JP2021145412A - 高周波電源装置 - Google Patents
高周波電源装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021145412A JP2021145412A JP2020041084A JP2020041084A JP2021145412A JP 2021145412 A JP2021145412 A JP 2021145412A JP 2020041084 A JP2020041084 A JP 2020041084A JP 2020041084 A JP2020041084 A JP 2020041084A JP 2021145412 A JP2021145412 A JP 2021145412A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- frequency power
- high frequency
- output
- power supply
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims abstract description 50
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 28
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 13
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 27
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 11
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Inverter Devices (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Description
(実施形態1)
図1は、実施形態1に係る高周波電源装置100aの構成例を示す回路図である。高周波電源装置100aは、例えば同軸ケーブル及びインピーダンス整合器を介して、プラズマ処理装置のプラズマチャンバに高周波電力を供給するものである。高周波電源装置100aは、高周波電力を生成して負荷RLに出力する高周波生成部1と、該高周波生成部1による高周波電力の出力をオン/オフに制御する制御部2と、高周波生成部1及び負荷RLの間に直列に接続された高周波抑止部10aとを備える。本実施形態1では、高周波電力の周波数が数MHz程度であることを想定しているが、これに限定されるものではなく、例えば13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz等の工業用のRF帯(Radio Frequency )の周波数であってもよい。
実施形態1は、フィルタ回路F2及び方向性結合器3の間に抵抗器Rdが直列に接続される形態であるのに対し、実施形態2は、フィルタ回路F2及び方向性結合器3の間に抵抗器RdがトランスT11を介して接続される形態である。図5は、実施形態2に係る高周波電源装置100bの構成例を示す回路図である。
実施形態1は、高周波生成部1が1つであって電力合成が不要な形態であるのに対し、実施形態3は、2つの高周波生成部1,1からの高周波電力を合成する形態である。図7は、実施形態3に係る高周波電源装置100cの構成例を示す回路図である。
実施形態3は、2つの高周波生成部1,1からの高周波電力を電力合成器4で合成する形態であるのに対し、実施形態4は、2つの高周波生成部1,1からの高周波電力を他の電力合成器5で合成する形態である。図10は、実施形態4に係る高周波電源装置100dの構成例を示す回路図である。
1 高周波生成部
DC1 直流電源
S1、S2 高周波信号発生器
U1,U2 トランジスタ
2 制御部
3 方向性結合器
4、5 電力合成器
10a、10b 高周波抑止部
11 駆動信号発生器
12 絶縁回路
SW11 スイッチ回路
U11,U12 トランジスタ
T11 トランス
F1、F2 フィルタ回路
Cx1 同軸ケーブル
RL 負荷
Claims (5)
- 高周波電力を生成して負荷に出力する高周波生成部と、該高周波生成部による高周波電力の出力をオン/オフに制御する制御部とを備える高周波電源装置であって、
抵抗器及びスイッチの並列回路を含んでなり前記高周波生成部及び前記負荷の間に直列に接続された高周波抑止部を備え、
前記制御部は、
前記出力の制御と同期して前記スイッチをオン/オフするようにしてあり、
前記出力をオフに制御する場合、前記スイッチをオフする
高周波電源装置。 - 前記高周波抑止部は、前記高周波生成部及び前記負荷の間に一次巻線が直列に接続されたトランスを含み、該トランスの二次巻線に前記並列回路が接続されている
請求項1に記載の高周波電源装置。 - 前記スイッチは、逆直列に接続された2つの電界効果トランジスタを含む
請求項1又は請求項2に記載の高周波電源装置。 - 前記高周波生成部を複数備え、複数の前記高周波生成部及び前記高周波抑止部の間に、複数の前記高周波生成部からの高周波電力を合成する合成器を更に備える
請求項1から請求項3の何れか1項に記載の高周波電源装置。 - 前記高周波生成部は、直流電圧をスイッチングして直流電力を高周波電力に変換するようにしてあり、
前記高周波生成部及び前記高周波抑止部の間に、インダクタ及びキャパシタを含んで前記高周波電力の高調波を抑止するフィルタ回路を更に備える
請求項1から請求項4の何れか1項に記載の高周波電源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020041084A JP7301012B2 (ja) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 高周波電源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020041084A JP7301012B2 (ja) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 高周波電源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021145412A true JP2021145412A (ja) | 2021-09-24 |
JP7301012B2 JP7301012B2 (ja) | 2023-06-30 |
Family
ID=77767366
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020041084A Active JP7301012B2 (ja) | 2020-03-10 | 2020-03-10 | 高周波電源装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7301012B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010238705A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2013135159A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2018088819A (ja) * | 2018-02-28 | 2018-06-07 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源 |
-
2020
- 2020-03-10 JP JP2020041084A patent/JP7301012B2/ja active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010238705A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2013135159A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-07-08 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2018088819A (ja) * | 2018-02-28 | 2018-06-07 | 株式会社ダイヘン | 高周波電源 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP7301012B2 (ja) | 2023-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7046088B2 (en) | Power amplifier | |
US8965315B2 (en) | Impedance circuit and method for signal transformation | |
KR101645119B1 (ko) | 지향성 커플러를 위한 시스템 및 방법 | |
US9871504B2 (en) | Differential phase adjustment of clock input signals | |
US7471156B2 (en) | Amplifier containing programmable impedance for harmonic termination | |
JP3641785B2 (ja) | プラズマ発生用電源装置 | |
CN110417261B (zh) | 电平转换电容的补偿 | |
US11798786B2 (en) | Power converter, power supply system and HF plasma system | |
US9490758B2 (en) | Power amplifier | |
JP7165355B2 (ja) | 電力増幅回路 | |
JP2014199966A (ja) | 極性切替増幅回路 | |
JP7301012B2 (ja) | 高周波電源装置 | |
CN107968637B (zh) | 包络检测电路 | |
Bertoldi et al. | Quasi-two-level converter operation strategy for overvoltage mitigation in long cable applications | |
JP6385171B2 (ja) | 整流器 | |
JP2012142840A (ja) | 歪み補償回路装置 | |
US9929700B2 (en) | Distortion compensation circuit | |
Aimaier et al. | SHEPWM Class-D Amplifier with a reconfigurable gate driver integrated circuit | |
US20180234080A1 (en) | Self-matching phase shifter/attenuator | |
JP2022102662A (ja) | 高周波電源装置 | |
KR20230002729A (ko) | 임피던스 정합 회로 및 플라즈마 공급 시스템 및 작동 방법 | |
JP2011135232A (ja) | 電力合成器 | |
WO2021195337A1 (en) | Circuits for switched capacitor voltage converters | |
JP6254014B2 (ja) | ハーモニックリジェクション電力増幅器 | |
RU2647217C1 (ru) | Высокочастотный векторный фазовращатель |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221007 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230529 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230620 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7301012 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |