JP2021500226A - 噴霧乾燥メタセシス触媒の製造方法およびその使用 - Google Patents
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Abstract
シリカ担体上に酸化タングステンを含有し、タングステン前駆体、シリカ担体、および界面活性剤を含有する混合物を噴霧乾燥することによって調製される触媒組成物が提供される。また、ブテンからプロピレンを製造するオレフィンメタセシスプロセスにおいて、噴霧乾燥することによって調製された触媒組成物の使用方法も提供される。
Description
本開示はオレフィンメタセシスのための噴霧乾燥触媒の製造方法および使用方法に関し、また、これらの噴霧乾燥触媒を使用するオレフィンメタセシスのためのシステムを記載する。
近年、ポリプロピレン、アセトン、酸化プロピレン、グリコール、クメン、アクリロニトリル、アクリル酸に対する商業的需要が高まっている。世界で生産されるプロピレンの大部分は、水蒸気分解装置および流動接触分解装置の副産物である。プロピレン誘導体の需要がこれまでにないほど増加し、水蒸気分解装置の供給原料がナフサからエタンに変化したことにより、需給動態が変化し、供給ギャップが生じ、目的に合ったプロピレン製造技術の開発につながった。オレフィンメタセシスは、低価値ブテンの組成プールを高価値プロピレンにシフトさせる目的に合ったプロピレン製造技術である。エチレンを扱いながらの、ブテン、特に2−ブテンのメタセシスは、困難なプロセスである。さらなる課題には、ブテンのセルフメタセシスおよびクロスメタセシス反応において共産生されるペンテンおよびヘキセンのような副産物の産生を維持または減少させること、およびブテン原料からのプロピレン製造量を増加させることが含まれる。
オレフィンメタセシス法におけるいくつかの欠点が本発明者らによって認識され、本開示の様々な実施形態は、当技術分野におけるこれらの欠点に対処するために開発された。特定の実施形態は、シリカ担体上に噴霧乾燥酸化タングステンを含有する触媒組成物を含む。噴霧乾燥メタセシス触媒の調製方法も開示される。
噴霧乾燥メタセシス触媒の調製のためのそうした方法の1つは、タングステン前駆体を界面活性剤と組み合わせて第1の混合物を生成する工程と、第1の混合物を、一定の撹拌条件下でシリカ担体を含有する第2の混合物と接触させて、シリカ担体上に担持されたタングステン前駆体を含有する第3の混合物を生成する工程と、第3の混合物を噴霧乾燥プロセスに供して、噴霧乾燥メタセシス触媒を得る工程とを含む。特定の実施形態において、噴霧乾燥プロセスは、摂氏250度(℃)から300℃の範囲の温度で第3の混合物を噴霧乾燥機に供給することを含むことができる。シリカ担体は、予備成形シリカ粒子を含むことができる。界面活性剤は、ポリ(エチレングリコール)−ブロック−ポリ(プロピレングリコール)−ブロック−ポリ(エチレングリコール)コポリマーであり得る。タングステン前駆体は、メタタングステン酸アンモニウムまたはパラタングステン酸アンモニウムとすることができる。噴霧乾燥メタセシス触媒のシリカ担体に担持される酸化タングステンの量は、2〜25重量パーセント(wt%)の範囲であり得る。特定の実施形態では、噴霧乾燥メタセシス触媒のシリカ担体に担持される酸化タングステンの量が6〜15重量パーセントの範囲であり得る。特定の実施形態では、噴霧乾燥メタセシス触媒のシリカ担体上に担持される酸化タングステンの量が約6重量パーセントである。
特定の実施形態は、噴霧乾燥メタセシス触媒を使用するプロピレンの製造方法を含む。プロピレンの製造のためのそうした方法の1つは、メタセシス反応条件下でブテンを含有する炭化水素供給原料をシリカ担体上に酸化タングステンを含有する触媒と接触させてプロピレンを含有する生成物流を生成させる工程と、次いで生成物流を分別してプロピレンリッチ流を生成する工程を含む。この触媒は、噴霧乾燥プロセスによって調製されている。噴霧乾燥プロセスは、界面活性剤の存在下でシリカ担体をタングステン前駆体と接触させる工程を含むことができる。シリカ担体は、予備成形シリカ粒子を含むことができる。界面活性剤は、ポリ(エチレングリコール)−ブロック−ポリ(プロピレングリコール)−ブロック−ポリ(エチレングリコール)コポリマーであり得る。タングステン前駆体は、メタタングステン酸アンモニウムまたはパラタングステン酸アンモニウムとすることができる。噴霧乾燥メタセシス触媒のシリカ担体上に担持される酸化タングステンの量は、2〜25重量%の範囲であり得る。他の実施形態では、噴霧乾燥メタセシス触媒のシリカ担体上に担持される酸化タングステンの量が6〜15重量%の範囲であり得る。他の実施形態では、噴霧乾燥メタセシス触媒のシリカ担体上に担持される酸化タングステンの量が約6重量%である。炭化水素供給原料は2−ブテンを含有する。特定の実施形態では、シリカ担体触媒組成物上の酸化タングステンは、炭化水素供給原料と接触させる前に窒素ガスに暴露することによって前処理される。
本開示の多数の他の態様、特徴、および利点は、図面と一緒に解釈される以下の詳細な説明から明らかにされ得る。本方法は、所望の目標に応じて、他の工程または追加の構成要素を含むことができる。
実施形態は、添付の図面と併せて以下の詳細な説明によって容易に理解されるであろう。本開示は他の有効な実施形態も含むことができるので、実施形態は添付の図面において、限定としてではなく、例として示される。
本開示は、噴霧乾燥メタセシス触媒の種々の組成物およびこれらの組成物の調製方法、ならびにブテンをプロピレンに変換するためのこれらの組成物の使用方法を記載する。以下の説明では、様々な実施形態の完全な理解を提供するために、多数の詳細が記載される。他の例では、様々な実施形態を不必要に曖昧にしないために、周知のプロセス、機器、およびシステムは特に詳細に説明されていないことがある。さらに、様々な実施形態の例示は様々な実施形態を不明瞭にしないために、特定の特徴または詳細を省略してもよい。
以下の詳細な説明では、本開示の一部を生成する添付の図面を参照する。図面は、本開の主題が実施され得る様々な実施形態のいくつかの例示を提供する。本開示の範囲から逸脱することなく、他の実施形態を利用することができ、論理的変更を行うことができる。本明細書では「特定の実施形態において(in certain embodiments)」、「様々な実施形態において(in various embodiments)」、「一実施形態において(in an embodiment)」、または「実施形態において(in embodiments)」という語句を使用することができ、これらの語句はそれぞれ、同一または異なる実施形態のうちの1つまたは複数を指すことができる。さらに、本開示の実施形態に関して使用される「含む(comprising)」、「含む(including)」、「有する(having)」、「含む(containing)」などの語句は同義語である。用語「約(about)」または「およそ(approximately)」は当業者によって決定される特定の値の許容誤差範囲内であり、これは値がどのように測定または決定されるか、すなわち測定システムの制限に部分的に依存する。例えば、組成物の組成または反応条件または物理特性に関する「約(about)」は20%まで、好ましくは10%まで、より好ましくは5%までの範囲のプラスマイナスを意味することができる。
実施形態は、噴霧乾燥メタセシス触媒の調製方法を含む。そうした方法の1つは、タングステン前駆体を界面活性剤と組み合わせて第1の混合物を生成することと、第1の混合物を、一定の撹拌条件下でシリカ担体を含有する第2の混合物と接触させて、シリカ担体上に担持されたタングステン前駆体を含有する第3の混合物を生成することと、第3の混合物を噴霧乾燥プロセスに供して、噴霧乾燥メタセシス触媒を得ることと、を含む。噴霧乾燥プロセスは、第3の混合物を250℃から300℃の範囲の温度で噴霧乾燥機に供給することを含むことができる。予備成形シリカ粒子は、触媒組成物を調製するためのシリカ担体として使用することができる。特定の実施形態では、界面活性剤が対称トリブロックコポリマーである。界面活性剤は、ポリ(エチレングリコール)−ブロック−ポリ(プロピレングリコール)−ブロック−ポリ(エチレングリコール)コポリマーであり得る。タングステン前駆体は、メタタングステン酸アンモニウムまたはパラタングステン酸アンモニウムとすることができる。他のタングステン前駆体は、ここに述べた熱条件の下で、適当なポリタングステン(WOx)種に変換される限り使用できる。噴霧乾燥メタセシス触媒のシリカ担体上に担持される酸化タングステンの量は、約2〜25重量パーセントの範囲であり得る。特定の実施形態では、噴霧乾燥メタセシス触媒のシリカ担体に担持される酸化タングステンの量は、約6〜15重量パーセントの範囲であり得る。特定の実施形態では、噴霧乾燥メタセシス触媒のシリカ担体上に担持される酸化タングステンの量は、約6重量パーセントである。
実施形態はまた、ブテンのメタセシスによるプロピレンの製造方法を含む。そうした方法の1つは、ブテンを含有する炭化水素供給原料をメタセシス反応条件下でシリカ担体上の酸化タングステンを含有する触媒と接触させてプロピレンを含有する生成物流を生成させ、次いで生成物流を分別してプロピレンリッチ流を生成することを含む。この方法のための触媒は、噴霧乾燥プロセスによって調製される。特定の実施形態では、触媒を炭化水素供給原料と接触させる前に窒素ガスに暴露することによって前処理される。炭化水素供給原料は、少なくとも約85重量パーセントのブテンを含む。特定の実施形態では、炭化水素供給原料は2−ブテンを含有する。特定の実施形態では、炭化水素供給原料は1−ブテンを含有する。特定の実施形態では、炭化水素供給原料が1−ブテンおよび2−ブテンを含有する。特定の実施形態では、供給原料がシス−およびトランス−2−ブテンの50:50混合物を含有する。特定の実施形態では、供給原料中のブテンがほぼ完全にプロピレンに変換される。特定の実施形態では、予備成形シリカ粒子がシリカ担体として使用される。噴霧乾燥プロセスは、界面活性剤の存在下でシリカ担体をタングステン前駆体と接触させることを含む。特定の実施形態では、界面活性剤が対称トリブロックコポリマーである。界面活性剤は、ポリ(エチレングリコール)−ブロック−ポリ(プロピレングリコール)−ブロック−ポリ(エチレングリコール)コポリマーであり得る。タングステン前駆体は、メタタングステン酸アンモニウムまたはパラタングステン酸アンモニウムを含有することができる。噴霧乾燥メタセシス触媒のシリカ担体上に担持される酸化タングステンの量は、約2〜25重量パーセントの範囲であり得る。特定の実施形態では、噴霧乾燥メタセシス触媒のシリカ担体に担持される酸化タングステンの量は、約6〜15重量パーセントの範囲であり得る。特定の実施形態では、噴霧乾燥メタセシス触媒のシリカ担体上に担持される酸化タングステンの量は、約6重量パーセントである。
本開示で使用されるように、「反応器(reactor)」は、任意の1つまたは複数の触媒の存在下で、1つまたは複数の反応物間で1つまたは複数の化学反応が起こり得る容器を指す。例えば、反応器は、バッチ反応器、連続流通反応器、連続撹拌タンク反応器、またはプラグ流反応器として動作するように構成されたタンクまたは管状反応器を含んでもよい。反応器の例には、固定床反応器および流動床反応器などの充填床反応器が含まれる。反応器は、触媒床などの1つまたは複数の触媒ゾーンを含むことができる。ゾーンは反応器の作業容積の全体または一部であり、触媒ゾーンは、触媒を含むように構成される。反応器は複数のゾーンを有することができ、したがって、反応器は、複数の触媒を有することができる。いくつかの実施形態では、触媒が均質で、混ざり合わないように、触媒は別々の画定されたゾーンに配置される。別の実施形態では、成分および反応の分離が反応性分離ユニットにおいて行われてもよい。
本開示で使用されるように、「触媒(catalyst)」は、特定の化学反応の速度を増加させるか、または反応における特定の生成物の選択的生成を増加させるか、またはその両方である物質を指す。本開示に記載される触媒は、メタセシス反応、クラッキング反応、メタセシス反応およびクラッキング反応の両方、または異性化反応のような(ただし、これらに限定されない)様々な反応を促進するために利用されてもよい。例えば、本開示に記載される触媒組成物が高温で利用される場合、ブテン異性化反応、例えば2−ブテンの1−ブテンへの変換、またはその逆が起こり得る。これらの異性化反応は、供給原料を種々のC4化合物、例えば1−ブテンおよびイソブテンに変換する反応の一部であり得る。本開示で使用されるように、「メタセシス触媒(metathesis catalyst)」はメタセシス反応の速度を増加させるか、またはメタセシス反応の選択的生成物の生成を増加させるか、またはその両方である。本開示で使用されるように、「メタセシス(metathesis)」は一般に、アルケンの断片がアルケン結合の切断および再生によって再分配される化学反応を指す。例えば、ブテンメタセシス反応は、適切な触媒の存在下で反応してプロペンまたはプロピレンを製造する2つのブテン分子を含む。副反応の結果として生成される他の化合物は、エチレン、ペンテン、およびヘキセンである。
クロスメタセシス反応:1−ブテン+2−ブテン ⇔ プロピレン+2−ペンテン
セルフメタセシス反応:1−ブテン+1−ブテン ⇔ エチレン+3−ヘキセン
クロスメタセシス反応:1−ブテン+2−ブテン ⇔ プロピレン+2−ペンテン
セルフメタセシス反応:1−ブテン+1−ブテン ⇔ エチレン+3−ヘキセン
システムの特定の実施形態は、1−ブテンを含有する原料のメタセシスのために二重床触媒システムを利用することを含む。システムの特定の実施形態は、2−ブテンを含有する原料のメタセシスのために二重床触媒システムを利用することを含む。特定の実施形態では、原料がシス−およびトランス−2−ブテンの50:50混合物を含有する。二重床触媒システムでは、触媒ゾーンの上流床が2−ブテンからプロピレンへのメタセシスを行うメタセシス触媒を含有する。触媒ゾーンの上流床におけるメタセシス触媒は、噴霧乾燥法によって調製された、シリカ担体上の酸化タングステン(WO3/SiO2)を含む触媒組成物であり得る。触媒ゾーンの下流床は、副生成物、すなわちペンテンおよびヘキセンを変換してより多くのプロピレンを生成する分解触媒を含有する。
当技術分野におけるメタセシス触媒は、湿潤含浸および初期湿潤含浸のような従来の方法によって合成される。開発され、試験されてきた多くのメタセシス触媒は、ゼオライト担体上に担持されたレニウムおよびモリブデンベースの触媒、またはシリカ、アルミナ、または両方の組み合わせを含む。シリカ上に担持された酸化モリブデンを含有する触媒組成物において、触媒の表面上の酸化モリブデンの表面被覆率が増加すると、表面金属酸化物分子は、「歪み(strained)」配置に固定され、反応性が増加することが示されている。シリカ上の酸化タングステンはその安定性、寿命、並びに原料中に存在し得る毒および汚染物質に対する不感受性のために、工業的に好ましい触媒のままである。ここで説明するメタセシス触媒の実施形態は、界面活性剤の存在下で調製される、シリカ上に担持される触媒酸化タングステン種を含み、ここではWOx/SiO2と表す。
