JP2021167813A - キャビティを備えるセンサ - Google Patents
キャビティを備えるセンサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021167813A JP2021167813A JP2021066297A JP2021066297A JP2021167813A JP 2021167813 A JP2021167813 A JP 2021167813A JP 2021066297 A JP2021066297 A JP 2021066297A JP 2021066297 A JP2021066297 A JP 2021066297A JP 2021167813 A JP2021167813 A JP 2021167813A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gel material
- porous gel
- chamber
- sensor
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 claims 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 claims 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 5
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- -1 siloxane compound Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0032—Packages or encapsulation
- B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
- B81B7/0038—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/222—Constructional or flow details for analysing fluids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D11/00—Component parts of measuring arrangements not specially adapted for a specific variable
- G01D11/24—Housings ; Casings for instruments
- G01D11/245—Housings for sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
- G01N29/223—Supports, positioning or alignment in fixed situation
-
- G—PHYSICS
- G10—MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
- G10K—SOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G10K11/00—Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound in general; Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
- G10K11/004—Mounting transducers, e.g. provided with mechanical moving or orienting device
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/03—Static structures
- B81B2203/0315—Cavities
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Pathology (AREA)
- Immunology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【課題】従来のキャビティを備えるセンサでは、バイダーの使用でセンサの損傷又は脱落が多い。
【解決手段】キャビティを備えるセンサであって、基板と、チャンバーと、検知素子と、多孔質ゲル材料とを含み、チャンバーは基板に設けられ、且つ壁部と、壁部内に形成される内部空間とを備え、検知素子は壁部に設けられ、且つ多孔質ゲル材料は基板とチャンバーとの間に設けられ、多孔質ゲル材料が８０％以上の気孔率を有するため、チャンバーの内部空間と外部のガスがつながり、ガスが行き交う通路が形成され、キャビティを備えるセンサ内の圧力にバランスがとれ、キャビティを備えるセンサに支持性能が付与され、ダイボンディング接着剤で検知素子と基板を結合させるという従来の形態の不具合が緩和される。
