JP2021150309A - レーザ光源 - Google Patents
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Abstract
Description
第1実施形態について説明する。本実施形態のレーザ光源は、光負帰還を用いたレーザ光源であり、図1に示すように、光を共振させて出射する共振部10と、共振部10から出射する光の周波数を制御する光負帰還部30とを備えている。共振部10と、光負帰還部30は、シリコンフォトニクスによってSOI(Silicon on Insulator)基板に形成された光集積回路で構成されている。
第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してリング共振器を追加したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してリング共振器を追加したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してリング共振器を追加したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して導波路の構成を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第6実施形態について説明する。本実施形態は、第4実施形態に対して光検出器を追加したものであり、その他については第4実施形態と同様であるため、第4実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第7実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して光位相変調器を追加したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第8実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して周波数変調器を追加したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
11 発光部
12 導波路
13 反射部
14 導波路
15 反射部
16 リング共振器
22 リング共振器
24 方向性結合器
30 光負帰還部
31 導波路
32 反射部
40 光位相変調器
Claims (8)
- 光を出力する発光部(11)を有し、前記発光部が出力した光を共振させて出射する共振部(10)と、
前記共振部から出射した光の一部を反射して前記発光部に入力することにより、前記共振部から出射する光の周波数を制御する光負帰還部(30)と、を備えるレーザ光源であって、
前記共振部は、
前記発光部に接続された第1導波路(12)と、
前記発光部が出力した光を反射して前記第1導波路に入力する第1反射部(13)と、
前記第1導波路から離された状態で配置された第2導波路(14)と、
前記第2導波路に接続された第2反射部(15)と、
前記第1導波路と前記第2導波路との間に配置されたリング共振器(16、22)と、を備え、
前記発光部から出力された光が、前記リング共振器によって前記第1反射部と前記第2反射部との間で共振し、前記第1反射部または前記第2反射部から出射して前記リング共振器から遮断された光の一部が、前記第1導波路のうち前記第1反射部および前記発光部とは反対側の端部と、前記第2導波路のうち前記第2反射部とは反対側の端部に透過する構成とされており、
前記光負帰還部は、
前記リング共振器から遮断されて前記第1導波路の端部に透過した光が入射するように配置された第3導波路(31)と、
前記第3導波路に接続された第3反射部(32)と、を備え、
前記第3反射部によって反射した光が、前記第3導波路から出射し、前記第1導波路に入射する構成とされているレーザ光源。 - 光を出力する発光部(11)を有し、前記発光部が出力した光を共振させて出射する共振部(10)と、
前記共振部から出射した光の一部を反射して前記発光部に入力することにより、前記共振部から出射する光の周波数を制御する光負帰還部(30)と、を備えるレーザ光源であって、
前記共振部は、
前記発光部に接続された第1導波路(12)と、
前記第1導波路を2つに分岐させる方向性結合器(24)と、
前記発光部が出力した光を反射して前記第1導波路に入力する第1反射部(13)と、
前記第1導波路から離された状態で配置された第2導波路(14)と、
前記第2導波路に接続された第2反射部(15)と、
前記第1導波路のうち前記方向性結合器によって分岐した一方の導波路と前記第2導波路との間に配置されたリング共振器(16、22)と、を備え、
前記発光部から出力された光が、前記リング共振器によって前記第1反射部と前記第2反射部との間で共振し、前記第1反射部または前記第2反射部から出射して前記リング共振器から遮断された光の一部が、該一方の導波路のうち前記第1反射部および前記発光部とは反対側の端部と、前記第2導波路のうち前記第2反射部とは反対側の端部から出射し、前記第1反射部から出射して前記第1導波路のうち前記方向性結合器によって分岐した他方の導波路に入射した光が、該他方の導波路の端部に透過する構成とされており、
前記光負帰還部は、
該他方の導波路の端部に透過した光が入射するように配置された第3導波路(31)と、
前記第3導波路に接続された第3反射部(32)と、を備え、
前記第3反射部によって反射した光が、前記第3導波路から出射し、前記第1導波路に入射する構成とされているレーザ光源。 - 前記リング共振器を第1リング共振器として、
前記光負帰還部は、前記第3導波路に接続された第2リング共振器(34)を備える請求項1または2に記載のレーザ光源。 - 前記リング共振器を第1リング共振器として、
前記光負帰還部は、前記第3反射部に接続された第2リング共振器(36)を備える請求項1または2に記載のレーザ光源。 - 前記光負帰還部は、前記第2リング共振器に接続された光検出器(39)を備える請求項3または4に記載のレーザ光源。
- 前記第1導波路または前記第3導波路のうち、前記第1反射部と前記第2反射部とを結ぶ経路から離れた場所に、前記光負帰還部からの戻り光の位相を変調する光位相変調器(40)が配置されている請求項1ないし5のいずれか1つに記載のレーザ光源。
- 前記発光部と前記第3反射部とを結ぶ経路から離れた場所に、前記第2反射部から前記発光部に戻る光の周波数を変調する周波数変調器(25)が配置されている請求項1ないし6のいずれか1つに記載のレーザ光源。
- 前記光負帰還部への入力光と、前記光負帰還部から前記発光部への戻り光との位相差が、−π/2以上π以下とされている請求項1ないし7のいずれか1つに記載のレーザ光源。
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Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6255983A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-11 | Nec Corp | 光フアイバを用いた外部光帰還半導体レ−ザ |
JPH04343283A (ja) * | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 集積型半導体レーザ光源 |
WO2007029647A1 (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-15 | Nec Corporation | 波長可変フィルタおよび波長可変レーザ |
JP2008060326A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Nec Corp | 波長可変レーザ |
JP2008060445A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nec Corp | 発光素子 |
JP2010177539A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Nec Corp | 送信光源及びその製造方法 |
JP2011253930A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Fujitsu Ltd | 半導体光装置 |
JP2012256667A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ光源 |
JP2013015728A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体波長可変フィルタ及び半導体波長可変レーザ |
