JP2022023075A

JP2022023075A - デプリーションモードトランジスタを制御するための方法及び回路要素

Info

Publication number: JP2022023075A
Application number: JP2021158745A
Authority: JP
Inventors: ダグラスシーマンマイケル; Douglass Seeman Michael; アールバールサンディープ; R Bahl Sandeep; アイアンダーソンデビッド; I Anderson David
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 2013-11-15
Filing date: 2021-09-29
Publication date: 2022-02-07
Anticipated expiration: 2034-11-17
Also published as: CN105874598A; EP3080845A1; JP6959694B2; US9762230B2; CN105874598B; JP2019083684A; EP3080845A4; JP6470284B2; US20180006640A1; US11356087B2; JP2016540477A; JP2020167935A; EP4064349A1; CN110166033A; JP7249482B2; US20210167767A1; CN110166033B; JP6722308B2; EP3080845B1; WO2015073980A1

Abstract

【課題】デプリーションモードトランジスタを制御するための方法及び回路要素を提供する。【解決手段】回路要素１００において、第１のトランジスタ１０４が、デプリーションモードトランジスタ１０２のソースに結合されるドレインと、第１の電圧ノードに結合されるソースと、制御ノード１１５に結合されるゲートとを有する。第２のトランジスタ１３４が、デプリーションモードトランジスタのゲートに結合されるドレインと、第１の電圧ノードに結合されるソースと、少なくとも一つの第１の論理デバイスを介して入力ノードに結合されるゲートと、を有する。第３のトランジスタ１３６が、デプリーションモードトランジスタのゲートに結合されるドレインと、第２の電圧ノードに結合されるソースと、少なくとも一つの第２の論理デバイスを介して入力ノードに結合されるゲートとを有する。【選択図】図１

Description

本願は、概して電子回路要素に関し、特に、デプリーションモードトランジスタを制御するための方法及び回路要素に関連する。

多くの状況において、ガリウム窒化物（ＧａＮ）高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）及びシリコンカーバイド（ＳｉＣ）接合ゲート電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）などのデプリーションモード（ｄモード）トランジスタは、エンハンスメントモード（ｅモード）トランジスタより優れたスイッチング性能を有する。それにもかかわらず、幾つかのパワー電子回路実装において、ノーマリー「オン」ｄモードトランジスタ（例えば、そのＶ_ＧＳ＝０Ｖである）は、安全性に関して問題を起こし得る。これに対し、ノーマリー「オフ」ｅモードトランジスタは、何らかの欠陥条件に応答してクロスコンダクション（短絡など）を実質的に防ぐことを助け得る。

記載される例において、第１のトランジスタが、デプリーションモードトランジスタのソースに結合されるドレインと、第１の電圧ノードに結合されるソースと、制御ノードに結合されるゲートとを有する。第２のトランジスタが、デプリーションモードトランジスタのゲートに結合されるドレインと、第１の電圧ノードに結合されるソースと、少なくとも一つの第１の論理デバイスを介して入力ノードに結合されるゲートとを有する。第３のトランジスタが、デプリーションモードトランジスタのゲートに結合されるドレインと、第２の電圧ノードに結合されるソースと、少なくとも一つの第２の論理デバイスを介して入力ノードに結合されるゲートとを有する。

例示の実施例の回路要素の概略の電気的回路図である。

図１は、例示の実施例の回路要素１００の概略の電気的回路図である。図１に示すように、ＧａＮＨＥＭＴなどの高電圧ｄモードトランジスタ１０２が、低電圧ｅモードＮＦＥＴ（ＬＶスイッチ）１０４と直列に接続される。第１の例において、ＬＶスイッチ１０４は個別部品（ｄｉｓｃｒｅｔｅ）である。第２の例において、ＬＶスイッチ１０４は、別の構成要素と統合される（ドライバ回路要素１０５と統合されるなど）。

