JP2021536032A - 基板サポート、リソグラフィ装置、基板検査装置、デバイス製造方法 - Google Patents

基板サポート、リソグラフィ装置、基板検査装置、デバイス製造方法 Download PDF

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Abstract

本発明は基板（Ｗ）を支持するための基板サポート（１）を提供するものであり、このサポートは、基板を支持するための支持面（１１）を有する支持体（ＷＴ）と、基板と支持体の支持面との間に支持面に垂直な回転軸を中心とする相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成された回転ディザデバイス（５０）と、を備える。【選択図】 図８

Description

関連出願の相互参照
[01] 本願は２０１８年８月２３日に提出された欧州出願第１８１９０５８５．２号の優先権を主張するものであり、同出願は参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
[02] 本発明は、基板サポートと、リソグラフィ装置と、基板検査装置と、デバイス製造方法とに関する。
[03] リソグラフィ装置は、基板に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）のパターン（「設計レイアウト」又は「設計」と称されることも多い）を、基板（例えばウェーハ）上に提供された放射感応性材料（レジスト）層に投影し得る。基板検査装置は、基板に適用されたパターンを検査するのに適している。
[04] 半導体製造プロセスが進み続けるにつれ、回路素子の寸法は継続的に縮小されてきたが、その一方で、デバイス毎のトランジスタなどの機能素子の量は、「ムーアの法則」と通称される傾向に従って、数十年にわたり着実に増加している。ムーアの法則に対応するために、半導体産業はますます小さなフィーチャを作り出すことを可能にする技術を追求している。基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を用い得る。この放射の波長が、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１３．５ｎｍである。例えば１９３ｎｍの波長を有する放射線を使用するリソグラフィ装置よりも小さなフィーチャを基板上に形成するためには、４ｎｍ〜２０ｎｍの範囲内、例えば６．７ｎｍ又は１３．５ｎｍの波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を使用するリソグラフィ装置が用いられ得る。
[05] 既知のリソグラフィ工程においては、基板上に数層のレジストが適用される。レジストの１層にパターンが投影され、その後レジストの次の層が適用され、このレジストの次の層に後続のパターンが投影される。こうしたサイクルが、基板の処理が終了するまで、複数回繰り返される。後続のパターンは正確な相対位置で投影されることが不可欠である。後続のパターンが前のパターンに対してあまりに遠くにずれると、基板によって形成されるマイクロチップの電気的接続に失敗する恐れがある。
[06] そのような後続のパターンの望ましくない位置ずれの原因として知られているのが、基板の変形である。基板サポート上への基板のロードは基板変形の一因となる。例えば、基板と基板を基板サポート上に配置するプロセスにあたって基板を支持する表面との間の摩擦は、これに関連のある要因である。この摩擦が基板の変形に及ぼす影響は予測し難い。
[07] ２つの物体を互いに接触させるとき、その２つの物体間の相対的なディザ運動がそれらの物体間の摩擦を低減させることは既知である。国際公開第２０１７／１８２２１６号においては、この原理が、リソグラフィ装置の基板サポート上での基板の配置に応用されている。国際公開第２０１７／１８２２１６号のシステムでは、ディザ運動は、基板の平面内での基板の並進移動である。
[08] 本発明は、基板が基板サポート上にロードされるときの基板の変形が低減される基板サポートを提供しようとするものである。
[09] 本発明の一実施形態によれば、
支持体であって、基板を支持するための支持面を含む支持体と、
基板と支持体の支持面との間に支持面に垂直な回転軸を中心とする相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成された回転ディザデバイスと、
を含む基板サポートが提供される。
[10] 本発明によれば、基板サポートの支持面に垂直に伸びる回転軸を中心とする回転ディザ運動が、基板が基板サポートの支持面上にロードされるときの基板と該支持面との間の望ましくない摩擦を低減するのに効果的であることがわかっている。特に、支持面上での基板の配置の際の基板と支持面との摩擦に起因する径方向の基板の変形が低減される。これは、ロード時の摩擦に起因する基板の変形が最大であることが多い方向である。
[11] 基板と支持体の支持面との間の相対的な回転ディザ運動においては、基板が回転方向にディザリングし得る一方で支持体の支持面は静止しているか、又は支持体の支持面が回転方向にディザリングし得る一方で基板は静止しているか、又は基板と支持体の支持面との両方が互いに相対的にディザリング、例えば反対方向にディザリングし得る。
[12] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、回転ディザデバイスは、基板が支持体の支持面の少なくとも一部と接触しているときに基板と支持体の支持面との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[13] 回転ディザ運動は、基板が支持体の支持面の少なくとも一部と接触しているときに付与されると効果的である。なぜなら、このときが基板と基板サポートの支持体の支持面との間に摩擦が発生するときであるからである。
[14] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、支持体は複数の支持体バールを含み、それらの支持体バールの上面が合わせて支持面を形成する。
[15] 支持体バールと基板との間の、特に基板の径方向の摩擦は、基板変形の一因である。本発明による回転ディザ運動を付与することによって、支持体バールと基板との間の径方向の摩擦が低減され、その結果、基板が基板サポートの支持体上にロードされるときの基板の変形は少なくなる。
[16] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、回転ディザデバイスは、基板が支持体の支持面の少なくとも一部と接触しているときに基板と支持体の支持面との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。また、本実施形態においては、支持体は複数の支持体バールを含み、それらの支持体バールの上面が合わせて支持面を形成する。さらに、本実施形態においては、回転ディザデバイスは、基板が少なくとも１つの支持体バールと接触しているときに基板と支持体の支持面との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[17] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、基板サポートはさらに支持体ホルダを含み、支持体は支持体ホルダ上に配置されており、回転ディザデバイスは、基板と支持体及び支持体ホルダの組み合わせとの間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[18] 基板と支持体及び支持体ホルダの組み合わせとの間の相対的な回転ディザ運動においては、基板が回転方向にディザリングし得る一方で支持体及び支持体ホルダの組み合わせは静止しているか、又は支持体及び支持体ホルダの組み合わせが回転方向にディザリングし得る一方で基板は静止しているか、又は基板と支持体及び支持体ホルダの組み合わせとの両方が互いに相対的にディザリング、例えば反対方向にディザリングし得る。
[19] 本実施形態の１つの利点は、ディザリングされなければならない質量（mass）が比較的小さいということである。
[20] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、基板サポートはさらにショートストロークモジュールを有する支持体ポジショナを含み、回転ディザデバイスは、基板と支持体及びショートストロークモジュールの組み合わせとの間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[21] 基板と支持体及びショートストロークモジュールの組み合わせとの間の相対的な回転ディザ運動においては、基板が回転方向にディザリングし得る一方で支持体及びショートストロークモジュールの組み合わせは静止しているか、又は支持体及びショートストロークモジュールの組み合わせが回転方向にディザリングし得る一方で基板は静止しているか、又は基板と支持体及びショートストロークモジュールの組み合わせとの両方が互いに相対的にディザリング、例えば反対方向にディザリングし得る。
[22] 本実施形態の１つの利点は、ディザリングされなければならない質量が比較的小さいということである。
[23] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、基板サポートはさらにショートストロークモジュールを有する支持体ポジショナを含み、回転ディザデバイスは、基板と支持体及びショートストロークモジュールの組み合わせとの間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。また、本実施形態においては、支持体はショートストロークモジュール上に基板テーブルを支持するように構成された複数のテーブル支持バールを含み、それらのテーブル支持バールは互いに離間しており、回転ディザデバイスは隣り合ったテーブル支持バールの間の空間に配置されたアクチュエータを含む。テーブル支持バールは、例えば、支持体の、基板を支持するための支持面とは反対の面上に位置している。
[24] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、基板サポートはさらにショートストロークモジュール及びロングストロークモジュールを有する支持体ポジショナを含み、支持体はショートストロークモジュール上に配置され、回転ディザデバイスは、ショートストロークモジュールとロングストロークモジュールとの間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[25] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、基板サポートはさらにショートストロークモジュール及びロングストロークモジュールを有する支持体ポジショナを含み、支持体はショートストロークモジュール上に配置され、回転ディザデバイスは、基板と支持体、ショートストロークモジュール及びロングストロークモジュールの組み合わせとの間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[26] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、基板サポートはさらにショートストロークモジュール及びロングストロークモジュールを有する支持体ポジショナを含み、支持体はショートストロークモジュール上に配置され、回転ディザデバイスは、ショートストロークモジュールとロングストロークモジュールとの間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。また、本実施形態においては、支持体ポジショナは、ショートストロークモジュールとロングストロークモジュールとの間に相対運動を誘起するように構成されたアクチュエータを含み、回転ディザデバイスは、ショートストロークモジュールとロングストロークモジュールとの間に回転ディザ運動を誘起するべく支持体ポジショナのアクチュエータを制御するように構成されたアクチュエータコントローラを含む。
[27] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、基板サポートはさらに、支持体の支持面上に基板を配置するように構成された基板ポジショナを含む。
[28] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、基板サポートはさらに、支持体の支持面上に基板を配置するように構成された基板ポジショナを含む。また、本実施形態においては、回転ディザデバイスは、基板ポジショナと基板支持面との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[29] 基板ポジショナと支持体の支持面との間の相対的な回転ディザ運動においては、基板ポジショナが回転方向にディザリングし得る一方で支持体の支持面は静止しているか、又は支持体の支持面が回転方向にディザリングし得る一方で基板ポジショナは静止しているか、又は基板ポジショナと支持体の支持面との両方が互いに相対的にディザリング、例えば反対方向にディザリングし得る。
[30] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、基板サポートはさらに、支持体の支持面上に基板を配置するように構成された基板ポジショナを含む。また、本実施形態においては、回転ディザデバイスは、基板ポジショナと基板支持面との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。さらに、本実施形態においては、基板ポジショナはローディングピンを含み、回転ディザデバイスは、ローディングピンと基板支持面との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[31] ローディングピンと支持体の支持面との間の相対的な回転ディザ運動においては、ローディングピンが回転方向にディザリングし得る一方で支持体の支持面は静止しているか、又は支持体の支持面が回転方向にディザリングし得る一方でローディングピンは静止しているか、又はローディングピンと支持体の支持面との両方が互いに相対的にディザリング、例えば反対方向にディザリングし得る。
[32] 本発明の一実施形態によれば、
支持体であって、基板を支持するための支持面を含む支持体と、
支持体の支持面上に基板を配置するように構成された基板ポジショナと、
基板ポジショナと基板支持面との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成された回転ディザデバイスと、
を含む基板サポートが提供される。
[33] 本実施形態は本発明の他の全ての実施形態と組み合わせることができる。
[34] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、支持面は支持面の平面内に延在しており、回転ディザデバイスは、支持面の平面に平行な平面内で基板と支持体の支持面との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[35] 本発明による基板サポートの一実施形態においては、基板サポートはさらに、支持体の支持面上に基板を配置するように構成された基板ポジショナを含む。また、本実施形態においては、基板ポジショナは基板を基板平面内に保持する一方で基板を支持体の支持面上に配置するように構成されており、回転ディザデバイスは、基板平面に平行又は少なくとも実質的に平行な平面内で基板と支持体の支持面との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[36] 本発明のさらなる一実施形態においては、本発明による基板サポートを含むリソグラフィ装置が提供される。
[37] 本発明によるリソグラフィ装置の一実施形態においては、リソグラフィ装置は、投影システムと、投影システムに対して基板を位置決めするための基板位置決めシステムと、を含み、基板位置決めシステムは本発明による基板サポートを含む。
[38] 本発明によるリソグラフィ装置の一実施形態においては、リソグラフィ装置は基板プリアライメントデバイスを含み、基板プリアライメントデバイスは本発明による基板サポートを含む。
[39] 本発明によるリソグラフィ装置の一実施形態においては、リソグラフィ装置は、基板の温度を安定化させるように構成された基板熱安定化デバイスを含み、基板熱安定化デバイスは本発明による基板サポートを含む。
[40] 本発明のさらなる一実施形態においては、本発明による基板サポートを含む基板検査装置が提供される。
[41] 本発明のさらなる一実施形態においては、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写することを含み、本発明によるリソグラフィ装置を使用するステップを含む、デバイス製造方法が提供される。
[42] 本発明の実施形態を、添付の概略図を参照して、単なる例示として以下に説明する。
リソグラフィ装置の図式的概観を図示する。 図１のリソグラフィ装置の一部の詳細図を図示する。 位置制御システムを概略的に図示する。 基板Ｗを基板サポート上にロードする方法の一例におけるステップを概略的に示す。 基板Ｗを基板サポート上にロードする方法の一例における後続のステップを概略的に示す。 基板Ｗを基板サポート上にロードする方法の一例における後続のステップを概略的に示す。 基板Ｗを基板サポート上にロードする方法の一例における後続のステップを概略的に示す。 本発明による基板サポート１の第１の実施形態を概略的に示す。 本発明による基板サポート１の第２の実施形態を概略的に示す。 本発明による基板サポート１の第３の実施形態を概略的に示す。 リソグラフィ装置又は基板検査装置が基板Ｗを基板サポート上に配置するように構成された基板グリッパを含む一実施形態を概略的に示す。 回転ディザデバイスの一実施形態を示す。
[43] 本文献では、「放射」及び「ビーム」という用語は、特に明記しない限り、紫外線（例えば、波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ又は１２６ｎｍの波長）及びＥＵＶ（極端紫外線放射、例えば、約５〜１００ｎｍの範囲の波長を有する）を含む、すべてのタイプの電磁放射を包含するために使用される。
[44] 「レチクル」、「マスク」、又は「パターニングデバイス」という用語は、本文で用いる場合、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応して、入来する放射ビームにパターン付き断面を与えるため使用できる汎用パターニングデバイスを指すものとして広義に解釈され得る。また、この文脈において「ライトバルブ」という用語も使用できる。古典的なマスク（透過型又は反射型マスク、バイナリマスク、位相シフトマスク、ハイブリッドマスク等）以外に、他のそのようなパターニングデバイスの例は、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤアレイを含む。
[45] 図１は、リソグラフィ装置ＬＡを概略的に示す。リソグラフィ装置ＬＡは、放射ビームＢ（例えばＵＶ放射、ＤＵＶ放射、又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータとも呼ばれる）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに連結されたマスクサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って支持体ＷＴを正確に位置決めするように構築された第２のポジショナＰＷに連結された支持体（例えばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を含む。
[46] 動作中、照明システムＩＬは、例えばビームデリバリシステムＢＤを介して放射源ＳＯから放射ビームを受ける。照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、及び／又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、及び／又はその他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使用して放射ビームＢを調節し、パターニングデバイスＭＡの平面において、その断面にわたって所望の空間及び角度強度分布が得られるようにしてもよい。
[47] 本明細書で用いられる「投影システム」ＰＳという用語は、使用する露光放射、及び／又は液浸液の使用や真空の使用のような他のファクタに合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、アナモルフィック光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム、及び／又は静電気光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む様々なタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈するべきである。本明細書で「投影レンズ」という用語が使用される場合、これはさらに一般的な「投影システム」ＰＳという用語と同義と見なすことができる。
[48] リソグラフィ装置ＬＡは、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の空間を充填するように、基板の少なくとも一部を例えば水のような比較的高い屈折率を有する液体で覆うことができるタイプでもよい。これは液浸リソグラフィとも呼ばれる。液浸技法に関するさらなる情報は、参照により本願に含まれる米国特許６９５２２５３号に与えられている。
[49] リソグラフィ装置ＬＡは、２つ以上の支持体ＷＴを有するタイプである場合もある（「デュアルステージ」という名前も付いている）。このような「マルチステージ」機械においては、支持体ＷＴを並行して使用するか、及び／又は、一方の支持体ＷＴ上の基板Ｗにパターンを露光するためこの基板を用いている間に、他方の支持体ＷＴ上に配置された基板Ｗに対して基板Ｗの以降の露光の準備ステップを実行することができる。
[50] 支持体ＷＴに加えて、リソグラフィ装置ＬＡは測定ステージを含むことができる。測定ステージは、センサ及び／又は洗浄デバイスを保持するように配置されている。センサは、投影システムＰＳの特性又は放射ビームＢの特性を測定するよう配置できる。測定ステージは複数のセンサを保持することができる。洗浄デバイスは、例えば投影システムＰＳの一部又は液浸液を提供するシステムの一部のような、リソグラフィ装置の一部を洗浄するよう配置できる。支持体ＷＴが投影システムＰＳから離れている場合、測定ステージは投影システムＰＳの下方で移動することができる。
[51] 動作中、放射ビームＢは、マスクサポートＭＴ上に保持されている、例えばマスクのようなパターニングデバイスＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡ上に存在するパターン（設計レイアウト）によってパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２のポジショナＰＷ及び位置測定システムＩＦを用いて、例えば、放射ビームＢの経路内の集束し位置合わせした位置に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように、支持体ＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭと、場合によっては別の位置センサ（図１には明示的に図示されていない）を用いて、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせすることができる。図示されている基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は専用のターゲット部分を占有するが、それらをターゲット部分間の空間に位置付けることも可能である。基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、これらがターゲット部分Ｃ間に位置付けられている場合、スクライブラインアライメントマークとして知られている。本発明を明確化するために、デカルト座標系が用いられる。デカルト座標系は３つの軸、すなわちｘ軸、ｙ軸及びｚ軸を有する。３つの軸の各々は他の２つの軸に直交する。ｘ軸を中心とする回転はＲｘ回転と称される。ｙ軸を中心とする回転はＲｙ回転と称される。ｚ軸を中心とする回転はＲｚ回転と称される。ｘ軸及びｙ軸は水平面を定義し、その一方でｚ軸は垂直方向にある。デカルト座標系は本発明を限定するものではなく、明確化のためにのみ用いられる。本発明を明確化するためには、代わりに、円筒座標系のような別の座標系が用いられてもよい。デカルト座標系の配向は、例えばｚ軸が水平面に沿った成分を有するなど、異なっていてもよい。
[52] 図２は、図１のリソグラフィ装置ＬＡの一部のより詳細な図を示す。リソグラフィ装置ＬＡは、基礎フレームＢＦと、バランスマスＢＭと、メトロロジフレームＭＦと、振動絶縁システムＩＳとを備え得る。メトロロジフレームＭＦは投影システムＰＳを支持する。また、メトロロジフレームＭＦは、位置測定システムＰＭＳの一部を支持し得る。メトロロジフレームＭＦは、振動絶縁システムＩＳを介して基礎フレームＢＦによって支持されている。振動絶縁システムＩＳは、振動が基礎フレームＢＦからメトロロジフレームＭＦへと伝播するのを防止又は低減するために配置される。
[53] 第２のポジショナＰＷは、支持体ＷＴとバランスマスＢＭとの間に駆動力を提供することによって支持体ＷＴを加速するために配置される。駆動力は支持体ＷＴを所望の方向に加速させる。運動量保存により、駆動力はバランスマスＢＭにも同じ規模で、しかし所望の方向とは反対の方向で、付与される。典型的には、バランスマスＢＭの質量は、第２のポジショナＰＷ及び支持体ＷＴの移動部の質量よりも有意に大きい。
[54] 一実施形態においては、第２のポジショナＰＷはバランスマスＢＭによって支持される。例えば、第２のポジショナＰＷは、支持体ＷＴをバランスマスＢＭの上方に浮遊させるための平面モータを含む。別の一実施形態においては、第２のポジショナＰＷは基礎フレームＢＦによって支持される。例えば、第２のポジショナＰＷはリニアモータを含み、第２のポジショナＰＷは支持体ＷＴを基礎フレームＢＦの上方に浮遊させるためのガスベアリングのようなベアリングを含む。
[55] 位置測定システムＰＭＳは、支持体ＷＴの位置を判定するのに適した任意のタイプのセンサを含んでいてもよい。位置測定システムＰＭＳは、マスクサポートＭＴの位置を判定するのに適した任意のタイプのセンサを含んでいてもよい。センサは、干渉計又はエンコーダなどの光センサであってもよい。位置測定システムＰＭＳは、干渉計とエンコーダとの複合システムを含んでいてもよい。センサは、磁性センサ、静電容量センサ又は誘導センサなど、別のタイプのセンサであってもよい。位置測定システムＰＭＳは、基準、例えばメトロロジフレームＭＦ又は投影システムＰＳに対する位置を判定し得る。位置測定システムＰＭＳは、位置を測定することによって又は速度もしくは加速など位置の時間微分を測定することによって、基板テーブルＷＴ及び／又はマスクサポートＭＴの位置を判定してもよい。
