JP2021514342A - 層状ケイ酸塩 - Google Patents
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Abstract
本発明は、(5.3±0.2)°、(8.6±0.2)°、(9.8±0.2)°、(21.7±0.2)°及び(22.7±0.2)°の2θ値での反射を含むX線回折パターンを有する結晶性層状ケイ酸塩に関連する。
Description
本発明は、(5.3±0.2)°、(8.6±0.2)°、(9.8±0.2)°、(21.7±0.2)°及び(22.7±0.2)°の2θ値での反射を含むX線回折パターンを有する結晶性層状ケイ酸塩(crystalline layered silicate)に関連する。さらに本発明は、前記層状ケイ酸塩を調製する方法、それから調製されるテクトケイ酸塩(tectosilicate)、及び前記層状ケイ酸塩を含む形成可能な(formable)混合物を調製する工程を含む成形品(molding)を調製する方法に関連する。本発明はさらに、それぞれ、前述の方法によって得られうる(obtainable)又は得られる(obtained)、前記層状ケイ酸塩、それから調製されるテクトケイ酸塩、又は前記層状ケイ酸塩を含む成形品に関連し、さらに、前記層状ケイ酸塩、それからのテクトケイ酸塩、又は前記層状ケイ酸塩を含む成形品の、触媒活性物質として、触媒として、又は触媒成分としての使用方法に関連する。さらに、本発明は、好ましくは、前記層状ケイ酸塩の合成のための合成混合物に関連する。
層状ケイ酸塩は、一般に、Marler,B et al.,2016に提示されるITQ−8等の当技術分野で知られている。触媒作用又は吸着作用等の種々の技術分野において、新しい材料、特にケイ酸塩、及び特定の触媒又は吸着の問題のため、特に工業用途における燃焼排ガスを処理するため、例えば排ガス流中の窒素酸化物(NOx)を変換するための、オーダーメイドの材料を利用可能にする、新しいプロセスが必要である。
水和層状ケイ酸塩(Hydrous Layer Silicates)(HLSs)は、i)純粋なシリカ層(微量のAl、B、Ga、Fe等の他の元素)、ii)低電荷密度である層間カチオン(intercalated cation)(テトラエチルアンモニウム等の有機カチオン、又は[Na(H2O)6]+)からなる構造を特徴とする。HLSsの概説は、Marler,B et al.,2012に提示される。HLSsは、「層状ゼオライト」又は「二次元ゼオライト」と称されることもある。
Bernd Marler,Melanie Mueller,Hermann Gies:ITQ−8の構造及び特性:細孔性ケイ酸塩層(Miroporous Silicate Layer)を有する含水層状ケイ酸塩、Dalton Transactions 45、10155〜10164頁(2016年)。
Bernd Marler,H.Gies:トポタクティック凝縮(topotactic condensation)によって得られるゼオライトの前駆体としての含水層状ケイ酸塩:a review.Eur.J.Mineral,24、405〜428頁(2012年)。
したがって、本発明の目的は、例えば、上記の分野で、それ自体で使用され得るか、テクトケイ酸塩の調製のための前駆体として使用され得る、層状ケイ酸塩の調製のための新しい方法を提供することである。また、本発明の目的は、新しい層状材料を提供することでもある。さらに、前記新しいプロセスから得られうる材料、又は新しい層状材料は、テクトケイ酸塩の調製用の出発物質として使用され得ることが考えられる。
したがって、本発明は、参考例1.1に記載されるX線回折に従って測定され、0.15419nmの波長を有するCu−Kα1,2線(Cu-Kalpha1,2 radiation)で、15〜25℃の範囲の温度で測定されるとき、(5.3±0.2)°、(8.6±0.2)°、(9.8±0.2)°、(21.7±0.2)°及び(22.7±0.2)°の2θ値での反射を含むX線回折パターンを有する結晶性層状ケイ酸塩に関連する。前記結晶性層状ケイ酸塩は、本明細書においてRUB−56とも称される場合もある。
好ましくは、前記層状ケイ酸塩は、参考例1.3に記載される通り測定される、(475±5)cm-1、(526±5)cm-1、(587±5)cm-1、(609±5)cm-1、(628±5 )cm-1、(698±5)cm-1、(724±5)cm-1、(776±5)cm-1、(587±5)cm-1、(794±5)cm-1 、(809±5)cm-1、(837±5)cm-1に最大値を有する12個のピークを含むIRスペクトルを有する。
好ましくは、前記層状ケイ酸塩は、参考例1.3に記載される通り測定される、(1397±5)cm-1、(1421±5)cm-1、(1457 ±5)cm-1、(1464±5)cm-1、(1487±5)cm-1に最大値を有する5個のピークを含むIRスペクトルを有する。
好ましくは、前記層状ケイ酸塩は、参考例1.4に記載される通り測定される、(−99±2)ppm及び(−101±2)ppmにQ3−型の信号、並びに(−106±2)ppm及び(−108±2)ppmにQ4−型の信号を含む29Si MAS NMRスペクトルを有する。
Si、O、C、N及びHに加えて、前記層状ケイ酸塩は、1種以上のさらなる追加成分を含み得る。好ましくは、前記層状ケイ酸塩の95〜100質量%、好ましくは98〜100質量%、さらに好ましくは99〜100質量%、さらに好ましくは99.5〜100質量%、さらに好ましくは99.9〜100質量%が、Si、O、C、N及びHからなる。
好ましくは、前記層状ケイ酸塩は、参考例1.1に記載される通り測定され、次の式(I):
(C6H16N)8[Si32O64(OH)8]*x H2O (I)、
[式中、xは8〜30の範囲、好ましくは16〜30の範囲、さらに好ましくは20〜30の範囲、さらに好ましくは21〜28の範囲、さらに好ましくは22〜26の範囲、さらに好ましくは23〜25の範囲である。さらに好ましくは、xは24である]
に従う単位格子(unit cell)を有する。
(C6H16N)8[Si32O64(OH)8]*x H2O (I)、
[式中、xは8〜30の範囲、好ましくは16〜30の範囲、さらに好ましくは20〜30の範囲、さらに好ましくは21〜28の範囲、さらに好ましくは22〜26の範囲、さらに好ましくは23〜25の範囲である。さらに好ましくは、xは24である]
に従う単位格子(unit cell)を有する。
本発明によれば、用語「結晶性層状ケイ酸塩」は、その調製のために使用される構造指向剤(structure directing agent)を含む結晶性層状ケイ酸塩のことを称することに留意する。
特定の制限はないが、前記層状ケイ酸塩は、Al、B、Ga、Fe、Ti、Sn、In、Ge、Zr、V、及びNbの1種以上をさらに含み、元素として計算されるAl、B、Ga、Fe、Ti、Sn、In、Ge、Zr、V、及びNbの1種以上は、前記層状ケイ酸塩の総質量に基づいて、最大500質量ppm、好ましくは最大250質量ppm、さらに好ましくは最大100質量ppmの総量で存在することが好ましい。
したがって、本発明は、層状ケイ酸塩、好ましくは、本明細書においてRUB−56とも称される、本発明に従う層状ケイ酸塩を調製する方法であって、
(i)水、Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む構造指向剤を含む合成混合物を調製する工程;
(ii)(i)から得られる前記合成混合物を水熱合成条件(hydrothermal synthesis condition)にさらす工程であり、(i)から得られる前記合成混合物を110〜180℃の範囲の温度に加熱し、前記合成混合物を自生圧力(autogenous pressure)下でこの範囲の温度で1〜6日間維持することを含み、前記層状ケイ酸塩を含む母液を得る工程;
を含む方法に関連する。
(i)水、Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む構造指向剤を含む合成混合物を調製する工程;
(ii)(i)から得られる前記合成混合物を水熱合成条件(hydrothermal synthesis condition)にさらす工程であり、(i)から得られる前記合成混合物を110〜180℃の範囲の温度に加熱し、前記合成混合物を自生圧力(autogenous pressure)下でこの範囲の温度で1〜6日間維持することを含み、前記層状ケイ酸塩を含む母液を得る工程;
を含む方法に関連する。
特定の制限はないが、Si源は、湿式法シリカ(wet-process silica)、乾式法シリカ(dry-process silica)、及びコロイド状シリカ(colloidal silica)の1種以上を含み、さらに好ましくは湿式法シリカを含むことが好ましい。
一般に、(i)に従って、任意の適切なSi源が使用され得る。特に前記Si源は、湿式法シリカ(シリカゲルとしても知られる)の1種以上を含み、さらに好ましくは湿式法シリカの1種以上である。コロイド状シリカは、とりわけ、例えば、Ludox(登録商標)、Syton(登録商標)、Nalco(登録商標)又はSnowtex(登録商標)として市販されている。「湿式法」シリカは、とりわけ、例えば、Hi−Sil(登録商標)、Ultrasil(登録商標)、Vulcasil(登録商標)、Santocel(登録商標)、Valron−Estersil(登録商標)、Tokusil(登録商標)又はNipsil(登録商標)として市販されている。さらに、湿式法シリカ(シリカゲルとしても知られる)は、例えば、本明細書の実施例1に従って使用され得る。「乾式法」シリカは、とりわけ、例えば、Aerosil(登録商標)、Reolosil(登録商標)、Cab−O−Sil(登録商標)、Fransil(登録商標)又はArcSilica(登録商標)として市販されている。さらに好ましくは、(i)に従う前記Si源は、湿式法シリカを含む、さらに好ましくは湿式法シリカであり、さらに好ましくはシリカゲルである。
好ましくは、(i)に従って、前記Si源は、参考例1.1に記載されるX線回折に従って測定される、好ましくは1個のみの非常に広い反射、すなわち、(23±0.2)°の2θ値に中心がある反射を含むX線回折パターンを有する、湿式法シリカを含み、好ましくはその湿式法シリカである。前記Si源は、好ましくは(−92±2)ppmにQ2−型の信号、及び(−102.3±2)ppmにQ3−型の信号、及び(−110.1±2)ppmにQ4−型の信号を含む29Si MAS NMRスペクトルを有する、湿式法シリカを含み、好ましくはその湿式法シリカである。
(i)に従って、ジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む任意の構造指向剤が使用され得る。前記構造指向剤は、好ましくはジエチルジメチルアンモニウム塩、好ましくは硫酸塩;硝酸塩;リン酸塩;酢酸塩;ハロゲン化物、さらに好ましくは塩化物及び臭化物の1種以上、さらに好ましくは塩化物;並びに水酸化物の1種以上を含み、さらに好ましくは、前記構造指向剤は、ジエチルジメチルアンモニウム水酸化物を含み、さらに好ましくは、ジエチルジメチルアンモニウム水酸化物である。
好ましくは、(i)から得られ、(ii)に供される前記合成混合物において、SiO2として計算される前記Si源に対する前記構造指向剤のモル比(SDA:SiO2として定義される)が、0.3:1〜2:1の範囲、さらに好ましくは0.4:1〜1.5:1の範囲、さらに好ましくは0.5:1〜1.0:1の範囲である。
特定の制限はないが、(i)から得られ、(ii)に供される前記合成混合物において、SiO2として計算される前記Si源に対する水のモル比(H2O:SiO2として定義される)は、3:1〜9:1の範囲、さらに好ましくは4:1〜8:1の範囲、さらに好ましくは5:1〜7:1の範囲であることが好ましい。
(i)で調製される前記合成混合物に関して、水、前記Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む前記構造指向剤に加えて、(i)で調製される前記合成混合物は、1種以上のさらなる追加成分を含み得る。好ましくは、(i)で調製される前記合成混合物の95〜100質量%、好ましくは98〜100質量%、さらに好ましくは99〜100質量%、さらに好ましくは99.5〜100質量%、さらに好ましくは99.9〜100質量%が、水、前記Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む前記構造指向剤からなる。(i)から得られ、(ii)に供される前記合成混合物は、好ましくは、塩基源、好ましくは水酸化物源をさらに含む。好ましくは、前記水酸化物源は、アルカリ金属水酸化物、さらに好ましくは水酸化ナトリウムを含み、好ましくはアルカリ金属水酸化物、さらに好ましくは水酸化ナトリウムである。
前記構造指向剤に関して、或いは、前記構造指向剤が、ジエチルジメチルアンモニウムハロゲン化物、さらに好ましくは塩化物又は臭化物の1種以上を含み、好ましくはジエチルジメチルアンモニウムハロゲン化物、さらに好ましくは塩化物又は臭化物の1種以上であることが好ましい。好ましくは、(i)で調製される前記合成混合物の95〜100質量%、好ましくは98〜100質量%、さらに好ましくは99〜100質量%、さらに好ましくは99.5〜100質量%、さらに好ましくは99.9〜100質量%が、水、前記Si源、ジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む前記構造指向剤、及び前記塩基源からなる。
工程(i)を実施する方法には、特定の制限はない。好ましくは、(i)に従う合成混合物を調製する工程は、
(i.1)水、前記Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む前記構造指向剤を含む混合物を、10〜40℃の範囲の前記混合物の温度で調製する工程;
(i.2)(i.1)で調製される前記混合物を、50〜120℃の範囲の温度に加熱し、前記混合物をこの範囲の温度で維持し、前記合成混合物を得る工程;
を含む。
(i.1)水、前記Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む前記構造指向剤を含む混合物を、10〜40℃の範囲の前記混合物の温度で調製する工程;
(i.2)(i.1)で調製される前記混合物を、50〜120℃の範囲の温度に加熱し、前記混合物をこの範囲の温度で維持し、前記合成混合物を得る工程;
を含む。
(i.1)に従って、前記混合物は、好ましくは20〜30℃の範囲の前記混合物の温度で調製される。好ましくは、(i.1)に従う前記混合物を調製する工程は、前記混合物を撹拌することを含む。
(i.2)に従って、前記混合物は、好ましくは50〜100℃の範囲、さらに好ましくは55〜90℃の範囲、さらに好ましくは60〜80℃の範囲の温度に加熱される。好ましくは、(i.2)に従って、前記混合物は、前記温度で、少なくとも45分の時間、さらに好ましくは50〜160分の範囲、さらに好ましくは55〜120分の範囲、さらに好ましくは60〜90分の範囲の時間維持される。好ましくは、(i.2)に従って、前記混合物は、前記温度で、100kPa(1bar)未満、さらに好ましくは最大50kPa(500mbar)、さらに好ましくは最大10kPa(100mbar)、さらに好ましくは最大5kPa(50mbar)の絶対圧力で維持される。好ましくは、(i.2)に従って、前記混合物は、前記温度で、0.5〜5kPa(5〜50mbar)の範囲、さらに好ましくは1〜4kPa(10〜40mbar)の範囲、さらに好ましくは1.5〜3kPa(15〜30mbar)の範囲の絶対圧力で、好ましくは真空オーブン中で維持される。
(i.1)から得られ、(i.2)に供される前記混合物に関して、SiO2として計算される前記Si源に対する水のモル比(H2O:SiO2として定義される)は、好ましくは4:1〜15:1の範囲、さらに好ましくは5:1〜11:1の範囲、さらに好ましくは6:1〜8:1の範囲である。
工程(ii)に関して、(ii)に従う加熱は、好ましくはオートクレーブ中で実施される。好ましくは、(ii)に従う前記合成混合物を前記温度で維持することは、オートクレーブ中で、好ましくは本明細書で定義されるオートクレーブ中で実施される。
(ii)に従う加熱は、好ましくは、0.5〜4K/分の範囲、好ましくは1〜3K/分の範囲の加熱速度で加熱される。好ましくは、(ii)に従って、前記合成混合物は、120〜170℃の範囲、さらに好ましくは130〜160℃の範囲、さらに好ましくは135〜145℃の範囲の温度に加熱される。好ましくは、(ii)に従う前記水熱合成条件は、24〜120時間の範囲、好ましくは24〜96時間の範囲、さらに好ましくは24〜72時間の範囲の水熱合成時間を含む。前記水熱合成条件は、好ましくは前記合成混合物を撹拌すること(agitating)、好ましくは機械的に攪拌すること(mechanically agitating)、さらに好ましくは撹拌すること(stirring)を含む。
本発明との関連で、前記方法は、好ましくは、
(iii)(ii)から得られる前記母液を、好ましくは10〜50℃の範囲、さらに好ましくは20〜35℃の範囲の前記母液温度に冷却する工程;
をさらに含む。
