CN115706131A - 巨量转移方法、临时基板、转移基板和led显示器件 - Google Patents

巨量转移方法、临时基板、转移基板和led显示器件 Download PDF

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CN115706131A CN202110915212.2A CN202110915212A CN115706131A CN 115706131 A CN115706131 A CN 115706131A CN 202110915212 A CN202110915212 A CN 202110915212A CN 115706131 A CN115706131 A CN 115706131A
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汪楷伦
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Abstract

本发明涉及一种巨量转移方法、临时基板、转移基板和LED显示器件，巨量转移方法包括在临时基板上设置多个第一凹槽，任意相邻的两个第一凹槽之间形成第一凸台，在第一凸台上设置第一粘接胶层；将生长基板上的LED芯片转移至临时基板上，使得LED芯片与第一粘接胶层粘接；利用转移基板上的第二粘接胶层粘接在LED芯片背离临时基板的一侧，对第一粘接胶层进行加热使其融化后流入第一凹槽内，以将LED芯片转移至转移基板上；将转移基板上的LED芯片转移至显示背板上。第一粘接胶层融化流入第一凹槽内，防止残留在LED芯片的电极表面上，防止气化的胶材导致LED芯片偏移或翻转，确保LED芯片和焊盘组精确对位，提高转移效率。

Description

巨量转移方法、临时基板、转移基板和LED显示器件
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种巨量转移方法、临时基板、转移基板和LED显示器件。
背景技术
目前，微型发光二极管(Micro Light-emitting Diode，Micro LED)显示面板作为新一代显示技术，具有亮度更高、发光效率更好以及功耗更低等优势，使得Micro LED被广泛使用。
Micro LED显示面板上一般包括多个像素区域，每个像素区域包括红光LED芯片、蓝光LED芯片和绿光LED芯片。在显示面板制备过程中，需要将三种芯片从各自的生长基板上转移到显示背板上。上述转移方法以激光剥离LED芯片为主流趋势，然而，该种转移方法LED芯片上很容易残留胶材。另外，胶材受到高温影响后很容易气化，胶材气化后的气体导致LED芯片发生偏移或翻转，影响转移质量。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种巨量转移方法、临时基板、转移基板和LED显示器件，旨在解决转移LED芯片时，胶材容易残留在LED芯片上的问题，以及解决气化后的胶材容易导致LED芯片发生偏移或翻转的问题。
本申请第一方面提供一种巨量转移方法，包括：在临时基板上设置多个第一凹槽，使得任意相邻的两个所述第一凹槽之间形成第一凸台，然后在所述第一凸台上设置第一粘接胶层；将生长基板上的LED芯片转移至所述临时基板上，使得所述LED芯片与所述第一粘接胶层粘接；利用转移基板上的第二粘接胶层粘接在所述LED芯片背离所述临时基板的一侧，然后对所述第一粘接胶层进行加热，以使所述第一粘接胶层融化后至少部分流入所述第一凹槽内，以将所述LED芯片转移至所述转移基板上；将所述转移基板上的LED芯片转移至显示背板上。
上述的巨量转移方法，由于在临时基板上设置有第一凹槽，那么临时基板上的LED芯片转移至转移基板时，第一粘接胶层融化后可以部分或者全部流入第一凹槽内，由此，防止第一粘接胶层残留在LED芯片的电极表面上，还可以防止第一粘接胶层气化后导致LED芯片偏移或翻转，确保LED芯片的电极表面和焊盘组精确对位，从而提高转移效率。
在一些实施例中，将生长基板上的LED芯片转移至所述临时基板上，使得所述LED芯片与所述第一粘接胶层粘接，包括：将生长基板上的LED芯片转移至所述临时基板上，使得所述LED芯片与所述第一粘接胶层粘接，使得所述LED芯片覆盖多个所述第一凹槽，使得LED芯片覆盖的所述第一凹槽中的至少一个位于所述LED芯片的正电极或负电极下方。
在一些实施例中，在临时基板上设置多个第一凹槽，具体包括：在临时基板上设置多个延伸路径呈直线状或环形状的第一凹槽。
在一些实施例中，在临时基板上设置多个第一凹槽，具体包括：在临时基板上设置多个深度大于10微米的第一凹槽。由此，第一凹槽具有足够的深度，从而可以提供足够的容纳空间，以容纳融化后的第一粘接胶层。
在一些实施例中，在临时基板上设置多个第一凹槽，具体包括：在临时基板上设置多个宽度小于1微米的第一凹槽。由此，第一凹槽具有足够的宽度，从而可以提供足够的容纳空间，以容纳融化后的第一粘接胶层。另外，该宽度的第一凹槽，不影响LED芯片与临时基板的接触。
在一些实施例中，在所述第一凸台上设置第一粘接胶层，具体包括：在所述临时基板设有所述第一凹槽的表面涂覆粘接胶材，然后去除所述第一凹槽内的粘接胶材，以使留在所述第一凸台上的粘接胶材形成所述第一粘接胶层。
在一些实施例中，利用转移基板上的第二粘接胶层粘接在所述LED芯片背离所述临时基板的一侧之前，所述巨量转移方法还包括：在所述转移基板上设置多个第二凹槽，使得任意相邻的两个所述第二凹槽之间形成第二凸台，然后在所述第二凸台上设置第二粘接胶层；将所述转移基板上的LED芯片转移至显示背板上，具体包括：将所述转移基板上的LED芯片与所述显示背板接触，然后对所述第二粘接胶层进行加热，以使所述第二粘接胶层融化后至少部分流入所述第二凹槽内，以将所述LED芯片转移至所述显示背板上。该实施例提供的巨量转移方法，由于在转移基板上设置有第二凹槽，那么转移基板上的LED芯片转移至显示背板时，第二粘接胶层融化后可以部分或者全部流入第二凹槽内，由此，防止第二粘接胶层残留在LED芯片的出光面上，以提高LED芯片的出光率和发光均匀性，还可以防止第二粘接胶层气化后导致LED芯片偏移或翻转，确保LED芯片的电极表面和焊盘组精确对位，从而提高转移效率。
在一些实施例中，在所述转移基板上设置多个第二凹槽，具体包括：在所述转移基板上设置多个深度大于10微米的第二凹槽。由此，第二凹槽具有足够的深度，从而可以提供足够的容纳空间，以容纳融化后的第二粘接胶层。
在一些实施例中，在所述转移基板上设置多个第二凹槽，具体包括：在所述转移基板上设置多个宽度小于1微米的第二凹槽。由此，第二凹槽具有足够的宽度，从而可以提供足够的容纳空间，以容纳融化后的第二粘接胶层。另外，该宽度的第二凹槽，不影响LED芯片与转移基板的接触。
在一些实施例中，将生长基板上的LED芯片转移至所述临时基板上之前，所述巨量转移方法还包括：检测所述生长基板上的坏点LED芯片；将生长基板上的LED芯片转移至所述临时基板上，具体包括：将所述生长基板上除了坏点LED芯片之外的至少部分LED芯片转移至所述临时基板上。由此可以获知生长基板上的坏点LED芯片，从而可以在将LED芯片转移至转移基板上时，避开坏点LED芯片，确保被转移至显示背板上的LED芯片外观较好且波长一致性较好。
在一些实施例中，将所述转移基板上的LED芯片转移至显示背板上之后，所述巨量转移方法还包括：补充另一LED芯片至坏点LED芯片在显示背板上的对应位置处。由此，可以防止坏点LED芯片对应的焊盘组处空缺，使得最终被制备的LED显示器件上像素比较完整，从而可以提升显示效果。
本申请第二方面提供一种临时基板，所述临时基板应用于本申请第一方面中任一项所述的巨量转移方法中，所述临时基板上设置多个第一凹槽，任意相邻的两个所述第一凹槽之间形成第一凸台，所述第一凸台上设有第一粘接胶层。该临时基板应用于巨量转移方法中时，转移过程中融化的胶材会流至第一凹槽内，转移的LED芯片上不会残留胶材，可以防止第一粘接胶层残留在LED芯片的电极表面上，还可以防止第一粘接胶层气化后导致LED芯片偏移或翻转，确保LED芯片的电极表面和焊盘组精确对位，从而提高转移效率。
本申请第三方面提供一种转移基板，所述转移基板应用于本申请第一方面中任一项所述的巨量转移方法中，所述转移基板上设置多个第二凹槽，任意相邻的两个所述第二凹槽之间形成第二凸台，所述第二凸台上设有第二粘接胶层。
本申请第四方面提供一种LED显示器件，包括显示背板和多个LED芯片，多个所述LED芯片通过本申请第一方面中任一项所述的巨量转移方法转移至所述显示背板上。上述LED发光器件，利用了上述的巨量转移方法进行制备，因此最终制备出的LED发光器件上，其LED芯片上几乎没有胶材残留，因此LED芯片的连接稳定性较强，LED发光器件的质量有所保证。
附图说明
图1是现有技术提供的生长基板的结构示意图。
图2是现有技术提供的生长基板另一视角的结构示意图。
图3是现有技术提供的临时基板粘接在生长基板上的结构示意图。
图4是现有技术提供的临时基板转移生长基板上LED芯片的过程结构示意图。
图5是现有技术提供的临时基板转移有LED芯片的结构示意图。
图6是现有技术提供的临时基板转移有LED芯片另一视角的结构示意图。
图7是现有技术提供的转移基板转移LED芯片至显示背板上的结构示意图。
图8是现有技术提供的显示背板转移有LED芯片的结构示意图。
图9是本申请一种实施例提供的巨量转移方法的流程图。