【選択図】図１
【解決手段】キャビティを備えるセンサであって、基板と、チャンバーと、検知素子と、多孔質ゲル材料とを含み、チャンバーは基板に設けられ、且つ壁部と、壁部内に形成される内部空間とを備え、検知素子は壁部に設けられ、且つ多孔質ゲル材料は基板とチャンバーとの間に設けられ、多孔質ゲル材料が８０％以上の気孔率を有するため、チャンバーの内部空間と外部のガスがつながり、ガスが行き交う通路が形成され、キャビティを備えるセンサ内の圧力にバランスがとれ、キャビティを備えるセンサに支持性能が付与され、ダイボンディング接着剤で検知素子と基板を結合させるという従来の形態の不具合が緩和される。
【選択図】図１
Description
本発明は、センサに関し、特に、多孔質ゲル材料が設けられ且つキャビティを備えるセンサに関する。
センサとは一般に物性、化学的性質又は環境の変化に基づいて信号を出力する素子をいう。例えば、抵抗型センサ、圧電型センサ、焦電型センサ、電気化学型センサ、マイクロ波型センサなどである。これらのセンサの中で、検知原理によって、一部のセンサにキャビティ構造を形成させることが必要である。
特許文献１は圧力センサを開示し、成形材で形成されたキャビティ、当該キャビティ内に設けられるコントロールチップと、当該コントロールチップに設けられる圧力センサチップとを含み、ワイヤーボンドによって当該コントロールチップと当該圧力センサチップが互いに接続され、ディスペンサーから提供されたバイダーで当該複数のチップなどの素子がキャリア基板に粘着される。特許文献２は、超音波トランスデューサと、進入孔とを含む超音波装置を開示し、当該超音波トランスデューサはベースと、フィルムとを含み、当該ベースと当該フィルムは間に密封キャビティが形成されるように設置され、当該進入孔は当該フィルムを貫通し、且つ当該密封キャビティに入る通路として構成される。
上記のようなキャビティ構造を備えるセンサでは、後続のパッケージに備えて、バイダーでキャビティ構造をキャリア基板に固定させるのが一般的である。実務上、バイダーとしては一般にダイボンディング接着剤が用いられる。しかし、バイダーを用いて固定させる場合に、バイダースポットが多いためキャビティ構造が密閉されること、そして操作中にセンサが損傷されることも多い。一方、バイダースポットが少ないと、接合インタフェースの脱落が問題になる。
本発明は、従来のキャビティを備えるセンサでは、バイダーの使用でセンサの損傷又は脱落が多いという問題を解決することを目的とする。
本発明は上記の目的を達成するために、基板と、チャンバーと、検知素子と、多孔質ゲル材料とを含み、キャビティを備えるセンサを提供する。当該チャンバーは当該基板に設けられ、且つ壁部と、当該壁部内に形成される内部空間とを備え、当該検知素子は当該壁部に設けられ、且つ当該多孔質ゲル材料は当該基板と当該チャンバーとの間に設けられ、当該多孔質ゲル材料が８０％以上の気孔率を有するため、当該チャンバーの当該内部空間と外部のガスがつながる。
さらに本発明は上記の目的を達成するために、基板と、チャンバーと、検知素子と、多孔質ゲル材料とを含み、キャビティを備えるセンサを提供する。当該チャンバーは当該基板に設けられ、且つ壁部と、当該壁部内に形成される内部空間とを備え、当該検知素子は当該チャンバーの上壁に設けられ、且つ当該多孔質ゲル材料は少なくとも部分的に当該内部空間内に設けられる。また、当該多孔質ゲル材料は当該壁部によって覆われて外部に露出していない第１面と、当該壁部によって覆われず外部に露出している第２面とを備え、当該多孔質ゲル材料が８０％以上の気孔率を有するため、当該チャンバーの当該内部空間は当該第２面を介して外部のガスとつながる。
本発明では多孔質ゲル材料がセンサに組み入れられ、外部とのガス通路として機能することで、ガスが内部空間と外部の間を行き交い、内部空間と外部とで気圧のバランスがとれるため、バイダースポットが充分に設置され、接着強度を損うことなく完全な検知功能が保たれる。また、多孔質ゲル材料がチャンバーを満たすことで、チャンバーに支持性能が付与され損傷されにくくなり、内部空間の熱放散が低減される。
次に、図面を参照して、本発明の内容を詳細に説明する。
図１が参照されるとおり、本発明は、基板１０と、チャンバー２０と、検知素子３０と、多孔質ゲル材料４０と、接着層５０とを含み、キャビティを備えるセンサを提供する。本発明では、当該キャビティを備えるセンサは任意のキャビティ構造を備えるセンサであってもよく、使用上のニーズに応じて、当該キャビティを備えるセンサは温度センサ、ガスセンサ、圧力センサ、タイヤゲージ、マイクロフォンなどであってもよい。本発明では、基板１０の材料は金属、ガラス、セラミック、ポリマー又はこれらの複合材料であってもよく、例えば、基板１０としてはシリコンウェハー、プラスチック、プリント回路基板（ＰＣＢ）、ガラス繊維板、シリカ、フォトレジスタなどが用いられてもよい。
