JP7300794B2 - 光導波路パッケージおよび発光装置 - Google Patents
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Description
本開示は、光導波路パッケージおよび発光装置に関する。
従来技術の一例は、特許文献１に記載されている。
本開示の光導波路パッケージは、発光素子を搭載する素子搭載部を有する光導波路パッケージであって、
第１面を有する基板と、
前記第１面上に位置し、前記第１面に対向する第２面と、該第２面の反対に位置する第３面と、を有するクラッドと、
該クラッド内に位置し、第１方向に延びているコアと、を備え、
前記クラッドは、前記第３面に開口しているとともに、前記第１面に向かう平面視で前記素子搭載部が位置する凹部を有し、
前記コアは、前記凹部に繋がっており、
前記凹部は、前記第３面と交わる壁面と、前記発光素子の角を支持する角部支持面と、を有し、
前記壁面は、第１壁面および第２壁面を有し、
前記角部支持面は、前記第１壁面および前記第２壁面と連続する第１角部支持面を有し、
前記第１壁面と同一平面に位置する面を第１仮想面とし、前記第２壁面と同一平面に位置する面を第２仮想面とし、前記平面視で前記第１仮想面と前記第２仮想面との交点を第１交点としたとき、
前記平面視において、前記第１角部支持面は、前記第１交点よりも前記凹部の中央側に位置している。
第１面を有する基板と、
前記第１面上に位置し、前記第１面に対向する第２面と、該第２面の反対に位置する第３面と、を有するクラッドと、
該クラッド内に位置し、第１方向に延びているコアと、を備え、
前記クラッドは、前記第３面に開口しているとともに、前記第１面に向かう平面視で前記素子搭載部が位置する凹部を有し、
前記コアは、前記凹部に繋がっており、
前記凹部は、前記第３面と交わる壁面と、前記発光素子の角を支持する角部支持面と、を有し、
前記壁面は、第１壁面および第２壁面を有し、
前記角部支持面は、前記第１壁面および前記第２壁面と連続する第１角部支持面を有し、
前記第１壁面と同一平面に位置する面を第１仮想面とし、前記第２壁面と同一平面に位置する面を第２仮想面とし、前記平面視で前記第１仮想面と前記第２仮想面との交点を第１交点としたとき、
前記平面視において、前記第１角部支持面は、前記第１交点よりも前記凹部の中央側に位置している。
また本開示の発光装置は、前記光導波路パッケージと、
前記素子搭載部に位置する発光素子と、
前記コアから出射される光の光路上に位置するレンズと、を含んでいる。
前記素子搭載部に位置する発光素子と、
前記コアから出射される光の光路上に位置するレンズと、を含んでいる。
まず、本開示の光導波路パッケージは、シリコン基板上に形成された石英ガラス光導波路と、光導波路の互いに異なる端面に光結合されて、それぞれがシリコン基板上にボンディングされた受発光素子と、光導波路の別の端面に接続された光ファイバとを備える。本開示の発光装置は、上記構成を基礎とする光導波路パッケージを備える。
光導波路、受発光素子および光ファイバは、光導波路の端面に受発光素子および光ファイバをそれぞれ接触させることによって光軸が一致するように位置決めされる。また、シリコン基板に対しては、受発光素子および光ファイバの寸法を光導波路の厚みに対応させることによって、上下方向の位置決めが行われる。光導波路パッケージおよび発光装置には、部品の小形化および位置合わせの容易化を図ることが求められている。
また、光導波路パッケージおよび発光装置では、使用時における受発光素子の熱膨張により、光導波路、受発光素子および光ファイバの間の光軸のずれ、あるいは、受発光素子および受発光素子が接触している周囲の部材が変形、損傷が生じるおそれがある。そのため、光導波路パッケージおよび発光装置には、受発光素子の熱膨張を許容する構成が求められている。
以下、添付図面を参照して、本開示の光導波路パッケージおよび発光装置の実施形態について説明する。
図１から図５に係る本実施形態の光導波路パッケージ１００は、第１面２を有する基板１と、基板１の第１面（上面）２に位置するとともに、クラッド３およびクラッド３内に位置するコア４を有する光導波層５と、を備える。クラッド３は、基板１の第１面２上に位置し、第１面２に対向する第２面３ａと、第２面３ａの反対に位置する第３面３ｂと、を有する。クラッド３は、第３面３ｂに開口しているとともに、第１面２に向かう平面視で素子搭載部６が位置する凹部８を有している。凹部８は、素子搭載部６を囲むように位置する内壁面７を有する。コア４は、クラッド３内に位置し、凹部８に繋がっており、第１方向に延びている。複数の凹部８のそれぞれによって、素子搭載部６が囲まれている。これらの凹部８を覆うように、蓋体１１がクラッド３に積層されていてもよい。
本実施形態の光導波路パッケージ１００では、発光素子１０をそれぞれ収容する複数（本実施形態では３）の凹部８を有し、各発光素子１０とレンズ４５とを含んで発光装置２００が構成される。発光素子１０としては、赤色（Ｒ）光、緑色（Ｇ）光、青色（Ｂ）光を発光するレーザーダイオードなどが適用される。光導波層５は、コア４とクラッド３とが一体に結合されて構成される。基板１は、複数の誘電体層が積層されて形成されていてもよい。
基板１は、誘電体層がセラミック材料から成るセラミック配線基板であってもよい。セラミック配線基板で用いられるセラミック材料としては、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化ケイ素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体等が挙げられる。基板１がセラミック配線基板である場合、誘電体層には、発光素子１０および受光素子と外部回路との電気的接続のための接続パッド、内部配線導体、外部接続端子等の各導体が配設される。
基板１の材料としては、例えば誘電体層が有機材料から成る有機配線基板であってもよい。有機配線基板は、例えば、プリント配線基板、ビルドアップ配線基板、フレキシブル配線基板等である。有機配線基板に用いられる有機材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。
光導波層５は、例えば、石英などのガラス、樹脂等であってもよい。光導波層５は、コア４と、クラッド３を構成する材料としては、いずれもガラスあるいは樹脂であってもよい。この場合には、コア４とクラッド３との屈折率が異なっており、コア４はクラッド３よりも屈折率が高い。この屈折率の違いを利用して、光の全反射をさせる。つまり、屈折率の高い材料で路を作り、周りを屈折率の低い材料で囲むことで、光を屈折率の高いコア４内に閉じ込めることができる。
コア４は、複数の入射端面４ａ，４ｂ，４ｃと１つの出射端面４２との間に、入射端面４ａ～４ｃを一端とする複数の分割路４１ａ，４１ｂ，４１ｃと、複数の分割路４１ａ，４１ｂ，４１ｃが会合する合波部４３と、出射端面４２を一端とする統合路４４とを有する。
各発光素子１０から出射された赤色（Ｒ）光、緑色（Ｇ）光、青色（Ｂ）光の各光は、入射端面４ａ，４ｂ，４ｃから分割路４１ａ，４１ｂ，４１ｃに入射し、合波部４３および統合路４４を経て、出射される。レンズ４５は、コア４から出射される光の光路上に位置し、コア４から出射される光を平行化してもよいし、集光してもよい。
レンズ４５は、例えば、入射面が平面に形成され、出射面が凸面の平凸レンズである。各分割路４１ａ，４１ｂ，４１ｃの各光軸と、各発光素子１０の発光部の中心とが一致するように、光導波層５と発光素子１０とレンズ４５とが組み立てられる。
各凹部８の内壁面７のそれぞれは、第３面と交わる複数の壁面７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄと、複数の壁面７ａ～７ｄのうち互いに隣接する第１壁面７ａ～７ｄおよび第２壁面７ａ～７ｄの間にそれぞれ位置する角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄと、を含む。これらの角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄは、曲面から成る。これらの凹部８において、第１壁面７ａ～７ｄおよび第２壁面７ａ～７ｄの間にそれぞれ位置する角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄが設けられるので、角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄによって発光素子１０の下方の４つ角部を当接させて発光素子１０を支持できる。このような光導波路パッケージ１００は、発光素子１０の位置ずれが少ない。また、発光素子１０との接触面積が小さいため、熱膨張によるクラッド３の損傷を低減できるので、光導波路パッケージ１００は、コア４と発光素子１０から発光する光との結合効率に優れる。
図６Ａ～図６Ｅは凹部８の形成手順を説明するための図である。図６Ａ～図６Ｅの上段は、１つの凹部８が形成される部位の平面図を示す。また、図６Ａ～図６Ｅの下段は、上段に対応する断面図を示す。図６Ａに示すように、基板１の上面２に成膜して光導波層５を形成し、形成した光導波層５の成膜上に図６Ｂに示すように、レジスト塗布し、図６Ｃに示すように、塗布されたレジストに露光して現像する。そして、図６Ｄに示すように、光導波層５をエッチングして発光素子１０を収容するための空間を形成した後、図６Ｅに示すように、レジストを除去することによって、凹部８が形成される。なお、本開示においては、凹部８が、第３面３ｂから第２面３ａに貫通しているが、必ずしもこれに限定されるものではない。
このようにエッチングによって凹部８を形成することで、フォトマスクのパターンが直角で覆われた矩形であっても、フォトリソグラフィの露光解像度およびエッチングによる浸食により、曲面状の角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄを形成できる。
図７は素子周辺の拡大平面図である。発光素子１０に外接円の円弧、すなわち発光素子１０の対角長２Ｒを直径とする円を想定すると、角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄの曲率半径ｒをＲよりも小さくすることで、発光素子１０は凹部８内で回転することなく正確に位置決めして支持できる。曲率半径ｒが小さいほど、光導波層５と発光素子１０の距離が短くなるので、そのような構成を有する光導波路パッケージ１００は、光結合の結合効率に優れると共に凹部８が小形となる。
蓋体１１を有するとき、蓋体１１は、凹部８を覆っており、クラッド３の第３面３ｂに位置していてもよい。このとき、蓋体１１とクラッド３との間にはシールリング１７（第２金属体）が介在している。シールリング１７は、金属材料を含むと共に、凹部８を囲んでおり、例えば、途切れの無い環状に設けられている。シールリング１７を有することで、発光素子１０が収容される空間（基板１の上面２と凹部８と蓋体１１とで囲まれる空間）内の気密性が向上する。蓋体１１のクラッド３への接合には、加熱による接合の場合があり、加熱接合時の応力によってクラッド３およびコア４が歪むことで、発光素子１０とコア４との間で光軸ずれが生じるおそれがある。シールリング１７で凹部８を囲むことで凹部８周りの機械的強度を向上させ、クラッド３およびコア４の歪みを低減できる。その結果、光導波路パッケージ１００は、発光素子１０とコア４との間の光軸ずれが少ない。
蓋体１１は、例えば、石英、ホウ珪酸、あるいはサファイア等のガラス材料で構成されている。シールリング１７は、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、ＰｔまたはＣｒなどの金属、あるいはこれらの内から選ばれる二種以上の金属で構成されており、蒸着、スパッタ、イオンプレーティングあるいはめっきなどによって、クラッド３の第３面３ｂ上に固定される。蓋体１１は、シールリング１７と、例えばＡｕ－Ｓｎ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系の半田、ＡｇまたはＣｕなどの金属系ナノ粒子ペースト、あるいはガラスペーストなどの接合材を用い、熱硬化接合またはレーザ溶接などで接合されていてもよい。
また、シールリング１７は、クラッド３ではなく、蓋体１１のクラッド３と対向する部分に設けられてもよい。この場合、シールリング１７は、例えば、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、ＰｔまたはＣｒなどの金属、あるいはこれらの内から選ばれる二種以上の金属で構成されており、蒸着、スパッタ、イオンプレーティングあるいはめっきなどによって、蓋体１１に固定されていてもよい。クラッド３は、シールリング１７と、例えばＡｕ－Ｓｎ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系の半田、ＡｇまたはＣｕなどの金属系ナノ粒子ペースト、あるいはガラスペーストなどの接合材を用い、熱硬化接合またはレーザ溶接などで接合されていてもよい。
またシールリング１７は、クラッド３と蓋体１１の両方に設けられていてもよい。この場合、クラッド３と蓋体１１のそれぞれに設けられたシールリング１７同士は、例えばＡｕ－Ｓｎ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｃｕ系の半田、ＡｇまたはＣｕなどの金属系ナノ粒子ペースト、あるいはガラスペーストなどの接合材を用いて接合していてもよい。接合は、熱硬化接合またはレーザ溶接などで行われていてもよい。
図８は本開示の他の実施形態の発光装置を示す平面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の発光装置では、各角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄは、平面から成る。各角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄを平面状とすることによって、発光素子１０を線接触で支持することができると共に、より発光素子１０の回転を低減することができる。
また、各角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄと壁面７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄとが交差する部分、その境界が曲面状であってもよい。曲面状であることによって、熱応力に対して壁面７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄのクラック等による破損を低減することができる。曲面状とは、平面視において角部付近の内縁が曲線状であり、曲線状である部分が凹部８の深さ方向に延びた面形状であるのことである。なお、各角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄの幅が小さくなるほど光導波層５と発光素子１０との距離が短くなるので、そのような構成を有する光導波路パッケージ１００は、光結合の結合効率に優れると共に各凹部８が小型となる。
図９は本開示のさらに他の実施形態の発光装置を示す平面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の発光装置では、各壁面７ａ～７ｄは、凹部８の中央に向かって、つまり凹部８に収容された発光素子１０の側面に向かって突出した中間支持面１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを有している。
各壁面７ａ～７ｄの各角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄ以外の辺部から発光素子１０に接触するように、突出した中間支持面１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄを設けることによって、発光素子１０に線接触する部分が増加し、支持性が向上する。その結果、光導波路パッケージ１００は、発光素子１０の実装時における発光素子１０の位置ずれが少ない。また、コア４と発光素子１０の出射部とが対向する位置では、コア４を発光素子１０の出射面により近づける、あるいは触れる程度まで突出させてもよい。これによって、光導波路パッケージ１００は光結合の結合効率に優れる。
図１０は本開示のさらに他の実施形態の発光装置を示す平面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の発光装置では、各凹部８は、発光素子１０が嵌合する第１空間１３と、第１空間１３に連なる第２空間１４とを有する。第２空間１４は、各角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄ以外の壁面７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄに連結されるように、第１空間１３から突出した追加空間である。このような第２空間１４を有することによって、発光素子１０の支持機能を保持したまま、電源供給を行なうための電極１５（第１金属体）を設けることができる。電極１５は、素子搭載部６から基板１の第１面２とクラッド３の第２面３ａとの間にかけて延びている。電極１５の一端が、第１空間１３、第２空間１４に位置し、他端が、外部空間に位置することで、第１空間１３、第２空間１４の密閉性を維持したまま、外部の電源供給回路などと電気的な接続を可能としている。このような電極１５は、例えば、二本の平行な帯状配線で構成されていてもよい。一方の帯状配線は、発光素子１０の上面電極からその一端へ、例えばワイヤボンディング等の金属配線１６を設けることによって、電気的接続が可能である。他方の帯状配線は、一端が素子搭載部６に接続され、素子搭載部６を介して発光素子１０の下面電極と電気的接続が可能である。
図１１は、本開示のさらに他の実施形態の発光装置を示す平面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態の発光装置では、凹部８の縁は、平面視でシールリング１７と離れている。蓋体１１の加熱接合時には、シールリング１７は熱が加わる部分である。凹部８とシールリング１７とが離れているので、クラッド３において加熱される部分と凹部８との間も大きくなり、熱応力によるクラッド３およびコア４の歪みが低減される。その結果、光導波路パッケージ１００は、発光素子１０とコア４との間の光軸ずれが少ない。
図１２は、本開示のさらに他の実施形態の発光装置を示す平面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。凹部８は、概略矩形状の開口を有しており、平面視で、コア４に最も近い第１辺８ａおよび第１辺８ａと反対に位置する第２辺８ｂを有している。本実施形態の発光装置では、凹部８の第１辺８ａとシールリング１７との距離ｄ１は、第２辺８ｂとシールリング１７との距離ｄ２よりも大きい。クラッド３において、コア４が位置する側で、加熱されるシールリング１７部分と凹部８との間を大きくすることで、発光素子１０とコア４との間の光軸ずれをさらに低減できる。そのような構成を有する光導波路パッケージ１００は、発光素子１０とコア４との間の光軸ずれが少ない。
図１３は、本開示のさらに他の実施形態の発光装置を示す平面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。本実施形態では、平面視で素子搭載部６が複数位置しており、複数の素子搭載部６を仕切っている仕切り１８を有している。例えば、１つの凹部８に素子搭載部６が複数位置する場合に、搭載された複数の発光素子１０が互いに与える影響を低減するために、本実施形態のように、クラッド３による仕切り１８を有していればよい。仕切り１８によって素子搭載部６は互いに独立し、例えば、凹部８内での迷光などによる影響を低減できる。仕切り１８によって、複数の素子搭載部６それぞれが、角部支持面９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄを有する個別の凹部８内に位置しているともいえる。仕切り１８があることで、熱応力が分散される。本実施形態では、さらに、複数の素子搭載部６が、平面視で、コア４が延びる第１方向に交わる第２方向に並んで位置し、隣接する素子搭載部６は、平面視で段違いに位置する。第１方向に沿って段違いに位置することで、熱応力がさらに分散されて、クラッド３およびコア４の歪みを低減できるので、光導波路パッケージ１００は、発光素子１０とコア４との間の光軸ずれが少ない。
図１４は本開示のさらに他の実施形態の発光装置２００Ａを示す展開図である。図１５は図１４に示される発光装置２００Ａの蓋体を省略した斜視図である。図１６は図１４の切断面線ＸＶＩ－ＸＶＩから見た発光装置２００Ａの断面図である。なお、前述の実施形態と対応する部分には同一の参照符を付し、重複する説明は省略する。前述の実施形態では、各凹部８から発光素子１０の上部が突出し、これが覆われるように箱状の蓋体１１を用いる構成について述べた。それ以外にも、本実施形態の光導波路パッケージ１００Ａおよびこれを備える発光装置２００Ａで開示するように、発光素子１０の全体が凹部８に収容される構成とし、この凹部８を板状の蓋体１１Ａによって覆い、封止する構成であってもよい。このような構成を採用することによって、蓋体１１Ａの構成が簡素化することができる。なお、本実施形態のような構成では、発光素子１０と電極１５とを金属配線１６によって接続するための空間を確保できない場合がある。例えばフリップチップ接続の発光素子１０を用いることで、下面のみで電極１５と接続し、電極１５を介して外部の電源供給回路と接続することができる。
本開示のさらに他の実施形態では、発光素子１０は、発光ダイオード（Light EmittingDiode；ＬＥＤ）に限るものではなく、例えば、ＬＤ（Laser Diode）、あるいは、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser）などであってもよい。
以上、本開示の実施形態について詳細に説明したが、また、本開示は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内において、種々の変更、改良等が可能である。上記各実施形態をそれぞれ構成する全部または一部を、適宜、矛盾しない範囲で組み合わせ可能であることは、言うまでもない。
１ 基板
２ 第１面（上面）
３ クラッド
３ａ 第２面
３ｂ 第３面
４ コア
４ａ，４ｂ，４ｃ 入射端面
５ 光導波層
６ 素子搭載部
７ 内壁面
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ 壁面
８ 凹部
８ａ 第１辺
８ｂ 第２辺
９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄ 角部支持面
１０ 発光素子
１１，１１Ａ 蓋体
１５ 電極（第１金属体）
１７ シールリング（第２金属体）
１８ 仕切り
２０ 発光装置
４１ａ，４１ｂ，４１ｃ 分割路
４２ 出射端面
４３ 合波部
４４ 統合路
４５ レンズ
１００，１００Ａ 光導波路パッケージ
２００，２００Ａ 発光装置
２ 第１面（上面）
３ クラッド
３ａ 第２面
３ｂ 第３面
４ コア
４ａ，４ｂ，４ｃ 入射端面
５ 光導波層
６ 素子搭載部
７ 内壁面
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ 壁面
８ 凹部
８ａ 第１辺
８ｂ 第２辺
９ａｂ，９ｂｃ，９ｃｄ，９ａｄ 角部支持面
１０ 発光素子
１１，１１Ａ 蓋体
１５ 電極（第１金属体）
１７ シールリング（第２金属体）
１８ 仕切り
２０ 発光装置
４１ａ，４１ｂ，４１ｃ 分割路
４２ 出射端面
４３ 合波部
４４ 統合路
４５ レンズ
１００，１００Ａ 光導波路パッケージ
２００，２００Ａ 発光装置
Claims (13)
- 発光素子を搭載する素子搭載部を有する光導波路パッケージであって、
第１面を有する基板と、
前記第１面上に位置し、前記第１面に対向する第２面と、該第２面の反対に位置する第３面と、を有するクラッドと、
該クラッド内に位置し、第１方向に延びているコアと、を備え、
前記クラッドは、前記第３面に開口しているとともに、前記第１面に向かう平面視で前記素子搭載部が位置する凹部を有し、
前記コアは、前記凹部に繋がっており、
前記凹部は、前記第３面と交わる壁面と、前記発光素子の角を支持する角部支持面と、を有し、
前記壁面は、第１壁面および第２壁面を有し、
前記角部支持面は、前記第１壁面および前記第２壁面と連続する第１角部支持面を有し、
前記第１壁面と同一平面に位置する面を第１仮想面とし、前記第２壁面と同一平面に位置する面を第２仮想面とし、前記平面視で前記第１仮想面と前記第２仮想面との交点を第１交点としたとき、
前記平面視において、前記第１角部支持面は、前記第１交点よりも前記凹部の中央側に位置している、光導波路パッケージ。 - 前記壁面は、前記第３面と交わるとともに前記第１壁面と対向する第３壁面と、前記第３面と交わるとともに前記第２壁面と対向する第４壁面と、を有し、
前記角部支持面は、前記第３壁面と前記第４壁面と連続する第２角部支持面と、を有し、
前記第３壁面と同一平面に位置する面を第３仮想面とし、前記第４壁面と同一平面に位置する面を第４仮想面とし、前記平面視で前記第３仮想面と前記第４仮想面との交点を第２交点としたとき、
前記平面視において、前記第２角部支持面は、前記第１角部支持面と対向するとともに、前記第２交点よりも前記中央側に位置している、請求項１に記載の光導波路パッケージ。 - 前記角部支持面は、曲面である、請求項１または２に記載の光導波路パッケージ。
- 前記第１角部支持面の曲率半径は、前記発光素子に外接する円の直径の半分よりも小さい、請求項３に記載の光導波路パッケージ。
- 前記角部支持面は、平面である、請求項１または２に記載の光導波路パッケージ。
- 前記壁面は、前記中央に向かって突出している中間支持面を有する、請求項１～５のいずれか一つに記載の光導波路パッケージ。
- 前記凹部は、前記平面視で前記素子搭載部が位置する第１空間と、該第１空間に連なっている第２空間と、を有する、請求項１～６のいずれか一つに記載の光導波路パッケージ。
- 前記素子搭載部から前記第１面と前記第２面との間にかけて延びている第１金属体を有する、請求項１～７のいずれか一つに記載の光導波路パッケージ。
- 前記第３面に位置するとともに、前記凹部を囲んでいる第２金属体を有する、請求項１～８のいずれか一つに記載の光導波路パッケージ。
- 前記凹部の縁は、前記平面視で前記第２金属体と離れている、請求項９に記載の光導波路パッケージ。
- 前記凹部は、前記平面視で、前記コアに最も近い第１辺および該第１辺と反対に位置する第２辺を有し、
前記第１辺と前記第２金属体との距離は、前記第２辺と前記第２金属体との距離よりも大きい、請求項９または請求項１０に記載の光導波路パッケージ。 - 前記凹部は、前記平面視で前記素子搭載部が複数位置するとともに、複数の前記素子搭載部を仕切っている仕切りを有し、
複数の前記素子搭載部は、前記平面視で前記第１方向に交わる第２方向に並んで位置し、隣接する素子搭載部は、前記平面視で段違いに位置する、請求項１～１１のいずれか一つに記載の光導波路パッケージ。 - 請求項１～１２のいずれか一つに記載の光導波路パッケージと、
前記素子搭載部に位置する前記発光素子と、
前記コアから出射される光の光路上に位置するレンズと、を含む発光装置。
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