ｄモードトランジスタ１０２のドレインが、その電圧が６００ボルト（又はそれ以上）までわたり得る電圧出力ノードＶＯＵＴに接続される。ｄモードトランジスタ１０２のソースが、ＬＶスイッチ１０４のドレインに接続される。ＬＶスイッチ１０４のソースが、その電圧が０ボルトである接地ノードＧＮＤなどの電圧基準ノードに接続される。少なくとも一つの例において、接地ノードＧＮＤは、グローバル接地の代わりにローカル接地に接続される。

ＬＶスイッチ１０４は、（ａ）通常オペレーションのためにオンになり、そのため、ｎチャネル金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）スイッチングダイナミクスが、通常オペレーションの間、回路要素１００の全体的なスイッチングダイナミクスから実質的に取り除かれ、（ｂ）一つ又は複数の検出された欠陥条件に応答して（スタートアップの間など）安全（デバイス保護など）のためオフになる。このような欠陥条件の例には、不足電圧（ｕｎｄｅｒ－ｖｏｌｔａｇｅ）、過電圧、過電流、及び過温度がある。

例えば、＋１２Ｖ、＋５Ｖ、及び－１２Ｖのノードの電圧に応答して、不足電圧ロックアウト（ＵＶＬＯ）回路要素１０６が、（ａ）不足電圧コンディションが存在するか又は存在しないか、及び（ｂ）過電圧コンディションが存在するか又は存在しないかを検出する。このような検出に応答して、ＵＶＬＯ回路要素１０６は、ＰＧＯＯＤライン上の信号を、ＡＮＤゲート１０８及び１１０のそれぞれの第１の入力に出力する。従って、ＵＶＬＯ回路要素１０６が不足電圧コンディションも過電圧コンディションも検出しないことに応答して、ＰＧＯＯＤライン上のＵＶＬＯ回路要素１０６からの信号は、バイナリ論理１（真）状態を有する。逆に、ＵＶＬＯ回路要素１０６が不足電圧コンディション又は過電圧コンディションのいずれかを検出することに応答して、ＰＧＯＯＤライン上のＵＶＬＯ回路要素１０６からの信号は、バイナリ論理０（偽）状態を有する。

同様に、ＬＶスイッチ１０４のゲートにおける及びＬＶスイッチ１０４のドレインにおける電圧に応答して、過電流保護（ＯＣＰ）過熱保護（ＯＴＰ）回路要素１１２が、（ａ）過電流コンディションが存在するか又は存在しないか、及び（ｂ）過熱コンディションが存在するか又は存在しないか否かを検出する。このような検出に応答して、ＯＣＰＯＴＰ回路要素１１２は、／ＦＡＵＬＴライン上の信号をＡＮＤゲート１０８及び１１０のそれぞれの第２の入力に出力する。従って、ＯＣＰＯＴＰ回路要素１１２が過電流コンディションも過熱コンディションも検出しないことに応答して、／ＦＡＵＬＴライン上のＯＣＰＯＴＰ回路要素１１２からの信号は、バイナリ論理１（真＝欠陥なし）状態を有する。逆に、ＯＣＰＯＴＰ回路要素１１２が過電流コンディション又は過熱コンディションのいずれかを検出することに応答して、／ＦＡＵＬＴライン上のＯＣＰＯＴＰ回路要素１１２からの信号は、バイナリ論理０（偽＝欠陥）状態を有する。ＯＣＰＯＴＰ回路要素１１２及びＵＶＬＯ回路要素１０６は、欠陥検出回路要素の例である。

ＡＮＤゲート１１０の出力が、バッファ１１４を介して制御ノード１１５に結合される。制御ノード１１５は、ＬＶスイッチ１０４のゲートに結合される。従って、ＰＧＯＯＤライン上の信号が真状態を有する場合、及び／ＦＡＵＬＴライン上の信号が真状態を有する場合、ＡＮＤゲート１１０の出力は真状態を有し、ＬＶスイッチ１０４は通常オペレーションのためオンになる。逆に、ＰＧＯＯＤライン上の信号が偽状態を有するか、又は／ＦＡＵＬＴライン上の信号が偽状態を有する場合、ＡＮＤゲート１１０の出力は偽状態を有し、ＬＶスイッチ１０４は、これらの検出された欠陥条件の一つ又は複数に応答して安全のためオフになる。