WO2013021422A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | 富士通株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ素子及び光素子 |
WO2013114577A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 富士通株式会社 | レーザ素子 |
WO2014115330A1 (ja) * | 2013-01-28 | 2014-07-31 | 富士通株式会社 | レーザ装置、光変調装置及び光半導体素子 |
US20150215043A1 (en) * | 2014-01-30 | 2015-07-30 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Lasers Based On Optical Ring-Resonators |
WO2017056474A1 (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ光源 |
JP2018141821A (ja) * | 2017-02-27 | 2018-09-13 | 株式会社豊田中央研究所 | レーザ光源およびレーザレーダ装置 |
JP2019087572A (ja) * | 2017-11-02 | 2019-06-06 | 富士通株式会社 | 波長可変光源、及び光半導体装置 |
JP2019121691A (ja) * | 2018-01-05 | 2019-07-22 | 富士通株式会社 | 集積レーザ光源、及びこれを用いた光トランシーバ |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4774761B2 (ja) * | 2005-03-03 | 2011-09-14 | 日本電気株式会社 | 波長可変共振器、波長可変レーザ、光モジュール及びそれらの制御方法 |
JP2008270583A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Nec Corp | 波長可変光源装置とその制御方法,制御用プログラム |
US8249405B2 (en) | 2008-02-01 | 2012-08-21 | Nec Corporation | Variable wavelength light source, optical module and manufacturing method of variable wavelength light source |
JP2012114163A (ja) | 2010-11-22 | 2012-06-14 | Nec Corp | 光ファイバ通信用波長可変半導体レーザ光源 |
JP6589273B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2019-10-16 | 富士通株式会社 | 波長可変レーザ及び波長可変レーザモジュール |
JP6586028B2 (ja) | 2016-02-16 | 2019-10-02 | 日本電信電話株式会社 | 半導体レーザ光源 |
-
2020
- 2020-03-16 JP JP2020045196A patent/JP7437682B2/ja active Active
-
2021
- 2021-03-11 US US17/198,745 patent/US11881677B2/en active Active
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6255983A (ja) * | 1985-09-05 | 1987-03-11 | Nec Corp | 光フアイバを用いた外部光帰還半導体レ−ザ |
JPH04343283A (ja) * | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 集積型半導体レーザ光源 |
WO2007029647A1 (ja) * | 2005-09-06 | 2007-03-15 | Nec Corporation | 波長可変フィルタおよび波長可変レーザ |
JP2008060326A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Nec Corp | 波長可変レーザ |
JP2008060445A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Nec Corp | 発光素子 |
JP2010177539A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Nec Corp | 送信光源及びその製造方法 |
JP2011253930A (ja) * | 2010-06-02 | 2011-12-15 | Fujitsu Ltd | 半導体光装置 |
JP2012256667A (ja) * | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ光源 |
JP2013015728A (ja) * | 2011-07-05 | 2013-01-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体波長可変フィルタ及び半導体波長可変レーザ |
WO2013021422A1 (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-14 | 富士通株式会社 | 外部共振器型半導体レーザ素子及び光素子 |
WO2013114577A1 (ja) * | 2012-01-31 | 2013-08-08 | 富士通株式会社 | レーザ素子 |
WO2014115330A1 (ja) * | 2013-01-28 | 2014-07-31 | 富士通株式会社 | レーザ装置、光変調装置及び光半導体素子 |
US20150215043A1 (en) * | 2014-01-30 | 2015-07-30 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Lasers Based On Optical Ring-Resonators |
WO2017056474A1 (ja) * | 2015-09-28 | 2017-04-06 | 日本電気株式会社 | 半導体レーザ光源 |
JP2018141821A (ja) * | 2017-02-27 | 2018-09-13 | 株式会社豊田中央研究所 | レーザ光源およびレーザレーダ装置 |
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Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
KOMLJENOVIC, T. ET AL.: "Monolithically Integrated High-Q Rings for Narrow Linewidth Widely Tunable Lasers", IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, vol. 51, no. 11, JPN6023042609, November 2015 (2015-11-01), US, pages 0600610, ISSN: 0005174522 * |
YAMAMOTO, Y. ET AL.: "Theory of a Negative Frequency Feedback Semiconductor Laser", IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, vol. 21, no. 12, JPN6023042611, December 1985 (1985-12-01), US, pages 1919 - 1928, ISSN: 0005174520 * |
YASAKA, H. ET AL.: "FM Noise and Spectral Linewidth Reduction by Incoherent Optical Negative Feedback", IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, vol. 27, no. 2, JPN6023042610, February 1991 (1991-02-01), US, pages 193 - 204, ISSN: 0005174521 * |
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