JP2022020011A - 磁気記録媒体およびカートリッジ - Google Patents

Abstract

【課題】優れた記録再生特性と優れた走行安定性を両立することができる磁気記録媒体を提供する。【解決手段】磁気記録媒体は、テープ状の磁気記録媒体であって、基体と、基体上に設けられた下地層と、下地層上に設けられた磁性層とを備える。磁性層は、凹凸形状を有する表面を有し、凹凸形状の高さの統計情報から求められた高さ範囲ΔＨが、４．００ｎｍ≦ΔＨ≦１０．００ｎｍであり、凹凸形状の勾配の統計情報から求められた勾配範囲ΔＡが、２．５０度≦ΔＡである。【選択図】図３

Description

本開示は、磁気記録媒体およびカートリッジに関する。

電子データの保存のために、テープ状の磁気記録媒体が幅広く利用されている。テープ状の磁気記録媒体では、良好な記録再生特性（電磁変換特性）を得るために、磁性層の表面の凹凸の高さを小さくし、磁性層の表面を平滑化することが望まれる（例えば、特許文献１参照）。

特開２００６－６５９５３号公報

しかしながら、磁性層の表面の凹凸の高さを小さくすると、弊害として摩擦上昇等の走行の不安定性をもたらすことになる。

本開示の目的は、優れた記録再生特性と優れた走行安定性を両立することができる磁気記録媒体およびそれを備えるカートリッジを提供することにある。

上述の課題を解決するために、第１の開示は、
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
基体上に設けられた下地層と、
下地層上に設けられた磁性粉を含む磁性層と
を備え、
磁気記録媒体の平均厚みは５．３μｍ以下であり、
磁性粉の平均粒子体積は１６００ｎｍ^３以下であり、
磁性層の表面をＡＦＭで測定し、得られた２次元表面プロファイル像の高さζ（Ｌ、Ｗ）の数値データマトリクスを用いて算出された高さ範囲ΔＨが、４．００ｎｍ≦ΔＨ≦１０．００ｎｍであり、
磁性層の表面をＡＦＭで測定し、得られた２次元表面プロファイル像の高さζ（Ｌ、Ｗ）の数値データマトリクスを用いて算出された勾配範囲ΔＡが、２．５０度≦ΔＡ≦５．００度である磁気記録媒体である。

第２の開示は、第１の開示の磁気記録媒体を備えるカートリッジである。

図１は、本開示の一実施形態に係るカートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。 図２は、カートリッジメモリの構成の一例を示すブロック図である。 図３は、磁気テープの構成の一例を示す断面図である。 図４は、データバンドおよびサーボバンドのレイアウトの一例を示す概略図である。 図５は、データバンドの構成の一例を示す拡大図である。 図６は、サーボバンドの構成の一例を示す拡大図である。 図７Ａ、図７Ｂはそれぞれ、磁性層のＴＥＭ写真の一例を示す図である。 図８Ａは、フィルター作用後の２次元表面プロファイル像の一例を示す図である。図８Ｂは、高さζ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスの一例を示す図である。 図９は、相対高さＺ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスの一例を示す図である。 図１０は、各点（Ｌ，Ｗ）における勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）、Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）を算出する方法を説明するための図である。 図１１Ａは、勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスの一例を示す図である。図１１Ｂは、勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスの一例を示す図である。 図１２Ａは、勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）の計算方法を示す図である。図１２Ｂは、勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）の計算方法を示す図である。 図１３は、相対高さＺ（Ｌ，Ｗ）と勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）のデータの統計処理を説明するための図である。 図１４は、相対高さＺ（Ｌ，Ｗ）と勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）のデータの統計処理を説明するための図である。 図１５は、相対高さＺ（Ｌ，Ｗ）と勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）と勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）のデータの統計処理を説明するための図である。 図１６は、データ個数Ｍ（Ｈ，Ａ）の数値データマトリクスから分布図を作成する手順を説明する図である。 図１７は、高さ範囲ΔＨの算出方法を説明するための図である。 図１８は、高さ範囲ΔＨの算出方法を説明するための図である。 図１９は、勾配範囲ΔＡの算出方法を説明するための図である。 図２０は、勾配範囲ΔＡの算出方法を説明するための図である。 図２１Ａ、図２１Ｂはそれぞれ、潤滑剤の染み出し量の測定方法を説明するための図である。 図２２Ａ、図２２Ｂはそれぞれ、磁性面と磁気ヘッドとの間の摩擦係数の測定方法を説明するための概略図である。 図２３は、本開示の一実施形態の変形例に係るカートリッジの構成の一例を示す分解斜視図である。 図２４は、高さ範囲ΔＨと勾配範囲ΔＡの関係を示すグラフである。

本開示の実施形態について以下の順序で説明する。
１ カートリッジの構成
２ カートリッジメモリの構成
３ 磁気テープの構成
４ 磁気テープの製造方法
５ 効果
６ 変形例

［１ カートリッジの構成］
図１は、カートリッジ１０の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１０は、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂとで構成されるカートリッジケース１２の内部に、テープ状の磁気記録媒体（以下「磁気テープ」という。）ＭＴが巻かれたリール１３と、リール１３の回転をロックするためのリールロック１４およびリールスプリング１５と、リール１３のロック状態を解除するためのスパイダ１６と、下シェル１２Ａと上シェル１２Ｂに跨ってカートリッジケース１２に設けられたテープ引出口１２Ｃを開閉するスライドドア１７と、スライドドア１７をテープ引出口１２Ｃの閉位置に付勢するドアスプリング１８と、誤消去を防止するためのライトプロテクト１９と、カートリッジメモリ１１とを備える。リール１３は、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ１３Ａとフランジ１３Ｂとにより構成される。磁気テープＭＴの一端部には、リーダーピン２０が設けられている。

カートリッジ１０は、ＬＴＯ（Linear Tape-Open）規格に準拠した磁気テープカートリッジであってもよいし、ＬＴＯ規格とは別の規格に準拠した磁気テープカートリッジであってもよい。

カートリッジメモリ１１は、カートリッジ１０の１つの角部の近傍に設けられている。カートリッジ１０が記録再生装置にロードされた状態において、カートリッジメモリ１１は、記録再生装置のリーダライタと対向するようになっている。カートリッジメモリ１１は、ＬＴＯ規格に準拠した無線通信規格で記録再生装置、具体的にはリーダライタと通信を行う。

［２ カートリッジメモリの構成］
図２は、カートリッジメモリ１１の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ１１は、規定の通信規格でリーダライタと通信を行うアンテナコイル（通信部）３１と、アンテナコイル３１により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路３２と、アンテナコイル３１により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路３３と、アンテナコイル３１により受信した電波の検波およびアンテナコイル３１により送信する信号の変調を行う検波・変調回路３４と、検波・変調回路３４から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ（制御部）３５と、情報を記憶するメモリ（記憶部）３６とを備える。また、カートリッジメモリ１１は、アンテナコイル３１に対して並列に接続されたキャパシタ３７を備え、アンテナコイル３１とキャパシタ３７により共振回路が構成される。

メモリ３６は、カートリッジ１０に関連する情報等を記憶する。メモリ３６は、不揮発性メモリ（Non Volatile Memory：ＮＶＭ）である。メモリ３６の記憶容量は、好ましくは約３２ＫＢ以上である。

メモリ３６は、第１の記憶領域３６Ａと第２の記憶領域３６Ｂとを有する。第１の記憶領域３６Ａは、例えば、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格のカートリッジメモリ（以下「従来のカートリッジメモリ」という。）の記憶領域に対応し、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報を記憶するための領域である。ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格に準拠した情報は、例えばカートリッジ１０の製造情報（例えばカートリッジ１０の固有番号等）、使用履歴（例えばテープ引出回数（Thread Count）等）等である。

第２の記憶領域３６Ｂは、従来のカートリッジメモリの記憶領域に対する拡張記憶領域に相当する。第２の記憶領域３６Ｂは、付加情報を記憶するための領域である。ここで、付加情報は、例えば、ＬＴＯ８以前のＬＴＯ規格で規定されていない、カートリッジ１０に関連する情報を意味する。付加情報の例としては、テンション調整情報、管理台帳データ、Index情報、または磁気テープＭＴに記憶された動画のサムネイル情報等が挙げられるが、これらのデータに限定されるものではない。テンション調整情報は、磁気テープＭＴの長手方向にかかるテンションを調整するための情報である。テンション調整情報は、磁気テープＭＴに対するデータ記録時における、隣接するサーボバンド間の距離（隣接するサーボバンドに記録されたサーボパターン間の距離）を含む。隣接するサーボバンド間の距離は、磁気テープＭＴの幅に関連する幅関連情報の一例である。以下の説明において、第１の記憶領域３６Ａに記憶される情報を「第１の情報」といい、第２の記憶領域３６Ｂに記憶される情報を「第２の情報」ということがある。

メモリ３６は、複数のバンクを有していてもよい。この場合、複数のバンクうちの一部のバンクにより第１の記憶領域３６Ａが構成され、残りのバンクにより第２の記憶領域３６Ｂが構成されてもよい。

アンテナコイル３１は、電磁誘導により誘起電圧を誘起する。コントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して、規定の通信規格で記録再生装置と通信を行う。具体的には例えば、相互認証、コマンドの送受信またはデータのやり取り等を行う。

コントローラ３５は、アンテナコイル３１を介して記録再生装置から受信した情報をメモリ３６に記憶する。例えば、アンテナコイル３１を介して記録再生装置から受信したテンション調整情報をメモリ３６の第２の記憶領域３６Ｂに記憶する。コントローラ３５は、記録再生装置の要求に応じて、メモリ３６から情報を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置に送信する。例えば、記録再生装置の要求に応じて、メモリ３６の第２の記憶領域３６Ｂからテンション調整情報を読み出し、アンテナコイル３１を介して記録再生装置に送信する。

［３ 磁気テープの構成］
図３は、磁気テープＭＴの構成の一例を示す断面図である。磁気テープＭＴは、長尺状の基体４１と、基体４１の一方の主面（第１の主面）上に設けられた下地層４２と、下地層４２上に設けられた磁性層４３と、基体４１の他方の主面（第２の主面）上に設けられたバック層４４とを備える。なお、下地層４２およびバック層４４は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。磁気テープＭＴは、垂直記録型の磁気記録媒体であってもよいし、長手記録型の磁気記録媒体であってもよい。

磁気テープＭＴはＬＴＯ規格に準拠するものであってもよいし、ＬＴＯ規格とは別の規格に準拠するものであってもよい。磁気テープＭＴの幅は、１／２インチであってもよいし、１／２インチよりも広くてもよい。磁気テープＭＴがＬＴＯ規格に準拠するものである場合には、磁気テープＭＴの幅は、１／２インチである。磁気テープＭＴは、走行時に磁気テープＭＴの長手方向に加わるテンションを記録再生装置（ドライブ）により調整することで、磁気テープＭＴの幅を一定またはほぼ一定に保つことが可能な構成を有していてもよい。

磁気テープＭＴは長尺状を有し、記録再生の際には長手方向に走行される。なお、磁性層４３の表面が、記録再生装置が備える磁気ヘッドが走行される表面となる。磁気テープＭＴは、記録用ヘッドとしてリング型ヘッドを備える記録再生装置で用いられることが好ましい。磁気テープＭＴは、１５００ｎｍ以下または１０００ｎｍ以下のデータトラック幅でデータを記録可能に構成された記録再生装置に用いられることが好ましい。

（基体）
基体４１は、下地層４２および磁性層４３を支持する非磁性支持体である。基体４１は、長尺のフィルム状を有する。基体４１の平均厚みの上限値は、好ましくは４．４μｍ以下、より好ましくは３．８μｍ以下、さらにより好ましくは３．４μｍ以下である。基体４１の平均厚みの上限値が４．４μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。基体４１の平均厚みの下限値は、好ましくは３μｍ以上、より好ましくは３．２μｍ以上である。基体４１の平均厚みの下限値が３μｍ以上であると、基体４１の強度低下を抑制することができる。

基体４１の平均厚みは以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴを準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。続いて、サンプルの基体４１以外の層（すなわち下地層４２、磁性層４３およびバック層４４）をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプル（基体４１）の厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、基体４１の平均厚みを算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

基体４１は、ポリエステルを含むことが好ましい。基体４１がポリエステルを含むことで、基体４１の長手方向のヤング率を低減することができる。したがって、走行時における磁気テープＭＴの長手方向のテンションを記録再生装置により調整することで、磁気テープＭＴの幅を一定またはほぼ一定に保つことができる。

ポリエステルは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）、ポリシクロヘキシレンジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）、ポリエチレン－ｐ－オキシベンゾエート（ＰＥＢ）およびポリエチレンビスフェノキシカルボキシレートのうちの少なくとも１種を含む。基体４１が２種以上のポリエステルを含む場合、それらの２種以上のポリエステルは混合されていてもよいし、共重合されていてもよいし、積層されていてもよい。ポリエステルの末端および側鎖の少なくとも一方が変性されていてもよい。

基体４１にポリエステルが含まれていることは、例えば、次のようにして確認される。まず、基体４１の平均厚みの測定方法と同様にして、サンプルの基体４１以外の層を除去する。次に、赤外吸収分光法（Infrared Absorption Spectrometry：ＩＲ）によりサンプル（基体４１）のＩＲスペクトルを取得する。このＩＲスペクトルに基づき、基体４１にポリエステルが含まれていることを確認することができる。

基体４１は、ポリエステル以外に、例えば、ポリアミド、ポリイミドおよびポリアミドイミドのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよいし、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリオレフィン類、セルロース誘導体、ビニル系樹脂、およびその他の高分子樹脂のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ポリアミドは、芳香族ポリアミド（アラミド）であってもよい。ポリイミドは、芳香族ポリイミドであってもよい。ポリアミドイミドは、芳香族ポリアミドイミドであってもよい。

基体４１が、ポリエステル以外の高分子樹脂を含む場合、基体４１はポリエステルを主成分とすることが好ましい。ここで、主成分とは、基体４１に含まれる高分子樹脂のうち、最も含有量（質量比率）が多い成分を意味する。基体４１がポリエステル以外の高分子樹脂を含む場合、ポリエステルと、ポリエステル以外の高分子樹脂は、混合されていてもよいし、共重合されていてもよい。

基体４１は、長手方向および幅方向に二軸延伸されていてもよい。基体４１に含まれる高分子樹脂は、基体４１の幅方向に対して斜め方向に配向されていることが好ましい。

（磁性層）
磁性層４３は、信号を磁化パターンにより記録するための記録層である。磁性層４３は、垂直記録型の記録層であってもよいし、長手記録型の記録層であってもよい。磁性層４３は、例えば、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む。磁性層４３が、必要に応じて、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。磁性層４３は、凹凸形状を有する表面を有する。磁性層４３の表面には、複数の凹部（図示せず）が設けられていてもよい。

