JP2022003605A - 磁気記録媒体およびカートリッジ - Google Patents
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Abstract
Description
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
基体上に設けられた下地層と、
下地層上に設けられた磁性層と
を備え、
磁性層は、凹凸形状を有する表面を有し、
凹凸形状の高さの統計情報から求められた高さ範囲ΔHが、4.00nm≦ΔH≦10.00nmであり、
凹凸形状の勾配の統計情報から求められた勾配範囲ΔAが、2.50度≦ΔAである磁気記録媒体である。
1 カートリッジの構成
2 カートリッジメモリの構成
3 磁気テープの構成
4 磁気テープの製造方法
5 効果
6 変形例
図1は、カートリッジ10の構成の一例を示す分解斜視図である。カートリッジ10は、下シェル12Aと上シェル12Bとで構成されるカートリッジケース12の内部に、テープ状の磁気記録媒体(以下「磁気テープ」という。)MTが巻かれたリール13と、リール13の回転をロックするためのリールロック14およびリールスプリング15と、リール13のロック状態を解除するためのスパイダ16と、下シェル12Aと上シェル12Bに跨ってカートリッジケース12に設けられたテープ引出口12Cを開閉するスライドドア17と、スライドドア17をテープ引出口12Cの閉位置に付勢するドアスプリング18と、誤消去を防止するためのライトプロテクト19と、カートリッジメモリ11とを備える。リール13は、中心部に開口を有する略円盤状であって、プラスチック等の硬質の材料からなるリールハブ13Aとフランジ13Bとにより構成される。磁気テープMTの一端部には、リーダーピン20が設けられている。
図2は、カートリッジメモリ11の構成の一例を示すブロック図である。カートリッジメモリ11は、規定の通信規格でリーダライタと通信を行うアンテナコイル(通信部)31と、アンテナコイル31により受信した電波から、誘導起電力を用いて発電、整流して電源を生成する整流・電源回路32と、アンテナコイル31により受信した電波から、同じく誘導起電力を用いてクロックを生成するクロック回路33と、アンテナコイル31により受信した電波の検波およびアンテナコイル31により送信する信号の変調を行う検波・変調回路34と、検波・変調回路34から抽出されるデジタル信号から、コマンドおよびデータを判別し、これを処理するための論理回路等で構成されるコントローラ(制御部)35と、情報を記憶するメモリ(記憶部)36とを備える。また、カートリッジメモリ11は、アンテナコイル31に対して並列に接続されたキャパシタ37を備え、アンテナコイル31とキャパシタ37により共振回路が構成される。
図3は、磁気テープMTの構成の一例を示す断面図である。磁気テープMTは、長尺状の基体41と、基体41の一方の主面(第1の主面)上に設けられた下地層42と、下地層42上に設けられた磁性層43と、基体41の他方の主面(第2の主面)上に設けられたバック層44とを備える。なお、下地層42およびバック層44は、必要に応じて備えられるものであり、無くてもよい。磁気テープMTは、垂直記録型の磁気記録媒体であってもよいし、長手記録型の磁気記録媒体であってもよい。
基体41は、下地層42および磁性層43を支持する非磁性支持体である。基体41は、長尺のフィルム状を有する。基体41の平均厚みの上限値は、好ましくは4.4μm以下、より好ましくは3.8μm以下、さらにより好ましくは3.4μm以下である。基体41の平均厚みの上限値が4.4μm以下であると、1データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。基体41の平均厚みの下限値は、好ましくは3μm以上、より好ましくは3.2μm以上である。基体41の平均厚みの下限値が3μm以上であると、基体41の強度低下を抑制することができる。
磁性層43は、信号を磁化パターンにより記録するための記録層である。磁性層43は、垂直記録型の記録層であってもよいし、長手記録型の記録層であってもよい。磁性層43は、例えば、磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む。磁性層43が、必要に応じて、帯電防止剤、研磨剤、硬化剤、防錆剤および非磁性補強粒子等のうちの少なくとも1種の添加剤をさらに含んでいてもよい。磁性層43は、凹凸形状を有する表面を有する。磁性層43の表面には、複数の凹部(図示せず)が設けられていてもよい。
割合RS[%]=(((サーボバンド幅WSB)×(サーボバンドSBの本数))/(磁気テープMTの幅))×100
装置:TEM(日立製作所製H9000NAR)
加速電圧:300kV
倍率:100,000倍
磁性粉は、複数の磁性粒子を含む。磁性粒子は、例えば、六方晶フェライトを含む粒子(以下「六方晶フェライト粒子」という。)、イプシロン型酸化鉄(ε酸化鉄)を含む粒子(以下「ε酸化鉄粒子」という。)またはCo含有スピネルフェライトを含む粒子(以下「コバルトフェライト粒子」という。)である。磁性粉は、磁気テープMTの垂直方向に優先的に結晶配向していることが好ましい。本明細書において、磁気テープMTの垂直方向(厚み方向)とは、平面状態にある磁気テープMTの厚み方向を意味する。
六方晶フェライト粒子は、例えば、六角板状等の板状を有する。本明細書において、六角坂状は、ほぼ六角坂状を含むものとする。六方晶フェライトは、好ましくはBa、Sr、PbおよびCaのうちの少なくとも1種、より好ましくはBaおよびSrのうちの少なくとも1種を含む。六方晶フェライトは、具体的には例えばバリウムフェライトまたはストロンチウムフェライトであってもよい。バリウムフェライトは、Ba以外にSr、PbおよびCaのうちの少なくとも1種をさらに含んでいてもよい。ストロンチウムフェライトは、Sr以外にBa、PbおよびCaのうちの少なくとも1種をさらに含んでいてもよい。
ε酸化鉄粒子は、微粒子でも高保磁力を得ることができる硬磁性粒子である。ε酸化鉄粒子は、球状を有しているか、または立方体状を有している。本明細書において、球状は、ほぼ球状を含むものとする。また、立方体状には、ほぼ立方体状を含むものとする。ε酸化鉄粒子が上記のような形状を有しているため、磁性粒子としてε酸化鉄粒子を用いた場合、磁性粒子として六角板状のバリウムフェライト粒子を用いた場合に比べて、磁気テープMTの厚み方向における粒子同士の接触面積を低減し、粒子同士の凝集を抑制することができる。したがって、磁性粉の分散性を高め、さらに優れた電磁変換特性(例えばSNR)を得ることができる。
