JP2021514547A - 双方向サイリスタ装置 - Google Patents
双方向サイリスタ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021514547A JP2021514547A JP2020565549A JP2020565549A JP2021514547A JP 2021514547 A JP2021514547 A JP 2021514547A JP 2020565549 A JP2020565549 A JP 2020565549A JP 2020565549 A JP2020565549 A JP 2020565549A JP 2021514547 A JP2021514547 A JP 2021514547A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- main surface
- emitter short
- junction
- bidirectional thyristor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 title claims abstract description 75
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 179
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 6
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 46
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 36
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 36
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/7404—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action structurally associated with at least one other device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
- H01L29/0692—Surface layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0834—Anode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices, e.g. supplementary regions surrounding anode regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/083—Anode or cathode regions of thyristors or gated bipolar-mode devices
- H01L29/0839—Cathode regions of thyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42308—Gate electrodes for thyristors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
- H01L29/747—Bidirectional devices, e.g. triacs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
Description
本発明は、1枚の半導体ウエハに実装された双方向サイリスタ装置に関する。
しばしばシリコン制御整流素子(SCR)として呼ばれているサイリスタは、ゲート端子に正のゲートトリガ電流パルスを供給することによって順方向にバイアスされると、順方向にターンオンすることができるスイッチング半導体装置である。この場合、サイリスタは、電流が順方向に沿ってアノードからカソードに流れる順方向導通状態またはオン状態にある。他方では、サイリスタを、オフ状態とも称される順方向阻止状態にすることができる。この場合、アノードを通る高電流は、阻止され、サイリスタは、順方向の高い正電圧に耐える。順方向と反対の逆方向では、サイリスタをターンオンすることができない。サイリスタは、逆阻止であってもよい。すなわち、サイリスタは、順方向阻止状態の場合と同様の大きな電流を流すことなく、逆方向に少なくとも実質的に同様の電圧を維持することができる。サイリスタは、非対称であってもよい。すなわち、サイリスタは、逆方向に実質的に阻止能力を有しない。位相制御応用が一般的に逆阻止性質を必要とするため、(50/60Hz周波数用の)位相制御サイリスタ(PCT)は、典型的には逆阻止である。
上述した従来技術の欠点に鑑みて、本発明の目的は、装置領域の全体を2つの電流方向に効率的に利用することによって、良好な電気特性および熱特性を有するより小さい装置を可能にする双方向サイリスタ装置を提供することである。
双方向サイリスタ装置は、第1の半導体層と、第5の半導体層とを含み、第1の半導体層は、第1のサイリスタのカソードとしてみなすことができ、第5の半導体層は、第2のサイリスタのカソードとしてみなすことができ、第1のサイリスタと第2のサイリスタとは、逆並列構成で接続される。第1のエミッタ短絡部は、第2の半導体層と共に、第2のサイリスタのアノードとしてみなすことができ、第2のエミッタ短絡部は、第4の半導体層と共に、第1のサイリスタのアノードとしてみなすことができる。したがって、本発明の双方向サイリスタ装置において、第1のサイリスタおよび第2のサイリスタのカソードおよびアノードは、第1のサイリスタの第1のエミッタ短絡部が第2のサイリスタのアノードとして使用され、第2のサイリスタの第2のエミッタ短絡部が第1のサイリスタのアノードとして使用されるように互いに嵌合している。
双方向サイリスタ装置の一例示的な実施形態において、第1の主面に平行な平面上の垂直投影で観察する場合、第1のエミッタ短絡部は、重畳領域の少なくとも2%、典型的には少なくとも5%、典型的には少なくとも8%、より典型的には少なくとも10%を占める。第1のエミッタ短絡部によって占有された面積が比較的大きいため、同様の構造を有し、第1のエミッタ短絡部によって占有された面積が少ないサイリスタ装置に比べて、高いアノード電流における第2のサイリスタのオン電圧を低減することができる。
図面に使用された参照符号およびその意味は、参照符号のリストに要約されている。一般的に、本明細書において、同様の要素は、同様の参照符号を有する。記載された実施形態は、例示として意図されており、本発明の範囲を限定するものではない。
100 双方向サイリスタ装置
102 第1の主面
104 第2の主面
106 n+ドープされた第1の半導体層
108 pドープされた第2の半導体層
110 n−ドープされた第3の半導体層
112 pドープされた第4の半導体層
114 n+ドープされた第5の半導体層
115 第1の主電極
116 第2の主電極
128 第1のエミッタ短絡部
135 第1の増幅ゲート電極
135a 第1のリング状電極部
135b 第1のフィンガ電極部
135c 第2のフィンガ電極部
138 第2のエミッタ短絡部
145 第2の増幅ゲート電極
145a 第2のリング状電極部
145b 第3のフィンガ電極部
145c 第4のフィンガ電極部
152 n+ドープされた第1の補助カソードエミッタ層
162 n+ドープされた第2の補助カソードエミッタ層
175 第1の主ゲート電極
185 第2の主ゲート電極
J1 第1のpn接合
J2 第2のpn接合
J3 第3のpn接合
J4 第4のpn接合
P1 深準位の密度の第1の極大値
P2 深準位の密度の第2の極大値
Claims (14)
- 双方向サイリスタ装置(100)であって、
第1の主面(102)および前記第1の主面(102)の反対側の第2の主面(104)を有する半導体ウエハと、
前記第1の主面(102)に配置された第1の主電極(115)と、
前記第1の主面(102)に配置され、前記第1の主電極(115)から離れた第1のゲート電極(135)と、
前記第2の主面(104)に配置された第2の主電極(116)と、
前記第2の主面(104)に配置され、前記第2の主電極(116)から離れた第2のゲート電極(145)とを備え、
前記半導体ウエハは、前記第1の主面(102)から前記第2の主面(104)に向かう順に、
第1の導電型を有する第1の半導体層(106)を含み、前記第1の半導体層(106)は、前記第1の主電極(115)と直接接触しており、
前記第1の導電型とは異なる第2の導電型を有する第2の半導体層(108)を含み、前記第2の半導体層(108)は、前記第1のゲート電極(135)と直接接触しており、前記第1の半導体層(106)と前記第2の半導体層(108)とは、第1のpn接合(J1)を形成し、
第1の導電型を有する第3の半導体層(110)を含み、前記第2の半導体層(108)と前記第3の半導体層(110)とは、第2のpn接合(J2)を形成し、
第2の導電型を有する第4の半導体層(112)を含み、前記第3の半導体層(110)と前記第4の半導体層(112)とは、第3のpn接合(J3)を形成し、前記第4の半導体層(112)は、前記第2のゲート電極(116)と直接接触しており、
第1の導電型を有する第5の半導体層(114)を含み、前記第5の半導体層(114)は、前記第2の主電極(116)と直接接触しており、前記第4の半導体層(112)と前記第5の半導体層(114)とは、第4のpn接合(J4)を形成し、
複数の第1のエミッタ短絡部(128)を備え、各第1のエミッタ短絡部(128)は、前記第1の半導体層(106)を貫通して、前記第2の半導体層(108)を前記第1の主電極(115)に電気的に接続し、
複数の第2のエミッタ短絡部(138)を備え、各第2のエミッタ短絡部(138)は、前記第5の半導体層(114)を貫通して、前記第4の半導体層(112)を前記第2の主電極(116)に電気的に接続し、
前記第1の主面(102)に平行な平面上の垂直投影において、前記第1の半導体層(106)と前記第1のエミッタ短絡部(128)とによって占有された第1の領域と、前記第5の半導体層(114)と前記第2のエミッタ短絡部(138)とによって占有された第2の領域とは、重畳領域において重なり、
前記第1の主面(102)に平行な平面上の前記垂直投影において、前記第1のエミッタ短絡部(128)と前記第2のエミッタ短絡部(138)とは、前記重畳領域内に位置し、
前記第1の主面(102)に平行な平面上の前記垂直投影において、前記第1の領域と前記第2の領域とが重なる重畳領域は、前記半導体ウエハによって占有されたウエハ総面積の少なくとも50%を占める、双方向サイリスタ装置。 - 前記第1の主面(102)に平行な平面上の前記垂直投影において、前記第1のエミッタ短絡部(128)は、前記重畳領域の少なくとも2%、典型的には少なくとも5%、典型的には少なくとも8%、より典型的には少なくとも10%を占める、請求項1に記載の双方向サイリスタ装置。
- 前記第1の主面(102)に平行な平面上の前記垂直投影において、前記第2のエミッタ短絡部(138)は、前記重畳領域の少なくとも2%、典型的には少なくとも5%、典型的には少なくとも8%、より典型的には少なくとも10%を占める、請求項1または2に記載のサイリスタ装置。
- 前記第1の主面(102)に平行な平面上の前記垂直投影において、前記第1のエミッタ短絡部(138)は、不連続である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の双方向サイリスタ装置。
- 2つの隣接する第1のエミッタ短絡部(128)の間の距離は、2つの隣接する第1のエミッタ短絡部(128)の間の平均距離が前記第1のゲート電極(135)からの距離の増加と共に減少するように変化する、請求項4に記載の双方向サイリスタ装置。
- 前記第1の主面(102)に平行な平面上の前記垂直投影において、前記第2のエミッタ短絡部(138)は、不連続である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の双方向サイリスタ装置。
- 2つの隣接する第2のエミッタ短絡部(138)の間の距離は、2つの隣接する第2のエミッタ短絡部(138)の間の平均距離が第2のゲート電極(145)からの距離の増加と共に減少するように変化する、請求項6に記載の双方向サイリスタ装置。
- 前記第1の主面(102)に平行な平面上の前記垂直投影において、前記第1のエミッタ短絡部(128)および前記第2のエミッタ短絡部(138)は、30μm〜500μmの範囲、典型的には50μm〜200μmの範囲の横寸法を有する、請求項1〜7のいずれか一項に記載の双方向サイリスタ装置。