磁性層４３は、図４に示すように、複数のサーボバンドＳＢと複数のデータバンドＤＢとを予め有していてもよい。複数のサーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの幅方向に等間隔で設けられている。隣り合うサーボバンドＳＢの間には、データバンドＤＢが設けられている。サーボバンドＳＢは、データの記録または再生時に磁気ヘッド（具体的にはサーボリードヘッド５６Ａ、５６Ｂ）をガイドするためのものである。サーボバンドＳＢには、磁気ヘッドのトラッキング制御をするためのサーボパターン（サーボ信号）が予め書き込まれている。データバンドＤＢには、ユーザデータが記録される。

磁性層４３の表面の面積Ｓに対する複数のサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの割合Ｒ_Ｓ（＝（Ｓ_ＳＢ／Ｓ）×１００）の上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは４．０％以下、より好ましくは３．０％以下、さらにより好ましくは２．０％以下である。一方、磁性層４３の表面の面積Ｓに対する複数のサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの割合Ｒ_Ｓの下限値は、５以上のサーボバンドＳＢを確保する観点から、好ましくは０．８％以上である。

磁性層４３の表面全体の面積Ｓに対する複数のサーボバンドＳＢの総面積Ｓ_ＳＢの比率Ｒ_Ｓは、以下のようにして求められる。磁気テープＭＴを、フェリコロイド現像液（株式会社シグマハイケミカル製、シグマーカーＱ）を用いて現像し、その後、現像した磁気テープＭＴを光学顕微鏡で観察し、サーボバンド幅Ｗ_ＳＢおよびサーボバンドＳＢの本数を測定する。次に、以下の式から割合Ｒ_Ｓを求める。
割合Ｒ_Ｓ［％］＝（（（サーボバンド幅Ｗ_ＳＢ）×（サーボバンドＳＢの本数））／（磁気テープＭＴの幅））×１００

サーボバンドＳＢの本数は、例えば、５＋４ｎ（但し、ｎは０以上の整数である。）以上である。サーボバンドＳＢの本数は、好ましくは５以上、より好ましくは９以上である。サーボバンドＳＢの本数が５以上であると、磁気テープＭＴの幅方向の寸法変化によるサーボ信号への影響を抑制し、よりオフトラックが少ない安定した記録再生特性を確保できる。サーボバンドＳＢの本数の上限値は特に限定されるものではないが、例えば３３以下である。

サーボバンドＳＢの本数は、上記の比率Ｒ_Ｓの算出方法と同様にして求められる。

サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの上限値は、高記録容量を確保する観点から、好ましくは９５μｍ以下、より好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは３０μｍ以下である。サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの下限値は、好ましくは１０μｍ以上である。１０μｍ未満のサーボバンド幅Ｗ_ＳＢのサーボ信号を読み取り可能な磁気ヘッドは製造が困難である。

サーボバンド幅Ｗ_ＳＢの幅は、上記の比率Ｒ_Ｓの算出方法と同様にして求められる。

磁性層４３は、図５に示すように、データバンドＤＢに複数のデータトラックＴｋを形成可能に構成されている。データトラック幅Ｗの上限値は、トラック記録密度を向上し、高記録容量を確保する観点から、好ましくは２０００ｎｍ以下、より好ましくは１５００ｎｍ以下、さらにより好ましくは１０００ｎｍ以下である。データトラック幅Ｗの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。

磁性層４３は、高記録容量を確保する観点から、磁化反転間距離の最小値Ｌが好ましくは４８ｎｍ以下、より好ましくは４４ｎｍ以下、さらにより好ましくは４０ｎｍ以下となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌの下限値は、磁性粒子サイズを考慮すると、好ましくは２０ｎｍ以上である。

磁性層４３は、磁化反転間距離の最小値Ｌとデータトラック幅Ｗが好ましくはＷ／Ｌ≦３５、より好ましくはＷ／Ｌ≦３０、さらにより好もしくはＷ／Ｌ≦２５となるように、データを記録可能に構成されている。磁化反転間距離の最小値Ｌが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞３５であると（すなわちトラック幅Ｗが大きいと）、トラック記録密度が上がらないため、記録容量を十分に確保できなくなる虞がある。また、トラック幅Ｗが一定値であり、磁化反転間距離の最小値Ｌとトラック幅ＷがＷ／Ｌ＞３５であると（すなわち磁化反転間距離の最小値Ｌが小さいと）、ビット長さが小さくなり、線記録密度が上がるが、スペーシングロスの影響により、電磁変換特性が著しく悪化してしまう虞がある。したがって、記録容量を確保しながら、電磁変換特性の悪化を抑制するためには、上記のようにＷ／ＬがＷ／Ｌ≦３５の範囲にあることが好ましい。Ｗ／Ｌの下限値は特に限定されるものではないが、例えば１≦Ｗ／Ｌである。

データトラック幅Ｗは以下のようにして求められる。データが全面に記録された磁気テープＭＴを準備し、その磁性層４３のデータバンドＤＢ部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は１０μｍ×１０μｍとし、当該１０μｍ×１０μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの１０μｍ×１０μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られた３つのＭＦＭ像から、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて、トラック幅を１０ヶ所測定し平均値（単純平均である）をとる。当該平均値が、データトラック幅Ｗである。なお、上記ＭＦＭの測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ－２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

磁化反転間距離の最小値Ｌは以下のようにして求められる。データが全面に記録された磁気テープＭＴを準備し、その磁性層４３のデータバンドＤＢ部分のデータ記録パターンを磁気力顕微鏡（Magnetic Force Microscope：ＭＦＭ）を用いて観察し、ＭＦＭ像を得る。ＭＦＭとしてはDigital Instruments社製Dimension3100とその解析ソフトが用いられる。当該ＭＦＭ像の測定領域は２μｍ×２μｍとし、当該２μｍ×２μｍの測定領域は５１２×５１２（＝２６２，１４４）個の測定点に分割される。場所の異なる３つの２μｍ×２μｍ測定領域についてＭＦＭによる測定が行われ、すなわち３つのＭＦＭ像が得られる。得られたＭＦＭ像の記録パターンの二次元の凹凸チャートからビット間距離を５０個測定する。当該ビット間距離の測定は、Dimension3100に付属の解析ソフトを用いて行われる。測定された５０個のビット間距離のおよそ最大公約数となる値を磁化反転間距離の最小値Ｌとする。なお、測定条件は掃引速度：１Ｈｚ、使用チップ：ＭＦＭＲ－２０、リフトハイト：２０ｎｍ、補正：Flatten order 3である。

サーボパターンは、磁化領域であって、磁気テープ製造時にサーボライトヘッドにより磁性層４３の特定の領域を特定方向に磁化することによって形成される。サーボバンドＳＢのうち、サーボパターンが形成されていない領域（以下「非パターン領域」という。）は、磁性層４３が磁化された磁化領域であってもよいし、磁性層４３が磁化されていない非磁化領域であってもよい。非パターン領域が磁化領域である場合、サーボパターン形成領域と非パターン領域とは、異なる方向（例えば逆方向）に磁化されている。

ＬＴＯ規格では、サーボバンドＳＢには、図６に示すように、磁気テープＭＴの幅方向に対して傾斜した複数のサーボストライプ（線状の磁化領域）１１３からなるサーボパターンが形成されている。

サーボバンドＳＢは、複数のサーボフレーム１１０を含んでいる。各サーボフレーム１１０は、１８本のサーボストライプ１１３から構成されている。具体的には、各サーボフレーム１１０は、サーボサブフレーム１（１１１）およびサーボサブフレーム２（１１２）から構成される。

サーボサブフレーム１（１１１）は、Ａバースト１１１ＡおよびＢバースト１１１Ｂから構成される。Ｂバースト１１１Ｂは、Ａバースト１１１Ａに隣接して配置されている。Ａバースト１１１Ａは、磁気テープＭＴの幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された５本のサーボストライプ１１３を備えている。図６中では、これらの５本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴ（End Of Tape）からＢＯＴ（Beginning Of Tape）に向って符号Ａ_１、Ａ_２、Ａ_３、Ａ_４、Ａ_５を付して示している。Ｂバースト１１１Ｂは、Ａバースト１１１Ａと同様に、磁気テープＭＴの幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された５本のサーボパルス６３を備えている。図６中では、これらの５本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｂ_１、Ｂ_２、Ｂ_３、Ｂ_４、Ｂ_５を付して示している。Ｂバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３は、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とは逆向きに傾斜している。すなわち、Ａバースト１１１Ａのサーボストライプ１１３とＢバースト１１１Ｂのサーボストライプ１１３はハの字状に配置されている。

サーボサブフレーム２（１１２）は、Ｃバースト１１２ＣおよびＤバースト１１２Ｄから構成される。Ｄバースト１１２Ｄは、Ｃバースト１１２Ｃに隣接して配置されている。Ｃバースト１１２Ｃは、テープ幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された４本のサーボストライプ１１３を備えている。図６中では、これらの４本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｃ_１、Ｃ_２、Ｃ_３、Ｃ_４を付して示している。Ｄバースト１１２Ｄは、Ｃバースト１１２Ｃと同様に、テープ幅方向に対して所定角度φで傾斜し規定間隔隔てて形成された４本のサーボパルス６３を備えている。図６中では、これらの４本のサーボストライプ１１３に磁気テープＭＴのＥＯＴからＢＯＴに向って符号Ｄ_１、Ｄ_２、Ｄ_３、Ｄ_４を付して示している。Ｄバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３は、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とは逆向きに傾斜している。すなわち、Ｃバースト１１２Ｃのサーボストライプ１１３とＤバースト１１２Ｄのサーボストライプ１１３はハの字状に配置されている。

Ａバースト１１１Ａ、Ｂバースト１１１Ｂ、Ｃバースト１１２Ｃ、Ｄバースト１１２Ｄにおけるサーボストライプ１１３の上記所定角度φは、例えば５°～２５°であり、特には１１°～２５°でありうる。

サーボバンドＳＢを磁気ヘッドで読み取りことにより、テープ速度および磁気ヘッドの縦方向の位置を取得するための情報が得られる。テープ速度は、４つのタイミング信号（Ａ１－Ｃ１、Ａ２－Ｃ２、Ａ３－Ｃ３、Ａ４－Ｃ４）間の時間から計算される。ヘッド位置は、前述の４つのタイミング信号間の時間および別の４つのタイミング信号（Ａ１－Ｂ１、Ａ２－Ｂ２、Ａ３－Ｂ３、Ａ４－Ｂ４）間の時間から計算される。

図６に示すように、サーボパターン（すなわち複数のサーボストライプ１１３）は、磁気テープＭＴの長手方向に向って直線的に配列されていることが好ましい。すなわち、サーボバンドＳＢは、磁気テープＭＴの長手方向に直線状を有していることが好ましい。

磁性層４３の平均厚みｔ_ｍの上限値は、８０ｎｍ以下、好ましくは７０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下である。磁性層４３の平均厚みｔ_ｍの上限値が８０ｎｍ以下であると、記録ヘッドとしてはリング型ヘッドを用いた場合に、反磁界の影響を軽減できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

磁性層４３の平均厚みｔ_ｍの下限値は、好ましくは３５ｎｍ以上である。磁性層４３の平均厚みｔ_ｍの下限値が３５ｎｍ以上であると、再生ヘッドとしてはＭＲ型ヘッドを用いた場合に、出力を確保できるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

磁性層４３の平均厚みｔ_ｍは、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

得られた薄片化サンプルの上記断面を、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）により、下記の条件で観察し、ＴＥＭ像を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。
装置：ＴＥＭ（日立製作所製Ｈ９０００ＮＡＲ）
加速電圧：３００ｋＶ
倍率：１００，０００倍

次に、得られたＴＥＭ像を用い、磁気テープＭＴの長手方向の少なくとも１０点以上の位置で磁性層４３の厚みを測定する。得られた測定値を単純に平均（算術平均）して得られた平均値を磁性層４３の平均厚みｔ_ｍ［ｎｍ］とする。なお、上記測定が行われる位置は、試験片から無作為に選ばれるものとする。

（磁性粉）
磁性粉は、複数の磁性粒子を含む。磁性粒子は、例えば、六方晶フェライトを含む粒子（以下「六方晶フェライト粒子」という。）、イプシロン型酸化鉄（ε酸化鉄）を含む粒子（以下「ε酸化鉄粒子」という。）またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む粒子（以下「コバルトフェライト粒子」という。）である。磁性粉は、磁気テープＭＴの垂直方向に優先的に結晶配向していることが好ましい。本明細書において、磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）とは、平面状態にある磁気テープＭＴの厚み方向を意味する。

（六方晶フェライト粒子）
六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状等の板状を有する。本明細書において、六角坂状は、ほぼ六角坂状を含むものとする。六方晶フェライトは、好ましくはＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種、より好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ｂａ以外にＳｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Ｓｒ以外にＢａ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

より具体的には、六方晶フェライトは、一般式ＭＦｅ_１２Ｏ_１９で表される平均組成を有する。但し、Ｍは、例えばＢａ、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａのうちの少なくとも１種の金属、好ましくはＢａおよびＳｒのうちの少なくとも１種の金属である。Ｍが、Ｂａと、Ｓｒ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。また、Ｍが、Ｓｒと、Ｂａ、ＰｂおよびＣａからなる群より選ばれる１種以上の金属との組み合わせであってもよい。上記一般式においてＦｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。

磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは３０ｎｍ以下、より好ましくは１２ｎｍ以上２５ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下、特に好ましくは１５ｎｍ以上２０ｎｍ以下、最も好ましくは１５ｎｍ以上１８ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが３０ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴにおいて、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが１２ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、例えば、１．０以上３．０以下であってもよい。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。また、磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上２．５以下、より好ましくは１．０以上２．１以下、さらにより好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上２．５以下の範囲内であると、磁性粉の凝集をさらに抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗をさらに抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性をさらに向上することができる。

磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、観察面の方向に側面を向けており、且つ、粒子の厚みが明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図７Ａ、図７ＢにＴＥＭ写真の一例を示す。図７Ａ、図７Ｂにおいて、例えば矢印ａおよびｄで示される粒子が、その厚みを明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの最大板厚ＤＡを測定する。このようにして求めた最大板厚ＤＡを単純に平均（算術平均）して平均最大板厚ＤＡ_ａｖｅを求める。続いて、各磁性粉の板径ＤＢを測定する。粒子の板径ＤＢを測定するために、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の板径が明らかに確認できる粒子を５０個選び出す。例えば、図７Ａ、図７Ｂにおいて、例えば矢印ｂおよびｃで示される粒子が、その板径を明らかに確認できるので、選択される。選択された５０個の粒子それぞれの板径ＤＢを測定する。このようにして求めた板径ＤＢを単純平均（算術平均）して平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。平均板径ＤＢ_ａｖｅが、平均粒子サイズである。そして、平均最大板厚ＤＡ_ａｖｅおよび平均板径ＤＢ_ａｖｅから粒子の平均アスペクト比（ＤＢ_ａｖｅ／ＤＡ_ａｖｅ）を求める。

磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５９００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上３４００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは１０００ｎｍ^３以上２５００ｎｍ^３以下、特に好ましくは１０００ｎｍ^３以上１８００ｎｍ^３以下、最も好ましくは１０００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が５９００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを３０ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを１２ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法に関して述べた通り、平均最大板厚ＤＡ_ａｖｅおよび平均板径ＤＢ_ａｖｅを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。