V=(π/6)×DLave 3
Vave=DCave 3
コバルトフェライト粒子は、一軸結晶異方性を有することが好ましい。コバルトフェライト粒子が一軸結晶異方性を有することで、磁性粉を磁気テープMTの垂直方向に優先的に結晶配向させることができる。コバルトフェライト粒子は、例えば、立方体状を有している。本明細書において、立方体状は、ほぼ立方体状を含むものとする。Co含有スピネルフェライトが、Co以外にNi、Mn、Al、CuおよびZnのうちの少なくとも1種をさらに含んでいてもよい。
CoxMyFe2OZ
(但し、式中、Mは、例えば、Ni、Mn、Al、CuおよびZnのうちの少なくとも1種の金属である。xは、0.4≦x≦1.0の範囲内の値である。yは、0≦y≦0.3の範囲内の値である。但し、x、yは(x+y)≦1.0の関係を満たす。zは3≦z≦4の範囲内の値である。Feの一部が他の金属元素で置換されていてもよい。)
結着剤としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、反応型樹脂等が挙げられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、塩化ビニル、酢酸ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、アクリル酸エステル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニリデン共重合体、メタクリル酸エステル−塩化ビニル共重合体、メタクリル酸エステル−エチレン共重合体、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導体(セルロースアセテートブチレート、セルロースダイアセテート、セルローストリアセテート、セルロースプロピオネート、ニトロセルロース)、スチレンブタジエン共重合体、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、アミノ樹脂、合成ゴム等が挙げられる。
潤滑剤は、例えば脂肪酸および脂肪酸エステルから選ばれる少なくとも1種、好ましくは脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含む。磁性層43が潤滑剤を含むことが、特には磁性層43が脂肪酸および脂肪酸エステルの両方を含むことが、磁気テープMTの走行安定性の向上に貢献する。より特には、磁性層43が潤滑剤を含み且つ細孔を有することによって、良好な走行安定性が達成される。当該走行安定性の向上は、磁気テープMTの磁性層43側表面の動摩擦係数が上記潤滑剤により、磁気テープMTの走行に適した値へ調整されるためと考えられる。
(但し、一般式(1)において、kは14以上22以下の範囲、より好ましくは14以上18以下の範囲から選ばれる整数である。)
(但し、一般式(2)において、nとmとの和は12以上20以下の範囲、より好ましくは14以上18以下の範囲から選ばれる整数である。)
(但し、一般式(3)において、pは14以上22以下、より好ましくは14以上18以下の範囲から選ばれる整数であり、且つ、qは2以上5以下の範囲、より好ましくは2以上4以下の範囲から選ばれる整数である。)
(但し、一般式(4)において、rは14以上22以下の範囲から選ばれる整数であり、sは1以上3以下の範囲から選ばれる整数である。)
帯電防止剤としては、例えば、カーボンブラック、天然界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤等が挙げられる。
研磨剤としては、例えば、α化率90%以上のα−アルミナ、β−アルミナ、γ−アルミナ、炭化ケイ素、酸化クロム、酸化セリウム、α−酸化鉄、コランダム、窒化珪素、チタンカ−バイト、酸化チタン、二酸化珪素、酸化スズ、酸化マグネシウム、酸化タングステン、酸化ジルコニウム、窒化ホウ素、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、2硫化モリブデン、磁性酸化鉄の原料を脱水、アニール処理した針状α酸化鉄、必要によりそれらをアルミおよび/またはシリカで表面処理したもの等が挙げられる。
硬化剤としては、例えば、ポリイソシアネート等が挙げられる。ポリイソシアネートとしては、例えば、トリレンジイソシアネート(TDI)と活性水素化合物との付加体等の芳香族ポリイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート(HMDI)と活性水素化合物との付加体等の脂肪族ポリイソシアネート等が挙げられる。これらポリイソシアネートの重量平均分子量は、100〜3000の範囲であることが望ましい。
防錆剤としては、例えばフェノール類、ナフトール類、キノン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物等が挙げられる。
非磁性補強粒子として、例えば、酸化アルミニウム(α、βまたはγアルミナ)、酸化クロム、酸化珪素、ダイヤモンド、ガーネット、エメリー、窒化ホウ素、チタンカーバイト、炭化珪素、炭化チタン、酸化チタン(ルチル型またはアナターゼ型の酸化チタン)等が挙げられる。
下地層42は、基体41の表面の凹凸を緩和し、磁性層43の表面の凹凸を調整するためのものである。下地層42は、非磁性粉、結着剤および潤滑剤を含む非磁性層である。下地層42は、磁性層43の表面に潤滑剤を供給する。下地層42が、必要に応じて、帯電防止剤、硬化剤および防錆剤等のうちの少なくとも1種の添加剤をさらに含んでいてもよい。
非磁性粉は、例えば無機粒子粉または有機粒子粉の少なくとも1種を含む。また、非磁性粉は、カーボンブラック等の炭素粉を含んでいてもよい。なお、1種の非磁性粉を単独で用いてもよいし、2種以上の非磁性粉を組み合わせて用いてもよい。無機粒子は、例えば、金属、金属酸化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、金属窒化物、金属炭化物または金属硫化物等を含む。非磁性粉の形状としては、例えば、針状、球状、立方体状、板状等の各種形状が挙げられるが、これらの形状に限定されるものではない。
結着剤および潤滑剤は、上述の磁性層43と同様である。
帯電防止剤、硬化剤および防錆剤はそれぞれ、上述の磁性層43と同様である。
バック層44は、結着剤および非磁性粉を含む。バック層44が、必要に応じて潤滑剤、硬化剤および帯電防止剤等のうちの少なくとも1種の添加剤をさらに含んでいてもよい。結着剤および非磁性粉は、上述の下地層42と同様である。
tb[μm]=tT[μm]−tB[μm]