同様に、ＡＮＤゲート１０８の出力が、インバータ１１６を介してｎチャネル電界効果トランジスタ（ＮＦＥＴ）１１８のゲートに結合される。ＮＦＥＴ１１８のソースが接地ノードＧＮＤに接続され、ＮＦＥＴ１１８のドレインが

ノードに接続される。従って、ＰＧＯＯＤライン上の信号が真状態を有する場合、及び／ＦＡＵＬＴライン上の信号が真状態を有する場合、ＡＮＤゲート１０８の出力は真状態を有し、そのため、ＮＦＥＴ１１８はオフになる。逆に、ＰＧＯＯＤライン上の信号が偽状態を有する場合、又は／ＦＡＵＬＴライン上の信号が偽状態を有する場合、ＡＮＤゲート１０８の出力は偽状態を有し、それにより、ＮＦＥＴ１１８がオンになる。ＮＦＥＴ１１８をオンにすることにより、

ノードが、ＮＦＥＴ１１８を介して０ボルトに結合され、それにより、検出された欠陥条件の一つ又は複数の存在を（

ノードを介して）通信する。

また、ＡＮＤゲート１０８の出力は、ＡＮＤゲート１２０の第１の入力に接続される。入力ノードＩＮが、バッファ１２２を介してＡＮＤゲート１２０の第２の入力に結合される。そのため、入力ノードＩＮがバイナリ論理０（偽）状態を有する場合、ＡＮＤゲート１２０の出力は偽状態を有する。

通常オペレーションでは、入力ノードＩＮは、バイナリ論理１（真）状態とバイナリ論理０（偽）状態との間で交番するパルス幅変調された（ＰＷＭ）信号を（ＰＷＭコントローラなどから）受け取る。従って、通常オペレーションの間、（ａ）ＰＧＯＯＤライン上の信号が真状態を有する場合、及び／ＦＡＵＬＴライン上の信号が真状態を有する場合、入力ノードＩＮの論理状態はＡＮＤゲート１２０を介して伝搬し、そのため、ＡＮＤゲート１２０の出力は入力ノードＩＮと同じ論理（真又は偽のいずれか）状態を有し、（ｂ）逆に、ＰＧＯＯＤライン上の信号が偽状態を有する場合、又は／ＦＡＵＬＴライン上の信号が偽状態を有する場合、ＡＮＤゲート１２０の出力は偽状態を有する。

ノードにおける１２ボルトの入力電圧（＋１２Ｖノード）に応答して、低ドロップアウト（ＬＤＯ）レギュレータ１２４が、ノードにおいて５ボルトの電圧（＋５Ｖノード）を生成する。＋１２Ｖノードは、ｐチャネル電界効果トランジスタ（ＰＦＥＴ）１２６のソースに接続される。反転バックブーストコントローラ１２８が、ＰＦＥＴ１２６のゲートに及びＮＦＥＴ１３０のゲートに接続される。ＮＦＥＴ１３０のソースがライン１３２に接続される。スイッチノードＳＷが、ＰＦＥＴ１２６のドレインに及びＮＦＥＴ１３０のドレインに接続される。少なくとも一つの例において、インダクタ（明確にするため図には示していない）が、スイッチノードＳＷと、その電圧が０ボルトである接地ノードＧＮＤとの間に接続される。従って、フィードバックノードＦＢにおける信号（電圧信号など）に応答して、コントローラ１２８は、ライン１３２上の－１２ボルトの電圧をレギュレートするためにＰＦＥＴ１２６及びＮＦＥＴ１３０の（オンとオフの間の）スイッチングを制御する。別の例において、コントローラ１２８は、ライン１３２上の－１２ボルトの電圧（－１２Ｖノード）をレギュレートするために反転チャージポンプにより置き換えられる。

ｄモードトランジスタ１０２のゲートが、ＰＦＥＴ１３４のドレインに及びＮＦＥＴ１３６のドレインに接続される。ＰＦＥＴ１３４のソースが、その電圧が０ボルトである接地ノードＧＮＤに接続され、ＮＦＥＴ１３６のソースが、その電圧が－１２ボルトであるライン１３２に接続される。ＰＦＥＴ１３４のボディダイオード１３８が、ＰＦＥＴ１３４のドレインからＰＦＥＴ１３４のソースに接続される。

