예를 들면, 다음과 같이 특정된다. 도 1 내지 도 17 등을 참조하여 설명한 바와 같이, 기판 처리 장치(1)는 기판 반출입 모듈(예를 들면, 로드록실(4))과, 개구부(42)와, 게이트 밸브(5)와, 분출부(예를 들면, 노즐(61))와, 배기구(배기구(641U) 등)를 구비한다. 기판 반출입 모듈은 기판(G)을 대기압보다 양압으로 제어된 외부 공간(예를 들면, 로더(8))에 반출할 때에 대기압 환경으로 제어되고 기판(G)이 통과하는 내부 공간(S)을 갖는다. 개구부(42)는 기판 반출입 모듈에 마련되고, 내부 공간(S)과 외부 공간을 연통한다. 게이트 밸브(5)는 개구부(42)에 대해서 마련되고, 반송 공간을 갖는다. 분출부는 외부 공간측으로부터 개구부(42)의 가장자리부를 향해서 퍼지 가스를 분출한다. 배기구(641U 등)는 개구부(42)와는 상이한 경로로 반송 공간을 배기한다.The substrate processing apparatus 1 described above is specified, for example, as follows. As described with reference to FIGS. 1 to 17 , the substrate processing apparatus 1 includes a substrate loading/unloading module (eg, a load lock chamber 4 ), an
상기의 기판 처리 장치(1)에 의하면, 개구부(42)보다 외부 공간측으로부터 개구부(42)의 가장자리부를 향해서 퍼지 가스가 분출된다. 또한, 개구부(42)와는 상이한 경로로 반송 공간이 배기된다. 이에 의해, 기판(G)의 반출시에 기판(G)에 부착한 처리 가스의 개구부(42)의 가장자리부에 마련된 구조물에의 부착을 억제할 수 있다. 따라서, 개구부(42)에 마련된 구조물의 열화를 억제할 수 있다.According to the substrate processing apparatus 1 described above, the purge gas is ejected from the space outside the
도 11 등을 참조하여 설명한 바와 같이, 배기구는 개구부(42)의 가장자리부(422U) 및 가장자리부(422L)를 따라서 복수 마련되어도 좋다(배기구(641U) 내지 배기구(646U), 및 배기구(641L) 내지 배기구(646L) 등). 이에 의해, 반송 공간 전체가 배기하기 쉬워진다.As described with reference to FIG. 11 and the like, a plurality of exhaust ports may be provided along the
도 11 등을 참조하여 설명한 바와 같이, 배기구는 개구부(42)의 개구 중심축 방향(Y축 방향)과 교차하는 중심축 방향(예를 들면, Z축 방향의 중심축 방향)을 가져도 좋다. 예를 들어, 이와 같이 하여, 개구부(42)와는 상이한 방향으로 반송 공간을 배기할 수 있다.As described with reference to FIG. 11 and the like, the exhaust port may have a central axis direction (eg, a central axis direction in the Z-axis direction) intersecting the central axis direction of the opening 42 (Y-axis direction) of the
도 11 및 도 19 등을 참조하여 설명한 바와 같이, 배기구는 반송 공간의 하방에 마련된 배기구를 포함해도 좋다(배기구(641L) 등, 배기구(646UA) 등). 반송 공간을 하방 배기함으로써, 공기보다 무거운 가스를 효율적으로 배기할 수 있다.As described with reference to FIGS. 11 and 19, the exhaust port may include an exhaust port provided below the conveying space (such as the
도 2, 도 3, 도 6 및 도 11 등을 참조하여 설명한 바와 같이, 내부 공간(S)은 상측 내부 공간(내부 공간(SU)) 및 하측 내부 공간(내부 공간(SL))을 포함하고, 반송 공간은 상측 내부 공간에 연통하는 상측 반송 공간 및 하측 내부 공간에 연통하는 하측 반송 공간을 포함하고, 배기구는 상측 반송 공간 및 하측 반송 공간 모두에 마련되어도 좋다(배기구(641U) 등 및 배기구(641L) 등). 이에 의해, 상측 반송 공간 및 하측 반송 공간 모두에 배기할 수 있다.As described with reference to FIGS. 2, 3, 6 and 11, the internal space S includes an upper internal space (internal space SU) and a lower internal space (internal space SL), The conveying space includes an upper conveying space communicating with the upper inner space and a lower conveying space communicating with the lower inner space, and an exhaust port may be provided in both the upper conveying space and the lower conveying space (
도 10 등을 참조하여 설명한 바와 같이, 분출부는 샤워 플레이트이면 좋다. 이에 의해, 예를 들면, 퍼지 가스의 분출 범위가 조절하기 쉬워진다.As described with reference to FIG. 10 or the like, the ejection portion may be a shower plate. Thereby, for example, it becomes easy to adjust the blowing range of a purge gas.