磁気テープMTの平均厚み(平均全厚)tTの上限値が、5.3μm以下、好ましくは5.0μm以下、より好ましくは4.6μm以下、さらにより好ましくは4.4μm以下である。磁気テープMTの平均厚みtTが5.3μm以下であると、1データカートリッジ内に記録できる記録容量を一般的な磁気テープよりも高めることができる。磁気テープMTの平均厚みtTの下限値は特に限定されるものではないが、例えば3.5μm以上である。
磁気テープMTの長手方向における磁性層43の保磁力Hc2の上限値が、好ましくは2000Oe以下、より好ましくは1900Oe以下、さらにより好ましくは1800Oe以下である。磁気テープMTの長手方向における磁性層43の保磁力Hc2が2000Oe以下であると、高記録密度であっても十分な電磁変換特性を有することができる。
磁気テープMTの垂直方向における磁性層43の角形比S1が、好ましくは65%以上、より好ましくは70%以上、さらにより好ましくは75%以上、特に好ましくは80%以上、最も好ましくは85%以上である。角形比S1が65%以上であると、磁性粉の垂直配向性が十分に高くなるため、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。
角形比S1(%)=(Mr/Ms)×100
磁気テープMTの垂直方向における磁性層43の保磁力Hc1と、磁気テープMTの長手方向における磁性層43の保磁力Hc2の比Hc2/Hc1が、好ましくはHc2/Hc1≦0.8、より好ましくはHc2/Hc1≦0.75、さらにより好ましくはHc2/Hc1≦0.7、特に好ましくはHc2/Hc1≦0.65、最も好ましくはHc2/Hc1≦0.6の関係を満たす。保磁力Hc1、Hc2がHc2/Hc1≦0.8の関係を満たすことで、磁性粉の垂直配向度を高めることができる。したがって、磁化遷移幅を低減し、かつ信号再生時に高出力の信号を得ることができるので、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。なお、上述したように、Hc2が小さいと、記録ヘッドからの垂直方向の磁界により感度良く磁化が反応するため、良好な記録パターンを形成することができる。
活性化体積Vactが、好ましくは8000nm3以下、より好ましくは6000nm3以下、さらにより好ましくは5000nm3以下、特に好ましくは4000nm3以下、最も好ましくは3000nm3以下である。活性化体積Vactが8000nm3以下であると、磁性粉の分散状態が良好になるため、ビット反転領域を急峻にすることができ、記録ヘッドからの漏れ磁界により、隣接するトラックに記録された磁化信号が劣化することを抑制できる。したがって、さらに優れた電磁変換特性が得られなくなる虞がある。
Vact(nm3)=kB×T×Χirr/(μ0×Ms×S)
(但し、kB:ボルツマン定数(1.38×10−23J/K)、T:温度(K)、Χirr:非可逆磁化率、μ0:真空の透磁率、S:磁気粘性係数、Ms:飽和磁化(emu/cm3))
非可逆磁化率Χirrは、残留磁化曲線(DCD曲線)の傾きにおいて、残留保磁力Hr付近における傾きと定義される。まず、磁気テープMT全体に−1193kA/m(15kOe)の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に約15.9kA/m(200Oe)の磁界を印加し再びゼロに戻し残留磁化量を測定する。その後も同様に、先ほどの印加磁界よりもさらに15.9kA/m大きい磁界を印加しゼロに戻す測定を繰り返し行い、印加磁界に対して残留磁化量をプロットしDCD曲線を測定する。得られたDCD曲線から、磁化量ゼロとなる点を残留保磁力Hrとし、さらにDCD曲線を微分し、各磁界におけるDCD曲線の傾きを求める。このDCD曲線の傾きにおいて、残留保磁力Hr付近の傾きがΧirrとなる。
まず、上記の角形比S1の測定方法と同様にして、バックグラウンド補正後のM−Hループを得る。次に、得られたM−Hループの飽和磁化Ms(emu)の値と、測定サンプル中の磁性層43の体積(cm3)から、Ms(emu/cm3)を算出する。なお、磁性層43の体積は測定サンプルの面積に磁性層43の平均厚みtmを乗ずることにより求められる。磁性層43の体積の算出に必要な磁性層43の平均厚みtmの算出方法は、上述した通りである。
まず、磁気テープMT(測定サンプル)全体に−1193kA/m(15kOe)の磁界を印加し、磁界をゼロに戻し残留磁化状態とする。その後、反対方向に、DCD曲線より得られた残留保磁力Hrの値と同等の磁界を印加する。磁界を印加した状態で1000秒間、磁化量を一定の時間間隔で継続的に測定する。このようにして得られた、時間tと磁化量M(t)の関係を以下の式に照らし合わせて、磁気粘性係数Sを算出する。
M(t)=M0+S×ln(t)
(但し、M(t):時間tの磁化量、M0:初期の磁化量、S:磁気粘性係数、ln(t):時間の自然対数)
バック面の表面粗度(バック層44の表面粗度)Rbが、Rb≦6.0[nm]であることが好ましい。バック面の表面粗度Rbが上記範囲であると、さらに優れた電磁変換特性を得ることができる。
装置:光干渉を用いた非接触粗度計
(株式会社菱化システム製 非接触表面・層断面形状計測システム VertScan R5500GL-M100-AC)
対物レンズ:20倍
測定領域:640×480ピクセル(視野:約237μm×178μm視野)
測定モード:phase
波長フィルター:520nm
CCD:1/3レンズ
ノイズ除去フィルター:スムージング3×3
面補正:2次多項式近似面にて補正
測定ソフトウエア:VS-Measure Version5.5.2
解析ソフトウエア:VS-viewer Version5.5.5
磁気テープMTの長手方向のヤング率は、好ましくは8.0GPa以下、より好ましくは7.9GPa以下、さらにより好ましくは7.5GPa以下、特に好ましくは7.1GPa以下である。磁気テープMTの長手方向のヤング率が8.0GPa以下であると、外力による磁気テープMTの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープMTの幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープMTに記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。
E(N/m2)=((ΔN/S)/(Δx/L))×106
ΔN:応力の変化(N)
S:試験片の断面積(mm2)
Δx:伸び量(mm)
L:つかみ治具間距離(mm)