インバータ１４０、ＯＲゲート１４２、及びバッファ１４４に対し、バイナリ論理０（偽）状態が－５ボルトで表わされ、バイナリ論理１（真）状態が０ボルトで表わされる。インバータ１４６、ＡＮＤゲート１４８、及びバッファ１５０に対し、バイナリ論理０（偽）状態が－１２ボルトで表わされ、バイナリ論理１（真）状態が－７ボルトで表わされる。

レベルシフタ（Ｌ／Ｓ）１５２が、（ａ）ＡＮＤゲート１２０の出力を受け取り、（ｂ）このような出力を、インバータ１４０及び１４６に適した対応する信号に変換する。従って、偽状態を有するＡＮＤゲート１２０の出力に応答して、Ｌ／Ｓ１５２は、（ａ）その電圧が－５ボルトである信号をインバータ１４０の入力に、及び（ｂ）その電圧が－１２ボルトである信号をインバータ１４６の入力に出力する。逆に、真状態を有するＡＮＤゲート１２０の出力に応答して、Ｌ／Ｓ１５２は、（ａ）その電圧が０ボルトである信号をインバータ１４０の入力に、及び（ｂ）その電圧が－７ボルトである信号をインバータ１４６の入力に出力する。

インバータ１４０の出力が、ＯＲゲート１４２の第１の入力に接続される。ＯＲゲート１４２の出力が、バッファ１４４の入力に接続される。バッファ１４４の出力が、ＰＦＥＴ１３４のゲートに接続される。

インバータ１４６の出力が、ＡＮＤゲート１４８の第１の入力に接続される。ＡＮＤゲート１４８の出力が、バッファ１５０の入力に接続される。バッファ１５０の出力が、ＮＦＥＴ１３６のゲートに接続される。

レベルシフタ（Ｌ／Ｓ）１５４が、（ａ）ＡＮＤゲート１４８の出力を受け取り、（ｂ）このような出力を、ＯＲゲート１４２に適した対応する信号に変換する。従って、（ａ）偽状態（－１２ボルト）を有するＡＮＤゲート１４８の出力に応答して、Ｌ／Ｓ１５４は、その電圧が－５ボルトである信号を（ＯＲゲート１４２の第２の入力に）出力し、（ｂ）逆に、真状態（－７ボルト）を有するＡＮＤゲート１４８の出力に応答して、Ｌ／Ｓ１５４は、その電圧が０ボルトである信号を（ＯＲゲート１４２の第２の入力に）出力する。

同様に、レベルシフタ（Ｌ／Ｓ）１５４は、（ａ）ＯＲゲート１４２の出力を受け取り、（ｂ）このような出力を、ＡＮＤゲート１４８に適した対応する信号に変換する。従って、（ａ）偽状態（－５ボルト）を有するＯＲゲート１４２の出力に応答して、Ｌ／Ｓ１５４は、その電圧が－１２ボルトである信号を（ＡＮＤゲート１４８の第２の入力に）出力し、（ｂ）逆に、真状態（０ボルト）を有するＯＲゲート１４２の出力に応答して、Ｌ／Ｓ１５４は、その電圧が－７ボルトである信号を（ＡＮＤゲート１４８の第２の入力に）出力する。

このようにして、インバータ１４０及び１４６のそれぞれの出力は互いと同じ論理状態を有し、このような論理状態はＯＲゲート１４２及びＡＮＤゲート１４８のそれぞれの出力によりラッチされる。

少なくとも一つの実施例において、ｄモードトランジスタ１０２の閾値電圧（ＶＴ）が－１０ボルトであり、そのため、ｄモードトランジスタ１０２のゲートは、ＬＶスイッチ１０４のソースに対して負の電位から動作する。例えば、通常オペレーションの間、回路要素１００は、ｄモードトランジスタ１０２のゲートを０ボルトと－１２ボルトの間でアクティブに切り替えるように動作し得る。従って、回路要素１００は、本来のｄモードデバイスの優れたスイッチング性能を達成し、制御可能なエッジレートを維持する一方で、カスコード配置の固有のノーマーリーオフ能力を保持する。

