JP2021517905A - 原子層蒸着用（ａｌｄ）、化学気相蒸着用（ｃｖｄ）前駆体化合物およびこれを用いたａｌｄ／ｃｖｄ蒸着法 - Google Patents

原子層蒸着用（ａｌｄ）、化学気相蒸着用（ｃｖｄ）前駆体化合物およびこれを用いたａｌｄ／ｃｖｄ蒸着法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021517905A
JP2021517905A JP2020556227A JP2020556227A JP2021517905A JP 2021517905 A JP2021517905 A JP 2021517905A JP 2020556227 A JP2020556227 A JP 2020556227A JP 2020556227 A JP2020556227 A JP 2020556227A JP 2021517905 A JP2021517905 A JP 2021517905A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ntbu
group
thin film
precursor
och
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020556227A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7184921B2 (ja
Inventor
チュン−ウォン ファン，
チュン−ウォン ファン，
キ−ヨン ムン，
キ−ヨン ムン，
チュ−ウォン リ，
チュ−ウォン リ，
キュ−ヒョン ヨム，
キュ−ヒョン ヨム，
チャン−ヒョン ソク，
チャン−ヒョン ソク，
チュン−ウ パク，
チュン−ウ パク，
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hansol Chemical Co Ltd
Original Assignee
Hansol Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hansol Chemical Co Ltd filed Critical Hansol Chemical Co Ltd
Publication of JP2021517905A publication Critical patent/JP2021517905A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7184921B2 publication Critical patent/JP7184921B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C07F5/06—Aluminium compounds
    • C07F5/061—Aluminium compounds with C-aluminium linkage
    • C07F5/062—Al linked exclusively to C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F3/00—Compounds containing elements of Groups 2 or 12 of the Periodic Table
    • C07F3/06—Zinc compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C07F5/06—Aluminium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45553—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the use of precursors specially adapted for ALD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02178—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing aluminium, e.g. Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

本発明は、前駆体化合物に関し、より詳しくは、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）または化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）により薄膜蒸着に利用可能な非発火性（Ｎｏｎｐｙｒｏｐｈｏｒｉｃ）の前駆体化合物およびこれを用いたＡＬＤ／ＣＶＤ蒸着法に関する。

Description

本発明は、新規な前駆体化合物に関し、より詳しくは、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＡＬＤ）および化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＣＶＤ）により薄膜蒸着が可能な非発火性（Ｎｏｎｐｙｒｏｐｈｏｒｉｃ）前駆体化合物およびこれを用いたＡＬＤ／ＣＶＤ蒸着法に関する。
ＡＬＤ／ＣＶＤ工程を用いてＡｌ２Ｏ３薄膜を作製する方法は、有機電子装置の難題である湿気による金属物質の腐食防止および湿気遮断を解決する重要技術である。それだけでなく、中間絶縁体、太陽電池の不動態化（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ）に適用可能な技術でもある。
Ａｌ２Ｏ３薄膜工程過程では低い蒸着温度を要求し、室温より低い温度の蒸着技術が要求されるが、既存のＡＬＤ／ＣＶＤ工程を用いて、Ａｌ２Ｏ３薄膜製造前駆体としてＴＭＡ［Ａｌ（ＣＨ３）３］が多く商用化されており、ＴＭＡは理想的なＡＬＤ薄膜蒸着率を有する。しかし、ＴＭＡは致命的な欠点である自然発火性を有している。そのため、産業スケールの大きい体積の製造において安全な前駆体に関する研究は継続している。
一方、１３族の３価の遷移金属としてアルミニウム（Ａｌ）を含む非発火性前駆体化合物に係る研究として、文献［Plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition of Al2O3 using dimethylaluminum isopropoxide, [Al(CH3)2(μ-OiPr)]2, as an alternative aluminum precursor (J. Vac. Sci. Technol. A, 2012, 30(2), 021505-1)に［Ａｌ（ＣＨ３）２（μ−ＯｉＰｒ）］２（ＤＭＡＩ、ｉＰｒ＝ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ）の製造方法が開示されているが、ＡＬＤ工程の後、Ａｌ２Ｏ３薄膜の密度が低いという欠点がある。
したがって、非発火性（Ｎｏｎｐｙｒｏｐｈｏｒｉｃ）を有し、気化後に分解しない熱的安定性および多様な酸化剤、窒化剤、または還元剤と高い反応性を有する新規前駆体化合物の新たな構造設計により、構造的に安定して、ＡＬＤ／ＣＶＤ工程時、幅広い温度区間（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）で薄膜を形成できる前駆体の開発の必要性が台頭している。
本発明は、原子層蒸着法（ＡＬＤ）および化学気相蒸着法（ＣＶＤ）に適用可能な新規前駆体化合物および上記前駆体化合物が蒸着された薄膜の製造方法を提供しようとする。
本発明の新規前駆体化合物は、１２族および１３族の遷移金属からなり、様々な置換基を有するヘテロレプティック（Ｈｅｔｅｒｏｌｅｐｔｉｃ）な新規前駆体化合物に係るものであって、既存の同一基を有するホモレプティック（Ｈｏｍｏｌｅｐｔｉｃ）な前駆体化合物は自然発火的（Ｐｙｒｏｐｈｏｒｉｃ）性格を有するという欠点があり、本発明はこれに対する代替化合物になり得、気化時に分解しない熱的安定性および多様な酸化剤と高い反応性を有している。
また、本発明の前駆体化合物は、オゾン（Ｏ３）または水（Ｈ２Ｏ）と共に、原子層蒸着法（ＡＬＤ）および化学気相蒸着法（ＣＶＤ）によりアルミニウムオキシド（Ａｌ２Ｏ３）を提供可能であり、広い工程温度区間（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）を有し、高い純度の定量的金属酸化物（Ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）薄膜を得ることができ、段差被覆性（Ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）に優れた効果を有する。
しかし、本発明が解決しようとする課題は上述した課題に制限されず、述べていない他の課題は以下の記載から当業者に明確に理解されるであろう。
本発明の一側面は、下記化学式１で表される化合物を提供する。
Figure 2021517905
上記化学式１において、
Ｍが周期表上の１２族の２価の遷移金属の場合、ｎは１であり、
Ｍが周期表上の１３族の３価の遷移金属の場合、ｎは２であり、
Ｒ１〜Ｒ５は水素、置換もしくは非置換の炭素数１〜４の線状または分枝状アルキル基、またはこれらの異性体である。
本発明の他の側面は、上記化学式１で表される化合物を含む前駆体を提供する。
本発明のさらに他の側面は、上記化学式１で表される化合物を含む前駆体が蒸着された薄膜を提供する。
本発明のさらに他の側面は、上記化学式１で表される化合物を含む前駆体を反応器に導入するステップを含む薄膜の製造方法を提供する。
本発明によれば、１２族（Ｚｎ；亜鉛）または１３族（Ａｌ；アルミニウム、Ｇａ；ガリウム、Ｉｎ；インジウム）の遷移金属と、アルキル（Ａｌｋｙｌ）基およびアルコキシアミド（Ａｌｋｏｘｙ ａｍｉｄｅ）基からなるヘテロレプティック（Ｈｅｔｅｒｏｌｅｐｔｉｃ）な新規前駆体化合物を製造可能である。上記前駆体化合物は、既存のＴＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｌｕｍｉｎｕｍ）に匹敵する薄膜蒸着率を有し、大気中で自然発火的（Ｐｙｒｏｐｈｏｒｉｃ）性格を有するＴＭＡ（Ｔｒｉｍｅｔｈｙｌａｌｕｍｉｎｕｍ）の代替物として使用可能であり、広い範囲の工程温度（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）を有する。
また、上記前駆体化合物は、気化時に分解しない熱的安定性、多様な酸化剤と高い反応性および広い工程温度区間（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）を有する。さらに、高い純度の定量的（Ｓｔｏｉｃｈｉｏｍｅｔｒｉｃ）金属酸化物（Ｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ）薄膜を得ることができ、段差被覆性（Ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）に優れた効果を有する。
本発明の新規前駆体化合物の特性を比較した熱重量分析（Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ ａｎａｌｙｓｉｓ；ＴＧＡ）グラフである。 製造例１により、比較例１の化合物と実施例１の化合物が酸化剤としてオゾン（Ｏ３）を用いた原子層蒸着工程に関する、前駆体注入時間に応じた薄膜蒸着率の変化を示すグラフであって、一定の薄膜蒸着率を有する。 製造例１により、比較例１の化合物と実施例１の化合物が酸化剤としてオゾン（Ｏ３）を用いた原子層蒸着工程に関する、工程温度に応じた薄膜蒸着率の変化に関するもので、本発明の実施例１は、温度に応じて安定した薄膜蒸着率を示し、よって、広い工程温度区間（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）を有する。 製造例１により、比較例１の化合物と実施例１の化合物が酸化剤としてオゾン（Ｏ３）を用いた原子層蒸着工程に関するもので、実施例１の化合物の原子層蒸着（ＡＬＤ）工程後の結果物であるＡｌ２Ｏ３薄膜内の成分の含有量を示すグラフであって、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ；ＸＰＳ）で測定した。 製造例２により、比較例１の化合物と実施例１の化合物が酸化剤として水（Ｈ２Ｏ）を用いた原子層蒸着工程に関する、前駆体注入時間に応じた薄膜蒸着率の変化を示すグラフであって、一定の薄膜蒸着率を有する。 製造例２により、比較例１の化合物と実施例１の化合物が酸化剤として水（Ｈ２Ｏ）を用いた原子層蒸着工程に関するもので、本発明の実施例１の化合物は、工程温度に応じて安定した薄膜蒸着率を示し、よって、広い範囲の工程温度区間（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）を有する。 製造例２により、比較例１の化合物と実施例１の化合物が酸化剤として水（Ｈ２Ｏ）を用いた原子層蒸着工程に関する、実施例１の化合物の原子層蒸着工程後の結果物であるＡｌ２Ｏ３薄膜内の成分の含有量を示すグラフであって、Ｘ線光電子分光法で測定した。 製造例２により、実施例１の化合物と酸化剤として水（Ｈ２Ｏ）を用いた原子層蒸着工程に関するもので、蒸着工程回数（ｃｙｃｌｅ）に応じたＡｌ２Ｏ３薄膜の厚さに関するグラフである。 製造例２により、実施例１の化合物と酸化剤として水（Ｈ２Ｏ）を用いた原子層蒸着工程に関するもので、温度に応じたＡｌ２Ｏ３薄膜蒸着率および密度を示すグラフである。 製造例２により、実施例１の化合物と酸化剤として水（Ｈ２Ｏ）を用いた原子層蒸着工程に関するもので、透過電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ；ＴＥＭ）で観察した段差被覆性（Ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）イメージである。工程温度は１５０℃または３００℃の時であり、ホール構造とトレンチ構造を観測した。ホール構造の縦横比（Ａｓｐｅｃｔ ｒａｔｉｏ、ＡＲ）は２６：１であり、トレンチ構造の縦横比は４０：１である。
以下、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように本発明の実施例について詳しく説明する。しかし、本発明は種々の異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施例に限定されない。
本発明の一側面は、下記化学式１で表される化合物を提供する。
Figure 2021517905
上記化学式１において、
Ｍが周期表上の１２族の２価の遷移金属の場合、ｎは１であり、
Ｍが周期表上の１３族の３価の遷移金属の場合、ｎは２であり、
Ｒ１〜Ｒ５は水素、置換もしくは非置換の炭素数１〜４の線状または分枝状アルキル基、またはこれらの異性体である。
本発明の一実施形態において、上記化学式１のＭはＡｌ、Ｚｎ、ＩｎおよびＧａからなる群より選択される１種を含むことができるが、これに限定されることはない。
本発明の一実施形態において、上記化学式１のＲ１〜Ｒ５は水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、およびこれらの異性体からなる群より選択される１種を含むことができるが、これに限定されるものではない。
上記化合物のＭおよびＲ１〜Ｒ５は上記記載のこれらの組み合わせからなる群より選択される１種以上であってもよいが、これに限定されるものではない。
本発明の一実施形態において、上記化学式１の前駆体化合物は、常温で固体または液体であってよい。また、揮発性と熱的安定性が高く、多様な酸化剤と共に、高い反応性およびＡＬＤ工程時に広い工程温度区間（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）を有する。
本発明の一実施形態において、上記化学式１の化合物は、既存の商用化された化合物の欠点である発火性（Ｐｙｒｏｐｈｏｒｉｃ）を改善する代替物になり得る。既存の商用化された化合物は、遷移金属および同一基（Ｈｏｍｏｌｅｐｔｉｃ）であるアルキル（Ａｌｋｙｌ）基のみからなり、具体的には、ＡｌＭｅ３、ＡｌＥｔ３、ＺｎＭｅ２、ＺｎＥｔ２、ＧａＭｅ３、ＧａＥｔ３、ＩｎＭｅ３、ＩｎＥｔ３（Ｍｅ：メチル、Ｅｔ：エチル）がある。
薄膜蒸着法には、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＡＬＤ）と、化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）がある。
原子層蒸着法は、薄膜形成に必要な元素を交互に供給して自己制限的反応（Ｓｅｌｆ−ｌｉｍｉｔｉｎｇ ｒｅａｃｔｉｏｎ）によって薄膜を形成させる技術である。原子層蒸着法は、非常に薄い膜を蒸着することができ、望みの厚さと組成を精密に制御することができる。大面積の基板においても均一な厚さの膜を形成することができ、高い縦横比においても優れた段差被覆性（Ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）を示す。また、薄膜に不純物が少ないという利点がある。
化学気相蒸着法は、反応性のガス（ｇａｓ）を反応器に注入して適当な活性および反応エネルギーを加えて基板の表面に所望の薄膜を形成する技術である。工程時、大量生産が可能で費用が少ないという利点があり、様々な種類の元素および化合物の蒸着が可能であり、工程条件の制御範囲が非常に広くて多様な特性の薄膜を容易に得ることができ、優れた段差被覆性（Ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）を得ることができる。
本発明の一実施形態において、上記原子層蒸着用（ＡＬＤ）および化学気相蒸着用（ＣＶＤ）前駆体組成物は、化学式１で表される化合物を含む。
Figure 2021517905
本発明の一実施形態において、上記化学式１のＭは周期表上の１２族および１３族の遷移金属であってもよいし、好ましくは、ＭはＡｌ、Ｚｎ、ＩｎおよびＧａからなる群より選択される１種であってもよいが、これに限定されるものではない。
本発明の一実施形態において、上記化学式１のＲ１〜Ｒ５は水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、およびこれらの異性体からなる群より選択される１種であってもよいし、好ましくは、Ｒ１はメチル基、Ｒ２、Ｒ３は水素またはメチル基、Ｒ４はｔｅｒｔ−ブチル基、Ｒ５はメチル基またはエチル基であることを特徴とする化合物であってもよいし、より好ましくは、Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ｚｎ（ＣＨ３）［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ｚｎ（ＣＨ３）［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ｚｎ（Ｅｔ）［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ｉｎ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ｇａ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］（Ｅｔ：エチル、ｔＢｕ：ｔｅｒｔ−ブチル）からなる群より選択される１種であってもよいし、これに限定されるものではない。
本発明の他の側面は、上記化学式１で表される化合物を含む前駆体を提供する。
本発明の他の側面は、上記化学式１で表される化合物を含む前駆体が蒸着された薄膜を提供する。
本発明の他の側面は、上記化学式１で表される化合物を含む前駆体を反応器に導入するステップを含む薄膜の製造方法を提供する。また、本発明の薄膜の製造方法は、酸化剤、窒化剤、または還元剤を用いて酸化膜、窒化膜、または金属膜の製造方法を提供する。
本発明の一実施形態において、上記ＡＬＤ工程温度は８０℃〜４００℃であってもよいが、これに限定されるものではなく、好ましい工程温度は１３０℃〜３２０℃である。
本発明の一実施形態において、上記前駆体化合物の注入時間は０．２秒〜１０秒であってもよいが、これに限定されるものではなく、好ましい注入時間は、Ｏ３工程条件では２〜１０秒であり、Ｈ２Ｏ工程条件では１〜５秒である。
本発明の一実施形態において、上記酸化剤はオゾン（Ｏ３）、または水（Ｈ２Ｏ）を含むもので、これに限定されるものではない。
以下、実施例を用いて本発明をより具体的に説明するが、本発明がこれに限定されるものではない。
本実施例の一般的な合成方法は下記式１の通りである。
Figure 2021517905
本実施例のＭ（遷移金属）がＡｌ（アルミニウム）の場合の合成方法は下記式２の通りである。
Figure 2021517905
［実施例１］Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］の製造
リガンドＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮＨｔＢｕ １当量を２Ｍ Ａｌ（Ｍｅ）３ １当量が溶解された−７８℃のヘキサンまたはヘプタンに添加し、徐々に常温に温度を上げた後、約１６時間撹拌する。上記反応を完了し、真空下で溶媒を除去する。得られた化合物を減圧蒸留して、無色液体である前駆体Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］を得る。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：δ２．７５（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，２Ｈ），２．６３（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，３Ｈ），１．２８Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，９Ｈ），０．８３（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，６Ｈ），−０．４３（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，６Ｈ）。
［実施例２］Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］の製造
リガンドＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮＨｔＢｕ １当量を２Ｍ Ａｌ（Ｍｅ）３ １当量が溶解された−７８℃のヘキサンまたはヘプタンに添加し、徐々に常温に温度を上げた後、約１６時間撹拌する。上記反応を完了し、真空下で溶媒を除去する。得られた化合物を減圧蒸留して、無色液体である前駆体Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］を得る。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：δ３．４０−３．３２（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｍ，１Ｈ），２．８８（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｄｄ，Ｊ１＝１１．１Ｈｚ，Ｊ２＝４．７Ｈｚ，１Ｈ），２．６９−２．６５（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｍ，１Ｈ），２．６６（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，３Ｈ），１．２９（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，９Ｈ），０．６８（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｄ，Ｊ＝５．８Ｈｚ，３Ｈ），−０．４０（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，３Ｈ），−０．４４（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，３Ｈ）。
［実施例３］Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］の製造
リガンドＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮＨｔＢｕ １当量を２Ｍ Ａｌ（Ｍｅ）３ １当量が溶解された−７８℃のヘキサンまたはヘプタンに添加し、徐々に常温に温度を上げた後、約１６時間撹拌する。上記反応を完了し、真空下で溶媒を除去する。得られた化合物を減圧蒸留して、無色液体である前駆体Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］を得る。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：δ３．０９（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ），２．７９（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｔ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，２Ｈ），２．６２（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，３Ｈ），１．２８（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，９Ｈ），−０．４４（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，６Ｈ）。
本実施例のＭ（遷移金属）がＺｎ（亜鉛）の場合の合成方法は下記式３の通りである。
Figure 2021517905
［実施例４］Ｚｎ（ＣＨ３）［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］の製造
リガンドＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮＨｔＢｕ １当量を１．２Ｍ Ｚｎ（Ｍｅ）２ １当量が溶解された−７８℃のトルエンに添加し、徐々に常温に温度を上げた後、約１６時間撹拌する。上記反応を完了し、真空下で溶媒を除去する。得られた化合物を減圧蒸留して、白色固体である前駆体Ｚｎ（ＣＨ３）［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］を得る。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：δ３．０１−２．９６（Ｚｎ（ＣＨ３）［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｍ，２Ｈ），２．９９（Ｚｎ（ＣＨ３）［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，３Ｈ），２．３３−２．２９（Ｚｎ（ＣＨ３）［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｍ，２Ｈ），０．９１（Ｚｎ（ＣＨ３）［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，９Ｈ），−０．３９（Ｚｎ（ＣＨ３）［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，３Ｈ）。
本実施例のＭ（遷移金属）がＩｎ（インジウム）の場合の合成方法は下記式４の通りである。
Figure 2021517905
［実施例５］Ｉｎ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］の製造
リガンドＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮＨｔＢｕ １当量を Ｉｎ（Ｍｅ）３・ＥｔＯ２ １当量 が溶解された−７８℃の Ｔｏｌｕｅｎｅ に添加し、徐々に常温に温度を上げた後、約１６時間、１１０℃に加熱する。上記反応を完了し、真空下で溶媒を除去する。得られた化合物を減圧蒸留して、無色液体である前駆体Ｉｎ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］を得る。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：δ３．２１（Ｉｎ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｔ，Ｊ＝５．５Ｈｚ，２Ｈ），２．９９（Ｉｎ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，３Ｈ），２．４８−２．４３（Ｉｎ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｍ，２Ｈ），０．８５（Ｉｎ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，９Ｈ），０．００（Ｉｎ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，６Ｈ）。
本実施例のＭ（遷移金属）がＧａ（ガリウム）の場合の合成方法は下記式５の通りである。
Figure 2021517905
［実施例６］Ｇａ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］の製造
リガンドＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮＨｔＢｕ １当量を Ｇａ（Ｍｅ）３・ＥｔＯ２ １当量 が溶解された−７８℃の Ｔｏｌｕｅｎｅ にゆっくり添加した後、徐々に温度を上げて、約１６時間、１１０℃に加熱する。上記反応を完了し、真空下で溶媒を除去する。得られた化合物を減圧蒸留して、無色液体である前駆体Ｇａ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］を得る。１Ｈ ＮＭＲ（Ｃ６Ｄ６）：δ３．２１（Ｇａ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｔ，Ｊ＝５．２Ｈｚ，２Ｈ），３．００（Ｇａ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，３Ｈ），２．５５−２．５１（Ｇａ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｍ，２Ｈ），０．９２（Ｇａ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，９Ｈ），０．００（Ｇａ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］，ｓ，６Ｈ）。
また、［実施例７］Ｚｎ（ＣＨ３）［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］および［実施例８］Ｚｎ（Ｅｔ）［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］は［式３］の反応式を用いて合成することができた。
上記合成された実施例および比較例の構造式は下記表１の通りである。
Figure 2021517905
［実験例１］前駆体化合物の物性の測定
上記実施例により製造されたＡｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］およびＡｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］前駆体化合物の物性の測定を実施した。物性としては、室温時の状態、沸点および自然発火性について測定した。
上記物性の測定値は下記表２により確認可能である。
Figure 2021517905
上記表２を通して分かるように、本発明の実施例１〜６は、大気でいずれも非発火性（Ｎｏｎｐｙｒｏｐｈｏｒｉｃ）を有し、常温で固体または液体である。
［実験例２］前駆体化合物の熱重量分析（ＴＧ ａｎａｌｙｓｉｓ）
上記実施例により製造された実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）、実施例２（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］）および実施例３（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）の前駆体化合物の熱重量分析（ＴＧ ａｎａｌｙｓｉｓ）を実施した。
熱重量分析（ＴＧＡ）の分析時に用いられた機器はＭｅｔｔｌｅｒ Ｔｏｌｅｄｏ社のＴＧＡ／ＤＳＣ １ＳＴＡＲｅ Ｓｙｓｔｅｍで、５０μＬの容量のアルミナるつぼ（Ａｌｕｍｉｎａ ｃｒｕｃｉｂｌｅ）を用いた。すべての試料の量は１０ｍｇを用い、３０℃から４００℃まで測定を実施した。熱重量分析に対する具体的な条件および測定値は下記表３および図１を通して確認可能である。
Figure 2021517905
上記表３のように、本発明の実施例１〜３の前駆体の半減期［Ｔ１／２（℃）］は１３２℃〜１５５℃である。また、３００℃では残留量がほとんどなく、気化時に分解することなく熱的安定性を有する。
［製造例］前駆体化合物の原子層蒸着（ＡＬＤ）工程による成膜評価
上記実施例により製造された実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）である前駆体化合物の原子層蒸着法（ＡＬＤ）による成膜評価を進行させた。酸化剤としてはオゾン（Ｏ３）および水（Ｈ２Ｏ）を用い、不活性気体であるアルゴン（Ａｒ）または窒素（Ｎ２）などをパージの目的で用いた。前駆体、アルゴン、オゾンまたは水、そしてアルゴンを注入することを１サイクルとし、蒸着はＳｉ（シリコン）ウエハ上で行った。
製造例１により製造された薄膜に対しては、成膜評価項目として上記実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）の前駆体化合物の工程時、酸化剤としてオゾン（Ｏ３）を用いた場合の、前駆体注入時間に応じた薄膜蒸着率の変化、工程温度に応じた薄膜蒸着率の変化およびＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析による蒸着した薄膜内のアルミニウム（Ａｌ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）の含有量およびＯ／Ａｌの比率を評価した。
製造例２により製造された薄膜に対しては、上記実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）の前駆体化合物の工程時、酸化剤として水（Ｈ２Ｏ）を用いた場合の、前駆体注入時間に応じた薄膜蒸着率の変化、工程温度に応じた薄膜蒸着率の変化、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析による蒸着した薄膜内のアルミニウム（Ａｌ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）の含有量およびＯ／Ａｌの比率、蒸着工程回数（ｃｙｃｌｅ）に応じた薄膜厚さの変化（Ｇｒｏｗｔｈ ｌｉｎｅａｒｉｔｙ）、温度に応じたＡｌ２Ｏ３の密度および段差被覆性（Ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）を観測した。
［製造例１］実施例１の前駆体と酸化剤としてオゾン（Ｏ３）を用いた原子層蒸着工程による成膜評価
＜前駆体注入時間に応じた薄膜蒸着率の変化（Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ）＞
実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）の前駆体とオゾン（Ｏ３）の原子層蒸着（ＡＬＤ）工程時、一定の薄膜蒸着率を示す前駆体化合物の注入時間を測定して自己制限的反応（Ｓｅｌｆ−ｌｉｍｉｔｉｎｇ ｒｅａｃｔｉｏｎ）を確認した。
図２をみると、比較例１（ＴＭＡ）の前駆体の工程温度が３００℃の時、工程注入時間は１秒後、実施例１の前駆体工程温度が２６０℃の時、工程注入時間４秒後に一定の薄膜蒸着率を示す。
Figure 2021517905
上記表４から分かるように、工程の過程は、実施例１の前駆体の時、前駆体（２〜１０秒）−Ａｒ（１０秒）−Ｏ３（３秒）−Ａｒ（１０秒）の順に供給し、前駆体のパージ（Ｐｕｒｇｅ）のためのアルゴン（Ａｒ）の流量は１００ｓｃｃｍとした。反応ガスであるオゾン（Ｏ３）は１４４ｇ／ｍ３の濃度で注入した。前駆体の温度は４０℃であり、キャリアガス注入量は５ｓｃｃｍを流し、工程温度は２６０℃であり、工程回数は２００ｃｙｃｌｅである。
また、比較例１の時、前駆体（０．２〜２秒）−Ａｒ（１０秒）−Ｏ３（１．２秒）−Ａｒ（１０秒）の順に供給し、前駆体のパージのためのアルゴンの流量は５００ｓｃｃｍであり、反応ガスであるオゾンは１４４ｇ／ｍ３の濃度で注入した。比較例１の前駆体温度は５℃であり、キャリアガス注入量は１０ｓｃｃｍを流し、工程温度は３００℃であり、工程回数は２００ｃｙｃｌｅである。
＜工程温度に応じた薄膜蒸着率の変化（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）＞
実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）の前駆体とオゾン（Ｏ３）の原子層蒸着（ＡＬＤ）工程時、異なる温度による薄膜蒸着率を測定して工程温度区間（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）を確認した。図３をみると、実施例１の前駆体は、１５０℃〜３２０℃まで一定の薄膜蒸着率を有する工程温度区間（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）を有することが分かる。
Figure 2021517905
上記表５を通して、実施例１の前駆体の工程温度範囲（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）が、既存の商用化された比較例１の前駆体（ＴＭＡ）に匹敵する広い範囲の工程温度区間を有することが分かる。
＜Ａｌ２Ｏ３薄膜内の元素含有量、Ｏ／Ａｌの比率（Ｒａｔｉｏ）＞
実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）の前駆体とオゾン（Ｏ３）の原子層蒸着（ＡＬＤ）工程を進行させる時、工程温度に応じた元素含有量（Ａｔｏｍｉｃ％）および元素比率（Ａｔｏｍｉｃ ｒａｔｉｏ、Ｏ／Ａｌ）をＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析により測定した。
図４をみると、工程温度範囲は８０℃〜３００℃であり、温度に応じた定量的Ａｌ２Ｏ３薄膜の含有量を確認した。
Figure 2021517905
上記表６をみると、低温においてもＣ（炭素）の含有量は観測されておらず、温度が増加するほどＡｌ（アルミニウム）の含有量は高くなり、Ｏ（酸素）の含有量は低下して、Ｏ／Ａｌの比率が減少することが分かる。
［製造例２］実施例１の前駆体と酸化剤としてＨ２Ｏを用いた原子層蒸着工程による成膜評価
＜前駆体注入時間に応じた薄膜蒸着率の変化（Ｓａｔｕｒａｔｉｏｎ）＞
実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）の前駆体と水（Ｈ２Ｏ）の原子層蒸着（ＡＬＤ）工程時、一定の薄膜蒸着率を示す前駆体化合物の注入時間を測定して自己制限的反応（Ｓｅｌｆ−ｌｉｍｉｔｉｎｇ ｒｅａｃｔｉｏｎ）を確認した。図５をみると、工程温度が１５０℃の時、比較例１の前駆体（ＴＭＡ）の工程注入時間１秒後に一定の薄膜蒸着率を示す。
Figure 2021517905
上記表７から分かるように、工程の過程は、実施例１の時、前駆体（１〜５秒）−Ａｒ（２０秒）−Ｈ２Ｏ（１．２秒）−Ａｒ（２０秒）の順に供給し、前駆体のパージ（Ｐｕｒｇｅ）のためのアルゴン（Ａｒ）の流量は１００ｓｃｃｍとした。実施例１の前駆体の温度は４０℃であり、キャリアガス注入量は１０ｓｃｃｍを流し、酸化剤である水の温度は１０℃であり、工程温度は１５０℃であり、総工程回数は２００ｃｙｃｌｅである。
また、比較例１の前駆体の時、前駆体（０．２〜２秒）−Ａｒ（１０秒）−Ｈ２Ｏ（１．２秒）−Ａｒ（１０秒）の順に供給し、前駆体のパージ（Ｐｕｒｇｅ）のためのアルゴン（Ａｒ）の流量は５００ｓｃｃｍとした。比較例１の前駆体の温度は５℃であり、キャリアガス注入量は１０ｓｃｃｍを流し、酸化剤である水の温度は１０℃であり、工程温度は１５０℃であり、総工程回数は２００ｃｙｃｌｅである。
＜工程温度に応じた薄膜蒸着率の変化（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）＞
実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）の前駆体と水（Ｈ２Ｏ）の原子層蒸着（ＡＬＤ）工程時、異なる温度による薄膜蒸着率を測定して工程温度区間（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）を確認した。図６をみると、実施例１の前駆体は、１３０℃〜３２０℃まで一定の薄膜蒸着率を示すが、比較例１の前駆体は、１３０℃〜２００℃までは一定の薄膜蒸着率を示すのに対し、２００℃〜３２０℃では薄膜蒸着率が低下する傾向を示した。表８および上述した説明により、比較例１の前駆体よりも、実施例１の前駆体がより広い工程温度区間（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）を有することが分かる。
Figure 2021517905
上記表８および上述した説明により、実施例１の前駆体の工程温度範囲（ＡＬＤ ｗｉｎｄｏｗ）が、既存の商用化された比較例１の前駆体（ＴＭＡ）より広い範囲の工程温度を有することが分かる。また、工程温度範囲の測定時、比較例１の前駆体のパージガス注入量が５倍多く、前駆体注入時間（ｓｅｃ）は５倍短く、パージガス注入時間も２倍短い。
＜Ａｌ２Ｏ３薄膜内の元素含有量、Ｏ／Ａｌの比率（Ｒａｔｉｏ）＞
実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）の前駆体と水（Ｈ２Ｏ）の原子層蒸着（ＡＬＤ）工程を進行させる時、工程温度に応じた元素含有量（Ａｔｏｍｉｃ％）および元素比率（Ａｔｏｍｉｃ ｒａｔｉｏ、Ｏ／Ａｌ ｒａｔｉｏ）をＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析により測定した。
図７をみると、工程温度範囲は１５０℃〜３００℃であり、温度に応じた定量的Ａｌ２Ｏ３薄膜の含有量を確認した。
Figure 2021517905
上記表９をみると、１５０℃、３００℃の温度条件でＡｌ（アルミニウム）およびＯ（酸素）の含有量およびＯ／Ａｌの比率が類似していることを確認することができる。
＜工程回数に応じた薄膜厚さの変化（Ｇｒｏｗｔｈ ｌｉｎｅａｒｉｔｙ）＞
実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）の前駆体と水（Ｈ２Ｏ）の原子層蒸着（ＡＬＤ）工程を進行させる時、蒸着工程回数（ｃｙｃｌｅ）に応じた薄膜厚さの変化は１５０℃または３００℃の温度条件で類似の傾向を有する。図８は、工程回数に応じた薄膜厚さの変化をグラフで示すものであり、温度条件１５０℃では０．９１Ａ／ｃｙｃｌｅ、３００℃では０．９３Ａ／ｃｙｃｌｅの薄膜蒸着率を有することが分かる。
＜異なる温度によるＡｌ２Ｏ３薄膜の密度（Ｆｉｌｍ ｄｅｎｓｉｔｙ ｂｙ ＸＲＲ）＞
実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）の前駆体と水（Ｈ２Ｏ）の原子層蒸着（ＡＬＤ）工程を進行させる時、工程温度に応じた薄膜の密度は、温度の増加に伴って密度も増加する傾向を示し、実施例１の前駆体が、比較例１の前駆体より優れた薄膜密度を有することが分かる。これは図９および表１０を通して確認可能である。表１０は、Ａｌ２Ｏ３（Ｂｕｌｋ）の時の密度および比較例１の前駆体（ＴＭＡ）と水（Ｈ２Ｏ）の原子層蒸着工程時、温度に応じた密度に関するものであって、文献Chem. Mater. 2004, 16, 639を参照した。
Figure 2021517905
＜異なる温度によるＡｌ２Ｏ３薄膜の段差被覆性（Ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ ｂｙ ＴＥＭ）＞
実施例１（Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］）の前駆体と水（Ｈ２Ｏ）の原子層蒸着（ＡＬＤ）工程を進行させる時、温度に応じたホール（Ｈｏｌｅ）およびトレンチ（Ｔｒｅｎｃｈ）構造の段差被覆性に対してＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）測定により確認した。工程温度は１５０℃または３００℃であり、ホール構造の時の縦横比は２６：１であり、トレンチ構造の時の縦横比は４０：１であった。
Figure 2021517905
上記表１１から分かるように、ホール構造およびトレンチ構造の段差被覆性は、１５０℃、３００℃の温度条件で９８％以上の水準を有する。これによって、実施例１の前駆体は、広い温度区間で優れた段差被覆性を有することを確認することができる。
上述した本発明の説明は例示のためであり、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須の特徴を変更することなく他の具体的な形態に容易に変形可能であることを理解するであろう。そのため、上述した実施例はあらゆる面で例示的であり、限定的ではないことを理解しなければならない。
本発明の範囲は、上記の詳細な説明よりは後述する特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲の意味および範囲、そしてその均等概念から導出されるあらゆる変更または変形された形態が本発明の範囲に含まれると解釈されなければならない。

Claims (10)

  1. 下記化学式１で表される化合物：
    Figure 2021517905
    上記化学式１において、
    Ｍが周期表上の１２族の２価の遷移金属の場合、ｎは１であり、
    Ｍが周期表上の１３族の３価の遷移金属の場合、ｎは２であり、
    Ｒ１〜Ｒ５は水素、置換もしくは非置換の炭素数１〜４の線状または分枝状アルキル基、またはこれらの異性体である。
  2. 上記化学式１のＭはＡｌ、Ｚｎ、ＩｎおよびＧａからなる群より選択される１種であることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
  3. 上記化学式１のＲ１〜Ｒ５は水素、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、およびこれらの異性体からなる群より選択される１種であることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
  4. 上記Ｒ１はメチル基；
    上記Ｒ２およびＲ３は水素またはメチル基；
    上記Ｒ４はｔｅｒｔ−ブチル基、および
    上記Ｒ５はメチル基またはエチル基であることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
  5. 上記化学式１はＡｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ａｌ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ｚｎ（ＣＨ３）［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ｚｎ（ＣＨ３）［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ｚｎ（Ｅｔ）［ＣＨ３ＯＣ（ＣＨ３）２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ｉｎ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］、Ｇａ（ＣＨ３）２［ＣＨ３ＯＣＨ２ＣＨ２ＮｔＢｕ］（ここで、Ｅｔはエチル、ｔＢｕはｔｅｒｔ−ブチル基である）からなる群より選択される１種であることを特徴とする請求項１に記載の化合物。
  6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物を含む前駆体。
  7. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物を含む前駆体を反応器に導入するステップを含む薄膜の製造方法。
  8. 上記製造方法は、原子層蒸着（ＡＬＤ）または化学気相蒸着（ＣＶＤ）を含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜の製造方法。
  9. 上記製造方法は、酸化剤、窒化剤、または還元剤からなる群のいずれか１種以上を用いるステップを含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜の製造方法。
  10. 上記薄膜は、酸化膜、窒化膜、または金属膜を含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜の製造方法。
JP2020556227A 2018-04-18 2018-10-25 原子層蒸着用（ａｌｄ）、化学気相蒸着用（ｃｖｄ）前駆体化合物およびこれを用いたａｌｄ／ｃｖｄ蒸着法 Active JP7184921B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0044802 2018-04-18
KR1020180044802A KR102087858B1 (ko) 2018-04-18 2018-04-18 원자층 증착용(ald), 화학 기상 증착용(cvd) 전구체 화합물 및 이를 이용한 ald/cvd 증착법
PCT/KR2018/012722 WO2019203407A1 (ko) 2018-04-18 2018-10-25 원자층 증착용(ald), 화학 기상 증착용(cvd) 전구체 화합물 및 이를 이용한 ald/cvd 증착법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021517905A true JP2021517905A (ja) 2021-07-29
JP7184921B2 JP7184921B2 (ja) 2022-12-06

Family

ID=68239690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020556227A Active JP7184921B2 (ja) 2018-04-18 2018-10-25 原子層蒸着用（ａｌｄ）、化学気相蒸着用（ｃｖｄ）前駆体化合物およびこれを用いたａｌｄ／ｃｖｄ蒸着法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11472821B2 (ja)
EP (1) EP3783002B1 (ja)
JP (1) JP7184921B2 (ja)
KR (1) KR102087858B1 (ja)
CN (1) CN112020504B (ja)
TW (1) TWI711623B (ja)
WO (1) WO2019203407A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022554122A (ja) * 2019-10-30 2022-12-28 ソウルブレイン シーオー．， エルティーディー． インジウム前駆体化合物、これを用いた薄膜の製造方法、及びこれから製造された基板

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10945752B2 (en) 2019-03-20 2021-03-16 Covidien Lp Tissue resecting instrument including a rotation lock feature
WO2021086006A1 (ko) * 2019-10-30 2021-05-06 솔브레인 주식회사 인듐 전구체 화합물, 이를 이용한 박막의 제조 방법 및 이로부터 제조된 기판
US20240060177A1 (en) * 2020-12-04 2024-02-22 Adeka Corporation Indium compound, thin-film forming raw material, thin film, and method of producing same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010151430A1 (en) * 2009-06-22 2010-12-29 Arkema Inc. Chemical vapor deposition using n,o polydentate ligand complexes of metals
KR20160082350A (ko) * 2014-12-31 2016-07-08 주식회사 유진테크 머티리얼즈 유기 13족 전구체 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR20170055268A (ko) * 2015-11-11 2017-05-19 한국화학연구원 인듐 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3907579A1 (de) * 1989-03-09 1990-09-13 Merck Patent Gmbh Verwendung von metallorganischen verbindungen zur abscheidung duenner filme aus der gasphase
KR100897495B1 (ko) * 2007-10-11 2009-05-15 한국화학연구원 신규의 갈륨 아미노알콕사이드 화합물 및 그 제조방법
KR101052360B1 (ko) * 2008-11-14 2011-07-27 한국화학연구원 신규의 갈륨 알콕사이드 화합물 및 그 제조방법
KR101216068B1 (ko) * 2010-12-24 2012-12-27 주식회사 한솔케미칼 금속 산화물 또는 금속-규소 산화물 박막 증착용 유기 금속 전구체 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR101965219B1 (ko) * 2015-02-17 2019-04-03 주식회사 유피케미칼 알루미늄 화합물 및 이를 이용한 알루미늄-함유 막의 형성 방법
KR101787204B1 (ko) 2015-11-23 2017-10-18 주식회사 한솔케미칼 원자층 증착용(ald) 유기금속 전구체 화합물 및 이를 이용한 ald 증착법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010151430A1 (en) * 2009-06-22 2010-12-29 Arkema Inc. Chemical vapor deposition using n,o polydentate ligand complexes of metals
KR20160082350A (ko) * 2014-12-31 2016-07-08 주식회사 유진테크 머티리얼즈 유기 13족 전구체 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR20170055268A (ko) * 2015-11-11 2017-05-19 한국화학연구원 인듐 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J. ORG. CHEM., 1981年, vol. 46, JPN6021045609, pages 2824 - 2826, ISSN: 0004812937 *
JOURNAL OF ORGANOMETALLIC CHEMISTRY, 1996年, vol. 512, JPN6021045607, pages 117 - 126, ISSN: 0004812936 *
LIEBIGS ANN. CHEM., 1974年, vol. Borverbindungen XXVI, JPN6021045611, pages 101 - 111, ISSN: 0004812935 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022554122A (ja) * 2019-10-30 2022-12-28 ソウルブレイン シーオー．， エルティーディー． インジウム前駆体化合物、これを用いた薄膜の製造方法、及びこれから製造された基板
JP7387892B2 (ja) 2019-10-30 2023-11-28 ソウルブレイン シーオー．， エルティーディー． インジウム前駆体化合物、これを用いた薄膜の製造方法、及びこれから製造された基板

Also Published As

Publication number Publication date
EP3783002C0 (en) 2023-06-07
CN112020504B (zh) 2023-10-13
TWI711623B (zh) 2020-12-01
CN112020504A (zh) 2020-12-01
US20210230193A1 (en) 2021-07-29
EP3783002A4 (en) 2021-05-26
KR20190121468A (ko) 2019-10-28
KR102087858B1 (ko) 2020-03-12
EP3783002A1 (en) 2021-02-24
TW201943718A (zh) 2019-11-16
JP7184921B2 (ja) 2022-12-06
US11472821B2 (en) 2022-10-18
EP3783002B1 (en) 2023-06-07
WO2019203407A1 (ko) 2019-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7184921B2 (ja) 原子層蒸着用（ａｌｄ）、化学気相蒸着用（ｃｖｄ）前駆体化合物およびこれを用いたａｌｄ／ｃｖｄ蒸着法
EP1921061B1 (en) Metal-containing compound, process for producing the same and method of forming a metal-containing thin film
EP1849789B1 (en) Metal complexes of polydentate beta-ketoiminates
US7691984B2 (en) Metal complexes of tridentate β-ketoiminates
KR101367827B1 (ko) 하프늄계 화합물, 하프늄계 박막형성재료 및 하프늄계박막형성방법
KR20130093579A (ko) 금속 함유 필름용 4족 금속 전구체
TW200528574A (en) Metal compound, material for forming thin film and method for preparing thin film
KR101841444B1 (ko) 5족 금속 화합물, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 막 증착용 전구체 조성물, 및 이를 이용하는 막의 증착 방법
KR102280110B1 (ko) 바나듐 화합물, 박막 형성용 원료 및 박막의 제조 방법
JP7387892B2 (ja) インジウム前駆体化合物、これを用いた薄膜の製造方法、及びこれから製造された基板
KR102286114B1 (ko) 4족 전이금속 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용하여　박막을 형성하는 방법
KR20200116839A (ko) 인듐 전구체 화합물, 이를 포함하는 박막 및 그 박막의 제조 방법
KR100876777B1 (ko) 박막의 제조방법 및 화학 기상 성장용 원료
KR102503603B1 (ko) 화합물, 박막 형성용 원료, 박막의 제조 방법 및 아미딘 화합물
US10752992B2 (en) Atomic layer deposition method of metal-containing thin film
TWI771864B (zh) 化合物、前驅物、薄膜及其製備方法與電子裝置
JP7232307B2 (ja) 希土類前駆体、その製造方法及びこれを用いて薄膜を形成する方法
EP4130335A1 (en) Material for formation of thin film for use in atomic layer deposition and method for producing thin film
JP2011155243A (ja) 第四族金属含有フィルムの堆積方法
KR100622309B1 (ko) 반도체 박막 증착용 화합물 및 이를 이용한 박막 증착 방법
KR20230048755A (ko) 5족 금속 화합물, 이를 포함하는 증착용 전구체 조성물 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
KR100592793B1 (ko) 금속 유기물 화학 증착법으로 하프늄 산화물 박막을제조하는 방법
TW202342488A (zh) 用於薄膜沉積的有機金屬化合物及使用該化合物形成含第4族金屬的薄膜的方法
KR20110006968A (ko) 신규의 티타늄 알콕사이드 화합물 및 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201013

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211116

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220628

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220829

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20221122

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20221124

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7184921

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150