JP2017126720A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
少なくとも前記第一半導体層と前記活性層が除去された除去部と、該除去部以外の非除去部と、該非除去部の前記第一半導体層上に設けられた第一オーミック電極と、前記除去部の前記第二半導体層上または前記第二半導体層に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極とを有し、
前記窓層兼支持基板と前記発光部とがSiO2膜を介して接合されたものであることを特徴とする発光素子を提供する。
前記接合工程において、SiO2膜を介して前記窓層兼支持基板を前記発光部と接合することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
上記したように、基板が発光素子から発する光を吸収する材料である発光素子ウェハを窓層兼支持基板に接合後、基板を除去する工程を有する発光素子及びその製造方法において、従来の方法では接合不良が生じやすく、歩留まりを上げることが困難であった。
図1に本発明の発光素子の第一の実施形態を示した。図1に示すように、本発明の第一の実施形態における発光素子100は、窓層兼支持基板110と、窓層兼支持基板110上に設けられ、第二導電型の第二半導体層105と活性層104と第一導電型の第一半導体層103とをこの順に含む発光部108とを有している。また、少なくとも第一半導体層103及び活性層104が除去された除去部180と、該除去部180以外の非除去部181とを有している。そして、非除去部181の第一半導体層103上に設けられた第一オーミック電極150と、除去部180の第二半導体層105上または緩衝層106及び電流伝播層107等の第二半導体層105に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極151とを有している。また、窓層兼支持基板110と発光部108とがSiO2膜122を介して接合されたものである。
図3に本発明の発光素子の第二の実施形態を示した。図3に示すように、本発明の第二の実施形態における発光素子200は、窓層兼支持基板210と、窓層兼支持基板210上に設けられ、第二導電型の第二半導体層205と活性層204と第一導電型の第一半導体層203とをこの順に含む発光部208とを有している。また、少なくとも第一半導体層203及び活性層204が除去された除去部280と、該除去部280以外の非除去部281とを有している。そして、非除去部281の第一半導体層203上に設けられた第一オーミック電極250と、除去部280の第二半導体層205上または緩衝層206及び電流伝播層207等の第二半導体層205に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極251とを有している。また、窓層兼支持基板210と発光部208とがSiO2膜222を介して接合されたものである。
図5に本発明の発光素子の第三の実施形態を示した。図5に示すように、本発明の第三の実施形態における発光素子300は、窓層兼支持基板310と、窓層兼支持基板310上に設けられ、第二導電型の第二半導体層305と活性層304と第一導電型の第一半導体層303とをこの順に含む発光部308とを有している。また、少なくとも第一半導体層303及び活性層304が除去された除去部380と、該除去部380以外の非除去部381とを有している。そして、非除去部381の第一半導体層303上に設けられた第一オーミック電極350と、除去部380の第二半導体層305上または緩衝層306及び電流伝播層307等の第二半導体層305に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極351とを有している。また、窓層兼支持基板310と発光部308とがSiO2膜322を介して接合されたものである。
図7に本発明の発光素子の第四の実施形態を示した。図7に示すように、本発明の第四の実施形態における発光素子400は、窓層兼支持基板410と、窓層兼支持基板410上に設けられ、第二導電型の第二半導体層405と活性層404と第一導電型の第一半導体層403とをこの順に含む発光部408とを有している。また、少なくとも第一半導体層403及び活性層404が除去された除去部480と、該除去部480以外の非除去部481とを有している。そして、非除去部481の第一半導体層403上に設けられた第一オーミック電極450と、除去部480の第二半導体層405上または緩衝層406及び電流伝播層407等の第二半導体層405に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極451とを有している。また、窓層兼支持基板410と発光部408とがSiO2膜422を介して接合されたものである。
図9に本発明の発光素子の第五の実施形態を示した。図9に示すように、本発明の第五の実施形態における発光素子500は、窓層兼支持基板510と、窓層兼支持基板510上に設けられ、第二導電型の第二半導体層505と活性層504と第一導電型の第一半導体層503とをこの順に含む発光部508とを有している。また、少なくとも第一半導体層503及び活性層504が除去された除去部580と、該除去部580以外の非除去部581とを有している。そして、非除去部581の第一半導体層503上に設けられた第一オーミック電極550と、除去部580の第二半導体層505上または緩衝層506及び電流伝播層507等の第二半導体層505に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極551とを有している。また、窓層兼支持基板510と発光部508とがSiO2膜522を介して接合されたものである。
本発明の第一の実施形態による発光素子の製造方法により、図1に示すような本発明の第一の実施形態による発光素子100を10000個製造した。
本発明の第二の実施形態による発光素子の製造方法により、図3に示すような本発明の第二の実施形態による発光素子200を10000個製造した。
本発明の第三の実施形態による発光素子の製造方法により、図5に示すような本発明の第三の実施形態による発光素子300を10000個製造した。
本発明の第四の実施形態による発光素子の製造方法により、図7に示すような本発明の第四の実施形態による発光素子400を10000個製造した。
本発明の第五の実施形態による発光素子の製造方法により、図9に示すような本発明の第五の実施形態による発光素子500を10000個製造した。
図11に示すような発光素子600を10000個製造した。具体的には、実施例3における第一及び第二のSiO2膜の代わりに、第一及び第二のSiNx膜620、621を用いた点を除き、実施例3と同じ構造とした。
101、201、301、401、501…基板、
102、202、302、402、502…選択エッチング層、
102A、202A、302A、402A、502A…第一の選択エッチング層、
102B、202B、302B、402B、502B…第二の選択エッチング層、
103、203、303、403、503…第一半導体層、
104、204、304、404、504…活性層、
105、205、305、405、505…第二半導体層、
106、206、306、406、506…緩衝層、
107、207、307、407、507…電流伝播層、
108、208、308、408、508…発光部、
109、209、309、409、509…エピタキシャル基板、
110、210、310、410、510…窓層兼支持基板、
120、220、320、420、520…第一のSiO2膜、
121、221、321、421、521…第二のSiO2膜、
122、222、322、422、522…SiO2膜
130、230、330、430、530…第一接合基板、
131、231、331、431、531…第二接合基板、
140、240、340、440、540…接合基板、
150、250、350、450、550…第一オーミック電極、
151、251、351、451、551…第二オーミック電極、
160、260、360、460、560…第一の領域、
161、261、361、461、561…第二の領域、
170、270、370、470、570…誘電体膜、
180、280、380、480、580…除去部、
181、281、381、481、581…非除去部、
211、411…第一透明導電膜層、 212、412…コンタクト層、
325、425、525…接着剤、 512…金属パターン層。
前記接合工程において、SiO2膜を介して前記窓層兼支持基板を前記発光部と接合することを特徴とする発光素子の製造方法を提供する。
Claims (6)
- 窓層兼支持基板と、該窓層兼支持基板上に設けられ、第二導電型の第二半導体層と活性層と第一導電型の第一半導体層とをこの順に含む発光部とを有する発光素子において、
少なくとも前記第一半導体層と前記活性層が除去された除去部と、該除去部以外の非除去部と、該非除去部の前記第一半導体層上に設けられた第一オーミック電極と、前記除去部の前記第二半導体層上または前記第二半導体層に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に設けられた第二オーミック電極とを有し、
前記窓層兼支持基板と前記発光部とがSiO2膜を介して接合されたものであることを特徴とする発光素子。 - 前記SiO2膜は、前記発光部側に設けられた第一のSiO2膜と、前記窓層兼支持基板側に設けられた第二のSiO2膜とを有し、前記第一のSiO2膜と第二のSiO2膜とが直接接合されたものであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記SiO2膜は、前記発光部側に設けられた第一のSiO2膜と、前記窓層兼支持基板側に設けられた第二のSiO2膜とを有し、前記第一のSiO2膜と第二のSiO2膜とが接着剤を介して接合されたものであることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 基板上に、該基板と格子整合系の材料で少なくとも第一半導体層、活性層、第二半導体層を順次エピタキシャル成長により発光部を形成する工程と、窓層兼支持基板を前記発光部と接合する接合工程と、前記基板を除去する工程と、前記第一半導体層表面に第一オーミック電極を形成する工程と、少なくとも前記第一半導体層と前記活性層を除去して除去部を形成する除去工程と、前記除去部の記第二半導体層または前記第二半導体層に電気的に接続した第二導電型の半導体層上に第二オーミック電極を形成する工程からなる発光素子の製造方法において、
前記接合工程において、SiO2膜を介して前記窓層兼支持基板を前記発光部と接合することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記接合工程において、前記発光部上に形成した第一のSiO2膜と、前記窓層兼支持基板上に形成した第二のSiO2膜とを直接接合することを特徴とする請求項4に記載の発光素子の製造方法。
- 前記接合工程において、前記発光部上に形成した第一のSiO2膜と、前記窓層兼支持基板上に形成した第二のSiO2膜とを接着剤を介して接合することを特徴とする請求項4に記載の発光素子の製造方法。
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