噴霧乾燥機を用いてWOx/SiO2メタセシス触媒を調製する方法をここに開示する。そうした方法の1つは、ブテンからプロピレンへのメタセシス反応のための活性部位を提供するための所望の特性を有する予備成形シリカ、およびタングステン触媒の分散を増強するためのポリマー界面活性剤を使用して触媒を合成する工程を含む。特定の実施形態において、界面活性剤は、ポリ(エチレングリコール)−ブロック−ポリ(プロピレングリコール)−ブロック−ポリ(エチレングリコール)(PEG−PPG−PEG)コポリマーである、Pluronic(登録商標)P123界面活性剤(アメリカ合衆国ニュージャージー州フロラムパークに本社を置くBASF Corporationから入手可能)のような対称トリブロックコポリマーである。トリブロックコポリマー、PEG−PPG−PEGはポリ(エチレンオキシド)(PEO)およびポリ(プロピレンオキシド)(PPO)コポリマーを構成し、288ケルビンを超える温度で疎水性を示し、288ケルビン未満の温度で水への溶解性を示す。この二つの特徴は、PEO−PPO−PEOトリブロックコポリマーからなるミセルの生成をもたらす。Pluronic(登録商標)P123界面活性剤は、中国・上海の復旦大学で初めて合成された材料の種類、FDU−14をはじめとするメソポーラス材料の合成に使用されている。溶解したPluronic(登録商標)P123界面活性剤は、SBA−15のような構造メソポーラスシリカを作るバックボーンとして使用されるミセルを生成する。対照的に、ここで開示されているのは、シリカ担体上の酸化タングステンの沈着を促進するためのトリブロックコポリマーの使用である。従来の合成では、界面活性剤を金属前駆体に添加し、この混合物に熱処理を施す。金属前駆体は分解して金属酸化物を生成する。ここで開示された方法および組成物において、界面活性剤はシリカ担体(例えば、CARiACT(登録商標)シリカ)とタングステン前駆体との混合を高めるために使用され、また熱処理時にシリカ担体上の酸化タングステンの散らばりを改善するために使用された。界面活性剤がイオン性であるか、カチオン性であるか、または非イオン性であるかといった界面活性剤特性は、ポリマー界面活性剤の有効性において役割を果たす。トリブロックコポリマーの使用は、WOx/SiO2触媒組成物の容易で信頼性のある大規模な調製法を可能にする。これらの方法はまた、不活性な担体の表面上の酸化タングステンの均一な分散を提供する。トリブロックコポリマーはまた、タングステン前駆体とSiO2混合物の混合をさらに高めた。タングステン前駆体およびSiO2混合物を長い時間混合し、均一な混合物を生成した。特定の実施形態では、長い混合時間は3日間であった。
ここに開示されたWOx/SiO2触媒組成物は、シリカ担体の表面上にWOxの均一な分布を示す。均一な分布は金属酸化物粒子間の横方向の相互作用を低減し、結晶生成を低減する。タングステン結晶は、メタセシスに対して不活性であることが知られている。さらに、噴霧乾燥によって合成された触媒は大きな安定性(特に、より低い金属担持量およびより低い動作温度で)を示し、初期湿潤含浸および湿潤含浸技術などの従来の合成アプローチを使用して作製された触媒と比較した場合、プロピレンに対して有意な選択性を有することが示された。
以下は、本開示において参照される3つの式である。これらの式は、変換Xi、変換C4、および選択性を定義する。
[式I]
ここでXiは、2−ブテン(cisおよびtrans)の変換率であり、
および
は、反応器に入り(in)、または反応器を出る(out)2−ブテン(cisとtrans)のモル数である。本特許で報告されている変換率の値は、シス−およびトランス−2−ブテンを合わせた変換率である。
[式II]
変換率C4=100−(シスブテン収率+トランスブテン収率+イソブテン収率+1−ブテン収率)
[式III]
[式I]
ここでXiは、2−ブテン(cisおよびtrans)の変換率であり、
および
は、反応器に入り(in)、または反応器を出る(out)2−ブテン(cisとtrans)のモル数である。本特許で報告されている変換率の値は、シス−およびトランス−2−ブテンを合わせた変換率である。
[式II]
変換率C4=100−(シスブテン収率+トランスブテン収率+イソブテン収率+1−ブテン収率)
[式III]
合成方法の実施形態は、C4流の触媒変換のためのメタセシス触媒を調製するために噴霧乾燥機を利用することを含む。一実施形態では、WOx/SiO2触媒が2−ブテン(主としてシス−およびトランス−2−ブテン)を含む原料からプロピレンを製造するために使用される。一実施形態では、WOx/SiO2触媒組成物は、1−ブテンと2−ブテンとの混合物を含む原料からプロピレンを製造するために使用される。特定の実施形態では、触媒組成物は、Pluronic(登録商標)P123などのトリブロックコポリマー界面活性剤の存在下でシリカ担体上に酸化タングステンを分布すること、および噴霧乾燥機を使用することによって合成される。
触媒組成物の調製は、高められたメタセシス性能を示すWOx/SiO2触媒をもたらす。噴霧乾燥したWOx/SiO2組成物の触媒活性を固定床反応器中で評価し、その性能を従来の合成法により調製した他のメタセシス触媒と比較した。噴霧乾燥された触媒は高活性で安定であり、湿潤含浸法および初期湿潤含浸法を用いて調製された触媒よりも優れた性能を示した。さらに、噴霧乾燥された触媒の物理的特性の評価はシリカ担体の表面上の酸化タングステンの均一な分散を明らかにし、より大きな変換率、ならびにより大きなプロピレンおよびエチレン収率となった。これらのWOx/SiO2触媒組成物は、ブテンからプロピレンへのセルフメタセシスおよびクロスメタセシスにおいて非常に好都合であり、供給原料として低価格ブテンを使用するプロセスに実質的な改良を提供する。したがって、これらの触媒組成物は供給原料としてエチレンを必要とせずに、低価値ブテンを高価値プロピレンに効率的に変換する技術的必要性に対処する。WOx/SiO2触媒組成物は、多床触媒システムを用いてプロピレンを選択的に製造するためのプロセスに利用することができる。
WOx/SiO2触媒組成物の調製方法の実施形態は実施が容易であり、得られた触媒は、従来の合成方法によって調製された他のメタセシス触媒よりも効率的で信頼性があった。これらのWOx/SiO2触媒組成物を調製するための噴霧乾燥法は、工業的水準に拡張可能である。拡張した場合に触媒活性が低下するという欠点を有する従来の合成技術とは異なり、この技術は、1キログラム(kg)の触媒を合成する場合であっても信頼性があることが証明されている。メタセシス触媒の調製のために従来の合成方法を使用した場合、2グラムから20グラムを超えるまで調製される触媒の量を調節すると、タングステンの不均一な分散がもたらされた。触媒の性能は影響を受け、プロピレン収率は低下した。ここに記載した噴霧乾燥法を用いて、WOx/SiO2触媒の合成を調節した場合、1kgまでであっても、触媒組成物は、均一な大きさ、分配、および形態を示した。
WOx/SiO2触媒組成物はまた、より低い温度および3〜8重量%のより低い金属担持量で利用した場合、安定した触媒変換率およびオレフィン選択性を示した。1つのバッチから別のバッチへの触媒の性能に変化はなく、この欠点の影響を受けやすい従来の合成方法とは異なっていた。従来のメタセシス触媒は、450℃の温度および3〜8%のようなより低い金属担持では安定でなかった。したがって、触媒組成物を調製する噴霧乾燥法は、強固で安定なメタセシス触媒の合成を可能にした。
WOx/SiO2メタシス触媒を合成する方法の実施形態は、ここで述べるように、シリカ担体上のタングステンのより良く、より均一な分散を達成し、従来の合成方法と比較して性能と安定性を改善する。これらの触媒組成物の調製に使用されるシリカ担体の例には、メソポーラスシリカ担体が含まれる。メソポーラスシリカ触媒は、約2.5nm〜約40nmの平均細孔径および少なくとも約0.600ミリリットル/グラム(mL/g)の全細孔容積を含むことができる。1つ以上の実施形態において、シリカ担体の平均細孔径は、約2.5nm〜約40nm、または約2.5nm〜約20nm、または約2.5nm〜約4.5nm、または約2.5nm〜約3.5nm、または約8nm〜約18nm、または約12nm〜約18nmの範囲であり得る。さらなる実施形態では、全細孔容積が約0.600mL/g〜約2.5mL/g、または約0.600mL/g〜約1.5mL/g、または約0.600mL/g〜約1.3mL/g、または約0.600mL/g〜約0.800mL/g、または約0.600mL/g〜約0.700mL/g、または約0.900mL/g〜約1.3mL/gであり得る。さらに、より広い範囲が考えられるが、シリカ担体は1つ以上の実施形態において、約250平方メートル/グラム(m2/g)〜約600m2/gの表面積を含み得る。さらなる実施形態では、シリカ担体が約450m2/g〜約600m2/g、または約250m2/g〜約500m2/g、または約275m2/g〜約400m2/g、または約275m2/g〜約350m2/gの表面積を有し得る。特定の実施形態では、これらのシリカ担体がシステムの触媒活性に悪影響を及ぼす可能性がある付着金属または元素を含まない。特定の実施形態では、これらのシリカ担体が1重量%未満のこれらの付着金属または元素を含有する。シリカ担体の1つの好適な実施形態は、Santa Barbara Amorphous(SBA−15)メソポーラスシリカモレキュラーシーブであり得る。あるいは、別の好適な例は、CARiACT(登録商標)シリカ担体(日本の愛知県に本社を置く、富士シリシア化学株式会社から市販されている)である。一実施形態では、CARiACT(登録商標)Grade Q−10をタングステン系触媒の担体として使用した場合に最大のプロピレン収率が得られた。一実施形態では、触媒組成物を製造するために使用されたシリカ担体は、約10ナノメートルの平均細孔径、1mL/gの細孔容積、300m2/gの表面積、および75〜150マイクロメートル(μm)の範囲の粒径を有するCARiACT(登録商標)Grade Q−10粒子であった。一実施形態では、触媒組成物を製造するために使用されたシリカ担体は、75〜500μmの範囲の粒径を有するCARiACT(登録商標)Grade Q−10粒子であった。ここで開示されている組成物および方法は、シリコンの他の供給源の代わりにSiO2粒子を使用している。従って、SiO2の生成工程は、噴霧乾燥の前、噴霧乾燥プロセスの間、または追加のか焼工程の間のいずれかに排除された。表面積、細孔径および細孔容積の最適な特性を有するSiO2担体を最初に提供することにより、均一な触媒組成物を確実に生成させることができる。テトラエチルオルトシリケートのような二酸化ケイ素前駆体の使用は、噴霧乾燥機中でSiO2を生成する追加の工程を必要とし、均一な担体構造をもたらさない。したがって、メタセシス反応におけるプロピレン選択性および収率が影響を受ける。
触媒組成物を生成するために、シリカ担体上に種々の量の酸化タングステンを担持することができる。例えば、限定するものではないが、シリカと酸化タングステンのモル比は5〜60、または5〜15、または20〜50、または20〜40、または25〜35の範囲である。タングステンを含有する種々の化合物は、触媒組成物の前駆体として働くことができる。酸化タングステンの好適な供給源の例は、メタタングステン酸アンモニウム水和物(アメリカ合衆国ミズーリ州セントルイスに本部を置くSigma−Aldrich Corporationから市販されている)またはパラタングステン酸アンモニウム(アメリカ合衆国ミズーリ州セントルイスに本部を置くSigma−Aldrich Corporationから市販されている)である。触媒組成物の従来の合成方法は、約99.99%の純度を有するメタタングステン酸アンモニウム水和物を使用する。この供給源は湿潤含浸および初期湿潤含浸合成法に好適であったが、この供給源は噴霧乾燥プロセスには高価であり得る。噴霧乾燥プロセスを使用する特定の実施形態では、約85%の純度を有するメタタングステン酸アンモニウム水和物(ドイツのSeelzeに本社を置く、Honeywell Flukaから市販されている)が触媒組成物のための酸化タングステン供給源として役立った。特定の実施形態では、噴霧乾燥プロセスが約200℃〜300℃、または約250℃〜285℃で実施することができる。特定の実施形態では、噴霧乾燥プロセスは、約260℃〜280℃で行われる。特定の実施形態では、噴霧乾燥プロセスは、約250℃〜275℃で行われる。その後、全ての触媒をか焼した。一実施形態では、このか焼プロセスは二段階手順である。このプロセスは、Pluronic(登録商標)P123界面活性剤のようなトリブロックコポリマーの分解、およびメタタングステン酸アンモニウムのような、タングステン前駆体からの安定で活性の酸化タングステン種の生成を確実にする。特定の実施形態では、か焼は、以下のガス、空気、酸素、水素、および窒素のうちの1つ以上の存在下で行われる。特定の実施形態では、か焼は、200℃から700℃まで選択された温度で行われる。ガス環境の種類および温度を含む熱処理条件は、生成される酸化タングステン種に影響を及ぼす。酸化タングステン種の種類は、プロピレン収率を含む触媒組成物の安定性およびメタセシス活性に影響を及ぼす。ここで述べた二段階か焼プロセスは、セルフメタセシスおよびクロスメタセシスのための安定な酸化タングステン相をもたらした。か焼プロセスの第1工程は、メタタングステン酸アンモニウムがWOxに変換される際のメタタングステン酸アンモニウムの熱分解に続く。一実施形態では、この第1工程は、大気の存在下で約200℃〜250℃で実施される。タングステン前駆体の著しい重量損失がある。タングステン前駆体の劣化とタングステン前駆体のWOxへの変換は、タングステン前駆体の重量損失が安定化され、メタセシスのための活性のWOx種が生成される約500℃〜600℃で行われる第2工程まで続く。一実施形態では、触媒組成物はまず、250℃で2時間、550℃で8時間か焼され、第1の温度に達するまで毎分1℃、第2の温度に達するまで毎分3℃のランピング速度を有する。以下の実施例は、本開示の範囲を限定することなく、様々な実施形態を例示するために提供される。
[実施例1−シリカ担体の調製]
シリカ担体の典型的な調製では、所望量のCARiACT(登録商標)Grade Q−10をセラミックプレートに入れた。その後、サンプルを200℃で3時間か焼し、次に575℃で5時間か焼し、毎分3℃のランピング速度を用いた。これらのサンプルの焼成は、VULCAN(登録商標)3−550炉(アメリカ合衆国ペンシルベニア州ヨークに本社を置くDentsply Ceramcoから市販されている)中で行った。
シリカ担体の典型的な調製では、所望量のCARiACT(登録商標)Grade Q−10をセラミックプレートに入れた。その後、サンプルを200℃で3時間か焼し、次に575℃で5時間か焼し、毎分3℃のランピング速度を用いた。これらのサンプルの焼成は、VULCAN(登録商標)3−550炉(アメリカ合衆国ペンシルベニア州ヨークに本社を置くDentsply Ceramcoから市販されている)中で行った。
[実施例2−初期湿潤含浸によるタングステン含浸シリカ担体の調製]
タングステン前駆体を含浸させたシリカサンプルの典型的な合成では、約2グラムのシリカ担体(実施例1から)を80mLビーカーに入れた。約0.235gのメタタングステン酸アンモニウム水和物(微量金属ベースで99.99%)を秤量し、2mLの脱イオン水と混合した。次に、溶液をシリカ担体に滴下し、約5滴を担体上に置いた。ガラス棒を用いて担体を完全に混合した。その後、触媒組成物を80℃で一晩乾燥炉に入れた。乾燥した触媒を250℃で2時間、550℃で8時間か焼し、ランピング速度は、第1の温度に達するまで毎分1℃、第2の温度に達するまで毎分3℃であった。これらのサンプルのか焼は、VULCAN(登録商標)3−550炉(アメリカ合衆国ペンシルベニア州ヨークに本社を置くDentsply Ceramcoから市販されている)中で行った。
タングステン前駆体を含浸させたシリカサンプルの典型的な合成では、約2グラムのシリカ担体(実施例1から)を80mLビーカーに入れた。約0.235gのメタタングステン酸アンモニウム水和物(微量金属ベースで99.99%)を秤量し、2mLの脱イオン水と混合した。次に、溶液をシリカ担体に滴下し、約5滴を担体上に置いた。ガラス棒を用いて担体を完全に混合した。その後、触媒組成物を80℃で一晩乾燥炉に入れた。乾燥した触媒を250℃で2時間、550℃で8時間か焼し、ランピング速度は、第1の温度に達するまで毎分1℃、第2の温度に達するまで毎分3℃であった。これらのサンプルのか焼は、VULCAN(登録商標)3−550炉(アメリカ合衆国ペンシルベニア州ヨークに本社を置くDentsply Ceramcoから市販されている)中で行った。
[実施例3−湿式含浸によるタングステン含浸シリカ担体の調製]
約2gのシリカ担体(実施例1から)および約0.235gのメタタングステン酸アンモニウム(微量金属ベースで99.99%)を丸底フラスコに添加した。次に、約20mLの脱イオン水をフラスコに加えた。磁気撹拌棒をフラスコに加え、フラスコを、500rpmで約2時間運転するようにプログラムされた撹拌プレート上に置いた。磁気撹拌棒をフラスコから取り出し、フラスコを回転蒸発装置に接続した。回転蒸発装置の運転条件は、回転数を171rpm、水槽の温度を80℃、真空度を292mbarに設定し、冷却液(水50%、グリコール50%)を6℃に保った。一旦、フラスコ内の水が全て蒸発したら、フラスコを回転蒸発装置から切り離し、80℃で運転されていた乾燥炉に一晩置いた。これらのサンプルのか焼は、VULCAN(登録商標)3−550炉中で行った。乾燥した触媒を、250℃で2時間、550℃で8時間、第1の温度に達するまで毎分1℃、第2の温度に達するまで毎分3℃のランピング速度を用いてか焼した。
約2gのシリカ担体(実施例1から)および約0.235gのメタタングステン酸アンモニウム(微量金属ベースで99.99%)を丸底フラスコに添加した。次に、約20mLの脱イオン水をフラスコに加えた。磁気撹拌棒をフラスコに加え、フラスコを、500rpmで約2時間運転するようにプログラムされた撹拌プレート上に置いた。磁気撹拌棒をフラスコから取り出し、フラスコを回転蒸発装置に接続した。回転蒸発装置の運転条件は、回転数を171rpm、水槽の温度を80℃、真空度を292mbarに設定し、冷却液(水50%、グリコール50%)を6℃に保った。一旦、フラスコ内の水が全て蒸発したら、フラスコを回転蒸発装置から切り離し、80℃で運転されていた乾燥炉に一晩置いた。これらのサンプルのか焼は、VULCAN(登録商標)3−550炉中で行った。乾燥した触媒を、250℃で2時間、550℃で8時間、第1の温度に達するまで毎分1℃、第2の温度に達するまで毎分3℃のランピング速度を用いてか焼した。
[実施例4−噴霧乾燥プロセスを用いたWOx/SiO2触媒組成物の調製]
約100グラムのCARiACT(登録商標)Grade Q−10シリカをメスシリンダーに入れ、約720mLの水をメスシリンダーに加えた。メスシリンダーの底部でのシリカ担体の沈殿を回避するために、混合物を約800rpmを超える速度で約30分間撹拌した。別のビーカーにおいて、約20グラムのトリブロックコポリマー、例えばPluronic(登録商標)P123界面活性剤を、100mLの水溶液および200mLのエタノール溶液中に、界面活性剤が完全に溶解するまで高回転数で約30分間混合した。約13.839gのメタタングステン酸アンモニウム水和物前駆体(85% WO3)および30mlの水を、全てのタングステン前駆体が溶解するまで混合することによって、第3の混合物を調製した。トリブロックコポリマーおよびタングステン前駆体が均質な混合物を生成する限り、他の溶媒を使用してもよい。噴霧乾燥機をほぼ250℃で運転すると、温度はエタノール蒸気の可燃限界付近(噴霧乾燥機が溶媒のすべてを蒸発させるため)になる。したがって、ある場合では、エタノール性混合物の使用は、エタノールの量に応じて安全上の危険をもたらす可能性があるので、制限される可能性がある。特定の場合では、操作の観点から、水性混合物は、エタノール性混合物と比較して、より経済的であり得る。Pluronic(登録商標)P123界面活性剤のようなトリブロックコポリマーを含む第2の混合物に、タングステンを含むこの第3の水性混合物を添加した。Pluronic(登録商標)P123界面活性剤が溶解した後にのみ、タングステン含有混合物を第2の混合物に添加する。Pluronic(登録商標)P123含有混合物の継続的攪拌は、タングステン含有混合物を加えている間、約800rpmに維持される。次に、タングステン前駆体とPluronic(登録商標)P123界面活性剤の両方を含むこの混合物を、水中にシリカ担体を含有する第1の混合物に添加した。合わせた混合物を約900rpmで3日間連続撹拌した。長い撹拌時間はタングステンとシリカとの混合を促進し、また噴霧乾燥の前および噴霧乾燥中のシリカの沈殿を除去した。シリカ粒子が凝集すると、シリカ粒子が噴霧乾燥機ノズルを詰まらせることがある。3日後、混合物は濁った均質な外観を有した。
約100グラムのCARiACT(登録商標)Grade Q−10シリカをメスシリンダーに入れ、約720mLの水をメスシリンダーに加えた。メスシリンダーの底部でのシリカ担体の沈殿を回避するために、混合物を約800rpmを超える速度で約30分間撹拌した。別のビーカーにおいて、約20グラムのトリブロックコポリマー、例えばPluronic(登録商標)P123界面活性剤を、100mLの水溶液および200mLのエタノール溶液中に、界面活性剤が完全に溶解するまで高回転数で約30分間混合した。約13.839gのメタタングステン酸アンモニウム水和物前駆体(85% WO3)および30mlの水を、全てのタングステン前駆体が溶解するまで混合することによって、第3の混合物を調製した。トリブロックコポリマーおよびタングステン前駆体が均質な混合物を生成する限り、他の溶媒を使用してもよい。噴霧乾燥機をほぼ250℃で運転すると、温度はエタノール蒸気の可燃限界付近(噴霧乾燥機が溶媒のすべてを蒸発させるため)になる。したがって、ある場合では、エタノール性混合物の使用は、エタノールの量に応じて安全上の危険をもたらす可能性があるので、制限される可能性がある。特定の場合では、操作の観点から、水性混合物は、エタノール性混合物と比較して、より経済的であり得る。Pluronic(登録商標)P123界面活性剤のようなトリブロックコポリマーを含む第2の混合物に、タングステンを含むこの第3の水性混合物を添加した。Pluronic(登録商標)P123界面活性剤が溶解した後にのみ、タングステン含有混合物を第2の混合物に添加する。Pluronic(登録商標)P123含有混合物の継続的攪拌は、タングステン含有混合物を加えている間、約800rpmに維持される。次に、タングステン前駆体とPluronic(登録商標)P123界面活性剤の両方を含むこの混合物を、水中にシリカ担体を含有する第1の混合物に添加した。合わせた混合物を約900rpmで3日間連続撹拌した。長い撹拌時間はタングステンとシリカとの混合を促進し、また噴霧乾燥の前および噴霧乾燥中のシリカの沈殿を除去した。シリカ粒子が凝集すると、シリカ粒子が噴霧乾燥機ノズルを詰まらせることがある。3日後、混合物は濁った均質な外観を有した。
噴霧乾燥機の動作条件(温度および流量を含む)および内部表面(面積および清浄度)により、シリカ担体に沈着する酸化タングステンの実際の量および噴霧乾燥機内部に残留又は損失するシリカの量が決定される。この実施例における触媒収率は約95%であった。少量のタングステンおよびシリカが噴霧乾燥機の内部表面に付着し、シリカ担体上に担持されるタングステンの量に影響を及ぼした。WOx/SiO2触媒組成物中に存在する酸化タングステンの量を、蛍光X線(XRF)および誘導結合プラズマ(ICP)分析技術のような元素分析法を用いて評価した。
これらの実験で使用された噴霧乾燥機は、ドイツのデュッセルドルフに本社を置くGEA Group社から入手可能な、水性の原料用のGEA Niro MOBILE MINOR(登録商標)噴霧乾燥機であった。この機器内の乾燥チャンバは、直径793mm、高さ660mmの円筒部を有し、底面が60度円錐形になっている。噴霧乾燥機の運転に先立ち、内部チャンバの洗浄を徹底した。チャンバを洗浄した後、噴霧乾燥機を作動させ、そして徐々に加熱させ、脱イオン水のみ投入した。噴霧乾燥機の内部表面の温度が275℃に達し、安定化された状態(安定化条件には、出口の温度および入口の流量の管理も含まれる)になったら、タングステン、シリカおよびPluronic(登録商標)P123界面活性剤を含む混合物を、脱イオン水の代わりに噴霧乾燥機に供給した。
噴霧乾燥の動作条件は、タングステン、シリカ、およびPluronic(登録商標)P123界面活性剤を含む混合物の約240ml/分の目標ポンプ速度を含むことができる。別の例では、噴霧乾燥機に供給される混合物の流量を絶えず変化させて、排気温度を110℃以下の値に制御した。噴霧器は約17rpmで運転され、温度は約105.6℃であった。ファン速度は2009rpmに設定された。噴霧乾燥機内部表面の温度は275℃に保たれた。
触媒組成物は、噴霧乾燥ユニット内の1つ以上の位置から回収することができる。例えば、回転噴霧乾燥機を使用しながら、サンプルを、2つの異なるポイント、一方は噴霧乾燥機の底部、他方は噴霧乾燥機の側部、から収集した。噴霧乾燥機の底部から回収される触媒組成物は、そこで収集されるシリカ粒子がより重く、サイズがわずかに大きいため、「重質(heavy)」留分と呼ばれる。一方、噴霧乾燥機の側部から収集される触媒組成物は、このセクションにおけるシリカ粒子がより軽く、サイズがより小さいため、「軽質(light)」留分と呼ばれる。重質留分および軽質留分の粒径を、日本のHORIBAの粒径分析器を用いて分析した。軽質留分の平均粒径は750〜900nmの範囲、重質留分の平均粒径は1000〜1200nmの範囲であった。
シリカ担体に組み込まれるタングステンの量も、2つの留分の間で変化する。例えば、実施例4に記載した触媒組成物の1つの調製において、溶液中に10%のタングステン前駆体が存在していたが、重質留分中の触媒組成物は2%の酸化タングステンのみを含有し、軽質留分中の触媒組成物は約18%の酸化タングステンを含有した。別の実験では、軽質留分中の触媒組成物は、XRFおよびICPによって確認されるように、約6%の酸化タングステンを含有した。軽質留分中に6% WOx/SiO2触媒を調製するために、先に記載したように、約8グラムのメタタングステン酸アンモニウム水和物前駆体(純度85%)をこのプロセスで使用した。
[実施例5−X線回折分析]
実施例4に記載された噴霧乾燥法によって調製されたWOx/SiO2触媒組成物の物性を、従来の方法によって調製されたシリカ担体上の酸化タングステンの物性と比較した。XRDデータはBruker AXS GmbH(ドイツ、カールスルーエ)のD4 Endeavor X−Ray Diffractometerを用いて収集し、完全スキャンに合ったPDFライブラリを内蔵したDIFFRAC.EVA V4.1.1version(Brukerから入手可能)を用いて分析した。分析は、室温で20°〜80°の2シータ範囲で行った。図1は、タングステンを含まないシリカ担体の分析後に得られたXRDパターンである。15°から約30°の2シータ値までの広いピークは、シリカ担持によるものである。図2は、初期湿潤含浸法(パターンA)によって調製されたシリカ担体上に酸化タングステンを含有する触媒組成物、および本開示で使用されるタングステン前駆体の熱処理によって調製されたシリカ担体なしの酸化タングステン単独(パターンB)の分析後に得られたXRDパターンを提供する。この触媒は約10%の酸化タングステンを含有していた。図3は、湿式含浸または回転蒸気法によって調製されたシリカ担体上に酸化タングステンを含有する触媒の分析後に得られたXRDパターンを示す。図4は、噴霧乾燥法(6% WOx/SiO2)によって調製されたシリカ担体上に酸化タングステンを含有する触媒の分析後に得られたXRDパターンを示す。
実施例4に記載された噴霧乾燥法によって調製されたWOx/SiO2触媒組成物の物性を、従来の方法によって調製されたシリカ担体上の酸化タングステンの物性と比較した。XRDデータはBruker AXS GmbH(ドイツ、カールスルーエ)のD4 Endeavor X−Ray Diffractometerを用いて収集し、完全スキャンに合ったPDFライブラリを内蔵したDIFFRAC.EVA V4.1.1version(Brukerから入手可能)を用いて分析した。分析は、室温で20°〜80°の2シータ範囲で行った。図1は、タングステンを含まないシリカ担体の分析後に得られたXRDパターンである。15°から約30°の2シータ値までの広いピークは、シリカ担持によるものである。図2は、初期湿潤含浸法(パターンA)によって調製されたシリカ担体上に酸化タングステンを含有する触媒組成物、および本開示で使用されるタングステン前駆体の熱処理によって調製されたシリカ担体なしの酸化タングステン単独(パターンB)の分析後に得られたXRDパターンを提供する。この触媒は約10%の酸化タングステンを含有していた。図3は、湿式含浸または回転蒸気法によって調製されたシリカ担体上に酸化タングステンを含有する触媒の分析後に得られたXRDパターンを示す。図4は、噴霧乾燥法(6% WOx/SiO2)によって調製されたシリカ担体上に酸化タングステンを含有する触媒の分析後に得られたXRDパターンを示す。
担持されるWOx/SiO2触媒の活性は、表面のWOx部位の量と濃度に直接的に関係している。本質的に、表面のWOx部位を2〜8WOx重量%増加させることは反応速度を増加させ、これは最終的にプロピレン収率を増加させる。臨界値の後、プロピレン収率の増加は観察されず、実際、タングステン量がその点を超えて劇的に増加する場合、プロピレンの減少が観察される。典型的には、表面四面体タングステン種、表面八面体ポリタングステン種、およびWO3結晶の、3種類のタングステン種がタングステンベースの触媒中に生成される。最初の2つの種はメタセシスに対して活性であることが示されているが、結晶WO3種は不活性であることが示されている。メタセシスのための2つの活性タングステン種(四面体および八面体)は一般に、WOxの含有量が3〜15重量%の範囲にある場合に存在する。結晶WO3相はメタセシスに対して不活性であるが、それにもかかわらず、触媒上の酸性部位を変化させ、他の副生成物および副反応を引き起こす。高いタングステン担持値において、結晶WO3相が現れ、XRDで見ることができる(酸化タングステン相を指す鋭いピークの形態で)。酸化タングステンの一般的な相はWO3であるが、触媒中に存在する可能性のある他の酸化タングステン相もある。