（ε酸化鉄粒子）
ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子は、球状を有しているか、または立方体状を有している。本明細書において、球状は、ほぼ球状を含むものとする。また、立方体状には、ほぼ立方体状を含むものとする。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気テープＭＴの厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

ε酸化鉄粒子は、コアシェル型構造を有する。具体的には、ε酸化鉄粒子は、コア部と、このコア部の周囲に設けられた２層構造のシェル部とを備える。２層構造のシェル部は、コア部上に設けられた第１シェル部と、第１シェル部上に設けられた第２シェル部とを備える。

コア部は、ε酸化鉄を含む。コア部に含まれるε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２Ｏ_３結晶を主相とするものが好ましく、単相のε－Ｆｅ_２Ｏ_３からなるものがより好ましい。

第１シェル部は、コア部の周囲のうちの少なくとも一部を覆っている。具体的には、第１シェル部は、コア部の周囲を部分的に覆っていてもよいし、コア部の周囲全体を覆っていてもよい。コア部と第１シェル部の交換結合を十分なものとし、磁気特性を向上する観点からすると、コア部の表面全体を覆っていることが好ましい。

第１シェル部は、いわゆる軟磁性層であり、例えば、α－Ｆｅ、Ｎｉ－Ｆｅ合金またはＦｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金等の軟磁性体を含む。α－Ｆｅは、コア部に含まれるε酸化鉄を還元することにより得られるものであってもよい。

第２シェル部は、酸化防止層としての酸化被膜である。第２シェル部は、α酸化鉄、酸化アルミニウムまたは酸化ケイ素を含む。α酸化鉄は、例えばＦｅ_３Ｏ_４、Ｆｅ_２Ｏ_３およびＦｅＯのうちの少なくとも１種の酸化鉄を含む。第１シェル部がα－Ｆｅ（軟磁性体）を含む場合には、α酸化鉄は、第１シェル部に含まれるα－Ｆｅを酸化することにより得られるものであってもよい。

ε酸化鉄粒子が、上述のように第１シェル部を有することで、熱安定性を確保するためにコア部単体の保磁力Ｈｃを大きな値に保ちつつ、ε酸化鉄粒子（コアシェル粒子）全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できる。また、ε酸化鉄粒子が、上述のように第２シェル部を有することで、磁気テープＭＴの製造工程およびその工程前において、ε酸化鉄粒子が空気中に暴露されて、粒子表面に錆び等が発生することにより、ε酸化鉄粒子の特性が低下することを抑制することができる。したがって、磁気テープＭＴの特性劣化を抑制することができる。

ε酸化鉄粒子が単層構造のシェル部を有していてもよい。この場合、シェル部は、第１シェル部と同様の構成を有する。但し、ε酸化鉄粒子の特性劣化を抑制する観点からすると、上述したように、ε酸化鉄粒子が２層構造のシェル部を有していることが好ましい。

ε酸化鉄粒子が、上記コアシェル構造に代えて添加剤を含んでいてもよいし、コアシェル構造を有すると共に添加剤を含んでいてもよい。この場合、ε酸化鉄粒子のＦｅの一部が添加剤で置換される。ε酸化鉄粒子が添加剤を含むことによっても、ε酸化鉄粒子全体としての保磁力Ｈｃを記録に適した保磁力Ｈｃに調整できるため、記録容易性を向上することができる。添加剤は、鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。

具体的には、添加剤を含むε酸化鉄は、ε－Ｆｅ_２－ｘＭ_ｘＯ_３結晶（但し、Ｍは鉄以外の金属元素、好ましくは３価の金属元素、より好ましくはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうちの少なくとも１種、さらにより好ましくはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１種である。ｘは、例えば０＜ｘ＜１である。）である。

磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、例えば２２．５ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズ（平均最大粒子サイズ）は、好ましくは２２ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２２ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２ｎｍ以上２２ｎｍ以下、特に好ましくは１２ｎｍ以上１５ｎｍ以下、最も好ましくは１２ｎｍ以上１４ｎｍ以下である。磁気テープＭＴでは、記録波長の１／２のサイズの領域が実際の磁化領域となる。このため、磁性粉の平均粒子サイズを最短記録波長の半分以下に設定することで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子サイズが２２ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴ（例えば４４ｎｍ以下の最短記録波長で信号を記録可能に構成された磁気テープＭＴ）において、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。

磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。

磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズおよび平均アスペクト比は、以下のようにして求められる。まず、測定対象となる磁気テープＭＴをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護層としてカーボン層およびタングステン層を形成する。当該カーボン層は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン層は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿うかたちで行って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

得られた薄片サンプルの上記断面を、透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を撮影する。次に、撮影したＴＥＭ写真から、粒子の形状を明らかに確認することができる５０個の粒子を選び出し、各粒子の長軸長ＤＬと短軸長ＤＳを測定する。ここで、長軸長ＤＬとは、各粒子の輪郭に接するように、あらゆる角度から引いた２本の平行線間の距離のうち最大のもの（いわゆる最大フェレ径）を意味する。一方、短軸長ＤＳとは、粒子の長軸（ＤＬ）と直交する方向における粒子の長さのうち最大のものを意味する。続いて、測定した５０個の粒子の長軸長ＤＬを単純に平均（算術平均）して平均長軸長ＤＬ_aveを求める。このようにして求めた平均長軸長ＤＬ_aveを磁性粉の平均粒子サイズとする。また、測定した５０個の粒子の短軸長ＤＳを単純に平均（算術平均）して平均短軸長ＤＳ_aveを求める。そして、平均長軸長ＤＬ_aveおよび平均短軸長ＤＳ_aveから粒子の平均アスペクト比（ＤＬ_ave／ＤＳ_ave）を求める。

磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは５６００ｎｍ^３以下、より好ましくは２５０ｎｍ^３以上３３００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは９００ｎｍ^３以上２５００ｎｍ^３以下、特に好ましくは９００ｎｍ^３以上１８００ｎｍ^３以下、最も好ましくは９００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下である。一般的に磁気テープＭＴのノイズは粒子個数の平方根に反比例（すなわち粒子体積の平方根に比例）するため、粒子体積をより小さくすることで、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。したがって、磁性粉の平均粒子体積が５６００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２２ｎｍ以下とする場合と同様に、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子体積が２５０ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。

ε酸化鉄粒子が球状を有している場合には、磁性粉の平均粒子体積は以下のようにして求められる。まず、上記の磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様にして、平均長軸長ＤＬ_aveを求める。次に、以下の式により、磁性粉の平均体積Ｖを求める。
Ｖ＝（π/６）×ＤＬ_ave ³

ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合、磁性粉の平均体積は以下のようにして求められる。磁気テープＭＴをＦＩＢ（Focused Ion Beam）法等により加工して薄片化を行う。ＦＩＢ法を使用する場合には、後述の断面のＴＥＭ像を観察する前処理として、保護膜としてカーボン膜およびタングステン薄膜を形成する。当該カーボン膜は蒸着法により磁気テープＭＴの磁性層４３側の表面およびバック層４４側の表面に形成され、そして、当該タングステン薄膜は蒸着法またはスパッタリング法により磁性層４３側の表面にさらに形成される。当該薄片化は磁気テープＭＴの長さ方向（長手方向）に沿って行われる。すなわち、当該薄片化によって、磁気テープＭＴの長手方向および厚み方向の両方に平行な断面が形成される。

得られた薄片サンプルを透過電子顕微鏡（日立ハイテクノロジーズ社製 H-9500）を用いて、加速電圧：200kV、総合倍率500,000倍で磁性層４３の厚み方向に対して磁性層４３全体が含まれるように断面観察を行い、ＴＥＭ写真を得る。なお、装置の種類に応じて、倍率および加速電圧は適宜調整されてよい。次に、撮影したＴＥＭ写真から粒子の形状が明らかである５０個の粒子を選び出し、各粒子の辺の長さＤＣを測定する。続いて、測定した５０個の粒子の辺の長さＤＣを単純に平均（算術平均）して平均辺長ＤＣ_aveを求める。次に、平均辺長ＤＣ_aveを用いて以下の式から磁性粉の平均体積Ｖ_ave（粒子体積）を求める。
Ｖ_ave＝ＤＣ_ave ³

（コバルトフェライト粒子）
コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子が一軸結晶異方性を有することで、磁性粉を磁気テープＭＴの垂直方向に優先的に結晶配向させることができる。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状を有している。本明細書において、立方体状は、ほぼ立方体状を含むものとする。Ｃｏ含有スピネルフェライトが、Ｃｏ以外にＮｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。

Ｃｏ含有スピネルフェライトは、例えば以下の式で表される平均組成を有する。
Ｃｏ_ｘＭ_ｙＦｅ_２Ｏ_Ｚ
（但し、式中、Ｍは、例えば、Ｎｉ、Ｍｎ、Ａｌ、ＣｕおよびＺｎのうちの少なくとも１種の金属である。ｘは、０．４≦ｘ≦１．０の範囲内の値である。ｙは、０≦ｙ≦０．３の範囲内の値である。但し、ｘ、ｙは（ｘ＋ｙ）≦１．０の関係を満たす。ｚは３≦ｚ≦４の範囲内の値である。Ｆｅの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。）

磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは２５ｎｍ以下、より好ましくは８ｎｍ以上２３ｎｍ以下、さらにより好ましくは８ｎｍ以上１２ｎｍ以下、特に好ましくは８ｎｍ以上１１ｎｍ以下である。磁性粉の平均粒子サイズが２５ｎｍ以下であると、高記録密度の磁気テープＭＴにおいて、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。一方、磁性粉の平均粒子サイズが８ｎｍ以上であると、磁性粉の分散性がより向上し、さらに優れた電磁変換特性（例えばＳＮＲ）を得ることができる。磁性粉の平均粒子サイズの算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均粒子サイズの算出方法と同様である。

磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比が、好ましくは１．０以上３．０以下、より好ましくは１．０以上２．５以下、さらにより好ましくは１．０以上２．１以下、特に好ましくは１．０以上１．８以下である。磁性粉の平均アスペクト比が１．０以上３．０以下の範囲内であると、磁性粉の凝集を抑制することができる。また、磁性層４３の形成工程において磁性粉を垂直配向させる際に、磁性粉に加わる抵抗を抑制することができる。したがって、磁性粉の垂直配向性を向上することができる。磁性粉の平均アスペクト比の算出方法は、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合における磁性粉の平均アスペクト比の算出方法と同様である。

磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、好ましくは１５０００ｎｍ^３以下、より好ましくは５００ｎｍ^３以上３５００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは５００ｎｍ^３以上２５００ｎｍ^３以下、特に好ましくは５００ｎｍ^３以上１８００ｎｍ^３以下、最も好ましくは５００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下である。磁性粉の平均粒子体積が１５０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の平均粒子サイズを２５ｎｍ以下とする場合と同様の効果が得られる。一方、磁性粉の平均粒子体積が５００ｎｍ^３以上であると、磁性粉の平均粒子サイズを８ｎｍ以上とする場合と同様の効果が得られる。磁性分の平均粒子体積の算出方法は、ε酸化鉄粒子が立方体状を有している場合の平均粒子体積の算出方法と同様である。

（結着剤）
結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニル－塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル－アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル－塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル－エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル－ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体（セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース）、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。

熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン樹脂、ポリアミン樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。

上記の全ての結着剤には、磁性粉の分散性を向上させる目的で、－ＳＯ_３Ｍ、－ＯＳＯ_３Ｍ、－ＣＯＯＭ、Ｐ＝Ｏ（ＯＭ）_２（但し、式中Ｍは水素原子またはリチウム、カリウム、ナトリウム等のアルカリ金属を表す）や、－ＮＲ１Ｒ２、－ＮＲ１Ｒ２Ｒ３^＋Ｘ^－で表される末端基を有する側鎖型アミン、＞ＮＲ１Ｒ２^＋Ｘ^－で表される主鎖型アミン（但し、式中Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は水素原子または炭化水素基を表し、Ｘ^－はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン元素イオン、無機イオンまたは有機イオンを表す。）、さらに－ＯＨ、－ＳＨ、－ＣＮ、エポキシ基等の極性官能基が導入されていてもよい。これら極性官能基の結着剤への導入量は、１０^－１～１０^－８モル／ｇであるのが好ましく、１０^－２～１０^－６モル／ｇであるのがより好ましい。

（潤滑剤）
潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルから選ばれる少なくとも１種、好ましくは脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含む。磁性層４３が潤滑剤を含むことが、特には磁性層４３が脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含むことが、磁気テープＭＴの走行安定性の向上に貢献する。より特には、磁性層４３が潤滑剤を含み且つ細孔を有することによって、良好な走行安定性が達成される。当該走行安定性の向上は、磁気テープＭＴの磁性層４３側表面の動摩擦係数が上記潤滑剤により、磁気テープＭＴの走行に適した値へ調整されるためと考えられる。

脂肪酸は、好ましくは下記の一般式（１）または（２）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸として下記の一般式（１）により示される化合物および一般式（２）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

また、脂肪酸エステルは、好ましくは下記一般式（３）または（４）により示される化合物であってよい。例えば、脂肪酸エステルとして下記の一般式（３）により示される化合物および一般式（４）により示される化合物の一方が含まれていてよく、または両方が含まれていてもよい。

潤滑剤が、一般式（１）に示される化合物および一般式（２）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、一般式（３）に示される化合物および一般式（４）に示される化合物のいずれか一方若しくは両方と、を含むことによって、磁気テープＭＴを繰り返しの記録または再生による動摩擦係数の増加を抑制することができる。

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_kＣＯＯＨ ・・・（１）
（但し、一般式（１）において、ｋは１４以上２２以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_nＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_mＣＯＯＨ ・・・（２）
（但し、一般式（２）において、ｎとｍとの和は１２以上２０以下の範囲、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_pＣＯＯ（ＣＨ₂）_qＣＨ₃ ・・・（３）
（但し、一般式（３）において、ｐは１４以上２２以下、より好ましくは１４以上１８以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、ｑは２以上５以下の範囲、より好ましくは２以上４以下の範囲から選ばれる整数である。）

ＣＨ₃（ＣＨ₂）_rＣＯＯ－（ＣＨ₂）_sＣＨ（ＣＨ₃）₂ ・・・（４）
（但し、一般式（４）において、ｒは１４以上２２以下の範囲から選ばれる整数であり、ｓは１以上３以下の範囲から選ばれる整数である。）

（帯電防止剤）
帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。

（研磨剤）
研磨剤としては、例えば、α化率９０％以上のα－アルミナ、β－アルミナ、γ－アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α－酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ－バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、２硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび／またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。

（硬化剤）
硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＭＤＩ）と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、１００～３０００の範囲であることが望ましい。

（防錆剤）
防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。

（非磁性補強粒子）
非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム（α、βまたはγアルミナ）、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン（ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン）等が挙げられる。

（下地層）
下地層４２は、基体４１の表面の凹凸を緩和し、磁性層４３の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層４２は、非磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む非磁性層である。下地層４２は、磁性層４３の表面に潤滑剤を供給する。下地層４２が、必要に応じて、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。

