JP2021526966A - 触媒ナノ粒子、触媒表面及び/又は触媒を調製する方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図2
Description
a.触媒出発材料を提供するステップと、
b.イオンビーム線量を触媒出発材料に注入するステップと
を含み、それにより触媒粒子、触媒表面又は触媒を得る、方法を提供する。
1.触媒粒子、触媒表面又は触媒を調製する方法であって、
− 担体ナノ粒子及び任意選択的に金属ナノ粒子を含む触媒出発材料を提供するステップと、
− イオンビームを提供するステップと、
− イオンビーム線量を触媒出発材料に注入するステップであって、イオンビームは、選択された一価イオン又は選択された一価イオン及び多価イオンの混合物を含み、一価イオン及び多価イオンは、正荷電イオンである、ステップと
を含み、それにより触媒粒子、触媒表面又は触媒を得る、方法。
2.− 表面に付加された金属ナノ粒子を有する担体ナノ粒子の凝結体から製造される触媒粒子を含む触媒出発材料を提供するステップと、
− 平均原子番号Zavrを提供するステップと、
− 触媒出発材料の重量に基づき、イオン/gで表される線量Xを有するイオンビームを選択するステップであって、Xは、以下の不等式:
(7/Zavr)×1018イオン/g<X<(7/Zavr)×6×1019イオン/g
に従い、且つ好ましくは、イオンビーム中の一価イオンのエネルギーは、少なくとも10keV〜最大100keVである、ステップと、
− 選択されたイオンを主に含むイオンビーム線量を触媒出発材料に注入するステップと
を含み、それにより触媒粒子、触媒表面又は触媒を得る、提示1による方法、好ましくは触媒粒子、触媒表面又は触媒を調製する方法。
3.− 平均直径Davr,metalを有する金属ナノ粒子径を含む触媒出発材料を提供するステップと、
− 触媒の体積単位あたりで最小数の欠陥Nを提供するステップと、
− 平均原子番号Zavrを有するイオンを選択するステップであって、Zavrは、以下の不等式:
INT(0.5×Davr,met×1/nm)<Zavr<INT(2.0×Davr,met×1/nm)
に従う、ステップと、
− 選択されたイオンを主に含むイオンビーム線量を触媒出発材料に注入するステップであって、好ましくは、イオンビーム中の一価イオンのエネルギーは、少なくとも10keV〜最大100keVである、ステップと
を含み、それにより触媒粒子、触媒表面又は触媒を得る、提示1又は2のいずれか1つによる方法、好ましくは触媒粒子、触媒表面又は触媒を調製する方法。
4.− 原子番号Zを有するイオンを提供するステップと、
− 触媒粒子の体積単位あたりで最小数の欠陥Nを提供するステップと、
− 触媒出発材料を選択するステップと、
− 選択されたイオンを主に含むイオンビーム線量を触媒出発材料に注入するステップであって、好ましくは、イオンビーム中の一価イオンのエネルギーは、少なくとも10keV〜最大100keVである、ステップと
を含み、それにより触媒粒子、触媒表面又は触媒を得る、提示1〜3のいずれか1つによる方法、好ましくは触媒粒子、触媒表面又は触媒を調製する方法。
5.− 触媒出発材料を提供するステップと、
− 紫外線、X線及び/又は電子ビームの1つ以上を提供する供給源によって触媒出発材料を同時に処理しながら、イオンビーム線量を触媒出発材料に注入するステップと
を含み、それにより触媒粒子、触媒表面又は触媒を得る、提示1〜4のいずれか1つによる方法、好ましくは触媒粒子、触媒表面又は触媒を調製する方法。
6.イオンビーム中の一価イオンのエネルギー(E)は、少なくとも10keV〜最大100keVである、提示1〜5のいずれか1つによる方法。
7.イオンビーム中の一価イオンのエネルギーEは、少なくとも10keV、好ましくは少なくとも20keV、より好ましくは少なくとも30keV、さらにより好ましくは少なくとも40keV、最も好ましくは少なくとも50keVである、提示1〜6のいずれか1つによる方法。
8.イオンビーム中の一価イオンのエネルギーEは、最大100keV、好ましくは最大90keV、より好ましくは最大80keV、さらにより好ましくは最大70keV、最も好ましくは最大60keVである、提示1〜7のいずれか1つによる方法。
9.イオンビーム中の一価イオンのエネルギーEは、少なくとも10keV〜最大100keV、好ましくは少なくとも20keV〜最大90keV、より好ましくは少なくとも30keV〜最大80keV、さらにより好ましくは少なくとも40keV〜最大70keV、最も好ましくは少なくとも50keV〜最大60keVである、提示1〜8のいずれか1つによる方法。
10.イオンビームは、プラズマフィラメントイオンビーム供給源又は電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマ供給源、例えばECRプラズマ浸漬イオン注入(PIII)若しくは好ましくは永久磁石で閉じ込められたECRプラズマによって発生される、提示1〜9のいずれか1つによる方法。
11.イオンビーム中のイオンは、少なくとも5kV、好ましくは少なくとも10kV、より好ましくは少なくとも15kV、さらにより好ましくは少なくとも20kV、なおさらにより好ましくは少なくとも25kV、最も好ましくは少なくとも30kVの引出電圧によって引き出される、提示1〜10のいずれか1つによる方法。
12.イオンビーム中の一価及び多価イオンのエネルギーEは、最大150keV、好ましくは最大125keV、より好ましくは最大100keVである、提示1〜11のいずれか1つによる方法。
13.イオンビーム中の一価及び多価イオンのエネルギーEは、少なくとも5kV〜最大100kV、好ましくは少なくとも10kV〜最大100kV、より好ましくは少なくとも15kV〜最大125kV、さらにより好ましくは少なくとも20kV〜最大100kV、なおさらにより好ましくは少なくとも25kV〜最大75kV、最も好ましくは少なくとも30kV〜最大50kV、例えば35kVの引出電圧によって引き出される、提示1〜12のいずれか1つによる方法。
14.触媒出発材料の重量に基づく、イオン/gで表されるイオンビームの線量Xは、以下の不等式:
(7/Zavr)×1018イオン/g<X<(7/Zavr)×3×1019イオン/g
に従い、例えば、線量は、以下の不等式:
2×(7/Zavr)×1018イオン/g<X<(7/Zavr)×2×1019イオン/g、又は
5×(7/Zavr)×1018イオン/g<X<(7/Zavr)×1×1019イオン/g
の1つ以上に従う、提示1〜13のいずれか1つによる方法。
15.Zavrは、以下の不等式:
INT(0.5×Davr,metal×1/nm)<Zavr<INT(1.0×Davr,metal×1/nm)
に従い、例えばZavrは、以下の不等式:
INT(0.6×Davr,metal×1/nm)<Zavr<INT(0.9×Davr,metal×1/nm)、又は
INT(0.7×Davr,metal×1/nm)<Zavr<INT(0.8×Davr,metal×1/nm)
の1つ以上に従う、提示1〜14のいずれか1つによる方法。
16.イオンビーム線量は、少なくとも1013イオン/cm2、好ましくは少なくとも1014イオン/cm2、さらにより好ましくは少なくとも1015イオン/cm2である、提示1〜15のいずれか1つによる方法。
17.イオンビーム線量は、最大1018イオン/cm2、好ましくは最大1017イオン/cm2、さらにより好ましくは最大1016イオン/cm2である、提示1〜16のいずれか1つによる方法。
18.イオンビーム線量は、少なくとも1013イオン/cm2〜最大1018イオン/cm2、好ましくは少なくとも1014イオン/cm2〜最大1017イオン/cm2、さらにより好ましくは少なくとも1015イオン/cm2〜最大1016イオン/cm2、例えば5×1015イオン/cm2である、提示1〜17のいずれか1つによる方法。
19.イオンビームの電流又はイオンビームの強度は、少なくとも0.1mA、好ましくは少なくとも0.2mA、より好ましくは少なくとも0.5mA、さらにより好ましくは少なくとも0.7mA、最も好ましくは少なくとも0.9mAである、提示1〜18のいずれか1つによる方法。
20.イオンビームの電流又はイオンビームの強度は、最大10.0mA、好ましくは最大7.0mA、より好ましくは最大5.0mA、さらにより好ましくは最大3.0mA、最も好ましくは最大1.5mAである、提示1〜19のいずれか1つによる方法。
21.イオンビームの電流又はイオンビームの強度は、少なくとも0.1mA〜最大10.0mA、好ましくは少なくとも0.2mA〜最大7.0mA、より好ましくは少なくとも0.5mA〜最大5.0mA、さらにより好ましくは少なくとも0.7mA〜最大3.0mA、最も好ましくは少なくとも0.9〜最大1.5mA、例えば1.0mAである、提示1〜20のいずれか1つによる方法。
22.イオンビームは、少なくとも10mm/秒〜最大500mm/秒、好ましくは少なくとも20mm/秒〜最大300mm/秒、より好ましくは少なくとも40mm/秒〜最大150mm/秒、最も好ましくは少なくとも60mm/秒〜最大120mm/秒、例えば80mm/秒の速度で触媒出発材料上を移動する、提示1〜21のいずれか1つによる方法。
23.全イオンビーム線量は、m部分のイオンビーム線量に分けられ、触媒出発材料は、m回の異なるイオンビーム線量間においてそれぞれの時間で混合又は撹拌され、好ましくは、mは、少なくとも4〜最大64、より好ましくは少なくとも8〜最大32、さらにより好ましくは少なくとも12〜最大24、最も好ましくは少なくとも16〜最大18である、提示1〜22のいずれか1つによる方法。
24.イオンビームのアドバンスメントステップは、少なくとも1%〜最大50%、好ましくは少なくとも2%〜最大40%、より好ましくは少なくとも5%〜最大30%、さらにより好ましくは少なくとも7%〜最大20%、最も好ましくは少なくとも10%〜最大15%である、提示1〜23のいずれか1つによる方法。
25.イオンビームの直径は、触媒出発材料との接触点で測定される少なくとも5mm〜最大100mm、好ましくは少なくとも10mm〜最大75mm、より好ましくは少なくとも15mm〜最大60mm、さらにより好ましくは少なくとも25mm〜最大50mm、最も好ましくは少なくとも35mm〜最大40mmである、提示1〜24のいずれか1つによる方法。
26.触媒出発材料は、キャリア上で提供される、提示1〜25のいずれか1つによる方法。
27.好ましくは物理的又は化学的に担体に付加される、キャリア上の触媒粒子、キャリア上の触媒表面又はキャリア上の触媒を調製するための、提示1〜26のいずれか1つによる方法。キャリアは、金属、セラミック、例えば菫青石又はガラス繊維から製造されることができる。キャリアは、剛質シート若しくはチューブ、ハニカム構造又は軟質マットとして形成されることができる。
28.触媒出発材料は、担体ナノ粒子を含み、担体ナノ粒子は、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、混合酸化セリウム−ジルコニウム、酸化チタン又はゼオライトを含むか又はそれからなる、提示1〜27のいずれか1つによる方法。
29.担体は、Al2O3、CeO2、又はCe0.7Zr0.3O2、又はCe0.5Zr0.5O2である、提示1〜28のいずれか1つによる方法。
30.触媒出発材料は、担体ナノ粒子を含み、担体ナノ粒子は、ゼオライト;La、Pr若しくはNdドープされたAl2O3;CeO2;ZrドープされたCeO2;特定の安定化されたZr−酸化物;Al2O3;SiO2ドープされたAl2O3;ZrO2−SiO2、BaドープされたAl2O3、TiO2;WドープされたTiO2;MoドープされたTiO2;W及びMoドープされたTiO2並びにFe−Cuドープされたゼオライトを含むか、又はそれらからなるか、又はそれらから選択される、提示1〜29のいずれか1つによる方法。
31.触媒出発材料は、金属ナノ粒子及び担体ナノ粒子を含み、担体ナノ粒子の重量に対する金属ナノ粒子の重量の比率は、少なくとも0.1重量%〜最大5.0重量%、好ましくは0.3重量%〜最大3.0重量%、より好ましくは少なくとも0.5重量%〜最大2.0重量%、最も好ましくは少なくとも0.7重量%〜最大1.5重量%である、提示1〜30のいずれか1つによる方法。
32.イオンの少なくとも一部、好ましくは全てのイオンは、最大18、好ましくは最大10、より好ましくは最大8、さらにより好ましくは最大7、最も好ましくは最大2の原子番号Zを有する原子から誘導される、提示1〜31のいずれか1つによる方法。
33.イオンの少なくとも一部、好ましくは全てのイオンは、ヘリウム原子、アルゴン原子、酸素原子及び/又は窒素原子から誘導される、提示1〜32のいずれか1つによる方法。
34.Zavrは、最大20、好ましくは最大14、より好ましくは最大10、さらにより好ましくは最大7、最も好ましくは最大4である、提示1〜33のいずれか1つによる方法。
35.イオンの少なくとも50%、好ましくはイオンの少なくとも75%、より好ましくはイオンの少なくとも90%、さらにより好ましくはイオンの少なくとも95%、最も好ましくはイオンの100%は、ヘリウム原子、アルゴン原子、酸素原子及び/又は窒素原子から誘導される、提示1〜34のいずれか1つによる方法。
36.金属ナノ粒子径Davr,metalは、最大100.0nm、好ましくは最大75.0nm、より好ましくは最大50.0nm、さらにより好ましくは最大25.0nm、なおさらにより好ましくは最大15.0nm、最も好ましくは最大10.0nmである、提示1〜35のいずれか1つによる方法。
37.金属ナノ粒子径Davr,metalは、少なくとも0.1nm、好ましくは少なくとも0.5nm、より好ましくは少なくとも1.0nm、さらにより好ましくは少なくとも5.0nm、最も好ましくは少なくとも7.0nmである、提示1〜36のいずれか1つによる方法。
38.金属ナノ粒子径Davr,metalは、少なくとも0.1nm〜最大100.0nm、好ましくは少なくとも0.5nm〜最大75.0nm、より好ましくは少なくとも1.0nm〜最大50.0nm、さらにより好ましくは少なくとも5.0nm〜最大25.0nm、なおさらにより好ましくは少なくとも7.0nm〜最大15nm、最も好ましくは少なくとも10.0nm〜最大12.0nmである、提示1〜37のいずれか1つによる方法。
39.触媒出発材料は、金属ナノ粒子及び担体ナノ粒子を含む、提示1〜38のいずれか1つによる方法。
40.担体ナノ粒子は、金属ナノ粒子より直径において大きく、好ましくは少なくとも20%大きく、より好ましくは少なくとも50%大きく、さらにより好ましくは少なくとも100%大きく、なおより好ましくは少なくとも200%大きく、最も好ましくは少なくとも300%大きい、提示1〜39のいずれか1つによる方法。
41.触媒粒子径Davr,catは、最大200.0nm、代わりに最大150.0nm、代わりに最大100.0nmである、提示1〜40のいずれか1つによる方法。
42.触媒粒子径Davr,catは、少なくとも10nm、代わりに少なくとも20nm、代わりに少なくとも30nm、代わりに少なくとも50nmである、提示1〜41のいずれか1つによる方法。
43.触媒粒子径Davr,catは、少なくとも10nm〜最大200.0nm、代わりに少なくとも20nm〜最大150.0nm、代わりに少なくとも30nm〜最大100.0nmである、提示1〜42のいずれか1つによる方法。
44.触媒出発材料は、触媒粉末である、提示1〜43のいずれか1つによる方法。
45.触媒出発材料は、結晶質フラクションを含む、提示1〜44のいずれか1つによる方法。
46.n回の複数の線量Xiによるn回の異なる注入ステップを含み、好ましくは、各線量Xiは、X/nであり、Xは、全イオンビーム線量である、提示1〜45のいずれか1つによる方法。
47.イオンビームと面法線の間の入射角は、0°〜最大45°、好ましくは0°〜最大30°、より好ましくは0°〜最大20°、さらにより好ましくは0°〜最大10°、なおより好ましくは0°〜最大5°、最も好ましくは0°である、提示1〜46のいずれか1つによる方法。
48.触媒出発材料は、遷移金属、好ましくは貴金属を含む、提示1〜47のいずれか1つによる方法。
49.触媒出発材料は、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、ルテニウム(Ru)、ロジウム(Rh)、パラジウム(Pd)若しくはロジウム(Rh)、銀(Ag)、セリウム(Ce)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、金(Au)又はこれらの金属の1つ以上の組合せを含むリストから選択される材料を含むか又はそれからなる金属ナノ粒子を含む、提示1〜48のいずれか1つによる方法。
50.触媒出発材料は、白金(Pt)、又はパラジウム(Pd)、又はロジウム(Rh)を含むか又はそれからなる金属ナノ粒子を含む、提示1〜49のいずれか1つによる方法。
51.担体ナノ粒子が酸化アルミニウム(Al2O3)を含む場合、好ましい触媒出発材料は、パラジウム(Pd)若しくはロジウム(Rh)であるか;又は担体ナノ粒子が酸化セリウム、例えばCeO2、若しくはCe0.7Zr0.3O2、若しくはCe0.5Zr0.5O2を含む場合、好ましい触媒出発材料は、白金(Pt)である、提示1〜50のいずれか1つによる方法。
52.UV光供給源、好ましくは高真空(<10−4Pa)に対するUV光供給源、好ましくは触媒出発材料に適応されたものを提供することを含む、提示1〜51のいずれか1つによる方法。
53.X線供給源、好ましくは高真空(<10−4Pa)に対する軟X線供給源、好ましくは触媒出発材料に適応されたものを提供することを含む、提示1〜52のいずれか1つによる方法。
54.電子ビーム供給源、好ましくは触媒出発材料に適応されたものを提供することを含む、提示1〜53のいずれか1つによる方法。
55.イオンビームは、選択されたイオンの少なくとも75%、好ましくは選択されたイオンの少なくとも90%、より好ましくは選択されたイオンの少なくとも95%、なおよりより好ましくは選択されたイオンの少なくとも99%を含み、最も好ましくは選択されたイオンのみからなる、提示1〜54のいずれか1つによる方法。
56.イオンビームを触媒出発材料に注入するステップは、最大10−4Torr、好ましくは最大10−5Torr、より好ましくは最大10−6Torr、最も好ましくは最大10−7Torrの圧力において実行される、提示1〜55のいずれか1つによる方法。
57.イオンビームを触媒出発材料に注入するステップは、少なくとも3×10−6Torr、好ましくは少なくとも5×10−6Torr、より好ましくは少なくとも7×10−6Torr、さらにより好ましくは少なくとも10×10−6Torr、最も好ましくは少なくとも20×10−6Torrの圧力において実行される、提示1〜56のいずれか1つによる方法。
58.イオンビームを触媒出発材料に注入するステップは、少なくとも3×10−6Torr〜最大10−4Torr、好ましくは少なくとも5×10−6Torr〜最大7×10−5Torr、より好ましくは少なくとも7×10−6Torr〜最大5×10−5Torr、さらにより好ましくは少なくとも10×10−6Torr〜最大3×10−5Torrの圧力において実行される、提示1〜57のいずれか1つによる方法。
59.Ar、Kr又はXeなどの希ガスは、処理チャンバーに注入される、提示1〜58のいずれか1つによる方法。
60.イオンビームは、少なくとも1.00〜最大5.00、好ましくは少なくとも1.10〜最大3.00、より好ましくは少なくとも1.20〜最大2.00、さらにより好ましくは少なくとも1.30〜最大1.75、なおさらにより好ましくは少なくとも1.40〜最大1.60、最も好ましくは少なくとも1.50〜最大1.55の平均電荷(gavr)を有する、提示1〜59のいずれか1つによる方法。
61.イオンビーム中のイオンは、少なくとも10keV〜最大100keV、好ましくは少なくとも20keV〜最大90keV、より好ましくは少なくとも30keV〜最大80keV、さらにより好ましくは少なくとも40keV〜最大70keV、最も好ましくは少なくとも50keV〜最大60keVの平均エネルギー(Eavr)を有する、提示1〜60のいずれか1つによる方法。
62.Xは、以下の不等式:(7/Zavr)×1018イオン/g<X<(7/Zavr)×6×1019イオン/gに従う、提示1〜61のいずれか1つによる方法。
63.触媒出発材料との接触点で測定される、イオンビームの断面積に対するイオンビーム電流の電流の比率は、少なくとも1.2μA/mm2、好ましくは少なくとも2.4μA/mm2、より好ましくは少なくとも3.6μA/mm2である、提示1〜62のいずれか1つによる方法。
64.触媒出発材料との接触点で測定される、イオンビームの断面積に対するイオンビーム電流の電流の比率は、最大50μA/mm2、好ましくは最大35μA/mm2、より好ましくは最大25μA/mm2である、提示1〜63のいずれか1つによる方法。
65.イオンビーム線量は、4.5×1018イオン/g〜2×1019イオン/gに含まれる、提示1〜64のいずれか1つによる方法。
66.提示1〜65のいずれか1つによる方法によって製造される担体ナノ粒子、触媒粒子、触媒表面、触媒表面を含むキャリア、触媒又は触媒を含むキャリア。
67.NOx、CO及び/若しくはHC(炭化水素)排出削減デバイス、燃料電池、又は化学反応、特に石油化学反応での触媒における、提示1〜65のいずれか1つによる方法によって調製される触媒粒子、触媒表面又は触媒の使用。
68.好ましくは提示1〜65のいずれか1つによる方法を使用することによる、触媒粒子、触媒表面又は触媒の調製におけるイオン注入の使用。
69.触媒粒子、触媒表面、触媒ウォッシュコート又は触媒の調製における、提示1〜65のいずれか1つによる方法の使用。
a.触媒出発材料を提供するステップと、
b.平均原子番号Zavrを提供するステップと、
c.触媒出発材料の重量に基づき、イオン/gで表される線量Xを有するイオンビームを選択するステップであって、Xは、以下の不等式:
i.(7/Zavr)×1018イオン/g<X<(7/Zavr)×6×1019イオン/g
に従い、
ii.且つ好ましくは、イオンビーム中の一価イオンのエネルギーは、少なくとも10keV〜最大100keVである、ステップと、
d.選択されたイオンを主に含むイオンビーム線量を触媒出発材料に注入するステップと
を含み、それにより触媒粒子を得る、方法を提供する。
a.触媒出発材料を提供するステップと、
b.平均直径Davr,supを有する金属ナノ粒子を提供するステップと、
c.触媒粒子の体積単位あたりで最小数の欠陥Nを提供するステップと、
d.平均原子番号Zavrを有するイオンを選択するステップであって、Zavrは、以下の不等式:
i.INT(0.5×Davr,metal×1/nm)<Zavr<INT(2.0×Davr,metal×1/nm)
に従う、ステップと、
e.選択されたイオンを主に含むイオンビーム線量を触媒出発材料に注入するステップであって、好ましくは、イオンビーム中の一価イオンのエネルギーは、少なくとも10keV〜最大100keVである、ステップと
を含み、それにより触媒表面を得る、方法を提供する。
a.原子番号Zを有するイオンを提供するステップと、
b.触媒の体積単位あたりで最小数の欠陥Nを提供するステップと、
c.触媒出発材料を選択するステップと、
d.選択されたイオンを主に含むイオンビーム線量を触媒出発材料に注入するステップであって、好ましくは、イオンビーム中の一価イオンのエネルギーは、少なくとも10keV〜最大100keVである、ステップと
を含み、それにより触媒表面を得る、方法を提供する。
a.原子番号Zを有するイオンを提供するステップと、
b.触媒の体積単位あたりで最小数の欠陥Nを提供するステップと、
c.触媒出発材料を選択するステップと、
d.選択されたイオンを主に含むイオンビーム線量を触媒出発材料に注入するステップであって、好ましくは、イオンビーム中の一価イオンのエネルギーは、少なくとも10keV〜最大100keVである、ステップと
を含み、それにより触媒表面を得る、方法を提供する。
を使用して算出されることができ(単位は省略される)、式中、Dは、線量[イオン/cm2]であり、Iは、イオンビーム電流[A]であり、tは、注入時間[秒]であり、Sは、表面積[cm2]であり、qは、電気素量1.6×10−19[クーロン]である。この式は、一価及び多価イオンの混合物に対して容易に適応される。
を使用して算出されることができ(単位は省略される)、式中、単位を角括弧内のものとして、Dは、線量[イオン/cm2]であり、Iは、イオンビーム電流[A]であり、tは、注入時間[秒]であり、Qは、注入された触媒出発材料の量[g]であり、qは、電気素量1.6×10−19[クーロン]である。この式は、一価及び多価イオンの混合物に対して容易に適応される。
a.20mgの触媒試験材料を直径16mmのディスク上に配置し、且つ試験材料上の雰囲気を70m3kg−1時間−1のガス空間速度(GHSV)上に配置する。酸化試験中の雰囲気は、体積部に基づくppmで10体積%のO2、2000ppmのCO、2000ppmのCH4、2000ppmのC3H6、2000ppmのC6H14からなり、残りは、アルゴンである。
b.触媒試験材料に前記雰囲気中で3サイクルを受けさせる。各サイクルは、以下からなる:
i.90分間20℃において平衡させること;
ii.550℃の温度に達するまで、2℃分−1の速度で加熱すること;
iii.2時間550℃において平衡させること;及び
iv.20℃まで4°C分−1における冷却。
c.3サイクル前に前処理が行われる場合、触媒試験材料に、最初に10体積%のO2及び90体積%のアルゴンからなる雰囲気中で前処理を受けさせる。前処理では、触媒試験材料を2℃分−1の速度で20℃から550℃まで加熱し、1時間550℃において平衡させ、4℃分−1の速度で20℃まで冷却させる。
a.20mgの触媒試験材料を直径16mmのディスク上に配置する。任意選択的に、アルゴン雰囲気中で試験材料に加熱ステップを受けさせる。その場合、5℃分−1の加熱速度で室温から550°Cの温度まで試験材料を加熱し、550℃において1時間、試験材料を平衡させ、その後、5℃分−1の速度で20℃まで冷却する。
b.この任意選択的な初期加熱ステップ後、ディスク上の試験材料を、4000ppmのH2からなり、残りが20cm3分−1の流量で試験材料上に配置されるアルゴンである雰囲気中に配置する。試験材料を40分間20℃で平衡させ、その後、5℃分−1の速度で550°Cまで加熱させる。550℃において試験材料を1時間半、平衡させ、その後、5℃/分で20℃の温度まで冷却する。試験材料の効率を評価するために、測定セル内のH2濃度を監視する。
a.20mgの触媒試験材料を、K型熱電対を装備した炉によって包囲された石英管反応装置内に配置する。触媒を反応装置の中央に配置した。
b.雰囲気は、1%のCO+205%のO2からなり、残りは、石英管の入口を通して20cm3分−1の流量で試験材料上に配置されたアルゴンである。試験材料を40分間20℃で平衡させ、その後、5℃分−1の速度で550°Cまで加熱させる。550℃において試験材料を1時間半、平衡させ、その後、5℃/分で20℃の温度まで冷却する。必要とされる精度及びCOの濃度に応じて、質量分光学、ガスクロマトグラフィー又はフーリエ変換赤外線(FTIR)分光学を使用して、石英管の出口のCO濃度を測定する。
Claims (13)
- 触媒粒子を調製する方法であって、
− 触媒出発材料を提供するステップ、
− イオンビームを提供するステップ、
− 一価イオン又は一価及び多価イオンを含む、4.5×1018イオン/g〜2×1019イオン/gのイオンビーム線量を前記触媒出発材料に注入するステップであって、前記イオンビーム中の前記一価イオンのエネルギーは、少なくとも10keV〜最大100keVである、ステップ
を含み、それにより触媒を得る、方法。 - 前記イオンビームは、プラズマフィラメントイオンビーム供給源又は電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマ供給源、例えばECRプラズマ浸漬イオン注入(PIII)若しくは好ましくは永久磁石で閉じ込められたECRプラズマによって発生される、請求項1に記載の方法。
- 前記触媒出発材料は、表面に付加された金属ナノ粒子を有する担体ナノ粒子の凝結体から製造される触媒粒子を含む、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記担体は、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン若しくはゼオライト又はこれらの材料のいずれか2つ以上の混合物を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記担体ナノ粒子の重量に対する前記金属ナノ粒子の重量の比率は、少なくとも0.1重量%〜最大5.0重量%、好ましくは0.3重量%〜最大3.0重量%、より好ましくは少なくとも0.5重量%〜最大2.0重量%、最も好ましくは少なくとも0.7重量%〜最大1.5重量%である、請求項3又は4に記載の方法。
- 前記イオンの少なくとも一部、好ましくは全てのイオンは、最大18、好ましくは最大7、あるいは最大2の原子番号Zを有する原子から誘導される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記イオンの少なくとも一部、好ましくは全てのイオンは、ヘリウム原子、アルゴン原子、酸素原子及び/又は窒素原子から誘導される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記イオンビームと面法線の間の入射角は、0°〜最大45°であり、好ましくは、前記入射角は、0°である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。
- 前記触媒出発材料は、遷移金属、好ましくは貴金属を含む金属ナノ粒子を含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記触媒出発材料は、白金(Pt)、又はパラジウム(Pd)、又はロジウム(Rh)を含む金属ナノ粒子を含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法によって製造される触媒粒子を含む触媒粉末。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法によって製造される粒子を含む触媒ウォッシュコート。
- NOx、CO及び/若しくはHC排出削減デバイス、燃料電池、又は化学反応、特に石油化学反応での触媒における、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法によって調製される触媒粒子の使用。
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