応力の範囲としては0.5Nから1.0Nとし、この時の応力変化(ΔN)と伸び量(Δx)を計算に使用する。なお、上記ヤング率の測定は、25℃、50%RH±5%RHの環境下で行われる。
基体41の長手方向のヤング率は、好ましくは7.5GPa以下、より好ましくは7.4GPa以下、さらにより好ましくは7.0GPa以下、特に好ましくは6.6GPa以下である。基体41の長手方向のヤング率が7.5GPa以下であると、外力による磁気テープMTの伸縮性がさらに高くなるため、テンション調整による磁気テープMTの幅の調整がさらに容易となる。したがって、オフトラックをさらに適切に抑制することができ、磁気テープMTに記録されたデータをさらに正確に再生することが可能となる。
磁性層43の表面における凹凸形状の高さの統計情報(分布)から求められた高さ範囲ΔH(図16参照)が、4.00nm≦ΔH≦10.00nm、好ましくは4.00nm≦ΔH≦8.50nmである。高さ範囲ΔHがΔH<4.00nmであると、磁気ヘッドが磁気テープMTに張り付くため、磁気テープMTの走行が困難になる。一方、高さ範囲ΔHが10.00nm<ΔHであると、スペーシングロスにより電磁変換特性(例えばSNR)が低下する。
(1)表面プロファイル計測(AFM)
(2)各点における相対高さの算出
(3)各点における勾配の算出
(4)高さ、勾配のデータの統計処理
(5)高さ範囲ΔHの算出
(6)勾配範囲ΔAの算出
磁気テープMTの磁性層43の表面(磁性面)の2次元表面プロファイルを測定することにより、フィルター作用後の2次元表面プロファイル像から高さζ(L,W)の数値データマトリクスを得る。なお、測定条件は以下のとおりである。
・測定装置:AFM(装置名:Digital Instruments 社製 Nanoscope Dimension 3100)
・測定範囲:40μm×40μm
・測定ポイント数:512 points×512 points
・スキャンレート:1Hz
・フィルター条件:[Flatten] order 2
[Plane Fit] order 3, XY
高さζ(L,W)の数値データマトリクスから、各点(L,W)における相対高さZ(L,W)(以下単に「高さZ(L,W)」という。)を算出し、高さZ(L,W)の数値データマトリクスを得る。各点(L,W)における高さZ(L,W)は、具体的には、以下のようにして求められる。すなわち、全ての高さζ(L,W)を単純に平均(算術平均)して平均値を求め、平均中心高さζaveとする。そして、各点(L,W)における高さζ(L,W)を、平均中心高さζaveを基準とする相対的な高さに換算し、各点(L,W)における高さZ(L,W)を得る。高さZ(L,W)の算出方法を式で表すと、以下のとおりである。図9は、高さZ(L,W)の数値データマトリクスの一例を示す図である。
図10は、各点(L,W)における勾配GL(L,W)、GW(L,W)を算出する方法を説明するための図である。ここで、勾配GL(L,W)は、磁気テープMTの長手方向における勾配を示し、勾配GW(L,W)は、磁気テープMTの幅方向における勾配を示す。
図13、図14、図15は、高さZ(L,W)と勾配GL(L,W)と勾配GW(L,W)のデータの統計処理を説明するための図である。
上述のようにして得られた高さZ(L,W)と勾配GL(L,W)の数値データマトリクスを整理し、高さZ(L,W)と勾配GL(L,W)の関係を示す表(図13参照)を作成する。但し、勾配GL(512,W)は存在しないため、作成された表中のデータ総数は、511×512=261,632個である。
図17、図18は、高さ範囲ΔHの算出方法を説明するための図である。高さ範囲ΔHの算出の際には、データ個数M(H,A)の数値データマトリクスのうち、0≦H、0.00≦A≦1.20の範囲の成分(セル)のみが用いられる。高さHに関しては0≦Hの範囲の成分のみが用いられるのは、磁性面の凸部のみを考慮するためである。すなわち、磁性面の凹部は、電磁変換特性や摩擦に影響しないと考えられるためである。一方、勾配Aに関しては0.00≦A≦1.20の範囲の成分のみが用いられるのは、この範囲さえ演算に用いれば、分布(図16参照)の大凡の輪郭を規定するのに十分であると考えられるためである。
Hhigh=11.5、Mave(Hhigh)=2.4
Hlow=11.0、Mave(Hlow)=4.2
図19、図20は、勾配範囲ΔAの算出方法を説明するための図である。勾配範囲ΔAの算出の際には、データ個数M(H,A)の数値データマトリクスのうち、0≦H≦ΔH、0.00≦A≦16.00の範囲の成分(セル)のみが用いられる。ΔHは、上述の“(5)高さ範囲ΔHの算出”にて求められた値が使用される。勾配Aに関しては0.00≦A≦16.00の範囲の成分のみが用いられるのは、通常、勾配Aは0.00≦A≦16.00であり、当該範囲さえ演算に用いれば十分であると考えられるためである。
Ahigh=3.36、Mave(Ahigh)=2.9
Alow=3.28、Mave(Alow)=3.2
真空中の磁性層43の表面における、単位領域12.5μm×9.3μmあたりの潤滑剤の染み出し量(染み出し面積)が、3.0μm2以上6.5μm2以下、好ましくは3.5μm2以上6.5μm2以下である。真空中の磁性層43の表面における潤滑剤の染み出し量は、磁気テープMTの走行時に供給可能な潤滑剤量に対応している。上記潤滑剤染み出し量(面積)が3.0μm2未満であると、磁性層43の表面に存在する潤滑剤の量が少なすぎるため、繰り返し記録または再生を行うと、動摩擦係数が増加する。一方、上記潤滑剤染み出し量(面積)が6.5μm2を超えると、磁性層43の表面に存在する潤滑剤の量が多すぎるため、磁性層43の表面部分が潤滑剤により可塑化し、磁性層43の表面の硬度が低下したような状態となる。したがって、磁気テープMTの走行時にヘッドが磁気テープMTに密着しすぎるため、動摩擦係数が増加する。以下では、真空中の磁性層43の表面における、単位領域12.5μm×9.3μmあたりの潤滑剤の染み出し量のことを、単に「潤滑剤の染み出し量」という場合がある。
装置:株式会社日立ハイテクノロジーズ製、S−4800
加速電圧:5kV
倍率:10000倍
Analyze Particlesの設定の詳細は以下の通りである。
Size:0.02-Infinity
Show:Outlines
スライドグラスの中から無作為に選択された3か所で上述の総面積の算出を行い、それらの算出結果を単純に平均(算術平均)して、潤滑剤の染み出し量とする。