图10至图18是本申请一种实施例提供的巨量转移方法的工艺流程示意图。
图19是本申请另一种实施例提供的巨量转移方法的流程图。
图20至图23是本申请另一种实施例提供的巨量转移方法的工艺流程示意图。
图24是本申请又一种实施例提供的巨量转移方法的流程图。
图25是本申请再一种实施例提供的巨量转移方法的流程图。
图26至图31是本申请再一种实施例提供的巨量转移方法的工艺流程示意图。
图32是本申请又一种实施例提供的巨量转移方法的流程图。
图33至图40是本申请又一种实施例提供的巨量转移方法的工艺流程示意图。
附图标记说明：现有技术：10-生长基板，20-LED芯片，30-临时基板，40-转移基板，50-显示背板。
本申请：100-生长基板，200-LED芯片，200a-坏点LED芯片，300-临时基板，310-第一凹槽，320-第一凸台，330-第一粘接胶层，400-转移基板，410-第二凹槽，420-第二凸台，430-第二粘接胶层，500-显示背板。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
具体可参考图1至图6，可见，图1是现有技术提供的生长基板的结构示意图；图2是本申请实施例提供的生长基板另一视角的结构示意图；图3是本申请实施例提供的临时基板粘接在生长基板上的结构示意图；图4是本申请实施例提供的临时基板转移生长基板上LED芯片的过程结构示意图；图5是本申请实施例提供的临时基板转移有LED芯片的结构示意图；图6是本申请实施例提供的临时基板转移有LED芯片另一视角的结构示意图。
一般情况下，LED芯片20转移至显示背板50上时，将三种颜色的Micro LED芯片进行转移，为便于描述，以下简称分别将红色LED芯片、蓝色LED芯片和绿色LED芯片进行转移，下面以一种LED芯片20为例进行说明，其余两种LED芯片同样的道理，本申请中不再赘述。
LED芯片20转移至显示背板50上，具体过程如下。
步骤S10：提供生长基板10(Wafer)，生长基板10上生长有LED芯片20。然后利用临时基板30上的粘接胶材，将LED芯片20粘合到临时基板30上。接着剥离LED芯片20上的生长基板10。由此可以将LED芯片20转移至临时基板30上。
步骤S11：利用转移基板40上的粘接胶材，选择性的将LED芯片20粘合到转移基板40上；参考图7，图7中显示转移基板40在临时基板30上选择性的粘接LED芯片20。
步骤S12：将转移基板40上的LED芯片20转移至显示背板50上。参考图8，图8中显示出显示背板50上成功转移LED芯片20的示意图。转移基板40转移LED芯片20到显示背板50上过程，同时也是巨量焊接的过程。因此，在转移完成后，LED芯片20已经完成金铟共晶键合。
上述巨量转移过程中，临时基板30上的粘接胶材很容易残留在LED芯片电极表面上，残留的的胶材可能会导致LED芯片电极表面与焊盘组不能良好接触。另外，残留的胶材可能还会在高温下气化，从而使得LED芯片位置发生偏移，导致LED芯片不能与焊盘组精确对位，严重者会导致LED芯片翻转，使得转移效率较低。
可以理解的是，LED芯片一般包括正电极和负电极，显示背板上一般设有和正电极对应的正极焊盘组，以及设有和负电极对应的负极焊盘组，将LED芯片转移至显示背板上之后，需要LED芯片的正电极和正极焊盘组电连接，负电极和负极焊盘组电连接，从而使得LED芯片可以顺利工作。然而，如果胶材残留在LED芯片的电极表面上，则很容易导致正电极不能与正极焊盘组电连接，或者导致负电极不能与负极焊盘组电连接。如果LED芯片因胶材气化而翻转，则LED芯片转移后，其正电极位于背离正极焊盘组一侧，负电极位于背离负极焊盘组一侧，直接导致正电极不能与正极焊盘组接触，负电极不能与负极焊盘组接触，更遑论电连接。
为了解决上述问题，本申请实施例提供的一种巨量转移方法，参考图9，该巨量转移方法具体包括以下步骤。
步骤S100：参考图10和图11，在临时基板300上设置多个第一凹槽310，使得任意相邻的两个所述第一凹槽310之间形成第一凸台320，然后在所述第一凸台320上设置第一粘接胶层330。
参考图12，形成第一粘接胶层330的具体过程如下：在所述临时基板300设有所述第一凹槽310的表面涂覆粘接胶材，然后去除所述第一凹槽310内的粘接胶材，以使留在所述第一凸台320上的粘接胶材形成所述第一粘接胶层330。详细的，可以利用腌膜(mask)方式和等离子体(plasma)相结合的方式制备出具有第一凹槽310和第一粘接胶层330的临时基板300，更详细的，采用腌膜方式在临时基板300上加工出多个第一凹槽310，然后利用等离子体方法将第一凹槽310内的胶材清理掉。
可以理解的是，该第一粘接胶层330可以为低熔点胶材制成，具体的，可以采用聚氨酯热熔胶材制成。
