JP2022031236A - 磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置のフィルタ係数設定方法 - Google Patents

Abstract

【課題】磁気ヘッドの位置決め精度を向上させること。
【解決手段】磁気ディスク装置は、制御対象Ｐ[ｚ]５０と、制御対象の動作を制御する制御器Ｃ[ｚ]３０と、制御器とそれぞれ並列に接続され、複数のループ整形フィルタとＡ１[ｚ]４０１～ＡＮ[ｚ]４０Ｎと、を備える。複数のフィルタの出力から制御対象に作用する外乱の入力手前までの伝達関数を用いてループ整形フィルタの第１の係数を決定する際、他のループ整形フィルタの出力を反映させて各ループ整形フィルタの第１の係数が決定され、決定された各ループ整形フィルタの第１の係数がそれぞれ各ループ整形フィルタに対して設定される。
【選択図】図３

Description

実施形態は、磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置のフィルタ係数設定方法に関する。

磁気ディスク装置において、磁気ディスクに対する磁気ヘッドの位置決め精度を向上させるために、サーバラックのファンによる振動等（外乱）を抑圧する必要がある。

米国特許第７０５４０９４号明細書 米国特許第８５０３１２４号明細書 米国特許第１０４９７３８５号明細書 米国特許第６６３６３７６号明細書

ところで、外乱を抑圧する技術の一つとして、通常のフィードバック系にＮＲＲＯ外乱（回転非同期外乱）フィルタを付加するものが知られている。ここで、複数の振動周波数数のＮＲＲＯ外乱に対応させるために複数のＮＲＲＯ外乱フィルタを付加しても、ＮＲＲＯフィルタが相互に干渉し、磁気ヘッドの位置決め精度が向上しない。

実施形態は、複数の振動数の外乱を抑圧し、磁気ヘッドの位置決め精度を向上させることができる磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置のフィルタ係数設定方法を提供することを目的とする。

一実施形態に係る、磁気ディスク装置は、制御対象と、前記制御対象の動作を制御する制御器と、前記制御器とそれぞれ並列に接続される複数のループ整形フィルタと、を備える。さらに、前記複数のループ整形フィルタの出力から前記制御対象に作用する外乱の入力手前までの伝達関数を用いて前記ループ整形フィルタの第１の係数を決定する際、他の前記ループ整形フィルタの周波数特性を反映させて各前記ループ整形フィルタの第１の係数が決定され、決定された各前記ループ整形フィルタの第１の係数がそれぞれ各前記ループ整形フィルタに対して設定される。

実施形態に係る磁気ディスク装置の構成の一例を示すブロック図。 同実施形態に係る外乱を抑圧する制御系の一例を示す図。 同実施形態に係る制御系に複数段のフィルタを設けた構成の一例を示す図。 同実施形態に係るフィルタ係数を設定する処理の主要な流れの一例を示すフローチャート。 同実施形態に係るパラメータを更新する処理の一例を示すフローチャート。 同実施形態に係る周波数に対するゲインの関係の一例を示す図である。 同実施形態に係るα，φと、変数ｋとの関係の一例を示す図である。 同実施形態に係る外乱を抑圧する制御系の一例を示す図。 同実施形態に係る推定した抑圧対象角周波数ωに基づいてフィルタの係数を設定する処理の主要な流れの一例を示すフローチャート。 図９の変形例の一例を示すフローチャート。

以下、実施の形態について図面を参照して説明する。なお、開示はあくまで一例にすぎず、以下の実施形態に記載した内容により発明が限定されるものではない。当業者が容易に想到し得る変形は、当然に開示の範囲に含まれる。説明をより明確にするため、図面において、各部分のサイズ、形状等を実際の実施態様に対して変更して模式的に表す場合もある。複数の図面において、対応する要素には同じ参照数字を付して、詳細な説明を省略する場合もある。

（第１実施形態）
図１は、磁気ディスク装置１の構成の一例を示すブロック図である。
磁気ディスク装置１は、ヘッド・ディスクアセンブリ（head-disk assembly：ＨＤＡ）
１０、ヘッドアンプ集積回路（以下、ヘッドアンプＩＣ）１６と、システム・オン・チップ（ＳＯＣ）２０とから構成されている。

ＨＤＡ１０は、磁気ディスク１１と、スピンドルモータ（ＳＰＭ）１２と、アーム１３と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１６とを有する。磁気ディスク１１は、ＳＰＭ１２により回転する。アーム１３の先端にロードビーム１４が取り付けられ、ロードビーム１４の先端に磁気ヘッド１５が取り付けられる。アーム１３はＶＣＭ１６の駆動により磁気ヘッド１５を磁気ディスク１１上の指定の位置まで移動制御する。

磁気ヘッド１５は、リードヘッド素子とライトヘッド素子とが、１つのスライダ上に分離して実装されている構造である。リードヘッド素子は、磁気ディスク１１に記録されているデータを読出す。ライトヘッド素子は、磁気ディスク１１にデータを書き込む。

ヘッドアンプＩＣ１６は、リードアンプ及びライトドライバを有する。リードアンプは、リードヘッド素子により読み出されたリード信号を増幅して、リード／ライト（Ｒ／Ｗ）チャネル２２に伝送する。一方、ライトドライバは、Ｒ／Ｗチャネル２２から出力されるライトデータに応じたライト電流をライトヘッド素子に伝送する。

ＳＯＣ２０は、マイクロプロセッサ（ＣＰＵ）２１と、Ｒ／Ｗチャネル２２と、ディスクコントローラ２３と、位置決めコントローラ２４とを含む。ＣＰＵ２１は、ドライブのメインコントローラであり、位置決めコントローラ２４を介して磁気ヘッド１５の位置決めを行なうサーボ制御及びヘッドアンプＩＣ１６を介してデータのリード／ライト制御を実行する。Ｒ／Ｗチャネル２２は、リードデータの信号処理を実行するリードチャネルと、ライトデータの信号処理を実行するライトチャネルとを含む。ディスクコントローラ２３は、ホストシステム（図示せず）とＲ／Ｗチャネル２２との間のデータ転送を制御するインタフェース制御を実行する。なお、位置決めコントローラ２４はハードウェアとして実現してもよいし、ソフトウェア（ファームウェア）として実現してもよい。

メモリ２５は、揮発性メモリおよび不揮発性メモリを含む。例えば、メモリ２５は、ＤＲＡＭからなるバッファメモリ、及びフラッシュメモリを含む。メモリ２５の不揮発性メモリには、ＣＰＵ２１の処理に必要なプログラム等を記憶すると記憶部（図示省略）と共に、後述するフィルタ係数設定処理が行われた場合にフィルタ係数を記憶する係数記憶部２６を有する。係数記憶部２６に記憶されるフィルタ係数については、後述する。なお、当該係数記憶部２６はメモリ２５に記憶されていなくても磁気ディスク装置１内のいずれかの記憶領域に記憶されていればよい。

ここで、ＮＲＲＯ外乱を抑圧するフィルタ（以下、単に、「フィルタ」と称する。）に関する技術につい、図２を参照して説明する。
図２は、外乱を抑圧する制御系の一例を示す図である。図２に示すように、フィルタＡ[ｚ]４０を制御器Ｃ[ｚ]３０と並列に配置するように構成され、その合成された出力が制御対象Ｐ[ｚ]５０に入力され、制御対象Ｐ[ｚ]５０が動作するようになっている。このようにフィルタＡ[ｚ]４０の入力を反映させて制御対象Ｐ[ｚ]５０を動作させることにより、外乱ｄ[ｋ]の影響を打ち消すように制御する。本実施形態の磁気ディスク装置１においては、制御器Ｃ[ｚ]３０、及びフィルタＡ[ｚ]４０は、位置決めコントローラ２４に含まれ、制御対象Ｐ[ｚ]５０は、ＶＣＭ１６に相当する。なお、ライト素子、リード素子を微小に動作させるマイクロアクチュエータを磁気ヘッドに搭載するタイプの磁気ディスク装置であれば、ＶＣＭ１６と共にマイクロアクチュエータも制御対象に含めてもよい。

フィルタＡ[ｚ]４０は、以下の（１）式が用いられる。

ここで、Ｔはサンプリング周期、η、μは設計パラメータである。

また、フィルタＡ[ｚ]４０の係数中にあるパラメータαとパラメータφとについては、それぞれ、以下の（２）式で表される。

ここで、パラメータα、及びパラメータφは、図２のフィルタ出力ｕd[ｋ]から外乱ｄ[ｋ]の入力手前までの伝達関数Ｍｕｄｄ[ｚ]の抑圧対象角周波数ω０でのゲインと位相とでマッチングを取るためのパラメータである。これは、フィルタＡ[ｚ]４０で位置誤差信号から推定した外乱ｄ[ｋ]を抑制する推定値が外乱ｄ[ｚ]を打ち消すように、フィルタＡ[ｚ]４０から出力される信号ｕd[ｋ]が外乱ｄ[ｋ]が入力されている位置に到達するまでのゲインと位相の変化を考慮してフィルタを設計していることを意味する。

図３は、このフィルタを複数段配置した制御系２００の一例を示す図である。制御系２００の詳細は後述する。
この場合、以下の（３）式のフィルタが用いられる。

しかし、この図３に示す制御系２００の構成において、抑圧対象角周波数ωｉに対応するフィルタＡｉ[ｚ]のみで抑圧対象角周波数ωｉにおける感度関数のゲイン目標を満たすように（３）式に基づいて設計されたフィルタＡ１[ｚ]～フィルタＡＮ[ｚ]を単に並列しただけでは、他のフィルタの影響でマッチングゲインと位相とが変化する分が考慮されないため、意図した通りにＮＲＲＯ外乱を抑圧することができない。

したがって、以下の実施形態では、制御対象となるＰ[ｚ]５０（磁気ディスク装置１においては、ＶＣＭ１６）の制御系２００に複数段のフィルタを設ける際、各フィルタが他のフィルタのゲインと位相とのマッチングに及ぼす影響（フィルタの周波数特性）を考慮することで、磁気ディスク装置１が、複数の外乱に対して適切な制御を行い、設計者の意図した通りに外乱を抑圧し、磁気ヘッド１５の位置決め精度を向上させるようにする。以下、当該方法について説明する。

まず、制御系２００に複数段フィルタを設けた構成について詳細に説明する。
図３は、複数段のフィルタを設けた制御系２００の構成の一例を示す図である。図３に示すように、制御系２００は、複数のフィルタＡ１[ｚ]４０１～フィルタＡＮ[ｚ]４０Ｎを制御器Ｃ[ｚ]３０と並列に配置するように構成され、それらの合成された出力が制御対象Ｐ[ｚ]５０に入力され、制御対象Ｐ[ｚ]５０が動作するようになっている。このように制御系２００を構成した場合、複数の外乱が生じても、それぞれの外乱の影響を打ち消すように、複数のフィルタＡ[ｚ]それぞれに異なるフィルタ係数を設定することにより、制御対象Ｐ[ｚ]５０の位置決めを正確に行うことが可能になる。

また、図４は、フィルタ係数を設定する処理の主要な流れの一例を示すフローチャートである。この図４を適宜参照しながら、複数のフィルタＡ１[ｚ]４０１～フィルタＡＮ[ｚ]４０Ｎに設定されるフィルタ係数の設定処理について説明する。この処理は、例えば、ホストシステムの指示に基づいて、ＣＰＵ２１によって実行される。

各複数のフィルタＡ１[ｚ]４０１～フィルタＡＮ[ｚ]４０Ｎが他のフィルタのゲインと位相とのマッチングに及ぼす影響を考慮する構成は、具体的には、複数のフィルタＡ１[ｚ]４０１～フィルタＡＮ[ｚ]４０Ｎの各フィルタ出力ｕｉｄ[ｋ]から外乱ｄ[ｋ]の入力手前までの伝達関数Ｍｕｉｄｄ[ｚ]と、ゲインと位相とのマッチングαｉ及びφｉを以下の（４）式のようにする。

又は、全ての抑圧角周波数ωｉに於いて、全てのフィルタＡ１[ｚ]～フィルタＡＮ[ｚ]を用いたときの抑圧対象角周波数ωｉでの感度関数のゲイン又は感度関数のゲインと位相が、抑圧対象角周波数ωｉに対応するフィルタＡｉ[ｚ]のみで抑圧対象角周波数ωｉにおける感度関数のゲイン目標を満たすように（３）式に基づいて設計された各フィルタＡｉ[ｚ]を単独で用いたときの抑圧対象角周波数ωｉにおける感度関数のゲイン又は感度関数のゲインと位相とが同一となるようαｉ及びφｉを求めても良い。

以下では、フィルタＡ[ｚ]の段数が２段の例を用いて、上記（４）式で表されるαｉ及びφｉの求め方の一例を示す。
まず、上記（４）式を以下の（５）式のように変形する。これにより、上記（１）式から（３）式とから求める場合との変更量を求めることができる（ＳＴ１０１）。

なお、以下、ｆｉ：＝ｅｘｐ（ｊωｉＴ）とする。

２段フィルタの場合、以下の（６）式のように求めるものは、α１、α２、φ１、φ２であり（ＳＴ１０２）、他のフィルタの影響を考慮しないときのゲインと位相のマッチングパラメータ、

は既知である。

ここで、Ｍｕｄｄ[ｆ２]Ａ１[ｆ２]、Ｍｕｄｄ[ｆ１]Ａ２[ｆ１]を以下の（７）式のように近似する（ＳＴ１０３）。

これらを用いると、Δα１、Δα２、Δφ１、Δφ２は、以下の（８）式で近似でき、Δα１、Δα２、Δφ１、Δφ２をそれぞれ求めることができる（ＳＴ１０４）。

これらを以下の（９）式に書き換えると、解の１つは、式（１０）となる（ＳＴ１０５）。

以上のように、解を求めることにより、制御系２００に、複数段の２つのフィルタＡ１[ｚ]、Ａ２[ｚ]を設ける場合でも、各フィルタＡ１[ｚ]、Ａ２[ｚ]がそれぞれ異なる外乱の影響を抑制するように係数記憶部２６に、各フィルタＡ１[ｚ]、Ａ２[ｚ]のフィルタ係数を設定することができる。したがって、磁気ディスク装置１の制御系２００は、複数のフィルタＡ１[ｚ]、Ａ２[ｚ]を設ける場合にも他のフィルタのゲインと位相とのマッチングに及ぼす出力（影響）を考慮することができる。これにより、磁気ディスク装置１は、計者の意図した通りにＮＲＲＯ外乱を抑圧でき、制御対象Ｐ[ｚ]５０の位置決め精度を向上させることができる。

（第２実施形態）
第２実施形態は、Ａｉ[ｚ]、Ｂ[ｚ]を以下の（１１）式のようにパラメータの関数であることを明示する。なお、上記第１実施形態と同一の構成には同一の符号を付すこととする。

Ａｉ[ｚ]、Ｂ[ｚ]を以下の（１１）式のようにする。

次に、複数段フィルタを配置したときの各抑圧対象角周波数ωｉでの感度関数と、抑圧対象角周波数ωｉに対応するフィルタＡｉ[ｚ]のみで抑圧対象角周波数ωｉにおける感度関数のゲイン目標を満たすように（３）式に基づいて設計された各フィルタを単独で用いた時の抑圧対象角周波数ωｉでの感度関数との差を目的関数とする。ここで、各フィルは、以下のように表される。

また、この目的関数は、以下の（１２）式である。

ここで、上記（１２）式を最小にするパラメータαｉ及びφｉを求める。例えば、以下の（１３）式で｜ｘ[ｋ＋１]－ｘ[ｋ]｜＜δとなるまでパラメータを更新する。

図５は、このパラメータを更新する処理の一例を示すフローチャートである。この処理は、本実施形態では、ＣＰＵ２１によって実行される。
図５に示すように、ＣＰＵ２１は、パラメータαｉ及びφｉの初期値を代入すると共に変数ｋを１に設定する（ＳＴ２０１）。次に、ＣＰＵ２１は、変数ｋに１を加算し（ＳＴ２０２）、（１３）式の計算を行い（ＳＴ２０３）、この計算結果がδより小さくなるかを判定し（ＳＴ２０４）、当該計算結果がδより小さくなるまで、ステップＳＴ２０２からＳＴ２０４の処理を繰り返す。

そして、ＣＰＵ２１は、収束したパラメータαｉ及びφｉの近似値を使用し、上記（４）式からαｉを求め直す。なお、以下の（１４）式を用いてηｉを更新してもよい。

図６は、周波数に対するゲインの関係の一例を示す図である。また、図６において、フィルタを用いない場合（ｗ／ｏ ＬＳ）、３ｋＨｚの周波数のフィルタを用いた場合、３．５ｋＨｚの周波数のフィルタを用いた場合、３ｋＨｚ及び３．５ｋＨｚの周波数のフィルタを用いた場合、本実施形態２の場合を比較している。実施形態２のグラフが示すように、３ｋＨｚ及び３．５ｋＨｚの周波数のフィルタを用いた場合のグラフと比較して、ゲインが安定していることが示されている。

また、図７は、α，φと、変数ｋとの関係の一例を示す図である。縦軸がα（３ｋＨｚ，３．５ｋＨｚ）、φ（３ｋＨｚ，３．５ｋＨｚ）であり、横軸が変数ｋを示している。図７に示すように、変数ｋが大きくなると、α（３ｋＨｚ，３．５ｋＨｚ）、φ（３ｋＨｚ，３．５ｋＨｚ）がそれぞれ一定値に収束することが示されている。

以上のように制御系２００のフィルタ係数を求め、求めたフィルタ係数を係数記憶部２６に設定しても、上記第１実施形態と同様な効果を奏することができる。

また、設計パラメータｕｉ、ηｉ、ωｉを適応的に決める場合においては、適応後の設計パラメータｕｉ、ηｉ、ωｉでの各抑圧対象角周波数ωｉでの感度関数の値をメモリ２５に記憶しておき、パラメータαｉと、φｉの近似値を求め直して上記実施形態２の手順を行うようにしてもよい。

（第３実施形態）
既述の実施形態においては、抑圧対象角周波数ωｉが環境によって変化する場合に対応していない。このため、本第３実施形態では、抑圧対象角周波数ωｉが環境によって変化する場合に対応した形態について説明する。なお、環境による変化は、例えば、外乱が変化する場合であり、既述の実施形態と同一の構成には同一の符号を付し、これらの構成については詳細な説明は省略する

図８は、図３を用いて技術したフィルタを複数段配置した制御系２００に、さらに、推定部６０を追加した制御系３００の一例を示す図である。推定部６０は、位置誤差ｅ[ｋ]の入力と、外乱ｄ[ｋ]の入力とから抑圧対象角周波数ωｉを推定する。また、推定部６０は、推定した抑圧対象角周波数ωｉをフィルタＡ１[ｚ]４０１～フィルタＡＮ[ｚ]４０Ｎにそれぞれ入力する。なお、本実施形態では、推定部６０が、位置誤差ｅ[ｋ]の入力と、外乱ｄ[ｋ]の入力とから抑圧対象角周波数ωｉを推定するが、これに限るものではない。例えば、磁気ディスク装置１に回転センサを設け、磁気ディスク装置１の回転を検出できるように構成し、当該検出した回転値に基づいて、抑圧対象角周波数ωｉを決定するようにしてもよい。

事前に各抑圧対象角周波数ωｉでの感度関数のゲインの値を所定の記憶部に保存しておく。位置誤差ｅ[ｋ]、外乱ｄ[ｋ]、又は位置誤差ｅ[ｋ]と外乱ｄ[ｋ]の両方から抑圧対象角周波数ωｉを求める。抑圧対象角周波数ωｉが変わるとαｉとφｉも変える必要がある。このため、抑圧対象角周波数ωｉの決定後、既述の実施形態と同様に、αｉとφｉとを調整する。このとき、推定部６０は、各フィルタＡ１[ｚ]４０１～フィルタＡＮ[ｚ]４０Ｎの抑圧対象角周波数ωｉでのゲインを変更前後で同じにするか、事前に記憶しておいた抑圧対象角周波数ωｉでの感度関数値と同じになるように調整する。なお、図９は、推定した抑圧対象角周波数ωｉに基づいてフィルタＡ１[ｚ]４０１～フィルタＡＮ[ｚ]４０Ｎの係数を設定する処理の主要な流れの一例を示すフローチャートである。この処理は、本実施形態では、推定部６０により実行される。また、図１０は、図９の処理の変形例を示すフローチャートである。

まず、Ａｉ[ｚ]，Ｂｉ[ｚ]を以下の式（１６）のように、パラメータを明示する形式にする。

上記（１６）式のように、変化前の抑圧対象周波数チルダｆｉでの感度関数と、変化後の抑圧対象周波数ｆｉでの感度関数との差を目的関数とする。

ここで、チルダｘは、抑圧対象周波数変化前のパラメータであり、Δｊは後述する安定か、不安定かを示す目標感度関数のゲイン変更に対応する項である。このようにして、抑圧対象角周波数ωｉが決定される（ＳＴ３０１）。

次に、パラメータα_ｉと、φｉとを調整する（ＳＴ３０２）。より詳細には、推定部６０は、上記（１７）式を最小にするパラメータαｉと、φｉとを求める。例えば、以下の（１８）式で、|ｘ[ｋ＋１]－ｘ[ｋ]|＜δとなるまでパラメータを更新する。

外乱等の影響を受け、抑圧対象角周波数ωｉが変化すると制御系３００が不安定になる場合がある。このため、推定部６０は、安定か否かを判定する（ＳＴ３０３）。ここで、安定か否かの判定は、安定・不安定を示す指標（例えば感度関数の積分値、累積和、又は事前に求めた抑圧対象周波数毎のパラメータの範囲）に基づいて行われる。安定でない、つまり、不安定になると判定した場合には（ＳＴ３０３：ＮＯ）、推定部６０は、Δｉとηｉとを変更する（ＳＴ３０４）。具体的には、推定部６０は、抑圧対象角周波数ωの感度関数のゲインを大きくし、指標が小さくなるようにパラメータを変更する。ここで、パラメータは、フィルタＡ１[ｚ]４０１～フィルタＡＮ[ｚ]４０Ｎの係数、及び変化前の抑圧対象角周波数ωｉでの感度関数のゲインである。このように、安定でないと判定した場合、推定部６０は、調整時の目標感度関数のゲイン、（上記（１７）式のΔｉ）とηｉとを制御系３００が安定になるまで変えながら調整する。

なお、図１０に示すように、まず、事前にηの上限Η（ω）を求め（ＳＴ４０１）、ηｉ＜Η（２πｆｉ）をチェックして、抑圧対象角周波数ωｉを決定し（ＳＴ４０２）、ηｉ≦Η（ωｉ）か否かの判定に基づいて（ＳＴ４０３）、Δｉとηｉとを変更し（ＳＴ４０４）、パラメータαｉと、φｉとを調整してもよい（ＳＴ４０５）。

本実施形態では、磁気ディスク装置１は、抑圧対象角周波数ωｉが環境によって変化する場合にも推定した抑圧対象角周波数ωｉを用いて、ループ整形フィルタＡ１[ｚ]４０１～フィルタＡＮ[ｚ]４０Ｎに適切な係数を設定することができる。これにより、磁気ディスク装置１は、磁気ヘッド１５の位置決め精度を向上させることができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…磁気ディスク装置、１５…磁気ヘッド、１６…ボイスコイルモータ、２４位置決めコントローラ、２５…メモリ、２６…係数記憶部、３０…制御器[Ｃｚ]、４０１～４０Ｎ…フィルタＡ１[ｚ]～ＡＮ[ｚ]、５０…制御対象Ｐ[ｚ]、１００，２００，３００…制御系

Claims (14)

1. 磁気ディスク装置は、
   制御対象と、
   前記制御対象の動作を制御する制御器と、
   前記制御器とそれぞれ並列に接続される複数のループ整形フィルタと、
   を備え、
   前記複数のループ整形フィルタの出力から前記制御対象に作用する外乱の入力手前までの伝達関数を用いて前記ループ整形フィルタの第１の係数を決定する際、他の前記ループ整形フィルタの周波数特性を反映させて各前記ループ整形フィルタの前記第１の係数が決定され、決定された各前記ループ整形フィルタの前記第１の係数がそれぞれ各前記ループ整形フィルタに対して設定される、
   磁気ディスク装置。
2. 前記ループ整形フィルタは各抑圧対象周波数に対して１つずつ用意され、前記ループ整形フィルタの第２の係数は、各抑圧対象周波数の第１の感度関数のゲインが前記ループ整形フィルタの第２の係数を使った各抑圧対象角周波数に対応する１つのループ整形フィルタのみで各抑圧対象角周波数における感度関数のゲイン目標を満たすよう予め設計され、各前記ループ整形フィルタの前記第１の係数は、各抑圧対象各周波数で、前記ループ整形フィルタの第１の係数を使った全てのループ整形フィルタを用いたときの感度関数のゲインが、各抑圧対象角周波数おける前記第１の感度のゲインと同一となるように決定される、
   請求項１に記載の磁気ディスク装置。
3. 前記ループ整形フィルタは各抑圧対象周波数に対して１つずつ用意され、前記ループ整形フィルタの第２の係数は、各抑圧対象周波数の第１の感度関数のゲインが前記ループ整形フィルタの第２の係数を使った各抑圧対象角周波数に対応する１つのループ整形フィルタのみで各抑圧対象角周波数における感度関数のゲイン目標を満たすよう予め設計され、第１の感度関数位相は、前記ループ整形フィルタの第２の係数を使った各抑圧対象角周波数に対応する１つのループ整形フィルタを使ったときの感度関数位相とし、各前記ループ整形フィルタの前記第１の係数は、各抑圧対象各周波数で、前記ループ整形フィルタの第１の係数を使った全てのループ整形フィルタを用いたときの感度関数のゲインと位相が、各抑圧対象角周波数における前記第１の感度関数のゲイン及び第１の感度関数の位相とそれぞれ同一となるように決定される、
   請求項１に記載の磁気ディスク装置。
4. 前記ループ整形フィルタの係数決定は、前記ループ整形フィルタを単独で用いたときのフィルタ係数が他の前記ループ整形フィルタの影響によって変化する分を近似して求める、
   請求項２又は３に記載の磁気ディスク装置。
5. 前記ループ整形フィルタの係数決定は、各抑圧周波数の感度関数のゲイン又は感度関数のゲインと位相が、複数のループ整形フィルタを用いたときと単独で用いたときで差が最小になるように係数を更新することで求める、
   請求項２又は３に記載の磁気ディスク装置。
6. 前記制御対象は、ボイスコイルモータである、
   請求項１から５のいずれか一項に記載の磁気ディスク装置。
7. 前記制御対象は、マイクロアクチュエータである、
   請求項１から５のいずれか一項に記載の磁気ディスク装置。
8. 前記制御対象は、ボイルコイルモータ、及びマイクロアクチュエータである、
   請求項１から５のいずれか一項に記載の磁気ディスク装置。
9. 前記ループ整形フィルタの係数を決定する際、前記外乱の抑圧対象周波数が推定され、当該推定された抑圧対象周波数に基づいて、各前記ループ整形フィルタの前記第１の係数が決定される、請求項１に記載の磁気ディスク装置。
10. 前記推定される抑圧周波数が変化した場合、変化前後の前記抑圧対象周波数の感度関数ゲインが同一になるように、各前記ループ整形フィルタの前記第１の係数が決定される、
    請求項９に記載の磁気ディスク装置。
11. 前記外乱の影響に基づいて、前記制御器が前記制御対象を制御する制御系が安定にならない場合、前記抑圧対象周波数の前記感度関数のゲインを大きくするように、パラメータを変更する、
    請求項１０に記載の磁気ディスク装置。
12. 前記パラメータは、各前記ループ整形フィルタの前記第１の係数、及び前記変化前の前記抑圧対象角周波数での前記感度関数のゲインである、
    請求項１１に記載の磁気ディスク装置。
13. 前記安定になるか否かの判定には、前記感度関数の積分値、累積値、又は事前に求めた抑圧対象周波数毎の前記パラメータの範囲を用いる、
    請求項１１に記載の磁気ディスク装置。
14. 制御対象と、
    前記制御対象の動作を制御する制御器と、
    前記制御器とそれぞれ並列に接続される複数のループ整形フィルタと、
    を備える磁気ディスク装置のフィルタ係数設定方法であって、
    前記制御器は、
    前記複数のフィルタの出力から前記制御対象に作用する外乱の入力手前までの伝達関数を用いて前記ループ整形フィルタの第１の係数を決定する際、他の前記ループ整形フィルタの周波数特性を反映させて前記ループ整形フィルタの前記第１の係数を決定し、
    前記複数のループ整形フィルタに対して前記係数を決定する処理を繰り返し、
    前記決定された各前記ループ整形フィルタの前記第１の係数をそれぞれ各前記ループ整形フィルタに対して設定する、
    磁気ディスク装置のフィルタ係数設定方法。

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