下地層４２の平均厚みは、好ましくは０．３μｍ以上２．０μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以上１．４μｍ以下である。なお、下地層４２の平均厚みは、磁性層４３の平均厚みｔ_ｍと同様にして求められる。但し、ＴＥＭ像の倍率は、下地層４２の厚みに応じて適宜調整される。下地層４２の平均厚みが２．０μｍ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。

下地層４２は、複数の孔部を有していることが好ましい。これらの複数の孔部に潤滑剤が蓄えられることで、繰り返し記録または再生を行った後にも（すなわち磁気ヘッドを磁気テープＭＴの表面に接触させて繰り返し走行を行った後にも）、磁性層４３の表面と磁気ヘッドの間に対する潤滑剤の供給量の低下をさらに抑制することができる。したがって、動摩擦係数の増加をさらに抑制することができる。すなわち、さらに優れた走行安定性を得ることができる。

（非磁性粉）
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも１種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、１種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、２種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。

（結着剤、潤滑剤）
結着剤および潤滑剤は、上述の磁性層４３と同様である。

（添加剤）
帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の磁性層４３と同様である。

（バック層）
バック層４４は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層４４が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも１種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の下地層４２と同様である。

非磁性粉の平均粒子サイズは、好ましくは１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以上１１０ｎｍ以下である。非磁性粉の平均粒子サイズは、上記の磁性粉の平均粒子サイズと同様にして求められる。非磁性粉が、２以上の粒度分布を有する非磁性粉を含んでいてもよい。

バック層４４の平均厚みの上限値は、好ましくは０．６μｍ以下である。バック層４４の平均厚みの上限値が０．６μｍ以下であると、磁気テープＭＴの平均厚みが５．６μｍ以下である場合でも、下地層４２や基体４１の厚みを厚く保つことができるので、磁気テープＭＴの記録再生装置内での走行安定性を保つことができる。バック層４４の平均厚みの下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．２μｍ以上である。

バック層４４の平均厚みｔ_ｂは以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Ｔを測定する。平均厚みｔ_Ｔの測定方法は、以下の「磁気テープの平均厚み」に記載されている通りである。続いて、サンプルのバック層４４をＭＥＫ（メチルエチルケトン）または希塩酸等の溶剤で除去する。次に、Mitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｂ［μｍ］を算出する。その後、以下の式よりバック層４４の平均厚みｔ_ｂ［μｍ］を求める。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。
ｔ_ｂ［μｍ］＝ｔ_Ｔ［μｍ］－ｔ_Ｂ［μｍ］

（磁気テープの平均厚み）
磁気テープＭＴの平均厚み（平均全厚）ｔ_Ｔの上限値が、５．３μｍ以下、好ましくは５．０μｍ以下、より好ましくは４．６μｍ以下、さらにより好ましくは４．４μｍ以下である。磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Ｔが５．３μｍ以下であると、１データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Ｔの下限値は特に限定されるものではないが、例えば３．５μｍ以上である。

磁気テープＭＴの平均厚みｔ_Ｔは以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴを準備し、それを２５０ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、測定装置としてMitutoyo社製レーザーホロゲージ（LGH-110C）を用いて、サンプルの厚みを５点以上の位置で測定し、それらの測定値を単純に平均（算術平均）して、平均値ｔ_Ｔ［μｍ］を算出する。なお、測定位置は、サンプルから無作為に選ばれるものとする。

（保磁力Ｈｃ）
磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の上限値が、好ましくは２０００Ｏｅ以下、より好ましくは１９００Ｏｅ以下、さらにより好ましくは１８００Ｏｅ以下である。磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が２０００Ｏｅ以下であると、高記録密度であっても十分な電磁変換特性を有することができる。

磁気テープＭＴの長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の下限値が、好ましくは１０００Ｏｅ以上である。磁気テープＭＴの長手方向に測定した磁性層４３の保磁力Ｈｃ２が１０００Ｏｅ以上であると、記録ヘッドからの漏れ磁束による減磁を抑制することができる。

上記の保磁力Ｈｃ２は以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴが両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、振動試料型磁力計（Vibrating Sample Magnetometer：ＶＳＭ）を用いて磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）に対応する測定サンプル（磁気テープＭＴ全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、アセトンまたはエタノール等が用いられて塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）が払拭され、基体４１のみが残される。そして、得られた基体４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）が作製される。その後、ＶＳＭを用いて基体４１の長手方向（磁気テープＭＴの長手方向）に対応する補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが測定される。

測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。

測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループから保磁力Ｈｃ２が求められる。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴの長手方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（角形比）
磁気テープＭＴの垂直方向における磁性層４３の角形比Ｓ１が、好ましくは６５％以上、より好ましくは７０％以上、さらにより好ましくは７５％以上、特に好ましくは８０％以上、最も好ましくは８５％以上である。角形比Ｓ１が６５％以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

磁気テープＭＴの垂直方向における角形比Ｓ１は以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴが両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、測定サンプルが作製される。この際に、磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）が認識できるように、磁性を持たない任意のインクでマーキングを行う。そして、ＶＳＭを用いて磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）に対応する測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループが測定される。次に、アセトンまたはエタノール等が用いられて塗膜（下地層４２、磁性層４３およびバック層４４等）が払拭され、基体４１のみが残される。そして、得られた基体４１が両面テープで３枚重ね合わされた後、φ６．３９ｍｍのパンチで打ち抜かれて、バックグラウンド補正用のサンプル（以下、単に「補正用サンプル」）とされる。その後、ＶＳＭを用いて基体４１の垂直方向（磁気テープＭＴの垂直方向）に対応する補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが測定される。

測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループ、補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループの測定においては、東英工業社製の高感度振動試料型磁力計「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」が用いられる。測定条件は、測定モード：フルループ、最大磁界：１５ｋＯｅ、磁界ステップ：４０ｂｉｔ、Time constant of Locking amp：０．３ｓｅｃ、Waiting time：１ｓｅｃ、ＭＨ平均数：２０とされる。

測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループおよび補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが得られた後、測定サンプル（磁気テープＭＴの全体）のＭ－Ｈループから補正用サンプル（基体４１）のＭ－Ｈループが差し引かれることで、バックグラウンド補正が行われ、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループが得られる。このバックグラウンド補正の計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。

得られたバックグラウンド補正後のＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）および残留磁化Ｍｒ（ｅｍｕ）が以下の式に代入されて、角形比Ｓ１（％）が計算される。なお、上記のＭ－Ｈループの測定はいずれも、２５℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴの垂直方向に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。なお、この計算には、「ＶＳＭ－Ｐ７－１５型」に付属されている測定・解析プログラムが用いられる。
角形比Ｓ１（％）＝（Ｍｒ／Ｍｓ）×１００

磁気テープＭＴの長手方向（走行方向）における磁性層４３の角形比Ｓ２が、好ましくは３５％以下、より好ましくは３０％以下、さらにより好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下、最も好ましくは１５％以下である。角形比Ｓ２が３５％以下であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

磁気テープＭＴの長手方向における角形比Ｓ２は、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴおよび基体４１の長手方向（走行方向）に測定すること以外は角形比Ｓ１と同様にして求められる。

（Ｈｃ２／Ｈｃ１）
磁気テープＭＴの垂直方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ１と、磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の比Ｈｃ２／Ｈｃ１が、好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８、より好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７５、さらにより好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．７、特に好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６５、最も好ましくはＨｃ２／Ｈｃ１≦０．６の関係を満たす。保磁力Ｈｃ１、Ｈｃ２がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８の関係を満たすことで、磁性粉の垂直配向度を高めることができる。したがって、磁化遷移幅を低減し、かつ信号再生時に高出力の信号を得ることができるので、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。なお、上述したように、Ｈｃ２が小さいと、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。

比Ｈｃ２／Ｈｃ１がＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８である場合、磁性層４３の平均厚みｔ_ｍが９０ｎｍ以下であることが特に有効である。磁性層４３の平均厚みｔ_ｍが９０ｎｍを超えると、記録ヘッドとしてリング型ヘッドを用いた場合に、磁性層４３の下部領域（下地層４２側の領域）が磁気テープＭＴの長手方向に磁化されてしまい、磁性層４３を厚み方向に均一に磁化することができなくなる虞がある。したがって、比Ｈｃ２／Ｈｃ１をＨｃ２／Ｈｃ１≦０．８としても（すなわち、磁性粉の垂直配向度を高めても）、さらに優れた電磁変換特性を得られなくなる虞がある。

Ｈｃ２／Ｈｃ１の下限値は特に限定されるものではないが、例えば０．５≦Ｈｃ２／Ｈｃ１である。なお、Ｈｃ２／Ｈｃ１は磁性粉の垂直配向度を表しており、Ｈｃ２／Ｈｃ１が小さいほど磁性粉の垂直配向度が高くなる。

磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２の算出方法は、上述した通りである。磁気テープＭＴの垂直方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ１は、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴおよび基体４１の垂直方向（厚み方向）に測定すること以外は磁気テープＭＴの長手方向における磁性層４３の保磁力Ｈｃ２と同様にして求められる。

（活性化体積Ｖ_ａｃｔ）
活性化体積Ｖ_ａｃｔが、好ましくは８０００ｎｍ^３以下、より好ましくは６０００ｎｍ^３以下、さらにより好ましくは５０００ｎｍ^３以下、特に好ましくは４０００ｎｍ^３以下、最も好ましくは３０００ｎｍ^３以下である。活性化体積Ｖ_ａｃｔが８０００ｎｍ^３以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、さらに優れた電磁変換特性が得られなくなる虞がある。

上記の活性化体積Ｖ_ａｃｔは、Ｓｔｒｅｅｔ＆Ｗｏｏｌｌｅｙにより導出された下記の式により求められる。
Ｖ_ａｃｔ（ｎｍ^３）＝ｋ_Ｂ×Ｔ×Χ_ｉｒｒ／（μ_０×Ｍｓ×Ｓ）
（但し、ｋ_Ｂ：ボルツマン定数（１．３８×１０^－２３Ｊ／Ｋ）、Ｔ：温度（Ｋ）、Χ_ｉｒｒ：非可逆磁化率、μ_０：真空の透磁率、Ｓ：磁気粘性係数、Ｍｓ：飽和磁化（ｅｍｕ／ｃｍ^３））

上記式に代入される非可逆磁化率Χ_ｉｒｒ、飽和磁化Ｍｓおよび磁気粘性係数Ｓは、ＶＳＭを用いて以下のようにして求められる。なお、ＶＳＭによる測定方向は、磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）とする。また、ＶＳＭによる測定は、長尺状の磁気テープＭＴから切り出された測定サンプルに対して２５℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨにて行われるものとする。また、Ｍ－Ｈループを磁気テープＭＴの垂直方向（厚み方向）に測定する際の“反磁界補正”は行わないものとする。

（非可逆磁化率Χ_ｉｒｒ）
非可逆磁化率Χ_ｉｒｒは、残留磁化曲線（ＤＣＤ曲線）の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近における傾きと定義される。まず、磁気テープＭＴ全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約１５．９ｋＡ／ｍ（２００Ｏｅ）の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに１５．９ｋＡ／ｍ大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしＤＣＤ曲線を測定する。得られたＤＣＤ曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Ｈｒとし、さらにＤＣＤ曲線を微分し、各磁界におけるＤＣＤ曲線の傾きを求める。このＤＣＤ曲線の傾きにおいて、残留保磁力Ｈｒ付近の傾きがΧ_ｉｒｒとなる。

（飽和磁化Ｍｓ）
まず、上記の角形比Ｓ１の測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のＭ－Ｈループを得る。次に、得られたＭ－Ｈループの飽和磁化Ｍｓ（ｅｍｕ）の値と、測定サンプル中の磁性層４３の体積（ｃｍ^３）から、Ｍｓ（ｅｍｕ／ｃｍ^３）を算出する。なお、磁性層４３の体積は測定サンプルの面積に磁性層４３の平均厚みｔ_ｍを乗ずることにより求められる。磁性層４３の体積の算出に必要な磁性層４３の平均厚みｔ_ｍの算出方法は、上述した通りである。

（磁気粘性係数Ｓ）
まず、磁気テープＭＴ（測定サンプル）全体に－１１９３ｋＡ／ｍ（１５ｋＯｅ）の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、ＤＣＤ曲線より得られた残留保磁力Ｈｒの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で１０００秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間ｔと磁化量Ｍ（ｔ）の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Ｓを算出する。
Ｍ（ｔ）＝Ｍ０＋Ｓ×ｌｎ（ｔ）
（但し、Ｍ（ｔ）：時間ｔの磁化量、Ｍ０：初期の磁化量、Ｓ：磁気粘性係数、ｌｎ（ｔ）：時間の自然対数）

（バック面の表面粗度Ｒ_ｂ）
バック面の表面粗度（バック層４４の表面粗度）Ｒ_ｂが、Ｒ_ｂ≦６．０［ｎｍ］であることが好ましい。バック面の表面粗度Ｒ_ｂが上記範囲であると、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。

バック面の表面粗度Ｒ_ｂは以下のようにして求められる。まず、１２．６５ｍｍ幅の磁気テープＭＴを準備し、それを１００ｍｍの長さに切り出し、サンプルを作製する。次に、サンプルの被測定面（磁性層側の表面）が上になるようにスライドグラスに乗せ、サンプルの端部をメンディングテープで固定する。測定装置としてVertScan（対物レンズ５０倍）を用いて表面形状を測定し、ＩＳＯ ２５１７８の規格に基づいて以下の式からバック面の表面粗度Ｒ_ｂを求める。
装置：光干渉を用いた非接触粗度計
（株式会社菱化システム製 非接触表面・層断面形状計測システム VertScan R5500GL-M100-AC）
対物レンズ：２０倍
測定領域：６４０×４８０ピクセル（視野：約２３７μｍ×１７８μｍ視野）
測定モード：ｐｈａｓｅ
波長フィルター：５２０ｎｍ
ＣＣＤ：１／３レンズ
ノイズ除去フィルター：スムージング３×３
面補正：２次多項式近似面にて補正
測定ソフトウエア：VS-Measure Version5.5.2
解析ソフトウエア：VS-viewer Version5.5.5

上述のようにして、磁気テープＭＴの長手方向で少なくとも５点以上の位置にて面粗度を測定したのち、各位置で得られた表面プロファイルから自動計算されたそれぞれの算術平均粗さＳ_ａ（ｎｍ）の平均値をバック面の表面粗度Ｒ_ｂ（ｎｍ）とする。

（磁気テープの長手方向のヤング率）
磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、好ましくは８．０ＧＰａ以下、より好ましくは７．９ＧＰａ以下、さらにより好ましくは７．５ＧＰａ以下、特に好ましくは７．１ＧＰａ以下である。磁気テープＭＴの長手方向のヤング率が８．０ＧＰａ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープＭＴに記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。

磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、外力による磁気テープＭＴの長手方向における伸縮のし難さを示す値であり、この値が大きいほど外力により磁気テープＭＴは長手方向に伸縮し難く、この値が小さいほど外力により磁気テープＭＴは長手方向に伸縮しやすい。