(iii)(ii)から得られる前記母液を、好ましくは10〜50℃の範囲、さらに好ましくは20〜35℃の範囲の前記母液温度に冷却する工程;
をさらに含む。
上記の通り、母液は、前記層状ケイ酸塩を含む(ii)から得られるので、本発明の方法は、
(iv)(ii)又は(iii)から、好ましくは(iii)から得られる前記母液から層状ケイ酸塩を分離する工程;
をさらに含むことが、さらに好ましい。
(iv)(ii)又は(iii)から、好ましくは(iii)から得られる前記母液から層状ケイ酸塩を分離する工程;
をさらに含むことが、さらに好ましい。
前記層状ケイ酸塩を分離する方法には、特定の制限はない。好ましくは、前記分離工程(iv)は、
(iv.1)(ii)又は(iii)から、好ましくは(iii)から得られる前記母液を、好ましくは遠心分離、ろ過、又は急速乾燥、好ましくは噴霧乾燥を含む、さらに好ましくは遠心分離を含む固液分離法に供する工程;
(iv.2)好ましくは、(iv.1)に従って前記母液から分離される前記層状ケイ酸塩を洗浄する工程;
(iv.3)(iv.1)又は(iv.2)、好ましくは(iv.2)から得られる前記層状ケイ酸塩を乾燥する工程;
を含む。
(iv.1)(ii)又は(iii)から、好ましくは(iii)から得られる前記母液を、好ましくは遠心分離、ろ過、又は急速乾燥、好ましくは噴霧乾燥を含む、さらに好ましくは遠心分離を含む固液分離法に供する工程;
(iv.2)好ましくは、(iv.1)に従って前記母液から分離される前記層状ケイ酸塩を洗浄する工程;
(iv.3)(iv.1)又は(iv.2)、好ましくは(iv.2)から得られる前記層状ケイ酸塩を乾燥する工程;
を含む。
(iv.2)が実施される場合、前記層状ケイ酸塩は、水で、好ましくは蒸留水で、好ましくは洗浄水が、最大500マイクロジーメンス、さらに好ましくは最大200マイクロジーメンスの導電率を有するまで、洗浄されることが好ましい。(iv.3)に関して、前記層状ケイ酸塩は、10〜50℃の範囲、好ましくは25〜30℃の範囲の温度を有するガス雰囲気中で乾燥されることか好ましい。好ましくは、前記ガス雰囲気は、酸素を含み、好ましくは空気、希薄空気、又は合成空気である。
さらに、本発明は、テクトケイ酸塩を調製する方法であって、上記の本明細書に記載される方法によって、好ましくは前記母液から前記層状ケイ酸塩を分離する工程を含む上記の本明細書に記載される方法に従って、層状ケイ酸塩を調製する工程を含み、前記方法は、
(v)好ましくは(iv)から得られる、前記層状ケイ酸塩をか焼する工程;
をさらに含む方法に関連する。
(v)好ましくは(iv)から得られる、前記層状ケイ酸塩をか焼する工程;
をさらに含む方法に関連する。
本発明はさらに、テクトケイ酸塩を調製する方法であって、
(v)上記の本明細書に記載される方法によって、好ましくは前記母液から前記層状ケイ酸塩を分離する工程を含む上記の本明細書に記載される方法によって得られうる又は得られる、層状ケイ酸塩をか焼する工程;
を含む方法にも関連する。
(v)上記の本明細書に記載される方法によって、好ましくは前記母液から前記層状ケイ酸塩を分離する工程を含む上記の本明細書に記載される方法によって得られうる又は得られる、層状ケイ酸塩をか焼する工程;
を含む方法にも関連する。
(v)に従って、前記層状ケイ酸塩は、好ましくは300〜700℃の範囲、さらに好ましくは300〜600℃の範囲、さらに好ましくは400〜600℃の範囲、さらに好ましくは450〜550℃の範囲の温度を有するガス雰囲気中でか焼される。好ましくは、前記ガス雰囲気は、酸素を含み、さらに好ましくは、空気、希薄空気、又は合成空気である。
本発明はさらに、成形品を調製する方法であって、上記の本明細書に記載される前記層状ケイ酸塩、又は上記の本明細書に記載される方法によって得られうる又は得られる層状ケイ酸塩を含み、さらに任意にバインダー材料源、可塑剤、及び細孔形成剤(pore forming agent)の1種以上を含む形成可能な混合物を調製する工程;前記形成可能な混合物を成形し、成形品を得る工程;並びに任意に、前記成形品を、洗浄、乾燥、及びか焼の1工程以上を含む後処理する工程を含む方法にも関連する。
本発明の層状ケイ酸塩の対象とする用途に応じて、好ましくは本発明の方法の(ii)から得られるものそれ自体が使用され得る。さらに、前記層状ケイ酸塩は、1工程以上のさらなる後処理工程に供されることが考えられる。例えば、最も好ましくは、粉末として得られる前記層状ケイ酸塩は、制限されないが、押出、打錠、噴霧等を含む任意の適切な方法によって、成形品又は成形体(shaped body)に適切に加工され得る。好ましくは、前記成形体は、長方形、三角形、六角形、正方形、楕円形若しくは円形の断面を有し得るか、及び/又は好ましくは星形、タブレット、球形、円柱形、ストランド、又は中空円柱の形態である。成形体を調製する場合、前記成形体の対象とする用途に従って選択され得る、1種以上のバインダーが使用され得る。可能なバインダー材料は、制限されないが、グラファイト、シリカ、チタニア、ジルコニア、アルミナ、並びにケイ素、チタン、及びジルコニウムの2種以上の混合酸化物を含む。前記バインダーに対する前記層状ケイ酸塩の質量比は、一般に、特定の制限は一切受けず、例えば、10:1〜1:10の範囲であり得る。例えば、前記層状ケイ酸塩が、エンジンの排ガス流等の排ガス流を処理するための触媒として、又は触媒成分として使用されるさらなる例によれば、前記層状ケイ酸塩は、壁流フィルター(wall-flow filter)等の適切な基材上に塗布されるウォッシュコート(washcoat)の成分として使用されることが可能である。
本発明はさらに、上記の本明細書に記載される方法によって得られうる又は得られる、層状ケイ酸塩、好ましくは上記の本明細書に記載される層状ケイ酸塩にも関連する。
本発明はさらに、前記層状ケイ酸塩をか焼する工程を含む、上記の本明細書に記載される方法によって得られうる又は得られる、テクトケイ酸塩にも関連する。
本発明はさらに、上記の本明細書に記載される方法によって得られうる又は得られる、成形品にも関連する。
本発明の前記層状ケイ酸塩、テクトケイ酸塩及び成形品は、限定されるものではないが、吸収剤、分子篩、触媒、触媒担体又はそれらの1種以上を調製するための中間体を含む、任意の考えられる目的のために使用され得る。好ましくは、本発明の層状ケイ酸塩は、触媒活性物質として、触媒として、触媒を調製するための中間体として、又は触媒成分として使用される。好ましくは、本発明のテクトケイ酸塩は、触媒活性物質として、触媒として、触媒を調製するための中間体として、又は触媒成分として使用される。好ましくは、本発明の成形品は、触媒活性物質として、触媒として、触媒を調製するための中間体として、又は触媒成分として使用される。
本発明はさらに、好ましくは層状ケイ酸塩の合成のための、さらに好ましくは上記の本明細書に記載される層状ケイ酸塩の合成のための合成混合物であって、前記合成混合物は、水、Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む構造指向剤を含み、前記合成混合物において、SiO2として計算される前記シリカ源に対する水のモル比(H2O:SiO2として定義される)が、3:1〜9:1の範囲、好ましくは4:1〜8:1の範囲、さらに好ましくは5:1〜7:1の範囲であり、且つSiO2として計算される前記Si源に対する前記構造指向剤のモル比(SDA:SiO2として定義される)が、0.3:1〜2:1の範囲、好ましくは0.4:1〜1.5:1の範囲、さらに好ましくは0.5:1〜1.0:1の範囲であり、前記Si源が、湿式法シリカ、乾式法シリカ、及びコロイド状シリカの1種以上を含み、前記構造指向剤が、ジエチルジメチルアンモニウム塩、好ましくは硫酸塩;硝酸塩;リン酸塩;酢酸塩;ハロゲン化物の1種以上、好ましくは塩化物及び臭化物の1種以上、さらに好ましくは塩化物;並びに水酸化物の1種以上を含み、さらに好ましくは前記構造指向剤が、ジエチルジメチルアンモニウム水酸化物を含み、さらに好ましくは、ジエチルジメチルアンモニウム水酸化物であり、前記合成混合物の95〜100質量%、好ましくは98〜100質量%、さらに好ましくは99〜100質量%、さらに好ましくは99.5〜100質量%、さらに好ましくは99.9〜100質量%が、水、前記Si源、及び前記構造指向剤からなる、合成混合物に関連する。
本発明は、以下の一連の実施形態、並びに示される従属性及び後方参照による実施形態の組み合わせによって、さらに説明される。特に、例えば、「実施形態1〜4のいずれかに記載の結晶性層状ケイ酸塩」等の用語に関連して、実施形態の範囲が言及される場合、この範囲のすべての実施形態は、当業者に明確に開示されていることを意味し、すなわち、この用語の表現は、「実施形態1、2、3、及び4のいずれかに記載の層状ケイ酸塩」と同義であると当業者に理解されるものである。