- 前記第1の主面(102)に平行な平面上の前記垂直投影において、少なくとも前記第1のゲート電極(135)または前記第2のゲート電極(145)は、回転対称性を有する、請求項1〜8のいずれか一項に記載の双方向サイリスタ装置。
- 前記第1の主面(102)に平行な平面上の前記垂直投影において、前記第1のゲート電極(135)と前記第2のゲート電極(145)とは、同様の形状を有する、請求項1〜9のいずれか一項に記載の双方向サイリスタ装置。
- 前記第3の半導体層(110)において再結合中心として作用する深準位の密度は、前記第3のpn接合(J3)よりも前記第2のpn接合(J2)に近い第1の極大値(P1)および/または前記第2のpn接合(J2)よりも前記第3のpn接合(J3)に近い第2の極大値(P2)を有する、請求項1〜10のいずれか一項に記載の双方向サイリスタ装置。
- 前記第1の極大値(P1)は、前記第2のpn接合(J2)から50μm未満にあり、および/または前記第2の極大値(P2)は、前記第3のpn接合(J3)から50μm未満にある、請求項11に記載の双方向サイリスタ装置。
- 過剰キャリアライフタイムは、前記第3の半導体層(110)において、前記第3のpn接合(J3)よりも前記第2のpn接合(J2)に近い第1の極小値および/または前記第2のpn接合(J2)よりも前記第3のpn接合(J3)に近い第2の極小値を有する、請求項1〜12のいずれか一項に記載の双方向サイリスタ装置。
- 前記第1の極小値は、前記第2のpn接合(J2)から50μm未満にあり、および/または前記第2の極小値は、前記第3のpn接合(J3)から50μm未満にある、請求項13に記載の双方向サイリスタ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP18156415.4 | 2018-02-13 | ||
EP18156415 | 2018-02-13 | ||
PCT/EP2019/053560 WO2019158594A1 (en) | 2018-02-13 | 2019-02-13 | Bidirectional thyristor device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021514547A true JP2021514547A (ja) | 2021-06-10 |
JP7084501B2 JP7084501B2 (ja) | 2022-06-14 |
Family
ID=61198738
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020565549A Active JP7084501B2 (ja) | 2018-02-13 | 2019-02-13 | 双方向サイリスタ装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11056582B2 (ja) |
EP (1) | EP3766101B1 (ja) |
JP (1) | JP7084501B2 (ja) |
CN (1) | CN111742411B (ja) |
WO (1) | WO2019158594A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP4006989B1 (en) | 2020-11-25 | 2024-05-15 | Hitachi Energy Ltd | Bidirectional thyristor device with asymmetric characteristics |
EP4007139B1 (en) | 2020-11-25 | 2023-04-05 | Hitachi Energy Switzerland AG | Module comprising a switchable bypass device |
EP4006988B1 (en) * | 2020-11-25 | 2024-01-03 | Hitachi Energy Ltd | Bidirectional thyristor device |
EP4006990B1 (en) * | 2020-11-27 | 2023-04-05 | Hitachi Energy Switzerland AG | Semiconductor device with a side surface having different partial regions |
CN118281054A (zh) * | 2022-12-30 | 2024-07-02 | 力特半导体(无锡)有限公司 | 高抗噪度triac结构 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3476993A (en) * | 1959-09-08 | 1969-11-04 | Gen Electric | Five layer and junction bridging terminal switching device |
JPS504435B1 (ja) * | 1970-07-02 | 1975-02-19 | ||
JPS5487487A (en) * | 1977-12-21 | 1979-07-11 | Bbc Brown Boveri & Cie | Thyristor controllable at cathode side |
JPS54109791A (en) * | 1978-02-16 | 1979-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | Emitter short-type thyristor |
JPS6350067A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-02 | Toshiba Corp | サイリスタ |
JPH118377A (ja) * | 1997-05-22 | 1999-01-12 | Asea Brown Boveri Ag | 双方向に制御可能なサイリスタ |
JP2004288680A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 圧接型半導体装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003282865A (ja) | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | サイリスタ |
CN102947939B (zh) * | 2010-06-21 | 2015-11-25 | Abb技术有限公司 | 具有局部发射极短路点的改进模式的相位控制晶闸管 |
CN103594490A (zh) * | 2012-08-13 | 2014-02-19 | 无锡维赛半导体有限公司 | 晶闸管及晶闸管封装件 |
WO2016096956A1 (en) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Abb Technology Ag | Bidirectional power semiconductor device |
-
2019
- 2019-02-13 US US16/969,773 patent/US11056582B2/en active Active
- 2019-02-13 JP JP2020565549A patent/JP7084501B2/ja active Active
- 2019-02-13 EP EP19703385.5A patent/EP3766101B1/en active Active
- 2019-02-13 WO PCT/EP2019/053560 patent/WO2019158594A1/en unknown
- 2019-02-13 CN CN201980013388.XA patent/CN111742411B/zh active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3476993A (en) * | 1959-09-08 | 1969-11-04 | Gen Electric | Five layer and junction bridging terminal switching device |
JPS504435B1 (ja) * | 1970-07-02 | 1975-02-19 | ||
JPS5487487A (en) * | 1977-12-21 | 1979-07-11 | Bbc Brown Boveri & Cie | Thyristor controllable at cathode side |
JPS54109791A (en) * | 1978-02-16 | 1979-08-28 | Mitsubishi Electric Corp | Emitter short-type thyristor |
JPS6350067A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-02 | Toshiba Corp | サイリスタ |
JPH118377A (ja) * | 1997-05-22 | 1999-01-12 | Asea Brown Boveri Ag | 双方向に制御可能なサイリスタ |
JP2004288680A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 圧接型半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111742411B (zh) | 2024-03-08 |
JP7084501B2 (ja) | 2022-06-14 |
WO2019158594A1 (en) | 2019-08-22 |
CN111742411A (zh) | 2020-10-02 |
EP3766101A1 (en) | 2021-01-20 |
US20200411674A1 (en) | 2020-12-31 |
EP3766101B1 (en) | 2021-07-21 |
US11056582B2 (en) | 2021-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7084501B2 (ja) | 双方向サイリスタ装置 | |
US8847277B2 (en) | Reverse-conducting power semiconductor device | |
JP3968912B2 (ja) | ダイオード | |
JP2018504778A (ja) | 逆導通半導体装置 | |
US10026732B2 (en) | Bidirectional power semiconductor | |
US9142656B2 (en) | Phase control thyristor with improved pattern of local emitter shorts dots | |
JP6088586B2 (ja) | 逆導通パワー半導体デバイス | |
US10461157B2 (en) | Flat gate commutated thyristor | |
US11967638B2 (en) | Segmented power diode structure with improved reverse recovery | |
US9553086B2 (en) | Reverse-conducting semiconductor device | |
JPH07231086A (ja) | ターンオフ可能な半導体素子 | |
JP4031371B2 (ja) | 高耐圧半導体素子 | |
JPS631757B2 (ja) | ||
CN116472613A (zh) | 具有不对称特性的双向晶闸管装置 | |
JP2023534768A (ja) | パワー半導体デバイス | |
JP2000252477A (ja) | 半導体装置 | |
JPH09321321A (ja) | 電力用ダイオード |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20211014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220510 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220602 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7084501 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |