JP2022028028A - 絶縁ゲート型半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
第2実施形態に係る絶縁ゲート型半導体装置は、図10に示すように、第1導電型(n型)のドリフト層1と、ドリフト層1上に選択的に設けられ、第2導電型(p+型)のベース領域3a,3bを備える。ベース領域3a,3bの上部には、ドリフト層1よりも高不純物密度で第1導電型の主電極領域(ソース領域)4a~4dが設けられている。なお、4b,4dは電流経路として使用しないため、設けられていなくてもよい。
第3実施形態に係る絶縁ゲート型半導体装置は、図14に示すように、第1導電型(n型)のドリフト層1と、ドリフト層1上に選択的に設けられ、第2導電型(p型)のベース領域3a,3bを備える。ベース領域3a,3bの上部には、ドリフト層1よりも高不純物密度で第1導電型(n+型)の主電極領域(ソース領域)4a~4cが設けられている。なお、ソース領域4bは電流経路として使用しないため、設けられていなくてもよい。ソース領域4a~4cの上面から、ソース領域4a,4bを貫通してドリフト層1に達するトレンチ10が設けられている。トレンチ10の一方の側壁面はソース領域4a及びベース領域3aに接し、他方の側壁面はソース領域4bに接する。
第4実施形態に係る絶縁ゲート型半導体装置は、図27に示すように、4本のストライプ状のトレンチ10a~10dをそれぞれ有する複数のストライプ状の単位セルC1~C4の配列構造を有する。第4実施形態に係る絶縁ゲート型半導体装置は、第1導電型(n型)のドリフト層1と、ドリフト層1上に配置された第2導電型(p型)のベース領域3a,3bを備える。ベース領域3a,3bの上部には、ドリフト層1よりも高不純物密度で第1導電型(n+型)の主電極領域(ソース領域)41,43が設けられている。
上記のように、本発明は第1~第4実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
2,2a,2b,2c,2d,2e,21,21a,21b,22a,22b,23,23a,23b…ゲート保護領域
2g,2h,2i…ベースコンタクト領域
2x,2y…動作抑制領域
3,3a,3b,3c,3d,3e…ベース領域
4,4a,4b,4c,4d,4e,4f,4g,4h,4i,4j,41,41a,41b,42a,42b,43,43a,43b…ソース領域
5,5a,5b,5c,5d,5e,5f…ゲート絶縁膜
6,6a,6b,6c,6d,6e,6f…ゲート電極
7…層間絶縁膜
8…ソース電極
8a…凸部
9…ドレイン領域
10a,10b,10c,10d,10e,10f…トレンチ
11…ドレイン電極
12a,12b…電流拡散層
31…フォトレジスト膜
Claims (4)
- 第1導電型のドリフト層上に第2導電型のベース領域を形成する工程と、
前記ベース領域の上部に、前記ドリフト層よりも高不純物密度で第1導電型の主電極領域を形成する工程と、
前記主電極領域が形成されたチップ構造の基準面に対し第1の傾斜角をなす第1側壁面と、該第1側壁面に対向し前記基準面に対し前記第1の傾斜角とは異なる第2の傾斜角をなす第2側壁面で両側壁を定義したトレンチを前記ドリフト層に到達するまで形成し、前記主電極領域及び前記ベース領域を前記第1側壁面に露出させる工程と、
前記トレンチの底面及び前記第1側壁面に斜めにイオン注入することにより、前記トレンチの前記底面及び前記第1側壁面に接した第2導電型のゲート保護領域を形成する工程と、
前記トレンチの内側に絶縁ゲート型電極構造を形成する工程と
を含むことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。 - 前記第1側壁面がa面であることを特徴とする請求項1に記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
- 前記第1側壁面は、前記第2側壁面よりSi面側に傾斜角が小さいことを特徴とする請求項1又は2に記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
- SiCを用いた絶縁ゲート型半導体装置の製造方法であることを特徴とする請求項1~3のいずれか1項に記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
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