JP2021532252A

JP2021532252A - 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びこれを含む光学半導体用反射材料

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Publication number: JP2021532252A
Application number: JP2021530757A
Authority: JP
Inventors: テフンチェ，; スンヒョンカン，; ジョンモアン，
Original assignee: KCC Silicone Corp
Current assignee: KCC Silicone Corp
Priority date: 2018-08-17
Filing date: 2019-06-24
Publication date: 2021-11-25
Anticipated expiration: 2039-06-24
Also published as: KR20200020533A; KR102114059B1; TW202009275A; TWI722520B; CN112533994A; JP7128357B2; CN112533994B; WO2020036305A1

Abstract

【課題】硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びこれを含む光学半導体用反射材料の提供。【解決手段】本発明は、硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びこれを含む光学半導体用反射材料に関する。本発明に係る硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、混合オルガノポリシロキサン、顔料及び充填剤としてシルセスキオキサンを含み、前記混合オルガノポリシロキサン１００重量部を基準に前記顔料２０から５０重量部及び前記シルセスキオキサン５から１５重量部を含み、全アリール基の含量は全有機基の１５モル％以下で含む。これにより、常温で低粘度の液相を具現して成形性及び精密定量の吐出性などに優れ、耐熱性が向上して高温条件でも亀裂及び変色による反射率低下の問題を改善することができる。【選択図】なし

Description

本発明は、硬化性オルガノポリシロキサン組成物及びこれを含む光学半導体用反射材料に関する。

従来の表面実装型（ｓｕｒｆａｃｅｍｏｕｎｔｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ、ＳＭＴ）方式の光半導体（ＬＥＤ）パッケージ（Ｐａｃｋａｇｅ、ＰＫＧ）は、一般にチップの上端部の電極とＰＫＧの下端部の電極をワイヤでボンディングする方式で構成されており、これを保護するためにケース及びフレームとして反射率の高い材料を用いて反射板の役割を担うようにした。このようなＳＭＴ方式の光半導体パッケージのための材料としてポリフタルアミド樹脂（Ｐｏｌｙｐｈｔａｌａｍｉｄｅｒｅｓｉｎ、ＰＰＡｒｅｓｉｎ）、縮合型樹脂などが使用されているが、これらは変色、切断時にバリ（ｂｕｒｒ）の発生、ボイド（Ｖｏｉｄ）の発生、高温で使用する際に亀裂の発生などの問題を有する。

一方、最近、光半導体ＰＫＧの小型薄膜化の要求に応じてチップの下端部にのみ電極がある構造のフリップチップが常用化されるに伴い、フレームが省略されるか、チップ間の間隔が狭くて高密度化が可能なチップスケールパッケージ（ＣｈｉｐＳｃａｌｅＰａｃｋａｇｅ、ＣＰＳ）の要求が増加している。また、チップ間の間隔を反射率の高いシリコーン（ｓｉｌｉｃｏｎｅ）でディスペンシングまたはモールディング方式で硬化した後、単一チップに切断してＰＫＧを製造する方式に変化している。よって、ＣＰＳ工程に使用するための多様な液相のシリコーンが開発されているが、これらを用いて形成した硬化物の硬度の確保が不十分でありポットライフが短いため、成形性が足りないという問題、シリコーン組成物に含まれるフェニル基が高温条件で変色し、反射率が低下するという問題を依然として有している実情である。

したがって、精巧な成形加工、薄膜状態で可視光領域での反射率が高く、耐熱性に優れた材料に対する要求が依然として増加している。

特許第２，６５６，３３６号公報

本発明は、常温で液相に存在して薄膜の反射材料を成形するのに容易であり、薄膜での反射率が高く、硬化物の硬度が高いため、切断時にバリ（ｂｕｒｒ）の発生が少なく、耐熱性に優れた硬化性オルガノポリシロキサンを提供することを課題とする。

前記課題を解決するために、本発明の一側面は、混合オルガノポリシロキサン、顔料及び充填剤としてシルセスキオキサン（Ｓｉｌｓｅｓｑｕｉｏｘａｎｅ）を含み、前記混合オルガノポリシロキサン１００重量部を基準に前記顔料２０から５０重量部及び前記シルセスキオキサン５から１５重量部を含み、全アリール基の含量は全有機基の１５モル％以下で含む硬化性オルガノポリシロキサン組成物を提供する。

また、前記課題を解決するために、本発明の他の側面は、前記硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いて形成される硬化物を含む光学半導体用反射材料を提供する。

本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、常温で低粘度の液相を具現して成形性及び精密定量の吐出性などに優れる。

それだけでなく、組成物内に過量のアリール基を含まなくとも、本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いて形成される硬化物は、十分な硬度とモジュラスを示すことになる。また、耐熱性に優れるため、高温条件でも亀裂及び変色による反射率低下の問題を改善することができる。

以下、本発明を詳しく説明する。

１．硬化性オルガノポリシロキサン組成物
本発明の一側面は、硬化性オルガノポリシロキサン組成物を提供する。

本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、混合オルガノポリシロキサン、顔料及びシルセスキオキサンを含み、より具体的に、前記硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、前記混合オルガノポリシロキサン１００重量部を基準に、前記顔料２０から５０重量部及び前記シルセスキオキサン５から１５重量部を含む。

混合オルガノポリシロキサン
本発明において、混合オルガノポリシロキサンは、第１オルガノポリシロキサン、第２オルガノポリシロキサン及び第３オルガノポリシロキサンを含む。

具体的に、前記第１オルガノポリシロキサンは、一分子内に少なくとも一つのアルケニル基、好ましくは２つ以上のアルケニル基を含み、少なくとも一つ以上のＳｉＯ_２単位を含み、一例として下記化学式１で表されたものを含んでよい。
［化学式１］
（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ａ（Ｒ^２ _３ＳｉＯ_１／２）_ｂ（ＳｉＯ_２）_ｃ
前記化学式１において、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立してＣ_１からＣ_６のアルキル基またはＣ_２からＣ_６のアルケニル基であり、Ｒ^１のうち少なくとも一つはＣ_２からＣ_６のアルケニル基である。前記Ｒ^１またはＲ^２のアルキル基またはアルケニル基は、それぞれ直鎖または分岐鎖であってよく、鎖状または環状であってよい。

前記「Ｃ_１からＣ_６のアルキル基」は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基からなる群から選択されてよく、特に、前記Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立してメチル基、エチル基、プロピル基などの鎖状アルキル基であってよく、特にメチル基であってよい。

前記「Ｃ_２からＣ_６のアルケニル基」は、ビニル基、ブテニル基、ペンテニル基及びヘキセニル基からなる群から選択されてよく、特にビニル基であってよい。

前記化学式１において、全ケイ素（Ｓｉ）に対してＳｉＯ_２単位が４０重量％以上、例えば５０から８０重量％で含まれるのが好ましいが、ＳｉＯ_２単位が４０重量％以上含まれると、分子構造内にアリール基が含まれなくとも常温で高硬度の硬化物を形成することができ、高温で長時間使用しても変色による反射率の低下が少ないため、優れた耐熱性を確保することができる。また、高硬度の硬化物の形成が可能なので、無気質充填剤を過量使用しなくとも常温で液相である硬化性オルガノポリシロキサン組成物を提供することができ、それにより作業性に優れるという効果がある。もし、ＳｉＯ_２単位の含量が４０重量％未満であれば、硬化性オルガノポリシロキサンの粘度が低くなるので、作業性が悪くなり得る。

詳細には、前記化学式１においてａ＋ｂ＋ｃ＝１であり、前記ａは、０．０５から０．２５の数、例えば０．１から０．２であってよく、前記ａが０．０５未満であれば、前記第１オルガノポリシロキサンの架橋密度が低くなり、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化反応性が低下するという問題が現われ得、０．２５超過であれば、架橋密度が高いため形成される硬化物の硬度が高く、経時変化によるクラックが発生し得る。前記ｂは、０．１から０．５の数、例えば０．２５から０．４５であってよく、前記ｂが０．１未満であれば、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の粘度が高いので、流れ性が悪くなり、ディスペンシング作業などの成形性が低下するという問題が現われ得、０．５超過であれば、架橋密度が低くなるため形成される硬化物の硬度が不良になり得る。前記ｃは、０．４から０．６の数、例えば０．４５から０．５５であってよく、前記ｃが０．４未満であれば、硬化物の十分な硬度の確保が難しく、ｃが０．６超過であれば、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の粘度が高くなるため流れ性が低く、ディスペンシング作業などの成形性が低下するという問題が現われ得る。

例えば、前記第１オルガノポリシロキサンは、両末端がそれぞれビニルジメチルシロキシ基及びトリメチルシロキシ基であるシリケートレジン、または、両末端がそれぞれジビニルメチルシロキシ基及びトリメチルシロキシ基であるシリケートレジンであってよい。前記両末端がそれぞれビニルジメチルシロキシ基及びトリメチルシロキシ基であるシリケートレジンは、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．１５（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．３５（ＳｉＯ_２）_０．５、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．１０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．４０（ＳｉＯ_２）_０．５、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．３（ＳｉＯ_２）_０．５、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．１５（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．４５（ＳｉＯ_２）_０．４、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．１０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．５０（ＳｉＯ_２）_０．４、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．４（ＳｉＯ_２）_０．４、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_{０．１２５}（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_{０．３７５}（ＳｉＯ_２）_０．５または（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．２（ＳｉＯ_２）_０．６であってよく、末端がジビニルメチルシロキシ基及びトリメチルシロキシ基であるシリケートレジンは、（Ｖｉ_２ＭｅＳｉＯ_１／２）_０．１５（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．３５（ＳｉＯ_２）_０．５、（Ｖｉ_２ＭｅＳｉＯ_１／２）_０．１０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．４０（ＳｉＯ_２）_０．５、（Ｖｉ_２ＭｅＳｉＯ_１／２）_０．２（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．３（ＳｉＯ_２）_０．５、（Ｖｉ_２ＭｅＳｉＯ_１／２）_０．１５（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．４５（ＳｉＯ_２）_０．４、（Ｖｉ_２ＭｅＳｉＯ_１／２）_０．１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．５（ＳｉＯ_２）_０．４、（Ｖｉ_２ＭｅＳｉＯ_１／２）_０．２（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．４（ＳｉＯ_２）_０．４または（Ｖｉ_２ＭｅＳｉＯ_１／２）_０．２（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．２（ＳｉＯ_２）_０．６であってよい。

前記第２オルガノポリシロキサンは、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の粘度を調節して流れ性を付与し、モジュラスを調節する直鎖状のオルガノポリシロキサン成分であって、一分子内に少なくとも一つのアルケニル基、好ましくは２つ以上のアルケニル基を含み、下記化学式２で表されたものを含んでよい。
［化学式２］
（Ｒ^３ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^３Ｒ^４ＳｉＯ）_ｄ（Ｒ^４ _２ＳｉＯ）_ｅ
前記化学式２において、Ｒ^３は、それぞれ独立してＣ_１からＣ_６のアルキル基、Ｃ_２からＣ_６のアルケニル基またはＣ_６からＣ_１２のアリール基であり、Ｒ^４は、それぞれ独立してＣ_１からＣ_６のアルキル基またはＣ_６からＣ_１２のアリール基であり、前記Ｒ^３のうち少なくとも一つ以上はＣ_２からＣ_６のアルケニル基である。

前記アルキル基及びアルケニル基は、前記で定義した通りであり、前記Ｒ^３は、Ｃ_１からＣ_６のアルキル基としてメチル基であるのが好ましく、Ｃ_２からＣ_６のアルケニル基としてビニル基であるのが好ましい。前記「Ｃ_６からＣ_１２のアリール基」は、フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、ビスフェニレン基などを挙げることができ、特にフェニル基であるのが好ましい。

前記化学式２において、前記ｄ及びｅは、それぞれ独立して０または１以上の整数であり、１０≦ｄ＋ｅ≦１０，０００であり、０≦ｄ／（ｄ＋ｅ）≦０．１である。前記ｄ＋ｅが１０未満であれば、硬化性オルガノポリシロキサン組成物が硬化中の組成物の揮発により反射材料の厚さが低くなり、これによって色座標の変化が発生し得る。前記ｄ＋ｅが１０，０００超過であれば、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の流れ性が低くなり、組成物内の顔料分散性の低下及び顔料配合量の減少の問題を引き起こし、結果として薄膜での反射率低下の問題が現れ得る。前記ｄ／（ｄ＋ｅ）が０．１超過であれば、前記第２オルガノポリシロキサンの反応性が低下し、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の密度が高くなるので、硬化物硬度の経時変化によるクラックが発生し得る。

例えば、前記第２オルガノポリシロキサンは、ビニルジメチルシロキシ基末端ジメチルシロキサンポリマー、ビニルジメチルシロキシ基末端メチルビニルシロキサン−ジメチルシロキサンブロックポリマー、トリメチルシロキシ基末端メチルビニルシロキサン−ジメチルシロキサンブロックポリマー、ビニルジメチルシロキシ基末端メチルビニルシロキサン−ジメチルシロキサンブロックポリマーまたはビニルジメチルシロキシ基末端ジフェニルシロキサン−ジメチルシロキサンブロックポリマーなどであってよい。

前記ビニルジメチルシロキシ基末端ジメチルシロキサンポリマーは、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_ｎ１（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）であってよい。具体的に、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_６０（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_１２０（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_１５０（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_２２５（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_５００（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_１０００（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）または（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_１２５０（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）であってよい。

前記ビニルジメチルシロキシ基末端メチルビニルシロキサン−ジメチルシロキサンブロックポリマーは、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（ＶｉＭｅＳｉＯ）_ｎ２（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_ｎ３（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）であってよい。具体的に、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（ＶｉＭｅＳｉＯ）_１（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_５９（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（ＶｉＭｅＳｉＯ）_１０（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_９５（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（ＶｉＭｅＳｉＯ）_３０（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_４００（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）または（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（ＶｉＭｅＳｉＯ）_５０（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_１０００（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）であってよい。

前記トリメチルシロキシ基末端メチルビニルシロキサン−ジメチルシロキサンブロックポリマーは、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（ＶｉＭｅＳｉＯ）_ｎ４（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_ｎ５（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）であってよい。具体的に、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（ＶｉＭｅＳｉＯ）_３０（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_４００（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（ＶｉＭｅＳｉＯ）_５（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_５４０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（ＶｉＭｅＳｉＯ）_５０（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_１０００（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）または（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（ＶｉＭｅＳｉＯ）_６（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_６０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）であってよい。

前記ビニルジメチルシロキシ基末端ジメチルシロキサン−メチルフェニルシロキサンブロックポリマーは、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_ｎ６（ＭｅＰｈＳｉＯ）_ｎ７（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）であってよい。具体的に、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_２０（ＭｅＰｈＳｉＯ）_２（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_４０（ＭｅＰｈＳｉＯ）_２（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）または（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_１２５（ＭｅＰｈＳｉＯ）_１０（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）であってよい。

前記ビニルジメチルシロキシ基末端ジメチルシロキサン−ジフェニルシロキサンブロックポリマーは、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_ｎ８（Ｐｈ_２ＳｉＯ）_ｎ９（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）であってよい。具体的に、（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_４０（Ｐｈ_２ＳｉＯ）_２（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）または（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_２２５（Ｐｈ_２ＳｉＯ）_１０（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）であってよい。

好ましくは、前記第２オルガノポリシロキサンの粘度は２５℃で０．１から１００Ｐａ．ｓ、例えば０．３から８０Ｐａ．ｓ、０．５から７０Ｐａ．ｓであるものを用いてよい。前記第２オルガノポリシロキサンの粘度が前記範囲内である場合、硬化性オルガノポリシロキサンの流れ性、モジュラスなどの特性改善の側面で好ましく、前記範囲未満または超過である場合、流れ性、モジュラスなどの特性が不良になるという問題が現われ得る。一実施形態において、前記第２オルガノポリシロキサンの粘度は、ＡｎｔｏｎＰａａｒ社で製作したレオメータＭＣＲシリーズとしてＡＳＴＭＤ４２８３−９８（２０１５）の方法を用いて測定した。

前記第３オルガノポリシロキサンは、主成分である前記第１オルガノポリシロキサン及び粘度調節成分である前記第２オルガノポリシロキサンの架橋の役割を担って硬化物を形成させる成分であって、一分子内に少なくとも一つのケイ素に直接結合された水素基を含み、下記化学式３で表されたものを含んでよい。
［化学式３］
Ｈ_ｆＲ^５ _ｇＳｉＯ_{（４−ｆ−ｇ）／２}
前記化学式３において、Ｒ^５は、それぞれ独立してＣ_１からＣ_６のアルキル基またはＣ_６からＣ_１２のアリール基であり、前記アルキル基及びアリール基は前記で定義された通りである。特に、前記Ｒ^５は、アルキル基としてメチル基であるのが好ましく、アリール基としてフェニル基であるのが好ましく、Ｃ_１からＣ_６のアルキル基、例えばメチル基であるのが最も好ましい。

前記化学式３において、前記ｆは、０．００１から２の数、例えば２未満の数、０．０１から１の数であり、前記ｆが２よりも大きければ、架橋密度が高くなるので硬化物に容易にクラックが発生し、硬化中に水素ガスが発生し、これにより硬化物の表面にボイド（Ｖｏｉｄ）が発生することにより、前記硬化物を光学反射材料として使用する時にＬＥＤパッケージの収率を低下させ得る。前記ｇは、０．７から２の数、例えば０．８から２の数、１．２から２の数であり、前記ｇが０．７未満であれば、架橋密度が高くなるので硬化物に容易にクラックが発生し、水素ガスが発生することにより、硬化物の表面にボイドが発生してＬＥＤパッケージの収率を低下させ得る。

前記ｇが２超過であれば、反応性が低くなるだけでなく、分子量が小さく容易に揮発されて厚さが低くなり、色座標の変化が発生し得る。前記ｆ＋ｇは、０．８≦ｆ＋ｇ≦３の数、例えば１≦ｆ＋ｇ≦２．７の数、１．８≦ｆ＋ｇ≦２．４の数である。前記ｆ＋ｇが０．８未満であれば、オルガノポリシロキサン組成物の流れ性が不良になるので、ディスペンシング作業性などの成形性が不良になり得、ｆ＋ｇが３超過であれば、反応性が低くなるので硬化が遅く、分子量が小さく容易に揮発されて厚さが低くなり、色座標の変化が発生し得る。

例えば、前記第３オルガノポリシロキサンは、ヒドロゲンジメチルシロキシ基末端ジメチルシロキサンポリマー、トリメチルシロキシ基末端メチルヒドロゲンシロキサンポリマー、トリメチルシロキシ基末端メチルヒドロゲンシロキサン−ジメチルシロキサンブロックポリマー、ヒドロゲンジメチルシロキシ基末端ジメチルシロキサン−ヒドロゲンメチルシロキサンブロックポリマー、両末端がそれぞれヒドロゲンジメチルシロキシ基及びトリメチルシロキシ基末端であるシリケートレジンであってよく、アリール基含有オリゴマー類をさらに含んでよい。

前記ヒドロゲンジメチルシロキシ基末端ジメチルシロキサンポリマーは、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_ｎ１０（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）であってよい。具体的に、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_２５（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_４５（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）または（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_１２５（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）であってよい。

前記トリメチルシロキシ基末端メチルヒドロゲンシロキサンポリマーは、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（ＨＭｅＳｉＯ）_ｎ１１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）であってよい。具体的に、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（ＨＭｅＳｉＯ）_２０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）または（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（ＨＭｅＳｉＯ）_４０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）であってよい。

前記トリメチルシロキシ基末端メチルヒドロゲンシロキサン−ジメチルシロキサンブロックポリマーは、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_ｎ１２（ＨＭｅＳｉＯ）_ｎ１３（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）であってよい。具体的に、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_２０（ＨＭｅＳｉＯ）_２０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_２５（ＨＭｅＳｉＯ）_１２（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_１９（ＨＭｅＳｉＯ）_２１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_４６（ＨＭｅＳｉＯ）_２０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）、（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_１００（ＨＭｅＳｉＯ）_１０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）または（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_７（ＨＭｅＳｉＯ）_３（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）であってよい。

前記ヒドロゲンジメチルシロキシ基及びトリメチルシロキシ基末端シリケートレジンは、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_ｎ１４（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_ｎ１５（ＳｉＯ_２）_ｎ１６であってよい。例えば、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．６（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．１（ＳｉＯ_２）_０．２または（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．５（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．２（ＳｉＯ_２）_０．３であってよい。

前記アリール基含有オリゴマー類は、（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_３（ＰｈＳｉＯ_１．５）または（ＨＭｅＳｉＯ_１／２）_２（Ｐｈ_２ＳｉＯ）であってよい。

前記第３オルガノポリシロキサンは、２５℃での粘度が０．００５〜０．１５Ｐａ．ｓであってよい。前記第３オルガノポリシロキサンの２５℃での粘度が前記数値範囲を外れる場合には、モールド作業性が顕著に不良になるという問題がある。

前記混合オルガノポリシロキサンの全重量を基準に、３０から５０重量％、例えば、４０重量％の第１オルガノポリシロキサン、４０から６０重量％、例えば、５０重量％の第２オルガノポリシロキサン及び残部、例えば、１０重量％の第３オルガノポリシロキサンを含んでよい。