ｄモードトランジスタ１０２をオフにするために、入力ノードＩＮが偽状態にクリアされ、そのため、ＡＮＤゲート１２０の出力は偽状態を有し、それにより、ＰＦＥＴ１３４をオフにし、ＮＦＥＴ１３６をオンにする。同様に、一つ又は複数の検出された欠陥条件に応答して（入力ノードＩＮが偽状態にクリアされるか又は真状態に設定されるかに関係なく）、ＡＮＤゲート１２０の出力は偽状態を有し、それにより、ＰＦＥＴ１３４をオフにし、ＮＦＥＴ１３６をオンにする。このようにしてＮＦＥＴ１３６をオンにすることにより、ｄモードトランジスタ１０２のゲートは、その電圧が－１２ボルトであるライン１３２にＮＦＥＴ１３６を介して結合され、そのため、ｄモードトランジスタ１０２はオフにされる。

ｄモードトランジスタ１０２をオンにするために、入力ノードＩＮが真状態に設定され、そのため、ＡＮＤゲート１２０の出力は真状態を有し（ＡＮＤゲート１０８の出力が同様に真状態を有する場合にのみ）、それにより、ＰＦＥＴ１３４をオンにし、ＮＦＥＴ１３６をオフにする。このようにしてＰＦＥＴ１３４をオンにすることにより、
（ａ）ｄモードトランジスタ１０２のゲートは、ＰＦＥＴ１３４を介して、その電圧が０ボルトである接地ノードＧＮＤに（及び同様にＬＶスイッチ１０４のソースに）結合され、そのため、ｄモードトランジスタ１０２のＶ_ＧＳがＬＶスイッチ１０４のＶ_ＤＳにほぼ等しく（しかし極性が反対であり）、
（ｂ）従って、ＬＶスイッチ１０４オンになる場合、ＬＶスイッチ１０４のＶ_ＤＳが比較的小さく、ｄモードトランジスタ１０２のＶ_ＧＳが比較的小さく、そのため、ｄモードトランジスタ１０２がオンになる。

ドライバ回路要素１０５が、給電されない場合、ＬＶスイッチ１０４はオフになり、ｄモードトランジスタ１０２のゲートは、ダイオード１３８を介して（接地ノードＧＮＤの）０ボルト近くに結合される。又は、ドライバ回路要素１０５が電力を有するが、＋１２Ｖ、＋５Ｖ、又は－１２Ｖノードの一つ又は複数のいずれかがその適切な電圧レベルにない場合、ＰＧＯＯＤライン上のＵＶＬＯ回路要素１０６からの信号はバイナリ論理０（偽）状態を有し、そのため、ＬＶスイッチ１０４はオフになる。ＬＶスイッチ１０４がオフになる場合、（検出された欠陥条件の一つ又は複数に応答して安全のためなど）、ＬＶスイッチ１０４のＶ_ＤＳが増大し、これは最終的に、ｄモードトランジスタ１０２のＶ_ＧＳをその閾値電圧（ＶＴ）に到達（及び超え続け）させ、そのため、たとえライン１３２が－１２ボルトのその適切な電圧レベルではない場合であっても、ｄモードトランジスタ１０２はオフとなり始める（及び継続する）。

本発明の特許請求の範囲内で、説明した例示の実施例に変形が成され得、多くの他の実施例が可能である。

Claims

デプリーションモードトランジスタを制御するための回路要素であって、前記回路要素が、
前記デプリーションモードトランジスタのソースに結合されるドレインと、第１の電圧ノードに結合されるソースと、制御ノードに結合されるゲートとを有する第１のトランジスタ、
前記デプリーションモードトランジスタのゲートに結合されるドレインと、前記第１の電圧ノードに結合されるソースと、少なくとも一つの第１の論理デバイスを介して入力ノードに結合されるゲートとを有する第２のトランジスタ、及び
前記デプリーションモードトランジスタの前記ゲートに結合されるドレインと、第２の電圧ノードに結合されるソースと、少なくとも一つの第２の論理デバイスを介して前記入力ノードに結合されるゲートとを有する第３のトランジスタ、
を含む、回路要素。
請求項１に記載の回路要素であって、
前記デプリーションモードトランジスタが、ガリウム窒化物高電子移動度トランジスタである、回路要素。
請求項１に記載の回路要素であって、
前記第１のトランジスタがエンハンスメントモードＮＦＥＴである、回路要素。
請求項１に記載の回路要素であって、
前記第２のトランジスタがＰＦＥＴであり、前記第３のトランジスタがＮＦＥＴである、回路要素。
請求項１に記載の回路要素であって、
前記少なくとも一つの第１の論理デバイスが、前記入力ノードが第１の論理状態を有することに応答して前記第２のトランジスタをオンにするように適合され、前記入力ノードが第２の論理状態を有することに応答して前記第２のトランジスタをオフにするように適合され、及び
前記少なくとも一つの第２の論理デバイスが、前記入力ノードが前記第１の論理状態を有することに応答して前記第３のトランジスタをオフにするように適合され、前記入力ノードが前記第２の論理状態を有することに応答して前記第３のトランジスタをオンにするように適合される、回路要素。
請求項１に記載の回路要素であって、
前記第２の電圧ノードの電圧が、前記デプリーションモードトランジスタをオフにするためのものである、回路要素。
請求項１に記載の回路要素であって、
欠陥コンディションを検出するように適合される欠陥検出回路要素を含む、回路要素。
請求項７に記載の回路要素であって、
前記欠陥検出回路要素が、前記制御ノードに結合され、前記欠陥コンディションがあることに応答して前記第１のトランジスタをオフにするように適合され、前記第１のトランジスタをオフにすることが、前記デプリーションモードトランジスタをオフにするためである、回路要素。
請求項７に記載の回路要素であって、
前記欠陥コンディションが、不足電圧コンディション、過電圧コンディション、過電流コンディション、及び過熱コンディションの少なくとも一つを含む、回路要素。
請求項７に記載の回路要素であって、
前記少なくとも一つの第１の論理デバイスが、前記欠陥検出回路要素に結合され、前記欠陥コンディションがないことに応答して前記第２のトランジスタをオンにするように適合され、前記欠陥コンディションがあることに応答して前記第２のトランジスタをオフにするように適合され、及び
前記少なくとも一つの第２の論理デバイスが、前記欠陥検出回路要素に結合され、前記欠陥コンディションがないことに応答して前記第３のトランジスタをオフにするように適合され、前記欠陥コンディションがあることに応答して前記第３のトランジスタをオンにするように適合される、回路要素。
デプリーションモードトランジスタを制御する方法であって、前記方法が、
欠陥コンディションがないことに応答して、第１のトランジスタをオンにすることであって、前記第１のトランジスタが、前記デプリーションモードトランジスタのソースに結合されるドレインと、第１の電圧ノードに結合されるソースと、制御ノードに結合されるゲートとを有すること、
入力ノードが第１の論理状態を有することに応答して、第２のトランジスタをオンにすることであって、前記第２のトランジスタが、前記デプリーションモードトランジスタのゲートに結合されるドレインと、前記第１の電圧ノードソースと、少なくとも一つの第１の論理デバイスを介して前記入力ノードに結合されるゲートとを有すること、
前記入力ノードが前記第１の論理状態を有することに応答して、第３のトランジスタをオフにすることであって、前記第３のトランジスタが、前記デプリーションモードトランジスタの前記ゲートに結合されるドレインと、第２の電圧ノードに結合されるソースと、少なくとも一つの第２の論理デバイスを介して前記入力ノードに結合されるゲートとを有すること、及び