1.参考例1.1に記載されるX線回折に従って測定され、0.15419nmの波長を有するCu−Kα1,2線で、15〜25℃の範囲の温度で測定されるとき、(5.3±0.2)°、(8.6±0.2)°、(9.8±0.2)°、(21.7±0.2)°及び(22.7±0.2)°の2θ値での反射を含むX線回折パターンを有する結晶性層状ケイ酸塩。
2.参考例1.3に記載される通り測定される、(475±5)cm-1、(526±5)cm-1、(587±5)cm-1、(609±5)cm-1、(628±5 )cm-1、(698±5)cm-1、(724±5)cm-1、(776±5)cm-1、(587±5)cm-1、(794±5)cm-1 、(809±5)cm-1、(837±5)cm-1に最大値を有する12個のピークを含むIRスペクトルを有する実施形態1に記載の結晶性層状ケイ酸塩。
3.参考例1.3に記載される通り測定される、(1397±5)cm-1、(1421±5)cm-1、(1457 ±5)cm-1、(1464±5)cm-1、(1487±5)cm-1に最大値を有する5個のピークをさらに含むIRスペクトルを有する実施形態2に記載の結晶性層状ケイ酸塩。
4.参考例1.4に記載される通り測定される、(−99±2)ppm及び(−101±2)ppmにQ3−型の信号、並びに(−106±2)ppm及び(−108±2)ppmにQ4−型の信号を含む29Si MAS NMRスペクトルを有する実施形態1〜3のいずれかに記載の結晶性層状ケイ酸塩。
5.前記層状ケイ酸塩の95〜100質量%、好ましくは98〜100質量%、さらに好ましくは99〜100質量%、さらに好ましくは99.5〜100質量%、さらに好ましくは99.9〜100質量%が、Si、O、C、N及びHからなる実施形態1〜4のいずれかに記載の結晶性層状ケイ酸塩。
6.参考例1.1に記載される通り測定され、次の式(I):
(C6H16N)8[Si32O64(OH)8]*x H2O (I)、
[式中、xは8〜30の範囲、好ましくは16〜30の範囲であり、さらに好ましくは、xは24である]
に従う単位格子を有する実施形態1〜5のいずれかに記載の結晶性層状ケイ酸塩。
(C6H16N)8[Si32O64(OH)8]*x H2O (I)、
[式中、xは8〜30の範囲、好ましくは16〜30の範囲であり、さらに好ましくは、xは24である]
に従う単位格子を有する実施形態1〜5のいずれかに記載の結晶性層状ケイ酸塩。
7.Al、B、Ga、Fe、Ti、Sn、In、Ge、Zr、V、及びNbの1種以上をさらに含み、元素として計算されるAl、B、Ga、Fe、Ti、Sn、In、Ge、Zr、V、及びNbの1種以上は、前記層状ケイ酸塩の総質量に基づいて、最大500質量ppm、好ましくは最大250質量ppm、さらに好ましくは最大100質量ppmの総量で存在する実施形態1〜6のいずれかに記載の結晶性層状ケイ酸塩。
8.結晶性層状ケイ酸塩、好ましくは、実施形態1〜7のいずれかに従う結晶性層状ケイ酸塩を調製する方法であって、
(i)水、Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む構造指向剤を含む合成混合物を調製する工程;
(ii)(i)から得られる前記合成混合物を水熱合成条件にさらす工程であり、(i)から得られる前記合成混合物を110〜180℃の範囲の温度に加熱し、前記合成混合物を自生圧力下でこの範囲の温度で1〜6日間維持することを含み、前記結晶性層状ケイ酸塩を含む母液を得る工程;
を含む方法。
(i)水、Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む構造指向剤を含む合成混合物を調製する工程;
(ii)(i)から得られる前記合成混合物を水熱合成条件にさらす工程であり、(i)から得られる前記合成混合物を110〜180℃の範囲の温度に加熱し、前記合成混合物を自生圧力下でこの範囲の温度で1〜6日間維持することを含み、前記結晶性層状ケイ酸塩を含む母液を得る工程;
を含む方法。
9.Si源が、湿式法シリカ、乾式法シリカ、及びコロイド状シリカの1種以上を含み、好ましくは湿式法シリカを含む実施形態8に記載の方法。
10.前記Si源が、湿式法シリカを含み、好ましくは、湿式法シリカからなり、
前記湿式法シリカが、
(1)ケイ酸塩、好ましくはテトラアルキルケイ酸塩、さらに好ましくはテトラアルキルオルトケイ酸塩、さらに好ましくはテトラエチルオルトケイ酸塩、及びアルコール、好ましくはエタノールを含む溶液を供給する工程;
(2)NH4Fを含む水溶液を供給する工程;
(3)(1)で調製される前記溶液、及び(2)で調製される前記溶液を混合し、得られた混合物を50〜80℃の範囲の前記混合物の温度に加熱し、前記混合物をこの温度で、好ましくは1〜5日間の範囲、さらに好ましくは2〜4日間の範囲の一定期間維持し、前記混合物を100〜120℃の範囲の前記混合物の温度にさらに加熱し、前記混合物をこの温度で、好ましく0.2〜3日間の範囲、さらに好ましくは0.5〜2日間の範囲の一定期間維持し、前記混合物を450〜550℃の範囲の温度にさらに加熱し、前記混合物をこの温度で、好ましく2〜8日間の範囲、さらに好ましくは4〜6日間の範囲の一定期間維持し、湿式法シリカを得る工程;
(4)任意に、(3)から得られる前記湿式法シリカを粉砕する工程(milling);
を含む方法によって得られうる又は得られるか、
又は
前記方法が、
(1)ケイ酸塩、好ましくはテトラアルキルケイ酸塩、さらに好ましくはテトラアルキルオルトケイ酸塩、さらに好ましくはテトラエチルオルトケイ酸塩、及びアルコール、好ましくはエタノールを含む溶液を供給する工程;
(2)NH4Fを含む水溶液を供給する工程;
(3)(1)で調製される前記溶液、及び(2)で調製される前記溶液を混合し、得られた混合物を50〜80℃の範囲の前記混合物の温度に加熱し、前記混合物をこの温度で、好ましくは1〜5日間の範囲、さらに好ましくは2〜4日間の範囲の一定期間維持し、前記混合物を100〜120℃の範囲の前記混合物の温度にさらに加熱し、前記混合物をこの温度で、好ましく0.2〜3日間の範囲、さらに好ましくは0.5〜2日間の範囲の一定期間維持し、前記混合物を450〜550℃の範囲の温度にさらに加熱し、前記混合物をこの温度で、好ましく2〜8日間の範囲、さらに好ましくは4〜6日間の範囲の一定期間維持し、湿式法シリカを得る工程;
(4)任意に、(3)から得られる前記湿式法シリカを粉砕する工程;
を含む方法によって前記湿式法シリカを調製する工程をさらに含む実施形態8又は9に記載の方法。
前記湿式法シリカが、
(1)ケイ酸塩、好ましくはテトラアルキルケイ酸塩、さらに好ましくはテトラアルキルオルトケイ酸塩、さらに好ましくはテトラエチルオルトケイ酸塩、及びアルコール、好ましくはエタノールを含む溶液を供給する工程;
(2)NH4Fを含む水溶液を供給する工程;
(3)(1)で調製される前記溶液、及び(2)で調製される前記溶液を混合し、得られた混合物を50〜80℃の範囲の前記混合物の温度に加熱し、前記混合物をこの温度で、好ましくは1〜5日間の範囲、さらに好ましくは2〜4日間の範囲の一定期間維持し、前記混合物を100〜120℃の範囲の前記混合物の温度にさらに加熱し、前記混合物をこの温度で、好ましく0.2〜3日間の範囲、さらに好ましくは0.5〜2日間の範囲の一定期間維持し、前記混合物を450〜550℃の範囲の温度にさらに加熱し、前記混合物をこの温度で、好ましく2〜8日間の範囲、さらに好ましくは4〜6日間の範囲の一定期間維持し、湿式法シリカを得る工程;
(4)任意に、(3)から得られる前記湿式法シリカを粉砕する工程(milling);
を含む方法によって得られうる又は得られるか、
又は
前記方法が、
(1)ケイ酸塩、好ましくはテトラアルキルケイ酸塩、さらに好ましくはテトラアルキルオルトケイ酸塩、さらに好ましくはテトラエチルオルトケイ酸塩、及びアルコール、好ましくはエタノールを含む溶液を供給する工程;
(2)NH4Fを含む水溶液を供給する工程;
(3)(1)で調製される前記溶液、及び(2)で調製される前記溶液を混合し、得られた混合物を50〜80℃の範囲の前記混合物の温度に加熱し、前記混合物をこの温度で、好ましくは1〜5日間の範囲、さらに好ましくは2〜4日間の範囲の一定期間維持し、前記混合物を100〜120℃の範囲の前記混合物の温度にさらに加熱し、前記混合物をこの温度で、好ましく0.2〜3日間の範囲、さらに好ましくは0.5〜2日間の範囲の一定期間維持し、前記混合物を450〜550℃の範囲の温度にさらに加熱し、前記混合物をこの温度で、好ましく2〜8日間の範囲、さらに好ましくは4〜6日間の範囲の一定期間維持し、湿式法シリカを得る工程;
(4)任意に、(3)から得られる前記湿式法シリカを粉砕する工程;
を含む方法によって前記湿式法シリカを調製する工程をさらに含む実施形態8又は9に記載の方法。
11.前記湿式法シリカが、次の特徴:
・参考例1.1に記載されるX線回折に従って測定され、(23±0.2)°の2θ値での反射を含むX線回折パターン;
・(−92±2)ppmにQ2−型の信号、及び(−102.3±2)ppmにQ3−型の信号、及び(−110.1±2)ppmにQ4−型の信号を含む29Si MAS NMRスペクトル;
の1個以上を示す実施形態8又は9に記載の方法。
・参考例1.1に記載されるX線回折に従って測定され、(23±0.2)°の2θ値での反射を含むX線回折パターン;
・(−92±2)ppmにQ2−型の信号、及び(−102.3±2)ppmにQ3−型の信号、及び(−110.1±2)ppmにQ4−型の信号を含む29Si MAS NMRスペクトル;
の1個以上を示す実施形態8又は9に記載の方法。
12.前記構造指向剤が、ジエチルジメチルアンモニウム塩、好ましくは硫酸塩;硝酸塩;リン酸塩;酢酸塩;ハロゲン化物、好ましくは塩化物及び臭化物の1種以上、さらに好ましくは塩化物;並びに水酸化物の1種以上を含み、さらに好ましくは、前記構造指向剤が、ジエチルジメチルアンモニウム水酸化物を含み、さらに好ましくは、ジエチルジメチルアンモニウム水酸化物である実施形態8〜11のいずれかに記載の方法。
13.(i)から得られ、(ii)に供される前記合成混合物において、SiO2として計算される前記Si源に対する前記構造指向剤のモル比(SDA:SiO2として定義される)が、0.3:1〜2:1の範囲、好ましくは0.4:1〜1.5:1の範囲、さらに好ましくは0.5:1〜1.0:1の範囲である実施形態8〜12のいずれかに記載の方法。
14.(i)から得られ、(ii)に供される前記合成混合物において、SiO2として計算される前記Si源に対する水のモル比(H2O:SiO2として定義される)が、3:1〜9:1の範囲、さらに好ましくは4:1〜8:1の範囲、さらに好ましくは5:1〜7:1の範囲である実施形態8〜13のいずれかに記載の方法。
15.(i)で調製される前記合成混合物の95〜100質量%、好ましくは98〜100質量%、さらに好ましくは99〜100質量%、さらに好ましくは99.5〜100質量%、さらに好ましくは99.9〜100質量%が、水、前記Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む前記構造指向剤からなる実施形態8〜14のいずれかに記載の方法。
16.(i)から得られ、(ii)に供される前記合成混合物が、塩基源、好ましくは水酸化物源をさらに含む実施形態8〜15のいずれかに記載の方法。
17.前記水酸化物源が、アルカリ金属水酸化物、好ましくは水酸化ナトリウムを含み、好ましくはアルカリ金属水酸化物、好ましくは水酸化ナトリウムである実施形態16に記載の方法。
18.前記構造指向剤が、ジエチルジメチルアンモニウムハロゲン化物、好ましくは塩化物又は臭化物の1種以上を含み、好ましくはジエチルジメチルアンモニウムハロゲン化物、好ましくは塩化物又は臭化物の1種以上である実施形態16又は17に記載の方法。
19.(i)で調製される前記合成混合物の95〜100質量%、好ましくは98〜100質量%、さらに好ましくは99〜100質量%、さらに好ましくは99.5〜100質量%、さらに好ましくは99.9〜100質量%が、水、前記Si源、ジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む前記構造指向剤、及び前記塩基源からなる実施形態16〜18のいずれかに記載の方法。
20.(i)に従う合成混合物を調製する工程が、
(i.1)水、前記Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む前記構造指向剤を含む混合物を、10〜40℃の範囲の前記混合物の温度で調製する工程;
(i.2)(i.1)で調製される前記混合物を、50〜120℃の範囲の温度に加熱し、前記混合物をこの範囲の温度で維持し、前記合成混合物を得る工程;
を含む実施形態8〜19のいずれかに記載の方法。
(i.1)水、前記Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む前記構造指向剤を含む混合物を、10〜40℃の範囲の前記混合物の温度で調製する工程;
(i.2)(i.1)で調製される前記混合物を、50〜120℃の範囲の温度に加熱し、前記混合物をこの範囲の温度で維持し、前記合成混合物を得る工程;
を含む実施形態8〜19のいずれかに記載の方法。
21.(i.1)に従って、前記混合物が、好ましくは20〜30℃の範囲の前記混合物の温度で調製される実施形態20に記載の方法。
22.(i.1)に従う前記混合物を調製する工程が、前記混合物を撹拌することを含む実施形態20又は21に記載の方法。
23.(i.2)に従って、前記混合物が、50〜100℃の範囲、好ましくは55〜90℃の範囲、さらに好ましくは60〜80℃の範囲の温度に加熱される実施形態20〜22のいずれかに記載方法。
24.(i.2)に従って、前記混合物が、前記温度で、少なくとも45分の時間、好ましくは50〜160分の範囲、さらに好ましくは55〜120分の範囲、さらに好ましくは60〜90分の範囲の時間維持される実施形態20〜23のいずれかに記載の方法。
25.(i.2)に従って、前記混合物が、前記温度で、100kPa(1bar)未満、好ましくは最大50kPa(500mbar)、さらに好ましくは最大10kPa(100mbar)、さらに好ましくは最大5kPa(50mbar)の絶対圧力で維持される実施形態20〜24のいずれかに記載の方法。
26.(i.2)に従って、前記混合物が、前記温度で、0.5〜5kPa(5〜50mbar)の範囲、さらに好ましくは1〜4kPa(10〜40mbar)の範囲、さらに好ましくは1.5〜3kPa(15〜30mbar)の範囲の絶対圧力で、好ましくは真空オーブン中で維持される実施形態20〜25のいずれかに記載の方法。
27.(i.1)から得られ、(i.2)に供される前記混合物において、SiO2として計算される前記Si源に対する水のモル比(H2O:SiO2として定義される)が、4:1〜15:1の範囲、好ましくは5:1〜11:1の範囲、さらに好ましくは6:1〜8:1の範囲である実施形態20〜26のいずれかに記載の方法。
28.(ii)に従う加熱が、好ましくはオートクレーブ中で実施される実施形態8〜27のいずれかに記載の方法。
29.(ii)に従う前記合成混合物を前記温度で維持することが、オートクレーブ中で、好ましくは実施形態28で定義されるオートクレーブ中で実施される実施形態8〜27のいずれかに記載の方法。
30.(ii)に従う加熱が、0.5〜4K/分の範囲、好ましくは1〜3K/分の範囲の加熱速度で加熱される実施形態8〜29のいずれかに記載の方法。
31.(ii)に従って、前記合成混合物が、120〜170℃の範囲、好ましくは130〜160℃の範囲、さらに好ましくは135〜145℃の範囲の温度に加熱される実施形態8〜30のいずれかに記載の方法。
32.(ii)に従う前記水熱合成条件が、24〜120時間の範囲、好ましくは24〜96時間の範囲、さらに好ましくは24〜72時間の範囲の水熱合成時間を含む実施形態8〜31のいずれかに記載の方法。
33.(ii)に従う前記水熱合成条件は、撹拌すること(agitating)、好ましくは機械的に攪拌すること(mechanically agitating)、さらに好ましくは前記合成混合物を撹拌すること(stirring)を含む実施形態8〜32のいずれかに記載の方法。
34.(iii)(ii)から得られる前記母液を、好ましくは10〜50℃の範囲、さらに好ましくは20〜35℃の範囲の前記母液温度に冷却する工程;
をさらに含む実施形態8〜33のいずれかに記載の方法。
をさらに含む実施形態8〜33のいずれかに記載の方法。
35.(iv)(ii)又は(iii)から、好ましくは(iii)から得られる前記母液から結晶性層状ケイ酸塩を分離する工程;
をさらに含む実施形態8〜34のいずれかに記載の方法。
をさらに含む実施形態8〜34のいずれかに記載の方法。
36.(iv)が、
(iv.1)(ii)又は(iii)から、好ましくは(iii)から得られる前記母液を、好ましくは遠心分離、ろ過、又は急速乾燥、好ましくは噴霧乾燥を含む、さらに好ましくは遠心分離を含む固液分離法に供する工程;
(iv.2)好ましくは、(iv.1)に従って前記母液から分離される前記結晶性層状ケイ酸塩を洗浄する工程;
(iv.3)(iv.1)又は(iv.2)、好ましくは(iv.2)から得られる前記結晶性層状ケイ酸塩を乾燥する工程;
を含む実施形態35に記載の方法。
(iv.1)(ii)又は(iii)から、好ましくは(iii)から得られる前記母液を、好ましくは遠心分離、ろ過、又は急速乾燥、好ましくは噴霧乾燥を含む、さらに好ましくは遠心分離を含む固液分離法に供する工程;
(iv.2)好ましくは、(iv.1)に従って前記母液から分離される前記結晶性層状ケイ酸塩を洗浄する工程;
(iv.3)(iv.1)又は(iv.2)、好ましくは(iv.2)から得られる前記結晶性層状ケイ酸塩を乾燥する工程;
を含む実施形態35に記載の方法。
37.(iv.2)に従って、前記結晶性層状ケイ酸塩が、水で、好ましくは蒸留水で、好ましくは洗浄水が、最大500マイクロジーメンス、さらに好ましくは最大200マイクロジーメンスの導電率を有するまで、洗浄される実施形態36に記載の方法。
38.(iv.3)に従って、前記結晶性層状ケイ酸塩が、10〜50℃の範囲、好ましくは25〜30℃の範囲の温度を有するガス雰囲気中で乾燥される実施形態36又は37に記載の方法。
39.前記ガス雰囲気が、酸素を含み、好ましくは空気、希薄空気、又は合成空気である実施形態38に記載の方法。
40.テクトケイ酸塩を調製する方法であって、実施形態8〜39のいずれかに記載の方法、好ましくは実施形態35〜39のいずれかに記載の方法によって、結晶性層状ケイ酸塩を調製する工程を含み、前記方法が、
(v)好ましくは(iv)から得られる、前記結晶性層状ケイ酸塩をか焼する工程;
をさらに含む方法。
(v)好ましくは(iv)から得られる、前記結晶性層状ケイ酸塩をか焼する工程;
をさらに含む方法。
41.テクトケイ酸塩を調製する方法であって、
(v)実施形態8〜39のいずれかに記載の方法、好ましくは実施形態35〜39のいずれかに記載の方法によって得られうる又は得られる、結晶性層状ケイ酸塩をか焼する工程;
を含む方法。
(v)実施形態8〜39のいずれかに記載の方法、好ましくは実施形態35〜39のいずれかに記載の方法によって得られうる又は得られる、結晶性層状ケイ酸塩をか焼する工程;
を含む方法。
42.(v)に従って、前記結晶性層状ケイ酸塩が、300〜700℃の範囲、好ましくは300〜600℃の範囲、さらに好ましくは400〜600℃の範囲、さらに好ましくは450〜550℃の範囲の温度を有するガス雰囲気中でか焼される実施形態40又は41に記載の方法。
43.前記ガス雰囲気が、酸素を含み、好ましくは、空気、希薄空気、又は合成空気である実施形態42に記載の方法。
44.成形品を調製する方法であって、実施形態1〜7のいずれかに記載の結晶性層状ケイ酸塩、又は実施形態8〜39のいずれかに記載の方法によって得られうる又は得られる結晶性層状ケイ酸塩を含み、さらに任意にバインダー材料源、可塑剤、及び細孔形成剤の1種以上を含む形成可能な混合物を調製する工程;前記形成可能な混合物を成形し、成形品を得る工程;並びに任意に、前記成形品を、洗浄、乾燥、及びか焼の1工程以上を含む後処理する工程を含む方法。
45.実施形態8〜39のいずれかに記載の方法によって得られうる又は得られる、結晶性層状ケイ酸塩、好ましくは実施形態1〜7のいずれかに従う前記結晶性層状ケイ酸塩。
46.実施形態40〜43のいずれかに記載の方法によって得られうる又は得られる、テクトケイ酸塩。
47.実施形態44に記載の方法によって得られうる又は得られる、成形品。
48.実施形態1〜7のいずれか、又は実施形態45に記載の結晶性層状ケイ酸塩の、触媒活性物質として、触媒として、触媒を調製するための中間体として、又は触媒成分としての使用方法。
49.実施形態46に記載のテクトケイ酸塩の、触媒活性物質として、触媒として、触媒を調製するための中間体として、又は触媒成分としての使用方法。
50.実施形態47に記載の成形品の、触媒活性物質として、触媒として、触媒を調製するための中間体として、又は触媒成分としての使用方法。
51.好ましくは結晶性層状ケイ酸塩の合成のための、さらに好ましくは実施形態1〜7のいずれかに記載の結晶性層状ケイ酸塩の合成のための合成混合物であって、前記合成混合物は、水、Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む構造指向剤を含み;
前記合成混合物において、SiO2として計算される前記シリカ源に対する水のモル比(H2O:SiO2として定義される)が、3:1〜9:1の範囲、好ましくは4:1〜8:1の範囲、さらに好ましくは5:1〜7:1の範囲であり、且つSiO2として計算される前記Si源に対する前記構造指向剤のモル比(SDA:SiO2として定義される)が、0.3:1〜2:1の範囲、好ましくは0.4:1〜1.5:1の範囲、さらに好ましくは0.5:1〜1.0:1の範囲であり;
前記Si源が、湿式法シリカ、乾式法シリカ、及びコロイド状シリカの1種以上を含み;
前記構造指向剤が、ジエチルジメチルアンモニウム塩、好ましくは硫酸塩;硝酸塩;リン酸塩;酢酸塩;ハロゲン化物の1種以上、好ましくは塩化物及び臭化物の1種以上、さらに好ましくは塩化物;並びに水酸化物の1種以上を含み、さらに好ましくは前記構造指向剤が、ジエチルジメチルアンモニウム水酸化物を含み、さらに好ましくは、ジエチルジメチルアンモニウム水酸化物であり;
前記合成混合物の95〜100質量%、好ましくは98〜100質量%、さらに好ましくは99〜100質量%、さらに好ましくは99.5〜100質量%、さらに好ましくは99.9〜100質量%が、水、前記Si源、及び前記構造指向剤からなる、合成混合物。
前記合成混合物において、SiO2として計算される前記シリカ源に対する水のモル比(H2O:SiO2として定義される)が、3:1〜9:1の範囲、好ましくは4:1〜8:1の範囲、さらに好ましくは5:1〜7:1の範囲であり、且つSiO2として計算される前記Si源に対する前記構造指向剤のモル比(SDA:SiO2として定義される)が、0.3:1〜2:1の範囲、好ましくは0.4:1〜1.5:1の範囲、さらに好ましくは0.5:1〜1.0:1の範囲であり;
前記Si源が、湿式法シリカ、乾式法シリカ、及びコロイド状シリカの1種以上を含み;
前記構造指向剤が、ジエチルジメチルアンモニウム塩、好ましくは硫酸塩;硝酸塩;リン酸塩;酢酸塩;ハロゲン化物の1種以上、好ましくは塩化物及び臭化物の1種以上、さらに好ましくは塩化物;並びに水酸化物の1種以上を含み、さらに好ましくは前記構造指向剤が、ジエチルジメチルアンモニウム水酸化物を含み、さらに好ましくは、ジエチルジメチルアンモニウム水酸化物であり;
前記合成混合物の95〜100質量%、好ましくは98〜100質量%、さらに好ましくは99〜100質量%、さらに好ましくは99.5〜100質量%、さらに好ましくは99.9〜100質量%が、水、前記Si源、及び前記構造指向剤からなる、合成混合物。
本発明は、以下の実施例、比較例、及び参考例によって、さらに説明される。
[参考例1.1:XRDパターンの測定]
XRD回折パターンをCu−Kα1線(λ=1.54059オングストローム)を使用したSiemens D5000粉末回折計(powder diffractometer)を使用して測定した。ホウケイ酸ガラスキャピラリー(直径:0.3mm)を試料ホルダーとして使用した。前記回折計には、ゲルマニウム(111)一次モノクロメーター、及びBraun線形位置高感度検出器(Braun linear position sensitive detector)(2θ有効範囲(coverage)=6°)を装備した。実施例1では、構造を、ITQ−8のXRD粉末データとの比較、及びITQ−8のFTIRスペクトルとの比較によって解いた。RUB−56の構造は、FullProf 2Kプログラムを用いて精緻化した(refined)。
XRD回折パターンをCu−Kα1線(λ=1.54059オングストローム)を使用したSiemens D5000粉末回折計(powder diffractometer)を使用して測定した。ホウケイ酸ガラスキャピラリー(直径:0.3mm)を試料ホルダーとして使用した。前記回折計には、ゲルマニウム(111)一次モノクロメーター、及びBraun線形位置高感度検出器(Braun linear position sensitive detector)(2θ有効範囲(coverage)=6°)を装備した。実施例1では、構造を、ITQ−8のXRD粉末データとの比較、及びITQ−8のFTIRスペクトルとの比較によって解いた。RUB−56の構造は、FullProf 2Kプログラムを用いて精緻化した(refined)。
[参考例1.2:走査型電子顕微鏡]