図１が参照されるとおり、本発明は、基板１０と、チャンバー２０と、検知素子３０と、多孔質ゲル材料４０と、接着層５０とを含み、キャビティを備えるセンサを提供する。本発明では、当該キャビティを備えるセンサは任意のキャビティ構造を備えるセンサであってもよく、使用上のニーズに応じて、当該キャビティを備えるセンサは温度センサ、ガスセンサ、圧力センサ、タイヤゲージ、マイクロフォンなどであってもよい。本発明では、基板１０の材料は金属、ガラス、セラミック、ポリマー又はこれらの複合材料であってもよく、例えば、基板１０としてはシリコンウェハー、プラスチック、プリント回路基板（ＰＣＢ）、ガラス繊維板、シリカ、フォトレジスタなどが用いられてもよい。
チャンバー２０は基板１０に設けられ、チャンバー２０は壁部２１と、内部空間２２とを含み、内部空間２２は壁部２１内に形成され、壁部２１は側壁２１１と、側壁２１１に設けられる上壁２１２とを含み、検知素子３０は上壁２１２に設けられ、本実施例で、側壁２１１にはシリコン材料が用いられ、上壁２１２には絶縁材料が用いられる。多孔質ゲル材料４０は基板１０とチャンバー２０との間に設けられ、多孔質ゲル材料４０は５００ｍ２／ｇ〜１２００ｍ２／ｇの比表面積、８０％より大きい気孔率を有する。一実施例では、当該気孔率は８８％〜９９．８％であり、多孔質ゲル材料４０は０．０１ｇ／ｃｍ３〜０．２ｇ／ｃｍ３の密度、及び０．０３５Ｗ／ｍ・Ｋ未満の熱伝導率を有する。多孔質ゲル材料４０はシリコン材料又は疎水性材料であってもよく、当該シリコン材料はシロキサン化合物、ケイ酸ナトリウムなどのシリコン化合物からなる群から選ばれ、例えば、多孔質ゲル材料４０はシリコン化合物と、当該シリコン化合物と混合される添加物とを含み、当該添加物は単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、多層グラフェン及びその組み合わせからなる群から選ばれる。多孔質ゲル材料４０の多孔質の特性により、ガスがチャンバー２０の内部空間２２を通って、内部空間２２と外部６０との間を行き交うことで、当該キャビティを備えるセンサの内部の気圧にバランスがとれる。
接着層５０は第１接着層５１と、第２接着層５２とを含み、第１接着層５１は多孔質ゲル材料４０と基板１０との間に接着され、第２接着層５２はチャンバー２０と多孔質ゲル材料４０との間に接着され、且つ多孔質ゲル材料４０及び接着層５０はそれぞれレイヤー状又はリング状などの様々な構造形態であってもよい。接着層５０はボンディングテープ、ボンディングフィルム、ウェハーアタッチフィルム、チップアタッチフィルム（Ｄｉｅ Ａｔｔａｃｈ Ｆｉｌｍ）、フィンガープリントオンディスプレイ（Ｆｉｎｇｅｒｐｒｉｎｔ Ｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ、略称ＦＯＤ）フィルム、フィルムオーバーワイヤ（Ｆｉｌｍ Ｏｖｅｒ Ｗｉｒｅ、略称ＦＯＷ）フィルム、ダイボンディング接着剤、他の粘着材から選ばれる。
図１から図３は本発明の第１実施例の異なる形態で、図４から図６は本発明の第２実施例の異なる形態である。
図１に示すように、本発明の第１実施例の第１形態で、多孔質ゲル材料４０はレイヤー状又はシート状に成形され、当該レイヤー状はチャンバー２０の側壁２１１の側端から他方の側端に延伸し、第１接着層５１もレイヤー状又はシート状に成形され、当該レイヤー状はチャンバー２０の側壁２１１の側端から他方の側端に延伸し、言い換えれば、多孔質ゲル材料４０は第１接着層５１のＸＹ平面における２次元の幾何学的形状に対応し、第２接着層５２は多孔質ゲル材料４０と側壁２１１との間に設けられ且つ側壁２１１に対応してリング状に成形され、第２接着層５２は側壁２１１のＸＹ平面における２次元の幾何学的形状に対応する。ガスは図１の矢印のようにチャンバー２０に入り、又はチャンバー２０から離れることができる。図２に示すように、本発明の第１実施例の第２形態では、多孔質ゲル材料４０、第１接着層５１はいずれもレイヤー状又はシート状に成形され且つ基板１０のＸＹ平面における２次元の幾何学的形状に対応し、第２接着層５２は多孔質ゲル材料４０と側壁２１１との間に設けられ且つ側壁２１１に対応してリング状に成形され、第２接着層５２は側壁２１１のＸＹ平面における２次元の幾何学的形状に対応する。ガスは図２の矢印のようにチャンバー２０に入り、又はチャンバー２０から離れることができる。図３に示すように、本発明の第１実施例の第３形態では、多孔質ゲル材料４０、第１接着層５１、第２接着層５２はいずれもリング状に成形され且つ側壁２１１のＸＹ平面における２次元の幾何学的形状に対応する。ガスは図３の矢印のようにチャンバー２０に入り、又はチャンバー２０から離れることができる。
図４に示すように、本発明の第２実施例の第１形態では、多孔質ゲル材料４０は第１部４１と、第２部４２とを含み、第１部４１は内部空間２２に設けられ、第２部４２は基板１０とチャンバー２０との間に設けられ、第１部４１は第１面４１１を備え、第２部４２は第２面４２１を備え、第１面４１１は覆われて外部６０に露出しておらず、第２面４２１は覆われず外部６０に露出している。本実施例では、多孔質ゲル材料４０の第２部４２はレイヤー状又はシート状に成形され、当該レイヤー状はチャンバー２０の側壁２１１の側端から他方の側端に延伸し、第１接着層５１もレイヤー状又はシート状に成形され、当該レイヤー状はチャンバー２０の側壁２１１の側端から他方の側端に延伸し、言い換えれば、多孔質ゲル材料４０の第２部４２は第１接着層５１のＸＹ平面における２次元の幾何学的形状に対応し、第２接着層５２は多孔質ゲル材料４０の第２部４２と側壁２１１との間に設けられ且つ側壁２１１に対応してリング状に成形され、第２接着層５２は側壁２１１のＸＹ平面における２次元の幾何学的形状に対応する。本実施例で、第１部４１の第１面４１１が側壁２１１、上壁２１２、第２接着層５２及び第２部４２によって覆われて外部６０とは直接的につながらず、第２部４２の第２面４２１（外面）は覆われず、第１部４１と第２部４２がつながってガスは図４の矢印のようにチャンバー２０に入り、又はチャンバー２０から離れることができる。図５に示すように、本発明の第２実施例の第２形態では、多孔質ゲル材料４０の第２部４２、第１接着層５１はいずれもレイヤー状又はシート状に成形され且つ基板１０のＸＹ平面における２次元の幾何学的形状に対応し、第２接着層５２は多孔質ゲル材料４０の第１部４１と側壁２１１との間に設けられ且つ側壁２１１に対応してリング状が成形され、第１接着層５１は側壁２１１のＸＹ平面における２次元の幾何学的形状に対応する。ガスは図５の矢印のように、チャンバー２０に入り、又はチャンバー２０から離れることができる。図６に示すように、本発明の第２実施例の第３形態では、多孔質ゲル材料４０は内部空間２２に設けられ、多孔質ゲル材料４０の高さｈ１が側壁２１１の高さｈ２を上回るため、多孔質ゲル材料４０には覆われて外部６０に露出していない第１面４１１と、覆われず外部６０に露出している第２面４２１とが形成され、接着層５０は多孔質ゲル材料４０と基板１０との間に設けられて多孔質ゲル材料４０を固定させる。ガスは図６の矢印のように、チャンバー２０に入り、又はチャンバー２０から離れることができる。
本発明では、多孔質ゲル材料がセンサに組み入れられ、ガスが内部空間と外部の間を行き交い、内部空間と外部とで気圧のバランスがとれるため、バイダースポットが充分に設置され、接着強度を損うことなく完全な検知功能が保たれる。また、多孔質ゲル材料がチャンバーを満たすことで、チャンバーに支持性能が付与され損傷されにくくなり、内部空間の熱放散が低減される。
１０ 基板
２０ チャンバー
２１ 壁部
２１１ 側壁
２１２ 上壁
２２ 内部空間
３０ 検知素子
４０ 多孔質ゲル材料
４１ 第１部
４１１ 第１面
４２ 第２部
４２１ 第２面
５０ 接着層
５１ 第１接着層
５２ 第２接着層
６０ 外部
２０ チャンバー
２１ 壁部
２１１ 側壁
２１２ 上壁
２２ 内部空間
３０ 検知素子
４０ 多孔質ゲル材料
４１ 第１部
４１１ 第１面
４２ 第２部
４２１ 第２面
５０ 接着層
５１ 第１接着層
５２ 第２接着層
６０ 外部
Claims (10)
- 基板と、
前記基板に設けられ、且つ壁部と、前記壁部内に形成される内部空間とを備えるチャンバーと、
前記壁部に設けられる検知素子と、
前記基板と前記チャンバーとの間に設けられる多孔質ゲル材料であって、前記多孔質ゲル材料が８０％以上の気孔率を有するため、前記チャンバーの前記内部空間と外部のガスがつながる前記多孔質ゲル材料とを含み、キャビティを備えるセンサ。 - 前記壁部は側壁と、前記側壁に設けられる上壁とを含む請求項１に記載のキャビティを備えるセンサ。
- 前記基板と前記多孔質ゲル材料との間に設けられる第１接着層と、前記多孔質ゲル材料と前記側壁との間に設けられる第２接着層とをさらに含む請求項２に記載のキャビティを備えるセンサ。
- 前記多孔質ゲル材料は前記チャンバーの前記側壁の下端から他端に延伸するレイヤー状に成形される請求項２に記載のキャビティを備えるセンサ。
- 前記多孔質ゲル材料は前記チャンバーの前記側壁に対応するリング状に成形される請求項２に記載のキャビティを備えるセンサ。
- 基板と、
前記基板に設けられ、且つ壁部と、前記壁部内に形成される内部空間とを備えるチャンバーと、
前記チャンバーの上壁に設けられる検知素子と、
前記基板と前記チャンバーとの間に設けられる多孔質ゲル材料であって、少なくとも部分的に前記内部空間内に設けられ、前記壁部によって覆われて外部に露出していない第１面と、前記壁部によって覆われず外部に露出している第２面とを備え、前記多孔質ゲル材料が８０％以上の気孔率を有するため、前記チャンバーの前記内部空間は前記第２面を介して外部のガスとつながる前記多孔質ゲル材料とを含み、キャビティを備えるセンサ。 - 前記基板と前記多孔質ゲル材料との間に設けられる第１接着層をさらに含む請求項６に記載のキャビティを備えるセンサ。
- 前記多孔質ゲル材料と前記壁部の側壁との間に設けられる第２接着層をさらに含む請求項６に記載のキャビティを備えるセンサ。
- 前記多孔質ゲル材料は５００ｍ２／ｇ〜１２００ｍ２／ｇの比表面積及び０．０１ｇ／ｃｍ３〜０．２ｇ／ｃｍ３の密度を有する請求項１又は６に記載のキャビティを備えるセンサ。
- 前記多孔質ゲル材料はシリコン化合物と、前記シリコン化合物と混合される添加物とを含み、前記添加物は単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ、多層グラフェン及びその組み合わせからなる群から選ばれる請求項１又は６に記載のキャビティを備えるセンサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW109112039 | 2020-04-09 | ||
| TW109112039A TWI742603B (zh) | 2020-04-09 | 2020-04-09 | 一種具有空腔的感測器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021167813A true JP2021167813A (ja) | 2021-10-21 |
| JP7133061B2 JP7133061B2 (ja) | 2022-09-07 |
Family
ID=76269562
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021066297A Active JP7133061B2 (ja) | 2020-04-09 | 2021-04-09 | キャビティを備えるセンサ |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11618670B2 (ja) |
| EP (1) | EP3892992A1 (ja) |
| JP (1) | JP7133061B2 (ja) |
| CN (1) | CN113517235A (ja) |
| TW (1) | TWI742603B (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114235188B (zh) * | 2021-12-01 | 2024-07-02 | 中国科学院金属研究所 | 一种微型、柔性温度和压力复合传感器及其制作方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0743215A (ja) * | 1993-05-24 | 1995-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線検知素子 |
| JP2006344903A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Fujifilm Holdings Corp | 半導体モジュール |
| JP2012253117A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Canon Inc | 半導体装置 |
| WO2014129545A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | 住友電気工業株式会社 | 多孔質部材および触媒部材 |
| US9804046B2 (en) * | 2015-10-27 | 2017-10-31 | DunAn Sensing, LLC | Pressure sensor with support structure for non-silicon diaphragm |
| JP2018020933A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | ナノサミット株式会社 | カーボンナノチューブを含有する三次元多孔質体及びその製造方法 |
| WO2018042640A1 (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | 日立化成株式会社 | 複合部材及びその製造方法、蓄熱材及びその製造方法、蓄熱式空調装置、並びに蓄熱型ヒートパイプ式給油設備 |
| JP2019514277A (ja) * | 2016-04-06 | 2019-05-30 | ダブリュ．エル．ゴア アンド アソシエイツ，インコーポレイティドＷ．Ｌ． Ｇｏｒｅ ＆ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ， Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 非多孔質 音響 メンブレンのための圧力平衡構造 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3750413B2 (ja) * | 1999-04-15 | 2006-03-01 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電体素子の製造方法及びインクジェット式記録ヘッドの製造方法 |
| GB2401330B (en) * | 2003-05-09 | 2006-04-12 | Westinghouse Brakes | Pressure equalisation device |
| EP1772717B1 (en) * | 2005-10-04 | 2011-05-11 | Sensirion Holding AG | Pressure or gas sensor and sensing method using nano-cavities |
| CN108430308A (zh) * | 2015-10-30 | 2018-08-21 | 辛辛那提大学 | 具有电磁屏蔽传感器、互连和电子器件的汗液感测设备 |
| US20200270122A1 (en) * | 2015-12-01 | 2020-08-27 | Chirp Microsystems, Inc. | Multi-cavity package for ultrasonic transducer acoustic mode control |
| CN108474802A (zh) * | 2015-12-21 | 2018-08-31 | 黄荣堂 | 检测装置 |
| US10640367B2 (en) * | 2017-09-29 | 2020-05-05 | Apple Inc. | Water proofing and water detection schemes for MEMS-based environmental sensing devices |
| TW202000137A (zh) | 2018-05-03 | 2020-01-01 | 美商蝴蝶網路公司 | 互補式金屬氧化物半導體感測器上超音波換能器的壓力口 |
-
2020
- 2020-04-09 TW TW109112039A patent/TWI742603B/zh active
-
2021
- 2021-04-08 US US17/225,844 patent/US11618670B2/en active Active
- 2021-04-09 JP JP2021066297A patent/JP7133061B2/ja active Active
- 2021-04-09 EP EP21167653.1A patent/EP3892992A1/en active Pending
- 2021-04-09 CN CN202110385040.2A patent/CN113517235A/zh active Pending
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0743215A (ja) * | 1993-05-24 | 1995-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 赤外線検知素子 |
| JP2006344903A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Fujifilm Holdings Corp | 半導体モジュール |
| JP2012253117A (ja) * | 2011-06-01 | 2012-12-20 | Canon Inc | 半導体装置 |
| JP5921090B2 (ja) * | 2011-06-01 | 2016-05-24 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
| WO2014129545A1 (ja) * | 2013-02-22 | 2014-08-28 | 住友電気工業株式会社 | 多孔質部材および触媒部材 |
| JP6179587B2 (ja) * | 2013-02-22 | 2017-08-16 | 住友電気工業株式会社 | 多孔質部材および触媒部材 |
| US9804046B2 (en) * | 2015-10-27 | 2017-10-31 | DunAn Sensing, LLC | Pressure sensor with support structure for non-silicon diaphragm |
| JP2019514277A (ja) * | 2016-04-06 | 2019-05-30 | ダブリュ．エル．ゴア アンド アソシエイツ，インコーポレイティドＷ．Ｌ． Ｇｏｒｅ ＆ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ， Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 非多孔質 音響 メンブレンのための圧力平衡構造 |
| JP6777759B2 (ja) * | 2016-04-06 | 2020-10-28 | ダブリュ．エル．ゴア アンド アソシエイツ，インコーポレイティドＷ．Ｌ． Ｇｏｒｅ ＆ Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ， Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 非多孔質 音響 メンブレンのための圧力平衡構造 |
| JP2018020933A (ja) * | 2016-08-03 | 2018-02-08 | ナノサミット株式会社 | カーボンナノチューブを含有する三次元多孔質体及びその製造方法 |
| JP6868861B2 (ja) * | 2016-08-03 | 2021-05-12 | ナノサミット株式会社 | カーボンナノチューブを含有する三次元多孔質体及びその製造方法 |
| WO2018042640A1 (ja) * | 2016-09-02 | 2018-03-08 | 日立化成株式会社 | 複合部材及びその製造方法、蓄熱材及びその製造方法、蓄熱式空調装置、並びに蓄熱型ヒートパイプ式給油設備 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP7133061B2 (ja) | 2022-09-07 |
| US20210316985A1 (en) | 2021-10-14 |
| TWI742603B (zh) | 2021-10-11 |
| CN113517235A (zh) | 2021-10-19 |
| TW202138780A (zh) | 2021-10-16 |
| US11618670B2 (en) | 2023-04-04 |
| EP3892992A1 (en) | 2021-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN205843877U (zh) | 介质隔离式压力传感器 | |
| KR100721261B1 (ko) | 마이크로 가스 센서, 그의 제조 방법, 그의 패키지 및 그패키지의 제조 방법 | |
| US8704318B2 (en) | Encapsulation structure for silicon pressure sensor | |
| CN102980711A (zh) | 具有多个传感器元件的封装的传感器 | |
| CN106044698B (zh) | 用于封装的mems器件的系统和方法 | |
| WO2017012251A1 (zh) | 一种环境传感器 | |
| JP2021167813A (ja) | キャビティを備えるセンサ | |
| WO2017012250A1 (zh) | 一种环境传感器 | |
| JP2008089421A (ja) | 圧力センサのパッケージ | |
| CN208984269U (zh) | 基于倒装焊芯片介质隔离型压力传感器 | |
| WO2016039019A1 (ja) | 流量センサ | |
| CN111060236A (zh) | 一种硅压阻式压力传感器封装总成结构 | |
| CN207124765U (zh) | 一种mems芯片的封装结构 | |
| CN211570109U (zh) | 基于热膨胀流的mems陀螺仪及电子装置 | |
| CN220283619U (zh) | 一种封装结构 | |
| JP5743852B2 (ja) | 圧力検出装置用パッケージおよび圧力検出装置 | |
| CN216978116U (zh) | 骨声纹传感器 | |
| CN215984997U (zh) | 介质隔离式压力传感器 | |
| CN220887013U (zh) | 数字输出的压力传感器 | |
| JPS5828754B2 (ja) | 圧力−電気変換装置 | |
| CN207475876U (zh) | 一种麦克风、环境传感器的封装结构 | |
| JPH0245721A (ja) | 絶対圧型半導体圧力センサ | |
| WO2022007045A1 (zh) | 一种mems传感器 | |
| JP2006112812A (ja) | 真空度測定構造，真空断熱パネル及び真空度測定方法，並びに真空度測定構造を備えた真空構造体及びその製造方法 | |
| JP2005227228A (ja) | ダイヤフラム式センサ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210422 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210519 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20211220 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20211220 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220408 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220419 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220715 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220802 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220826 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7133061 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |