JP2021531647A - マイクロ発光デバイス、マイクロ発光ダイオード及びマイクロ発光ダイオードの転写方法 - Google Patents
マイクロ発光デバイス、マイクロ発光ダイオード及びマイクロ発光ダイオードの転写方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
柱状構造を有するベースフレームと、
場合によっては一連のマイクロ発光ダイオードによりアレイに配列される少なくとも1つのマイクロ発光ダイオードと、を有し、
マイクロ発光ダイオードは柱状構造によりベースフレームと接続し、マイクロ発光ダイオードは柱状構造により支持され、
柱状構造のマイクロ発光ダイオードに接続される一端はマイクロ発光ダイオードの表面にある凹部内に位置し、柱状構造の材料は高分子ポリマーであることを特徴とするマイクロ発光デバイスを提供する。
N側層とP側層と両者の間にある発光層を有する発光エピタキシャル層と、
N側層に接続するN電極と、
P側層に接続するP電極とを有し、
マイクロ発光ダイオードは互いに対応する第1の表面と第2の表面とを有し、第1の表面は凹部を有し、該凹部は上記柱状構造に対応してマイクロ発光ダイオードに対してサポート力を与えると共に、柱状構造との接着力をも提供するために用いられるものであり、該凹部は第1の中間層により構成される。
基板を提供し、基板の上に複數個のマイクロ発光ダイオードが間を空けてアレイ式に配列されており、マイクロ発光ダイオードの表面及びそれらの間に露出する基板の表面に第1の中間層を作成する工程1と、
マイクロ発光ダイオードの表面に犧牲材料を積層してから、犧牲材料と第1の中間層との上に凹部を作成する工程2と、
犧牲材料の上と第1の中間層の中の凹部内に、第2の中間層を作成する工程3と、
第2の中間層の上にサポート層を作成する工程4と、
ボンディングベースフレームを提供する工程5と、
ボンディングベースフレームとサポート層とをボンディングする工程6と、
基板を剥離させてマイクロ発光ダイオードと第1の中間層とを露出させる工程7と、
露出する第1の中間層と犧牲材料とを順番に除去する工程8と。
101 凹部
102 P電極
103 N電極
110 第1の中間層
120 第2の中間層
121 孔構造
130 成長基板
140 犧牲材料
200 パンチングスタンパー
310 保持柱/柱状構造
311 残った保持柱/残った柱状構造
312 応力集中面
320 サファイアチップ
330 サポート層
Claims (33)
- 柱状構造を有するベースフレームと、
柱状構造によりベースフレームと接続し、柱状構造により支持される少なくとも1つのマイクロ発光ダイオードと、を有するマイクロ発光デバイスであって、
柱状構造のマイクロ発光ダイオードに接続される一端はマイクロ発光ダイオードの表面にある凹部内に位置することを特徴とするマイクロ発光デバイス。 - 柱状構造は凹部の底部及び側壁に接触することを特徴とする請求項1に記載のマイクロ発光デバイス。
- 柱状構造は円柱構造もしくは突起する台状構造であることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ発光デバイス。
- 柱状構造は柱径が変化するものであり、柱状構造は小面積断面を有し、該断面はその付近の断面と比べてより小さい横断面積を有することを特徴とする請求項1に記載のマイクロ発光デバイス。
- 小面積断面は柱状構造の他のエリアと比べてより小さい横断面積を有することを特徴とする請求項4に記載のマイクロ発光デバイス。
- 柱状構造のマイクロ発光ダイオードから離れた一端の柱径は、マイクロ発光ダイオードに接近する一端の柱径より大であることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ発光デバイス。
- 柱状構造は応力集中エリアもしくは応力欠陥エリアを有することを特徴とする請求項1に記載のマイクロ発光デバイス。
- 柱状構造とマイクロ発光ダイオードとの間に第1の中間層を有することを特徴とする請求項1に記載のマイクロ発光デバイス。
- 第1の中間層の柱状構造に対する接着力は柱状構造のマイクロ発光ダイオードに対する接着力より大であることを特徴とする請求項8に記載のマイクロ発光デバイス。
- 柱状構造とマイクロ発光ダイオードとの間に第2の中間層を有することを特徴とする請求項8に記載のマイクロ発光デバイス。
- 第2の中間層の柱状構造に対する接着力は柱状構造内の分子間力より小であることを特徴とする請求項10に記載のマイクロ発光デバイス。
- 第2の中間層の表面に孔構造を有することを特徴とする請求項10に記載のマイクロ発光デバイス。
- 第2の中間層は第1の表面と第2の表面とを有し、第1の表面はマイクロ発光ダイオードに接近する一側に位置し、第2の表面は柱状構造に接近する一側に位置し、孔構造は第1の表面及び/又は第2の表面に位置することを特徴とする請求項12に記載のマイクロ発光デバイス。
- 第2の中間層はクロムもしくはチタンを含むことを特徴とする請求項10に記載のマイクロ発光デバイス。
- 第2の中間層は犠牲層を含むことを特徴とする請求項10に記載のマイクロ発光デバイス。
- 犠牲層は感光性材料もしくは二酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項15に記載のマイクロ発光デバイス。
- 凹部の深さは1000オングストローム〜2500オングストロームの範囲内にあることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ発光デバイス。
- 凹部の深さは1800オングストローム〜2000オングストロームの範囲内にあることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ発光デバイス。
- 柱状構造の材料は高分子ポリマーであることを特徴とする請求項1に記載のマイクロ発光デバイス。
- N側層とP側層と両者の間にある発光層とを有する発光エピタキシャル層と、
N側層に接続するN電極と、
P側層に接続するP電極とを有するマイクロ発光ダイオードであって、
マイクロ発光ダイオードは互いに対応する第1の表面と第2の表面とを有し、第1の表面は凹部を有し、凹部は第1の中間層により構成されることを特徴とするマイクロ発光ダイオード。 - 第1の中間層の高分子ポリマーに対する接着力は、高分子ポリマーの発光エピタキシャル層に対する接着力より大であることを特徴とする請求項20に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 第1の中間層は、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、もしくは窒化ケイ素を含み、高分子ポリマーは、ベンゾシクロブテン、シリコン樹脂もしくは紫外線硬化樹脂を含むことを特徴とする請求項21に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 凹部の深さは1000オングストローム〜2500オングストロームの範囲内にあることを特徴とする請求項20に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 凹部の表面に第2の中間層を有することを特徴とする請求項20に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 第2の中間層の高分子ポリマーに対する接着力が高分子ポリマー内の分子間力より小であることを特徴とする請求項24に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 第2の中間層の表面に孔構造を有することを特徴とする請求項24に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 第2の中間層は第1の表面と第2の表面とを有し、第1の表面はマイクロ発光ダイオードに接近する一側に位置し、第2の表面は柱状構造に接近する一側に位置し、孔構造は第1の表面及び/又は第2の表面に位置することを特徴とする請求項26に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 第2の中間層はクロムもしくはチタンを含むことを特徴とする請求項24に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 凹部はマイクロ発光ダイオードが転写される過程において、サポート力を伝えるのに用いられることを特徴とする請求項20に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 凹部はマイクロ発光ダイオードの非発光面の一側に位置することを特徴とする請求項20に記載のマイクロ発光ダイオード。
- 凹部及びP電極、N電極はマイクロ発光ダイオードの同じ側に位置し、凹部内に高分子ポリマーが残留し、残留した高分子ポリマーの高さがP電極及びN電極より低いことを特徴とする請求項20に記載のマイクロ発光ダイオード。
- マイクロ発光ダイオードのマストランスファーに用いられる転写方法であって、
基板を提供し、基板の上に複數個のマイクロ発光ダイオードが間を空けてアレイ式に配列されており、マイクロ発光ダイオードの表面及びそれらの間に露出する基板の表面に第1の中間層を作成する工程1と、
マイクロ発光ダイオードの表面に犧牲材料を積層してから、犧牲材料と第1の中間層との上に凹部を作成する工程2と、
少なくとも第1の中間層の中の凹部内に、第2の中間層を作成する工程3と、
第2の中間層の上にサポート層を作成する工程4と、
ボンディングベースフレームを提供する工程5と、
ボンディングベースフレームとサポート層とをボンディングする工程6と、
基板を剥離させてマイクロ発光ダイオードと第1の中間層とを露出させる工程7と、
露出する第1の中間層と犧牲材料とを順番に除去する工程8と、
を含むことを特徴とするマイクロ発光ダイオードの転写方法。 - 工程8の後に更に、パンチングスタンパーを用いてマイクロ発光ダイオードのサポート層から離れた一面に対してパンチしてマイクロ発光ダイオードをサポート層から分離する工程9を含むことを特徴とする請求項32に記載のマイクロ発光ダイオードの転写方法。
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