JP2021162660A - 光導波路モジュール及び光源モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】温度上昇に伴うクラッド層の変形を抑制する。【解決手段】光導波路モジュールは、第一面１ａを有する基板１と、第一面上に位置する電極と、コアを囲むとともに電極に接して第一面上に位置するクラッド層２２と、クラッド層内に位置するコアと、を備え、電極は、電極の周縁に位置し、第一方向に延びる壁部４１１と、壁部同士の間に位置する第二面とを有し、壁部は、内面４１１ａと、内面に繋がる上面４１１ｂと、上面に繋がる外面４１１ｃと、を有し、クラッド層２２は、上面の少なくとも一部に接しており、第二面上における内面の対向部分及びクラッド層の対向部分が、発光素子実装領域である。【選択図】図３

Description

本開示は、光導波路モジュール及び光源モジュールに関する。

基板と、コアと、コアを囲んで基板上に位置するクラッド層と、基板上に位置する電極と、電極上に位置する発光素子と、を備える光導波路モジュールが知られている。
こうした光導波路モジュールの中には、クラッド層が凹部を有するとともに、凹部の底に電極が位置するものがある。この場合、発光素子は、クラッド層の凹部の壁面と対向して搭載される（例えば、特許文献１，２参照）。

特開平１１−１０１９２６号公報 特許第３４５３６０８号公報

光導波路モジュールは、使用している（発光素子に通電している）うちに、電極、発光素子及びこれらの周囲のクラッド層の温度が上昇してくる。
また、クラッド層は、温度が上昇すると変形する。
クラッド層の変形は、コアに対する発光素子の位置がずれ、発光素子からコアへ入射する光が減少する要因となり得る。
今般において光導波路モジュールには、温度上昇に伴うクラッド層の変形が少ないことが求められている。

本開示の一の態様に係る光導波路モジュールは、
第一面を有する基板と、
前記第一面上に位置する電極と、
前記電極に接して前記第一面上に位置するクラッド層と、
前記クラッド層内に位置するコアと、を備え、
前記電極は、該電極の周縁に位置し、第一方向に延びる壁部と、前記壁部同士の間に位置する第二面とを有し、
前記壁部は、内面と、該内面に繋がる上面と、該上面に繋がる外面と、を有し、
前記クラッド層は、前記上面の少なくとも一部に接しており、
前記第二面上における前記内面の対向部分及び前記クラッド層の対向部分が、発光素子実装領域である。

また、本開示の一の態様に係る光源モジュールは、
上記光導波路モジュールと、
該光導波路モジュールが備える前記電極における前記第二面上の前記発光素子実装領域に実装された発光素子と、
前記発光素子を覆う蓋体と、を備える。

本開示の光導波路モジュールは、温度上昇に伴うクラッド層の変形が少ない。
本開示の光源モジュールは、信頼性に優れる。

本開示の実施形態に係る光源モジュールの分解斜視図である。 本開示の他の実施形態に係る光源モジュールの側面図である。 図１のＡ−Ａ断面図の一例である。 同実施形態に係る光源モジュールの一部を示す平面図である。 図１のＡ−Ａ断面図の他の例である。 図１のＡ−Ａ断面図の他の例である。 図１のＡ−Ａ断面図の他の例である。 図１のＡ−Ａ断面図の他の例である。 図１のＡ−Ａ断面図の他の例である。 図１のＡ−Ａ断面図の他の例である。 図１のＡ−Ａ断面図の他の例である。 図１のＡ−Ａ断面図の他の例である。 図１のＡ−Ａ断面図の他の例である。 図１の光源モジュールが備える光導波路モジュールの製造途中の状態を示す断面図である。

以下、図面を参照して、本開示の実施の形態について詳細に説明する。
ただし、本開示の技術的範囲は、下記実施形態や図面に例示したものに限定されるものではない。

＜１．光源モジュールの構成＞
まず、本開示の実施形態に係る光源モジュール１００の構成について説明する。
図１は光源モジュールの分解斜視図である。

光源モジュール１００は、図１に示すように、光導波路モジュール１１０と、発光素子１２０と、レンズ１３０と、蓋体１４０と、接合層１５０と、を備えている。
本実施形態に係る光源モジュール１００は、三つの発光素子１２０を備えている。
なお、光源モジュール１００が備える発光素子１２０は、二つ以下であってもよいし、四つ以上であってもよい。