前記入力ノードが第２の論理状態を有することに応答して、前記第２のトランジスタをオフにし、前記第３のトランジスタをオンにすること、
を含む、方法。
請求項１１に記載の方法であって、
前記デプリーションモードトランジスタが、ガリウム窒化物高電子移動度トランジスタである、方法。
請求項１１に記載の方法であって、
前記第１のトランジスタがエンハンスメントモードＮＦＥＴである、方法。
請求項１１に記載の方法であって、
前記第２のトランジスタがＰＦＥＴであり、前記第３のトランジスタがＮＦＥＴである、方法。
請求項１１に記載の方法であって、
前記第２の電圧ノードの電圧が前記デプリーションモードトランジスタをオフにするためのものである、方法。
請求項１１に記載の方法であって、
前記欠陥コンディションがあることに応答して、前記第１のトランジスタをオフにすることを含み、前記第１のトランジスタをオフにすることが、前記デプリーションモードトランジスタをオフにするためである、方法。
請求項１１に記載の方法であって、
前記欠陥コンディションが、不足電圧コンディション、過電圧コンディション、過電流コンディション、及び過熱コンディションの少なくとも一つを含む、方法。
請求項１１に記載の方法であって、
前記欠陥コンディションがないことに応答して、前記第２のトランジスタをオンにし、前記第３のトランジスタをオフにすること、及び
前記欠陥コンディションがあることに応答して、前記第２のトランジスタをオフにし、前記第３のトランジスタをオンにすること、
を含む、方法。
デプリーションモードトランジスタを制御するための回路要素であって、前記回路要素が、
前記デプリーションモードトランジスタのソースに結合されるドレインと、第１の電圧ノードに結合されるソースと、制御ノードに結合されるゲートとを有する第１のトランジスタであって、エンハンスメントモードＮＦＥＴである、前記第１のトランジスタ、
前記デプリーションモードトランジスタのゲートに結合されるドレインと、前記第１の電圧ノードに結合されるソースと、少なくとも一つの第１の論理デバイスを介して入力ノードに結合されるゲートとを有する第２のトランジスタであって、ＰＦＥＴである、前記第２のトランジスタ、
前記デプリーションモードトランジスタの前記ゲートに結合されるドレインと、第２の電圧ノードに結合されるソースと、少なくとも一つの第２の論理デバイスを介して前記入力ノードに結合されるゲートとを有する第３のトランジスタであって、ＮＦＥＴである、前記第３のトランジスタ、及び
欠陥コンディションを検出するように適合される欠陥検出回路要素であって、前記欠陥検出回路要素が、前記制御ノードに結合され、前記欠陥コンディションがあることに応答して前記第１のトランジスタをオフにするように適合され、前記第１のトランジスタをオフにすることが、前記デプリーションモードトランジスタをオフにするためであり、前記欠陥コンディションが、不足電圧コンディション、過電圧コンディション、過電流コンディション、及び過熱コンディションの少なくとも一つを含む、前記欠陥検出回路要素、
を含み、
前記少なくとも一つの第１の論理デバイスが、前記入力ノードが第１の論理状態を有することに応答して前記第２のトランジスタをオンにするように適合され、前記入力ノードが第２の論理状態を有することに応答して前記第２のトランジスタをオフにするように適合され、及び
前記少なくとも一つの第２の論理デバイスが、前記入力ノードが前記第１の論理状態を有することに応答して前記第３のトランジスタをオフにするように適合され、前記入力ノードが前記第２の論理状態を有することに応答して前記第３のトランジスタをオンにするように適合され、及び
前記少なくとも一つの第１の論理デバイスが、前記欠陥検出回路要素に結合され、前記欠陥コンディションがないことに応答して前記第２のトランジスタをオンにするように適合され、前記欠陥コンディションがあることに応答して前記第２のトランジスタをオフにするように適合され、及び
前記少なくとも一つの第２の論理デバイスが、前記欠陥検出回路要素に結合され、前記欠陥コンディションがないことに応答して前記第３のトランジスタをオフにするように適合され、前記欠陥コンディションがあることに応答して前記第３のトランジスタをオンにするように適合される、回路要素。
請求項１９に記載の回路要素であって、
前記デプリーションモードトランジスタが、ガリウム窒化物高電子移動度トランジスタである、回路要素。
請求項１９に記載の回路要素であって、
前記第２の電圧ノードの電圧が、前記デプリーションモードトランジスタをオフにするためのものである、回路要素。