より具体的に、前記第３オルガノポリシロキサンは、前記混合オルガノポリシロキサン内の全アルケニル基のモル数に対する水素のモル数が０．５から５、例えば、０．８から３になる含量で含まれるのが好ましい。

前記第１オルガノポリシロキサンが３０重量％未満であれば、硬度が低くなるためソーイング（ｓａｗｉｎｇ）作業性が落ち、５０重量％を超過すれば、常温で流れ性がなくなるので作業性が落ちる。前記第２オルガノポリシロキサンが４０重量％未満であれば、架橋密度が高くなるので熱衝撃により硬化物に容易にクラックが発生し、６０重量％を超過すれば、硬度が低くなり得る。

また、前記第３オルガノポリシロキサンによる水素のモル数が全アルケニル基のモル数に比べて０．５未満であれば、十分な硬化物を形成できないため硬度が低くなり、ソーイングの作業時に多量のバリ（ｂｕｒｒ）が発生して光半導体パッケージ（ＬＥＤＰＫＧ）の収率が低下することがあり、５超過であれば、架橋密度が高くなるので硬化物に容易にクラックが発生して水素ガスが発生し、これにより硬化物の表面にボイド（Ｖｏｉｄ）が発生して光半導体パッケージ（ＬＥＤＰＫＧ）の収率を低下させ得る。

顔料
本発明において、前記顔料は、硬化物の透過率を下げ、白色を具現して可視光領域で反射率を具現する成分であって、白色顔料であるのが好ましい。例えば、酸化チタン、アルミナ、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化マグネシウム、硫酸バリウム及び硫酸亜鉛からなる群から選択されてよく、好ましくは二酸化チタンであってよい。

また、前記顔料は、０．０５から１０μｍの粒子大きさ、例えば、０．１から１μｍの粒子大きさを有することが好ましく、前記粒子大きさが０．０５μｍ未満である場合、分散性が悪くなるので組成物の粘度が容易に増加し、１０μｍ超過である場合、ディスペンサーなどに使用できるノズルの種類に制約が生じるだけでなく、ノズル詰まり（ｃｌｏｇｇｉｎｇ）を引き起こして作業性を低下させ得る。

前記顔料は、前記混合オルガノポリシロキサンとの相溶性の増進及び組成物内の分散性の増進のために、シランカップリング剤、シリカ、アルミナなどの表面処理剤を用いて表面を処理したものを用いてよい。

前記顔料は、前記混合オルガノポリシロキサン１００重量部を基準に２０から５０重量部、例えば、２５から４５重量部の含量で含まれてよい。前記顔料の含量が２０重量部未満であれば、２５０μｍ未満の薄膜で光透過率が低下するので反射率が低下することがあり、５０重量部超過であれば、チクソ指数が高くなるので組成物の粘度が高くなり、ディスペンシングなどの作業性が不良になり得る。

一実施形態において、前記顔料が前記表面処理剤として表面処理されたものを用いる場合、前記顔料の表面処理重量は、表面処理された顔料の全重量を基準に５重量％未満であってよく、前記顔料の含量は、表面処理された顔料の重量を示し得る。

充填剤
本発明において、補強性充填剤としてシルセスキオキサンを含むことにより、硬化性オルガノポリシロキサン組成物の加工性を向上させ、硬化物のモジュラスを高め、ＣＴＥ（ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆｔｈｅｒｍａｌｅｘｐａｎｓｉｏｎ、熱膨張係数）を下げるだけでなく、硬度を高めることができる。本発明において、前記シルセスキオキサンを含むことにより、顔料、特に白色顔料の含量を下げ、組成物の経時安定性を確保しながらも反射率を顕著に改善することができる。

また、前記シルセスキオキサンは、Ｔ単位及びＱ単位の単独からなるか、またはこれらの混合された形態からなってよいが、これを含む組成物の低いチクソ指数を示すためにＱ単位からなるものよりＴ単位からなるものを用いるのが好まく、前記シルセスキオキサンは下記化学式４で表されてよい。
［化学式４］
（Ｒ^６ＳｉＯ_３／２）_ｎ
前記化学式４において、ｎは４から１，０００の数であり、Ｒ^６は、それぞれ独立して水素、Ｃ_１からＣ_６のアルキル基、Ｃ_２からＣ_６のアルケニル基またはＣ_６からＣ_１２のアリール基であってよく、好ましくはＣ_１からＣ_６のアルキル基、さらに好ましくはメチル基であってよい。具体的に、前記シルセスキオキサンは、補強性充填剤として硬化物のモジュラスを向上させ、硬度を高めて加工性を向上させるために、Ｒ^６がメチル基からなるメチルシルセスキオキサンであることが好ましい。

また、前記シルセスキオキサンは、分散性及び流れ性を向上させるために０．５から２０μｍ、例えば、２から１０μｍの平均粒径を有する球形粒子であることが好ましい。前記平均粒径が０．５μｍ未満であれば、比表面積が広いため分散が容易でなく、組成物の粘度が増加することがあり、２０μｍを超過すれば、ディスペンサーなどに使用するノズルに制約が生じることになり、詰まり現象を引き起こして作業性を低下させ得る。

前記シルセスキオキサンは、前記混合オルガノポリシロキサン１００重量部を基準に５から１５重量部、例えば、７から１３重量部の含量で含まれてよく、前記含量が５重量部未満である場合、補強性充填剤としての役割を十分に担うことができず、１５重量部を超過すれば、形成される硬化物のモジュラス、ＣＴＥ、硬度の改善などに寄与できず、経済的にも効用が落ち、チクソ指数が高くなって粘度が高くなるに伴い作業性が低下し得る。

また、本発明に係る硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、ヒドロシリル化触媒を含む。前記ヒドロシリル化触媒は、第１オルガノポリシロキサン、第２オルガノポリシロキサンのアルケニル基及び第３オルガノポリシロキサンのケイ素に結合された水素基のヒドロキシ基の間のヒドロシリル化反応を促進する反応触媒成分である。前記ヒドロシリル化触媒は、例えば、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒のうち選択された１つ以上を用いてよく、好ましくは白金系触媒を用いてよい。前記白金系触媒は、白金微粉末（ｆｉｎｅｌｙｄｉｖｉｄｅｄｐｏｗｄｅｒ）、クロロ白金酸、米国公開特許第３，２２０，９７２号公報に開示されたアルコール溶液内のクロロ白金酸、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体などを用いてよく、好ましくは白金−アルケニルシロキサン錯体を用いてよい。

前記触媒として白金系触媒を用いる場合、前記白金系触媒は、前記混合オルガノポリシロキサンの全重量を基準に０．０１から１００ｐｐｍ、例えば、０．１から５０ｐｐｍの重さで白金原子が含まれる含量で用いられるのが好ましく、０．０１ｐｐｍ未満であれば、反応速度が遅くなるか十分に反応できず、１００ｐｐｍを超過すれば、変色により反射率が低下し得る。

添加剤
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、オルガノポリシロキサン組成物に通常含まれる添加剤を本発明の目的を阻害しない範囲内でさらに含んでよく、かかる添加剤としては、例えば、接着促進剤、無機質充填剤、シリコン粉末、樹脂粉末、耐熱剤、酸化防止剤、ラジカルスカベンジャー、光安定剤、難燃性付加剤、シリコーン系希釈剤及び遅延剤などを挙げることができる。本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、前記添加剤のうち選択される少なくとも一つをさらに含んでよい。

このような本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、常温、例えば２５℃で液相であるのが好ましく、常温で液相を示すことによりディスペンシング、射出モールディングなどの成形時の取り扱いが容易であり、複雑な成形物の製作が可能である。また、本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、常温、例えば２５℃温度で６Ｐａ．ｓ未満、例えば２．７から５．５Ｐａ．ｓの粘度を示すのが好ましく、前記粘度が６Ｐａ．ｓ以上であれば、極微量の定量吐出が困難となり、チップ間、電極間の間隔を容易に埋めることができないので、硬化時に硬化物の表面にボイド（Ｖｏｉｄ）が発生し得る。また、前記粘度が２．７Ｐａ．ｓ未満であれば、チップ間、電極間の初期粘着力が低下して揺れなどによりチップ表面の汚染を引き起こすという問題が現れ得る。

また、前記硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、アリール基、例えば、フェニル基が全有機基の１５モル％以下で含まれるのが好ましく、もしアリール基が全有機基の１５モル％を超過して含まれる場合、高温条件でアリール基の酸化反応による変色により耐熱反射率が低下し得る。

したがって、本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、補強性充填剤としてシルセスキオキサンを含むため、全有機基中でアリール基を含有しないか、または全有機基の１５モル％以下で含んでも、硬化物が優れた硬度（ｈａｒｄｎｅｓｓ）を有するだけでなく、アリール基の含量が低いため、高温条件でアリール基の酸化反応が低減するので変色（黄変）を防止することができ、これにより、熱による反射率の低下を減少させるので、耐熱反射率低下の問題を改善することができる。

本発明において、前記アリール基の含量は、例えば、１Ｈ−ＮＭＲを用いて測定することができ、具体的に１Ｈ−ＮＭＲで測定した全有機基のモル数に対するアリール基のモル数により、その含量を決定することができる。

２．光学半導体用反射材料
本発明の他の側面は、硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いて形成される硬化物を含む光学半導体用反射材料を提供する。

前記硬化物は、前記硬化性オルガノポリシロキサン組成物を硬化させて形成される。前記硬化物の形状は特に制限されず、例えば、シート状、フィルム状、凸レンズ状、凹レンズ状、フレネルレンズ状、円錐台状または四角錐台状などの形態であってよい。前記硬化物は、単独で取り扱われるか、またはこれが光半導体素子などを覆ったり、密封したり、接着したりする状態で取り扱われ得る。

前記硬化物のショア硬度は、ＳｈｏｒｅＡ８５以上であるのが好ましく、硬化物の硬度がＳｈｏｒｅＡ８５未満であれば、成形された材料を切断する際にバリが発生しやすく、作業性が低下し得る。

前記硬化物の厚さは、２００から１，０００μｍであるのが好ましく、前記数値範囲以内で４５０ｎｍの可視光透過率が３％以下であってよい。

また、前記硬化物は、高温、例えば２５０℃で１２時間保管後、薄膜反射率、ディスペンシング作業性、ソーイング作業性などを優秀に維持しながらも、５％未満の反射率の低下率を示し得る。

前記硬化物を含む光学半導体用反射材料は、その用途が特に制限されておらず、前記光学半導体は、例えば、液晶ディスプレー用バックライトモジュール、モバイル携帯電話のフラッシュモジュール及び車両用照明モジュールなどであってよい。

以下、本発明の理解を助けるたけに実施形態を挙げて詳しく説明する。しかし、本発明に係る実施形態はいくつか異なる形態に変形されてよく、本発明の範囲が下記の実施形態に限定されるものに解釈されてはならない。本発明の実施形態は、本発明が属する分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。

実施例及び比較例
下記表１に記載された組成により硬化性オルガノポリシロキサン組成物を製造した。

混合物の製造方法は特に制限されず、当業界に公知の分散機、例えば、プラネタリーミキサーなどを用いて製造することができる。

・（Ａ）第１オルガノポリシロキサン：Ｓｉ中のＳｉＯ_２単位が５０ｗｔ％であり、全有機基の含量が２０．８ｍｍｏｌ／ｇであり、ビニル基の含量が１．５ｍｍｏｌ／ｇであり、２５℃でパウダー（Ｐｏｗｄｅｒ）相であるシリコーンレジン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_{０．１２５}（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_{０．３７５}（ＳｉＯ_２）_０．５、ＣＡＳＮｏ．６８５８４−８３−８）
・（Ｂ−１）第２オルガノポリシロキサン：両末端がジメチルビニルシロキシ基からなっており、全有機基の含量が２７ｍｍｏｌ／ｇであり、ビニル基の含量が０．１２ｍｍｏｌ／ｇであり、２５℃での粘度が１Ｐａ．ｓであるポリジメチルシロキサン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_２２５（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）、ＣＡＳＮｏ．６８０８３−１９−２）
・（Ｂ−２）第２オルガノポリシロキサン：両末端がジメチルビニルシロキシ基からなっており、全有機基の含量が１６．１ｍｍｏｌ／ｇであり、フェニル基の含量が６．７３ｍｍｏｌ／ｇ、ビニル基の含量が０．９ｍｍｏｌ／ｇであり、２５℃での粘度が１Ｐａ．ｓであるポリメチルフェニルシロキサン（（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_４０（ＭｅＰｈＳｉＯ）_２（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）、ＣＡＳＮｏ．１５６２０６−８１−４）
・（Ｃ−１）第３オルガノポリシロキサン：両末端がトリメチルシロキシ基からなっており、全有機基の含量が３０．３２ｍｍｏｌ／ｇであり、水素基含量が７．３ｍｍｏｌ／ｇであり、２５℃での粘度が０．０４Ｐａ．ｓであるポリジメチルメチルヒドロゲンシロキサン（（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）（Ｍｅ_２ＳｉＯ）_１９（ＨＭｅＳｉＯ）_２１（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）、ＣＡＳＮｏ．６８０３７−５９−２）
・（Ｃ−２）第３オルガノポリシロキサン：３−［（ジメチルシリル）オキシ］−１，１，５，５，−テトラメチル−３−フェニルトリシロキサン（トリスジメチルシロキシフェニルシラン）（（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_３（ＰｈＳｉＯ_１．５）、ＣＡＳＮｏ．１８０２７−４５−７）
・（Ｄ）顔料：平均１次粒子大きさが０．２５μｍであり、ＴｉＯ_２含量が９５％であり、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２及びＴＭＰで表面処理された酸化チタン（ＣＡＳＮｏ．１３４６３−６７−７）
・（Ｅ）シルセスキオキサン：平均１次粒子大きさが４μｍであるポリメチルシルセスキオキサン（ＣＡＳＮｏ．６８５５４−７０−１）
・（Ｆ）ヒドロシリル化触媒：白金／１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンの１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン溶液（白金含有量：１重量％）（ＣＡＳＮｏ．６８４７８−９２−２）
・（Ｇ−１）：（３−グリシジルオキシプロピル）トリメトキシシラン（ＣＡＳＮｏ．２５３０−８３−８）
・（Ｇ−２）：１−エテニル−１−シクロヘキサノール（ＣＡＳＮｏ．７８−２７−３）
・（Ｇ−３）：平均１次粒子大きさが４μｍであり、ＨＭＤＺで表面処理されたシリカ（ＣＡＳＮｏ．６７７６２−９０−７）

実験例
・粘度（ｍＰａ．ｓ）、チクソ：ＡｎｔｏｎＰａａｒ社で製作したレオメータ（Ｒｈｅｏｍｅｔｅｒ、モデル名ＭＣＲ３０１、ＭＣＲ３０２）を用いて、２５℃でＳｈｅａｒｒａｔｅ１／ｓ値と１０／ｓ値を測定した。１０／ｓ値を粘度で表記しており、チクソ指数は次の数式によって求めた。
チクソ指数＝（１／ｓ粘度）／（１０／ｓ粘度）

・硬度（ＳｈｏｒｅＡ）：組成物を６ｍｍ厚さの試片を成形できるモールドで１５０℃、２時間硬化した後、ＳｈｏｒｅＡ型硬度計で２５℃での硬度を測定した。

・反射率（％）：組成物を脱泡した後、四角のアプリケータを用いて２５０μｍの塗膜を形成させ、１５０℃、２時間硬化して得た試片をＰｅｒｋｉｎＥｌｍｅｒ社で製作したＵＶ−ＶｉｓＳｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ（モデル名Ｌａｍｂｄａ９５０）を用いて測定した。Ｂａｓｅは、測定装備の製造社で提供する硫酸バリウム標準試片である。

・耐熱反射率（％）：初期反射率を測定した試片を２５０℃、１２時間熱貯蔵した後、反射率を測定して反射率が低下した値を数式によって示した。
耐熱反射率（％）＝２５０℃で１２時間貯蔵後の反射率−初期反射率

・ディスペンシング作業性：組成物をＶｅｒｍｅｓ社製の圧電方式２００μｍＮｏｚｚｌｅのロボットディスペンサーを用いて１回吐出量０．３ｍｇを設定した後、２０回の累積吐出量を１セットとし、１００セットの値に対する変動係数（ｃｏｅｆ．ｖａｒ）値が０．５以下である場合を「ｐａｓｓ」、０．５超過である場合を「ｆａｉｌ」と表記した。

・ソーイング（ｓａｗｉｎｇ）作業性：組成物を１５０℃で２時間硬化して２５０μｍ厚さのシート状の硬化物を製作した。製作した硬化物をＤｉｓｃｏ社製の２００μｍＢｌａｄｅｄｉｃｉｎｇｓａｗを用いて３，０００個の矩形状の加工物に製作し、電子顕微鏡で切断面におけるバリ発生の有無を確認し、バリ発生の個数が１０個未満である場合を「ｐａｓｓ」、１０個以上である場合を「ｆａｉｌ」と表記した。

前記表１及び表２を参考にすれば、フェニル基が多量含有される比較例１の場合、実施例１〜５に比べ、フェニル基による変色により耐熱反射率が不良になったことが確認でき、顔料をそれぞれ、本発明によらずに少なく（比較例２）または多く（比較例３）含有する場合、薄膜反射率、または粘度、チクソ指数及び作業性などが低下することが確認できた。また、シルセスキオキサンをそれぞれ、本発明によらずに少なく（比較例４）または多く（比較例５）含有する場合、硬度及びソーイング作業性または粘度、チクソ指数及びディスペンシング作業性などが不良になることが確認できた。それだけでなく、補強性充填剤としてシルセスキオキサンを用いずにシリカを用いる比較例６の物性もやはり低下することが確認できた。

Claims

混合オルガノポリシロキサン１００重量部；
顔料２０から５０重量部；及び
シルセスキオキサン５から１５重量部；を含み、
全アリール基の含量は、全有機基の１５モル％以下である、硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
前記混合オルガノポリシロキサンは、
下記化学式１で表される第１オルガノポリシロキサン；
下記化学式２で表される直鎖の第２オルガノポリシロキサン；及び
下記化学式３で表される第３オルガノポリシロキサン；を含み、
［化学式１］
（Ｒ^１ _３ＳｉＯ_１／２）_ａ（Ｒ^２ _３ＳｉＯ_１／２）_ｂ（ＳｉＯ_２）_ｃ
前記化学式１において、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立してＣ_１からＣ_６のアルキル基またはＣ_２からＣ_６のアルケニル基であり、Ｒ^１のうち少なくとも一つはＣ_２からＣ_６のアルケニル基であり、ａは０．０５から０．２５の数であり、ｂは０．１から０．５の数であり、ｃは０．４から０．６の数であり；
［化学式２］
（Ｒ^３ _３ＳｉＯ_１／２）_２（Ｒ^３Ｒ^４ＳｉＯ）_ｄ（Ｒ^４ _２ＳｉＯ）_ｅ
前記化学式２において、Ｒ^３は、それぞれ独立してＣ_１からＣ_６のアルキル基、Ｃ_２からＣ_６のアルケニル基またはＣ_６からＣ_１２のアリール基であり、Ｒ^４は、それぞれ独立してＣ_１からＣ_６のアルキル基またはＣ_６からＣ_１２のアリール基であり、ｄ及びｅは、それぞれ独立して０または１以上の整数であり、１０≦ｄ＋ｅ≦１０，０００であり、０≦ｄ／（ｄ＋ｅ）≦０．１であり；及び
［化学式３］
Ｈ_ｆＲ^５ _ｇＳｉＯ_{（４−ｆ−ｇ）／２}
前記化学式３において、Ｒ^５は、それぞれ独立してＣ_１からＣ_６のアルキル基またはＣ_６からＣ_１２のアリール基であり、ｆは０．００１から２の数であり、ｇは０．７から２の数であり、０．８≦ｆ＋ｇ≦３の数である、請求項１に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
前記混合オルガノポリシロキサンの全重量を基準に、３０から５０重量％の第１オルガノポリシロキサン；４０から６０重量％の第２オルガノポリシロキサン；及び残部の第３オルガノポリシロキサン；を含む、請求項２に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
前記第３オルガノポリシロキサンは、前記混合オルガノポリシロキサン内の全アルケニル基のモル数に対する水素のモル数が０．５から５になる含量で添加される、請求項２に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
前記シルセスキオキサンは、下記化学式４で表される、請求項１に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
［化学式４］
（Ｒ^６ＳｉＯ_３／２）_ｎ
（前記化学式４において、ｎは４から１，０００の数であり、Ｒ^６は、それぞれ独立してＣ_１からＣ_６のアルキル基、Ｃ_２からＣ_６のアルケニル基またはＣ_６からＣ_１２のアリール基である。）
２５℃で液相であり、６Ｐａ．ｓ未満の粘度を有する、請求項１に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
請求項１から６のいずれか一項に記載の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を用いて形成される硬化物を含む光学半導体用反射材料。
前記光学半導体は、液晶ディスプレー用バックライトモジュール、モバイル携帯電話のフラッシュモジュールまたは車両用照明モジュールである、請求項７に記載の光学半導体用反射材料。