なお、磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、磁気テープＭＴの長手方向に関する値であるが、磁気テープＭＴの幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、磁気テープＭＴの長手方向のヤング率は、小さい方が有利である。

ヤング率の測定には引っ張り試験機（島津製作所製、AG-100D）を用いる。テープ長手方向のヤング率を測定したい場合は、テープを１８０ｍｍの長さにカットして測定サンプルを準備する。上記引っ張り試験機にテープの幅（１／２インチ）を固定できる冶具を取り付け、テープ幅の上下を固定する。距離（チャック間のテープの長さ）は１００ｍｍにする。テープサンプルをチャック後、サンプルを引っ張る方向に応力を徐々にかけていく。引っ張り速度は０．１ｍｍ／ｍｉｎとする。この時の応力の変化と伸び量から、以下の式を用いてヤング率を計算する。
Ｅ（Ｎ／ｍ^２）＝（（ΔＮ／Ｓ）／（Δｘ／Ｌ））×１０^６
ΔＮ：応力の変化（Ｎ）
Ｓ：試験片の断面積（ｍｍ^２）
Δｘ：伸び量（ｍｍ）
Ｌ：つかみ治具間距離（ｍｍ）
応力の範囲としては０．５Ｎから１．０Ｎとし、この時の応力変化（ΔＮ）と伸び量（Δｘ）を計算に使用する。なお、上記ヤング率の測定は、２５℃、５０％ＲＨ±５％ＲＨの環境下で行われる。

（基体の長手方向のヤング率）
基体４１の長手方向のヤング率は、好ましくは７．５ＧＰａ以下、より好ましくは７．４ＧＰａ以下、さらにより好ましくは７．０ＧＰａ以下、特に好ましくは６．６ＧＰａ以下である。基体４１の長手方向のヤング率が７．５ＧＰａ以下であると、外力による磁気テープＭＴの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープＭＴの幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープＭＴに記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。

上記の基体４１の長手方向のヤング率は、次のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴから下地層４２、磁性層４３およびバック層４４を除去し、基体４１を得る。この基体４１を用いて、上記の磁気テープＭＴの長手方向のヤング率と同様の手順で基体４１の長手方向のヤング率を求める。

基体４１の厚さは、磁気テープＭＴの全体の厚さの半分以上を占めている。したがって、基体４１の長手方向のヤング率は、外力による磁気テープＭＴの伸縮し難さと相関があり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。

なお、基体４１の長手方向のヤング率は、磁気テープＭＴの長手方向に関する値であるが、磁気テープＭＴの幅方向の伸縮のし難さとも相関がある。つまり、この値が大きいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮し難く、この値が小さいほど磁気テープＭＴは外力により幅方向に伸縮しやすい。したがって、テンション調整の観点から、基体４１の長手方向のヤング率は、小さい方が有利である。

（高さ範囲ΔＨ、勾配範囲ΔＡ）
磁性層４３の表面における凹凸形状の高さの統計情報（分布）から求められた高さ範囲ΔＨ（図１６参照）が、４．００ｎｍ≦ΔＨ≦１０．００ｎｍ、好ましくは４．００ｎｍ≦ΔＨ≦８．５０ｎｍである。高さ範囲ΔＨがΔＨ＜４．００ｎｍであると、磁気ヘッドが磁気テープＭＴに張り付くため、磁気テープＭＴの走行が困難になる。一方、高さ範囲ΔＨが１０．００ｎｍ＜ΔＨであると、スペーシングロスにより電磁変換特性（例えばＳＮＲ）が低下する。

磁性層４３の表面における凹凸形状の勾配の統計情報（分布）から求められた勾配範囲ΔＡ（図１６参照）が、２．５０度≦ΔＡ、好ましくは２．５０度≦ΔＡ≦５．００度である。勾配範囲ΔＡがΔＡ＜２．５０度であると、相対摩擦が上昇するため、磁気テープＭＴの走行安定性が低下する。一方、勾配範囲ΔＡが５．００度＜ΔＡであると、磁性層４３の表面の突部の勾配が急峻になりすぎ、磁気テープＭＴの走行時に突部が削れるため、粉落ちする。

高さ範囲ΔＨおよび勾配範囲ΔＡの算出方法について以下の順序で説明する。
（１）表面プロファイル計測（ＡＦＭ）
（２）各点における相対高さの算出
（３）各点における勾配の算出
（４）高さ、勾配のデータの統計処理
（５）高さ範囲ΔＨの算出
（６）勾配範囲ΔＡの算出

（１）表面プロファイル計測（ＡＦＭ）
磁気テープＭＴの磁性層４３の表面（磁性面）の２次元表面プロファイルを測定することにより、フィルター作用後の２次元表面プロファイル像から高さζ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスを得る。なお、測定条件は以下のとおりである。
・測定装置:AFM(装置名:Digital Instruments 社製 Nanoscope Dimension 3100）
・測定範囲:40μｍ×40μｍ
・測定ポイント数:512 points×512 points
・スキャンレート:1Hz
・フィルター条件:[Flatten] order 2
[Plane Fit] order 3, XY

図８Ａは、フィルター作用後の２次元表面プロファイル像の一例を示す図である。図８Ｂは、各点（Ｌ，Ｗ）における高さζ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスの一例を示す図である。座標Ｌは、磁気テープＭＴの長手方向における座標を示し、座標Ｗは、磁気テープＭＴの幅方向における座標を示す。数値データマトリクスの各セル内には、各点（Ｌ，Ｗ）における高さζ（Ｌ，Ｗ）が記載されている。図８Ｂに示す例では、例えば測定点（１，３）における高さζ（１，３）は“０．５０”となっている。数値データ（すなわち高さζ（Ｌ，Ｗ））の数は、全部で５１２×５１２＝２６２，１４４個である。

（２）各点における相対高さの算出
高さζ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスから、各点（Ｌ，Ｗ）における相対高さＺ（Ｌ，Ｗ）（以下単に「高さＺ（Ｌ，Ｗ）」という。）を算出し、高さＺ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスを得る。各点（Ｌ，Ｗ）における高さＺ（Ｌ，Ｗ）は、具体的には、以下のようにして求められる。すなわち、全ての高さζ（Ｌ，Ｗ）を単純に平均（算術平均）して平均値を求め、平均中心高さζ_aveとする。そして、各点（Ｌ，Ｗ）における高さζ（Ｌ，Ｗ）を、平均中心高さζ_aveを基準とする相対的な高さに換算し、各点（Ｌ，Ｗ）における高さＺ（Ｌ，Ｗ）を得る。高さＺ（Ｌ，Ｗ）の算出方法を式で表すと、以下のとおりである。図９は、高さＺ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスの一例を示す図である。

（３）各点における勾配の算出
図１０は、各点（Ｌ，Ｗ）における勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）、Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）を算出する方法を説明するための図である。ここで、勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）は、磁気テープＭＴの長手方向における勾配を示し、勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）は、磁気テープＭＴの幅方向における勾配を示す。

高さζ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスから、各点（Ｌ，Ｗ）において２方向の勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）、Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）を算出することにより、勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）、Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）それぞれの数値データマトリクスを得る。図１１Ａは、勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスの一例を示す図である。図１１Ｂは、勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスの一例を示す図である。

勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）は、以下のようにして算出される。勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）は、或る点（Ｌ，Ｗ）における高さζ（Ｌ，Ｗ）と、その点（Ｌ，Ｗ）と磁気テープＭＴの長手方向に隣接する点（Ｌ＋１，Ｗ）における高さζ（Ｌ＋１，Ｗ）を用いて算出される。図１０に示すように、例えば勾配Ｇ_Ｌ（２，２）は、点（２，２）の高さζ（２，２）（＝０．３０）と点（３，２）の高さζ（３，２）（＝０．１０）を用いて算出される。

勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）は、以下のようにして算出される。勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）は、或る点（Ｌ，Ｗ）における高さζ（Ｌ，Ｗ）と、その点（Ｌ，Ｗ）と磁気テープＭＴの幅方向に隣接する点（Ｌ，Ｗ＋１）における高さζ（Ｌ，Ｗ＋１）を用いて算出される。図１０に示すように、例えば勾配Ｇ_Ｗ（２，２）は、点（２，２）の高さζ（２，２）（＝０．３０）と点（２，３）の高さζ（２，３）（＝０．１０）を用いて算出される。

上述のように、各点（Ｌ，Ｗ）におけるＧ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）の算出に際し使用される“隣接点”は、点（Ｌ＋１，Ｗ）である。逆方向の隣接点、すなわち点（Ｌ－１，Ｗ）を使用してはいけない。同様に、各点（Ｌ，Ｗ）におけるＧ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）の算出に際し使用される“隣接点”は、点（Ｌ，Ｗ＋１）である。逆方向の隣接点、すなわち点（Ｌ，Ｗ－１）を使用してはいけない。

図１０に示すように、数値データマトリクスのＬ＝５１２（すなわち図１０中の最右列）の各点（５１２，Ｗ）では、勾配Ｇ_Ｌ（５１２，Ｗ）を算出することができない。このため、図１１Ａに示すように、勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスでは、Ｌ＝５１２の各点（５１２，Ｗ）は、値を持たない。一方、図１０に示すように、数値データマトリクスのＷ＝５１２（すなわち図１０中の最下行）の各点（Ｌ，５１２）では、勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，５１２）を算出することができない。このため、図１１Ｂに示すように、勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスでは、Ｗ＝５１２の各点（Ｌ，５１２）は、値を持たない。

但し、図１０に示すように、数値データマトリクスのＬ＝５１２，Ｗ＝５１２（最右下列、かつ、最下行）の点（Ｌ，Ｗ）では、勾配Ｇ_Ｌ（５１２，５１２）および勾配Ｇ_Ｗ（５１２，５１２）何れも算出できないため、点（５１２，５１２）は、勾配Ｇ_Ｌ（５１２，５１２）および勾配Ｇ_Ｗ（５１２，５１２）の何れの勾配も持たないことになる。

図１２Ａは、勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）の計算方法を示す図である。図１２Ｂは、勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）の計算方法を示す図である。勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）、Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）の計算方法を式で表すと、以下のとおりである。

（４）高さ、勾配のデータの統計処理
図１３、図１４、図１５は、高さＺ（Ｌ，Ｗ）と勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）と勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）のデータの統計処理を説明するための図である。
上述のようにして得られた高さＺ（Ｌ，Ｗ）と勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスを整理し、高さＺ（Ｌ，Ｗ）と勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）の関係を示す表（図１３参照）を作成する。但し、勾配Ｇ_Ｌ（５１２，Ｗ）は存在しないため、作成された表中のデータ総数は、５１１×５１２＝２６１，６３２個である。

また、高さＺ（Ｌ，Ｗ）と勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）の数値データマトリクスを整理し、高さＺ（Ｌ，Ｗ）と勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）の関係を示す表（図１４参照）を作成する。但し、Ｇ_Ｗ（Ｌ，５１２）は存在しないため、作成された表中のデータ総数は、５１２×５１１＝２６１，６３２個である。

作成された２つの表の全てのデータ(すなわち５２３，２６４個＝２６１，６３２＋２６１，６３２）を集計し、図１５に示すように、データ個数Ｍ（Ｈ，Ａ）の数値データマトリクスを作成する。データ個数Ｍ（Ｈ，Ａ）の数値データマトリクスの各セルの数値を全て足すと、総データ数である５２３，２６４となる。

図１５では、データ個数Ｍ（Ｈ，Ａ）の数値データマトリクスの列に並んで、高さＺ（Ｌ，Ｗ）の範囲とその代表値Ｈが記載されている。また、データ個数Ｍ（Ｈ，Ａ）の数値データマトリクスの行に並んで、勾配Ｇ（Ｌ，Ｗ）の範囲とその代表値Ａが記載されている。なお、勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）と勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）を特に区別しない場合には、勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）と勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）を総称して勾配Ｇ（Ｌ，Ｗ）という。

データ個数Ｍ（Ｈ，Ａ）の数値データマトリクスの各セルの数値（図１５参照）は、規定の高さＺ（Ｌ，Ｗ）の範囲に該当し、かつ、規定の勾配Ｇ（Ｌ，Ｗ）（具体的には勾配Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）または勾配Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ））の範囲に該当するデータ個数Ｍ（Ｈ，Ａ）を表す。例えば、Ｚ（Ｌ，Ｗ）ｖｓ．Ｇ_Ｌ（Ｌ，Ｗ）の表の１行目のデータは、Ｍ（Ｈ，Ａ）中の（Ｈ，Ａ）＝（０．０，０．００）セルにカウントされる。また、Ｚ（Ｌ，Ｗ）ｖｓ．Ｇ_Ｗ（Ｌ，Ｗ）の表の２６１６３０番目のデータは、Ｍ（Ｈ，Ａ）中の（Ｈ，Ａ）＝（－０．５，０．００）セルにカウントされる。

上述のようにして得られた数値データマトリクスＭ（Ｈ，Ａ）（図１５参照）を横軸Ａ、縦軸Ｈの分布図として描くと、図１６のようになる。

（５）高さ範囲ΔＨの算出
図１７、図１８は、高さ範囲ΔＨの算出方法を説明するための図である。高さ範囲ΔＨの算出の際には、データ個数Ｍ（Ｈ，Ａ）の数値データマトリクスのうち、０≦Ｈ、０．００≦Ａ≦１．２０の範囲の成分（セル）のみが用いられる。高さＨに関しては０≦Ｈの範囲の成分のみが用いられるのは、磁性面の凸部のみを考慮するためである。すなわち、磁性面の凹部は、電磁変換特性や摩擦に影響しないと考えられるためである。一方、勾配Ａに関しては０．００≦Ａ≦１．２０の範囲の成分のみが用いられるのは、この範囲さえ演算に用いれば、分布（図１６参照）の大凡の輪郭を規定するのに十分であると考えられるためである。

図１７に示すように、データ個数Ｍ（Ｈ，Ａ）の数値データマトリクスの各行（高さＨ）における平均値をＭ_ave（Ｈ）とし、平均値Ｍ_ave（０）から平均値Ｍ_ave（４０．０）へ向けて、順番に計算して行く。但し、平均値Ｍ_ave（Ｈ）の算出には、列（角度Ａ）は、０．００≦Ａ≦１．２０の範囲の列（角度Ａ）の成分のみが用いられる。

平均値Ｍ_ave（Ｈ）が閾値（但し、閾値は“３”に設定される。）を初めて下回った際の高さＨを高さＨ_highとし、その際の平均値Ｍ_ave（Ｈ）を平均値Ｍ_ave（Ｈ_high）とする。さらに、その一つ前の高さＨを高さＨ_lowとし、その際の平均値Ｍ_ave（Ｈ）を平均値Ｍ_ave（Ｈ_low）とする。閾値を“1”や“2”に設定すると再現性が悪くなる。すなわち、偶然の要素が大きく影響する。したがって、再現性を確保できる最も少ない頻度である“３”を閾値とする。

図１７の例では、高さＨ_high、平均値Ｍ_ave（Ｈ_high）、高さＨ_low、平均値Ｍ_ave（Ｈ_low）は、以下のとおりである。
Ｈ_high＝１１．５、Ｍ_ave（Ｈ_high）＝２．４
Ｈ_low＝１１．０、Ｍ_ave（Ｈ_low）＝４．２