SEM(走査型電子顕微鏡)写真(20kV(キロボルト)での二次電子(SE)写真)を、LEO−1530 Gemini電子顕微鏡を使用して作成した。試料は分析前に真空蒸着によって金でコーティングした。SEMは、結晶の形態(morphology)及び試料の均質性(homogeneity)の研究に使用した。
SEM(走査型電子顕微鏡)写真(20kV(キロボルト)での二次電子(SE)写真)を、LEO−1530 Gemini電子顕微鏡を使用して作成した。試料は分析前に真空蒸着によって金でコーティングした。SEMは、結晶の形態(morphology)及び試料の均質性(homogeneity)の研究に使用した。
[参考例1.3:(ATR)IRスペクトル]
(ATR)IRスペクトルを、Nicolet 6700 FT−IR分光計を使用して収集した。ATR−FTIRスペクトルを、Smart Orbit Diamond ATR unitを使用し、試料から、4cm-1の解像度で、400〜4000cm-1の間で取得した。
(ATR)IRスペクトルを、Nicolet 6700 FT−IR分光計を使用して収集した。ATR−FTIRスペクトルを、Smart Orbit Diamond ATR unitを使用し、試料から、4cm-1の解像度で、400〜4000cm-1の間で取得した。
[参考例1.4:29Si MAS NMRスペクトル]
29Si MAS NMRスペクトルは、標準のBruker MASプローブを使用し、79.493MHzで操作されるBruker ASX−400分光計を用い、約23℃で記録した。化学シフト異方性(chemical shift anisotropy)を平均化するため、試料を、マジック角(magic angle)で回転させた。テトラメチルシランを化学シフト基準(chemical shift reference)として使用した。
29Si MAS NMRスペクトルは、標準のBruker MASプローブを使用し、79.493MHzで操作されるBruker ASX−400分光計を用い、約23℃で記録した。化学シフト異方性(chemical shift anisotropy)を平均化するため、試料を、マジック角(magic angle)で回転させた。テトラメチルシランを化学シフト基準(chemical shift reference)として使用した。
パルス幅:4*10-6秒、リサイクル時間:60秒、回転速度:4kHz、スキャン数:224。
[参考例1.5:熱分析DTA及びTG]
熱分析DTA及びデータTGを、Baehr STA−503熱分析計を用いたDTA/TG同時測定を使用して収集した。前記試料を、合成空気中で30〜1000℃に、10K/分の加熱速度で加熱した。
熱分析DTA及びデータTGを、Baehr STA−503熱分析計を用いたDTA/TG同時測定を使用して収集した。前記試料を、合成空気中で30〜1000℃に、10K/分の加熱速度で加熱した。
[実施例1:本発明に従う層状ケイ酸塩の調製のためのプロトコル]
シリカゲル(11 質量%H2O;下記の通り合成された); 1.12g
ジエチルジメチルアンモ二ウム水酸化物(水溶液、20質量%%); 6.00g
シリカゲル(11 質量%H2O;下記の通り合成された); 1.12g
ジエチルジメチルアンモ二ウム水酸化物(水溶液、20質量%%); 6.00g
i)シリカゲル(11質量%H2O)の調製
溶液A:235.9mlのテトラエチルオルトケイ酸塩(Sigma)を363.9mlのエタノールと混合した。溶液B:0.09 gのNH4F(95質量%、Merck)を36 mlのH2Oに溶解した。続いて、溶液Bを溶液Aに、約23℃で滴加した。この混合物を、約23℃で24時間、静止条件下で維持し、さらに70℃で3日間加熱した後、110℃で1日間加熱し、最後に500℃で5日間加熱した含水ゲルを得た。結果として得られたシリカゲル(湿式法シリカ)を乳鉢中で、手で粉砕した後、開放ビーカー中で維持した。前記シリカゲルは、参考例1.1に従う粉末XRD、参考例1.5に従うDTA/TG、及び参考例1.4に従う29Si MAS NMRによって特徴付けられた。前記粉末XRDパターンは、23°の2θに中心がある非常に広いピークのみを示した。前記29Si MAS NMRは、それぞれ、近似的に15%:70%:15%の強度比で、−92.0ppm(Q2−型)、−102.3ppm(Q3−型)、−110.1ppm(Q4−型)の約3個の信号を示した。TGは、2段階:a)約23℃〜150℃の間(9%)、及びb)200℃〜800℃の範囲(2%)で、11%の総質量損失(H2Oの損失)が発生したことを示した。
溶液A:235.9mlのテトラエチルオルトケイ酸塩(Sigma)を363.9mlのエタノールと混合した。溶液B:0.09 gのNH4F(95質量%、Merck)を36 mlのH2Oに溶解した。続いて、溶液Bを溶液Aに、約23℃で滴加した。この混合物を、約23℃で24時間、静止条件下で維持し、さらに70℃で3日間加熱した後、110℃で1日間加熱し、最後に500℃で5日間加熱した含水ゲルを得た。結果として得られたシリカゲル(湿式法シリカ)を乳鉢中で、手で粉砕した後、開放ビーカー中で維持した。前記シリカゲルは、参考例1.1に従う粉末XRD、参考例1.5に従うDTA/TG、及び参考例1.4に従う29Si MAS NMRによって特徴付けられた。前記粉末XRDパターンは、23°の2θに中心がある非常に広いピークのみを示した。前記29Si MAS NMRは、それぞれ、近似的に15%:70%:15%の強度比で、−92.0ppm(Q2−型)、−102.3ppm(Q3−型)、−110.1ppm(Q4−型)の約3個の信号を示した。TGは、2段階:a)約23℃〜150℃の間(9%)、及びb)200℃〜800℃の範囲(2%)で、11%の総質量損失(H2Oの損失)が発生したことを示した。
ii)本発明に従う層状ケイ酸塩の調製
i)で調製した1.12gの前記シリカゲル(11質量%H2O)を、6.00gのジエチルジメチルアンモニウム水酸化物溶液に添加した。この混合物を、約23℃で一定時間(T1−下記表1参照)撹拌した。続いて、前記混合物を、真空オーブン中で、70℃、2kPa(20mbar)で一定時間(T2−下記表1参照)加熱した。この処理中、一定量の水(A1−下記表1参照)が前記混合物から除去された。次いで、結果として得られた混合物を、テフロン(登録商標)ライニング(Teflon-lined)鋼鉄製オートクレーブ中に充填し、その後、前記オートクレーブを静止条件下で、一定の温度で(X1−下記表1参照に加熱し、この温度で一定時間(T3−下記表1参照)維持した。圧力を解放し、約23℃に冷却した後、生成物を蒸留水で、洗浄水が200マイクロジーメンス未満の導電率を有するまで完全に洗浄した。このようにして得られた洗浄された生成物(RUB−56)を、遠心分離で分離し、空気中、約23℃で一晩乾燥した。結晶構造分析に従う単位格子当たりの本発明の材料の組成を、XRDデータ(前記データは、参考例1.1に記載される通り得られる)を考慮して決定した。単位格子当たりの本発明の物質の組成は、次の通りである:
(C6H16N)8[Si32O64(OH)8]*24 H2O
i)で調製した1.12gの前記シリカゲル(11質量%H2O)を、6.00gのジエチルジメチルアンモニウム水酸化物溶液に添加した。この混合物を、約23℃で一定時間(T1−下記表1参照)撹拌した。続いて、前記混合物を、真空オーブン中で、70℃、2kPa(20mbar)で一定時間(T2−下記表1参照)加熱した。この処理中、一定量の水(A1−下記表1参照)が前記混合物から除去された。次いで、結果として得られた混合物を、テフロン(登録商標)ライニング(Teflon-lined)鋼鉄製オートクレーブ中に充填し、その後、前記オートクレーブを静止条件下で、一定の温度で(X1−下記表1参照に加熱し、この温度で一定時間(T3−下記表1参照)維持した。圧力を解放し、約23℃に冷却した後、生成物を蒸留水で、洗浄水が200マイクロジーメンス未満の導電率を有するまで完全に洗浄した。このようにして得られた洗浄された生成物(RUB−56)を、遠心分離で分離し、空気中、約23℃で一晩乾燥した。結晶構造分析に従う単位格子当たりの本発明の材料の組成を、XRDデータ(前記データは、参考例1.1に記載される通り得られる)を考慮して決定した。単位格子当たりの本発明の物質の組成は、次の通りである:
(C6H16N)8[Si32O64(OH)8]*24 H2O
参考例1.1に記載される通り測定されたXRDパターンを、図1に示す。前記構造は、ITQ−8のXRD粉末データとの比較、及びITQ−8のFTIRスペクトルとの比較によって解いた。RUB−56の構造は、FullProf 2Kプログラムを用いて精緻化した。参考例1.3に記載された通り測定されたSEM写真を図2に示す。参考例1.4に記載された通り測定された(ATR)IRスペクトルを、図3に示す。参考例1.5に記載された通り測定された29Si MAS NMRスペクトルを、図4に示す。参考例1.6に記載された通り測定された熱分析DTA及びTGを、図5に示す。
[比較例1〜5:比較例のプロトコル]
比較例1〜5については、表1に要約された通り、次の変更をして、本発明の実施例で用いたものに基づいて、同様なプロトコルを使用した。表1に別段の指示がない限り、同様な材料及びその量は、(本発明の)実施例1の通りに使用した。
比較例1〜5については、表1に要約された通り、次の変更をして、本発明の実施例で用いたものに基づいて、同様なプロトコルを使用した。表1に別段の指示がない限り、同様な材料及びその量は、(本発明の)実施例1の通りに使用した。
表1から容易に理解されるように、比較例1は、低い合成温度が、水熱合成条件に使用される場合は、アモルファス物質が得られる。さらに、表1から、より高い水熱合成温度では、RUB−36が形成されることが理解される。最後に、長時間の水熱合成条件を使用した場合は、RUB−52と称される、別の生成物が得られた。
Claims (15)
- 0.15419nmの波長を有するCu−Kα1,2線で、15〜25℃の範囲の温度で測定されるとき、(5.3±0.2)°、(8.6±0.2)°、(9.8±0.2)°、(21.7±0.2)°及び(22.7±0.2)°の2θ値での反射を含むX線回折パターンを有する結晶性層状ケイ酸塩。
- 次の特徴:
・(475±5)cm-1、(526±5)cm-1、(587±5)cm-1、(609±5)cm-1、(628±5 )cm-1、(698±5)cm-1、(724±5)cm-1、(776±5)cm-1、(587±5)cm-1、(794±5)cm-1 、(809±5)cm-1、(837±5)cm-1に最大値を有する12個のピークを含むIRスペクトル、好ましくは、(1397±5)cm-1、(1421±5)cm-1、(1457 ±5)cm-1、(1464±5)cm-1、(1487±5)cm-1に最大値を有する5個のピークをさらに含むIRスペクトルを有する;
・(−99±2)ppm及び(−101±2)ppmにQ3−型の信号、並びに(−106±2)ppm及び(−108±2)ppmにQ4−型の信号を含む29Si MAS NMRスペクトル;
の1個以上を有する請求項1に記載の結晶性層状ケイ酸塩。 - 前記層状ケイ酸塩の95〜100質量%、好ましくは98〜100質量%、さらに好ましくは99〜100質量%、さらに好ましくは99.5〜100質量%、さらに好ましくは99.9〜100質量%が、Si、O、C、N及びHからなる請求項1又は2に記載の結晶性層状ケイ酸塩。
- 次の式(I):
(C6H16N)8[Si32O64(OH)8]*x H2O (I)、
[式中、xは8〜30の範囲、好ましくは16〜30の範囲であり、さらに好ましくはxが24である]
に従う単位格子を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の結晶性層状ケイ酸塩。 - 結晶性層状ケイ酸塩、好ましくは請求項1〜4のいずれか1項に従う結晶性層状ケイ酸塩を調製する方法であって、
(i)水、Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む構造指向剤を含む合成混合物を調製する工程;
(ii)(i)から得られる前記合成混合物を水熱合成条件にさらす工程であり、(i)から得られる前記合成混合物を110〜180℃の範囲の温度に加熱し、前記合成混合物を自生圧力下でこの範囲の温度で1〜6日間維持することを含み、前記結晶性層状ケイ酸塩を含む母液を得る工程;
を含む方法。 - 前記Si源が、湿式法シリカ、乾式法シリカ、及びコロイド状シリカの1種以上を含み、好ましくは湿式法シリカを含み、好ましくは前記構造指向剤が、ジエチルジメチルアンモニウム塩、好ましくは硫酸塩;硝酸塩;リン酸塩;酢酸塩;ハロゲン化物、好ましくは塩化物及び臭化物の1種以上、さらに好ましくは塩化物;並びに水酸化物の1種以上を含み、さらに好ましくは前記構造指向剤が、ジエチルジメチルアンモニウム水酸化物を含み、さらに好ましくは、ジエチルジメチルアンモニウム水酸化物である請求項5に記載の方法。
- (i)から得られ、(ii)に供される前記合成混合物において、SiO2として計算される前記Si源に対する前記構造指向剤のモル比(SDA:SiO2として定義される)が、0.3:1〜2:1の範囲、好ましくは0.4:1〜1.5:1の範囲、さらに好ましくは0.5:1〜1.0:1の範囲であり、好ましくは、(i)から得られ、(ii)に供される前記合成混合物において、SiO2として計算される前記Si源に対する水のモル比(H2O:SiO2として定義される)が、3:1〜9:1の範囲、好ましくは4:1〜8:1の範囲、さらに好ましくは5:1〜7:1の範囲である請求項5又は6に記載の方法。
- (i)で調製される前記合成混合物の95〜100質量%、好ましくは98〜100質量%、さらに好ましくは99〜100質量%、さらに好ましくは99.5〜100質量%、さらに好ましくは99.9〜100質量%が、水、前記Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む前記構造指向剤からなる請求項5〜7のいずれか1項に記載の方法。
- (i)に従って、前記合成混合物を調製する工程が、
(i.1)水、前記Si源、及びジエチルジメチルアンモニウム化合物を含む前記構造指向剤を含む混合物を、10〜40℃の範囲の前記混合物の温度で調製する工程;
(i.2)(i.1)で調製される前記混合物を、50〜120℃の範囲の温度に加熱し、前記混合物をこの範囲の温度で維持し、前記合成混合物を得る工程;
を含む請求項5〜8のいずれか1項に記載の方法。 - (i.2)に従って、前記混合物が、50〜100℃の範囲、好ましくは55〜90℃の範囲、さらに好ましくは60〜80℃の範囲の温度に加熱され、好ましくは、(i.2)に従って、前記混合物が、前記温度で、少なくとも45分の時間、好ましくは50〜160分の範囲、さらに好ましくは55〜120分の範囲、さらに好ましくは60〜90分の範囲の時間維持され、好ましくは、(i.2)に従って、前記混合物が、前記温度で、100kPa(1bar)未満、好ましくは最大50kPa(500mbar)、さらに好ましくは最大10kPa(100mbar)、さらに好ましくは最大5kPa(50mbar)の絶対圧力で維持される請求項9に記載の方法。
- (i.1)から得られ、(i.2)に供される前記混合物において、SiO2として計算される前記Si源に対する水のモル比(H2O:SiO2として定義される)が、4:1〜15:1の範囲、好ましくは5:1〜11:1の範囲、さらに好ましくは6:1〜8:1の範囲である請求項9又は10に記載の方法。
- (ii)に従って、前記合成混合物が、120〜170℃の範囲、好ましくは130〜160℃の範囲、さらに好ましくは135〜145℃の範囲の温度に加熱され、好ましくは、(ii)に従う前記水熱合成条件が、24〜120時間の範囲、好ましくは24〜96時間の範囲、さらに好ましくは24〜72時間の範囲の水熱合成時間を含む請求項5〜11のいずれか1項に記載の方法。
- (iii)好ましくは、(ii)から得られる前記母液を、好ましくは10〜50℃の範囲、さらに好ましくは20〜35℃の範囲の前記母液温度に冷却する工程;
(iv)(ii)又は(iii)から、好ましくは(iii)から得られる前記母液から結晶性層状ケイ酸塩を分離する工程であり、前記分離工程が、
(iv.1)(ii)又は(iii)から、好ましくは(iii)から得られる前記母液を、好ましくは遠心分離、ろ過、又は急速乾燥、好ましくは噴霧乾燥を含む、さらに好ましくは遠心分離を含む固液分離法に供する工程;
(iv.2)好ましくは、(iv.1)に従って前記母液から分離される前記結晶性層状ケイ酸塩を洗浄する工程;
(iv.3)(iv.1)又は(iv.2)、好ましくは(iv.2)から得られる前記結晶性層状ケイ酸塩を乾燥する工程;
を含む工程;
をさらに含む請求項5〜12のいずれか1項に記載の方法。 - 請求項5〜13のいずれか1項に記載の方法によって得られうる又は得られる、層状ケイ酸塩、好ましくは請求項1〜4のいずれか1項に従う前記層状ケイ酸塩。
- 請求項1〜4のいずれか1項、又は請求項14に記載の層状ケイ酸塩の、触媒活性物質として、触媒として、触媒を調製するための中間体として、又は触媒成分としての使用方法。
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Cited By (2)
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