〔１−１．光導波路モジュール〕
光導波路モジュール１１０は、基板１と、光導波路２と、導体層３と、を備えている。
また、本実施形態に係る光導波路モジュール１１０は、電極４を備えている。

（基板）
基板１は、第一面１ａを有する。
本実施形態に係る第一面１ａは、基板１における最も広い面となっている。
本実施形態に係る基板１は、第一面１ａが長方形の板状である。
なお、第一面１ａの形状は、正方形、又はその他の多角形であってもよい。

（光導波路）
光導波路２は、基板１の第一面１ａ上に位置する。
光導波路２は、コア２１と、クラッド層２２と、を備えている。

コア２１は、第一面１ａに沿う方向に延びている。コア２１は、図１に示す斜視図おいて、左上から右下方向に延びている。
コア２１の材質は、例えば、ガラス（例えば、石英等）、樹脂等である。
本実施形態に係るコア２１は、複数の分岐路２１１と、合波部２１２と、統合路２１３と、を備える。
複数の分岐路２１１は、それぞれ、入射面２１１ａ（図２参照）から合波部２１２へ延びている。
各入射面２１１ａは、各発光素子１２０の側面と対向する。
複数の分岐路２１１は、合波部２１２において会合する。
統合路２１３は、合波部２１２から出射面２１３ａ（図２参照）まで延びている。
本実施形態に係る出射面２１３ａは、レンズ１３０に面している。

クラッド層２２は、コア２１を囲むとともに電極４に接して基板１の第一面１ａ上に位置する。すなわち、コア２１は、クラッド層２２内に位置する。
クラッド層２２は、光導波路モジュール１１０の第一端１１０ａ側からレンズ１３０が位置する第二端１１０ｂに向かって延びている。
クラッド層２２の材質は、例えば、ガラス（例えば、石英等）、樹脂等である。
クラッド層２２の屈折率は、コア２１の屈折率よりも低い。
図１に示す本実施形態に係るクラッド層２２は、第一面１ａにおける、第二端１１０ｂとは反対側の第一端１１０ａには存在しない（第一面１ａの第一端１１０ａ側の端部は露出している）例を示している。

クラッド層２２は、開口部２２ａを有する。
本実施形態に係るクラッド層２２は、開口部２２ａを複数（発光素子１２０の数の分だけ）有する。
本実施形態に係る各開口部２２ａは、クラッド層２２の第一端１１０ａ側の端部に位置する。
本実施形態に係る各開口部２２ａは、第一面１ａと直交する方向から見たときの輪郭が電極４の搭載部４１又は発光素子１２０よりも一回り大きな矩形である。
また、各開口部２２ａの内側壁面のうち、第二端１１０ｂ側に位置する壁面には、コア２１の複数の分岐路２１１のうち、一の分岐路２１１の入射面２１１ａがそれぞれ位置する。

（導体層）
導体層３（シールリング）は、クラッド層２２上に位置する。
本実施形態に係る導体層３は、クラッド層２２の複数の開口部２２ａを囲む矩形枠状である。
導体層３は、接合層１５０（図３参照）を介して蓋体１４０と接合する。

（電極）
電極４は、基板１の第一面１ａに位置する。
電極４は、複数の発光素子１２０に対応して複数位置する。
各電極４は、搭載部４１と、引き出し部４２と、をそれぞれ有する。
搭載部４１は、第一面１ａにおける、クラッド層２２の開口部２２ａ内の領域上及びその周囲の領域上に位置する。
引き出し部４２は、搭載部４１から、クラッド層２２の第一端１１０ａ側の端部をくぐり、基板１の第一端１１０ａまで延びている。
そして、引き出し部４２の第一端１１０ａ側の端部は、第一面１ａの第一端１１０ａ側の端部上において露出する。

〔１−２．発光素子〕
発光素子１２０は、クラッド層２２の開口部２２ａ内に位置する。
各発光素子１２０は、各電極４の搭載部４１上に搭載され、電極４と導通する。
以下、開口部２２ａ内の発光素子１２０が存在する（又は実装前の発光素子１２０が存在することになる）領域を発光素子実装領域Ｒと称する。
発光素子１２０は、例えばレーザーダイオードである。
三つの発光素子１２０は、それぞれ、赤色光を発する赤色発光素子１２０Ｒ、緑色光を発する緑色発光素子１２０Ｇ、青色光を発する青色発光素子１２０Ｂである。

〔１−３．レンズ〕
レンズ１３０は、光導波路モジュール１１０の第二端１１０ｂに取り付けられている。
レンズ１３０は、コア２１の統合路２１３の出射面２１３ａと対向する。

〔１−４．蓋体〕
蓋体１４０は、本体１４１と、第二導体層１４２と、を備えていてもよい。
本体１４１を第一面１ａと直交する方向から見たときの輪郭は、導体層３の輪郭と略等しい矩形である。
本体１４１は、基板１と対向する面の中央部に凹部１４１ａを有する。
第二導体層１４２は、本体１４１における基板１と対向する面上に位置する。
本実施形態に係る第二導体層１４２は、本体１４１における基板１と対向する面の周縁に沿う矩形枠状である。
第二導体層１４２は、接合層１５０（図３参照）を介して光導波路モジュール１１０の導体層３と接合する。

〔１−５．接合層〕
接合層１５０は、接合材が硬化したものであってもよい。
接合材は、例えば、金属系材料（Ａｕ、Ｓｎ等）又はガラス系材料である。
接合層１５０は、光導波路モジュール１１０の導体層３に密着するとともに、蓋体１４０の第二導体層１４２にも密着することにより、蓋体１４０を光導波路モジュール１１０に接合させている。

〔１−６．その他〕
なお、光源モジュール１００は、図２に示すように、発光素子１２０の高さ（第一面１ａと発光素子１２０における最も基板１から離れた面までの距離）が、導体層３の高さ（第一面１ａから導体層３における最も基板から離れた面までの距離）よりも高くてもよい。
そして、この場合、蓋体１４０は、平板状であっても（凹部１４１ａを有しなくても）よい。

〔１−７．光源モジュールの作用〕
複数の電極４の各引き出し部４２にそれぞれ所定の電圧を印加すると、各発光素子１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂが発光する。
各発光素子１２０Ｒ，１２０Ｇ，１２０Ｂから出射した赤色光、緑色光及び青色光は、それぞれ各入射面２１１ａから分岐路２１１に入射する。
上述したように、クラッド層２２の屈折率は、コア２１の屈折率よりも低い。このため、分岐路２１１に入射した光は、分岐路２１１とクラッド層２２との境界面で全反射する。その結果、各光は分岐路２１１に閉じ込められたまま分岐路２１１内を進む。
その後、各光は、合波部で合波される。
合波された光は、前反射しながら統合路２１３内を進み出射面２１３ａから出射される。
出射面２１３ａから出射した光は、レンズ１３０を通り、外へ照射される。

＜２．光導波路モジュールの特徴＞
次に、上記光源モジュール１００が備える光導波路モジュール１１０の特徴について説明する。
図３は図１のＡ−Ａ断面図（蓋体接合後）の一例、図４は光源モジュールの一部を示す平面図、図５〜１３は図１のＡ−Ａ断面図の他の例である。

電極４の搭載部４１は、例えば図３に示すように、壁部４１１と、底部４１２と、を有する。
また、本実施形態に係る搭載部４１は、第三導体層４１３を有する。

壁部４１１は、電極４の搭載部４１の周縁に位置し、第一方向に延びる。
第一方向は、基板１から離れる方向である。
本実施形態に係る壁部４１１の材質は、接合材が濡れない導体（例えばＮｉ，Ｔｉ、Ｃｒ等）である。
壁部４１１は、内面４１１ａと、内面４１１ａに繋がる上面４１１ｂと、上面４１１ｂに繋がる外面４１１ｃと、を有する。
本実施形態に係る電極４は、例えば図４に示すように、搭載部４１の周縁全体が壁部４１１である。

底部４１２は、図３に示したように、壁部４１１同士の間に、基板１の第一面１ａに沿って位置する。
底部４１２の材質は、壁部４１１と同じである。
第二面４１２ａは、壁部４１１の内面４１１ａに繋がっている。すなわち、第二面４１２ａも、壁部４１１同士の間に位置する。
このため、発光素子実装領域Ｒは、第二面４１２ａ上における内面４１１ａの対向部分及びクラッド層２２の対向部分である。

第三導体層４１３は、第二面４１２ａの中央部上に位置する。
第三導体層４１３の材質は、例えばＡｕである
第三導体層４１３は、第二接合層１６０を介して発光素子１２０の電極１２１と接合する。

なお、図３には、幅ｗよりも高さｈの方が大きい壁部４１１を有する電極４を例示したが、壁部４１１は、例えば図５に示すように、幅ｗと高さｈが同程度のものであってもよい。
また、壁部４１１は、例えば図６に示すように、幅ｗが高さｈより大きいものであってもよい。
電極４となる導体は、基板１及びクラッド層２２の双方とに高い密着性が求められる。このため、図５、６に示すように、壁部４１１の幅ｗを大きくするほど、密着力が増強し、剥離等による不具合を抑制することが可能となる。
また、壁部４１１の幅ｗを大きくするほど、電極４の表面積が大きくなって伝熱経路が増大する。このため、電極４の放熱性が向上し、温度上昇によるクラッド層２２の変形を抑制することができる。

クラッド層２２は、壁部４１１の上面４１１ｂの少なくとも一部に接している。
本実施形態に係るクラッド層２２は、壁部４１１の上面４１１ｂ及び外面４１１ｃの全てに接している。
クラッド層２２の内周面２２ｂと壁部４１１の内面４１１ａとは、図３，５に示したように面一でもよい。
また、内面４１１ａは、例えば図７に示すように、クラッド層２２より発光素子実装領域Ｒの近くに位置してもよい。
このようにすれば、内面４１１ａを発光素子実装領域Ｒに近づける分だけ壁部４１１の幅ｗを大きく（厚く）することが可能となる。その結果、壁部４１１の剛性が向上する。

なお、電極４の断面形状には、各種変形パターンが存在する。
以下、各変形パターンについてそれぞれ説明する。
ここでは、幅ｗよりも高さｈの方が大きく、内面４１１ａの上端がクラッド層２２の内周面２２ｂと段差になっていない壁部４１１を例にして説明するが、図３，５に示した相対的に幅ｗの大きい壁部４１１及び図６に示した内面４１１ａがクラッド層２２の内周面２２ｂと面一になっていない壁部４１１に対し、以下の各種変形パターンを適用することも可能である。

（変形パターン１）
変形パターン１に係る電極４の壁部４１１は、例えば図８に示すように、その幅（内面４１１ａと外面４１１ｃとの距離）が、基板１へ近づくにつれて広くなっている。
図８に示した壁部４１１は、外面４１１ｃが第一面１ａと直交している。
また、図８に示した壁部４１１は、内面４１１ａが基板１に近づくにつれて外面４１１ｃから遠ざかるように傾斜している。
このようにすれば、壁部４１１の下部（基板１側の部分）が厚くなる。このため、壁部４１１の剛性が向上し、壁部４１１がより変形しにくくなる。
また、電極４の壁部４１１の内面４１１ａと第二面４１２ａとがなす角が鈍角となり、壁部４１１が破断しにくくなる。

（変形パターン２）
変形パターン２に係る電極４の壁部４１１は、例えば図９に示すように、内面４１１ａと外面４１１ｃとの距離である幅が、基板１へ近づくにつれて狭くなっている。
図９に示した壁部４１１は、外面４１１ｃが第一面１ａと直交している。
また、図９に示した壁部４１１は、内面４１１ａが基板１に近づくにつれて外面４１１ｃへ近づくように傾斜している。
このようにすれば、壁部４１１の基板１側が薄くなる。このため、壁部４１１が内面４１１ａと直交する方向へ弾性変形しやすくなる。そして、壁部４１１が弾性変形することで、クラッド層２２に作用する熱応力を吸収するようになり、壁部４１１が破断しにくくなる。
また、壁部４１１の基板１側が薄くなることで、壁部４１１と発光素子実装領域Ｒとの間にできる空隙が広くなる。このため、電極４に発光素子１２０を実装する際、余剰の接合材等をこの空隙に逃がすことが可能となる。その結果、接合材（第二接合層１６０）による短絡を防ぐことができる。

（変形パターン３）
変形パターン３に係る電極４の壁部４１１は、例えば図１０に示すように、内面４１１ａと第二面４１２ａとが凹曲状に繋がっている。
このようにすれば、壁部４１１と底部４１２との境が屈曲しなくなるため、壁部４１１と底部４１２とがより破断しにくくなる。

（変形パターン４）
変形パターン４に係る電極は、例えば図１１に示すように、内面４１１ａと第二面４１２ａとが窪み部４１２ｂを介して繋がっている。
図１１に示した窪み部４１２ｂは、壁部４１１に近づくにつれて基板１に近づくように傾斜している。
このようにすれば、底部４１２の壁部４１１側が薄くなる上、内面４１１ａが窪み部４１２ｂの分だけ第一面１ａと直交する方向に長くなる。このため、壁部４１１が内面４１１ａと直交する方向へ弾性変形しやすくなる。そして、壁部４１１が弾性変形することで、クラッド層２２に作用する熱応力を吸収するようになり、壁部４１１が破断しにくくなる。
また、窪み部４１２ｂの分だけ、壁部４１１と発光素子実装領域Ｒとの間にできる空隙が広くなる。このため、電極４に発光素子１２０を実装する際、余剰の接合材等をこの空隙に逃がすことが可能となる。その結果、接合材（第二接合層１６０）による短絡を防ぐことができる。
なお、内面４１１ａと窪み部４１２ｂとの境は、屈曲していてもよいし、凸曲になっていてもよいが、凸曲の方が屈曲の場合よりも壁部４１１を破断しにくくすることができる。
また、窪み部４１２ｂと第二面４１２ａとの境は、屈曲していてもよいし、凹曲になっていてもよいが、凹曲の方が屈曲の場合よりも壁部４１１を破断しにくくすることができる。

（変形パターン５）
変形パターン５に係る電極４の壁部４１１は、例えば図１２に示すように、高さ方向（第一面１ａと直交する方向）において、上面４１１ｂから基板に向かって、内面４１１ａと外面４１１ｃとの距離である幅の漸増部４１１ｄ及び該漸増部４１１ｄに続く漸減部４１１ｅを有し、漸増部４１１ｄと漸減部４１１ｅの境が内面４１１ａに位置する。
図１２に示した壁部４１１は、外面４１１ｃが第一面１ａと直交している。
また、図１２に示した壁部４１１は、漸増部４１１ｄにおける内面４１１ａが基板１に近づくにつれて外面４１１ｃから遠ざかるように傾斜している。
また、図１２に示した壁部４１１は、漸減部４１１ｅにおける内面４１１ａが基板１に近づくにつれて外面４１１ｃへ近づくように傾斜している。
このようにすれば、漸増部４１１ｄと漸減部４１１ｅとの境を中心に壁部４１１が厚くなる。このため、壁部４１１の剛性が向上し、壁部４１１が破断しにくくなる。
なお、漸増部４１１ｄと漸減部４１１ｅの境は、屈曲していてもよいし、凸曲になっていてもよいが、凸曲の方が屈曲の場合よりも壁部４１１を破断しにくくすることができる。

（変形パターン６）
変形パターン６に係る電極４の壁部４１１は、例えば図１３に示すように、高さ方向において、上面４１１ｂから基板に向かって、内面４１１ａと外面４１１ｃとの距離である幅の漸減部４１１ｅ及び該漸減部４１１ｅに続く漸増部４１１ｄを有し、漸減部４１１ｅと漸増部４１１ｄの境が内面４１１ａに位置する。
図１３に示した壁部４１１は、外面４１１ｃが第一面１ａと直交している。
また、図１３に示した壁部４１１は、漸減部４１１ｅにおける内面４１１ａが基板１に近づくにつれて外面４１１ｃへ近づくように傾斜している。
また、図１３に示した壁部４１１は、漸増部４１１ｄにおける内面４１１ａが基板１に近づくにつれて外面４１１ｃから遠ざかるように傾斜している。
このようにすれば、壁部４１１における漸減部４１１ｅと漸増部４１１ｄとの境が薄くなる。このため、漸減部４１１ｅが、該漸減部４１１ｅにおける内面４１１ａと直交する方向へ弾性変形しやすくなる。そして、壁部４１１が弾性変形することで、クラッド層２２に作用する熱応力を吸収するようになり、壁部４１１が破断しにくくなる。
また、壁部４１１における漸減部４１１ｅと漸増部４１１ｄとの境が薄くなることで、壁部４１１と発光素子実装領域Ｒとの間にできる空隙が広くなる。このため、電極４に発光素子１２０を実装する際、余剰の接合材等をこの空隙に逃がすことが可能となる。その結果、接合材（第二接合層１６０）による短絡を防ぐことができる。
なお、漸減部４１１ｅと漸増部４１１ｄの境は、屈曲していてもよいし、凹曲になっていてもよいが、凹曲の方が屈曲の場合よりも壁部４１１を破断しにくくすることができる。

＜３．光導波路モジュールの製造方法＞
次に、上記光導波路モジュール１１０の製造方法について説明する。
図１４は、光導波路モジュール１１０の製造途中の状態を示す断面図である。

本実施形態に係る光導波路モジュール１１０の製造方法は、第一電極形成工程と、光導波路形成工程と、第二電極形成工程と、を含む。

（第一電極形成工程、光導波路形成工程）
第一電極形成工程では、図１４（ａ）に示すように、基板１の第一面１ａ上に、電極４の壁部４１１及び底部４１２を形成する。
具体的には、壁部４１１及び底部４１２と同じ導体で第一面１ａ上に導体層を成膜する。そして、導体層を壁部４１１及び底部４１２の形状となるようにエッチングする。
その場合、第一電極形成工程の前に光導波路形成工程を行う。すなわち、エッチング前に導体層の上に光導波路を形成し、開口部２２ａの形成から連続して壁部４１１及び底部４１２の形成をエッチングにより行う。

なお、予め最終的な形状に加工された壁部４１１及び底部４１２を第一面１ａ上に貼り付けてもよい。
その場合は、第一電極形成工程の後に光導波路形成工程を行う。すなわち、壁部４１１及び底部４１２の上に光導波路２を形成し、開口部２２ａを形成する。

（第二電極形成工程）
クラッド層２２に開口部２２ａを形成した後は、第二電極形成工程へ移る。
第二電極形成工程では、図１４（ｃ）に示すように、クラッド層２２の表面及び壁部４１１の内面４１１ａにマスクＭを形成する。
そして、図１４（ｄ）に示すように、第二面４１２ａの表面に第三導体層４１３を形成する。
第三導体層４１３の形成は、めっきで行ってもよいし、スパッタリングで行ってもよい。
そして、図１４（ｅ）に示すように、マスクＭ及びマスクＭ上の第三導体層４１３を除去する。
こうして、上述した光導波路モジュール１１０が製造される。

＜４．効果＞
以上説明してきた本実施形態に係る光導波路モジュール１１０、及びこの光導波路モジュール１１０を備える光源モジュール１００は、電極４の搭載部４１が壁部４１１を有する。このため、搭載部４１の剛性が従来よりも向上している。
また、本実施形態に係る光導波路モジュール１１０及び光源モジュール１００は、クラッド層２２が壁部４１１の外面４１１ｃ全体及び上面４１１ｂの少なくとも一部に接する。このため、電極４とクラッド層２２との接触面積が、電極４が単純な平板の場合よりも増大している。また、このことにより、電極４とクラッド層２２と密着力が、電極４が単純な平板の場合よりも向上している。
そして、電極４は、高い剛性と及びクラッド層２２との密着力によって、クラッド層２２の変形を抑え込む。
このため、本実施形態に係る光導波路モジュール１１０は、温度上昇に伴うクラッド層２２の変形が少ない。そして、本実施形態に係る光導波路モジュール１１０を備える光源モジュール１００は、発光素子１２０からコア２１への光入射効率に優れるとともに、信頼性に優れる。

１００ 光源モジュール
１１０ 光導波路モジュール
１ 基板
１ａ 第一面
２ 光導波路
２１ コア
２１１ 分岐路
２１１ａ 入射面
２１２ 合波部
２１３ 統合路
２１３ａ 出射面
２２ クラッド層
２２ａ 開口部
２２ｂ 内周面
３ 導体層
４ 電極
４１ 搭載部
４１１ 壁部
４１１ａ 内面
４１１ｂ 上面
４１１ｃ 外面
４１１ｄ 漸増部
４１１ｅ 漸減部
４１２ 底部
４１２ａ 第二面
４１２ｂ 窪み部
４１３ 第三導体層
４２ 引き出し部
１２０ 発光素子
１２０Ｂ 青色発光素子
１２０Ｇ 緑色発光素子
１２０Ｒ 赤色発光素子
１２１ 電極
１３０ レンズ
１４０ 蓋体
１４１ 本体
１４１ａ 凹部
１４２ 第二導体層
１５０ 接合層
１６０ 第二接合層
Ｒ 発光素子実装領域

Claims (12)

1. 第一面を有する基板と、
   前記第一面上に位置する電極と、
   前記電極に接して前記第一面上に位置するクラッド層と、
   前記クラッド層内に位置するコアと、を備え、
   前記電極は、該電極の周縁に位置し、第一方向に延びる壁部と、前記壁部同士の間に位置する第二面とを有し、
   前記壁部は、内面と、該内面に繋がる上面と、該上面に繋がる外面と、を有し、
   前記クラッド層は、前記上面の少なくとも一部に接しており、
   前記第二面上における前記内面の対向部分及び前記クラッド層の対向部分が、発光素子実装領域である、光導波路モジュール。
2. 前記壁部は、前記内面と前記外面との距離である幅が、前記基板へ近づくにつれて広くなっている、請求項１に記載の光導波路モジュール。
3. 前記壁部は、前記内面と前記外面との距離である幅が、前記基板へ近づくにつれて狭くなっている、請求項１に記載の光導波路モジュール。
4. 前記壁部は、前記内面と前記第二面とが凹曲状に繋がっている、請求項１に記載の光導波路モジュール。
5. 前記壁部は、高さ方向において、前記上面から前記基板に向かって、前記内面と前記外面との距離である幅の漸増部及び該漸増部に続く漸減部を有し、前記漸増部と前記漸減部の境が前記内面に位置する、請求項１に記載の光導波路モジュール。
6. 前記壁部は、高さ方向において、前記上面から前記基板に向かって、前記内面と前記外面との距離である幅の漸減部及び該漸減部に続く漸増部を有し、前記漸減部と前記漸増部の境が前記内面に位置する、請求項１に記載の光導波路モジュール。
7. 前記電極は、前記内面と前記第二面とが窪み部を介して繋がっている、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の光導波路モジュール。
8. 前記電極における前記内面は、前記クラッド層より前記発光素子実装領域の近くに位置する、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の光導波路モジュール。
9. 前記クラッド層は、前記上面及び前記外面の全てに接している、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の光導波路モジュール。
10. 前記電極は、前記周縁全体が前記壁部である、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の光導波路モジュール。
11. 請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の光導波路モジュールと、
    該光導波路モジュールが備える前記電極における前記第二面上の前記発光素子実装領域に実装された発光素子と、
    前記発光素子を覆う蓋体と、を備える光源モジュール。
12. 前記発光素子を複数備え、
    各発光素子は、赤色発光素子、緑色発光素子、及び青色発光素子である請求項１１に記載の光源モジュール。

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