JP2021513210A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【選択図】図4
Description
AlGaInP材料系のLEDの発光効率向上に基づく方法としては複数あるが、フリップチップ構造を採用することでLEDの輝度を大幅に向上させることができる。一方、フリップチップエピタキシャル構造におけるn面とp面の電流拡散能力の優劣は、LEDエピタキシャル構造の発光効率及び歩留まりに大きく影響する。図1に示されるように、このAlGaInPフリップチップ発光ダイオードは、電流拡散層、N型層、MQW発光層、及びP型層を有し、その電流拡散層は通常AlGaInP材料系を用いるが、AlGaInP系は、エピタキシャル工程において、温度窓が±10℃と小さく、しかもIn取り込み効率の制限により成長速度が温度依存性となり、成長速度が7Å/Sに達した時点で成長の限界に達してしまい、成長結晶の品質を制御することが困難であった。
従来のAlGaInP電流拡散層に対して、Al0.45Ga0.45Asの電流拡散層の成長温度窓は680±30℃であり、同じ厚さの成長時間は、従来から一般的に用いられている電流拡散層(Al0.6Ga0.4)0.5InPの成長時間に対して25分にまで短縮可能、エピタキシャル構造のプロセスは30%程度短縮出来る。MOCVDエピタキシャル成長過程においてPH3の消費量が大幅に減少し、メンテナンス時の安全率が向上し、著しくコストダウンすることができ、そしてAs源を節約できるMOCVDを採用すれば、生産コストをさらに低減できる。
実施例1のフリップチップ赤色発光ダイオードエピタキシャル構造を用いて、フリップチップ赤色発光ダイオードを得る方法として、具体的には以下のステップがある。前記エピタキシャル構造の窓層上に透明誘電層を設け、誘電層の表面に鏡面層を積層して全鏡面反射層を形成し、鏡面層の下に金属結合層を積層してボンディングし、表面に金属結合層を積層した永久基板を選択し、そして高温高圧ボンディング法により、永久基板をエピタキシャル構造にボンディングする。次に、エピタキシャル成長基板とバッファ層とエッチングストップ層を薄化、化学エッチングにより除去して接触層を露出させ、接触層上方に第1の電極を作製し、第1の電極以外の接触層をエッチングして電流拡散層を露出させ、電流拡散層を粗化処理して光射出面を形成し、そして永久基板裏面に裏面電極を作製して本発明のフリップチップ赤色発光ダイオードを得る。
実施例1と異なるのは、上記電流拡散層AlxGa1−xAs(0<x<1)のxが、0.45<x<0.65であることがより好ましい。xが0.65を超えると、前記電流拡散層が電圧の上昇を引き起こして、従来のチップ電圧範囲を超える0.23V以上となる。本実施例において、電流拡散層はAlxGa1−xAs(0<x<1)であることが好ましく、xは0.55であることが更に好ましく、実施例2で作製した工程により得られたチップのESD性能が23%向上した点である。
実施例1と異なるのは、前記電流拡散層はn型ドーピングであり、そのドーピング濃度は1E18〜2E18であり、この実施例は1E18であり、電流拡散層をエピタキシャル成長させる過程でシリコン源を用いてドーピングし、異なる濃度はシリコン源の流量によって制御でき、n型ドーピングによってn型層及び前記量子井戸発光層との接触抵抗をさらに低減させ、エピタキシャル構造の発熱を低減して電流を節約することができる点である。
図4及び図5は、本発明の実施例に基づくフリップチップ型AlGaInP系発光ダイオードの製造方法を示すフローチャートであり、主にステップS100〜S300が含まれている。また、ステップS100には、更にサブステップS110〜S130が含まれており、図6〜図11を参照して以下のように詳しく説明する。
図6に示されるように、まず、成長基板100を用意し、その上に第1の半導体層111、活性層112、第2の半導体層113、第3の半導体層114とを含むエピタキシャル構造を形成する。具体的には、以下の工程が含まれている。通常のGaAs基板である基板100を提供する。ちなみに、基板100はGaAsに限定されず、他の材料を用いても可能である。次に、液相エピタキシャル技術を用いて基板100上にAlGaAs材料層からなる第3の半導体層114を成長させる。この半導体層の厚さは30μm以上であり、50〜220μmであることが好ましく、その中のアルミニウム成分の含有量は20%〜95%であり、30%〜70%であることが好ましい。アルミニウム成分は、発光ダイオードの発光波長により確認することができる。次に、AlGaAs第3の半導体層上にMOCVD法により第2の半導体層113、活性層112及び第1の半導体層111を順次成長させる。1つの実施例において、第1の半導体層111はp型キャップ層及びp型窓層を含み、第2の半導体層はn型オーミック接触層、n型窓層、n型キャップ層などを含むことができる。なお、上記内容は単に構造層をいくつか列挙しただけであり、各層は必ずしも必要なものではなく、例えば、実際の必要に応じてn型窓層を省略したり、n型制限層、p型制限層、AlGaInP移行層等を追加してもよい。各層の役割及びパラメータについては、下記の表1を参照することができる。
まず、図6に示されるようにエピタキシャル構造の表面にn電極エリアとp電極エリアを定義する。
図11に示されるように、第3の半導体層114を支持して、基板100を除去し、第3の半導体層114の表面を露出させる。この除去は、レーザリフトオフ(LLO)、研削またはエッチングなど、様々な方法によって実現することができるが、特に成長した基板301の材料選択によって、示される特定の実施例において、基板100がGaAsから構成される場合、エッチングまたは研削と選択的エッチングとの組み合わせによって、エッチングストップ層上で選択的エッチングストップとともに除去する。
実施例4と異なるのは、エピタキシャル構造の第2の半導体層113にn型GaAsオーミック接触層を設けず、n型窓層をオーミック接触層として直接採用して、n電極122と直接に接触している点である。表2にこの実施例に適用可能なエピタキシャル構造が示されている。
実施例5と異なるのは、n型窓層はAlxGa1−xAsを用い、Al成分xは、0.45〜0.65であることが好ましく、例えば0.5であってもよい。従来のAlGaInP窓層に対して、成長速度限界を7Å/Sから40Å/Sまで高めて、成長速度を3倍以上に高めることができ、エピタキシャル構造の成長時間を30%以上短縮でき、プロセス時間を大幅に短縮でき、生産コストを低減でき、大量生産に有利である。同時に、AlGaAsの温度窓が(680℃±30℃)(680℃±30℃)増加し、エピタキシャル成長の品質をより容易に制御することができる。
実施例4と異なるのは、エピタキシャル構造の第2の半導体層113には、n型窓層を設けず、エピタキシャル積層のサイズが300μm×300μm以下であるミニ型発光ダイオードまたはマイクロ型発光ダイオードに適用することができる点である。
実施例4と異なるのは、図12に示されるように、第3の半導体層114は、図12に示すように、n型のドーピングを有し、その厚さは30〜100μmであり、n電極が第3の半導体層に直接に接触する点である。表3にこの実施例に適用可能なエピタキシャル構造が示されている。
実施例4と異なるのは、エピタキシャル構造の第1の半導体層はn型、第2の半導体層はp型であるという点である。具体的には、第1の半導体層111は、n型カバー層、n型窓層を含むことができ、第2の半導体層113は、p型カバー層、p型窓層を含むことができる。
101 バッファ層
102 エッチングストップ層
103 接触層
104 電流拡散層
105 N型層
106 発光層
107 P型層
108 窓層
111 第1の半導体層
112 活性層
113 第2の半導体層
114 第3の半導体層
121 p電極
122 n電極
131 延在電極
132 延在電極
140 絶縁保護層
Claims (36)
- 第1の半導体層、AlGaInP活性層、第2の半導体層、及び第3の半導体層を順次に含むエピタキシャル構造が形成された基板を提供し、該第3の半導体層はAlGaAsを材料として前記第1の半導体層より前記基板に接近する位置にあると共に厚さは30μm以上であるステップ(1)と、
前記エピタキシャル構造の前記基板から離れた側の表面に前記第1の半導体層に電気的に接続する第1の電極及び前記第2の半導体層に電気的に接続する第2の電極を作製するステップ(2)と、
前記基板を除去して前記第3の半導体層で該エピタキシャル積層を支持してその物理的安定性を確保するステップ(3)と、
が含まれることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 前記ステップ(1)には、
基板を提供するサブステップ(11)と、
液相エピタキシー技術を用いて前記基板上に前記第3の半導体層を成長させるサブステップ(12)と、
MOCVDエピタキシャル技術を用いて、該第3の半導体層上に、前記第2の半導体層と、前記活性層と、前記第1の半導体層を順次形成するサブステップ(13)と、が含まれることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。 - 前記ステップ(1)において形成された前記第3の半導体層の材料はAlGaAsであり、その中のアルミニウム成分の含有量は20%〜95%であることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記ステップ(1)において形成された前記第3の半導体層の厚さは30〜300μmであることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記ステップ(1)において形成されたエピタキシャル構造の第2の半導体層は、第2のタイプのカバー層と窓層とを含み、該窓層はAlGaAsまたはAlGaInPであり、前記ステップ(2)において形成される第2の電極は、前記窓層とオーミック接触を形成することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記ステップ(2)において、前記第2のタイプの窓層の表面に第2の電極を形成した後、加熱処理を行って前記第1の電極の金属原子を前記第2のタイプの窓層に拡散させて前記第2の電極を前記第2のタイプの窓層にオーミック接触させることを特徴とする請求項5に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記第2の電極は、単層または多層構造であり、前記窓層と直接に接する材料層がAuまたは金を含む合金であることを特徴とする請求項6に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記ステップ(1)において形成されるエピタキシャル構造は、第1のタイプのカバー層、活性層、第2のタイプのカバー層、オーミック接触層及び第3の半導体層を順次に含み、前記ステップ(2)において形成される第2の電極は、前記オーミック接触層に接触する、請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記ステップ(1)において形成されるエピタキシャル構造は、第1のタイプのカバー層、活性層、第2のタイプのカバー層及び第3の半導体層を順次に含み、前記ステップ(2)で形成される第2の電極は、第3の半導体層に接していることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記ステップ(2)は、前記第3の半導体層の表面に第2の電極を形成した後、前記第1の電極の金属原子が第3の半導体層内に拡散するように加熱処理を行い、当該第2の電極を第3の半導体層にオーミック接触させることを特徴とする請求項9に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記ステップ(2)において、前記エピタキシャル構造の前記第1の半導体、前記活性層及び前記第2の半導体層の一部をエッチングしてメサ又は窪みを形成し、該メサ又は窪みは前記第2の半導体層又は前記第3の半導体層の表面が露出するように前記第2の半導体層又は前記第3の半導体層までエッチングし、該メサ又は窪みに第2の電極を形成することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 前記ステップ(3)において、前記第3の半導体層を支持して前記基板を除去することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードの製造方法。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載の発光ダイオードの製造方法により作成された発光ダイオード。
- 第1の半導体層とAlGaInP活性層と第2の半導体層及び第3の半導体層を順次に含むエピタキシャル積層と、
前記エピタキシャル積層の同じ側に形成されて前記第1の半導体層に電気的に接続する第1の電極及び前記第2の半導体層に電気的に接続する第2の電極と、を備え、前記第3の半導体層の材料はAlGaAsとし、共に厚さは30μm以上であり、且つ前記エピタキシャル積層を支持してその物理的安定性を確保することを特徴とする発光ダイオード。 - 前記第3の半導体層の厚さは30〜300μmであることを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
- 前記第3の半導体層はAlGaAsであり、その中のアルミニウム成分の含有量は20%〜95%であることを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
- 前記活性層から発される光は、前記第3の半導体層の一側の面から射出されることを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
- 前記第1の半導体層の材料はAlGaAsと、AlGaInPと、AlInPと、GaPと、又は、それらの組み合わせにより作成されることを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の半導体層はAlGaAsと、AlGaInPと、AlInPと、GaPと、又は、それらの組み合わせにより作成されることを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の半導体層は、第2のタイプのカバー層と窓層とを含み、該窓層はAlGaAsまたはAlGaInPであり、前記第2の電極は、前記窓層とオーミック接触を形成することを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の電極は、単層または多層構造であり、前記窓層と直接に接する材料層がAuまたは金を含む合金であることを特徴とする請求項20に記載の発光ダイオード。
- 前記窓層と直接接する材料層の厚さは5〜20nmであることを特徴とする請求項21に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の電極は、前記第3の半導体層とオーミック接触を形成することを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
- 前記第2の電極は、単層または多層構造であり、前記窓層と直接接する材料層がAuまたは金を含む合金であることを特徴とする請求項23に記載の発光ダイオード。
- 前記エピタキシャル積層のサイズは300μm×300μm以下であり、前記第2の半導体層は、第2のタイプのカバー層と窓層とを有し、前記第2の電極は、前記窓層と接触することを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
- 前記エピタキシャル積層のサイズは300μm×300μm以下であり、前記第2の半導体層は、第2のタイプのカバー層とオーミック接触層とを有し、前記第2の電極は、前記オーミック接触層と接触することを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
- 前記エピタキシャル積層は、第1のタイプのカバー層、AlGaInP活性層、第2のタイプのカバー層、第2のタイプの窓層及び第3の半導体層を順次に含み、前記第2の電極は、前記第2のタイプの窓層に接していることを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
- 前記エピタキシャル積層は、第1のタイプの窓層、第1のタイプのカバー層、AlGaInP活性層、第2のタイプのカバー層、第2のタイプの窓層と、
オーミック接触層及び第3の半導体層を順次に含み、前記第2の電極は、前記オーミック接触層に接していることを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。 - 前記第1の電極と接触し且つ面積が前記第1の電極より広い第1の金属層と、前記第2の電極と接触し且つ面積が前記第2の電極より広い第2の金属層と、を更に有することを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオード。
- 前記第1の金属層及び第2の金属層を反射層とすることを特徴とする請求項29に記載の発光ダイオード。
- 複数の発光ダイオードを備え、該複数の発光ダイオードにおける少なくとも1つが、
第1の半導体層とAlGaInP活性層と第2の半導体層及び第3の半導体層を順次に含むエピタキシャル積層と、
前記エピタキシャル積層の同じ側に形成されて前記第1のタイプの半導体層に電気的に接続する第1の電極及び前記第2タイプの半導体層に電気的に接続する第2の電極と、を備え、前記第3の半導体層の材料はAlGaAsであると共に厚さは30μm以上であり、且つ前記エピタキシャル積層を支持してその物理的安定性を確保する発光ダイオードであることを特徴とする発光装置。 - 前記第3の半導体層のアルミニウム成分は20%〜95%であることを特徴とする請求項31に記載の発光装置。
- 前記第3の半導体層の厚さは30〜300μmであることを特徴とする請求項31に記載の発光装置。
- 前記エピタキシャル積層のサイズは300μm×300μm以下であり、前記第2の半導体層は、第2のタイプのカバー層と窓層とを有し、前記第2の電極は、前記窓層と接触することを特徴とする請求項31に記載の発光装置。
- 前記エピタキシャル積層のサイズは300μm×300μm以下であり、前記第2の半導体層は、第2のタイプのカバー層とオーミック接触層とを有し、前記第2の電極は、前記オーミック接触層と接触することを特徴とする請求項31に記載の発光装置。
- 前記エピタキシャル積層のサイズは100μm×100μm以下であり、前記第2の半導体層は、第2のタイプの制限層、カバー層、窓層とオーミック接触層とを有し、前記第2の電極は、前記オーミック接触層と接触することを特徴とする請求項31に記載の発光装置。
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