図１８に示すように、上記４つの値を用い、Ｍ_ave（Ｈ）＝閾値＝３となる際の高さＨを算出し、高さ範囲ΔＨと定義する。なお、高さＨの算出の際には、２点間直線近似が用いられる。

（６）勾配範囲ΔＡの算出
図１９、図２０は、勾配範囲ΔＡの算出方法を説明するための図である。勾配範囲ΔＡの算出の際には、データ個数Ｍ（Ｈ，Ａ）の数値データマトリクスのうち、０≦Ｈ≦ΔＨ、０．００≦Ａ≦１６．００の範囲の成分（セル）のみが用いられる。ΔＨは、上述の“（５）高さ範囲ΔＨの算出”にて求められた値が使用される。勾配Ａに関しては０．００≦Ａ≦１６．００の範囲の成分のみが用いられるのは、通常、勾配Ａは０．００≦Ａ≦１６．００であり、当該範囲さえ演算に用いれば十分であると考えられるためである。

図１９に示すように、データ個数Ｍ（Ｈ，Ａ）の数値データマトリクスの各列（角度Ａ）におけるＭ（Ｈ，Ａ）の平均値をＭ_ave（Ａ）とし、平均値Ｍ_ave（０）から平均値Ｍ_ave（１６．００）へ向けて、順番に計算して行く。但し、平均値Ｍ_ave（Ａ）の算出には、行（高さＨ）は、０．００≦Ｈ≦ΔＨの範囲の行（高さＨ）の成分のみが用いられる。

高さ範囲ΔＨが０．５の倍数でない場合には、平均値Ｍ_ave（Ａ）の算出には、高さ範囲ΔＨの計算で使用した高さＨ_lowまでの範囲の行（高さＨ）の成分が用いられる。例えば、図１９に示すように、高さ範囲ΔＨが１１．０と１１．５の間に存在するような場合には、０．００≦Ｈ≦１１．０の範囲の行（高さＨ）の成分が用いられる。

平均値Ｍ_ave（Ａ）が閾値（但し、閾値は“３”に設定される。）を初めて下回った際のＡをＡ_highとし、その際の平均値Ｍ_ave（Ａ）を平均値Ｍ_ave（Ａ_high）とする。さらに、その一つ前の角度Ａを角度Ａ_lowとし、その際の平均値Ｍ_ave（Ａ）を平均値Ｍ_ave（Ａ_low）とする。平均値Ｍ_ave（Ａ）の閾値を“３”に設定する理由は、平均値Ｍ_ave（Ｈ）の閾値を“３”に設定する理由と同様である。

図１９の例では、Ａ_high、Ｍ_ave（Ａ_high）、Ａ_low、Ｍ_ave（Ａ_low）は、以下のとおりである。
Ａ_high＝３．３６、Ｍ_ave（Ａ_high）＝２．９
Ａ_low＝３．２８、Ｍ_ave（Ａ_low）＝３．２

図２０に示すように、上記４つの値を用い、Ｍ_ave（Ａ）＝閾値＝３となる際の角度Ａを算出し、勾配範囲ΔＡと定義する。なお、角度Ａの算出の際には、２点間直線近似が用いられる。

（潤滑剤染み出し量）
真空中の磁性層４３の表面における、単位領域１２．５μｍ×９．３μｍあたりの潤滑剤の染み出し量（染み出し面積）が、３．０μｍ^２以上６．５μｍ^２以下、好ましくは３．５μｍ^２以上６．５μｍ^２以下である。真空中の磁性層４３の表面における潤滑剤の染み出し量は、磁気テープＭＴの走行時に供給可能な潤滑剤量に対応している。上記潤滑剤染み出し量（面積）が３．０μｍ^２未満であると、磁性層４３の表面に存在する潤滑剤の量が少なすぎるため、繰り返し記録または再生を行うと、動摩擦係数が増加する。一方、上記潤滑剤染み出し量（面積）が６．５μｍ^２を超えると、磁性層４３の表面に存在する潤滑剤の量が多すぎるため、磁性層４３の表面部分が潤滑剤により可塑化し、磁性層４３の表面の硬度が低下したような状態となる。したがって、磁気テープＭＴの走行時にヘッドが磁気テープＭＴに密着しすぎるため、動摩擦係数が増加する。以下では、真空中の磁性層４３の表面における、単位領域１２．５μｍ×９．３μｍあたりの潤滑剤の染み出し量のことを、単に「潤滑剤の染み出し量」という場合がある。

潤滑剤の染み出し量（面積）は以下のようにして求められる。まず、磁気テープＭＴを５センチ切りとり、スライドグラスに貼りつけ、株式会社真空デバイス製、ＭＳＰ－１Ｓ型のマグネトロンスパッタ装置に設置する。磁性層４３の表面を上にして貼りつける。次に、スパッタ装置内を４Ｐａまで減圧する。その後、株式会社真空デバイス製のターゲット（Φ５１ｍｍ、厚さ０．１ｍｍ、材質：Ｐｔ－Ｐｄ）を６ｓｅｃ間、スパッタすることにより、Ｐｔ－Ｐｄ合金を磁性層４３の表面（磁性面）に形成する。潤滑剤が存在するところにはスパッタ膜は形成され難いのに対して、潤滑剤が存在しないところにはスパッタ膜は形成され易い。このため、潤滑剤が存在する部分と潤滑剤が存在しない部分とでスパッタ膜に偏在が生じる。次に、この磁性層４３の表面を走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）により、下記の条件で観察し、観察した表面のＳＥＭ像（白黒の濃淡像）のＴｉｆファイル（1260×960 pixel）を得る。なお、ＳＥＭ像中、黒く見えている箇所が、潤滑剤が存在している箇所に対応する。
装置：株式会社日立ハイテクノロジーズ製、Ｓ－４８００
加速電圧：５ｋＶ
倍率：１００００倍

次に、画像解析ソフト（ＩｍａｇｅＪ）を用いて、得られた単位領域１２．５μｍ×９．３μｍのＳＥＭ像（Ｔｉｆファイル）から潤滑剤の染み出し量（面積）を以下のようにして求める。まず、得られたＳＥＭ像のスケーリングを行う（スケーリングの設定条件：distance=504, known=5, pixel=1, unit=um（micrometer））。次に、スケーリング後のＳＥＭ像（白黒の濃淡像）を２５６階調に分割し、７０階調を閾値としてＳＥＭ像を２値化する。具体的には、画素が７０階調以下であれば画素を“黒”とし、画素が７０階調を超えれば画素を“白”とする。図２１Ａは、２値化後のＳＥＭ像の一例を示す。２値化により“黒”で表示された箇所が、磁性層４３の表面において潤滑剤が存在している箇所に対応する。

次に、ＩｍａｇｅＪのAnalyze Particles（粒子解析）により、２値化後のＳＥＭ像から、０．０２μｍ^２以上の面積を有するドット（黒色部）の総面積を求める。ここで、０．０２μｍ^２未満の面積を有するドットを除外するのは、０．０２μｍ^２未満の面積を有するドットはカーボンブラック等の粒子である可能性があり、また、０．０２μｍ^２未満の面積を有するドットが仮に潤滑剤であったとしても、走行性に与える影響が小さいためである。図２１Ｂは、０．０２μｍ^２以上の面積を有するドットのアウトライン像の一例を示す。
Analyze Particlesの設定の詳細は以下の通りである。
Size：0.02-Infinity
Show：Outlines
スライドグラスの中から無作為に選択された３か所で上述の総面積の算出を行い、それらの算出結果を単純に平均（算術平均）して、潤滑剤の染み出し量とする。

（摩擦係数）
全面記録／全面再生を２回行った後の動摩擦係数μ_Ｂと、上記全面記録／全面再生を行う前の動摩擦係数μ_Ａとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）は、好ましくは２．０未満、より好ましくは１．５以下、さらにより好ましくは１．３以下、特に好ましくは１．１以下である。摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が２．０未満であると、３回目以降の記録再生において、貼り付きや走行不安定性によるデータ書き込みおよび読み取り不良の発生を抑制することができる。ここで、“全面記録／全面再生”とは、カートリッジの非圧縮最大容量（例えばＬＴＯ７であれば６ＴＢ）のデータを連続して書き込んだ後、書き込んだ情報をすべて再生することを意味する。“全面記録／全面再生”には、磁気ヘッドとしては磁気テープＭＴに対応したドライブのものを用いられるものとする。また、“全面記録／全面再生”は、室温にて行われるものとする。

摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）は以下の通りにして求められる。まず、磁気テープＭＴに全面記録／全面再生を２回行った後、カートリッジ１０から、磁気テープＭＴを巻き出し、リーダーテープ部と磁気テープＭＴの接続部から２ｍの部分を「全面記録／全面再生を２回行う前の部分」（以下「未記録再生部分」という。）とする。また、リーダーテープ部と磁気テープＭＴの接続部から５０ｍの部分を「全面記録／全面再生を２回行った部分」（以下「記録再生部分」という。）とする。次に、図２２Ａに示すように、未記録再生部分の磁気テープＭＴを、互いに離間して平行に配置された１インチ径の円柱状の２本のガイドロール７３Ａおよび７３Ｂに磁性面が接触するように載せる。２本のガイドロール７３Ａおよび７３Ｂは、硬い板状部材７６に固定されており、これにより互いの位置関係が固定されている。

次いで、ＬＴＯ５ドライブに搭載されているヘッドブロック（記録再生用）７４に対し、磁気テープＭＴを、磁性面が接触するように且つ抱き角θ１（°）＝５．６°となるように接触させる。ヘッドブロック７４は、ガイドロール７３Ａおよび７３Ｂの略中心に配置される。ヘッドブロック７４は、抱き角θ１を変更することができるように、板状部材７６に移動可能に取り付けられているが、抱き角θ１（°）が５．６°となったらその位置が板状部材７６に対して固定され、これにより、ガイドロール７３Ａおよび７３Ｂとヘッドブロック７４との位置関係も固定される。

磁気テープＭＴの一端を、ジグ７２を介して可動式ストレインゲージ７１と繋ぐ。磁気テープＭＴは、図２２Ｂに示される通りにジグ７２に固定される。磁気テープＭＴの他端に錘７５を繋ぐ。錘７５によって、０．６Ｎのテンション（Ｔ_０［Ｎ］）が磁気テープＭＴの長手方向に付与される。可動式ストレインゲージ７１は、台７７上に固定されている。台７７と板状部材７６の位置関係も固定されており、これにより、ガイドロール７３Ａおよび７３Ｂ、ヘッドブロック７４、および可動式ストレインゲージ７１の位置関係が固定されている。

可動式ストレインゲージ７１によって、磁気テープＭＴが１０ｍｍ／ｓにて可動式ストレインゲージ７１へ向かうように、磁気テープＭＴをヘッドブロック７４上を６０ｍｍ摺動させ（往路）および可動式ストレインゲージから離れるように６０ｍｍ摺動させる（復路）。当該摺動時の可動式ストレインゲージ７１の出力値（電圧）を、事前に取得されている出力値と荷重との直線関係（後述する）に基づき、荷重Ｔ［Ｎ］に変換する。上記６０ｍｍの摺動の摺動開始から摺動停止までの間に、１３回Ｔ［Ｎ］を取得し、最初と最後の計２回を除いた１１個のＴ［Ｎ］を単純平均することによって、Ｔave［Ｎ］が得られる。その後、以下の式より動摩擦係数μ_Ａを求める。

上記直線関係は以下の通りに得られる。すなわち、可動式ストレインゲージ７１に０．５Ｎの荷重をかけた場合と１．０Ｎの荷重をかけた場合のそれぞれについて、可動式ストレインゲージ７１の出力値（電圧）を得る。得られた２つの出力値と上記２つの荷重とから、出力値と荷重との直線関係が得られる。当該直線関係を用いて、上記の通り、摺動時の可動式ストレインゲージ７１による出力値（電圧）がＴ［Ｎ］に変換される。

次に、未記録再生部分の磁気テープＭＴから動摩擦係数μ_Ａを求めたのと同様の手順で、記録再生部分の磁気テープＭＴから動摩擦係数μ_Ｂを求める。

以上の通りにして求めた動摩擦係数μ_Ａおよび動摩擦係数μ_Ｂから、摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）が算出される。

［４ 磁気テープの製造方法］
次に、上述の構成を有する磁気テープＭＴの製造方法の一例について説明する。

（塗料の調製工程）
まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。

上述の塗料調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸プロピル、乳酸エチル、エチレングリコールアセテート等のエステル系溶媒、ジエチレングリコールジメチルエーテル、２－エトキシエタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒等が挙げられる。これらは単独で用いてもよく、適宜混合して用いてもよい。

上述の塗料調製に用いられる混練装置としては、例えば、連続二軸混練機、多段階で希釈可能な連続二軸混練機、ニーダー、加圧ニーダー、ロールニーダー等の混練装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。また、上述の塗料調製に用いられる分散装置としては、例えば、ロールミル、ボールミル、横型サンドミル、縦型サンドミル、スパイクミル、ピンミル、タワーミル、パールミル（例えばアイリッヒ社製「ＤＣＰミル」等）、ホモジナイザー、超音波分散機等の分散装置を用いることができるが、特にこれらの装置に限定されるものではない。

（塗布工程）
次に、下地層形成用塗料を基体４１の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層４２を形成する。続いて、この下地層４２上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層４３を下地層４２上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体４１の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体４１の走行方向（長手方向）に磁場配向させたのちに、基体４１の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このように長手方向に磁性粉を一旦配向させる処理を施すことで、磁性粉の垂直配向度（すなわち角形比Ｓ１）をさらに向上することができる。磁性層４３の形成後、基体４１の他方の主面にバック層４４を形成する。これにより、磁気テープＭＴが得られる。

角形比Ｓ１、Ｓ２は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜に印加される磁場の強度、磁性層形成用塗料中における固形分の濃度、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥条件（乾燥温度および乾燥時間）を調整することにより所望の値に設定される。塗膜に印加される磁場の強度は、磁性粉の保磁力の２倍以上３倍以下であることが好ましい。角形比Ｓ１をさらに高めるためには（すなわち角形比Ｓ２をさらに低めるためには）、磁性層形成用塗料中における磁性粉の分散状態を向上させることが好ましい。また、角形比Ｓ１をさらに高めるためには、磁性粉を磁場配向させるための配向装置に磁性層形成用塗料が入る前の段階で、磁性粉を磁化させておくことも有効である。なお、上記の角形比Ｓ１、Ｓ２の調整方法は単独で使用されてもよいし、２以上組み合わされて使用されてもよい。

（カレンダー工程）
次に、得られた磁気テープＭＴにカレンダー処理を行い、磁性層４３の表面を平滑化する。

高さ範囲ΔＨおよび勾配範囲ΔＡは、例えば、（１）磁性層形成用塗料に配合される添加剤（粒子）のサイズおよび含有量、（２）下地形成用塗料に配合される非磁性粉のサイズおよび含有量、（３）カレンダー処理の条件（温度および圧力）のうちの少なくとも１つを調整することにより規定の値に設定することが可能である。磁性層形成用塗料に配合される上記添加剤は、例えば、α－アルミナ等の研磨剤である。下地形成用塗料に配合される上記非磁性粉は、例えば、針状酸化鉄粉末等である。