[56] 位置測定システムＰＭＳはエンコーダシステムを含んでいてもよい。エンコーダシステムは、例えば、参照により本明細書に組み込まれる、２００６年９月７日に提出された米国特許出願第２００７／００５８１７３Ａ１号から既知である。エンコーダシステムは、エンコーダヘッドと、格子と、センサとを含む。エンコーダシステムは第１放射ビーム及び第２放射ビームを受けてもよい。第１放射ビーム並びに第２放射ビームはいずれも、同じ放射ビーム、すなわち原放射ビームに由来し得る。第１放射ビームと第２放射ビームとのうち少なくとも一方は、原放射ビームを格子で回折することによって生成される。第１放射ビームと第２放射ビームとの両方が原放射ビームを格子で回折することによって生成される場合には、第１放射ビームは第２放射ビームとは異なる回折次数を有する必要がある。異なる回折次数とは、例えば、＋１次、−１次、＋２次、及び−２次である。エンコーダシステムは第１放射ビームと第２放射ビームとを光学的に組み合わせて複合放射ビーム（combined radiation beam）にする。エンコーダヘッド内のセンサが、複合放射ビームの位相又は位相差を判定する。センサは、その位相又は位相差に基づいて信号を生成する。信号は、格子に対するエンコーダヘッドの位置を表す。エンコーダヘッドと格子とのうち一方は、基板構造ＷＴ上に配置されてもよい。エンコーダヘッドと格子とのうち他方は、メトロロジフレームＭＦ又は基礎フレームＢＦ上に配置されてもよい。例えば、複数のエンコーダヘッドがメトロロジフレームＭＦ上に配置され、その一方で１つの格子が支持体ＷＴの上面に配置される。別の一例においては、１つの格子が支持体ＷＴの底面に配置され、１つのエンコーダヘッドが支持体ＷＴの下方に配置される。
[57] 位置測定システムＰＭＳは干渉計システムを含んでいてもよい。干渉計システムは、例えば、参照により本明細書に組み込まれる、１９９８年７月１３日に提出された米国特許第６，０２０，９６４号から既知である。干渉計システムは、ビームスプリッタと、ミラーと、基準ミラーと、センサとを含み得る。放射ビームは、ビームスプリッタによって、基準ビームと測定ビームとに分割される。測定ビームはミラーへ伝播し、ミラーによって反射されてビームスプリッタに戻る。基準ビームは基準ミラーへ伝播し、基準ミラーによって反射されてビームスプリッタに戻る。ビームスプリッタでは、測定ビームと基準ビームとが組み合わされて複合放射ビームにされる。複合放射ビームはセンサに入射する。センサは複合放射ビームの位相又は周波数を判定する。センサは、その位相又は周波数に基づいて信号を生成する。信号はミラーの変位を表す。一実施形態においては、ミラーは支持体ＷＴに接続される。基準ミラーはメトロロジフレームＭＦに接続されてもよい。一実施形態においては、測定ビームと基準ビームとは、ビームスプリッタではなく追加的な光学コンポーネントによって組み合わされて複合放射ビームにされる。
[58] 第１のポジショナＰＭはロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを含んでいてもよい。ショートストロークモジュールは、ロングストロークモジュールに対して高精度で小さな移動範囲にわたってマスクサポートＭＴを移動させるように配置される。ロングストロークモジュールは、投影システムＰＳに対して比較的低精度で大きな移動範囲にわたってショートストロークモジュールを移動させるように配置される。ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとの組み合わせによって、第１のポジショナＰＭは、投影システムＰＳに対して高精度で大きな移動範囲にわたってマスクサポートＭＴを移動させることができる。同様に、第２のポジショナＰＷはロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを含んでいてもよい。ショートストロークモジュールは、ロングストロークモジュールに対して高精度で小さな移動範囲にわたって支持体ＷＴを移動させるように配置される。ロングストロークモジュールは、投影システムＰＳに対して比較的低精度で大きな移動範囲にわたってショートストロークモジュールを移動させるように配置される。ロングストロークモジュールとショートストロークモジュールとの組み合わせによって、第２のポジショナＰＷは、投影システムＰＳに対して高精度で大きな移動範囲にわたって支持体ＷＴを移動させることができる。ショートストロークモジュールはロングストロークモジュールに対して支持体ＷＴを移動させるように配置され、ロングストロークモジュールはショートストロークモジュールを移動させるように配置される。ショートストロークモジュールは支持体ＷＴを第１の移動範囲の方向に移動させ得る。ロングストロークモジュールはショートストロークモジュールを第１の移動範囲よりも大きい第２の移動範囲の方向に移動させ得る。
[59] 第１のポジショナＰＭ及び第２のポジショナＰＷは、各々が、マスクサポートＭＴ及び支持体ＷＴをそれぞれ移動させるためのアクチュエータを備えている。アクチュエータは、単軸、例えばｙ軸に沿って駆動力を提供するためのリニアアクチュエータであってもよい。複数の軸に沿って駆動力を提供するために、複数のリニアアクチュエータが適用されてもよい。アクチュエータは、複数の軸に沿って駆動力を提供するための平面アクチュエータであってもよい。例えば、平面アクチュエータは、支持体ＷＴを６自由度で移動させるように配置されてもよい。アクチュエータは、少なくとも１つのコイルと少なくとも１つの磁石とを含む電磁アクチュエータであってもよい。アクチュエータは、少なくとも１つのコイルに電流を印加することによって少なくとも１つのコイルを少なくとも１つの磁石に対して移動させるように配置される。アクチュエータは可動磁石式アクチュエータであってもよく、これはそれぞれ支持体ＷＴ及びマスクサポートＭＴに連結された少なくとも１つの磁石を有する。アクチュエータは可動コイル式アクチュエータであってもよく、これはそれぞれ支持体ＷＴ及びマスクサポートＭＴに連結された少なくとも１つのコイルを有する。アクチュエータは、ボイスコイルアクチュエータ、リラクタンスアクチュエータ、ローレンツアクチュエータ、もしくはピエゾアクチュエータ、又は任意の他の適当なアクチュエータであってもよい。
[60] リソグラフィ装置ＬＡは、図３に概略的に図示されるように、位置制御システムＰＣＳを含む。位置制御システムＰＣＳは、セットポイントジェネレータＳＰと、フィードフォワードコントローラＦＦと、フィードバックコントローラＦＢとを含む。位置制御システムＰＣＳは、駆動信号をアクチュエータＡＣＴに提供する。アクチュエータＡＣＴは、第１のポジショナＰＭのアクチュエータであってもよく、又は第２のポジショナＰＷのアクチュエータであってもよい。アクチュエータＡＣＴは、支持体ＷＴ又はマスクサポートＭＴを含み得るプラントＰを駆動する。プラントＰの出力は、位置又は速度又は加速などの位置量である。位置量は位置測定システムＰＭＳによって測定される。位置測定システムＰＭＳは信号を生成し、この信号はプラントＰの位置量を表す位置信号である。セットポイントジェネレータＳＰは信号を生成し、この信号はプラントＰの所望の位置量を表す基準信号である。例えば、基準信号は支持体ＷＴの所望の軌道を表す。基準信号と位置信号との差は、フィードバックコントローラＦＢのための入力を形成する。その入力に基づいて、フィードバックコントローラＦＢは、アクチュエータＡＣＴのための駆動信号の少なくとも一部を提供する。基準信号はフィードフォワードコントローラＦＦのための入力を形成し得る。その入力に基づいて、フィードフォワードコントローラＦＦは、アクチュエータＡＣＴのための駆動信号の少なくとも一部を提供する。フィードフォワードＦＦは、質量、剛性、共振モード、及び固有振動数など、プラントＰの力学的特性についての情報を利用してもよい。
[61] 図４から図７は、基板Ｗを基板サポート１上にロードする方法の一例を示す。
[62] 図４から図７の例においては、基板サポート１は支持体ＷＴを含み、この支持体は例えば基板テーブル又はウェーハテーブルである。基板体ＷＴは複数の支持体バール１２を備えている。これらの支持体バール１２の上面は合わせて、基板Ｗを支持するための支持面１１を形成する。支持面１１はｘ−ｙ平面内に延在している。
[63] 図４から図７の例においては、基板サポート１はさらに、ショートストロークモジュール２０とロングストロークモジュール３０とを有する支持体ポジショナ１５（この支持体ポジショナは例えば第２のポジショナＰＷであるか又は第２のポジショナＰＷを含む）を含む。基板支持体ＷＴは、支持体ポジショナ１５のショートストロークモジュール２０上に配置されてそれと共に移動する。ショートストロークモジュール２０はロングストロークモジュール３０上に取り付けられている。例えばリニアモータであるショートストロークアクチュエータ２１が、ショートストロークモジュール２０を支持体ＷＴと共に、ロングストロークモジュール３０に対して移動させる。
[64] ロングストロークモジュール３０は、例えば平面モータであるロングストロークアクチュエータ３１によって移動される。ロングストロークアクチュエータ３１は、ロングストロークモジュール３０を、例えばリソグラフィ装置の基礎フレームＢＦ又は基板検査装置の基礎フレームに対して移動させる。
[65] 図４から図７の例においては、基板サポート１はさらに、複数のローディングピン３３を含む基板ポジショナ３４を含む。例えば、３つのローディングピン３３が提供される。ローディングピン３３はｚ方向に移動可能であり、したがって支持面１１に垂直である。ｘ−ｙ平面内では、ローディングピン３３は、例えばロングストロークモジュール３０と共に移動する、及び／又はロングストロークモジュール３０に連結される。ロングストロークモジュール３０は穴３２を備えており、ローディングピン３３はその穴を通って延伸する。ショートストロークモジュール２０は穴２２を備えており、ローディングピン３３はその穴を通って延伸する。支持体ＷＴは穴１３を備えており、ローディングピン３３はその穴を通って延伸する。