还可以理解的是，临时基板300一般呈薄板状，为圆形、长方形或者正方形等形状。其包括相对设置的两个表面，其中第一凹槽310可以设置于其中任一个表面上。以临时基板300呈长方形为例，可以在临时基板300上设置多个延伸路径呈直线状的第一凹槽310，此时多个第一凹槽310相互平行设置，且均沿着临时基板300的长度方向延伸，或者是沿着临时基板300的宽度方向延伸，或者是沿着与长度方向呈40度左右夹角延伸，由此可以使得加热后融化的第一粘接胶层330的导流路线较长，增加加热后融化的第一粘接胶层330的排出效率。
当然，另一些实施方式中，在临时基板300上设置呈环形的第一凹槽310，环形的第一凹槽310环绕一个圆形的第一凸台320一周，由此，各个第一凸台320周围均有环形的第一凹槽310，融化后的第一粘接胶层330可以较好的被导流；另外，该种结构的第一凹槽310环绕出的第一凸台320支撑面较大，LED芯片200对应粘接至第一凸台320上时，LED芯片200的粘接可靠性较好，可以提升转移效率。
一个第一凸台320周围可以环绕一圈第一凹槽310，也可以在第一凸台320周围环绕两圈、三圈、四圈等等数量的第一凹槽310，其中相邻的两个第一凹槽310之间均具有间隔，那么LED芯片200转移至临时基板300上之后，可以使得LED芯片200覆盖第一凸台320和其中一圈第一凹槽310，也可以使得LED芯片200覆盖第一凸台320和其中两圈、三圈、四圈等等数量的第一凹槽310，并且LED芯片200覆盖的其中部分第一凹槽310的至少一段位于LED芯片200的正电极和负电极之间，由此使得第一粘接胶层330融化后可以更好的被导流，防止胶材粘接在LED芯片的电极表面上。
也即，在临时基板300上设置多个第一凹槽310具体可以包括：在临时基板300上设置多个延伸路径呈直线状或环形状的第一凹槽310。
步骤S110：将生长基板100上的LED芯片200转移至所述临时基板300上，使得所述LED芯片200与所述第一粘接胶层330粘接。
具体的，参考图13和图14，可以将生长基板100具有LED芯片200的一侧面对临时基板300具有第一粘接胶层330的一侧，且使得LED芯片200与第一粘接胶层330接触，然后利用激光将LED芯片200从生长基板100上剥离，从而将LED芯片200转移至临时基板300上，此时LED芯片200粘接在第一粘接胶层330上。
其中，在一些实施例中，将生长基板100上的LED芯片200转移至所述临时基板300上，使得所述LED芯片200与所述第一粘接胶层330粘接，具体可以包括：将生长基板100上的LED芯片200转移至所述临时基板300上，使得所述LED芯片200与所述第一粘接胶层330粘接后，使得所述LED芯片200至少覆盖一个所述第一凹槽310，以及使得LED芯片200覆盖的所述第一凹槽310中的至少一个位于所述LED芯片200的正电极和负电极之间。
也即，可以使得一个LED芯片200至少对应覆盖一个第一凹槽310，那么该第一凹槽310的两侧各有一个第一凸台320，LED芯片200转移至临时基板300上之后，LED芯片200的正电极和该第一凹槽310一侧的第一凸台320上的第一粘接胶层330粘接，LED芯片200的负电极和该第一凹槽310另一侧的第一凸台320上的第一粘接胶层330粘接，此时LED芯片200覆盖的第一凹槽310位于LED芯片200的正电极和负电极之间。
那么在后续步骤中，连接LED芯片200的正电极和负电极的两个第一凸台320上的第一粘接胶层330融化后，可以流至位于正电极和负电极中间的第一凹槽310内，从而防止胶材残留在LED芯片200的电极表面上。
具体的，可以设置上述第一凸台320的宽度具体可以为10微米至14微米之间，例如第一凸台320的宽度具体可以为10微米、11微米、12微米、13微米或者14微米等等。因一般情况下，LED芯片的宽度为27微米左右，那么将第一凸台320的宽度设为10微米至14微米之间，可以使得一个LED芯片200至少覆盖一个第一凹槽310。
也可以使得一个LED芯片200至少对应覆盖多个第一凹槽310，该多个意指两个以上。以使得LED芯片200对应覆盖两个第一凹槽310为例，其中两个第一凹槽310均位于LED芯片200的正电极和负电极之间，或者是，其中一个第一凹槽310位于LED芯片200的正电极和负电极之间，另一个第一凹槽310位于正电极下方或者负电极下方。
以使得LED芯片200对应覆盖三个第一凹槽310为例，其中一个第一凹槽310位于LED芯片的正电极和负电极之间，另一个第一凹槽310位于LED芯片的正电极下方，还一个第一凹槽310位于LED芯片的负电极下方。由此，可以使得第一粘接胶层330融化后较好的被导流，防止胶材粘接在LED芯片200的电极表面上。