도 3, 도 4, 도 6 및 도 7 등을 참조하여 설명한 바와 같이, 게이트 밸브(5)는 개구부(42)의 가장자리부(421U) 등을 따라서 이동하는 밸브체(52U) 등, 및 밸브체(52U) 등의 이동 방향을 가이드하는 가이드 레일(55)을 포함하고, 분출부는 가이드 레일(55)을 향해서 퍼지 가스를 분출해도 좋다. 기판 처리 장치(1)는 가이드 레일(55)을 부식시킬 가능성이 있는 처리 가스(예를 들면, 염소 원자를 포함한 처리 가스)를 이용하여 기판(G)을 처리하는 프로세스 챔버(2)를 구비해도 좋다. 이에 의해, 가이드 레일(55)의 부식을 억제할 수 있다.3, 4, 6, 7, etc., the
도 18을 참조하여 설명한 기판 반송 방법도, 본 개시의 일 태양이다. 즉, 기판 반송 방법은 기판 처리 장치(1)에 있어서, 개구부(42)보다 외부 공간측(로더(8)측)으로부터 개구부(42)의 가장자리부를 향해서 퍼지 가스를 분출하는 동시에, 개구부(42)와는 상이한 경로로 반송 공간을 배기하는 단계(S3)를 포함한다. 본 기판 반송 방법에 의해서, 지금까지 설명한 바와 같이, 개구부(42)에 마련된 구조물의 열화를 억제할 수 있다.The substrate transport method described with reference to FIG. 18 is also an aspect of the present disclosure. That is, in the substrate transport method, in the substrate processing apparatus 1 , a purge gas is ejected toward the edge of the opening 42 from the outer space side (loader 8 side) rather than the
1 : 기판 처리 장치
2 : 프로세스 챔버
3 : 반송실
4 : 로드록실
5 : 게이트 밸브
6 : 로드록 패널
7 : 제어부
8 : 로더
42 : 개구부
51U : 게이트 커버
51L : 게이트 커버
55 : 가이드 레일
61 : 노즐(분출부)
421U : 가장자리부
421L : 가장자리부
422U : 가장자리부
422L : 가장자리부
641U : 배기구
642U : 배기구
643U : 배기구
644U : 배기구
645U : 배기구
646U : 배기구
641L : 배기구
642L : 배기구
643L : 배기구
644L : 배기구
645L : 배기구
646L : 배기구1: Substrate processing device
2: process chamber
3: return room
4: load lock room
5: gate valve
6: Loadlock panel
7: control unit
8 : loader
42: opening
51U : Gate Cover
51L : Gate Cover
55: guide rail
61: nozzle (jet part)
421U: edge
421L : Edge
422U: edge
422L: edge
641U : exhaust port
642U : exhaust port
643U : exhaust vent
644U : exhaust vent
645U : exhaust port
646U : exhaust port
641L : exhaust vent
642L : exhaust vent
643L : exhaust vent
644L : exhaust vent
645L : exhaust vent
646L : exhaust port
Claims (11)
상기 기판 반출입 모듈에 마련되고, 상기 내부 공간과 상기 외부 공간을 연통하는 개구부와,
상기 개구부에 대해서 마련되고, 반송 공간을 갖는 게이트 밸브와,
상기 외부 공간측으로부터 상기 개구부의 가장자리부를 향해서 퍼지 가스를 분출하는 분출부와,
상기 개구부와는 상이한 경로로 상기 반송 공간을 배기하는 배기구를 구비하는
기판 처리 장치.When the substrate is transported to an external space controlled by a positive pressure rather than atmospheric pressure, a substrate transport module controlled to an atmospheric pressure environment and having an internal space through which the substrate passes;
an opening provided in the substrate carrying-in/out module and communicating the inner space and the outer space;
a gate valve provided with respect to the opening and having a conveying space;
an ejection portion for ejecting a purge gas from the outer space side toward an edge portion of the opening portion;
and an exhaust port for exhausting the conveying space through a path different from the opening.
substrate processing equipment.