[66] 本発明による基板サポート１が使用され得るリソグラフィ装置又は基板検査装置は、基板Ｗを基板サポート１にもたらすための基板グリッパ２をさらに含んでいることが多い。
[67] 図４から図７の基板ロード方法においては、当初、基板ポジショナ３４のローディングピン３３は最上位置にある。この位置では、ローディングピン３３は、支持体ＷＴの支持面１１の上方に延伸している。基板グリッパ２は、基板Ｗを保持して、基板Ｗをローディングピン３３の上端部に持っていく。図４にこれが示されている。
[68] 図５は、例示的な基板ロード方法の次の段階を示す。基板グリッパ２は、基板Ｗをローディングピン３３の頂部に配置済みである。基板グリッパ２は基板Ｗを解放して、基板サポート１から遠ざかる。基板Ｗはローディングピン３３上に載置されている。この位置では、基板Ｗはｘ−ｙ平面内に延在しており、したがって支持面１１に平行又は少なくとも実質的に平行である。
[69] 図６は、例示的な基板ロード方法のさらに次の段階を示す。ローディングピン３３は基板Ｗを支持体ＷＴの支持面１１と接触させるべくｚ方向で下方に移動される。この支持面１１は、本実施形態においては、支持体バール１２の頂部によって形成されている。このときに、基板Ｗが支持体ＷＴの支持面１１と接触して、支持面１１と基板Ｗとの間で摩擦が発生し始める。したがって、基板ロード方法のこの部分において、本発明による相対的な回転ディザ運動を付与するのが有利である。
[70] 図７は、例示的な基板ロード方法のさらに次の段階を示す。ローディングピン３３はｚ方向でさらに下方に移動され、それによって基板Ｗを解放する。今や基板Ｗは支持体ＷＴの支持面１上に載置されている。基板Ｗを支持体ＷＴの支持面１１上に固定するために、真空クランプ又は静電クランプなどのクランプが適用されてもよい。クランプは、任意選択的には、ローディングピン３３が図６に見られる位置から下方に移動される前に既にクランプ力を提供してもよい。このクランプ力によって、基板Ｗは１つ以上の支持体バール１２の頂部の上を局所的に移動し得、それによって基板Ｗのさらなる変形が引き起こされる。これは特に、クランプ力が、基板Ｗを支持面１１上の位置に固定するためばかりでなく、基板サポート１に到着したときにいくらか反っている基板を平らにするためにも用いられる場合に当てはまる。したがって、基板ロード方法のこの部分においても、本発明による相対的な回転ディザ運動を付与するのが有利である。
[71] 図８は、本発明による基板サポート１の第１の実施形態を示す。図８の基板サポート１は、図４から図７に示される基板サポートと類似の構造をしている。同じ参照番号は基板サポート１の同じ要素を示す。
[72] よって、図８の実施形態において、基板サポート１は支持体ＷＴを備えており、この支持体ＷＴは基板Ｗを支持するための支持面１１を含む。支持面１１は支持体バール１２の上面によって形成されている。
[73] 図８の実施形態において、基板サポート１はさらに回転ディザデバイス５０を含み、この回転ディザデバイスは、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１１との間に支持面１１に垂直な回転軸を中心とする、したがって本例においてはｘ−ｙ平面内にｚ軸を中心とする相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。回転ディザデバイス５０は、本実施形態においては、支持体ＷＴとショートストロークモジュール２０との間に配置されている。代替的には、回転ディザデバイス５０は、異なる場所に配置されるが、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１１との間に支持面１１に垂直な回転軸を中心とする相対的な回転ディザ運動を誘起するアクチュエータ（これは回転ディザデバイス自体の一部であってもよいし、そうでなくてもよい）を制御するように構成される。
[74] 本実施形態においては、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１１との間の相対的な回転ディザ運動は、基板Ｗをローディングピン３３上に支持する一方で、それと同時に支持体ＷＴをｘ−ｙ平面内でｚ軸を中心としてディザリングさせることによって得られる。ディザリングが起こるとき、基板Ｗは既に少なくとも１つの支持体バール１２の頂部と接触している。回転ディザデバイス５０は、基板Ｗが支持体ＷＴの支持面１１の表面の少なくとも一部と接触しているとき又は基板Ｗが支持体ＷＴの支持面１１の表面の少なくとも一部と接触する前に、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１１との間に相対的な回転ディザ運動を誘起し始めるように構成されている。ディザリングは、任意選択的には、全ての支持体バール１２が基板Ｗと完全に接触するまで又は接触した後、及び／又は基板が支持体ＷＴ上にクランプされるまで、継続する。したがって、本実施形態においては、回転ディザデバイス５０は、基板Ｗが支持体ＷＴの支持面１１の少なくとも一部と接触しているときに、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１１との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[75] 本実施形態においては、回転ディザデバイスは（ローディングピン３３上に載置されている）基板と支持体ＷＴとの間に回転ディザ運動を引き起こす。ローディングピン３３はｘ−ｙ平面内でショートストロークモジュール２０及び／又はロングストロークモジュール３０に対して静止状態に保たれる。
[76] 図８の実施形態の変形においては、支持体ＷＴは、支持体ポジショナ１５のショートストロークモジュール２０上ではなく支持体ホルダ上に支持される。支持体ホルダは可動であってもよく、又は静止していてもよい。例えば、支持体ホルダは、リソグラフィ装置内又は基板検査装置内に配置されてもよい。例えば、支持体ホルダは、リソグラフィ装置又は基板検査装置の基礎フレームＢＦに対して可動であってもよく、又は静止していてもよい。
[77] 図８の実施形態においては、支持体ＷＴは、支持体ポジショナ１５のショートストロークモジュール２０上に支持されている。ｚ方向（すなわち垂直方向）では、支持体ＷＴは任意選択的には１つ以上のテーブル支持バール２３によってショートストロークモジュール２０上（又は支持体ホルダ上）に支持され、この１つ以上のテーブル支持バールは、任意選択的には支持体ＷＴ上、例えば支持体ＷＴの支持面１１とは反対の表面上、例えば支持体ＷＴの下側に提供される。好適には、互いに離隔した複数のテーブル支持バール２３が提供される。テーブル支持バール２３は、支持体ＷＴとショートストロークモジュール２０（又は支持体ホルダ）との間の相対的な回転ディザ運動を可能にするように、ｘ−ｙ平面内で可撓性である。任意選択的には、テーブル支持バール２３は支持体バール１２よりもｚ方向に長い。任意選択的には、追加的に１つ以上の支持止め２４が提供される。支持止め２４は、ショートストロークモジュール２０（又は支持体ホルダ）に対する支持体ＷＴのｚ方向での正確な位置決めを提供するために、比較的高いｚ方向の剛性を有する。本実施形態においては、回転ディザデバイス５０は、テーブル支持バール２３及び／又は支持止め２４の間の空間に配置されたアクチュエータを含む。代替的には、回転ディザデバイス５０は、テーブル支持バール２３及び／又は支持止め２４の間の空間に配置されたアクチュエータを制御する。
[78] 任意選択的には、図８の実施形態において、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１１との間に追加の相対的なディザ運動が提供される。追加のディザ運動は、支持面１１に垂直な軸を中心とする相対的な回転ディザ運動とは異なる方向で起こる。例えば、追加の相対的なディザ運動は、ｚ方向（すなわち垂直方向）で起こる。
[79] これは、例えば、支持体ＷＴをｚ方向で静止状態に保ちつつ基板ポジショナ３４のローディングピン３３をｚ方向でディザリングさせるように構成された、又は基板ポジショナ３４のローディングピン３３をｚ方向で静止状態に保ちつつ支持体ＷＴをｚ方向でディザリングさせるように構成された、又はｚ方向で相対的なディザ運動が生じるように支持体ＷＴと基板ポジショナ３４のローディングピン３３との両方をｚ方向でディザリングさせるように構成された直動ディザデバイスを提供することによって達成可能である。任意選択的には、回転ディザデバイスと直動ディザデバイスとは組み合わされて多方向ディザデバイスにされる。
[80] 図９は、本発明による基板サポート１の第２の実施形態を示す。図９の基板サポート１は、図４から図７に示される基板サポート及び図８に示される基板サポート１と類似の構造をしている。同じ参照番号は基板サポート１の同じ要素を示す。
[81] よって、図９の実施形態において、基板サポート１は支持体ＷＴを含み、その支持体ＷＴは基板Ｗを支持するための支持面１１を含む。支持面１１は支持体バール１２の上面によって形成されている。
[82] 図９の実施形態においては、基板サポート１はさらに回転ディザデバイス５０を含む。回転ディザデバイス５０は、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１１との間に支持面１１に垂直な回転軸を中心とする、したがって本例においてはｘ−ｙ平面内にｚ軸を中心とする相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[83] 本実施形態においては、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１１との間の相対的な回転ディザ運動は、基板Ｗを基板ポジショナ３４のローディングピン３３上に支持する一方で、それと同時に支持体ポジショナ１５のショートストロークモジュール２０をｘ−ｙ平面内でｚ軸を中心としてディザリングさせることによって得られる。回転ディザデバイスはロングストロークモジュール３０に対するショートストロークモジュール２０の回転ディザ運動を引き起こす。ローディングピン３３はｘ−ｙ平面内でロングストロークモジュール３０に対して静止状態に保たれる。支持体は、ショートストロークモジュール２０上に支持され、ショートストロークモジュール２０と共に移動する。
[84] ディザリングが起こるとき、基板Ｗは既に少なくとも１つの支持体バール１２の頂部と接触している。回転ディザデバイス５０は、基板Ｗの少なくとも一部が少なくとも１つの支持体バール１２と接触しているとき又は基板Ｗの少なくとも一部が少なくとも１つの支持体バール１２と接触する前に、基板Ｗと支持体バール１２との間に相対的な回転ディザ運動を誘起し始めるように構成されている。ディザリングは、任意選択的には、全ての支持体バール１２が基板Ｗと接触するまで又は接触した後、及び／又は基板が支持体ＷＴ上にクランプされるまで、継続する。したがって、本実施形態においては、回転ディザデバイス５０は、基板Ｗが支持体ＷＴの支持面１１の少なくとも一部と接触しているときに、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１１との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[85] 図９の実施形態においては、支持体ＷＴはショートストロークモジュール２０上に、例えば固定的に支持される。支持体ＷＴは、例えば、ショートストロークモジュール２０の凹部内に配置されてもよい。
[86] 図９の実施形態においては、回転ディザデバイス５０は、制御接続５２によって支持体ポジショナ１５のショートストロークアクチュエータ２１に接続されている。制御接続５２は有線接続であってもよいし、又は無線接続であってもよい。本実施形態の回転ディザデバイス５０は、ショートストロークモジュール２０にロングストロークモジュール３０に対してｘ−ｙ平面内でｚ方向を中心とした回転ディザ運動を実行させるべくショートストロークコントローラ２１を制御するように構成されたアクチュエータコントローラ５３を含む。代替的には、回転ディザデバイス５０は、ショートストロークモジュール２０をロングストロークモジュール３０に対して移動させるように構成されたアクチュエータを備えていてもよい。
[87] 図９の実施形態の変形においては、支持体ＷＴは、ショートストロークモジュール２０上ではなく支持体ホルダ上に支持される。例えば、支持体ホルダは、リソグラフィ装置内又は基板検査装置内に配置されてもよい。例えば、支持体ホルダは、リソグラフィ装置又は基板検査装置の基礎フレームＢＦに対して可動であってもよい。この変形においては、回転ディザデバイスは、例えば、基礎フレームＢＦに対する支持体ホルダの回転ディザ運動を引き起こす。
[88] 任意選択的には、図９の実施形態においては、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１２との間に追加の相対的なディザ運動が提供される。追加のディザ運動は、支持面１２に垂直な軸を中心とする相対的な回転ディザ運動とは異なる方向で起こる。例えば、追加の相対的なディザ運動は、ｚ方向（すなわち垂直方向）で起こる。
[89] これは、例えば、支持体ＷＴと支持体ポジショナ１５のショートストロークモジュール２０とをｚ方向で静止状態に保ちつつ基板ポジショナ３４のローディングピン３３をｚ方向でディザリングさせるように構成された、又は基板ポジショナ３４のローディングピン３３をｚ方向で静止状態に保ちつつ支持体ＷＴと支持体ポジショナ１５のショートストロークモジュール２０とをｚ方向でディザリングさせるように構成された、又はｚ方向で相対的なディザ運動が生じるように支持体ＷＴとショートストロークモジュール２０及びローディングピン３３とをいずれもｚ方向でディザリングさせるように構成された直動ディザデバイスを提供することによって達成可能である。任意選択的には、回転ディザデバイスと直動ディザデバイスとは組み合わされて多方向ディザデバイスにされる。
[90] 図１０は、本発明による基板サポート１の第３の実施形態を示す。図１０の基板サポート１は、図４から図７に示される基板サポート並びに図８及び図９に示される基板サポート１と類似の構造をしている。同じ参照番号は基板サポート１の同じ要素を示す。
[91] よって、図１０の実施形態において、基板サポート１は支持体ＷＴを含み、その支持体ＷＴは基板Ｗを支持するための支持面１１を含む。支持面１１は支持体バール１２の上面によって形成されている。
[92] 図１０の実施形態においては、基板サポート１はさらに回転ディザデバイス５０を含み、この回転ディザデバイスは本実施形態においては基板ポジショナ３４のローディングピン３３を係合させる。回転ディザデバイス５０は、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１１との間に支持面１１に垂直な回転軸を中心とする、したがって本例においてはｘ−ｙ平面内にｚ軸を中心とする相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[93] 本実施形態においては、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１１との間の相対的な回転ディザ運動は、基板Ｗを支持体ＷＴの支持面１１上に支持する一方で、それと同時に支持体ポジショナ３４のローディングピン３３をｘ−ｙ平面内でｚ軸を中心としてディザリングさせることによって得られる。回転ディザデバイス５０は、支持体ＷＴの支持面１１に対するローディングピン３３の回転ディザ運動を引き起こす。支持体ＷＴの支持面１１はｘ−ｙ平面内で静止状態に保たれる。
[94] ディザリングが起こるとき、基板Ｗは既に少なくとも１つの支持体バール１２の頂部と接触している。回転ディザデバイス５０は、基板Ｗの少なくとも一部が少なくとも１つの支持体バール１２と接触しているとき又は基板Ｗの少なくとも一部が少なくとも１つの支持体バール１２と接触する前に、基板Ｗと支持体バール１２との間に相対的な回転ディザ運動を誘起し始めるように構成されている。ディザリングは、任意選択的には、全ての支持体バール１２が基板Ｗと接触するまで又は接触した後、及び／又は基板が支持体ＷＴ上にクランプされるまで、継続する。したがって、本実施形態においては、回転ディザデバイス５０は、基板Ｗが支持体ＷＴの支持面１１の少なくとも一部と接触しているときに、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１１との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[95] 図１０の実施形態の変形においては、支持体ＷＴは、ショートストロークモジュール２０上ではなく支持体ホルダ上に支持される。例えば、支持体ホルダは、リソグラフィ装置内又は基板検査装置内に配置されてもよい。例えば、支持体ホルダは、リソグラフィ装置又は基板検査装置の基礎フレームＢＦに対して静止していてもよい。この変形においては、回転ディザデバイスは、例えば、支持体ホルダに対するローディングピン３３の回転ディザ運動を引き起こす。
[96] 図１０の実施形態においては、支持体ＷＴは、支持体ポジショナ１５のショートストロークモジュール２０上に、例えば固定的に支持される。支持体ＷＴは、例えば、ショートストロークモジュール２０の凹部内に配置されてもよい。
[97] 図１０の実施形態においては、回転ディザデバイス５０は、直接的又は間接的に、基板ポジショナ３４のローディングピン３３に接続されている。回転ディザデバイス５０は、例えばローディングピン３３を係合してもよい。
[98] 本実施形態の変形においては、回転ディザデバイス５０はロングストロークモジュール３０に接続されてもよく、その場合このロングストロークモジュールは、本変形においては、ローディングピン３３がロングストロークモジュール３０と共に移動するようにローディングピン３３に接続される。回転ディザデバイス５０は、任意選択的には、ロングストロークモジュール３０に回転ディザ運動を課すアクチュエータを含む。代替的には、回転ディザデバイスは、制御接続によってロングストロークアクチュエータ３１に接続される。制御接続は有線接続であってもよいし、又は無線接続であってもよい。回転ディザデバイスは、本実施形態においては、ロングストロークモジュール３０にショートストロークモジュール３０及び支持体ＷＴに対してｘ−ｙ平面内でｚ方向を中心とした回転ディザ運動を実行させるべくロングストロークアクチュエータ３１を制御するように構成されている。
[99] 任意選択的には、図１０の実施形態においては、基板Ｗと支持体ＷＴの支持面１２との間に追加の相対的なディザ運動が提供される。追加のディザ運動は、支持面１２に垂直な軸を中心とする相対的な回転ディザ運動とは異なる方向で起こる。例えば、追加の相対的なディザ運動は、ｚ方向（すなわち垂直方向）で起こる。
[100] これは、例えば、支持体ＷＴと支持体ポジショナ１４のショートストロークモジュール２０とをｚ方向で静止状態に保ちつつ基板ポジショナ３４のローディングピン３３をｚ方向でディザリングさせるように構成された、又はローディングピン３３をｚ方向で静止状態に保ちつつ支持体ＷＴとショートストロークモジュール２０とをｚ方向でディザリングさせるように構成された、又はｚ方向で相対的なディザ運動が生じるように支持体ＷＴとショートストロークモジュール２０及びローディングピン３３とをいずれもｚ方向でディザリングさせるように構成された直動ディザデバイスを提供することによって達成可能である。任意選択的には、回転ディザデバイスと直動ディザデバイスとは組み合わされて多方向ディザデバイスにされる。
[101] 図１０の実施形態においては、回転ディザデバイス５０は、基板グリッパ２が基板Ｗをロードピン３３上に配置するとき、したがってロードピン３３が基板Ｗを支持体ＷＴの支持面１１上に配置する前に、起動されてもよい。このようにすれば、ロードピン３３と基板Ｗとの間の摩擦に起因する基板Ｗの変形が低減される。
[102] 図８，図９及び図１０に示される実施形態は、例えば、リソグラフィ装置又は基板検査装置において適用され得る。
[103] 一実施形態においては、リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと、投影システムＰＳに対して基板Ｗを位置決めするための基板位置決めシステムとを含む。本実施形態では、基板位置決めシステムは、図８，図９及び図１０に示される実施形態のうちの１つによる基板サポート１を含んでいてもよい。
[104] 一実施形態においては、リソグラフィ装置は基板プリアライメントデバイスを含む。本実施形態では、基板プリアライメントデバイスは、図８，図９及び図１０に示される実施形態のうちの１つによる基板サポートを含んでいてもよい。
[105] 一実施形態においては、リソグラフィ装置は熱安定化デバイスを含む。熱安定化デバイスは基板Ｗの温度を安定化させるように構成されている。熱安定化デバイスは、基板Ｗを所望の温度にするように及び／又は基板Ｗを均一な温度にするように配置され得る。熱安定化デバイスは、温度制御された流体を有する流路を含んでいてもよい。熱安定化デバイスは、清浄空気などの気体を基板Ｗに提供してもよく、その気体は制御された温度である。本実施形態では、熱安定化デバイスは、図８，図９及び図１０に示される実施形態のうちの１つによる基板サポートを含んでいてもよい。
[106] 図１１は、リソグラフィ装置又は基板検査装置が基板サポート１上に基板Ｗを配置するように構成された基板グリッパ２を含む一実施形態を示す。例えば、基板グリッパ２は、基板Ｗを基板サポート１の基板ポジショナ３４のローディングピン３３上に配置するように構成されている。基板サポート１は、例えば、図４から図７，図８，図９，及び図１０に示される基板サポート１であってもよい。基板グリッパ２は、基板Ｗを基板サポート１のローディングピン３３上に配置しつつ基板Ｗを基板平面内に保持するように構成されている。
[107] 本実施形態においては、基板グリッパは、基板Ｗとローディングピン３３との間に基板平面に垂直な軸５１を中心とする相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成された回転ディザデバイス５０を備えていてもよい。
[108] このようにすれば、ロードピン３３と基板Ｗとの間の摩擦に起因する基板Ｗの変形が低減される。
[109] 一実施形態においては、基板グリッパは、非接触で基板Ｗを扱うように配置されたベルヌーイグリッパである。基板Ｗに沿って気体流を付与することにより、ベルヌーイグリッパは、グリッパと基板Ｗとの間に減圧を引き起こす流れの速い気体膜を介して基板Ｗを保持することができる。この減圧によって基板はグリッパに向けて付勢されるが、それと同時に気体膜が基板Ｗとグリッパとの機械的接触を防止する。気体膜は基板Ｗと基板グリッパとの機械的接触を防止する。ベルヌーイグリッパは、基板Ｗの上側、すなわち基板Ｗの、パターンが結像される側を保持し得る。上側を保持することによって、ベルヌーイグリッパは、ローディングピン３３を用いることを要さずに基板Ｗを支持面１１に設置し得る。本実施形態においては、回転ディザデバイス５０は、基板Ｗが基板グリッパによって保持されるとき、基板Ｗと支持面１１との間に基板平面に垂直な軸５１を中心とする相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている。
[110] 図１２は回転ディザデバイス５０の一実施形態を示す。
[111] 本実施形態においては、ディザデバイスのいくつかの要素を接続することのできるフレーム１００が提供される。もっとも、ディザデバイス５０が例えばリソグラフィ装置又は基板検査装置において使用されるときには、フレーム１００は省略されてもよい。代わりに、ディザデバイス５０の各要素は、リソグラフィ装置又は基板検査装置の要素にそれぞれ接続され得る。
[112] 図１２の実施形態においては、ディザデバイス５０はディザデバイスアクチュエータ１０２を含む。本実施形態においては、これはリニアアクチュエータ、例えばピエゾアクチュエータ又はローレンツアクチュエータである。本実施形態のリニアアクチュエータ１０２は、支持面１１が延在する平面に平行なｘ−ｙ平面内で動作するように配置される。
[113] 図１２の実施形態においては、ディザデバイスアクチュエータ１０２は、ここでは三角形の形状を有する運動伝達体１０１に連結されている。運動伝達体１０１は２つのまっすぐな板バネ１０５，１０６によってフレームに接続されている。また、運動伝達体１０１は、２つのまっすぐな板バネ１０８，１１１及び２つの曲がった板バネ１０７，１１２によって、ディザリングされるオブジェクトに連結されている。図１２の実施形態においては、ディザリングされるオブジェクトは支持体ＷＴである。図１２の実施形態の変形においては、ディザリングされるオブジェクトは異なっていてもよい。例えば、ディザリングされるオブジェクトは、ショートストロークモジュール２０又はローディングピン３３であってもよい。
[114] ディザリングされるオブジェクトは、まっすぐな板バネ１０９，１１０によってフレーム１００に接続されている。
[115] 板バネ１０５，１０６，１０７，１０８，１０９，１１０，１１１，１１２は、ディザデバイスアクチュエータ１０２のｘ−ｙ平面内での直線運動がｘ−ｙ平面内での回転運動に変換されるような構成である。これは例えば、図１２に示される板バネ１０５，１０６，１０７，１０８，１０９，１１０，１１１，１１２の構成によって達成される。
[116] 上述した実施形態のいずれにおいても、相対的な回転ディザ運動は、例えば０．０１マイクロメートルから１０マイクロメートルの範囲（端点は範囲に含まれる）の振幅、任意選択的には０．０５マイクロメートルから５マイクロメートルの範囲（端点は範囲に含まれる）の振幅、例えば０．１マイクロメートルから２マイクロメートルの範囲（端点は範囲に含まれる）の振幅、例えば０．５マイクロメートルから１．５マイクロメートルの範囲（端点は範囲に含まれる）の振幅を有する。
[117] 上述した実施形態のいずれにおいても、任意選択的な付加の相対的なディザ運動は、例えば０．０１マイクロメートルから１０マイクロメートルの範囲（端点は範囲に含まれる）の振幅、任意選択的には０．０５マイクロメートルから５マイクロメートルの範囲（端点は範囲に含まれる）の振幅、例えば０．１マイクロメートルから2マイクロメートルの範囲（端点は範囲に含まれる）の振幅、例えば０．５マイクロメートルから１．５マイクロメートルの範囲（端点は範囲に含まれる）の振幅を有する。
[118] 上述した実施形態のいずれにおいても、相対的な回転ディザ運動は、例えば１００Ｈｚから１０ｋＨｚの範囲（端点は範囲に含まれる）のディザリング周波数、任意選択的には２００Ｈｚから５ｋＨｚの範囲（端点は範囲に含まれる）のディザリング周波数、例えば５００Ｈｚから１．５ｋＨｚの範囲（端点は範囲に含まれる）のディザリング周波数を有する。
[119] 上述した実施形態のいずれにおいても、任意選択的な付加のディザ運動は、例えば１００Ｈｚから１０ｋＨｚの範囲（端点は範囲に含まれる）のディザリング周波数、任意選択的には２００Ｈｚから５ｋＨｚの範囲（端点は範囲に含まれる）のディザリング周波数、例えば５００Ｈｚから１．５ｋＨｚの範囲（端点は範囲に含まれる）のディザリング周波数を有する。
[120] ディザ運動は、正弦曲線形状の又は正弦曲線形状を組み合わせた形をした速度プロファイルを有していてもよい。代替的又は追加的には、ディザ運動は、階段形状、三角形状又は台形状の速度プロファイルを有していてもよい。
[121] ディザデバイス５０が、基板サポート、リソグラフィデバイス又は基板検査装置において既に利用可能なアクチュエータ、例えばショートストロークモジュール２０のアクチュエータ又はロングストロークモジュール３０のアクチュエータを制御するように構成されている場合には、ディザ運動を誘起するために開ループ制御信号が用いられ得る。これらの開ループ制御信号は、各アクチュエータによってもたらされる任意の他の運動を制御するために用いられる制御信号に追加して印加され得る。
[122] 上記で言及した検査装置は、基板Ｗの特性を測定するために配置される任意のタイプの装置であり得る。例えば、検査装置は、基板Ｗ上のマークの位置を判定するために配置されるマーク検出システムを有していてもよい。検査装置は、同一層内の２つのマーク間又は異なる層にある２つのマーク間の相対位置を測定してもよい。
[123] 検査装置はリソグラフィ装置と一体であってもよい。例えば、基板Ｗはまず、検査装置のマーク検出システムの付近に配置された基板サポート１上にロードされる。検査装置が検査を完了した後、基板Ｗは、マーク検出システムの付近に配置された基板サポート１からアンロードされ、リソグラフィ装置の投影システムＰＳの付近に配置された基板サポート１上にロードされる。複数の回転ディザデバイス、つまり、マーク検出システムの付近に配置された基板サポート１のための回転ディザデバイス５０及び投影システムＰの付近に配置された基板サポート１のための回転ディザデバイス５０が提供されてもよい。
[124] 検査装置は、基板Ｗ上に結像されたパターンの少なくとも一部の形状及び／又は位置を判定するために基板Ｗ上へｅビーム（電子ビーム）を伝播するように配置されたｅビームデバイスを含んでいてもよい。
[125] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。考えられる他の用途は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。
[126] 本明細書ではリソグラフィ装置に関連して本発明の実施形態について具体的な言及がなされているが、本発明の実施形態は他の装置に使用することもできる。本発明の実施形態は、マスク検査装置、メトロロジ装置、又はウェーハ（あるいはその他の基板）もしくはマスク（あるいはその他のパターニングデバイス）などのオブジェクトを測定又は処理する任意の装置の一部を形成してよい。これらの装置は一般にリソグラフィツールと呼ばれることがある。このようなリソグラフィツールは、真空条件又は周囲（非真空）条件を使用することができる。
[127] 以上では光学リソグラフィと関連して本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は、例えばインプリントリソグラフィなど、その他の適用例において使用されてもよく、文脈が許す限り、光学リソグラフィに限定されないことが理解されるであろう。
[128] 文脈上許される場合、本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組み合わせにおいて実装することができる。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサにより読み取られて実行され得る、機械可読媒体に記憶された命令として実装することも可能である。機械可読媒体は、機械（例えばコンピューティングデバイス）により読み取り可能な形態で情報を記憶又は伝送するための任意の機構を含むことができる。例えば機械可読媒体は、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号（例えば搬送波、赤外信号、デジタル信号など）、及び他のものを含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令は、特定のアクションを実行するものとして本明細書で説明されることがある。しかしながら、そのような説明は単に便宜上のものであり、そのようなアクションは実際には、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行するコンピューティングデバイス、プロセッサ、コントローラ、又は他のデバイスから生じ、実行する際、アクチュエータ又は他のデバイスが物質世界と相互作用し得ることを理解すべきである。
[129] 以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることは理解されよう。上記の説明は例示的であり、限定的ではない。それ故、下記に示す特許請求の範囲から逸脱することなく、記載されたような本発明を変更できることが当業者には明白である。

Claims (15)

  1. 基板を支持するための基板サポートであって、
    支持体であって、前記基板を支持するための支持面を含む支持体と、
    ショートストロークモジュールと、
    ロングストロークモジュールと、
    回転ディザデバイスと、
    を備えており、
    前記ショートストロークモジュールは前記ロングストロークモジュールに対して前記支持体を移動させるように配置され、前記ロングストロークモジュールは前記ショートストロークモジュールを移動させるように配置され、
    前記回転ディザデバイスは、前記基板と前記支持体の前記支持面との間に前記支持面に垂直な回転軸を中心とする相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている、基板サポート。
  2. 前記回転ディザデバイスは、前記基板が前記支持体の前記支持面の少なくとも一部と接触しているときに前記基板と前記支持体の前記支持面との間に前記相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている、請求項１に記載の基板サポート。
  3. 前記支持体は複数の支持体バールを含み、前記支持体バールの上面が合わせて前記支持面を形成する、請求項１又は２のいずれかに記載の基板サポート。
  4. 前記回転ディザデバイスは、前記基板と前記支持体及び前記ショートストロークモジュールの組み合わせとの間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている、請求項１から３のいずれかに記載の基板サポート。
  5. 前記基板体は前記ショートストロークモジュール上に前記基板体を支持するように構成された複数のテーブル支持バールを備え、前記テーブル支持バールは互いに離間しており、
    前記回転ディザデバイスは隣り合ったテーブル支持バールの間の空間に配置されたアクチュエータを備える、請求項１から４のいずれかに記載の基板サポート。
  6. 前記回転ディザデバイスは、前記ショートストロークモジュールと前記ロングストロークモジュールとの間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている、請求項１から５のいずれかに記載の基板サポート。
  7. 前記基板サポートはさらに、前記支持体の前記支持面上に前記基板を配置するように構成された基板ポジショナを備えており、
    前記回転ディザデバイスは、前記基板ポジショナによって保持される前記基板と前記基板支持面との間に相対的な回転ディザ運動を誘起するように構成されている、請求項１から６のいずれかに記載の基板サポート。
  8. 前記基板ポジショナはローディングピンを備えており、前記回転ディザデバイスは前記ローディングピンに接続されており、前記ロングストロークモジュールは前記ローディングピンが前記ロングストロークモジュールと共に移動するように前記ローディングピンに接続されている、請求項７に記載の基板サポート。
  9. 前記基板ポジショナは、前記基板を基板平面内に保持する一方で前記基板を前記支持体の前記支持面上に配置するように構成されており、
    前記回転ディザデバイスは、前記相対的な回転ディザ運動とは異なる方向の追加の相対的なディザ運動を提供するように構成されている、請求項１から８のいずれかに記載の基板サポート。
  10. 請求項１から９のいずれかに記載の基板サポートを備えるリソグラフィ装置。
  11. 投影システムと、前記投影システムに対して基板を位置決めするための基板位置決めシステムと、を備えるリソグラフィ装置において、前記基板位置決めシステムは請求項１から９のいずれかに記載の基板サポートを備える、リソグラフィ装置。
  12. 基板プリアライメントデバイスを備えるリソグラフィ装置において、前記基板プリアライメントデバイスは請求項１から９のいずれかに記載の基板サポートを備える、リソグラフィ装置。
  13. 前記基板の温度を安定化させるように構成された基板熱安定化デバイスを備えるリソグラフィ装置において、前記基板熱安定化デバイスは請求項１から９のいずれかに記載の基板サポートを備える、リソグラフィ装置。
  14. 請求項１から９のいずれかに記載の基板サポートを備える基板検査装置。
  15. パターニングデバイスから基板上にパターンを転写することを備えるデバイス製造方法であって、請求項１０から１３のうち一項に記載のリソグラフィ装置を使用するステップを備える、デバイス製造方法。
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