全面記録/全面再生を2回行った後の動摩擦係数μBと、上記全面記録/全面再生を行う前の動摩擦係数μAとの摩擦係数比(μB/μA)は、好ましくは2.0未満、より好ましくは1.5以下、さらにより好ましくは1.3以下、特に好ましくは1.1以下である。摩擦係数比(μB/μA)が2.0未満であると、3回目以降の記録再生において、貼り付きや走行不安定性によるデータ書き込みおよび読み取り不良の発生を抑制することができる。ここで、“全面記録/全面再生”とは、カートリッジの非圧縮最大容量(例えばLTO7であれば6TB)のデータを連続して書き込んだ後、書き込んだ情報をすべて再生することを意味する。“全面記録/全面再生”には、磁気ヘッドとしては磁気テープMTに対応したドライブのものを用いられるものとする。また、“全面記録/全面再生”は、室温にて行われるものとする。
次に、上述の構成を有する磁気テープMTの製造方法の一例について説明する。
まず、非磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、下地層形成用塗料を調製する。次に、磁性粉および結着剤等を溶剤に混練、分散させることにより、磁性層形成用塗料を調製する。磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料の調製には、例えば、以下の溶剤、分散装置および混練装置を用いることができる。
次に、下地層形成用塗料を基体41の一方の主面に塗布して乾燥させることにより、下地層42を形成する。続いて、この下地層42上に磁性層形成用塗料を塗布して乾燥させることにより、磁性層43を下地層42上に形成する。なお、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体41の厚み方向に磁場配向させる。また、乾燥の際に、例えばソレノイドコイルにより、磁性粉を基体41の走行方向(長手方向)に磁場配向させたのちに、基体41の厚み方向に磁場配向させるようにしてもよい。このように長手方向に磁性粉を一旦配向させる処理を施すことで、磁性粉の垂直配向度(すなわち角形比S1)をさらに向上することができる。磁性層43の形成後、基体41の他方の主面にバック層44を形成する。これにより、磁気テープMTが得られる。
次に、得られた磁気テープMTにカレンダー処理を行い、磁性層43の表面を平滑化する。
次に、磁気テープMTを所定の幅(例えば1/2インチ幅)に裁断する。以上により、磁気テープMTが得られる。
次に、必用に応じて、磁気テープMTの消磁を行ったのち、磁気テープMTにサーボパターンを書き込んでもよい。
以上説明したように、一実施形態に係る磁気テープMTでは、磁性層43の表面の凹凸形状の高さに加えて、磁性層43の表面の凹凸形状の傾斜を規定している。具体的には、磁性層43の表面の凹凸形状の高さの統計情報(分布)から求められた高さ範囲ΔHを4.0nm≦ΔH≦10nmの範囲とすることに加えて、磁性層43の表面の凹凸形状の勾配の統計情報(分布)から求められた勾配範囲ΔAを2.5度≦ΔAの範囲としている。これにより、優れた記録再生特性(電磁変換特性)と優れた走行安定性(低摩擦)を両立することができる。
(変形例1)
上述の一実施形態では、磁気テープカートリッジが、1リールタイプのカートリッジ10である場合について説明したが、2リールタイプのカートリッジであってもよい。
上述の一実施形態において、磁性粉が六方晶フェライト粒子粉を含む場合、磁性粉の平均粒子サイズは、例えば、13nm以上22nm以下、13nm以上19nm以下、13nm以上18nm以下、14nm以上17nm以下または14nm以上16nm以下であってもよい。
(磁性層形成用塗料の調製工程)
磁性層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第1組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第1組成物と、下記配合の第2組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、磁性層形成用塗料を調製した。
バリウムフェライト(BaFe12O19)磁性粉(六角板状、平均アスペクト比3.2、平均粒子体積2500nm3):100質量部
塩化ビニル系樹脂(シクロヘキサノン溶液30質量%):65質量部(溶液含む)
(重合度300、Mn=10000、極性基としてOSO3K=0.07mmol/g、2級OH=0.3mmol/gを含有する。)
中粒径の酸化アルミニウム粉末:7.5質量部
(α−Al2O3、平均粒径(D50)0.09μm)
塩化ビニル系樹脂:1.1質量部
(樹脂溶液:樹脂分30質量%、シクロヘキサノン70質量%)
n−ブチルステアレート:2質量部
メチルエチルケトン:121.3質量部
トルエン:121.3質量部
シクロヘキサノン:60.7質量部
カーボンブラック:2質量部
(東海カーボン社製、商品名:シーストTA)
下地層形成用塗料を以下のようにして調製した。まず、下記配合の第3組成物をエクストルーダで混練した。次に、ディスパーを備えた攪拌タンクに、混練した第3組成物と、下記配合の第4組成物を加えて予備混合を行った。続いて、さらにサンドミル混合を行い、フィルター処理を行い、下地層形成用塗料を調製した。
中粒径の針状酸化鉄粉末(非磁性粉):100質量部
(α−Fe2O3、平均長軸長0.08μm)
塩化ビニル系樹脂:55.6質量部
(樹脂溶液:樹脂分30質量%、シクロヘキサノン70質量%)
カーボンブラック:10質量部
(平均粒径20nm)
ポリウレタン系樹脂UR8200(東洋紡績製):18.5質量部
n−ブチルステアレート:2質量部
メチルエチルケトン:108.2質量部
トルエン:108.2質量部
シクロヘキサノン:18.5質量部
バック層形成用塗料を以下のようにして調製した。下記原料を、ディスパーを備えた攪拌タンクで混合を行い、フィルター処理を行うことで、バック層形成用塗料を調製した。
カーボンブラックの粉末(平均粒径(D50)20nm):100質量部
ポリエステルポリウレタン:100質量部
(日本ポリウレタン社製、商品名:N−2304)
メチルエチルケトン:500質量部
トルエン:400質量部
シクロヘキサノン:100質量部
上述のようにして調製した磁性層形成用塗料および下地層形成用塗料を用いて、非磁性支持体である、平均厚み3.6μm、長尺のポレエチレンナフタレートフィルム(以下「PENフィルム」という。)の一方の主面上に下地層および磁性層を以下のようにして形成した。まず、PENフィルムの一方の主面上に下地層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが1.1μmとなるように下地層を形成した。次に、下地層上に磁性層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが85nmとなるように磁性層を形成した。なお、磁性層形成用塗料の乾燥の際に、ソレノイドコイルにより、磁性粉をフィルムの厚み方向に磁場配向させた。また、磁気テープの垂直方向(厚み方向)における角形比S1を65%に設定し、磁気テープの長手方向における角形比S2を38%に設定した。続いて、PENフィルムの他方の主面上にバック層形成用塗料を塗布、乾燥させることにより、カレンダー処理後に平均厚みが0.4μmとなるようにバック層を形成した。これにより、磁気テープが得られた。