図1は、シリカの非結晶質性を示す。図2は、2つのパターンを示し、パターン[A]は、550℃に加熱(初期湿潤含浸(実施例2)によるWO3/SiO2と同じか焼手順を使用)して酸化タングステン(WOx)を生成)した後のタングステン前駆体(メタタングステン酸アンモニウム)に対応し、パターン[B]は、シリカ担体を全く含まない酸化タングステン単独に対応する。一旦、タングステンがシリカ担体上に添加されると、XRDパターンは、図2(10% WOx/SiO2−初期湿潤)、図3(10% WOx/SiO2−湿潤含浸)および図4(6% WOx/SiO2−噴霧乾燥)の3つの図の全てにおいて酸化タングステンの生成を示す。XRD図における鋭いピークは、触媒の表面上のWOxに対応する。より鋭いピークは、より多くの結晶構造に対応する。ピークの強度は、触媒の表面上の酸化タングステン含有量に比例する。シリカ担体上のタングステンの適切な分散は、メタセシス反応にとって重要である。触媒表面の酸性度ならびに触媒表面上のタングステンの量も、メタセシス活性に影響を及ぼす重要な因子である。
[例6−表面積と細孔容積の解析]
触媒組成物の表面積および多孔度の差は、性能特性に大きく影響し得る。実施例4に記載された噴霧乾燥法によって調製されたWOx/SiO2触媒を、従来の方法によって調製された酸化タングステンを有するシリカ担体と共に、表面積および多孔度解析に供した。種々のサンプルの比表面積は、空気中での触媒サンプルのか焼後の窒素の低温吸着を利用するBrunauer−Emmett−Teller(BET)技術によって決定した。表1は、酸化タングステンを含まないシリカ担体と、異なる手法で調製された酸化タングステンを含む3つの触媒サンプルの、BET表面積(m2/g)および細孔容積(mL/g)をまとめたものである。
触媒組成物の表面積および多孔度の差は、性能特性に大きく影響し得る。実施例4に記載された噴霧乾燥法によって調製されたWOx/SiO2触媒を、従来の方法によって調製された酸化タングステンを有するシリカ担体と共に、表面積および多孔度解析に供した。種々のサンプルの比表面積は、空気中での触媒サンプルのか焼後の窒素の低温吸着を利用するBrunauer−Emmett−Teller(BET)技術によって決定した。表1は、酸化タングステンを含まないシリカ担体と、異なる手法で調製された酸化タングステンを含む3つの触媒サンプルの、BET表面積(m2/g)および細孔容積(mL/g)をまとめたものである。
タングステン担持シリカの表面積および細孔容積は、酸化タングステンが担体上に担持された後、わずかに減少した。タングステンを含まないシリカ担体は、タングステンを担持したシリカ組成物と比較して、304.41m2/gのより大きな表面積および1.13mL/gの細孔容積を有する。シリカ上に酸化タングステンを担持すると、シリカ表面上に小さな結晶WO3が生成するため、表1に見られるように、全シリカ表面の表面積が減少する。湿潤含浸法および噴霧乾燥法を用いてシリカ上にWO3を担持すると、細孔容積に非常にわずかな変化が観察され、このことは、担持が細孔の多くを塞ぐことなく、理想的に表面上であったことを示唆している。初期湿潤含浸を使用してシリカを担持した後、細孔容積にかなりの減少があるが、これは細孔の内部にWO3が取り込まれることによる可能性がある。したがって、噴霧乾燥によって調製された触媒組成物は、他の方法によって調製された触媒と比較した場合、バランスのとれたBET表面積および細孔容積を有する。
[実施例7−エネルギー分散型分光分析]
実施例4に記載した噴霧乾燥法によって調製したWOx/SiO2触媒組成物を、従来の方法によって調製した酸化タングステンを有するシリカ担体と共に、エネルギー分散型分光法(EDS−SEM)および走査型電子顕微鏡(SEM)解析に供した。図5Aと図5Bは、初期湿潤法(図5A)によって調製された酸化タングステンを有するシリカ担体と、湿潤含浸法(図5B)のEDS−SEM画像である。図5Cは、噴霧乾燥法によって調製されたWOx/SiO2触媒組成物のEDS−SEM画像である。酸化タングステンは、図5Aおよび5Bのサンプルと比較して、図5Cのシリカ担体(噴霧乾燥触媒)上により均一に分布しており、この均一な分散は、触媒としてのそのWOx/SiO2組成物のより良好な性能につながる。
実施例4に記載した噴霧乾燥法によって調製したWOx/SiO2触媒組成物を、従来の方法によって調製した酸化タングステンを有するシリカ担体と共に、エネルギー分散型分光法(EDS−SEM)および走査型電子顕微鏡(SEM)解析に供した。図5Aと図5Bは、初期湿潤法(図5A)によって調製された酸化タングステンを有するシリカ担体と、湿潤含浸法(図5B)のEDS−SEM画像である。図5Cは、噴霧乾燥法によって調製されたWOx/SiO2触媒組成物のEDS−SEM画像である。酸化タングステンは、図5Aおよび5Bのサンプルと比較して、図5Cのシリカ担体(噴霧乾燥触媒)上により均一に分布しており、この均一な分散は、触媒としてのそのWOx/SiO2組成物のより良好な性能につながる。
[実施例8−触媒性能の評価]
実施例4に記載した噴霧乾燥法によって調製したWOx/SiO2触媒組成物の2つの留分からのサンプルを、従来の技術によって調製したWOx/SiO2触媒のサンプルと共に、触媒性能について評価した。
実施例4に記載した噴霧乾燥法によって調製したWOx/SiO2触媒組成物の2つの留分からのサンプルを、従来の技術によって調製したWOx/SiO2触媒のサンプルと共に、触媒性能について評価した。
これらの異なる調製物の活性および選択性を、固定床連続流反応器(例えば、アメリカ合衆国テキサス州ヒューストンに本社を置くオートクレーブエンジニアズ(Autoclave Engineers)から入手可能な反応器)中で評価した。触媒性能に使用される反応器の概略図を図6に示す。反応器600は、触媒床604を炭化ケイ素層606から分離する石英ウール602、602′、および602″の3つの層を有する。約2mLの触媒サンプルを、反応器の底部のグレード20の炭化ケイ素を有する反応管に充填した。触媒は、窒素のような不活性ガスを入口608に通すことによって前処理/活性化した。窒素ガスは水分を除去するのに役立ち、ガスは、550℃で約60分間、毎分約25標準立方センチメートル(sccm)で反応器に供給される。次に、温度を所望の反応温度に変えた。希釈剤としての窒素(25mL/分)と共に2−ブテン(5mL/分)の原料を、900/時(h−1)のガス空間速度(GHSV)で反応器に供給した。出口610から反応器を出る反応生成物の定量分析は、アメリカ合衆国カリフォルニア州サンタクララに本社を置くアジレントテクノロジーズから入手可能なインラインガスクロマトグラフを用いて行った。Agilent GC−7890Bクロマトグラフは、50m×0.53mm×15ミクロンの高性能アルミナ−塩化カリウム(HP−Al/KCl)カラムを有する。ガスクロマトグラフは、有機種を測定するために水素炎イオン化検出器(FID)を備えている。さらに、各サンプル中のタングステンの量を確認し、XRFおよびICPの両方を用いて特性化した。
反応器に担持された触媒は、界面活性剤の存在下でシリカ担体上に担持され、実施例4の噴霧乾燥プロセスを使用して調製された、異なる量の酸化タングステンを含有する重質留分および軽質留分であった。触媒留分は550℃で5時間試験した。以下の表2に示す値は、平均値(n=6)である。噴霧乾燥機の底部から回収されたWOx/SiO2触媒の重質留分は、シリカ担体上の2〜3%のより低いタングステン担持で約22モル%のプロピレンを生じた。対照的に、噴霧乾燥機の側面から回収されたWOx/SiO2触媒組成物の軽質留分は、シリカ担体上の6〜25%のより多いタングステン担持で約24〜29モル%のプロピレンを生じた。
他の実験は、6〜15重量%の酸化タングステンがシリカ上に担持されたWOx/SiO2触媒組成物についてメタセシス活性が一定のままであること、すなわち、プロピレン収率および選択性が有意に変化しないことを示す。触媒の安定性を分析するために実験を行った。噴霧乾燥機から軽質留分として得られた6% WOx/SiO2を、550℃で15時間連続してメタセシス反応運転において触媒として使用した。驚くべきことに、運転の全時間にわたって収率または変換率に変化はなかった。
6%のWOx/SiO2を含む軽質留分を、従来の方法によって調製された酸化タングステンを有するシリカ担体のサンプルと共に触媒性能について評価した。これらの異なる調製物の活性および選択性を、先に記載したような条件下で、固定床連続流反応器中で評価した。窒素ガスを約25sccmで、550℃で約60分間通過させることによって、触媒留分を前処理/活性化した。希釈剤としての窒素(25mL/分)と共に2−ブテン(5mL/分)の原料を、900/時(h−1)のガス空間速度(GHSV)で反応器に供給した。反応生成物を、水素炎イオン化検出器(FID)を備えたインラインガスクロマトグラフによって分析して、有機種を測定した。
表3は、異なる手法で調製された3つの触媒調製物の収率、変換率、および選択性をまとめたものである。3つの反応はすべて550℃で5時間運転した。表中の報告された数値は、5時間の運転についての平均値(n=6)である。
噴霧乾燥触媒組成物(軽質留分)は、他の従来の方法によって調製された触媒よりも一貫して良好に機能した。さらに、噴霧乾燥触媒は、酸化タングステンの量が少ないにもかかわらず、他の触媒調製物よりも良好に機能する(XRFおよびICPによって確認されるように)。さらに、タングステンの均一な分散は、C5およびC6+副生成物を著しく増加させることなく、プロピレン収率およびエチレン収率を増加させ、またブテン原料の変換率を10%増加させた。
[実施例9−より低い金属担持量]
性能に対する合成方法の効果を増すために、3つの触媒調製物を合成し、メタセシスのための金属酸化物担持の最適範囲よりも低い3%の酸化タングステンを担持した。各触媒中のタングステンの量は、XRFおよびICPを用いて確認した。これらの触媒を550℃で15時間運転した。全て3%の酸化タングステンを担持した3つの触媒のプロピレン収率を表4に示す。
性能に対する合成方法の効果を増すために、3つの触媒調製物を合成し、メタセシスのための金属酸化物担持の最適範囲よりも低い3%の酸化タングステンを担持した。各触媒中のタングステンの量は、XRFおよびICPを用いて確認した。これらの触媒を550℃で15時間運転した。全て3%の酸化タングステンを担持した3つの触媒のプロピレン収率を表4に示す。
噴霧乾燥プロセスによって、界面活性剤を利用して調製された触媒は、低い金属担持量で他の触媒よりもほぼ2倍良好に機能し、その触媒活性において安定であった。これは、界面活性剤によって促進される、触媒の表面上の酸化タングステンの均一な分布によるものである。
特性に割り当てられる任意の2つの定量値はその特性の範囲を構成することができ、所与の特性のすべての記載された定量値から形成される範囲のすべての組合せが、本開示で意図されることを理解されたい。本開示の主題を詳細に説明し、特定の実施形態を参照することによって、本開示で説明される様々な詳細は、これらの詳細が、特定の要素が本説明に付随する図面のそれぞれに示される場合であっても、本開示で説明される様々な実施形態の本質的な構成要素である要素に関することを示すと解釈されるべきではないことに留意されたい。さらに、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、修正および変形が可能であることは明らかであろう。
Claims (20)
- 噴霧乾燥メタセシス触媒組成物の調製方法であって、
タングステン前駆体を界面活性剤と組み合わせて第1の混合物を生成する工程と、
前記第1の混合物を、一定の撹拌条件下でシリカ担体を含有する第2の混合物と接触させて、シリカ担体上に担持されたタングステン前駆体を含有する第3の混合物を生成する工程と、
前記第3の混合物を噴霧乾燥プロセスに供して、シリカ担体上に担持された酸化タングステンを含有する噴霧乾燥メタセシス触媒組成物を得る工程と、
を含む方法。 - 前記シリカ担体が予備成形シリカ粒子を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記界面活性剤が、ポリ(エチレングリコール)−ブロック−ポリ(プロピレングリコール)−ブロック−ポリ(エチレングリコール)コポリマーである、請求項1または2に記載の方法。
- 前記タングステン前駆体がメタタングステン酸アンモニウムを含有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記タングステン前駆体がパラタングステン酸アンモニウムを含有する、請求項1、2または3に記載の方法。
- 前記噴霧乾燥メタセシス触媒の前記シリカ担体に担持された酸化タングステンが、2〜25重量パーセントの範囲である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記噴霧乾燥メタセシス触媒の前記シリカ担体に担持された酸化タングステンが、6〜15重量パーセントの範囲である、請求項1、2、3、4または5に記載の方法。
- 前記噴霧乾燥メタセシス触媒の前記シリカ担体上に担持された酸化タングステンが、約6重量パーセントである請求項1、2、3、4または5に記載の方法。
- 前記噴霧乾燥プロセスは、前記第3の混合物を約250−300℃の温度で噴霧乾燥機に供給することを含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- プロピレンの製造方法であって、
メタセシス反応条件下で、ブテンを含有する炭化水素供給原料を、シリカ担体上に酸化タングステンを含有する触媒と接触させて、プロピレンを含有する生成物流を生成させるステップであって、この触媒は噴霧乾燥プロセスによって調製されたものである、ステップと、
前記生成物流を分別してプロピレンリッチ流を生成するステップと、
を含む方法。 - 前記炭化水素供給原料が2−ブテンを含有する、請求項10に記載の方法。
- 前記シリカ担体が予備成形シリカ粒子を含む、請求項10または11に記載の方法。
- 前記触媒が、炭化水素供給原料と接触する前に窒素ガスに暴露することによって前処理される、請求項10、11、または12に記載の方法。
- 前記噴霧乾燥プロセスが、界面活性剤の存在下でシリカ担体をタングステン前駆体と接触させることを含む、請求項10、11、または12に記載の方法。
- 前記界面活性剤が、ポリ(エチレングリコール)−ブロック−ポリ(プロピレングリコール)−ブロック−ポリ(エチレングリコール)コポリマーである、請求項14に記載の方法。
- 前記タングステン前駆体がメタタングステン酸アンモニウムを含有する、請求項10、11、12または14に記載の方法。
- 前記タングステン前駆体がパラタングステン酸アンモニウムを含有する、請求項10、11、12または14に記載の方法。
- 前記シリカ担体に担持された酸化タングステンが2〜25重量パーセントの範囲である、請求項10、11、12または14に記載の方法。
- 前記シリカ担体に担持された酸化タングステンが6〜15重量パーセントの範囲である、請求項10、11、12、または14に記載の方法。
- 前記シリカ担体に担持された酸化タングステンが約6重量パーセントである、請求項10、11、12、または14に記載の方法。
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