磁性層形成用塗料に配合される添加剤のサイズが大きくなるほど、高さ範囲ΔＨおよび勾配範囲ΔＡは増加する傾向にある。磁性層形成用塗料に配合される添加剤の含有量が増加するほど、高さ範囲ΔＨおよび勾配範囲ΔＡは増加する傾向にある。下地形成用塗料に配合される非磁性粉のサイズが大きくなるほど、高さ範囲ΔＨおよび勾配範囲ΔＡは増加する傾向にある。下地形成用塗料に配合される非磁性粉の含有量が増加するほど、高さ範囲ΔＨおよび勾配範囲ΔＡは増加する傾向にある。カレンダー処理の温度が増加するほど、高さ範囲ΔＨおよび勾配範囲ΔＡは低下する傾向にある。カレンダー処理の圧力が増加するほど、高さ範囲ΔＨおよび勾配範囲ΔＡは低下する傾向にある。

潤滑剤の染み出し量は、例えば、カレンダー処理の条件（温度および圧力）を調整することにより規定の値に設定することが可能である。潤滑剤の染み出し量を３．０μｍ^２以上６．５μｍ^２以下にするためには、カレンダー処理の温度を８０℃以上１３０℃以下の範囲であることが好ましく、圧力は１５０ｋｇ／ｃｍ以上 ３５０ｋｇ／ｃｍ以下の範囲であることが好ましい。なお、カレンダー処理の温度が増加するほど、潤滑剤の染み出し量が低下する傾向にある。また、カレンダー処理の圧力が増加するほど、潤滑剤の染み出し量が低下する傾向にある。ここで、カレンダー処理の温度とは、カレンダー処理時に磁性層４３の表面を加圧するロールの表面温度を意味する。

潤滑剤の染み出し量は、例えば、磁性層形成用塗料の塗膜の乾燥温度を調整することにより規定の値に設定することも可能である。潤滑剤の染み出し量を３．０μｍ^２以上６．５μｍ^２以下にするためには、乾燥温度は、６０℃以上１２０℃以下の範囲であることが好ましく、乾燥時間は、５秒以上３０秒以下であることが好ましい。なお、乾燥温度が増加するほど、潤滑剤の染み出し量は増加する傾向にある。また、乾燥時間が増加するほど、潤滑剤の染み出し量は増加する傾向にある。

（裁断工程）
次に、磁気テープＭＴを所定の幅（例えば１／２インチ幅）に裁断する。以上により、磁気テープＭＴが得られる。

（消磁工程およびサーボパターンの書き込み工程）
次に、必用に応じて、磁気テープＭＴの消磁を行ったのち、磁気テープＭＴにサーボパターンを書き込んでもよい。

［５ 効果］
以上説明したように、一実施形態に係る磁気テープＭＴでは、磁性層４３の表面の凹凸形状の高さに加えて、磁性層４３の表面の凹凸形状の傾斜を規定している。具体的には、磁性層４３の表面の凹凸形状の高さの統計情報（分布）から求められた高さ範囲ΔＨを４．０ｎｍ≦ΔＨ≦１０ｎｍの範囲とすることに加えて、磁性層４３の表面の凹凸形状の勾配の統計情報（分布）から求められた勾配範囲ΔＡを２．５度≦ΔＡの範囲としている。これにより、優れた記録再生特性（電磁変換特性）と優れた走行安定性（低摩擦）を両立することができる。

［６ 変形例］
（変形例１）
上述の一実施形態では、磁気テープカートリッジが、１リールタイプのカートリッジ１０である場合について説明したが、２リールタイプのカートリッジであってもよい。

図２３は、２リールタイプのカートリッジ１２１の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ１２１は、合成樹脂製の上ハーフ１０２と、上ハーフ１０２の上面に開口された窓部１０２ａに嵌合されて固着される透明な窓部材１２３と、上ハーフ１０２の内側に固着されリール１０６、１０７の浮き上がりを防止するリールホルダー１２２と、上ハーフ１０２に対応する下ハーフ１０５と、上ハーフ１０２と下ハーフ１０５を組み合わせてできる空間に収納されるリール１０６、１０７と、リール１０６、１０７に巻かれた磁気テープＭＴ１と、上ハーフ１０２と下ハーフ１０５を組み合わせてできるフロント側開口部を閉蓋するフロントリッド１０９およびこのフロント側開口部に露出した磁気テープＭＴ１を保護するバックリッド１０９Ａとを備える。

リール１０６は、磁気テープＭＴ１が巻かれる円筒状のハブ部１０６ａを中央部に有する下フランジ１０６ｂと、下フランジ１０６ｂとほぼ同じ大きさの上フランジ１０６ｃと、ハブ部１０６ａと上フランジ１０６ｃの間に挟み込まれたリールプレート１１１とを備える。リール１０７はリール１０６と同様の構成を有している。

窓部材１２３には、リール１０６、１０７に対応した位置に、これらリールの浮き上がりを防止するリール保持手段であるリールホルダー１２２を組み付けるための取付孔１２３ａが各々設けられている。磁気テープＭＴ１は、第１の実施形態における磁気テープＭＴと同様である。

（変形例２）
上述の一実施形態において、磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、例えば、１３ｎｍ以上２２ｎｍ以下、１３ｎｍ以上１９ｎｍ以下、１３ｎｍ以上１８ｎｍ以下、１４ｎｍ以上１７ｎｍ以下または１４ｎｍ以上１６ｎｍ以下であってもよい。

上述の一実施形態において、磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、例えば、１．０以上３．０以下、１．５以上２．８以下または１．８以上２．７以下であってもよい。

上述の一実施形態において、磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、例えば、５００ｎｍ^３以上２５００ｎｍ^３以下、５００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下、５００ｎｍ^３以上１５００ｎｍ^３以下、６００ｎｍ^３以上１２００ｎｍ^３以下または６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下であってもよい。

上述の一実施形態において、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、例えば、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、１０ｎｍ以上１８ｎｍ以下、１０ｎｍ以上１６ｎｍ以下、１０ｎｍ以上１５ｎｍ以下または１０ｎｍ以上１４ｎｍ以下であってもよい。

上述の一実施形態において、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、例えば、１．０以上３．０以下、１．０以上２．５以下、１．０以上２．１以下または１．０以上１．８以下であってもよい。

上述の一実施形態において、磁性粉がε酸化鉄粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、例えば、５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、５００ｎｍ^３以上３０００ｎｍ^３以下、５００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下、６００ｎｍ^３以上１６００ｎｍ^３以下または６００ｎｍ^３以上１３００ｎｍ^３以下であってもよい。

上述の一実施形態において、磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、例えば、８ｎｍ以上２０ｎｍ以下、８ｎｍ以上１８ｎｍ以下、８ｎｍ以上１６ｎｍ以下、８ｎｍ以上１３ｎｍ以下または８ｎｍ以上１０ｎｍ以下であってもよい。

上述の一実施形態において、磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均アスペクト比は、例えば、１．０以上３．０以下、１．０以上２．５以下、１．０以上２．１以下または１．０以上１．８以下であってもよい。

上述の一実施形態において、磁性粉がコバルトフェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子体積は、例えば、５００ｎｍ^３以上８０００ｎｍ^３以下、５００ｎｍ^３以上６０００ｎｍ^３以下、５００ｎｍ^３以上４０００ｎｍ^３以下、６００ｎｍ^３以上２０００ｎｍ^３以下または６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下であってもよい。

以下、実施例により本開示を具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例のみに限定されるものではない。

以下の実施例および比較例において、磁性粉の平均アスペクト比、磁性粉の平均粒子体積、高さ範囲ΔＨ、勾配範囲ΔＡ、潤滑剤の染み出し量、磁気テープの平均厚み、磁性層の平均厚み、下地層の平均厚み、バック層の平均厚み、磁気テープの垂直方向における磁性層の角形比Ｓ１、および磁気テープの長手方向における磁性層の角形比Ｓ２は、上述の一実施形態にて説明した測定方法により求められた値である。

また、以下の実施例および比較例において、高さ範囲ΔＨ、勾配範囲ΔＡ、および潤滑剤の染み出し量はそれぞれ、最終的に得られる磁気テープ（カレンダー工程を経た後の磁気テープ）で測定された値を意味している。

［実施例１］
（磁性層形成用塗料の調製工程）
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第１組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第１組成物と、下記配合の第２組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。

（第１組成物）
バリウムフェライト（ＢａＦｅ_１２Ｏ_１９）磁性粉（六角板状、平均アスペクト比３．２、平均粒子体積２５００ｎｍ^３）：１００質量部
塩化ビニル系樹脂（シクロヘキサノン溶液３０質量％）：６５質量部（溶液含む）
（重合度３００、Ｍｎ＝１００００、極性基としてＯＳＯ_３Ｋ＝０．０７ｍｍｏｌ／ｇ、２級ＯＨ＝０．３ｍｍｏｌ／ｇを含有する。）
中粒径の酸化アルミニウム粉末：７．５質量部
（α－Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径（Ｄ５０）０．０９μｍ）

（第２組成物）
塩化ビニル系樹脂：１．１質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１２１．３質量部
トルエン：１２１．３質量部
シクロヘキサノン：６０．７質量部
カーボンブラック：２質量部
（東海カーボン社製、商品名：シーストＴＡ）

最後に、上述のようにして調製した磁性層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。

（下地層形成用塗料の調製工程）
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第３組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第３組成物と、下記配合の第４組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。

（第３組成物）
中粒径の針状酸化鉄粉末（非磁性粉）：１００質量部
（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．０８μｍ）
塩化ビニル系樹脂：５５．６質量部
（樹脂溶液：樹脂分３０質量％、シクロヘキサノン７０質量％）
カーボンブラック：１０質量部
（平均粒径２０ｎｍ）

（第４組成物）
ポリウレタン系樹脂ＵＲ８２００（東洋紡績製）：１８．５質量部
ｎ－ブチルステアレート：２質量部
メチルエチルケトン：１０８．２質量部
トルエン：１０８．２質量部
シクロヘキサノン：１８．５質量部

最後に、上述のようにして調製した下地層形成用塗料に、硬化剤としてポリイソシアネート（商品名：コロネートＬ、東ソー株式会社製）：４質量部と、潤滑剤としてステアリン酸：２質量部とを添加した。

（バック層形成用塗料の調製工程）
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラックの粉末（平均粒径（Ｄ５０）２０ｎｍ）：１００質量部
ポリエステルポリウレタン：１００質量部
（日本ポリウレタン社製、商品名：Ｎ－２３０４）
メチルエチルケトン：５００質量部
トルエン：４００質量部
シクロヘキサノン：１００質量部

（塗布工程）
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である、平均厚み３．６μｍ、長尺のポレエチレンナフタレートフィルム（以下「ＰＥＮフィルム」という。）の一方の主面上に下地層および磁性層を以下のようにして形成した。まず、ＰＥＮフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが１．１μｍとなるように下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが８５ｎｍとなるように磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁気テープの垂直方向（厚み方向）における角形比Ｓ１を６５％に設定し、磁気テープの長手方向における角形比Ｓ２を３８％に設定した。続いて、ＰＥＮフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが０．４μｍとなるようにバック層を形成した。これにより、磁気テープが得られた。

（カレンダー工程）
カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。この際、カレンダー処理の温度を基準温度１００℃とし、かつ、カレンダー処理の圧力を基準圧力２００ｋｇ／ｃｍとすることにより、勾配範囲ΔＡを３．１５度、高さ範囲ΔＨを８．８０ｎｍ、潤滑剤の染み出し量を３．５μｍ^２に設定した。

（裁断工程）
上述のようにして得られた磁気テープを１／２インチ（１２．６５ｍｍ）幅に裁断した。これにより、平均厚み５．２μｍの磁気テープが得られた。

［実施例２］
下地層形成用塗料の調製工程において、中粒径の針状酸化鉄粉末（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．０８μｍ）に代えて、大粒径の針状酸化鉄粉末（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．１２μｍ）を用いることにより、勾配範囲ΔＡを４．５０度、高さ範囲ΔＨを９．５０ｎｍに設定した以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［実施例３］
カレンダー工程において、カレンダー処理の圧力を実施例１の基準圧力２００ｋｇ／ｃｍよりも低圧に変更することにより、勾配範囲ΔＡを３．４０度、高さ範囲ΔＨを９．００ｎｍ、潤滑剤の染み出し量を６．５μｍ^２に設定した以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［実施例４］
カレンダー工程において、カレンダー処理の圧力を実施例３よりも更に低圧にすることにより、勾配範囲ΔＡを４．００度、高さ範囲ΔＨを９．３０ｎｍ、潤滑剤の染み出し量を７．０μｍ^２に設定した以外のことは実施例３と同様にして磁気テープを得た。

［実施例５］
カレンダー工程において、カレンダー処理の圧力を実施例１の基準圧力２００ｋｇ／ｃｍよりも高圧に変更することにより、勾配範囲ΔＡを２．８０度、高さ範囲ΔＨを８．７０ｎｍ、潤滑剤の染み出し量を３．２μｍ^２に設定した以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［比較例１］
カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を実施例１の基準温度１００℃よりも低温に変更することにより、勾配範囲ΔＡを５．２０度、高さ範囲ΔＨを８．５０ｎｍ、潤滑剤の染み出し量を３．６μｍ^２に設定した以外のことは実施例２と同様にして磁気テープを得た。

［実施例６］
磁性層形成用塗料の調製工程において、バリウムフェライト磁性粉（六角板状、平均アスペクト比３．２、平均粒子体積２５００ｎｍ^３）に代えて、バリウムフェライト磁性粉（六角板状、平均アスペクト比２．８、平均粒子体積１６００ｎｍ^３）を用いた。また、磁性層形成用塗料の調製工程において、中粒径の酸化アルミニウム粉末の添加量を３．０質量部に変更した。これにより、勾配範囲ΔＡが３．０８度、高さ範囲ΔＨが７．４６ｎｍに設定された。上記以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［実施例７］
カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を実施例１の基準温度１００℃よりも低温（具体的には、実施例１と比較例１のカレンダー処理温度の間の温度）に変更することにより、勾配範囲ΔＡを３．５２度、高さ範囲ΔＨを８．４２ｎｍ、潤滑剤の染み出し量を３．６μｍ^２に設定した以外のことは実施例６と同様にして磁気テープを得た。

［実施例８］
下地層形成用塗料の調製工程において、中粒径の針状酸化鉄粉末（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．０８μｍ）に代えて、大粒径の針状酸化鉄粉末（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．１２μｍ）を用いることにより、勾配範囲ΔＡを４．８０度、高さ範囲ΔＨを６．５０ｎｍに設定した以外のことは実施例６と同様にして磁気テープを得た。

［実施例９］
カレンダー工程において、カレンダー処理の圧力を実施例１の基準圧力２００ｋｇ／ｃｍよりも低圧に変更することにより、勾配範囲ΔＡを３．７０度、高さ範囲ΔＨを７．１０ｎｍ、潤滑剤の染み出し量を６．４μｍ^２に設定した以外のことは実施例６と同様にして磁気テープを得た。

［実施例１０］
カレンダー工程において、カレンダー処理の圧力を実施例９よりも更に低圧にすることにより、勾配範囲ΔＡを４．１３度、高さ範囲ΔＨを７．６２ｎｍ、潤滑剤の染み出し量を６．８μｍ^２に設定した以外のことは実施例９と同様にして磁気テープを得た。

［実施例１１］
カレンダー工程において、カレンダー処理の圧力を実施例１の基準圧力２００ｋｇ／ｃｍよりも高圧に変更することにより、勾配範囲ΔＡを３．１０度、高さ範囲ΔＨを６．９０ｎｍ、潤滑剤の染み出し量を３．０μｍ^２に設定した以外のことは実施例６と同様にして磁気テープを得た。

［比較例２］
カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を実施例１の基準温度１００℃よりも高温に変更することにより、勾配範囲ΔＡを２．４０度、高さ範囲ΔＨを６．５０ｎｍ、潤滑剤の染み出し量を３．３μｍ^２に設定した以外のことは実施例６と同様にして磁気テープを得た。

［実施例１２］
磁性層形成用塗料の調製工程において、中粒径の酸化アルミニウム粉末（α－Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径（Ｄ５０）０．０９μｍ）に代えて、小粒径の酸化アルミニウム粉末（α－Ａｌ_２Ｏ_３、平均粒径（Ｄ５０）０．０５μｍ）を用いることにより、勾配範囲ΔＡを２．８０度、高さ範囲ΔＨを５．００ｎｍに設定した以外のことは実施例６と同様にして磁気テープを得た。

［実施例１３］
下地層形成用塗料の調製工程において、中粒径の針状酸化鉄粉末（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．０８μｍ）に代えて、大粒径の針状酸化鉄粉末（α－Ｆｅ_２Ｏ_３、平均長軸長０．１２μｍ）を用いることにより、勾配範囲ΔＡを４．３８度、高さ範囲ΔＨを５．０７ｎｍに設定した以外のことは実施例１２と同様にして磁気テープを得た。

［比較例３］
磁性層形成用塗料の調製工程において、小粒径の酸化アルミニウム粉末の添加量を１．０質量部に変更した。また、カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を実施例１の基準温度１００℃よりも低温（具体的には、実施例１と比較例１のカレンダー処理温度の間の温度）に変更した。これにより、勾配範囲ΔＡが３．８０度、高さ範囲ΔＨが３．６０ｎｍ、潤滑剤の染み出し量が３．６μｍ^２に設定された。上記以外のことは実施例１２と同様にして磁気テープを得た。

［比較例４］
磁性層形成用塗料の調製工程において、バリウムフェライト磁性粉（六角板状、平均アスペクト比３．２、平均粒子体積２５００ｎｍ^３）に代えて、バリウムフェライト磁性粉（六角板状、平均アスペクト比３．２、平均粒子体積３５００ｎｍ^３）を用いた。また、磁性層形成用塗料の調製工程において、酸化アルミニウム粉末の添加量を１０．０質量部に変更した。これにより、勾配範囲ΔＡが３．２６度、高さ範囲ΔＨが１１．２０ｎｍに設定された。上記以外のことは実施例１と同様にして磁気テープを得た。

［比較例５］
カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を実施例１の基準温度１００℃よりも低温（具体的には、実施例１と比較例１のカレンダー処理温度の間の温度）に変更することにより、勾配範囲ΔＡを４．０７度、高さ範囲ΔＨを１０．２０ｎｍ、潤滑剤の染み出し量を３．６μｍ^２に設定した以外のことは比較例４と同様にして磁気テープを得た。

［評価］
（ＳＮＲ）
サーボパターンを書き込んだ磁気テープのＳＮＲを以下のようにして評価した。記録／再生ヘッドおよび記録／再生アンプを取り付けた１／２インチテープ走行装置（Mountain Engineering II社製、MTS Transport）を用いて、２５℃環境における磁気テープのＳＮＲ（電磁変換特性）を測定した。記録ヘッドにはギャップ長０．２μｍのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離０．１μｍのＧＭＲヘッドを用いた。相対速度は６ｍ／ｓ、記録クロック周波数は１６０ＭＨｚ、記録トラック幅は２．０μｍとした。また、ＳＮＲは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。その結果を、比較例４のＳＮＲを０ｄＢとする相対値で表１に示した。
Y.Okazaki:“An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)

（摩擦係数比、相対摩擦）
まず、上述のようにして得られた磁気テープの消磁を行ったのち、磁気テープにサーボライタを用いてサーボパターンを書き込むことにより、５本のサーボバンドを形成した。サーボパターンは、ＬＴＯ－８規格に準拠するものとされた。

次に、磁気テープの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）を、上述の一実施形態にて説明した評価方法により評価した。
また、摩擦係数比の評価の際に測定した動摩擦係数（全面記録／全面再生を行う前の動摩擦係数）μ_Ａを用いて、比較例４の動摩擦係数μ_Ａに対する実施例１～１３、比較例１～３、５の動摩擦係数μ_Ａの比率を求め、この比率を相対摩擦とした。相対摩擦の算出式は、具体的には以下のとおりである。
相対摩擦＝（実施例１～１３、比較例１～３、５の動摩擦係数μ_Ａ）／（比較例４の動摩擦係数μ_Ａ）

表１は、実施例１～１３、比較例１～５の磁気テープの構成および評価結果を示す。

表１に記載されている添加剤および非磁性粉の具体的材料名は、以下のとおりである。
添加剤：酸化アルミニウム粉末（α－Ａｌ_２Ｏ_３）
非磁性粉：針状酸化鉄粉末（α－Ｆｅ_２Ｏ_３）
基準温度：１００℃
基準圧：２００ｋｇ／ｃｍ

図２４は、実施例１～１３、比較例１～５の磁気テープの高さ範囲ΔＨと勾配範囲ΔＡの関係を示すグラフである。
表１および図２４から以下のことがわかる。
高さ範囲ΔＨがΔＨ＜４．００ｎｍであると、磁気ヘッドが磁気テープに張り付くため、磁気テープの走行が困難になる。一方、高さ範囲ΔＨが１０．００ｎｍ＜ΔＨであると、スペーシングロスによりＳＮＲ（電磁変換特性）が低下する。
勾配範囲ΔＡがΔＡ＜２．５０度であると、相対摩擦が上昇するため、磁気テープの走行安定性が低下する。一方、勾配範囲ΔＡが５．００度＜ΔＡであると、磁性層の表面の突部の勾配が急峻になりすぎ、磁気テープの走行時に突部が削れるため、粉落ちする。
高さ範囲ΔＨが４．００≦ΔＨ≦８．５０ｎｍであると、ＳＮＲ（電磁変換特性）をさらに向上することができる。

したがって、高さ範囲ΔＨを４．００ｎｍ≦ΔＨ≦１０．００ｎｍとし、かつ、勾配範囲ΔＡを２．５０度≦ΔＡとすることで、優れた記録再生特性（電磁変換特性）と優れた走行安定性（低摩擦）を両立することができる。
また、高さ範囲ΔＨを４．００ｎｍ≦ΔＨ≦１０．００ｎｍとし、かつ、勾配範囲ΔＡを２．５０度≦ΔＡ≦５．００度とすることで、優れた記録再生特性（電磁変換特性）と優れた走行安定性（低摩擦）を両立すると共に、走行時に磁性層の表面からの粉落ちを抑制することができる。

以上、本開示の実施形態および変形例について具体的に説明したが、本開示は、上述の実施形態および変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態および変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。上述の実施形態および変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。

上述の実施形態および変形例にて例示した化合物等の化学式は代表的なものであって、同じ化合物の一般名称であれば、記載された価数等に限定されない。上述の実施形態および変形例で段階的に記載されている数値範囲において、ある段階の数値範囲の上限値または下限値は、他の段階の数値範囲の上限値または下限値に置き換えてもよい。上述の実施形態および変形例で例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた磁性層と
を備え、
前記磁性層は、凹凸形状を有する表面を有し、
前記凹凸形状の高さの統計情報から求められた高さ範囲ΔＨが、４．００ｎｍ≦ΔＨ≦１０．００ｎｍであり、
前記凹凸形状の勾配の統計情報から求められた勾配範囲ΔＡが、２．５０度≦ΔＡである磁気記録媒体。
（２）
前記勾配範囲ΔＡが、２．５０度≦ΔＡ≦５．００度である（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）
前記高さ範囲ΔＨが、４．００ｎｍ≦ΔＨ≦８．５０ｎｍである（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）
前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、
真空中における前記磁性層の表面における、単位面積１２．５μｍ×９．３μｍあたりの前記潤滑剤の染み出し量Ｓが、３．０μｍ^２≦Ｓ≦６．５μｍ^２である（１）から（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）
前記潤滑剤は、脂肪酸と脂肪酸エステルを含む（４）に記載の磁気記録媒体。
（６）
全面記録／全面再生を２回行った後の動摩擦係数μ_Ｂと、前記全面記録／全面再生を行う前の動摩擦係数μ_Ａとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）は、２．０未満である（１）から（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（７）
前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁性層の角形比は、６５％以上である（１）から（６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（８）
前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．３μｍ以下である（１）から（７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（９）
前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である請求項（１）から（８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１０）
前記基体の平均厚みは、４．４μｍ以下である（１）から（９）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１１）
前記磁性層は、磁性粉を含み、
前記磁性粉の平均粒子体積が、２５００ｎｍ^３以下である（１）から（１０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１２）
前記磁性粉の平均粒子体積が、１６００ｎｍ^３以下である（１１）に記載の磁気記録媒体。
（１３）
前記磁性層は、磁性粉を含み、
前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む（１）から（１０）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１４）
前記磁性層は、５以上のサーボバンドを有する（１）から（１３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１５）
前記磁性層は、９以上のサーボバンドを有する（１４）に記載の磁気記録媒体。
（１６）
前記磁性層の表面の面積に対する前記５以上のサーボバンドの総面積の割合は、４．０％以下である（１４）に記載の磁気記録媒体。
（１７）
前記サーボバンドの幅は、９５μｍ以下である（１４）から（１６）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１８）
前記磁性層は、複数のデータトラックを形成可能に構成され、
前記データトラックの幅は、２０００ｎｍ以下である（１）から（１７）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（１９）
前記基体は、ポリエステルを含む（１）から（１８）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（２０）
（１）から（１９）のいずれかに記載された前記磁気記録媒体を備えるカートリッジ。

１０ カートリッジ
１１ カートリッジメモリ
３１ アンテナコイル
３２ 整流・電源回路
３３ クロック回路
３４ 検波・変調回路
３５ コントローラ
３６ メモリ
３６Ａ 第１の記憶領域
３６Ｂ 第２の記憶領域
４１ 基体
４２ 下地層
４３ 磁性層
４４ バック層
１１０ サーボフレーム
１１１ サーボサブフレーム１
１１１Ａ Ａバースト
１１１Ｂ Ｂバースト
１１２ サーボサブフレーム２
１１２Ｃ Ｃバースト
１１２Ｃ Ｃバースト
１１３ サーボストライプ
ＭＴ 磁気テープ
ＳＢ サーボバンド
ＤＢ データバインド

Claims (24)

1. テープ状の磁気記録媒体であって、
   基体と、
   前記基体上に設けられた下地層と、
   前記下地層上に設けられた磁性粉を含む磁性層と
   を備え、
   前記磁気記録媒体の平均厚みは５．３μｍ以下であり、
   前記磁性粉の平均粒子体積は１６００ｎｍ^３以下であり、
   前記磁性層の表面をＡＦＭで測定し、得られた２次元表面プロファイル像の高さζ（Ｌ、Ｗ）の数値データマトリクスを用いて算出された高さ範囲ΔＨが、４．００ｎｍ≦ΔＨ≦１０．００ｎｍであり、
   前記磁性層の表面をＡＦＭで測定し、得られた２次元表面プロファイル像の高さζ（Ｌ、Ｗ）の数値データマトリクスを用いて算出された勾配範囲ΔＡが、２．５０度≦ΔＡ≦５．００度である磁気記録媒体。
2. 前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはＣｏ含有スピネルフェライトを含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
3. 前記基体の平均厚みは、４．４μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
4. 前記基体は、ポリエステルを含む請求項１に記載の磁気記録媒体。
5. 前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、
   真空中における前記磁性層の表面における、単位面積１２．５μｍ×９．３μｍあたりの前記潤滑剤の染み出し量Ｓが、３．０μｍ^２≦Ｓ≦６．５μｍ^２である請求項１に記載の磁気記録媒体。
6. 前記潤滑剤は、脂肪酸と脂肪酸エステルを含む請求項５に記載の磁気記録媒体。
7. 全面記録／全面再生を２回行った後の動摩擦係数μ_Ｂと、前記全面記録／全面再生を行う前の動摩擦係数μ_Ａとの摩擦係数比（μ_Ｂ／μ_Ａ）は、２．０未満である請求項１に記載の磁気記録媒体。
8. 前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁性層の角形比は、６５％以上である請求項１に記載の磁気記録媒体。
9. 前記磁性層の平均厚みは、８０ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
10. 前記磁性粉は六方晶フェライトであり、平均アスペクト比は１．０以上３．０以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
11. 前記磁性層は、５以上のサーボバンドを有する請求項１に記載の磁気記録媒体。
12. 前記磁性層は、９以上のサーボバンドを有する請求項１に記載の磁気記録媒体。
13. 前記磁性層の表面の面積に対する前記５以上のサーボバンドの総面積の割合は、４．０％以下である請求項１１に記載の磁気記録媒体。
14. 前記サーボバンドの幅は、９５μｍ以下である請求項１１に記載の磁気記録媒体。
15. 前記磁性層は、複数のデータトラックを形成可能に構成され、前記データトラックの幅は、２０００ｎｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
16. 前記磁気記録媒体の平均厚みは、５．０μｍ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
17. 前記基体の長手方向のヤング率は、７．５ＧＰａ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
18. 前記基体の長手方向のヤング率は、７．０ＧＰａ以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
19. 前記磁性粉は六方晶フェライトであり、平均アスペクト比は１．５以上２．８以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
20. 前記磁性層の表面をＡＦＭで測定し、得られた２次元表面プロファイル像の高さζ（Ｌ、Ｗ）の数値データマトリクスを用いて算出された高さ範囲ΔＨが、４．００ｎｍ≦ΔＨ≦８．５０ｎｍである請求項１に記載の磁気記録媒体。
21. 前記磁性粉の平均粒子体積は、５００ｎｍ^３以上１５００ｎｍ^３以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
22. 前記磁性粉の平均粒子体積は、６００ｎｍ^３以上１２００ｎｍ^３以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
23. 前記磁性粉の平均粒子体積は、６００ｎｍ^３以上１０００ｎｍ^３以下である請求項１に記載の磁気記録媒体。
24. 請求項１から２３のいずれか１項に記載された前記磁気記録媒体を備えるカートリッジ。

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