カレンダー処理を行い、磁性層の表面を平滑化した。この際、カレンダー処理の温度を基準温度100℃とし、かつ、カレンダー処理の圧力を基準圧力200kg/cmとすることにより、勾配範囲ΔAを3.15度、高さ範囲ΔHを8.80nm、潤滑剤の染み出し量を3.5μm2に設定した。
上述のようにして得られた磁気テープを1/2インチ(12.65mm)幅に裁断した。これにより、平均厚み5.2μmの磁気テープが得られた。
下地層形成用塗料の調製工程において、中粒径の針状酸化鉄粉末(α−Fe2O3、平均長軸長0.08μm)に代えて、大粒径の針状酸化鉄粉末(α−Fe2O3、平均長軸長0.12μm)を用いることにより、勾配範囲ΔAを4.50度、高さ範囲ΔHを9.50nmに設定した以外のことは実施例1と同様にして磁気テープを得た。
カレンダー工程において、カレンダー処理の圧力を実施例1の基準圧力200kg/cmよりも低圧に変更することにより、勾配範囲ΔAを3.40度、高さ範囲ΔHを9.00nm、潤滑剤の染み出し量を6.5μm2に設定した以外のことは実施例1と同様にして磁気テープを得た。
カレンダー工程において、カレンダー処理の圧力を実施例3よりも更に低圧にすることにより、勾配範囲ΔAを4.00度、高さ範囲ΔHを9.30nm、潤滑剤の染み出し量を7.0μm2に設定した以外のことは実施例3と同様にして磁気テープを得た。
カレンダー工程において、カレンダー処理の圧力を実施例1の基準圧力200kg/cmよりも高圧に変更することにより、勾配範囲ΔAを2.80度、高さ範囲ΔHを8.70nm、潤滑剤の染み出し量を3.2μm2に設定した以外のことは実施例1と同様にして磁気テープを得た。
カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を実施例1の基準温度100℃よりも低温に変更することにより、勾配範囲ΔAを5.20度、高さ範囲ΔHを8.50nm、潤滑剤の染み出し量を3.6μm2に設定した以外のことは実施例2と同様にして磁気テープを得た。
磁性層形成用塗料の調製工程において、バリウムフェライト磁性粉(六角板状、平均アスペクト比3.2、平均粒子体積2500nm3)に代えて、バリウムフェライト磁性粉(六角板状、平均アスペクト比2.8、平均粒子体積1600nm3)を用いた。また、磁性層形成用塗料の調製工程において、中粒径の酸化アルミニウム粉末の添加量を3.0質量部に変更した。これにより、勾配範囲ΔAが3.08度、高さ範囲ΔHが7.46nmに設定された。上記以外のことは実施例1と同様にして磁気テープを得た。
カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を実施例1の基準温度100℃よりも低温(具体的には、実施例1と比較例1のカレンダー処理温度の間の温度)に変更することにより、勾配範囲ΔAを3.52度、高さ範囲ΔHを8.42nm、潤滑剤の染み出し量を3.6μm2に設定した以外のことは実施例6と同様にして磁気テープを得た。
下地層形成用塗料の調製工程において、中粒径の針状酸化鉄粉末(α−Fe2O3、平均長軸長0.08μm)に代えて、大粒径の針状酸化鉄粉末(α−Fe2O3、平均長軸長0.12μm)を用いることにより、勾配範囲ΔAを4.80度、高さ範囲ΔHを6.50nmに設定した以外のことは実施例6と同様にして磁気テープを得た。
カレンダー工程において、カレンダー処理の圧力を実施例1の基準圧力200kg/cmよりも低圧に変更することにより、勾配範囲ΔAを3.70度、高さ範囲ΔHを7.10nm、潤滑剤の染み出し量を6.4μm2に設定した以外のことは実施例6と同様にして磁気テープを得た。
カレンダー工程において、カレンダー処理の圧力を実施例9よりも更に低圧にすることにより、勾配範囲ΔAを4.13度、高さ範囲ΔHを7.62nm、潤滑剤の染み出し量を6.8μm2に設定した以外のことは実施例9と同様にして磁気テープを得た。
カレンダー工程において、カレンダー処理の圧力を実施例1の基準圧力200kg/cmよりも高圧に変更することにより、勾配範囲ΔAを3.10度、高さ範囲ΔHを6.90nm、潤滑剤の染み出し量を3.0μm2に設定した以外のことは実施例6と同様にして磁気テープを得た。
カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を実施例1の基準温度100℃よりも高温に変更することにより、勾配範囲ΔAを2.40度、高さ範囲ΔHを6.50nm、潤滑剤の染み出し量を3.3μm2に設定した以外のことは実施例6と同様にして磁気テープを得た。
磁性層形成用塗料の調製工程において、中粒径の酸化アルミニウム粉末(α−Al2O3、平均粒径(D50)0.09μm)に代えて、小粒径の酸化アルミニウム粉末(α−Al2O3、平均粒径(D50)0.05μm)を用いることにより、勾配範囲ΔAを2.80度、高さ範囲ΔHを5.00nmに設定した以外のことは実施例6と同様にして磁気テープを得た。
下地層形成用塗料の調製工程において、中粒径の針状酸化鉄粉末(α−Fe2O3、平均長軸長0.08μm)に代えて、大粒径の針状酸化鉄粉末(α−Fe2O3、平均長軸長0.12μm)を用いることにより、勾配範囲ΔAを4.38度、高さ範囲ΔHを5.07nmに設定した以外のことは実施例12と同様にして磁気テープを得た。
磁性層形成用塗料の調製工程において、小粒径の酸化アルミニウム粉末の添加量を1.0質量部に変更した。また、カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を実施例1の基準温度100℃よりも低温(具体的には、実施例1と比較例1のカレンダー処理温度の間の温度)に変更した。これにより、勾配範囲ΔAが3.80度、高さ範囲ΔHが3.60nm、潤滑剤の染み出し量が3.6μm2に設定された。上記以外のことは実施例12と同様にして磁気テープを得た。
磁性層形成用塗料の調製工程において、バリウムフェライト磁性粉(六角板状、平均アスペクト比3.2、平均粒子体積2500nm3)に代えて、バリウムフェライト磁性粉(六角板状、平均アスペクト比3.2、平均粒子体積3500nm3)を用いた。また、磁性層形成用塗料の調製工程において、酸化アルミニウム粉末の添加量を10.0質量部に変更した。これにより、勾配範囲ΔAが3.26度、高さ範囲ΔHが11.20nmに設定された。上記以外のことは実施例1と同様にして磁気テープを得た。
カレンダー工程において、カレンダー処理の温度を実施例1の基準温度100℃よりも低温(具体的には、実施例1と比較例1のカレンダー処理温度の間の温度)に変更することにより、勾配範囲ΔAを4.07度、高さ範囲ΔHを10.20nm、潤滑剤の染み出し量を3.6μm2に設定した以外のことは比較例4と同様にして磁気テープを得た。
(SNR)
サーボパターンを書き込んだ磁気テープのSNRを以下のようにして評価した。記録/再生ヘッドおよび記録/再生アンプを取り付けた1/2インチテープ走行装置(Mountain Engineering II社製、MTS Transport)を用いて、25℃環境における磁気テープのSNR(電磁変換特性)を測定した。記録ヘッドにはギャップ長0.2μmのリングヘッドを用い、再生ヘッドにはシールド間距離0.1μmのGMRヘッドを用いた。相対速度は6m/s、記録クロック周波数は160MHz、記録トラック幅は2.0μmとした。また、SNRは、下記の文献に記載の方法に基づき算出した。その結果を、比較例4のSNRを0dBとする相対値で表1に示した。
Y.Okazaki:“An Error Rate Emulation System.”,IEEE Trans. Man., 31,pp.3093-3095(1995)
まず、上述のようにして得られた磁気テープの消磁を行ったのち、磁気テープにサーボライタを用いてサーボパターンを書き込むことにより、5本のサーボバンドを形成した。サーボパターンは、LTO−8規格に準拠するものとされた。
また、摩擦係数比の評価の際に測定した動摩擦係数(全面記録/全面再生を行う前の動摩擦係数)μAを用いて、比較例1の動摩擦係数μAに対する実施例1〜13、比較例2〜5の動摩擦係数μAの比率を求め、この比率を相対摩擦とした。相対摩擦の算出式は、具体的には以下のとおりである。
相対摩擦=(実施例1〜13、比較例2〜5の動摩擦係数μA)/(比較例1の動摩擦係数μA)
添加剤:酸化アルミニウム粉末(α−Al2O3)
非磁性粉:針状酸化鉄粉末(α−Fe2O3)
基準温度:100℃
基準圧:200kg/cm
表1および図24から以下のことがわかる。
高さ範囲ΔHがΔH<4.00nmであると、磁気ヘッドが磁気テープに張り付くため、磁気テープの走行が困難になる。一方、高さ範囲ΔHが10.00nm<ΔHであると、スペーシングロスによりSNR(電磁変換特性)が低下する。
勾配範囲ΔAがΔA<2.50度であると、相対摩擦が上昇するため、磁気テープの走行安定性が低下する。一方、勾配範囲ΔAが5.00度<ΔAであると、磁性層の表面の突部の勾配が急峻になりすぎ、磁気テープの走行時に突部が削れるため、粉落ちする。
高さ範囲ΔHが4.00≦ΔH≦8.50nmであると、SNR(電磁変換特性)をさらに向上することができる。
また、高さ範囲ΔHを4.00nm≦ΔH≦10.00nmとし、かつ、勾配範囲ΔAを2.50度≦ΔA≦5.00度とすることで、優れた記録再生特性(電磁変換特性)と優れた走行安定性(低摩擦)を両立すると共に、走行時に磁性層の表面からの粉落ちを抑制することができる。
(1)
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた磁性層と
を備え、
前記磁性層は、凹凸形状を有する表面を有し、
前記凹凸形状の高さの統計情報から求められた高さ範囲ΔHが、4.00nm≦ΔH≦10.00nmであり、
前記凹凸形状の勾配の統計情報から求められた勾配範囲ΔAが、2.50度≦ΔAである磁気記録媒体。
(2)
前記勾配範囲ΔAが、2.50度≦ΔA≦5.00度である(1)に記載の磁気記録媒体。
(3)
前記高さ範囲ΔHが、4.00nm≦ΔH≦8.50nmである(1)または(2)に記載の磁気記録媒体。
(4)
前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、
真空中における前記磁性層の表面における、単位面積12.5μm×9.3μmあたりの前記潤滑剤の染み出し量Sが、3.0μm2≦S≦6.5μm2である(1)から(3)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(5)
前記潤滑剤は、脂肪酸と脂肪酸エステルを含む(4)に記載の磁気記録媒体。
(6)
全面記録/全面再生を2回行った後の動摩擦係数μBと、前記全面記録/全面再生を行う前の動摩擦係数μAとの摩擦係数比(μB/μA)は、2.0未満である(1)から(5)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(7)
前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁性層の角形比は、65%以上である(1)から(6)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(8)
前記磁気記録媒体の平均厚みは、5.3μm以下である(1)から(7)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(9)
前記磁性層の平均厚みは、80nm以下である請求項(1)から(8)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(10)
前記基体の平均厚みは、4.4μm以下である(1)から(9)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(11)
前記磁性層は、磁性粉を含み、
前記磁性粉の平均粒子体積が、2500nm3以下である(1)から(10)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(12)
前記磁性粉の平均粒子体積が、1600nm3以下である(11)に記載の磁気記録媒体。
(13)
前記磁性層は、磁性粉を含み、
前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはCo含有スピネルフェライトを含む(1)から(10)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(14)
前記磁性層は、5以上のサーボバンドを有する(1)から(13)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(15)
前記磁性層は、9以上のサーボバンドを有する(14)に記載の磁気記録媒体。
(16)
前記磁性層の表面の面積に対する前記5以上のサーボバンドの総面積の割合は、4.0%以下である(14)に記載の磁気記録媒体。
(17)
前記サーボバンドの幅は、95μm以下である(14)から(16)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(18)
前記磁性層は、複数のデータトラックを形成可能に構成され、
前記データトラックの幅は、2000nm以下である(1)から(17)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(19)
前記基体は、ポリエステルを含む(1)から(18)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
(20)
(1)から(19)のいずれかに記載された前記磁気記録媒体を備えるカートリッジ。
11 カートリッジメモリ
31 アンテナコイル
32 整流・電源回路
33 クロック回路
34 検波・変調回路
35 コントローラ
36 メモリ
36A 第1の記憶領域
36B 第2の記憶領域
41 基体
42 下地層
43 磁性層
44 バック層
110 サーボフレーム
111 サーボサブフレーム1
111A Aバースト
111B Bバースト
112 サーボサブフレーム2
112C Cバースト
112C Cバースト
113 サーボストライプ
MT 磁気テープ
SB サーボバンド
DB データバインド
テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
基体上に設けられた下地層と、
下地層上に設けられた磁性粉を含む磁性層と
を備え、
磁気記録媒体の平均厚みは5.3μm以下であり、
磁性粉の平均粒子体積は1600nm 3 以下であり、
磁性層の表面をAFMで測定し、得られた2次元表面プロファイル像の高さζ(L、W)の数値データマトリクスを用いて算出された高さ範囲ΔHが、4.00nm≦ΔH≦10.00nmであり、
磁性層の表面をAFMで測定し、得られた2次元表面プロファイル像の高さζ(L、W)の数値データマトリクスを用いて算出された勾配範囲ΔAが、2.50度≦ΔA≦5.00度である磁気記録媒体である。
また、摩擦係数比の評価の際に測定した動摩擦係数(全面記録/全面再生を行う前の動摩擦係数)μAを用いて、比較例4の動摩擦係数μAに対する実施例1〜13、比較例1〜3、5の動摩擦係数μAの比率を求め、この比率を相対摩擦とした。相対摩擦の算出式は、具体的には以下のとおりである。
相対摩擦=(実施例1〜13、比較例1〜3、5の動摩擦係数μA)/(比較例4の動摩擦係数μA)
Claims (20)
- テープ状の磁気記録媒体であって、
基体と、
前記基体上に設けられた下地層と、
前記下地層上に設けられた磁性層と
を備え、
前記磁性層は、凹凸形状を有する表面を有し、
前記凹凸形状の高さの統計情報から求められた高さ範囲ΔHが、4.00nm≦ΔH≦10.00nmであり、
前記凹凸形状の勾配の統計情報から求められた勾配範囲ΔAが、2.50度≦ΔAである磁気記録媒体。 - 前記勾配範囲ΔAが、2.50度≦ΔA≦5.00度である請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記高さ範囲ΔHが、4.00nm≦ΔH≦8.50nmである請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記下地層および前記磁性層は、潤滑剤を含み、
真空中における前記磁性層の表面における、単位面積12.5μm×9.3μmあたりの前記潤滑剤の染み出し量Sが、3.0μm2≦S≦6.5μm2である請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 前記潤滑剤は、脂肪酸と脂肪酸エステルを含む請求項4に記載の磁気記録媒体。
- 全面記録/全面再生を2回行った後の動摩擦係数μBと、前記全面記録/全面再生を行う前の動摩擦係数μAとの摩擦係数比(μB/μA)は、2.0未満である請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁気記録媒体の垂直方向における前記磁性層の角形比は、65%以上である請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁気記録媒体の平均厚みは、5.3μm以下である請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層の平均厚みは、80nm以下である請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記基体の平均厚みは、4.4μm以下である請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層は、磁性粉を含み、
前記磁性粉の平均粒子体積が、2500nm3以下である請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性粉の平均粒子体積が、1600nm3以下である請求項11に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層は、磁性粉を含み、
前記磁性粉は、六方晶フェライト、ε酸化鉄またはCo含有スピネルフェライトを含む請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 前記磁性層は、5以上のサーボバンドを有する請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層は、9以上のサーボバンドを有する請求項14に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層の表面の面積に対する前記5以上のサーボバンドの総面積の割合は、4.0%以下である請求項14に記載の磁気記録媒体。
- 前記サーボバンドの幅は、95μm以下である請求項14に記載の磁気記録媒体。
- 前記磁性層は、複数のデータトラックを形成可能に構成され、
前記データトラックの幅は、2000nm以下である請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 前記基体は、ポリエステルを含む請求項1に記載の磁気記録媒体。
- 請求項1に記載された前記磁気記録媒体を備えるカートリッジ。
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