当然，也可以使得一个LED芯片200的正电极覆盖两个或以上数量的第一凹槽310，其负电极覆盖两个或以上数量的第一凹槽310。由此，第一粘接胶层330融化后，正电极和负电极处对应的胶材可以沿着各自下方的第一凹槽310倍导流，从而防止胶材残留在正电极和负电极上。
步骤S120：参考图15和图16，利用转移基板400上的第二粘接胶层430粘接在所述LED芯片200背离所述临时基板300的一侧，然后对所述第一粘接胶层330进行加热，以使所述第一粘接胶层330融化后至少部分流入所述第一凹槽310内，以将所述LED芯片200转移至所述转移基板400上。
具体的，可以利用激光照射临时基板300背离第一粘接胶层330的一侧，然后热量传导至第一粘接胶层330处，使得第一粘接胶层330融化，融化后的液态胶材可以流至第一凹槽310内，此时第一粘接胶层330失去对LED芯片200的粘附力，LED芯片200被第二粘接胶层430粘接，从而被转移至转移基板400上。
可以理解的是，第二粘接胶层430可以采用与第一粘接胶层330相同的材料制成，那么在激光照射临时基板300背离第一粘接胶层330的一侧时，第一粘接胶层330和第二粘接胶层430之间间隔有LED芯片200，热量较少或者是未能传递到第二粘接胶层430，由此，既能使得第一粘接胶层330融化失去对LED芯片200的粘附力，又能采用相同的材料制备第一粘接胶层330和第二粘接胶层430，从而便于加工，以降低成本。
当然，在另一些实施方式中，也可以选择比第二粘接胶层430粘附力稍强，且融点略高于第一粘接胶层330的材料制成。由此，可以防止加热第一粘接胶层330时，第二粘接胶层430也融化，从而使得第二粘接胶层430较好的粘接LED芯片200，以提升转移效率。
步骤S130：将所述转移基板400上的LED芯片200转移至显示背板500上。
具体的，参考图17和图18，可以将转移基板400粘接有LED芯片200的一侧面对显示背板500，使得LED芯片200与显示背板500上的焊盘组对应，然后利用激光照射转移基板400背离显示背板500一侧，使得第二粘接胶层430失去对LED芯片200的粘附力，由此，LED芯片200从转移基板400上脱离，从而被转移至显示背板500上，后续再完成LED芯片200和显示背板500的键合。
上述实施例提供的巨量转移方法，由于在临时基板300上设置有第一凹槽310，那么临时基板300上的LED芯片200转移至转移基板400时，第一粘接胶层330融化后可以部分或者全部流入第一凹槽310内，由此，防止第一粘接胶层330残留在LED芯片200的电极表面上，还可以防止第一粘接胶层330气化后导致LED芯片200偏移或翻转，确保LED芯片200的电极表面和焊盘组精确对位，从而提高转移效率。
本申请实施例还提供另一种巨量转移方法，参考图19，该实施例提供的巨量转移方法包括以下步骤。
步骤S200：在临时基板300上设置多个深度大于10微米的第一凹槽310，使得任意相邻的两个所述第一凹槽310之间形成第一凸台320，然后在所述第一凸台320上设置第一粘接胶层330。详细的，第一凹槽310的深度可以为11微米、12微米或者13微米等等。
该实施例中，第一凹槽310的深度大于10微米，可以理解的是，第一凹槽310的深度为沿着临时基板300的厚度方向延伸的尺寸。由此，第一凹槽310具有足够的深度，从而可以提供足够的容纳空间，以容纳融化后的第一粘接胶层330。
可以理解的是，第一凹槽310的深度最深可为临时基板300厚度的三分之二，由此，既能使得第一凹槽310的深度足够深，又能确保临时基板300具有足够的结构强度。
步骤S210：参考图20和图21，将生长基板100上的LED芯片200转移至所述临时基板300上，使得所述LED芯片200与所述第一粘接胶层330粘接。该步骤与上述实施例中步骤S110相同，不再赘述。
步骤S220：参考图22和图23，利用转移基板400上的第二粘接胶层430粘接在所述LED芯片200背离所述临时基板300的一侧，然后对所述第一粘接胶层330进行加热，以使所述第一粘接胶层330融化后至少部分流入所述第一凹槽310内，以将所述LED芯片200转移至所述转移基板400上。该步骤与上述实施例中步骤S120相同，不再赘述。
步骤S230：将所述转移基板400上的LED芯片200转移至显示背板500上。该步骤与上述实施例中步骤S130相同，不再赘述。
本申请实施例还提供又一种巨量转移方法，参考图24，该实施例提供的巨量转移方法的步骤具体包括。
步骤S300：在临时基板300上设置多个宽度小于1微米的第一凹槽310，使得任意相邻的两个所述第一凹槽310之间形成第一凸台320，然后在所述第一凸台320上设置第一粘接胶层330。
该实施例中，第一凹槽310的宽度小于1微米，可以理解的是，第一凹槽310的宽度为沿着垂直于临时基板300的厚度方向延伸的尺寸。由此，第一凹槽310具有足够的宽度，从而可以提供足够的容纳空间，以容纳融化后的第一粘接胶层330。另外，该宽度的第一凹槽310，为第一凸台320预留足够的空间，以使第一凸台320上可以设置较大面积的第一粘接胶层330，使得第一粘接胶层330可以较好的支撑LED芯片，从而防止LED芯片倾倒。第一凹槽310的宽度具体可以为0.9微米、0.8微米和0.7微米等等。
步骤S310：将生长基板100上的LED芯片200转移至所述临时基板300上，使得所述LED芯片200与所述第一粘接胶层330粘接。该步骤与上述实施例中步骤S110相同，不再赘述。
步骤S320：利用转移基板400上的第二粘接胶层430粘接在所述LED芯片200背离所述临时基板300的一侧，然后对所述第一粘接胶层330进行加热，以使所述第一粘接胶层330融化后至少部分流入所述第一凹槽310内，以将所述LED芯片200转移至所述转移基板400上。该步骤与上述实施例中步骤S120相同，不再赘述。
步骤S330：将所述转移基板400上的LED芯片200转移至显示背板500上。该步骤与上述实施例中步骤S130相同，不再赘述。
本申请实施例还提供再一种巨量转移方法，参考图25，该实施例提供的巨量转移方法具体包括以下步骤。
步骤S400：在临时基板300上设置多个第一凹槽310，使得任意相邻的两个所述第一凹槽310之间形成第一凸台320，然后在所述第一凸台320上设置第一粘接胶层330。该步骤与上述实施例中步骤S100相同，不再赘述。
步骤S410：将生长基板100上的LED芯片200转移至所述临时基板300上，使得所述LED芯片200与所述第一粘接胶层330粘接。该步骤与上述实施例中步骤S110相同，不再赘述。
步骤S420：参考图26，在所述转移基板400上设置多个第二凹槽410，使得任意相邻的两个所述第二凹槽410之间形成第二凸台420，然后在所述第二凸台420上设置第二粘接胶层430。
具体的，形成第二粘接胶层430的具体过程如下：在所述转移基板400设有所述第二凹槽410的表面涂覆粘接胶材，然后去除所述第二凹槽410内的粘接胶材，以使留在所述第二凸台420上的粘接胶材形成所述第二粘接胶层430。详细的，可以利用腌膜(mask)方式和等离子体(plasma)相结合的方式制备出具有第二凹槽410和第二粘接胶层430的转移基板400。
可以理解的是，该第二粘接胶层430可以为低熔点胶材制成，具体的，可以采用聚氨酯热熔胶材制成。
还可以理解的是，转移基板400一般呈薄板状，为圆形、长方形或者正方形等形状。其包括相对设置的两个表面，其中第二凹槽410可以设置于其中任一个表面上。以转移基板400呈长方形为例，可以在转移基板400上设置多个延伸路径呈直线状的第二凹槽410，此时多个第二凹槽410相互平行设置，且均沿着转移基板400的长度方向延伸，或者是沿着转移基板400的宽度方向延伸，或者是沿着与长度方向呈40度左右夹角延伸，由此可以使得加热后融化的第二粘接胶层430的导流路线较长，增加加热后融化的第二粘接胶层430的排出效率。
当然，另一些实施方式中，在转移基板400上设置呈环形的第二凹槽410，环形的第二凹槽410环绕一个圆形的第二凸台420一周，由此，各个第二凸台420周围均有环形的第二凹槽410，融化后的第二粘接胶层430可以较好的被导流；另外，该种结构的第二凹槽410环绕出的第二凸台420支撑面较大，LED芯片200对应粘接至第二凸台420上时，LED芯片200的粘接可靠性较好，可以提升转移效率。
也即，可以在转移基板400上设置多个第二凹槽410具体可以包括：在转移基板400上设置多个延伸路径呈直线状或环形的第二凹槽410。
在一些更具体的实施方式中，具体可以设置第二凹槽410的深度大于10微米，可以理解的是，第二凹槽410的深度为沿着转移基板400的厚度方向延伸的尺寸。由此，第二凹槽410具有足够的深度，从而可以提供足够的容纳空间，以容纳融化后的第二粘接胶层430。可以理解的是，第二凹槽410的深度最深可为转移基板400厚度的三分之二，由此，既能使得第二凹槽410的深度足够深，又能确保转移基板400具有足够的结构强度。
在一些更具体的实施方式中，可以设置第二凹槽410的宽度小于1微米，可以理解的是，第二凹槽410的宽度为沿着垂直于转移基板400的厚度方向延伸的尺寸。由此，第二凹槽410具有足够的宽度，从而可以提供足够的容纳空间，以容纳融化后的第二粘接胶层430。另外，该宽度的第二凹槽410，不影响LED芯片200与转移基板400的接触。
步骤S430：参考图27至图29，利用转移基板400上的第二粘接胶层430粘接在所述LED芯片200背离所述临时基板300的一侧，然后对所述第一粘接胶层330进行加热，以使所述第一粘接胶层330融化后至少部分流入所述第一凹槽310内，以将所述LED芯片200转移至所述转移基板400上。该步骤与上述实施例中步骤S120相同，不再赘述。
步骤S440：参考图30和图31，将所述转移基板400上的LED芯片200与所述显示背板500接触，然后对所述第二粘接胶层430进行加热，以使所述第二粘接胶层430融化后至少部分流入所述第二凹槽410内，以将所述LED芯片200转移至所述显示背板500上。
具体的，可以利用激光照射转移基板400背离第二粘接胶层430的一侧，然后热量传导至第二粘接胶层430处，使得第二粘接胶层430融化，融化后的液态胶材可以流至第二凹槽410内，此时第二粘接胶层430失去对LED芯片200的粘附力，LED芯片200被转移至显示背板500上。
该实施例提供的巨量转移方法，由于在转移基板400上设置有第二凹槽410，那么转移基板400上的LED芯片200转移至显示背板500时，第二粘接胶层430融化后可以部分或者全部流入第二凹槽410内，由此，防止第二粘接胶层430残留在LED芯片200的出光面上，以提高LED芯片200的出光率和发光均匀性，还可以防止第二粘接胶层430气化后导致LED芯片200偏移或翻转，确保LED芯片200的电极表面和焊盘组精确对位，从而提高转移效率。
本申请实施例还提供又一种巨量转移方法，参考图32，该实施例提供的巨量转移方法包括以下步骤。
步骤S500：在临时基板300上设置多个第一凹槽310，使得任意相邻的两个所述第一凹槽310之间形成第一凸台320，然后在所述第一凸台320上设置第一粘接胶层330。该步骤与上述实施例中步骤S100相同，不再赘述。
步骤S510：参考图33，检测生长基板100上的坏点LED芯片200a。具体可以利用微自动光学检测(Micro Automated Optical Inspection，AOI)，或者利用微型光致发光(MicroPhotoluminescence，PL)检测设备，提前检测转移至临时基板300上的LED芯片200的光学特性与外观质量，生成相应的数据映射(Mapping Data)。由此可以获知生长基板100上的坏点LED芯片200a，从而可以在将LED芯片转移至临时基板300上时，避开坏点LED芯片200a，确保被转移至显示背板500上的LED芯片200外观较好且波长一致性较好。
步骤S520：参考图34和图35，将生长基板100上除了坏点LED芯片200a之外的至少部分LED芯片200转移至所述临时基板300上，使得所述LED芯片200与所述第一粘接胶层330粘接。具体的，激光针对性的照射正常LED芯片200，避开坏点LED芯片200a，从而使得正常LED芯片200与生长基板100剥离，由此可以确保转移至显示背板500上的LED芯片200均为外观正常且波长一致性较好的LED芯片200，使得最终被制备的成的LED显示器件的发光一致性较好。
步骤S530：参考图36和图37，利用转移基板400上的第二粘接胶层430粘接在所述LED芯片200背离所述临时基板300的一侧，然后对LED芯片200对应的第一粘接胶层330加热，以使所述第一粘接胶层330融化后至少部分流入所述第一凹槽310内，以将除了坏点LED芯片200a之外的至少部分LED芯片200转移至所述转移基板400上。
步骤S540：参考图38和图39，将所述转移基板400上的LED芯片200转移至显示背板500上。该步骤与上述实施例中步骤S130相同，不再赘述。
可以理解的是，参考图40，在将转移基板400上的LED芯片200批量转移至显示背板500上后，可以针对性的补充另一LED芯片200至坏点LED芯片200a对应的焊盘组处。由此，可以防止坏点LED芯片200a对应的焊盘组处空缺，使得最终被制备的LED显示器件上像素比较完整，从而可以提升显示效果。
本申请实施例还提供一种临时基板300，参考图11至图13，所述临时基板300应用于上述任意实施例所述的巨量转移方法中，所述临时基板300上设置多个第一凹槽310，任意相邻的两个所述第一凹槽310之间形成第一凸台320，所述第一凸台320上设有第一粘接胶层330。该临时基板300应用于巨量转移方法中时，转移过程中融化的胶材会流至第一凹槽310内，转移的LED芯片200上不会残留胶材，可以防止第一粘接胶层330残留在LED芯片200的电极表面上，还可以防止第一粘接胶层330气化后导致LED芯片200偏移或翻转，确保LED芯片200的电极表面和焊盘组精确对位，从而提高转移效率。
本申请实施例还提供一种转移基板400，参考图26，所述临时基板400应用于上述任意实施例所述的巨量转移方法中，所述临时基板400上设置多个第二凹槽410，任意相邻的两个所述第二凹槽410之间形成第二凸台420，所述第二凸台420上设有第二粘接胶层440。该临时基板400应用于巨量转移方法中时，转移过程中融化的胶材会流至第二凹槽410内，转移的LED芯片200上不会残留胶材，可以防止第二粘接胶层440残留在LED芯片200的出光表面上，还可以防止第二粘接胶层440气化后导致LED芯片200偏移或翻转，确保LED芯片200的电极表面和焊盘组精确对位，从而提高转移效率。
基于上述任意实施例提供的巨量转移方法，本申请又一实施例提供一种显示器件，该显示器件具体包括显示背板和多个LED芯片，其中LED芯片采用上述任意实施例提供的巨量转移方法转移至显示背板上。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：
在临时基板上设置多个第一凹槽，使得任意相邻的两个所述第一凹槽之间形成第一凸台，然后在所述第一凸台上设置第一粘接胶层；
将生长基板上的LED芯片转移至所述临时基板上，使得所述LED芯片与所述第一粘接胶层粘接；
利用转移基板上的第二粘接胶层粘接在所述LED芯片背离所述临时基板的一侧，然后对所述第一粘接胶层进行加热，以使所述第一粘接胶层融化后至少部分流入所述第一凹槽内，以将所述LED芯片转移至所述转移基板上；
将所述转移基板上的LED芯片转移至显示背板上。
2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，将生长基板上的LED芯片转移至所述临时基板上，使得所述LED芯片与所述第一粘接胶层粘接，包括：
将生长基板上的LED芯片转移至所述临时基板上，使得所述LED芯片与所述第一粘接胶层粘接，使得所述LED芯片覆盖多个所述第一凹槽，使得LED芯片覆盖的所述第一凹槽中的至少一个位于所述LED芯片的正电极或负电极下方。
3.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在临时基板上设置多个第一凹槽，具体包括：在临时基板上设置多个延伸路径呈直线状或环形状的第一凹槽。
4.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在临时基板上设置多个第一凹槽，具体包括：在临时基板上设置多个深度大于10微米的第一凹槽；
和/或，在临时基板上设置多个第一凹槽，具体包括：在临时基板上设置多个宽度小于1微米的第一凹槽。
5.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，在所述第一凸台上设置第一粘接胶层，具体包括：在所述临时基板设有所述第一凹槽的表面涂覆粘接胶材，然后去除所述第一凹槽内的粘接胶材，以使留在所述第一凸台上的粘接胶材形成所述第一粘接胶层。
6.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其特征在于，利用转移基板上的第二粘接胶层粘接在所述LED芯片背离所述临时基板的一侧之前，所述巨量转移方法还包括：在所述转移基板上设置多个第二凹槽，使得任意相邻的两个所述第二凹槽之间形成第二凸台，然后在所述第二凸台上设置第二粘接胶层；
将所述转移基板上的LED芯片转移至显示背板上，具体包括：将所述转移基板上的LED芯片与所述显示背板接触，然后对所述第二粘接胶层进行加热，以使所述第二粘接胶层融化后至少部分流入所述第二凹槽内，以将所述LED芯片转移至所述显示背板上。
7.根据权利要求6所述的巨量转移方法，其特征在于，在所述转移基板上设置多个第二凹槽，具体包括：在所述转移基板上设置多个深度大于10微米；
和/或，在所述转移基板上设置多个第二凹槽，具体包括：在所述转移基板上设置多个宽度小于1微米的第二凹槽。
8.一种临时基板，所述临时基板应用于权利要求1至7中任一项所述的巨量转移方法中，其特征在于，所述临时基板上设置多个第一凹槽，任意相邻的两个所述第一凹槽之间形成第一凸台，所述第一凸台上设有第一粘接胶层。
9.一种转移基板，所述转移基板应用于权利要求1至7中任一项所述的巨量转移方法中，其特征在于，所述转移基板上设置多个第二凹槽，任意相邻的两个所述第二凹槽之间形成第二凸台，所述第二凸台上设有第二粘接胶层。
10.一种LED显示器件，其特征在于，包括显示背板和多个LED芯片，多个所述LED芯片通过权利要求1至8中任一项所述的巨量转移方法转移至所述显示背板上。
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