상기 배기구는 상기 개구부의 가장자리부를 따라서 복수 마련되는
기판 처리 장치.The method of claim 1,
The exhaust port is provided in plurality along the edge of the opening
substrate processing equipment.
상기 배기구는 개구부의 개구 중심축 방향과 교차하는 중심축 방향을 갖는
기판 처리 장치.3. The method of claim 1 or 2,
The exhaust port has a central axis direction crossing the central axis direction of the opening of the opening.
substrate processing equipment.
상기 배기구는 상기 반송 공간의 하방에 마련된 배기구를 포함하는
기판 처리 장치.4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The exhaust port includes an exhaust port provided below the conveying space.
substrate processing equipment.
상기 내부 공간은 상측 내부 공간 및 하측 내부 공간을 포함하고,
상기 반송 공간은 상기 상측 내부 공간에 연통하는 상측 반송 공간 및 상기 하측 내부 공간에 연통하는 하측 반송 공간을 포함하고,
상기 배기구는 상기 상측 반송 공간 및 상기 하측 반송 공간 모두에 마련되는
기판 처리 장치.5. The method according to any one of claims 1 to 4,
The inner space includes an upper inner space and a lower inner space,
The conveying space includes an upper conveying space communicating with the upper inner space and a lower conveying space communicating with the lower inner space,
The exhaust port is provided in both the upper conveying space and the lower conveying space.
substrate processing equipment.
상기 분출부는 샤워 플레이트인
기판 처리 장치.6. The method according to any one of claims 1 to 5,
The ejection part is a shower plate
substrate processing equipment.
상기 기판 반출입 모듈은 상기 외부 공간을 갖는 로더에 연결 가능하게 구성되는 로드록실인
기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
The board loading/unloading module is a load lock chamber configured to be connectable to the loader having the external space.
substrate processing equipment.
상기 게이트 밸브는 상기 개구부의 가장자리부 중 제 1 방향으로 연장되는 제 1 가장자리부를 따라서 이동하는 밸브체, 및 상기 밸브체의 이동 방향을 가이드하는 가이드 레일을 포함하고,
상기 분출부는 상기 가이드 레일을 향해서 상기 퍼지 가스를 분출하는
기판 처리 장치.8. The method according to any one of claims 1 to 7,
The gate valve includes a valve body moving along a first edge portion extending in a first direction among edge portions of the opening portion, and a guide rail guiding a movement direction of the valve body,
The ejection unit ejects the purge gas toward the guide rail.
substrate processing equipment.
상기 가이드 레일을 부식시킬 가능성이 있는 처리 가스를 이용하여 상기 기판을 처리하는 프로세스 챔버를 구비하는
기판 처리 장치.9. The method of claim 8,
and a process chamber for processing the substrate using a process gas capable of corroding the guide rail.
substrate processing equipment.
상기 처리 가스는 염소 원자를 포함하는
기판 처리 장치.10. The method of claim 9,
The process gas contains chlorine atoms
substrate processing equipment.
상기 개구부보다 상기 외부 공간측으로부터 상기 개구부의 가장자리부를 향해서 퍼지 가스를 분출하는 동시에, 상기 개구부와는 상이한 경로로 상기 반송 공간을 배기하는 단계를 포함하는
기판 반송 방법.When the substrate is transported to an external space controlled by a positive pressure rather than atmospheric pressure, a substrate transport module having an internal space controlled to an atmospheric pressure environment and through which the substrate passes, and a substrate transport module provided in the substrate transport module, the internal space and the external space A substrate processing apparatus comprising: an opening communicating with each other; and a gate valve provided with respect to the opening and having a conveyance space, the substrate processing apparatus comprising:
blowing a purge gas toward an edge of the opening from a side of the outer space rather than the opening, and evacuating the conveying space through a path different from that of the opening.
substrate transfer method.
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